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JP3612494B2 - 表示装置 - Google Patents

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JP3612494B2
JP3612494B2 JP2001092851A JP2001092851A JP3612494B2 JP 3612494 B2 JP3612494 B2 JP 3612494B2 JP 2001092851 A JP2001092851 A JP 2001092851A JP 2001092851 A JP2001092851 A JP 2001092851A JP 3612494 B2 JP3612494 B2 JP 3612494B2
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブ・マトリクス型表示装置に係り、特に有機半導体膜などの発光層に電流を流すことによって発光させるＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子等の発光素子で構成した画素と、この画素の発光動作を制御する画素回路を備えた表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、高度情報化社会の到来に伴い、パーソナルコンピュータ、カーナビ、携帯情報端末、情報通信機器あるいはこれらの複合製品の需要が増大している。これらの製品の表示手段には、薄型、軽量、低消費電力のディスプレイデバイスが適しており、液晶表示装置あるいは自発光型のＥＬ素子またはＬＥＤなどの電気光学素子を用いた表示装置が用いられている。
【０００３】
後者の自発光型の電気光学素子を用いた表示装置は、視認性がよいこと、広い視角特性を有すること、高速応答で動画表示に適していることなどの特徴があり、映像表示には特に好適と考えられている。特に、近年の有機物を発光層とする有機ＥＬ素子（有機ＬＥＤ素子とも言う：以下ＯＬＥＤと略称する場合もある）を用いたディスプレイは発光効率の急速な向上と映像通信を可能にするネットワーク技術の進展とが相まって、ＯＬＥＤディスプレイへの期待が高い。ＯＬＥＤは有機発光層を２枚の電極で挟んだダイオード構造を有する。
【０００４】
このようなＯＬＥＤ素子を用いて構成したＯＬＥＤディスプレイにおける電力効率を高めるためには、後述するように、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴとも称する）を画素のスイッチング素子としたアクティブ・マトリクス駆動が有効である。ＯＬＥＤディスプレイをアクティブ・マトリクス構造で駆動する技術としては、例えば、特開平４−３２８７９１号公報、特開平８−２４１０４８号公報、あるいは米国特許第５５５００６６号明細書などに記載されており、また、駆動電圧関係については国際特許公報ＷＯ９８／３６４０７号などに開示されている。
【０００５】
ＯＬＥＤディスプレイの典型的な画素構造は、第１と第２のアクティブ素子である２つのＴＦＴ（第１のＴＦＴはスイッチングトランジスタ、第２のＴＦＴはドライバトランジスタ）と１つの蓄積容量（データ信号保持素子）で構成される画素駆動回路（以下、画素回路とも言う）からなり、この画素回路によりＯＬＥＤの発光輝度を制御する。画素はデータ信号（または、画像信号）が供給されるＭ本のデータ線と、走査信号が供給されるＮ本の走査線（以下、ゲート線とも言う）をＮ行×Ｍ列のマトリクスに配列した各交差部に配置される。
【０００６】
画素の駆動には、Ｎ行のゲート線に順次走査信号（ゲート信号）を供給してスイッチングトランジスタを導通状態に（ターンオン）し、１フレーム期間Ｔｆ内に垂直方向の走査を１回終えて、再び最初（１行目）のゲート線にターンオン電圧を供給する。
【０００７】
この駆動スキームでは、１本のゲート線にターンオン電圧が供給される時間はＴｆ／Ｎ以下となる。一般的には、１フレーム期間Ｔｆの値としては１／６０秒程度が用いられる。あるゲート線にターンオン電圧が供給されている間は、そのデータ線に接続されたスイッチングトランジスタは全て導通状態（オン状態）となり、それに同期してＭ列のデータ線に同時に、又は順次にデータ電圧（画像電圧）が供給される。これはアクティブ・マトリクス液晶装置で一般的に用いられているものである。
【０００８】
データ電圧はゲート線にターンオン電圧が供給されている間に蓄積容量（コンデンサ）に蓄えられ（保持され）、１フレーム期間はほぼそれらの値に保たれる。蓄積容量の電圧値は、ドライバトランジスタのゲート電圧を規定する。したがって、ドライバトランジスタを流れる電流値が制御されてＯＬＥＤの発光が制御される。ＯＬＥＤに電圧が印加されて、その発光が始まるまでの応答時間は１μｓ以下であることが通常であり、動きの早い画像（動画像）にも追随できる。
【０００９】
ところで、アクティブ・マトリクス駆動では、１フレーム期間にわたって発光が行われることで高効率を実現している。ＴＦＴを設けずに、ＯＬＥＤのダイオード電極をそれぞれ走査線、データ線に直結して駆動する単純マトリクス駆動と比較すると、その差異は明確である。
【００１０】
単純マトリクス駆動では、走査線が選択されている期間にのみＯＬＥＤに電流が流れるので、その短い期間の発光のみで１フレーム期間の発光と同等の輝度を得るためには、アクティブ・マトリクス駆動に比べて略走査線数倍の発光輝度が必要となる。それには、必然的に駆動電圧、駆動電流を大きくしなければならず、発熱などの消費電力の損失が大きくなって電力効率が低下する。
【００１１】
このように、アクティブ・マトリクス駆動は、単純マトリクス駆動に比べて消費電力の低減の観点から優位であると考えられる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ＯＬＥＤのアクティブ・マトリクス駆動では、１フレーム期間にわたって表示を保持するためのコンデンサへの電流供給を、当該コンデンサの一方の電極をスイッチングトランジスタの出力端子に接続し、他方の電極をコンデンサ用の共通電位線に接続したり、あるいはＯＬＥＤに電流を供給する電流供給線に接続している。
【００１３】
図８はＯＬＥＤを用いた従来の表示装置の１構成例を模式的に説明するブロック図、図９は図８における画素構成の説明図である。この表示装置（画像表示装置）１は、ガラス等の絶縁材からなる基板６上に複数のデータ線７と複数の走査線すなわちゲート線８とのマトリクス配列で形成した表示部２（図中、点線で囲った内部）の周囲にデータ駆動回路３、走査駆動回路４、電流供給回路５を配置して構成されている。
【００１４】
データ駆動回路３はＮチャンネル型とＰチャンネル型のＴＦＴによる相補型回路、またはＮチャンネルのみかＰチャンネルのみの単チャンネル型の薄膜トランジスタＴＦＴで構成されるシフトレジスタ回路、レベルシフタ回路、アナログスイッチ回路などからなる。なお、電流供給回路５はバスラインのみとし、外部電流源から供給することもできる。
【００１５】
図８は表示部２にコンデンサ用の共通電位線９を設けた方式であり、コンデンサの前記他端の電極は、この共通電位線１０に接続される。共通電位線１０は共通電位供給バスライン９Ａの端子１１から外部の共通電位源に引き出されている。
【００１６】
図９に示したように、画素２０はデータ線７とゲート線８で囲まれた領域に配置されたスイッチングトランジスタであるＴＦＴ２１、ドライバトランジスタであるＴＦＴ２２、コンデンサ２３、およびＯＬＥＤ２４で構成される。ＴＦＴ２１のゲートはゲート線８に、ドレインはデータ線７に接続されている。ＴＦＴ２２のゲートはＴＦＴ２１のソースに接続され、この接続点にコンデンサ２３の一方の電極（＋極）が接続されている。
【００１７】
ＴＦＴ２２のドレインは電流供給線１０に、ソースはＯＬＥＤ２４の陽極に接続されている。そして、コンデンサ２３の他端（−極）は共通電位線９に接続されている。データ線７はデータ駆動回路３で駆動され、走査線（ゲート線）８は走査駆動回路４で駆動される。また、電流供給線１０は電流供給バスライン１０Ａを介して図１の電流供給回路５に接続している。
【００１８】
図９において、１つの画素２０が走査線８で選択されてＴＦＴ２１がターンオンすると、データ線７から供給される画像信号がコンデンサ２３に蓄積される。そして、ＴＦＴ２１がターンオフした時点でＴＦＴ２２がターンオンし、電流供給線１０からの電流がＯＬＥＤ２４に流れ、ほぼ１フレーム期間にわたってこの電流が持続する。このとき流れる電流はコンデンサ２３に蓄積されている信号電荷で規定される。コンデンサ２３の動作レベルは共通電位線９の電位で規定される。これにより、画素の発光が制御される。
【００１９】
この方式では、画素領域の一部を貫通して共通電位線９を設ける必要があるため、所謂開口率の低下をもたらし、表示装置全体としての明るさ向上を抑制してしまう。
【００２０】
図１０はＯＬＥＤを用いた従来の表示装置の他の構成例を模式的に説明する図９と同様のブロック図である。この例では、各画素を構成するＴＦＴ２１、２２およびコンデンサ２３の基本配列は図９と同様であるが、コンデンサ２３の他端を電流供給線１０に接続した点で異なる。
【００２１】
すなわち、１つの画素２０が走査線８で選択されてＴＦＴ２１がターンオンすると、データ線７から供給される画像信号がコンデンサ２３に蓄積され、ＴＦＴ２１がターンオフした時点でＴＦＴ２２がターンオンしたとき、電流供給線１０からの電流がＯＬＥＤ２４に流れ、図９と同様に、ほぼ１フレーム期間にわたってこの電流が持続する。このとき流れる電流はコンデンサ２３に蓄積されている信号電荷で規定される。コンデンサ２３の動作レベルは電流供給線１０の電位で規定される。これにより、画素の発光が制御される。
【００２２】
この構成例では、コンデンサ２３に繋がれた電流供給線が高電圧側に位置しているため、コンデンサ２３の電極間が短絡すると大電流が流れ、本来は点欠陥で済むところが縦横の線欠陥にまで被害が拡大する恐れがある。
【００２３】
本発明の目的は、開口率を向上し、かつ線欠陥等の表示不良を防止して高品質の表示を可能とすると共に、製造工程の増大を回避したＯＬＥＤ等の電気光学素子を用いた表示装置を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するに好適な本発明による表示装置の具体的な構成例を記述すると以下のとおりである。すなわち、
（１）基板 6 、前記基板 6 上にその一端から他端に向けて並べて形成された複数の走査線 8 、前記基板 6 上に前記複数の走査線 8 と交差して形成された複数のデータ線 7 、前記複数の走査線 8 と前記複数のデータ線 7 との交差部毎にマトリクス状に形成されて前記基板 6 上に表示部 2 をなす複数の画素 20 、及び前記複数の画素 20 の各々に設けられた有機発光素子 24 に電流を供給する電流供給線 10 を備えた表示装置において、
前記複数の走査線 8 に、走査信号を前記基板 6 の前記一端から前記他端に向けて順次 8(n-1) → 8(n) → 8(n+1) 供給させ、
前記複数の画素 20 の各々には、前記複数の走査線の一つ 8(n+1) に供給された前記走査信号でターンオンされる第１のアクティブ素子 21 と、該第１のアクティブ素子 21 のターンオンに応じて前記データ線 7(m+1) から供給されるデータ信号を保持するデータ保持素子 23 と、該データ保持素子 23 に保持されたデータ信号に従って前記電流供給線 10 からの電流を前記有機発光素子 24 に供給して該有機発光素子 24 を発光させる第２のアクティブ素子 22 とを設け、
前記第１のアクティブ素子 21 及び前記第２のアクティブ素子 22 の各々には、前記基板 6 上に形成されたチャネル層 30 と、該チャネル層 30 を覆う第１絶縁膜上に形成されて該チャネル層 30 と交差するゲート層 80 とを設け、
前記複数の走査線 8 を、前記第１絶縁膜上に前記ゲート層 80 とともに形成され、且つ該ゲート層 80 とともに第２絶縁膜で覆い、
前記複数のデータ線 7 及び前記電流供給線 10 を、前記第２絶縁膜上に形成され且つ該第２絶縁膜に形成された第３絶縁膜で覆い、
前記複数の画素 20 の各々に設けられた前記有機発光素子 24 には、前記第３絶縁膜上に形成され且つ前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜、並びに該第３絶縁膜を通して前記第２のアクティブ素子 22 の前記チャネル層 30 に接続される陽極 25 と、該陽極 25 上に形成された有機発光層 260 と、該有機発光層 260 上に形成された陰極 26 とを設け、
前記複数の画素 20 の各々に設けられた前記データ保持素子 23 を、これに設けられた前記第１のアクティブ素子 21 をターンオンする前記複数の走査線の一つ 8(n+1) に前記基板 6 の前記一端側で隣接する該複数の走査線の他の一つ 8(n) に電気的に接続し、且つ前記チャネル層 30 とともに該基板 6 上に形成され且つ前記第１絶縁膜に覆われた下層電極 30 と、該第１絶縁膜上に形成され且つ該第１絶縁膜を介して該下層電極 30 と対向する上層電極 80 とで構成し、該上層電極 80 には前記第２のアクティブ素子 22 の前記ゲート層 80 をも兼ねさせる。
【００２５】
（２）（１）に記載の前記複数の画素 20 の各々に設けられた前記有機発光素子 24 において、前記有機発光層 260 を、前記陽極 25 を覆う保護膜に形成された開口 28 に形成して該開口 28 にて該陽極 25 に接触させ、前記陰極 26 を前記保護膜上に形成して前記有機発光層 260 を覆わせる。
【００２６】
（３）（１）において、前記電流供給線 10 を、前記データ線 7(m+1) に平行な方向に延ばす。
【００２７】
（４）（１）における前記第１のアクティブ素子21および前記第２のアクティブ素子22を薄膜トランジスタとし、前記データ信号保持素子23をコンデンサとする。
【００２８】
（５）（１）において、前記基板 6 上に、前記複数の走査線8に走査信号を供給する走査駆動回路4、前記複数のデータ線7にデータ信号を供給するデータ駆動回路3、
前記電流供給線10に電流を供給する電流供給回路5 を形成する。
【００２９】
（６）（１）において、前記第１のアクティブ素子 21 の前記チャネル層 30 、前記第２のアクティブ素子 22 の前記チャネル層 30 、及び前記データ保持素子 23 の前記下層電極の各々を、ポリシリコン層で形成する。
【００３０】
（７）（１）において、前記第２のアクティブ素子 22 の前記チャネル層 30 を、該第２のアクティブ素子 22 の前記ゲート層 80 に対して折り曲げて配置する。
（８）（１）において、前記第１のアクティブ素子 22 の前記ゲート層 80 を、デュアルゲート構成とする。
【００３１】
なお、本発明は上記の構成および後述する実施例の構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説明する。図示しないが、以降で説明する各画素には有機発光層を有し、この有機発光層は電流値に比例した輝度で、かつその有機材料に依存した色（白色も含む）で発光させるものと、白色発光の有機層に赤、緑、青等のカラーフィルタを組み合わせてカラー表示を行わせるもの等がある。
【００３３】
図１は本発明による表示装置の１実施例の構成を模式的に説明するブロック図、図２は図１における１画素構成をさらに詳しく説明する回路図である。本実施例の概略構成は前記の図１０と同様に、表示領域２にはデータ線７と走査線８および電流供給線１０が設けられている。図中、走査線８として、走査線８（ｎ＋１）と直前の走査線８（ｎ）および直前の走査線８（ｎ）のさらに前の走査線８（ｎ−１）が示されている。また、データ線７として、データ線７（ｍ＋１）と７（ｍ）および７（ｍ−１）が示されている。
【００３４】
ここでは、現在走査されている（選択されている）走査線を８（ｎ＋１）として説明する。走査線８（ｎ＋１）で選択されている複数の画素のうち、画素２０に着目する。アクティブ素子である第１のＴＦＴ２１はスイッチングトランジスタ、第２のＴＦＴ２２はドライバトランジスタである。第１のＴＦＴ２１のゲートは走査線８（ｎ＋１）に接続され、そのドレインはデータ線７（ｍ＋１）に、ソースは第２のＴＦＴ２２のゲートに接続されている。
【００３５】
第２のＴＦＴ２２のドレインは電流供給ライン１０Ａを介して電流が供給される電流供給線１０に接続されている。そして、そのソースはＯＬＥＤ２４の陽極に接続されている。第１のＴＦＴ２１のソースと第２のＴＦＴ２２のゲートの接続点にはデータ信号保持素子としてのコンデンサ２３の一方の端子が接続され、他方の端子は直前の走査線８（ｎ）に接続されている。
【００３６】
図２に示した１画素の回路構成において、第１のＴＦＴ２１のソースと第２のＴＦＴ２２のゲートの接続点に接続されるコンデンサ２３の一方の端子は＋極であり、走査線８（ｎ）に接続される他方の端子は−極である。また、ＯＬＥＤ２４は陽極２５と陰極２６の間に有機発光層（図示せず）を挟んだ構成であり、陽極２５は第２のＴＦＴ２２のソース電極に接続し、陰極２６は画素を構成する図示しない陰極側の電極に接続している。
【００３７】
この構成において、直前の走査線８（ｎ）に接続している各画素は表示のための駆動を終了しており、１フレーム（または、１フィールド）期間の大部分の期間はそのＴＦＴ（第１のＴＦＴ）がオフ状態にある。すなわち、この走査線８（ｎ）の電位は所定の低電圧状態にある。この低電圧状態は所定の電位に固定されており、上記１フレーム（または、１フィールド）期間の大部分の期間その変動はない。
【００３８】
そのため、現在走査されている走査線８（ｎ＋１）に接続されている画素のコンデンサ２３は、データ線７（ｍ＋１）から書き込まれたデータ信号が安定に保持され、電流供給線１０から第２のＴＦＴ２２を通してＯＬＥＤ２４に流れる電流は各コンデンサ２３に保持されたデータ信号に正しく反映したものとなる。この走査線８（ｎ＋１）に接続されている全ての画素についても同様である。
【００３９】
本実施例の構成により、データ信号保持素子であるコンデンサ２３の電位が安定に保持され、前記の図１０で説明した従来の表示装置において発生するＯＬＥＤへの流入電流値によるコンデンサの基準電位の変動とは無関係になり、ＯＬＥＤの発光量の変動がない高品質の表示が可能となる。また、前記図８あるいは図９で説明した表示装置における共通電位線を必要としないため、画素の開口率が向上し、かつ製造工程数の増大を回避でき、低コスト化することができる。
【００４０】
次に、本発明による表示装置の具体的な構造について説明する。
【００４１】
データ線に供給するデータ信号（映像信号等）はアナログ量でも、また時分割のデジタル量でもよく、画素の面積を分割した構成を組み合わせてもよい。通常、画素回路の部分は低温ポリシリコンＴＦＴ技術で製作される。この場合、コンデンサを構成する電極はトランジスタを構成するチャネル部分とゲート部分の層を用いることが適している。当該チャネル部とゲート部分は薄い絶縁層で隔てられており、必要な容量値を確保するための面積が狭くて済む。
【００４２】
図３と図４は本発明による表示装置の具体例を説明する１画素近傍の平面図である。図３および図４中、７はデータ線、８（ｎ）および８（ｎ＋１）は走査線、１０は電流供給線である。走査線８（ｎ）および８（ｎ＋１）と電流供給線１０で囲まれた部分に１画素が構成される。１画素は第１のＴＦＴ２１と第２のＴＦＴ２２、コンデンサ２３、点線で示したＯＬＥＤの陽極２５、各ＴＦＴとコンデンサ２３にデータ線７や走査線８（ｎ）および８（ｎ＋１）や電流供給線１０を接続するためのコンタクトホール２７、有機発光層を収容する開口２８が示されている。
【００４３】
画素回路は図の縦方向（垂直方向）に配置された映像信号等を供給するデータ線７と同じく垂直方向に配置されたＯＬＥＤへの電流供給線１０と、図の横方向（水平方向）に配置したゲート線８（ｎ）、８（ｎ＋１）に囲まれている。第１のＴＦＴ２１であるスイッチングトランジスタはデータ線からのデータ信号を画素回路のコンデンサ２３に書き込む制御を行う。
【００４４】
リーク電流によるコンデンサ２３の蓄積電荷の減少を低減するために、第１のＴＦＴ２１にはデュアルゲート構成を用いている。第２のＴＦＴ２２であるドライバトランジスタは比較的大きなゲート長を得るため、折り曲げて配置されている。コンデンサ２３は画素の開口部２８への影響を減らすために配線の下に配置した。そして、コンデンサ２３の他方の極（他方の端子）を直前に走査されるゲート線に電気的に接続した。
【００４５】
直前のゲート線への接続には、コンデンサ２３の２つの電極（端子）のどちらを繋ぐかで２種類の方法がある。図３は下層の電極を直前のゲート線に接続したもの、図４は上層の電極を直前のゲート線に接続したものである。
【００４６】
一般に、２つの電極を重ねてコンデンサを形成するには、いずれの電極も導電性であることが必要である。下層の電極はトランジスタのチャネルで用いられる層材料と同じであり、全面に導電性を持たせるためには基本的にはイオン打ち込み等で全面にドーピングを施す必要がある。上層の電極は金属等の導電性の材料が通常用いられる。
【００４７】
下層の電極の全面へのイオン注入は、上層の電極を形成する前に行わなければならない。これは製造工程を増やすことになるので好ましくない。本実施例では、下層の電極の全面に導電性を持たせるためのイオン注入工程を無くすために、電極の極性を考慮した。通常ｎ型イオンのドーピングを行う方を低圧側とし、ｐ型イオンのドーピングを行う方を高圧側とすれば、全面にイオン注入を行わなくてもキャリアの移動が起こり、コンデンサとして機能することが知られている。したがって、本実施例では全面へのイオン注入は行わず、上層の電極を形成後にイオン注入を行った。
【００４８】
ゲート線に印加される電圧は、通常、スイッチングトランジスタである第１のＴＦＴ２１がｎ型のトランジスタであれば、大部分の期間、低電圧のオフ状態であり、データ信号を書き込むときだけオン状態になる。この場合、下層の電極を前段（直前）のゲート線に繋ぐ場合はｎ型のイオン注入を行い、上層の電極を当該ゲート線に繋ぐ場合はｐ型のイオン注入を行うのが好ましい。
【００４９】
図３の構成例では、特に、直前に走査される走査線８（ｎ）と現在走査される画素のコンデンサ２３の他方の端子とを図中に２７で示したコンタクトホールで接続している。
【００５０】
図４の構成例では、走査線８（ｎ）を８（ｎ＋１）のコンデンサ部分まで延在させコンデンサの上部電極として用いている。このためスイッチングトランジスタはコンデンサの下部電極につなげられている。
【００５１】
図５、図６および図７は図３に示した構成の表示装置の各構成層の形成手順を示す構造説明図であり、図５〜図７に至る（Ａ）〜（Ｉ）は各構成層の形成を示す。各手順で形成される層は外形線で示す。
【００５２】
図５の（Ａ）では、図示しないガラス基板上にトランジスタのチャネルとコンデンサの下層電極となるポリシリコン層３０を形成し、結晶化に必要なレーザアニールまたは熱処理を施す。この上にｐ−ＴＥＯＳ等で第１の絶縁層を形成する図５の（Ｂ）では、走査線とトランジスタのゲート電極およびコンデンサの上層電極となる導電層８０をチタンＴｉ、タングステンＷ等で形成する。この上層電極をマスクとしてｎ型のイオン注入を行う。
【００５３】
図５の（Ｃ）では、導電層８０の上に第２の絶縁層を形成すると共に、必要な箇所にコンタクトホール２７０をウエットエッチング等で形成する。
【００５４】
図６の（Ｄ）では、アルミニウム配線７０でトランジスタのドレイン電極と電流供給線を形成する。なお、このアルミニウム配線の上下をチタンＴｉ、タングステンＷ等でサンドイッチしてもよい。
【００５５】
図６の（Ｅ）では、このアルミニウム配線の上に第３の絶縁層を形成し、陽極用のコンタクトホール２７１を形成する。
【００５６】
図６の（Ｆ）では、ＯＬＥＤの陽極となるＩＴＯを被着し、パターニングを行い、陽極２５を形成する。
【００５７】
図７の（Ｇ）では、ＩＴＯの陽極２５を覆って保護膜を形成し、この保護膜に穴を開けて、発光領域となる部位に有機発光層を収容するための開口２８を設ける。
【００５８】
図７の（Ｈ）では、上記の開口２８に有機発光層２６０を塗布する。この有機発光層２６０は開口２８の周縁を含む領域に塗布される。カラー表示の場合は、それぞれの画素の開口毎に所定の色に発光する有機発光層を塗布する。
【００５９】
図７の（Ｉ）では、有機発光層２６０を覆って、陰極２６を形成して基本的なパネル基板を得る。その後、このパネル基板を適切な封止構造を用いて封止し、モジュール化を行う。以上の工程を経て本実施例の表示装置が得られる。
【００６０】
なお、本発明は上記したＯＬＥＤを用いた表示装置に限るものではなく、ＯＬＥＤと同様の発光動作で表示を行う他の表示装置にも同様に適用できる。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、コンデンサの電極間の短絡に起因する線欠陥の発生を防止すると共に製造工程の増大を回避して、開口率を向上した高輝度かつ高品質の表示を可能とした表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による表示装置の１実施例の構成を模式的に説明するブロック図である。
【図２】図１における１画素構成をさらに詳しく説明する回路図である。
【図３】本発明による表示装置の１具体例を説明する１画素近傍の平面図である。
【図４】本発明による表示装置の他の具体例を説明する１画素近傍の平面図である。
【図５】図３に示した構成の表示装置の各構成層の形成手順を示す構造説明図である。
【図６】図３に示した構成の表示装置の各構成層の形成手順を示す図５に続く構造説明図である。
【図７】図３に示した構成の表示装置の各構成層の形成手順を示す図６に続く構造説明図である。
【図８】有機発光素子を用いた従来の表示装置の１構成例を模式的に説明するブロック図である。
【図９】図８における画素構成の説明図である。
【図１０】有機発光素子を用いた従来の表示装置の他の構成例を模式的に説明する図９と同様のブロック図である。
【符号の説明】
１ 表示装置
２ 表示部
３ データ駆動回路
４ 走査駆動回路
５ 電流供給回路
６ 基板
７（７ｍ−１、７ｍ、７ｍ＋１） データ線
８（８ｎ−１、８ｎ、８ｎ＋１） ゲート線（走査線）
９ 共通電位線
１０ 電流供給線
２０ 画素
２１ スイッチングトランジスタである第１のＴＦＴ
２２ ドライバトランジスタである第２のＴＦＴ
２３ データ保持手段であるコンデンサ
２４ 有機発光素子（ＯＬＥＤ）
２５ 陽極
２６ 陰極
２７ コンタクトホール
２８ 有機発光層を収容する開口。

Claims (8)

  1. 基板、
    前記基板上にその一端から他端に向けて並べて形成された複数の走査線、
    前記基板上に前記複数の走査線と交差して形成された複数のデータ線、
    前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差部毎にマトリクス状に形成されて前記基板上に表示部をなす複数の画素、及び
    前記複数の画素の各々に設けられた有機発光素子に電流を供給する電流供給線を備え、
    前記複数の走査線には、走査信号が前記基板の前記一端から前記他端に向けて順次供給され、
    前記複数の画素の各々は、前記複数の走査線の一つに供給された前記走査信号でターンオンされる第１のアクティブ素子と、該第１のアクティブ素子のターンオンに応じて前記データ線から供給されるデータ信号を保持するデータ保持素子と、該データ保持素子に保持されたデータ信号に従って前記電流供給線からの電流を前記有機発光素子に供給して該有機発光素子を発光させる第２のアクティブ素子とを有し、
    前記第１のアクティブ素子及び前記第２のアクティブ素子の各々は、前記基板上に形成されたチャネル層と、該チャネル層を覆う第１絶縁膜上に形成されて該チャネル層と交差するゲート層とを有し、
    前記複数の走査線は、前記第１絶縁膜上に前記ゲート層とともに形成され、且つ該ゲート層とともに第２絶縁膜で覆われ、
    前記複数のデータ線及び前記電流供給線は、前記第２絶縁膜上に形成され且つ該第２絶縁膜に形成された第３絶縁膜に覆われ、
    前記複数の画素の各々に設けられた前記有機発光素子は、前記第３絶縁膜上に形成され且つ前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜、並びに該第３絶縁膜を通して前記第２のアクティブ素子の前記チャネル層に接続される陽極と、該陽極上に形成された有機発光層と、該有機発光層上に形成された陰極とを有し、
    前記複数の画素の各々に設けられた前記データ保持素子は、これに設けられた前記第１のアクティブ素子をターンオンする前記複数の走査線の一つに前記基板の前記一端側で隣接する該複数の走査線の他の一つに電気的に接続され、且つ前記チャネル層とともに該基板上に形成され且つ前記第１絶縁膜に覆われた下層電極と、該第１絶縁膜上に形成され且つ該第１絶縁膜を介して該下層電極と対向する上層電極とを有し、該上層電極は前記第２のアクティブ素子の前記ゲート層を兼ねることを特徴とする表示装置。
  2. 前記複数の画素の各々に設けられた前記有機発光素子において、
    前記有機発光層は、前記陽極を覆う保護膜に形成された開口に形成されて該開口にて該陽極に接し、前記陰極は前記保護膜上に形成されて前記有機発光層を覆うことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記電流供給線は前記データ線に平行な方向に延びていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  4. 前記第１のアクティブ素子および前記第２のアクティブ素子は薄膜トランジスタであり、前記データ信号保持素子はコンデンサであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  5. 前記基板上には、前記複数の走査線に前記走査信号を供給する走査駆動回路、前記複数のデータ線にデータ信号を供給するデータ駆動回路、及び前記電流供給線に電流を供給する電流供給回路が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  6. 前記第１のアクティブ素子の前記チャネル層、前記第２のアクティブ素子の前記チャネル層、及び前記データ保持素子の前記下層電極の各々は、ポリシリコン層であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  7. 前記第２のアクティブ素子の前記チャネル層は、該第２のアクティブ素子の前記ゲート層に対して折り曲げて配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  8. 前記第１のアクティブ素子の前記ゲート層は、デュアルゲート構成であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
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