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JP3836300B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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JP3836300B2
JP3836300B2 JP2000155332A JP2000155332A JP3836300B2 JP 3836300 B2 JP3836300 B2 JP 3836300B2 JP 2000155332 A JP2000155332 A JP 2000155332A JP 2000155332 A JP2000155332 A JP 2000155332A JP 3836300 B2 JP3836300 B2 JP 3836300B2
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多田  宏
小田  敦
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光特性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子は、電界を印加することにより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック社のC.W.Tangらによる積層型素子による低電圧駆動有機EL素子の報告(C.W.Tang,S.A.VanSlyke,アプライドフィジックスレターズ(Applied Physics Letters),51巻,913頁、1987年 など)がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機EL素子に関する研究が盛んに行われている。Tangらは、トリス(8−ヒドロキシキノリノールアルミニウム)を発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じこめることなどが挙げられる。この例のように有機EL素子の素子構造としては、正孔輸送(注入)層、電子輸送性発光層の2層型、または正孔輸送(注入)層、発光層、電子輸送(注入)層の3層型等が良く知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。
【0003】
正孔輸送性材料としてはスターバースト分子である4,4′,4″−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミンやN,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1′−ビフェニル]−4,4′−ジアミン等のトリフェニルアミン誘導体や芳香族ジアミン誘導体が良く知られている(例えば、特開平8−20771号公報、特開平8−40995号公報、特開平8−40997号公報、公報特開平8−53397号公報、特開平8−87122号公報等)。
【0004】
電子輸送性材料としてはオキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体等が良く知られている。
【0005】
また、発光材料としてはトリス(8−キノリノラート)アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等の発光材料が知られており、それらの発光色も青色から赤色までの可視領域の発光が得られることが報告されており、カラー表示素子の実現が期待されている(例えば、特開平8−239655号公報、特開平7−138561号公報、特開平3−200289号公報等)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
最近では高輝度、長寿命の有機EL素子が開示あるいは報告されているがまだ必ずしも充分なものとはいえない。従って、高性能を示す材料開発が強く求められている。本発明の目的は、高輝度の有機EL素子を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定のテトラベンゾペンタセン化合物の内、ジアリールアミノ基を置換基に有するものを発光材料として用いて作製した有機EL素子は従来よりも高輝度発光することを見いだした。また、前記材料は高いキャリヤ輸送性を有することがわかり、前記材料を正孔輸送材料、または電子輸送材料として作製した有機EL素子、及び前記材料と他の正孔輸送材料あるいは電子輸送材料との混合薄膜を用いて作製した有機EL素子は従来よりも高輝度発光を示すことを見いだし本発明に至った。また、ジアリールアミノ基を置換基に有するテトラベンゾペンタセン化合物の中でも、アリール基がスチリル基を置換基として有するものを発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料として用いて作成した有機EL素子は、特に高い輝度の発光が得られる事を見出し、本発明に至った。
【0008】
すなわち本発明は、陽極と陰極間に発光層を含む一層または複数層からなる有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、少なくとも一層が下記一般式(1)で示される材料を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【0009】
【化3】
Figure 0003836300
【0010】
(式中、R1〜R18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またR1〜R18は、それらのうちの2つで環を形成していても良い。ただし、R1〜R18のうち少なくとも一つは−NAr1Ar2(Ar1,Ar2はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数6〜20のアリール基を表す。)で表されるジアリールアミノ基である。)
また、本発明は、陽極と陰極間に発光層を含む一層または複数層からなる有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも一層が下記一般式(2)で示される材料を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【0011】
【化4】
Figure 0003836300
【0012】
(式中、R1〜R18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またR1〜R18は、それらのうちの2つで環を形成していても良い。ただし、R1〜R18のうち少なくとも一つは−NAr1Ar2(Ar1,Ar2はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数6〜20のアリール基を表し、Ar1,Ar2基の少なくとも一つが置換若しくは無置換のスチリル基を置換基として持つ。)で表されるジアリールアミノ基である。)
また、本発明は、上記発光層が、一般式(1)で表される化合物を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【0013】
また、本発明は、上記発光層が、一般式(2)で表される化合物を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【0014】
また、本発明は、上記有機薄膜層が少なくとも正孔輸送層を有し、この正孔輸送層が、一般式(1)で表される化合物を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【0015】
また、本発明は、上記有機薄膜層が少なくとも正孔輸送層を有し、この正孔輸送層が、一般式(2)で表される化合物を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【0016】
また、本発明は、上記有機薄膜層が少なくとも電子輸送層を有し、この電子輸送層が、一般式(1)で表される化合物を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【0017】
また、本発明は、上記有機薄膜層が少なくとも電子輸送層を有し、この電子輸送層が、一般式(2)で表される化合物を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【0018】
テトラベンゾペンタセン誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子については、特開2000−38353号公報に開示があるが、本発明は、R1〜R18のうち少なくとも一つが−NAr1Ar2(Ar1,Ar2はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数6〜20のアリール基を表す。)で表されるジアリールアミノ基である点で、上記公報記載の技術と相違する。本発明は、ジアリールアミノ基を含む上記構造の化合物を用いることにより、従来にない高輝度な発光を実現している。
【0019】
さらに本発明においては、上記Ar1、Ar2基の少なくとも一つが置換若しくは無置換のスチリル基を置換基として持つ構成とすることができる。これにより、より一層、高輝度な発光を実現することができる。
【0020】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、有機薄膜層の少なくとも一層が、一般式(1)で表される構造を有する化合物を含む。R1〜R18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またR1〜R18は、それらのうちの2つで環を形成していても良い。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。置換若しくは無置換のアミノ基は−NX12と表され、X1、X2としてはそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモt−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨードt−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノt−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノt−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロt−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、4−スチリルフェニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3-メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4'−メチルビフェニルイル基、4''−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、2−キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、1−フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナンスロリン−2−イル基、1,7−フェナンスロリン−3−イル基、1,7−フェナンスロリン−4−イル基、1,7−フェナンスロリン−5−イル基、1,7−フェナンスロリン−6−イル基、1,7−フェナンスロリン−8−イル基、1,7−フェナンスロリン−9−イル基、1,7−フェナンスロリン−10−イル基、1,8−フェナンスロリン−2−イル基、1,8−フェナンスロリン−3−イル基、1,8−フェナンスロリン−4−イル基、1,8−フェナンスロリン−5−イル基、1,8−フェナンスロリン−6−イル基、1,8−フェナンスロリン−7−イル基、1,8−フェナンスロリン−9−イル基、1,8−フェナンスロリン−10−イル基、1,9−フェナンスロリン−2−イル基、1,9−フェナンスロリン−3−イル基、1,9−フェナンスロリン−4−イル基、1,9−フェナンスロリン−5−イル基、1,9−フェナンスロリン−6−イル基、1,9−フェナンスロリン−7−イル基、1,9−フェナンスロリン−8−イル基、1,9−フェナンスロリン−10−イル基、1,10−フェナンスロリン−2−イル基、1,10−フェナンスロリン−3−イル基、1,10−フェナンスロリン−4−イル基、1,10−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−1−イル基、2,9−フェナンスロリン−3−イル基、2,9−フェナンスロリン−4−イル基、2,9−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−6−イル基、2,9−フェナンスロリン−7−イル基、2,9−フェナンスロリン−8−イル基、2,9−フェナンスロリン−10−イル基、2,8−フェナンスロリン−1−イル基、2,8−フェナンスロリン−3−イル基、2,8−フェナンスロリン−4−イル基、2,8−フェナンスロリン−5−イル基、2,8−フェナンスロリン−6−イル基、2,8−フェナンスロリン−7−イル基、2,8−フェナンスロリン−9−イル基、2,8−フェナンスロリン−10−イル基、2,7−フェナンスロリン−1−イル基、2,7−フェナンスロリン−3−イル基、2,7−フェナンスロリン−4−イル基、2,7−フェナンスロリン−5−イル基、2,7−フェナンスロリン−6−イル基、2,7−フェナンスロリン−8−イル基、2,7−フェナンスロリン−9−イル基、2,7−フェナンスロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基等が挙げられる。
【0021】
置換若しくは無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモt−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨードt−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノt−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノt−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロt−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基等が挙げられる。置換若しくは無置換のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、1−ブテニル基、2−ブテニル基、3−ブテニル基、1,3−ブタンジエニル基、1−メチルビニル基、スチリル基、2,2−ジフェニルビニル基、1,2−ジフェニルビニル基、1−メチルアリル基、1,1−ジメチルアリル基、2−メチルアリル基、1−フェニルアリル基、2−フェニルアリル基、3−フェニルアリル基、3,3−ジフェニルアリル基、1,2−ジメチルアリル基、1−フェニル−1−ブテニル基、3−フェニル−1−ブテニル基等が挙げられる。置換若しくは無置換のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基等が挙げられる。置換若しくは無置換のアルコキシ基は、−OYで表される基であり、Yとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモt−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨードt−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノt−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノt−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロt−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基等が挙げられる。置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基の例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3-メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4'−メチルビフェニルイル基、4''−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基等が挙げられる。また、置換若しくは無置換の芳香族複素環基としては1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、2−キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナンスロリン−2−イル基、1,7−フェナンスロリン−3−イル基、1,7−フェナンスロリン−4−イル基、1,7−フェナンスロリン−5−イル基、1,7−フェナンスロリン−6−イル基、1,7−フェナンスロリン−8−イル基、1,7−フェナンスロリン−9−イル基、1,7−フェナンスロリン−10−イル基、1,8−フェナンスロリン−2−イル基、1,8−フェナンスロリン−3−イル基、1,8−フェナンスロリン−4−イル基、1,8−フェナンスロリン−5−イル基、1,8−フェナンスロリン−6−イル基、1,8−フェナンスロリン−7−イル基、1,8−フェナンスロリン−9−イル基、1,8−フェナンスロリン−10−イル基、1,9−フェナンスロリン−2−イル基、1,9−フェナンスロリン−3−イル基、1,9−フェナンスロリン−4−イル基、1,9−フェナンスロリン−5−イル基、1,9−フェナンスロリン−6−イル基、1,9−フェナンスロリン−7−イル基、1,9−フェナンスロリン−8−イル基、1,9−フェナンスロリン−10−イル基、1,10−フェナンスロリン−2−イル基、1,10−フェナンスロリン−3−イル基、1,10−フェナンスロリン−4−イル基、1,10−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−1−イル基、2,9−フェナンスロリン−3−イル基、2,9−フェナンスロリン−4−イル基、2,9−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−6−イル基、2,9−フェナンスロリン−7−イル基、2,9−フェナンスロリン−8−イル基、2,9−フェナンスロリン−10−イル基、2,8−フェナンスロリン−1−イル基、2,8−フェナンスロリン−3−イル基、2,8−フェナンスロリン−4−イル基、2,8−フェナンスロリン−5−イル基、2,8−フェナンスロリン−6−イル基、2,8−フェナンスロリン−7−イル基、2,8−フェナンスロリン−9−イル基、2,8−フェナンスロリン−10−イル基、2,7−フェナンスロリン−1−イル基、2,7−フェナンスロリン−3−イル基、2,7−フェナンスロリン−4−イル基、2,7−フェナンスロリン−5−イル基、2,7−フェナンスロリン−6−イル基、2,7−フェナンスロリン−8−イル基、2,7−フェナンスロリン−9−イル基、2,7−フェナンスロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、10−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、10−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基、等が挙げられる。置換若しくは無置換のアラルキル基としては、ベンジル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基、1−フェニルイソプロピル基、2−フェニルイソプロピル基、フェニル−t−ブチル基、α−ナフチルメチル基、1−α−ナフチルエチル基、2−α−ナフチルエチル基、1−α−ナフチルイソプロピル基、2−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、1−β−ナフチルエチル基、2−β−ナフチルエチル基、1−β−ナフチルイソプロピル基、2−β−ナフチルイソプロピル基、1−ピロリルメチル基、2−(1−ピロリル)エチル基、p−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、o−メチルベンジル基、p−クロロベンジル基、m−クロロベンジル基、o−クロロベンジル基、p−ブロモベンジル基、m−ブロモベンジル基、o−ブロモベンジル基、p−ヨードベンジル基、m−ヨードベンジル基、o−ヨードベンジル基、p−ヒドロキシベンジル基、m−ヒドロキシベンジル基、o−ヒドロキシベンジル基、p−アミノベンジル基、m−アミノベンジル基、o−アミノベンジル基、p−ニトロベンジル基、m−ニトロベンジル基、o−ニトロベンジル基、p−シアノベンジル基、m−シアノベンジル基、o−シアノベンジル基、1−ヒドロキシ−2−フェニルイソプロピル基、1−クロロ−2−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。置換若しくは無置換のアリールオキシ基は、−OZと表され、Zとしてはフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3-メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4'−メチルビフェニルイル基、4''−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、2−キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、1−フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナンスロリン−2−イル基、1,7−フェナンスロリン−3−イル基、1,7−フェナンスロリン−4−イル基、1,7−フェナンスロリン−5−イル基、1,7−フェナンスロリン−6−イル基、1,7−フェナンスロリン−8−イル基、1,7−フェナンスロリン−9−イル基、1,7−フェナンスロリン−10−イル基、1,8−フェナンスロリン−2−イル基、1,8−フェナンスロリン−3−イル基、1,8−フェナンスロリン−4−イル基、1,8−フェナンスロリン−5−イル基、1,8−フェナンスロリン−6−イル基、1,8−フェナンスロリン−7−イル基、1,8−フェナンスロリン−9−イル基、1,8−フェナンスロリン−10−イル基、1,9−フェナンスロリン−2−イル基、1,9−フェナンスロリン−3−イル基、1,9−フェナンスロリン−4−イル基、1,9−フェナンスロリン−5−イル基、1,9−フェナンスロリン−6−イル基、1,9−フェナンスロリン−7−イル基、1,9−フェナンスロリン−8−イル基、1,9−フェナンスロリン−10−イル基、1,10−フェナンスロリン−2−イル基、1,10−フェナンスロリン−3−イル基、1,10−フェナンスロリン−4−イル基、1,10−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−1−イル基、2,9−フェナンスロリン−3−イル基、2,9−フェナンスロリン−4−イル基、2,9−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−6−イル基、2,9−フェナンスロリン−7−イル基、2,9−フェナンスロリン−8−イル基、2,9−フェナンスロリン−10−イル基、2,8−フェナンスロリン−1−イル基、2,8−フェナンスロリン−3−イル基、2,8−フェナンスロリン−4−イル基、2,8−フェナンスロリン−5−イル基、2,8−フェナンスロリン−6−イル基、2,8−フェナンスロリン−7−イル基、2,8−フェナンスロリン−9−イル基、2,8−フェナンスロリン−10−イル基、2,7−フェナンスロリン−1−イル基、2,7−フェナンスロリン−3−イル基、2,7−フェナンスロリン−4−イル基、2,7−フェナンスロリン−5−イル基、2,7−フェナンスロリン−6−イル基、2,7−フェナンスロリン−8−イル基、2,7−フェナンスロリン−9−イル基、2,7−フェナンスロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基等が挙げられる。置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基は−COOYと表され、Yとしてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモt−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨードt−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノt−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノt−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロt−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【0022】
また、環を形成する2価基の例としては、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ジフェニルメタン−2,2'−ジイル基、ジフェニルエタン−3,3'−ジイル基、ジフェニルプロパン−4,4'−ジイル基等が挙げられる。
【0023】
1〜R18のうち少なくとも一つは−NAr1Ar2(Ar1,Ar2はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数6〜20のアリール基を表す。)である。炭素数6〜20のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基等が挙げられる。また、これらアリール基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、前記の置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、前記の置換若しくは無置換のアルキル基、前記の置換若しくは無置換のアルケニル基、前記の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、前記の置換若しくは無置換のアルコキシ基、前記の置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、前記の置換若しくは無置換の芳香族複素環基、前記の置換若しくは無置換のアラルキル基、前記の置換若しくは無置換のアリールオキシ基、前記の置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基が挙げられる。
【0024】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、有機薄膜層の少なくとも一層が、一般式(2)で表される構造を有する化合物を含むものとすることができる。一般式(2)において、R1〜R18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、前述の置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、前述の置換若しくは無置換のアルキル基、前述の置換若しくは無置換のアルケニル基、前述の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、前述の置換若しくは無置換のアルコキシ基、前述の置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、前述の置換若しくは無置換の芳香族複素環基、前述の置換若しくは無置換のアラルキル基、前述の置換若しくは無置換のアリールオキシ基、前述の置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またR1〜R18は、それらのうちの2つで環を形成していても良い。
【0025】
また、Ar1,Ar2が置換基として有するスチリル基としては、無置換のスチリル基、2,2−ジフェニルビニル基、1,2,2−トリフェニルビニル基の他、末端のフェニル基或いはビニル炭素の置換基として、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、前記の置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、前記の置換若しくは無置換のアルキル基、前記の置換若しくは無置換のアルケニル基、前記の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、前記の置換若しくは無置換のアルコキシ基、前記の置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、前記の置換若しくは無置換の芳香族複素環基、前記の置換若しくは無置換のアラルキル基、前記の置換若しくは無置換のアリールオキシ基、前記の置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基等を有する置換スチリル基および置換2,2−ジフェニルビニル基等が挙げられる。
【0026】
以下に本発明の化合物例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0027】
【化5】
Figure 0003836300
【0028】
【化6】
Figure 0003836300
【0029】
【化7】
Figure 0003836300
【0030】
【化8】
Figure 0003836300
【0031】
【化9】
Figure 0003836300
【0032】
【化10】
Figure 0003836300
【0033】
【化11】
Figure 0003836300
【0034】
【化12】
Figure 0003836300
【0035】
【化13】
Figure 0003836300
【0036】
【化14】
Figure 0003836300
【0037】
【化15】
Figure 0003836300
【0038】
【化16】
Figure 0003836300
【0039】
【化17】
Figure 0003836300
【0040】
【化18】
Figure 0003836300
【0041】
【化19】
Figure 0003836300
【0042】
【化20】
Figure 0003836300
【0043】
【化21】
Figure 0003836300
【0044】
【化22】
Figure 0003836300
【0045】
本発明における有機EL素子の素子構造は、電極間に有機層を1層あるいは2層以上積層した構造であり、その例として、図1〜4に示すように▲1▼陽極、発光層、陰極が積層した構造、▲2▼陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が積層した構造、陰極、▲3▼陽極、正孔輸送層、発光層、陰極が積層した構造、あるいは▲4▼陽極、発光層、電子輸送層、陰極が積層した構造等が挙げられる。
【0046】
本発明における化合物は上記のどの有機層に用いられてもよく、他の正孔輸送材料、発光材料、電子輸送材料にドープさせることも可能である。
【0047】
本発明に用いられる正孔輸送材料は特に限定されず、通常正孔輸送剤として使用されている化合物であれば何を使用してもよい。例えば、下記のビス(ジ(p−トリル)アミノフェニル)−1,1−シクロヘキサン[01]、N,N’―ジフェニルーN,N’―ビス(3−メチルフェニル)−1,1’―ビフェニル−4,4’―ジアミン[02]、N,N’−ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン[03]等のトリフェニルジアミン類や、スターバースト型分子([04]〜[06]等)等が挙げられる。
【0048】
【化23】
Figure 0003836300
【0049】
【化24】
Figure 0003836300
【0050】
【化25】
Figure 0003836300
【0051】
本発明に用いられる電子輸送材料は特に限定されず、通常電子輸送材として使用されている化合物であれば何を使用してもよい。例えば、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール[07]、ビス{2−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール}−m−フェニレン[08]、等のオキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体([09]、[10]等)、キノリノール系の金属錯体([11]〜[14]等)が挙げられる。
【0052】
【化26】
Figure 0003836300
【0053】
【化27】
Figure 0003836300
【0054】
【化28】
Figure 0003836300
【0055】
有機薄膜EL素子の陽極は、正孔を正孔輸送層に注入する役割を担うものであり、4.5eV以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金(ITO)、酸化錫(NESA)、金、銀、白金、銅等が適用できる。また陰極としては、電子輸送帯又は発光層に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が好ましい。陰極材料は特に限定されないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が使用できる。
【0056】
本発明の有機EL素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の有機EL素子に用いる、前記一般式(1)及び(2)で示される化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)あるいは溶媒に溶かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
【0057】
本発明の有機EL素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数nmから1μmの範囲が好ましい。
【0058】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施例をもとに詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。
【0059】
【実施例】
(合成例1)化合物(3)(4−ジトリルアミノテトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセン)の合成
4−クロロテトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンと1当量のジ−p−トリルアミン、1当量の炭酸カリウム、銅粉末及びニトロベンゼンを三ツ口フラスコに入れ、200℃で30時間攪拌した。反応終了後、トルエンを加えてろ過し、無機物を除いた。トルエン及びニトロベンゼンを減圧下で留去し、残さを常法に従い分離精製して目的の4−ジトリルアミノテトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンを得た。
【0060】
(合成例2)化合物(4)(4,13−ビス(ジトリルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセン)の合成
4,13−ジクロロテトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセン、2当量のジ−p−トリルアミン、2当量の炭酸カリウム、銅粉末及びニトロベンゼンを三ツ口フラスコに入れ、200℃で30時間攪拌した。反応終了後、トルエンを加えてろ過し、無機物を除いた。トルエン及びニトロベンゼンを減圧下で留去し、残さを常法に従い分離精製して目的の4,13−ビス(ジトリルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンを得た。
【0061】
(合成例3)化合物(5)(3,12−ビス(ジフェニルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセン)の合成
ジ−p−トリルアミンの代わりにジフェニルアミンを用いる以外は合成例2と同様の手法により、目的の4,13−ビス(ジフェニルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンを得た。
【0062】
(合成例4)化合物(6)(3,12−ビス(ジトリルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセン)の合成
4,13−ジクロロテトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンの代わりに、3,12−ジクロロテトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンを用いる以外は合成例2と同様の手法により目的の3,12−ビス(ジトリルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンを得た。
【0063】
(合成例5)化合物(7)(2,11−ビス(ジトリルアミノ)−5,14−ジ−t−ブチルテトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセン)の合成
4,13−ジクロロテトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンの代わりに、5,14−ジ−t−ブチル−2,11−ジクロロテトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンを用いる以外は合成例2と同様の手法により目的の2,11−ビス(ジトリルアミノ)−5,14−ジ−t−ブチルテトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンを得た。
【0064】
(合成例6)化合物(9)(4,13−ビス(N−トリル−N−4−(p−トリルビニル)フェニルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセン)の合成
ジ−p−トリルアミンの代わりにN−トリル−N−4−(p−トリルビニル)フェニルアミンを用いる以外は合成例2と同様の手法により、目的の4,13−ビス(N−トリル−N−4−(p−トリルビニル)フェニルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンを得た。
【0065】
(合成例7)化合物(10)(3,12−ビス(N−トリル−N−4−(p−トリルビニル)フェニルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセン)の合成
ジ−p−トリルアミンの代わりにN−トリル−N−4−(p−トリルビニル)フェニルアミンを用いる以外は合成例4と同様の手法により、目的の3,12−ビス(N−トリル−N−4−(p−トリルビニル)フェニルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンを得た。
【0066】
(合成例8)化合物(11)(2,11−ビス(N−トリル−N−4−(p−トリルビニル)フェニルアミノ)−5,14−ジ−t−ブチルテトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセン)の合成
ジ−p−トリルアミンの代わりにN−トリル−N−4−(p−トリルビニル)フェニルアミンを用いる以外は合成例5と同様の手法により、目的の3,12−ビス(N−トリル−N−4−(p−トリルビニル)フェニルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンを得た。
【0067】
(合成例9)化合物(13)(4,13−ビス(N−トリル−N−4−(ジ−p−トリルビニル)フェニルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセン)の合成
ジ−p−トリルアミンの代わりにN−トリル−N−4−(ジ−p−トリルビニル)フェニルアミンを用いる以外は合成例2と同様の手法により、目的の4,13−ビス(N−トリル−N−4−(p−トリルビニル)フェニルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンを得た。
【0068】
(合成例10)化合物(14)(3,12−ビス(N−トリル−N−4−(ジ−p−トリルビニル)フェニルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセン)の合成
ジ−p−トリルアミンの代わりにN−トリル−N−4−(ジ−p−トリルビニル)フェニルアミンを用いる以外は合成例4と同様の手法により、目的の3,12−ビス(N−トリル−N−4−(p−トリルビニル)フェニルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンを得た。
【0069】
(合成例11)化合物(15)(2,11−ビス(N−トリル−N−4−(ジ−p−トリルビニル)フェニルアミノ)−5,14−ジ−t−ブチルテトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセン)の合成
ジ−p−トリルアミンの代わりにN−トリル−N−4−(ジ−p−トリルビニル)フェニルアミンを用いる以外は合成例5と同様の手法により、目的の3,12−ビス(N−トリル−N−4−(p−トリルビニル)フェニルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンを得た。
【0070】
(合成例12)化合物(17)(4,13−ビス(N−トリル−N−4−(シクロヘキシル−p−トリルビニル)フェニルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセン)の合成
ジ−p−トリルアミンの代わりにN−トリル−N−4−(p−トリルビニル)フェニルアミンを用いる以外は合成例2と同様の手法により、目的の4,13−ビス(N−トリル−N−4−(シクロヘキシル−p−トリルビニル)フェニルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンを得た。
【0071】
(合成例13)化合物(18)(3,12−ビス(N−トリル−N−4−(シクロヘキシル−p−トリルビニル)フェニルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセン)の合成
ジ−p−トリルアミンの代わりにN−トリル−N−4−(シクロヘキシル−p−トリルビニル)フェニルアミンを用いる以外は合成例4と同様の手法により、目的の3,12−ビス(N−トリル−N−4−(p−トリルビニル)フェニルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンを得た。
【0072】
(合成例14)化合物(19)(2,11−ビス(N−トリル−N−4−(シクロヘキシル−p−トリルビニル)フェニルアミノ)−5,14−ジ−t−ブチルテトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセン)の合成
ジ−p−トリルアミンの代わりにN−トリル−N−4−(シクロヘキシル−p−トリルビニル)フェニルアミンを用いる以外は合成例5と同様の手法により、目的の3,12−ビス(N−トリル−N−4−(p−トリルビニル)フェニルアミノ)テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセンを得た。
【0073】
以下、本発明の化合物を発光層(1〜11)、正孔輸送材料との混合薄膜を発光層(12〜14)、電子輸送材料との混合薄膜を発光層(15〜16)、正孔輸送層(17〜21)、及び電子輸送層(22〜26)として用いた例を示す。
【0074】
(実施例1)
実施例1に用いた素子の断面構造を図1に示す。以下に本発明の実施例1に用いる有機薄膜EL素子の作製手順について説明する。素子は陽極/発光層/陰極により構成されている。ガラス基板上にITOをスパッタリングによってシート抵抗が20Ω/□になるように製膜し、陽極とした。その上に発光層として、化合物(3)を真空蒸着法にて40nm形成した。次に陰極としてマグネシウム−銀合金を真空蒸着法にて200nm形成して有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加したところ、20cd/m2の発光が得られた。
【0075】
(実施例2)
発光材料として、化合物(4)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加したところ、110cd/m2の発光が得られた。
【0076】
(実施例3)
発光材料として、化合物(5)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加したところ、80cd/m2の発光が得られた。
【0077】
(実施例4)
発光材料として、化合物(6)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加したところ、130cd/m2の発光が得られた。
【0078】
(実施例5)
発光材料として、化合物(7)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加したところ、120cd/m2の発光が得られた。
【0079】
(実施例6)
発光材料として、化合物(9)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加したところ、310cd/m2の発光が得られた。
【0080】
(実施例7)
発光材料として、化合物(10)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加したところ、260cd/m2の発光が得られた。
【0081】
(実施例8)
発光材料として、化合物(11)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加したところ、340cd/m2の発光が得られた。
【0082】
(実施例9)
発光材料として、化合物(13)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加したところ、460cd/m2の発光が得られた。
【0083】
(実施例10)
発光材料として、化合物(14)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加したところ、420cd/m2の発光が得られた。
【0084】
(実施例11)
発光材料として、化合物(15)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加したところ、470cd/m2の発光が得られた。
【0085】
(実施例12)
発光材料として、化合物(17)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加したところ、460cd/m2の発光が得られた。
【0086】
(実施例13)
発光材料として、化合物(18)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加したところ、500cd/m2の発光が得られた。
【0087】
(実施例14)
発光材料として、化合物(19)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加したところ、480cd/m2の発光が得られた。
【0088】
(実施例15)
ガラス基板上にITOをスパッタリングによってシート抵抗が20Ω/□になるように製膜し、陽極とした。その上に化合物(9)のクロロホルム溶液を用いたスピンコート法により40nmの発光層を形成した。次に陰極としてマグネシウム−銀合金を真空蒸着法により200nm形成して有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加したところ、130cd/m2の発光が得られた。
【0089】
(実施例16)
実施例16に用いた素子の断面構造を図2に示す。素子は陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極により構成されている。ガラス基板上にITOをスパッタリングによってシート抵抗が20Ω/□になるように製膜し、陽極とした。その上に正孔輸送層として、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1′−ビフェニル]−4,4′−ジアミン[02]を真空蒸着法にて50nm形成した。次に、発光層として、化合物(3)を真空蒸着法にて40nm形成した。次に、電子輸送層として2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール[07]を真空蒸着法にて20nm形成した。次に陰極としてマグネシウム−銀合金を真空蒸着法によって200nm形成して有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、3040cd/m2の発光が得られた。
【0090】
(実施例17)
発光材料として、化合物(4)を用いる以外は実施例16と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、2970cd/m2の発光が得られた。
【0091】
(実施例18)
正孔輸送層としてN,N’−ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン[03]を、電子輸送層としてビス{2−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール}−m−フェニレン[08]を用いる以外は実施例16と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、3230cd/m2の発光が得られた。
【0092】
(実施例19)
正孔輸送層として[04]を、発光層として化合物(5)を、電子輸送層として[11]を用いる以外は実施例16と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、2760cd/m2の発光が得られた。
【0093】
(実施例20)
正孔輸送層として[05]を、発光層として化合物(6)を、電子輸送層として[12]を用いる以外は実施例16と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、3180cd/m2の発光が得られた。
【0094】
(実施例21)
発光材料として、化合物(7)を用いる以外は実施例16と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、2700cd/m2の発光が得られた。
【0095】
(実施例22)
発光材料として、化合物(9)を用いる以外は実施例16と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、3760cd/m2の発光が得られた。
【0096】
(実施例23)
発光材料として、化合物(10)を用いる以外は実施例16と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、3690cd/m2の発光が得られた。
【0097】
(実施例24)
発光材料として、化合物(11)を用いる以外は実施例16と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、3940cd/m2の発光が得られた。
【0098】
(実施例25)
発光材料として、化合物(13)を用いる以外は実施例16と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、4360cd/m2の発光が得られた。
【0099】
(実施例26)
発光材料として、化合物(14)を用いる以外は実施例16と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、4210cd/m2の発光が得られた。
【0100】
(実施例27)
発光材料として、化合物(15)を用いる以外は実施例16と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、4460cd/m2の発光が得られた。
【0101】
(実施例28)
発光材料として、化合物(17)を用いる以外は実施例16と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、3850cd/m2の発光が得られた。
【0102】
(実施例29)
発光材料として、化合物(18)を用いる以外は実施例16と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、3930cd/m2の発光が得られた。
【0103】
(実施例30)
発光材料として、化合物(19)を用いる以外は実施例16と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、3760cd/m2の発光が得られた。
【0104】
(実施例31)
実施例31に用いた素子の断面構造を図2に示す。素子は陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極により構成されている。ガラス基板上にITOをスパッタリングによってシート抵抗が20Ω/□になるように製膜し、陽極とした。その上に正孔輸送層として、[03]を真空蒸着法にて50nm形成した。その上に発光層として[03]と化合物(4)を1:10の重量比で共蒸着して作製した薄膜を50nm形成した。次に、電子輸送層として2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール[07]を真空蒸着法にて20nm形成した。次に陰極としてマグネシウム−銀合金を真空蒸着法によって200nm形成して有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、3210cd/m2の発光が得られた。
【0105】
(実施例32)
化合物(4)の代わりに化合物(14)を用いる以外は実施例31と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、3350cd/m2の発光が得られた。
【0106】
(実施例33)
化合物(4)の代わりに化合物(19)を用いる以外は実施例31と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、2970cd/m2の発光が得られた。
【0107】
(実施例34)
実施例34に用いた素子の断面構造を図4に示す。素子は陽極/発光層/電子輸送層/陰極により構成されている。ガラス基板上にITOをスパッタリングによってシート抵抗が20Ω/□になるように製膜し、陽極とした。その上に発光層としてN,N’−ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン[03]と化合物(4)を1:10の重量比で共蒸着して作製した薄膜を50nm形成した。次いで電子輸送層として[09]を真空蒸着法にて50nm形成した。次に陰極としてマグネシウム−銀合金を200nm形成してEL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、2160cd/m2の発光が得られた。
【0108】
(実施例35)
化合物(4)の代わりに化合物(6)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、2370cd/m2の発光が得られた。
【0109】
(実施例36)
化合物(4)の代わりに化合物(9)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、2290cd/m2の発光が得られた。
【0110】
(実施例37)
化合物(4)の代わりに化合物(14)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、2900cd/m2の発光が得られた。
【0111】
(実施例38)
化合物(4)の代わりに化合物(15)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、2860cd/m2の発光が得られた。
【0112】
(実施例39)
化合物(4)の代わりに化合物(17)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、2740cd/m2の発光が得られた。
【0113】
(実施例40)
発光層として化合物(19)を真空蒸着法により40nm形成する以外は実施例34と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、2880cd/m2の発光が得られた。
【0114】
(実施例41)
ガラス基板上にITOをスパッタリングによってシート抵抗が20Ω/□になるように製膜し、陽極とした。その上に化合物(11)とN,N’−ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン[03]をモル比で1:10の割合で含有するクロロホルム溶液を用いたスピンコート法により40nmの発光層を形成した。次に[10]を真空蒸着法により50nmの電子輸送層を形成し、その上に陰極としてマグネシウム−銀合金を真空蒸着法により200nm形成して有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、1320cd/m2の発光が得られた。
【0115】
(実施例42)
実施例42に用いた素子の断面構造を図3に示す。素子は陽極/正孔輸送層/発光層/陰極により構成されている。ガラス基板上にITOをスパッタリングによってシート抵抗が20Ω/□になるように製膜し、陽極とした。その上に正孔輸送層としてN,N’−ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン[03]を真空蒸着法にて50nm形成した。次に、発光層として[11]と化合物(3)とを20:1の重量比で真空共蒸着した膜を50nm形成した。次に陰極としてマグネシウム−銀合金を200nm形成してEL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、1340cd/m2の発光が得られた。
【0116】
(実施例43)
発光層として、[11]と化合物(4)とを20:1の重量比で真空共蒸着した50nmの膜を用いる以外は実施例42と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、1860cd/m2の発光が得られた。
【0117】
(実施例44)
化合物(4)の代わりに化合物(6)を用いる以外は実施例43と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、1730cd/m2の発光が得られた。
【0118】
(実施例45)
化合物(4)の代わりに化合物(9)を用いる以外は実施例43と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、1810cd/m2の発光が得られた。
【0119】
(実施例46)
化合物(4)の代わりに化合物(14)を用いる以外は実施例43と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、1690cd/m2の発光が得られた。
【0120】
(実施例47)
化合物(4)の代わりに化合物(15)を用いる以外は実施例43と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、1820cd/m2の発光が得られた。
【0121】
(実施例48)
化合物(4)の代わりに化合物(17)を用いる以外は実施例43と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、1910cd/m2の発光が得られた。
【0122】
(実施例49)
化合物(4)の代わりに化合物(19)を用いる以外は実施例43と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、1770cd/m2の発光が得られた。
【0123】
(実施例50)
正孔輸送層としてN,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1′−ビフェニル]−4,4′−ジアミン[02]を、発光層として[13]と化合物(6)とを20:1の重量比で真空共蒸着して作製した膜を用いる以外は実施例42と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、2030cd/m2の発光が得られた。
【0124】
(実施例51)
正孔輸送層として化合物(4)を、発光層として[13]を用いる以外は実施例16と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、1020cd/m2の発光が得られた。
【0125】
(実施例52)
正孔輸送材料として、化合物(10)を用いる以外は実施例51と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、1080cd/m2の発光が得られた。
【0126】
(実施例53)
正孔輸送材料として、化合物(6)を用いる以外は実施例51と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、930cd/m2の発光が得られた。
【0127】
(実施例54)
正孔輸送材料として、化合物(15)を用いる以外は実施例51と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、1360cd/m2の発光が得られた。
【0128】
(実施例55)
正孔輸送層としてN,N’−ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン[03]を、発光層として[13]を、電子輸送層として化合物(3)を用いる以外は実施例16と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、890cd/m2の発光が得られた。
【0129】
(実施例56)
電子輸送層として、化合物(7)を用いる以外は実施例55と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、680cd/m2の発光が得られた。
【0130】
(実施例57)
電子輸送層として、化合物(14)を用いる以外は実施例55と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、420cd/m2の発光が得られた。
【0131】
(実施例58)
電子輸送層として、化合物(15)を用いる以外は実施例55と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、670cd/m2の発光が得られた。
【0132】
(実施例59)
電子輸送層として、化合物(18)を用いる以外は実施例55と同様の操作を行い有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、570cd/m2の発光が得られた。
【0133】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明化合物を有機EL素子の構成材料とすることにより、従来に比べて高輝度な発光が得られ、本発明の効果は大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の断面図である。
【図2】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の断面図である。
【図3】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の断面図である。
【図4】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の断面図である。
【符号の説明】
1 基板
2 陽極
3 正孔輸送層
4 発光層
5 電子輸送層
6 陰極

Claims (8)

  1. 陽極と陰極の間に、発光層を含む一層または複数層からなる有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも一層が下記一般式(1)で示される材料を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0003836300
    (式中、R1〜R18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またR1〜R18は、それらのうちの2つで環を形成していても良い。ただし、R1〜R18のうち少なくとも一つは−NAr1Ar2(Ar1,Ar2はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数6〜20のアリール基を表す。)で表されるジアリールアミノ基である。)
  2. 陽極と陰極との間に、発光層を含む一層または複数層からなる有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも一層が下記一般式(2)で示される材料を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0003836300
    (式中、R1〜R18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またR1〜R18は、それらのうちの2つで環を形成していても良い。ただし、R1〜R18のうち少なくとも一つは−NAr1Ar2(Ar1,Ar2はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数6〜20のアリール基を表し、Ar1,Ar2基の少なくとも一つが置換若しくは無置換のスチリル基を置換基として持つ。)で表されるジアリールアミノ基である。)
  3. 請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層が、一般式(1)で表される化合物を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. 請求項2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層が、一般式(2)で表される化合物を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  5. 請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層が少なくとも正孔輸送層を有し、該正孔輸送層が、一般式(1)で表される化合物を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 請求項2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層が少なくとも正孔輸送層を有し、該正孔輸送層が、一般式(2)で表される化合物を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  7. 請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層が少なくとも電子輸送層を有し、該電子輸送層が、一般式(1)で表される化合物を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 請求項2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層が少なくとも電子輸送層を有し、該電子輸送層が、一般式(2)で表される化合物を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6899961B2 (en) * 1999-12-15 2005-05-31 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic electroluminescence device
KR101018547B1 (ko) * 2002-07-19 2011-03-03 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자 및 유기 발광 매체
US6852429B1 (en) 2003-08-06 2005-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent device based on pyrene derivatives
KR20050045635A (ko) * 2003-11-12 2005-05-17 엘지전자 주식회사 유기 전계발광소자 및 그 제조방법
US7935836B2 (en) * 2004-05-18 2011-05-03 Alexander Graham Fallis Compounds comprising a linear series of five fused carbon rings, and preparation thereof
US7655809B2 (en) * 2004-05-18 2010-02-02 University Of Ottawa Compounds comprising a linear series of five fused carbon rings, and preparation thereof
CA2547799A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-27 University Of Ottawa Compounds comprising a linear series of five fused carbon rings, and preparation thereof
KR100681473B1 (ko) 2005-11-18 2007-02-09 이수화학 주식회사 헥사벤조코로넨계 유기전기발광물질
WO2024058239A1 (ja) * 2022-09-16 2024-03-21 東ソー株式会社 撮像素子用光電変換素子用正孔輸送材料または撮像素子用光電変換素子用電子ブロッキング材料、縮合環化合物の製造方法、および縮合環化合物

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2897138B2 (ja) 1989-06-30 1999-05-31 株式会社リコー 電界発光素子
JP3200889B2 (ja) 1991-10-23 2001-08-20 ソニー株式会社 画像の振動補正装置
US5443922A (en) * 1991-11-07 1995-08-22 Konica Corporation Organic thin film electroluminescence element
JPH07138561A (ja) 1993-11-17 1995-05-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3463358B2 (ja) 1994-07-08 2003-11-05 東洋インキ製造株式会社 正孔輸送材料およびその用途
JP3593719B2 (ja) 1994-08-04 2004-11-24 東洋インキ製造株式会社 新規なトリフェニルアミン誘導体、その製造方法及び用途
JP3593717B2 (ja) 1994-08-04 2004-11-24 東洋インキ製造株式会社 新規なトリフェニルアミン誘導体、その製造方法及び用途
JP2686418B2 (ja) 1994-08-12 1997-12-08 東洋インキ製造株式会社 ジアリールアミン誘導体、その製造方法及び用途
JPH0887122A (ja) 1994-09-16 1996-04-02 Toyo Ink Mfg Co Ltd 正孔輸送材料およびその用途
JP3724833B2 (ja) 1995-03-06 2005-12-07 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
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JP3008917B2 (ja) 1997-12-25 2000-02-14 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3233206B2 (ja) 1998-01-06 2001-11-26 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3139622B2 (ja) 1998-08-03 2001-03-05 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
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