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JP3707451B2 - Manufacturing method of resin-encapsulated semiconductor device - Google Patents

Manufacturing method of resin-encapsulated semiconductor device Download PDF

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JP3707451B2 JP2002185778A JP2002185778A JP3707451B2 JP 3707451 B2 JP3707451 B2 JP 3707451B2 JP 2002185778 A JP2002185778 A JP 2002185778A JP 2002185778 A JP2002185778 A JP 2002185778A JP 3707451 B2 JP3707451 B2 JP 3707451B2
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  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップを封止樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものであり、特に、封止工程の後、樹脂封止体を半導体チップごとに切断するダイシング工程に主眼をおいた樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、複数の半導体チップをリードフレームに搭載した後、封止樹脂で封止された樹脂封止体が、半導体チップごとに個片に分割された後、製品として出荷されていた。
【０００３】
ところが最近になって、封止工程において、半導体チップごとに封止樹脂で封止した後、突出したリードを切断加工するよりも、リードフレームに搭載された複数の半導体チップを一括して封止樹脂により封止した後、半導体チップごとに切断して分割する方法が採用されている。
【０００４】
そして、封止樹脂で封止された複数の半導体チップを分割する工程において、複数の半導体チップが封止樹脂により封止された樹脂封止体の表面をダイシングテープに貼り付け、ダイシングブレードに冷却水を供給しながら、樹脂封止体側から切断していた。その後、半導体チップごとに分離された樹脂封止体とダイシングテープとの粘着力を低下させるため、紫外線を樹脂封止体側から照射した後、樹脂封止体をダイシングテープから分離していた。
【０００５】
次に、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法におけるダイシング工程について、図面を参照しながら説明する。
【０００６】
図１５は、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す図である。
【０００７】
図１５（ａ）に示すように、複数の半導体チップ（図示せず）が封止樹脂１で封止された第１の樹脂封止体２のリードフレーム３側から回転するダイシングブレード４を接触させ、第１の樹脂封止体２を半導体チップごとに切断する。
【０００８】
次に、図１５（ｂ）に示すように、第１の樹脂封止体２および第２の樹脂封止体５の表面はダイシングテープ６で固定されているが、ダイシングテープ６表面の接着剤７にダイシングブレードが接すると、接着剤７が回転するダイシングブレードに連動して飛散し、第１の樹脂封止体２の隣りの第２の樹脂封止体５の表面に付着する。
【０００９】
次に、図１５（ｃ）に示すように、第２の樹脂封止体５をダイシングブレード４により半導体チップごとに切断する。
【００１０】
なお、図１５（ｄ）に示すように、第２の樹脂封止体５のリードフレームには接着剤８が付着した状態となっている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、封止樹脂で封止された複数の半導体チップを個片に分割する工程において、ダイシングブレードがダイシングテープの接着剤に達して回転するために、ダイシングテープの接着剤がダイシングブレードの回転方向に飛び散り、飛び散った接着剤が樹脂封止体の表面やリード（外部端子）に付着して、外部端子の表面における電気的接続不良などの不具合が発生していた。
【００１２】
前記従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法の課題を解決するために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、半導体チップを搭載するためのダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリードと、少なくとも前記リードの底面に張り付いた封止テープとからなる構成を一単位として、前記ダイパッドが複数配置されたリードフレームを用意する工程と、前記複数のダイパッド各々に前記半導体チップを各々搭載する工程と、前記半導体チップの電極と前記リードとを電気的に接続する工程と、前記複数の半導体チップおよび前記リードの表面を封止樹脂により一括して封止する工程と、前記封止テープを前記リードフレームから剥がす工程と、前記封止樹脂により封止された樹脂封止体の表面に、紫外線硬化型接着剤を表面に有するダイシングテープを貼り付ける工程と、前記樹脂封止体の前記リードフレーム側から紫外線を照射して前記紫外線硬化型接着剤を硬化させる工程と、ダイシングブレードにより前記半導体チップごとに前記樹脂封止体を個片に分割する工程とからなり、前記リードフレームの底面側から前記ダイシングブレードにより前記半導体チップごとに前記樹脂封止体を個片に分割する工程では、前記ダイシングブレードの前記リードフレームの切断部における回転方向は、前記ダイシングブレードの前記リードフレームに対する相対的な進行方向と逆方向であり、前記ダイシングブレードの前記リードフレームの切断部における回転方向と逆方向に切断中の樹脂封止体とは別の樹脂封止体が形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【００１３】
これにより、ダイシング時の回転するダイシングブレードが、封止テープ表面に形成された紫外線硬化型接着剤に接しても、紫外線硬化型接着剤がすでに硬化しているので、回転するダイシングブレードにより紫外線硬化型接着剤が巻き上げられることがなく、リード表面等における安定した電気的接続を確保することができる。
【００１４】
また、ダイシングテープは紫外線が透過する材料からなる。
【００１５】
これにより、紫外線がダイシングテープを透過して、ダイシングテープ表面に形成された紫外線硬化型接着剤を硬化させることができる。
【００１６】
また、ダイシングブレードにより半導体チップごとに樹脂封止体を個片に分割する工程の後、ダイシングテープ側からさらに紫外線を照射して、前記樹脂封止体と前記ダイシングテープとの間の紫外線硬化型接着剤の接着力を低下させる工程を設ける。
【００１７】
これにより、半導体チップが封止樹脂により封止された樹脂封止体を封止テープから容易に剥がすことができる。
【００１８】
また、ダイシングテープの基材は、ポリオレフィンまたはポリエステルを主成分とする樹脂である。
【００１９】
また、ダイシングテープの表面に形成された紫外線硬化型接着剤は、アクリルまたはシリコンまたはフェノールまたはエポキシを主成分とする。
【００２０】
また、紫外線硬化型接着剤の厚みは２０[μｍ]〜３０[μｍ]である。
【００２２】
また、半導体チップを搭載するためのダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリードと、少なくとも前記リードの底面に張り付いた封止テープとからなる構成を一単位として、前記ダイパッドが複数配置されたリードフレームを用意する工程と、前記複数のダイパッド各々に前記半導体チップを各々搭載する工程と、前記半導体チップの電極と前記リードとを電気的に接続する工程と、前記複数の半導体チップおよび前記リードの表面を封止樹脂により一括して封止する工程と、前記封止テープを前記リードフレームから剥がす工程と、前記封止樹脂により封止された樹脂封止体の表面に、紫外線硬化型接着剤を表面に有するダイシングテープを貼り付ける工程と、前記樹脂封止体の前記リードフレーム側から紫外線を照射して前記紫外線硬化型接着剤を硬化させる工程と、ダイシングブレードにより前記半導体チップごとに前記樹脂封止体を個片に分割する工程と、前記樹脂封止体または前記ダイシングブレードを１８０度回転させ、別の樹脂封止体を切断する工程とからなり、前記リードフレームの底面側から前記ダイシングブレードにより前記半導体チップごとに前記樹脂封止体を個片に分割する工程では、前記ダイシングブレードの前記リードフレームの切断部における回転方向は、前記ダイシングブレードの前記リードフレームに対する相対的な進行方向と逆方向であり、前記ダイシングブレードの前記リードフレームの切断部における回転方向と逆方向に切断中の樹脂封止体とは別の樹脂封止体が形成されている。
【００２３】
これにより、仮に、ダイシングブレードの回転運動によって、封止テープ表面の紫外線硬化型接着剤が巻き上げられても、紫外線硬化型接着剤が樹脂封止体およびその周囲のリードに付着することがない。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、初めに製造方法全体の概略について説明し、その後、本実施形態の特徴的部分について詳細に説明する。
【００２５】
図１および図２は、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の各工程を示す断面図である。
【００２６】
まず、図１（ａ）に示すように、封止テープ９が裏面に貼り付けられたリードフレーム１０を用意し、リードフレーム１０のダイパッド（図示せず）に半導体チップ１１の裏面を接着し、半導体チップ１１の電極１２とリードフレーム１０のリード（図示せず）とを金属細線１３により電気的に接続する。
【００２７】
次に、図１（ｂ）に示すように、半導体チップ１１、金属細線１３およびリードの表面を熱硬化性のエポキシ樹脂からなる封止樹脂１４により封止する。
【００２８】
次に、図１（ｃ）に示すように、リードフレーム１０の裏面から封止テープ９を剥がす。
【００２９】
次に、図２（ａ）に示すように、半導体チップ１１および金属細線１３が封止樹脂１４により封止された樹脂封止体１５の表面にダイシングテープ１６を貼り付け、樹脂封止体１５のリードフレーム１０側から紫外線を照射して、ダイシングテープ１６の樹脂封止体１５が搭載されていない領域の紫外線硬化型接着剤１７を硬化させる。ダイシングテープ１６の周囲はリングフレーム３１により固定されている。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示すように、回転するダイシングブレード（図示せず）をリードフレーム１０の底面側から接触させ、樹脂封止体１５を切断して、半導体チップ１１ごとに分割する。
【００３１】
次に、図２（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６側から紫外線を照射して、ダイシングテープ１６表面に形成されている、すなわち、ダイシングテープ１６と樹脂封止体１５との間の紫外線硬化型接着剤１７を硬化させる。
【００３２】
以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の特徴は、ダイシングブレードでリードフレームおよび樹脂封止体を切断する前に、ダイシングテープ表面の紫外線硬化型接着剤を硬化させることにより、回転するダイシングブレードがダイシングテープ表面の紫外線硬化型接着剤に接しても、紫外線硬化型接着剤が飛散することを抑制し、別の樹脂封止体およびその周囲のリード等に紫外線硬化型接着剤が付着することがなくなり、樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装した際に、安定した電気的接続を確保することができる。
【００３３】
次に、前記樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程について詳細に説明する。
【００３４】
まず、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームの一実施形態について説明する。
【００３５】
図３は、本実施形態のリードフレームを示す平面図である。
【００３６】
図３に示すように、リードフレーム１０の短手方向の両端に複数の位置決め穴（丸穴または長穴）１８を有し、位置決め穴１８の内側領域に樹脂封止領域１９が存在する。そして、本実施形態のリードフレーム１０は、半導体チップを搭載するためのダイパッド２０と、ダイパッド２０の周囲に配置されたリード２１と、少なくともリード２１の底面に貼り付いた封止テープ（図示せず）とからなる構成を一単位として、ダイパッド２０が複数配置されている。なお、破線で示した樹脂封止領域１９は、半導体チップを搭載して樹脂封止型半導体装置を構成する場合、封止樹脂で封止する領域を示している。
【００３７】
また、本実施形態のリードフレーム１０は、銅（Ｃｕ）材よりなり、リードフレーム１０の表面には、パラジウム（Ｐｄ）めっき、具体的には、ニッケル（Ｎｉ）めっき層、パラジウム（Ｐｄ）めっき層、金（Ａｕ）めっき層の３層でめっき層を構成し、または、錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）等のはんだめっきが部分的に施されているものからなる。リードフレーム１０に施されるめっきの厚みはＡｕめっき、Ｐｄめっきでは１[μｍ]以下、Ａｇめっきで数[μｍ]以下である。
【００３８】
そして、本実施形態のリードフレーム１０のサイズは、短手方向が３０〜８０[ｍｍ]、長手方向が５０〜２６０[ｍｍ]、厚みが０．１〜０．４[ｍｍ]の範囲で使用される。またリードフレーム１０の材質はＦｅ Ｎｉ材やＣｕ合金などが使用される。配列される樹脂封止型半導体装置のサイズは３．０×３．０[ｍｍ]〜２０．０×２０．０[ｍｍ]である。
【００３９】
次に、封止工程について説明する。
【００４０】
図４は、封止工程における封止金型および封止金型内の樹脂封止体を示す断面図である。また、図５は、封止工程の後、複数の半導体チップが封止樹脂により封止された樹脂封止体を示した図である。図５（ａ）は、樹脂封止体の平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ１箇所における断面図である。
【００４１】
図４に示すように、樹脂封止金型２２のランナー部２３より封止樹脂１４を注入し、リードフレーム１０の樹脂封止領域、少なくとも半導体チップ１１、リードの上面を封止樹脂１４により封止する。なお、樹脂封止型半導体装置の組立工程を安定して行うためリードフレーム１０の半導体チップ１１を接合する側の対向面に熱耐熱性のポリイミドやアルミ箔のような基材を仮貼付する場合もある。
【００４２】
また、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、複数の半導体チップ１１、リードフレーム１０の表面および金属細線１３が封止樹脂１４によって一括して封止される。
【００４３】
次に、複数の半導体チップが一括封止された樹脂封止体の分割工程（ダイシング工程）について説明する。
【００４４】
図６（ａ）は、複数の半導体チップが一括して封止樹脂により封止された樹脂封止体がダイシングテープに貼り付けられた状態を示す平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示した樹脂封止体を半導体チップごとにダイシングブレードにより切断する工程を示した断面図である。
【００４５】
図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、複数の半導体チップ（図示せず）が封止樹脂１４により一括して封止された樹脂封止体１５が、ポリオレフィン、ポリエステル等を主成分とする樹脂からなり厚みが０．１[ｍｍ]〜０．３[ｍｍ]のダイシングテープ１６に貼り付けられ、ダイシングテープ１６は金属製のリング２４に貼り付けられて固定されている。ダイシングテープ１６の表面には、アクリル系またはシリコン系またはフェノール系またはエポキシ系等の主成分からなり、厚みが０．０１[ｍｍ]〜０．１０[ｍｍ]の紫外線硬化型接着剤１７が形成され、樹脂封止体１５が接着されているものである。そして、樹脂封止体１５のリードフレーム１０側から紫外線を照射することで、ダイシングテープ１６表面の樹脂封止体１５が貼り付けられた部分以外の紫外線硬化型接着剤１７を硬化させる。ダイシングテープ１６は紫外線を透過できるものであればよく、本実施形態では青色透明のものを用いている。
【００４６】
次に、樹脂封止体１５のリードフレーム１０側からダイシングブレード２５により半導体チップ１１ごとに切断する。
【００４７】
以上のダイシング工程では、ダイシングする前に、ダイシングテープ表面の紫外線硬化型接着剤があらかじめ硬化されているので、回転するダイシングブレードが硬化した紫外線硬化型接着剤に接触しても、紫外線硬化型接着剤が巻き上げられることがなく、周囲のリード表面に紫外線硬化型接着剤が付着することがない。
【００４８】
次に、ダイシング工程で用いられるダイシングブレードの一実施形態について説明する。
【００４９】
図７は、本実施形態のダイシングブレードを示した図である。
【００５０】
図７に示すように、本実施形態のダイシングブレード２５は、ダイヤモンドの砥粒をボンド剤で固めたものであり、ダイヤモンドの砥粒の大きさや形状やボンド剤の材料を選定することで最適な切削条件を得られるダイシングブレードとなる。ダイシングブレード２５は電着、電鋳等のニッケル等の金属をメッキしたもの、またはフリット、セラミック等を焼結したビトリファイド、またはフェノールレジン等の熱硬化性樹脂を焼結したレジン、または銅（Ｃｕ）、すず（Ｓｎ）等の各種メタルを用い焼結したメタル等の材質がある。また、ダイシングブレード砥粒はダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、ＧＣ、Ａ、ＷＡ等の材質である。
【００５１】
シリコン（Ｓｉ）やガリ砒素（ＧａＡｓ）ウェハーなどを切断するダイシングブレード２５は、直径が６０[ｍｍ]〜８０[ｍｍ]、厚みが３０[μｍ]〜４００[μｍ]であるが、本実施形態では直径７８[ｍｍ]、厚みが約３００[μｍ]のものを使用している。本発明の製造方法で重要な点として、シリコン（Ｓｉ）やガリ砒素（ＧａＡｓ）ウェハーに比較して樹脂封止型半導体装置（エポキシレジンと金属（リードフレーム）の集合体）を製品分離する場合、切削抵抗が大きく切削時の発熱量も大きくなるが、切削時の切りくずを洗浄したり、発熱を抑えるシャワーリング水の水温を制御することにより、切削時の発熱を抑制することができる。
【００５２】
次に、ダイシングテープの接着剤が樹脂封止体に付着するメカニズムについて説明する。
【００５３】
図８は、ダイシングブレードがダイシングテープに貼り付けられて固定されている樹脂封止体を切断する状態を示した断面図である。
【００５４】
図８に示すように、ダイシングテープ１６の基材２６の表面に形成された紫外線硬化型接着剤１７に、複数の半導体チップが封止樹脂により一括封止された樹脂封止体１５が貼り付けられている。そして、樹脂封止体１５のリードフレーム側から回転するダイシングブレード２５が接触し、ダイシングテープ１６の基材２６の表面まで切り込む。この時、紫外線硬化型接着剤１７が硬化していないと、回転するダイシングブレード２５により紫外線硬化型接着剤１７が飛散し、リード等の表面に付着する。本発明では、ダイシングする前にあらかじめ、紫外線硬化型接着剤１７を硬化させておくことによって、ダイシングブレード２５が接触しても紫外線硬化型接着剤１７が飛散することを抑制している。
【００５５】
次に、ダイシングテープ表面に形成されている紫外線硬化型接着剤（以下、「接着剤」と記載する）の厚みと、接着強度および接着剤がダイシングブレードにより飛散して付着する付着率との関係について説明する。
【００５６】
図９は、接着剤の厚みと、接着強度および接着剤がダイシングブレードにより飛散して付着する付着率との関係を示したグラフである。
【００５７】
図９に示すように、ダイシングテープの接着剤の厚さが小さくなるほど、接着強度とともに付着発生率も小さくなっている。接着剤厚みが２０[μｍ]では接着強度は比較的大きいが、付着発生率は小さくなっている。接着剤の厚みが１５[μｍ]になると、接着強度の低下も大きくなり樹脂封止体の固定が不安定になる。以上の実験結果から、本実施形態では、ダイシングテープ表面に形成される紫外線硬化型の接着剤の厚みは、２０[μｍ]〜３０[μｍ]に設定することがよい。
【００５８】
次に、ダイシングテープの表面に形成された紫外線硬化型接着剤の硬化方法について説明する。
【００５９】
まず、第１の実施形態について説明する。
【００６０】
図１０および図１１は、複数の半導体チップが封止樹脂により封止された樹脂封止体がダイシングテープに貼り付けられた状態で、紫外線を照射することにより、紫外線硬化型接着剤を硬化させる方法を示した図である。
【００６１】
図１０（ａ）に示すように、複数の半導体チップが封止樹脂により封止された樹脂封止体１５の表面をダイシングテープ１６に貼り付け、樹脂封止体１５のリードフレーム１０側から紫外線２７を照射し、紫外線硬化型接着剤１７を硬化させる。
【００６２】
次に、図１０（ｂ）に示すように、樹脂封止体１５を半導体チップごとにダイシングブレード２５により切断する。この際、ダイシングブレード２５のリードフレームにおける切断部における回転方向は、ダイシングブレード２５のリードフレームに対する相対的な進行方向と逆方向であり、ダイシングブレード２５のリードフレームの切断部における回転方向と逆方向に切断中の樹脂封止体とは別の樹脂封止体１５が形成されている。
【００６３】
次に、図１０（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６側からさらに紫外線２７を照射させて紫外線硬化型接着剤１７の接着力を低下させる。
【００６４】
以上、本実施形態は、樹脂封止体をマスクとして活用し、樹脂封止体が貼り付けられた部分以外の紫外線硬化型接着剤を硬化させることにより、ダイシング工程において、ダイシングブレードの回転によるダイシングテープ接着剤の飛散する量が抑制され、樹脂封止体に接触したのダイシングテープの接着剤の付着量を低減できる。
【００６５】
次に、第２の実施形態について説明する。
【００６６】
図１１（ａ）に示すように、複数の半導体チップが封止樹脂により封止された樹脂封止体１５の表面をダイシングテープ１６に貼り付け、ダイシングテープ１６側から紫外線２７を照射し、紫外線硬化型接着剤１７を硬化させる。
【００６７】
次に、図１１（ｂ）に示すように、樹脂封止体１５を半導体チップごとにダイシングブレード２５により切断する。
【００６８】
次に、図１１（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６側からさらに紫外線２７を照射させて紫外線硬化型接着剤１７の接着力を低下させる。
【００６９】
以上、本実施形態でも、ダイシング工程において、ダイシングブレードの回転によるダイシングテープ接着剤の飛散する量が抑制され、成形品上のダイシングテープ接着剤の付着量を低減できる。
【００７０】
次に、２つ以上の樹脂封止体（切断前）をダイシングブレードにより切断する際の「ローテーションカット工法」の一実施形態について説明する。
【００７１】
図１２および図１３は、本実施形態の工程を示す斜視図である。
【００７２】
まず図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、複数の半導体チップが封止樹脂により封止された第１の樹脂封止体２８をダイシングブレード２５により半導体チップごとに切断する。この時、ダイシングブレード２５の切断部における回転方向は、第２の樹脂封止体２９がある方向と反対方向であるので、ダイシングブレード２５の回転による接着剤の飛散があったとしても、接着剤の飛散する方向が第２の樹脂封止体２９とは反対方向であるので、第２の樹脂封止体２９には接着剤が付着しない。
【００７３】
次に、図１２（ｃ）に示すように、２つの樹脂封止体を固定しているダイシングチャックテーブル３０を１８０度回転させる。
【００７４】
次に、図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示すように、第２の樹脂封止体２９の接着剤が第１の樹脂封止体２８がある方向と反対方向に飛散するように、ダイシングブレード２５の回転方向を確認し、第２の樹脂封止体２９を半導体チップごとに切断する。
【００７５】
以上、２つ以上の樹脂封止体を順次ダイシングブレードによりダイシングする場合、未切断の樹脂封止体にダイシングテープの接着剤が飛散しないようにするため、ダイシングブレードの切断部における回転方向を未切断の樹脂封止体と反対方向にしている。
【００７６】
次に、ローテーション工法による接着剤の付着量の低下について説明する。
【００７７】
図１４は、従来のようにローテーション工法を用いない場合と、ローテーション工法を用いてダイシングを行った場合とで、接着剤の樹脂封止体表面に付着する付着量を比較したグラフである。
【００７８】
図１４に示すように、前述のローテーション工法により、従来に比較して、接着剤の付着量が８０％以上削減できている。
【００７９】
【発明の効果】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップが一括して封止樹脂により封止された樹脂封止体を半導体チップごとに切断する工程において、樹脂封止体が貼り付けられた封止テープの表面に形成された紫外線硬化型接着剤を、ダイシングブレードによる切断を行う前に硬化させることで、回転するダイシングブレードが紫外線硬化型接着剤に接触しても紫外線硬化型接着剤が飛散せず、リード等の表面に付着することなく、樹脂封止型半導体装置が実装基板に実装された後に安定した電気的接続を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図
【図３】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止体を示す図
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態のダイシングブレードを示す図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図
【図９】本発明の接着剤の接着強度および付着率を示す図
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図
【図１４】本発明の接着剤の付着量を示す図
【図１５】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す斜視図
【符号の説明】
１ 封止樹脂
２ 第１の樹脂封止体
３ リードフレーム
４ ダイシングブレード
５ 第２の樹脂封止体
６ ダイシングテープ
７ 接着剤
８ 接着剤
９ 封止テープ
１０ リードフレーム
１１ 半導体チップ
１２ 電極
１３ 金属細線
１４ 封止樹脂
１５ 樹脂封止体
１６ ダイシングテープ
１７ 紫外線硬化型接着剤
１８ 位置決め穴
１９ 樹脂封止領域
２０ ダイパッド
２１ リード
２２ 樹脂封止金型
２３ ランナー部
２４ リング
２５ ダイシングブレード
２６ 基材
２７ 紫外線
２８ 第１の樹脂封止体
２９ 第２の樹脂封止体
３０ ダイシングチャックテーブル
３１ リングフレーム[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device in which a semiconductor chip is encapsulated with an encapsulating resin. In particular, the present invention relates to a dicing process of cutting a resin-encapsulated body for each semiconductor chip after the encapsulating process. The present invention relates to a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device that focuses on the main point.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, after mounting a plurality of semiconductor chips on a lead frame, a resin sealing body sealed with a sealing resin is divided into individual pieces for each semiconductor chip and then shipped as a product.
[0003]
However, recently, in a sealing process, after sealing each semiconductor chip with a sealing resin, a plurality of semiconductor chips mounted on the lead frame are sealed together rather than cutting the protruding leads. After sealing with resin, a method of cutting and dividing each semiconductor chip is employed.
[0004]
Then, in the step of dividing the plurality of semiconductor chips sealed with the sealing resin, the surface of the resin sealing body in which the plurality of semiconductor chips are sealed with the sealing resin is attached to the dicing tape and cooled to the dicing blade. While supplying water, cutting was performed from the resin sealing body side. Then, in order to reduce the adhesive force between the resin sealing body separated for each semiconductor chip and the dicing tape, the resin sealing body was separated from the dicing tape after irradiation with ultraviolet rays from the resin sealing body side.
[0005]
Next, a dicing process in the conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device will be described with reference to the drawings.
[0006]
FIG. 15 is a diagram showing a dicing process in a conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.
[0007]
As shown in FIG. 15A, a plurality of semiconductor chips (not shown) are in contact with a dicing blade 4 rotating from the lead frame 3 side of the first resin sealing body 2 sealed with the sealing resin 1. The first resin sealing body 2 is cut for each semiconductor chip.
[0008]
Next, as shown in FIG. 15 (b), the surfaces of the first resin sealing body 2 and the second resin sealing body 5 are fixed with a dicing tape 6. When the dicing blade comes into contact with 7, the adhesive 7 scatters in conjunction with the rotating dicing blade and adheres to the surface of the second resin sealing body 5 adjacent to the first resin sealing body 2.
[0009]
Next, as shown in FIG. 15C, the second resin sealing body 5 is cut for each semiconductor chip by the dicing blade 4.
[0010]
As shown in FIG. 15D, the adhesive 8 is attached to the lead frame of the second resin encapsulant 5.
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, the dicing blade reaches the adhesive of the dicing tape and rotates in the step of dividing the plurality of semiconductor chips encapsulated with the encapsulating resin into individual pieces. For this reason, the adhesive of the dicing tape scatters in the rotating direction of the dicing blade, and the scattered adhesive adheres to the surface of the resin sealing body and leads (external terminals), resulting in poor electrical connection on the surface of the external terminals. There was a bug.
[0012]
  In order to solve the problems of the conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention includes a die pad for mounting a semiconductor chip, and a periphery of the die pad. A step of preparing a lead frame in which a plurality of die pads are arranged, each of the plurality of die pads being provided with a semiconductor chip and a structure comprising at least a sealing tape attached to the bottom surface of the leads as a unit; A step of electrically connecting the electrodes of the semiconductor chip and the leads, a step of collectively sealing the surfaces of the plurality of semiconductor chips and the leads with a sealing resin, A step of peeling the sealing tape from the lead frame, and a surface of the resin sealing body sealed with the sealing resin, an ultraviolet curable adhesive on the surface And the step of attaching a dicing tape to be, theThe lead frame of the resin sealing bodyA step of irradiating ultraviolet rays from the side to cure the ultraviolet curable adhesive, and a step of dividing the resin sealing body into individual pieces for each of the semiconductor chips by a dicing blade.In the step of dividing the resin sealing body into pieces for each semiconductor chip by the dicing blade from the bottom surface side of the lead frame, the rotation direction of the cutting portion of the lead frame of the dicing blade is the dicing blade The resin sealing body is formed in a direction opposite to the advancing direction relative to the lead frame and different from the resin sealing body being cut in the direction opposite to the rotation direction of the cutting portion of the lead frame of the dicing blade. Has beenA method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.
[0013]
As a result, even if the dicing blade that rotates during dicing contacts the ultraviolet curable adhesive formed on the surface of the sealing tape, the ultraviolet curable adhesive is already cured, so the rotating dicing blade cures the ultraviolet light. The mold adhesive is not wound up, and stable electrical connection on the lead surface or the like can be ensured.
[0014]
The dicing tape is made of a material that transmits ultraviolet rays.
[0015]
Thereby, an ultraviolet-ray permeate | transmits a dicing tape and the ultraviolet curing adhesive agent formed in the dicing tape surface can be hardened.
[0016]
  Also, with a dicing bladeHalfEvery conductor chipTreeAfter the step of dividing the oil-sealed body into individual pieces, further irradiating ultraviolet rays from the dicing tape side, the resin sealed body andDicingA step of reducing the adhesive force of the ultraviolet curable adhesive with the tape is provided.
[0017]
Thereby, the resin sealing body in which the semiconductor chip is sealed with the sealing resin can be easily peeled off from the sealing tape.
[0018]
The base material of the dicing tape is a resin mainly composed of polyolefin or polyester.
[0019]
Further, the ultraviolet curable adhesive formed on the surface of the dicing tape has acrylic, silicon, phenol, or epoxy as a main component.
[0020]
The thickness of the ultraviolet curable adhesive is 20 [μm] to 30 [μm].
[0022]
  Further, a plurality of die pads are arranged with a unit consisting of a die pad for mounting a semiconductor chip, a lead arranged around the die pad, and at least a sealing tape attached to the bottom surface of the lead as a unit. Preparing a lead frame, mounting each of the semiconductor chips on each of the plurality of die pads, electrically connecting electrodes of the semiconductor chip and the leads, the plurality of semiconductor chips, A step of collectively sealing the surface of the lead with a sealing resin, a step of peeling the sealing tape from the lead frame, and a surface of the resin sealing body sealed with the sealing resin, an ultraviolet curable type A step of applying a dicing tape having an adhesive on the surface, and irradiation with ultraviolet rays from the lead frame side of the resin sealing body A step of curing the ultraviolet curable adhesive, a step of dividing the resin sealing body into individual pieces for each of the semiconductor chips by a dicing blade, rotating the resin sealing body or the dicing blade by 180 degrees, A step of cutting the resin sealing body, and in the step of dividing the resin sealing body into individual pieces for each of the semiconductor chips by the dicing blade from the bottom surface side of the lead frame, the lead frame of the dicing blade The direction of rotation in the cutting portion is opposite to the direction of relative movement of the dicing blade relative to the lead frame, and the resin sealing body being cut in the direction opposite to the direction of rotation in the cutting portion of the lead frame of the dicing blade Another resin sealing body is formed.
[0023]
Thereby, even if the ultraviolet curable adhesive on the surface of the sealing tape is wound up by the rotational movement of the dicing blade, the ultraviolet curable adhesive does not adhere to the resin sealing body and the surrounding leads.
[0024]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of a method for producing a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention will be described with reference to the drawings. The outline of the entire manufacturing method will be described first, and then the characteristic part of the present embodiment will be described in detail.
[0025]
1 and 2 are cross-sectional views showing respective steps of the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment.
[0026]
First, as shown in FIG. 1A, a lead frame 10 having a sealing tape 9 attached to the back surface is prepared, and the back surface of the semiconductor chip 11 is bonded to a die pad (not shown) of the lead frame 10, The electrode 12 of the semiconductor chip 11 and the lead (not shown) of the lead frame 10 are electrically connected by a thin metal wire 13.
[0027]
Next, as shown in FIG. 1B, the surfaces of the semiconductor chip 11, the fine metal wires 13, and the leads are sealed with a sealing resin 14 made of a thermosetting epoxy resin.
[0028]
Next, as shown in FIG. 1C, the sealing tape 9 is peeled off from the back surface of the lead frame 10.
[0029]
  Next, as shown in FIG. 2A, a dicing tape 16 is attached to the surface of the resin sealing body 15 in which the semiconductor chip 11 and the fine metal wires 13 are sealed with the sealing resin 14.Then, ultraviolet rays are irradiated from the lead frame 10 side of the resin sealing body 15 to cure the ultraviolet curable adhesive 17 in the region where the resin sealing body 15 of the dicing tape 16 is not mounted.The periphery of the dicing tape 16 is fixed by a ring frame 31.
[0030]
Next, as shown in FIG. 2B, a rotating dicing blade (not shown) is brought into contact with the bottom surface side of the lead frame 10, and the resin sealing body 15 is cut and divided for each semiconductor chip 11. .
[0031]
Next, as shown in FIG. 2C, ultraviolet rays are irradiated from the dicing tape 16 side to form the surface of the dicing tape 16, that is, ultraviolet rays between the dicing tape 16 and the resin sealing body 15. The curable adhesive 17 is cured.
[0032]
As described above, the characteristics of the manufacturing method of the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment are that the ultraviolet curable adhesive on the surface of the dicing tape is cured before cutting the lead frame and the resin encapsulant with a dicing blade. Even if the rotating dicing blade comes into contact with the UV curable adhesive on the surface of the dicing tape, the UV curable adhesive is prevented from scattering, and the UV curable adhesive is applied to another resin encapsulant and its surrounding leads. When the resin-encapsulated semiconductor device is mounted on the mounting substrate, stable electrical connection can be ensured.
[0033]
Next, each step of the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device will be described in detail.
[0034]
First, an embodiment of a lead frame used in the method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment will be described.
[0035]
FIG. 3 is a plan view showing the lead frame of the present embodiment.
[0036]
As shown in FIG. 3, a plurality of positioning holes (round holes or long holes) 18 are provided at both ends in the short direction of the lead frame 10, and a resin sealing region 19 exists in the inner region of the positioning hole 18. The lead frame 10 of this embodiment includes a die pad 20 for mounting a semiconductor chip, leads 21 arranged around the die pad 20, and a sealing tape (not shown) attached to at least the bottom surface of the lead 21. A plurality of die pads 20 are arranged with one unit as a unit. In addition, the resin sealing area | region 19 shown with the broken line has shown the area | region sealed with sealing resin, when mounting a semiconductor chip and comprising a resin sealing type semiconductor device.
[0037]
The lead frame 10 of the present embodiment is made of a copper (Cu) material, and the surface of the lead frame 10 is palladium (Pd) plated, specifically, a nickel (Ni) plating layer, palladium (Pd) plating. A plating layer is composed of three layers, a gold (Au) plating layer, or solder plating such as tin-silver (Sn-Ag) and tin-bismuth (Sn-Bi) is partially applied Consists of. The thickness of the plating applied to the lead frame 10 is 1 [μm] or less for Au plating and Pd plating, and several [μm] or less for Ag plating.
[0038]
The size of the lead frame 10 of the present embodiment is 30 to 80 [mm] in the short direction, 50 to 260 [mm] in the longitudinal direction, and 0.1 to 0.4 [mm] in thickness. Is done. The lead frame 10 is made of Fe. Ni material or Cu alloy is used. The size of the resin-encapsulated semiconductor device arranged is 3.0 × 3.0 [mm] to 20.0 × 20.0 [mm].
[0039]
Next, the sealing process will be described.
[0040]
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a sealing mold and a resin sealing body in the sealing mold in the sealing step. FIG. 5 is a view showing a resin sealing body in which a plurality of semiconductor chips are sealed with a sealing resin after the sealing step. Fig.5 (a) is a top view of a resin sealing body, FIG.5 (b) is sectional drawing in the AA1 location of Fig.5 (a).
[0041]
As shown in FIG. 4, the sealing resin 14 is injected from the runner portion 23 of the resin sealing mold 22, and the resin sealing region of the lead frame 10, at least the semiconductor chip 11, and the upper surface of the lead are sealed with the sealing resin 14. Stop. In order to stably perform the assembly process of the resin-encapsulated semiconductor device, a base material such as a heat-resistant polyimide or aluminum foil is temporarily attached to the opposite surface of the lead frame 10 on the side where the semiconductor chip 11 is joined. There is also.
[0042]
In addition, as shown in FIGS. 5A and 5B, the plurality of semiconductor chips 11, the surface of the lead frame 10, and the fine metal wires 13 are collectively sealed with a sealing resin 14.
[0043]
Next, the dividing process (dicing process) of the resin sealing body in which a plurality of semiconductor chips are collectively sealed will be described.
[0044]
FIG. 6A is a plan view showing a state where a resin sealing body in which a plurality of semiconductor chips are collectively sealed with a sealing resin is attached to a dicing tape, and FIG. It is sectional drawing which showed the process of cut | disconnecting the resin sealing body shown to Fig.6 (a) for every semiconductor chip with a dicing blade.
[0045]
  6A and 6B, a resin sealing body 15 in which a plurality of semiconductor chips (not shown) are collectively sealed with a sealing resin 14 is made of polyolefin, polyester, or the like. The dicing tape 16 is affixed to a metal ring 24 and fixed to a dicing tape 16 made of a resin as a main component and having a thickness of 0.1 [mm] to 0.3 [mm]. On the surface of the dicing tape 16, an ultraviolet curable adhesive 17 made of a main component such as acrylic, silicon, phenol, or epoxy and having a thickness of 0.01 [mm] to 0.10 [mm] is formed. The resin sealing body 15 is bonded. AndLead frame 10 of resin sealing body 15By irradiating ultraviolet rays from the side, the surface of the dicing tape 16 isOther than the part where the resin sealing body 15 is attachedThe ultraviolet curable adhesive 17 is cured. The dicing tape 16 only needs to be capable of transmitting ultraviolet rays, and a blue transparent one is used in this embodiment.
[0046]
Next, each semiconductor chip 11 is cut by the dicing blade 25 from the lead frame 10 side of the resin sealing body 15.
[0047]
In the above dicing process, since the ultraviolet curable adhesive on the surface of the dicing tape is cured in advance before dicing, even if the rotating dicing blade comes into contact with the cured ultraviolet curable adhesive, the ultraviolet curable adhesive is used. The agent is not wound up, and the UV curable adhesive does not adhere to the surrounding lead surface.
[0048]
Next, an embodiment of a dicing blade used in the dicing process will be described.
[0049]
FIG. 7 is a view showing the dicing blade of the present embodiment.
[0050]
As shown in FIG. 7, the dicing blade 25 of this embodiment is obtained by solidifying diamond abrasive grains with a bonding agent, and is optimal by selecting the size and shape of the diamond abrasive grains and the material of the bonding agent. The dicing blade can obtain cutting conditions. The dicing blade 25 is plated with a metal such as nickel such as electrodeposition or electroforming, vitrified obtained by sintering a frit, ceramic, or the like, or a resin obtained by sintering a thermosetting resin such as a phenol resin, or copper (Cu ), Tin (Sn), and other various metals. The dicing blade abrasive is made of diamond, cubic boron nitride, GC, A, WA or the like.
[0051]
A dicing blade 25 for cutting a silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs) wafer has a diameter of 60 [mm] to 80 [mm] and a thickness of 30 [mm].μm] to 400 [μm], but in this embodiment, the one having a diameter of 78 [mm] and a thickness of about 300 [μm] is used. An important point in the manufacturing method of the present invention is that a resin-encapsulated semiconductor device (an assembly of an epoxy resin and a metal (lead frame)) is separated as compared with a silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs) wafer. Although the cutting resistance is large and the amount of heat generated during cutting is large, the heat generated during cutting can be suppressed by cleaning the chips during cutting and controlling the temperature of showering water that suppresses heat generation.
[0052]
Next, the mechanism by which the adhesive of the dicing tape adheres to the resin sealing body will be described.
[0053]
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a state in which the resin sealing body in which the dicing blade is attached to the dicing tape and is fixed is cut.
[0054]
As shown in FIG. 8, a resin sealing body 15 in which a plurality of semiconductor chips are collectively sealed with a sealing resin is attached to the ultraviolet curable adhesive 17 formed on the surface of the base material 26 of the dicing tape 16. It has been. Then, the dicing blade 25 rotating from the lead frame side of the resin sealing body 15 contacts and cuts to the surface of the base material 26 of the dicing tape 16. At this time, if the ultraviolet curable adhesive 17 is not cured, the ultraviolet curable adhesive 17 is scattered by the rotating dicing blade 25 and adheres to the surface of the lead or the like. In the present invention, the ultraviolet curable adhesive 17 is cured in advance before dicing, thereby preventing the ultraviolet curable adhesive 17 from being scattered even if the dicing blade 25 comes into contact.
[0055]
Next, the relationship between the thickness of the ultraviolet curable adhesive (hereinafter referred to as “adhesive”) formed on the surface of the dicing tape and the adhesion strength and the adhesion rate at which the adhesive is scattered and adhered by the dicing blade Will be described.
[0056]
FIG. 9 is a graph showing the relationship between the thickness of the adhesive, the adhesive strength, and the adhesion rate at which the adhesive is scattered and adhered by the dicing blade.
[0057]
As shown in FIG. 9, the smaller the adhesive thickness of the dicing tape, the smaller the adhesion occurrence rate as well as the adhesive strength. When the adhesive thickness is 20 [μm], the adhesive strength is relatively large, but the adhesion occurrence rate is small. When the thickness of the adhesive is 15 [μm], the decrease in the adhesive strength is increased and the fixing of the resin sealing body becomes unstable. From the above experimental results, in this embodiment, the thickness of the ultraviolet curable adhesive formed on the surface of the dicing tape is preferably set to 20 [μm] to 30 [μm].
[0058]
Next, a method for curing the ultraviolet curable adhesive formed on the surface of the dicing tape will be described.
[0059]
First, the first embodiment will be described.
[0060]
FIGS. 10 and 11 show that an ultraviolet curable adhesive is cured by irradiating ultraviolet rays in a state where a resin sealing body in which a plurality of semiconductor chips are sealed with a sealing resin is attached to a dicing tape. It is the figure which showed the method.
[0061]
As shown in FIG. 10A, the surface of a resin sealing body 15 in which a plurality of semiconductor chips are sealed with a sealing resin is attached to a dicing tape 16, and ultraviolet rays are applied from the lead frame 10 side of the resin sealing body 15 to the surface. 27 is irradiated to cure the ultraviolet curable adhesive 17.
[0062]
  Next, as shown in FIG. 10B, the resin sealing body 15 is cut by a dicing blade 25 for each semiconductor chip. At this time, the rotation direction of the cutting portion of the lead frame of the dicing blade 25 is the traveling direction relative to the lead frame of the dicing blade 25.Reverse directionOf the dicing blade 25Rotation at the cutting part of the lead frameA resin sealing body 15 different from the resin sealing body being cut in the direction opposite to the direction is formed.
[0063]
Next, as shown in FIG. 10C, the ultraviolet ray 27 is further irradiated from the dicing tape 16 side to reduce the adhesive force of the ultraviolet curable adhesive 17.
[0064]
As described above, the present embodiment uses the resin sealing body as a mask, and cures the ultraviolet curable adhesive other than the portion where the resin sealing body is attached, thereby dicing by dicing blade rotation in the dicing process. The amount of scattering of the tape adhesive is suppressed, and the adhesion amount of the adhesive on the dicing tape in contact with the resin sealing body can be reduced.
[0065]
Next, a second embodiment will be described.
[0066]
As shown in FIG. 11A, the surface of the resin sealing body 15 in which a plurality of semiconductor chips are sealed with a sealing resin is attached to the dicing tape 16, and ultraviolet rays 27 are irradiated from the dicing tape 16 side. The curable adhesive 17 is cured.
[0067]
Next, as shown in FIG. 11B, the resin sealing body 15 is cut by a dicing blade 25 for each semiconductor chip.
[0068]
Next, as shown in FIG. 11 (c), the ultraviolet ray 27 is further irradiated from the dicing tape 16 side to reduce the adhesive force of the ultraviolet curable adhesive 17.
[0069]
As described above, also in the present embodiment, in the dicing process, the amount of the dicing tape adhesive that scatters due to the rotation of the dicing blade is suppressed, and the amount of the dicing tape adhesive on the molded product can be reduced.
[0070]
Next, an embodiment of a “rotation cut method” for cutting two or more resin sealing bodies (before cutting) with a dicing blade will be described.
[0071]
12 and 13 are perspective views showing the steps of the present embodiment.
[0072]
First, as shown in FIGS. 12A and 12B, the first resin sealing body 28 in which a plurality of semiconductor chips are sealed with a sealing resin is cut for each semiconductor chip by a dicing blade 25. At this time, since the rotation direction of the cutting portion of the dicing blade 25 is opposite to the direction in which the second resin sealing body 29 is present, even if the adhesive is scattered by the rotation of the dicing blade 25, the adhesive agent Since the direction of the scattering is the opposite direction to the second resin sealing body 29, the adhesive does not adhere to the second resin sealing body 29.
[0073]
Next, as shown in FIG. 12C, the dicing chuck table 30 fixing the two resin sealing bodies is rotated 180 degrees.
[0074]
Next, as shown in FIGS. 13A and 13B, the adhesive of the second resin sealing body 29 is scattered in the direction opposite to the direction in which the first resin sealing body 28 is present. Then, the rotational direction of the dicing blade 25 is confirmed, and the second resin sealing body 29 is cut for each semiconductor chip.
[0075]
As mentioned above, when two or more resin sealing bodies are diced sequentially with a dicing blade, in order to prevent the adhesive of the dicing tape from being scattered on the uncut resin sealing body, the rotational direction at the cutting portion of the dicing blade is not changed. The cutting direction is opposite to that of the resin sealing body.
[0076]
Next, a description will be given of a decrease in the adhesion amount of the adhesive by the rotation method.
[0077]
FIG. 14 is a graph comparing the amount of adhesive adhering to the surface of the resin sealing body when the rotation method is not used as in the prior art and when dicing is performed using the rotation method.
[0078]
As shown in FIG. 14, by the above-mentioned rotation method, the adhesion amount of the adhesive can be reduced by 80% or more compared to the conventional method.
[0079]
【The invention's effect】
The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention includes a step of cutting a resin-encapsulated body in which a plurality of semiconductor chips are collectively encapsulated with an encapsulating resin in a step of cutting each semiconductor chip. The UV curable adhesive formed on the surface of the attached sealing tape is cured before cutting with the dicing blade, so that even if the rotating dicing blade comes into contact with the UV curable adhesive, it is UV curable. Stable electrical connection can be ensured after the resin-encapsulated semiconductor device is mounted on the mounting substrate without the adhesive scattering and adhering to the surface of the lead or the like.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing steps of a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing each step of a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a view showing a resin sealing body according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a view showing a dicing blade according to an embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a diagram showing the adhesive strength and adhesion rate of the adhesive of the present invention.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing each step of a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a cross-sectional view showing each step of a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
12 is a cross-sectional view showing each step of a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG.
13 is a cross-sectional view showing each step of a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 14 is a diagram showing the adhesion amount of the adhesive of the present invention.
FIG. 15 is a perspective view showing each step of a conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.
[Explanation of symbols]
1 Sealing resin
2 1st resin sealing body
3 Lead frame
4 Dicing blade
5 Second resin sealing body
6 Dicing tape
7 Adhesive
8 Adhesive
9 Sealing tape
10 Lead frame
11 Semiconductor chip
12 electrodes
13 Metal wire
14 Sealing resin
15 Resin encapsulant
16 Dicing tape
17 UV curable adhesive
18 Positioning hole
19 Resin sealing area
20 die pad
21 Lead
22 Resin sealing mold
23 runner club
24 rings
25 Dicing blade
26 Base material
27 UV
28 1st resin sealing body
29 2nd resin sealing body
30 Dicing chuck table
31 Ring frame

Claims (7)

半導体チップを搭載するためのダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリードと、少なくとも前記リードの底面に張り付いた封止テープとからなる構成を一単位として、前記ダイパッドが複数配置されたリードフレームを用意する工程と、前記複数のダイパッド各々に前記半導体チップを各々搭載する工程と、前記半導体チップの電極と前記リードとを電気的に接続する工程と、前記複数の半導体チップおよび前記リードの表面を封止樹脂により一括して封止する工程と、前記封止テープを前記リードフレームから剥がす工程と、前記封止樹脂により封止された樹脂封止体の表面に、紫外線硬化型接着剤を表面に有するダイシングテープを貼り付ける工程と、前記樹脂封止体の前記リードフレーム側から紫外線を照射して前記紫外線硬化型接着剤を硬化させる工程と、ダイシングブレードにより前記半導体チップごとに前記樹脂封止体を個片に分割する工程とからなり、前記リードフレームの底面側から前記ダイシングブレードにより前記半導体チップごとに前記樹脂封止体を個片に分割する工程では、前記ダイシングブレードの前記リードフレームの切断部における回転方向は、前記ダイシングブレードの前記リードフレームに対する相対的な進行方向と逆方向であり、前記ダイシングブレードの前記リードフレームの切断部における回転方向と逆方向に切断中の樹脂封止体とは別の樹脂封止体が形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。A lead in which a plurality of die pads are arranged as a unit comprising a die pad for mounting a semiconductor chip, a lead arranged around the die pad, and at least a sealing tape attached to the bottom surface of the lead. A step of preparing a frame, a step of mounting each of the semiconductor chips on each of the plurality of die pads, a step of electrically connecting electrodes of the semiconductor chip and the leads, a plurality of the semiconductor chips and the leads A step of collectively sealing the surface with a sealing resin, a step of peeling the sealing tape from the lead frame, and an ultraviolet curable adhesive on the surface of the resin sealing body sealed with the sealing resin a step of sticking a dicing tape having a surface, the ultraviolet is irradiated with ultraviolet rays from the lead frame side of the resin sealing body Curing the curable adhesive, Ri Do and a step of dividing the resin sealing body for each of the semiconductor chips by dicing blade into individual pieces, each of the semiconductor chips by the dicing blade from the bottom side of the lead frame In the step of dividing the resin sealing body into pieces, a rotation direction of the cutting portion of the lead frame of the dicing blade is a direction opposite to a traveling direction relative to the lead frame of the dicing blade, method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device which is characterized that you have another resin sealing body is formed with a resin sealing body during cutting in a direction opposite to the rotation direction of the cutting portion of the lead frame of the dicing blade . ダイシングテープは紫外線が透過する材料からなることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。  2. The method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the dicing tape is made of a material that transmits ultraviolet rays. ダイシングブレードにより半導体チップごとに樹脂封止体を個片に分割する工程の後、ダイシングテープ側からさらに紫外線を照射して、前記樹脂封止体と前記ダイシングテープとの間の紫外線硬化型接着剤の接着力を低下させる工程を設けることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。After the step of dividing the tree Aburafutometai each by Rihan conductor chip dicing blade into individual pieces, by irradiating more ultraviolet from the dicing tape side, ultraviolet between the dicing tape and the resin sealing body The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, further comprising a step of reducing the adhesive strength of the curable adhesive. ダイシングテープの基材は、ポリオレフィンまたはポリエステルを主成分とする樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。  2. The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the base material of the dicing tape is a resin mainly composed of polyolefin or polyester. ダイシングテープの表面に形成された紫外線硬化型接着剤は、アクリルまたはシリコンまたはフェノールまたはエポキシを主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。  2. The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the ultraviolet curable adhesive formed on the surface of the dicing tape contains acrylic, silicon, phenol, or epoxy as a main component. 紫外線硬化型接着剤の厚みは２０[μｍ]〜３０[μｍ]であること特徴と
する請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。The method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the thickness of the ultraviolet curable adhesive is 20 [μm] to 30 [μm]. 半導体チップを搭載するためのダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリードと、少なくとも前記リードの底面に張り付いた封止テープとからなる構成を一単位として、前記ダイパッドが複数配置されたリードフレームを用意する工程と、前記複数のダイパッド各々に前記半導体チップを各々搭載する工程と、前記半導体チップの電極と前記リードとを電気的に接続する工程と、前記複数の半導体チップおよび前記リードの表面を封止樹脂により一括して封止する工程と、前記封止テープを前記リードフレームから剥がす工程と、前記封止樹脂により封止された樹脂封止体の表面に、紫外線硬化型接着剤を表面に有するダイシングテープを貼り付ける工程と、前記樹脂封止体の前記リードフレーム側から紫外線を照射して前記紫外線硬化型接着剤を硬化させる工程と、ダイシングブレードにより前記半導体チップごとに前記樹脂封止体を個片に分割する工程と、前記樹脂封止体または前記ダイシングブレードを１８０度回転させ、別の樹脂封止体を切断する工程とからなり、前記リードフレームの底面側から前記ダイシングブレードにより前記半導体チップごとに前記樹脂封止体を個片に分割する工程では、前記ダイシングブレードの前記リードフレームの切断部における回転方向は、前記ダイシングブレードの前記リードフレームに対する相対的な進行方向と逆方向であり、前記ダイシングブレードの前記リードフレームの切断部における回転方向と逆方向に切断中の樹脂封止体とは別の樹脂封止体が形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 A lead having a plurality of die pads arranged as a unit comprising a die pad for mounting a semiconductor chip, a lead arranged around the die pad, and at least a sealing tape attached to the bottom surface of the lead. A step of preparing a frame, a step of mounting each of the semiconductor chips on each of the plurality of die pads, a step of electrically connecting electrodes of the semiconductor chip and the leads, a plurality of the semiconductor chips and the leads A step of collectively sealing the surface with a sealing resin, a step of peeling the sealing tape from the lead frame, and an ultraviolet curable adhesive on the surface of the resin sealing body sealed with the sealing resin A step of attaching a dicing tape having a surface thereof, and irradiating ultraviolet rays from the lead frame side of the resin sealing body A step of curing the curable adhesive, a step of dividing the resin sealing body into individual pieces for each of the semiconductor chips by a dicing blade, and rotating the resin sealing body or the dicing blade by 180 degrees to obtain another resin. And cutting the lead frame of the dicing blade in the step of dividing the resin sealing body into individual pieces for each of the semiconductor chips by the dicing blade from the bottom surface side of the lead frame. The direction of rotation of the dicing blade is opposite to the direction of relative movement of the dicing blade with respect to the lead frame, and the resin sealing body being cut in the direction opposite to the direction of rotation of the cutting portion of the lead frame of the dicing blade method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device which is characterized that you have another resin sealing body is formed
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