JP3978456B2 - 発光ダイオード実装基板 - Google Patents
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Description
(1)絶縁層と、該絶縁層の一面に積層された厚さ50〜500μmの放熱用支持フィルムと、該絶縁層の他面に設けられた導体層とを有し、該絶縁層と該導体層とを貫通する第1貫通孔が設けられた底部基板、
該第1貫通孔の内部において該放熱用支持フィルムに接合された発光ダイオード素子、 該底部基板の他面のうちの該第1貫通孔の開口部を除く部分に積層され、且つ該第1貫通孔の開口面の全面と連通する第2貫通孔を有する絶縁性中間層、及び該絶縁性中間層の表面のうちの該第2貫通孔の開口部を除く部分に積層され、且つ該第2貫通孔の開口面の全面と連通する第3貫通孔を有する上部基板、を備え、
該底部基板と該上部基板とは電気的に絶縁されていることを特徴とする発光ダイオード実装基板。
(2)上記底部基板と上記絶縁性中間層との間、及び該絶縁性中間層と上記上部基板との間に、絶縁性接着層が介装されている上記(1)に記載の発光ダイオード実装基板。
(3)上記絶縁性中間層に、上記発光ダイオード素子を点灯させ、且つ制御するための回路が配設されている上記(1)又は(2)に記載の発光ダイオード実装基板。
(4)上記上部基板に、上記発光ダイオード素子を点灯させ、且つ制御するための回路が配設されている上記(1)乃至(3)のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
(5)上記第2貫通孔は上記第1貫通孔より大径であり、該第2貫通孔と上記第3貫通孔とは同径であって、且つ該第1貫通孔と、該第2貫通孔と、該第3貫通孔とが軸を同じくしている上記(1)乃至(4)のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
(6)上記第1貫通孔内に露出された上記放熱用支持フィルムの表面に反射層を備える上記(1)乃至(5)のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
(7)上記放熱用支持フィルムが銅フィルムからなる上記(1)乃至(6)のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
(8)上記上部基板上に設けられ、且つ少なくとも上記第3貫通孔の開口面を覆うレンズを備える上記(1)乃至(7)のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
(9)上記第1貫通孔の内部において上記放熱用支持フィルムに複数の発光ダイオード素子が接合されている上記(1)乃至(8)のうちのいずれか1項に記載の発光ダイオード実装基板。
(10)上記発光ダイオード素子は3種を備え、このうちの1種は赤色発光ダイオード素子であり、他の1種は緑色発光ダイオード素子であり、更に他の1種は青色発光ダイオード素子である上記(1)乃至(9)のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
(11)上記第1貫通孔の内壁面及び上記第3貫通孔の内壁面のうちの少なくとも一方が、上記底部基板の一面側から上記上部基板の表面側へと傾斜面になっている上記(1)乃至(10)のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
(12)上記第1貫通孔の内壁面及び上記第3貫通孔の内壁面のうちの少なくとも一方に反射層が設けられている上記(1)乃至(11)のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
(13)上記第1貫通孔の内壁面及び上記第3貫通孔の内壁面のうちの該第1貫通孔の内壁面のみに反射層が設けられ、且つ上記上部基板は透光性を有する上記(1)乃至(12)に記載の発光ダイオード実装基板。
(14)上記各貫通孔のうちの少なくとも該第1貫通孔内に、上記発光ダイオード素子が埋設されるように充填された充填材を備える上記(1)乃至(13)のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
(15)上記絶縁性中間層に、上記発光ダイオード素子を点灯させ、且つ制御するための回路が配設され、
上記第2貫通孔は上記第1貫通孔より大径であり、該第2貫通孔と上記第3貫通孔とは同径であって、且つ該第1貫通孔と、該第2貫通孔と、該第3貫通孔とが軸を同じくしており、
該第1貫通孔の内部において上記放熱用支持フィルムに複数の発光ダイオード素子が接合されており、該各貫通孔のうちの少なくとも該第1貫通孔内に、該発光ダイオード素子が埋設されるように充填された充填材を備え、
更に、上記上部基板上に設けられ、且つ少なくとも上記第3貫通孔の開口面を覆うレンズを備える上記(1)に記載の発光ダイオード実装基板。
(16)上記第1貫通孔の内壁面及び上記第3貫通孔の内壁面のうちの該第1貫通孔の内壁面のみに反射層が設けられ、且つ上記上部基板は透光性を有し、
上記第2貫通孔は該第1貫通孔より大径であり、該第2貫通孔と該第3貫通孔とは同径であって、且つ該第1貫通孔と、該第2貫通孔と、該第3貫通孔とが軸を同じくしており、
該第1貫通孔の内部において上記放熱用支持フィルムに複数の発光ダイオード素子が接合されており、該各貫通孔のうちの少なくとも該第1貫通孔内に、該発光ダイオード素子が埋設されるように充填された充填材を備え、
更に、該上部基板上に設けられ、且つ少なくとも該第3貫通孔の開口面を覆うレンズを備える上記(1)に記載の発光ダイオード実装基板。
(17)上記充填材は、該充填材中においてマトリックスとなっている透光性樹脂を含有し、且つ、該透光性樹脂中に分散された透光性粒子を含有する上記(14)乃至(16)のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
(18)上記透光性粒子は、不純物を含有した石英ガラス粒子である上記(17)に記載の発光ダイオード実装基板。
(19)上記充填材は、該充填材中においてマトリックスとなっている透光性樹脂を含有し、且つ、該透光性樹脂中に分散された蛍光体を含有する上記(14)乃至(18)のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
(20)上記底部基板と上記絶縁性中間層との間、及び該絶縁性中間層と上記上部基板との間に、絶縁性接着層が介装され、上記第1貫通孔の内壁面及び上記第3貫通孔の内壁面のうちの少なくとも一方が、該底部基板の一面側から該上部基板の表面側へと傾斜面になっており、該第1貫通孔の該内壁面及び該第3貫通孔の該内壁面のうちの少なくとも一方に反射層が設けられており、該第2貫通孔は該第1貫通孔より大径であり、該第2貫通孔と該第3貫通孔とは同径であって、且つ該第1貫通孔と、該第2貫通孔と、該第3貫通孔とが軸を同じくしている上記(1)に記載の発光ダイオード実装基板。
(21)上記発光ダイオード素子として、青色発光ダイオード素子を備え、
上記蛍光体として、黄色蛍光能を有する蛍光体を含有し、
更に、上記充填材の上部表面に、透光性樹脂と、該透光性樹脂内に分散されて含有された赤色蛍光能を有する蛍光体と、を含有する赤色フィルタ層を備える上記(15)又は(16)に記載の発光ダイオード実装基板。
(22)上記発光ダイオード素子として、青色発光ダイオード素子を備え、
上記蛍光体として、黄色蛍光能を有する蛍光体を含有し、
上記透光性を有する上記上部基板及び/又は上記レンズは、赤色に着色されている上記(15)又は(16)に記載の発光ダイオード実装基板。
また、底部基板と絶縁性中間層との間、及び絶縁性中間層と上部基板との間に、絶縁性接着層が介装されている場合は、底部基板と上部基板とを電気的に絶縁することが容易であり、且つ絶縁性中間層を機能等の異なる回路が配設された基板として用いることもできる。
更に、絶縁性中間層及び/又は上部基板に、LED素子を点灯させ、且つ制御するための回路が配設されている場合は、LED素子の点灯、消灯等の複雑な制御などが可能となり、より広範な用途において用いることができるLED実装基板とすることができる。
また、放熱用支持フィルムが銅フィルムからなる場合は、基板の昇温を十分に抑えることができるため、より多くのLED素子を実装することができ、且つ各々のLED素子の輝度を高くすることもできる。
更に、第1貫通孔の内部において放熱用支持フィルムに複数のLED素子が接合されている場合は、より多くの出力光が得られ、容易に輝度の高いLED実装基板とすることができ、更には所要の出力光を得る場合、LED実装基板を容易により小型化することもできる。
また、第1貫通孔の内壁面及び第2貫通孔の内壁面のうちの少なくとも一方が、底部基板の一面側から上部基板の上面側へと傾斜面になっている場合は、出力光の集光が容易となり、特に、反射層が設けられているときは、出力光の集光がより容易になり、更に輝度の高いLED実装基板とすることができる。
更に、第1貫通孔の内壁面及び第2貫通孔の内壁面のうちの少なくとも一方に反射層が設けられている場合は、出力光を集光させることができ、より輝度の高いLED実装基板とすることができる。
また、第1貫通孔の内壁面及び第3貫通孔の内壁面のうちの第1貫通孔の内壁面のみに反射層が設けられ、且つ上部基板は透光性を有する場合は、無効光を効率よくLED実装基板からの発光光に変換でき、特に高効率且つ高輝度のLED実装基板とすることができる。
また、絶縁性中間層に、LED素子を点灯させ、且つ制御するための回路が配設され、第2貫通孔は第1貫通孔より大径であり、第2貫通孔と第3貫通孔とは同径であって、且つ第1貫通孔と、第2貫通孔と、第3貫通孔とが軸を同じくしており、第1貫通孔の内部において放熱用支持フィルムに複数のLED素子が接合されており、各貫通孔のうちの少なくとも第1貫通孔内に、LED素子が埋設されるように充填された充填材を備え、更に、上部基板上に設けられ、且つ少なくとも第3貫通孔の開口面を覆うレンズを備える場合は、上記各特性を有しつつ、特に高効率且つ高輝度で、指向性に優れた又は広角性に優れた発光が得られる信頼性に優れたLED実装基板を得ることができる。
また、充填材が充填材中においてマトリックスとなっている透光性樹脂を含有し、且つ、透光性樹脂中に分散された透光性粒子を含有する場合は、特に高輝度なLED実装基板を得ることができる。
充填材が充填材中においてマトリックスとなっている透光性樹脂を含有し、且つ透光性樹脂中に分散された蛍光体を含有する場合は、LED素子だけでなく、蛍光体に起因する蛍光光を含む各種の発光が得られるLED実装基板とすることができる。
また、底部基板と絶縁性中間層との間、及び絶縁性中間層と上部基板との間に、絶縁性接着層が介装され、第1貫通孔の内壁面及び第2貫通孔の内壁面のうちの少なくとも一方が、底部基板の一面側から上部基板の表面側へと傾斜面になっており、第1貫通孔の内壁面及び第2貫通孔の内壁面のうちの少なくとも一方に反射層が設けられており、第2貫通孔は第1貫通孔より大径であり、第2貫通孔と第3貫通孔とは同径であって、且つ第1貫通孔と、第2貫通孔と、第3貫通孔とが軸を同じくしている場合は、上記の各々の構成による効果が得られるとともに、第1貫通孔、第2貫通孔及び第3貫通孔の各々の断面を任意の形状とすることができ、外観等の異なる照明などとして有用なLED実装基板とすることができる。
LED素子として、青色LED素子を備え、蛍光体として、黄色蛍光能を有する蛍光体を含有し、透光性を有する上部基板及び/又はレンズは、赤色に着色されている場合は、上記各特性を有しつつ、演色性に優れたより自然な白色光を発するLED実装基板とすることができる。
本発明のLED実装基板1は、絶縁層と、絶縁層の一面に積層された厚さ50〜500μmの放熱用支持フィルム4と、絶縁層の他面に設けられた導体層5とを有し、絶縁層と導体層5とを貫通する第1貫通孔が設けられた底部基板11と、底部基板11の第1貫通孔の内部において放熱用支持フィルム4に接合された発光ダイオード素子2と、底部基板11の他面に積層された絶縁性中間層12と、絶縁性中間層12の表面に積層された上部基板13と、を備え、底部基板11と上部基板13とは電気的に絶縁されている。
この底部基板11と上部基板13とが電気的に絶縁されているとは、各々の基板の間に絶縁性中間層12が設けられ、これによって底部基板11と上部基板13とが電気的に絶縁されているという意味である(図3〜5、図8〜27、図32、図34、図36及び図37参照)。また、この絶縁性中間層12は、絶縁性接着層8によって底部基板11及び上部基板13と積層できる。(図3〜5、図8〜27、図32、図34、図36及び図37参照)
樹脂を用いる場合、樹脂の種類は特に限定されないが、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェニレン樹脂、フェニレンエーテル樹脂及びフェノール樹脂等の絶縁性樹脂が挙げられる。これらのなかではエポキシ樹脂が好ましい。絶縁性、取扱い性及び汎用性に優れているからである。樹脂を用いた絶縁層は、例えば、ガラスクロス等の基材にエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂のワニスを含浸させ、これを乾燥してプリプレグとし、このプリプレグを加熱し、樹脂を硬化させて形成(以下、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させ硬化させた基板を、単に「ガラスエポキシ基板」ということもある。)することができる。
尚、窒化アルミニウムを用いて製造した絶縁層は透光性を有し、表面に、例えば、銀等をめっきすることによって容易に反射効率を向上させることができる。
底部基板の厚さは特に限定されず、100〜4000μm、特に300〜3000μm、更に500〜2500μmとすることができる。
放熱用支持フィルム4となる厚い金属箔、絶縁層となるプリプレグ及び配線パターン等を形成するための導体層5となる金属箔を、この順に積層し、その後、所定の温度及び圧力で加熱、加圧し、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を硬化させ、底部基板11とすることができる。温度及び圧力は絶縁性樹脂の種類等にもよるが、温度は150〜180℃、圧力は真空プレスの通常の圧力である約3MPa、とすることができる。尚、加熱、加圧の時間も特に限定されず、この時間は温度及び圧力等によもよるが、50〜80分間とすることができる。
この第2貫通孔の内壁面にも、必要に応じて、第1貫通孔の場合と同様に、反射層を設けることができ、傾斜面とすることもできる。更に、傾斜面とし、且つこの傾斜面に反射層を設けることもできる。
このように、絶縁性中間層12に回路を備える場合であって、特に絶縁性中間層12の上面側に回路を備える場合は、いわゆる片面銅貼積層を絶縁性中間層12として用いることもできる。
上部基板13の厚さは特に限定されず、100〜4000μm、特に300〜3000μm、更に500〜2500μmとすることができる。
また、この上部基板13は後述する充填材100を充填する際には、充填材100が他部へ流れ出さないように保持するための、保持枠としての機能を有することができる。
ボンディングワイヤ9を充填材内に埋設するには、上記絶縁性中間層の厚さにもよるが、通常、上記第1貫通孔内と共に上記第2貫通孔内にも充填材を充填することとなる。
上記「透光性樹脂」は、透光性を有する樹脂である。その透光性は可視光に対する透光性であり、特に300〜950nmの波長の光について60%以上(より好ましくは70〜95%、更に好ましくは75〜95%、特に好ましくは75〜90%)の透光率であることが好ましい。
この透光性樹脂101を構成する樹脂は特に限定されない。透光性樹脂101としては、エポキシ樹脂及びシリコン樹脂等が挙げられる。これらは1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。充填材100に含有される透光性樹脂101の含有量は特に限定されないが、充填材100全体を100体積%とした場合に10〜100体積%(更に13〜100体積%、より更に20〜100体積%、特に30〜100体積%)とすることができる。尚、通常、上記透光性樹脂を用いるが、透光性樹脂に換えて液体ガラスを用いることもできる。
上記「透光性粒子」は、透光性を有する粒子である。透光性粒子102を含有することにより、LED素子2から放射された光をより効率よく、底部基板11から上部基板13の方向へ放射させることができる。その透光性は可視光に対する透光性であり、特に300〜950nmの波長の光について5%以上(より好ましくは10〜50%、更に好ましくは20〜60%)の透光率であることが好ましい。この透光性粒子102は、無機材料からなる粒子であってもよく、有機材料からなる粒子であってもよいが、無機材料からなる粒子であることが好ましい。通常、より高い透光性が得られるからである。
この金属酸化物などの不純物の含有割合は特に限定されないが、通常、透光性粒子102全体を100質量%とした場合に0.01〜0.2質量%(好ましくは0.05〜0.2質量%、より好ましくは0.1〜0.15質量%)である。
また、透光性粒子102の含有量も特に限定されないが、通常、充填材100全体を100質量%とした場合に0.01〜50質量%(より好ましくは1〜45質量%、更に好ましくは10〜45質量%、より更に好ましくは20〜43質量%、特に好ましくは25〜42質量%、より特に好ましくは30〜40質量%)とすることが好ましい。
蛍光体103を含有する場合には、LED素子2から直接放射された色以外の光色も得ることができる。即ち、例えば、青色LED素子を備える場合に、黄色蛍光能を有する蛍光体103を用いることで黄色の光が得られ、青色との混色により白色として視認される光が得られる。
尚、蛍光体103の大きさ及び形状等は特に限定されないが、通常、平均粒径30〜200μm(より好ましくは40〜150μm、特に好ましくは45〜147μm)であることが好ましい。また、その形状は、通常、球状及び/又は不定形粒子状である。
レンズ200は、例えば、上部基板11上に設けられ、且つ少なくとも第3貫通孔の開口面を覆う別体のレンズ200を備えることができる(図21〜27、図32、図34、図36及び図37参照)。また、上記充填材100の上端がレンズ形状に形成されることによって充填材100と一体のレンズを備えることもできる。これらのうちでは別体のレンズ200を用いることが好ましい。レンズ形状を精度良く自由に選択することができるからである。
一方、より狭角なレンズ200を備えることにより視野角が狭い指向性に優れた(例えば、視野角が90度未満、特に70〜80度)LED実装基板を得ることができる(図27参照)。
尚、レンズ200の配設方法に関わらず、レンズ200を備えることにより貫通孔内の防塵及び防水の効果を得ることができ、長期信頼性に優れたLED実装基板1を得ることができる。また、レンズ200を構成する材質については従来公知の光学レンズを用いることができ、樹脂レンズであってもよく、ガラスレンズであってもよい。
また、図36に示すように、青色LED素子2を備え、且つ黄色蛍光能を有する蛍光体103を含有する充填材100を用いたLED実装基板1においては、充填材100の上部表面に、透光性樹脂151と、透光性樹脂内に分散されて含有された赤色蛍光能を有する蛍光体(赤色蛍光体)152と、を含有する赤色フィルタ層150を備えることで、ピンク色〜紫色(特にピンク色〜赤紫色)に発光するLED実装基板が得られる。上記赤色蛍光体としては前述の赤色蛍光体をそのまま適用できる。
従って、本発明のLED実装基板は、耐久性が高いピンク色〜紫色(特にピンク色〜赤紫色)に発光するLED実装基板とすることができる。
一方、LED素子2から赤色フィルタ層150までの距離が3〜8mm(更には5〜8mm)と遠い場合には赤色蛍光体152としては酸化イットリウム系蛍光体(Y2O2S:Eu、Y2O3:Eu等)を用いることが好ましい。
底部基板11、及び上部基板13を前記のようにして作製する。その後、絶縁性中間層1の絶縁層の両面に前記のように絶縁性接着層8となる未硬化接着層を形成する。次いで、底部基板11と絶縁性中間層の一方の面の未硬化接着層とを当接させ、上部基板11と絶縁性中間層の絶縁層の他方の面の未硬化接着層とを当接させて積層する。その後、例えば、150〜180の温度、真空プレスの通常の圧力である約3MPaの圧力で、加熱、加圧し、一体の積層体とする。加熱、加圧の時間は特に限定されず、温度及び圧力等によもよるが、50〜80分間とすることができる。
尚、底部基板、絶縁性中間層及び上部基板の各々を、LED実装基板の所定寸法より大きく形成し、その後、ダイシングにより個片化して複数の積層体とし、次いで、LED素子を実装し、ボンディングワイヤを配置することで、複数のLED実装基板を効率よく製造することもできる。
図33に示す回路は、第1貫通孔内に収められた3種(例えば、RGBの3色)のLED素子(点線で囲んだ範囲の3つのLED素子が1つの第1貫通孔内に配置される)を備える。各LED素子は同種(発光色、制御、形状、大きさなど)毎に直列に接続されている。これらは個別のチップに搭載されたLED素子同士を接続して形成してもよく、すべてのLED素子を1つのLED実装基板内に有する基板を用いてもよい。
実施例1
(1)底部基板
ガラスクロスにエポキシ樹脂が含浸され、硬化されてなる厚さ800μmの絶縁層の両面に、厚さ50μmの銅箔が積層された市販の両面銅張積層板から所要寸法の正方形の積層体を切り出した。その後、この積層体に、ドリル加工によって等間隔に複数個の第1貫通孔を形成した。この第1貫通孔は直径が1540μmの円筒形の貫通孔とした。次いで、導体層5(銅箔)にサブトラクティブ法により電極3を有する配線パターンを形成した。その後、ガラスクロスにエポキシ樹脂が含浸された厚さ40μmのプリプレグを作製し、このプリプレグを、積層体の一面側の第1貫通孔の開口部を除く部分に積層した。次いで、積層体の一面に上記のプリプレグを介して放熱用支持フィルム4となる厚さ105μmの銅箔を積層した。その後、第1貫通孔の内壁面及び放熱用支持フィルム4の表面のうちの第1貫通孔が開口している部分に厚さ18μmの銅めっき層を形成し、この銅めっき層の表面に厚さ2μmの電解銀めっき層を形成し、反射層6を作製した。
尚、積層体の一面に積層されていた導体層5(銅箔)は、プリプレグの積層前に予め除去しておいた。
ガラスクロスにエポキシ樹脂が含浸され、硬化されてなる厚さ200μmの絶縁体から上記(1)の底部基板と同寸法の正方形の積層体を切り出した。その後、この積層体に、ドリル加工によって、上記(1)における第1貫通孔に対応する位置に、直径3010μmの円筒形の第2貫通孔を形成した。次いで、ガラスクロスにエポキシ樹脂が含浸された厚さ40μmのプリプレグを作製し、このプリプレグを、積層体の両面の第2貫通孔の開口部を除く部分に積層した。
ガラスクロスにエポキシ樹脂が含浸され、硬化されてなる厚さ600μmの絶縁層の両面に、厚さ50μmの銅箔が積層された市販の両面銅張積層板から上記(1)の底部基板及び上記(2)の絶縁性中間層となる積層体と同寸法の正方形の積層体を切り出した。その後、この積層板に、ドリル加工によって、上記(2)における第2貫通孔に対応する位置に、第2貫通孔と同じ直径の円筒形の第3貫通孔を形成した。次いで、第3貫通孔の内壁面に厚さ18μmの銅めっき層を形成し、この銅めっき層の表面に厚さ2μmの電解銀めっき層を形成し、反射層6を作製した。
上記(1)の底部基板11の他面に、第1貫通孔と第2貫通孔とが同心円状となるように、上記(2)の積層体の一面側を積層し、この積層体の他面側に、上記(3)の上部基板13の一面側を、第2貫通孔と第3貫通孔とが同心円状となるように積層し、その後、温度120℃、圧力3MPaで、60分間加熱、加圧して、底部基板11となる積層体と、絶縁性中間層となる積層体と、上部基板13とを一体に接合した。次いで、第1貫通孔の内部の径方向の中心部において、放熱用支持フィルム4(銅箔)の表面に青色発光LED素子2をエポキシ樹脂により接合し、その後、金線からなるボンディングワイヤ9によりLED素子の電極端子と底部基板11に形成された電極3とを接続した。次いで、第1貫通孔、第2貫通孔及び第3貫通孔に、封止樹脂としてエポキシ樹脂を充填し(図示せず)、各々のLED素子2の上部に封止樹脂からなる凸レンズを形成し、図4に示す断面形状を有する複数のLED実装基板1を製造した。
また、本明細書内で述べた赤、青及び緑の各々の光の波長は厳密に定められているものではないが、本明細書では、通常、赤は620〜650nm、青は460〜470nm、緑は520〜560nmである。
更に、本発明には含まれないが、図35に示すように、絶縁性中間層を備えず、上部基板13が透光性であって、本発明にいう充填材100及びレンズ200を備えるLED実装基板が有用であることはいうまでもない。
Claims (22)
- 絶縁層と、該絶縁層の一面に積層された厚さ50〜500μmの放熱用支持フィルムと、該絶縁層の他面に設けられた導体層とを有し、該絶縁層と該導体層とを貫通する第1貫通孔が設けられた底部基板、
該第1貫通孔の内部において該放熱用支持フィルムに接合された発光ダイオード素子、 該底部基板の他面のうちの該第1貫通孔の開口部を除く部分に積層され、且つ該第1貫通孔の開口面の全面と連通する第2貫通孔を有する絶縁性中間層、及び該絶縁性中間層の表面のうちの該第2貫通孔の開口部を除く部分に積層され、且つ該第2貫通孔の開口面の全面と連通する第3貫通孔を有する上部基板、を備え、
該底部基板と該上部基板とは電気的に絶縁されていることを特徴とする発光ダイオード実装基板。 - 上記底部基板と上記絶縁性中間層との間、及び該絶縁性中間層と上記上部基板との間に、絶縁性接着層が介装されている請求項1に記載の発光ダイオード実装基板。
- 上記絶縁性中間層に、上記発光ダイオード素子を点灯させ、且つ制御するための回路が配設されている請求項1又は2に記載の発光ダイオード実装基板。
- 上記上部基板に、上記発光ダイオード素子を点灯させ、且つ制御するための回路が配設されている請求項1乃至3のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
- 上記第2貫通孔は上記第1貫通孔より大径であり、該第2貫通孔と上記第3貫通孔とは同径であって、且つ該第1貫通孔と、該第2貫通孔と、該第3貫通孔とが軸を同じくしている請求項1乃至4のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
- 上記第1貫通孔内に露出された上記放熱用支持フィルムの表面に反射層を備える請求項1乃至5のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
- 上記放熱用支持フィルムが銅フィルムからなる請求項1乃至6のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
- 上記上部基板上に設けられ、且つ少なくとも上記第3貫通孔の開口面を覆うレンズを備える請求項1乃至7のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
- 上記第1貫通孔の内部において上記放熱用支持フィルムに複数の発光ダイオード素子が接合されている請求項1乃至8のうちのいずれか1項に記載の発光ダイオード実装基板。
- 上記発光ダイオード素子は3種を備え、このうちの1種は赤色発光ダイオード素子であり、他の1種は緑色発光ダイオード素子であり、更に他の1種は青色発光ダイオード素子である請求項1乃至9のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
- 上記第1貫通孔の内壁面及び上記第3貫通孔の内壁面のうちの少なくとも一方が、上記底部基板の一面側から上記上部基板の表面側へと傾斜面になっている請求項1乃至10のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
- 上記第1貫通孔の内壁面及び上記第3貫通孔の内壁面のうちの少なくとも一方に反射層が設けられている請求項1乃至11のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
- 上記第1貫通孔の内壁面及び上記第3貫通孔の内壁面のうちの該第1貫通孔の内壁面のみに反射層が設けられ、且つ上記上部基板は透光性を有する請求項1乃至12に記載の発光ダイオード実装基板。
- 上記各貫通孔のうちの少なくとも該第1貫通孔内に、上記発光ダイオード素子が埋設されるように充填された充填材を備える請求項1乃至13のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
- 上記絶縁性中間層に、上記発光ダイオード素子を点灯させ、且つ制御するための回路が配設され、
上記第2貫通孔は上記第1貫通孔より大径であり、該第2貫通孔と上記第3貫通孔とは同径であって、且つ該第1貫通孔と、該第2貫通孔と、該第3貫通孔とが軸を同じくしており、
該第1貫通孔の内部において上記放熱用支持フィルムに複数の発光ダイオード素子が接合されており、該各貫通孔のうちの少なくとも該第1貫通孔内に、該発光ダイオード素子が埋設されるように充填された充填材を備え、
更に、上記上部基板上に設けられ、且つ少なくとも上記第3貫通孔の開口面を覆うレンズを備える請求項1に記載の発光ダイオード実装基板。 - 上記第1貫通孔の内壁面及び上記第3貫通孔の内壁面のうちの該第1貫通孔の内壁面のみに反射層が設けられ、且つ上記上部基板は透光性を有し、
上記第2貫通孔は該第1貫通孔より大径であり、該第2貫通孔と該第3貫通孔とは同径であって、且つ該第1貫通孔と、該第2貫通孔と、該第3貫通孔とが軸を同じくしており、
該第1貫通孔の内部において上記放熱用支持フィルムに複数の発光ダイオード素子が接合されており、該各貫通孔のうちの少なくとも該第1貫通孔内に、該発光ダイオード素子が埋設されるように充填された充填材を備え、
更に、該上部基板上に設けられ、且つ少なくとも該第3貫通孔の開口面を覆うレンズを備える請求項1に記載の発光ダイオード実装基板。 - 上記充填材は、該充填材中においてマトリックスとなっている透光性樹脂を含有し、且つ、該透光性樹脂中に分散された透光性粒子を含有する請求項14乃至16のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
- 上記透光性粒子は、不純物を含有した石英ガラス粒子である請求項17に記載の発光ダイオード実装基板。
- 上記充填材は、該充填材中においてマトリックスとなっている透光性樹脂を含有し、且つ、該透光性樹脂中に分散された蛍光体を含有する請求項14乃至18のうちのいずれかに記載の発光ダイオード実装基板。
- 上記底部基板と上記絶縁性中間層との間、及び該絶縁性中間層と上記上部基板との間に、絶縁性接着層が介装され、上記第1貫通孔の内壁面及び上記第3貫通孔の内壁面のうちの少なくとも一方が、該底部基板の一面側から該上部基板の表面側へと傾斜面になっており、該第1貫通孔の該内壁面及び該第3貫通孔の該内壁面のうちの少なくとも一方に反射層が設けられており、該第2貫通孔は該第1貫通孔より大径であり、該第2貫通孔と該第3貫通孔とは同径であって、且つ該第1貫通孔と、該第2貫通孔と、該第3貫通孔とが軸を同じくしている請求項1に記載の発光ダイオード実装基板。
- 上記発光ダイオード素子として、青色発光ダイオード素子を備え、
上記蛍光体として、黄色蛍光能を有する蛍光体を含有し、
更に、上記充填材の上部表面に、透光性樹脂と、該透光性樹脂内に分散されて含有された赤色蛍光能を有する蛍光体と、を含有する赤色フィルタ層を備える請求項15又は16に記載の発光ダイオード実装基板。 - 上記発光ダイオード素子として、青色発光ダイオード素子を備え、
上記蛍光体として、黄色蛍光能を有する蛍光体を含有し、
上記透光性を有する上記上部基板及び/又は上記レンズは、赤色に着色されている請求項15又は16に記載の発光ダイオード実装基板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006089520A JP3978456B2 (ja) | 2005-11-02 | 2006-03-28 | 発光ダイオード実装基板 |
KR20060035542A KR100850061B1 (ko) | 2005-11-02 | 2006-04-20 | 발광 다이오드 실장 기판 |
TW095139597A TW200729554A (en) | 2005-11-02 | 2006-10-26 | Installing substrate for light emitting diode |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005320161 | 2005-11-02 | ||
JP2006089520A JP3978456B2 (ja) | 2005-11-02 | 2006-03-28 | 発光ダイオード実装基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007150228A JP2007150228A (ja) | 2007-06-14 |
JP3978456B2 true JP3978456B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=38211213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006089520A Expired - Fee Related JP3978456B2 (ja) | 2005-11-02 | 2006-03-28 | 発光ダイオード実装基板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3978456B2 (ja) |
KR (1) | KR100850061B1 (ja) |
TW (1) | TW200729554A (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080128734A1 (en) * | 2006-01-06 | 2008-06-05 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
KR20080054327A (ko) * | 2006-12-12 | 2008-06-17 | 교리츠 엘렉스 가부시키가이샤 | 발광 다이오드용 패키지 및 그 제조 방법, 및 발광다이오드 |
US8344400B2 (en) * | 2007-08-31 | 2013-01-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
KR101370790B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2014-03-10 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치 |
KR101370791B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2014-03-10 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치 |
JP5400289B2 (ja) * | 2007-11-13 | 2014-01-29 | 電気化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5400290B2 (ja) * | 2007-11-13 | 2014-01-29 | 電気化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5238366B2 (ja) * | 2008-06-09 | 2013-07-17 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP5150384B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2013-02-20 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP5227693B2 (ja) * | 2008-08-11 | 2013-07-03 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP5482293B2 (ja) * | 2009-03-05 | 2014-05-07 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP2010220682A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Daito Giken:Kk | 遊技台 |
KR101071593B1 (ko) | 2009-06-12 | 2011-10-10 | 김용태 | 자유형상 발광시트 |
TWI461626B (zh) * | 2009-12-28 | 2014-11-21 | Chi Mei Comm Systems Inc | 光源裝置及具有該光源裝置之可攜式電子裝置 |
KR101593740B1 (ko) * | 2010-04-16 | 2016-02-12 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 |
TWI407598B (zh) * | 2010-05-26 | 2013-09-01 | Advanced Optoelectronic Tech | 發光二極體封裝製程 |
KR101114719B1 (ko) * | 2010-08-09 | 2012-02-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템 |
KR101114197B1 (ko) | 2010-08-09 | 2012-02-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템 |
JP5740981B2 (ja) * | 2011-01-05 | 2015-07-01 | ソニー株式会社 | 発光装置、照明装置および表示装置 |
JP2012152452A (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Pearl Lighting Co Ltd | 光触媒脱臭装置 |
US8879276B2 (en) | 2011-06-15 | 2014-11-04 | Power Gold LLC | Flexible circuit assembly and method thereof |
JP6104527B2 (ja) * | 2012-06-29 | 2017-03-29 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JP2014233383A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | シャープ株式会社 | 光触媒殺菌消臭装置 |
US10642087B2 (en) | 2014-05-23 | 2020-05-05 | Eyesafe, Llc | Light emission reducing compounds for electronic devices |
JP2017123418A (ja) * | 2016-01-08 | 2017-07-13 | 豊田合成株式会社 | 照明装置 |
JP6458793B2 (ja) | 2016-11-21 | 2019-01-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
KR102401826B1 (ko) * | 2017-09-15 | 2022-05-25 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치 |
JP7231809B2 (ja) * | 2018-06-05 | 2023-03-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7266387B2 (ja) * | 2018-11-12 | 2023-04-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US11592701B2 (en) | 2018-11-28 | 2023-02-28 | Eyesafe Inc. | Backlight unit with emission modification |
US11810532B2 (en) | 2018-11-28 | 2023-11-07 | Eyesafe Inc. | Systems for monitoring and regulating harmful blue light exposure from digital devices |
US10971660B2 (en) * | 2019-08-09 | 2021-04-06 | Eyesafe Inc. | White LED light source and method of making same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005158957A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP4572312B2 (ja) * | 2004-02-23 | 2010-11-04 | スタンレー電気株式会社 | Led及びその製造方法 |
KR100583162B1 (ko) * | 2004-04-06 | 2006-05-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
JP4453004B2 (ja) * | 2004-08-19 | 2010-04-21 | 日立化成工業株式会社 | 発光素子搭載用の配線基板 |
JP3956965B2 (ja) * | 2004-09-07 | 2007-08-08 | 日立エーアイシー株式会社 | チップ部品型発光装置及びそのための配線基板 |
JP4659421B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-03-30 | 株式会社トクヤマ | 発光素子収納用パッケージの製造方法 |
-
2006
- 2006-03-28 JP JP2006089520A patent/JP3978456B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-04-20 KR KR20060035542A patent/KR100850061B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-10-26 TW TW095139597A patent/TW200729554A/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100850061B1 (ko) | 2008-08-04 |
KR20070047680A (ko) | 2007-05-07 |
TW200729554A (en) | 2007-08-01 |
TWI318465B (ja) | 2009-12-11 |
JP2007150228A (ja) | 2007-06-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070518 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20070531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070619 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070625 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S201 | Request for registration of exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629 Year of fee payment: 5 |
|
S804 | Written request for registration of cancellation of exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314805 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130629 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |