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JP4198125B2 - プラズマディスプレイ装置 - Google Patents

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Description

本発明は、プラズマディスプレイ装置及びその駆動方法に関し、特に、階調表現力を高めることができるプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法に関する。
一般的にプラズマディスプレイパネル(PLasma DisoLaY PaNeL:以下”PDP”だとする)は、He+Xe、 Ne+XeまたはHe+Xe+Neなどの不活性混合ガスの放電の時発生する147nmの紫外線によって蛍光体を発光させることで、文字またはグラフィックを含んだ画像を表示する。 このようなPDPは、薄膜化と大型化が容易いだけでなく最近の技術開発に負って大きく向上した画質を提供する。特に、3電極交流面放電型PDPは、放電時において表面に壁電荷が蓄積されて、放電によって発生されるスパッタリングから電極を保護するから低電圧駆動と長寿命の長所を持つ。
図1を参照すれば、 3電極交流面放電型PDPの放電セルは、上部基板10上に形成された走査電極(Y)及び維持電極(Z)と、下部基板18上に形成されたアドレス電極(X)とを備える。 走査電極(Y)及び維持電極(Z)それぞれは、透明電極(12Y、12Z)と、透明電極(12Y、12Z)の線幅より小さな線幅を持って透明電極の一側端に形成される金属バス電極(13Y、13Z)とを含む。
透明電極(12Y、12Z)は、通常インジウムティンオキサイド(Indium−Tin−Oxide: ITO)により上部基板10上に形成される。 金属バス電極(13Y、13Z)は、通常クロム(Cr)などの金属により透明電極(12Y、12Z)上に形成されて、抵抗が高い透明電極(12Y、12Z)による電圧降下を減らす役目をする。走査電極(Y)及び維持電極(Z)に並んで形成された上部基板10には、上部誘電体層14と保護膜16とが積層される。 上部誘電体層14には、プラズマ放電の時発生された壁電荷が蓄積される。 保護膜16は、プラズマ放電の時発生されたスパッタリングによる上部誘電体層14の損傷を防止すると共に、2次電子の放出效率を高める。 保護膜16には、通常酸化マグネシウム(MgO)が利用される。
アドレス電極(X)が形成された下部基板18上には、下部誘電体層22及び隔壁24が形成される。下部誘電体層22と隔壁24表面には、蛍光体層26が塗布される。 アドレス電極(X)は、走査電極(Y)及び維持電極(Z)と交差される方向に形成される。 隔壁24は、アドレス電極(X)と並んで形成されて、放電によって生成された紫外線及び可視光が隣接した放電セルに漏洩することを防止する。 蛍光体層26は、プラズマ放電の時発生された紫外線によって励起されて、赤色、緑色または青色の中で何れ一つの可視光線を発生するようになる。 上/下部基板(10、18)と隔壁24との間に設けられた放電空間には、不活性混合ガスが注入される。
PDPは、画像の階調を具現するために、一つのフレームを発光回数が異なる複数のサブフィールドで分けて時分割駆動する。 各サブフィールドは、全画面を初期化させるためのリセット期間と、走査ラインを選択して選択された走査ラインでセルを選択するためのアドレス期間と、放電回数によって階調を具現するサステイン期間とに分けられる。
ここで、リセット期間は、上昇ランプ波形が供給されるセットアップ期間と、下降ランプ波形が供給されるセットダウン期間とに分けられる。 256階調で画像を表示しようとする場合には、図2のように、1/60秒にあたるフレーム期間(16.67ms)は、8個のサブフィールド(SF1ないしSF8)で分けられる。 8個のサブフィールド(SF1ないしSF8)それぞれは、前述したように、リセット期間、アドレス期間、サステイン期間に分けられる。 各サブフィールドのリセット期間及びアドレス期間は各サブフィールド毎に等しい一方、サステイン期間は各サブフィールドで2n(n=0、1、2、3、4、5、6、7)の割合で増加される。
図3は、二つのサブフィールドに供給されるPDPの駆動波形を示す。
図3を参照すれば、PDPは、全画面を初期化させるためのリセット期間、セルを選択するためのアドレス期間及び選択されたセルの放電を維持させるためのサステイン期間に分けられて駆動される。
リセット期間において、セットアップ期間には、すべての走査電極(Y)に上昇ランプ波形(Ramp−up)が同時に印加される。 この上昇ランプ波形(Ramp−up)によって全画面のセル内には微弱な放電(セットアップ放電)が起きるようになって、セル内に壁電荷が生成される。上昇ランプ波形(Ramp−up)が供給された後、セッダウン期間には、上昇ランプ波形(Ramp−up)のピーク電圧より低い正極性電圧から下降する下降ランプ波形(Ramp−down)が全走査電極(Y)に同時に印加される。下降ランプ波形(Ramp−down)は、セル内に微弱な消去放電を起こすことで、セットアップ放電によって生成された壁電荷及び空間電荷の中で不要電荷を消去させるようになって、全画面のセル内にアドレス放電に必要な壁電荷を均一に残留させるようになる。
アドレス期間には、負極性スキャンパルス(scan)が走査電極(Y)に順に印加されることと同時に、アドレス電極(X)に正極性のデータパルス(daTa)が印加される。 このスキャンパルス(scan)とデータパルス(daTa)との電圧の差と、リセット期間に生成された壁電圧とが加わりながら、データパルス(daTa)が印加されるセル内にはアドレス放電が発生される。 アドレス放電によって選択されたセル内には、後続のサステイン期間において表示放電を可能とする壁電荷が生成される。
一方、セッダウン期間及びアドレス期間には、維持電極(Z)にサステイン電圧レベル(Vs)の正極性直流電圧が供給される。
サステイン期間には、走査電極(Y)と維持電極(Z)とに交番的にサステインパルス(sus)が印加される。 それにより、アドレス放電によって選択されたセルは、セル内の壁電圧とサステインパルス(sus)とが加わりながら、毎サステインパルス(sus)が印加される毎に、走査電極(Y)と維持電極(Z)との間に面放電形態でサステイン放電が起きるようになる。 最後に、サステイン放電の完了後には、パルス幅が小さな消去ランプ波形(erase)が維持電極(Z)に供給されてセル内の壁電荷を消去させる。
このように駆動されるPDPは、サステイン期間に供給されるサステインパルス数を利用して階調を表現する。 しかし、サステインパルス数を利用して階調を表現するようになれば、表現することができる階調が制限される問題点が発生する。これを詳細に説明すれば、サステイン期間に供給されるサステインパルスはサステイン放電を起こし、このサステイン放電回数に対応して階調が表現される。 ここで、サステイン放電によって発生される光は一定量に決まるので、細密な階調を表現することができない。 一例を挙げると、従来のPDPでは、サステイン放電によって発生される光の半分に対応する階調を表示することができる方法がなかった。
本発明の目的は、階調表現力を高めることができるプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法を提供することにある。
本発明による他のプラズマディスプレイ装置及び駆動方法は、プラズマディスプレイパネルがリセット期間を含む複数のサブフィールドが一のフレームで構成されて画面を表示する時、前記サステイン期間の間エネルギー回収装置を利用してサステインパルスをプラズマディスプレイパネルに供給する時、前記エネルギー回収装置のサステイン電圧源に接続されたスイッチのターンーオンタイミングを調節して階調値を制御し、前記スイッチのターンーオンタイミングを調節して階調値を制御することは、予め割り当てされた輝度加重値の階調を表示するように、走査電極と維持電極との間に等価的に形成されたパネルキャパシターにインダクターを介して共振波形の電圧が供給開始される時点から第1時間後に前記スイッチをターン-オンし、前記予め割り当てされた輝度加重値より高い階調を表示するように、前記パネルキャパシターにインダクターを介して共振波形の電圧が供給開始される時点から前記第1時間と相異する第2時間後に前記スイッチをターン-オンし、前記予め割り当てされた輝度加重値より低い階調を表示するように、前記パネルキャパシターにインダクターを介して共振波形の電圧が供給される時点から前記第1時間と相異する第3時間以後に前記スイッチをターンーオンすることを特徴とする。
前記サステイン電圧はサステイン電圧源から供給される電圧であることを特徴とする。
前記第1時間は前記パネルキャパシターにおおよそ前記サステイン電圧が充電される時間に設定されることを特徴とする。
前記第2時間は前記第1時間より短く設定されることを特徴とする。
前記第3時間は前記第1時間より長く設定されることを特徴とする。
一つのフレームに含まれた複数のサブフィールドの中で少なくとも一つ以上のサブフィールドのサステイン期間の間前記スッチが第2時間以後にターンされて生成されるサステインパルスが供給されることを特徴とする。
一つのフレームに含まれた複数のサブフィールドの中で少なくとも一つ以上のサブフィールドのサステイン期間の間前記スッチが第3時間以後にターンーオンして生成されるサステインパルスを供給することを特徴とする。
1秒の時間に含まれた複数のフレームの中で少なくとも一つ以上のフレームのサステイン期間の間前記スッチが第2時間以後にターン-オンして生成されるサステインパルスが供給されることを特徴とする。
1秒の時間に含まれた複数のフレームの中で少なくとも一つ以上のフレームのサステイン期間の間前記スッチが第3時間以後にターンーオンされて生成されるサステインパルスが供給されることを特徴とする。
前記サステイン期間の間前記スッチが第2時間以後にターンーオンされて生成されるステインパルスが少なくとも一つ以上供給されることを特徴とする。
前記サステイン期間の間前記スッチが第3時間以後にターンーオンされて生成されるサステインパルスが少なくとも一つ以上供給されることを特徴とする。
このような本発明はサステイン期間に発生する光量を調節して階調表現力を高めることができるようになる。
以下、本発明の実施例を添付された図面を参照して詳細に説明する。
図4は、本発明によるプラズマディスプレイ装置の構造を概略的に示す図である。
図4を参照すれば、本発明によるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネル100と、プラズマディスプレイパネル100の下部基板(未図示)に形成されたアドレス電極(X1乃至Xm)にデータを供給するためのデータ駆動部122と、スキャン電極(Y1乃至Yn)を駆動するためのスキャン駆動部123と、共通電極であるサステイン電極(Z)を駆動するためのサステイン駆動部124と、プラズマディスプレイパネル駆動の時において、データ駆動部122、スキャン駆動部123、サステイン駆動部124を制御するためのタイミングコントロール部121と、それぞれの駆動部(122、 123、 124)に必要な駆動電圧を供給するための駆動電圧発生部125とを含む。
このような、本発明によるプラズマディスプレイ装置は、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間にアドレス電極、スキャン電極及びサステイン電極に駆動パルスが印加される少なくとも一つ以上のサブフィールドの組合によって、フレームに成り立つ画像を表現するようになる。
ここで、プラズマディスプレイパネル100は、上部基板(未図示)と下部基板(未図示)とが一定な間隔を置いて合着される。上部基板には、複数の電極例えば、スキャン電極(Y1乃至Yn)及びサステイン電極(Z)が対を成して形成される。下部基板には、スキャン電極(Y1乃至Yn)及びサステイン電極(Z)と交差されるようにアドレス電極(X1乃至Xm)が形成される。
データ駆動部122には、図示しない逆ガンマ補正回路、誤差拡散回路等によって逆ガンマ補正及び誤差拡散になった後、サブフィールドマッピング回路によって各サブフィールドにマッピングされたデータが供給される。このようなデータ駆動部122は、タイミングコントロール部121からのタイミング制御信号(CTRX)に応答してデータをサンプリングしてラッチした後、そのデータをアドレス電極(X1乃至Xm)に供給する。
スキャン駆動部123は、タイミングコントロール部121の制御の下に、リセット期間の間、上昇ランプ波形(Ramp−up)と下降ランプ波形(Ramp−down)とを、全スキャン電極(Y1乃至Yn)に同時に供給する。また、スキャン駆動部123は、タイミングコントローラ121の制御の下に、アドレス期間の間、スキャン電圧(−Vy)のスキャンパルス(Sp)をスキャン電極(Y1乃至Yn)に順次に供給する。また、スキャン駆動部123は、タイミングコントローラ121の制御の下に、サステイン期間の間に、サステインパルス(sus)をスキャン電極(Y1乃至Yn)に供給する。
サステイン駆動部124は、タイミングコントロール部121の制御下に、下降ランプ波形(Ramp−down)が発生される期間と、アドレス期間とにおいて、サステイン電圧(Vs)のバイアース電圧をサステイン電極(Z)に供給する。また、サステイン駆動部124は、タイミングコントロール部121の制御下に、サステイン期間の間においてスキャン駆動部123と交互に動作してサステインパルス(sus)をサステイン電極(Z)に供給する。
一方、複数のサブフィールドのサステイン期間の間、スキャン電極及びサステイン電極にサステインパルスを供給するスキャン駆動部123及びサステイン駆動部124は、特定サブフィールドのサステイン期間に供給されるサステインパルスのサステイン電圧印加時点を、残り他のサブフィールドのサステイン期間に供給されるサステインパルスのサステイン電圧印加時点と異ならせて、サステイン期間に発生される光量による階調値を制御する。この時、特定サブフィールドのサステイン期間に発生される光量による階調値は、少数階調値を持って、サステイン電圧は、この後説明する図5のエネルギー回収装置で第2スッチがターンーオンしてサステイン電圧源からプラズマディスプレイパネル100のパネルキャパシターに供給される電圧である。
タイミングコントロール部121は、垂直/水平同期信号とクロック信号との入力を受けて、リセット期間、アドレス期間、サステイン期間において各駆動部(122、123、124)の動作タイミングと同期化とを制御するためのタイミング制御信号(CTRX、CTRY、CTRZ)を発生して、そのタイミング制御信号(CTRX、CTRY、CTRZ)を該当の駆動部(122、 123、 124)に供給することで、各駆動部(122、 123、 124)を制御する。
一方、データ制御信号(CTRX)には、データをサンプリングするためのサンプリングクロック、ラッチ制御信号、エネルギー回収回路及び駆動スッチ素子のオン/オフタイムを制御するためのスッチ制御信号が含まれる。スキャン制御信号(CTRY)には、スキャン駆動部123内のエネルギー回収回路及び駆動スッチ素子のオン/オフタイムを制御するためのスッチ制御信号が含まれる。サステイン制御信号(CTRZ)には、サステイン駆動部124内のエネルギー回収回路及び駆動スッチ素子のオン/オフタイムを制御するためのスッチ制御信号が含まれる。
駆動電圧発生部125は、セットアップ電圧(VseTup)、スキャン共通電圧(Vscan−com)、スキャン電圧(−Vy)、サステイン電圧(Vs)、データ電圧(Vd)などを発生する。このような駆動電圧は、放電ガスの組成や放電セル構造によって適宜変更する。
図5は、本発明によるプラズマディスプレイ装置に含まれるエネルギー回収装置を示す図である。エネルギー回収装置は、走査電極(Y)と維持電極(Z)との間の電圧を回収して、次の放電の時の駆動電圧に、回収された電圧を再利用する。
図5を参照すれば、本発明によるエネルギー回収装置は、パネルキャパシター(Cp)とソースキャパシター(Cs)との間に接続されたインダクター(L)と、ソースキャパシター(Cs)とインダクター(L)の間に並列に接続された第1及び第3スッチ(S1、S3)と、パネルキャパシター(Cp)とインダクター(L)との間に並列に接続された第2及び第4スッチ(S2、S4)と、第1及び第3スッチ(S1、S3)とインダクター(L)の間にそれぞれ設置されるダイオード(D5、D7)とを備える。
パネルキャパシター(Cp)は、走査電極(Y)と維持電極(Z)の間に形成される静電容量を等価的に示す。第2スィッチ(S2)は、サステイン電圧源(Vs)に接続されて、第4スッチ(S4)は、基底電圧源(GND)に接続される。ソースキャパシター(Cs)は、サステイン放電の時パネルキャパシター(Cp)に充電された電圧を回収して充電すると同時に、充電された電圧をパネルキャパシター(Cp)に再供給する。
このために、ソースキャパシター(Cs)は、サステイン電圧源(Vs)の半分値にあたるVs/2の電圧を充電することができる容量値を持つ。インダクター(L)は、パネルキャパシター(Cp)と共に共振回路を形成する。第1乃至第4スッチ(S1乃至S4)は電流の流れを制御する。第5及び第7ダイオード(D5、D6)は電流が逆方向で流れることを防止する。同様に、第1乃至第4スッチ(S1乃至S4)それぞれにも内部ダイオード(D1乃至D4)が設置されて、逆電流が流れることを防止する。
このような本発明のエネルギー回収装置は、図6a乃至図6cのようなタイミングによって駆動される。
図6aは、本発明のエネルギー回収装置で一般的に利用されるタイミング図及び波形図を表す図である。
T1期間以前に、パネルキャパシター(Cp)には0[V]の電圧が充電されると同時に、ソースキャパシター(Cs)にはVs/2の電圧が充電されていると仮定して、動作過程を詳細に説明する。
T1期間には、第1スイッチ(S1)がターン-オン(Turn−on)となって、ソースキャパシター(Cs)から第1スイッチ(S1)、インダクター(L)及びパネルキャパシター(Cp)につながる電流パスが形成される。 電流パスが形成されれば、ソースキャパシター(Cs)に充電されたVs/2の電圧はパネルキャパシター(Cp)に供給される。 この時、インダクター(L)とパネルキャパシター(Cp)が直列共振回路を形成するため、パネルキャパシター(Cp)にはその共振波形によって上昇される電圧が充電される。
T2期間には、第2スッチ(S2)がターンーオンされる。第2スッチ(S2)がターンーオンすると、サステイン電圧源(Vs)の電圧がパネルキャパシター(Cp)に供給される。パネルキャパシター(Cp)にサステイン電圧源(Vs)の電圧値が供給されると、パネルキャパシター(Cp)の電圧値がサステイン電圧(Vs)以下に落ちるのが防止されて、これに従って安定的にサステイン放電が発生される。ここで、第2スッチ(S2)は、パネルキャパシター(Cp)におおよそサステイン電圧(Vs)が充電された時ターンーオンされる。それにより、サステイン電圧源からパネルキャパシター(Cp)に供給される電圧値(電流値)が最小化されて消費電力が低減されるようになる。
T3期間には、第1スッチ(S1)がターン-オフされる。この時、パネルキャパシター(Cp)はサステイン電圧(Vs)を維持する。
T4期間には、第2スッチ(S2)がターン-オフされると同時に、第3スッチ(S3)がターンーオンされる。第3スッチ(S3)がターン-オンされると、パネルキャパシター(Cp)からインダクター(L)及び第3スッチ(S3)を通じてソースキャパシター(Cs)につながる電流パスが形成されて、パネルキャパシター(Cp)に充電された電圧がソースキャパシター(Cs)に回収される。この時、ソースキャパシター(Cs)にはVs/2の電圧が充電される。
T5期間には、第3スッチ(S3)がターン-オフされると同時に、第4スッチ(S4)がターンーオンされる。第4スッチ(S4)がターン-オンされると、パネルキャパシター(Cp)と基底電圧源(GND)との間の電流パスが形成されて、パネルキャパシター(Cp)の電圧が0[V]に下降される。実際に、走査電極(Y)と維持電極(Z)とに供給されるサステインパルスは、T1乃至T5期間が周期的に繰り返されながら得られる。以後、説明の便宜性のために、図6aのタイミングによって供給されるサステインパルスを第1サステインパルス(sus1)とする。
図6bは、本発明のエネルギー回収装置で高い階調を表現するために利用されるタイミング図及び波形図を示す図である。
T6期間以前に、パネルキャパシター(Cp)には、0[V]の電圧が充電されると同時に、ソースキャパシター(Cs)にはVs/2の電圧が充電されていると仮定して動作過程を詳細に説明する。
T6期間には第1スイッチ(S1)がターン-オン(Turn−on)となって、ソースキャパシター(Cs)から第1スイッチ(S1)、インダクター(L)及びパネルキャパシター(Cp)につながる電流パスが形成される。 電流パスが形成されれば、ソースキャパシター(Cs)に充電されたVs/2の電圧は、パネルキャパシター(Cp)に供給される。 この時、インダクター(L)とパネルキャパシター(Cp)とが直列共振回路を形成するため、パネルキャパシター(Cp)にはその共振波形によって上昇される電圧が充電される。
T6期間の間、パネルキャパシター(Cp)に所定の電圧が充電された後、T7期間の間には第2スッチ(S2)がターンーオンされる。第2スッチ(S2)がターン-オンされると、サステイン電圧源(Vs)の電圧がパネルキャパシター(Cp)に供給される。パネルキャパシター(Cp)にサステイン電圧源(Vs)の電圧値が供給されると、パネルキャパシター(Cp)の電圧値がサステイン電圧(Vs)に上昇されて、これに従って安定的にサステイン放電が発生される。ここで、図6bに図示された第2スッチ(S2)のターンーオンタイミングは、第6aに図示された第2スッチ(S2)のターンーオンタイミングと相異に設定される。
これを詳細に説明すれば、図6aで第2スッチ(S2)のターンーオンタイミングは、パネルキャパシター(Cp)におおよそVsの電圧が充電される時間(時点)で決まる。すわなち、図6aで第2スッチ(S2)は、パネルキャパシター(Cp)に電圧が充電される時点(充電開始時点)からパネルキャパシター(Cp)におおよそVsの電圧が充電されることができる第1時間(T1)後にターンーオンされる。そして、図6bで第2スッチ(S2)のターンーオンタイミングは、パネルキャパシター(Cp)に電圧が充電される時点(充電開始時点)から第2時間(T6)後にターンーオンされる。ここで、第2時間(T6)は、第1時間(T1)より短く設定されるため、図6bで第2スッチ(S2)は、パネルキャパシター(Cp)に低い電圧(例えば2/3Vs以下の電圧)が充電された時点にターンーオンされる。
パネルキャパシター(Cp)に電圧が充電される時点から第2時間(T6)後に、第2スッチ(S2)がターン-オンされると(すなわち、パネルキャパシター(Cp)に低い電圧が充電された時点で第2スッチ(S2)がターン-オンされると)、実験的に第1サステインパルス(sus1)より強いサステイン放電が発生される。実際に、パネルキャパシター(Cp)に低い電圧が充電された時点(上昇期間)に第2スッチ(S2)がターン-オンされると、パネルキャパシター(Cp)の電圧値が急激に上昇されるからパネルキャパシター(Cp)の電圧値はサステイン電圧(Vs)以上に上昇されてからサステイン電圧(Vs)に下降される。 この時、放電セル内では強いサステイン放電が発生される。本発明では、図6bのような駆動波形を利用して従来の方法で階調表現が不可能な細密な階調を表示することができる。
T8期間には、第1スッチ(S1)がターン-オフされる。この時、パネルキャパシタ
ー(Cp)はサステイン電圧(Vs)を維持する。
T9期間には、第2スッチ(S2)がターン-オフされると同時に、第3スッチ(S3)がターンーオンされる。第3スッチ(S3)がターン-オンされると、パネルキャパシター(Cp)からインダクター(L)及び第3スッチ(S3)を通じて、ソースキャパシター(Cs)につながる電流パスが形成されて、パネルキャパシター(Cp)に充電された電圧がソースキャパシター(Cs)に回収される。この時、ソースキャパシター(Cs)にはVs/2の電圧が充電される。
T10期間には、第3スッチ(S3)がターン-オフされると同時に、第4スッチ(S4)がターンーオンされる。第4スッチ(S4)がターン-オンされると、パネルキャパシター(Cp)と基底電圧源(GND)との間の電流パスが形成されて、パネルキャパシター(Cp)の電圧が0[V]に下降される。実際に、走査電極(Y)と維持電極(Z)とに供給されるサステインパルスはT6乃至T10期間が周期的に繰り返されながら得られる。
以後、説明の便宜性のために、図6bのタイミングに供給されて強いサステイン放電を起こすサステインパルスを第2サステインパルス(sus2)とする。
図6cは、本発明のエネルギー回収装置で低い階調を表現するために利用されるタイミング図及び波形図を示す図である。
T11期間以前に、パネルキャパシター(Cp)には0[V]の電圧が充電されると同時に、ソースキャパシター(Cs)にはVs/2の電圧が充電されていると仮定して動作過程を詳細に説明する。
T11期間には、第1スイッチ(S1)がターン-オン(Turn−on)となって、ソースキャパシター(Cs)から第1スイッチ(S1)、インダクター(L)及びパネルキャパシター(Cp)につながる電流パスが形成される。 電流パスが形成されると、ソースキャパシター(Cs)に充電されたVs/2の電圧はパネルキャパシター(Cp)に供給される。 この時、インダクター(L)とパネルキャパシター(Cp)とが直列共振回路を形成するため、パネルキャパシター(Cp)にはその共振波形によって上昇される電圧が充電される。
T11期間の間、パネルキャパシター(Cp)に所定の電圧が充電された後、T12期間の間、第2スッチ(S2)がターンーオンされる。第2スッチ(S2)がターン-オンされると、サステイン電圧源(Vs)の電圧がパネルキャパシター(Cp)に供給される。パネルキャパシター(Cp)でサステイン電圧源(Vs)の電圧値が供給されると、パネルキャパシター(Cp)の電圧値がサステイン電圧(Vs)に上昇されて、これに従って安定的にサステイン放電が発生される。ここでも、図6cに図示された第2スッチ(S2)のターンーオンタイミングは、図6a及び図6bに図示された第2スッチ(S2)のターンーオンタイミングと相異に設定される。
これを詳細に説明すれば、図6cに図示された第2スイッチ(S2)のターンーオンタイミングは、第1時間(T1)より長い第3時間(T11)に設定される。 ここで、第2スイッチ(S2)がパネルキャパシター(Cp)の充電開始時点から第3時間(T11)後にターン-オンされると、パネルキャパシター(Cp)電圧は共振波形によって下降する途中サステイン電圧(Vs)に上昇される。
このように第2スイッチ(S2)が、パネルキャパシター(Cp)の充電開始時点から第3時間(T11)後にターン-オンされると、実験的に第1サステインパルス(sus1)より弱いサステイン放電が発生される。 実際に、パネルキャパシター(Cp)の電圧が共振波形で下降する時点に第2スイッチ(S2)がターン-オンされると、放電セル内で弱いサステイン放電が発生される。 本発明では図6cのような駆動波形を利用して、従来の方法で階調表現が不可能な細密な階調を表示することができる。
T13期間には、第1スッチ(S1)がターン-オフされる。この時、パネルキャパシター(Cp)はサステイン電圧(Vs)を維持する。
T14期間には、第2スッチ(S2)がターン-オフされると同時に、第3スッチ(S3)がターンーオンされる。第3スッチ(S3)がターン-オンされると、パネルキャパシター(Cp)からインダクター(L)及び第3スッチ(S3)を通じてソースキャパシター(Cs)につながる電流パスが形成されて、パネルキャパシター(Cp)に充電された電圧がソースキャパシター(Cs)に回収される。この時、ソースキャパシター(Cs)にはVs/2の電圧が充電される。
T15期間には、第3スッチ(S3)がターン-オフされると同時に第4スッチ(S4)がターンーオンされる。第4スッチ(S4)がターン-オンされるとパネルキャパシター(Cp)と基底電圧源(GND)との間の電流パスが形成されて、パネルキャパシター(Cp)の電圧が0[V]に下降される。実際に、走査電極(Y)と維持電極(Z)とに供給されるサステインパルスは、T11乃至T15期間が周期的に繰り返されながら得られる。
以後、説明の便宜性のために、図6cのタイミングに供給されて強いサステイン放電を起こすサステインパルスを第3サステインパルス(sus3)とする。
上述したように、本発明では、第2スッチ(S2)のターンーオンタイミングを調節することによってサステイン放電の強さを調節して、これに従って、細密な階調を表示することができる長所がある。実際に、第1サステインパルス(sus1)乃至第3サステインパルス(sus3)は、当業者によって多様な形態に応用されながら階調表現に応用されることができる。
〔第1階調表示方法〕
図7は、本発明のプラズマディスプレイ装置による第1階調表現方法を示す図である。 図7では、一つのフレ-ムに含まれた複数のサブフィールドのサステイン期間の中で少なくとも一つ以上のサステイン期間の間、他のサブフィールドのサステイン期間と相異するサステインパルスを供給して階調表現力を高める。
図7を参照すれば、本発明のプラズマディスプレイ装置による第1階調表現方法は、第6サブフィールド(SF6)のサステイン期間の間、第2サステインパルス(sus2)を供給して、それ以外のサブフィールドのサステイン期間の間、第1サステインパルス(sus1)を供給する。 このように第6サブフィールド(6)のサステイン期間の間第2サステインパルス(sus2)が供給されると、予め割り当てされた輝度加重値より高い階調値を表現することができる。
一つのフレームのサブフィールド(SF1乃至 SF8)に割り当てされた階調値は、サステイン期間の間第1サステインパルス(sus1)が供給されると仮定して決まる。 例えば、第6サブフィールド(SF6)の輝度加重値は、第1サステインパルス(sus1)が供給されると仮定して”32”に設定されることができる。 ここで、第6サブフィールド(SF6)のサステイン期間の間第2サステインパルス(sus2)が供給されると、予め割り当てされた輝度加重値より高い階調値、例えば、“33.5”の階調を表現することができる。すなわち、本発明のプラズマディスプレイ装置による第1階調表現方法は 一つのフレームに含まれた複数のサブフィールドの中で、少なくとも一つ以上のサブフィールドのサステイン期間の間、第2サステインパルス(sus2)を供給して、階調表現力を高めることができる。
〔第2階調表現方法〕
図8は、本発明のプラズマディスプレイ装置による第2階調表現方法を示す図である。 図8では 一つのフレームに含まれた複数のサブフィールドのサステイン期間の中で、少なくとも一つ以上のサステイン期間の間、他のサブフィールドのサステイン期間と相異するサステインパルスを供給して階調表現力を高める。
図8を参照すれば、 本発明のプラズマディスプレイ装置による第2階調表現方法は、第4サブフィールド(SF4)のサステイン期間の間、第3サステインパルス(sus3)を供給して、それ以外のサブフィールドのサステイン期間の間、第1サステインパルス(sus1)を供給する。 このように第4サブフィールド(SF4)のサステイン期間の間、第3サステインパルス(sus3)が供給されると、予め割り当てされた輝度加重値より低い階調値を表現することができる。
一つのフレームのサブフィールド(SF1乃至SF8)に割り当てされた階調値は、サステイン期間の間、第1サステインパルス(sus1)が供給されると仮定して決まる。 例えば、第4サブフィールド(SF4)の輝度加重値は、第1サステインパルス(sus1)が供給されると仮定して”8”に設定されることができる。 ここで、第4サブフィールド(SF4)のサステイン期間の間、第3サステインパルス(sus3)が供給されると予め割り当てされた輝度加重値より低い階調値、例えば”7.5”の階調を表現することができる。すなわち、 本発明のプラズマディスプレイ装置による第2階調表現方法は 一つのフレームに含まれた複数のサブフィールドの中で少なくとも一つ以上のサブフィールドのサステイン期間の間、第3サステインパルス(sus3)を供給して階調表現力を高めることができる。
〔第3階調表現方法〕
図9は本発明のプラズマディスプレイ装置による第3階調表現方法を示す図である。
図9を参照すれば、本発明のプラズマディスプレイ装置による第3階調表現方法は、第3サブフィールド(SF3)のサステイン期間の間、第2サステインパルス(sus2)を供給して、第5サブフィールド(SF5)のサステイン期間の間、第3サステインパルス(sus3)を供給する。 そして、第3サブフィールド(SF3)及び第5サブフィールド(SF5)を除いた残りのサブフィールドのサステイン期間の間には、第1サステインパルス(sus1)が供給される。
このように第1サステインパルス(sus1)より高い階調を表現することができる第2サステインパルス(sus2)と、第1サステインパルス(sus1)より低い階調を表現することができる第3サステインパルス(sus3)とを、特定サブフィールド(SF3、 SF5)で供給すれば、予め割り当てされた輝度加重値と違う階調を表示することができ、これに従って階調表現力を高めることができる。
図10a及び図10bは、本発明のプラズマディスプレイ装置による第4階調表現方法を示す図である。
〔第4階調表現方法〕
図10a及び図10bを参照すれば、本発明のプラズマディスプレイ装置による第4階調表現方法は、1秒(1s)に含まれた複数のフレーム(例えば60F)中少なくとも一つ以上のフレームのサステイン期間の間、第2サステインパルス(sus2)及び/または第3サステインパルス(sus3)を供給する。即ち、第2サステインパルス(sus2)及び第3サステインパルス(sus3)の少なくとも一方を、1秒に含まれた複数のフレームの中で少なくとも一つ以上のフレームに含ませても良い。
例えば、図10aでは、1秒に含まれた60フレーム(60F)中第4フレーム(4F)に含まれたサブフィールドのサステイン期間の間第2サステインパルスを供給して、残りのフレームに含まれたサブフィールドのサステイン期間の間には第1サステインパルスを供給する。 そして、図10bでは1秒に含まれた60フレーム(60F)中第6フレーム(6F)に含まれたサブフィールドのサステイン期間の間第3サステインパルスを供給して、残りのフレームに含まれたサブフィールドのサステイン期間の間には第1サステインパルスを供給する。
このように1秒に含まれた複数のフレームの中で少なくとも一つ以上のフレームに含まれたサブフィールドのサステイン期間の間第2サステインパルス(sus2)または第3サステインパルス(sus3)を供給することで、階調表現力を高めることができる。 同時に、本発明では1秒に含まれた複数のフレームの中で少なくともふたつ以上のフレームに含まれたサブフィールドのサステイン期間の間第2サステインパルス(sus2)及び/又は第3サステインパルス(sus3)を供給することで階調表現力を高めることもできる。 即ち、第2サステインパルス(sus2)及び第3サステインパルス(sus3)の少なくとも一方を、1秒に含まれた複数のフレームの中で少なくともふたつ以上のフレームに含ませても良い。
一方、本発明で第1乃至第3サステインパルス(sus1乃至sus3)は、多様な方法に供給されることができる。 例えば、それぞれのサブフィールドのサステイン期間の間、少なくとも一つ以上の第2及び/または第3サステインパルス(sus2、sus3)を供給することで微細な階調を表現することができる。
図1は従来の3電極交流面放電型プラズマディスプレイパネルの電極配置を概略的に示す図。 図2は従来のプラズマディスプレイパネルの一つのフレームのを示す図。 図3は一般的なプラズマディスプレイパネルの駆動方法を現わす波形図。 図4は本発明によるプラズマディスプレイ装置の構造を概略的に示す図。 図5は本発明によるプラズマディスプレイ装置に含まれたエネルギー回収装置を示す図。 本発明のエネルギー回収装置のタイミング図及び波形図を示す図。 本発明のエネルギー回収装置のタイミング図及び波形図を示す図。 本発明のエネルギー回収装置のタイミング図及び波形図を示す図。 図7は本発明のプラズマディスプレイ装置による第1階調表現方法を示す図。 図8は本発明のプラズマディスプレイ装置による第2階調表現方法を示す図。 図9は本発明のプラズマディスプレイ装置による第3階調表現方法を示す図である。 本発明のプラズマディスプレイ装置による第4階調表現方法を示す図である。 本発明のプラズマディスプレイ装置による第4階調表現方法を示す図である。

Claims (13)

  1. 複数のサブフィールドがリセット期間、アドレス期間、サステイン期間で分けられて一つのフレームの画像を表現するプラズマディスプレイ装置において、
    前記サステイン期間の間、エネルギー回収装置を利用してサステインパルスを前記プラズマディスプレイ装置のパネルに供給する時、
    前記エネルギー回収装置のサステイン電圧源に接続されたスイッチのターンーオンタイミングを調節して階調値を制御し、
    前記スイッチのターンーオンタイミングを調節して階調値を制御することは、
    予め割り当てされた輝度加重値の階調を表示するように、走査電極と維持電極との間に等価的に形成されたパネルキャパシターにインダクターを介して共振波形の電圧が供給開始される時点から第1時間後に前記スイッチをターン-オンし、
    前記予め割り当てされた輝度加重値より高い階調を表示するように、前記パネルキャパシターにインダクターを介して共振波形の電圧が供給開始される時点から前記第1時間と相異する第2時間後に前記スイッチをターン-オンし、 前記予め割り当てされた輝度加重値より低い階調を表示するように、前記パネルキャパシターにインダクターを介して共振波形の電圧が供給される時点から前記第1時間と相異する第3時間以後に前記スイッチをターンーオンすることであることを特徴とする、プラズマディスプレイ装置。
  2. 前記第1時間は、前記パネルキャパシターにおおよそ前記サステイン電圧が充電される時間に設定されることを特徴とする、請求項記載のプラズマディスプレイ装置。
  3. 前記第2時間は、前記第1時間より短く設定されることを特徴とする、請求項記載のプラズマディスプレイ装置。
  4. 前記第3時間は、前記第1時間より長く設定されることを特徴とする、請求項記載のプラズマディスプレイ装置。
  5. 一つのフレームに含まれた複数のサブフィールドの中で少なくとも一つ以上のサブフィールドのサステイン期間の間、前記スイッチが前記第2時間後にターンーオンして生成されるサステインパルスが供給されることを特徴とする、請求項記載のプラズマディスプレイ装置。
  6. 一つのフレームに含まれた複数のサブフィールドの中で少なくとも一つ以上のサブフィールドのサステイン期間の間前記スイッチが第3時間後にターンーオンして生成されるサステインパルスを供給することをされることを特徴とする、請求項記載のプラズマディ
    スプレイ装置。
  7. 一つのフレームに含まれた複数のサブフィールドの中で少なくとも一つ以上のサブフィールドのサステイン期間の間、前記スイッチが第3時間後にターンーオンして生成されるサステインパルスが供給されることを特徴とする、請求項記載のプラズマディスプレイ装置。
  8. 1秒の時間に含まれた複数のフレームの中で少なくとも一つ以上のフレームのサステイン期間の間、前記スイッチが第2時間後にターンーオンして生成されるサステインパルスが供給されることを特徴とする、請求項記載のプラズマディスプレイ装置。
  9. 1秒の時間に含まれた複数のフレームの中で少なくとも一つ以上のフレームのサステイン期間の間、前記スイッチが第3時間後にターン-オンして生成されるサステインパルスが供給されることを特徴とする、請求項記載のプラズマディスプレイ装置。
  10. 1秒の時間に含まれた複数のフレームの中で少なくとも一つ以上のフレームのサステイン期間の間、前記スィッチが第3時間後にターンーオンして生成されるサステインパルスが供給されることを特徴とする、請求項記載のプラズマディスプレイ装置。
  11. 前記サステイン期間の間、前記スイッチが第2時間後にターンーオンして生成されるサステインパルスが少なくとも一つ以上供給されることを特徴とする、請求項記載のプラズマディスプレイ装置。
  12. 前記サステイン期間の間、前記スイッチが第3時間後にターンーオンして生成されるサステインパルスが少なくとも一つ以上供給されることを特徴とする、請求項記載のプラズマディスプレイ装置。
  13. 前記サステイン期間の間、前記スィッチが第3時間後にターンーオンして生成されるサステインパルスが少なくとも一つ以上供給されることを特徴とする、請求項11記載のプラズマディスプレイ装置。
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