JP4287235B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 26
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 7
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 101100481702 Arabidopsis thaliana TMK1 gene Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013524 data verification Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
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- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
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- G—PHYSICS
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- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
-
- G—PHYSICS
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- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
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Description
センスノードNsenには、ビット線データセンス時にセンスノードNsenの電圧を上昇させるためのブースト用キャパシタ27の一端が接続されている。キャパシタ27の他端はブースト信号入力端子BOOSTとなる。また、クランプ電圧発生回路40においては、電圧発生回路42に電源電圧Vddより高い昇圧電圧を供給するための昇圧回路43が接続されている。
Claims (5)
- 電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのデータ読み出しを行うためのセンスアンプ回路を備えた不揮発性半導体記憶装置において、
前記センスアンプ回路は、
前記メモリセルアレイのビット線とセンスノードとの間に介在し、データ読み出し時ゲートが駆動されて選択メモリセルのデータに応じて変化するビット線電圧を前記センスノードに転送するための、ビット線データセンス用の第1のトランジスタと、
前記センスノードに接続されて、ビット線データセンスに先立って前記センスノードをプリチャージするための第2のトランジスタと、
第1電圧により駆動され前記センスノードに接続されて前記センスノードに転送されたビット線電圧のレベルを判定してセンスデータを取り込むためのデータラッチと、
前記センスノードに一端が接続され前記メモリセルアレイの選択メモリセルの消去状態を確認するため前記選択メモリセルに所定の読み出し電圧を印加して前記選択メモリセルのセル電流によるビット線の電圧変化を検出して消去状態を確認する消去ベリファイ動作時に他端に昇圧用電圧が供給される、センスノードを昇圧するためのキャパシタとを有し、
前記メモリセルアレイに対する消去ベリファイ動作時に前記第1のトランジスタのゲートに前記第1電圧よりも昇圧された第2電圧を供給する昇圧回路を備えると共に、
前記センスアンプ回路は、
前記消去ベリファイ動作において、前記キャパシタの他端に前記昇圧用電圧が供給されることにより前記センスノードが昇圧された状態で、前記第1のトランジスタに前記第2電圧を印加してビット線電圧を前記センスノードに転送する動作を行い、
その後、前記第1のトランジスタへの前記第2電圧の印加を停止した後、前記キャパシタの他端に対する前記昇圧用電圧の供給を停止して前記センスノードの電圧を降圧させ、続いて前記データラッチを活性化させる
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリセルアレイは、複数個のメモリセルが直列接続され、その一端が対応するビット線に、他端が共通ソース線に接続され、制御ゲートがそれぞれ異なるワード線に接続されたNANDセルユニットを配列して構成されている
ことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリセルアレイのデータ消去モードは、選択メモリセルに消去電圧を印加してそのしきい値を負に変化させる消去動作と、
消去動作後前記選択メモリセルに所定の読み出し電圧を印加し、前記共通ソース線に電源電圧を印加して、選択メモリセルのセル電流によるビット線の電圧変化を前記センスアンプ回路により検出して消去状態を確認する消去ベリファイ動作とを含む
ことを特徴とする請求項2記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記消去動作は、ワード線を共有するNANDセルユニットの集合である各ブロック毎に、選択ブロック内の全ワード線に0V、前記メモリセルアレイが形成された半導体ウェルに正の消去電圧を与えて、選択ブロック内の全メモリセルの浮遊ゲートの電子を放出させるものであり、
前記消去ベリファイ動作は、前記選択ブロック内の全ワード線に0V、前記共通ソース線に電源電圧を与えて、選択されたメモリセルにより充電された各ビット線の電圧変化をそれぞれに接続されたセンスアンプ回路により検出することにより行われる
ことを特徴とする請求項3記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記キャパシタの他端に供給される前記昇圧用電圧は、前記第1電圧であることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003351068A JP4287235B2 (ja) | 2003-10-09 | 2003-10-09 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US10/867,679 US7016230B2 (en) | 2003-10-09 | 2004-06-16 | Non-volatile semiconductor memory device |
KR1020040080333A KR100632329B1 (ko) | 2003-10-09 | 2004-10-08 | 불휘발성 반도체 기억 장치 |
US11/326,296 US7333371B2 (en) | 2003-10-09 | 2006-01-06 | Non-volatile semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003351068A JP4287235B2 (ja) | 2003-10-09 | 2003-10-09 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005116102A JP2005116102A (ja) | 2005-04-28 |
JP2005116102A5 JP2005116102A5 (ja) | 2005-11-24 |
JP4287235B2 true JP4287235B2 (ja) | 2009-07-01 |
Family
ID=34419776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003351068A Expired - Fee Related JP4287235B2 (ja) | 2003-10-09 | 2003-10-09 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7016230B2 (ja) |
JP (1) | JP4287235B2 (ja) |
KR (1) | KR100632329B1 (ja) |
Families Citing this family (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4208498B2 (ja) * | 2002-06-21 | 2009-01-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | 薄膜磁性体記憶装置 |
US7196931B2 (en) * | 2002-09-24 | 2007-03-27 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory and method with reduced source line bias errors |
US6917542B2 (en) * | 2003-07-29 | 2005-07-12 | Sandisk Corporation | Detecting over programmed memory |
-
2003
- 2003-10-09 JP JP2003351068A patent/JP4287235B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-06-16 US US10/867,679 patent/US7016230B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-10-08 KR KR1020040080333A patent/KR100632329B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-01-06 US US11/326,296 patent/US7333371B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7016230B2 (en) | 2006-03-21 |
KR20050034560A (ko) | 2005-04-14 |
KR100632329B1 (ko) | 2006-10-11 |
US20060114733A1 (en) | 2006-06-01 |
JP2005116102A (ja) | 2005-04-28 |
US7333371B2 (en) | 2008-02-19 |
US20050078524A1 (en) | 2005-04-14 |
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