[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP4113288B2 - 研磨用組成物およびそれを用いたシリコンウェーハの加工方法 - Google Patents

研磨用組成物およびそれを用いたシリコンウェーハの加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4113288B2
JP4113288B2 JP25150798A JP25150798A JP4113288B2 JP 4113288 B2 JP4113288 B2 JP 4113288B2 JP 25150798 A JP25150798 A JP 25150798A JP 25150798 A JP25150798 A JP 25150798A JP 4113288 B2 JP4113288 B2 JP 4113288B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing composition
polishing
quaternary ammonium
silicon oxide
hydroxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP25150798A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000080349A (ja
Inventor
弘明 田中
明利 吉田
佳久 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SpeedFam Co Ltd
Original Assignee
SpeedFam Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SpeedFam Co Ltd filed Critical SpeedFam Co Ltd
Priority to JP25150798A priority Critical patent/JP4113288B2/ja
Priority to US09/389,605 priority patent/US6238272B1/en
Publication of JP2000080349A publication Critical patent/JP2000080349A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4113288B2 publication Critical patent/JP4113288B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463Aqueous liquid suspensions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

【0001】
【発明が属する技術分野】
本発明は、例えばシリコンウェーハ等、極めて高い平坦度や平行度が要求される板状の被加工体の表面に鏡面仕上げを施すための、ポリッシング加工に供せられる研磨用組成物、更には該研磨用組成物を使用したシリコンウェーハの研磨加工法に関わるものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子回路の高集積化に伴ない、IC、LSIあるいはVLSI等の記憶容量のアップの必要性から、その原材料となるシリコンウェーハ、半導体デバイスの基板表面の極めて高度な平坦化が必須となって来ている。さらに、生産性の向上といった必要性から、高いポリッシング加工速度が得られる研磨用組成物及び研磨方法が望まれている。更に加えて、近年、デバイスの高密度化に伴いエピタキシャルウェーハ等を使用した製品が主流となりつつあって、ウェーハ表面に形成される回路の線幅がより狭くなりつつある。特に、ウェーハ表面の金属成分、就中、銅、鉄、ニッケル等の特定重金属元素による汚染はその後のエピタキシャル工程等に重大な欠陥を惹起する要因となるため、加工中や搬送中のシリコンウエーハ、半導体デバイス基板に対する重金属汚染を低減させることが極めて重要なこととなって来ている。
【0003】
従来、ガラス、金属材料、半導体材料、セラミックスあるいは炭素材料等で、極めて高い平面度や平行度が特に要求される板状の材料、特にIC、LSI等の原材料であるシリコンウェーハの面を鏡面に仕上るためのポリッシング加工は、上下あるいはその一方にポリッシング用の研磨布、所謂ポリッシングパッドを貼付した定盤を配し、その間あるいはその上に被加工体をセットして、例えばコロイダルシリカを含有したスラリー状の研磨用組成物を定量的に供給しつつ定盤及び被加工体を押圧回転運動させて、その作用で面粗さの向上を行なうという方法で行なわれている。加工精度および加工速度を向上させ、金属汚染や微小欠点のない鏡面を得るための加工方法及び条件や装置について検討されているとともに、研磨用組成物の純度と安定性、およびその他種々の付帯条件についても極めて精密な管理が必要とされるようになって来ている。
【0004】
シリコンウェーハ用の研磨剤としては、前述の通り例えば、砥粒として極めて細かいコロイド状の酸化珪素微粉(コロイダルシリカ)をアルカリ性の水溶液中に分散した研磨用組成物が一般的に使用される。その粒子サイズについては、目的に応じて一定の粒子径を中心に正規分布するように分級されたものを用いるのが通常であるが、シリコンウェーハ等のポリッシングにおいて使用されるコロイダルシリカの平均粒子径は数nmから数百nm程度のものであり、それが安定な状態でアルカリ性の溶液中に分散されている。そしてそれは、研磨剤となる砥粒微粒子を数%ないし数十%の濃度でスラリー状に分散された水系の分散液であり、分散剤、アルカリ成分、有機溶剤、更には他の添加剤を必要に応じて加えたものである。含有する砥粒微粒子は表示される粒子径を中心としてほぼ正規分布しているものであり、二次凝集したものも含有されていてもよい。
【0005】
研磨用組成物が前述のように、アルカリ性の水溶液を母体としている事由は、アルカリ性溶液のシリコンウェーハに対する化学的作用を応用したものであって、その腐蝕作用により形成された薄層の浸蝕層をコロイダルシリカの機械的擦過作用により除去するという所謂、メカノケミカル作用にてポリッシングが進むものである。従ってその作用は、その研磨用組成物のpHに大きく作用される。そのため、研磨用組成物はpHを安定に保つ緩衝液を混入したものが使用される。また、緩衝溶液を形成するアルカリ成分としてはKOHあるいはNaOH等のアルカリ金属の水酸化物や有機アミンといった強塩基と酸との組み合わせあるいは、弱酸と強塩基からなる塩等が使用される。
【0006】
従来より様々な研磨組成物がシリコンウエーハ、半導体デバイス基板表面の研磨剤として提案されている。たとえば、米国特許第3、170、273号公報では、シリカゾル及びシリカゲルが研磨剤として提案されている。さらに米国特許第3、328、141号公報では、pHを10.5〜12.5の範囲内にすることにより、研磨速度が増大する事が開示されている。米国特許第4、169、337号公報では、アミン類を研磨用組成物に添加することが開示されている。特開平2−158684号公報には、水、コロイダルシリカ、分子量10万以上の水溶性高分子、水溶性塩類からなる研磨組成物が開示されている。特開平5−154760号公報では、水溶性アミンの一種である、ピペラジンを、シリカゾルまたは、シリカゲルのシリカ基準にて、10〜80重量%含む研磨組成物を使用した研磨方法を開示している。特開平9−193004号公報では、水系溶媒に平均一次粒子径が5〜30nmのヒュームドシリカよりなり、平均二次粒子径が30〜100nmであり、好ましくは、pHが8〜13に調整された研磨用組成物が開示されている。しかし、これらはいずれも、優れた仕上げ面粗さあるいは高いポリッシング加工速度、あるいはその双方を得ることを主たる目標とするものである。さらに加えて、重金属汚染を起こさないといった条件を満足する研磨用組成物という点からは不十分である。従って、特に金属汚染を嫌うエピタキシャルウェーハおよび半導体デバイス等用のものの加工としては、信頼度高く使用できるものとはいい難かった。
【0007】
更に、上述の重金属汚染を引き起こす要因としては、使用するポリッシングパッド、配管、作業環境、搬送用の装置や器具、作業服や作業員自身からの汚染等も考えることもできるが、この操作自体は基本的には清澄度の高いクリーンルームで行われ、装置、器具等は全て防塵、汚染対策がなされたものであるので、現段階でもっとも重金属汚染対策が必要なものは、この研磨用組成物であると言える。しかしながら、従来研磨用組成物のアルカリ成分として使用されている、アルカリ金属の水酸化物やそれと弱酸との塩はその製造工程において原材料に不純物として混在している金属成分の除去精製が極めて困難であり、また有機アミン類はその製造工程において重金属元素と錯体を生成し易くこれも精製は困難であり、いずれも高度に重金属元素のコンタミを除去したものは得難い。すなわち、エピタキシャルウェーハおよび半導体デバイス等に要求される重金属に対するクリーン度はppbのレベルであるのに対して、現行使用されている研磨剤には、ppmのレベルで重金属が混入しており、ポリッシング上がりのウェーハ表面に汚染を生じる危険がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者等は、シリコンウェーハ等に対する従来のポリッシング加工における上述の問題点に鑑み、鋭意研究を行なった結果、ある特定の第4アンモニウムを使用しこれを特定の弱酸と組み合わせた緩衝液を用いることにより、重金属含有量が少なく、しかもpHが安定し高い加工量が得られる研磨用組成物スラリーが得られることを見出し、本発明を完成したものであり、その目的とすることは重金属汚染がなくしかも優れた加工面粗さと高いポリッシング加工速度が得られる研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上述の目的は、平均粒径が5〜500nmの酸化珪素を含有する研磨用組成物であって、該組成物は下記一般式を有する第4アンモニウム水酸化物の水溶液に炭酸ガスを吹き込むか、あるいはホウ酸を添加、混合して得られたpH8〜11の範囲の緩衝作用を有する水溶液であることを特徴とする研磨用組成物により達成される。
【化2】
Figure 0004113288
式中、R 1、 2、 およびR はメチル基、エチル基、プロピル基あるいはブチル基のいずれかである炭素数12以下の第4アンモニウムである。砥粒としての酸化珪素の濃度が、研磨用組成物中で1ないし30重量%であることが好ましく、より好ましくは1ないし15重量%である。また、第4アンモニウムを形成する4つの置換基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基からなるアルキル基のいずれかであることが好ましく、また、研磨用組成物のpHがないし11の範囲にあることが好ましい。本発明に示す第4アンモニウムとは、研磨用組成物中で解離している第4アンモニウムイオンとコロイダルシリカ表面に吸着している第4アンモニウムイオンの合計量を示す。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明において使用するポリッシング加工機とは、ポリッシングパッドを貼付した回転可能な定盤を有し、その上に被加工体たるシリコンウェーハを載置しつつ前記定盤を回転し、加工液たるスラリー状の酸化珪素の微粒子を含む研磨用組成物分散液を定量的に供給してポリッシングを行なうものである。
【0011】
本発明に用いる研磨用組成物は、砥粒として酸化珪素微粒子のコロイド状のものを分散した液でありその液を構成する緩衝剤は8.7乃至11.0の範囲の間に設定されたpHを安定に保つものであり、その構成はアルカリ成分として炭素数が1分子当たり12個以下の第4アンモニウムを用い、酸成分としては炭酸あるいはホウ酸よりなる無機酸のうち少なくとも一つを用いることが肝要である。アルカリ成分としての第4アンモニウムは重金属との錯体を作ることがなく、精製が容易である。特に第4アンモニウムを形成する4つの置換基の炭素数の合計が12個以下であるとその傾向が顕著であり、さらにその各々の置換基がメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基からなるアルキル基からなる群から選ばれた少なくとも一つであることが必要であり、これにより不純物としての重金属の含有量を20ppb以下にまで精製することが可能である。具体的には、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム等を挙げることができる。このような第4アンモニウムと安定な緩衝溶液の形成に使用する成分としてはホウ酸、炭酸、ケイ酸あるいは燐酸等の無機の酸を使用することができるが、重金属の含有量を極端に少なくするためにはホウ酸あるいは酸といった無機の弱酸を用いることが必要である。本発明に示す緩衝溶液とは、以下に示すAあるいはBの組成のものであり、その混合物であってもよい。
A:第4アンモニウムイオン(NR4 +:Rはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基)と未解離の硼酸〔B(OH)3〕と硼酸イオン〔B(OH)4 〕の組み合わせ。
B:第4アンモニウムイオン(NR4 +)と炭酸イオン(CO3 2 )および炭酸水素イオン(HCO3 )の組み合わせ
【0012】
本発明に用いる研磨用組成物に含まれる酸化珪素砥粒は平均粒子径が5〜500nmのものが使用できる。平均粒子径がこれより細かいと十分な加工力を発揮することができずまた、これを超えると仕上がり面粗さが十分でなく、所期の目的の面を得ることができない。砥粒としての酸化珪素微粒子の濃度は、ポリッシング加工時において1〜30重量%、好ましくは1〜15重量%である。濃度が1重量%以下であると相対的にポリッシング加工速度は低下し、また濃度が上がれば相対的に加工速度は上がってくるが、約15重量%を越えるあたりでその値はその条件でのピーク値に達する。また、加工に伴う加工屑は、循環使用に伴い液中に残存し、液中濃度を高めてゆく。砥粒濃度が最初から31重量%以上であると、それ以上は濃度を高くした意味がなくなる。砥粒濃度が最初から高濃度であると、リサイクル液の濃度が上がり粘性も上昇し、スラリーとしての安定性を欠くようになる。これらの酸化珪素微粒子は、二次凝集していても良い。
【0013】
本発明において使用される酸化珪素微粒子は、例えば水ガラス法、エチルシリケート法あるいはアルコキシド法等さまざまな方法で製造されたものが使用され特に限定を受けるものではないが、特に好ましくはアルコキシド法で製造されたコロイダルシリカ及び酸水素炎法等で製造されたヒュームドシリカを用いることが好ましい。この方法で製造された酸化珪素微粒子はニッケル、銅、鉄の含有量を低いレベルに精製できるため本発明の研磨用組成物には好適である。
【0014】
本発明に用いる研磨用組成物はpHが8ないし11の間で使用されることが必要であり、好ましくは9ないし11の範囲である。pHが低くなり中性に近くなるにつれ、加工速度は低下して行く傾向にあり、8以下になると加工速度は著しく低下し実用範囲から逸脱する。また、pHが11以上になると、シリカゾルが凝集を始めるため研磨組成物の安定性が低下し、仕上げ面粗さが粗くなったり異常条痕が発生したりし、また、一定の加工速度を得ることができない。
【0015】
本発明に用いる研磨用組成物は、25℃における導電率が酸化珪素微粒子1重量%あたり20ms/m以上であると仕上げ面粗さを阻害することなく加工速度を向上することができる。導電率を高くするには、緩衝溶液のアルカリ成分と酸成分の濃度を上げればよいが、また塩類を添加してもよい。塩類を添加する方法に用いる塩類は、酸と塩基の組み合わせによって行われその種類については特に限定を受けるものではないが、重金属の含有量を低レベルに抑えた精製品を使用する。本発明研磨用組成物を改良するため、または、研磨物の加工面の品質を向上させるため、界面活性剤、分散剤、沈降防止剤などを併用することができる。本発明の研磨用組成物は水溶液としているが、水溶性有機溶剤を添加しても構わない。本発明の研磨用組成物は研磨時にコロイダルシリカおよび研磨用組成物処方となる添加剤と水とを混合して調整してもよい。
【0016】
〔実施例、比較例〕以下実施例および比較例に従い、本発明を具体的に説明するが特に限定を受けるものではない。
〔研磨用組成物の調製〕本実施例、実施例において用いられる研磨用組成物は以下のようにして製造した。使用した高純度酸化珪素微粒子スラリーはヒュームドシリカであり、これを純水に分散して作製した。平均二次粒子径は180nmであった。この高純度シリカスラリーを所定濃度になるよう分取し、純水1000gを添加の後、撹拌しながら、緩衝溶液、塩類を添加し純水で3000gとした。
〔緩衝溶液の調製〕第4アンモニウムと炭酸、ホウ酸により形成されるpHの緩衝溶液はそれぞれ次の方法で作製した。
第4アンモニウムと炭酸の緩衝溶液
濃度10重量%の水酸化第4アンモニウム水溶液に炭酸ガスを吹き込み作製した。吹き込み終了後、中和滴定で炭酸ガスの濃度を測定し、その結果をもとに、所定の緩衝溶液処方になるよう水酸化第4アンモニウム水溶液を加え調整した。
第4アンモニウムとホウ酸の緩衝溶液
濃度10重量%の水酸化第4アンモニウム水溶液にホウ酸を加え作製した。ホウ酸はあらかじめイオン交換等で精製したものを用いた
〔ポリッシング加工条件〕ポリッシング加工は以下の方法で行い鏡面ウェーハを得た。
加工装置:スピードファム株式会社製、SH−24型定盤回転数:70RPM
プレッシャープレート回転数:50RPM
研磨布:SUBA400(ロデールニッタ社製)
面圧力:400g/cm2
研磨組成物流量:80mL/分
研磨加工時間:10分
加工用試料:プレポリッシング後の4インチのシリコンウエーハ
〔測定および評価方法〕研磨速度は、研磨前後のシリコンウエーハの重量差より求めた。研磨組成物のpHはpHメーターを用い測定した。測定にあたっては、pH6.86と9.18のpH標準溶液であらかじめpH電極の校正を行った後測定した。導電率は導電率計にて測定した。加工面の評価は、集光灯下で肉眼にてヘイズ及びピットの状態を観察した。研磨組成物中の不純物はICP発光分光分析法にて測定した。
【0017】
実施例1、比較例1
表1に示す処方の緩衝溶液、塩類を添加し研磨組成物を作製した。実験番号1および2が本発明の実施例、実験番号3および4が比較例である。研磨組成物を循環しつつ前述の方法にて加工を行ない加工速度、pHの変化、加工面の表面状態を比較した。その結果を表2に示す。
なお、表においてTMAOHは水酸化テトラメチルアンモニウムの略、TMAHCO3は炭酸水素テトラメチルアンモニウムの略である。
【0018】
【表1】
Figure 0004113288
【0019】
【表2】
Figure 0004113288
【0020】
実験番号1及び2は、高純度研磨用組成物の実施例であり、循環研磨を行っても研磨速度の変化はほとんどなかった。pHの変化も比較例1及び比較例2に比べて少ない結果となった。比較例1の市販研磨剤の希釈品は不純物としての鉄分の含有量が極めて多かった。
【0021】
実施例2、比較例2
表3に示す処方の緩衝溶液、塩類を添加し研磨組成物を作製した。実験番号5〜16が本発明の実施例であり酸化珪素微粒子としてはヒュームドシリカを用いており、実験番号17〜24は比較例であって添加物の他に酸化珪素微粒子の種類も変えてある。研磨組成物を循環しつつ前述の方法にて加工を行ない加工速度、pHの変化、加工面の表面状態を比較した。その結果を表4に示す。
【0022】
【表3】
Figure 0004113288
【0023】
【表4】
Figure 0004113288
【0024】
実験番号5〜16は、高純度研磨用組成物の実施例であり、研磨加工速度も速く表面状態も良好であり、重金属の含有量も少なかった。また、実験番号17、21はpHが低い比較例であり加工速度が十分でない。さらに、実験番号18、19、20、22、23の研磨用組成物は重金属、特に鉄分の含有量が著しく多く重金属汚染を生じる可能性が高いものであった。
【0025】
【発明の効果】
以上の説明で示される通り、本発明の研磨組成物を用いることにより、シリコンウエーハ、半導体デバイス基板を研磨表面の品質を落とさず、安定に高速研磨する事が出来るようになった。更に加えるに、従来対応が極めて不十分であった加工後のウェーハの重金属汚染を極端に低くすることができ、特に金属汚染を嫌うエピタキシャルウェーハ用のものの加工としては、信頼度高く使用できるものであり今後主流となるエピタキシャルウェーハの持つ問題点を解決し、その生産性を十分に工場生産レベルにまで引き上げることができるようになった。
本発明の研磨用組成物は、装置としては一般に良く使用される平面定盤を有する片面または両面のポリッシング加工装置に使用できる他、シリコンウエーハのエッジポリッシング装置にも応用が可能である。たとえば、スピードファム(株)社製SH−24型、FAM−59SPAW型、EP−200IV型などである。これらポリッシング装置に本発明の研磨組成物を用いることによりシリコンウエーハ、半導体デバイス基板を研磨表面の品質を落とさず、安定に高速研磨する事が出来る。

Claims (4)

  1. 平均粒径が5〜500nmの酸化珪素を含有する研磨用組成物であって、該組成物は下記一般式を有する第4アンモニウム水酸化物の水溶液に炭酸ガスを吹き込むか、あるいはホウ酸を添加、混合して得られたpH8〜11の範囲の緩衝作用を有する水溶液であることを特徴とする研磨用組成物。
    Figure 0004113288
    (式中、R 1、 2、 およびR はメチル基、エチル基、プロピル基あるいはブチル基のいずれかである炭素数12以下の第4アンモニウムである。)
  2. 該第4アンモニウム水酸化物が水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、もしくは水酸化テトラプロピルアンモニウム、の何れか1種である請求項1記載の研磨用組成物。
  3. 該酸化珪素の濃度が、研磨用組成物の1ないし30重量%であることを特徴とする請求項1又は2項に記載の研磨用組成物。
  4. 研磨用組成物の25℃における導電率が酸化珪素微粒子1重量%あたり20ms/m以上であることを特徴とする請求項第1項ないし3項のいずれかに記載の研磨用組成物。
JP25150798A 1998-09-04 1998-09-04 研磨用組成物およびそれを用いたシリコンウェーハの加工方法 Expired - Fee Related JP4113288B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25150798A JP4113288B2 (ja) 1998-09-04 1998-09-04 研磨用組成物およびそれを用いたシリコンウェーハの加工方法
US09/389,605 US6238272B1 (en) 1998-09-04 1999-09-03 Polishing compound and a polishing method for silicon wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25150798A JP4113288B2 (ja) 1998-09-04 1998-09-04 研磨用組成物およびそれを用いたシリコンウェーハの加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000080349A JP2000080349A (ja) 2000-03-21
JP4113288B2 true JP4113288B2 (ja) 2008-07-09

Family

ID=17223849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25150798A Expired - Fee Related JP4113288B2 (ja) 1998-09-04 1998-09-04 研磨用組成物およびそれを用いたシリコンウェーハの加工方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6238272B1 (ja)
JP (1) JP4113288B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010157618A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Nitta Haas Inc 研磨組成物

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6428396B2 (en) * 2000-06-29 2002-08-06 Hoya Corporation Method of producing a substrate for an information recording medium and method of producing an information recording medium
JP4954398B2 (ja) * 2001-08-09 2012-06-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6743267B2 (en) * 2001-10-15 2004-06-01 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Gel-free colloidal abrasive polishing compositions and associated methods
JP2003297780A (ja) * 2002-04-03 2003-10-17 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 鏡面半導体ウェーハの製造方法、半導体ウェーハ用研磨スラリの製造方法および半導体ウェーハ用研磨スラリ
DE10247202A1 (de) * 2002-10-10 2003-10-30 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer polierten Siliciumscheibe mit niedrigem Kupfergehalt
JP3940111B2 (ja) * 2002-10-30 2007-07-04 花王株式会社 研磨液組成物
CN1333444C (zh) * 2002-11-12 2007-08-22 阿科玛股份有限公司 使用磺化两性试剂的铜化学机械抛光溶液
JP4335541B2 (ja) * 2003-01-20 2009-09-30 隼次 芝田 SiO2粒子とSiC粒子を分離する方法及び装置並びに分離回収SiC
KR20060024775A (ko) * 2003-05-12 2006-03-17 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 제2단계 구리 라이너 및 관련된 물질을 위한 cmp조성물및 그 이용방법
JP4700333B2 (ja) * 2003-12-22 2011-06-15 シルトロニック・ジャパン株式会社 シリコンウエーハ用の高純度アルカリエッチング液およびシリコンウエーハアルカリエッチング方法
JP4808394B2 (ja) * 2004-10-29 2011-11-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2006202932A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Nippon Chem Ind Co Ltd 研磨用組成物、その製造方法及び該研磨用組成物を用いる研磨方法
US20070034116A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mac Donald Dennis L Silica sols with controlled minimum particle size and preparation thereof
US8052788B2 (en) * 2005-08-10 2011-11-08 Nalco Company Method of producing silica sols with controllable broad size distribution and minimum particle size
US7678702B2 (en) * 2005-08-31 2010-03-16 Air Products And Chemicals, Inc. CMP composition of boron surface-modified abrasive and nitro-substituted sulfonic acid and method of use
US20070075042A1 (en) * 2005-10-05 2007-04-05 Siddiqui Junaid A Stabilizer-Fenton's reaction metal-vinyl pyridine polymer-surface-modified chemical mechanical planarization composition and associated method
JP2007300070A (ja) * 2006-04-05 2007-11-15 Nippon Chem Ind Co Ltd 半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物、それを用いた研磨用組成物の製造方法、及び研磨加工方法
TW200817497A (en) * 2006-08-14 2008-04-16 Nippon Chemical Ind Polishing composition for semiconductor wafer, production method thereof, and polishing method
JP5275595B2 (ja) * 2007-08-29 2013-08-28 日本化学工業株式会社 半導体ウエハ研磨用組成物および研磨方法
US9090799B2 (en) * 2010-11-08 2015-07-28 Fujimi Incorporated Composition for polishing and method of polishing semiconductor substrate using same
JPWO2021065644A1 (ja) * 2019-09-30 2021-04-08

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3807979A (en) * 1972-05-08 1974-04-30 Philadelphia Quartz Co Quaternary ammonium silicate for polishing silicon metal
US4462188A (en) * 1982-06-21 1984-07-31 Nalco Chemical Company Silica sol compositions for polishing silicon wafers
JPS61209910A (ja) * 1985-03-15 1986-09-18 Tama Kagaku Kogyo Kk ポリツシング用コロイダルシリカの製造方法
JPH03202269A (ja) * 1989-10-12 1991-09-04 Nalco Chem Co 低ナトリウム低金属シリカ研磨スラリー
JP3290189B2 (ja) * 1991-04-11 2002-06-10 旭電化工業株式会社 シリコンウェハーの研磨方法
JPH09286974A (ja) * 1996-04-22 1997-11-04 Tokuyama Corp 研磨剤の製造方法
JP3521614B2 (ja) * 1996-05-15 2004-04-19 株式会社神戸製鋼所 シリコン用研磨液組成物
WO1998004646A1 (en) * 1996-07-25 1998-02-05 Ekc Technology, Inc. Chemical mechanical polishing composition and process
US5968239A (en) * 1996-11-12 1999-10-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Polishing slurry
JPH10172937A (ja) * 1996-12-05 1998-06-26 Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk 研磨用組成物
JPH1110540A (ja) * 1997-06-23 1999-01-19 Speedfam Co Ltd Cmp装置のスラリリサイクルシステム及びその方法
US6099604A (en) * 1997-08-21 2000-08-08 Micron Technology, Inc. Slurry with chelating agent for chemical-mechanical polishing of a semiconductor wafer and methods related thereto
JP4163785B2 (ja) * 1998-04-24 2008-10-08 スピードファム株式会社 研磨用組成物及び研磨加工方法
JP4113282B2 (ja) * 1998-05-07 2008-07-09 スピードファム株式会社 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法
US6110832A (en) * 1999-04-28 2000-08-29 International Business Machines Corporation Method and apparatus for slurry polishing

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010157618A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Nitta Haas Inc 研磨組成物

Also Published As

Publication number Publication date
US6238272B1 (en) 2001-05-29
JP2000080349A (ja) 2000-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4113288B2 (ja) 研磨用組成物およびそれを用いたシリコンウェーハの加工方法
US8114178B2 (en) Polishing composition for semiconductor wafer and polishing method
JP4113282B2 (ja) 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法
JP2592401B2 (ja) 表面を研磨及び平坦化する組成物と方法
US6027669A (en) Polishing composition
JP5275595B2 (ja) 半導体ウエハ研磨用組成物および研磨方法
EP1056816B1 (en) Cerium oxide slurry for polishing, process for preparing the slurry, and process for polishing with the slurry
JP4163785B2 (ja) 研磨用組成物及び研磨加工方法
JP2008270584A5 (ja) 半導体ウエハ研磨用組成物及び研磨方法
JP2007300070A (ja) 半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物、それを用いた研磨用組成物の製造方法、及び研磨加工方法
JP2001031951A (ja) 研磨剤及び基板の研磨方法
JP7356932B2 (ja) 研磨用組成物及び研磨方法
JP4346712B2 (ja) ウェーハエッジ研磨方法
JP2001118815A (ja) 半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法
JP3754986B2 (ja) 研磨剤用組成物およびその調製方法
JPH10154673A (ja) 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
JP4291665B2 (ja) 珪酸質材料用研磨剤組成物およびそれを用いた研磨方法
TWI401306B (zh) A polishing composition for polishing a wafer edge, a method for manufacturing the same, and a polishing method
JPH10106990A (ja) 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
JP2000008024A (ja) 研磨用組成物及び研磨加工方法
JP5373250B2 (ja) 半導体ウエハ研磨用組成物の製造方法
JP4247955B2 (ja) 硬脆材料用研磨剤組成物およびそれを用いた研磨方法
JPH11302635A (ja) 研磨用組成物及びそれを使用した研磨方法
JPH10172935A (ja) 研磨用組成物
JP2004335664A (ja) 研磨用組成物、その調製方法及びそれを用いたウェーハの研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050808

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070726

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071009

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071207

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20071212

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080107

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20080109

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080318

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080411

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120418

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120418

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130418

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130418

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140418

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees