[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP3965213B2 - 三次元エッチングプロセス - Google Patents

三次元エッチングプロセス Download PDF

Info

Publication number
JP3965213B2
JP3965213B2 JP52497697A JP52497697A JP3965213B2 JP 3965213 B2 JP3965213 B2 JP 3965213B2 JP 52497697 A JP52497697 A JP 52497697A JP 52497697 A JP52497697 A JP 52497697A JP 3965213 B2 JP3965213 B2 JP 3965213B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
resist
mask
etching
etch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP52497697A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000503136A5 (ja
JP2000503136A (ja
Inventor
ディヴィット トーマス ダットン
アントニー ブライアン ディーン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qinetiq Ltd
Original Assignee
Qinetiq Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qinetiq Ltd filed Critical Qinetiq Ltd
Publication of JP2000503136A publication Critical patent/JP2000503136A/ja
Publication of JP2000503136A5 publication Critical patent/JP2000503136A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3965213B2 publication Critical patent/JP3965213B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/001—Phase modulating patterns, e.g. refractive index patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0041—Photosensitive materials providing an etching agent upon exposure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3081—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
    • G02B3/0018—Reflow, i.e. characterized by the step of melting microstructures to form curved surfaces, e.g. manufacturing of moulds and surfaces for transfer etching
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0056—Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along two different directions in a plane, e.g. honeycomb arrangement of lenses

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Saccharide Compounds (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Description

本発明は、反応性イオンエッチングによって基体上に三次元構造を製造することに関する。本発明は、反応性イオンプラズマを使用してエッチングすることができる半導体、硝子、ポリイミド、その他のような材料に適用できる。
三次元半導体構造は、光学的幽閉化（例えば、可視／赤外レンズ、エミッタ、または検出器）及び電磁的幽閉化（例えば、マイクロ波インダクタ、検出器、またはソース）を必要とする。
マイクロレンズのような光学的幽閉化構造を製造するための多くの技術が知られている。例えばHulteyらは、フォトレジストの小さいディスクを形成させてから加熱して溶融させ、表面張力によって小さいレンズの形状を作ることを示した（Physics World，July 1991 pp 27-32参照）。
Liauらは、フォトリトグラフィ及び臭素・メタノールエッチングを繰り返して適用することによって段付きの構造を形成することを示した。次いで、レンズ形状を形成させるために、これも加熱して溶融させることによってこの構造内で物質移動を遂行する（Appl. Phys. Lett. 55（2）10 July 1989; The Lincoln Laboratory Journal, Volume 3, Number 3, 1990 参照）。
マイクロレンズアレイを形成する他の方法の詳細に関しては、“Micro-opticshas macro potential”Laser Focus World June, 1991も参照されたい。反応性イオンエッチングを含む方法は、典型的には、フォトレジスト及びエッチングランの繰り返し適用を含む。これは、製造プロセスを煩雑にする。
基体上に三次元表面プロファイルを生産または変更する本発明の方法は、
（i）基体のある領域がマスクによって保護され、ある領域が露出されるように上記基体上にレジストのマスクを形成するステップと、
（ii）上記基体を複数の繰り返しに曝すステップと、
を備え、上記各繰り返しは少なくとも１回のレジストエッチング及び少なくとも１回の基体エッチングからなり、適当なレジストエッチング用材料を使用して上記レジストエッチングを遂行して上記マスクの形状を、従って上記基体の露出される領域の形状を変更し、上記マスクによって上記基体を保護しながら適当な基体エッチング用材料を使用して上記基体エッチングを遂行して上記基体の露出された領域から材料を除去する。
好ましい実施例においては、光濃縮器が上記基体上に形成される。
好ましい実施例においては、上記基体は半導体材料からなる。
好ましい実施例においては、上記基体はＩｎＳｂからなる。
更に好ましい実施例においては、上記基体エッチング用材料はＣＨ4／Ｈ2プラズマからなる。
更に好ましい実施例においては、レジストエッチング用材料は酸素プラズマからなる。
更に好ましい実施例においては、ＩｎＳｂヘテロ構造材料内にウィンストンコーンが形成される。
以下に、添付図面を参照して本発明を詳細に説明する。
図１ａ−１ｅは、本発明の方法を使用するプロセスの種々の段階における基体及びマスクを表している。
図２ａ及び２ｂは、本発明の方法によってマイクロレンズを形成中の２段階におけるマイクロレンズのアレイの走査形電子顕微鏡画像である。
図１ａを参照する。フォトリトグラフィックマスキングレジスト１のドーム、またはボタンが半導体基体２に設けられる。これは、例えば、グレースケールリトグラフィ（ＵＫ特許出願第93 10013.9号参照）、またはレジストフロー方法によって形成することができる。
次いで、基体エッチング用材料を使用して基体をエッチングする。この場合、レジスト１は基体を保護するが、基体２の領域３からは材料が除去される。これにより得られた構造を図１ｂに示す。
図１ｃを参照する。次に適当なレジストエッチング用材料を使用してレジスト１によって覆われた領域を減少させ、基体２のさらなる領域４を露出させる。
次いで、基体エッチング用材料を使用して基体を更にエッチングすると、領域３及び４から材料が除去されて図１ｄに示すような段付きの構造が得られる。
単一の反応性イオンエッチングランでレジスト１及び基体２のエッチングを繰り返すことにより、図１ｅに示す多くの段が付いた構造が得られる。
各エッチング段階毎のレート及び時間を制御することによって、精密な三次元構造を形成させることができる。このプロファイルの最終分解能は、所与の構造高さが得られるまでの基体及びレジストを交互にエッチングするステップの数に依存する。
この技術は、他の技術によって形成された構造を変更するために使用することもできる。
図２ａ及び２ｂを参照する。写真のマイクロレンズは、Surface Technology Systems（STS）の反応性イオンエッチング装置、モデル340PCを使用して製造されたものであり、この装置は以下のエッチング条件を備えている。
レジストエッチング条件：
ガス：Ｏ2、流量80標準ｃｍ3／分（ｓｃｃｍ）；
室圧力：60ミリトル、ＲＦ電力：60Ｗ。
基体エッチング条件：
ガス：ＣＨ4、90ｓｃｃｍ及びＨ2、流量10ｓｃｃｍ；
室圧力：90ミリトル、ＲＦ電力：50Ｗ。
基体（ＩｎＳｂ）は12×10-6ｍのAZ4562レジストで被膜し、グレースケール技術及びイオンビームミリングを使用して側が直線状のコーンに処理した。（プロセスのこの部分を遂行する他の方法も、当分野に精通していれば明白であろう。）次いで、上述したレジストエッチング条件を使用し、５分間にわたってこのサンプルをレジストエッチングした。その後に上述した基体エッチング条件を使用し、５分間にわたってＩｎＳｂをエッチングし、更に５分間にわたってレジストエッチングした。次いで、５分間のＩｎＳｂエッチングと２分間のレジストエッチングの４回の繰り返しを遂行して図２ａに示す構造を得た。
更に７ステップを遂行することによって図２ｂに示す構造を得た。
若干の条件の下では、反応性イオンエッチングプロセスが発熱性であるので、レジストのリフローが生じる。これは、プロセスに付加的な柔軟性を与え、グレースケールリトグラフィ、または例えばホットプレートまたはオーブンを使用するイクス・シトゥ（ex-situ）レジストリフローの必要性を排除できる。

Claims (7)

  1. 基体上に三次元表面プロファイルを生産または変更し、光閉じ込め構造を形成する方法において、
    （ｉ）基体のある領域がマスクによって保護され、ある領域が露出されるように上記基体上にレジストのマスクを形成するステップと、
    （ii）レジストをドームに形成するステップと、
    （iii）上記基体を複数の繰り返しに曝すステップと、
    を備え、上記各繰り返しは少なくとも１回のレジストエッチング及び少なくとも１回の基体エッチングからなり、適当なレジストエッチング用材料を使用して上記レジストエッチングを遂行して上記マスクの形状を、従って上記基体の露出される領域の形状を変更し、上記マスクによって上記基体を保護しながら適当な基体エッチング用材料を使用して上記基体エッチングを遂行して上記基体の露出された領域から材料を除去するようにして、実質的に垂直水平なエッジが基体に形成されるようにしたことを特徴とする方法。
  2. 上記基体上に、光濃縮器が形成される請求項（１）に記載の方法。
  3. 上記基体は、半導体材料からなる請求項（１）または（２）に記載の方法。
  4. 上記基体は、ＩｎＳｂからなる請求項（３）に記載の方法。
  5. 上記基体エッチング用材料は、ＣＨ4／Ｈ2プラズマからなる請求項（４）に記載の方法。
  6. 上記レジストエッチング用材料は、酸素プラズマからなる請求項（４）に記載の方法。
  7. ＩｎＳｂヘテロ構造材料にウィンストンコーンエミッタが形成される請求項（６）に記載の方法。
JP52497697A 1996-01-10 1997-01-09 三次元エッチングプロセス Expired - Fee Related JP3965213B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB9600469.2A GB9600469D0 (en) 1996-01-10 1996-01-10 Three dimensional etching process
GB9600469.2 1996-01-10
PCT/GB1997/000043 WO1997025653A1 (en) 1996-01-10 1997-01-09 Three-dimensional etching process

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2000503136A JP2000503136A (ja) 2000-03-14
JP2000503136A5 JP2000503136A5 (ja) 2004-11-11
JP3965213B2 true JP3965213B2 (ja) 2007-08-29

Family

ID=10786847

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52497697A Expired - Fee Related JP3965213B2 (ja) 1996-01-10 1997-01-09 三次元エッチングプロセス

Country Status (12)

Country Link
US (1) US6682657B2 (ja)
EP (1) EP0873542B1 (ja)
JP (1) JP3965213B2 (ja)
KR (1) KR19990077120A (ja)
CN (1) CN1135438C (ja)
AT (1) ATE507496T1 (ja)
AU (1) AU1388497A (ja)
CA (1) CA2242634C (ja)
DE (1) DE69740180D1 (ja)
GB (2) GB9600469D0 (ja)
PL (1) PL194893B1 (ja)
WO (1) WO1997025653A1 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19904307C2 (de) 1999-01-28 2001-09-20 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Strukturen mittels eines Ätzprozesses
DE10135872A1 (de) * 2001-07-24 2003-02-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Linse
JP4012156B2 (ja) * 2004-02-02 2007-11-21 独立行政法人科学技術振興機構 圧電素子の製造方法
TW200625699A (en) * 2004-11-24 2006-07-16 Sumitomo Chemical Co Semiconductor substrate, method for manufacture thereof, and light emitting element
DE112006000654T5 (de) * 2005-03-22 2008-04-03 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Freitragendes Substrat, Verfahren zur Herstellung desselben und Halbleiterleuchtvorrichtung
JP2007019318A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Sumitomo Chemical Co Ltd 半導体発光素子、半導体発光素子用基板の製造方法及び半導体発光素子の製造方法
DE112006002505T5 (de) * 2005-09-29 2008-08-14 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters eines Nitrids der Gruppe 3-5 und Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Vorrichtung
KR100998017B1 (ko) * 2009-02-23 2010-12-03 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지용 렌즈 및 이를 구비하는 발광소자 패키지
JP5650388B2 (ja) * 2009-10-05 2015-01-07 三菱電機株式会社 有機ｅｌパネル、パネル接合型発光装置、有機ｅｌパネルの製造方法
JP2019121750A (ja) * 2018-01-11 2019-07-22 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
CN110824590A (zh) * 2019-11-25 2020-02-21 京东方科技集团股份有限公司 微透镜阵列的制备方法、显示装置的制备方法及显示装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4357704A (en) * 1980-09-15 1982-11-02 Science Applications, Inc. Disc or slab laser apparatus employing compound parabolic concentrator
US4514252A (en) 1982-11-18 1985-04-30 Hewlett-Packard Company Technique of producing tapered features in integrated circuits
CA1237824A (en) * 1984-04-17 1988-06-07 Takashi Mimura Resonant tunneling semiconductor device
JPS6144627A (ja) * 1984-08-09 1986-03-04 Pioneer Electronic Corp マイクロフレネルレンズの製造方法
DE3683183D1 (de) * 1985-04-10 1992-02-13 Fujitsu Ltd Verfahren zum herstellen eines selbtsausrichtenden bipolartransistors.
DE3682195D1 (de) 1985-09-27 1991-11-28 Unisys Corp Verfahren zur herstellung einer konischen kontaktoeffnung in polyimid.
FR2590409B1 (fr) * 1985-11-15 1987-12-11 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un transistor en couches minces a grille auto-alignee par rapport au drain et a la source de celui-ci et transistor obtenu par le procede
US4698128A (en) * 1986-11-17 1987-10-06 Motorola, Inc. Sloped contact etch process
GB8715211D0 (en) 1987-06-29 1987-08-05 Secr Defence Lensed photo detector
US5161059A (en) 1987-09-21 1992-11-03 Massachusetts Institute Of Technology High-efficiency, multilevel, diffractive optical elements
US4902377A (en) * 1989-05-23 1990-02-20 Motorola, Inc. Sloped contact etch process
US5227915A (en) 1990-02-13 1993-07-13 Holo-Or Ltd. Diffractive optical element
US5073007A (en) 1990-06-11 1991-12-17 Holo-Or Ltd. Diffractive optical element
US5316640A (en) * 1991-06-19 1994-05-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Fabricating method of micro lens
US5286338A (en) * 1993-03-01 1994-02-15 At&T Bell Laboratories Methods for making microlens arrays
JP2795126B2 (ja) * 1993-04-16 1998-09-10 株式会社デンソー 曲面加工方法及びその装置
US5853960A (en) * 1998-03-18 1998-12-29 Trw Inc. Method for producing a micro optical semiconductor lens

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990077120A (ko) 1999-10-25
CN1212768A (zh) 1999-03-31
CA2242634C (en) 2006-08-15
AU1388497A (en) 1997-08-01
WO1997025653A1 (en) 1997-07-17
EP0873542B1 (en) 2011-04-27
PL327667A1 (en) 1998-12-21
GB9813813D0 (en) 1998-08-26
KR100859673B1 (ja) 2009-01-12
US20030057177A1 (en) 2003-03-27
GB2322833A (en) 1998-09-09
PL194893B1 (pl) 2007-07-31
ATE507496T1 (de) 2011-05-15
GB2322833B (en) 1999-10-20
GB9600469D0 (en) 1996-03-13
DE69740180D1 (de) 2011-06-09
CA2242634A1 (en) 1997-07-17
JP2000503136A (ja) 2000-03-14
CN1135438C (zh) 2004-01-21
US6682657B2 (en) 2004-01-27
EP0873542A1 (en) 1998-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100403167C (zh) 图案形成方法和半导体器件的制造方法
US6372391B1 (en) Template mask lithography utilizing structured beam
JP3965213B2 (ja) 三次元エッチングプロセス
US4620898A (en) Ion beam sputter etching
US5041361A (en) Oxygen ion-beam microlithography
JP2013502726A (ja) 基板のパターニング方法及びそのシステム
TWI625602B (zh) 使用極紫外光微影技術之基板圖案化方法
EP0073189A4 (en) METHOD FOR MANUFACTURING NETWORK PLATES.
JP3377134B2 (ja) 格子および二次元格子構造の反応性イオンエッチング
US6465356B2 (en) Method for forming fine patterns by thinning developed photoresist patterns using oxygen radicals
US6899936B2 (en) Stamper, manufacturing method therefor and optical device manufactured therewith
JP4899638B2 (ja) モールドの製造方法
GB1597595A (en) Manufacture of semiconductor elements
US10854455B2 (en) Methods and apparatus for fabricating IC chips with tilted patterning
RU2700231C1 (ru) Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек
JPH0744147B2 (ja) アスペクト比の高い吸収体パターンを含む解像力の高いｘ線マスク
JPH1078667A (ja) 微細加工方法
Chun et al. Contact hole size-reducing methods by using water-soluble organic over-coating material (WASOOM) as a barrier layer toward 0.15-um contact hole: resist flow technique I
JPS6043824A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05505474A (ja) 回折光学素子
JPH07321100A (ja) 高密度ｖ型溝を有するガリウム砒素基板の製造方法
JP2004259744A (ja) 電子線描画装置、ホールパターンの露光方法および半導体装置の製造方法
JPH0427686B2 (ja)
JPS60202934A (ja) パタ−ン形成法
JPH02257624A (ja) レジストパターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040109

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060131

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060425

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060619

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060731

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060926

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20061221

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070522

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070528

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100601

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110601

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130601

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees