JP3567997B2 - 電子吸収光学変調器 - Google Patents

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は電子吸収光学変調器、特に逆バイアスされた多重量子ウェル（ＭＱＷ）構造を備えたこのようなタイプの変調器に関し、このような変調器で生じがちな飽和効果を考慮する。
【０００２】
【従来の技術】
この発明の目的に対しては交互の量子ウェル層とバリア層との多重量子ウェル（ＭＱＷ）構造と、交互の量子ウェル層とバリア層に類似した超格子構造との間で区別しなければならない。この区別はＭＱＷ構造ではバリア層が隣接した量子ウェル層の間の実質的なバンド構造の相互作用を不可能にするのに十分な厚さであり、一方超格子構造ではバリア層は特におよび故意に小バンド構造を生成するのに十分な相互作用を与える程の薄さである。
【０００３】
ＭＱＷ電子吸収変調器で観察される飽和効果は逆バイアスされた量子ウェルからの光子により生成されたキャリアの低速の消滅から生じるものである。これらの効果はＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰとＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系のような半導体系で示される傾向にあり、ここでは量子ウェル層の両側の価電子帯の段差は対応する伝導帯の段差よりも非常に大きい。文献（“Ｏｂｓｅｒｖａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎａｎｄ Ｈｏｌｅ Ｅｓｃａｐｅ Ｒａｔｅｓ ｉｎ Ｕｎｂｉａｓｅｄ Ｓｔｒａｉｎｅｄ ＩｎＧａＡｓＰ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ Ｌａｓｅｒ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ”と題するＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ 、６２（２０）、１９９３年５月１７日、２５２５−７頁）はＩｎＰでつくられているバリア層で挟まれたＩｎＧａＡｓＰで作られている量子ウェルを含んだ多重量子ウェル構造で生成された光子生成電子およびホールの消滅時間を評価するために行われる測定が説明されている。ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ半導体系ではホールの消滅時間は対応する電子の消滅時間よりも非常に長いが、ホールの消滅時間は歪みのない量子ウェルの例の場合の約１８ｎｓから量子ウェル構成が量子ウェルを１．２％圧縮するように選択された例の場合の約１０ｎｓ、および量子ウェル構成が代りに量子ウェルを引っ張るように選択された例の場合の約１３ｎｓに短縮されることもできる。高いエネルギレベル（圧縮して歪んだ量子ウェルの場合の軽いホールと引張り歪みの量子ウェルの場合の重いホール）を経て熱的に補助されたトンネル効果によるホール消滅時間のこれらの短縮はある程度、飽和問題を改良する効果を明らかに有するが、多くの応用では不都合な長いホール消滅時間を残す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はホール消滅時間をさらに顕著に短縮することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明によると、第１の構成材料の基体と、この基体に支持され第２の構成材料の複数の量子ウェル層を具備する多重量子ウェル構造を含んだｐ−ｉ−ｎ構造を限定するエピタキシャル成長層とを有する電気吸収光学変調器において、量子ウェル層が第３の構成材料のバリア層に挟まれ、バリア層が隣接する量子ウェル層の間の実質上バンド構造の相互作用を阻止するのに十分な厚さであり、第３の構造材料が第１の構造材料の歪みのない格子定数より小さい格子定数を有し、バリア層が引張り歪みを受けるように構成されていることを特徴とする電気吸収光学変調器が提供される。
【０００６】
【実施例】
本発明を好ましい形態で実施した電子吸収変調器の説明を行う。この説明は構造により与えられるホール消滅時間の短縮に対して示された理由を最初に説明している。説明は添付図面を参照する。
図１は単一の量子ウェルのバンド構造を示しており、実線１０は量子ウェルの境界の電子エネルギ不連続を示した伝導帯を示し、一方、実線１１はこれらの境界におけるホールエネルギ不連続を示した価電子帯を示している。実線１０，１１ 間の垂直な分離はバンドギャップを示し、これは量子ウェルの一方に位置するバリア層材料よりも量子ウェルで少ない。伝導帯におけるエネルギ不連続は価電子帯におけるエネルギ不連続よりも非常に小さく表されており、例えばウェルがＩｎＧａＡｓＰで作られ、バリア層がＩｎＰで作られている歪みのないＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子ウェル構造の例で維持される状況である。限定された電子の顕著なエネルギと関連した伝導帯と価電子帯との間のエネルギ不連続のこの不均衡は比較的高速な電子消滅時間とホール消滅時間の間の大きな差によるものである。
【０００７】
量子ウェルの材料が異なった歪みのない格子定数であるが同じバンドギャップを有する異なった構成の同一の厚さと置換されるならば、バンド構造が変化する。特に、新しい量子ウェル材料が量子ウェル層に圧縮歪みを加える歪みのないより大きな格子定数を有するならば伝導帯の不連続は鎖線１２により表されるように電子ウェルを深くする結果としてやや増加する。新しい量子ウェル材料のバンドギャップがもとの量子ウェル材料のバンドギャップと同一であるので、価電子帯の不連続で補足的な変化が存在し、鎖線１３により示されているように同量だけこの反転したウェルの最も深いバンド端部を浅くする。この最も深いバンド端部は重いホールのバンド端部であり、軽いホールは破線１４により表されているやや浅いレベルにある（重いホールと軽いホールのバンド端部は歪みのない材料で同一のエネルギである）。
【０００８】
他方、新しい量子ウェル材料が量子ウェルに（圧縮歪みの代りに）引張り歪みが加えられる結果生じる非常に小さい歪みのない格子定数を有し、伝導帯から重いホールのバンドギャップをほぼ維持するように構成が選択されるならば、伝導帯の電子ウェルはやや浅く（図示せず）形成され、重いホールの価電子帯のウェルは同量（図示せず）だけ深く形成され、従って同一のバンドギャップを維持し、軽いホール用の価電子帯の対応するウェルは非常に多量（図示せず）により深くされる。これらの変化は図１では示されておらず、これは量子ウェル材料が圧縮して歪みを受けるときに関係する歪みのないバンド構造と比較するのみであり、両者の例の量子ウェル層は歪みのないバリア層の間で限定されている。しかしながら同等の結果が図２のバンド構造で示されており、ここでは量子ウェル材料が圧縮して歪みをうけるときに関係する線１０，１１ で与えられている歪みのないバンド構造と比較され、バリア層材料は引張り歪みを受ける。この例では新しい量子ウェル材料は図１と同じである新しい量子ウェル材料であり、一方新しいバリア層材料はもとのバリア層材料よりも小さい歪みのない格子定数を有する異なった組成であり、従って新しい材料は引張り歪みを受ける。ほぼ伝導バンドから重いホールのバンドギャップを維持するように構成も選択される。鎖線２５で表されているようにこの引張り歪みの結果は伝導帯の不連続を増加し、鎖線２６で表されているようにほぼ同量だけ重いホール用の価電子帯の不連続を減少し、破線２７で示されているように軽いホールに関して多量に価電子帯の不連続を減少する。線１１で表されているように歪みのない材料の価電子帯のエネルギレベルの不連続と比較するとき、圧縮して歪みを受けた量子ウェル材料の重いホールのエネルギレベル１３と引張り歪みを受けたバリア層材料の軽いホールのエネルギレベル２７との間の相対的な近似は、重いホールから軽いホールへの変換により、変換が必要ではない対応する歪みのない構造よりもより簡単に、量子層材料で生成された光子生成のホールがバリア層材料に移動して消滅することを可能にする。
【０００９】
図２を参照すると、光ホールエネルギレベルが量子ウェル材料よりもバリア層材料中で深いレベルにあるとして表されていることが明らかであるが、これは実際に必要な関連する関係であることを示すものと理解すべきではない。
【００１０】
レーザダイオードの分野では量子ウェルが圧縮歪みを受け、これらが挟まれているバリア層が引張り歪みを受けるＭＱＷ構造を有することが知られていることにも留意する。このようなレーザではバリア層の引張り歪みの量は典型的に量子ウェルの圧縮歪みの量と比較して非常に小さい。これは量子ウェルの圧縮歪みを補償するためにバリア層に引張り歪みが与えられているためである。バリア層は量子ウェル層よりも非常に厚く設計されており、従ってバリア層の対応する低い歪みで均衡が達成され、これは材料の成長を助長する。これは電子吸収変調器に関する本発明の例での状態と対照的であり、本発明では引張り歪みは歪み補償の目的でバリア層に与えられるものではなく、代りにバンド構造を有効に変更する効果のために使用される。この例の引張り歪みは典型的に歪みを受けたＭＱＷレーザの例よりも高く、典型的に少なくとも０．５％であり、通常０．８％より大きく、成長状況が可能ならば約１．０％が好ましい。
【００１１】
図３を参照すると、本発明の特定の１実施例が断面図で示されている。必要な層構造は約１０^１８ｃｍ^−３の濃度に硫黄でｎドープしたｎ型のＩｎＰ基体３０上にエピタキシャルに成長されている。この上に５×１０^１７ｃｍ^−３にドープされた約０．５μｍの厚さのｎ型バッファ層３１が生長されている。これは約１．０５ｅＶのバンドギャップを与えるため組成のドープしていない格子整合したＩｎＧａＡｓＰの０．２μｍの厚さの層３２が続き、これは導波体の下半分を形成する。ドープされていないＭＱＷ構造が次に成長され、必要な動作波長に基づいて約０．７８ｅＶのバンドギャップを生じる組成の４個程の８ｎｍの厚さのＩｎＧａＡｓＰ量子ウェル３４を具備し、これは１％の圧縮歪みを有し、約１．０ｅＶの電子から軽いホールのバンドギャップを生じるような組成の８ｎｍの厚いバリア層３５により分離され、１％の引張り歪みを有し、同一材料の２つの４ｎｍの厚さの層３６により挟まれている。第１と同一の第２の導波体層３７が成長され、５×１０^１７ｃｍ^−３にドープされ約１．５μｍの厚さであるｐ型のＩｎＰ層３８が続き、これは０．２μｍの厚さで歪みのないＩｎＧａＡｓ層３９により被覆される。横断方向の導波体は通常の手段による構造で製造され、十分な光学的限度に必要なように上部ＩｎＰ層の下部またはより深くにエッチングされた隆起部（リッジ：図示せず）の形態または例えばＦｅドープしたＩｎＰの半絶縁材料が深いエッチング隆起部（図示せず）周辺で再度成長される埋設されたヘテロ構造（図示せず）の形態である。
【００１２】
隆起領域の外部の材料はＳｉＯ_２ または類似の材料（図示せず）により絶縁される。金属接触部４０は通常の手段により上部および下部表面に設けられる。電気キャパシタンスを減少するため上部接触部は小面積のパッドを提供するためパターン化され、そこに外部導線（図示せず）が結合されることができる。装置は約１６０μｍ程度の長さ、または“オフ”状態で適切な減衰に必要とされる長さに分割され、チップの下面は適切な導電性設置体（図示せず）に結合される。入力および出力の光ファイバ（図示せず）は光を発射し、集収するために横断方向の導波体と整列される。装置はほぼ２−５Ｖの範囲で電圧スイング２−４Ｖでバイアス手段４１からの逆バイアスされた変調器として動作される。
【図面の簡単な説明】
【図１】バンド構造の図。
【図２】バンド構造の図。
【図３】層構造を示した電子吸収変調器の概略断面図。

Claims (11)

1. 第１の構成材料の基体と、この基体に支持され第２の構成材料の複数の量子ウェル層を具備する多重量子ウェル構造を含んだｐ−ｉ−ｎ構造を限定するエピタキシャル成長層とを有する電気吸収光学変調器において、
   量子ウェル層が第３の構成材料のバリア層に挟まれ、バリア層が隣接する量子ウェル層の間の実質上バンド構造の相互作用を阻止するのに十分な厚さであり、第３の構造材料が第１の構造材料の歪みのない格子定数より小さい格子定数を有し、バリア層が引張り歪みを受けるように構成されていることを特徴とする電気吸収光学変調器。
2. 第２の構成材料が第１の構成材料よりも歪みのない格子定数が大きく、それにより量子ウェル層が圧縮歪みを受けている請求項１記載の電気吸収変調器。
3. 第１の構成材料の格子定数が少なくとも０．５％だけ第３の構成材料の格子定数より大きい請求項２記載の電気吸収変調器。
4. 第１の構成材料の格子定数が少なくとも０．８％だけ第３の構成材料の格子定数より大きい請求項３記載の電気吸収変調器。
5. 変調器が基体により支持される層のｐ−ｉ−ｎ構造を横切って逆バイアスを供給するように構成された逆バイアス手段を含む請求項３記載の電気吸収変調器。
6. 基体がＩｎＰから形成され量子ウェル層がＩｎ_１−ｘ Ｇａ_ｘ Ａｓ_ｙ Ｐ_１−ｙ で形成されている請求項３記載の電気吸収変調器。
7. 変調器が基体により支持される層のｐ−ｉ−ｎ構造を横切って逆バイアスを供給するように構成されている逆バイアス手段を含んでいる請求項６記載の電気吸収変調器。
8. 第１の構成材料の格子定数が少なくとも０．５％だけ第３の構成材料の格子定数より大きい請求項１記載の電気吸収変調器。
9. 第１の構成材料の格子定数が少なくとも０．８％だけ第３の構成材料の格子定数より大きい請求項８記載の電気吸収変調器。
10. 変調器が基体により支持される層のｐ−ｉ−ｎ構造を横切って逆バイアスを供給するように構成された逆バイアス手段を含んでいる請求項８記載の電気吸収変調器。
11. 基体がＩｎＰから形成され、量子ウェル層がＩｎ_１−ｘ Ｇａ_ｘ Ａｓ_ｙ Ｐ_１−ｙ で形成されている請求項８記載の電気吸収変調器。

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