[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP3536640B2 - 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 - Google Patents

接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置

Info

Publication number
JP3536640B2
JP3536640B2 JP01684098A JP1684098A JP3536640B2 JP 3536640 B2 JP3536640 B2 JP 3536640B2 JP 01684098 A JP01684098 A JP 01684098A JP 1684098 A JP1684098 A JP 1684098A JP 3536640 B2 JP3536640 B2 JP 3536640B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive film
epoxy resin
substrate
resin
dianhydride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP01684098A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11209728A (ja
Inventor
崇 増子
雄二 長谷川
信司 武田
真紀 野村
Original Assignee
日立化成工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日立化成工業株式会社 filed Critical 日立化成工業株式会社
Priority to JP01684098A priority Critical patent/JP3536640B2/ja
Publication of JPH11209728A publication Critical patent/JPH11209728A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3536640B2 publication Critical patent/JP3536640B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着フィルム、そ
の製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置に
関し、更に詳しくは、半導体素子等の電子部品とリード
フレームや絶縁性支持基板等の支持部材との接着材料、
すなわちダイボンド用に好適な接着フィルム及びその製
造法、並びにその接着フィルムを用いてつくられる接着
フィルム付き支持部材及び半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子等の電子部品とリードフレー
ムや絶縁性支持基板等の支持部材との接着材料として
は、従来、Au−Si共晶合金、半田、銀ペースト、接着フ
ィルム等が知られている。これらのなかで、Au−Si共晶
合金及び半田は弾性率が大きく、半導体素子の高集積化
に対応した大型チップへの適用が困難なため、近年は、
弾性率が小さい銀ペーストや接着フィルムが主に使用さ
れている。銀ペーストは耐熱信頼性の点から熱硬化性樹
脂を主成分としたものが主流であり、接着フィルムはフ
ィルム形成性の点から熱可塑性樹脂を用いたものが主流
であるが、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを用いた接着
フィルムも提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】熱硬化性樹脂を主成分
とした銀ペーストは、半導体パッケージの組み立て加熱
時に、銀ペーストから発生するアウトガス（フューム）
が半導体素子を汚染し、ワイヤボンド工程におけるワイ
ヤボンダビリティ（ワイヤボンド特性）が低下する問題
がある。また、フュームが加熱装置に付着するという問
題もある。
【０００４】熱可塑性樹脂を用いた接着フィルムは、加
熱時に発生するアウトガス（フューム）量が少なく、融
点の低い熱可塑性樹脂を選んで用いると接着温度を低く
することができ、リードフレームの酸化等、チップに与
えるダメージを少なくすることができる。しかし、融点
の低い熱可塑性樹脂を用いた接着フィルムは、熱時の接
着力が低いのでダイボンド後の熱処理（例えばワイヤボ
ンド工程、封止工程等）に耐えられないという問題があ
る。
【０００５】また、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを用
いた接着フィルムは、融点の低い熱可塑性樹脂を選んで
用いることによって接着温度の低温化を図り、熱硬化性
樹脂を使用することによって、熱時における高い接着力
と共に実装時における２５０℃前後の半田付け熱処理に
も耐えることができるが、熱硬化性樹脂を含有するため
加熱時にアウトガスが発生し易い問題がある。
【０００６】本発明の目的は、半導体素子等の電子部品
とリードフレームや絶縁性支持基板とを接着させる接着
フィルムであって、熱時における高い接着力と共に実装
時における２５０℃前後の半田付け熱処理にも耐え、か
つ、アウトガス（フューム）発生が少なく、それゆえ、
半導体素子や加熱装置の汚染、ワイヤボンド特性の低下
等の問題も解決する接着フィルムを提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】熱硬化性樹脂を主成分と
した銀ペーストや熱硬化性樹脂を含む接着フィルムが加
熱された時に発生するアウトガス（フューム）成分を分
析したところ、これは主として使用した熱硬化性樹脂の
未反応樹脂、溶剤又は反応性希釈剤に起因することが分
かった。そこで、種々の熱硬化性樹脂の検討及び接着フ
ィルム製造条件の最適化等を鋭意検討し、本発明を完成
するに至ったのである。
【０００８】すなわち、本発明は先ず、熱可塑性樹脂、
エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有する接着フ
ィルムであって、上記エポキシ樹脂硬化剤は分子内に芳
香環を３個以上有するナフトール系化合物である接着フ
ィルムに関する。ここで、上記接着フィルムは、基材に
接着フィルムが付着しているもの（すなわち、基材付き
接着フィルム）であってもよい。
【０００９】本発明は、また、上記の接着フィルム又は
基材フィルム付き接着フィルムの製造法も提供する。す
なわち、上記接着フィルムの製造法は、（１）熱可塑性
樹脂と、エポキシ樹脂と、分子内に芳香環を３個以上有
するナフトール系エポキシ樹脂硬化剤と、必要に応じて
フィラーとを、有機溶媒中で混合し、（２）基材上に前
記混合液の層を形成させ、（３）加熱・乾燥し、（４）
基材を除去する、ことを特徴とする。
【００１０】上記基材付き接着フィルムの製造法は、
（１）熱可塑性樹脂と、エポキシ樹脂と、分子内に芳香
環を３個以上有するナフトール系エポキシ樹脂硬化剤
と、必要に応じてフィラーとを、有機溶媒中で混合し、
（２）基材上に前記混合物の層を形成させ、（３）加熱
・乾燥する、ことを特徴とする。
【００１１】また、本発明は、支持部材上に前記接着フ
ィルムを接着させた接着フィルム付き支持部材を提供す
る。
【００１２】更に、本発明は、半導体素子を上記の接着
フィルムを用いて支持部材に接着し、半導体素子を封止
材で封止した半導体装置を提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の接着フィルムに含有する
熱可塑性樹脂は、限定されるものではなく、例えば、ポ
リイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹
脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエステル樹脂、シロ
キサンポリイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェ
ノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエ−テルスルホン
樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエステル
樹脂、ポリエ−テルケトン樹脂等があるが、好ましいも
のはポリイミド樹脂である。ポリイミド樹脂について
は、後に詳しく述べる。
【００１４】本発明の接着フィルムに含有するエポキシ
樹脂は、分子内に少なくとも２個のエポキシ基を含むも
のであれば限定されない。下記の式（１）〜（３）で表
される化合物等がある。
【００１５】
【化３】 (式中、Ｒ1は２価の有機基、Ｒ2は４価の有機基、Ｒ3は
３価の有機基を示す。)
【００１６】このようなエポキシ樹脂としては、例え
ば、ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、ビスフ
ェノールＦ型のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡ
Ｄ型のグリシジルエーテル、ビスフェノールＳ型のグリ
シジルエーテル、２，６−キシレノール型のグリシジル
エーテル、水添加ビスフェノールＡ型のグリシジルエー
テル、１，４−シクロヘキサンジメタノール型のグリシ
ジルエーテル、ジフェニルエーテル型のグリシジルエー
テル、エチレンオキサイド付加体ビスフェノールＡ型の
グリシジルエーテル、プロピレンオキサイド付加体ビス
フェノールＡ型のグリシジルエーテル、ポリエチレング
リコール型のグリシジルエーテル、ポリプロピレングリ
コール型のグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコー
ル型のグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオール
型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂の
グリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリ
シジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテ
ル、３官能のグリシジルエーテル、４官能のグリシジル
エーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリ
シジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、３
官能のグリシジルアミン、４官能のグリシジルアミン、
ナフタレン樹脂のグリシジルアミン、ポリサルファイド
変性エポキシ樹脂、ポリブタジエン変性エポキシ樹脂等
が挙げられる。これらに１官能エポキシ体が含まれてい
てよい。
【００１７】本発明の接着フィルムに含有するエポキシ
樹脂硬化剤は、分子内に芳香環を３個以上有するナフト
ール系化合物である。ただし、ナフタレン環は芳香環１
個として数える。そのようなエポキシ樹脂硬化剤として
好ましいものは、下記の一般式（４）又は（５）で表さ
れるナフトール系化合物である。
【化４】
【００１８】上記一般式（４）及び（５）中、Ｒ1〜Ｒ
20はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜１０のアルキル
基、フェニル基又は水酸基を示し、ｍは１〜１０の整数
を示す。また、Ｘは２価の有機基で、例えば、次の化５
に示すような基がある。
【化５】 このようなナフトール系化合物を更に具体的に例示すれ
ば、次の式（６）、（７）で表されるキシリレン変性ナ
フトールノボラックや、式（８）で表されるｐ−クレゾ
ールとの縮合によるナフトールノボラック等が挙げられ
る。
【化６】 ここで、式（６）〜（７）中の繰り返し数（ｍ）は１〜
１０が好ましい。
【００１９】本発明の接着フィルムに含まれるフィラー
としては、銀粉、金粉、銅粉等の金属フィラー、シリ
カ、アルミナ、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミッ
ク、窒化ホウ素等の無機フィラー、ポリメチルメタクリ
レート、ブタジエン−スチレン系、シリコーン樹脂等の
有機フィラー等がある。
【００２０】次に、本発明の接着フィルムの製造法につ
いて説明する。本発明における接着フィルムの製造は、
（１）熱可塑性樹脂と、エポキシ樹脂と、前記のエポキ
シ樹脂硬化剤と、必要に応じてフィラーとを、有機溶媒
中で混合し、（２）基材上に前記混合物の層を形成さ
せ、（３）加熱・乾燥し、（４）基材を除去して、行な
うことができる。
【００２１】また、基材付き接着フィルムの製造では、
上記（４）の工程を行うことなく、上記（１）〜（３）
の工程を行えばよい。フィラーとしては、先に挙げたよ
うなフィラーを用いることができる。
【００２２】使用できる熱可塑性樹脂は、前記したよう
に特に限定するものではないが、好ましいものはポリイ
ミド樹脂である。ポリイミド樹脂は、通常、テトラカル
ボン酸二無水物とジアミンとを反応させて製造できる。
【００２３】使用できるテトラカルボン酸二無水物とし
ては、ピロメリット酸二無水物、３，３′，４，４′−
ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２′，３，
３′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水
物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プ
ロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシ
フェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−
ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、
【００２４】３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボ
ン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラ
カルボン酸二無水物、３，４，３′，４′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２′，３−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，
３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、１，２，４，５−ナフタレン−テトラカルボン
酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレン−テトラカル
ボン酸二無水物、
【００２５】２，６−ジクロルナフタレン−１，４，
５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロル
ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水
物、２，３，６，７−テトラクロルナフタレン−１，
４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フエナンスレ
ン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピ
ラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、
チオフエン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水
物、２，３，３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、３，４，３′，４′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、２，３，２′，３′−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン
二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−
テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレ
ンビス（トリメリテート無水物）、
【００２６】エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，
２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒ
ドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二
無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−
ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカル
ボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テ
トラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５
−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロ
ブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシ
クロ〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸二
無水物）スルホン、ビシクロ−（２，２，２）−オクト
（７）−エン２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水
物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス〔４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕ヘキサ
フルオロプロパン二無水物、４，４′−ビス（３，４−
ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフイド二無水
物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソ
プロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸二無水物）、
１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロ
ピル）ベンゼンビス（トリメリット酸二無水物）、５−
（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル
−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水
物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカル
ボン酸二無水物等のほか、
【００２７】次の式（Ｉ）
【化７】 （ただし、ｎ＝２〜２０の整数を示す。）で表されるテ
トラカルボン酸二無水物がある。特に好ましいポリイミ
ド樹脂は、前記の式（Ｉ）のテトラカルボン酸二無水物
の含量が全テトラカルボン酸二無水物の３０モル％以上
であるテトラカルボン酸二無水物と、ジアミンとを反応
させて得られるポリイミド樹脂である。
【００２８】前記式（Ｉ）のテトラカルボン酸二無水物
としては、ｎが２〜５のとき、１，２−（エチレン）ビ
ス（トリメリテート二無水物）、１，３−（トリメチレ
ン）ビス（トリメリテート二無水物）、１，４−（テト
ラメチレン）ビス（トリメリテート二無水物）、１，５
−（ペンタメチレン）ビス（トリメリテート二無水
物）、ｎが６〜２０のとき、１，６−（ヘキサメチレ
ン）ビス（トリメリテート二無水物）、１，７−（ヘプ
タメチレン）ビス（トリメリテート二無水物）、１，８
−（オクタメチレン）ビス（トリメリテート二無水
物）、１，９−（ノナメチレン）ビス（トリメリテート
二無水物）、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメ
リテート二無水物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビ
ス（トリメリテート二無水物）、１，１６−（ヘキサデ
カメチレン）ビストリメリテート二無水物、１，１８−
（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート二無水
物）、等があり、これら２種以上を併用してもよい。
【００２９】上記式（Ｉ）のテトラカルボン酸二無水物
は、無水トリメリット酸モノクロライド及び対応するジ
オールから合成することができる。また、全テトラカル
ボン酸二無水物に対して上記テトラカルボン酸二無水物
の含まれる量を好ましくは３０モル％以上とするのは、
接着フィルムの低温接着性を保つためである。
【００３０】前記ポリイミド樹脂の他の原料の一つであ
るジアミンとしては、１，２−ジアミノエタン、１，３
−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５
−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，
７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、
１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、
１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノド
デカン等の脂肪族ジアミン、
【００３１】ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレン
ジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、３，４′−ジアミノジフェニル
エーテル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、
３，３′−ジアミノジフェニルメタン、３，４′−ジア
ミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニル
メタン、３，３′−ジアミノジフェニルジフルオロメタ
ン、３，４′−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、
４，４′−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，
３′−ジアミノジフェニルスルホン、３，４′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニル
スルホン、３，３′−ジアミノジフェニルスルフイド、
３，４′−ジアミノジフェニルスルフイド、４，４′−
ジアミノジフェニルスルフイド、
【００３２】３，３′−ジアミノジフェニルケトン、
３，４′−ジアミノジフェニルケトン、４，４′−ジア
ミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェ
ニル）プロパン、２，２′−（３，４′−ジアミノジフ
ェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、２，２−（３，４′−ジアミノ
ジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス
（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，
３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−
ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３′-（１，
４−フェニレンビス(１−メチルエチリデン)）ビスアニ
リン、３，４′-（１，４−フェニレンビス(１−メチル
エチリデン)）ビスアニリン、４，４′-（１，４−フェ
ニレンビス(１−メチルエチリデン)）ビスアニリン、
２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス（４−（４−アミノフエノキシ）フエ
ニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミ
ノフェノキシ）フェニル）スルフイド、ビス（４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル）スルフイド、ビス（４
−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス
（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン等
の芳香族ジアミンを挙げることができる。これは２種以
上を混合して用いてもよい。
【００３３】テトラカルボン酸二無水物とジアミンの縮
合反応は、有機溶媒中で行う。この場合、テトラカルボ
ン酸二無水物とジアミンは等モル又はほぼ等モルで用い
るのが好ましく、各成分の添加順序は任意である。用い
る有機溶媒としては、ジメチルアセトアミド、ジメチル
ホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、ｍ−ク
レゾール、ｏ−クロルフェノール等がある。
【００３４】反応温度は８０℃以下、好ましくは０〜５
０℃である。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々
に上昇する。この場合、ポリイミドの前駆体であるポリ
アミド酸が生成する。
【００３５】ポリイミドは、上記反応物（ポリアミド
酸）を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は１
２０℃〜２５０℃で熱処理する方法や化学的方法を用い
て行うことができる。なお、本発明においてポリイミド
樹脂とは、ポリイミド及びその前駆体を総称する。ポリ
イミドの前駆体には、ポリアミド酸のほか、ポリアミド
酸が部分的にイミド化したものがある。
【００３６】本発明の製造法で用いられるエポキシ樹脂
とエポキシ樹脂硬化剤は、熱により橋かけ（架橋）反応
を起こす。この反応を促進するために、硬化促進剤（触
媒）を適宜、使用することができる。
【００３７】本発明の接着フィルムの製造において、熱
可塑性樹脂１００重量部に対してエポキシ樹脂を好まし
くは１〜１００重量部、更に好ましくは２〜５０重量部
用い、前記のエポキシ樹脂硬化剤を好ましくは０．０２
〜１２０重量部、更に好ましくは０．１〜８０重量部用
いる。更に硬化促進剤（触媒）を有機溶媒に溶解し、基
材上に塗布して層を形成させ、加熱・乾燥することによ
り製造できる。
【００３８】エポキシ樹脂の使用量が１００重量部を超
え、エポキシ樹脂硬化剤の使用量が１２０重量部を超え
ると、接着フィルム加熱時の重量減少量及びアウトガス
発生量（フュ−ム発生量）が多くなり、また、フィルム
形成性も悪くなる傾向となる。また、エポキシ樹脂の使
用量が１重量部未満及びエポキシ樹脂硬化剤の使用量が
０．０２重量部未満では、熱時接着力が低下する傾向と
なる。
【００３９】熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂及び前記エポ
キシ樹脂硬化剤と共にフィラーを含有させる場合のフィ
ラーとしては、先に述べたような金属フィラー、無機フ
ィラー又は有機フィラーを用いる。フィラーのうち、前
記金属フィラーは接着フィルムに導電性またはチキソ性
を付与する目的で添加され、無機フィラーは接着フィル
ムに低熱膨張性、低吸湿性を付与する目的で添加され、
有機フィラーは接着フィルムに靭性を付与する目的で添
加される。これら金属フィラー、無機フィラー又は有機
フィラーはそれぞれ２種以上を用いることもできる。フ
ィラーを用いた場合の混合・混練は、通常の撹拌機、ら
いかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、
組み合せて行うことができる。
【００４０】フィラーの量は、熱可塑性樹脂１００重量
部に対し０〜８０００重量部、好ましくは０〜４０００
重量部の範囲である。８０００重量部よりも多いと接着
性が低下する。
【００４１】フィラー含有の接着フィルムは、熱可塑性
樹脂、エポキシ樹脂及び前記エポキシ樹脂硬化剤を有機
溶媒に溶解後、フィラーを加え、必要に応じ他の成分を
加え、混合・混練する。得られたペースト状混合物を、
基材上に均一に塗布し、加熱・乾燥して製造する。
【００４２】上記接着フィルムの製造の際に用いる有機
溶媒は、材料を均一に溶解、混練または分散でき、加熱
によって容易に除去できる溶媒とする。例えば、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピ
ロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコー
ルジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、
メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロ
ソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソル
ブ、ジオキサン等がある。
【００４３】加熱・乾燥は使用した溶媒が十分に揮散す
る条件、すなわち、おおむね６０〜２００℃の温度で、
０．１〜９０分間加熱して行う。その後、接着フィルム
は通常、室温下で基材から剥がして使用する。あるい
は、基材付きのまま使用することもできる。
【００４４】接着フィルムの製造時に使用する基材は、
上記の接着フィルム製造時の加熱・乾燥条件に耐えるも
のであれば特に限定するものではない。例えば、ポリエ
ステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリ
エーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフ
ィルム、メチルペンテンフィルム等がある。これらのフ
ィルムは、シリコーン系やシリカ系の離型剤で処理され
たものであってもよい。
【００４５】接着フィルムは、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体
素子と、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム
等のリードフレーム、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等
のプラスチックフィルム、ガラス不織布等基材にエポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂等のプラスチックを含浸・硬化
させたもの、アルミナ等のセラミックス等の支持部材と
の接着に用いることができる。すなわち、前記したよう
な半導体素子と支持部材との間に本発明の接着フィルム
を挾み、１００〜３００℃、０．１〜３００秒間、加熱
圧着して、両者を接着させる。その後、ワイヤーボンデ
ィング工程、封止材による封止工程を経て半導体装置
（半導体パッケージ）とされる。
【００４６】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。 実施例１〜３、比較例１〜４ 下記ポリイミドＡ〜Ｃを熱可塑性樹脂として用い、表１
〜３の配合表に示す通り、Ｎｏ．１〜６のワニス（Ｎ
ｏ．１〜３：本発明の実施例１〜３に関するもの、Ｎ
ｏ．４〜６：比較例１〜３に関するもの）を調合した。 ポリイミドＡ：デカメチレンビストリメリテート二無水
物と４，４’−ジアミノジフェニルメタンとから合成し
た。 ポリイミドＢ：エメチレンビストリメリテート二無水物
と２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル）プロパンとから合成した。 ポリイミドＣ：デカメチレンビストリメリテート二無水
物と４，４’−ジアミノジフェニルエーテルとから合成
した。
【００４７】なお、表１〜２において、種々の記号は下
記のものを意味する。 ＹＤＣＨ−７０２：東都化成、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂（エポキシ当量２２０）、 ＹＸ−４０００Ｈ：油化シェル、ビフェニル型エポキシ
樹脂（エポキシ当量１９２）、 Ｎ−８６５：大日本インキ、ビスフェノールノボラック
型エポキシ樹脂（エポキシ当量２０８）、 ＢＥＯ−６０Ｅ：新日本理化学、エチレンオキサイド付
加体ビスフェノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量３７
３）、 ＤＭＥ−１００：新日本理化学、シクロヘキサンジメタ
ノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量１５５）、 α−ＮＡＲ：新日鐵化学、キシリレン変性ナフトールノ
ボラック（ＯＨ当量１９５）、 ＮＨ−７０００：日本化薬、ナフトールノボラック（Ｏ
Ｈ当量１４０）、 ＤＡＲ：新日鐵化学、キシリレン変性ナフトールノボラ
ック(ＯＨ当量１０３)、 Ｈ−１：明和化成、フェノールノボラック（ＯＨ当量１
０３）、 ＢＰ：本州化学、ビフェノール（ＯＨ当量９３）、 ＢＰＦ−Ｃ：本州化学、メチレンビスフェノール（ＯＨ
当量１００）
【００４８】ＤＭＡｃ：ジメチルアセトアミド ＤＭＦ：ジメチルホルムアミド ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン
【００４９】
【表１】 表１ 配合表 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 成分 ワ ニ ス 番 号 No.１ No.２ No.３ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 熱可塑性樹脂 ポリイミド Ａ Ｃ Ａ 重量部 １００ １００ １００ エポキシ樹脂 YDCH-702 Ｎ−８６５ BEO-60E 重量部 ２０ １０ ２０ エポキシ樹脂硬化剤 α−ＮＡＲ NH-7000 ＤＡＲ 重量部 １７．７ ６．７ ５．５ 硬化促進剤 2P4MHZ 2P4MHZ 2MA-OK 重量部 ０．１ ０．１５ ０．１ フィラー 無し シリカ シリカ 重量部 − １８０ ８０ 溶媒 DMAc DMAc DMAc 重量部 ３５０ ５００ ４５０ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【００５０】
【表２】 表２ 配合表 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 成分 ワ ニ ス 番 号 No.４ No.５ No.６ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 熱可塑性樹脂 ポリイミド Ａ Ａ Ｂ 重量部 １００ １００ １００ エポキシ樹脂 YDCH-702 ＤＭＥ−１００ Ｎ−８６５ 重量部 ２０ ２０ ３０ エポキシ樹脂硬化剤 Ｈ−１ ＢＰ ＢＰＦ−Ｃ 重量部 ９．６ １１．８ １４．４ 硬化促進剤 2MA-OK 2P4MHZ 2P4MHZ 重量部 ０．３ ０．１ ０．１５ フィラー シリカ 無し アルミナ 重量部 ８０ − １９０ 溶媒 ＮＭＰ DMF DMＦ 重量部 ３５０ ４００ ３００ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【００５１】このワニスを５０μｍの厚さに基材（ポリ
プロピレンフィルム）上に塗布し、８０℃で１０分、続
いて１２０℃で３０分加熱し、その後、室温で基材から
剥がして、接着フィルムを得た。得られた接着フィルム
（実施例１〜３：ワニス番号Ｎｏ．１〜３に対応；比較
例１〜３：ワニス番号Ｎｏ．４〜６に対応）はいずれも
室温でベタツキはなく、自己支持性をもつフィルムであ
った。
【００５２】実施例１〜３及び比較例１〜３の接着フィ
ルムの接着特性（剪断接着力及びピール強度）、並びに
２５０℃で２分間加熱したときの重量減少量及びフュー
ム付着量についての評価試験結果を表３、表４に示す。
なお、比較例４は銀ペースト（日立化成工業株式会社
製、商品名エピナール）である。
【００５３】
【表３】 表３ 接着フィルムの評価試験結果 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 実 施 例 の 番 号 項目 １ ２ ３ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 剪断接着力 (kgf/chip) 室温 １１．７ １０．２ １４．０ 350℃ ２．０ ２．３ ３．０ ピール強度 (kgf/chip) 250℃ ２．６ ＞3 ２．４ 重量減少量 (μg/ｍｍ3) ４６ ４２ ３７ フューム付着量 (μg/ｍｍ3) ２．８ １．８ ３．９ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【００５４】＜重量減少量及びフューム付着量の測定法
＞基板上に、適当な大きさに切断した接着フィルムを載
せ、その上に試験板を接近させて設置する。このサンプ
ルを表面温度が２５０℃の熱盤上に置き、２分間加熱す
る。室温に冷却した後、接着フィルムの重量を測定し、
加熱処理前の接着フィルムの重量と比べ接着フィルムの
重量変化量（単位：μｇ／ｍｍ3（接着フィルム））を
求め、これを重量減少量とする。また、試験板に付着し
たフューム重量（単位：μｇ／ｍｍ3(接着フィルム)）
を測定し、フューム付着量とする。
【００５５】＜剪断接着力及びピール強度の測定法＞接
着フィルムを４×４ｍｍ及び８×８ｍｍの大きさに切断
し、これを４×４ｍｍ及び８×８ｍｍの大きさシリコン
チップと４２アロイ製リードフレームの間にそれぞれ挾
み、５００ｇの加重をかけて、２６０℃で３秒間圧着さ
せたのち、次の方法で剪断接着力及びピール強度を測定
した。 剪断接着力：４×４ｍｍのシリコンチップを４×４ｍｍ
の接着フィルムで接着したサンプルを用いて、室温及び
３５０℃、２０秒加熱時の剪断接着力をプッシュプルゲ
ージにより測定した。 ピール強度：８×８ｍｍのシリコンチップを８×８ｍｍ
の接着フィルムで接着したサンプルを用いて、２５０
℃、２０秒加熱時のピール強度をプッシュプルゲージに
より測定した。
【００５６】
【表４】 表４ 比較例の接着フィルム／銀ペーストの評価試験結果 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 比 較 例 の 番 号 項目 １ ２ ３ ４ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 剪断接着力 （ｋｇｆ／ｃｈｉｐ） 室温 １１．９ １２．４ １１．３
１２．４ ３５０℃ ２．１ ２．５ ２．８ １．２ ピール強度 （kgf/chip） ２５０℃ ＞３ ２．２ ２．５ ０．４ 重量減少量 （μｇ／ｍｍ3） １６１ １５８ １３４ ２６０ フューム付着量 （μｇ／ｍｍ3） ３２．３ ３７．１ ３１．８ − ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【００５７】
【発明の効果】本発明の接着フィルム及び本発明の基材
付き接着フィルムは、半導体素子等の電子部品とリード
フレームや絶縁性支持基板等の支持部材の接着材料とし
て、低温接着性、良好な熱時接着力及び高い半田耐熱性
を有し、かつ、アウトガス（フューム）の発生が少ない
ので、半導体素子や加熱装置の汚染、ワイヤボンド特性
の低下等の問題を招かない。本発明の接着フィルムの製
造法により、本発明の接着フィルムを製造できる。本発
明の接着フィルム付き支持部材は、本発明の半導体装置
の中間製品である。本発明の半導体装置は、実装時の２
５０℃前後の半田付け熱処理に耐え得る高い半田耐熱性
を有し、信頼性が高い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 真紀 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株 式会社 筑波開発研究所内 (56)参考文献 特開 平６−264035（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−235555（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−228697（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−112630（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−43658（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−140386（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−27430（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−311144（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09J 4/00 - 201/10 H01L 21/52

Claims (13)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂及びエポキ
    シ樹脂硬化剤を含有する接着フィルムであって、前記エ
    ポキシ樹脂硬化剤は分子内に芳香環を３個以上有するナ
    フトール系化合物である接着フィルム。
  2. 【請求項２】 前記熱可塑性樹脂がポリイミド樹脂であ
    る、請求項１の接着フィルム。
  3. 【請求項３】 前記ポリイミド樹脂が、次の式（Ｉ）： 【化１】 （式中、ｎは２〜２０の整数を示す。）で示されるテト
    ラカルボン酸二無水物の含量が全テトラカルボン酸二無
    水物の３０モル％以上であるテトラカルボン酸二無水物
    と、ジアミンとを反応させて得られるポリイミド樹脂で
    ある、請求項２の接着フィルム。
  4. 【請求項４】 前記ナフトール系化合物が、次の式
    （４）、（５）： 【化２】 で示されるいずれかの化合物である、請求項１〜３のい
    ずれか１項記載の接着フィルム。
  5. 【請求項５】 前記式（４）、（５）におけるＸが、下
    記から選ばれるいずれかの２価の有機基である、請求項
    ４記載の接着フィルム。 【化３】
  6. 【請求項６】 前記ナフトール系化合物が、次の式
    （６）〜（８）： 【化４】 で示されるいずれかの化合物である、請求項１〜５のい
    ずれかに記載の接着フィルム。
  7. 【請求項７】 前記熱可塑性樹脂１００重量部に対し、
    前記エポキシ樹脂が１〜１００重量部、前記エポキシ樹
    脂硬化剤が０．０２〜１２０重量部それぞれ含まれてい
    る、請求項１〜６のいずれかに記載の接着フィルム。
  8. 【請求項８】 前記熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂及びエ
    ポキシ樹脂硬化剤に加えて更にフィラーを含有する、請
    求項１〜７のいずれかに記載の接着フィルム。
  9. 【請求項９】 基材に請求項１〜８のいずれかに記載の
    接着フィルムが付着している基材付き接着フィルム。
  10. 【請求項１０】 （１）接着フィルムの含有成分を有機
    溶媒中で混合し、（２）基材上に得られた混合液の層を
    形成させ、（３）加熱・乾燥し、（４）基材を除去す
    る、請求項１〜８のいずれかに記載の接着フィルムの製
    造法。
  11. 【請求項１１】 （１）接着フィルムの含有成分を有機
    溶媒中で混合し、（２）基材上に得られた混合液の層を
    形成させ、（３）加熱・乾燥する、請求項９記載の基材
    付き接着フィルムの製造法。
  12. 【請求項１２】 支持部材上に請求項１〜８のいずれか
    に記載の接着フィルムを接着させた接着フィルム付き支
    持部材。
  13. 【請求項１３】 半導体素子を請求項１〜８のいずれか
    に記載の接着フィルムで支持部材に接着し、半導体素子
    を封止材で封止した半導体装置。
JP01684098A 1998-01-29 1998-01-29 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 Expired - Lifetime JP3536640B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP01684098A JP3536640B2 (ja) 1998-01-29 1998-01-29 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP01684098A JP3536640B2 (ja) 1998-01-29 1998-01-29 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11209728A JPH11209728A (ja) 1999-08-03
JP3536640B2 true JP3536640B2 (ja) 2004-06-14

Family

ID=11927415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP01684098A Expired - Lifetime JP3536640B2 (ja) 1998-01-29 1998-01-29 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3536640B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4534418B2 (ja) * 2002-11-14 2010-09-01 日立化成工業株式会社 接着フィルム及びその用途
JP2007284671A (ja) * 2006-03-24 2007-11-01 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム
CN110709485B (zh) * 2017-05-31 2022-06-28 琳得科株式会社 片状粘接剂、阻气层叠体及密封体

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11209728A (ja) 1999-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101014483B1 (ko) 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착시트, 및 그것을이용한 반도체장치
JP3288146B2 (ja) 導電性接着フィルム、接着法、導電性接着フィルム付き支持部材及び半導体装置
JP3605651B2 (ja) 半導体装置の製造方法
EP1918341A1 (en) Adhesive film and semiconductor device using same
JP2964823B2 (ja) 接着フィルム、その製造法、接着法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置
JP5134747B2 (ja) 接着フィルム及び半導体装置
JP5332419B2 (ja) 感光性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP3055388B2 (ja) 接着フィルム
JP3536641B2 (ja) 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置
JP4062941B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2002158239A (ja) ダイボンディング材及び半導体装置
JP3482946B2 (ja) 接着フィルム及び半導体装置
JP5293496B2 (ja) 接着剤組成物、接着フィルム及び半導体装置
JP3777021B2 (ja) 接着フィルム
JPH11140386A (ja) 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置
JP3536640B2 (ja) 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置
KR20070005698A (ko) 다이본딩용 수지 페이스트
JP3978628B2 (ja) 接着フィルム
JP3570202B2 (ja) 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置
JP4013092B2 (ja) 接着フィルム
JP4584028B2 (ja) 半導体素子用粘着フィルムおよび半導体装置
JP3513829B2 (ja) 接着フィルム
JP4367404B2 (ja) ダイボンディング材
JP5002089B2 (ja) 接着フィルム、その製造法、半導体素子と支持部材との接着法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置
JP2005105251A (ja) ダイボンディング用樹脂ペースト

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040224

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040308

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080326

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110326

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110326

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326

Year of fee payment: 10

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term