JP3808265B2 - 電源供給制御装置及び電源供給制御方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電源供給制御装置および電源供給制御方法に関し、より詳しくは、制御信号に応じてスイッチング制御により、電源から負荷への電力供給を制御する半導体スイッチを備えた電源供給制御装置および電源供給制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体スイッチを備えた電源供給制御装置としては、例えば図７に示すようなものがある。本従来例の電源供給制御装置は、自動車においてバッテリからの電源を選択的に各負荷に供給して、負荷への電力供給を制御する装置である。
【０００３】
同図において、本従来例の電源供給制御装置は、電源１０１の出力電圧ＶＢを燃料タンク内に設けられた燃料ゲージ等々の負荷１０２に供給する経路にシャント抵抗ＲＳおよびサーマルＦＥＴＱＦのドレインＤ−ソースＳを直列接続した構成である。
【０００４】
また、シャント抵抗ＲＳを流れる電流を検出してハードウェア回路によりサーマルＦＥＴＱＦの駆動を制御するドライバ９０１と、ドライバ９０１でモニタした電流値に基づいてサーマルＦＥＴＱＦの駆動信号をオン／オフ制御するＡ／Ｄ変換器９０２、マイコン（ＣＰＵ）９０３およびマイコン９０３からの制御信号に応じてランプ９２１を点灯するトランジスタＱ９２０とを備えている。
【０００５】
半導体スイッチとしてのサーマルＦＥＴＱＦは、図示しない温度センサを内蔵してサーマルＦＥＴＱＦが規定以上の温度まで上昇した場合には、内蔵するゲート遮断回路によってサーマルＦＥＴＱＦを強制的にオフ制御する過熱遮断機能を備えている。また、図中のＲＧは抵抗であり、ＺＤ１はゲートＧ−ソースＳ間を１２［Ｖ］に保ってゲートＧに過電圧が印加されようとした場合にこれをバイパスさせるツェナーダイオードである。
【０００６】
また、本従来例の電源供給制御装置では、負荷１０２またはサーマルＦＥＴＱＦのドレインＤ−ソースＳ間における過電流に対する保護機能をも備えている。即ち、ドライバ９０１は、電流モニタ回路としての差動増幅器９１１，９１３と、電流制限回路としての差動増幅器９１２と、チャージポンプ回路９１５と、マイコン９０３からのオン／オフ制御信号および電流制限回路からの過電流判定結果に基づき、内部抵抗ＲＧを介してサーマルＦＥＴＱＦのゲートＧを駆動する駆動回路９１４を備えて構成されている。
【０００７】
シャント抵抗ＲＳの電圧降下に基づき差動増幅器９１２を介して、電流が判定値（上限）を超えたとして過電流が検出された場合には、駆動回路９１４によってサーマルＦＥＴＱＦをオフ動作とし、その後電流が低下して判定値（下限）を下回ったらサーマルＦＥＴＱＦをオン動作させる。
【０００８】
一方、マイコン９０３は、電流モニタ回路（差動増幅器９１１，９１３）を介して電流を常時モニタしており、正常値を上回る異常電流が流れていれば、サーマルＦＥＴＱＦの駆動信号をオフすることによりサーマルＦＥＴＱＦをオフ動作させる。なお、マイコン９０３からオフ制御の駆動信号が出力される前に、サーマルＦＥＴＱＦの温度が規定値を超えていれば、過熱遮断機能によってサーマルＦＥＴＱＦはオフ動作となる。
【０００９】
また、マイコン９０３は、電流モニタ回路（差動増幅器９１１，９１３）を介して常時モニタしている電流が、正常値を上回る異常電流となるかを判断しており、このような異常電流が流れた場合には、オン制御信号をトランジスタＱ９２０に出力してトランジスタＱ９２０をスイッチング動作させ、電源ＶＢをランプ９２１に供給する。この結果、燃料タンク内の燃料ゲージに異常電流が流れたことを例えば運転者に報知することができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の電源供給制御装置にあっては、電流検出を行うために電力の供給経路に直列接続されるシャント抵抗ＲＳを必要とした構成であり、近年のサーマルＦＥＴＱＦのオン抵抗の低減に伴う負荷の大電流化により、シャント抵抗の熱損失が無視できないという問題点がある。
【００１１】
また、上述の過熱遮断機能や過電流制限回路は、負荷１０２や配線にほぼ完全な短絡状態が発生して大電流が流れる場合には機能するが、ある程度の短絡抵抗を持つ不完全短絡などのレアショートが発生して小さい短絡電流が流れた場合には機能せず、電流のモニタ回路を介してマイコン９０３により異常電流を検出してサーマルＦＥＴＱＦをオフ制御するしかなく、このような異常電流に対するマイコン制御による応答性が悪いという事情もあった。
【００１２】
また、シャント抵抗ＲＳ、マイコン９０３等が必要であるため、大きな実装スペースが必要であり、またこれらの比較的高価な部品により装置コストが高くなってしまうという問題点もある。
【００１３】
本発明の目的は、上記従来の問題点や事情を解決することにあり、電流検出を行うために電力の供給経路に直列接続されるシャント抵抗を不要として装置の熱損失を抑え、ある程度の短絡抵抗を持つ不完全短絡などのレアショートが発生した場合の異常電流に対しても高速応答を可能とし、集積化が容易で安価な電源供給制御装置および電源供給制御方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、上記課題を解決するため、負荷への電力供給を制御する第１半導体スイッチと、前記第１半導体スイッチと並列接続され、前記第１半導体スイッチの正常電流動作範囲で最大値となる基準を表す第１基準負荷への電力供給を制御する第２半導体スイッチと、前記第１半導体スイッチの第１端子電圧と前記第２半導体スイッチの第２端子電圧とを比較する第１比較手段と、前記第１及び第２半導体スイッチの制御端子に制御電圧を供給する制御電圧供給手段と、を有する電源供給制御装置において、前記第 1 半導体スイッチは、温度センサを内蔵し、過熱状態を検出すると強制的にオン状態からオフ状態に遷移する過熱遮断保護機能を備え、前記制御電圧供給手段は、前記第１比較手段からの出力により異常電流の発生を検知すると、前記第１半導体スイッチに振動電流を生成させて過熱遮断を促進させることを要旨とする。
【００１５】
請求項２記載の発明は、上記課題を解決するため、請求項１記載の電源供給制御装置において、前記第１半導体スイッチと並列接続され、前記負荷の正常電流動作範囲で最小値を表す第２基準負荷への電力供給を制御する第３半導体スイッチと、前記第１半導体スイッチの第１端子電圧と前記第３半導体スイッチの第３端子電圧とを比較する第２比較手段とを有することを要旨とする。
【００１６】
請求項３記載の発明は、上記課題を解決するため、請求項２記載の電源供給制御装置において、前記第２比較手段からの出力に応じて、前記第３端子電圧よりも前記第１端子電圧の方が大きい場合には、前記負荷が最小使用電流よりも小さくなったことを報知する報知手段を有することを要旨とする。
【００１７】
請求項４記載の発明は、上記課題を解決するため、負荷への電力供給を制御する第１半導体スイッチと、前記第１半導体スイッチと並列接続され、前記第１半導体スイッチの正常電流動作範囲で最大値となる基準を表す第１基準負荷への電力供給を制御する第２半導体スイッチとを有し、前記第１半導体スイッチの第１端子電圧と前記第２半導体スイッチの第２端子電圧とを比較する第１比較ステップと、前記第１及び第２半導体スイッチの制御端子に制御電圧を供給する制御電圧供給ステップと、を有する電源供給制御方法において、前記第 1 半導体スイッチは、温度センサを内蔵し、過熱状態を検出すると強制的にオン状態からオフ状態に遷移する過熱遮断保護ステップを有し、前記制御電圧供給ステップは、前記第１比較ステップからの出力により異常電流の発生を検知すると、前記第１半導体スイッチに振動電流を生成させて過熱遮断を促進させることを要旨とする。
【００１８】
請求項５記載の発明は、上記課題を解決するため、請求項４記載の電源供給制御方法において、前記第１半導体スイッチと並列接続され、前記負荷の正常電流動作範囲で最小値を表す第２基準負荷への電力供給を制御する第３半導体スイッチを有し、前記第１半導体スイッチの第１端子電圧と前記第３半導体スイッチの第３端子電圧とを比較する第２比較ステップを有することを要旨とする。
【００１９】
請求項６記載の発明は、上記課題を解決するため、請求項５記載の電源供給制御方法において、前記第２比較ステップからの出力に応じて、前記第３端子電圧よりも前記第１端子電圧の方が大きい場合には、前記負荷が最小使用電流よりも小さくなったことを報知する報知ステップを有することを要旨とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る電源供給制御装置および電源供給制御方法の実施の形態例について、一実施形態を図１乃至図６を参照して詳細に説明する。以下の説明では、電源供給制御装置および電源供給制御方法は、例えば自動車においてバッテリからの電源を燃料タンク内に設けられた燃料ゲージ等の負荷に供給して、負荷への電力供給を制御する電源供給制御装置に適用した実施の形態例について説明するが、本発明はこのような形態に限定されるものではなく、電源から負荷への電力供給をスイッチング制御する電源供給制御装置および電源供給制御方法であればどのような形態であっても適用可能である。
【００２１】
ここで、図１は本発明の一実施形態の電源供給制御装置の回路構成図、図２は実施形態で使用する半導体スイッチ（温度センサ内蔵ＦＥＴ）の詳細な回路構成図、図３、図４および図５は実施形態の電源供給制御装置および電源供給制御方法が利用する原理を説明する説明図、図６は短絡故障時および通常動作時の実施形態の電源供給制御装置における半導体スイッチの電流と電圧を例示する波形図である。
【００２２】
本発明の一実施形態の電源供給制御装置について、図１を参照して説明すると、本実施形態の電源供給制御装置は、電源１０１の出力電圧ＶＢを燃料ゲージとなる負荷１０２に供給する経路に、半導体スイッチとしての温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのドレインＤ−ソースＳＡを直列接続した構成である。ここで、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡにはＤＭＯＳ構造のＮＭＯＳ型を使用しているがＰＭＯＳ型でも実現可能である。
【００２３】
また同図において、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡを駆動制御する部分については、リファレンスＦＥＴＱＢ〜ＦＥＴＱＣ、抵抗Ｒ１，Ｒ２，ＲＧ，Ｒ８，Ｒ１０、ツェナーダイオードＺＤ１、コンパレータＣＭＰ１，ＣＭＰ２、駆動回路１１１、チャージポンプ回路１１３およびスイッチＳＷ１を備えた構成である。なお、参照符号として抵抗には“Ｒ”とそれに続く数字および文字を使用しているが、以下の説明では参照符号として使用すると共に、それぞれ該抵抗の抵抗値をも表すものとする。また、図１中の点線で囲った部分１１０ａはアナログ集積化されるチップ部分を示す。
【００２４】
負荷１０２は燃料タンク内の残量を検出する可変抵抗からなる燃料ゲージであり、ユーザ等がスイッチＳＷ１をオンさせることにより機能する。駆動回路１１１には、コレクタ側が電位ＶＰに接続されたソーストランジスタＱ５と、エミッタ側が接地電位（ＧＮＤ）に接続されたシンクトランジスタＱ６とを直列接続して備え、スイッチＳＷ１のオン／オフ切換えによる切換え信号に基づき、ソーストランジスタＱ５およびシンクトランジスタＱ６をオン／オフ制御して、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡを駆動制御する信号を出力する。なお図中、ＶＢは電源１０１の出力電圧であり、例えば１２［Ｖ］である。また、ＶＰはチャージポンプ回路１１３の出力電圧であり、例えばＶＢ＋１０［Ｖ］である。
【００２５】
半導体スイッチとしての温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡは、より詳しくは図２に示すような構成を備えている。図２において、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡは、内蔵抵抗ＲＧ、温度センサ１２１、ラッチ回路１２２及び過熱遮断用ＦＥＴＱＳを備えている。なお、ＺＤ１はゲートＧ−ソースＳＡ間を１２［Ｖ］に保ってゲートＧに過電圧が印加されようとした場合にこれをバイパスさせるツェナーダイオードである。
【００２６】
つまり、本実施形態で使用する温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡは、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡが規定以上の温度まで上昇したことが温度センサ１２１によって検出された場合には、その旨の検出情報がラッチ回路１２２に保持され、ゲート遮断回路としての過熱遮断用ＦＥＴＱＳがオン動作となることによって、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡを強制的にオフ制御する過熱遮断機能を備えている。
【００２７】
温度センサ１２１は４個のダイオードが縦続接続されてなり、実装上、温度センサ１２１は温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡの近傍に配置形成されている。温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡの温度が上昇するにつれて温度センサ１２１の各ダイオードの抵抗値が減少するので、ＦＥＴＱ５１のゲート電位が“Ｌ”レベルとされる電位まで下がると、ＦＥＴＱ５１がオン状態からオフ状態に遷移する。これにより、ＦＥＴＱ５４のゲート電位が温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのゲート制御端子（Ｇ）の電位にプルアップされ、ＦＥＴＱ５４がオフ状態からオン状態に遷移して、ラッチ回路１２２に“１”がラッチされることとなる。このとき、ラッチ回路１２２の出力が“Ｈ”レベルとなって過熱遮断用ＦＥＴＱＳがオフ状態からオン状態に遷移するので、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡの真のゲート（ＴＧ）と温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのソース（ＳＡ）が同電位になって、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡがオン状態からオフ状態に遷移して、過熱遮断されることとなる。
【００２８】
また、本実施形態の電源供給制御装置では、負荷１０２または温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのソース（ＳＡ）と負荷１０２間において発生する短絡故障による過電流、或いは不完全短絡故障による異常電流に対する保護機能をも備えている。以下、図１を参照して、この保護機能を実現する構成について説明する。
【００２９】
先ず、リファレンスＦＥＴＱＢ，ＦＥＴＱＣのドレインおよびゲートはそれぞれ温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのドレイン（Ｄ）および真のゲート（ＴＧ）に接続され、リファレンスＦＥＴＱＢのソース（ＳＢ）は抵抗Ｒ１の一方の端子に接続され、抵抗Ｒ１の他の端子は接地電位（ＧＮＤ）に接続され、ＦＥＴＱＣのソース（ＳＢ）は抵抗Ｒ２の一方の端子に接続され、抵抗Ｒ２の他の端子は接地電位（ＧＮＤ）に接続されている。このように、リファレンスＦＥＴＱＢ、ＦＥＴＱＣおよび温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのドレイン（Ｄ）およびゲート（ＴＧ）を共通化することにより同一チップからなる電流振動型遮断機能付きスイッチング・デバイス（１１０ａ）への集積化を容易にすることができる。
【００３０】
また、リファレンスＦＥＴＱＢ，ＦＥＴＱＣおよび温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡは同一プロセスで同一チップ（１１０ａ）上に形成されたものを使用している。本実施形態における電流検出手法は、コンパレータＣＭＰ１による温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのソース電圧ＶSAと基準電圧との差の検出によって行われることから、同一チップ上にリファレンスＦＥＴＱＢおよび温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡを形成することにより、電流検出における同相的誤差要因、即ち電源電圧、温度ドリフトやロット間のバラツキの影響を除去（削減）することができる。さらに、抵抗Ｒ１をチップ１１０ａの外部に設置しているので、基準電圧へのチップ１１０ａの温度変化の影響を受け難くすることができ、高精度の電流検出を実現することが可能となる。
【００３１】
また、リファレンスＦＥＴＱＢ，ＦＥＴＱＣの電流容量が温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡの電流容量よりも小さくなるように、それぞれのＦＥＴを構成する並列接続のトランジスタ数の比を（リファレンスＦＥＴＱＢ，ＦＥＴＱＣのトランジスタ数：１個）＜（温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのトランジスタ数：１０００個）となるように構成している。
【００３２】
コンパレータＣＭＰ１は、特許請求の範囲にいう第１比較手段の一部を成す。コンパレータＣＭＰ１の“＋”入力端子には、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのソース電圧ＶSAが供給され、“−”入力端子には、リファレンスＦＥＴＱＢのソース電圧ＶSBが供給されている。つまり、“−”入力端子に供給される電位より“＋”入力端子に供給される電位が大きいときに出力は有効（“Ｈ”レベル）となり、“−”入力端子に供給される電位より“＋”入力端子に供給される電位が小さいときに出力は無効（“Ｌ”レベル）となる。
【００３３】
また、コンパレータＣＭＰ２は、特許請求の範囲にいう第２比較手段の一部を成す。コンパレータＣＭＰ２の“＋”入力端子には、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのソース電圧ＶSAが供給され、“−”入力端子には、リファレンスＦＥＴＱＣのソース電圧ＶSCが供給されている。つまり、“−”入力端子に供給される電位より“＋”入力端子に供給される電位が大きいときに出力は有効（“Ｈ”レベル）となり、“−”入力端子に供給される電位より“＋”入力端子に供給される電位が小さいときに出力は無効（“Ｌ”レベル）となる。
【００３４】
次に、以上説明した本実施形態の電源供給制御装置の回路構成を踏まえて、電源供給制御方法を説明する。具体的な動作説明を行う前に、図３、図４および図５を参照して、本実施形態の電源供給制御装置および電源供給制御方法が利用する原理について説明する。ここで、図３はオフ状態からオン状態への遷移時のドレイン−ソース間電圧の立ち下がり特性の説明図、図４は概念的回路図、図５は温度センサ内蔵ＦＥＴのドレイン電流とゲート−ソース間電圧との特性を説明する説明図である。
【００３５】
半導体スイッチとして温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡを使用した場合、電源１０１から負荷１０２への電力供給経路は、概念的に図４に示すような回路として表される。負荷１０２には電力供給経路の配線インダクタンスＬ０と配線抵抗Ｒ０とを含む。なお、経路または負荷１０２において短絡故障が発生した場合にはＲ０には短絡抵抗も含まれることとなる。ここで短絡抵抗は、本実施形態が適用対象としている自動車において負荷１０２を燃料ゲージと仮定した場合には、上述の完全短絡（デッドショート）の場合に約４０［ｍΩ］以下であり、不完全短絡の場合は約４０〜５００［ｍΩ］である。
【００３６】
このような電力供給経路の一部を成す温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのドレイン−ソース間電圧ＶDSは、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡがオフ状態からオン状態へ遷移する際の立ち下がり電圧特性として、図３に示す如くなる。即ち、短絡の場合、基準負荷（通常動作）の場合、負荷１０２が抵抗１［ＫΩ］の場合についての立ち下がり電圧特性である。このように、立ち下がり特性は、電力供給経路および負荷の状態、即ち、経路が持つ配線インダクタンス並びに配線抵抗および短絡抵抗に基づく時定数に応じて変化する。
【００３７】
このようなドレイン−ソース間電圧ＶDSの特性の変化を利用して過電流検出を行う手法として、以下で説明する手法の他に、所定タイミングで所定しきい値との比較を行って過電流検出を行う手法が考えられるが、所定タイミングを規定する手段および所定しきい値との比較手段を構成するために、コンデンサや複数の抵抗といった部品を必要とし、これらの部品がばらつくと検出誤差となってしまうという問題がある。また、コンデンサが必要であり、該コンデンサはチップ内に搭載できないことから、外付け部品が必要となり、装置コストのアップ要因となってしまうという問題もあった。
【００３８】
図３において、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡがオン状態に遷移してドレイン−ソース間電圧ＶDSが飽和するまでの期間は、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡはピンチオフ領域で動作する。
【００３９】
また、負荷１０２の抵抗が１［ＫΩ］のときのドレイン−ソース間電圧ＶDSの変化について、次のように考察できる。つまり、第１に、例えば、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡに日立製の「ＨＡＦ２００１］を使用した場合、ドレイン電流ＩＤ＝１２［ｍＡ］だから、ゲート−ソース間電圧ＶTGS は、ほぼしきい値電圧１．６［Ｖ］に維持される。第２に、駆動回路１１１によるゲート（Ｇ）への充電は継続されるから、このまま行くとゲート−ソース間電圧ＶTGS は上昇して行ってしまうが、ドレイン−ソース間電圧ＶDSが低下して、ゲート−ドレイン間の容量ＣGDの電荷を放電させるので、ゲート−ソース間電圧ＶTGS に達する電荷を吸収してしまうことになる。即ち、ドレイン−ソース間電圧ＶDSはゲート−ソース間電圧ＶTGS に達した電荷が電位上昇を生じさせないだけの電荷をゲート−ドレイン間の容量ＣGDから放電させるような速度で降下することになる。これにより、ゲート−ソース間電圧ＶTGS は約１．６［Ｖ］ に維持される。そして、ゲート−ドレイン間電圧ＶTGD の低下につられてドレイン−ソース間電圧ＶDSも低下する。なお、この時、電荷を吸収する要因は２つあり、第１はゲート−ドレイン間電圧ＶTGD の低下によるゲート−ドレイン間容量ＣGDの放電（ミラー容量）であり、第２はｎ領域の空乏層減少によるゲート−ドレイン間容量ＣGDの容量増大である。
【００４０】
また、負荷抵抗＝１［ＫΩ］時のドレイン−ソース間電圧ＶDSの変化について、次のような解釈も可能である。つまり、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡがオン状態に遷移した後の各経過時点で、駆動回路１１１によってゲート（Ｇ）の送られる充電電荷を吸収し、真のゲート（ＴＧ）の電圧ＶTGS を一定に保つうようなドレイン−ソース間電圧ＶDSの値を表わしている。したがって、ある経過時間の後にドレイン−ソース間電圧ＶDSが図３の負荷抵抗＝１［ＫＧ］時の曲線より上側にあれば、ゲート−ソース間電圧ＶTGS は１．６［Ｖ］よりも高くなっていることを意味する。
【００４１】
さらに、同一経過時間における図３の負荷抵抗＝１［ＫΩ］時の曲線からの距離をΔＶDSGAP とすると、ΔＶDSGAP ×ＣGD分の電荷をゲート−ソース間電圧ＶTGS から引き去れば、ゲート−ソース間電圧電圧ＶTGS は１．６［Ｖ］になることを意味する。換言すれば、ゲート−ソース間電圧ＶTGS は１．６［Ｖ］からこの電荷分だけ電位が上昇していることを意味する。このことを式で示せば次式となる。
【００４２】
【数１】
ＶTGS−１．６＝ΔＶDSGAP×２ＣGD／（ＣGS×２ＣGD） …（１）
即ち、ΔＶDSGAP は（ゲート−ソース間電圧ＶTGS −１．６［Ｖ］）に比例する。
【００４３】
また、ゲート−ソース間電圧ＶTGS とドレイン電流ＩＤとの間には、図５の特性に示すように、比例に近い１対１の関係がある。ここで、図５の特性は日立製の「ＨＡＦ２００１」のものであり、図中のＶGSはここではゲート−ソース間電圧ＶTGS に相当する。したがって、ΔＶDSGAP は図５の特性に示されるような対応関係に基づいてドレイン電流ＩＤを表すということができる。図５において、ドレイン電流ＩＤ＝１０［Ａ］近辺の分解能は約６０［ｍＶ／Ａ］である。即ち、１［Ａ］のドレイン電流ＩＤの変化が６０［ｍＶ］のゲート−ソース間電圧ＶTGS の変化に対応し、±５［Ａ］のドレイン電流ＩＤの変化に対して±０．３［Ｖ］のゲート−ソース間電圧ＶTGS の変化が対応する。なお、この分解能は従来例においてシャント抵抗ＲＳ＝６０［ｍΩ］相当の分解能に相当する。
【００４４】
なお、ドレイン電流ＩＤがゼロの時はゲートを充電する回路およびミラー容量だけでドレイン−ソース間電圧ＶDSの曲線は決まるが、ドレイン電流ＩＤが流れると、回路のインダクタンスＬｃおよび回路全体の抵抗Ｒｃの影響を受けることになる。ドレイン電流ＩＤが増大するに連れてドレイン−ソース間電圧ＶDSの曲線は浮き上がって行くが、完全短路（デッドショート）のようにドレイン電流ＩＤが大きくなると、ドレイン電流ＩＤの立ち上り勾配はゲートを充電する回路による充電速度で決まる一定値に収れんし、したがって、ゲート−ソース間電圧ＶTGS の曲線も収れんすることとなる。なお、ゲート−ドレイン間電圧ＶTGD が変化ゼロであるときのゲート−ソース間電圧ＶTGS の曲線の立ち上がりで決まるドレイン電流ＩＤの立ち上がり勾配が極限勾配である。
【００４５】
次に、再び図４に示す概念的回路図を参照しながら、駆動回路１１１がオフ制御を行う時の温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡにおける動作（ドレイン−ソース間電圧ＶDSおよびドレイン電流ＩＤの力関係）について詳細に説明する。
【００４６】
駆動回路１１１のソーストランジスタＱ５がオフ状態に遷移してシンクトランジスタＱ６がオン状態に遷移すると、真のゲート（ＴＧ）に蓄積された電荷は抵抗ＲＧおよびＲ８並びにシンクトランジスタＱ６を介して放電する。
【００４７】
この時、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡがオーミック領域にある間は、ゲート電荷が放電し、ゲート−ソース間電圧ＶTGS が低下してもドレイン電流ＩＤには殆ど影響を受けない。またドレイン−ソース間電圧ＶDSも殆ど変化しない。
【００４８】
温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡがピンチオフ領域に入ると、ゲート電荷の放電はゲート−ソース間電圧ＶTGS を低下させてドレイン電流ＩＤを減少させようとするが、ドレイン電流ＩＤは外部回路で決まる条件で動作を続けようとするので、ドレイン−ソース間電圧ＶDSが増加してゲート−ドレイン間容量ＣGDを充電することにより、ゲートの放電電荷量をキャンセルしてドレイン電流ＩＤへの影響を無くす働きをする。なお、ドレイン−ソース間電圧ＶDSが変化できる範囲でこのうようなカバー動作が続くことになる。また、この現象は、ドレイン電流ＩＤを変化させる力とドレイン−ソース間電圧ＶDSを変化させる力の大小関係から生じるものであり、ドレイン電流ＩＤを変化させる力に比べてドレイン−ソース間電圧ＶDSを変化させる力が圧倒的に弱いことによるものである。
【００４９】
ドレイン電流ＩＤの増加過程で駆動回路１１１がオフ制御を行うようになっても、同様に、ドレイン電流ＩＤはドレイン−ソース間電圧ＶDSが変化（増加）できる間は、該ドレイン−ソース間電圧ＶDSの変化によってカバーされ、ドレイン電流ＩＤは増加し続ける。ドレイン−ソース間電圧ＶDSが増加できなくなった時点で、ドレイン電流ＩＤはゲート電荷の放電のみで決まる電位（ゲート−ソース間電圧ＶTGS ）に従って減少する。すなわち、駆動回路１１１がオフ制御を行うようになっても、ドレイン電流ＩＤはドレイン−ソース間電圧ＶDSの変化が終わるまではあまり影響を受けないことになる。以上のメカニズムが温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのオン／オフ動作の根源になっている。
【００５０】
最後に、ゲートを充電する回路が異なると、同じ負荷電流に対してドレイン−ソース間電圧ＶDSの曲線は変わってくる。したがって、ゲート充電電流は常に同じ条件を保つ必要がある。なお、ゲート充電電流を減らせばドレイン−ソース間電圧ＶDSの曲線は上方にシフトすることになる。この性質を利用して、同じドレイン電流ＩＤに対してドレイン−ソース間電圧ＶDSを増大させるようにすれば、過熱遮断保護機能による過熱遮断を促進させることができる。後述の過熱遮断促進回路（過熱遮断促進回路）はこれを利用したものである。
【００５１】
次に、以上の考察を踏まえて、本実施形態の電源供給制御装置の動作を説明する。先ず、サーマルＥＦＴＱＡおよび基準電圧の生成（リファレンスＦＥＴＱＢ、抵抗Ｒ１）について説明する。温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡおよびリファレンスＦＥＴＱＢは１０００：１のカレントミラー（Current mirror）回路を構成し、両者のソース電位が等しいときは、
【数２】
ドレイン電流ＩＤQA＝１０００×ドレイン電流ＩＤQB …（２）
となる。
【００５２】
したがって、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのドレイン電流としてＩＤQA＝５［Ａ］、リファレンスＦＥＴＱＢのドレイン電流としてＩＤQB＝５［ｍＡ］がそれぞれ流れているときは、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡおよびリファレンスＦＥＴＱＢのそれぞれのドレイン−ソース間電圧ＶDSとゲート−ソース間電圧ＶTGS は一致する。即ち、
【数３】
ＶDSA ＝ＶDSB ，ＶTGSA＝ＶTGSB …（３）
となる。
【００５３】
ここで、ＶDSA ＝ＶDSB はそれぞれ温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡ、リファレンスＦＥＴＱＢのドレイン−ソース間電圧であり、ＶTGSA＝ＶTGSBはそれぞれ温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡ、リファレンスＦＥＴＱＢのゲート−ソース間電圧である。
【００５４】
したがって、リファレンスＦＥＴＱＢが完全にオン状態に遷移しているときは、抵抗Ｒ１の両端にほぼ電源電圧ＶＢが印加されるから、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡに接続する５［Ａ］負荷に等価なリファレンスＦＥＴＱＢの負荷として、抵抗Ｒ１の抵抗値は、
【数４】
Ｒ１＝１２［Ｖ］／５［ｍＡ］＝１．４［ＫΩ］ …（４）
として決定される。
【００５５】
このように、ここでは、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡに５［Ａ］の負荷電流が流れたときのドレイン−ソース間電圧ＶDSの値（曲線）を基準とするが、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡに対してトランジスタ数比（＝電流容量比）の小さいリファレンスＦＥＴＱＢを用いて基準電圧を生成することにより、基準電圧を生成するための回路構成をより小型化して、小さなチップ占有面積で要求機能を実現できるわけである。さらに、上述のように、リファレンスＦＥＴＱＢと温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡと同一プロセスで、同一チップ上に構成することにより、ロット間ばらつき、温度ドリフトの影響を除去することができて、検出精度を大幅に改善できる。
【００５６】
次に、ピンチオフ領域における動作について説明する。温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡがオフ状態からオン状態になると、ドレイン電流はＩＤQAは回路抵抗で決まる最終負荷電流値を目指して立ち上がっていく。また、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのゲート−ソース間電圧ＶTGSAは、ドレイン電流ＩＤQAで決まる値を取り、ドレイン−ソース間電圧ＶDSA の低下によるコンデンサ容量ＣGDのミラー効果でブレーキをかけられながら、これも立ち上がっていく。さらに、リファレンスＦＥＴＱＢのゲート−ソース間電圧ＶTGSBは、リファレンスＦＥＴＱＢが抵抗Ｒ１＝１．４［ＫΩ］を負荷とするソースフォロアとして動作することにより決まる。
【００５７】
また、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのゲート−ソース間電圧ＶTGSAは、ドレイン電流ＩＤQAの増加に応じて大きくなっていくので、ゲート−ソース間電圧はＶTGSB＜ＶTGSAとなる。また、
【数５】
ＶDSA ＝ＶTGSB＋ＶTGD ，ＶDSB ＝ＶTGSB＋ＶTGD …（５）
の関係があるから、
【数６】
ＶDSA −ＶDSB ＝ＶTGSA−ＶTGSB …（６）
となる。
【００５８】
ここで、ゲート−ソース間電圧の差ＶTGSA−ＶTGSBは、ドレイン電流ＩＤQA−ＩＤQBを表わすから、ＶTGSA−ＶTGSBを検出することにより、ＩＤQAと基準電圧発生手段を流れる電流ＩＤQBは、ＶDSB が小さくなるにつれて（このときはＶDSA も小さくなっている）IＤQA＝５［Ａ］に相当する５［ｍＡ］に近づく。
【００５９】
リファレンスＦＥＴＱＢのドレイン−ソース間電圧ＶDSBは コンパレータＣＭＰ１に直接入力され、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのドレイン−ソース間電圧ＶDSA もコンパレータＣＭＰ１に直接入力される。温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡがオン状態に遷移した直後は、リファレンスＦＥＴＱＢのドレイン−ソース間電圧ＶDSB ＞温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのドレイン−ソース間電圧ＶDSA であるが、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのドレイン電流ＩＤQAが増加するに連れて温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのドレイン−ソース間電圧ＶDSA は増加し、ついにはリファレンスＦＥＴＱＢのドレイン−ソース間電圧ＶDSB より大きくなり、この時、コンパレータＣＭＰ１の出力は“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに変化して、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡをオフ状態に遷移させる。
【００６０】
温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡがオフ状態に遷移するときのドレイン−ソース間電圧ＶDSA をしきい値ＶDSAth とすると、次式が成立する。
【００６１】
【数７】
ＶDSAth −ＶDSA ＝ＶDSB （at ５［ｍＡ］） …（７）
過電流判定値は（７）式で決まることになる。
【００６２】
次に、オーミック領域における動作について説明する。配線が正常な状態で、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡがオン状態に遷移すると、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡは連続的にオン状態を維持することとなるので、ゲート−ソース間電圧ＶTGSA、ＶTGSBは１０［Ｖ］近くまで達し、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡ，リファレンスＦＥＴＱＢともオーミック領域で動作する。
【００６３】
このオーミック領域では、ゲート−ソース間電圧ＶGSとドレイン電流ＩＤの間には１対１の関係は無くなる。日立製の「ＨＡＦ２００１」の場合、オン抵抗はゲート−ソース間電圧ＶGS＝１０［Ｖ］のとき、ＲDS（ON）＝３０［ｍΩ］であるので、次式となる。
【００６４】
【数８】
ＶDSB ＝５［Ａ］×３０［ｍΩ］＝０．１５［Ｖ］
ＶDSA ＝ＩＤQA×３０［ｍΩ］
ＶDSA −ＶDSB ＝３０［ｍΩ］×（ＩＤQA−５［Ａ］） …（８）
また、配線の短絡等でドレイン電流ＩＤQAが増加すると式（８）の値が大きくなり、過電流判定値を超えると温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡをオフ状態に遷移させる。この後は上記ピンチオフ領域の状態に移り、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡはオン状態およびオフ状態への遷移を繰り返して、最終的に過熱遮断に至る。なお、過熱遮断に至る前に、配線が正常に復帰すれば、（間欠的短絡故障の例）、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡは連続的にオン状態を維持するようになり、オーミック領域の動作に戻る。
【００６５】
図６には、本実施形態の電源供給制御装置における温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡの電流と電圧の波形図を例示している。
【００６６】
ここで、図６（ａ）はドレイン電流ＩＤ（Ａ）を、図６（ｂ）はドレイン−ソース間電圧ＶDSをそれぞれ示し、図中、（２）は正常動作の場合、（３）は過負荷（ソース〜負荷間の配線短絡抵抗を含む）の場合である。
【００６７】
過負荷状態の場合（図中（３））には、上述したように温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡがオン／オフ制御を繰り返して行って、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡの周期的な発熱作用によって、過熱遮断保護機能を働かせている。
【００６８】
次に、オーミック領域でのコンパレータＣＭＰ２の動作について説明する。
【００６９】
リファレンスＦＥＴＱＣのドレイン−ソース間電圧ＶDSC はコンパレータＣＭＰ２に直接入力され、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのドレイン−ソース間電圧ＶDSA もコンパレータＣＭＰ２に直接入力される。温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡがオフ状態からオン状態に遷移した直後は、ＦＥＴＱＣのドレイン−ソース間電圧ＶDSC ＞温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのドレイン−ソース間電圧ＶDSA であるが、負荷１０２の抵抗値が増して温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのドレイン電流ＩＤQAが増加するに連れて温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのドレイン−ソース間電圧ＶDSA は増加し、ついにはリファレンスＦＥＴＱＣのドレイン−ソース間電圧ＶDSC より大きくなり、この時、コンパレータＣＭＰ２の出力は“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに変化する。
【００７０】
ここで、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡ、リファレンスＦＥＴＱＢ、ＦＥＴＱＣのそれぞれのソース端子に接続される負荷１０２、抵抗Ｒ１，Ｒ２の関係について説明する。
【００７１】
負荷１０２は、燃料タンク内に設けられた可変抵抗ＶＲからなる燃料ゲージであり、満状態では極めて小さい抵抗値となり、空状態では大きな抵抗値となる。そこで、抵抗Ｒ１を満状態の可変抵抗値に対応する値とし、抵抗Ｒ２を空状態の可変抵抗値に対応する値とし、Ｒ１＜Ｒ２となる。
【００７２】
なお、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡの正常動作範囲で最大値となる基準を表す第１基準負荷として抵抗Ｒ１を用いることにしてもよい。また、負荷１０２となる燃料ゲージの正常電流動作範囲で最小値を表す第２基準負荷として抵抗Ｒ２を用いることにしてもよい。
【００７３】
したがって、燃料タンク内の燃料が満状態から徐々に減少していく過程では、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのソース電圧ＶDSA が徐々に上昇していき、リファレンスＦＥＴＱＢのソース電圧ＶDSB より大きくなるので、コンパレータＣＭＰ１の出力は、“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに変化する。なお、上述したように、コンパレータＣＭＰ１の出力が“Ｌ”レベルのときには、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡはオフ制御されて遮断され、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡ及び負荷１０２となる燃料ゲージに対して過電流保護機能が作動する。
【００７４】
さらに、燃料の残量が少ない状態から徐々に空状態まで減少していく過程では、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのソース電圧ＶDSA がさらに上昇していき、リファレンスＦＥＴＱＣのソース電圧ＶDSC より大きくなるので、コンパレータＣＭＰ２の出力は、“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに変化する。この結果、トランジスタＱ９２０のベース電圧は、“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに変化してコレクタ−エミッタ間がオン制御され、ランプ９２１に電源ＶＢが供給されて点灯され、燃料タンク内の燃料が空状態まで減少したことを運転者に報知することができる。
【００７５】
以上説明したように、本実施形態の電源供給制御装置および電源供給制御方法では、電流検出を行うために電力の供給経路に直列接続される従来のようなシャント抵抗を不要とし、シャント抵抗を用いずに高精度の過電流検出が可能であり、装置全体としての熱損失を抑えることができ、また、完全短絡による過電流検出のみならず、ある程度の短絡抵抗を持つ不完全短絡などのレアショートが発生した場合の異常電流をもハードウェア回路によって連続的に検出可能である。
【００７６】
また、不完全短絡の場合、温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡのオン／オフ制御を繰り返し行って電流を大きく変動させ、半導体スイッチの周期的な発熱作用によって過熱保護機能による温度センサ内蔵ＦＥＴＱＡの遮断（オフ制御）を速めることができる。さらに、マイコンを用いないハードウェア回路のみで構成して半導体スイッチのオン／オフ制御を行えるため、電源供給制御装置の実装スペースを縮小でき、装置コストを大幅に削減することができる。
【００７７】
また、本実施形態と同様に、ドレイン−ソース間電圧ＶDSの特性の変化を利用するものの所定タイミングで所定しきい値との比較を行って過電流検出を行う他の手法と比較して、コンデンサや複数の抵抗といった部品が不要になるので、該部品のバラツキによる検出誤差がより低減できるとともに、電流振動型遮断機能付きスイッチング・デバイス（チップ１１０ａ）に対する外付けコンデンサも不要であることから、実装スペースおよび装置コストをより削減することができる。
【００７８】
なお、本発明は、ＦＥＴ以外の半導体スイッチング・デバイスに適用可能であり、半導体スイッチＱＡとしては、例えばＤＭＯＳ構造、ＶＭＯＳ構造、あるいはＵＭＯＳ構造のパワーＭＯＳＴＥＴやこれらと類似な構造のＭＯＳ静電誘導型トランジスタ（ＳＩＴ）が使用可能である。
【００７９】
【発明の効果】
請求項１記載の本発明によれば、第１半導体スイッチの異常電流を検知して、異常電流発生時には第１半導体スイッチをオン／オフ制御して振動電流を生成し、この振動電流により第１半導体スイッチを遮断するようにし、第１半導体スイッチの第１端子電圧と第２半導体スイッチの第２端子電圧とを比較し、この比較結果に応じて、第１及び第２半導体スイッチの制御端子に制御電圧を供給することで、第１半導体スイッチが正常電流動作範囲で最大値となるまでの動作を保証することとしたので、従来のシャント抵抗を不要として装置の熱損失を抑え、また、完全短絡による過電流のみならず、ある程度の短絡抵抗を持つ不完全短絡などのレアショートが発生した場合の異常電流をもハードウェア回路またはマイコン等のプログラム処理によって連続的に検出でき、特に半導体スイッチのオン／オフ制御をハードウェア回路で構成した場合はマイコンも不要であるため、実装スペースを縮小できるとともに、装置コストを大幅に削減することができる。
【００８０】
また、請求項２記載の本発明によれば、第１半導体スイッチの第１端子電圧と第３半導体スイッチの第３端子電圧とを比較することで、負荷の正常電流動作範囲で最小値となったことを検出することができる。
【００８１】
また、請求項３記載の本発明によれば、第３端子電圧よりも第１端子電圧の方が大きい場合には、負荷が最小使用電流よりも小さくなったことを報知するので、例えば負荷として、燃料タンク内に設けられた燃料ゲージを用いた場合には、燃料が空状態になったことを運転者に報知することができる。
【００８２】
また、請求項４記載の本発明によれば、この第１半導体スイッチの異常電流を検知して、異常電流発生時には第１半導体スイッチをオン／オフ制御して振動電流を生成し、この振動電流により第１半導体スイッチを遮断するようにし、第１半導体スイッチの第１端子電圧と第２半導体スイッチの第２端子電圧とを比較し、この比較結果に応じて、第１及び第２半導体スイッチの制御端子に制御電圧を供給することで、第１半導体スイッチが正常電流動作範囲で最大値となるまでの動作を保証することとしたので、従来のシャント抵抗を不要として装置の熱損失を抑え、また、完全短絡による過電流のみならず、ある程度の短絡抵抗を持つ不完全短絡などのレアショートが発生した場合の異常電流をもハードウェア回路またはマイコン等のプログラム処理によって連続的に検出でき、特に半導体スイッチのオン／オフ制御をハードウェア回路で構成した場合はマイコンも不要であるため、実装スペースを縮小できるとともに、装置コストを大幅に削減することができる。
【００８３】
また、請求項５記載の本発明によれば、第１半導体スイッチの第１端子電圧と第３半導体スイッチの第３端子電圧とを比較することで、負荷の正常電流動作範囲で最小値となったことを検出することができる。
【００８４】
また、請求項６記載の本発明によれば、第３端子電圧よりも第１端子電圧の方が大きい場合には、負荷が最小使用電流よりも小さくなったことを報知するので、例えば負荷として、燃料タンク内に設けられた燃料ゲージを用いた場合には、燃料が空状態になったことを運転者に報知することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の電源供給制御装置の回路構成図である。
【図２】実施形態で使用する半導体スイッチ（温度センサ内蔵ＦＥＴ）の詳細な回路構成図である。
【図３】実施形態の電源供給制御装置および電源供給制御方法が利用する原理を説明する説明図（その１）であり、オフ状態からオン状態への遷移時のドレイン−ソース間電圧の立ち下がり特性の説明図である。
【図４】実施形態の電源供給制御装置および電源供給制御方法が利用する原理を説明する説明図（その２）であり、概念的回路図である。
【図５】実施形態の電源供給制御装置および電源供給制御方法が利用する原理を説明する説明図（その３）であり、温度センサ内蔵ＦＥＴのドレイン電流とドレイン−ソース間電圧との特性を説明する説明図である。
【図６】短絡故障時および通常動作時の実施形態の電源供給制御装置における半導体スイッチの電流（ａ）と電圧（ｂ）を例示する波形図である。
【図７】従来の半導体スイッチを備えた電源供給制御装置の回路構成図である。
【符号の説明】
１０１ 電源
１０２ 負荷
１１０ａ チップ構成部分
１１１ 駆動回路（制御電圧供給手段）
１１３ チャージポンプ回路
ＱＡ 温度センサ内蔵ＦＥＴ（半導体スイッチ）
ＲＧ 内部抵抗
ＱＢ ＦＥＴ（第２半導体スイッチ）
ＱＣ ＦＥＴ（第３半導体スイッチ）
Ｒ１ 抵抗（第２負荷）
Ｒ２ 抵抗（第３負荷）
Ｑ５，Ｑ６ トランジスタ
Ｑ５ｌ〜Ｑ５４ ＦＥＴ
ＣＭＰｌ コンパレータ（第１比較手段）
ＣＭＰ２ コンパレータ（第２比較手段、報知手段）
Ｒ８〜Ｒ５５ 拡抗
ＺＤｌ ツェナーダイオード
Ｄ５１ ダイオード
１２１ 温度センサ
１２２ ラッチ回路
ＱＳ 過熱遮断用ＦＥＴ
ＳＷｌ スイッチ
ＶＢ 電源電圧
ＶＰ チャージポンプ出力電圧

Claims (6)

1. 負荷への電力供給を制御する第１半導体スイッチと、
   前記第１半導体スイッチと並列接続され、前記第１半導体スイッチの正常電流動作範囲で最大値となる基準を表す第１基準負荷への電力供給を制御する第２半導体スイッチと、
   前記第１半導体スイッチの第１端子電圧と前記第２半導体スイッチの第２端子電圧とを比較する第１比較手段と、
   前記第１及び第２半導体スイッチの制御端子に制御電圧を供給する制御電圧供給手段と、を有する電源供給制御装置において、
   前記第 1 半導体スイッチは、温度センサを内蔵し、過熱状態を検出すると強制的にオン状態からオフ状態に遷移する過熱遮断保護機能を備え、
   前記制御電圧供給手段は、前記第１比較手段からの出力により異常電流の発生を検知すると、前記第１半導体スイッチに振動電流を生成させて過熱遮断を促進させること、を特徴とする電源供給制御装置。
2. 前記第１半導体スイッチと並列接続され、前記負荷の正常電流動作範囲で最小値を表す第２基準負荷への電力供給を制御する第３半導体スイッチと、
   前記第１半導体スイッチの第１端子電圧と前記第３半導体スイッチの第３端子電圧とを比較する第２比較手段とを有することを特徴とする請求項１記載の電源供給制御装置。
3. 前記第２比較手段からの出力に応じて、前記第３端子電圧よりも前記第１端子電圧の方が大きい場合には、前記負荷が最小使用電流よりも小さくなったことを報知する報知手段を有することを特徴とする請求項２記載の電源供給制御装置。
4. 負荷への電力供給を制御する第１半導体スイッチと、
   前記第１半導体スイッチと並列接続され、前記第１半導体スイッチの正常電流動作範囲で最大値となる基準を表す第１基準負荷への電力供給を制御する第２半導体スイッチとを有し、
   前記第１半導体スイッチの第１端子電圧と前記第２半導体スイッチの第２端子電圧とを比較する第１比較ステップと、
   前記第１及び第２半導体スイッチの制御端子に制御電圧を供給する制御電圧供給ステップと、を有する電源供給制御方法において、
   前記第 1 半導体スイッチは、温度センサを内蔵し、過熱状態を検出すると強制的にオン状態からオフ状態に遷移する過熱遮断保護ステップを有し、
   前記制御電圧供給ステップは、前記第１比較ステップからの出力により異常電流の発生を検知すると、前記第１半導体スイッチに振動電流を生成させて過熱遮断を促進させること、を特徴とする電源供給制御方法。
5. 前記第１半導体スイッチと並列接続され、前記負荷の正常電流動作範囲で最小値を表す第２基準負荷への電力供給を制御する第３半導体スイッチを有し、
   前記第１半導体スイッチの第１端子電圧と前記第３半導体スイッチの第３端子電圧とを比較する第２比較ステップを有することを特徴とする請求項４記載の電源供給制御方法。
6. 前記第２比較ステップからの出力に応じて、前記第３端子電圧よりも前記第１端子電圧の方が大きい場合には、前記負荷が最小使用電流よりも小さくなったことを報知する報知ステップを有することを特徴とする請求項５記載の電源供給制御方法。

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