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JP4261169B2 - 透光性薄膜太陽電池及び透光性薄膜太陽電池モジュールの製造方法 - Google Patents

透光性薄膜太陽電池及び透光性薄膜太陽電池モジュールの製造方法 Download PDF

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    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

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  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積型薄膜太陽電池及びその製造方法に関するものであり、特に、透光性を有し、外観及び生産性に優れた薄膜太陽電池及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に薄膜太陽電池は、ガラス等の絶縁透光性基板上にスパッタ、CVD等の方法を用い順次、透明導電膜、半導体の光電変換膜、裏面電極膜を積層することで形成される。透明導電膜としては、ZnO、SnO2、ITO等が、金属電極材としては、Ag、Al等が主に用いられる。さらに大面積の薄膜太陽電池では、エッチング、レーザスクライブ等のパターニングと各膜の積層とを繰り返し実施することで形成される、複数の光電変換セルが、透明導電膜、裏面電極膜及び接続領域を介して直列接続された、いわゆる集積構造とすることが一般的である。
【0003】
ところで、近年用途によっては、このような大面積薄膜太陽電池に透光性が要求されるようになった。
【0004】
集積構造を有する大面積薄膜太陽電池モジュールに透光性を付与する方法として、絶縁透光性基板上の、透明導電膜、非晶質シリコン系半導体からなる光電変換膜、及び裏面電極膜からなる積層体に対して、レーザ光を照射しつつ走査することにより、光電変換膜及び裏面電極膜を除去し、透光性を有する開口溝を設ける方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
【0005】
【特許文献1】
特開平05−251723号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような大面積透光性薄膜太陽電池において、十分な透光性を得るためには、透光性開口溝の太陽電池に対する面積比率を一定以上確保する必要があり、レーザ光を照射しつつ走査することで、光電変換膜及び裏面電極膜を除去し、透光性開口溝を設ける方法で形成する場合、レーザ光の照射及び走査を行ういわゆるレーザスクライブ工程の負荷つまり装置コストや加工時間が、製造工程上過大となるという問題があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は上記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、絶縁透光性基板の一主面上に順に積層された透明導電膜、非晶質及び/又は多結晶シリコン系半導体からなる光電変換膜、裏面電極膜を含む多層膜を含み、直列接続された複数の光電変換セルを含むセル領域と、光電変換膜及び裏面電極が除去された透光性開口溝と、接続領域とを含み、前記透光性開口溝の形成が、同時に複数のレーザ光を前記多層膜が積層された基板上のそれぞれ異なる部分に照射することによりなされることを特徴とする透光性薄膜太陽電池とすることで、レーザスクライブ工程の負荷を大幅に低下することができることを見出した。同時に複数のレーザ光を基板上のそれぞれ異なる部分に照射することにより、複数の透光性開口溝が同時に形成され、透光性開口溝の面積比率が大きい透光性薄膜太陽電池を、低装置コストで短時間に形成することができる。
【0008】
ところで、各透光性開口溝は、夫々を形成したレーザ光の状態を反映し、個々異なる形態を有する。そして、レーザ光の状態はレーザ光出射ヘッドが同じなら若干の時間変動を除き一定である。従って、上記のように同時に複数のレーザ光を照射し複数の透光性開口溝を形成する場合には、同一のレーザ光出射ヘッドから出射されたレーザ光により形成された透光性開口溝が隣接している領域は、周囲と異なった外観に見えるという問題がある。
【0009】
このため、隣り合う前記透光性開口溝が同一のレーザ光出射ヘッドからのレーザ光により形成された前記基板上の領域の数が、前記複数のレーザ光の数よりも大きくすることが有効である。このようにすると、同一のレーザ光出射ヘッドから出射されたレーザ光により形成された透光性開口溝が隣接している領域が、一枚の基板内で少なくとも2領域以上、間隔をもって、つまり別領域を挟んで離れて存在しているので、外観上平均化して一様に見える効果がある。ここで、別領域とは、上記と異なる、同一のレーザ光出射ヘッドから出射されたレーザ光により形成された透光性開口溝が隣接している領域のことである。
【0010】
さらに、隣り合う前記透光性開口溝が異なるレーザ光出射ヘッドからのレーザ光により形成されるようにすることが効果的である。このようにすると、同一のレーザ光出射ヘッドから出射されたレーザ光により形成された透光性開口溝が隣接している領域自体が存在しないので、基板内で透光性開口溝形成に伴う領域としての外観ムラを皆無にすることができる。
【0011】
また、前記透光性開口溝が直線状に形成されてなる薄膜太陽電池とすると、同時に複数のレーザ光を前記多層膜が積層された基板上のそれぞれ異なる部分に照射するレーザスクライブ工程により、高い生産性が得られ、また外観上も好ましいものとなる。
【0012】
さらに、隣り合う前記透光性開口溝間の間隔が実質的に等間隔である薄膜太陽電池とすると、外観に優れた透光性薄膜太陽電池となり好ましい。
【0013】
特に、接続領域と直線状に形成された前記透光性開口溝との関係は、直線状に形成された前記透光性開口溝が、光電変換セルの直列接続方向と平行であることことが、外観上また実生産上さらには施工上好ましい。一般に光電変換セルの直列接続方向は、短冊状に形成される個々の光電変換セルの端部に形成される直線状の個々の接続領域に直角な方向となる。
【0014】
上記のような透光性薄膜太陽電池の前記多層膜上に、高い透過率及び耐候性を有するフッ素系樹脂又はガラスを裏面封止材料として配することにより、信頼性優れた透光性の高い透光性薄膜太陽電池モジュールを得ることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながらより詳細に説明する。なお、本願の各図において同一の参照符号は同一部分または相当部分を示し、重複する説明は繰り返されない。
【0016】
図1は、本発明の透光性薄膜太陽電池1を説明するための斜視図である。図1に示すように、透光性薄膜太陽電池1の光電変換セル10は、絶縁透光性基板2上に、透明導電膜3、光電変換膜4、及び裏面電極膜5を順次積層した構造を有している。すなわち、この透光性薄膜太陽電池1は、絶縁透光性基板2側から入射する光を、光電変換膜4によって光電変換するものである。
【0017】
次に、この透光性薄膜太陽電池1の各構成要素について説明する。
【0018】
絶縁透光性基板2としては、例えば、ガラス板や透明樹脂フィルムなどを用いることができる。ガラス板としては、大面積な板が安価に入手可能で透明性、絶縁性が高い、SiO2、Na2O及びCaOを主成分とする両主面が平滑なフロート板ガラスを用いることができる。
【0019】
透明導電膜3は、ITO膜、SnO2膜、或いはZnO膜のような透明導電性酸化物層等で構成することができる。透明導電膜3は、蒸着法、CVD法、或いはスパッタリング法等それ自体既知の気相堆積法を用いて形成することができる。
【0020】
光電変換膜4は非晶質及び/又は多結晶シリコン系半導体光電変換層を備えており、例えば、透明導電膜3側からp型シリコン系半導体層、i型シリコン系半導体層、及びn型シリコン系半導体層を順次積層した構造を有する。これらp型半導体層、i型半導体層、及びn型半導体層はいずれもプラズマCVD法により形成することができる。また、これらpin構造を2段積層したタンデム構造、3段積層したトリプル構造等の構造であってもよい。
【0021】
光電変換膜4を構成するp型半導体層は、例えば、シリコンまたはシリコンカーバイドやシリコンゲルマニウム等のシリコン合金に、ボロンやアルミニウム等のp導電型決定不純物原子をドープすることにより形成することができる。また、i型半導体層は、非晶質シリコン系半導体材料及び結晶質シリコン系半導体材料でそれぞれ形成することができ、そのような材料としては、真性半導体のシリコン(水素化シリコン等)やシリコンカーバイド及びシリコンゲルマニウム等のシリコン合金等を拳げることができる。また、光電変換機能を十分に備えていれば、微量の導電型決定不純物を含む弱p型もしくは弱n型のシリコン系半導体材料も用いられ得る。さらに、n型半導体層は、シリコンまたはシリコンカーバイドやシリコンゲルマニウム等のシリコン合金に、燐や窒素等のn導電型決定不純物原子をドープすることにより形成することができる。
【0022】
裏面電極膜5は電極としての機能を有するだけでなく、絶縁透光性基板2から光電変換膜4に入射し裏面電極膜5に到着した光を反射して光電変換膜4に再入射させる反射層としての機能も有している。裏面電極膜5は、銀やアルミニウム等を用いて、蒸着法やスパッタ法等により、例えば200nm〜400nm程度の厚さに形成することができる。
【0023】
なお、裏面電極膜5と光電変換膜4との間には、例えば両者の間の接着性を向上させるために、ZnOのような非金属材料からなる透明電導性薄膜(図示せず)を設けることができる。
【0024】
透光性薄膜太陽電池1の絶縁透光性基板2に形成された各光電変換セル10は、封止樹脂層6(図示せず)を介して裏面封止材料7により封止されている。この封止樹脂層6は、裏面封止材料7をこれらセル10に接着することが可能な樹脂が用いられる。そのような樹脂としては、例えば、EVA(エチレン・ビニルアセテート共重合体)、PVB(ポリビニルブチラール)、PIB(ポリイソブチレン)、及びシリコーン樹脂等を用いることができる。また、裏面封止材料7としては、ポリフッ化ビニルフィルム(例えば、テドラーフィルム(登録商標名))のようなフッ素樹脂系フィルム或いはガラスのような耐湿性や耐水性に優れた透光性絶縁材料が用いられる。これら封止樹脂層6/裏面封止材料7は、真空ラミネート法により透光性薄膜太陽電池1の裏面側に同時に貼着することができる。
【0025】
図1に示すように、透光性薄膜太陽電池1には、上記薄膜を分割する第1、第2の分離溝21、22と接続溝23とが設けられている。これら第1、第2の分離溝21、22及び接続溝23は、互いに平行であって、図1の斜視図の紙面右上方向に延在している。また、図1に示すように、透光性薄膜太陽電池1には、上記薄膜を分割する透光性開口溝8が設けられている。この透光性開口溝8は、互いに平行であって、図1の斜視図の紙面左右方向に延在している。
【0026】
第1の分離溝21は、透明導電膜3をそれぞれのセル10に対応して分割しており、透明導電膜3と光電変換膜4との界面に開口を有し且つ絶縁透光性基板2の表面を底面としている。この第1の分離溝21は、光電変換膜4を構成するシリコン系薄膜によって埋め込まれており、隣り合う透明導電膜3同士を電気的に絶縁している。
【0027】
第2の分離溝22は、第1の分離溝21から離れた位置に設けられている。第2の分離溝22は、光電変換膜4、及び裏面電極膜5をそれぞれのセル10に対応して分割しており、裏面電極膜5と樹脂封止層6との界面に開口を有し且つ透明導電膜3の表面を底面としている。この第2の分離溝22は、封止樹脂層6によって埋め込まれており、隣り合うセル10間で裏面電極膜5同士を電気的に絶縁している。
【0028】
接続溝23は、第1の分離溝21と第2の分離溝22との間に設けられている。接続溝23は、光電変換膜4を分割しており、光電変換膜4と裏面電極膜5との界面に開口を有し且つ透明導電膜3の表面を底面としている。この接続溝23は、裏面電極膜5を構成する金属材料で埋め込まれており、隣り合うセル10の一方の裏面電極膜5と他方の透明導電膜3とを電気的に接続している。すなわち、接続溝23及びそれを埋め込む金属材料は、絶縁透光性基板2上に並置されたセル10同士を直列接続する役割を担っている。
【0029】
これら第1、第2の分離溝21と22とにより挟まれ接続溝23を各々1本含む領域は一般に光電変換に寄与しない接続領域9と呼ばれる。
【0030】
透光性開口溝8は、透光性薄膜太陽電池1に透光性を付与するために、光電変換膜4、及び裏面電極膜5を分割しており、裏面電極膜5と樹脂封止層6との界面に開口を有し且つ透明導電膜3の表面を底面としている。この透光性開口溝8は、封止樹脂層6によって埋め込まれている。
【0031】
引き続き、この透光性薄膜太陽電池1の製造方法について説明する。
【0032】
最初に、絶縁透光性基板2の一方の全面に透明導電膜3を製膜した後、例えばYAG基本波レーザ光を照射して透明導電膜3を短冊状に分割する第1の分離溝21を形成する。
【0033】
次に、第1の分離溝21が形成された透明導電膜3にわたって光電変換膜4としてアモルファスシリコン及び/又は多結晶シリコンを、プラズマCVD法等でp型、i型、n型の順に1回以上積層した後、例えばYAG第2高調波レーザ光を照射して光電変換膜4を短冊状に分割する接続溝23を形成する。
【0034】
引き続き、接続溝23が形成された光電変換膜4にわたって裏面電極膜5として透明電導性薄膜及び金属膜を、この順にスパッタ法等で製膜した後、例えばYAG第2高調波レーザ光を絶縁透光性基板2側から照射して裏面電極膜5を短冊状に分割する第2の分離溝22を形成する。
【0035】
このようにして、絶縁透光性基板2の一主面上に順に積層された透明導電膜3、非晶質及び/又は多結晶シリコン系半導体からなる光電変換膜4、裏面電極膜5を含む多層膜を含み、直列接続された複数の光電変換セルを含むセル領域と、接続領域9とを含む、複数の同一形状の短冊状光電変換セルが直列接続したいわゆる集積型薄膜太陽電池が形成される。
【0036】
最後に、前記のように形成された集積型薄膜太陽電池の絶縁透光性基板2側からYAG第2高調波レーザ光を走査し、前記の裏面電極膜5の分割と同様の方法で、図1に示す透光性開口溝8が形成される。この透光性開口溝8のセル領域に対する面積比率は、透光性薄膜太陽電池1の発電に係わる面積効率を極端に低下させない範囲の1/5から1/20である。
【0037】
また、透光性開口溝8は直線状で、非連続であってもよいが、透光性を高めるために、連続して設けることが好ましい。
【0038】
さて、このような透光性薄膜太陽電池1の透光性開口溝8の形成を、本発明では、同時に複数のレーザ光を前記多層膜が積層された絶縁透光性基板2上のそれぞれ異なる部分に照射することにより実施する。1枚の絶縁透光性基板2に対し1つのレーザ光のみを照射し透光性開口溝8を形成する場合には、このレーザスクライブ工程に長時間を要し、製造工程上大きな負担となる。逆に、同時に照射するレーザ光の数が極端に多くなると、レーザスクライブ装置の構造が複雑になる。従って、1枚の絶縁透光性基板2に対し同時に照射するレーザ光の数は10以下が好ましく、さらに好ましくは8以下である。
【0039】
上記のように、1枚の絶縁透光性基板2に対し同時に複数のレーザ光を照射し透光性開口溝8を形成する場合、隣り合う前記透光性開口溝8が同一のレーザ光出射ヘッドからのレーザ光により形成された前記基板2上の領域の数が前記複数のレーザ光の数よりも大きくすること、つまり、同一のレーザ光出射ヘッドからのレーザ光を用いて加工した前記透光性開口溝8が2本以上連続して隣接してなる領域があり、複数のレーザ光の数よりも該領域の数が大きいようにすることが有効である。
【0040】
以下、図2の平面図を用いて説明する。例えば、2つの異なるレーザ光出射ヘッド31及びレーザ光出射ヘッド32からのレーザ光の走査によって透光性開口溝8が形成される場合、図2のようにレーザ光出射ヘッド31のレーザ光の走査により隣接して透光性開口溝8が形成される領域311と、レーザ光出射ヘッド32のレーザ光の走査により隣接して透光性開口溝8が形成される領域312とが、隣り合っていると、2つのレーザ光出射ヘッド31と32とから出射されるレーザ光の状態の違いに起因して、これら2つの領域311と321との境界12が目視上顕著に認識され、透光性薄膜太陽電池1の外観が大きく損なわれる。
【0041】
そこで、図3及び図4のように、レーザ光出射ヘッド31のレーザ光の走査により隣接して透光性開口溝8が形成される領域311と、レーザ光出射ヘッド32のレーザ光の走査により隣接して透光性開口溝8が形成される領域312とを一枚の絶縁透光性基板2上に、少なくとも一方の領域を別な領域を挟んで複数、配置し、これら領域311と領域321との差異を全体として平均化することで、透光性薄膜太陽電池1の外観を改善することができる。
【0044】
6に示すように、一枚の絶縁透光性基板2上に、第1のレーザ光出射ヘッド31のレーザ光の走査により隣接して透光性開口溝が形成される第1領域311と、第2のレーザ光出射ヘッド32のレーザ光の走査により隣接して透光性開口溝が形成される第2領域312とが存在する場合、それぞれ第1のレーザ光出射ヘッド31から出射されるレーザ光の走査により形成する第1種透光性開口溝811と、第2のレーザ光出射ヘッド32から出射されるレーザ光の走査により形成する第2種透光性開口溝821とを交互に配置した領域を介して、第1領域311と第2領域321を存在させること好ましい。
【0045】
さらに、同一のレーザ光出射ヘッドから出射されるレーザ光の走査により隣接して透光性開口溝8が形成される領域と、異なるレーザ光出射ヘッドから出射されるレーザ光の走査により形成する透光性開口溝8とを、特定の配置方法に従い配置することにより、透光性薄膜太陽電池1全体として外観を向上させることができる。
【0046】
例えば、図7に示すように、一枚の絶縁透光性基板2上に、第1のレーザ光出射ヘッド31のレーザ光の走査により隣接して透光性開口溝8が形成される第1領域311と、第2のレーザ光出射ヘッド32のレーザ光の走査により隣接して透光性開口溝8が形成される第2領域321とが、一定距離離れて存在する場合にその挟まれる領域では、第1領域311の近くでは第1のレーザ光出射ヘッド31から出射されるレーザ光の走査により形成される第1種透光性開口溝811を多くし、第2領域321の近くでは第2のレーザ光出射ヘッド32から出射されるレーザ光の走査により形成される第2種透光性開口溝821を多くすることで、第1領域311から第2領域321へ外観の急激な変化を伴わず緩やかに移行することができる。
【0047】
上記の配置方法は、3つ以上のレーザ光を走査して透光性開口溝8を形成させる場合についても同様に適用できる。
【0048】
同一のレーザ光出射ヘッドから出射されるレーザ光の走査により隣接して透光性開口溝8が形成される領域311は、レーザ光走査を容易にするために、10本以上の透光性開口溝8が連続して隣接する領域であることが好ましい。特に好ましくは30本以上である。
【0049】
以上の述べてきた透光性薄膜太陽電池1をモジュールにする際には、絶縁透光性基板2側から入射した太陽光等の光の一部が透光性開口溝8を介して透光性薄膜太陽電池1の裏面電極膜5側から見えるように、また耐候性を高めるために、EVA(Ethylene Vinyl Acetate)等の透光性を有する封止樹脂層6と、ガラス、弗素樹脂フィルム等の、色彩のない透光性を有する裏面封止材料7とを用い、ラミネート封入による防湿処理仕上げをすると良い。
【0050】
【実施例】
以下、本発明を比較例とともにいくつかの実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はその趣旨を超えない限り以下の記載例に限定されるものではない。
【0051】
上述した実施の形態に従い、4つのレーザ光出射ヘッドを使用して透光性開口溝8を有する透光性薄膜太陽電池1を作製した。
【0052】
まず、910mm×910mmの面積と5mmの厚さを有するガラス基板2上に、透明導電膜3として、熱CVD法による厚さ約700nmのSnO2膜を製膜した。このSnO2膜3に対して、SnO2膜3側からYAG基本波レーザ光ビームを照射することにより、第1の分離溝21をパターンニング加工形成した。次に、加工により生じた微粉などを洗浄除去した後、ガラス基板2がをプラズマCVD製膜装置に搬入し、厚さ約300nmのアモルファスシリコンからなる光電変換膜4を製膜した。CVD装置からガラス基板2を搬出した後、光電変換膜4にガラス基板2側からYAG第二高調波レーザ光を照射して接続溝23を形成した。
【0053】
次に裏面電極膜5として、厚さ約80nmのZnO膜と厚さ約300nmのAg膜をこの順でスパッタ法で光電変換膜4上に製膜した。さらに、裏面電極膜5にガラス基板2側からYAG第二高調波レーザ光を照射して短冊上に分割し第2の分離溝22を形成した。セル領域と接続領域とをガラス基板2周囲から絶縁するために、ガラス基板2の周辺に沿ってYAGレーザ光を照射して、SnO2膜3、アモルファスシリコン光電変換膜4、及び裏面電極膜5を除去した。以上のようにして、面積がほぼ79.21cm2の光電変換セル10が100個直列接続した集積型薄膜太陽電池を得た。
【0054】
次に、裏面電極膜5を短冊状に分割し第2の分離溝22を形成したのと同様に、4つのレーザ光出射ヘッドを使用して透光性開口溝8を上記集積型薄膜太陽電池に形成した。透光性開口溝8は合計889本、長さ888mmにて1mm間隔で、集積型薄膜太陽電池の集積方向11とほぼ平行に配置した。
【0055】
これら透光性開口溝8の配置方法の概略を図8に示す。この図では、レーザ光出射ヘッド31から出射されるレーザ光の走査により形成される透光性開口溝8を透光性開口溝811、隣接して透光性開口溝811が形成される領域を領域311とし、また領域311と領域321とに挟まれた領域を領域123とした。図9に領域123に配置したレーザ光出射ヘッド31による透光性開口溝811とレーザ光出射ヘッド32による透光性開口溝821との組み合わせ配置パターンを示す。
【0056】
最後に、電力取り出し用の電極を両端の光電変換セル10付近に配し、封止樹脂層6としてEVAと、裏面封止材料7として910mm×910mmの面積と5mmの厚さを有するガラス板とを、裏面電極膜5上に順に重ね合わせた状態で真空ラミネーション装置を用い加熱真空封止を行なった。この透光性薄膜太陽電池1をモジュール化した透光性薄膜太陽電池モジュールの太陽電池性能を測定した。
【0057】
この透光性薄膜太陽電池モジュールの、全ての光電変換セル10、全ての透光性開口溝8、及び全ての接続領域9の合計面積は890mm×888mmである。
【0058】
AM1.5(100mW/cm2)のスペクトル及び光量の光を照射し、25℃で測定した結果、短絡電流0.114A、開放電圧86.5V、曲線因子0.596、最大出力58.8Wという良好な出力が得られた。
【0059】
また、4つの異なるレーザ光出射ヘッドから出射されたレーザビームの状態差に起因する透光性開口溝8の外観上の差異は、図8及び図9に示した透光性開口溝8の配置により大きく抑制され、透光性薄膜太陽電池モジュール全体としての良好な外観を有していた。
【0060】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、優れた透光性を有し、且つ、外観に優れた大面積集積型薄膜太陽電池モジュールを、高生産性で製造可能な、透光性薄膜太陽電池及び透光性薄膜太陽電池モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の透光性薄膜太陽電池を説明の概念斜視図
【図2】境界が目視上顕著に認識される加工例の平面図
【図3】本発明の1つの加工例を概念的に示す平面図
【図4】本発明の1つの加工例を概念的に示す平面図
【図5】本発明の1つの加工例を概念的に示す平面図
【図6】本発明の1つの加工例を概念的に示す平面図
【図7】本発明の1つの加工例を概念的に示す平面図
【図8】本発明の1つの加工例を概念的に示す平面図
【図9】図8の一部分の拡大図で、本発明の1つの加工例を概念的に示す平面図
【符号の説明】
1 透光性薄膜太陽電池
2 絶縁透光性基板
3 透明導電膜
4 光電変換膜
5 裏面電極膜
6 封止樹脂層
7 裏面封止材料
8 透光性開口溝
9 接続領域
10 光電変換セル
11 集積方向
12 境界
21 第1の分離溝
22 第2の分離溝
23 接続溝
31 レーザ光出射ヘッド
32 レーザ光出射ヘッド
311 レーザ光出射ヘッド31による形成領域
321 レーザ光出射ヘッド32による形成領域
123 領域311と領域321とに挟まれた領域
811 レーザ光出射ヘッド31による透光性開口溝
821 レーザ光出射ヘッド32による透光性開口溝

Claims (3)

  1. 絶縁透光性基板の一主面上に、透明導電膜、非晶質及び/又は多結晶シリコン系半導体からなる光電変換膜、裏面電極膜を含む多層膜が順に積層され、直列接続された複数の光電変換セルを含むセル領域と、光電変換膜及び裏面電極膜が除去された透光性開口溝と、接続領域とを含む透光性薄膜太陽電池の製造方法であって、
    前記透光性開口溝は、レーザスクライブ工程により光電変換セルの直列接続方向と平行かつ等間隔に直線状に、光電変換膜および裏面電極膜を分割するように形成され、その開口面積は、前記セル領域に対する、面積比率が1/5から1/20であり、
    前記レーザスクライブ工程において、第1のレーザ光出射ヘッドおよび第2のレーザ光出射ヘッドを含む2以上の複数のレーザ光出射ヘッドから出射される2以上の複数のレーザ光を、前記多層膜が積層された絶縁透光性基板上のそれぞれ異なる部分に同時に照射することで、前記透光性開口溝が形成され、
    第1のレーザ光出射ヘッドのレーザ光の走査により形成された複数の第1種透光性開口溝が隣接する第1領域と、第2のレーザ光出射ヘッドのレーザ光の走査により形成された複数の第2種透光性開口溝が隣接する第2領域とが、一定距離離れて存在し、
    前記第1領域と前記第2領域の間に挟まれる領域内において、第1領域の近くでは第1種透光性開口溝を多くし、第2の領域の近くでは第2種透光性開口溝を多くすることで、第1領域と第2領域との透光性の外観上の差異を平均化することを特徴とする、透光性薄膜太陽電池の製造方法。
  2. 前記第1の領域は第1種透光性開口溝が10本以上隣接して形成され、かつ、前記第2の領域は第2種透光性開口溝が10本以上隣接して形成されることを特徴とする、請求項1記載の透光性薄膜太陽電池の製造方法。
  3. 請求項1または2記載の方法により透光性薄膜太陽電池を製造し、前記多層膜上に、裏面封止材料としてフッ素系樹脂又はガラスを備える、透光性薄膜太陽電池モジュールの製造方法
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