JP2964823B2

JP2964823B2 - 接着フィルム、その製造法、接着法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置

Info

Publication number: JP2964823B2
Application number: JP5055601A
Authority: JP
Inventors: 信司武田; 正己湯佐; 崇増子; 康夫宮寺
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 1993-03-16
Filing date: 1993-03-16
Publication date: 1999-10-18
Anticipated expiration: 2014-10-18
Also published as: JPH06264035A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣやＬＳＩとリード
フレームの接合材料、すなわちダイボンディング用材料
として用いられる接着フィルム、その製造法、接着法、
接着フィルム付き支持部材及び半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＩＣやＬＳＩとリードフレームの
接合にはＡｕ−Ｓｉ共晶合金、半田あるいは銀ペースト
等が用いられている。Ａｕ−Ｓｉ共晶合金は、耐熱性及
び耐湿性は高いが、弾性率が大きいため大型チップへ適
用した場合に割れやすいほか、高価である難点がある。
半田は安価であるものの、耐熱性が劣り、更に弾性率は
Ａｕ−Ｓｉ共晶合金と同様に高く、大型チップへ適用が
困難である。一方、銀ペーストは安価で、耐湿性が高
く、弾性率も上記３者の中では最も低く、３５０℃の熱
圧着型ワイヤボンダーに適用できる耐熱性も有するの
で、現在のＩＣやＬＳＩとリードフレームの接合用材料
の主流となっている。しかし、近年ＩＣやＬＳＩの高集
積化が進み、それに伴ってチップが大型化しているなか
で、ＩＣやＬＳＩとリードフレームを銀ペーストで接合
しようとする場合、銀ペーストをチップ全面に広げ塗布
するには困難を伴う。

【０００３】マイクロエレクトロニックマニュファク
チャリングアンドテスティング（MICROELECTRONIC
MANUFACTURING AND TESTING １９８８年６月，９頁）
に、金属フィラーを熱可塑性樹脂に充填したダイボンド
用の接着フィルムが開示された。これは熱可塑性樹脂の
融点付近まで温度を上げ、加圧接合するものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記雑誌に開示された
接着フィルムは、融点が低い熱可塑性樹脂を用いると接
合温度が低くなり、リードフレームの酸化等、チップに
与えるダメージは少なくてすむ。しかし、耐熱性が低い
のでダイボンド後の熱処理、例えばワイヤボンド、封止
工程等に耐えられない。そのような熱処理に耐えられる
ように融点の高い熱可塑性樹脂を用いると、接合温度が
高くなり、リードフレームの酸化等のダメージを受ける
問題がある。本発明は、ダイボンド時の熱処理を従来の
銀ペーストと同じように比較的低温で行うことのでき
る、ダイボント用の接着フィルムを提供することを目的
としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、次の（１）〜
（３）に関する。（１）（Ａ）次の化２〔式（Ｉ）〕

【化２】（ただし、ｎ＝２〜２０の整数を示す。）で表されるテ
トラカルボン酸二無水物が全酸二無水物に対し７０モル
％以上含まれるテトラカルボン酸二無水物に、ジアミン
を反応させて得られるポリイミド系樹脂；（Ｂ）エポキシ樹脂；（Ｃ）フェノール樹脂；（Ｄ）硬化促進剤；及び（Ｅ）無機物質フィラー、を含有してなる接着フィル
ム。（２）（Ａ）式（Ｉ）で表されるテトラカルボン酸二無
水物が、全酸二無水物に対し７０モル％以上含まれるテ
トラカルボン酸二無水物に、ジアミンを反応させて得ら
れるポリイミド系樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂；及び
（Ｃ）フェノール樹脂；を有機溶媒に溶解し、これに
（Ｄ）硬化促進剤；及び（Ｅ）無機物質フィラー、を加
え、混合し、ベースフィルム上に塗布したのち、加熱す
ることを特徴とする接着フィルムの製造法。（３）半導体素子と支持部材の間に上記（１）の接着フ
ィルムを挾み、加熱圧着する、半導体素子と支持部材と
の接着法。本発明で用いるポリイミド樹脂は、

【化３】（ただし、ｎ＝２〜２０の整数を示す。）で表されるテ
トラカルボン酸二無水物が全酸二無水物に対し７０モル
％以上含まれるテトラカルボン酸二無水物に、ジアミン
を反応させて得られるポリイミド系樹脂、が用いられ
る。

【０００６】本発明で用いるエポキシ樹脂（Ｂ）は、分
子内に少なくとも２個のエポキシ基を含むもので、硬化
性や硬化物特性の点からフェノールのグリシジルエーテ
ル型のエポキシ樹脂が好ましく用いられる。このような
樹脂としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡ
Ｄ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＦもしくはハロ
ゲン化ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンの縮合
物、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、
クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビス
フェノールＡノボラック樹脂のグリシジルエーテル等が
挙げられる。エポキシ樹脂の量は、ポリイミド樹脂１０
０重量部に対して１〜２００重量部、好ましくは５〜１
００重量部の範囲でこれより少ないと接着性が悪くな
り、多いとフィルム形成性が劣る。

【０００７】本発明で用いるフェノール樹脂（Ｃ）は、
分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有する
もので、このような樹脂としては例えば、フェノールノ
ボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノ
ールＡノボラック樹脂、ポリ−ｐ−ビニルフェノール、
フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。フェノール
樹脂の量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して２〜１
５０重量部、好ましくは５０〜１２０重量部の範囲で、
これより多くても少なくても硬化性が不充分となる。

【０００８】本発明で用いる硬化促進剤（Ｄ）は、エポ
キシ樹脂を硬化させるために用いられるものであれば特
に制限はない。このようなものとしては例えば、イミダ
ゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒ
ドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホ
スホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−
メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８
−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７−テト
ラフェニルボレート等が用いられる。これらは、２種以
上を併用してもよい。硬化促進剤の量はエポキシ樹脂１
００重量部に対し、０．０１〜５０重量部、好ましくは
０．１〜２０重量部の範囲で、これより少ないと硬化性
が不充分となり、多いと保存安定性が悪くなる。

【０００９】本発明で用いる無機物質フィラー（Ｅ）
は、接着剤に低熱膨張性、低吸湿率を付与する目的で添
加されるものであり、シリカ、アルミナ、チタニア、ガ
ラス、酸化鉄、セラミック等の無機絶縁体を単独又は２
種以上混合して用いる。無機物質フィラーの量は、ポリ
イミド樹脂１００重量部に対し１〜８０００重量部、好
ましくは５０〜４０００重量部の範囲である。これより
も少ないと充分な低熱膨張性、低吸湿性が得られず、こ
れよりも多いと接着性が低下する。

【００１０】本発明で用いる、式（Ｉ）で表されるテト
ラカルボン酸二無水物としては、エチレンビストリメリ
テート二無水物、トリメチレンビストリメリテート二無
水物、テトラメチレンビストリメリテート二無水物、ペ
ンタメチレンビストリメリテート二無水物、ヘキサメチ
レンビストリメリテート二無水物、ヘプタメチレンビス
トリメリテート二無水物、オクタメチレンビストリメリ
テート二無水物、ノナメチレンビストリメリテート二無
水物、デカメチレンビストリメリテート二無水物、ドデ
カメチレンビストリメリテート二無水物、ヘキサデカメ
チレンビストリメリテート二無水物、オクタデカメチレ
ンビストリメリテート二無水物等があり、２種以上を併
用してもよい。

【００１１】これらのテトラカルボン酸二無水物は、無
水トリメリット酸モノクロライド及び対応するジオール
から合成することができる。上記テトラカルボン酸二無
水物は、全テトラカルボン酸二無水物に対し７０モル％
以上を含むものである。７０モル％未満であると、接着
フィルムの接合時の温度が高くなり好ましくない。

【００１２】式（Ｉ）のテトラカルボン酸二無水物と共
に使用できるテトラカルボン酸無水物としては、例え
ば、ピロメリット酸二無水物、３，３′，４，４′−ジ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２′，３，
３′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水
物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プ
ロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシ
フェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−
ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，
４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水
物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無
水物、３，４，３′，４′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、２，３，２′，３−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，
５−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、１，４，
５，８−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、

【００１３】２，６−ジクロルナフタレン−１，４，
５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロル
ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水
物、２，３，６，７−テトラクロルナフタレン−１，
４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フエナンスレ
ン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピ
ラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、
チオフエン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水
物、２，３，３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、３，４，３′，４′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、２，３，２′，３′−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン
二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−
テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニル
ビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）、

【００１４】エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，
２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒ
ドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二
無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−
ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカル
ボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テ
トラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５
−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロ
ブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシ
クロ〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸無
水物）スルホン、ビシクロ−（２，２，２）−オクト
（７）−エン２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水
物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス〔４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕ヘキサ
フルオロプロパン二無水物、４，４′−ビス（３，４−
ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフイド二無水
物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソ
プロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、
１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロ
ピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、５−
（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル
−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、
テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン
酸二無水物等があり、２種類以上を混合して用いてもよ
い。

【００１５】本発明で使用されるジアミンとしては、
１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、
１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、
１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタ
ン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナ
ン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウ
ンデカン、１，１２−ジアミノドデカン等の脂肪族ジア
ミン、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミ
ン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、３，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′
−ジアミノジフェニルメタン、３，４′−ジアミノジフ
ェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、
３，３′−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，
４′−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４′
−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３′−ジ
アミノジフェニルスルホン、３，４′−ジアミノジフェ
ニルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、３，３′−ジアミノジフェニルスルフイド、３，
４′−ジアミノジフェニルスルフイド、４，４′−ジア
ミノジフェニルスルフイド、

【００１６】３，３′−ジアミノジフェニルケトン、
３，４′−ジアミノジフェニルケトン、４，４′−ジア
ミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェ
ニル）プロパン、２，２′−（３，４′−ジアミノジフ
ェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、２，２−（３，４′−ジアミノ
ジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス
（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，
３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−
ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３′−（１，
４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスア
ニリン、３，４′−（１，４−フェニレンビス（１−メ
チルエチリデン））ビスアニリン、４，４′−（１，４
−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニ
リン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフエノキシ）
フエニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル）スルフイド、ビス（４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフイド、ビス
（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、
ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホ
ン、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェ
ニル、４，４’−メチレン−ビス（２，６−ジエチルア
ニリン）、ｏ−トリジンスルホン、１，４−ビス（４−
アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４−メチレン−ビス
（２，６−ジイソプロピルアニリン）、４，４’−ビス
（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、１，１−ビス
（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）シクロヘキ
サン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサン等の芳香族ジアミンを挙げることができ
る。

【００１７】テトラカルボン酸二無水物とジアミンの縮
合反応は、有機溶媒中で行う。この場合、テトラカルボ
ン酸二無水物とジアミンは等モル又はほぼ等モルで用い
るのが好ましく、各成分の添加順序は任意である。用い
る有機溶媒としては、ジメチルアセトアミド、ジメチル
ホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、ｍ−ク
レゾール、ｏ−クロルフェノール等がある。

【００１８】反応温度は８０℃以下、好ましくは０〜５
０℃である。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々
に上昇する。この場合、ポリイミドの前駆体であるポリ
アミド酸が生成する。

【００１９】ポリイミド樹脂は、前記反応物（ポリアミ
ド酸）を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は
１２０℃〜２５０℃で熱処理する方法や化学的方法を用
いて行うことができる。１２０℃〜２５０℃で熱処理す
る方法の場合、脱水反応で生じる水を系外に除去しなが
ら行うことが好ましい。この際、ベンゼン、トルエン、
キシレン等を用いて水を共沸除去してもよい。

【００２０】化学的方法で脱水閉環させる場合は、閉環
剤として無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸の
酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカルボ
ジイミド化合物等を用いる。このとき必要に応じてピリ
ジン、イソキノリン、トリメチルアミン、アミノピリジ
ン、イミダゾール等の閉環触媒を用いてもよい。閉環剤
又は閉環触媒は、テトラカルボン酸二無水物１モルに対
し、それぞれ１〜８モルの範囲で使用するのが好まし
い。

【００２１】また、本発明の接着フィルムに、必要に応
じてシランカップリング剤、チタン系カップリング剤、
ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコー
ン系添加剤等を適宜加えてもよい。

【００２２】本発明の接着フィルムの製造は、以下のよ
うにする。まずエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイ
ミド系樹脂を有機溶媒に溶解する。ここで用いられる有
機溶媒は、上記材料を均一に溶解又は混練できるもので
あれば特に制限はなく、そのようなものとしては例え
ば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ
−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、
キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、
エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチ
ルセロソルブ、ジオキサン等が挙げられる。

【００２３】次いで、硬化促進剤、無機物質フィラー及
び必要に応じ添加剤を加え、混合する。この場合、通常
の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミルなどの
分散機を適宜組み合せて、混練を行ってもよい。

【００２４】こうして得たペースト状混合物を、例えば
プロピレン製シート等のベースフィルム上に均一に塗布
し、使用した溶媒が充分に揮散する条件、すなわち、お
おむね６０〜２００℃の温度で、０．１〜３０分間加熱
し、接着フィルムを得る。

【００２５】本発明で得られた接着フィルムは、ＩＣ、
ＬＳＩ等の半導体素子のリードフレーム、セラミックス
配線板、ガラスエポキシ配線板、ガラスポリイミド配線
板の支持部材の接着に用いられる。

【００２６】本発明の接着フィルムは、例えば、ＩＣや
ＬＳＩ等の半導体素子とリードフレームとを接着する場
合、次の様な方法で接着することができる。

【００２７】第一に、接着フィルムをテープリボン状に
形成し、これを半導体素子の大きさに合わせて切断し、
リードフレームと半導体素子の間に挟み込んで、加熱接
着させる方法がある。この方法で接着する場合には、例
えば半田リボン用のダイボンディング装置等を応用した
装置で接着させることができる。

【００２８】第二に、接着フィルムをまずリードフレー
ムに形成しておき、次に半導体素子を加熱接着させる方
法がある。リードフレームに接着フィルムを形成するに
は、接着フィルムを半導体素子の大きさに合わせて切断
し、加熱して貼り付ける方法あるいは溶媒を塗布して貼
り付ける方法等がある。また、接着フィルムのワニスを
リードフレーム上に印刷塗布する方法で形成させること
もできる。リードフレームに接着フィルムを形成した
後、半導体素子を接着するには、例えば、従来、銀ペー
ストで用いられていたダイボンディング装置等を応用し
た装置で接着させることができる。

【００２９】第三に、接着フィルムをウェハ裏面に形成
しておき、次にダイシング工程でウェハ及び接着フィル
ムを切断し、リードフレームに接着する方法がある。ウ
ェハ裏面に接着フィルムを形成するには、接着フィルム
を加熱して貼り付ける方法あるいは溶媒を塗布して貼り
付ける方法等がある。また、接着フィルムのワニスをウ
ェハ裏面に印刷塗布あるいはスピンコートする方法で形
成させることもできる。ウェハ裏面に接着フィルムを形
成した後、半導体素子を接着するには、例えば、従来、
銀ペーストで用いられていたダイボンディング装置等を
応用した装置で接着させることができる。

【００３０】上記の方法の他に、ダイシング工程で用い
られる粘着性のダイシングフィルムの上に、接着フィル
ムを形成させておき、これにウェハを貼り付けた後、ダ
イシング工程で半導体素子と接着フィルムを切断し、リ
ードフレームに貼り付ける方法等があるが、本発明の接
着フィルムは、上記に例示したいずれの方法に限定され
るものではない。

【００３１】

【実施例】以下、本発明を実施例を用いて説明する。合成例１温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた５００ｍ
ｌの四つ口フラスコに、２，２−ビス（４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル）プロパン４１ｇ（０．１モ
ル）及びジメチルアセトアミド１５０ｇをとり、攪拌し
た。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しなが
ら、エチレンビストリメリテート二無水物４１ｇ（０．
１モル）を少量ずつ添加した。室温で３時間反応させた
のち、キシレン３０ｇを加え、Ｎ₂ガスを吹き込みなが
ら１５０℃で加熱し、水と共にキシレンを共沸除去し
た。その反応液を水中に注ぎ、沈澱したポリマーを濾過
により採り、乾燥してポリイミドＡを得た。

【００３２】合成例２温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた５００ｍ
ｌの四つ口フラスコに、４，４’−メチレン−ビス
（２，６−ジイソプロピルアニリン）３２．９４ｇ
（０．０９モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）テトラメチルジシロキサン２．４８ｇ（０．０１モ
ル）及びＮ−メチル−２−ピロリドン１５０ｇをとり、
攪拌した。ジアミンの溶解後、室温で、テトラメチレン
ビストリメリテート二無水物４３．８ｇ（０．１モル）
を加えた。５℃以下で５時間反応させ、無水酢酸２０．
４ｇ（０．２モル）及びピリジン１５．８ｇ（０．２モ
ル）を加え、１時間室温で攪拌した。この反応液を水中
に注ぎ、沈澱したポリマーを濾過により採り、乾燥して
ポリイミドＢを得た。

【００３３】合成例３温度計、攪拌機、塩化カルシウム管を備えた５００ｍｌ
の四つ口フラスコに、２，２−ビス（４−アミノフェノ
キシフェニル）プロパン３２．８ｇ（０．０８モル）、
３，３′，５，５′−テトラメチル−４，４′−ジアミ
ノジフェニルメタン５．０８ｇ（０．０２モル）及びジ
メチルアセトアミド１００ｇをとり、攪拌した。ジアミ
ンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、デカメ
チレンビストリメリテート二無水物４１．８ｇ（０．０
８モル）及びベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
６．４４ｇ（０．０２モル）を少量ずつ添加した。添加
終了後、氷浴中で３時間、更に室温で４時間反応させた
後、無水酢酸２５．５ｇ（０．２５モル）及びピリジン
１９．８ｇ（０．２５モル）を添加し、２時間室温で攪
拌した。その反応液を水中に注ぎ、沈澱したポリマーを
濾過により採り、乾燥してポリイミドＣを得た。

【００３４】実施例１〜５表１の配合表に示す通り、Ｎｏ．１〜７（本発明の実施
例：Ｎｏ．１〜５、比較例：Ｎｏ．６〜７）のワニスを
調合した。なお、表１において、種々の記号は下記のも
のを意味する。 YDCH-702：東都化成、クレゾールノボラック型エポキシ
（エポキシ当量220 ） N-865 ：大日本インキ製、ビスフェノールノボラック型
エポキシ（エポキシ当量208 ） ESCN-195：住友化学、クレゾールノボラック型エポキシ
（エポキシ当量200 ） H-1 ：明和化成、フェノールノボラック（ OH 当量106
） VH-4170 ：大日本インキ、ビスフェノールＡノボラック
（ OH 当量118 ）

【００３５】

【表１】表１配合表（単位：重量部） ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ No. １２３４５６７ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ ポリイミドＡＢＣＡＡ − Ａ 100 100 100 100 100 100 ──────────────────────────────────── エポキシ樹脂 YDCN-702 N-865 ESCN-195 N-865 N-865 YDCN-702 − 50部 20部 10部 10部 100部 100部 − ──────────────────────────────────── フェノー H-1 H-1 VH-4170 VH-4170 VH-4170 H-1 − ル樹脂 24 10 5.9 5.6 70 48 − ──────────────────────────────────── 硬化促進 2P4MHZ TPPK 2MA-0K TPPK TPPK 2P4MHZ − 剤 0.5 0.4 0.1 0.5 10 1 − ──────────────────────────────────── 無機物質シリカシリカシリカアルミナアルミナシリカシリカフィラー 80 45 18 100 190 180 180 ──────────────────────────────────── 溶媒 DMAC NMP DMF DMF DMF DMAC DMAC 400 200 100 100 1000 1000 500 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ ただし、表１中の記号は、下記の意味である。 DMAC：ジメチルアセトアミド NMP ：Ｎ−メチルピロリドン DMF ：ジメチルホルムアミドこのワニスを３０〜５０μｍの厚さにポリプロピレンフ
ィルム上に塗布し、８０℃で１０分、つづいて１２０℃
で３０分加熱し、接着フィルムを得た。

【００３６】次に、得られた接着フィルムの接着力を試
験した。接着フィルムを４×４ｍｍの大きさに切断し、
これを４×４ｍｍのシリコンチップと銀メッキ付４２ア
ロイリードフレームの間に挟み、１０００ｇの荷重をか
けて、２６０℃、３秒間圧着させたのち、剪断接着力を
プッシュプルゲージを用いて、室温時及び３５０℃加熱
２０秒後の熱時に、接着力を測定した（表２）。

【００３７】

【表２】表２ペーストのフィルム成型性及び接着フィルムの接着力 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ ＊１Ｎｏ．１２３４５６（比較）７（比較） ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 接着力室温 10.7 11.0 11.5 10.3 14.0 − 11.0 （kg/ chip）───────────────────────────── 350 ℃ 2.2 2.4 3.2 2.0 2.3 − 0.4 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ ＊１胞いためフィルム状にならず、接着力を測定できなかった。

【００３８】

【発明の効果】本発明の接着フィルムは、熱硬化性であ
るため熱時の接着性に優れている。本発明の接着フィル
ムを用いれば、ＩＣやＬＳＩの大型チップに均一に接着
剤層を設けることが可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者宮寺康夫茨城県つくば市和台48番日立化成工業株式会社筑波開発研究所内 (56)参考文献実開昭62−141038（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) C09J 7/00 - 7/04 H01L 21/52 C09J 179/08 ＣＡ（ＳＴＮ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】Ａ）次の化１〔式（Ｉ）〕【化１】（ただし、ｎは２〜２０の整数を示す。）で表されるテ
トラカルボン酸二無水物が、全酸二無水物に対し７０モ
ル％以上含まれるテトラカルボン酸二無水物に、ジアミ
ンを反応させて得られるポリイミド系樹脂；（Ｂ）エポキシ樹脂；（Ｃ）フェノール樹脂；（Ｄ）硬化促進剤；及び（Ｅ）無機物質フィラー、を含有してなる接着フィルム。
【請求項２】（Ａ）請求項１記載の式（Ｉ）で表される
テトラカルボン酸二無水物が、全酸二無水物に対し７０
モル％以上含まれるテトラカルボン酸二無水物に、ジア
ミンを反応させて得られるポリイミド系樹脂（Ｂ）エポキシ樹脂；及び（Ｃ）フェノール樹脂；を有機溶媒に溶解し、これに（Ｄ）硬化促進剤；及び（Ｅ）無機物質フィラー、を加え、混合し、ベースフィルム上に塗布したのち、加
熱することを特徴とする請求項１の接着フィルムの製造
法。
【請求項３】半導体素子と支持部材の間に請求項１記載
の接着フィルムを挾み、加熱圧着することを特徴とする
半導体素子と支持部材との接着法。
【請求項４】支持部材に請求項１に記載の接着フィルム
を接着させた接着フィルム付き支持部材。
【請求項５】半導体素子を請求項１に記載の接着フィル
ムで支持部材に接着させてなる半導体装置。