JP3600773B2 - Wafer edge polishing equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、結晶方位表示部を有するウェハの外周端面を研磨するウェハエッジ研磨装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、酸化物ウェハや水晶ウェハは、携帯電話等の各種電子機器の部品素子として需要が高まりつつあり、その加工精度にも高度なものが要求されている。また、用途によってウェハをより薄く(例えば120〜380μm)加工することが要求されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ウェハを薄くすると、加工工程、例えば研磨工程や洗浄工程で割れや欠けが発生し、歩留まりを悪化させる要因となっていた。
【0004】
一方、このような割れや欠けの発生は、ウェハの外周端面の面粗度を上げることである程度防止できることがわかっており、このため、ウェハの外周端面にダイヤ研削を施すことも行われているが、このダイヤ研削では、かえって外周端面のエッジにマイクロクラックが発生し、割れや欠けの発生防止に対してそれ程有効な手段となっていないのが現状である。
【0005】
この発明は上記に鑑み提案されたもので、ウェハの外周端面の面粗度をマイクロクラックの発生を伴わずに上げることができ、その面粗度向上によりウェハの割れや欠けの発生を防止して歩留まりを向上させることができるウェハエッジ研磨装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、結晶方位表示部を有するウェハの外周端面を研磨するウェハエッジ研磨装置において、上記ウェハを結晶方位表示部を一致させた状態で積層して水平にセッティングしかつその積層したウェハを軸回りに回転可能とするワークセッティング部と、上記ワークセッティング部に積層したウェハの積層方向とは軸が平行で、かつ上記積層ウェハの外周面に2方向から臨むように水平に配置した円柱状もしくは円筒状の2つの研磨ブラシと、上記研磨ブラシを軸回りに回転させるブラシ回転駆動部と、上記研磨ブラシを軸方向に往復動させるブラシ往復駆動部と、上記研磨ブラシを積層ウェハの外周形状に追随させつつ積層ウェハの外周面に押し当てるブラシ追随駆動部と、を有し、上記ブラシ回転駆動部、ブラシ往復駆動部およびブラシ追随駆動部は、2つの研磨ブラシの各々に対応して設けられるとともに、積層ウェハの軸に対して直角方向に移動可能な各移動テーブル上に構成され、上記ブラシ追随駆動部は、ウェハと相似形で積層ウェハの軸と同心状に設けられた倣いカムと、その倣いカムの外周に2方向から当接し倣いカムの変位を各移動テーブルに伝達する2つの腕部とを有し、2つの研磨ブラシの各々は、移動テーブルの移動によって積層ウェハの軸側に押されるとともに、積層ウェハの回転が、倣いカムおよび腕部を介して移動テーブルに伝達されて移動テーブルが積層ウェハの軸に対して直角方向に変位することにより、積層ウェハの外周形状に追随して移動し、上記積層ウェハを回転させるとともに、上記研磨ブラシを往復動させつつ回転させ、積層ウェハの外周形状に追随させて研磨ブラシで積層ウェハの外周面を2方向から研磨するようにした、ことを特徴としている。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下にこの発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【0008】
図1はこの発明のウェハエッジ研磨装置の全体構成を概略的に示す斜視図、図2はこの発明のウェハエッジ研磨装置の平面図、図3は図2のI−I線縦断面図、図4は図2のII−II線縦断面図、図5はこの発明のウェハエッジ研磨装置の正面図、図6はウェハおよび積層ウェハの説明図である。
【0009】
これらの図において、この発明のウェハエッジ研磨装置1は、ウェハ2の外周端面2aを研磨する装置であり、ワークセッティング部3と、2つの研磨ブラシ4,4と、ブラシ回転駆動部5、5と、ブラシ往復駆動部6,6と、ブラシ追随駆動部7,7とを備えている。なお、ウェハエッジ研磨装置1は、平面視および正面視(背面視)でほぼ軸対称に構成されており、したがって、ここでは一側の構成について説明し、他側の構成については同じ構成要素に同一の符号を付すこととしてその説明を省略する。
【0010】
このウェハエッジ研磨装置1は、基台10や機枠11に構築され、基台10にはレール8a,8b上を移動するX方向移動テーブル8が設けられ、またこのX方向移動テーブル8にはレール9a,9b上を移動するY方向移動テーブル9が設けられている。そして、上記のブラシ回転駆動部5およびブラシ追随駆動部7は、X方向移動テーブル8およびY方向移動テーブル9上に構成されている。
【0011】
ワークとしてのウェハ2には、図6に示すように、その外周端面2aを部分的に切り欠いて結晶方位を表示する結晶方位表示部(以下「オリフラ(オリエンテーショナル フラット)」という)2bが形成されており、積層はこのオリフラ2bを一致させて行い、積層されたウェハ2は、積層ウェハ20としてワークセッティング部3にセットされる。このウェハ2は、例えば酸化物ウェハや水晶ウェハである。
【0012】
ワークセッティング部3は、ウェハ2をオリフラ2bを一致させた状態で積層してセッティングしかつその積層したウェハ20を軸回りに回転可能とするものであり、図3に示すように、基台10、機枠11等を介して設けられ、基台10上の後壁12に取り付けたモータ30の回転駆動がベルトを介して回転軸31に伝達されるようになっている。この回転軸31の前端にはワーク把持部32が設けられている。ワーク把持部32に上記した積層ウェハ20をセッティングする場合は、先ずワーク把持部32先端のネジ32aを緩めて挟着用アーム33,33の間隔を拡げておき、次にそのスペースに積層ウェハ20を移載用治具(図示省略)を用いて搬入し、その後ネジ32aを締め付けて挟着用アーム33,33の間隔を狭め、それによって積層ウェハ20を挟着用アーム33,33で直接挟み込み固定する。このようにして、積層ウェハ20がワーク把持部32にセッティングされ、この積層ウェハ20は、モータ30の回転駆動を受け、ベアリング機構によって回転軸31と一体に回転する。
【0013】
上記の研磨ブラシ4は、例えば円柱状もしくは円筒状のSUS製のドラムの外周面にブラシ材を放射状にして複数本を平行に配設した構成を有し、このブラシ材は無数本のブラシ毛を密に集合させて成るものである。したがって、この研磨ブラシ4を使用すると、ブラシ材が複数の向きからワークの表面に常時接触するので、ワークの表面にブラシ毛による微細な縦目が発生することがなく、むらがなく精密な仕上げ研磨が可能となる。
【0014】
ブラシ回転駆動部5は、研磨ブラシ4を軸回りに回転させるものであり、駆動軸51を水平に支持する軸支持部52をY方向移動テーブル9上に備え、この軸支持部52の一側壁53に取り付けたモータ54の回転駆動がベルト55を介して駆動軸51に伝達されるようになっている。研磨ブラシ4は、駆動軸51の先端寄りにカバー56で覆われた状態で水平に装着される。そして、カバー56はその一部が除去されて、研磨ブラシ4がワークセッティング部3にセットした積層ウェハ20に臨み直接接触できるようになっている。
【0015】
ブラシ往復駆動部6は、研磨ブラシ4を軸方向に往復動させるものであり、Y方向移動テーブル9の後端寄りに別設して配置したモータ61を備え、このモータ61の偏心軸61aには連接アーム62の後端部分が回転自在に連結され、また連接アーム62の前端部分はY方向移動テーブル9に回転自在に連結されている。したがって、モータ61の回転駆動は、連接アーム62で直進運動に変換され、その直進運動によって、Y方向移動テーブル9はY軸に沿って往復運動し、それに応じて研磨ブラシ4も軸支持部52を介してY軸に沿って往復運動する。
【0016】
ブラシ追随駆動部7は、研磨ブラシ4を積層ウェハ20の外周形状に追随させつつ積層ウェハ20の外周面に押し当てるものであり、X方向移動テーブル8の下方にエアシリンダ71を備えている。このエアシリンダ71は、図5に示すように、そのピストン71aが連結片71bを介してX方向移動テーブル8に接続されており、X方向移動テーブル8は、そのピストン動作に応じてX軸に沿った往復移動を行う。また、ワークセッティング部3の回転軸31には、その後端に、ウェハ2と相似形の倣いカム34が同心状に設けられ、この倣いカム34には、一端がX方向移動テーブル8に揺動自在に接続されている腕部72の他端側が当接している。この構成の下で、エアシリンダ71のピストン71aが伸長し、X方向移動テーブル8が回転軸31の方向に移動すると、その移動と一体にY方向移動テーブル9および軸支持部52が移動し、駆動軸51と共に研磨ブラシ4が回転軸31の方向に移動して積層ウェハ20に接触するようになる。一方、回転軸31が回転すると、倣いカム機構によって腕部72が倣いカム34の外周形状に応じて変位し、その変位をX方向移動テーブル8に伝達する。したがって、研磨ブラシ4は、ピストン伸長時には常時エアシリンダ71の押進力によって弾力的に回転軸31側に押されるとともに、腕部72の変位の影響を受け、その結果、積層ウェハ20の外周形状(倣いカム34の外周形状)に倣いつつ、X軸に沿って変位する。すなわち、研磨ブラシ4は、ウェハ2のオリフラ2bの部分とそれ以外の部分とに対して略同一の押圧力で接触しつつ、研磨を行う。
【0017】
上記した構成のウェハエッジ研磨装置1において、ワークセッティング部3にセットした積層ウェハ20の外周面研磨は、エアシリンダ71のピストン71aを押進させて研磨ブラシ4を積層ウェハ20に接近させ接触させるとともに、モータ30,54および61をそれぞれ駆動させて行う。このとき、積層ウェハ20は回転し、研磨ブラシ4は往復動しつつまた積層ウェハ20の外周形状に追随しつつ回転する。したがって、研磨ブラシ4は積層ウェハ20との間で常時最適な接触状態を保持し、研磨が進行する。なお、この研磨加工時には、ここでは図示されていない液供給機構によって研磨液と洗浄水とが適宜切り換えられて加工領域に供給される。
【0018】
以上述べたように、この発明の実施形態では、研磨ブラシ4を往復動させるとともに、積層ウェハ20の外周形状に追随させつつ回転させ、その状態で研磨を行うようにしたので、各ウェハ2の外周端面2aの面粗度を向上させて鏡面仕上げとすることができ、また従来のダイヤ研削時に発生していたウェハエッジでのマイクロクラックも発生させないで研磨することができる。したがって、ウェハ2の強度を著しく改善することができ、従来研磨工程や洗浄工程等での取り扱いで発生していた割れや欠けの発生を大幅に低減することができ、歩留まりも改善することができる。
【0019】
また、研磨ブラシ4が積層ウェハ20に2方向から臨むようにしたので、所定の面粗度まで研磨するのに要する時間を半減することができ、加工時間を短縮させることができる。
【0020】
また、積層ウェハ20と研磨ブラシ4とを水平状態にセットして研磨を行うようにしたので、研磨液や洗浄液が供給されても速やかに落下して回収される。したがって、研磨液や洗浄液の供給を速やかにかつ均等に行うことができ、研磨粉等の残存による加工精度の悪化を防止することができる。
【0021】
なお、上記の説明では、研磨ブラシ4をSUS製のドラムの外周面にブラシ材を放射状にして複数本を平行に配設した構成のものとしたが、その他の各種のブラシを使用するようにしてもよい。
【0022】
また、ウェハ2は酸化物ウェハや水晶ウェハであるとしたが、その他種々の材質からなるウェハであっても同様に適用することができる。
【0023】
【発明の効果】
この発明は上記した構成からなるので、以下に説明するような効果を奏することができる。
【0024】
この発明では、研磨ブラシを往復動させるとともに、積層ウェハの外周形状に追随させつつ回転させ、その状態で研磨を行うようにしたので、各ウェハの外周端面の面粗度を向上させて鏡面仕上げとすることができ、また従来のダイヤ研削時に発生していたウェハエッジでのマイクロクラックも発生させないで研磨することができる。したがって、ウェハの強度を著しく改善することができ、従来研磨工程や洗浄工程等での取り扱いで発生していた割れや欠けの発生を大幅に低減することができ、歩留まりも改善することができる。
【0025】
また、この発明では、研磨ブラシが積層ウェハに2方向から臨むようにしたので、所定の面粗度まで研磨するのに要する時間を半減することができ、加工時間を短縮させることができる。
【0026】
さらに、この発明では、積層ウェハと研磨ブラシとを水平状態にセットして研磨を行うようにしたので、研磨液や洗浄液が供給されても速やかに落下して回収されるようになり、したがって、研磨液や洗浄液の供給を速やかにかつ均等に行うことができ、研磨粉等の残存による加工精度の悪化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明のウェハエッジ研磨装置の全体構成を概略的に示す斜視図である。
【図2】この発明のウェハエッジ研磨装置の平面図である。
【図3】図2のI−I線縦断面図である。
【図4】図2のII−II線縦断面図である。
【図5】この発明のウェハエッジ研磨装置の正面図である。
【図6】ウェハおよび積層ウェハの説明図で、(a)ウェハの平面図、(b)は積層ウェハの斜視図である。
【符号の説明】
1 ウェハエッジ研磨装置
2 ウェハ
2a 外周端面
2b オリフラ
20 積層ウェハ
3 ワークセッティング部
30 モータ
31 回転軸
32 ワーク把持部
32a ネジ
33 挟着用アーム
34 倣いカム
4 研磨ブラシ
5 ブラシ回転駆動部
51 駆動軸
52 軸支持部
53 一側壁
54 モータ
55 ベルト
56 カバー
6 ブラシ往復駆動部
61 モータ
61a 偏心軸
62 連接アーム
7 ブラシ追随駆動部
71 エアシリンダ
71a ピストン
71b 連結片
72 腕部
8 方向移動テーブル
8a レール
8b レール
9 方向移動テーブル
9a レール
9b レール
10 基台
11 機枠
12 後壁[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a wafer edge polishing apparatus for polishing an outer peripheral end face of a wafer having a crystal orientation display section.
[0002]
[Prior art]
In recent years, the demand for oxide wafers and crystal wafers has been increasing as component elements for various electronic devices such as mobile phones, and high processing accuracy is also required. Further, it is required to process the wafer thinner (for example, 120 to 380 μm) depending on the application.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the wafer is thinned, cracks or chips are generated in a processing step, for example, a polishing step or a cleaning step, which is a factor that deteriorates the yield.
[0004]
On the other hand, it is known that the occurrence of such cracks and chips can be prevented to some extent by increasing the surface roughness of the outer peripheral end surface of the wafer, and therefore, the outer peripheral end surface of the wafer is also subjected to diamond grinding. However, in this diamond grinding, micro cracks are generated on the edge of the outer peripheral end face, and it is not a very effective means for preventing the occurrence of cracks and chips.
[0005]
The present invention has been proposed in view of the above, and it is possible to increase the surface roughness of the outer peripheral end surface of a wafer without occurrence of microcracks, and to prevent the occurrence of cracks and chipping of the wafer by improving the surface roughness. It is an object of the present invention to provide a wafer edge polishing apparatus capable of improving the yield by using the method.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, an invention according to
[0007]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0008]
FIG. 1 is a perspective view schematically showing the entire configuration of a wafer edge polishing apparatus of the present invention, FIG. 2 is a plan view of the wafer edge polishing apparatus of the present invention, FIG. 3 is a vertical sectional view taken along line II of FIG. 2, and FIG. 2 is a vertical sectional view taken along the line II-II of FIG. 2, FIG. 5 is a front view of the wafer edge polishing apparatus of the present invention, and FIG. 6 is an explanatory view of a wafer and a laminated wafer.
[0009]
In these figures, a wafer
[0010]
The wafer
[0011]
As shown in FIG. 6, a crystal orientation display portion (hereinafter, referred to as “orientation flat”) 2b is formed on the
[0012]
The work setting section 3 is for laminating and setting the
[0013]
The
[0014]
The brush
[0015]
The brush reciprocating
[0016]
The brush following
[0017]
In the wafer
[0018]
As described above, in the embodiment of the present invention, the polishing
[0019]
In addition, since the polishing
[0020]
In addition, since the polishing is performed by setting the
[0021]
In the above description, the polishing
[0022]
Although the
[0023]
【The invention's effect】
Since the present invention has the above-described configuration, the following effects can be obtained.
[0024]
In this invention, a polishing brush with reciprocating rotates while following the outer peripheral shape of the wafer stack. Thus is polished in this state, to improve the surface roughness of the outer peripheral edge surface of each wafer mirror Finishing can be performed, and polishing can be performed without generating microcracks at the wafer edge which occur during conventional diamond grinding. Therefore, the strength of the wafer can be remarkably improved, and the occurrence of cracks and chips, which have conventionally occurred in handling in a polishing step, a cleaning step, and the like, can be significantly reduced, and the yield can be improved.
[0025]
Further, in the invention of this, since the polishing brush is so as to face the two directions laminated wafers, it is possible to halve the time required to polish to a predetermined surface roughness, it is possible to shorten the processing time.
[0026]
Furthermore, in the invention of this, since to perform the polishing by setting the a laminated wafer and the polishing brush in a horizontal state, is as a polishing liquid or the cleaning liquid is collected and falls quickly be supplied, thus In addition, the polishing liquid and the cleaning liquid can be supplied promptly and uniformly, and the deterioration of the processing accuracy due to the remaining polishing powder and the like can be prevented.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an overall configuration of a wafer edge polishing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a plan view of the wafer edge polishing apparatus of the present invention.
FIG. 3 is a vertical sectional view taken along line II of FIG. 2;
FIG. 4 is a vertical sectional view taken along line II-II of FIG.
FIG. 5 is a front view of the wafer edge polishing apparatus of the present invention.
6A and 6B are explanatory views of a wafer and a laminated wafer, wherein FIG. 6A is a plan view of the wafer, and FIG. 6B is a perspective view of the laminated wafer.
[Explanation of symbols]
Claims (1)
上記ウェハを結晶方位表示部を一致させた状態で積層して水平にセッティングしかつその積層したウェハを軸回りに回転可能とするワークセッティング部と、
上記ワークセッティング部に積層したウェハの積層方向とは軸が平行で、かつ上記積層ウェハの外周面に2方向から臨むように水平に配置した円柱状もしくは円筒状の2つの研磨ブラシと、
上記研磨ブラシを軸回りに回転させるブラシ回転駆動部と、
上記研磨ブラシを軸方向に往復動させるブラシ往復駆動部と、
上記研磨ブラシを積層ウェハの外周形状に追随させつつ積層ウェハの外周面に押し当てるブラシ追随駆動部と、
を有し、
上記ブラシ回転駆動部、ブラシ往復駆動部およびブラシ追随駆動部は、2つの研磨ブラシの各々に対応して設けられるとともに、積層ウェハの軸に対して直角方向に移動可能な各移動テーブル上に構成され、
上記ブラシ追随駆動部は、ウェハと相似形で積層ウェハの軸と同心状に設けられた倣いカムと、その倣いカムの外周に2方向から当接し倣いカムの変位を各移動テーブルに伝達する2つの腕部とを有し、
2つの研磨ブラシの各々は、移動テーブルの移動によって積層ウェハの軸側に押されるとともに、積層ウェハの回転が、倣いカムおよび腕部を介して移動テーブルに伝達されて移動テーブルが積層ウェハの軸に対して直角方向に変位することにより、積層ウェハの外周形状に追随して移動し、
上記積層ウェハを回転させるとともに、上記研磨ブラシを往復動させつつ回転させ、積層ウェハの外周形状に追随させて研磨ブラシで積層ウェハの外周面を2方向から研磨するようにした、
ことを特徴とするウェハエッジ研磨装置。In a wafer edge polishing apparatus for polishing an outer peripheral end surface of a wafer having a crystal orientation display unit,
A work setting unit that stacks the wafers in a state where the crystal orientation display units are aligned , sets the wafers horizontally, and rotates the stacked wafers around an axis;
The above and the stacking direction of the wafer laminated to the workpiece setting section axis parallel and a cylindrical or cylindrical two polishing brush was placed horizontally so as to face in two directions on an outer peripheral surface of the stacked wafers,
A brush rotation drive unit for rotating the polishing brush around an axis,
A brush reciprocating drive for reciprocating the polishing brush in the axial direction,
A brush following drive unit that presses the polishing brush against the outer peripheral surface of the laminated wafer while following the outer peripheral shape of the laminated wafer,
Has,
The brush rotation drive unit, the brush reciprocation drive unit, and the brush follow-up drive unit are provided corresponding to each of the two polishing brushes, and are configured on respective moving tables movable in a direction perpendicular to the axis of the laminated wafer. And
The brush following drive unit includes a copying cam provided in a shape similar to the wafer and concentric with the axis of the laminated wafer, and abutting the outer periphery of the copying cam in two directions to transmit the displacement of the copying cam to each moving table. With two arms,
Each of the two polishing brushes is pushed to the axis side of the laminated wafer by the movement of the moving table, and the rotation of the laminated wafer is transmitted to the moving table via the copying cam and the arm, and the moving table is moved to the axis of the laminated wafer. Is displaced in a direction perpendicular to, so as to follow the outer peripheral shape of the laminated wafer,
While rotating the laminated wafer, the polishing brush was rotated while being reciprocated , and the outer peripheral surface of the laminated wafer was polished from two directions by the polishing brush so as to follow the outer peripheral shape of the laminated wafer .
A wafer edge polishing apparatus, characterized in that:
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-
2000
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