JP4174941B2 - 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜が成膜される成膜室に対して、原料ガスの供給と原料ガスを成膜室から排気するためのパージガスの供給とを交互に繰り返して行う薄膜の製造方法及びそのような薄膜の製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
この種の薄膜製造方法及び薄膜製造装置に関するものとしては、例えば特表平9−508890号公報に記載のものが提案されている。これは、薄膜が成膜される成膜室、原料ガス及びパージガス供給系統、成膜室の排気系統を備える製造装置を用い、原料ガスの供給とパージガスの供給とを交互に繰り返して基板上にて原子層成長をさせることにより薄膜を製造するものである。また、成膜室内の余剰ガスは減圧排気することにより除去するようにしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者等が従来技術について検討したところ、従来の製造方法及び製造装置においては、原料ガスの供給時(成膜時)とパージガスの供給(パージ時)とで、例えば同一の排気ポンプを用いる等、成膜室の排気能力を同じとしているため、以下のような問題が生じることがわかった。
【0004】
このような薄膜製造に用いられる原料ガスは、そもそも、AlCl3、ZnCl2、TaCl5等の塩化物、あるいは固体有機金属などの凝集しやすいガスが採用される。また、パージガスとしては窒素ガス等の原料ガスの反応に関与しないガスが採用される。ここにおいて、生産性を上げるべくパージ時間を短くするために、排気能力の大きいポンプを使用した場合、原料ガスを供給する成膜時に、成膜室の圧力が低くなり、原料ガスの供給と停止を制御するバルブの下流側が低い圧力となる。
【0005】
この状態でバルブを開けると、バルブの上流と下流との間に大きな圧力差が生じ、原料ガスが膨張して温度が下がり、バルブ内部またはバルブ下流側の配管あるいは成膜室内にて原料ガスが凝集してしまう。この原料ガスの凝集が発生すると、例えば、原料ガスの凝集粉が成膜された膜に付着して膜性能に影響を与える等の不具合が発生する。
【0006】
また、逆に、バルブの下流側の圧力を高めるためにポンプの排気能力を小さくすると、上記した原料ガスの凝集という問題は防止できるが、パージガスを供給するパージ時にパージガスの流量が減少するため、パージに要する時間が長くなり、薄膜製造における生産性が落ちることとなってしまう。このように、従来では、成膜時とパージ時とで、成膜室の排気能力を同じとしているため、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させることができなかった。
【0007】
本発明は、上記したような本発明者等が独自に見出した問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、成膜室に対して原料ガスの供給とパージガスの供給とを交互に繰り返して行うことにより製造される薄膜において、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させるような薄膜製造方法及びそのような製造方法に適した薄膜製造装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1〜請求項4記載の発明は薄膜製造方法に係るものであり、原料ガスの供給を行うときは、成膜室(10)内の圧力をパージガスの供給を行うときよりも大きく、パージガスの供給を行うときは、成膜室内の圧力を原料ガスの供給を行うときよりも小さくすることを特徴としている。
【0009】
それにより、原料ガスの供給時には、原料ガスを供給するバルブの下流側の圧力を高め、該バルブを開けたときに伴う原料ガスの急激な温度低下による凝集を抑制することができ、一方、パージ中は短時間で確実にパージを行うことのできるように、成膜室の圧力を小さくすることができる。よって、本発明によれば、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させるような薄膜製造方法を提供することができる。
【0010】
また、請求項1の製造方法のより具体的な方法としては、請求項2の製造方法のように、原料ガスの供給を行うときは、パージガスの供給を行うときに比べて、成膜室(10)の排気能力を小さくする方法や、請求項3の製造方法のように、原料ガスの供給を行うときは、同時に成膜室(10)へ原料ガスの反応に関与しないガスを導入することにより、パージガスの供給を行うときよりも成膜室内の圧力を大きくする方法を採用することができる。
【0011】
また、請求項5〜請求項8記載の発明は薄膜製造装置に係るものであり、原料ガスの供給を行うときは、成膜室内の圧力をパージガスの供給を行うときよりも大きく、パージガスの供給を行うときは、成膜室内の圧力を原料ガスの供給を行うときよりも小さくなるように、成膜室(10)内の圧力を可変とする圧力可変手段(35、55、65)を設け、さらに、原料ガスの供給と停止とを行う原料ガス用バルブ手段(234)を備え、圧力可変手段(65)は、原料ガス用バルブ手段の下流側の圧力を検知する圧力検知手段(60)と、この圧力検知手段によって検知される圧力に基づいて成膜室(10)へ原料ガスの反応に関与しないガスを導入するガス導入手段(61〜63)とを備えたものとしたことを特徴としている。
【0012】
本製造装置を用いれば、圧力可変手段によって成膜室内の圧力を可変とできるため、上記製造方法と同様に、原料ガスの供給時とパージガスの供給時とで、成膜室内の圧力を大きくしたり小さくしたりできる。よって、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させるような薄膜製造方法に適した薄膜製造装置を提供することができる。また、上記圧力可変手段としては、原料ガスの供給と停止とを行う原料ガス用バルブ手段(234)の下流側の圧力を検知する圧力検知手段(60)と、この圧力検知手段によって検知される圧力に基づいて成膜室(10)へ原料ガスの反応に関与しないガスを導入するガス導入手段(61〜63)とを備えたものとしており、本製造装置を用いれば、請求項3の製造方法を適切に実行することができる。
【0013】
特に、請求項6の発明のように、圧力可変手段を、成膜室(10)を排気するときの排気能力を可変とする排気能力可変手段(35、55)を備えた薄膜製造装置を用いれば、請求項2の製造方法を適切に実行することができる。
【0014】
その排気能力可変手段としては、成膜室(10)に対して別々に設けられた排気用の2個の排気通路(30、40)と、個々の該排気通路に設けられた互いに排気能力の異なるポンプ手段(31、41)とを備えたものとしたり(請求項7の発明)、成膜室(10)に対して設けられた排気用の排気通路(50)と、この排気通路に設けられ該排気通路の通路面積を可変とする可変バルブ手段(52)とを備えたものとする(請求項8の発明)ことができる。
【0016】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【0017】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態)
本発明は、薄膜が成膜される成膜室を排気しながら、該成膜室に対して原料ガスの供給とパージガスの供給とを交互に繰り返して基板上にて原子層成長をさせることにより薄膜を製造するものである。
【0018】
以下、限定するものではないが、原料ガスとしてAlCl3(塩化アルミニウム)とH2Oを用い、パージガスとしてN2(窒素)を用い、Al2O3(アルミナ)を成膜する場合について説明する。成膜方法は、公知の如く、AlCl3導入+N2パージ(第1パージ)+H2O導入+N2パージ(第2パージ)を1サイクルとしてこれを複数サイクル繰り返すことにより、所望の厚さのアルミナ薄膜を得るものである。
【0019】
図1に、本発明の第1実施形態に係る薄膜製造装置を模式的に示す。図1において、10はチタン等の金属やガラス等よりなる成膜室であり、この成膜室10には、成膜室10へ原料ガスやパージガスを交互に導入するためのガス供給通路20、及び成膜室10内の余剰ガスを排気するための2個の排気通路30、40が設けられている。各通路20〜40は、例えばステンレスやガラス等よりなる配管より構成されている。
【0020】
図示されるガス供給通路20は、原料ガスとしてのAlCl3ガスを成膜室10へ導入するとともに、第1パージを行うためのものである。このガス供給通路20の上流側は、図示しないキャリアガス(パージ時にはパージガスにもなる)であるN2ガスが収納されたタンクやボンベ等につながっている。
【0021】
また、ガス供給通路20の途中には原料供給通路21が設けられ、原料供給通路21の途中部には原料ガスであるAlCl3ガスが収納された耐食性金属等よりなる原料容器22が介在している。この原料容器22には、AlCl3が固体Sで収納されており、ヒータやオーブン等にて加熱することにより、該容器22内部においては、AlCl3が一部昇華してAlCl3ガスGが存在した状態となっている。
【0022】
また、ガス供給通路20における原料供給通路21の分岐点と合流点との間(バイパス通路)には第1供給バルブ231が、原料供給通路21におけるガス供給通路20の分岐点と原料容器22との間には第2供給バルブ232が、原料供給通路21における原料容器22とガス供給通路20の合流点との間には第3供給バルブ233が、ガス供給通路20における原料供給通路21の合流点と成膜室10との間には第4供給バルブ234が、それぞれ介在設定されている。また、原料ガスが流れる第3及び第4供給バルブ233、234及び通路部分は、原料のガス状態を維持すべくヒータやオーブン等にて加熱可能となっている。
【0023】
そして、AlCl3ガスを成膜室10内へ導入するときは、第1供給バルブ231を閉状態、第2〜第4供給バルブ232〜234を開状態とする。すると、図1中の実線矢印に示す様に、ガス供給通路20の上流からキャリアガスとしてのN2ガスが流れ、このガスは原料供給通路21から原料容器22内のAlCl3ガスGを搬送し、成膜室10内へ導入する。このAlCl3ガスの流量は、原料容器22の温度即ちAlCl3の昇華温度で決められる。
【0024】
一方、第1パージ時に、パージガスとしてのN2ガスを成膜室10内へ導入するときは、第1及び第4供給バルブ231及び234を開状態、第2及び第3供給バルブ232及び233を閉状態とする。すると、図1中の破線矢印に示す様に、ガス供給通路20の上流から、上記バイパス通路を介してパージガスとしてのN2ガスが流れ、成膜室10内へ導入される。
【0025】
なお、上記ガス供給通路20とは別に、図示しないが、上記した原料供給通路、原料容器及び各供給バルブを有するガス供給通路が、もう1系統設けられており、このガス供給通路は、原料ガスとしてのH2Oガスを成膜室10へ導入するとともに、第2パージを行うためのものである。その構成は、上記ガス供給通路20と比べて、原料容器にAlCl3の代わりに水が入っている以外は同様である。
【0026】
こうして、AlCl3ガスの導入、第1パージ、水ガスの導入、第2パージにおける各パルスは、予め決められたパルス時間にて上記各供給バルブ231〜234を切り替えることにより、成膜室10へ順次交互に導入される。なお、上記の各供給バルブ231〜234は、特に限定しないが、例えば、電磁弁から送られるエアによって駆動されるダイヤフラム式のものを採用できる。そして、各バルブ231〜234は、上記各パルス時間に基づいて図示しない制御回路から送られる信号により電磁弁を作動制御するようになっている。
【0027】
一方、2個の排気通路30、40は、成膜室10に対して別々に設けられており、個々の排気通路30、40には、互いに排気能力の異なる電動式の真空ポンプ(ポンプ手段)31、41が介在設定されている。ここで、排気能力の小さいポンプ(第1のポンプ)31を有する方を第1の排気通路30、排気能力の大きいポンプ(第2のポンプ)41を有する方を第2の排気通路40とする。各排気通路30及び40において、成膜室とポンプとの間には、それぞれ第1排気バルブ32及び第2排気バルブ42が介在設定されている。
【0028】
ここで、AlCl3ガスの導入及び水ガスの導入時(つまり、原料ガスの供給時)には、第1及び第2パージ時(つまり、パージガスの供給時)に比べて、成膜室10の排気能力を小さくするようにしている。それにより、原料ガスの供給時には、成膜室10内の圧力をパージガスの供給時よりも大きく、パージガスの供給時には、成膜室10内の圧力を原料ガスの供給時よりも小さくすることができる。
【0029】
具体的には、両ポンプ31、41を駆動状態としたまま、原料ガスの供給時には、第1排気バルブ32を開状態、第2排気バルブ42を閉状態として、排気能力の小さい第1の排気通路30のみで排気する。一方、パージガスの供給時には、第1排気バルブ32を閉状態、第2排気バルブ42を開状態として、排気能力の大きい第2の排気通路40のみで排気するか、両排気バルブ32、42をともに開状態として、両排気通路30、40で排気を行う。また、各排気バルブ32、42及び排気通路は、排気されるガスのガス状態を維持すべくヒータやオーブン等にて加熱可能となっている。
【0030】
なお、上記の各排気32、42は、特に限定しないが、例えば、上記供給バルブと同様に、電磁弁から送られるエアによって駆動されるダイヤフラム式のものを採用でき、上記各パルス時間に基づいて各バルブ32、42の作動を制御できるようになっている。これら各排気通路30、40、各ポンプ31、41及び各排気バルブ32、42により、本発明でいう圧力可変手段としての排気能力可変手段35が構成されている。
【0031】
次に、この薄膜製造装置を用いた本実施形態の薄膜製造方法について述べる。基本的には、成膜室10に対して原料ガスの供給とパージガスの供給とを交互に繰り返して行うのであるが、本実施形態の主たる特徴は、原料ガスの供給時(成膜中)には、排気能力の小さい第1のポンプ32で排気することにより、成膜室10を高圧力にし、バルブ動作に伴うガスの急激な温度低下による凝集を抑制し、一方、パージガスの供給時(パージ中)には、排気能力の大きい第2のポンプ42で排気することにより、短時間で確実にパージを行うことにある。
【0032】
例えば、第1のポンプ32の排気能力を400L/min(リットル/分)、第2のポンプ42の排気能力を1600L/minとする。まず、成膜室10内に成膜用の図示しない基板(ガラス基板やシリコン基板等)を設置し、ヒータ(図示せず)等により、該基板を成膜可能な温度(例えば500℃)に昇温する。
【0033】
次に、AlCl3ガス導入工程を行う。第1供給バルブ231を閉状態、第2〜第4供給バルブ232〜234を開状態とし、図1中の実線矢印に示す様に、キャリアガスとしてのN2ガスとともにAlCl3ガスを成膜室10内へ導入する。こうして、成膜室10内の上記基板上にAlCl3ガスが吸着する。このとき同時に、第1排気バルブ32を開状態、第2排気バルブ42を閉状態として、排気能力の小さい第1の排気通路30のみで成膜室10を排気する。
【0034】
ここで、AlCl3の昇華温度(原料容器22の温度)を実用的な昇華量が確保できる140℃、第3及び第4供給バルブ233及び234の温度を市販バルブの耐熱保証温度上限の150℃、キャリアガスのN2流量を標準状態で3L/min(3SLM)としたとき、排気能力が400L/minである第1のポンプ31で排気した場合、成膜室10の圧力が800Paとなる。このとき、第4供給バルブ234の上流側と下流側との圧力差は10kPaであり、温度低下も10℃以下となり、第4供給バルブ234下流側でのAlCl3の凝集はほとんど発生しない。
【0035】
次に、第1パージ工程を行う。第1及び第4供給バルブ231及び234を開状態、第2及び第3供給バルブ232及び233を閉状態とし、図1中の破線矢印に示す様に、パージガスとしてのN2ガスを成膜室10内へ導入する。そして、成膜室10内の余剰ガスを除去する。このとき同時に、第1排気バルブ32を閉状態、第2排気バルブ42を開状態として、排気能力の大きい第2の排気通路40のみで排気するか、両排気バルブ32、42をともに開状態として、両排気通路30、40で排気を行う。
【0036】
この第1パージ工程において、排気能力が1600L/minである第2のポンプ42に切り替えて排気することにより、排気能力が400L/minである第1のポンプ32で排気する場合に比べて、4分の1のパージ時間で同等のパージ効果が得られる。なお、両排気通路30、40で排気を行えば、いっそうパージ時間を短縮できる。
【0037】
仮に、AlCl3ガス導入工程(成膜中)にて、排気能力が1600L/minである第2のポンプ41を使用して第2の排気通路40から排気を行うと、成膜室10の圧力は200Paとなり、第4供給バルブ234の上流側と下流側との圧力差が25kPaと大きくなり、温度低下は20℃以上となり、AlCl3は第4供給バルブ234下流側で凝集してしまうことが確認された。
【0038】
次に、H2O導入工程を行い、基板に吸着されたAlCl3とH2Oとを反応させ、アルミナ薄膜を形成する。なお、H2OガスはAlCl3ガスと比べて凝集を起こしにくいので、成膜室10の排気は両排気通路30、40のどちらで行っても良い。次に、第2パージ工程を上記第1パージ工程と同様に行う。こうして、アルミナ薄膜の成膜の1サイクルが終了する。この1サイクルを複数回繰り返して所望の膜厚を得る。
【0039】
以上述べてきたように、本実施形態の薄膜製造装置によれば、成膜室10を排気するときの排気能力を可変とする排気能力可変手段35を備えており、この排気能力可変手段35は、原料ガスの供給とパージガスの供給とで成膜室10内の圧力(真空度)を可変とする圧力可変手段として機能する。
【0040】
そして、本薄膜製造装置を用いた上記製造方法によれば、原料ガスの供給を行うときは、パージガスの供給を行うときに比べて、成膜室10の排気能力を小さくすることができるため、原料ガスの供給を行うときは、成膜室10内の圧力をパージガスの供給を行うときよりも大きく、パージガスの供給を行うときは、成膜室10内の圧力を原料ガスの供給を行うときよりも小さくすることができる。
【0041】
それにより、原料ガスの供給時には、原料ガスを供給するバルブの下流側の圧力を高め、該バルブを開けたときに伴う原料ガスの急激な温度低下による凝集を抑制することができ、一方、パージ中は短時間で確実にパージを行うことのできるように、成膜室10の圧力を小さくすることができる。よって、本実施形態によれば、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させるような薄膜製造方法及びそのような製造方法に適した薄膜製造装置を提供することができる。
【0042】
(第2実施形態)
図2に、本発明の第2実施形態に係る薄膜製造装置を模式的に示す。図2中、上記第1実施形態(図1)と同一部分には同一符号を付し、以下、第1実施形態と異なるところについて主として説明することとする。
【0043】
本実施形態においても、上記第1実施形態と同様、基本的には、製造装置における圧力可変手段を、成膜室10を排気するときの排気能力を可変とする排気能力可変手段55を備えたものとし、原料ガスの供給を行うときは、パージガスの供給を行うときに比べて、成膜室10の排気能力を小さくする製造方法を採用している。
【0044】
しかし、本実施形態においては、排気能力可変手段55として、図2に示す様に、成膜室10に対して設けられた排気用の配管(ステンレス等)である1個の排気通路50と、この排気通路50における成膜室10とポンプ51との間に設けられ排気通路50の通路面積を可変とする可変バルブ(可変バルブ手段)52とを備えたものを採用している。
【0045】
この可変バルブ52は、特に限定しないが、例えば板状の弁体をサーボモータ等により回動可能に制御する通常のバルブを採用することができ、ポンプ51は所定の排気能力を有する通常の電動式の真空ポンプを採用できる。また、可変バルブ52及び排気通路は、排気されるガスのガス状態を維持すべくヒータやオーブン等にて加熱可能となっている。
【0046】
この可変バルブ52により、ポンプ51を駆動状態としたまま、原料ガスの供給時には、成膜室10の圧力がAlCl3の凝集が起こらない程度になるようにバルブ52の開度を小さくし、一方、パージガスの供給時には、短時間でパージ効果を得るためにバルブ52の開度を大きくする。
【0047】
これにより、排気通路50の開度を変えることができ、実効的な排気能力を変え、成膜中とパージ中とで成膜室10の圧力(真空度)を可変とすることができる。このように、本実施形態においても、上記第1実施形態と同様の効果を有する薄膜製造方法及び薄膜製造装置を提供することができる。また、本実施形態の排気能力可変手段55は、排気通路を1系統とできるため、上記第1実施形態に比べて、排気系統の構成を簡略化することができる。
【0048】
(第3実施形態)
図3に、本発明の第3実施形態に係る薄膜製造装置を模式的に示す。図3中、上記第1実施形態(図1)と同一部分には同一符号を付し、以下、第1実施形態と異なるところについて主として説明することとする。本実施形態は、原料ガスの供給を行うときは、同時に成膜室10へ原料ガスの反応に関与しないガスを導入することにより、パージガスの供給を行うときよりも成膜室10内の圧力を大きくする製造方法を採用するものである。
【0049】
本実施形態の薄膜製造装置は、圧力可変手段65として、AlCl3ガス(原料ガス)の供給と停止とを行う第4供給バルブ(原料ガス用バルブ手段)234の下流側の圧力を検知する圧力計(圧力検知手段)60と、この圧力計60によって検知される圧力に基づいて成膜室10へ原料ガスの反応に関与しないガスを導入するガス導入手段61〜63とを備えている。
【0050】
第4供給バルブ234と成膜室10との間のガス供給通路10には、ガス導入用配管61の一端が合流して接続されており、このガス導入用配管61には、合流点側から順に、上記圧力計60、導入バルブ62、流量制御器63が設けられており、ガス導入用配管61の他端側は、原料ガスの反応に関与しないガス(HeやNe等の不活性ガス等)が収納されたタンクやボンベ等につながっている。本例では、原料ガスの反応に関与しないガスとして、キャリアガス及びパージガスと同じN2ガスを用いている。
【0051】
そして、原料ガスの供給時には、導入バルブ62を開け、第4供給バルブ234の下流側にてAlCl3が凝集しない圧力になるように圧力計60の数値を読み取りながら、N2ガスの流量を流量制御器63により適正値に設定する。この流量値の設定は、図示しない制御回路によって圧力計60の計測値をフィードバックしながら流量制御器63を連動させて可変的に制御しても良いし、予め適正な流量を決めておいて一定にしておいても良い。
【0052】
これによって、原料ガスの供給時には、ガス導入用配管61から導入されたN2ガスによって、成膜室10内を含む第4供給バルブ234の下流側の圧力を高めることができる。そのため、原料ガスの供給を行うときは、成膜室10内の圧力をパージガスの供給を行うときよりも大きく、パージガスの供給を行うときは、成膜室10内の圧力を原料ガスの供給を行うときよりも小さくすることができる。
【0053】
このように、本実施形態においても、上記第1実施形態と同様の効果を有する薄膜製造方法及び薄膜製造装置を提供することができる。特に、本実施形態によれば、原料ガスの反応に関与しないガスであるN2ガスの流量を、流量制御器63によって細かく調整することができ、なおかつ、圧力計60に基づいて第4供給バルブ234下流近傍の圧力を直接把握できることにより、高精度に圧力を設定できる。
【0054】
なお、原料ガスの反応に関与しないガスであるN2ガスの導入は、原料ガスの供給時のみでなく、パージガスの供給時にも行って良い。パージガスの供給時にも行うことにより、パージが促進される。このN2ガスの導入は、図示しない制御回路等にて作動制御される導入バルブ62の開閉により、自由に行うことができる。
【0055】
(他の実施形態)
なお、上記各実施形態では、AlCl3を用いてAl2O3(アルミナ)薄膜を成膜する場合について主として述べたが、これに限定されるものでは勿論ない。例えば、ZnCl2、TaCl5等の塩化物、あるいは固体有機金属などの凝集しやすいガスを用いて、これらの酸化膜等を成膜する場合であっても、本発明は適用できることは勿論である。さらには、液体材料を蒸発させて原料ガスとして用いる場合にも、上記凝集の問題が起こりうるので、本発明は適用可能である。
【0056】
要するに、本発明は、薄膜が成膜される成膜室に対して原料ガスの供給と該原料ガスを前記成膜室から排気するためのパージガスの供給とを交互に繰り返して行う薄膜製造方法及び薄膜製造装置に適用することができる。
【0057】
また、上記実施形態では、成膜室を排気しながら原料ガスの供給を行っているが、成膜室全体にガスが行き渡るように、原料ガスを供給するときに成膜室の排気を一時的に停止しても良い。この場合でも、パージ中の減圧排気により成膜室内は低圧となっているため、原料ガスの供給バルブを開けたときには、圧力差による凝集の問題が起こりうる。そのような場合でも、本発明のように、原料ガス供給時にパージガス供給時よりも成膜室内の圧力を大きくするという製造方法及び製造装置を用いれば、問題はない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係る薄膜製造装置の模式的構成図である。
【図2】本発明の第2実施形態に係る薄膜製造装置の模式的構成図である。
【図3】本発明の第3実施形態に係る薄膜製造装置の模式的構成図である。
【符号の説明】
10…成膜室、30…第1排気通路、31…第1のポンプ、
35、55…排気能力可変手段、40…第2排気通路、41…第2のポンプ、
50…排気通路、52…可変バルブ、60…圧力計、61…ガス導入用配管、
62…導入バルブ、63…流量制御器、65…圧力可変手段、
234…第4供給バルブ(原料ガス用バルブ手段)。
Claims (8)
- 薄膜が成膜される成膜室(10)に対して原料ガスの供給と該原料ガスを前記成膜室から排気するためのパージガスの供給とを交互に繰り返して行う薄膜製造方法において、
前記原料ガスの供給を行うときは、前記成膜室内の圧力を前記パージガスの供給を行うときよりも大きく、前記パージガスの供給を行うときは、前記成膜室内の圧力を前記原料ガスの供給を行うときよりも小さくすることを特徴とする薄膜製造方法。 - 前記原料ガスの供給を行うときは、前記パージガスの供給を行うときに比べて、前記成膜室(10)の排気能力を小さくすることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記原料ガスの供給を行うときは、同時に前記成膜室(10)へ前記原料ガスの反応に関与しないガスを導入することにより、前記パージガスの供給を行うときよりも前記成膜室内の圧力を大きくすることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記成膜室(10)を排気しながら、前記原料ガスの供給と前記パージガスの供給とを交互に繰り返して行うことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の薄膜製造方法。
- 薄膜が成膜される成膜室(10)に対して原料ガスの供給と該原料ガスを前記成膜室から排気するためのパージガスの供給とを交互に繰り返して行うようにした薄膜製造装置において、
前記原料ガスの供給を行うときは、前記成膜室内の圧力を前記パージガスの供給を行うときよりも大きく、前記パージガスの供給を行うときは、前記成膜室内の圧力を前記原料ガスの供給を行うときよりも小さくなるように、前記成膜室内の圧力を可変とする圧力可変手段(35、55、65)を備え、
前記原料ガスの供給と停止とを行う原料ガス用バルブ手段(234)を備え、
前記圧力可変手段(65)は、前記原料ガス用バルブ手段の下流側の圧力を検知する圧力検知手段(60)と、この圧力検知手段によって検知される圧力に基づいて前記成膜室(10)へ前記原料ガスの反応に関与しないガスを導入するガス導入手段(61〜63)とを備えたものであることを特徴とする薄膜製造装置。 - 前記圧力可変手段は、前記成膜室(10)を排気するときの排気能力を可変とする排気能力可変手段(35、55)を備えたものであることを特徴とする請求項5に記載の薄膜製造装置。
- 前記排気能力可変手段(35)は、前記成膜室(10)に対して別々に設けられた排気用の2個の排気通路(30、40)と、個々の前記排気通路に設けられた互いに排気能力の異なるポンプ手段(31、41)とを備えたものであることを特徴とする請求項6に記載の薄膜製造装置。
- 前記排気能力可変手段(55)は、前記成膜室(10)に対して設けられた排気用の排気通路(50)と、この排気通路に設けられ前記排気通路の通路面積を可変とする可変バルブ手段(52)とを備えたものであることを特徴とする請求項6に記載の薄膜製造装置。
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