JPH11329743A - 電界発光素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のマスク蒸着によるドットマトリクスＥ
Ｌ素子の製造方法では、基本的に微細化が難しく精細な
表示を得ることができない。工程が煩雑などの問題点が
ある。 【解決手段】 基板上にストライプ状の第１絶縁層およ
び電極を形成し該電極上の表示画素以外の領域に第２絶
縁性材料層を形成した基板、または基板上にストライプ
状の第１電極層を形成し該電極層上の表示画素領域に絶
縁性材料層および第２電極層を順次形成し第１電極層と
第２電極層を電気的に接続した基板を用い、該基板上に
有機物発光層および陰極電極を順次積層形成する。その
際、前記基板には絶縁性材料層を形成しているので段差
が生じており、該段差により各表示画素ドット分離形成
された有機ＥＬ素子が形成される。また、別基板に形成
したストライプ状電極と前記表示画素とを対向させて接
続してドットマトリクス型ＥＬ素子を得ることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は発光層を有する電界発光
素子、特に有機物発光層を用いた有機ＥＬ素子とこの有
機ＥＬ素子を得るための製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、表示装置などの発光表示部として
実施されている電界発光素子として、エレクトロルミネ
センス素子（以下ＥＬ素子という）が利用されている。
近年、このようなＥＬ素子として、特に有機物材料を用
いたものが検討されており、有機物材料を用いたＥＬ素
子（以下有機ＥＬ素子という）を用いたドットマトリク
ス型の表示装置も知られている。例えば、図１５に記し
たような断面構造の表示画素を有するものが知られてい
る。ガラス基板１上にＩＴＯ等の透明電極からなり、図
面左右方向に伸びるストライプ状の陽極２を形成し、そ
の上に発光機能を有する有機物発光層３を形成し、さら
にこの有機物発光層３の上に陰極となる金属電極４を前
記陽極２と直交するストライプ状のものとして設けたド
ットマトリクス構造としている。

【０００３】このような構造の電界発光素子を用いて所
望のパターン表示を行なうには発光部のパターン化が必
要であるが、有機物発光層３は有機溶剤に溶けやすいた
め、フォトレジストを用いたエッチング加工が困難であ
る。そこで、ドットマトリクス表示を行なうためには、
透明基板１上の透明電極２をストライプ状のパターンに
形成し、その上に四角形状の表示部開口を有する蒸着マ
スクを用いて有機物発光層３を蒸着法により形成し、さ
らに所定のストライプ状の開口を有した蒸着マスクを介
して蒸着法により透明電極２と直交するようにストライ
プ状の金属電極４を形成して陰極を設けるという少なく
とも２種類の蒸着マスクを用いたパターン化が一般的な
方法として実施されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法では有機物発光層３および金属電極４を形成す
る際に少なくとも２回の蒸着マスク合わせが必要のた
め、基本的に微細化が難しく精細な表示を得ることがで
きず、、その製造工程も煩雑で表示部に傷をつけるなど
の不良が多かった。また、有機物発光層を形成するため
の蒸着マスクを用いずに透明基板の全面に亘って有機物
発光層を形成するものとし、陰極層の形成のみを蒸着マ
スクにて実施するものもあるが、その場合には本来必要
のない部分、例えば透明電極膜をパターン化した場合に
おける透明電極の存在しない表示画素以外の上にも有機
物発光層を形成してしまうこととなり、無駄であるばか
りか、場合によっては有機物発光層を流れることにより
生じる漏れ電流の影響等にドットマトリクス表示を行っ
た場合にクロストークを発生させることがあるなど信頼
性を損ねる問題がある。

【０００５】本発明は前記した課題を解決し、微細な表
示パターン化が可能で、かつ信頼性の高い電界発光素子
を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明により、基板上に
仕事関数の異なる一対の電極間に挟まれた有機物発光層
を有する電界発光素子の前記基板上には、有機物発光層
と第２電極層との合計厚み以上の厚さを有する第１絶縁
性材料層と、該絶縁性材料層上に形成された第１電極層
とを有し、両層は所定パターンに形成され、前記第１電
極層上の表示画素となる領域以外の箇所には、有機物発
光層と第２電極層との合計厚み以上の厚さを有する第２
絶縁性材料層が形成され、前記第１電極層上の表示画素
となる領域には、有機物発光層および第１電極層と仕事
関数の異なる第２電極層が順に積層されている電界発光
素子。

【０００７】または、基板上に仕事関数の異なる一対の
電極間に挟まれた有機物発光層を有する電界発光素子の
前記基板上には、所定パターンとした第１電極層が形成
され、該第１電極層の上の表示画素となる領域には、有
機物発光層と第３電極層との合計厚み以上の厚さを有す
る絶縁材料層が形成されており、少なくも前記絶縁性材
料層表面及び絶縁性材料層の側面もしくは絶縁性材料層
に必要に応じ設けた貫通孔内面には、第２電極層が形成
されて、第１電極層と第２電極層が絶縁性材料層を挟む
ようにして電気的に接続されており、前記絶縁性材料層
の上に形成した第２電極層上には有機物発光層および第
２電極層と仕事関数の異なる第３電極層が順に積層され
ている電界発光素子が提供される。

【０００８】さらに、前記電界発光素子を形成した基板
と所定パターンの電極層を有する外部接続基板とを対向
配設し、電界発光素子を形成した基板の表示画素となる
領域表面の電極層と前記外部電極基板の電極とが電気的
に接続するように相対向させて電界発光素子基板と外部
電極基板とを接着することでドットマトリクス型の電界
発光素子が提供される。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。まず、本発明の電界発光素子としてドットマトリ
クス型の有機物発光層を用いたＥＬ素子について、その
製造方法に沿って説明する。図１（ａ）は仕事関数の異
なる一対の電極間に挟まれた有機物発光層を有する有機
ＥＬ素子２０を透光性基板上に形成した例を模式的に示
す斜視図である。ＥＬ素子基板２１上には、所定のスト
ライプパターンに形成された透光性の第１絶縁性材料層
２２と該第１絶縁性材料層２２上に形成された第１電極
層となる透明電極層２３とを有し、透明電極層２３表面
の一部には第２絶縁性材料層２４が形成され、これらの
表面には有機物発光層２５および第２電極層となる陰極
層２６が基板面内方向において連続した層とならないよ
うにほぼ基板全表面に形成されている。これにより、基
板上には島状に各表示画素領域２７が形成され、その発
光層２５及び陰極層２６は各表示画素領域毎に独立した
ものとされている。

【００１０】図２から図４は図１（ａ）のＥＬ素子の製
造工程を説明する断面図で図２（ａ）、図３（ａ）、図
４（ａ）は図１（ａ）のＡ−Ａ部の断面を、図２
（ｂ）、図３（ｂ）、図４（ｂ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ
部の断面を夫々示している。ガラス基板などのＥＬ素子
基板２１の上に透光性の第１絶縁性材料層２２及びＩＴ
Ｏ等の透明電極層２３を図２のようにストライプ状に形
成する。更にストライプ状に形成した透明電極層２３上
の後に表示画素２７となる領域以外の箇所に第２絶縁性
材料層２４を図３（ｂ）のように形成する。なお、ここ
までの工程においては、有機発光層を形成していないの
で、公知のフォトリソグラフィ技術などを用いて微細な
エッチング加工を施すなどにより比較的容易に微細なパ
ターンを形成することができる。

【００１１】続いて図３のようなパターンを形成したＥ
Ｌ素子基板１上に有機物発光層２５及び陰極層２６を形
成する（図4 （ａ），（ｂ）参照）。これらの層は蒸着
法、スパッタ法などの手段によりＥＬ素子基板２１上の
表示部領域全面に蒸着膜を連続して形成することができ
る。図３に示したようにストライプ状の透明電極２３は
ストライプ状の第１絶縁性材料層２２の上に形成されて
いるため、このストライプ間に蒸着された有機物発光層
２５ａ、陰極層２６ａは第１絶縁性材料層２２間に挟ま
れるものとなる。それ故、表示画素２７のストライプ状
電極２３と直交する方向においては、その段差において
切断されたものとなる。特に第１絶縁性材料層２２及び
第２絶縁性材料層２４は、有機物発光層２５と陰極層２
６の合計厚み以上の厚さとして形成しているので、これ
により有機物発光層２５、陰極層２６の各層は面方向に
おいて不連続な膜となり、ストライプ状電極２３上に形
成されている有機物発光層２５及び陰極層２６の各層は
隣接するストライプ状電極２３上の有機物発光層２５及
び陰極層２６の各層と確実に分離したものとすることが
できる。

【００１２】こうして図１（ａ）の示したように各表示
画素２７が島状に点在するものとなる。また、ストライ
プ状電極２３上の各表示画素２７の隣には、第２絶縁性
材料層２４が形成されている。したがって、ストライプ
と平行な方向においてもストライプ状電極２３上の有機
物発光層２５及び陰極層２６の各層は第２絶縁性材料層
２４の段差により切断されたものとなり、ストライプ状
電極２３と直交する方向と同様に島状に点在するものと
なる。従って、各表示画素２７は隣接した表示画素２７
と独立別個に発光させることができる。

【００１３】次に、図１（ｂ）のようなストライプ状の
陰極接続用電極３３を有する外部基板３０を、そのスト
ライプ状の陰極接続用電極３３がＥＬ素子２０のストラ
イプ状電極層２３と直交し、かつストライプ状電極層２
３上の第２絶縁性材料層２４が存在しない部分、即ち、
表示画素２７の陰極層２６と接続するように対向配設す
る。外部基板３０は、外部電極基板３１上の絶縁性材料
層３２およびその上の陰極接続用電極３３を公知のフォ
トリソグラフィ法などによりストライプ状にパターン化
したものとしている。なお、ストライプ状の絶縁性材料
層３２及び陰極接続用電極３３は、ＥＬ素子２０の第２
絶縁性材料層２４と同程度以上の厚さを有するものとし
ている。これは、ストライプの間隙３４にＥＬ素子２０
の第２絶縁性材料層２４が形成され凸形状となっている
部分が位置するようにして、ＥＬ素子２０と外部電極基
板３０とを重ね合わせる際に、陰極接続用電極３３とＥ
Ｌ素子２０の表示画素２７部分の陰極層２６とが電気的
に接続し易くしているものである。

【００１４】ＥＬ素子２０の表示画素２７部分の陰極層
２６と外部基板３０の陰極接続用電極３３とは、両電極
を同一材料もしくは同一材料を含む合金または異なる金
属材料により形成し、両電極表面が密着圧接した状態が
維持されるようにしてＥＬ素子基板２１と基板３０を接
着するものとしたり、陰極層２６と陰極接続用電極３２
とを導電性ペーストなどにより接続することによって、
外部電源からの信号を各表示画素２７に供給するドット
マトリクス型のＥＬ発光素子７１とすることができる。

【００１５】図５は両電極基板が密着圧接した状態が維
持されるようにＥＬ素子基板２１と外部基板３０を基板
の表示画素周辺部にてエポキシ接着剤８０により封止し
たドットマトリクス型のＥＬ発光素子７１の概略断面図
を示す。エポキシ接着剤８０中には、両基板間隔を前記
陰極層２６と陰極接続用電極３３とが密着圧接する厚み
となるような所定の厚みの厚み制御部材８１が混入され
ている。厚み制御部材８１は、両基板を所定の過重を加
えて対向配設した際の基板間隔と同一もしくはその間隔
よりも少し大きな径を有するもので、プラスチックボー
ル、ガラス球等や円柱状等のセラミック部材等により形
成されている。これによりドットマトリクス型のＥＬ発
光素子７１の全面をほぼ均一な厚み、荷重にて封止する
ものとしている。なお、封止する際には窒素、アルゴン
等の不活性ガス雰囲気下にて実施することが好ましい。

【００１６】透明電極層２３および陰極接続用電極３３
に所定に信号を流すことにより有機物発光層２５からの
発光が透光性の透明電極層２３、第１絶縁材料２２、Ｅ
Ｌ素子基板２１を通って外部に放射される。陽極となる
透明電極層２３としてはＩＴＯなどの透光性の材料を用
い、陰極層２６としてはインジウム、銀、錫、アルミニ
ウム、マグネシウム、カルシウム、などの金属単体やこ
れらの合金、金属間化合物で透明電極層２３よりも仕事
関数の低いもの、またはｎ型Ｓｉ表面をＳｉＯ２でカバ
ーしたものやＡｌ表面をＡｌ２Ｏ３でカバーしたトンネ
ル注入電極などの電子注入性電極が用いられる。発光層
を挟持する一対の電極のうち陰極層を上記のような電子
注入性電極により形成しているので、陰極から有機物発
光層へ注入される電子の注入効率を高めることができ、
これにより陰極から有機物発光層へ注入された電子と陽
極から有機物発光層へ注入された正孔とが発光層内で再
結合して発光する効率を向上させるものとしている。

【００１７】従来のマトリクス型発光素子においては図
１５に記したように、１枚の基板上にストライプ状の陽
極およびこれと直交するストライプ状の陰極の双方を形
成するものとしていたが、本発明においては基板側の電
極層２３のみをストライプ状のものとし、基板表面側の
陰極層２６を蒸着マスクを用いてパターン化することな
く表示画素２７上に別個に独立して存在する電極とし、
他の基板に形成したストライプ状電極３３と接続するこ
とで、ドットマトリクス型のＥＬ素子を得るものとして
いる。それ故、発光層に電子または正孔を注入する一対
の電極の双方を電子または正孔の注入性に優れた材料と
し、発光層表面側の電極２６と接続する外部基板電極３
３を低抵抗の電極材料とすることで、優れた発光効率と
ＥＬ発光素子全体の抵抗低減の両立を図ることができ
る。

【００１８】本発明のＥＬ素子の製造方法においては、
有機物発光層２５および陰極層２６を形成する際には各
表示画素に対応する蒸着マスクを一切使用せず、また、
有機物発光層２５および陰極層２６をフォトレジスト等
を用いてエッチングすることもない。従って、これらの
層を形成する前の工程において透明電極層２３等を公知
のフォトリソグラフィ法などにより微細加工し、同様に
外部電極基板３０の陰極接続用電極３３等もフォトリソ
グラフィ法などにより微細加工を施しておくことで微細
なパターンを容易に形成することができる。また、有機
物発光層２５および陰極層２６は、これらの層を形成す
る前の工程において段差を有するように形成したＥＬ素
子基板表面に、単に蒸着等を施すのみであって、エッチ
ング加工等を施すこともないので有機物発光層２５に何
ら損傷を与えることがなく、容易且つ確実に微細なパタ
ーン化が図られる。

【００１９】また、本発明のＥＬ素子は、ＥＬ素子の透
明電極２２のストライプ方向において各表示画素２７が
透明電極２２の上に形成されており、各表示画素２７の
有機物発光層２５および陰極層２６が隣接する他の表示
画素２７と面内方向において連続しない膜とされている
ので、透明電極２２のストライプ方向と直交する方向と
した外部ストライプ電極を各表示画素２７に設けること
で、簡単にドットマトリクス型のＥＬ表示素子が得られ
るものとなる。

【００２０】続いて他のドットマトリクス型ＥＬ素子の
実施形態について、その製造方法に沿って説明する。図
６はＥＬ素子４０の斜視図であり、本実施形態において
は表示画素４９の発光層下層の電極層が間に絶縁層を挟
む２層構造のものとされている。図７から図９は図６の
ＥＬ素子の製造工程を製造順に説明する断面図で図７
（ａ）、図８（ａ）、図９（ａ）は図６のＡ−Ａ断面
を、図７（ｂ）、図８（ｂ）、図９（ｂ）は図６のＢ−
Ｂ断面を夫々示している。

【００２１】ガラスなどのＥＬ素子基板４１の上にＩＴ
Ｏ等の第１透明電極層４２を公知のフォトリソグラフィ
法などによりストライプ状に形成し、その全面にフォト
レジスト４８ａをスピンナーなどにより塗布する。この
後、表示画素４９以外の領域にフォトレジスト４８ａが
残るようにして、所定の開口を設けたフォトマスクを用
いて露光、現像する。この際、各ストライプ状の第１透
明電極層４２の間隙４２ａで表示画素４９の近傍部分の
フォトレジストは残らないようにする。続いて、その上
からＥＬ素子基板４１の表示部全面に絶縁性材料層４３
を蒸着、塗布等の方法により設けることにより、表示画
素４９となる領域においては、ストライプ状のＩＴＯ第
１電極層４２の側面及び上面と、フォトレジスト４８ａ
の表面を絶縁性材料層４３が覆うものとなる。

【００２２】続いて全面にフォトレジストを塗布し、各
表示画素４９となる部分にフォトレジスト４８ｂが残る
ように露光、現像する。その際、各表示画素４９には図
７に示したようにコンタクトホール４４形成用の孔を同
時に設けておくものとする。その後、表示画素４９とな
る領域以外の箇所、即ちフォトレジスト４８ａの上面お
よびコンタクトホール４４の箇所に形成した絶縁性材料
層４３（図７に点線で示す）を除去する。なお、フォト
レジスト４８ａはＥＬ素子基板４１側が広く、基板表面
側が狭い傾斜側面となるように露光条件、熱処理条件を
調整して形成することが好ましい。また、コンタクトホ
ール４４は各表示画素４９内に少なくとも１つ以上有す
るものとし、また、その直径を５０ミクロン程度以下の
ものとすると人の目で観察されにくいものとなり、表示
品位を損なうことはない。

【００２３】次にフォトレジスト４８ａおよび４８ｂを
除去した後に、図８に示したように絶縁性材料層４３の
上にＩＴＯ等からなる第２透明電極層４５を蒸着法、ス
パッタ法、塗布法などの公知の方法で形成する。このと
きコンタクトホール４４内面を図７（ａ）（ｂ）に示し
たような傾斜面として第２透明電極層４５がコンタクト
ホール４４の内部側面にも形成されるものとしている。
これにより各表示画素４９に対応する部分においては、
絶縁性材料層４３をストライプ状の第１透明電極層４２
と第２透明電極層４５とでサンドイッチした２層構造の
電極が形成される。コンタクトホール４４の内側側面
は、第２透明電極層４５を形成されやすくなるようにコ
ンタクトホール４４の断面において基板上側の方が広く
なるようなテーパーを設けたコンタクトホール４４を形
成している。具体的には、絶縁材料層４３のエッチング
をエッチングレートの遅い条件にて処理することにより
基板上側が広く第１透明電極層側を狭く且つ傾斜面を備
えたコンタクトホールとしている。

【００２４】表示画素領域４９における第１透明電極層
４２のストライプ方向と直交する方向においては、第１
透明電極層のストライプ側面が絶縁材料層４３により覆
われており、また、図７（ａ）に示したようにストライ
プ間の間隙４２ａにフォトレジスト４８ａを形成した後
に絶縁材料層４３を形成しているので、第２透明電極層
４５は絶縁材料層４３の側面に回り込んで形成されな
い。よって、ストライプと直交する方向に隣接する各表
示画素領域４９は、絶縁材料層４３の側面の段差により
断線したものとなる。また、表示画素領域４９の第１透
明電極層のストライプと平行な方向においては、第１透
明電極層上のコンタクトホール以外の絶縁材料層４３の
側面部分は絶縁材料層４３を形成する前に設けておいた
フォトレジスト４８ａとの境界部分を側面とするものな
ので、第２透明電極４５が第１透明電極４２と接続する
ことのないものとしている。なお、テーパーを設ける方
法は上記以外の手段により形成しても何ら問題はなく、
要は第２透明電極４５がコンタクトホール４４において
第１透明電極４２と接続され、第１透明電極４２上の絶
縁材料層４３側面で断線したものとすれば良い。また、
コンタクトホール４４にて接続する２層構造の電極を作
成する工程は、上記実施形態以外の公知のフォトリソグ
ラフィ法を用いた方法であっても良い。

【００２５】上記のようにして準備した２層構造の電極
を形成したＥＬ素子基板４１の表示画素領域を覆うよう
に、基板表面のほぼ全面上に有機物発光層４６および第
３電極層となる陰極層４７を蒸着法などの公知の方法に
より積層する。これにより図６のような有機ＥＬ素子４
０が得られる。ＥＬ素子４０は図９に示すような断面を
有し、ＥＬ素子基板４１上に第１透明電極層４２、絶縁
材料層４３、第２透明電極層４５、発光層４６、陰極層
４７が積層された表示画素４９が島状に点在するような
状態となる。なお、絶縁性材料層４３は発光層４６と陰
極層４７の合計厚み以上の厚さに形成しているので、発
光層４６および陰極層４７の各層は面内方向において、
絶縁性材料層の段差によって確実に切断したものとされ
ている。

【００２６】この有機ＥＬ素子４０に、先の実施形態に
て説明したようなストライプ状の陰極接続用電極３３を
有する外部電極基板３０を、ＥＬ素子４０のストライプ
状の第１透明電極層４２と外部電極基板３０の陰極接続
用電極３３が直交するように対向配置して陰極層４７と
陰極接続用電極３３を電気的に接続するように配設する
ことでドットマトリクス型のＥＬ発光素子を得ることが
できる。なお、両者の接続は先に説明した実施形態の場
合と同様に密着させたり、導電性ペーストを用いて接続
したりして行なうことができる。但し、本実施形態にお
いてはＥＬ素子４０の凸部が表示画素４９となるので、
先の実施形態のように凸部を陰極接続用電極３３のスト
ライプ間の間隙３４に位置するようにして重ね合わせる
必要はない。従って、外部電極基板３０の陰極接続用電
極３３は絶縁性材料層３２を介さずに基板上に直接設け
たものであっても良い。

【００２７】本実施形態のＥＬ素子４０も先の実施形態
にて説明したＥＬ素子２０と同様に、陰極層４７を電子
注入性の電極材料とし、外部基板電極３３を低抵抗な電
極材料とすることで、発光効率に優れ且つドットマトリ
クス型のＥＬ発光素子全体の抵抗を低減することか可能
な電極構造とすることができる。また、本実施形態の製
造方法においても有機物発光層４６および陰極層４７に
直接エッチング加工を施すことなく微細にパターン化可
能なものとしており、発光層にダメージを与えることな
く微細な表示を得ることができる。また、ＥＬ素子４０
と接続する外部電極基板３０に使用する基板３１はガラ
ス等の透光性基板を用いる必要はなく、反射率の高い基
板を用いてＥＬ素子の各表示画素４９からの発光をガラ
ス基板４１側に反射するものとしたり、黒色等の光吸収
性のものとしてＥＬ発光素子のコントラストを向上させ
ることもできる。

【００２８】更に別の実施形態について、図１０から図
１４を参照してその製造方法に沿って説明する。図１０
は電界発光素子５０と外部電極基板６０を重ね合わせて
ドットマトリクス型のＥＬ発光素子とする状態を示す概
略斜視図である。本実施形態のＥＬ素子も２層構造のＩ
ＴＯ透明電極を有するが、コンタクトホール以外の部分
により１層目の電極層と２層目の電極層を接続するもの
としている。

【００２９】ガラス基板５１上に図１１に示したような
補助電極５２を金属材料により形成する。補助電極５２
は電極ライン５２ａと突出電極部５２ｂを有し、図１４
（ａ）に示したような断面を有する。なお、図１４は図
１１の電極ライン５２ａと突出電極部５２ｂのＡ−Ｂ部
の断面図によりＥＬ素子５０の製造工程を説明するもの
である。次に図１２に示すように、電極ライン５２ａ及
び突出電極部５２ｂの全てを覆う幅のＩＴＯ等の透明電
極からなる第１電極層５３を、補助電極層５２を覆うよ
うストライプ状に形成する。

【００３０】突出電極部５２ｂは第１電極５３のストラ
イプと平行な方向において隣接する表示画素領域５９の
間の部分に位置するように形成している。電極ライン５
２ａは、これを形成せず突出電極部５２ｂとストライプ
状の第１電極層５３のみを形成するものとしても良い。
しかし、ＥＬ素子を大面積で精細な表示を行なうものと
した場合には、各ストライプ状電極は細く、且つ長くな
るので、ストライプ状電極のみではＡｌなどの低抵抗材
料を用いたとしてもライン抵抗が高くなるという問題が
生じるおそれがある。そこで、本実施形態では第２電極
の側面に位置するストライプ状の電極ライン５２ａと突
出電極部５２ｂとを有する補助電極５２を設けてライン
抵抗の一層の低減を図っている。

【００３１】続いて、図１３および図１４（ｃ）に示す
ように、隣接する表示画素領域間の部分にフォトレジス
ト５４を形成する。前記第１電極層５３上の表示画素領
域５９間の位置に突出電極部５２ｂの一方の側面を跨ぐ
ように第１電極層５３上にフォトレジスト５４ａ形成
し、ストライプ状の第１電極層５３間の位置には該電極
近傍を除いた箇所に該ストライプと略平行にストライプ
状のフォトレジスト５４ｂを形成する。フォトレジスト
５４ａ，５４ｂを形成する際にはその露光時間、露光方
向、現像条件、熱処理条件等を適宜調整することによ
り、ＥＬ素子基板５１側が広く、ＥＬ素子基板５１の表
面側が狭くなるような形状となるように形成することが
好ましい。

【００３２】次に図１４（ｄ）に示すようにＥＬ素子基
板５１の表示領域全面に透光性の絶縁性材料層５５を形
成する。絶縁性材料層５５は光感応性を有するもので、
紫外線等の照射により硬化する光硬化樹脂等が好まし
い。続いて透光性のＥＬ素子基板５１の裏面側から紫外
線等の光を基板全面に照射し、現像する。この光照射を
行なうと、遮光性の補助電極層５２を形成した以外の領
域、すなわち、ガラス等からなるＥＬ素子基板５１上に
直接光硬化樹脂が形成された部分、及びＥＬ素子基板５
１上にＩＴＯ等からなる第１電極層５３が積層され、そ
の上に直接光硬化樹脂が形成された部分の光硬化樹脂が
硬化されて絶縁性材料層５５が形成される。補助電極層
５２が形成されている領域においては、補助電極層５２
が光を透過しない金属層よりなるため光が光硬化樹脂に
到達せず、絶縁性材料層５５が形成されないものとな
る。

【００３３】また、ＥＬ素子基板５１側から光を照射す
る際には図１４（ｅ）に示したようにフォトレジスト５
４ａが跨ぐように形成された突出電極部５２ａ側面の側
から反対側の突出電極部５２ａ側面側に向かって光が進
行するようにＥＬ素子基板５１裏面の斜め方向から照射
する。これにより、絶縁性材料層５５の突出電極部５２
ａのフォトレジスト５４ａを形成しなかった側の側面を
傾斜側面５５ｂとして形成することができる。なお、電
極ライン５２ａを覆うように設けられた光硬化樹脂にも
突出電極部５２ａの上方と同じように光が届かないもの
となるが、電極ライン５２ａを細く形成すると、現実的
には光の回り込み、反射等により図１４（ｅ）のように
ある程度の厚みを有する状態で硬化したものとなり、各
ストライプ状の第１電極層５３の上に島状に絶縁性材料
層５５が形成される。

【００３４】この基板上にＩＴＯ等の透明電極からなる
第２電極層５６を蒸着法、スパッタ法、塗布法などの公
知の方法で形成した後に、フォトレジスト５４を除去す
る。このとき、表示画素領域５９の第１電極層５３のス
トライプ方向と平行な方向においてはフォトレジスト５
４ａが形成されていた部分の絶縁性断材料層面５５ａに
おいて第２電極層５６が断線したものとなる。また、突
出電極部５２ａ上のフォトレジスト５４ａが形成されて
いた側面の反対側側面においては絶縁性材料層５５の側
面が傾斜側面５５ｂとされているので、絶縁性材料層５
５の表面に形成された第２電極層５６は絶縁材料層５５
の傾斜側面５５ｂ上にも形成されるものとなり、これに
より突出電極部５２ａ上において第１電極層５３と絶縁
性材料層５５を覆う第２電極層５６が接続されたものと
して形成される。

【００３５】ストライプと直交する方向においてはフォ
トレジスト５４ｂがストライプ状の第１電極層５３の近
傍を除いて形成されていたので、第１電極層５３端面が
絶縁性材料層５５にて覆われたものとされ、該端面によ
りストライプ状の第１電極層５３および第２電極層５６
は隣接する第１電極層５３および第２電極層５６と確実
に絶縁されたものとなる。この一連の工程により島状の
表示画素領域５９を有するＥＬ素子基板５１が完成す
る。なお、この一連の工程を実施する順序はこの例に限
られるものではなく、例えば前記フォトレジスト５４を
除去する工程を第２電極層５６形成工程前に実施した
り、第２電極層５６を形成した後に再度フォトリソグラ
フィー法によりパターニングするなどの方法とすること
もできる。

【００３６】次に有機物発光層５７および陰極層５８を
蒸着法などの先の実施形態と同様の工程によりＥＬ素子
基板５１の略全面に順次、積層形成して有機ＥＬ素子５
０を作製する。第３電極層となる陰極層５８は前述した
実施形態にて説明したように、電子注入性にすぐれた材
料により形成している。

【００３７】図１０および図１４（ｇ）に示したよう
に、第２電極層５６表面および表示画素領域５９以外の
部分の表面上に有機物発光層５７および陰極層５８の層
が積層形成される。このとき各表示画素５９の有機物発
光層５７および陰極層５８は、各表示画素領域５９の絶
縁性材料層５５のフォトレジスト５４ａが形成されてい
た側面５５ａおよびフォトレジスト５４ｂが形成されて
いた側面にて断線し、絶縁性材料層５５の傾斜側面５５
ｂにてほぼ接続するものとして第２電極層５６表面を覆
うように形成される。絶縁材料層５５の厚みを有機物発
光層５７と陰極層５８の合計厚み以上のものとしている
ので、各表示画素領域５９は隣接する他の表示画素５９
と別個独立して発光制御できるものとなる。

【００３８】なお、隣接する表示画素領域５９の間隙部
分にも有機発光層５７及び陰極層５８が形成されるが、
ストライプ状とした第１電極層５３が絶縁性材料層５５
により覆われており、また、その側面もフォトレジスト
５４ｂを形成していたので隣接するストライプ間を覆う
層とはなっていない。特にフォトレジスト５４はその側
面を基板側が広く、基板表面側が狭いものとした場合に
は、フォトレジスト５４と接触していた絶縁性材料層の
側面は図１４に示したような傾斜を有する側面となり、
この段差により確実にパターン化がなされるものとな
る。また、絶縁材料層５５の厚みを有機物発光層５７と
陰極層５８の合計厚み以上のものとしている。従って、
たとえ該間隙に有機発光層５７及び陰極層５８が形成さ
れても、間隙に積層されたこれらの層を介して隣接する
各表示画素５９が電気的に接続されるようなことはな
い。

【００３９】このようにして作製した有機ＥＬ素子５０
に、外部電極基板６０をストライプ状の電極層６２が第
１電極層５３のストライプと直交するように所定位置に
て対向して重ね合わせることで、ドットマトリクス型の
ＥＬ発光素子７０が完成する。電極層６２は低抵抗金属
材料層により形成され、電極層６２のストライプが第１
電極層５３のストライプと直交し、かつ、表示画素領域
５９表面の陰極層５８と接続するようにして配置されて
いる。外部電源からの信号をストライプ状の電極層５３
及び電極層６２に供給することで、ドットマトリクス型
の有機ＥＬ素子７０は各表示画素領域５９の発光層５８
が発光し、その光は透光性のＥＬ素子基板５１側から外
部に放射され観視される。

【００４０】外部電極基板６０は黒色絶縁膜にて表面に
コーティグ等を施した金属基板、ガラス基板などの黒色
絶縁基板６１により形成することが好ましく、より好ま
しくは、その表面を梨地状とするなどして反射防止処理
を施すと良い。基板５１側から観視した際に各表示画素
領域５９間を黒色に観視するようにして、これによりＥ
Ｌ発光素子７０が点灯しない際の表示をできるだけ黒色
のものとして表示コントラストを高めることができる。
また、観視側である基板５１表面に形成した補助電極層
５２を酸化クロム等の黒色の光吸収層として金属反射を
低減した層とＣｒ、Ａｌなどの低抵抗材料層を積層した
積層電極層とするようにしても良い。このようにした場
合には、各表示画素領域間にいわゆるブラックマスクを
形成したようなものとなり、コントラストの向上及び非
表示時の電極反射による表示品位の低下を改善でき、よ
り一層好ましいものとなる。

【００４１】また、先の実施形態においては、透光性の
基板上にＩＴＯ等の透光性の陽極を形成し、その上に有
機物発光層、陰極層を積層した構成にて説明したが、基
板上に陽極を形成し、その上に有機物発光層、陽極を積
層する構成としても良く、光の取出し方向も有機物発光
層を積層する基板側ではなく、有機物発光層等を積層し
た基板表面の電極層に接続するための電極層を形成した
外部電極基板側から光りを取出すものとしたり、双方の
基板から光りを取出すものとしたりすることもできる。

【００４２】なお、有機ＥＬ素子として陰極／発光層／
正孔注入層／陽極、陰極／電子注入層／発光層／陽極、
陰極／電子注入層／発光層／正孔注入層／陰極、陽極／
発光層／電子注入層／陰極等の構成が開発されており、
その一対の電極間に挟持される有機物発光層としては、
単層もしくは電子注入層／発光層／正孔注入層などの多
層構造などの様々な構成のものが使用できる。本明細書
中において有機物発光層とは陰極と陽極に挟持される上
記した様々な構成のものを総称して表現している。

【００４３】なお有機物発光層の材料としては、発光層
としてベンゾチアゾール系、ベンゾオキサザール系蛍光
増白剤、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリリ
ン化合物、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、８
−ヒドトキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、
ポリアリレンビニレンおよびその誘導体等を用いること
ができ、正孔輸送材料としてトリアゾール誘導体、イミ
ダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミ
ン誘導体、オキサザール誘導体、ヒドラゾン誘導体、ス
チルベン誘導体、ポリシラン系化合物等が、電子注入材
料としてニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノ
ジメタン誘導体などの電子伝達性化合物材料を用いるこ
とができる。

【００４４】また、本説明中においてはドットマトリク
ス型の有機ＥＬ発光素子として、直交するストライプ状
の電極層を備えた単純ドットマトリクス表示装置の例に
て説明したが、本発明のＥＬ素子基板と重ね合わせる外
部電極基板として、ＴＦＴやＭＩＭなどの能動素子を設
けたアクティブ基板を用いることで、アクティブマトリ
クス型のＥＬ素子とするなどの様々な変更や改良も可能
である。さらに、ＥＬ素子基板と外部電極基板との間に
不活性ガス、不活性液体を封入するようにして、ＥＬ素
子が外部雰囲気に直接晒されない構造とすることもで
き、しかも、そのための特別な工程を設けることなく外
部電極基板の電極層と接続する工程と同時に行うことが
できる。特に水分含有量、酸素含有量を低減した窒素ガ
ス、アルゴンガス等の付活性ガス雰囲気下にて両基板を
重ねあわせることが好ましい。

【００４５】

【実施例】以下、本発明を具体的な実施例によりさらに
詳しく説明する。 （実施例１）図１から図５を参照して説明する。洗浄し
たガラス基板２１を準備し、その基板上に透光性樹脂を
スピンナーにより塗付し、厚さ０．４ミクロンの第１絶
縁性材料層２２を形成した。その上にシート抵抗約６０
Ω／ｃｍ２のＩＴＯ透明電極膜を全面にスパッタリング
法により形成した。次いでフォトレジストをその上に被
覆し、ストライプ状の開口を有するフォトマスクを介し
て露光し、ＣＣｌ４等のガスを用いてリアクティブイオ
ンエッチング法にて０．２ミクロンのＩＴＯ層および透
光性樹脂層をエッチングして、ストライプ状の透明電極
層２３および第１絶縁性材料層２２を形成し、残ったレ
ジストを除去した。

【００４６】続いてＵＶ硬化樹脂を該基板全面に塗付
し、露光、現像して透明電極層２３上の所定位置に厚さ
０．３ミクロンの第２絶縁性材料層２４を形成して図３
に示したような基板を得る第１工程を実施した。この基
板を洗浄した後、ホール輸送層としてＴＰＤ（トリフェ
ニルアミン誘導体）０．０５ミクロン及び発光層として
ＡｌＱ３（オキシンのアルミニウム錯体）０．０５ミク
ロンを連続して蒸着して有機物発光層２５を該基板全面
に形成した。引き続いて、マグネシウムと銀とを体積比
で２０：１の割合で共蒸着して０．１ミクロンの陰極層
２６を設ける第２工程を実施して図１及び図４に示した
ようなＥＬ素子２０を得た。

【００４７】また、ガラス基板３１上にも公知のフォト
リソグラフィ法を用いて、０．４ミクロンの絶縁性材料
層３２及び０．２ミクロンのＭｇ−Ａｇからなる陰極接
続用電極３３をストライプ状に形成して図５に示したよ
うな外部電極基板３０を形成した。なお、第１絶縁性材
料層２２および第２絶縁性材料層２４は夫々０．４ミク
ロン、０．３ミクロンであり、有機物発光層２５と陰極
層２６の合計厚み＝０．０５＋０．０５＋０．１＝０．
２ミクロンよりも厚くして形成している。

【００４８】その後、窒素雰囲気下にて、外部電極基板
３０のストライプ状の陰極接続用電極３３と表示画素２
７の陰極層２６が圧接するようにして両基板を重ね合わ
せ、表示画素２７を形成していない基板周辺部をエポキ
シ接着剤８０にて封止した。その際、エポキシ接着剤８
０中には直径約０．７ミクロンのプラスチック、ガラス
等からなる球状または棒状の厚み制御部材８１を混入さ
せたものを用いているので、両基板がこれらの部材に当
接することで、一定の荷重以上の力がＥＬ素子に加わら
ないようにした状態を保って両基板を接着固定してい
る。

【００４９】（実施例２）図６から図９を参照して説明
する。厚さ０．２ミクロンのＩＴＯからなる透明電極膜
が設けられたガラス基板４１を用意し、各ストライプの
幅が０．３ｍｍ、ストライプ間の間隔が０．０３ｍｍと
なるようにフォトリソグラフィー法によりストライプ状
にパターン形成して１層目の第１透明電極層４２を形成
した。この基板上にフォトレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィ法により後に表示画素４９とならない領域に
フォトレジスト４８ａ形成した。この基板全面にＳｉＯ
２膜４３をスパッタ法にて０．５ミクロン形成した。

【００５０】次にフォトレジストを塗布し、フォトリソ
グラフィ法により表示画素４９内に直径が２０ミクロン
の円状の開口部を有するフォトレジスト膜４８ｂを形成
し、露出しているＳｉＯ２膜をフッ酸にてエッチング除
去した。これにより表示画素４９内にコンタクトホール
４４が形成された。また、表示画素４９以外の領域に形
成されていたＳｉＯ２膜４３も同時に除去され、図７の
ような断面を有する基板が形成された。フォトレジスト
４８ａ、４８ｂを除去した後、２層目のＩＴＯ第２電極
層４５を蒸着法により０．１５ミクロン形成して一連の
第１工程を実施し、パターニングされた一部２層構造の
パターニングされた電極層を有するＥＬ素子基板４１を
得た。

【００５１】続いて、該基板を洗浄して熱処理を施して
ＩＴＯ層４５の低抵抗化を図った後に、ホール輸送層と
してＴＰＤ０．０５ミクロン及び発光層としてＡｌＱ３
０．０５ミクロンを連続して蒸着して有機物発光層４６
を該基板全面に形成した。引き続いて、マグネシウムと
銀とを体積比で２０：１の割合で共蒸着して陰極層４７
をモニター値で０．１ミクロンの厚みにて形成する第２
工程を実施して、ＥＬ素子４０を作製した。なお、絶縁
性材料層であるＳｉＯ２膜は０．５ミクロンであり、有
機物発光層４６と陰極層４７の合計厚み０．２ミクロン
よりも厚く形成している。

【００５２】金属板の表面を黒色絶縁塗料にて被覆した
基板３１を用意し、その基板上に表示画素４９と同じピ
ッチのストライプ状のＭｇ−Ａｇ金属層を形成し、その
上に銀ペーストを塗布し、その金属層のストライプと１
層目のＩＴＯ電極４２のストライプ方向とが直交するよ
うに配設して、Ｍｇ−Ａｇ金属層上の銀ペーストと表示
画素４９の陰極層４７とを接続した。また、基板周囲の
表示部以外の領域に所定の径の厚み制御部材を有するシ
ール用のエポキシ接着剤をディスペンサーにより塗付
し、窒素雰囲気中で基板３１と基板２１とをＥＬ素子が
密封するようにして接着固定して、封止したドットマト
リクス型のＥＬ発光素子を得た。

【００５３】（実施例３）図１４に示した工程により図
１０に示すドットマトリクス型のＥＬ発光素子７０を作
製した。ガラス基板の上に酸化クロム、クロム、Ａｌを
順次スパッタ法により積層し、それをフォトリソグラフ
ィ法によりパターン化して厚さ０．０８ミクロンの補助
電極層５２を形成した。その上にスパッタ法によりＩＴ
Ｏ透明電極からなる第１電極層５３を０．２ミクロン形
成し、各ストライプ幅が０．３ｍｍ、ストライプ間隔が
０．０３ｍｍとなるようにフォトリソグラフィ法により
ストライプ状にパターン化した。次にフォトレジストを
塗布し、塗布後に実施するレジストの仮焼成温度を高く
して基板との密着性を高めた後、フォトリソグラフィー
法により図１３に示したように突出電極部５２ｂの一方
の側面をまたぐ位置及びストライプ状の第１電極層５３
間の位置にフォトレジスト５４を形成した。

【００５４】次にフォトレジスト５４を形成した基板表
面に紫外線硬化樹脂をスピンナーにより塗布し、紫外線
硬化樹脂を形成した面と反対側のガラス基板面側からフ
ォトマスクを用いることなく全面に紫外線光を照射し
た。紫外線光を照射する際に、ガラス基板５１を透過す
る紫外線光が、補助電極５２の突出電極部５２ｂ上のフ
ォトレジスト５４ａを形成した側面側からフォトレジス
ト５４ａを形成していない側面側に向かって進行するよ
うに斜め方向から照射した。これにより基板表面側の裾
野が広がった傾斜面５５ｂを有する紫外線硬化樹脂層５
５を０．８ミクロンの厚さに形成することができた。続
いてマスク等を用いることなく表示領域の全面に２層目
のＩＴＯ膜をスパッタ法により０．３ミクロン形成し、
フォトレジスト５４を除去して第２電極層５６を形成し
てストライプ状にパターニングしたＥＬ素子基板５１を
得た。

【００５５】次に前記ＥＬ素子基板を洗浄し、熱処理を
施した。この基板に表示領域の略全面にホール輸送層と
してＴＰＤ０．０５ミクロン及び発光層としてＡｌＱ３
０．０５ミクロンを連続して蒸着して有機物発光層５７
を該基板全面に形成した。引き続いて、マグネシウムと
銀とを体積比で２０：１の割合で共蒸着して陰極層５８
をモニター値で０．１ミクロンの厚みにて形成する第２
工程を実施して、ＥＬ素子５０を作製した。なお、絶縁
性材料層である紫外線硬化樹脂層５５は０．８ミクロン
であり、有機物発光層４６と陰極層４７の合計厚み０．
２ミクロンよりも厚く形成している。こうして有機ＥＬ
素子５０を得た。

【００５６】金属板の表面を黒色絶縁塗料にて被覆した
基板６１を用意し、その基板上に表示画素５９と同じピ
ッチのストライプ状のＡｌ金属層を形成し、その上に銀
ペーストを塗布し、その金属層のストライプと１層目の
ＩＴＯ第１電極層５３のストライプ方向とが直交するよ
うに配設して、Ａｌ金属層上の銀ペーストと表示画素５
９の陰極層５８とを接続した。また、基板周囲の表示部
以外の領域には、所定の径とした厚み制御部材を有する
シール用のエポキシ接着剤をスクリーン印刷法により塗
付形成し、前記した実施例と同様に外部電極基板６０と
ＥＬ素子５０の基板５１とを密封するように接着固定し
て、両基板間隔を所定の均一厚みとして封止したドット
マトリクス型のＥＬ発光素子７０を得た。

【００５７】実施例１、２、３にて作製した各ＥＬ素子
２０、４０、５０のストライプ状のＩＴＯ電極層２２、
４２、５３を陽極として、各ＥＬ素子の複数の表示画素
２７、４９、５９の陰極層２６、４８、５８にプローブ
針を接触させて、６Ｖで直流電流を流すと各表示画素毎
に発光が観察された。この際に隣接する表示画素が発光
することはなかった。また、各ＥＬ素子２０、４０、５
０の表示画素２７、４９、５９の陰極層２６、４８、５
８と外部電極基板３０、３０、６０のストライプ状の陰
極接続用電極３３、３３、６２を夫々接続して形成した
ドットマトリクス型のＥＬ発光素子に、ＩＴＯ電極を陽
極とし、外部電極基板の陰極接続用電極を陰極として、
ストライプ毎に６Ｖで直流を流すと、選択したストライ
プに対応する各表示画素２７、４９、５９毎に発光が観
察され、選択しない表示画素は発光しなかった。また、
発光面は均一で、いずれの実施例においても良好なパタ
ーン精度の均一発光が得られた。

【００５８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のＥＬ素子
は、有機物発光層を形成する前の第１工程で形成してお
いたＥＬ素子基板の絶縁性材料層等の側面段差を利用し
てパターン化することができる。これにより有機物発光
層および有機物発光層を形成した後に、エッチング加工
を施したり、蒸着マスクを介して表示画素をパターン形
成したりするなどの微細化を阻害する工程を用いる必要
がなくなる。また、有機物発光層とその上に形成する電
極層を単に連続して蒸着するなどの工程で形成できるの
で、非常に簡単であると共に、両者の界面が汚染される
ことがなく、ゴミ等の付着による不良も低減することが
できる。特に第１工程で形成したＥＬ素子基板には有機
物発光層等が形成されていないので、該基板を念入りに
洗浄することができ、その洗浄直後の基板に有機物発光
層および電極層を連続して形成しているので、ゴミによ
る不良が著しく低減した。これにより有機ＥＬ素子にお
いて問題となっていたダークスポットの発生も減少し
た。

【００５９】また、本発明のＥＬ素子は各表示画素毎に
表面に独立した電極層を有するものとなるので、この電
極層と他に準備した電極とを接続することで簡単にドッ
トマトリクス表示を得ることができる。また、本発明の
ＥＬ素子の製造方法によれば、有機物発光層を形成する
前の基板段階の工程でパターン化を実施するものである
から、公知のフォトリソグラフィ法などを用いて微細な
パターンを精度よく作成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の電界発光素子および外部電極基板の
概略斜視図である。

【図２】 図１の電界発光素子の製造工程を説明する断
面図である。

【図３】 図１の電界発光素子の製造工程を説明する断
面図である。

【図４】 図１の電界発光素子の製造工程を説明する断
面図である。

【図５】 図１のドットマトリクス型の電界発光素子を
説明する概略断面図である。

【図６】 本発明の他の電界発光素子を説明する概略斜
視図である。

【図７】 図６の電界発光素子の製造工程を説明する断
面図である。

【図８】 図６の電界発光素子の製造工程を説明する断
面図である。

【図９】 図６の電界発光素子の製造工程を説明する断
面図である。

【図１０】 本発明の更に他の電界発光素子を説明する
概略斜視図である。

【図１１】 図１０の電界発光素子の製造工程を説明す
る要部の平面図である。

【図１２】 図１０の電界発光素子の製造工程を説明す
る要部の平面図である。

【図１３】 図１０の電界発光素子の製造工程を説明す
る要部を拡大して示す平面図である。

【図１４】 図１０の電界発光素子の製造工程を説明す
る概略断面図である。

【図１５】 従来の有機ＥＬ発光素子の概略断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 透明電極 ３ 有機物発光層 ４ 金属電極 ２０，４０，５０ ＥＬ発光素子 ２１，３１，５１ ＥＬ素子基板 ２２ 第１絶縁性材料層 ２３，４２，５３ 第１電極層 ２４ 第２絶縁性材料層 ２５，４６，５７ 有機物発光層 ２６，４７，５８ 陰極層 ２７，４９，５９ 表示画素 ３０ 外部基板 ３３ 陰極接続用電極 ４３，５５ 絶縁性材料層 ７０，７１ ドットマトリクスＥＬ素子 ８０ エポキシ接着剤 ８１ 厚み制御部材

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に仕事関数の異なる一対の電極間
   に挟まれた有機物発光層を有する電界発光素子におい
   て、 前記基板上には、有機物発光層と第２電極層との合計厚
   み以上の厚さを有する第１絶縁性材料層と、該絶縁性材
   料層上に形成された第１電極層とを有し、両層は所定パ
   ターンに形成され、 前記第１電極層上の表示画素となる領域以外の箇所に
   は、有機物発光層と第２電極層との合計厚み以上の厚さ
   を有する第２絶縁性材料層が形成され、 前記第１電極層上の表示画素となる領域には、有機物発
   光層および第１電極層と仕事関数の異なる第２電極層が
   順に積層されている、ことを特徴とする電界発光素子。
2. 【請求項２】 基板上に仕事関数の異なる一対の電極間
   に挟まれた有機物発光層を有する電界発光素子におい
   て、 前記基板上には、所定パターンとした第１電極層が形成
   され、 該第１電極層の上の表示画素となる領域には、有機物発
   光層と第３電極層との合計厚み以上の厚さを有する絶縁
   材料層が形成されており、少なくとも前記絶縁性材料層
   表面及び絶縁性材料層の側面もしくは絶縁性材料層に必
   要に応じ設けた貫通孔内面には、第２電極層が形成され
   て、第１電極層と第２電極層が絶縁性材料層を挟むよう
   にして電気的に接続されており、 前記絶縁性材料層の上に形成した第２電極層上には有機
   物発光層および第２電極層と仕事関数の異なる第３電極
   層が順に積層されている、ことを特徴とする電界発光素
   子。
3. 【請求項３】 前記請求項１または請求項２記載の電界
   発光素子を形成した基板と、所定のパターンに形成した
   電極を有する外部電極基板とを対向配設し、 前記電界発光素子を形成した基板の表示画素となる領域
   表面の電極層と前記外部電極基板の電極とが電気的に接
   続するように相対向させて電界発光素子基板と外部電極
   基板とを接着したこと、を特徴とする電界発光素子。
4. 【請求項４】 前記表示画素となる領域の表面に形成さ
   れている電極層が陰極であること、を特徴とする請求項
   １から請求項３のいずれか記載の電界発光素子。
5. 【請求項５】 前記請求項３の記載の電界発光素子であ
   って、電界発光素子基板と外部電極基板とを、所定の径
   の厚み制御部材を混入した接着剤により接着したこと、
   を特徴とする電界発光素子。
6. 【請求項６】 前記請求項３または請求項５記載の電界
   発光素子であって、 前記電界発光素子基板に形成した電極層および外部電極
   基板に形成した電極層がストライプ状のパターンに形成
   され、且つ両基板に形成したストライプ状の電極層パタ
   ーンが直交するように対向して配設されていること、を
   特徴とするドットマトリクス電界発光素子。
7. 【請求項７】 前記請求項３、請求項５または請求項６
   の記載の電界発光素子であって、外部電極基板に形成さ
   れた電極層が低抵抗金属材料により形成され、 前記電界発光素子を形成した基板の表示画素となる領域
   表面の電極層が電子注入性電極により形成されているこ
   と、を特徴とする電界発光素子。
8. 【請求項８】 絶縁性の基板を準備する工程と、 該基板上に有機物発光層と第２電極層との合計厚み以上
   の厚さとした第１絶縁性材料層と第１電極層を形成する
   工程と、 前記第１電極層上の表示画素となる領域以外の箇所に、
   有機物発光層と第２電極層との合計厚み以上の厚さを有
   する第２絶縁性材料層を形成する工程と、 前記第１絶縁性材料層、第１電極層および第２絶縁性材
   料層を所定のパターンに形成する工程とを有する第１工
   程と、 第１工程で所定のパターンを形成した基板表面の略全面
   に有機物発光層および第２電極層を順に積層する第２工
   程を有すること、を特徴とする電界発光素子の製造方
   法。
9. 【請求項９】 絶縁性の基板を準備する工程と、 該基板上に第１電極層を形成する工程と、 前記第１電極層上の表示画素となる領域に、有機物発光
   層と第３電極層との合計厚み以上の厚さを有する絶縁性
   材料層を形成する工程と、 前記第１電極層および絶縁性材料層を所定のパターンに
   形成する工程と、少なくとも前記絶縁性材料層表面及び
   絶縁性材料層の側面もしくは絶縁性材料層に必要に応じ
   設けた貫通孔内面に第２電極層を形成して、第１電極層
   と第２電極層が絶縁性材料層を挟むようにして電気的に
   接続する工程とを有する第１工程と、 第１工程で所定のパターンを形成した基板表面の略全面
   に有機物発光層および第２電極層を順に積層する第２工
   程を有すること、を特徴とする電界発光素子の製造方
   法。
10. 【請求項１０】 前記請求項１または請求項２記載の電
    界発光素子を形成した基板を準備する工程と、所定のパ
    ターンに形成した電極を有する外部電極基板を準備する
    工程と、 前記電界発光素子を形成した基板の表示画素となる領域
    表面の電極層と前記外部電極基板の電極とが電気的に接
    続するように相対向させる工程と、 両基板を接着する工程を有すること、を特徴とする電界
    発光素子の製造方法。