JP3686662B1 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3686662B1 JP3686662B1 JP2004142334A JP2004142334A JP3686662B1 JP 3686662 B1 JP3686662 B1 JP 3686662B1 JP 2004142334 A JP2004142334 A JP 2004142334A JP 2004142334 A JP2004142334 A JP 2004142334A JP 3686662 B1 JP3686662 B1 JP 3686662B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating
- conductive member
- lead
- plasma processing
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 104
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 34
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 11
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 17
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 11
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 9
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
【解決手段】 電極構造30よりワークを向くべき側に絶縁手段45を介して導電部材51を設け、該部材51を電気的に接地する。絶縁手段45は、電極間のプラズマ化空間30aに連なる導出路40aを形成する第1絶縁部41と、この第1絶縁部41より導出路40a側とは逆側に別途配された第2絶縁部42とに分かれている。第1絶縁部41は、第2絶縁部42よる耐プラズマ性の高い絶縁材料にて構成されている。
【選択図】 図3
Description
リモート式のプラズマ処理装置として、例えば特許文献1に記載のものは、垂直な平板状をなす左右一対の電極を備えている。一方の電極は、高周波電源に接続され、他方の電極は、接地されている。電極の下側には、セラミック製の下部ホルダが設けられている。このホルダの下面がワークと対面することになる。上記電源による電界印加によって電極間の空間がプラズマ化空間となる。この空間の上端部から処理ガスが導入されてプラズマ化される。このプラズマ化された処理ガスが、下方へ吹出され、ワークに当てられる。これによって、ワークのプラズマ表面処理を行なうことができる。
また、導電部材によって、ワークへのアーク放電を防止しつつ電極をワークに近づけることができる。したがって、処理不良やワークの損傷を確実に防止できるとともに、プラズマ化された処理ガスが失活しないうちにワークに確実に当てることができ、プラズマ表面処理の効率を向上させることができる。特に、略常圧下で処理する場合に、そのメリットが大きい。また、電界がワークへ洩れるのを防止でき、ワークが電界によって影響を受けないようにすることができる。導電部材と絶縁手段(少なくとも第1絶縁部)とを互いに接するようにすれば、絶縁手段に電荷が蓄積されるのを防止することができる。
なお、本発明における略常圧(大気圧近傍の圧力)とは、1.013×104〜50.663×104Paの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、1.333×104〜10.664×104Paが好ましく、9.331×104〜10.397×104Paがより好ましい。
耐プラズマ性の高い絶縁材料としては、例えば石英ガラス、アルミナ、窒化アルミニウム等が挙げられる。
前記導電部材の吹出し口とは逆側の外側面(背面)は、前記電極におけるプラズマ化空間とは逆側の外側面(背面)と面一であってもよく、前記電極外側面より内側(吹出し口側)に引っ込んで位置していてもよく、前記電極外側面より外側に突出して位置していてもよい。
図1は、本発明の第1実施形態に係る常圧プラズマ処理装置M1を示したものである。常圧プラズマ処理装置M1は、処理ガス源2と、パルス電源3(電界印加手段)と、ワーク送り機構4と、門型のフレーム60と、左右一対のノズルヘッド(処理ヘッド)1とを備えている。
ノズルヘッド1は、左右一対をなし、ローラ4aの上方すなわちワークWの移動平面の上方に位置されるようにして、門型フレーム60の左右両脚62の間に支持されている。左右のノズルヘッド1は、互いに同一構成になっている。
図3に示すように、放電処理部20は、電極構造30と、この電極構造30を保持する電極ホルダ21とを有している。ホルダ21は、絶縁樹脂からなる一対の逆L字状のアングル部材(アングルホルダ)24,24と、これらアングル部材24,24の上面に跨るようにして被せられた鋼材(導電体)からなる上部プレート22と、各アングル部材24の左右外面にそれぞれ添えられた鋼材(導電体)からなる左右のサイドプレート23と、ノズルヘッド1の底部を構成するロア部50(下部プレート、ノズルエンド構成部材、図2において省略)とを備えている。各サイドプレート23の上端部が、アッパープレート22にボルト締めにて連結され、剛結合されている。アッパープレート22と左右のサイドプレート23により門型のフレームが構成されている。
ロア部50は、本発明の要旨に係るものであるので、追って詳述する。
図3に示すように、ロア部50は、絶縁手段45と、この絶縁手段45の下面に重ねられた導電部材51を備え、図3の紙面と直交する前後方向に水平に延びている。ロア部50は、左右のサイドプレート23,23とアングル部材24,24と電極構造30の下面に跨り、自身より上側のノズルヘッド1の構成要素を支持している。したがって、ロア部50は、電極構造30のワークWを向くべき下面を覆い、電極構造30がワークWに直接対面しないように遮っている。言い換えると、電極構造30のワークWを向くべき下面がロア部50の導電部材51にて覆われるとともに、これら電極構造30と導電部材51との間に両者を絶縁する絶縁手段45が介在、装填されている。
したがって、第2絶縁板42は、第1絶縁板41の導出路40a側とは逆側に配置されている。
第1絶縁板41は、耐プラズマ性の材料にて構成されている。更に言えば、第1絶縁板41は、第2絶縁板42より耐プラズマ性の高い絶縁材料で構成されている。例えば、第1絶縁板41は、石英にて構成され、第2絶縁板42は、塩化ビニルで構成されている。一般に、石英のような耐プラズマ性の高い材料は、そうでない塩化ビニルなどと比べ高価である。
ボルト56の頭部に、接地リード線5の端子5aが係合されている。このリード線5が、接地されている。これによって、導電部材51が、ボルト56およびナット55を介して電気的に接地されている。
上記構成の常圧プラズマ処理装置M1によれば、電極31,32よりワークWの側に、接地された導電部材51が配されることになるので、電極31,32からワークWへの電界の洩出や放電を防止することができる。これによって、処理不良やワークWの損傷を招くことなく、ノズルヘッド1ひいてはプラズマ化空間30aをワークWに近づけることができる。この結果、常圧下においても、プラズマをワークWに確実に当てることができ、プラズマ処理の効率を向上させることができる。また、ワークWが電界によって影響を受けるのを防止できる。
導電部材51の吹出し口50a縁面が、電極構造30のプラズマ化空間30a形成面より引っ込み、更に第1絶縁板41の導出路40a形成面より引込んでいるので、電極31と導電部材51の吹出し口縁部の間で放電が起きるのを確実に防止することができる。
長尺ノズルヘッド1の長手方向の両端部においては、導電部材51が、スペーサ34と電極31,32との境を避ける構成にすることにより、スペーサ34と電極31,32との境で沿面放電が起きたとき、これが導電部材51に伝わるのを防止することができる。
上記のように、図3の装置M1では、導電部材51の吹出し口縁面が電極構造30のプラズマ化空間形成面より引っ込み、これにより電極31から導電部材51への放電を防止できるようにしていたが、場合によってはこれら面の位置関係を逆にしてもよい。
すなわち、図5に示すように、導電部材51の吹出し口50a縁面が、絶縁部材41の導出路40a形成面より突出し、かつ、電極31,32のプラズマ化空間30a形成面より突出していてもよい。そうすることにより、吹出し口50aがプラズマ化空間30aより幅狭になる。これによって、処理ガスを吹出し口50aで絞って勢いを付け、ワークWに確実に当てることができる。この結果、処理効率を一層向上させることができる。また、プラズマ化空間30aで加熱された処理ガスを高温のままワークWに吹付けることができる。
さらには、図7に示すように、導電部材51の外端面が、電極31,32の外側面より内側の吹出し口50a寄りに位置していてもよい。
なお、図5〜図9において、電極31,32の固体誘電体層33の図示は省略してある。
第1面取り部41aは、第2面取り部41bより大きい。これによって、第1絶縁板41の上面と導出路形成面とのなす角の欠損ひいてはパーティクルの発生をより確実に防止できる。
なお、導電部材51の吹出し口50a縁面が、第1絶縁部の第2面取り部41bと下面との境より左右外側に引込んでいてもよい。
図13は、本発明の第2実施形態に係る常圧プラズマ処理装置M2を示したものである。第2実施形態の装置M2は、プラズマ表面処理として例えばプラズマエッチングを行なうプラズマエッチング装置である。装置M2の処理ガス源2Xには、プラズマエッチング用の処理ガスとして例えばCF4などが蓄えられている。
筒状ノズルヘッド70は、軸線を上下に向けたボディ71と、このボディ71内に装填された絶縁ホルダ80と、電極構造30Xを備えている。ボディ71は、導電金属製の3つのボディ構成部材72,73,74を上下に連ねた三段筒形状をなしている。絶縁ホルダ80は、絶縁樹脂製の3つのホルダ構成部材81,82,83を上下に連ねた筒形状をなしている。
例えば、絶縁材は、少なくとも電界印加電極と導電部材との間に設けられていればよく、接地電極と導電部材との間には設けられていなくてもよい。
本発明は、常圧下だけでなく、減圧下でのプラズマ処理にも適用でき、グロー放電だけでなく、コロナ放電や沿面放電によるプラズマ処理にも適用でき、洗浄やエッチングだけでなく、成膜、表面改質、アッシング等の種々のプラズマ処理に遍く適用できる。
W,W’ ワーク
1 長尺ノズルヘッド
5 接地リード線
3 パルス電源(電界印加手段)
30,30X 電極構造
30a,30b プラズマ化空間
31,31X 電界印加電極
32,32X 接地電極
34 スペーサ
40a 導出路
41 第1絶縁板(第1絶縁部)
42 第2絶縁板(第2絶縁部)
42S 間隙(気体層からなる第2絶縁部)
45 絶縁手段
50a 吹出し口
51 導電部材
51a 避け部
70 筒状ノズルヘッド
90s 間隙(第2絶縁部及び吸込み路)
91 アウターノズルピース(導電部材)
91b 孔部
92 インナーノズルピース(第1絶縁部)
92a 導出路
Claims (17)
- 処理ガスをプラズマ化し被処理物へ向けて吹出すことによりプラズマ処理を行なう装置であって、
前記プラズマ化のための空間を形成する一対の電極からなる電極構造と、
電気的に接地された状態で、前記電極構造の被処理物を向くべき側を遮るように配置された導電部材と、
前記電極構造と導電部材との間に介在され、両者を絶縁する絶縁手段と、を備え、
前記絶縁手段が、前記プラズマ化空間の下流に連なる処理ガスの導出路を形成する面を有する第1絶縁部と、この第1絶縁部の導出路側とは逆側に別途配された第2絶縁部とに分割され互いに分離可能になっていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 前記第1絶縁部が、前記第2絶縁部より耐プラズマ性の高い絶縁材料で構成されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1絶縁部が、耐プラズマ性の絶縁材料で構成されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2絶縁部が、気体層で構成されていることを特徴とする請求項1または3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極構造が、電界印加手段に接続された電界印加電極と、電気的に接地された接地電極とからなり、前記絶縁手段及び導電部材が、これら電極のうち少なくとも電界印加電極に対応して設けられていることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1絶縁部の導出路形成面が、前記電極構造のプラズマ化空間形成面より引込んでいることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電部材が、前記導出路の下流に連なる吹出し口を形成する縁面を有し、この吹出し口縁面が、前記電極構造のプラズマ化空間形成面または前記第1絶縁部の導出路形成面より引込んでいることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電部材が、前記導出路の下流に連なる吹出し口を形成する縁面を有し、この吹出し口縁面が、前記電極構造のプラズマ化空間形成面又は前記第1絶縁部の導出路形成面より突き出ていることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1絶縁部の電極構造を向く面と導出路形成面とのなす角と、導出路形成面と導電部材を向く面とのなす角のうち、少なくとも前者が、面取りされていることを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1絶縁部の電極構造を向く面と導出路形成面とのなす角と、導出路形成面と導電部材を向く面となす角が、それぞれ面取りされ、しかも、前者が、後者より大きく面取りされていることを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1絶縁部の導出路形成面と導電部材を向く面とのなす角が、面取りされており、
前記導電部材が、前記導出路の下流に連なる吹出し口を形成する縁面を有し、この吹出し口縁面が、前記第1絶縁部の導電部材を向く面と前記面取り部との境と略同位置又はそれより引込んでいることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載のプラズマ処理装置。 - 前記導電部材が、第1絶縁部を向く面と、導出路の下流に連なる吹出し口を形成する縁面と、ワークを向くべき面とを有し、前記第1絶縁部を向く面と吹出し口縁面とのなす角と、吹出し口縁面とワークを向くべき面とのなす角のうち、少なくとも前者が、面取りされていることを特徴とする請求項1〜11の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電部材が、第1絶縁部を向く面と、導出路の下流に連なる吹出し口を形成する縁面と、ワークを向くべき面とを有し、前記吹出し口縁面が、第1絶縁部を向く面と被処理物を向くべき面にそれぞれ向かって丸みを付けられていることを特徴とする請求項1〜11の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極構造の一対の電極が、互いの対向方向と直交して延びる長尺状をなし、前記絶縁手段と導電部材が、前記電極と同方向に延び、ひいては前記導出路とその下流端に連なるようにして前記導電部材に形成された吹出し口とが、前記電極と同方向に延び、前記吹出し口が、前記対向方向及び延び方向と略直交する向きに開口されていることを特徴とする請求項1〜13の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記一対の電極の長手方向の互いに同じ側の端部どうしの間には、絶縁材料からなるスペーサが挟まれており、前記導電部材が、前記スペーサと電極との境を避けるようにして形成されていることを特徴とする請求項14に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電部材には孔部が開口され、この孔部の内側に前記第1絶縁部の導出路が配されており、前記導電部材と第1絶縁部によって前記孔部を吸込み口とする吸込み路が画成され、この吸込み路が、前記第2絶縁部としての気体層として提供されていることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極構造の一方の電極を他方の電極が同軸環状をなして囲み、これにより、前記プラズマ化空間が、環状をなしていることを特徴とする請求項1〜5、16の何れかに記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004142334A JP3686662B1 (ja) | 2003-05-14 | 2004-05-12 | プラズマ処理装置 |
CN2008100949849A CN101296549B (zh) | 2003-05-14 | 2004-05-13 | 等离子处理设备 |
KR1020057021432A KR101098083B1 (ko) | 2003-05-14 | 2004-05-13 | 플라스마 처리 장치 및 그 제조 방법 |
PCT/JP2004/006434 WO2004103035A1 (ja) | 2003-05-14 | 2004-05-13 | プラズマ処理装置およびその製造方法 |
CA002524484A CA2524484A1 (en) | 2003-05-14 | 2004-05-13 | Plasma processing apparatus and method for producing same |
EP04732743A EP1631128A4 (en) | 2003-05-14 | 2004-05-13 | PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING THE APPARATUS |
TW093113760A TWI244112B (en) | 2003-05-14 | 2004-05-14 | Plasma processing apparatus and method for manufacturing the same |
US12/252,035 US20090044909A1 (en) | 2003-05-14 | 2008-10-15 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003136295 | 2003-05-14 | ||
JP2004077216 | 2004-03-17 | ||
JP2004142334A JP3686662B1 (ja) | 2003-05-14 | 2004-05-12 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3686662B1 true JP3686662B1 (ja) | 2005-08-24 |
JP2005302680A JP2005302680A (ja) | 2005-10-27 |
Family
ID=35004091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004142334A Expired - Lifetime JP3686662B1 (ja) | 2003-05-14 | 2004-05-12 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3686662B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4467556B2 (ja) * | 2005-12-09 | 2010-05-26 | シャープ株式会社 | プラズマプロセス装置 |
KR100875233B1 (ko) * | 2007-02-06 | 2008-12-19 | (주)에스이 플라즈마 | 돌출된 플라즈마 배출구 주위에 흡입구가 형성된 플라즈마발생장치 |
JP4861387B2 (ja) * | 2008-09-19 | 2012-01-25 | 積水化学工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN102647844B (zh) * | 2012-04-28 | 2015-02-25 | 河北大学 | 低电压下产生大间隙大气压均匀放电的装置及方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3899543B2 (ja) * | 1996-02-05 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 表面処理方法及び装置 |
JPH11106531A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
JP2002158219A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-05-31 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法 |
JP5021877B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2012-09-12 | 積水化学工業株式会社 | 放電プラズマ処理装置 |
JP3823037B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2006-09-20 | 積水化学工業株式会社 | 放電プラズマ処理装置 |
JP4092937B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2008-05-28 | 松下電工株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
2004
- 2004-05-12 JP JP2004142334A patent/JP3686662B1/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005302680A (ja) | 2005-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20090044909A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP4077704B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
CN101540277B (zh) | 等离子体处理装置 | |
KR101244596B1 (ko) | 기판에서 에지 폴리머를 제거하기 위한 장치 및 그 제거를위한 방법 | |
CN101296549B (zh) | 等离子处理设备 | |
US20110126712A1 (en) | Separating contaminants from gas ions in corona discharge ionizing bars | |
JPWO2008123142A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2005302681A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3686662B1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20050023254A1 (en) | Plasma processing apparatus, electrode unit, feeder member and radio frequency feeder rod | |
JP2003007497A (ja) | 大気圧プラズマ処理装置 | |
WO2019218765A1 (zh) | 腔室组件及反应腔室 | |
JP3853803B2 (ja) | プラズマ処理装置およびその製造方法 | |
JP2934852B1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4861387B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4418227B2 (ja) | 大気圧プラズマ源 | |
JP3957397B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4401928B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4331117B2 (ja) | プラズマ処理装置の電極構造 | |
JP4714557B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2005243600A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2008071611A (ja) | プラズマ表面処理装置の電極構造 | |
JP4429681B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20230377846A1 (en) | Wide area atmospheric pressure plasma device | |
JPH07273038A (ja) | 高周波プラズマcvd装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050603 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3686662 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090610 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100610 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100610 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110610 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110610 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120610 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120610 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130610 Year of fee payment: 8 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |