JP4057517B2 - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は有機電界発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｅｖｉｃｅ）に係り、特にデュアルパネルタイプ有機電界発光素子に関する。

最新の平板ディスプレー（ＦＰＤ；Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）のうち一つである有機電界発光素子は、自発光型であるために、液晶表示装置に比べて視野角、コントラストなどが優秀で、バックライトが要らないために、軽量薄形化が可能であって、低消費電力化においても有利である。そして、直流低電圧駆動が可能であって応答速度が速くて全部固体であるために外部衝撃に強くて使用温度範囲も広くて特に製造費用が低廉であるという長所を有している。

特に、前記有機電界発光素子の製造工程に必要となるのは、液晶表示装置やＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）と違って、蒸着（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）及びカプセル化（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）装備だけなので、工程が非常に単純である。
従来ではこのような有機電界発光素子の駆動方式として別途のスイッチング素子を備えないパッシブマトリックス型（ｐａｓｓｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）が主に利用されて来た。

しかし、前記パッシブマトリックス方式では走査線と信号線が交差しながらマトリックス形態で素子を構成するので、それぞれのピクセルを駆動するために走査線を順次駆動するので、要求される平均輝度を示すためには平均輝度にライン数を乗した瞬間輝度を出さなければならない。

しかし、アクティブマトリックス方式では、ピクセル（ｐｉｘｅｌ）をオン／オフ（ｏｎ／ｏｆｆ）するスイッチング素子である薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）がサブピクセル（ｓｕｂ ｐｉｘｅｌ）毎に配置して、この薄膜トランジスタと連結した第１電極はサブピクセル単位でオン／オフされて、この第１電極と対向する第２電極は共通電極になる。
そして、前記アクティブマトリックス方式ではピクセルに印加された電圧がストレージキャパシター（Ｃ_ＳＴ）に充電されていて、その次のフレーム（ｆｒａｍｅ）信号が印加される時まで電源を印加させることによって、走査線数に関係なく一画面期間引続き駆動する。
したがって、アクティブマトリックス方式によれば低い電流を印加しても同一な輝度を示すので低消費電力、高精細、大型化を可能とする長所を有する。

以下、このようなアクティブマトリックス型有機電界発光素子の基本的な構造及び動作特性に対して図面を参照しながら詳細に説明する。

図１は、一般的なアクティブマトリックス型有機電界発光素子の基本ピクセル構造を示した図面である。
図示したように、第１方向に走査線２が形成されていて、この第１方向と交差する第２方向に形成され、相互に一定間隔で離間された信号線４及び電力供給ライン（ｐｏｗｅｒ ｓｕｐｐｌｙ ｌｉｎｅ）６が形成されていて、一つのサブピクセル領域を定義する。

前記走査線２と信号線４の交差地点にはアドレッシングエレメント（ａｄｄｒｅｓｓｉｎｇ ｅｌｅｍｅｎｔ）であるスイッチング薄膜トランジスタ（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ＴＦＴ）８が形成されていて、このスイッチング薄膜トランジスタ８及び電力供給ライン６と連結してストレージキャパシター１２が形成されており、このストレージキャパシター１２及び電力供給ライン６と連結して、電流源エレメント（ｃｕｒｒｅｎｔ ｓｏｕｒｃｅ ｅｌｅｍｅｎｔ）である駆動薄膜トランジスタ１０が形成されていて、この駆動薄膜トランジスタ１０と連結して有機電界発光ダイオード１４が構成されている。

この有機電界発光ダイオード１４は、有機発光物質に順方向に電流を供給すれば、正孔注入層である陽極（ａｎｏｄｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）と電子注入層である陰極（ｃａｔｈｏｄｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）間のＰ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）−Ｎ（ｎｅｇａｔｉｖｅ）接合（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）部分で電子と正孔が再結合して、前記電子と正孔が離れている時より小さいエネルギーを有するようになるので、この時発生するエネルギー差によって光を放出する原理を利用するものである。
前記有機電界発光素子は、有機電界発光ダイオード１４を通じて発光された光の透過方向によって上部発光方式（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）と下部発光方式（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）に分けられる。

以下、図２は従来の下部発光方式有機電界発光素子に対する概略的な断面図であって、赤、緑、青サブピクセルＳＰで構成される一つのピクセル領域Ｐを中心に図示した。
図示したように、第１基板１０、第２基板３０が相互に対向するように配置されていて、第１基板１０、第２基板３０の縁部はシールパターン（ｓｅａｌ ｐａｔｔｅｒｎ）４０により封止されている構造において、第１基板１０の透明基板１上部にはサブピクセルＳＰ別に薄膜トランジスタＴが形成されていて、薄膜トランジスタＴと連結して第１電極１２が形成されていて、薄膜トランジスタＴ及び第１電極１２上部には薄膜トランジスタＴと連結して第１電極１２と対応するように配置される赤（Ｒｅｄ）、緑（Ｇｒｅｅｎ）、青（Ｂｌｕｅ）カラーを帯びる発光物質を含む有機電界発光層１４が形成されていて、有機電界発光層１４上部には第２電極１６が形成されている。

前記第１電極１２、第２電極１６は有機電界発光層１４に電界を印加する役割を有する。
そして、前述したシールパターン４０によって第２電極１６と第２基板３０間は一定間隔で離間されており、図示しなかったが、第２基板３０の内部面には 外部からの水分を遮断する吸湿剤及び吸湿剤と第２基板３０間の接着のための半透性テープが付着してある。
一例として、下部発光方式構造で前記第１電極１２を陽極とし、第２電極１６を陰極として構成する場合、第１電極１２は透明導電性物質から選択されて、第２電極１６は仕事関数が低い金属物質から選択され、こういう条件下で前記有機電界発光層１４は第１電極１２と接する層から正孔注入層（１４ａ；ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（１４ｂ；ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、発光層（１４ｃ；ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（１４ｄ；ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）のじゅんに積層された構造を形成する。
この時、前記発光層１４ｃは、サブピクセルＳＰ毎に赤、緑、青カラーをの光を発生する発光物質が順序通り配置された構造を有する。

図３は、前記図２下部発光方式有機電界発光素子の一つのサブピクセル領域に対する拡大断面図である。
図示したように、透明基板１上には半導体層６２、ゲート電極６８、ソース電極８０及びドレイン電極８２が順序通り形成されて薄膜トランジスタ領域を形成して、ソース電極８０及びドレイン電極８２には図示しなかった電源供給ラインで形成されたパワー電極７２及び有機電界発光ダイオードＥが各々連結されている。
そして、前記パワー電極７２と対応する下部には絶縁体が介在した状態で前記半導体層６２と同一物質で構成されたキャパシター電極６４を配置して、これらが対応する領域はストレージキャパシター領域を形成する。

前記有機電界発光ダイオードＥ以外の薄膜トランジスタ領域及びストレージキャパシター領域に形成された素子はアレイ素子Ａを形成する。
前記有機電界発光ダイオードＥは、有機電界発光層１４が介在した状態で相互に対向した第１電極１２及び第２電極１６で構成される。前記有機電界発光ダイオードＥは自体発光された光を外部に放出させる発光領域に配置する。
このように、既存の有機電界発光素子は、アレイ素子Ａと有機電界発光ダイオードＥが同一基板上に積層された構造で形成されることを特徴とした。

図４は、従来の有機電界発光素子の製造工程に対する工程フローチャートである。
ｓｔ１は、第１基板上にアレイ素子を形成する段階であって、前記第１基板は透明基板を指して称することであって、第１基板上に走査線と、走査線と交差して相互に一定間隔離隔される信号線及び電力供給線と、走査線及び信号線と交差する地点に形成されるスイッチング薄膜トランジスタ及び走査線及び電力供給線が交差する地点に形成される駆動薄膜トランジスタを含むアレイ素子を形成する段階を含む。

ｓｔ２は、有機電界発光ダイオードの第１構成要素である第１電極を形成する段階であって、第１電極は駆動薄膜トランジスタと連結されてサブピクセル毎にパターン化される。

ｓｔ３は、前記第１電極上部に有機電界発光ダイオードの第２構成要素である有機電界発光層を形成する段階であって、前記第１電極を陽極で構成する場合に、前記有機電界発光層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順で積層構成できる。

ｓｔ４では、前記有機電界発光層上部に有機電界発光ダイオードの第３構成要素である第２電極を形成する段階であって、前記第２電極は共通電極として基板全面に形成される。

ｓｔ５では、また他の一つの基板である第２基板を利用して第１基板をカプセル化する段階であって、この段階では第１基板の外部衝撃から保護して、外気流入による有機電界発光層の損傷を防止するために第１基板の外廓を第２基板でカプセル化する段階であって、前記第２基板の内部面には吸湿剤が含まれることができる。

このように、既存の下部発光方式有機電界発光素子は、アレイ素子及び有機電界発光ダイオードが形成された基板と別途のカプセル化用基板の貼合を通じて素子を製作した。こういう場合、アレイ素子の収率と有機電界発光ダイオードの収率の積が有機電界発光素子の収率を決定するために、既存の有機電界発光素子構造では後半工程に該当する有機電界発光ダイオード工程により歩留まりが大きく制限される問題点があった。例えば、アレイ素子が良好に形成されたとしても、１０００Å程度の薄膜を用いる有機電界発光層の形成時異物やその他の要素により不良が発生するようになれば、有機電界発光素子は不良等級と判定される。

これによって、良品のアレイ素子を製造することに必要とした諸般経費及び材料費損失が生じて、生産収率が低下する問題点があった。
そして、下部発光方式はカプセル化による安定性及び工程の自由度が高い反面開口率の制限があって高解像度製品に適用するのは難しい問題点があって、上部発光方式は薄膜トランジスタ設計が容易で開口率向上が可能であるために製品寿命側面で有利であるが、既存の上部発光方式構造では有機電界発光層上部に通常的に陰極を配置することによって材料選択幅が狭いために透過度が制限されて光効率が低下する点と、光透過度の低下を最少化するために薄膜型保護膜を構成しなければならない場合、外気を十分に遮断できない問題点があった。

本発明は前記問題点を解決するために案出されたものであって、本発明においては生産収率が向上した高解像度／高開口率構造のアクティブマトリックス型有機電界発光素子を提供することを第１目的にする。
これのために、本発明においてはアレイ素子及び有機電界発光ダイオード素子を相異なった基板上に形成して、電気的連結電極を通じてアレイ素子と有機電界発光ダイオード素子を連結するデュアルパネルタイプ（ｄｕａｌ ｐａｎｅｌ ｔｙｐｅ）の有機電界発光素子を提供する。

本発明の第２目的は、画面を具現する最小単位であるサブピクセル単位で有機電界発光ダイオード素子用第１電極、第２電極のうちいずれか一つの電極を別途のパターニング工程なしに自動分離させるための隔壁（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｓｅｐａｒａｔｏｒ）パターンを利用するアクティブマトリックス型有機電界発光素子において、前記隔壁のパターン構造の変更を通じて前述した連結電極と第２電極の連結を容易にする。

前記目的を達成するために、サブピクセル領域が形成された第１基板、第２基板と；
前記第１基板内部面にサブピクセル毎に形成された複数個の薄膜トランジスタを含むアレイ素子層と；
前記アレイ素子層上部で薄膜トランジスタと連結した連結電極と；
前記第２基板の内部面に形成された第１電極と；
前記第１電極下部のサブピクセル領域間境界部に順次形成された絶縁層及び隔壁と；
（前記隔壁を境界部にして、）サブピクセル単位で形成された有機電界発光層及び第２電極を含み、（前記有機電界発光層から発光された光は第１電極側に発光されて、）前記隔壁は前記有機電界発光層及び第２電極をサブピクセル単位で自動分離させるパターン構造を有する第１領域と、前記第２電極と連結電極を前記隔壁形成部で連結させるためのパターン構造を有する第２領域と、前記第１領域、第２領域間隣接する第２電極間短絡（ｓｈｏｒｔ）を防止するためのパターン構造を有する第３領域を有し、
前記第１の領域の前記パターン構造において、前記第１領域の隔壁は、前記第２基板から近い方向から前記第２基板から遠くの方向へ行けば行くほどその幅がますます増加する逆テーパーを有する台形形態を有し、前記第２の領域の前記パターン構造において、前記第２領域の隔壁はサブピクセル領域側の第１側面が傾斜し、サブピクセル領域側の前記第１側面に対向する第２側面が前記サブピクセル領域側の第１側面と同一な方向に傾斜した非対称的形態を有し、前記第３の領域の前記パターン構造において、第３領域の隔壁は複数個の凹部を有し、
前記隔壁の第２領域と対応する位置に形成された第２電極は前記連結電極と接触されることを特徴とするデュアルパネルタイプ有機電界発光素子を提供する。

前記隔壁は、第１領域で逆テーパー構造を有するパターンと、第２領域で一側は傾斜して、また他の一側は逆テーパーを有する非対称的構造のパターンと、第３領域で相互に一定間隔で離間された複数個の凹部を有するパターンで構成されたことを特徴とし、前記第２領域、第３領域に該当する隔壁パターンは回折露光法により構成されることを特徴とする。

前記第１電極、第２電極及び有機電界発光層は、有機電界発光ダイオード素子を形成し、前記薄膜トランジスタはゲート電極、半導体層、ソース電極、ドレイン電極で構成されて前記有機電界発光ダイオード素子に電流を供給する駆動薄膜トランジスタに該当して、前記連結電極は前記ドレイン電極と連結されて、前記第１基板には、前記薄膜トランジスタの形成高さより高い高さを有する導出部をさらに含み、前記導出部で前記連結電極と第２電極が接触されることを特徴として、前記導出部には、前記ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極と各々同一工程において同一物質で構成されて、アイランドパターン（ｉｓｌａｎｄ ｐａｔｔｅｒｎ）で構成された第１ないし第３パターンが重なって形成され、前記ソース電極と連結して電力供給ラインがさらに形成され、前記電力供給ラインと同一工程において同一物質で構成され、前記第１ないし第３パターンと重なるように配置する前記導出部の一部である第４パターンをさらに含むことを特徴とする。

前記薄膜トランジスタを覆う領域には、前記ドレイン電極を一部露出させるドレインコンタクトホールを有する保護層が形成されて、前記保護層上部には前記導出部に配置する柱状の導出部パターンが形成され、前記導出部パターン及び保護層を覆う領域には前記ドレインコンタクトホールを通じてドレイン電極と連結する連結電極が形成されて、前記導出部パターンを形成する物質は絶縁物質から選択され、前記絶縁物質は有機絶縁物質であることを特徴とする。

本発明の第２の特徴では、薄膜トランジスタを含むアレイ素子層が形成された第１基板と、有機電界発光ダイオード素子が形成された第２基板と、前記第１基板及び第２基板間の連結電極を含む有機電界発光素子において、
複数個のサブピクセル領域が形成された第２基板上に第１電極を形成する段階と；
前記複数個のサブピクセル領域それぞれの境界部に絶縁層及び隔壁を形成する段階と；
前記複数個のサブピクセル領域に、前記隔壁によって分離される有機電界発光層及び第２電極を形成する段階とを含み、前記隔壁は、前記第２基板に近い方向から遠くの方向へ向かって逆テーパーを有する台形形態である第１領域と、サブピクセル領域側の第１側面は傾斜して、前記第１側面に対向するサブピクセル領域側の第２側面は前記サブピクセル領域側の第１側面と同一な方向に傾斜した非対称的形態を有する第２領域と、前記第１領域及び第２領域間に配置して相互に一定間隔離隔された複数個の凹部を有する第３領域を含み、前記凹部はその両側部が第２基板に近い方向から遠くの方向に向かって順テーパーを有する台形形態であり、前記第２領域と対応する位置に形成された前記第２電極は前記連結電極と接触し、
前記第２領域の隔壁は、回折露光法に用いられるマスクのオープン部間の間隔とオープン部の幅を調節して形成され、
前記第３領域の隔壁は、前記凹部に対応するスリットパターンを有するマスクを利用した回折露光法により形成される
ことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法を提供する。

本発明の第３の特徴では、複数個の薄膜トランジスタを含むアレイ素子層を複数個のサブピクセル領域が形成される第１基板上に形成する段階と；
前記アレイ素子層上部に前記複数個の薄膜トランジスタ各々に連結する連結電極を形成する段階と；
複数個のサブピクセル領域が形成された第２基板上に第１電極を形成する段階と；
前記複数個のサブピクセル領域それぞれの境界部に絶縁層及び隔壁を形成する段階と；
前記複数個のサブピクセル領域に、前記隔壁によって分離される有機電界発光層及び第２電極を形成する段階と；
前記第１基板及び第２基板を合着する段階とを含み、前記隔壁は、前記第２基板から近い方向から前記第２基板から遠くの方向へ行けば行くほどその幅がますます増加する逆テーパーを有する台形形態を有する第１領域と、サブピクセル領域側の第１側面が傾斜し、サブピクセル領域側の前記第１側面に対向する第２側面が前記サブピクセル領域側の第１側面と同一な方向に傾斜した非対称的形態を有する第２領域と、前記第１領域及び第２領域間に配置して相互に一定間隔離隔され、前記第２電極間の短絡を防止する複数個の凹部を有する第３領域を含んで、前記第２領域と対応する位置に形成された前記第２電極は前記連結電極と接触し、
前記第２領域の隔壁は、回折露光法に用いられるマスクのオープン部間の間隔とオープン部の幅を調節して形成され、
前記第３領域の隔壁は、前記凹部に対応するスリットパターンを有するマスクを利用した回折露光法により形成される
ことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法を提供する。

上記したように、前記隔壁を形成する段階では、光の強さを選択的に調節する回折露光法によりパターニングされることを特徴として、前記第２領域に形成された傾斜した隔壁パターンは、前記回折露光工程に利用されるマスクのオープン部の幅及びオープン部間間隔調節を通じて形成され、前記第３領域に形成された隔壁パターンは、前記凹部と対応する位置でスリットパターンを有するマスクを利用した回折露光工程により構成され、前記薄膜トランジスタを形成する工程では、ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極、電力供給ラインを形成する工程を順次行い、前記薄膜トランジスタ形成部より高い高さを有し、前記連結電極と第２電極の接触部に導出部を構成する段階をさらに含んで、前記導出部を形成する段階は、前記ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極、電力供給ラインと同一工程において同一物質で構成され、アイランドパターンを形成して、相互に重なる領域に配置する第１ないし第４パターンを順次形成する段階であることを特徴とする。

そして、前記導出部を形成する段階は、前記薄膜トランジスタを覆う領域において、前記ドレイン電極を一部露出させるドレインコンタクトホールを有する保護層を形成する段階の次に、前記導出部領域に柱状の導出部パターンを形成する段階を含んで、前記導出部パターンを形成する物質は有機絶縁物質から選択され、前記有機電界発光層及び第２電極をサブピクセル領域別に形成する段階の次には、前記第１基板、第２基板を合着する段階をさらに含み、前記第１基板、第２基板を合着する段階では、前記導出部で第１基板、第２基板を電気的に連結する段階を含むことを特徴とする。

以下、本発明による望ましい実施例を図面を参照しながら詳細に説明する。
本発明によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子は、アクティブマトリックス型で駆動されて、有機電界発光層を通じて発光された光を上部電極である第１電極側に発光させる上部発光方式で画面を具現することを特徴とする。

−−第１実施例−−
図５は、本発明の第１実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子に対する断面図であって、説明の便宜上アレイ素子に対しては駆動薄膜トランジスタを中心に図示しており、その他ストレージキャパシタンス及びスイッチング薄膜トランジスタは前記図１の画素構造を適用できる。

図示したように、画面を構成する最小単位であるサブピクセル（ｓｕｂ−ｐｉｘｅｌ；ＳＰ）単位で第１基板１１０、第２基板１５０が相互に一定間隔で離間されて対向するように配置されていて、第１基板１１０の内部面にはサブピクセルＳＰ単位で形成された薄膜トランジスタＴを含むアレイ素子層１４０が形成されており、アレイ素子層１４０上部には薄膜トランジスタＴと連結した連結電極１３２が形成されている。
そして、前記第２基板１５０の内側面には第１電極１５２が形成されていて、第１電極１５２下側面にはサブピクセルＳＰ領域別境界部に絶縁膜１５４及び隔壁１５６が順序通り形成されていて、隔壁１５６により別途のパターニング工程なしに隔壁１５６内部領域に有機電界発光層１５８及び第２電極１６０がサブピクセルＳＰ単位で順序通り形成されている。

前記第１電極１５２、第２電極１６０及び有機電界発光層１５８は有機電界発光ダイオード素子Ｅを形成する。
図面に提示しなかったが、前記隔壁１５６は平面的にサブピクセルＳＰ領域別に境界部を囲む枠（ｆｒａｍｅ）構造を形成し、特に第２電極１６０をサブピクセルＳＰ単位で分離させる第１領域及び前述した連結電極１３２と第２電極１６０間の連結を隔壁１５６形成部で実施させる第２領域そして、第２領域と第１領域間に配置し、隣接するサブピクセルＳＰ単位第２電極１６０間に短絡されることを防止するための第３領域を有することを特徴とする。
すなわち、前記図面上の隔壁１５６パターンは、前述した第２領域に該当され、前記連結電極１３２は隔壁１５６を覆う領域に形成された第２電極１６０の下部面と接触されることを特徴とする。

そして、前記第１基板１１０、第２基板１５０の縁部は、シールパターン１７０で封止されるが、この時前記第１基板１１０、第２基板１５０の内部領域は水分及び大気中に露出しないように不活性気体や液体が詰められた状態で合着されて封止される。

前記アレイ素子層１４０の積層構造に対してさらに詳細に説明すると、第１基板１１０前面にバッファー層１１２が形成されていて、バッファー層１１２上部にはサブピクセルＳＰ単位で活性領域Ｉ及び活性領域Ｉの両側に配置するソース領域ＩＩ及びドレイン領域ＩＩＩが形成された半導体層１１４が形成されていて、半導体層１１４の活性領域Ｉ上にはゲート絶縁膜１１６及びゲート電極１１８が順序通り形成されていて、ゲート電極１１８を覆う基板全面には、前述した半導体層１１４のソース領域ＩＩ及びドレイン領域ＩＩＩを一部露出させる第１コンタクトホール１２０、第２コンタクトホール１２２を有する第１保護層１２４が形成されていて、第１保護層１２４上部には第１コンタクトホール１２０、第２コンタクトホール１２２を通じて半導体層１１４のソース領域ＩＩ及びドレイン領域ＩＩＩと連結してソース電極１２６及びドレイン電極１２８が各々形成されていて、ソース電極１２６及びドレイン電極１２８を覆う基板全面には、ドレイン電極１２８を一部露出させる第３コンタクトホール１３０を有する第２保護層１３１が形成されていて、第２保護層１３１上部には第３コンタクトホール１３０を通じてドレイン電極１２８と連結して連結電極１３２が形成されている。そして、前記連結電極１３２は、前述した隔壁１５６を覆う領域に形成された第２電極１６０の下部面と接触されて、前記ドレイン電極１２８から提供される電流を第２電極１６０に伝達する役割を有することを特徴とする。
前記半導体層１１４、ゲート電極１１８、ソース電極１２６、ドレイン電極１２８は駆動薄膜トランジスタＴを形成する。

図面で詳細に提示しなかったが、前記駆動薄膜トランジスタＴと連結して画素駆動用ストレージキャパシターが形成されて、前記駆動薄膜トランジスタＴのゲート電極１１８は図示しなかったスイッチング薄膜トランジスタのドレイン電極と連結する。

−−第２実施例−−
図６は、本発明の第２実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子において、赤、緑、青（Ｒ、Ｇ、Ｂ）サブピクセルで構成された一つのピクセルＰ領域に対する隔壁構造を示した図面である。
図示したように、赤、緑、青サブピクセルＳＰの境界部を囲む位置に隔壁２１０が形成されていて、隔壁２１０内領域には隔壁２１０によりサブピクセルＳＰ単位で自動分離された第２電極２１２がサブピクセルＳＰ単位で各々形成されている。

さらに詳細に説明すると、前記隔壁２１０は第２電極２１２をサブピクセルＳＰ単位で分離させるためのパターンが形成された第１領域ＩＶと、第２電極２１２と図示しなかった連結電極を接触させることにおいて、連結電極を隔壁２１０形成部で第２電極２１２と接触させるためのパターンが形成された第２領域Ｖと、第１領域ＩＶ、第２領域Ｖ間区間に配置し、相互に隣接する第２電極２１２間に短絡されることを防止するためのパターンが形成された第３領域ＶＩで構成される。
前記隔壁２１０の第１ないし第３領域ＩＶ、Ｖ、ＶＩに形成されたパターンは相互に一体型で構成され、領域別に前述した役割に合うようにパターン構造を異にすることを特徴とする。

以下、本発明によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子用有機電界発光ダイオード素子に対する製造工程を通じて、前記隔壁のパターン構造を詳細に説明する。
図７Ａないし図７Ｃは、前記図６の切断線Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃに沿って各々切断された断面に対する断面図であって、切断線Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃに沿って切断された領域は各々じゅんに前記図６の第１ないし第３領域に該当する。

図示したように、サブピクセルＳＰ領域が定義された基板２５０上部面を覆う領域に第１電極２５２が形成されていて、第１電極２５２上部のサブピクセル境界部に絶縁膜２５４及び隔壁２５６が形成されていて、隔壁２５６によりサブピクセルＳＰ別に自動的に分離されて有機電界発光層２５８及び第２電極２６０が形成されている構造において、図７Ａは隔壁２５６の第１領域ＩＶに形成されたパターン構造を示したものであって、この領域に形成された隔壁２５６パターンは逆テーパーを有する上広下狭構造の台形形状を有することを特徴とする。

前記隔壁２５６両側サブピクセルＳＰ領域には有機電界発光層２５８及び第２電極２６０が順序通り形成されている。
前記有機電界発光層２５８及び第２電極２６０は、隔壁２５６が形成された基板上に有機電界発光物質２５７及び第２電極物質２５９を順序通り形成した次に、隔壁２５６が形成する逆テーパー構造により自動的にサブピクセルＳＰ単位で分離される方法により有機電界発光層及び第２電極２６０を形成し、これにより隔壁２５６の上部面には有機電界発光物質２５７及び第２電極物質２５９がそのまま残存する。
そして、前記隔壁２５６上部面には有機電界発光物質２５７及び第２電極物質２５９が順序通り残存するが、隔壁２５６が有する高さ感により有機電界発光層２５８及び第２電極２６０との短絡が防止される。

図７Ｂでは、前述した第２電極２６０と図示しなかった連結電極を非発光領域に該当する隔壁２５６形成部で接触させるための目的として、基板２５０と直交する方向に隔壁２５６の両側が非対称的な構造を有することを特徴とする。
さらに詳細に説明すれば、前記隔壁２５６の一側は、前記図７Ａと同じ逆テーパー構造を有して、また他の一側は傾斜した構造を有して傾斜した側面としてサブピクセル領域に形成される第２電極２６０が前述した領域にまで一体型で配置して、前記隔壁２５６上部に配置する第２電極２６０形成部は図示しなかった連結電極と接触されることを特徴とする。
このような本発明の隔壁構造により、別途のスペーサー形態の連結パターンがなくても第２電極と連結電極を容易に接触させることができて、第２電極と連結電極を非発光領域で接触させることによって発光領域で発生し得る不良を減らすことができる。

図７Ｃは、第３領域ＶＩを主領域にして、第３領域ＶＩと隣接する第２領域Ｖの一部領域を示した断面図であって、図示したように隔壁２５６パターンは相互に一定間隔離隔されるように配置された複数個の凹部２６２を有して、第３領域ＶＩにおける隔壁２５６パターン上部面及び凹部２６２領域には有機電界発光物質２５７及び第２電極物質２５９が順序通り積層されている。そして、前記第２領域Ｖに配置する隔壁２５６上部に順序通り積層された有機電界発光物質及び第２電極物質は前記図７Ｂで前述したように有機電界発光層２５８及び第２電極２６０として各々利用される。
前記隔壁２５６の凹部２６２の厚さは、下部層を形成する絶縁膜２５４を露出させない範囲で一定厚さを有するように形成され、このような凹部２６２パターンは相異なった厚さにパターニングすることができる回折露光（ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ ｅｘｐｏｓｕｒｅ）を含んだ写真エッチング工程によりパターニングできる。

−−第３実施例−−
図８は、本発明の第３実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子用有機電界発光ダイオード素子の製造工程を段階別に示した工程フローチャートである。
ＳＴ１では、サブピクセル領域が定義された基板上に第１電極を形成する段階である。
前記第１電極を形成する物質は、透明導電性物質から選択され、一例でＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）を挙げることができる。
ＳＴ２では、前記第１電極上部のサブピクセル領域間境界部を囲む位置に絶縁膜及び隔壁を形成する段階である。

前記絶縁膜は、第１電極と隔壁間の接触特性を向上させるためのパターンであって、前記絶縁膜を形成する物質はシリコン絶縁物質から選択されることが望ましく、さらに望ましくはシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）のうちいずれか一つの物質にするものである。
前記隔壁は、有機電界発光層及び第２電極をサブピクセル単位で別途のパターニング工程なしに自動分離するために逆テーパー構造を有するパターンで形成された第１領域と、前記第２電極と連結電極を前記隔壁形成部で接触させるために非対称的な構造を有するパターンで形成された第２領域と、前記第１領域、第２領域間区間で隣接する第２電極間の短絡を防止するための目的で相互に一定間隔離隔された複数個の凹部を有するパターンで形成された第３領域で構成されたことを特徴とする。

一例として、前記隔壁はフォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）を利用して、露光（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）、現像（ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ）工程を含む写真エッチング工程によりパターニングすることができる。
前記隔壁は、基本的に一定厚さ値を有し、上部面の一部に選択的に凹部を形成するために、前記写真エッチング工程のうち露光工程で光の回折現象により所望の部位だけ選択的に露光させる回折露光法を利用することが望ましい。

さらに詳細に説明すると、前記隔壁が露光された部分が除去されるポジティブタイプフォトレジストで構成される場合、前記凹部と対応した位置に光の強さを弱化させることができるスリットパターンを有するマスクを配置した次に露光工程を進行すれば、前述した厚さ差を有する第３領域上の隔壁パターンを形成することができる。
そして、前記隔壁の第２領域に該当する非対称構造パターンは、一側は逆テーパー構造で形成されて、隣接する第２電極と分離されるようにして、また他の一側は傾斜した側面で構成されて該第２電極がサブピクセル領域から隔壁上部面へ一体型に延長形成されて、隔壁上部面に形成された第２電極が連結電極と接触されることを特徴とする。

前記隔壁の傾斜した側面構造は、前述した露光工程に利用されるマスクのパターンに形成されるオープン部の幅及びオープン部間の間隔を調節することで可能である。
例えば、ポジティブタイプフォトレジストを利用して隔壁を形成する場合、前記傾斜した隔壁パターンは、隔壁の中心部から側面側へマスクのオープン部幅及びオープン部間間隔を狭める方法により形成することができる。

ＳＴ３では、前記隔壁が形成された基板に有機電界発光物質及び第２電極物質を順序通り形成して、前記隔壁により有機電界発光物質及び第２電極物質が自動分離されるようにし、この時隔壁の非対称的なパターン構造を有する第２領域上に形成された有機電界発光物質及び第２電極物質はサブピクセル領域と別途に分離されることなしに一体型で形成されて、前記領域で対向基板に形成される連結電極と接触されるようになる。
すなわち、前記第１領域、第３領域の隔壁上部面に配置する有機電界発光物質及び第２電極物質は有機電界発光層及び第２電極役割を遂行することができないが、前記第２領域の隔壁上部面に配置する有機電界発光物質及び第２電極物質はサブピクセル領域に配置する有機電界発光層及び第２電極として利用される。
前記第１電極が陽極であって、第２電極が陰極に該当する場合、有機電界発光層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順序通り積層された構造で形成されることができる。

−−第４実施例−−
図９は、本発明の第４実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子用有機電界発光ダイオード素子用アレイ基板に対する断面図であって、有機電界発光ダイオード基板の隔壁と連結する領域を中心に図示した。
図示したように、基板３１０上に第１金属物質で構成されたゲート電極３１２及び第１パターン３１４が相互に離隔されるように形成されていて、ゲート電極３１２及び第１パターン３１４を覆う領域にゲート絶縁膜３１６が形成されており、ゲート絶縁膜３１６上部には第１半導体物質、第２半導体物質で構成され、前記ゲート電極３１２を覆う領域に形成された半導体層３１８と、前記第１パターン３１４を覆う領域に第２パターン３２０が形成されている。

さらに詳細に説明すると、前記半導体層３１８は、アクティブ層３１８ａ及びオーミックコンタクト層３１８ｂが順序通り積層された構造で形成されて、前記第２パターン３２０は第２ａパターン３２０ａ及び第２ｂパターン３２０ｂで構成される。
一例として、前記アクティブ層３１８ａ及び第２ａパターン３２０ａを形成する第１半導体物質は非晶質シリコン物質から選択されて、オーミックコンタクト層３１８ｂ及び第２ｂパターン３２０ｂを形成する第２半導体物質は不純物非晶質シリコン物質から選択される。
そして、前記半導体層３１８上部において相互に離隔されるようにソース電極３２２及びドレイン電極３２４が形成されていて、ソース電極３２２及びドレイン電極３２４と同一工程において同一物質で構成され、前記第２パターン３２０と対応した位置に第３パターン３２６が形成されている。

前記ソース電極３２２及びドレイン電極３２４そして、第３パターン３２６を覆う領域に配置し、ソース電極３２２を一部露出させる第１コンタクトホール３２８を有する層間絶縁膜３３０が形成されていて、層間絶縁膜３３０上部で第１コンタクトホール３２８を通じてソース電極３２２と連結する電力供給ライン３３２が形成されていて、電力供給ライン３３２と同一工程において同一物質で構成され、層間絶縁膜３３０上部の第３パターン３２６を覆う領域に第４パターン３３６が形成されていて、電力供給ライン３３２及び第４パターン３３６を覆う領域において、層間絶縁膜３３０と共にドレイン電極３２４を一部露出させるドレインコンタクトホール３３８を有する保護層３４０が形成されていて、保護層３４０上部にはドレインコンタクトホール３３８を通じてドレイン電極３２４と連結する連結電極３４２が形成されている。

前記ゲート電極３１２、半導体層３１８、ソース電極３２２及びドレイン電極３２４は、薄膜トランジスタＴを形成して、図面で詳細に提示しなかったが、前記電力供給ライン３３２は前述した薄膜トランジスタＴに電力供給信号を提供するラインに該当する。
前記連結電極３４２は、第４パターン３３６を覆う領域を含んで形成されたことを特徴とする。
前記第１ないし第４パターン３１４、３２０、３２６、３３６そして、連結電極３４２が重なる領域は導出部ＶＩＩを形成する。
前記導出部ＶＩＩにおける第１高さＨ１は、薄膜トランジスタ領域ＴＲにおける第２高さＨ２より高いことを特徴とする。

本発明においては、各サブピクセル別境界部を囲む位置に形成される隔壁のパターン変更を通じて、隔壁の一部領域に配置する第２電極と連結電極を連結させる構造であることを特徴とするが、前記隔壁（前記図５の１５６）の厚さは一定なので、アレイ基板の連結電極との接触部の高さが複数の積層膜で構成される薄膜トランジスタ領域ＴＲの場合より低いために、隣接画素との電気的連結による不良が発生することができるので、このような短所を改善するために、本実施例では薄膜トランジスタ領域ＴＲを構成する積層膜の総厚さより高い高さを有する導出部ＶＩＩを構成することを特徴とする。

特に、前記第１ないし第４パターン３１４、３２０、３２６、３３６は各々電気的連結構造を有しないアイランドパターンで形成し、別途の工程の追加なしに前記ゲート電極３１２、半導体層３１８、ソース電極３２２及びドレイン電極３２４、電力供給ライン３３２の製造段階で形成することを特徴とする。
そして、前述した薄膜トランジスタＴは、有機電界発光ダイオード素子（前記図５のＥ）と連結する駆動薄膜トランジスタに該当され、本実施例のように逆スタッガード型薄膜トランジスタ以外にも他の構造の薄膜トランジスタの構造も適用することができる。

−−第５実施例−−
本実施例は、前記実施例４のように薄膜トランジスタの高さより対向基板の有機電界発光ダイオード素子と接触される電気的接触部での高さを高く形成するために導出部を形成することにおいて、別途の導出部パターンを利用して導出部の高さを薄膜トランジスタ部の高さより高くする実施例である。

図１０は、本発明の第５実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子用有機電界発光ダイオード素子用アレイ基板に対する断面図であって、有機電界発光ダイオード基板の隔壁と連結する領域を中心に図示し、前記図９と重複する部分に対する説明は簡略にする。

図示したように、基板４１０上にゲート電極４１２、半導体層４１８、ソース電極４２２及びドレイン電極４２４で構成された薄膜トランジスタＴが形成されていて、薄膜トランジスタＴを覆う位置でソース電極４２２を一部露出させる第１コンタクトホール４２８を有する層間絶縁膜４３０が形成されていて、層間絶縁膜４３０上部には第１コンタクトホール４２８を通じてソース電極４２２と連結する電力供給ライン４３２が形成されていて、電力供給ライン４３２を覆う領域において、前記層間絶縁膜４３０と共にドレイン電極４２４を一部露出させるドレインコンタクトホール４３８を有する保護層４４０が形成されていて、保護層４４０上部には薄膜トランジスタＴと離隔されるように柱状の導出部パターン４４２が形成されていて、導出部パターン４４２及び保護層４４０を覆う領域にはドレインコンタクトホール４３８を通じてドレイン電極４２４と連結する連結電極４４４が形成されている。

前記導出部パターン４４２と重なった領域は導出部ＶＩＩＩを形成し、導出部ＶＩＩＩにおける第１高さＨ１１は薄膜トランジスタ領域ＴＲにおける第２高さＨ２２より高いことを特徴とする。
前記導出部パターン４４２を形成する物質は絶縁物質から選択され、望ましくはコーティングを通じて厚さ感があるように形成するのが容易な有機物質から選択するものである。

−−第６実施例−−
図１１は、本発明の第６実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の製造工程を段階別に示した工程フローチャートであって、アレイ基板の導出部形成工程を中心に説明して、逆スタッガード型薄膜トランジスタを含む構造を一例にする。
ＳＴＩは、サブピクセル領域が定義された第１基板、第２基板を備える段階と、前記第２基板上に第１電極を形成する段階と、前記第１電極上部のサブピクセル領域間境界部を囲む位置に絶縁層及び隔壁を形成する段階と、前記絶縁層及び隔壁を境界部にして、有機電界発光層及び第２電極をサブピクセル領域別に形成する段階を含み、前記隔壁は両側が逆テーパー構造を有するパターンで構成された第１領域と、一側は逆テーパー構造を有して、また他の一側は傾斜した構造を有するパターンで構成された第２領域と、前記第１領域、第２領域間区間に配置して、相互に一定間隔離隔された複数個の凹部を有するパターンで構成された第３領域で構成されることを特徴とする。
前記隔壁を形成する段階では、光の強さを選択的に調節する回折露光法によりパターニングされることを特徴とする。

ＳＴ２では、前記第１基板上に薄膜トランジスタを形成する段階と、前記薄膜トランジスタより高い高さを有する導出部を形成する段階である。
前記薄膜トランジスタを形成する段階では、ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極、電力供給ラインを形成する段階を順序通り含んで、前記薄膜トランジスタ形成部より高い高さを有し、前記隔壁の第２領域と連結電極の連結部で導出部を構成する段階をさらに含む。
前記導出部を形成する段階は、前記ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極、電力供給ラインと同一工程において同一物質で構成され、アイランドパターンを形成して、相互に重なる領域に配置する第１ないし第４パターンを順序通り形成する段階または、前記薄膜トランジスタを覆う領域において、前記ドレイン電極を一部露出させるドレインコンタクトホールを有する保護層を形成する段階の次に、前記導出部領域に柱状の導出部パターンを形成する段階を含む。

後者の方法による前記導出部パターンを形成する物質は、有機絶縁物質から選択されることが望ましい。
ＳＴ３では、前記第１基板、第２基板を合着する段階であって、この段階では第２基板で隔壁の第２領域に形成された第２電極と、前記第１基板の導出部領域の連結電極を接触させる方法で、アレイ素子と有機電界発光ダイオード素子を連結することを特徴とする。
しかし、本発明は前記実施例に限定されなくて、本発明の趣旨に外れない限度内で多様に変更して実施できる。

一般的なアクティブマトリックス型有機電界発光素子の基本ピクセル構造を示した図面。 従来の下部発光方式有機電界発光素子に対する概略的な断面図。 前記図２有機電界発光素子の一サブピクセル領域に対する拡大断面図。 従来の有機電界発光素子の製造工程に対する工程フローチャート。 本発明の第１実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子に対する断面図。 本発明の第２実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子において、赤、緑、青サブピクセルで構成された一つのピクセル領域に対する隔壁構造を示した図面。 前記図６の切断線Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃに沿って各々切断された断面に対する断面図。 前記図６の切断線Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃに沿って各々切断された断面に対する断面図。 前記図６の切断線Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃに沿って各々切断された断面に対する断面図。 本発明の第３実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子用有機電界発光ダイオード素子の製造工程を段階別に示した工程フローチャート。 本発明の第４実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子用アレイ基板に対する断面図。 本発明の第５実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子用アレイ基板に対する断面図。 本発明の第６実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の製造工程を段階別に示した工程フローチャート。

符号の説明

１１０：第１基板
１１２：バッファー層
１１４：半導体層
１１６：ゲート絶縁膜
１１８：ゲート電極
１２０：第１コンタクトホール
１２２：第２コンタクトホール
１２４：第１保護層
１２６：ソース電極
１２８：ドレイン電極
１３０：第３コンタクトホール
１３２：連結電極
１５０：第２基板
１５２：第１電極
１５４：絶縁膜
１５６：隔壁
１５８：有機電界発光層
１６０：第２電極
１７０：シールパターン
Ｉ：活性領域
ＩＩ：ソース領域
ＩＩＩ：ドレイン領域
Ｅ：有機電界発光ダイオード素子
Ｔ：薄膜トランジスタ

Claims (25)

1. 複数のサブピクセル領域が形成された第１基板、第２基板と；
   前記第１基板内部面の前記サブピクセル領域各々に形成された複数の薄膜トランジスタを含むアレイ素子層と；
   前記アレイ素子層上部で前記複数の薄膜トランジスタのうちの一つと連結した連結電極と；
   前記第２基板の内側面に形成された第１電極と；
   前記第１電極の下側の前記サブピクセル領域間境界部に順序通り形成された絶縁層及び隔壁と；
   前記サブピクセル領域各々に形成された有機電界発光層及び第２電極とを含み、前記隔壁は前記有機電界発光層及び第２電極を前記サブピクセル領域各々に分離形成させるパターン構造を有する第１領域と、前記第２電極と連結電極を前記隔壁下部で直接連結させるパターン構造を有する第２領域と、前記第１領域に配置する第２電極部分と前記第２領域に配置する第２電極部分間の短絡を防止するパターン構造を有する第３領域を有し、
   前記第１の領域の前記パターン構造において、前記第１領域の隔壁は、前記第２基板から近い方向から前記第２基板から遠くの方向へ行けば行くほどその幅がますます増加する逆テーパーを有する台形形態を有し、前記第２の領域の前記パターン構造において、前記第２領域の隔壁はサブピクセル領域側の第１側面が傾斜し、サブピクセル領域側の前記第１側面に対向する第２側面が前記サブピクセル領域側の第１側面と同一な方向に傾斜した非対称的形態を有し、前記第３の領域の前記パターン構造において、第３領域の隔壁は複数個の凹部を有し、
   前記第２領域と対応する位置に形成された前記第２電極は前記連結電極と接続することを特徴とする有機電界発光素子。
2. 前記第２領域、第３領域の隔壁は、回折露光法により構成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
3. 前記第１電極、第２電極及び有機電界発光層は、有機電界発光ダイオード素子を形成し、前記薄膜トランジスタはゲート電極、半導体層、ソース電極、ドレイン電極で構成されて前記有機電界発光ダイオード素子に電流を供給する駆動薄膜トランジスタに該当して、前記連結電極は前記ドレイン電極と連結されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
4. 前記第１基板には、前記アレイ素子層の高さより高い導出部（ｐｒｏｊｅｃｔｅｄ ｒｅｇｉｏｎ）をさらに含み、前記導出部の上部で前記連結電極と第２電極が接触されることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
5. 前記導出部は、前記ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極と各々同一工程において同一物質で構成されて、アイランド状（ｉｓｌａｎｄ ｓｈａｐｅ）である第１ないし第３パターンで構成されることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子。
6. 前記ソース電極と連結する電力供給配線と、前記電力供給配線と同一工程において同一物質で構成されて前記第３パターン上部に形成される前記導出部の一部である第４パターンをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子。
7. 前記ドレイン電極を一部露出させるドレインコンタクトホールを有する保護層と、前記保護層上部の導出部に形成される導出部パターンと、前記導出部パターン上部に形成されて前記ドレインコンタクトホールを通じてドレイン電極と連結する前記連結電極をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
8. 前記導出部パターンは、絶縁物質で構成されることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光素子。
9. 前記絶縁物質は、有機絶縁物質であることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子。
10. 薄膜トランジスタを含むアレイ素子層が形成された第１基板と、有機電界発光ダイオード素子が形成された第２基板と、前記第１基板及び第２基板間の連結電極を含む有機電界発光素子において、
    複数個のサブピクセル領域が形成された第２基板上に第１電極を形成する段階と；
    前記複数個のサブピクセル領域それぞれの境界部に絶縁層及び隔壁を形成する段階と；
    前記複数個のサブピクセル領域に、前記隔壁によって分離される有機電界発光層及び第２電極を形成する段階とを含み、前記隔壁は、前記第２基板に近い方向から遠くの方向へ向かって逆テーパーを有する台形形態である第１領域と、サブピクセル領域側の第１側面は傾斜して、前記第１側面に対向するサブピクセル領域側の第２側面は前記サブピクセル領域側の第１側面と同一な方向に傾斜した非対称的形態を有する第２領域と、前記第１領域及び第２領域間に配置して相互に一定間隔離隔された複数個の凹部を有する第３領域を含み、前記凹部はその両側部が第２基板に近い方向から遠くの方向に向かって順テーパーを有する台形形態であり、前記第２領域と対応する位置に形成された前記第２電極は前記連結電極と接触し、
    前記第２領域の隔壁は、回折露光法に用いられるマスクのオープン部間の間隔とオープン部の幅を調節して形成され、
    前記第３領域の隔壁は、前記凹部に対応するスリットパターンを有するマスクを利用した回折露光法により形成される
    ことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
11. 前記有機電界発光層及び第２電極を形成した後、前記第１基板及び第２基板を合着する段階をさらに含み、前記連結電極と前記第２電極を接触させることによって前記第１基板及び第２基板が電気的に連結されることを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
12. 前記隔壁は、回折露光法により形成されることを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
13. 前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、半導体層、ソース電極、ドレイン電極で構成されることを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
14. 前記アレイ素子層は、前記薄膜トランジスタの高さより高い導出部（ｐｒｏｊｅｃｔｅｄ ｒｅｇｉｏｎ）をさらに含み、前記導出部の上部で前記連結電極と第２電極が接触されることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光素子の製造方法。
15. 前記有機電界発光層及び第２電極を形成した後、前記第１基板及び第２基板を合着する段階をさらに含み、前記連結電極と前記第２電極を前記導出部の上部で接触させることによって前記第１基板及び第２基板が電気的に連結されることを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光素子の製造方法。
16. 前記導出部は、前記ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極、電力供給配線と各々同一工程において同一物質で構成される第１ないし第４パターンで構成されることを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光素子の製造方法。
17. 前記ドレイン電極を一部露出させるドレインコンタクトホールを有する保護層を形成する段階と、前記保護層上部に導出部に対応する導出部パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光素子の製造方法。
18. 前記導出部パターンは、有機絶縁物質からなることを特徴とする請求項１７に記載の有機電界発光素子の製造方法。
19. 複数個の薄膜トランジスタを含むアレイ素子層を複数個のサブピクセル領域が形成される第１基板上に形成する段階と；
    前記アレイ素子層上部に前記複数個の薄膜トランジスタ各々に連結する連結電極を形成する段階と；
    複数個のサブピクセル領域が形成された第２基板上に第１電極を形成する段階と；
    前記複数個のサブピクセル領域それぞれの境界部に絶縁層及び隔壁を形成する段階と；
    前記複数個のサブピクセル領域に、前記隔壁によって分離される有機電界発光層及び第２電極を形成する段階と；
    前記第１基板及び第２基板を合着する段階とを含み、前記隔壁は、前記第２基板から近い方向から前記第２基板から遠くの方向へ行けば行くほどその幅がますます増加する逆テーパーを有する台形形態を有する第１領域と、サブピクセル領域側の第１側面が傾斜し、サブピクセル領域側の前記第１側面に対向する第２側面が前記サブピクセル領域側の第１側面と同一な方向に傾斜した非対称的形態を有する第２領域と、前記第１領域及び第２領域間に配置して相互に一定間隔離隔され、前記第２電極間の短絡を防止する複数個の凹部を有する第３領域を含んで、前記第２領域と対応する位置に形成された前記第２電極は前記連結電極と接触し、
    前記第２領域の隔壁は、回折露光法に用いられるマスクのオープン部間の間隔とオープン部の幅を調節して形成され、
    前記第３領域の隔壁は、前記凹部に対応するスリットパターンを有するマスクを利用した回折露光法により形成される
    ことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
20. 前記隔壁は、回折露光法により形成されることを特徴とする請求項１９に記載の有機電界発光素子の製造方法。
21. 前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、半導体層、ソース電極、ドレイン電極で構成されることを特徴とする請求項１９に記載の有機電界発光素子の製造方法。
22. 前記アレイ素子層は、前記薄膜トランジスタの高さより高い導出部（ｐｒｏｊｅｃｔｅｄ ｒｅｇｉｏｎ）をさらに含み、前記導出部の上部で前記連結電極と第２電極が接触されることを特徴とする請求項２１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
23. 前記導出部は、前記ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極、電力供給配線と各々同一工程において同一物質で構成される第１ないし第４パターンを含むことを特徴とする請求項２２に記載の有機電界発光素子の製造方法。
24. 前記ドレイン電極を一部露出させるドレインコンタクトホールを有する保護層を形成する段階と、前記保護層上部に導出部に対応する導出部パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２２に記載の有機電界発光素子の製造方法。
25. 前記導出パターンは、有機絶縁物質からなることを特徴とする請求項２４に記載の有機電界発光素子の製造方法。

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