JP4182867B2 - Radiation sensitive resin composition - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 53
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 31
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 126
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 43
- 239000012986 chain transfer agent Substances 0.000 claims description 26
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 16
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 11
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 claims description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 6
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 5
- UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N norbornane Chemical compound C1C[C@H]2CC[C@@H]1C2 UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N 0.000 claims description 4
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical class [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 claims description 2
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N pentamethylene Natural products C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 136
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 105
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 84
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 61
- -1 for example Chemical group 0.000 description 61
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 58
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 50
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 42
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 description 37
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 34
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 33
- ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N methyl 2-[(1-methoxy-2-methyl-1-oxopropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanoate Chemical compound COC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)OC ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 25
- MWMWRSCIFDZZGW-UHFFFAOYSA-N (2-oxooxolan-3-yl) prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC1CCOC1=O MWMWRSCIFDZZGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 18
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 18
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 16
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 15
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 15
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 15
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 14
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 14
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 11
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 11
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N perfluorooctane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 8
- SMEROWZSTRWXGI-UHFFFAOYSA-N Lithocholsaeure Natural products C1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)CC2 SMEROWZSTRWXGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 7
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 5
- 229940009976 deoxycholate Drugs 0.000 description 5
- JFCFIXGDCBSLRW-UHFFFAOYSA-N heptan-2-yl 1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate Chemical compound CC(CCCCC)OS(=O)(=O)C(C(F)F)(F)F JFCFIXGDCBSLRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 5
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2,2'-azo-bis-isobutyronitrile Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N tetrahydropyrrole Substances C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VLLPVDKADBYKLM-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VLLPVDKADBYKLM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- JYVXNLLUYHCIIH-UHFFFAOYSA-N (+/-)-mevalonolactone Natural products CC1(O)CCOC(=O)C1 JYVXNLLUYHCIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RXAUQWXSBSGXSH-UHFFFAOYSA-N (2-oxooxan-3-yl) prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC1CCCOC1=O RXAUQWXSBSGXSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNUYPROIFFCXAE-UHFFFAOYSA-N (4-cyclohexylphenyl)-diphenylsulfanium Chemical compound C1CCCCC1C1=CC=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 XNUYPROIFFCXAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTVJUWZZYBUYRK-UHFFFAOYSA-N (5-oxo-4-oxatricyclo[4.2.1.03,7]nonan-1-yl) prop-2-enoate Chemical compound C(C=C)(=O)OC12CC3OC(C(C3C1)C2)=O RTVJUWZZYBUYRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PZPLVNHJTDNZKU-UHFFFAOYSA-N (7-oxo-6-oxabicyclo[3.2.1]octan-1-yl) prop-2-enoate Chemical compound C(C=C)(=O)OC12CCCC(OC1=O)C2 PZPLVNHJTDNZKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RXYPXQSKLGGKOL-UHFFFAOYSA-N 1,4-dimethylpiperazine Chemical compound CN1CCN(C)CC1 RXYPXQSKLGGKOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CEZIJESLKIMKNL-UHFFFAOYSA-N 1-(4-butoxynaphthalen-1-yl)thiolan-1-ium Chemical compound C12=CC=CC=C2C(OCCCC)=CC=C1[S+]1CCCC1 CEZIJESLKIMKNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNDABSCBNOUSTE-UHFFFAOYSA-M 1-(4-butoxynaphthalen-1-yl)thiolan-1-ium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C12=CC=CC=C2C(OCCCC)=CC=C1[S+]1CCCC1 WNDABSCBNOUSTE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WXWSNMWMJAFDLG-UHFFFAOYSA-N 1-(6-butoxynaphthalen-2-yl)thiolan-1-ium Chemical compound C1=CC2=CC(OCCCC)=CC=C2C=C1[S+]1CCCC1 WXWSNMWMJAFDLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFQNMENFJSZTGD-UHFFFAOYSA-O 2,6-dimethyl-4-(thiolan-1-ium-1-yl)phenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC([S+]2CCCC2)=C1 WFQNMENFJSZTGD-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-cyano-4-methylpentan-2-yl)diazenyl]-2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound CC(C)CC(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)CC(C)C WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 4-methylimidazole Chemical compound CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N Benzamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CC=C1 KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 2
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTTGOUVDQSOBTF-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)OC12C(CCC(OC1=O)C2)C(=O)OC Chemical compound C(C=C)(=O)OC12C(CCC(OC1=O)C2)C(=O)OC VTTGOUVDQSOBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 0 CN(*=I)N(*)* Chemical compound CN(*=I)N(*)* 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYIKRXIYLAGAKQ-UHFFFAOYSA-N abcn Chemical compound C1CCCCC1(C#N)N=NC1(C#N)CCCCC1 KYIKRXIYLAGAKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N diphenyliodanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 238000000622 liquid--liquid extraction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- CKFGINPQOCXMAZ-UHFFFAOYSA-N methanediol Chemical compound OCO CKFGINPQOCXMAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N methyl 2-hydroxypropionate Chemical compound COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940057061 mevalonolactone Drugs 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- AVWAXESSFKRSMJ-UHFFFAOYSA-N propyl 5-oxo-4-prop-2-enoyloxyoxolane-3-carboxylate Chemical compound C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OCCC AVWAXESSFKRSMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 2
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- GJBRNHKUVLOCEB-UHFFFAOYSA-N tert-butyl benzenecarboperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 GJBRNHKUVLOCEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N tert‐butyl hydroperoxide Chemical compound CC(C)(C)OO CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 2
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- PNXSDOXXIOPXPY-UHFFFAOYSA-N (3,5-dioxo-4-azatricyclo[5.2.1.02,6]dec-8-en-4-yl) 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound C1=CC2CC1C1C2C(=O)N(OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C1=O PNXSDOXXIOPXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSEWMFNQRIYQFE-UHFFFAOYSA-N (4,5-dimethyl-2-oxooxolan-3-yl) prop-2-enoate Chemical compound CC1OC(=O)C(OC(=O)C=C)C1C RSEWMFNQRIYQFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDFKNNFTLQMGW-UHFFFAOYSA-M (4-cyclohexylphenyl)-diphenylsulfanium;(7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate Chemical compound C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C.C1CCCCC1C1=CC=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 RUDFKNNFTLQMGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UFADEYDBOXASBQ-UHFFFAOYSA-M (4-cyclohexylphenyl)-diphenylsulfanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1CCCCC1C1=CC=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 UFADEYDBOXASBQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QEYKXSMQZGHJSX-UHFFFAOYSA-M (4-cyclohexylphenyl)-diphenylsulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1CCCCC1C1=CC=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 QEYKXSMQZGHJSX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XQDKANIBJCDDJS-UHFFFAOYSA-N (4-fluoro-2-oxooxolan-3-yl) prop-2-enoate Chemical compound FC1COC(=O)C1OC(=O)C=C XQDKANIBJCDDJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLVBHYRJSVXJIJ-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxy-2-oxooxolan-3-yl) prop-2-enoate Chemical compound C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1O KLVBHYRJSVXJIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOWCUBLRFATAIS-UHFFFAOYSA-N (4-methoxy-2-oxooxolan-3-yl) prop-2-enoate Chemical compound COC1COC(=O)C1OC(=O)C=C FOWCUBLRFATAIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJWLARPZQVTJRY-UHFFFAOYSA-N (4-methyl-2-oxooxolan-3-yl) prop-2-enoate Chemical compound CC1COC(=O)C1OC(=O)C=C QJWLARPZQVTJRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQGTWZUOVIZAKX-UHFFFAOYSA-N (4-methylsulfonylphenyl)-diphenylsulfanium Chemical compound C1=CC(S(=O)(=O)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 HQGTWZUOVIZAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKOHBZXAXOVWQU-UHFFFAOYSA-M (4-methylsulfonylphenyl)-diphenylsulfanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC(S(=O)(=O)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VKOHBZXAXOVWQU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CFRRWRASBDSKBI-UHFFFAOYSA-M (4-methylsulfonylphenyl)-diphenylsulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC(S(=O)(=O)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 CFRRWRASBDSKBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FLFAGHQBWPCXJL-UHFFFAOYSA-N (4-tert-butylcyclohexyl) 5-oxo-4-prop-2-enoyloxyoxolane-3-carboxylate Chemical compound C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OC1CCC(CC1)C(C)(C)C FLFAGHQBWPCXJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWIBFYKKKUDQKK-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-oxooxolan-3-yl) prop-2-enoate Chemical compound CC1CC(OC(=O)C=C)C(=O)O1 NWIBFYKKKUDQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHXIWNNSPUGPEI-UHFFFAOYSA-M (7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate;(4-methylsulfonylphenyl)-diphenylsulfanium Chemical compound C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C.C1=CC(S(=O)(=O)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VHXIWNNSPUGPEI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HHYVKZVPYXHHCG-UHFFFAOYSA-M (7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate;diphenyliodanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1.C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C HHYVKZVPYXHHCG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FJALTVCJBKZXKY-UHFFFAOYSA-M (7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FJALTVCJBKZXKY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BSSNZUFKXJJCBG-OWOJBTEDSA-N (e)-but-2-enediamide Chemical compound NC(=O)\C=C\C(N)=O BSSNZUFKXJJCBG-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- KYPOHTVBFVELTG-OWOJBTEDSA-N (e)-but-2-enedinitrile Chemical compound N#C\C=C\C#N KYPOHTVBFVELTG-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- HWYGBPPFPNZPGQ-IHWYPQMZSA-N (z)-2-methylbut-2-enediamide Chemical compound NC(=O)C(/C)=C\C(N)=O HWYGBPPFPNZPGQ-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- BSSNZUFKXJJCBG-UPHRSURJSA-N (z)-but-2-enediamide Chemical compound NC(=O)\C=C/C(N)=O BSSNZUFKXJJCBG-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- BGPJLYIFDLICMR-UHFFFAOYSA-N 1,4,2,3-dioxadithiolan-5-one Chemical compound O=C1OSSO1 BGPJLYIFDLICMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALVZNPYWJMLXKV-UHFFFAOYSA-N 1,9-Nonanediol Chemical compound OCCCCCCCCCO ALVZNPYWJMLXKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQIQJUCEFIYYOJ-UHFFFAOYSA-M 1-(4-butoxynaphthalen-1-yl)thiolan-1-ium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C12=CC=CC=C2C(OCCCC)=CC=C1[S+]1CCCC1 JQIQJUCEFIYYOJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WRMXJRZJMAXZNC-UHFFFAOYSA-M 1-(6-butoxynaphthalen-2-yl)thiolan-1-ium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC2=CC(OCCCC)=CC=C2C=C1[S+]1CCCC1 WRMXJRZJMAXZNC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WFZZYWQSLJQVOT-UHFFFAOYSA-M 1-(6-butoxynaphthalen-2-yl)thiolan-1-ium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC2=CC(OCCCC)=CC=C2C=C1[S+]1CCCC1 WFZZYWQSLJQVOT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CN1CCCCCC1=O JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSSNTDFYBPYIEC-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylimidazole Chemical compound C=CN1C=CN=C1 OSSNTDFYBPYIEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 1-morpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCOCC1 XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWNMRZQYWRLGMM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylhexane-2,5-diol Chemical compound CC(C)(O)CCC(C)(C)O ZWNMRZQYWRLGMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNZYDSUXCMLOMM-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethyl-4-(thiolan-1-ium-1-yl)phenol;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC([S+]2CCCC2)=C1.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F GNZYDSUXCMLOMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAOHUAFTTHSCRT-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethyl-4-(thiolan-1-ium-1-yl)phenol;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.CC1=C(O)C(C)=CC([S+]2CCCC2)=C1 VAOHUAFTTHSCRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIKOMHHZILSBRS-UHFFFAOYSA-M 2-(3-bicyclo[2.2.1]heptanyl)-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate;bis(4-tert-butylphenyl)iodanium Chemical compound C1CC2C(C(F)(F)C(F)(F)S(=O)(=O)[O-])CC1C2.C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 NIKOMHHZILSBRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IQKGMEICSCDIQH-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bicyclo[2.2.1]heptanylmethyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ol Chemical compound C1CC2C(CC(O)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)CC1C2 IQKGMEICSCDIQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MELCWEWUZODSIS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(diethylamino)ethoxy]-n,n-diethylethanamine Chemical compound CCN(CC)CCOCCN(CC)CC MELCWEWUZODSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTEXIOINCJRBIO-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(dimethylamino)ethoxy]-n,n-dimethylethanamine Chemical compound CN(C)CCOCCN(C)C GTEXIOINCJRBIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTENGZNBNPABQE-UHFFFAOYSA-N 2-[3-(carboxymethyl)-1-adamantyl]acetic acid Chemical compound C1C(C2)CC3CC1(CC(=O)O)CC2(CC(O)=O)C3 UTENGZNBNPABQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJPDDQSCZGTACX-UHFFFAOYSA-N 2-[n-(2-hydroxyethyl)anilino]ethanol Chemical compound OCCN(CCO)C1=CC=CC=C1 OJPDDQSCZGTACX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APWRLAZEMYLHKZ-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5,6-dimethyl-1h-pyrimidin-4-one Chemical compound CC=1NC(N)=NC(=O)C=1C APWRLAZEMYLHKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYUNTGBISCIYPW-UHFFFAOYSA-N 2-chloroprop-2-enenitrile Chemical compound ClC(=C)C#N OYUNTGBISCIYPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVUNTIMPQCQCAQ-UHFFFAOYSA-N 2-dodecanoyloxyethyl dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OCCOC(=O)CCCCCCCCCCC ZVUNTIMPQCQCAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-yl)-2-phenylethanone Chemical compound OC(C(=O)c1cccc2Oc12)c1ccccc1 NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- JGBOVFKUKBGAJQ-UHFFFAOYSA-N 2-methylidenebutanediamide Chemical compound NC(=O)CC(=C)C(N)=O JGBOVFKUKBGAJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 2-piperazin-1-ylethanol Chemical compound OCCN1CCNCC1 WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 2-vinylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=CC=N1 KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenyl)sulfonylaniline Chemical group NC1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COPUOMGHQGSBQO-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(4-aminophenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=CC(O)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 COPUOMGHQGSBQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRRURAIQYOXCHD-UHFFFAOYSA-N 3-bicyclo[2.2.1]heptanyl 1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate Chemical compound C1CC2C(OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)F)CC1C2 MRRURAIQYOXCHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKKHNUKNMQLBTJ-UHFFFAOYSA-N 3-bicyclo[2.2.1]heptanyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C1CC2C(OC(=O)C(=C)C)CC1C2 SKKHNUKNMQLBTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOXOZONBQWIKDA-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl Chemical group [CH2]CCO QOXOZONBQWIKDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYKYXWQEBUNJCN-UHFFFAOYSA-N 3-methylfuran-2,5-dione Chemical compound CC1=CC(=O)OC1=O AYKYXWQEBUNJCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 3-methylideneoxolane-2,5-dione Chemical compound C=C1CC(=O)OC1=O OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 3-piperidin-1-ylpropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CN1CCCCC1 MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPIUUMROPXDNRH-UHFFFAOYSA-N 3647-74-3 Chemical compound C1C2C3C(=O)NC(=O)C3C1C=C2 GPIUUMROPXDNRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFGPNZVXBBBZNF-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-aminophenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 NFGPNZVXBBBZNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWOIWTRRPFHBSI-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[3-[2-(4-aminophenyl)propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]aniline Chemical compound C=1C=CC(C(C)(C)C=2C=CC(N)=CC=2)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 KWOIWTRRPFHBSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HESXPOICBNWMPI-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4-[2-(4-aminophenyl)propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]aniline Chemical compound C=1C=C(C(C)(C)C=2C=CC(N)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 HESXPOICBNWMPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LVACBVNDPHXENI-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)C1=CC=C(C=C1)[I+]C1=CC=C(C=C1)C(C)(C)C.C12(C(=O)CC(CC1)C2(C)C)C.C(C)(C)(C)C2=CC=C(C=C2)[I+]C2=CC=C(C=C2)C(C)(C)C Chemical class C(C)(C)(C)C1=CC=C(C=C1)[I+]C1=CC=C(C=C1)C(C)(C)C.C12(C(=O)CC(CC1)C2(C)C)C.C(C)(C)(C)C2=CC=C(C=C2)[I+]C2=CC=C(C=C2)C(C)(C)C LVACBVNDPHXENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMXGFMVHEFRFPB-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OC Chemical compound C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OC WMXGFMVHEFRFPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLVVOMGWVZTOSL-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OC(C)OC1CCCCC1 Chemical compound C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OC(C)OC1CCCCC1 ZLVVOMGWVZTOSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMJHHLOOMXNZOT-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OC(C)OCC Chemical compound C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OC(C)OCC RMJHHLOOMXNZOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMRLZJVCADXNRN-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OC1=CC=CC=C1 Chemical compound C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OC1=CC=CC=C1 WMRLZJVCADXNRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCHOCAXCAWJIHM-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OC1CCCCC1 Chemical compound C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OC1CCCCC1 JCHOCAXCAWJIHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDFNNFCTHDHDAG-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OC1OCCC1 Chemical compound C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OC1OCCC1 JDFNNFCTHDHDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBPDLTFYFASNJP-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OCC Chemical compound C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OCC CBPDLTFYFASNJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTCWLZIALSSEOH-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OCC(=O)OC(C)(C)C Chemical compound C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OCC(=O)OC(C)(C)C OTCWLZIALSSEOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GURMKSHSGQJVNN-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OCC(C)C Chemical compound C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OCC(C)C GURMKSHSGQJVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGUXSDHIXTWPCM-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OCCCC Chemical compound C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1C(=O)OCCCC NGUXSDHIXTWPCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJZJUYPLURREER-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1CC Chemical compound C(C=C)(=O)OC1C(=O)OCC1CC CJZJUYPLURREER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXGOQKVASVSORO-UHFFFAOYSA-N C12CC3(OC(=O)C=C)C(C(=O)OC)C1C(=O)OC2C3 Chemical compound C12CC3(OC(=O)C=C)C(C(=O)OC)C1C(=O)OC2C3 XXGOQKVASVSORO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSCBYLYRNRFPRU-UHFFFAOYSA-N C1CCC(CC1)C1=C(C=CC=C1)[S+](C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.CS(=O)(=O)C1=CC=C(C=C1)[S+](C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical class C1CCC(CC1)C1=C(C=CC=C1)[S+](C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.CS(=O)(=O)C1=CC=C(C=C1)[S+](C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 SSCBYLYRNRFPRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BABGAVWEYXNGME-UHFFFAOYSA-N CCC(OC1(C)C2CC(C3)CC1CC3C2)=O Chemical compound CCC(OC1(C)C2CC(C3)CC1CC3C2)=O BABGAVWEYXNGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTJFFFGAUHQWII-UHFFFAOYSA-N Dibutyl adipate Chemical compound CCCCOC(=O)CCCCC(=O)OCCCC XTJFFFGAUHQWII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZORQUEIQEFRT-UHFFFAOYSA-N Diethyl adipate Chemical compound CCOC(=O)CCCCC(=O)OCC VIZORQUEIQEFRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDSFAEKRVUSQDD-UHFFFAOYSA-N Dimethyl adipate Chemical compound COC(=O)CCCCC(=O)OC UDSFAEKRVUSQDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPVVYTCTZKCSOJ-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol distearate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCOC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC FPVVYTCTZKCSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVYKKECYCPFKGB-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylcyclohexylamine Chemical compound CN(C)C1CCCCC1 SVYKKECYCPFKGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPTISFQUQHQMNP-UHFFFAOYSA-N O1C(C=CC=C1)C1(C(=O)OCC1)C(=O)OCCCC Chemical compound O1C(C=CC=C1)C1(C(=O)OCC1)C(=O)OCCCC GPTISFQUQHQMNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N Tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylenediamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CCN(CC(C)O)CC(C)O NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLRQOWAOMJMSTP-JJTRIOAGSA-N [(2s)-2-[(2r)-3,4-dihydroxy-5-oxo-2h-furan-2-yl]-2-hydroxyethyl] (6z,9z,12z)-octadeca-6,9,12-trienoate Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCC(=O)OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O FLRQOWAOMJMSTP-JJTRIOAGSA-N 0.000 description 1
- NVJPBZCLWGTJKD-UHFFFAOYSA-N [bis(4-tert-butylphenyl)-lambda3-iodanyl] trifluoromethanesulfonate Chemical compound CC(C)(C)c1ccc(cc1)[I](OS(=O)(=O)C(F)(F)F)c1ccc(cc1)C(C)(C)C NVJPBZCLWGTJKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- RVIZJROSQMQZCG-UHFFFAOYSA-N adamantane-1,2-diol Chemical compound C1C(C2)CC3CC1C(O)C2(O)C3 RVIZJROSQMQZCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MOLCWHCSXCKHAP-UHFFFAOYSA-N adamantane-1,3-diol Chemical compound C1C(C2)CC3CC1(O)CC2(O)C3 MOLCWHCSXCKHAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUKWRHADVIQZRJ-UHFFFAOYSA-N adamantane-1,4-diol Chemical compound C1C(C2)CC3C(O)C1CC2(O)C3 AUKWRHADVIQZRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004644 alkyl sulfinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 125000003435 aroyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005135 aryl sulfinyl group Chemical group 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- RGWHHWWMFUXNAX-UHFFFAOYSA-N bis(1-adamantyl)methanone Chemical class C1C(C2)CC(C3)CC2CC13C(=O)C1(C2)CC(C3)CC2CC3C1 RGWHHWWMFUXNAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNFSNYQTQMVTOK-UHFFFAOYSA-N bis(4-tert-butylphenyl)iodanium Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 DNFSNYQTQMVTOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJBAOXYQCAKLPH-UHFFFAOYSA-M bis(4-tert-butylphenyl)iodanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 DJBAOXYQCAKLPH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UZYOPAALVQHQAX-UHFFFAOYSA-N butan-2-yl 5-oxo-4-prop-2-enoyloxyoxolane-3-carboxylate Chemical compound CCC(C)OC(=O)C1COC(=O)C1OC(=O)C=C UZYOPAALVQHQAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N carbamodithioic acid Chemical compound NC(S)=S DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N citraconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C\C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- 229940018557 citraconic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000001112 coagulating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- NKKMVIVFRUYPLQ-NSCUHMNNSA-N crotononitrile Chemical compound C\C=C\C#N NKKMVIVFRUYPLQ-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 description 1
- UKJLNMAFNRKWGR-UHFFFAOYSA-N cyclohexatrienamine Chemical group NC1=CC=C=C[CH]1 UKJLNMAFNRKWGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 150000001940 cyclopentanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N decane Chemical group CCCCCCCCC[14CH3] DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- KXGVEGMKQFWNSR-LLQZFEROSA-N deoxycholic acid Chemical class C([C@H]1CC2)[C@H](O)CC[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@H]([C@@H](CCC(O)=O)C)[C@@]2(C)[C@@H](O)C1 KXGVEGMKQFWNSR-LLQZFEROSA-N 0.000 description 1
- 229960003964 deoxycholic acid Drugs 0.000 description 1
- KXGVEGMKQFWNSR-UHFFFAOYSA-N deoxycholic acid Natural products C1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)C(O)C2 KXGVEGMKQFWNSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORPDKMPYOLFUBA-UHFFFAOYSA-M diphenyliodanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F ORPDKMPYOLFUBA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SBQIJPBUMNWUKN-UHFFFAOYSA-M diphenyliodanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 SBQIJPBUMNWUKN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 208000018459 dissociative disease Diseases 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- QSVAYRBPFFOQMK-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl hexanedioate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)CCCCC(=O)OC(C)(C)C QSVAYRBPFFOQMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012990 dithiocarbamate Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000012156 elution solvent Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- SYGAXBISYRORDR-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-(hydroxymethyl)prop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(=C)CO SYGAXBISYRORDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-methoxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)CCOC IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 235000019256 formaldehyde Nutrition 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229940100608 glycol distearate Drugs 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N mesaconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C/C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- NSPJNIDYTSSIIY-UHFFFAOYSA-N methoxy(methoxymethoxy)methane Chemical compound COCOCOC NSPJNIDYTSSIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFUCOAQWQVDBEU-UHFFFAOYSA-N methyl 2-(hydroxymethyl)prop-2-enoate Chemical compound COC(=O)C(=C)CO RFUCOAQWQVDBEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N methyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OC HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N methyl pyruvate Chemical compound COC(=O)C(C)=O CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-UHFFFAOYSA-N methylfumaric acid Natural products OC(=O)C(C)=CC(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEPOEAALKWFVLE-UHFFFAOYSA-N n -((perfluorooctanesulfonyl)oxy)-5-norbornene-2,3-dicarboximide Chemical compound C1=CC2CC1C1C2C(=O)N(OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C1=O HEPOEAALKWFVLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCMDNBGUNDHOOD-UHFFFAOYSA-N n -((trifluoromethylsulfonyl)oxy)-5-norbornene-2,3-dicarboximide Chemical compound C1=CC2CC1C1C2C(=O)N(OS(=O)(=O)C(F)(F)F)C1=O YCMDNBGUNDHOOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRQONEWDWWHIPM-UHFFFAOYSA-N n,n-dicyclohexylcyclohexanamine Chemical compound C1CCCCC1N(C1CCCCC1)C1CCCCC1 FRQONEWDWWHIPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N n,n-diheptylheptan-1-amine Chemical compound CCCCCCCN(CCCCCCC)CCCCCCC CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N n,n-dihexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCN(CCCCCC)CCCCCC DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N n,n-dipentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCN(CCCCC)CCCCC OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYXXKJEDCHMGH-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCC[CH]CCCC ZCYXXKJEDCHMGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N normal nonane Natural products CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEIJHBUUFURJLI-UHFFFAOYSA-N octane-1,8-diol Chemical compound OCCCCCCCCO OEIJHBUUFURJLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002896 organic halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004885 piperazines Chemical class 0.000 description 1
- HDOWRFHMPULYOA-UHFFFAOYSA-N piperidin-4-ol Chemical compound OC1CCNCC1 HDOWRFHMPULYOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- QLNJFJADRCOGBJ-UHFFFAOYSA-N propionamide Chemical compound CCC(N)=O QLNJFJADRCOGBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940080818 propionamide Drugs 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000007717 redox polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229930187593 rose bengal Natural products 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 125000005017 substituted alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SAEZTPZWQWPRGW-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 5-oxo-4-prop-2-enoyloxyoxolane-3-carboxylate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C1COC(=O)C1OC(=O)C=C SAEZTPZWQWPRGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIURVMHVEPTKHB-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n,n-dicyclohexylcarbamate Chemical compound C1CCCCC1N(C(=O)OC(C)(C)C)C1CCCCC1 WIURVMHVEPTKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKUZRUNYENZANE-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n-(1-adamantyl)-n-[(2-methylpropan-2-yl)oxycarbonyl]carbamate Chemical compound C1C(C2)CC3CC2CC1(N(C(=O)OC(C)(C)C)C(=O)OC(C)(C)C)C3 VKUZRUNYENZANE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFLZPBIWJSIELX-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n-[10-[(2-methylpropan-2-yl)oxycarbonylamino]decyl]carbamate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)NCCCCCCCCCCNC(=O)OC(C)(C)C WFLZPBIWJSIELX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXINNZFJKZMJJJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n-[12-[(2-methylpropan-2-yl)oxycarbonylamino]dodecyl]carbamate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)NCCCCCCCCCCCCNC(=O)OC(C)(C)C HXINNZFJKZMJJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDSMPNIBLRKWEG-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n-[6-[(2-methylpropan-2-yl)oxycarbonylamino]hexyl]carbamate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)NCCCCCCNC(=O)OC(C)(C)C VDSMPNIBLRKWEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMEQKHOJGXGOIL-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n-[7-[(2-methylpropan-2-yl)oxycarbonylamino]heptyl]carbamate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)NCCCCCCCNC(=O)OC(C)(C)C NMEQKHOJGXGOIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLKUQZHLQVRJEV-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n-[8-[(2-methylpropan-2-yl)oxycarbonylamino]octyl]carbamate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)NCCCCCCCCNC(=O)OC(C)(C)C YLKUQZHLQVRJEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSIWKTQGPJNJBV-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n-[9-[(2-methylpropan-2-yl)oxycarbonylamino]nonyl]carbamate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)NCCCCCCCCCNC(=O)OC(C)(C)C XSIWKTQGPJNJBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000001412 tetrahydropyranyl group Chemical group 0.000 description 1
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
- 125000004149 thio group Chemical group *S* 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003809 water extraction Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
本発明は感放射線性樹脂組成物に関し、特にKrFエキシマレーザーあるいはArFエキシマレーザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電子線等の荷電粒子線の如き各種の放射線を使用する微細加工に有用な化学増幅型レジストとして好適に使用できる感放射線性樹脂組成物に関する。
する。
The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition, and in particular, for fine processing using various kinds of radiation such as deep ultraviolet rays such as KrF excimer laser or ArF excimer laser, X-rays such as synchrotron radiation, and charged particle beams such as electron beams. The present invention relates to a radiation sensitive resin composition that can be suitably used as a useful chemically amplified resist.
To do.
集積回路素子の製造に代表される微細加工の分野においては、より高い集積度を得るために、最近ではArFエキシマレーザー(波長193nm)、F2エキシマレーザー(波長157nm)等を用いた200nm程度以下のレベルでの微細加工が可能なリソグラフィー技術が必要とされている。このようなエキシマレーザーによる照射に適した感放射線性樹脂組成物として、酸解離性官能基を有する成分と放射線の照射により酸を発生する成分である酸発生剤とによる化学増幅効果を利用した化学増幅型感放射線性組成物が数多く提案されている。例えば、樹脂成分として、ノルボルナン環誘導体を有する単量体ユニットを含む特定の構造を樹脂成分とするフォトレジスト用高分子化合物が知られている(特許文献1、特許文献2)。
一方、特殊な連鎖移動剤を用いてラジカル重合を制御するリビングラジカル重合が知られており、その連鎖移動剤も提案されている(特許文献3〜特許文献6、非特許文献1)。
しかしながら、半導体分野において、より高い集積度が求められるようになると、レジストである感放射線性樹脂組成物はより優れた解像度が必要とされるようになってきた。解像度が得られない原因の一つとして、現像後のレジストパターンが上部で細く下部にいくほど太い台形状になってしまうパターンプロファイル不具合がある。
また、同時により微細化が進むにつれて、パターンのラインエッジラフネスを低減する要求もますます強めてきた。半導体産業の微細化の進歩につれ、このような解像度およびパターンプロファイルに優れ、並びにパターンラインエッジラフネスの小さい条件を満たす感放射線性樹脂組成物の開発が急務になっている。
However, when a higher degree of integration is required in the semiconductor field, a radiation-sensitive resin composition that is a resist is required to have better resolution. One of the reasons why the resolution cannot be obtained is a pattern profile defect in which the resist pattern after development becomes narrower at the top and becomes thicker as it goes down.
At the same time, as the miniaturization progresses, the demand for reducing the line edge roughness of the pattern has increased. As the semiconductor industry advances in miniaturization, there is an urgent need to develop a radiation-sensitive resin composition that excels in resolution and pattern profile and satisfies the conditions of small pattern line edge roughness.
解決しようとする課題は、集積回路素子における微細化の進行に対応しうる遠紫外線に代表される短波長の放射線に適応可能で、放射線に対する透明性が高く、かつ感度、解像度、パターンプロファイル、パターンのラインエッジラフネス(LER)等のレジストとしての基本物性に優れた化学増幅型レジストに用いることができる感放射線性樹脂組成物が得られていない点にある。 The problem to be solved is adaptable to short-wavelength radiation typified by far-ultraviolet rays that can cope with the progress of miniaturization in integrated circuit elements, has high transparency to radiation, and has sensitivity, resolution, pattern profile, pattern A radiation-sensitive resin composition that can be used for a chemically amplified resist having excellent basic physical properties as a resist such as line edge roughness (LER) is not obtained.
本発明の感放射線性樹脂組成物は、酸解離性基の異なる繰り返し単位を少なくとも2種類含有する酸解離性基含有重合体(以下、重合体(A)と略称する)と、感放射線性酸発生剤(以下、酸発生剤(B)と略称する)とを含有する感放射線性樹脂組成物であって、該重合体(A)が式(X−1)で表される連鎖移動剤を用いるリビングラジカル重合により重合されてなることを特徴とする。
また、上記Zは式(X−2)で表される置換基であることを特徴とする。
Z is a substituent represented by the formula (X-2).
重合体(A)における酸解離性基の異なる繰り返し単位は、式(1)、式(2)または式(3)で表されることを特徴とする。
また、重合体(A)は分子鎖末端の全てまたはその一部に式(X−1)で表される連鎖移動剤由来の残基を有することを特徴とする。
The repeating unit having a different acid dissociable group in the polymer (A) is represented by the formula (1), the formula (2) or the formula (3).
Further, the polymer (A) is characterized by having a residue derived from a chain transfer agent represented by the formula (X-1) at all or part of the molecular chain terminals.
本発明の感放射能組成物は活性放射線、特に、ArFエキシマレーザー(波長193nm)に代表される遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、放射線に対する透明性が高く、高解像度であり、パターンプロファイル、パターンのラインエッジラフネス(LER)等を含めたレジストとしての基本物性に優れる。 The radiation-sensitive composition of the present invention is a chemically amplified resist that is sensitive to actinic radiation, particularly far ultraviolet rays represented by ArF excimer laser (wavelength 193 nm), has high transparency to radiation, high resolution, and a pattern profile. Excellent basic physical properties as a resist including line edge roughness (LER) of the pattern.
本発明は特殊な連鎖移動剤を用いて特定の繰返し単位構造を有する重合体(A)が得られ、この重合体を用いることにより、レジストとしての基本物性に優れ、解像性能が高く、パターンのラインエッジラフネスが小さい感放射線性樹脂組成物が得られるとの知見に基づくものである。
本発明の連鎖移動剤は可逆的付加開裂連鎖移動剤である場合もある。ここでいう可逆的付加連鎖移動剤は文献に一般にRAFT(Reversible Addition−Fragmentation Chain Transfer)Agentと呼ばれているものを指す(非特許文献1参照)。可逆的付加開裂連鎖移動剤におけるZは窒素原子、硫黄原子、または酸素原子を介して式(X−1)で表される分子中の>C=S基と結合することが好ましい。窒素原子の場合はジチオカルバメイトを、硫黄原子の場合はジチオカルボネートをそれぞれ形成する。
Raは、式(X−1)で表される連鎖移動剤において、Raラジカルとして解裂可能な有機基であることが好ましい。Raとして、具体的には、−CH2Ph、−CH(CH3)CO2CH2CH3、−CH(CO2CH2CH3)2、−C(CH3)2CN、−CH(Ph)CN、−C(CH3)2CO2R’(R’はアルキル、アリール基等を表す)、−C(CH3)2Phが挙げられる。
In the present invention, a polymer (A) having a specific repeating unit structure is obtained using a special chain transfer agent. By using this polymer, the basic physical properties as a resist are excellent, the resolution performance is high, and the pattern This is based on the knowledge that a radiation sensitive resin composition having a low line edge roughness can be obtained.
The chain transfer agent of the present invention may be a reversible addition-cleavage chain transfer agent. The reversible addition chain transfer agent here refers to what is generally called RAFT (Reversible Addition-Fragmentation Chain Transfer) Agent in the literature (see Non-Patent Document 1). Z in the reversible addition-cleavage chain transfer agent is preferably bonded to the> C═S group in the molecule represented by the formula (X-1) via a nitrogen atom, a sulfur atom, or an oxygen atom. In the case of a nitrogen atom, dithiocarbamate is formed, and in the case of a sulfur atom, dithiocarbonate is formed.
R a is preferably an organic group that can be cleaved as an R a radical in the chain transfer agent represented by the formula (X-1). As R a , specifically, —CH 2 Ph, —CH (CH 3 ) CO 2 CH 2 CH 3 , —CH (CO 2 CH 2 CH 3 ) 2 , —C (CH 3 ) 2 CN, —CH (Ph) CN, —C (CH 3 ) 2 CO 2 R ′ (R ′ represents an alkyl, aryl group, etc.), —C (CH 3 ) 2 Ph.
式(X−2)において、Rb、RcおよびRdとして表される置換または非置換の炭化水素基としては、置換または非置換のアルキル基、置換または非置換のアリール基、置換または非置換のアルケニル基を、置換または非置換のヘテロ原子を含む炭化水素基としては、置換または非置換のアシル基、置換または非置換のアロイル基、置換または非置換のアルコキシ基、置換または非置換のへテロアリール基、置換または非置換のへテロシクロ基、置換または非置換のアルキルスルホニル基、置換または非置換のアルキルスルフィニル基、置換または非置換のアリールスルフィニル基等の1価有機基が挙げられる。
式(X−2)において、Rb、RcおよびRdのいずれか2つが相互に結合して形成される3〜50の非水素原子を含む環の例としては、置換または非置換のピラゾール環構造が挙げられる。一例として式(X−3)で表されるピラゾール環の例を示す。
Examples of the ring containing 3 to 50 non-hydrogen atoms formed by bonding any two of R b , R c and R d in formula (X-2) include substituted or unsubstituted pyrazole A ring structure is mentioned. As an example, an example of a pyrazole ring represented by the formula (X-3) is shown.
本発明で使用できる連鎖移動剤の具体例を式(CTA−1)〜式(CTA−4)として、以下に表す。
本発明に用いられる連鎖移動剤はラジカル重合開始剤と併用できる。
本発明で使用できるラジカル重合開始剤は、熱重合開始剤、レドックス重合開始剤、光重合開始剤が挙げられる。例えばパーオキシドやアゾ化合物等の重合開始剤が挙げられる。特に限定しないが、具体的なラジカル重合開始剤としては、t−ブチルハイドロパーオキサイド、t−ブチルパーベンゾエート、ベンゾイルパーオキサイド、2,2'−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、1,1'−アゾビス(シクロヘキサンカルボニトリル)、ジメチル−2,2'−アゾビスイソブチレート(MAIB)等が挙げられる。
The chain transfer agent used in the present invention can be used in combination with a radical polymerization initiator.
Examples of the radical polymerization initiator that can be used in the present invention include a thermal polymerization initiator, a redox polymerization initiator, and a photopolymerization initiator. Examples thereof include polymerization initiators such as peroxides and azo compounds. Although not particularly limited, specific radical polymerization initiators include t-butyl hydroperoxide, t-butyl perbenzoate, benzoyl peroxide, 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2, Examples include 2′-azobisisobutyronitrile (AIBN), 1,1′-azobis (cyclohexanecarbonitrile), dimethyl-2,2′-azobisisobutyrate (MAIB), and the like.
本発明における重合体(A)は、酸解離性基の異なる繰り返し単位を少なくとも2種類含有し、酸の作用によりアルカリ易溶性となるアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の重合体である。
ここでいう「アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性」とは、重合体(A)を含有する感放射線性樹脂組成物から形成されたレジスト被膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件(好ましくはpHが8〜14のアルカリ水溶液、さらに好ましくはpHが9〜14のアルカリ水溶液で現像する条件)下で、当該レジスト被膜の代わりに重合体(A)のみを用いた被膜を現像した場合に、当該被膜の初期膜厚の50%以上が現像後に残存する性質を意味する。「アルカリ易溶性」とは、同様の処理で被膜が溶解して初期膜厚の50%未満が失われる性質を意味する。
The polymer (A) in the present invention is an alkali-insoluble or alkali-insoluble polymer which contains at least two types of repeating units having different acid-dissociable groups and becomes readily alkali-soluble by the action of an acid.
The term “alkali-insoluble or alkali-insoluble” as used herein refers to alkali development conditions (preferably used when forming a resist pattern from a resist film formed from a radiation-sensitive resin composition containing the polymer (A)). Under the condition of developing with an alkaline aqueous solution having a pH of 8 to 14, more preferably an alkaline aqueous solution having a pH of 9 to 14), when a film using only the polymer (A) is developed instead of the resist film. , Meaning that 50% or more of the initial film thickness of the film remains after development. “Alkali readily soluble” means the property that less than 50% of the initial film thickness is lost by dissolving the coating by the same treatment.
重合体(A)における酸解離性基の異なる繰り返し単位は、式(1)、式(2)または式(3)で表され、式(1)の具体例としては下記に示す式(1−1)〜式(1−4)を、式(2)の具体例としては式(2−1)および式(2−2)が挙げられる。
また、上式において、シクロアルカン由来の脂環族環は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等の炭素数1〜4の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基の1種以上あるいは1個以上で置換した骨格等が挙げられる。
The repeating unit having a different acid-dissociable group in the polymer (A) is represented by the formula (1), the formula (2) or the formula (3). As specific examples of the formula (1), the following formula (1- Specific examples of formula (1) to formula (1-4) and formula (2) include formula (2-1) and formula (2-2).
In the above formula, the cycloalkane-derived alicyclic ring may have a substituent, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2 And a skeleton substituted with one or more of linear, branched or cyclic alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms such as -methylpropyl group, 1-methylpropyl group and t-butyl group. .
本発明において、酸解離性基の異なる繰り返し単位の組み合わせは、例えば、式(1−1)内同士の組み合わせであっても、また例えば、式(1−1)内の繰返し単位と式(1−2)内の繰返し単位同士の組み合わせであってもよい。
本発明における繰り返し単位の好ましい組み合わせを、またその中で特に好ましい組み合わせをそれぞれ表1に示す。
Table 1 shows preferable combinations of repeating units in the present invention, and particularly preferable combinations among them.
本発明に使用できる重合体(A)は、上記繰り返し単位の組み合わせで構成するが、これらの繰り返し単位を生じさせる単量体として、それぞれ式(1−1−m)〜式(1−4−m)、式(2−1−m)、式(2−2−m)、式(3−m)で表されるアクリル酸誘導体エステルが挙げられる。
重合体(A)は、式(1−1)〜式(1−4)、式(2−1)、式(2−2)、および式(3)以外の繰返し単位(以下、「他の繰返し単位」という。)を含有できる。
他の繰返し単位を与える重合性不飽和単量体としては、例えば、
(メタ)アクリル酸ノルボルニル、(メタ)アクリル酸イソボルニル、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル、(メタ)アクリル酸テトラシクロデカニル、(メタ)アクリル酸ジシクロペンテニル、(メタ)アクリル酸アダマンチル、(メタ)アクリル酸−3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、(メタ)アクリル酸−3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチル、(メタ)アクリル酸−3−オキソ−1−アダマンチル、(メタ)アクリル酸アダマンチルメチル等の有橋式炭化水素骨格を有する(メタ)アクリル酸エステル類;
The polymer (A) is a repeating unit other than the formula (1-1) to the formula (1-4), the formula (2-1), the formula (2-2), and the formula (3) (hereinafter referred to as “others”). "Repeating unit").
Examples of the polymerizable unsaturated monomer that gives other repeating units include:
Norbornyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, tetracyclodecanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, adamantyl (meth) acrylate, (Meth) acrylic acid-3-hydroxy-1-adamantyl, (meth) acrylic acid-3,5-dihydroxy-1-adamantyl, (meth) acrylic acid-3-oxo-1-adamantyl, (meth) acrylic acid adamantyl (Meth) acrylic acid esters having a bridged hydrocarbon skeleton such as methyl;
(メタ)アクリル酸カルボキシノルボルニル、(メタ)アクリル酸カルボキシトリシクロデカニル、(メタ)アクリル酸カルボキシテトラシクロデカニル等の不飽和カルボン酸の(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n−プロピル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸2−メチルプロピル、(メタ)アクリル酸1−メチルプロピル、(メタ)アクリル酸t−ブチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸シクロプロピル、(メタ)アクリル酸シクロペンチル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸4−メトキシシクロヘキシル、(メタ)アクリル酸2−シクロペンチルオキシカルボニルエチル、(メタ)アクリル酸2−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、(メタ)アクリル酸2−(4−メトキシシクロヘキシル)オキシカルボニルエチル等の有橋式炭化水素骨格をもたない(メタ)アクリル酸エステル類; (Meth) acrylic acid carboxynorbornyl, (meth) acrylic acid carboxytricyclodecanyl, (meth) acrylic acid carboxytetracyclodecanyl and other unsaturated carboxylic acid methyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid Ethyl, n-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, 2-methylpropyl (meth) acrylate, 1-methylpropyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, ( 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, cyclopropyl (meth) acrylate, cyclopentyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate , (Meth) acrylic acid 4-methoxycyclohexyl, (meth) acrylic It does not have a bridged hydrocarbon skeleton such as 2-cyclopentyloxycarbonylethyl acid, 2-cyclohexyloxycarbonylethyl (meth) acrylate, 2- (4-methoxycyclohexyl) oxycarbonylethyl (meth) acrylate, etc. ) Acrylic esters;
α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸n−プロピル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸n−ブチル等のα−ヒドロキシメチルアクリル酸エステル類;
(メタ)アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル化合物;
(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物;
α-hydroxymethyl acrylates such as methyl α-hydroxymethyl acrylate, ethyl α-hydroxymethyl acrylate, α-hydroxymethyl acrylate n-propyl, α-hydroxymethyl acrylate n-butyl;
Unsaturated nitrile compounds such as (meth) acrylonitrile, α-chloroacrylonitrile, crotonnitrile, maleinonitrile, fumaronitrile, mesaconnitrile, citraconenitrile, itaconnitrile;
Unsaturated amide compounds such as (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, crotonamide, maleamide, fumaramide, mesaconamide, citraconamide, itaconamide;
N−(メタ)アクリロイルモルホリン、N−ビニル−ε−カプロラクタム、N−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物;
(メタ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、無水イタコン酸、シトラコン酸、無水シトラコン酸、メサコン酸等の不飽和カルボン酸(無水物)類;
(メタ)アクリル酸2−カルボキシエチル、(メタ)アクリル酸2−カルボキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−カルボキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−カルボキシブチル、(メタ)アクリル酸4−カルボキシシクロヘキシル等の不飽和カルボン酸の有橋式炭化水素骨格をもたないカルボキシル基含有エステル類;
Other nitrogen-containing vinyl compounds such as N- (meth) acryloylmorpholine, N-vinyl-ε-caprolactam, N-vinylpyrrolidone, vinylpyridine, vinylimidazole;
Unsaturated carboxylic acids (anhydrides) such as (meth) acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, maleic anhydride, fumaric acid, itaconic acid, itaconic anhydride, citraconic acid, citraconic anhydride, mesaconic acid;
(Meth) acrylic acid 2-carboxyethyl, (meth) acrylic acid 2-carboxypropyl, (meth) acrylic acid 3-carboxypropyl, (meth) acrylic acid 4-carboxybutyl, (meth) acrylic acid 4-carboxycyclohexyl, etc. Carboxyl group-containing esters having no bridged hydrocarbon skeleton of the unsaturated carboxylic acid of
α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−メトキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−エトキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−n−プロポキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−i−プロポキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−n−ブトキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−(2−メチルプロポキシ)カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−(1−メチルプロポキシ)カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−t−ブトキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−シクロヘキシルオキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−(4−t−ブチルシクロヘキシルオキシ)カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−フェノキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−(1−エトキシエトキシ)カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−(1−シクロヘキシルオキシエトキシ)カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−t−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−テトラヒドロフラニルオキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、 α- (meth) acryloyloxy-β-methoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-ethoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-n-propoxycarbonyl-γ -Butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-i-propoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-n-butoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β -(2-methylpropoxy) carbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β- (1-methylpropoxy) carbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-t-butoxycarbonyl- γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyl Oxy-β-cyclohexyloxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β- (4-t-butylcyclohexyloxy) carbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-phenoxycarbonyl- γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β- (1-ethoxyethoxy) carbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β- (1-cyclohexyloxyethoxy) carbonyl-γ-butyrolactone, α -(Meth) acryloyloxy-β-t-butoxycarbonylmethoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-tetrahydrofuranyloxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-tetrahi B pyranyl butyloxycarbonyl -γ- butyrolactone,
α−メトキシカルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−エトキシカルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−n−プロポキシカルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−i−プロポキシカルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−n−ブトキシカルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−(2−メチルプロポキシ)カルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−(1−メチルプロポキシ)カルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−t−ブトキシカルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−シクロヘキシルオキシカルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−(4−t−ブチルシクロヘキシルオキシ)カルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−フェノキシカルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−(1−エトキシエトキシ)カルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−(1−シクロヘキシルオキシエトキシ)カルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−t−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−テトラヒドロフラニルオキシカルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、β−(メタ)アクリロイルオキシ−β−メチル−δ−バレロラクトン等の酸解離性基を有する(メタ)アクリロイルオキシラクトン化合物; α-methoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-ethoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-n-propoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ -Butyrolactone, α-i-propoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-n-butoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α- (2-methylpropoxy) carbonyl -Β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α- (1-methylpropoxy) carbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-t-butoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy- γ-butyrolactone, α-cyclohexyloxy Carbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α- (4-t-butylcyclohexyloxy) carbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-phenoxycarbonyl-β- (meth) acryloyl Oxy-γ-butyrolactone, α- (1-ethoxyethoxy) carbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α- (1-cyclohexyloxyethoxy) carbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone , Α-t-butoxycarbonylmethoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-tetrahydrofuranyloxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-tetrahydropyranyloxycarbonyl-β (Meth) acryloyloxy -γ- butyrolactone, beta-(meth) acrylate having an acryloyloxy -β- methyl -δ- valeronitrile acid-dissociable group of the lactone, such as (meth) acryloyloxy lactone compounds;
α−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−フルオロ−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−メチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−エチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β,β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−メトキシ−γ−ブチロラクトン、α−フルオロ−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−ヒドロキシ−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−メチル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−エチル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α,α−ジメチル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−メトキシ−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−δ−バレロラクトン、β−(メタ)アクリロイルオキシ−δ−バレロラクトン、δ−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−バレロラクトン、δ−(メタ)アクリロイルオキシ−β−メチル−γ−バレロラクトン、δ−(メタ)アクリロイルオキシ−β、β−ジメチル−γ−バレロラクトン、2−(メタ)アクリロイルオキシ−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン、2−(メタ)アクリロイルオキシ−9−メトキシカルボニル−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン、4−(メタ)アクリロイルオキシ−7−オキソ−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン、4−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メトキシカルボニル−7−オキソ−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン、8(9)−(メタ)アクリロイルオキシ−3−オキソ−4−オキサトリシクロ[5,2,1,02,6]デカン等の酸解離性基をもたない(メタ)アクリロイルオキシラクトン化合物等の単官能性単量体、 α- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-fluoro-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β- Hydroxy-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-methyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-ethyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β, β- Dimethyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-methoxy-γ-butyrolactone, α-fluoro-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-hydroxy-β- (meth) acryloyloxy- γ-butyrolactone, α-methyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-buty Lolactone, α-ethyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α, α-dimethyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-methoxy-β- (meth) acryloyloxy-γ- Butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-δ-valerolactone, β- (meth) acryloyloxy-δ-valerolactone, δ- (meth) acryloyloxy-γ-valerolactone, δ- (meth) acryloyloxy-β -Methyl-γ-valerolactone, δ- (meth) acryloyloxy-β, β-dimethyl-γ-valerolactone, 2- (meth) acryloyloxy-5-oxo-4-oxatricyclo [4.2.1 .0 3,7] nonane, 2- (meth) acryloyloxy-9-methoxycarbonyl-5-oxo-4 Okisatorishiku [4.2.1.0 3, 7] nonane, 4- (meth) acryloyloxy-7-oxo-6-oxabicyclo [3.2.1] octane, 4- (meth) acryloyloxy-2-methoxy Carbonyl-7-oxo-6-oxabicyclo [3.2.1] octane, 8 (9)-(meth) acryloyloxy-3-oxo-4-oxatricyclo [5,2,1,0 2,6 ] Monofunctional monomers such as (meth) acryloyloxylactone compounds having no acid dissociable groups such as decane,
1,2−アダマンタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3−アダマンタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−アダマンタンジオールジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカニルジメチロールジ(メタ)アクリレート等の有橋式炭化水素骨格を有する多官能性単量体; 1,2-adamantanediol di (meth) acrylate, 1,3-adamantanediol di (meth) acrylate, 1,4-adamantanediol di (meth) acrylate, tricyclodecanyl dimethylol di (meth) acrylate, etc. A polyfunctional monomer having a bridged hydrocarbon skeleton;
メチレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、2,5−ジメチル−2,5−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,8−オクタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−ビス(2−ヒドロキシプロピル)ベンゼンジ(メタ)アクリレート、1,3−ビス(2−ヒドロキシプロピル)ベンゼンジ(メタ)アクリレート等の有橋式炭化水素骨格をもたない多官能性単量体等の多官能性単量体を挙げることができる。 Methylene glycol di (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 2,5-dimethyl-2,5-hexanediol di ( (Meth) acrylate, 1,8-octanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, 1,4-bis (2-hydroxypropyl) benzenedi (meth) acrylate, 1,3-bis A polyfunctional monomer such as a polyfunctional monomer having no bridged hydrocarbon skeleton such as (2-hydroxypropyl) benzenedi (meth) acrylate can be exemplified.
これらの他の繰り返し単位を与える重合性不飽和単量体のうち、有橋式炭化水素骨格を有する(メタ)アクリル酸エステル類等が好ましい。
より好ましい重合性不飽和単量体としては、(メタ)アクリル酸−3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、(メタ)アクリル酸−3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチル、(メタ)アクリル酸−3−オキソ−1−アダマンチル、2−(メタ)アクリロイルオキシ−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン、2−(メタ)アクリロイルオキシ−9−メトキシカルボニル−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン、4−(メタ)アクリロイルオキシ−7−オキソ−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン、4−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メトキシカルボニル−7−オキソ−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン、8(9)−(メタ)アクリロイルオキシ−3−オキソ−4−オキサトリシクロ[5,2,1,02,6]デカン等を挙げることができる。
重合体(A)において、他の繰り返し単位は、単独でも2種以上組み合わさっても存在することができる。
Of these polymerizable unsaturated monomers giving other repeating units, (meth) acrylic acid esters having a bridged hydrocarbon skeleton are preferred.
More preferable polymerizable unsaturated monomers include (meth) acrylic acid-3-hydroxy-1-adamantyl, (meth) acrylic acid-3,5-dihydroxy-1-adamantyl, (meth) acrylic acid-3- Oxo-1-adamantyl, 2- (meth) acryloyloxy-5-oxo-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonane, 2- (meth) acryloyloxy-9-methoxycarbonyl- 5-oxo-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonane, 4- (meth) acryloyloxy-7-oxo-6-oxabicyclo [3.2.1] octane, 4- (Meth) acryloyloxy-2-methoxycarbonyl-7-oxo-6-oxabicyclo [3.2.1] octane, 8 (9)-(meth) acryloyloxy-3-oxo-4-o Kisatorishikuro [5,2,1,0 2,6] decane, and the like can be given.
In the polymer (A), other repeating units can be present alone or in combination of two or more.
重合体(A)において、繰り返し単位(1)〜(3)からなる群から選ばれた少なくとも2種以上の繰返し単位の含有率は、樹脂を構成する重合体中の全繰り返し単位に対して、各々、1〜59モル%、好ましくは3〜50モル%であり、それらの合計が5〜80モル%となることが好ましい。この場合、繰り返し単位(1)〜(3)群から選ばれた繰返し単位の含有率の合計が5モル%未満では、レジストの現像時のコントラストが得られないとともに、解像度が劣化し、現像欠陥の一因となる傾向があり、一方80モル%をこえると、現像液に対するコントラストは向上するが、現像性の低下が著しく劣化する傾向がある。
さらに、他の繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位に対して、通常、95モル%以下、好ましくは80モル%以下である。
In the polymer (A), the content of at least two or more kinds of repeating units selected from the group consisting of the repeating units (1) to (3) is relative to all the repeating units in the polymer constituting the resin. Each is 1 to 59 mol%, preferably 3 to 50 mol%, and the total thereof is preferably 5 to 80 mol%. In this case, if the total content of the repeating units selected from the repeating unit (1) to (3) group is less than 5 mol%, the contrast at the time of developing the resist cannot be obtained, the resolution is deteriorated, and development defects are caused. On the other hand, if it exceeds 80 mol%, the contrast to the developer is improved, but the decrease in developability tends to be remarkably deteriorated.
Furthermore, the content of other repeating units is usually 95 mol% or less, preferably 80 mol% or less, based on all repeating units.
本発明に使用できる重合体(A)はラジカル重合開始剤に加えて式(X−1)で表される連鎖移動剤を用いるリビングラジカル重合により重合される。
十分な重合速度を実現するために、十分高い濃度のラジカル重合開始剤を添加することが必要である。ただしラジカル重合開始剤量と連鎖移動剤量との比率が高すぎると、ラジカル−ラジカルカップリング反応が発生し望ましくない非リビングラジカル重合体が生成するので、得られた重合体は分子量および分子量分布などの高分子特性においてコントロールされていない特性を有する部分が含まれてしまう。ラジカル重合開始剤量と連鎖移動剤量とのモル比率は、(1:1)〜(0.005:1)である。
The polymer (A) that can be used in the present invention is polymerized by living radical polymerization using a chain transfer agent represented by the formula (X-1) in addition to the radical polymerization initiator.
In order to achieve a sufficient polymerization rate, it is necessary to add a sufficiently high concentration of radical polymerization initiator. However, if the ratio between the amount of radical polymerization initiator and the amount of chain transfer agent is too high, radical-radical coupling reaction occurs and an undesirable non-living radical polymer is formed. Therefore, the obtained polymer has a molecular weight and molecular weight distribution. The part which has the characteristic which is not controlled in polymer characteristics, such as is included. The molar ratio between the radical polymerization initiator amount and the chain transfer agent amount is (1: 1) to (0.005: 1).
重合操作については通常のバッチ重合、滴下重合などの方法で合成できる。例えば、必要な単量体量を有機溶媒に溶解させ、ラジカル重合開始剤、連鎖移動剤の存在下で重合することにより酸解離性基含有重合体が得られる。
重合溶媒は単量体、ラジカル重合開始剤、連鎖移動剤を溶解できる有機溶剤が用いられる。有機溶剤としてケトン系溶剤、エーテル系溶剤、非プロトン系極性溶剤、エステル系溶剤、芳香族系溶剤、線状または環状脂肪族系溶剤が挙げられる。ケトン系溶剤としては、メチルエチルケトン、アセトンなどが挙げられる。エーテル系溶剤としてはアルコキシアルキルエーテル、例えば、メトキシメチルエーテル、エチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサンなどが挙げられる。非プロトン系極性溶剤はジメチルホルムアミド、ジメチルスルホオキサイドなどが挙げられる。エステル系溶剤は酢酸アルキル、例えば酢酸エチル、酢酸メチルなどが挙げられる。芳香族系溶剤はアルキルアリール溶剤、例えばトルエン、キシレン、およびハロゲン化芳香族溶剤、例えばクロロベンゼンなどが挙げられる。脂肪族系溶剤はヘキサン、シクロヘキサンなどが挙げられる。
重合温度は20〜120℃、好ましくは50〜110℃、さらに好ましくは60〜100℃である。通常の大気雰囲気でも重合できる場合もあるが、窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下での重合が好ましい。重合体の分子量は単量体量と連鎖移動剤量との比率を制御することで調整できる。
重合時間は一般に0.5〜144時間、好ましくは1〜72時間、より好ましくは2〜24時間である。
The polymerization operation can be synthesized by a usual method such as batch polymerization or dropping polymerization. For example, an acid dissociable group-containing polymer can be obtained by dissolving a necessary monomer amount in an organic solvent and polymerizing in the presence of a radical polymerization initiator and a chain transfer agent.
As the polymerization solvent, an organic solvent capable of dissolving the monomer, the radical polymerization initiator, and the chain transfer agent is used. Examples of the organic solvent include ketone solvents, ether solvents, aprotic polar solvents, ester solvents, aromatic solvents, and linear or cyclic aliphatic solvents. Examples of the ketone solvent include methyl ethyl ketone and acetone. Examples of ether solvents include alkoxyalkyl ethers such as methoxymethyl ether, ethyl ether, tetrahydrofuran, and 1,4-dioxane. Examples of the aprotic polar solvent include dimethylformamide and dimethyl sulfoxide. Examples of ester solvents include alkyl acetates such as ethyl acetate and methyl acetate. Aromatic solvents include alkylaryl solvents such as toluene, xylene, and halogenated aromatic solvents such as chlorobenzene. Examples of the aliphatic solvent include hexane and cyclohexane.
The polymerization temperature is 20 to 120 ° C, preferably 50 to 110 ° C, more preferably 60 to 100 ° C. Although polymerization may be performed even in a normal air atmosphere, polymerization in an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon is preferable. The molecular weight of the polymer can be adjusted by controlling the ratio between the monomer amount and the chain transfer agent amount.
The polymerization time is generally 0.5 to 144 hours, preferably 1 to 72 hours, more preferably 2 to 24 hours.
上記のリビングラジカル重合法で得られる重合体(A)は、下記(4)式で示すように、その分子鎖末端に連鎖移動剤由来の残基を有する。本発明においては、この残基であるチオカルボニルチオ誘導体基を有する重合体を重合体(A)として利用できる。
末端処理は樹脂の溶液に行なう。使用できる溶媒は上記重合操作に挙げられたものを使用できる。
使用できるラジカル重合開始剤は、重合体末端基処理の条件でラジカルが発生できるものであれば使用できる。ラジカル発生条件としては、熱、光、ガンマ線または電子ビームなどのような高エネルギー放射線が挙げられる。
ラジカル重合開始剤の具体例としてはパーオキシドやアゾ化合物などの開始剤が挙げられる。特に限定しないが、具体的なラジカル重合開始剤としては、t−ブチルハイドロパーオキサイド、t−ブチルパーベンゾエート、ベンゾイルパーオキサイド、2,2'−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、1,1'−アゾビス(シクロヘキサンカルボニトリル)、ジメチル−2,2'−アゾビスイソブチレート(MAIB)、ベンゾインエーテル、ベンゾフェノン等が挙げられる。
重合体末端処理はリビングラジカル重合反応終了後、その重合反応終了物に対して行なうか、またはいったん生成した重合体を精製した後で重合体末端処理を行なうことができる。
末端処理反応において、ラジカル重合開始剤は反応容器に一度に添加することも、また徐々に添加することもできる。徐々に添加する場合、複数回に分割して添加しても、また連続的に添加してもよい。
The end treatment is performed on a resin solution. As the solvent that can be used, those mentioned in the above polymerization operation can be used.
Usable radical polymerization initiators can be used as long as radicals can be generated under the conditions of polymer end group treatment. Radical generation conditions include high energy radiation such as heat, light, gamma rays or electron beams.
Specific examples of the radical polymerization initiator include initiators such as peroxides and azo compounds. Although not particularly limited, specific radical polymerization initiators include t-butyl hydroperoxide, t-butyl perbenzoate, benzoyl peroxide, 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2, Examples include 2'-azobisisobutyronitrile (AIBN), 1,1'-azobis (cyclohexanecarbonitrile), dimethyl-2,2'-azobisisobutyrate (MAIB), benzoin ether, benzophenone, and the like.
The polymer end treatment can be performed on the end product of the polymerization reaction after completion of the living radical polymerization reaction, or the polymer end treatment can be performed after the once produced polymer is purified.
In the terminal treatment reaction, the radical polymerization initiator can be added to the reaction vessel all at once or gradually. When adding gradually, you may divide and add in multiple times, or may add continuously.
熱ラジカル重合開始剤が用いられる場合は、樹脂末端基処理反応の温度が約20〜200℃、好ましくは40〜150℃、さらに好ましくは50〜100℃である。反応の雰囲気は、窒素やアルゴンなどの不活性雰囲気、または大気雰囲気である。反応の圧力は常圧または加圧することができる。ラジカル重合開始剤の量は、ラジカル重合開始剤が発生するラジカル量として、末端処理される重合体に存在する残基の総モル数の1〜800%モル、好ましくは50〜400%モル、より好ましくは100〜300%モル、さらにより好ましくは200〜300%モルになるように導入できる。連鎖移動剤由来の残基のより完全な除去を望む場合は過剰量のラジカル重合開始剤が用いられる。
末端処理の反応時間は0.5〜72時間、好ましくは1〜24時間、より好ましくは2〜12時間である。重合体末端からチオグループなどの残基の除去は少なくとも50%、好ましくは少なくとも75%、より好ましくは85%、さらにより好ましくは95%である。末端処理された重合体は末端に新しいラジカル種、例えば末端処理反応で使用されたラジカル開始剤から由来するラジカル開始剤の断片に置換される。得られた重合体は末端に新しいグループがあり、用途に応じて使用できる。
なお、重合体末端処理は国際公開公報WO02/090397に記載の方法によっても連鎖移動剤由来の残基を除去できる。
When a thermal radical polymerization initiator is used, the temperature of the resin end group treatment reaction is about 20 to 200 ° C, preferably 40 to 150 ° C, more preferably 50 to 100 ° C. The reaction atmosphere is an inert atmosphere such as nitrogen or argon, or an air atmosphere. The pressure of the reaction can be normal pressure or increased pressure. The amount of the radical polymerization initiator is 1 to 800% mol, preferably 50 to 400% mol of the total number of moles of residues present in the polymer to be end-treated as the amount of radical generated by the radical polymerization initiator. Preferably, it can introduce | transduce so that it may become 100-300% mol, More preferably, it is 200-300% mol. If a more complete removal of the residue from the chain transfer agent is desired, an excess amount of radical polymerization initiator is used.
The reaction time for the terminal treatment is 0.5 to 72 hours, preferably 1 to 24 hours, more preferably 2 to 12 hours. Removal of residues such as thiogroups from the polymer ends is at least 50%, preferably at least 75%, more preferably 85%, even more preferably 95%. The end-treated polymer is replaced at the end with new radical species, such as radical initiator fragments derived from the radical initiator used in the end-treatment reaction. The resulting polymer has a new group at the end and can be used according to the application.
In addition, the polymer terminal treatment can remove the residue derived from the chain transfer agent by the method described in International Publication WO02 / 090397.
本発明においては、分子鎖末端に連鎖移動剤由来の残基を有する重合体(A)、分子鎖末端に連鎖移動剤由来の残基を有さない重合体(A)、分子鎖末端に連鎖移動剤由来の残基が一部残存する重合体(A)のいずれも利用できる。 In the present invention, a polymer (A) having a chain transfer agent-derived residue at the molecular chain end, a polymer (A) having no chain transfer agent-derived residue at the molecular chain end, and a chain at the molecular chain end. Any polymer (A) in which a part of the residue derived from the transfer agent remains can be used.
本発明に使用できる重合体(A)は、ハロゲン、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が既定値以下、例えばHPLCで0.1重量%以下等であることが好ましく、それにより、レジストとしての感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等をさらに改善できるだけでなく、液中異物や感度等の経時変化がないレジストとして使用できる感放射線性組成物が得られる。
重合体(A)の精製法としては、例えば以下の方法が挙げられる。金属等の不純物を除去する方法としては、ゼータ電位フィルターを用いて樹脂溶液中の金属を吸着させる方法や蓚酸やスルホン酸等の酸性水溶液で樹脂溶液を洗浄することで金属をキレート状態にして除去する方法等が挙げられる。また、残留単量体やオリゴマー成分を規定値以下に除去する方法としては、水洗や適切な溶剤を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、重合体(A)溶液を貧溶媒へ滴下することで重合体を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した重合体スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法がある。また、これらの方法を組み合わせることもできる。上記再沈澱法に用いられる貧溶媒としては、精製する重合体(A)の物性等に左右され一概には例示することはできない。適宜、貧溶媒は選定されるものである。
The polymer (A) that can be used in the present invention is naturally low in impurities such as halogen and metal, but the residual monomer and oligomer components are not more than predetermined values, for example, 0.1% by weight or less by HPLC. It is preferable that there is a radiation-sensitive composition that can be used as a resist that not only can further improve sensitivity, resolution, process stability, pattern shape, etc. as a resist, but also does not change over time such as foreign matter in liquid or sensitivity. can get.
Examples of the method for purifying the polymer (A) include the following methods. As a method for removing impurities such as metals, the metal is chelated and removed by adsorbing the metal in the resin solution using a zeta potential filter or by washing the resin solution with an acidic aqueous solution such as oxalic acid or sulfonic acid. And the like. In addition, as a method of removing residual monomer and oligomer components below the specified value, liquid-liquid extraction method that removes residual monomer and oligomer components by combining water washing and an appropriate solvent, those with a specific molecular weight or less Refining method in the solution state such as ultrafiltration that extracts and removes only the polymer, and removing the residual monomer by coagulating the polymer in the poor solvent by dropping the polymer (A) solution into the poor solvent There are a reprecipitation method and a purification method in a solid state such as washing the filtered polymer slurry with a poor solvent. Moreover, these methods can also be combined. The poor solvent used in the reprecipitation method depends on the physical properties of the polymer (A) to be purified and cannot be generally exemplified. The poor solvent is appropriately selected.
重合体(A)のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」という。)は、通常、2,000〜30,000、好ましくは3,000〜20,000、さらに好ましくは3,000〜12,000である。この場合、重合体(A)のMwが2,000未満では、レジストとしたときの耐熱性が低下する傾向があり、一方30,000をこえると、レジストとしたときの現像性が低下する傾向がある。
また、重合体(A)のMwとゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算数平均分子量(以下、「Mn」という。)との比(Mw/Mn)は、通常、1〜2、好ましくは1〜1.6である。
なお、重合体(A)は、ハロゲン、金属等の不純物が少ないほど好ましく、それにより、レジストとしたときの感度、解像度、プロセス安定性、パターンプロファイル等をさらに改善することができる。重合体(A)の精製法としては、例えば、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等を挙げることができる。
本発明において、重合体(A)は、単独でまたは2種以上を混合しても使用することができる。
The weight average molecular weight in terms of polystyrene (hereinafter referred to as “Mw”) by gel permeation chromatography (GPC) of the polymer (A) is usually 2,000 to 30,000, preferably 3,000 to 20,000. More preferably, it is 3,000 to 12,000. In this case, if the Mw of the polymer (A) is less than 2,000, the heat resistance when the resist is formed tends to decrease, whereas if it exceeds 30,000, the developability when the resist is formed tends to decrease. There is.
The ratio (Mw / Mn) of the polymer (A) Mw and the number average molecular weight in terms of polystyrene (hereinafter referred to as “Mn”) by gel permeation chromatography (GPC) is usually 1 to 2, preferably Is 1 to 1.6.
The polymer (A) is preferably as less as possible as impurities such as halogen and metal. Thereby, the sensitivity, resolution, process stability, pattern profile, etc. when used as a resist can be further improved. Examples of the purification method of the polymer (A) include chemical purification methods such as washing with water and liquid-liquid extraction, and combinations of these chemical purification methods and physical purification methods such as ultrafiltration and centrifugation. Can be mentioned.
In the present invention, the polymer (A) can be used alone or in combination of two or more.
上記重合体(A)を酸解離性基含有樹脂として用い、放射線の照射により酸を発生する成分である酸発生剤(B)と組み合わせることにより感放射線性樹脂組成物が得られる。
酸発生剤(B)は、露光により発生した酸の作用によって、重合体(A)中に存在する酸解離性基を解離させ、その結果レジスト被膜の露光部がアルカリ現像液に易溶性となり、ポジ型のレジストパターンを形成する作用を有するものである。
本発明における酸発生剤(B)としては、スルホニウム塩やヨードニウム塩等のオニウム塩、有機ハロゲン化合物、ジスルホン類やジアゾメタンスルホン類等のスルホン化合物を挙げることができる。
酸発生剤として好ましいものとしては、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート等のトリフェニルスルホニウム塩化合物;
A radiation-sensitive resin composition is obtained by using the polymer (A) as an acid-dissociable group-containing resin and combining with an acid generator (B) that is a component that generates an acid upon irradiation with radiation.
The acid generator (B) dissociates the acid dissociable groups present in the polymer (A) by the action of the acid generated by exposure, and as a result, the exposed portion of the resist film becomes readily soluble in an alkali developer, It has the effect of forming a positive resist pattern.
Examples of the acid generator (B) in the present invention include onium salts such as sulfonium salts and iodonium salts, organic halogen compounds, and sulfone compounds such as disulfones and diazomethane sulfones.
Preferred examples of the acid generator include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, triphenylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, triphenylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1]. ] Triphenylsulfonium salt compounds such as hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate and triphenylsulfonium camphorsulfonate;
4−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、4−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、4−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、4−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート等の4−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物; 4-cyclohexylphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-cyclohexylphenyldiphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 4-cyclohexylphenyldiphenylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, 4-cyclohexylphenyldiphenylsulfonium 2-bicyclo [2. 2.1] 4-cyclohexylphenyldiphenylsulfonium salt compounds such as hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate and 4-cyclohexylphenyldiphenylsulfonium camphorsulfonate;
4−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、4−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、4−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、4−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート等の4−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物; 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulfonium 2- 4-cyclohexylphenyldiphenylsulfonium salt compounds such as bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulfonium camphorsulfonate;
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート等のジフェニルヨードニウム塩化合物; Diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, diphenyliodonium perfluoro-n-octanesulfonate, diphenyliodonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2, Diphenyliodonium salt compounds such as 2-tetrafluoroethanesulfonate and diphenyliodonium camphorsulfonate;
ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムカンファースルホネート等のビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム塩化合物; Bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium perfluoro-n-octanesulfonate, Bis (4-t-butylphenyl) iodonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium camphor Bis (4-tert-butylphenyl) iodonium salt compounds such as sulfonate;
1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等の1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム塩化合物; 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, (4-n-Butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium 2-bicyclo [2.2. 1] 1- (4-n-) such as hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium camphorsulfonate Butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium salt compound;
1−(6−n−ブトキシナフタレン−2−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(6−n−ブトキシナフタレン−2−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(6−n−ブトキシナフタレン−2−イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、1−(6−n−ブトキシナフタレン−2−イル)テトラヒドロチオフェニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(6−n−ブトキシナフタレン−2−イル)テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等の1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム塩化合物; 1- (6-n-butoxynaphthalen-2-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (6-n-butoxynaphthalen-2-yl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, (6-n-Butoxynaphthalen-2-yl) tetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (6-n-butoxynaphthalen-2-yl) tetrahydrothiophenium 2-bicyclo [2.2. 1] 1- (4-n-) such as hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (6-n-butoxynaphthalen-2-yl) tetrahydrothiophenium camphorsulfonate Butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium salt compound;
1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等の1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウム塩化合物; 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, (3,5-Dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium 2-bicyclo [2.2. 1] 1- (3,5- such as hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium camphorsulfonate Dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiol Salt compound;
N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ノナフルオロ−n−ブタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(パーフルオロ−n−オクタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−(3−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル)−1,1−ジフルオロエタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(カンファースルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド等のビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド類化合物等が挙げられる。 N- (trifluoromethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (nonafluoro-n-butanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept -5-ene-2,3-dicarboximide, N- (perfluoro-n-octanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- ( 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxy imide, N- (2- (3- tetracyclo [4.4.0.1 2,5 .1 7,10] dodecanyl) -1,1-difluoroethane-sulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept -5 -En Bicyclo [2.2.1] hept-5, such as 2,3-dicarboximide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide Examples include ene-2,3-dicarboximide compounds.
本発明において、酸発生剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用できる。
酸発生剤の使用量は、レジストとしての感度および現像性を確保する観点から、重合体(A)100重量部に対して、通常、0.1〜30重量部、好ましくは0.1〜20重量部である。この場合、酸発生剤の使用量が0.1重量部未満では、感度および現像性が低下する傾向があり、一方30重量部をこえると、放射線に対する透明性が低下して、矩形のレジストパターンを得られ難くなる傾向がある。
In this invention, an acid generator can be used individually or in mixture of 2 or more types.
The amount of the acid generator used is usually 0.1 to 30 parts by weight, preferably 0.1 to 20 parts per 100 parts by weight of the polymer (A), from the viewpoint of securing the sensitivity and developability as a resist. Parts by weight. In this case, if the amount of the acid generator used is less than 0.1 parts by weight, the sensitivity and developability tend to decrease. On the other hand, if it exceeds 30 parts by weight, the transparency to the radiation decreases, and a rectangular resist pattern. Tends to be difficult to obtain.
本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて、酸拡散制御剤、酸解離性基を有する脂環族添加剤、酸解離性基を有しない脂環族添加剤、界面活性剤、増感剤等の各種の添加剤を配合できる。
上記酸拡散制御剤は、照射により酸発生剤から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非照射領域における好ましくない化学反応を抑制する作用を有する成分である。
このような酸拡散制御剤を配合することにより、得られる感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性が向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上するとともに、照射から現像処理までの引き置き時間(PED)の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物が得られる。
上記酸拡散制御剤としては、レジストパターンの形成工程中の照射や加熱処理により塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ましい。
In the radiation sensitive resin composition of the present invention, an acid diffusion controller, an alicyclic additive having an acid dissociable group, an alicyclic additive not having an acid dissociable group, and a surfactant are included as necessary. Various additives such as a sensitizer can be blended.
The acid diffusion controller is a component having an action of controlling a diffusion phenomenon of an acid generated from an acid generator upon irradiation in a resist film and suppressing an undesirable chemical reaction in a non-irradiated region.
By blending such an acid diffusion control agent, the storage stability of the resulting radiation-sensitive resin composition is improved, the resolution as a resist is further improved, and the holding time from irradiation to development processing ( The change in the line width of the resist pattern due to the variation in PED) can be suppressed, and a composition having excellent process stability can be obtained.
The acid diffusion controller is preferably a nitrogen-containing organic compound whose basicity does not change by irradiation or heat treatment during the resist pattern formation step.
このような含窒素有機化合物としては、「3級アミン化合物」、「アミド基含有化合物」、「4級アンモニウムヒドロキシド化合物」、「含窒素複素環化合物」等が挙げられる。
「3級アミン化合物」としては、例えば、トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリ(シクロ)アルキルアミン類;トリエタノールアミン、ジエタノールアニリンなどのアルカノールアミン類;N,N,N',N'−テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N',N'−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン、1,3−ビス[1−(4−アミノフェニル)−1−メチルエチル]ベンゼンテトラメチレンジアミン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノフェニル)プロパン、2−(4−アミノフェニル)−2−(3−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(4−アミノフェニル)−2−(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,4−ビス[1−(4−アミノフェニル)−1−メチルエチル]ベンゼン、1,3−ビス[1−(4−アミノフェニル)−1−メチルエチル]ベンゼン、ビス(2−ジメチルアミノエチル)エーテル、ビス(2−ジエチルアミノエチル)エーテル等が挙げられる。
Examples of such nitrogen-containing organic compounds include “tertiary amine compounds”, “amide group-containing compounds”, “quaternary ammonium hydroxide compounds”, “nitrogen-containing heterocyclic compounds”, and the like.
Examples of the “tertiary amine compound” include triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-heptylamine, tri-n. -Tri (cyclo) alkylamines such as octylamine, cyclohexyldimethylamine, tricyclohexylamine; alkanolamines such as triethanolamine, diethanolaniline; N, N, N ', N'-tetramethylethylenediamine, N, N , N ′, N′-tetrakis (2-hydroxypropyl) ethylenediamine, 1,3-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl] benzenetetramethylenediamine, 2,2-bis (4-amino) Phenyl) propane, 2- (3-aminophenyl) -2- (4-amino) Nophenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -2- (3-hydroxyphenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -2- (4-hydroxyphenyl) propane, 1,4-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl] benzene, 1,3-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl] benzene, bis (2-dimethylaminoethyl) ether, bis (2- Diethylaminoethyl) ether and the like.
「アミド基含有化合物」としては、例えば、N−t−ブトキシカルボニルジ−n−オクチルアミン、N−t−ブトキシカルボニルジ−n−ノニルアミン、N−t−ブトキシカルボニルジ−n−デシルアミン、N−t−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N−t−ブトキシカルボニル−1−アダマンチルアミン、N−t−ブトキシカルボニル−N−メチル−1−アダマンチルアミン、N,N−ジ−t−ブトキシカルボニル−1−アダマンチルアミン、N,N−ジ−t−ブトキシカルボニル−N−メチル−1−アダマンチルアミン、N−t−ブトキシカルボニル−4,4'−ジアミノジフェニルメタン、N,N'−ジ−t−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N',N'−テトラ−t−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N'−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,7−ジアミノヘプタン、N,N'−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,8−ジアミノオクタン、N,N'−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,9−ジアミノノナン、N,N'−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,10−ジアミノデカン、N,N'−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,12−ジアミノドデカン、N,N'−ジ−t−ブトキシカルボニル−4,4'−ジアミノジフェニルメタン、N−t−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N−t−ブトキシカルボニル−2−メチルベンズイミダゾール、N−t−ブトキシカルボニル−2−フェニルベンズイミダゾール、N−t−ブトキシカルボニル−ピロリジン、N−t−ブトキシカルボニル−ピペリジン、N−t−ブトキシカルボニル−4−ヒドロキシ−ピペリジン、N−t−ブトキシカルボニル−モルホリン等のN−t−ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物のほか、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N−メチルピロリドン等が挙げられる。 Examples of the “amide group-containing compound” include Nt-butoxycarbonyldi-n-octylamine, Nt-butoxycarbonyldi-n-nonylamine, Nt-butoxycarbonyldi-n-decylamine, N- t-butoxycarbonyldicyclohexylamine, Nt-butoxycarbonyl-1-adamantylamine, Nt-butoxycarbonyl-N-methyl-1-adamantylamine, N, N-di-t-butoxycarbonyl-1-adamantylamine N, N-di-t-butoxycarbonyl-N-methyl-1-adamantylamine, Nt-butoxycarbonyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, N, N′-di-t-butoxycarbonylhexamethylenediamine N, N, N ′, N′-tetra-t-butoxycarbonylhexamethylene Diamine, N, N′-di-t-butoxycarbonyl-1,7-diaminoheptane, N, N′-di-t-butoxycarbonyl-1,8-diaminooctane, N, N′-di-t-butoxy Carbonyl-1,9-diaminononane, N, N′-di-t-butoxycarbonyl-1,10-diaminodecane, N, N′-di-t-butoxycarbonyl-1,12-diaminododecane, N, N ′ -Di-t-butoxycarbonyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, Nt-butoxycarbonylbenzimidazole, Nt-butoxycarbonyl-2-methylbenzimidazole, Nt-butoxycarbonyl-2-phenylbenzimidazole Nt-butoxycarbonyl-pyrrolidine, Nt-butoxycarbonyl-piperidine, Nt-butoxycarbonyl- In addition to Nt-butoxycarbonyl group-containing amino compounds such as 4-hydroxy-piperidine, Nt-butoxycarbonyl-morpholine, formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, propionamide, benzamide, pyrrolidone, N-methylpyrrolidone and the like can be mentioned.
「4級アンモニウムヒドロキシド化合物」としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。
「含窒素複素環化合物」としては、例えば、イミダゾール、4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、4−メチル−2−フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2−フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類;ピペラジン、1−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン等のピペラジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、3−ピペリジノ−1,2−プロパンジオール、モルホリン、4−メチルモルホリン、1,4−ジメチルピペラジン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。
Examples of the “quaternary ammonium hydroxide compound” include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-propylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, and the like.
Examples of the “nitrogen-containing heterocyclic compound” include imidazoles such as imidazole, 4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole, benzimidazole, 2-phenylbenzimidazole; In addition to piperazines such as piperazine and 1- (2-hydroxyethyl) piperazine, pyrazine, pyrazole, pyridazine, quinosaline, purine, pyrrolidine, piperidine, 3-piperidino-1,2-propanediol, morpholine, 4-methylmorpholine, Examples include 1,4-dimethylpiperazine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane.
上記含窒素複素環化合物のうち、3級アミン化合物、アミド基含有化合物、含窒素複素環化合物が好ましく、また、アミド基含有化合物の中ではN−t−ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物が好ましく、含窒素複素環化合物の中ではイミダゾール類が好ましい。 Of the above nitrogen-containing heterocyclic compounds, tertiary amine compounds, amide group-containing compounds, and nitrogen-containing heterocyclic compounds are preferable, and among the amide group-containing compounds, Nt-butoxycarbonyl group-containing amino compounds are preferable, including Among the nitrogen heterocyclic compounds, imidazoles are preferable.
上記酸拡散制御剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用できる。酸拡散制御剤の配合量は、重合体(A)100重量部に対して、通常、15重量部以下、好ましくは10重量部以下、さらに好ましくは5重量部以下である。この場合、酸拡散制御剤の配合量が15重量部をこえると、レジストとしての感度および放射線照射部の現像性が低下する傾向がある。なお、酸拡散制御剤の配合量が0.001重量部未満であると、プロセス条件によってはレジストとしてのパターン形状や寸法忠実度が低下するおそれがある。 The acid diffusion control agents can be used alone or in admixture of two or more. The compounding amount of the acid diffusion controller is usually 15 parts by weight or less, preferably 10 parts by weight or less, and more preferably 5 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the polymer (A). In this case, when the compounding amount of the acid diffusion controller exceeds 15 parts by weight, the sensitivity as a resist and the developability of the radiation irradiated part tend to be lowered. If the amount of the acid diffusion controller is less than 0.001 part by weight, the pattern shape and dimensional fidelity as a resist may be lowered depending on the process conditions.
また、酸解離性基を有する脂環族添加剤、または酸解離性基を有しない脂環族添加剤は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等をさらに改善する作用を示す成分である。
このような脂環族添加剤としては、例えば、1−アダマンタンカルボン酸t−ブチル、1−アダマンタンカルボン酸t−ブトキシカルボニルメチル、1−アダマンタンカルボン酸αブチロラクトンエステル、1,3−アダマンタンジカルボン酸ジ−t−ブチル、1−アダマンタン酢酸t−ブチル、1−アダマンタン酢酸t−ブトキシカルボニルメチル、1,3−アダマンタンジ酢酸ジ−t−ブチル、2,5−ジメチル−2,5−ジ(アダマンチルカルボニルオキシ)ヘキサン等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t−ブチル、デオキシコール酸t−ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2−エトキシエチル、デオキシコール酸2−シクロヘキシルオキシエチル、デオキシコール酸3−オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒドロピラニル、デオキシコール酸メバロノラクトンエステル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t−ブチル、リトコール酸t−ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2−エトキシエチル、リトコール酸2−シクロヘキシルオキシエチル、リトコール酸3−オキソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニル、リトコール酸メバロノラクトンエステル等のリトコール酸エステル類;アジピン酸ジメチル、アジピン酸ジエチル、アジピン酸ジプロピル、アジピン酸ジn−ブチル、アジピン酸ジt−ブチル等のアルキルカルボン酸エステル類等が挙げられる。
これらの脂環族添加剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用できる。脂環族添加剤の配合量は、重合体(A)100重量部に対して、通常、50重量部以下、好ましくは30重量部以下である。この場合、脂環族添加剤の配合量が50重量部をこえると、レジストとしての耐熱性が低下する傾向がある。
In addition, an alicyclic additive having an acid dissociable group or an alicyclic additive having no acid dissociable group is a component that further improves dry etching resistance, pattern shape, adhesion to a substrate, and the like. It is.
Examples of such alicyclic additives include 1-adamantanecarboxylic acid t-butyl, 1-adamantanecarboxylic acid t-butoxycarbonylmethyl, 1-adamantanecarboxylic acid α-butyrolactone ester, 1,3-adamantane dicarboxylic acid diester. -T-butyl, 1-adamantane acetate t-butyl, 1-adamantane acetate t-butoxycarbonylmethyl, 1,3-adamantanediacetate di-t-butyl, 2,5-dimethyl-2,5-di (adamantylcarbonyl) Adamantane derivatives such as oxy) hexane; deoxycholate t-butyl, deoxycholate t-butoxycarbonylmethyl, deoxycholate 2-ethoxyethyl, deoxycholate 2-cyclohexyloxyethyl, deoxycholate 3-oxocyclohexyl, Deoxychol Deoxycholic acid esters such as tetrahydropyranyl and deoxycholic acid mevalonolactone ester; lithocholic acid t-butyl, lithocholic acid t-butoxycarbonylmethyl, lithocholic acid 2-ethoxyethyl, lithocholic acid 2-cyclohexyloxyethyl, lithocholic acid Lithocholic acid esters such as 3-oxocyclohexyl, lithocholic acid tetrahydropyranyl, lithocholic acid mevalonolactone ester; dimethyl adipate, diethyl adipate, dipropyl adipate, di-n-butyl adipate, di-t-butyl adipate, etc. And alkyl carboxylic acid esters.
These alicyclic additives can be used alone or in admixture of two or more. The compounding quantity of an alicyclic additive is 50 parts weight or less normally with respect to 100 weight part of polymers (A), Preferably it is 30 parts weight or less. In this case, when the blending amount of the alicyclic additive exceeds 50 parts by weight, the heat resistance as a resist tends to decrease.
また、添加剤としての界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す成分である。
このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn−ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤のほか、以下商品名で、KP341(信越化学工業(株)製)、ポリフローNo.75,同No.95(共栄社化学(株)製)、エフトップEF301,同EF303,同EF352(トーケムプロダクツ(株)製)、メガファックスF171,同F173(大日本インキ化学工業(株)製)、フロラードFC430,同FC431(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG710,サーフロンS−382,同SC−101,同SC−102,同SC−103,同SC−104,同SC−105,同SC−106(旭硝子(株)製)等が挙げられる。
これらの界面活性剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用できる。界面活性剤の配合量は、重合体(A)100重量部に対して、通常、2重量部以下である。
Further, the surfactant as an additive is a component having an effect of improving coating property, striation, developability and the like.
Examples of such surfactants include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene n-octylphenyl ether, polyoxyethylene n-nonylphenyl ether, and polyethylene glycol dilaurate. In addition to nonionic surfactants such as polyethylene glycol distearate, KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Polyflow No. 75, no. 95 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), Ftop EF301, EF303, EF352 (manufactured by Tochem Products), Megafax F171, F173 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals), Fluorad FC430, FC431 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-106 ( Asahi Glass Co., Ltd.).
These surfactants can be used alone or in admixture of two or more. The compounding amount of the surfactant is usually 2 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the polymer (A).
また、添加剤としての増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を示すもので、感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する。
このような増感剤としては、例えば、カルバゾール類、ベンゾフェノン類、ローズベンガル類、アントラセン類、フェノール類等が挙げられる。
これらの増感剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用できる。増感剤の配合量は、重合体(A)100重量部に対して、好ましくは50重量部以下である。
さらに、上記以外の添加剤としては、ハレーション防止剤、接着助剤、保存安定化剤、消泡剤等が挙げられる。
本発明の感放射線性樹脂組成物は、普通、その使用に際して、全固形分濃度が、通常、3〜50重量%、好ましくは5〜25重量%となるように、溶剤に溶解したのち、例えば孔径0.2μm程度のフィルターでろ過し組成物溶液として調製される。
上記組成物溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、2−ペンタノン、2−ヘキサノン、2−ヘプタノン、2−オクタノン等の直鎖状もしくは分岐状のケトン類;シクロペンタノン、シクロヘキサノン等の環状のケトン類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル等の2−ヒドロキシプロピオン酸アルキル類;3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル等の3−アルコキシプロピオン酸アルキル類のほか、
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸n−ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、N−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン等が挙げられる。
Further, the sensitizer as an additive has an action of absorbing radiation energy and transmitting the energy to the acid generator, thereby increasing the amount of acid generated. The radiation-sensitive resin composition It has the effect of improving the apparent sensitivity.
Examples of such sensitizers include carbazoles, benzophenones, rose bengals, anthracenes, phenols and the like.
These sensitizers can be used alone or in admixture of two or more. The blending amount of the sensitizer is preferably 50 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the polymer (A).
Furthermore, examples of additives other than those mentioned above include antihalation agents, adhesion assistants, storage stabilizers, antifoaming agents, and the like.
The radiation-sensitive resin composition of the present invention is usually dissolved in a solvent so that the total solid content is usually 3 to 50% by weight, preferably 5 to 25% by weight. A composition solution is prepared by filtering through a filter having a pore size of about 0.2 μm.
Examples of the solvent used in the preparation of the composition solution include linear or branched ketones such as 2-pentanone, 2-hexanone, 2-heptanone, and 2-octanone; cyclopentanone, cyclohexanone, and the like. Cyclic ketones; propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether acetate; 2-hydroxypropionate alkyls such as methyl 2-hydroxypropionate and ethyl 2-hydroxypropionate; In addition to alkyl 3-alkoxypropionates such as methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate and ethyl 3-ethoxypropionate,
Ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, n-butyl acetate, methyl pyruvate , Ethyl pyruvate, N-methylpyrrolidone, γ-butyrolactone and the like.
これらの溶剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用できるが、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチルから選ばれる少なくとも1種を含有することが好ましい。ただし、シクロヘキサノンは溶解性の点からは、有効な溶剤であるが、その毒性からは使用はできるだけ避けることが好ましい。 These solvents may be used alone or in admixture of two or more, but propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, 2-heptanone, cyclohexanone, γ-butyrolactone, ethyl 2-hydroxypropionate, 3-ethoxy It is preferable to contain at least one selected from ethyl propionate. However, cyclohexanone is an effective solvent from the viewpoint of solubility, but its use is preferably avoided as much as possible because of its toxicity.
本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に化学増幅型レジストとして有用である。特に現像後のパターンのラインエッジラフネスを低減できるポジ型レジストとして有用である。
化学増幅型レジストにおいては、放射線照射により酸発生剤から発生した酸の作用によって、樹脂中の酸解離性基が解離して、カルボキシル基を生じ、その結果、レジストの照射部のアルカリ現像液に対する溶解性が高くなり、該照射部がアルカリ現像液によって溶解、除去され、ポジ型のレジストパターンが得られる。
本発明の感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを形成する際には、組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウエハー、アルミニウムで被覆されたウエハー等の基板上に塗布することにより、レジスト被膜を形成し、場合により予め加熱処理(以下、「PB」という。)を行なったのち、所定のレジストパターンを形成するように該レジスト被膜に照射する。その際に使用される放射線としては、例えば、紫外線、KrFエキシマレーザー(波長248nm)、ArFエキシマレーザー(波長193nm)、F2エキシマレーザー(波長157nm)、EUV(極紫外線、波長13nm等)等の遠紫外線、電子線等の荷電粒子線、シンクロトロン放射線等のX線等を適宜選択して使用できるが、これらのうち遠紫外線、電子線が好ましい。また、照射量等の照射条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成、各添加剤の種類等に応じて、適宜選定される。
本発明においては、高精度の微細パターンを安定して形成するために、PEBを行なうことが好ましい。このPEBにより、重合体(A)中の酸解離性有機基の解離反応が円滑に進行する。PEBの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成によって変わるが、通常、30〜200℃、好ましくは50〜170℃である。
The radiation sensitive resin composition of the present invention is particularly useful as a chemically amplified resist. In particular, it is useful as a positive resist that can reduce the line edge roughness of a pattern after development.
In a chemically amplified resist, the acid-dissociable group in the resin is dissociated by the action of the acid generated from the acid generator by radiation irradiation to generate a carboxyl group. The solubility becomes high, and the irradiated portion is dissolved and removed by an alkali developer, and a positive resist pattern is obtained.
When forming a resist pattern from the radiation-sensitive resin composition of the present invention, the composition solution is coated with, for example, a silicon wafer or aluminum by an appropriate application means such as spin coating, cast coating or roll coating. A resist film is formed by coating on a substrate such as a wafer, and in some cases, a heat treatment (hereinafter referred to as “PB”) is performed in advance, and then a predetermined resist pattern is formed on the resist film. Irradiate. Examples of radiation used at this time include ultraviolet rays, KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), EUV (extreme ultraviolet light, wavelength 13 nm, etc.), etc. Far ultraviolet rays, charged particle beams such as electron beams, and X-rays such as synchrotron radiation can be appropriately selected and used. Of these, far ultraviolet rays and electron beams are preferred. Moreover, irradiation conditions, such as irradiation amount, are suitably selected according to the compounding composition of a radiation sensitive resin composition, the kind of each additive, etc.
In the present invention, PEB is preferably performed in order to stably form a high-precision fine pattern. By this PEB, the dissociation reaction of the acid dissociable organic group in the polymer (A) proceeds smoothly. The heating condition of PEB varies depending on the composition of the radiation sensitive resin composition, but is usually 30 to 200 ° C, preferably 50 to 170 ° C.
本発明においては、感放射線性樹脂組成物の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば特公平6−12452号公報等に開示されているように、使用される基板上に有機系あるいは無機系の反射防止膜を形成しておくこともでき、また環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、例えば特開平5−188598号公報等に開示されているように、レジスト被膜上に保護膜を設けることもでき、あるいはこれらの技術を併用することもできる。
次いで、照射されたレジスト被膜をアルカリ現像液を用いて現像することにより、所定のレジストパターンを形成する。
上記アルカリ現像液としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを溶解したアルカリ性水溶液が好ましい。
上記アルカリ性水溶液の濃度は、通常、10重量%以下である。この場合、アルカリ性水溶液の濃度が10重量%をこえると、非照射部も現像液に溶解するおそれがあり好ましくない。
また、上記アルカリ性水溶液には、界面活性剤等を適量添加することもできる。なお、アルカリ現像液で現像したのちは、一般に、水で洗浄して乾燥する。
In the present invention, in order to maximize the potential of the radiation-sensitive resin composition, for example, as disclosed in Japanese Patent Publication No. 6-12458, an organic or inorganic substrate is used. An antireflection film can also be formed, and in order to prevent the influence of basic impurities contained in the environmental atmosphere, as disclosed in, for example, JP-A-5-188598, A protective film can be provided on the substrate, or these techniques can be used in combination.
Next, the irradiated resist film is developed using an alkali developer to form a predetermined resist pattern.
As the alkaline developer, for example, an alkaline aqueous solution in which tetramethylammonium hydroxide is dissolved is preferable.
The concentration of the alkaline aqueous solution is usually 10% by weight or less. In this case, if the concentration of the alkaline aqueous solution exceeds 10% by weight, the non-irradiated part may be dissolved in the developer, which is not preferable.
In addition, an appropriate amount of a surfactant or the like can be added to the alkaline aqueous solution. In addition, after developing with an alkali developing solution, it is generally washed with water and dried.
以下、重合体(A)の合成例、感放射線性樹脂組成物の実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの例に何ら制約されるものではない。ここで、部は、特記しない限り重量基準である。
合成例および実施例における各測定・評価は、下記の要領で行なった。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to synthesis examples of the polymer (A) and examples of the radiation-sensitive resin composition. However, the present invention is not limited to these examples. Here, the part is based on weight unless otherwise specified.
Each measurement and evaluation in the synthesis examples and the examples was performed as follows.
重合体(A−1)〜(A−14)の13C−NMR分析は、日本電子(株)製「JNM−EX270」を用い、測定溶媒としてCDCL3を使用して実施した。また、Mwは東ソー(株)製GPCカラム(G2000HXL 2本、G3000HXL 1本、G4000HXL 1本)を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定した。
また、300nmにおける吸光係数は、重合体(A−1)〜(A−14)を0.50〜1.00g/L(クロロホルム溶液)となるように調製し、紫外可視光光度計((株)日本分光製)により300nmにおける吸光度を測定し、グラム吸光係数を計算した。
The 13 C-NMR analysis of the polymers (A-1) to (A-14) was performed using “JNM-EX270” manufactured by JEOL Ltd. and using CDCL3 as a measurement solvent. In addition, Mw was monodispersed under the analysis conditions of a GPC column (2 G2000HXL, 1 G3000HXL, 1 G4000HXL) manufactured by Tosoh Corporation, with a flow rate of 1.0 ml / min, elution solvent tetrahydrofuran, and column temperature of 40 ° C. It was measured by gel permeation chromatography (GPC) using polystyrene as a standard.
Moreover, the absorption coefficient in 300 nm prepared polymer (A-1)-(A-14) so that it might become 0.50-1.00 g / L (chloroform solution), and the ultraviolet visible light photometer ((stock) ) Absorbance at 300 nm was measured by JASCO, and the Gram extinction coefficient was calculated.
合成例1
合成例2
合成例3
合成例4
合成例5
化合物(8−1)50.16g(50モル%)、化合物(8−2)39.14g(37モル%)、化合物(8−3)10.69g(13モル%)を2−ブタノン187gに溶解した単量体溶液(1)、ジメチル2,2'−アゾビス(2−メチルプロピオネート)4.22gを2−ブタノン80gに溶解した溶液(2)を準備し、さらに前述したCTA−3で表される化合物を3.52g、2−ブタノンを19g投入した1000mlの三口フラスコに前に準備した単量体溶液(1)28.77g、溶液(2)5.29gを投入し、その後減圧置換法にて窒素パージする。窒素パージの後、反応釜を攪拌しながら80℃に加熱し、15分後、単量体溶液(1)258.98g、溶液(2)30.80gを送液ポンプを用いて3時間かけて滴下した。滴下終了後さらに4時間攪拌した。重合終了後、重合溶液は放冷することにより30℃以下に冷却した。その後ジメチル2,2'−アゾビス(2−メチルプロピオネート)10.39gを重合溶液に加え、80℃に加熱し3時間攪拌した。反応終了後、溶液は放冷し30℃以下に冷却し、4000gのイソプロピルアルコールへ投入し、析出した白色粉末をろ別する。ろ別された白色粉末を2度2000gのイソプロピルアルコールにてスラリー上で洗浄した後、ろ別し、60℃にて17時間乾燥し、白色粉末の重合体を得た(80g、収率80%)。この重合体はMwが6200であり、13C-NMR分析の結果、化合物(8−1)、化合物(8−2)、化合物(8−3)で表される繰り返し単位、各繰り返し単位の含有率が54.1:31.9:13.9(モル%)の共重合体であった。また、300nmにおける吸光係数は0.10(L/g・cm)であった。この重合体を重合体(A−5)とする。
Synthesis example 5
Compound (8-1) 50.16 g (50 mol%), compound (8-2) 39.14 g (37 mol%), compound (8-3) 10.69 g (13 mol%) to 2-butanone 187 g A dissolved monomer solution (1) and a solution (2) in which 4.22 g of dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) was dissolved in 80 g of 2-butanone were prepared, and CTA-3 described above was further prepared. The monomer solution (1) (28.77 g) and the solution (2) (5.29 g) prepared previously were charged into a 1000 ml three-necked flask charged with 3.52 g of the compound represented by the formula (2) and 19 g of 2-butanone, and then reduced in pressure. Purge nitrogen with the replacement method. After purging with nitrogen, the reaction kettle was heated to 80 ° C. with stirring. After 15 minutes, 258.98 g of monomer solution (1) and 30.80 g of solution (2) were added over 3 hours using a feed pump. It was dripped. After completion of the dropwise addition, the mixture was further stirred for 4 hours. After completion of the polymerization, the polymerization solution was allowed to cool to cool to 30 ° C. or lower. Thereafter, 10.39 g of dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) was added to the polymerization solution, heated to 80 ° C. and stirred for 3 hours. After completion of the reaction, the solution is allowed to cool, cooled to 30 ° C. or lower, poured into 4000 g of isopropyl alcohol, and the precipitated white powder is filtered off. The filtered white powder was washed twice with 2000 g of isopropyl alcohol on the slurry, filtered, and dried at 60 ° C. for 17 hours to obtain a white powder polymer (80 g, yield 80%). ). This polymer has Mw of 6200, and as a result of 13 C-NMR analysis, the compound (8-1), the compound (8-2), the repeating unit represented by the compound (8-3), and the content of each repeating unit It was a copolymer having a ratio of 54.1: 31.9: 13.9 (mol%). The extinction coefficient at 300 nm was 0.10 (L / g · cm). This polymer is referred to as “polymer (A-5)”.
合成例6
合成例7
合成例8
合成例9
合成例10
化合物(8−1)50.16g(50モル%)、化合物(8−2)39.14g(37モル%)、化合物(8−3)10.69g(13モル%)を2−ブタノン187gに溶解した単量体溶液(1)、ジメチル2,2'−アゾビス(2−メチルプロピオネート)4.22gを2−ブタノン80gに溶解した溶液(2)を準備し、さらにさらに前述したCTA−1で表される化合物を4.30g、2−ブタノンを19g投入した1000mlの三口フラスコに前に準備した単量体溶液(1)28.77g、溶液(2)5.29gを投入し、その後減圧置換法にて窒素パージする。窒素パージの後、反応釜を攪拌しながら80℃に加熱し、15分後、単量体溶液(1)258.98g、溶液(2)30.80gを送液ポンプを用いて3時間かけて滴下した。滴下終了後さらに4時間攪拌した。重合終了後、重合溶液は放冷することにより30℃以下に冷却した。その後ジメチル2,2'−アゾビス(2−メチルプロピオネート)10.39gを重合溶液に加え、80℃に加熱し3時間攪拌した。反応終了後、溶液は放冷し30℃以下に冷却し、4000gのイソプロピルアルコールへ投入し、析出した白色粉末をろ別する。ろ別された白色粉末を2度2000gのイソプロピルアルコールにてスラリー上で洗浄した後、ろ別し、60℃にて17時間乾燥し、白色粉末の重合体を得た(73g、収率73%)。この重合体はMwが6200であり、13C-NMR分析の結果、化合物(8−1)、化合物(8−2)、化合物(8−3)で表される繰り返し単位、各繰り返し単位の含有率が52.1:34.0:13.9(モル%)の共重合体であった。また、300nmにおける吸光係数は0.08(L/g・cm)であった。この重合体を重合体(A−10)とする。
Synthesis Example 10
Compound (8-1) 50.16 g (50 mol%), compound (8-2) 39.14 g (37 mol%), compound (8-3) 10.69 g (13 mol%) to 2-butanone 187 g A dissolved monomer solution (1) and a solution (2) in which 4.22 g of dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) was dissolved in 80 g of 2-butanone were prepared. The monomer solution (1) (28.77 g) and the solution (2) (5.29 g) prepared above were charged into a 1000 ml three-necked flask charged with 4.30 g of the compound represented by 1 and 19 g of 2-butanone. Purge with nitrogen by vacuum replacement. After purging with nitrogen, the reaction kettle was heated to 80 ° C. with stirring. After 15 minutes, 258.98 g of monomer solution (1) and 30.80 g of solution (2) were added over 3 hours using a feed pump. It was dripped. After completion of the dropwise addition, the mixture was further stirred for 4 hours. After completion of the polymerization, the polymerization solution was allowed to cool and then cooled to 30 ° C. or lower. Thereafter, 10.39 g of dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) was added to the polymerization solution, heated to 80 ° C. and stirred for 3 hours. After completion of the reaction, the solution is allowed to cool, cooled to 30 ° C. or lower, poured into 4000 g of isopropyl alcohol, and the precipitated white powder is filtered off. The filtered white powder was washed twice with 2000 g of isopropyl alcohol on the slurry, filtered, and dried at 60 ° C. for 17 hours to obtain a white powder polymer (73 g, yield 73%). ). This polymer has Mw of 6200, and as a result of 13 C-NMR analysis, the compound (8-1), the compound (8-2), the repeating unit represented by the compound (8-3), and the content of each repeating unit The ratio of the copolymer was 52.1: 34.0: 13.9 (mol%). The extinction coefficient at 300 nm was 0.08 (L / g · cm). This polymer is referred to as “polymer (A-10)”.
合成例11
化合物(8−1)50.16g(50モル%)、化合物(8−2)39.14g(37モル%)、化合物(8−3)10.69g(13モル%)を2−ブタノン187gに溶解した単量体溶液(1)、ジメチル2,2'−アゾビス(2−メチルプロピオネート)4.22gを2−ブタノン80gに溶解した溶液(2)を準備し、さらに前述したCTA−2で表される化合物を4.53g、2−ブタノンを19g投入した1000mlの三口フラスコに前に準備した単量体溶液(1)28.77g、溶液(2)5.29gを投入し、その後減圧置換法にて窒素パージする。窒素パージの後、反応釜を攪拌しながら80℃に加熱し、15分後、単量体溶液(1)258.98g、溶液(2)30.80gを送液ポンプを用いて3時間かけて滴下した。滴下終了後さらに4時間攪拌した。重合終了後、重合溶液は放冷することにより30℃以下に冷却した。その後ジメチル2,2'−アゾビス(2−メチルプロピオネート)10.39gを重合溶液に加え、80℃に加熱し3時間攪拌した。反応終了後、溶液は放冷し30℃以下に冷却し、4000gのイソプロピルアルコールへ投入し、析出した白色粉末をろ別する。ろ別された白色粉末を2度2000gのイソプロピルアルコールにてスラリー上で洗浄した後、ろ別し、60℃にて17時間乾燥し、白色粉末の重合体を得た(73g、収率73%)。この重合体はMwが6100であり、13C-NMR分析の結果、化合物(8−1)、化合物(8−2)、化合物(8−3)で表される繰り返し単位、各繰り返し単位の含有率が55.1:30.1:14.8(モル%)の共重合体であった。また、300nmにおける吸光係数は0.10(L/g・cm)であった。この重合体を重合体(A−11)とする。
Synthesis Example 11
Compound (8-1) 50.16 g (50 mol%), compound (8-2) 39.14 g (37 mol%), compound (8-3) 10.69 g (13 mol%) to 2-butanone 187 g A dissolved monomer solution (1) and a solution (2) in which 4.22 g of dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) was dissolved in 80 g of 2-butanone were prepared. The monomer solution (1) (28.77 g) and the solution (2) (5.29 g) prepared previously were charged into a 1000 ml three-necked flask charged with 4.53 g of the compound represented by the formula (2) and 19 g of 2-butanone, and then reduced in pressure. Purge nitrogen with the replacement method. After purging with nitrogen, the reaction kettle was heated to 80 ° C. with stirring. After 15 minutes, 258.98 g of monomer solution (1) and 30.80 g of solution (2) were added over 3 hours using a feed pump. It was dripped. After completion of the dropwise addition, the mixture was further stirred for 4 hours. After completion of the polymerization, the polymerization solution was allowed to cool and then cooled to 30 ° C. or lower. Thereafter, 10.39 g of dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) was added to the polymerization solution, heated to 80 ° C. and stirred for 3 hours. After completion of the reaction, the solution is allowed to cool, cooled to 30 ° C. or lower, poured into 4000 g of isopropyl alcohol, and the precipitated white powder is filtered off. The filtered white powder was washed twice with 2000 g of isopropyl alcohol on the slurry, filtered, and dried at 60 ° C. for 17 hours to obtain a white powder polymer (73 g, yield 73%). ). This polymer has Mw of 6100, and as a result of 13 C-NMR analysis, the compound (8-1), the compound (8-2), the repeating unit represented by the compound (8-3), the content of each repeating unit It was a copolymer having a ratio of 55.1: 30.1: 14.8 (mol%). The extinction coefficient at 300 nm was 0.10 (L / g · cm). This polymer is referred to as “polymer (A-11)”.
合成例12
化合物(8−1)50.16g(50モル%)、化合物(8−2)39.14g(37モル%)、化合物(8−3)10.69g(13モル%)を2−ブタノン187gに溶解した単量体溶液(1)、ジメチル2,2'−アゾビス(2−メチルプロピオネート)4.22gを2−ブタノン80gに溶解した溶液(2)を準備し、さらに前述したCTA−4で表される化合物を4.07g、2−ブタノンを19g投入した1000mlの三口フラスコに前に準備した単量体溶液(1)28.77g、溶液(2)5.29gを投入し、その後減圧置換法にて窒素パージする。窒素パージの後、反応釜を攪拌しながら80℃に加熱し、15分後、単量体溶液(1)258.98g、溶液(2)30.80gを送液ポンプを用いて3時間かけて滴下した。滴下終了後さらに4時間攪拌した。重合終了後、重合溶液は放冷することにより30℃以下に冷却した。その後ジメチル2,2'−アゾビス(2−メチルプロピオネート)10.39gを重合溶液に加え、80℃に加熱し3時間攪拌した。反応終了後、溶液は放冷し30℃以下に冷却し、4000gのイソプロピルアルコールへ投入し、析出した白色粉末をろ別する。ろ別された白色粉末を2度2000gのイソプロピルアルコールにてスラリー上で洗浄した後、ろ別し、60℃にて17時間乾燥し、白色粉末の重合体を得た(72g、収率72%)。この重合体はMwが6200であり、13C-NMR分析の結果、化合物(8−1)、化合物(8−2)、化合物(8−3)で表される繰り返し単位、各繰り返し単位の含有率が52.5:30.9:16.6(モル%)の共重合体であった。また、300nmにおける吸光係数は0.08(L/g・cm)であった。この重合体を重合体(A−12)とする。
Synthesis Example 12
Compound (8-1) 50.16 g (50 mol%), compound (8-2) 39.14 g (37 mol%), compound (8-3) 10.69 g (13 mol%) to 2-butanone 187 g A dissolved monomer solution (1) and a solution (2) in which 4.22 g of dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) was dissolved in 80 g of 2-butanone were prepared, and CTA-4 described above was further prepared. The monomer solution (1) (28.77 g) and the solution (2) (5.29 g) prepared above were charged into a 1000 ml three-necked flask charged with 4.07 g of the compound represented by (19) and 19 g of 2-butanone, and then the pressure was reduced. Purge nitrogen with the replacement method. After purging with nitrogen, the reaction kettle was heated to 80 ° C. with stirring. After 15 minutes, 258.98 g of monomer solution (1) and 30.80 g of solution (2) were added over 3 hours using a feed pump. It was dripped. After completion of the dropwise addition, the mixture was further stirred for 4 hours. After completion of the polymerization, the polymerization solution was allowed to cool and then cooled to 30 ° C. or lower. Thereafter, 10.39 g of dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) was added to the polymerization solution, heated to 80 ° C. and stirred for 3 hours. After completion of the reaction, the solution is allowed to cool, cooled to 30 ° C. or lower, poured into 4000 g of isopropyl alcohol, and the precipitated white powder is filtered off. The filtered white powder was washed twice with 2000 g of isopropyl alcohol on the slurry, filtered, and dried at 60 ° C. for 17 hours to obtain a white powder polymer (72 g, yield 72%). ). This polymer has Mw of 6200, and as a result of 13 C-NMR analysis, the compound (8-1), the compound (8-2), the repeating unit represented by the compound (8-3), and the content of each repeating unit The ratio was 52.5: 30.9: 16.6 (mol%). The extinction coefficient at 300 nm was 0.08 (L / g · cm). This polymer is referred to as “polymer (A-12)”.
合成例13
化合物(8−1)50.16g(50モル%)、化合物(8−2)39.14g(37モル%)、化合物(8−3)10.69g(13モル%)を2−ブタノン187gに溶解した単量体溶液(1)、ジメチル2,2'−アゾビス(2−メチルプロピオネート)8.44gを2−ブタノン80gに溶解した溶液(2)を準備し、さらに前述したCTA−3で表される化合物を7.04g、2−ブタノンを38g投入した1000mlの三口フラスコに前に準備した単量体溶液(1)28.77g、溶液(2)10.58gを投入し、その後減圧置換法にて窒素パージする。窒素パージの後、反応釜を攪拌しながら80℃に加熱し、15分後、単量体溶液(1)258.98g、溶液(2)61.60gを送液ポンプを用いて3時間かけて滴下した。滴下終了後さらに4時間攪拌した。重合終了後、重合溶液は放冷することにより30℃以下に冷却した。その後ジメチル2,2'−アゾビス(2−メチルプロピオネート)10.39gを重合溶液に加え、80℃に加熱し3時間攪拌した。反応終了後、溶液は放冷し30℃以下に冷却し、4000gのイソプロピルアルコールへ投入し、析出した白色粉末をろ別する。ろ別された白色粉末を2度2000gのイソプロピルアルコールにてスラリー上で洗浄した後、ろ別し、60℃にて17時間乾燥し、白色粉末の重合体を得た(73g、収率73%)。この重合体はMwが4100であり、13C-NMR分析の結果、化合物(8−1)、化合物(8−2)、化合物(8−3)で表される繰り返し単位、各繰り返し単位の含有率が52.1:30.1:17.8(モル%)の共重合体であった。また、300nmにおける吸光係数は0.14(L/g・cm)であった。この重合体を重合体(A−13)とする。
Synthesis Example 13
Compound (8-1) 50.16 g (50 mol%), compound (8-2) 39.14 g (37 mol%), compound (8-3) 10.69 g (13 mol%) to 2-butanone 187 g A dissolved monomer solution (1) and a solution (2) in which 8.44 g of dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) were dissolved in 80 g of 2-butanone were prepared, and the CTA-3 described above was further prepared. The monomer solution (1) (28.77 g) and the solution (2) (10.58 g) prepared above were added to a 1000 ml three-neck flask charged with 7.04 g of the compound represented by Purge nitrogen with the replacement method. After purging with nitrogen, the reaction kettle was heated to 80 ° C. with stirring. After 15 minutes, 258.98 g of monomer solution (1) and 61.60 g of solution (2) were added over 3 hours using a liquid feed pump. It was dripped. After completion of the dropwise addition, the mixture was further stirred for 4 hours. After completion of the polymerization, the polymerization solution was allowed to cool and then cooled to 30 ° C. or lower. Thereafter, 10.39 g of dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) was added to the polymerization solution, heated to 80 ° C. and stirred for 3 hours. After completion of the reaction, the solution is allowed to cool, cooled to 30 ° C. or lower, poured into 4000 g of isopropyl alcohol, and the precipitated white powder is filtered off. The filtered white powder was washed twice with 2000 g of isopropyl alcohol on the slurry, filtered, and dried at 60 ° C. for 17 hours to obtain a white powder polymer (73 g, yield 73%). ). This polymer has Mw of 4100, and as a result of 13 C-NMR analysis, the compound (8-1), the compound (8-2), the repeating unit represented by the compound (8-3), the content of each repeating unit The ratio was 52.1: 30.1: 17.8 (mol%). The extinction coefficient at 300 nm was 0.14 (L / g · cm). This polymer is referred to as “polymer (A-13)”.
合成例14
化合物(8−1)50.16g(50モル%)、化合物(8−2)39.14g(37モル%)、化合物(8−3)10.69g(13モル%)を2−ブタノン187gに溶解した単量体溶液(1)、ジメチル2,2'−アゾビス(2−メチルプロピオネート)4.22gを2−ブタノン80gに溶解した溶液(2)を準備し、さらにピラゾール−1−ジチオカルボン酸シアノジメチルメチルエステルを3.52g、2−ブタノンを19g投入した1000mlの三口フラスコに前に準備した単量体溶液(1)28.77g、溶液(2)5.29gを投入し、その後減圧置換法にて窒素パージする。窒素パージの後、反応釜を攪拌しながら80℃に加熱し、15分後、単量体溶液(1)258.98g、溶液(2)30.80gを送液ポンプを用いて3時間かけて滴下した。滴下終了後さらに4時間攪拌した。重合終了後、重合溶液は放冷することにより30℃以下に冷却し、4000gのイソプロピルアルコールへ投入し、析出した白色粉末をろ別する。ろ別された白色粉末を2度2000gのイソプロピルアルコールにてスラリー上で洗浄した後、ろ別し、60℃にて17時間乾燥し、白色粉末の重合体を得た(82g、収率82%)。この重合体はMwが6200であり、13C-NMR分析の結果、化合物(8−1)、化合物(8−2)、化合物(8−3)で表される繰り返し単位、各繰り返し単位の含有率が51.1:32.1:16.8(モル%)の共重合体であった。また、300nmにおける吸光係数は1.25(L/g・cm)であった。この重合体を重合体(A−14)とする。
Synthesis Example 14
Compound (8-1) 50.16 g (50 mol%), compound (8-2) 39.14 g (37 mol%), compound (8-3) 10.69 g (13 mol%) to 2-butanone 187 g A dissolved monomer solution (1) and a solution (2) in which 4.22 g of dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) were dissolved in 80 g of 2-butanone were prepared, and further pyrazole-1-di The monomer solution (1) (28.77 g) and the solution (2) (5.29 g) prepared previously were charged into a 1000 ml three-necked flask charged with 3.52 g of thiocarboxylic acid cyanodimethylmethyl ester and 19 g of 2-butanone. Purge with nitrogen by vacuum replacement. After purging with nitrogen, the reaction kettle was heated to 80 ° C. with stirring. After 15 minutes, 258.98 g of monomer solution (1) and 30.80 g of solution (2) were added over 3 hours using a feed pump. It was dripped. After completion of the dropwise addition, the mixture was further stirred for 4 hours. After completion of the polymerization, the polymerization solution is allowed to cool to cool to 30 ° C. or less, charged into 4000 g of isopropyl alcohol, and the precipitated white powder is filtered off. The filtered white powder was washed twice with 2000 g of isopropyl alcohol on the slurry, filtered, and dried at 60 ° C. for 17 hours to obtain a white powder polymer (82 g, yield 82%). ). This polymer has Mw of 6200, and as a result of 13 C-NMR analysis, the compound (8-1), the compound (8-2), the repeating unit represented by the compound (8-3), and the content of each repeating unit It was a copolymer having a ratio of 51.1: 32.1: 16.8 (mol%). The extinction coefficient at 300 nm was 1.25 (L / g · cm). This polymer is referred to as “polymer (A-14)”.
得られた重合体(A−1)〜(A−14)の放射線透過率を以下の方法で測定した。結果を表1に示す。
放射線透過率の測定方法:
重合体(A−1)〜(A−14)の10重量%プロピレングリコールメチルエーテルアセテート樹脂溶液を石英ガラス上にスピンコートにより塗布し、110℃の温度条件に保持したホットプレート上で90秒の間PBを行なって形成した膜厚265nmのレジスト被膜について、波長193nmにおける吸光度から、放射線透過率を算出して、遠紫外線領域における透明性の尺度とした。
Measuring method of radiation transmittance:
A 10% by weight propylene glycol methyl ether acetate resin solution of the polymers (A-1) to (A-14) was applied onto quartz glass by spin coating, and was heated for 90 seconds on a hot plate maintained at 110 ° C. With respect to the resist film having a film thickness of 265 nm formed by performing the intermediate PB, the radiation transmittance was calculated from the absorbance at a wavelength of 193 nm and used as a measure of transparency in the far ultraviolet region.
実施例1〜実施例16
合成例1〜合成例14で得られた各重合体と、以下に示す酸発生剤と、他の成分とを表3に示す割合で配合して各感放射線性樹脂組成物溶液を得た。得られた感放射線性樹脂組成物溶液を表4に示す条件にて露光して各種評価を行なった。評価結果を表4に示す。ここで、部は、特記しない限り重量基準である。
酸発生剤(B)
(B−1):トリフェニルスルホニウム・ノナフルオロ−n−ブタンスルホネート
(B−2):1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート
酸拡散制御剤(C)
(C−1):N−t−ブトキシカルボニル−4−ヒドロキシ−ピペリジン
脂環族添加剤(D)
(D−1):2−ビシクロ〔2.2.1〕へプチ−2−イルメチル−1,1,1,3、3,3−ヘキサフルオロプロパン−2−オール
溶剤(E)
(E−1):プロピレングリコールメチルエーテルアセテート
(E−2):シクロヘキサノン
Examples 1 to 16
Each polymer obtained in Synthesis Example 1 to Synthesis Example 14, the acid generator shown below, and other components were blended in the proportions shown in Table 3 to obtain each radiation-sensitive resin composition solution. The obtained radiation-sensitive resin composition solution was exposed under the conditions shown in Table 4 and subjected to various evaluations. The evaluation results are shown in Table 4. Here, the part is based on weight unless otherwise specified.
Acid generator (B)
(B-1): Triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate (B-2): 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate diffusion control Agent (C)
(C-1): Nt-butoxycarbonyl-4-hydroxy-piperidine alicyclic additive (D)
(D-1): 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-ylmethyl-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ol solvent (E)
(E-1): Propylene glycol methyl ether acetate (E-2): Cyclohexanone
評価方法
(1)感度:
ArF光源にて露光を行なう場合、ウエハー表面に膜厚77nmのARC29((Brewer Science)社製)膜を形成したシリコンウエハー(AR
C29)を用い、各組成物溶液を、基板上にスピンコートにより塗布し、ホットプレート上にて、表3に示す条件でPBを行なって形成した膜厚200nmのレジスト被膜に、ニコン製ArFエキシマレーザー露光装置(開口数0.75)を用い、マスクパターンを介して露光した。その後、表2に示す条件でPEBを行なったのち、2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により、25℃で60秒間現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。このとき、線幅85nmのライン・アンド・スペースパターン(1L1S)を1対1の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度とした。
(2)解像度:
最適露光量で解像される最小のライン・アンド・スペースパターンの寸法を解像度とした。
(3)パターンプロファイル:
線幅 160nmのライン・アンド・スペースパターン(1L1S)の方形状断面の下辺寸法L1と上下辺寸法L2とを走査型電子顕微鏡により測定し、0.85≦L2/L1≦1を満足し、かつパターンプロファイルが裾を引いていない場合を、パターンプロファイルが「良好」であるとした。
(4)ラインエッジラフネス(LER):
最適露光量にて解像した110nm1L/1Sパターンの観測において、日立製測長SEM:S9220にてパターン上部から観察する際、線幅を任意のポイントで観測し、その測定ばらつきを3シグマで評価した。
When performing exposure with an ArF light source, a silicon wafer (AR) having an ARC29 (made by Brewer Science) film with a film thickness of 77 nm formed on the wafer surface
C29), each composition solution was applied onto a substrate by spin coating, and PB was performed on a hot plate under the conditions shown in Table 3 to form a resist film having a thickness of 200 nm on a Nikon ArF excimer. It exposed through the mask pattern using the laser exposure apparatus (numerical aperture 0.75). Thereafter, PEB is performed under the conditions shown in Table 2, and then developed with a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 25 ° C. for 60 seconds, washed with water, and dried to form a positive resist pattern. did. At this time, the exposure amount for forming a line-and-space pattern (1L1S) having a line width of 85 nm in a one-to-one line width was defined as the optimum exposure amount, and this optimum exposure amount was defined as the sensitivity.
(2) Resolution:
The dimension of the smallest line and space pattern that can be resolved at the optimum exposure dose was taken as the resolution.
(3) Pattern profile:
The bottom side dimension L1 and the top and bottom side dimension L2 of the rectangular cross section of the line and space pattern (1L1S) having a line width of 160 nm are measured with a scanning electron microscope, and 0.85 ≦ L2 / L1 ≦ 1 is satisfied, and The case where the pattern profile did not have a tail was determined to be “good”.
(4) Line edge roughness (LER):
When observing the 110 nm 1L / 1S pattern resolved at the optimum exposure dose, the line width is observed at an arbitrary point when observing from the top of the pattern with Hitachi SEM: S9220, and the measurement variation is evaluated with 3 sigma. did.
表4に示すように、レジスト基本性能である感度、解像度、パターンファイルのみならず、ラインエッジラフネス(LER)特性にも優れた感放射線性樹脂組成物が得られる。 As shown in Table 4, a radiation-sensitive resin composition excellent in not only sensitivity, resolution, and pattern file, which are basic resist performances, but also line edge roughness (LER) characteristics can be obtained.
本発明の感放射線性樹脂組成物は、放射線に対する透明性が高く、高解像度であり、パターンプロファイル、パターンのラインエッジラフネス(LER)等を含めたレジストとしての基本物性に優れているので、これからさらに微細化が進行すると予想される半導体デバイス製造用の化学増幅型レジストとして極めて有用である。 Since the radiation-sensitive resin composition of the present invention is highly transparent to radiation, has high resolution, and has excellent basic physical properties as a resist including a pattern profile, pattern line edge roughness (LER), and the like. Further, it is extremely useful as a chemically amplified resist for manufacturing semiconductor devices, which is expected to be further miniaturized.
Claims (4)
前記酸解離性基含有重合体が式(X−1)で表される連鎖移動剤を用いるリビングラジカル重合により重合されてなることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
A radiation-sensitive resin composition, wherein the acid-dissociable group-containing polymer is polymerized by living radical polymerization using a chain transfer agent represented by the formula (X-1).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003392513A JP4182867B2 (en) | 2003-11-21 | 2003-11-21 | Radiation sensitive resin composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003392513A JP4182867B2 (en) | 2003-11-21 | 2003-11-21 | Radiation sensitive resin composition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005156725A JP2005156725A (en) | 2005-06-16 |
JP4182867B2 true JP4182867B2 (en) | 2008-11-19 |
Family
ID=34719191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003392513A Expired - Lifetime JP4182867B2 (en) | 2003-11-21 | 2003-11-21 | Radiation sensitive resin composition |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4182867B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5013102B2 (en) * | 2005-09-08 | 2012-08-29 | Jsr株式会社 | Radiation sensitive resin composition and color filter |
JP4670624B2 (en) * | 2005-12-14 | 2011-04-13 | Jsr株式会社 | Radiation sensitive resin composition |
JP4688697B2 (en) * | 2006-03-03 | 2011-05-25 | 東洋合成工業株式会社 | Dithioester derivative, chain transfer agent, and method for producing radical polymerizable polymer using the same |
JP5937549B2 (en) * | 2012-08-31 | 2016-06-22 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | Photoacid generator compound, polymer containing terminal group containing photoacid generator compound, and production method |
-
2003
- 2003-11-21 JP JP2003392513A patent/JP4182867B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005156725A (en) | 2005-06-16 |
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