JP3405570B2 - カラーフィルタの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、カラーフィルタの製造
方法に関する。さらに詳しくは、パソコン、ワープロ、
壁掛テレビ、ポケット液晶テレビ、液晶プロジェクター
等のカラー液晶ディスプレイ、オーロラビジョン、固体
撮像素子（ＣＣＤ）、及びオーディオ、車載用インパ
ネ、時計、電卓、ビデオデッキ、ファックス、通信機、
ゲーム、測定機器等のカラーディスプレイ等に好適に利
用できるカラーフィルタの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下、カラーフィルタの従来技術を、カ
ラー液晶ディスプレイに用いられた場合を例にとって説
明する。近時の液晶テレビジョン、液晶プロジェクタ
ー、ラップトップパーソナルコンピュータ、ノート型パ
ーソナルコンピュータ等のディスプレイにカラー液晶デ
ィスプレイが用いられている。このカラー液晶ディスプ
レイには、絶縁性基板上に色素層を平面的にパターン
化、すなわち、分離配置して形成したカラーフィルタが
使用されている。

【０００３】一般的なカラー液晶ディスプレイの構成を
図５９示す。このカラー液晶ディスプレイは、二枚の基
板の間に液晶を挟持している。すなわち、その一枚の基
板としてカラーフィルタを用い、カラーフィルタ基板１
０と駆動用基板２０の間に液晶３０を封入している。液
晶３０を封入した後、接着剤（封止材）４０ａ，４０ｂ
で封止している。カラーフィルタ基板１０は、絶縁性基
板としてのガラス基板やガラス基板に導電性薄膜を積層
形成した基板１上に複数色、例えば三原色、すなわち、
赤（レッド、Ｒ）、緑（グリーン、Ｇ）、青（ブルー、
Ｂ）（以下、必要に応じて単にＲ，Ｇ，Ｂと記載する）
の色素層５ａ，５ｂ，５ｃをくりかえし形成して構成さ
れている。さらに、この色素層５ａ〜５ｃ間に、そこで
の洩れ光によるコントラストと色純度との低下を防止す
るためブラックマトリックス（以下、必要に応じてＢＭ
又はＢＬと記載する）２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄがくりか
えし設けられている。

【０００４】また、ブラックマトリックス２ａ〜２ｄ、
色素層５ａ〜５ｃ上に保護膜６を形成して平坦化し、そ
の上面に液晶駆動用透明電極を設けている。一方、駆動
用基板２０は、絶縁性基板２１に駆動用透明電極２２
ａ，２２ｂ，２２ｃをくりかえし形成して構成されてい
る。このようなカラーフィルタの色素層は、通常、印刷
機を用いてガラス基板等の絶縁性基板上にＲ，Ｇ，Ｂ三
原色の顔料又は染料（色素）と樹脂を混練したインキを
印刷する印刷法によって形成されている。また、顔料ま
たは染料（色素）を分散させた紫外線硬化性樹脂（レジ
スト）をガラス基板上に塗布し、フォトリソグラフィー
法によるマスク露光、現像、及び熱硬化をＲ，Ｇ，Ｂご
とに三回繰り返して色素層を形成する分散法、また、ゼ
ラチン等の感光性天然高分子をガラス基板上に塗布し、
フォトリソグラフィー法によるマスク露光、現像後、
Ｒ，Ｇ，Ｂのうちの一色の染料でパターニングしたゼラ
チンを染色し、熱硬化する工程を残りの二色についても
同様に繰り返して色素層を形成する染色法が用いられて
いる。

【０００５】さらに、電着ポリマーと顔料または染料
（色素）を液体中に分散させ、基板上に形成された導電
性薄膜のパターン（電極）を利用して、この電極上に
Ｒ，Ｇ，Ｂの色素層を順次電着塗装を行って、顔料また
は染料（色素）と電着ポリマーとからなる色素層を形成
する電着法又は界面活性剤と顔料または染料（色素）を
液体中に分散させ、先の電極上に顔料または染料のＲ，
Ｇ，Ｂの各色素を順次製膜して、色素層を形成するミセ
ル電解法が用いられている。

【０００６】なお、上記のカラーフィルタの色素層を形
成するいずれの方法においても、平面的に配置した複数
色の色素層上に、さらに保護膜として熱硬化性樹脂など
が積層される場合がある。以上のカラーフィルタの製造
法の中において、ミセル電解法で形成した色素層は、顔
料または染料の含有量が高いため、耐光性に優れている
ことが知られている（特願平４−０３１９０５号）。こ
こで、ミセル電解法で耐光性に優れたカラーフィルタを
製造する場合としては、例えば工程１（特開平３−１０
２３０２号）、工程２（特開平４−１１０９０１号）、
工程３（特開平５−１４２４１８号）を挙げることがで
きる。まず、ガラスなどの絶縁性透明基板上にインジウ
ム，スズの酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電性薄膜をパ
ターン化して色素層形成用電極を形成し、さらに黒色色
素（黒色顔料または染料混合物）含有のアクリル酸系光
硬化性レジスト硬化物（特開平４−１３１０６号）から
なる電極取出しとブラックマトリックス層をパターン化
して同時に積層後、ミセル電解法でＲＧＢ三原色の顔料
を製膜して色素層を形成し、アクリル樹脂やシロキサン
樹脂などを主剤として含む保護膜剤で保護膜を形成し、
再びインジウム，スズの酸化物（ＩＴＯ）などの透明導
電性薄膜を一面又は部分的に積層し液晶駆動用電極とし
た工程がある（工程１，図６０，６１）。

【０００７】また、ガラスなどの絶縁性透明基板に、メ
タルクロムおよび酸化物クロムなどの金属又は金属酸化
物薄膜をパターン化したブラックマトリックス、シリカ
又はアクリル樹脂などの絶縁膜、インジウム，スズの酸
化物（ＩＴＯ）などの透明導電性薄膜をパターン化した
色素層形成用電極を順次積層し、さらに、色素（顔料ま
たは染料）含有アクリル酸系光硬化性レジスト硬化物又
はアクリル酸系光硬化性レジスト硬化物からなる電極取
出し層を形成後、ミセル電解法でＲＧＢ三原色の顔料を
製膜して色素層を形成し、アクリル樹脂やシロキサン樹
脂などを主剤として含む保護膜剤で保護膜を形成し、再
びインジウム，スズの酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電
性薄膜を一面又は部分的に積層し液晶駆動用電極とした
工程がある（工程２，図６２，６３）。

【０００８】さらに、ガラスなどの絶縁性透明基板に、
インジウム，スズの酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電性
薄膜をパターン化した色素層形成用電極を形成し、色素
（顔料または染料）含有アクリル酸系光硬化性レジスト
硬化物またはアクリル酸系光硬化性レジスト硬化物から
なる電極取出し層を積層後、ミセル電解法でＲＧＢ三原
色の顔料を製膜して色素層を形成し、アクリル樹脂やシ
ロキサン樹脂などを主剤として含む保護膜剤で保護膜を
形成し、再びインジウム，スズの酸化物（ＩＴＯ）など
の透明導電性薄膜を一面又は部分的に積層し液晶駆動用
電極とし、さらにメタルクロムおよび酸化物クロムなど
の金属又は金属酸化物薄膜をパターン化したブラックマ
トリックスとした工程がある（工程３，図６４，６
５）。なお、工程３については液晶駆動用電極とブラッ
クマトリックスの積層の順を逆にしたものもある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】以上三つの工程の問題
点として、いずれにおいても、透明導電性薄膜をパター
ン化した色素層形成用電極（電着法も同様）と、電極取
出し層が不可欠となっていた。また、透明導電性薄膜
（主にＩＴＯ）のパターン化には、フォトリソグラフィ
ー法による微細加工が必要であり、透明導電性薄膜のシ
ョートおよび断線による欠陥が発生しやすかった。一
方、電極取出し層も同様にパターン化する必要があり、
工程が煩雑であった。その結果、最終的にカラーフィル
タの歩留りの低下を避け得なかった。

【００１０】また、ミセル電解法でＲＧＢの色素のうち
一色を製膜するにあたって、その一色の色素層形成用電
極を連続的につなぐ必要があった。その際、色素層のパ
ターン配列として、ストライプ配列の他に、ダイアゴー
ナル配列、トライアングル配列等があるが、色素形成用
電極パターンのライン−アンド−スペースがダイアゴー
ナルとトライアングル配列の場合には、小さくなり、ス
トライプパターンに比較して、先のショート、断線によ
る欠陥の確率の増加すなわち歩留りの低下が著しかっ
た。

【００１１】さらに、微細な色素層形成用電極を連続的
につなげることにより、透明導電性薄膜の抵抗による電
圧降下を発生させ、電極取出し層近辺と遠隔部に色素層
の膜厚差すなわちカラーフィルタの色斑をひきおこす場
合があった。特に、ダイアゴーナル、トライアングル配
列用には上記理由から色斑が発生しやすかった。以上の
問題点は、一般的にミセル電解法のみならず電着法につ
いても同様に存在した。

【００１２】なお、カラーフィルタを電着法で製造する
場合において、レジスト電着法（特開平４−２４７４０
２号など）で上記問題点の解決がなされている。すなわ
ち、（ａ）透明基板上に透明導電層を形成する工程、
（ｂ）特定のポジ型感光性樹脂組成物（光可溶型レジス
ト）をこの透明導電層に形成する工程、（ｃ）この感光
性樹脂層上に所望のパターンを有するマスクを載置した
後、露光・現像して、透明導電の一部を露出する工程、
（ｄ）露出した透明導電層上に電着により所望の色の着
色層を形成する工程、及び（ｅ）前記（ｃ）及び（ｄ）
の工程を必要回数繰り返す工程からなる多色表示装置
（カラーフィルタ）の製造方法が開示されている。しか
しながら、この製造法からなるカラーフィルタの色素層
（着色層）には、前述のように、電着ポリマー（水溶性
アクリル樹脂、エポキシ樹脂等）がかなりの割合で存在
し、顔料または染料の含有率が低くなるため、形成した
カラーフィルタの耐光性を電着ポリマーの劣化で低下さ
せてしまう問題があった。

【００１３】一方、ミセル電解法においても、特開平４
−３４２２０５号公報において、レジスト電着法と同様
の方法（色素層の形成を電着法ではなく、ミセル電解法
で行う）により上記問題点の解決が図られているが、ミ
セル電解法で製膜した色素層は、多孔質であり電気的に
絶縁ができないため、繰り返し多色の色素層の形成を行
う際に、先に形成した色素層を後に形成する色素層で汚
染して、カラーフィルタに要求される色の分光が得られ
ないという問題が未解決であった。

【００１４】一方、ミセル電解法及び電着法のみならず
他の製造法によって色素層を形成する場合にも種々の問
題点があった。すなわち、分散法カラーフィルタは、色
素（顔料または染料）を分散させた光硬化性レジストを
使用するため、色素の光吸収によって露光感度及び色素
層のパターンの精細度（解像度）が透明レジストに比べ
て悪くなり、さらに、色素含有レジストは、スピンコー
ターおよびロールコーターで塗布されるが、カラーフィ
ルタの中心部と末端部に色素含有レジストの膜厚差が生
じ、それが色むらを引き起こす原因となっていた。印刷
法カラーフィルタは、ＲＧＢを順次印刷する際の位置合
わせが難しく、高解像度（高精細）の色素パターンは現
状では望むことができなかった。染色法は、色素が染料
のみ使われるため、カラーフィルタの後加工上の耐熱性
および洗浄処理における耐薬品性に問題があった。さら
に、これらの分散法、印刷法、染色法いずれにおいて
も、色素層が顔料（色素）と樹脂（有機物）の共存し、
顔料に比べ樹脂の割合が多いため、形成したカラーフィ
ルタの耐光性に難があった。本発明は上述の問題点に鑑
みなされたものであり、高耐光性を維持しつつ高精細化
を可能とし、また、平坦化等の品質の向上、生産効率
（歩留り）の向上を図ることができるカラーフィルタの
製造方法を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明によれば、絶縁性基板上に、ミセル電解法によっ
て複数色の色素層を分離して配置し、所定の色素パター
ンを形成するカラーフィルタの製造方法において、絶縁
性基板上の、少なくとも複数色の色素層が配置される領
域、又は、少なくとも複数色の色素層が配置される領域
を含む連続するパターンに対応する領域に透明導電性薄
膜を積層、形成し、この透明導電性薄膜が積層、形成さ
れた絶縁性基板上に、複数の色素層を、単色の各色素層
としては下記工程群Ａ（ａ１及びａ２）又は工程群Ｂ
（ｂ１，ｂ２及びｂ３）のいずれかを用い、かつ、複数
色の色素層の集合体としては下記工程群Ａ（ａ１及びａ
２）及び工程群Ｂ（ｂ１，ｂ２及びｂ３）の両方を用い
て、分離、配置することを特徴とするカラーフィルタの
製造方法が提供される。なお、本発明の場合、各色素層
を分離配置するに際して、全ての色素層を工程群Ａ（ａ
１及びａ２）のみを用いて分離配置することはない。工程群Ａ ａ１）透明導電性薄膜の全面又は一部上に、ミセル電解
法による製膜によって、複数色から選択した一つの色の
色素層を形成する工程 ａ２）一つの色の色素層の上に透明な光硬化性レジスト
を積層し、その一つの色の色素層に対応したマスクを用
いて露光し、かつ露光部の熱処理の前及び／又は後に、
未露光部分の光硬化性レジスト及び色素層を除去して、
一つの色の色素層を配置する工程工程群Ｂ ｂ１）透明導電性薄膜の全面又は一部上に、光可溶化型
レジストを積層し、複数色から選択した一つの色の色素
層に対応したパターンを有するマスクを用いて露光し、
次いで、現像して露光した部分の光可溶化型レジストを
除去する工程 ｂ２）ミセル電解法による製膜によって、前記一つの色
の色素層を、光可溶化型レジストを除去して露光させた
透明導電性薄膜上に配置する工程 ｂ３）透明導電性薄膜上に残留した全ての光可溶化型レ
ジストを除去する工程

【００１６】また、前記絶縁性基板上の所定の領域に透
明導電性薄膜を積層、形成する工程の前に、絶縁性基板
上に、ブラックマトリックスの形状にパターニングした
金属又は金属酸化物薄膜を積層、形成することを特徴と
するカラーフィルタの製造方法が提供される。

【００１７】また、前記絶縁性基板上にブラックマトリ
ックスの形状にパターニングして積層、形成された金属
又は金属酸化物薄膜の上にさらに絶縁膜を積層、形成す
ることを特徴とするカラーフィルタの製造方法が提供さ
れる。

【００１８】また、前記透明導電性薄膜が積層、形成さ
れた絶縁性基板上に複数の色素層を、単色の各色素層と
しては下記工程群Ａ（ａ１及びａ２）又は工程群Ｂ（ｂ
１，ｂ２及びｂ３）のいずれかを用い、かつ、複数色の
色素層の集合体としては下記工程群Ａ（ａ１及びａ２）
及び工程群Ｂ（ｂ１，ｂ２及びｂ３）の両方を用いて、
分離、配置する工程の前、中間又は後に、黒色色素を含
有する光硬化性レシストを、ブラックマトリックスの形
状にパターニングして積層、形成することを特徴とする
カラーフィルタの製造方法が提供される。

【００１９】また、前記絶縁性基板上の所定の領域に透
明導電性薄膜を積層、形成する工程の後であって、かつ
複数色の各色素層を分離、配置する工程の前に、少なく
とも、複数色の色素層及びブラックマトリックスが配置
される領域に、金属又は金属酸化物薄膜を積層、形成す
る工程、並びに、光硬化性レジスト又は光可溶化型レジ
ストをブラックマトリックスの形状にパターニングして
積層、形成し、さらに下地の露出した金属又は金属酸化
物薄膜をエッチングして、ブラックマトリックスを形成
する工程を用いることを特徴とするカラーフィルタの製
造方法が提供される。

【００２０】

【００２１】また、前記複数色の各色素層を分離、配置
した部分以外の部分上に、保護膜を複数色の各色素層を
分離、配置する工程の前、又は中間に積層、形成するこ
とを特徴とするカラーフィルタの製造方法が提供され
る。

【００２２】また、前記複数色の各色素層を分離、配置
する工程の後に、保護膜及び／又は液晶駆動用電極を積
層、形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方
法が提供される。

【００２３】また、前記複数色の各色素（画素）が、
赤、青、緑の三原色、または三原色及び黒色に対応する
ものであることを特徴とするカラーフィルタの製造方法
が提供される。

【００２４】また、前記複数色の各色素層を分離、配置
するに際し、一つの色の色素層をミセル電解法で製膜し
て形成した後に、紫外線洗浄を行なうことを特徴とする
カラーフィルタの製造方法が提供される。

【００２５】さらに、前記光硬化性レジスト、及び／又
は保護膜を積層、形成する方法が、ミセル電解法、又は
電着法によるものであることを特徴とするカラーフィル
タの製造方法が提供される。

【００２６】以下、従来のカラーフィルムの製造工程及
び本発明の具体的な製造工程を概略説明するとともに、
使用材料について詳細に説明する。

【００２７】１．従来のカラーフィルタの製造工程 工程１：図６１は、ストライプ型色素パターンを有する
カラーフィルタの構成を示す正面図、図６０は、その製
造工程を示す図６１のＸ−Ｙ線断面図である。 （Ａ）：絶縁性基板上に透明導電性薄膜を成膜する。 （Ｂ）：透明導電性薄膜をパターン化する。 （Ｃ）：ＢＬ（黒色）色素含有光硬化性レジスト硬化物
パターンを形成し、ブラックマトリックス及び電極取出
し層を形成する。 （Ｄ）：ミセル電解法製膜により、Ｒ，Ｇ，Ｂ色素層を
製膜形成する。 （Ｅ）：保護膜を形成する。 （Ｆ）：図６０のＡ線で切断する。 （Ｇ）：液晶駆動用透明電極を形成する。 以下、同様にして工程２〜３及び工程１４〜１６につい
て簡略化して説明する。

【００２８】工程２：図６３は、ダイアゴーナル型色素
パターンを有するカラーフィルタの構成を示す正面図、
図６２は、その製造工程を示す図６３のＸ−Ｙ線断面図
である。 絶縁性基板上に金属又は金属酸化物薄膜パターン化（ブ
ラックマトリックス形成）→絶縁膜形成→透明導電性薄
膜成膜→透明導電性薄膜パターン化→光硬化性レジスト
硬化物パターン化（電極取出し層形成）→ミセル電解法
製膜Ｒ，Ｇ，Ｂ色素層形成→保護膜形成→基板カット→
液晶駆動用電極形成

【００２９】工程３：図６５はダイアゴーナル型色素パ
ターンを有するカラーフィルタの構成を示す正面図、図
６４は、その製造工程を示す図６５のＸ−Ｙ線断面図で
ある。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜→透明導電性薄膜パ
ターン化→光硬化性レジスト硬化物パターン化（電極取
出し層形成）→ミセル電解法製膜Ｒ，Ｇ，Ｂ色素層形成
→保護膜形成→基板カット→液晶駆動用透明電極形成→
金属又は金属酸化物薄膜パターン化（ブラックマトリッ
クス形成）

【００３０】工程１４：図６７はトライアングル型色素
パターンを有するカラーフィルタの構成を示す正面図、
図６６は、その製造工程を示す図６７のＸ−Ｙ線断面図
である。 絶縁性基板上に金属又は金属酸化物薄膜パターン形成
（ブラックマトリックス形成）→Ｒ色素含有（分散）レ
ジストパターン形成（Ｒ色素層形成）→Ｇ色素含有（分
散）レジストパターン形成（Ｇ色素層形成）→Ｂ色素含
有（分散）レジストパターン形成（Ｂ色素層形成）→保
護膜形成→液晶駆動用透明電極形成

【００３１】工程１５：図６９はダイアゴーナル型色素
パターンを有するカラーフィルタの構成を示す正面図、
図６８は、その製造工程を示す図６９のＸ−Ｙ線断面図
である。 絶縁性基板上に金属又は金属酸化物薄膜パターン化（ブ
ラックマトリックス形成）→透明導電性薄膜成膜→光可
溶化型レジストパターン形成（Ｒ色素パターン用）→電
着法Ｒ色素含有（分散）電着ポリマーパターン形成→光
可溶化型レジストパターン形成（Ｇ色素パターン用）→
電着法Ｇ色素含有（分散）電着ポリマーパターン形成→
光可溶化型レジストパターン形成（Ｂ色素パターン用）
→電着法Ｂ色素含有（分散）電着ポリマーパターン形成
→光可溶化型レジスト除去→保護膜形成→液晶駆動用透
明電極形成

【００３２】工程１６：図７１はストライプ型色素パタ
ーンを有するカラーフィルタの構成を示す正面図、図７
０は、その製造工程を示す図７１のＸ−Ｙ線断面図であ
る。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜→光可溶化型レジス
トパターン形成（Ｇ色素パターン用）→ミセル電解法製
膜Ｇ色素層形成→光可溶化型レジストパターン形成（Ｂ
色素パターン用）→ミセル電解法製膜Ｂ色素形成→光可
溶化型レジストパターン形成（Ｒ色素パターン用）→ミ
セル電解法製膜Ｒ色素層形成→光可溶化型レジスト除去
→保護膜形成→液晶駆動用透明電極形成

【００３３】２．本発明のカラーフィルタ等の製造工程 以下、代表的な例を示すが、本発明は、以下の例に限ら
れることはない。なお、色素層Ｒ，Ｇ，Ｂの形成の順は
任意である。 工程４：図２は、ストライプ型色素パターンを有する、
カラーフィルタの構成を示す正面図、図１は、その製造
工程を示す図２のＸ−Ｙ線断面図である。 （Ａ）：絶縁性基板上に、透明導電性薄膜を成膜する
（ａ）。 （Ｂ）：ミセル電解法によってＲ色素層を製膜する
（ｂ）。 （Ｃ）透明光硬化性レジストを積層する（ｃ）。 （Ｄ）：光硬化性透明レジスト積層パターンを形成し、
不要部分のＲ色素層もエッチングにより除去する。（Ｒ
色素層の形成）（ｄ）。 （Ｅ）：ミセル電解法によってＢ色素層を形成し、次ぎ
に透明光硬化性レジスト積層パターンを形成し、不要部
分のＢ色素層もエッチングにより除去する（Ｂ色素層形
成）（ｅ）。 （Ｆ）：光可溶化型レジストパターンを形成する（Ｇ色
素層形成用）（ｆ）。 （Ｇ）：ミセル電解法によってＧ色素層を形成する。
（Ｇ色素層形成）（ｇ）。 （Ｈ）：光可溶化型レジストを除去する（ｈ）。 ここで、上記に加えて、（Ｉ）：保護膜（ｉ）及び／又
は（Ｊ）：液晶駆動用透明導電性薄膜の電極（ｊ）を少
なくともＲ，Ｂ，Ｇ色素層上に積層してもよい。また、
三色目（ここでは、Ｇ）の光可溶化型レジストの積層パ
ターン化は、三色目の色素層領域だけでもよいし、一色
目、二色目の色素層の領域を含めた、カラーフィルタの
複数色の色素層の形成される部分（表示部）でもよい。
さらに、カラーフィルタの複数色の色素層の形成される
部分（表示部）を除いた部分に保護膜を積層してもよ
い。その積層は、Ｒ，Ｂ，Ｇ色素層の形成工程の前、ま
たはＲ，Ｂ，Ｇの各色素層の形成工程の間でもよい。以
下、同様に工程５〜工程１３について簡略化して説明す
る。

【００３４】工程５：図４は、トライアングル型色素パ
ターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面図、
図３は、その製造工程を示す図４のＸ−Ｙ線断面図であ
る。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜及びパターン化
（ａ）→ミセル電解法Ｂ色素層形成（ｂ）→光硬化性レ
ジスト積層（ｃ）→光硬化性レジストパターン化及び不
要部分のＢ色素層をエッチングにより除去（Ｂ色素層形
成）（ｄ）→（ｂ），（ｃ），（ｄ）をＲ色素について
繰り返す（Ｒ色素層形成）（ｅ）→光可溶化型レジスト
積層パターン化（ｆ）→ミセル電解法Ｇ色素層の形成
（Ｇ色素層形成）（ｇ）→光可溶化型レジスト除去
（ｈ） ここで、上記に加えて、保護膜及び／又は液晶駆動用透
明電極を少なくともＲ，Ｂ，Ｇ色素層上に積層してもよ
いが、ＳＴＮ方式及びＭＩＭ方式の液晶駆動方式におい
ては、透明導電性薄膜パターン（ストライプ）をして液
晶駆動することができるので、保護膜及び／又は液晶駆
動用透明導電性薄膜を必ずしも積層しなくてもよい。ま
た、三色目（ここでは、Ｇ）の光可溶化型レジストの積
層パターン化は、三色目の色素層領域だけでもよいし、
一色目及び二色目の色素層の領域を含めた、カラーフィ
ルタの複数色の色素層の形成される部分（表示部）でも
よい。さらに、カラーフィルタの複数の色素層の形成さ
れる部分（表示部）を除いた部分に保護膜を積層しても
よい。その積層は、Ｒ，Ｂ，Ｇ色素層の形成工程の前ま
たはＲ，Ｂ，Ｇの各色素層の形成工程の間でもよい。

【００３５】工程６：図１０は、ダイアゴーナル型色素
パターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面
図、図９は、その製造工程を示す図１０のＸ−Ｙ線断面
図である。 絶縁性基板上に金属または金属酸化物薄膜成膜およびパ
ターン化（ブラックマトリックスの形成）（ａ）→透明
導電性薄膜成膜（ｂ）→ミセル電解法Ｇ色素層形成
（ｃ）→光硬化性レジスト積層（ｄ）→光硬化性レジス
トパターン化及び不要部分のＧ色素層エッチングにより
除去（Ｇ色素層形成）（ｅ）→（ｃ），（ｄ），（ｅ）
をＢ色素について繰り返す（Ｂ色素層形成）（ｆ）→光
可溶化型レジスト積層パターン化（ｇ）→ミセル電解法
Ｒ色素層形成（ｈ）→光可溶化型レジスト除去（ｉ） ここで、上記に加えて、保護膜及び／又は液晶駆動用透
明電極を少なくともＲ，Ｂ，Ｇ色素層上に積層してもよ
い。また、三色目（ここでは、Ｒ）の光可溶化型レジス
トの積層パターン化は、三色目の色素層領域だけでもよ
いし、一色目、二色目の色素層の領域を含めた、カラー
フィルタの複数の色素層の形成される部分（表示部）で
もよい。さらに、カラーフィルタの複数の色素層の形成
される部分（表示部）を除いた部分に保護膜を積層して
もよい。その積層は、Ｒ，Ｂ，Ｇ色素層の形成工程の前
またはＲ，Ｂ，Ｇの各色素層の形成工程の間でもよい。

【００３６】工程７：図１２は、トライアングル型色素
パターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面
図、図１１は、その製造工程を示す図１２のＸ−Ｙ線断
面図である。 絶縁性基板上に金属または金属酸化物薄膜成膜およびパ
ターン化（ブラックマトリックスの形成）（ａ）→絶縁
膜積層（ｂ）→透明導電性薄膜成膜およびパターン化
（ｃ）→ミセル電解法Ｂ色素層形成（ｄ）→光硬化性レ
ジスト積層（ｅ）→光硬化性レジストパターン化及び不
要部分のＢ色素層エッチングにより除去（Ｂ色素層形
成）（ｆ）→（ｄ），（ｅ），（ｆ）をＧ色素について
繰り返す（Ｇ色素層形成）（ｇ）→光可溶化型レジスト
積層パターン化（ｈ）→ミセル電解法Ｒ色素層形成
（ｉ）→光可溶化型レジスト除去（ｊ）→保護膜形成
（ｋ） ここで、上記に加えて、液晶駆動用透明電極を少なくと
もＲ，Ｂ，Ｇ色素層上に積層してもよいが、ＳＴＮ方式
及びＭＩＭ方式の液晶駆動方式においては、透明導電性
薄膜パターン（ストライプ）をして液晶駆動することが
できるので、保護膜及び／又は液晶駆動用透明電極を必
ずしも積層しなくてもよい。また、三色目（ここでは、
Ｒ）の光可溶化型レジストの積層パターン化は、三色目
の色素層領域だけでもよいし、一色目及び二色目の色素
層の領域を含めた、カラーフィルタの複数の色素層の形
成される部分（表示部）でもよい。さらに、カラーフィ
ルタの複数の色素層の形成される部分（表示部）を除い
た部分に保護膜を積層してもよい。その積層は、Ｒ，
Ｂ，Ｇ色素層の形成工程の前またはＲ，Ｂ，Ｇの各色素
層の形成工程の間でもよい。

【００３７】工程８：図６は、トライアングル型色素パ
ターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面図、
図５は、その製造工程を示す図６のＸ−Ｙ線断面図であ
る。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜（ａ）→ＢＬ色素含
有光硬化性レジストパターン化（ブラックマトリックス
形成）（ｂ）→ミセル電解法Ｒ色素層形成（ｃ）→光硬
化性レジスト積層（ｄ）→光硬化性レジストパターン化
及び不要部分のＲ色素層エッチングにより除去（Ｒ色素
層形成）（ｅ）→（ｃ），（ｄ），（ｅ）をＢ色素につ
いて繰り返す（Ｂ色素層形成）（ｆ）→光可溶化型レジ
スト積層パターン化（ｇ）→ミセル電解法Ｇ色素層形成
（ｈ）→光可溶化型レジスト除去（ｉ）→保護膜形成
（ｊ）→液晶駆動用透明電極形成（ｋ） ここで、三色目（ここでは、Ｇ）の光可溶化型レジスト
の積層パターン化は、三色目の色素層領域だけでもよい
し、一色目、二色目の色素層の領域を含めた、カラーフ
ィルタの複数色の色素層の形成される部分（表示部）で
もよい。さらに、カラーフィルタの複数の色素層の形成
される部分（表示部）を除いた部分に保護膜を積層して
もよい。その積層は、Ｒ，Ｂ，Ｇ色素層の形成工程の前
またはＲ，Ｂ，Ｇの各色素層の形成工程の間でもよい。

【００３８】工程９：図８は、トライアングル型色素パ
ターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面図、
図７は、その製造工程を示す図８のＸ−Ｙ線断面図であ
る。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜形成及びパターン化
（ａ）→ＢＬ色素含有光硬化性レジストパターン化（ブ
ラックマトリックス形成）（ｂ）→ミセル電解法Ｂ色素
層形成（ｃ）→光硬化性レジスト積層（ｄ）→光硬化性
レジストパターン化及び不要部分のＢ色素層エッチング
により除去（Ｂ色素層形成）（ｅ）→（ｃ），（ｄ），
（ｅ）をＲ色素について繰り返す（Ｒ色素層形成）
（ｆ）→光可溶化型レジスト積層パターン化（ｇ）→ミ
セル電解法Ｇ色素層形成（ｈ）→光可溶化型レジスト除
去（ｉ） ここで、上記に加えて、保護膜及び／又は液晶駆動用透
明電極を少なくともＲ，Ｂ，Ｇ色素層上に積層してもよ
いが、ＳＴＮ方式及びＭＩＭ方式の液晶駆動方式におい
ては、透明導電性薄膜パターン（ストライプ）をして液
晶駆動することができるので、保護膜及び／又は液晶駆
動用透明電極を必ずしも積層しなくてもよい。また、三
色目（ここでは、Ｇ）の光可溶化型レジストの積層パタ
ーン化は、三色目の色素層領域だけでもよいし、一色目
及び二色目の色素層の領域を含めた、カラーフィルタの
複数の色素層の形成される部分（表示部）でもよい。さ
らに、カラーフィルタの複数の色素層の形成される部分
（表示部）を除いた部分に保護膜を積層してもよい。そ
の積層は、Ｒ，Ｂ，Ｇ色素層の形成工程の前またはＲ，
Ｂ，Ｇの各色素層の形成工程の間でもよい。また、工程
８、９において、ＢＬ色素含有光硬化性レジストパター
ン化すなわちブラックマトリックスの形成は、Ｒ，Ｇ，
Ｂ色素層の形成工程の前の他に、Ｒ，Ｂ，Ｇの各色素層
の形成工程の間でもよいし、Ｒ，Ｇ，Ｂ色素層形成工程
終了後でもよい。

【００３９】工程１０：図１４は、ダイアゴーナル型色
素パターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面
図、図１３は、その製造工程を示す図１４のＸ−Ｙ線断
面図である。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜（ａ）→金属または
金属酸化物薄膜成膜（ｂ）→光硬化性レジストパターン
化及び金属および金属酸化物薄膜エッチング（ブラック
マトリックスの形成）（ｃ）→光可溶化型レジスト積層
パターン化（ｄ）→ミセル電解法Ｒ色素層形成（Ｒ色素
層形成）（ｅ）→光可溶化型レジストパターン化（ｆ）
→ミセル電解法Ｇ色素層形成（ｇ）→光可溶化型レジス
トパターン化（ｈ）→ミセル電解法Ｂ色素層形成（ｉ）
→光可溶化型レジスト除去（ｊ）→保護膜形成（ｋ）→
液晶駆動用透明電極形成（ｌ） また、各色素層形成毎に、光可溶化型レジストを除去し
てもよい。

【００４０】工程１１：図１６は、ダイアゴーナル型色
素パターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面
図、図１５は、その製造工程を示す図１６のＸ−Ｙ線断
面図である。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜（ａ）→金属または
金属酸化物薄膜成膜（ｂ）→光硬化性レジストパターン
化及び金属または金属酸化物薄膜エッチング（ブラック
マトリックスの形成）（ｃ）→ミセル電解法Ｒ色素層形
成（ｄ）→光硬化性レジスト積層（ｅ）→光硬化性レジ
ストパターン化及び不要部分のＲ色素膜エッチング（Ｒ
色素層形成）（ｆ）→（ｄ），（ｅ），（ｆ）をＢ色素
について繰り返す（Ｂ色素層形成）（ｇ）→光可溶化型
レジスト積層パターン化（ｈ）→ミセル電解法Ｇ色素層
形成（ｉ）→光可溶化型レジスト除去（ｊ）→保護膜形
成（ｋ）→液晶駆動用透明電極形成（ｌ） ここで、三色目（ここでは、Ｇ）の光可溶化型レジスト
の積層パターン化は、三色目の色素層領域だけでもよい
し、一色目及び二色目の色素層の領域を含めた、カラー
フィルタの複数の色素層の形成される部分（表示部）で
もよい。さらに、カラーフィルタの複数の色素層の形成
される部分（表示部）を除いた部分に保護膜を積層して
もよい。その積層は、Ｒ，Ｂ，Ｇ色素層の形成工程の前
またはＲ，Ｂ，Ｇの各色素層の形成工程の間でもよい。

【００４１】工程１２：図１８は、ダイアゴーナル型色
素パターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面
図、図１７は、その製造工程を示す図１８のＸ−Ｙ線断
面図である。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜（ａ）→金属または
金属酸化物薄膜パターン化（ブラックマトリックスの形
成）（ｂ）→光可溶性レジストパターン化（ｃ）→ミセ
ル電解法Ｒ色素層形成（Ｒ色素層形成）（ｄ）→光可溶
化型レジストパターン化（ｅ）→ミセル電解法Ｇ色素層
形成（Ｇ色素層形成）（ｆ）→光可溶化型レジストパタ
ーン化（ｇ）→ミセル電解法Ｂ色素層形成（Ｂ色素層形
成）（ｈ）→光可溶化型レジスト除去（ｉ）→保護膜形
成（ｊ）→液晶駆動用透明電極形成（ｋ） また、各色素層形成毎に、光可溶化型レジストを除去し
てもよい。

【００４２】工程１３：図２０は、ダイアゴーナル型色
素パターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面
図、図１９は、その製造工程を示す図２０のＸ−Ｙ線断
面図である。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜（ａ）→金属または
金属酸化物薄膜パターン化（ブラックマトリックスの形
成）（ｂ）→ミセル電解法Ｒ色素層形成（ｃ）→光硬化
性レジスト積層（ｄ）→光硬化性レジストパターン化及
び不要部分のＲ色素膜エッチング（Ｒ色素層形成）
（ｅ）→（ｃ），（ｄ），（ｅ）をＢ色素について繰り
返す（Ｂ色素層形成）（ｆ）→光可溶化型レジストパタ
ーン化（ｇ）→ミセル電解法Ｇ色素層形成（ｈ）→光可
溶化型レジスト除去（Ｇ色素層形成）（ｉ）→保護膜形
成（ｊ）→液晶駆動用透明電極形成（ｋ） ここで、三色目（ここでは、Ｇ）の光可溶化型レジスト
の積層パターン化は、三色目の色素層領域だけでもよい
し、一色目及び二色目の色素層の領域を含めた、カラー
フィルタの複数の色素層の形成される部分（表示部）で
もよい。さらに、カラーフィルタの複数の色素層の形成
される部分（表示部）を除いた部分に保護膜を積層して
もよい。その積層は、Ｒ，Ｂ，Ｇ色素層の形成工程の前
またはＲ，Ｂ，Ｇの各色素層の形成工程の間でもよい。

【００４３】２．使用材料及びその使用方法 以下、本発明で使用される各種材料及びその使用方法に
ついて詳細に説明する。 （１）絶縁性基板 本発明で用いる絶縁性基板としては、特に制限はなく、
ガラス板やプラスチック板を用いることができる。具体
的に、ガラス板としては、低膨張ガラス、無アルカリガ
ラス（コーニング社製７０５９，ＨＯＹＡ製ＮＡ４
５），石英ガラス，ソーダライムガラス等を挙げること
ができる。プラスチック板としては、ポリエチレンテレ
フタレートなどのプラスチック板を挙げることができ
る。中でも、ガラス板が好適で、その研磨品が特に好ま
しいが無研磨品でもよい。

【００４４】（２）透明導電性薄膜 透明導電性薄膜としては、ミセル化剤のフェロセン誘導
体の酸化電位より貴な金属または導電体を挙げることが
できる。具体的には、インジウムとスズの混合酸化物
（ＩＴＯ），二酸化スズ，透明導電性ポリマーを挙げる
ことができる。透過率は９５％以上（薄膜のみ）、膜厚
は１００〜２０００⌒、シート抵抗は５００Ω／□以下
であることが好ましい。その形成方法は、特に制限はな
く、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法、コーティング法、
パイロゾル法等により、絶縁性基板上の、少なくとも複
数色の色素層の形成される領域に形成するか、少なくと
も複数色の色素層の形成される領域を含むパターンに対
応する領域に形成される。具体的には、絶縁性基板上平
面的に見て、全面でもよいし、マスキング（例：図３
６）の手法により、少なくともカラーフィルタの複数色
の色素層の形成される領域に形成する。また、この透明
導電性薄膜を、所定のマスク（例：図２５）を介して、
フォトリソグラフィー法などで、例えば少なくともカラ
ーフィルタの複数色の色素層の形成される領域を含むパ
ターンに対応する領域に形成する。

【００４５】（３）ブラックマトリックス ブラックマトリックスとしては、金属又は金属酸化物薄
膜、黒色色素含有光硬化性レジスト硬化物、ミセル電解
法製膜黒色色素層等を用いることができる。具体的に、
金属又は金属酸化物薄膜としては、クロム（Ｃｒ）、ニ
ッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）等の金属又は、その酸化
物、並びに、上記金属又は金属酸化物の混合物を挙げる
ことができる。光学濃度は３．０以上（膜厚０．０５〜
０．５μｍ）であることが好ましい。その形成方法につ
いては特に制限はなく、スパッタリング法、蒸着法、Ｃ
ＶＤ法等により絶縁性基板を平面的に見て、全面か、マ
スキングの方法により少なくともブラックマトリックス
と複数色の色素層の形成される領域を含んだ全面に上記
金属または金属酸化物薄膜を成膜後、フォトリソグラフ
ィー法によりパターニングを行う（一般的には、光可溶
化型レジスト塗布→露光（ブラックマトリックス形成用
マスク使用）→現像→ポストベーク→金属又は金属酸化
物薄膜のエッチング→光可溶化型レジスト除去）方法を
挙げることができる。

【００４６】黒色色素含有光硬化性レジスト硬化物とし
ては、下記のものを用いることができる。黒色色素とし
ては、カーボンブラック、チタンブラック、アニリンブ
ラック又はコバルトや鉄、又はその酸化物のうち、単品
およびそのすくなくとも二種以上を混合してなる顔料お
よび顔料混合物（Ａ）、及び黒色，赤色，青色，緑色，
紫色，シアニン，マゼンタ有機顔料（主にミセル電解法
製膜色素層に用いられる顔料を使用してもよい）のう
ち、少なくとも二種以上を混合してなる擬似黒色化顔料
混合物（Ｂ）、並びに（Ａ）及び（Ｂ）の混合物（特開
平４−１３１０６号，特開平４−１９０３６２号）を挙
げることができる。

【００４７】光硬化性レジストとしては、アクリル、メ
タクリル酸誘導体とその共重合体（バインダー）の混合
物を挙げることができる。上記アクリル、メタクリル酸
誘導体にエポキシ基、シロキサン基、ポリイミド前駆体
を導入したものであってもよい。光開始剤としては、ト
リアジン系、アセトフォノン系、ベンジイン系、ベンゾ
フェノン系、チオキサンソン系等を挙げることができ
る。分散剤としては非イオン性、イオン性界面活性剤、
有機顔料誘導体、ポリエステル系の単品および二種以上
の混合物を挙げることができる。溶剤としてはシクロヘ
キサノン等のケトン類、およびセロソルブアセテート等
のエステル類の単品および二種以上の混合物を挙げるこ
とができる。

【００４８】以上を混合、分散、瀘過後、フォトリソグ
ラフィー法によりパターニングを行う。一般的には、上
記レジストを塗布し、必要に応じて酸素遮断膜（ポリビ
ニルアルコール）を塗布し、露光し（ブラックマトリッ
クス形成用マスク使用）、現像し、ポストベークする。
なお、基板の裏面より露光する（バック露光）により、
ブラックマトリックス形成用マスクを使用する必要がな
い場合もある。例えば、ＲＧＢ色素層（色素パターン）
がすでに形成されている場合には、ＲＧＢ色素層をブラ
ックマトリックス形成用のマスクとすることができる。
光学濃度は、２．０以上（膜厚１．０μｍ）であること
が好ましい。具体的な商品名としては、ＣＫ−２０００
（富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製）、Ｖ
−２５９ブラック（新日鉄社製）等を挙げることができ
る。

【００４９】ミセル電解法製膜黒色色素層としては下記
のものを挙げることができる。黒色色素としてはカーボ
ンブラック、チタンブラック、アニリンブラック、又
は、コバルトや鉄又はその酸化物のうち単品および、す
くなくとも二種以上を混合してなる顔料および顔料混合
物（Ａ）、及び黒色，赤色，青色，緑色，紫色，シアニ
ン，マゼンタ有機顔料（主にミセル電解法製膜色素層に
用いられる顔料を使用してよい）のうち、少なくとも二
種以上を混合してなる擬似黒色顔料混合物（Ｂ）、並び
に（Ａ）と（Ｂ）の混合物。以上をミセル電解法で製膜
する。

【００５０】色素層の形成は、導電性薄膜上にミセル電
解法で黒色色素層を製膜し、さらに光硬化性レジストを
積層して、フォトリソグラフィー法によりブラックマト
リックスの形状でレジストのパターニングと色素層のエ
ッチングにより得ることができる（特願平４−２６５４
２２号，５−１４４３２０号））。また、導電性薄膜上
に光可溶化型レジストを積層し、フォトリソグラフィー
法によりブラックマトリックスの形状でレジストのパタ
ーニングを行い、露出した導電性薄膜上にミセル電解法
で黒色色素層を製膜して得ることができる（特願平５−
９１９９６号）。また、すでにＲＧＢの色素層が形成さ
れていれば、その間隙にミセル電解法で黒色色素膜を製
膜しても得ることができる（特願平４−２６５４２２
号）。光学濃度は２．５以上（膜厚１．０μｍ）である
ことが好ましい。

【００５１】以上のブラックマトリックスの形状は、複
数色の色素層間での漏れ光によるコントラストと色純度
との低下を防止する役割を果たすために、少なくとも色
素層間の間隙に存在しなければならない。各色素層がブ
ラックマトリックスと一部重なるようにするのがより好
ましい。さらに、ブラックマトリックスの領域が絶縁性
基板上の複数色の色素層の存在しない部分（カラーフィ
ルタの表示部外周辺部）にも存在する形状としてもよ
い。

【００５２】（４）透明光硬化性レジスト 本発明に用いられる透明光硬化性レジストとしては、紫
外光（ｉ線、ｇ線、ｈ線）などにおける露光部分が重
合、架橋、硬化するものであって、透明性の高いものほ
どよい。具体的には、たとえばアクリル、メタクリル酸
誘導体と、その共重合体（バインダー）の混合物を挙げ
ることができる。このアクリル、メタクリル酸誘導体と
しては、エポキシ基、シロキサン基、ポリイミド前駆体
を導入したものを好適に用いることができる。光開始剤
としては、トリアジン系、アセトフェノン系、ベンジイ
ン系、ベンゾフェノン系、チオキサンソン系等を好適に
用いることができる。溶剤としては、シクロヘキサノン
等のケトン類、セロソルブアセテート等のエステル類の
単品及び二種以上の混合物を挙げることができる。これ
らを混合、分散、濾過してレジストを調整する。

【００５３】具体的な商品名としては、ＣＴ（富士ハン
トエレクトロニクステクノロジー社製）、Ｖ−２５９Ｐ
Ａ（新日鐵社製）、ＪＮＰＣ０６，ＪＮＰＣ０９，ＪＮ
ＰＣ１６（ＪＳＲ社製）、ＣＦＧＲ（東京応化社製）、
及びフォトニースＵＲ３１００（東レ社製）等を挙げる
ことができる。透明光硬化性レジスト硬化物の膜厚と透
過率は、膜厚０．１〜４．０μｍ，透過率９０％以上／
４６０ｎｍが好ましい。なお透過率はレジスト膜のみの
値である。

【００５４】（５）光可溶化型レジスト 本発明に用いられる光可溶化型レジストとしては、特に
制限はなく、紫外線（ｉ線、ｇ線、ｈ線）などにおける
露光部分が現像液で溶出するものであればよい。具体的
には、ジアゾニウム塩とパラフォルムアルデヒド縮重合
物を含む感光性樹脂組成物（特公昭３８−１１３６５
号，米国特許１７６２０３３号記載など）、オルト−キ
ノンジアジド類、またはオルト−ジアゾオキシド類を含
む感光性樹脂組成物（特公昭３７−３６２７号，特公昭
４３−２８４０３号，特公昭４５−９６１０号記載な
ど）、アルカリ可溶性アジドポリマーを含む感光性樹脂
組成物（特公昭４０−２８４９９号，特公昭４５−２２
０８５号，英国特許第８４３５４１号記載など）、水ま
たはアルカリ水溶液で現像可能なアジド化合物を含む感
光性樹脂組成物（特公昭４１−７１００号，特公昭４４
−２８７２５号，米国特許第２，６９２，８２６号，特
公昭４５−２２０８２号記載など）、及び、カルボン酸
のｔｅｒｔ−ブチルエステルまたはフェノールのｔｅｒ
ｔ−ブチルカルボナートよりなる酸に不安定な枝分かれ
した基を有する重合体と露光時に酸を生じる光重合開始
剤（オニウム塩）とを含むポジ型感光性樹脂組成物等を
挙げることができる。具体的な商品名としては、例え
ば、ＨＰＲ２０４、ＦＨ２１３０等（富士ハントエレク
トロニクステクノロジー社製）、ＯＦＰＲ（東京応化社
製）を挙げることができる。

【００５５】（６）ミセル電解法製膜色素層 赤色（Ｒ）色素層としては、ペリレン系顔料、レーキ顔
料、アゾ系顔料、ジスアゾ系顔料、キナクリドン系顔
料、アントラキノン系顔料、アントラセン系顔料、イソ
インドリン系顔料、イソインドリノン系顔料等の単品又
は少なくとも二種以上の混合物を挙げることができる。
緑色（Ｇ）色素層としては、ハロゲン多置換フタロシア
ニン系顔料、ハロゲン多置換銅フタロシアニン系顔料、
トリフェニルメタン系塩基性染料、イソインドリン系顔
料、イソインドリノン系顔料、アゾ顔料、ジスアゾ顔料
系等の単品又は少なくとも二種以上の混合物を挙げるこ
とができる。青色（Ｂ）色素層としては、銅フタロシア
ニン系顔料、フタロジアニン系顔料、インダンスロン系
顔料、インドフェノール系顔料、シアニン系顔料、ジオ
キサジン系顔料等の単品又は少なくとも二種以上の混合
物を挙げることができる。黒色（ＢＬ）色素層として
は、前述のブラックマトリックスの説明で挙げたものを
用いることができる。上記の色素層をミセル電解法で製
膜する。

【００５６】それぞれの色素層の膜厚と透過率は下記と
することが好ましい。赤色（Ｒ）は、膜厚が０．５〜
１．５μｍ（透過率が６０％以上／６１０ｎｍ），緑色
（Ｇ）は、膜厚が０．５〜１．５μｍ（透過率が６０％
以上／５４５ｎｍ），青色（Ｂ）は、膜厚が０．２〜
１．５μｍ（透過率が６０％以上／４６０ｎｍ）。な
お、透過率は色素層のみの値による。

【００５７】ミセル電解法の条件としては、前記色素
（顔料または染料）、光硬化性レジスト又は後述の熱硬
化性樹脂を、フェロセン誘導体からなる界面活性剤（ミ
セル化剤）を用い水性媒体中に分散させて、ミセル分散
液を調製する。この際に用いられる水性媒体としては、
水をはじめ、水とアルコールとの混合液、水とアセトン
との混合液など種々の媒体を挙げることができる。ミセ
ル化剤（フェロセン誘導体界面活性剤）の代表例として
以下のものを挙げることができる。

【００５８】

【化１】

【００５９】なお、フェロセン誘導体としては、このほ
か国際公開ＷＯ８９／０１９３号明細書、特開平１−４
５３７０号公報、特開平１−２２６８９４号公報、特開
平２−８３３８７号公報、特開平２−２５０８９２号公
報などに記載された方法によって製造されるものを使用
することができる。本発明の方法においては、界面活性
剤（ミセル化剤）として前記フェロセン誘導体を１種用
いてもよいし、２種以上を組合せてもよく、また、所望
により、前記フェロセン誘導体と他の界面活性剤とを組
み合せて用いてもよい。他の界面活性剤としては、ポリ
オキシエチレンアルキルエーテル，ポリオキシエチレン
脂肪酸エステル，ポリオキシエチレンアルキルフェニル
エーテル，ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンア
ルキルエーテル等の非イオン性界面活性剤、アルキル硫
酸塩，ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩，塩
化アルキルトリメチルアンモニウム，脂肪酸ジエチルア
ミノエチルアミド等のカチオン性およびアニオン性界面
活性剤を挙げることができる。

【００６０】ミセル分散液の調製は、たとえば下記のよ
うにする。水性媒体中に前記フェロセン誘導体、所望に
応じて用いられる他の界面活性剤および所望の前記色素
（顔料又は染料）、光硬化性レジスト、又は熱硬化性樹
脂を入れて、メカニカルホモジナイザー，超音波ホモジ
ナイザー，ボールミル，サンドミル，スターラーなどに
より十分攪拌する。この操作で顔料は界面活性剤の作用
で、水媒体中に均一に分散またはミセル化して、分散液
またはミセル溶液となる。この際のミセル化剤の濃度に
ついては、特に制限はないが、通常は該フェロセン誘導
体および所望により用いられる他の界面活性剤の合計濃
度が臨界ミセル濃度以上、好ましくは０．１ミリモル／
リットル〜１モル／リットルの範囲で選ばれる。一方、
顔料濃度は通常１〜５００グラム／リットルの範囲で選
ばれる。

【００６１】また、水性媒体の電気伝導度を調節するた
めに、支持塩（支持電解質）を必要に応じて加えること
ができる。この支持塩の添加量は、分散している顔料の
析出を妨げない範囲であればよく、通常は０．０５〜１
０モル／リットルの範囲で選ばれる。

【００６２】この支持塩を加えずに電解を行うこともで
きるが、この場合支持塩を含まない純度の高い薄膜（色
素層）が得られる。また支持塩を用いる場合、その支持
塩の種類は、ミセルの形成や、電極への前記顔料の析出
を妨げることなく、水性媒体の電気伝導度を調節しうる
ものであれば特に制限はない。

【００６３】具体的には、一般に広く支持塩として用い
られている硫酸塩（リチウム，カリウム，ナトリウム，
ルビジウム，アルミニウムなどの塩），酢酸塩（リチウ
ム，カリウム，ナトリウム，ルビジウム，ベリリウム，
マグネシウム，カルシウム，ストロンチウム，バリウ
ム，アルミニウムなどの塩）、更にはアンモニウム塩な
どが好適であり、例えば、ＬｉＢｒ，ＫＣｌ，Ｌｉ₂Ｓ
Ｏ₄，（ＮＨ₄）ＢＦ₄などが挙げられる。

【００６４】このようにして、前記赤色色素（顔料又は
染料），緑色色素（顔料又は染料），青色色素（顔料又
は染料）および黒色色素（顔料）を、それぞれを分散し
た４種のミセル分散液を調製する。なお、混合顔料のミ
セル分散液は、水性媒体中に混合すべき顔料をミセル化
剤とともに一度加え、分散させることにより調製しても
よいし、又は水性媒体中に混合すべき単一顔料をミセル
化剤とともに加え、分散させて得られたそれぞれのミセ
ル分散液を混合させることにより、調製してもよい。

【００６５】ミセル電解法製膜は、たとえば下記のよう
にする。前記のミセル分散液のいずれか一つに、例えば
透明導電性薄膜がその少なくとも複数色の色素層の形成
される領域に形成された絶縁性基板を挿入し、これを通
電してミセル電解を行いこの基板の透明導電性薄膜上に
所望の色素層を形成する。

【００６６】電解条件は、各種状況に応じて適宜選べば
よいが、通常液温は０〜９０℃、好ましくは１０〜７０
℃の範囲で選ぶことができ、電圧は０．０３〜１．５
Ｖ、好ましくは０．１〜０．９Ｖの範囲で選ぶことがで
きる。また、電流密度は通常１０ｍＡ／ｃｍ²以下好ま
しくは５０〜３００μＡ／ｃｍ²の範囲で選ぶことがで
きる。この電解処理を行うと、ミセル電解法の原理にし
たがった反応が進行する。これをフェロセン誘導体のＦ
ｅイオンの挙動に着目すると陽極ではフェロセンのＦｅ
²⁺がＦｅ³⁺となって、ミセルが崩壊し、顔料粒子又は染
料が陽極（透明導電性薄膜）上に析出する。一方、陰極
では陽極で酸化されたＦｅ³⁺がＦｅ²⁺に還元されてもと
のミセルに戻るので、繰り返し同じ溶液で製膜操作を行
うことができる。各色素層の膜厚および透過率は、上記
の電圧の範囲において、電解時間を操作すれば、コント
ロールすることができる。次に、ミセル電解処理により
形成された色素層は、通常純水などで洗浄された後、室
温での風乾を行ってもよいし、必要に応じて２００℃ま
での温度範囲で加熱処理を行ってもよい。

【００６７】さらに、前記光硬化性レジストまたは熱硬
化性樹脂のミセル分散液に、色素層の形成された基板を
挿入し、これを通電してミセル電解を行いこの基板の色
素層上に所望の光硬化性レジスト膜または熱硬化性樹脂
膜（保護膜）を積層する。色素層は多孔質であり、下地
の透明導電性薄膜と光硬化性レジストまたは熱硬化性樹
脂のミセル分散液が導通するため、光硬化性レジスト膜
または熱硬化性樹脂膜を、ミセル電解法により色素層上
に積層することが可能である。電解は、色素（顔料又は
染料）と同様の条件で行われ、ミセル電解法の原理を適
用することができる。ただし、光硬化性レジストまたは
熱硬化性樹脂膜が積層され、色素層の空隙を埋めてくる
と、だんだん色素層の導電性を失う。その結果、色素層
を含めた光硬化性レジスト膜、熱硬化性樹脂膜のシート
抵抗が１０⁹Ω／□以上となると製膜不能となる。した
がって、色素層を含めた光硬化性レジスト膜または熱硬
化性樹脂膜の膜厚は、色素層の膜厚でコントロールされ
る。次に、ミセル電解処理により形成されたレジスト膜
は、通常純水などで洗浄された後、室温での風乾を行っ
てもよいし、必要に応じて１５０℃までの温度範囲で加
熱処理を行ってもよい。一方、熱硬化性樹脂膜は保護膜
として使われるため、通常純水などで洗浄された後、室
温での風乾を行ってもよいし、必要に応じて１５０℃ま
での温度範囲で加熱処理を行った後、１５０〜３００℃
の加熱処理を行って、完全に熱硬化する。なお、光硬化
性レジストまたは熱硬化性樹脂の積層は、ミセル電解法
のみなず電着法でも可能であるが、いずれの方法におい
ても、色素層を含む光硬化性レジスト膜中の色素（顔料
又は染料）の割合が多いため、形成したカラーフィルタ
の耐光性を低下させない。

【００６８】（７）カラーフィルタの複数色の色素層の
形成 上記基板（透明導電性薄膜およびブラックマトリックス
を積層した絶縁性基板）と、ミセル電解法製膜、透明光
硬化性レジスト、光可溶化型レジストを用いて、カラー
フィルタの複数色の色素層を形成することが可能であ
る。まず、本発明に用いられる工程群Ａについて説明す
る。すなわち、絶縁性基板上の、少なくともカラーフィ
ルタの複数色の色素層の形成される領域に成膜された透
明導電性薄膜または、少なくともカラーフィルタの複数
色の色素層の形成される領域を含むパターンに対応する
領域に形成された透明導電性薄膜上において、複数色の
うち一つの色素（例えばＲ）を透明導電性薄膜上にミセ
ル電解法で製膜する（ａ１）。次いで、光硬化性レジス
トをスピンコートおよびロールコート、先のミセル電解
法、光硬化性電着ポリマーを利用した電着法（特開平４
−１０４１０２号）によりＲ色素層上に積層塗布して、
Ｒ色素層に対応するマスクを介して露光し、未露光部分
の光硬化性レジストと色素層をエッチングする（ａ
２）。ここで光硬化性レジスト（熱硬化性樹脂も同様）
の膜厚は、スピンコートおよびロールコートの場合に
は、レジストの粘度およびスピンコートの回転数、回転
時間によってコントロールし、ミセル電解法および電着
法の場合には、絶縁化された時点が積層の終点となる。
従って、カラーフィルタの色素層の膜厚は、ロールコー
トまたはスピンコートの場合には、色素層と光硬化性レ
ジストの膜厚の和からレジストの色素層への浸透分を差
し引いた分であり、ミセル電解法または電着法の場合に
はほとんど色素層の膜厚に近い。次に、露光は、コンタ
クト露光、プロキシミティー露光、ミラープロジェクシ
ョン、ステッパーのどの方式でもよく、使用したレジス
トの分光感度に応じた露光を行えばよい。露光エネルギ
ーは、例えばｉ線（３６５ｎｍ）の場合には２０〜６０
０ｍＪ／ｃｍ²が一般的である。次に、現像液を噴霧
し、露光されていない部分の光硬化性レジストを溶解さ
せ、さらに下層の色素層を純水シャワー、高圧純水シャ
ワー、ブラシスクラブ、超音波純水シャワー等の方法に
よりリンスと同時にエッチングして、露光部の色素層と
積層した光硬化性レジストを残し、さらに１５０〜３０
０℃のオーブンもしくはホットプレートにより加熱し
て、色素層と積層した光硬化性レジストを完全に硬化さ
せる。現像液は、レジストに対応する一般的なものが用
いられ、例えば有機系としては、テトラメチルアンモニ
ウムハイドロキシド（ＴＭＡＨ）などの第四級アミンの
の水溶液が、無機系としては、炭酸ナトリウム、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化
物、アルカリ金属塩の水溶液が用いられ、温度は室温か
ら８０℃のものが使用される。また上層の光硬化性レジ
ストの露光後の現像およびリンス処理により、光硬化性
レジストのみパターニングし、先の加熱処理にて硬化さ
せた後に露出した色素層を例えば先の現像液のほかに有
機溶剤（エタノール、アセトン）あるは、界面活性剤等
で処理してエッチングしてもよい。ここで、色素層のエ
ッチングの方法は、先のウエットエッチングだけでな
く、ＵＶ／オゾン、プラズマ、スパッタ、イオンビーム
などのドライエッチングも可能であるし、ウエットエッ
チングとドライエッチングを適宜併用してもよい。この
ような工程を複数色のさらに別の色素（例えばＢＧ）に
ついても同様に行う。

【００６９】次に、本発明に用いられる工程群Ｂについ
て説明する。すなわち、絶縁性基板上の、少なくともカ
ラーフィルタの複数色の色素層の形成される領域に成膜
された透明導電性薄膜または、少なくともカラーフィル
タの複数色の色素層の形成される領域を含んで、たとえ
ば、ストライプ状にパターニングされた透明導電性薄膜
上において、光可溶化型レジストをスピンコートおよび
ロールコートにより積層塗布して、さらに複数色のうち
の一つの色素（例えばＲ）層に対応するマスクを介して
露光し、露光した部分の光可溶化型レジストを常法によ
り現像、リンスして除去し（ｂ１）、さらにＲ色素層を
光可溶化型レジストを除去し露出した透明導電性薄膜上
にミセル電解法で製膜し、Ｒ色素層を形成する（ｂ
２）。この工程を複数色のさらに別の色素（例えばＢ
Ｇ）についても同様に行う。ここで露光、現像は光硬化
性レジストと同様である。最後に、残存する光可溶化型
レジスト全てを一般に用いられているレジスト剥離剤、
例えば第四級アミンなどのアミン類の溶液、ジメチルス
ルホキサイド（ＤＭＳＯ）、ジメチルフォルムアミド
（ＤＭＦ）などの溶媒を用いて室温から１６０℃程度で
処理して剥離（除去）する（ｂ３）。また、光可溶化型
レジストの剥離は、各色素層を形成する毎に行ってもよ
い。なお、光可溶化型レジストをより除去しやすいよう
にレジスト剥離剤にさらす前に２０〜８００ｍＪ／ｃｍ
²の例えばｉ線露光を光可溶化型レジスト上に行うのが
より好ましい。

【００７０】本発明では、上記二つの色素層の形成法
（工程群Ａ、工程群Ｂ）を組み合わせて、所望の複数色
の色素層を平面的に配置したカラーフィルタを得ること
ができる。この場合、単色の各色素層は工程群Ａ又は工
程群Ｂのいずれかを用いて形成され、全ての色素層を、
工程群Ａのみで形成することはない。また、絶縁性基板
上において、少なくともカラーフィルタの複数色の色素
層の形成される領域に透明導電性薄膜を製膜し、次いで
少なくともカラーフィルタのブラックマトリックスと複
数色の色素層の形成される領域に金属または金属酸化物
薄膜を成膜する。そして、光硬化性レジストをブラック
マトリックスの形状でフォトリソグラフィー法にて常法
によりパターニングし、さらに下地の露出した金属また
は金属酸化物薄膜を硝酸セリウムアンモニウムと過塩素
酸の混合水溶液などでエッチングして、ブラックマトリ
ックスを形成する。また、金属または金属酸化物薄膜上
に光可溶化型レジストをブラックマトリックスの形状で
フォトリソグラフィー法にて常法によりパターニング
し、さらに下地の露出した金属または金属酸化物薄膜を
硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合水溶液など
でエッチングし、さらに上記で記載したレジスト剥離剤
を用いて、同様に光可溶化型レジストを剥離して、ブラ
ックマトリックスを形成する。このようにして作製した
基板を用いた場合には、複数色の色素層の集合体を工程
群Ａおよび工程群Ｂ、又は工程群Ｂのみをくりかえし用
いて、所望の複数色の色素層を平面的に配置したカラー
フィルタを得ることができる。

【００７１】（８）絶縁膜 絶縁膜は、透明導電性薄膜と金属または金属酸化物薄膜
（ブラックマトリックス）との電気的導通を防ぐために
用いられ、たとえば、ストライプ状にパターニングされ
た透明導電性薄膜とブラックマトリックスとの間に介在
して電気的絶縁を行う。絶縁性の黒色色素含有光硬化性
レジスト硬化物のブラックマトリックス（特開平４−１
３１０６号，特開平４−１９０３６２号）を用いる場合
は、絶縁膜は必要としない。本発明に用いられる絶縁膜
としては、透明光硬化性レジストの硬化物、透明熱硬化
性樹脂等を好適に用いることができ、また、絶縁膜と透
明導電性薄膜、絶縁膜と金属または金属酸化物薄膜との
密着性を高めるために、シリカ、アルミナ、チタニア等
の透明な無機酸化物の薄膜を接着面に介在させることが
さらに好ましい。ここで、光硬化性レジストとしては前
述のものを用いることができる。熱硬化性樹脂として
は、例えば、アクリル、メタクリル酸誘導体とその共重
合体（バインダー）の混合物を挙げることができる。ま
た、上記アクリル、メタクリル酸誘導体にエポキシ基、
シロキサン基、ポリイミド前駆体を導入したものを好適
に用いることができる。開始剤としては、トリアジン
系、アセトフェノン系、ベンジイン系、ベンゾフェノン
系、チオキサンソン系等を挙げることができる。溶剤と
しては、シクロヘキサノンなどのケトン類、セロソルブ
アセテートなどのエステル類の単品および二種以上の混
合物を挙げることができる。以上を混合、分散、濾過し
て、透明な熱硬化性樹脂を調製する。このような光硬化
性レジストまたは熱硬化性樹脂を、ロールコートまたは
スピンコート、オフセット印刷により、少なくともブラ
ックマトリクスの形状でパターニングされた金属または
金属酸化物薄膜上を含む全面に塗布し、オーブンやホッ
トープレートで１５０〜３００℃で加熱熱硬化させて、
絶縁膜を形成する。具体的な商品名としては、オプトマ
ーＳＳ７２６５，ＪＨＲ−８４８４、ＪＳＳ−８１９、
ＪＳＳ７１５（ＪＳＲ社製）、ＯＳ−８０８（長瀬産業
社製），ＬＣ２００１（三洋化成社製）、Ｖ−２５９Ｐ
Ａ（新日鉄化学社製）、ＣＴ（富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製）等を挙げることができる。透明
光硬化性レジスト硬化物又は透明熱硬化性樹脂硬化物の
膜厚と透過率は、膜厚０．１〜４．０μｍ，透過率９０
％以上／４６０ｎｍが好ましい。なお、透過率は前記硬
化物のみの値である。膜厚については、透明光硬化性レ
ジストは透明熱硬化性樹脂剤の粘度およびスピンコート
の回転数、回転時間によりコントロール可能である。

【００７２】無機酸化物薄膜としては、アルミナ、シリ
カ、チタニア等を挙げることができる。上記透明熱硬化
性樹脂に分散して上記のように塗布してもよいし、スパ
ッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法、にて独立に成膜してもよ
い。無機酸化物薄膜の膜厚と透過率は、膜厚０．０１〜
３．５μｍ，透過率９０％以上／４６０ｎｍが好まし
い。なお、透過率は前記薄膜のみの値である。

【００７３】（９）保護膜 保護膜は、複数色の色素層を平面的に配置したのち、色
素層の基板への接着性、色素層間の膜厚段差を低減する
（平坦性を高める）ため、または所望の場所だけにミセ
ル電解法で色素層を製膜するために、積層形成すること
が好ましい。本発明に用いられる保護膜は、例えば、透
明光硬化性レジスト、及び透明熱硬化性樹脂剤を用いて
形成することができる。透明光硬化性レジストとして
は、前述のものを用いることができる。ロールコートま
たはスピンコート、オフセット印刷などで、少なくとも
複数色の色素層の形成された領域に、積層塗布し、オー
ブンやホットープレートで１５０〜３００℃で加熱硬化
させて、保護膜を形成することができる。または、ロー
ルコート又はオフセット印刷などで、複数色の色素層の
形成工程の前または、各形成工程の間で、少なくともカ
ラーフィルタの複数色の色素層の形成される領域（表示
部）を除いた部分に積層塗布し、オーブンやホットープ
レートで１５０〜３００℃で加熱硬化させて、保護膜を
形成することもできる。また、ロールコートまたはスピ
ンコート、オフセット印刷などで複数色の色素層の形成
された領域を含む基板全面に塗布し、フォトリソグラフ
ィー法にて少なくとも複数色の色素層の形成された領域
または、複数色の色素層の形成工程の前または、各形成
工程の間で、少なくともカラーフィルタの複数色の色素
層の形成される領域を除いた部分に積層されるようにパ
ターニングし、オーブンやホットープレートで１５０〜
３００℃で加熱熱硬化させて、保護膜を形成することも
できる。

【００７４】透明熱硬化性樹脂としては、前述のものを
用いることができる。ロールコート又はスピンコート、
オフセット印刷などで、少なくともカラーフィルタの複
数色の色素層の形成された部分に、積層塗布し、オーブ
ンやホットープレートで１５０〜３００℃で加熱硬化さ
せて、保護膜を形成することができる。または、ロール
コートまたはオフセット印刷などで、複数色の色素層の
形成工程の前または、各形成工程の間で、少なくともカ
ラーフィルタの複数色の色素層の形成される領域を除い
た部分に積層塗布し、オーブンやホットープレートで１
５０〜３００℃で加熱硬化させて、保護膜を形成するこ
ともできる。なお、色素層上（光硬化性レジストが積層
されておらず、絶縁化されていない色素層）である場合
（例えば、（７）カラーフィルタの複数色の色素層の形
成における工程群Ｂ）では、ミセル分散液に分散した光
硬化性レジストおよび熱硬化性樹脂をミセル電解法で製
膜、または特開平４−１０４１０２号記載の光硬化性電
着ポリマーを用いた電着法においても光硬化性電着ポリ
マーの保護膜を少なくともカラーフィルタの複数色の色
素層の形成された部分に積層することができる。

【００７５】（１０）液晶駆動用透明電極 液晶駆動用透明電極としては、前記透明導電性薄膜と同
様の材料および形成方法を用いることができる。

【００７６】

【実施例】以下、本発明を実施例によってさらに具体的
に説明する。 製造例１ １．透明導電性薄膜成膜基板の作製 鏡面研磨した３００ｍｍ角の白板ガラス基板（コーニン
グ社製７０５９）上に、スパッタリング装置（アルバッ
ク社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用いて、ＩＴＯ薄膜を
約１３００Å蒸着を行った。このとき、基板温度を２５
０℃、ＩＴＯ膜の表面抵抗を２０Ω／□に調整した。

【００７７】 ２．透明導電性薄膜（ＩＴＯ）のパターニング ＩＴＯ薄膜を成膜した基板上に、光可溶化型レジストの
ＦＨ２１３０（富士ハントエレクトロニクステクノロジ
ー社製）を基板全面にロールコーターで１．５μｍの膜
厚で塗布し、１１０℃のホットプレートで５分プリベー
クした。共通部分（ミセル電解法製膜用電極取出し部）
を有しかつストライプ状にパターニングされたＩＴＯパ
ターン形成用のマスク（図２５）を介して、プロキシミ
ティー方式の露光機（プロキシミティーギャップ６０μ
ｍ）で１００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有機ア
ルカリ系水溶液の現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：
富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製ＦＨＤ−
５）で２分間スピン現像し、純水で洗浄し、１５０℃の
オーブンで３０分ポストベークした。次いでこの基板を
３７℃の第二塩化鉄水溶液（ボウメ４２）と１２Ｎ塩酸
水溶液の等量混合物中に５分間浸漬して、レジストの積
層されていない部分のＩＴＯ膜をエッチングし、純水で
洗浄してエアブローにより乾燥した。次いで、基板を室
温の有機アルカリ系の剥離液（Ｎ−３０３：長瀬産業社
製）に５分間浸漬後、純水で洗浄、エアブローで乾燥し
て、残存している光可溶化型レジストを完全に除去し、
ＩＴＯのパターニングを終えた。

【００７８】３．ミセル分散液の調製 純水１リットル中において、顔料としてジアントラキノ
ニルレッド（チバガイギー社製）を用い、顔料濃度１
１．３１ｇ／リットル、フェロセン誘導体ミセル化剤と
してＦＰＥＧ（１１−フェロセニルウンデシルポリオキ
シエチレンエーテル）を用いて、２．７５ミリモル／リ
ットル、支持塩として臭化リチウムを用いて０．１モル
／リットルの濃度で混合し、また、顔料としてジスアゾ
イエロー（大日本インキ化学工業社製）を用い、顔料濃
度１２．４５ｇ／リットル、前記ＦＰＥＧを２．００ミ
リモル／リットル、臭化リチウムを０．１モル／リット
ルの濃度で混合し、それぞれの混合液を超音波ホモジナ
イザーで３０分分散させたのち、重量比９：１の割合で
それぞれの顔料の分散液を混合し、さらにこの混合液を
超音波ホモジナイザーで３０分分散させ、Ｒの混合ミセ
ル分散液を調製した。

【００７９】また、純水１リットル中において、顔料と
してハロゲン化銅フタロシアニン（ＢＡＳＦ社製）を用
い、顔料濃度１４．８５ｇ／リットル、前記ＦＰＥＧを
用いて、３．００ミリモル／リットル、支持塩として臭
化リチウムを用いて０．１モル／リットルの濃度で混合
し、また、顔料としてジスアゾイエロー（大日本インキ
化学工業社製）を用い、顔料濃度１２．４５ｇ／リット
ル、前記ＦＰＥＧを２．００ミリモル／リットル、臭化
リチウムを０．１モル／リットルの濃度で混合し、それ
ぞれの混合液を超音波ホモジナイザーで３０分分散させ
たのち、重量比６：４の割合でそれぞれの顔料の分散液
を混合し、さらにこの混合液を超音波ホモジナイザーで
３０分分散させ、Ｇの混合ミセル分散液を調製した。

【００８０】さらに、純水１リットル中において、顔料
として銅フタロシアニン（ＢＡＳＦ社製）を用い、顔料
濃度６．９０ｇ／リットル、前記ＦＰＥＧを用いて、
１．２５ミリモル／リットル、支持塩として臭化リチウ
ムを用いて０．１モル／リットルの濃度で混合し、ま
た、顔料としてジオキサジンバイオレット（三陽色素社
製）を用い、顔料濃度４．８８ｇ／リットル、前記ＦＰ
ＥＧを３．００ミリモル／リットル、臭化リチウムを
０．１モル／リットルの濃度で混合し、それぞれの混合
液を超音波ホモジナイザーで３０分分散させたのち、重
量比７：３の割合でそれぞれの顔料の分散液を混合し、
さらにこの混合液を超音波ホモジナイザーで３０分分散
させ、Ｂの混合ミセル分散液を調製した。

【００８１】さらに、純水１リットル中において、光硬
化性レジストとしてアクリル酸系レジストＣＴ（富士ハ
ントエレクトロニクステクノロジー社製）を用い、レジ
スト固形分濃度１０．００ｇ／リットル、前記ＦＰＥＧ
を用いて、１．５０ミリモル／リットル、支持塩として
臭化リチウムを用いて０．１モル／リットルの濃度で混
合し、超音波ホモジナイザーで３０分分散させたのち、
光硬化性レジストのミセル分散液を調製した。

【００８２】実施例１ 製造例１で作製したＩＴＯ成膜基板を、製造例１で調製
したＲの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜と
ポテンションスタットの陽極を接続して、０．４Ｖ、１
８分間の定電位電解を行い、透明導電性薄膜上にＲの色
素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブローにより水
を切り、１００℃オーブンで乾燥した。透明光硬化性レ
ジストとして、ＪＮＰＣ０６（日本合成ゴム社製）をＲ
色素層上に１５００ｒｐｍでスピンコートし、８０℃の
ホットプレートで５分プリベークした。次に、Ｒ色素層
パターン形成用のマスク（ストライプ用：図２６）を介
して、プロキシミティー方式の露光機（プロキシミティ
ーギャップ６０μｍ）で３００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光
後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液（０ ．５％
ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニクステクノロ
ジー社製ＦＨＤ−５）を１分間噴霧し、アクリル製の毛
ブラシにてスクラブを行い、さらに純水で洗浄して、未
露光部のＲ色素層と光硬化性レジストをエッチングし
た。最後に２００℃のオーブンに基板を挿入して、露光
部の光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、Ｒ色素層を
配置した。次いで製造例１で調製したＢの前記ミセル分
散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンションスタット
の陽極を接続して、０．５Ｖ、５分間の定電位電解を行
い、Ｒ色素層形成部分以外の透明導電性薄膜上にＢの色
素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブローにより水
を切り、１００℃オーブンで乾燥した。透明光硬化性レ
ジストとして、ＪＮＰＣ０６（日本合成ゴム社製）をＲ
色素層とＢ色素層上に１５００ｒｐｍでスピンコート
し、８０℃のホットプレートで５分プリベークした。次
に、Ｂ色素層パターン形成用のマスク（ストライプ用：
（図２８）を介して、プロキシミティー方式の露光機
（プロキシミティーギャップ６０μｍ）で３００ｍＪ／
ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現
像液（０ ．５％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー社製ＦＨＤ−５）を１分間噴霧
し、アクリル製の毛ブラシにてスクラブを行い、さらに
純水で洗浄して、未露光部のＢ色素層と光硬化性レジス
トをエッチングした。最後に２００℃のオーブンに基板
を挿入して、露光部の光硬化性レジストを完全に熱硬化
させ、Ｂ色素層を配置した。次に、光可溶化型レジスト
のＨＰＲ２０４（富士ハントエレクトロニクステクノロ
ジー社製）を基板全面に１５００ｒｐｍでスピンコート
し、１１０℃のホットプレートで５分プリベークした。
Ｇ色素層パターン形成用のマスク（ストライプ用：（図
２７）を介して、プロキシミティー方式の露光機（プロ
キシミティーギャップ６０μｍ）で３００ｍＪ／ｃｍ²
でｉ線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液
（０．５％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニク
ステクノロジー社製ＦＨＤ−５）で２分間スピン現像
し、純水で洗浄した。次いでこの基板を製造例１で調製
したＧの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜と
ポテンションスタットの陽極を接続して、０．７Ｖ、１
０分間の定電位電解を行い、上記露光部に露出した透明
導電性薄膜上にＧの色素層を形成し、純水で洗浄したの
ちエアブローにより水を切り、１００℃オーブンで乾燥
した。次に、基板を室温の有機アルカリ系の剥離液（Ｎ
−３０３：長瀬産業社製）に５分間浸漬後、純水で洗浄
して、残存している光可溶化型レジストを完全に除去
し、ＲＧＢの色素層を形成した。次に、この基板上に保
護膜として透明な熱硬化性樹脂剤ＬＣ２００１（三洋化
成工業社製）を９００ｒｐｍでスピンコートし、２２０
℃のオーブンで完全に熱硬化させた。最後に、スパッタ
リング装置（アルバック社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を
用いて、ＩＴＯ薄膜を約１２００⌒、保護膜上にスパッ
タリングして液晶駆動用の透明導電性薄膜（電極）を形
成した。このとき、基板温度を２００℃、ＩＴＯ膜の表
面抵抗を２０Ω／□に調整した。以上のようにして、カ
ラーフィルタを製造した（工程４，図１）

【００８３】実施例２ 製造例１で作製したＩＴＯ成膜基板上に、黒色色素（カ
ーボンブラック）含有光硬化性レジスト（ＣＫ−２００
０：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製）を
５００ｒｐｍでスピンコートし、８５℃のホットプレー
トで５分間プリベークした。さらに、１０％エタノール
含有のポリビニルアルコール水溶液（ＣＰ：富士ハント
エレクトロニクステクノロジー社製）を５００ｒｐｍで
スピンコートし、８５℃のホットプレートで５分間プリ
ベークした。次に、プロキシミティー方式（プロキシミ
ティーギャップ６０μｍ）の露光機でトライアングル色
素層パターン対応のブラックマトリックス形成用マスク
（図２９）を用いて、１００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光
後、室温の無機アルカリ系水溶液の現像液（０．１Ｎ炭
酸ナトリウム水溶液：富士ハントエレクトロニクステク
ノロジー社製ＣＤ）で２分間スピン現像し、純水でブラ
シスクラブ洗浄し、さらに２２０℃のオーブンで６０分
間熱処理（ポストベーク）し、黒色色素含有レジスト硬
化物が埋め込められ、ブラックマトリックスが形成され
た。次に、ブラックマトリックスを形成した基板を、製
造例１で調製したＲの前記ミセル分散液に挿入し、透明
導電性薄膜とポテンションスタットの陽極を接続して、
０．４Ｖ、１８分間の定電位電解を行い、透明導電性薄
膜上にＲの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブ
ローにより水を切り、１００℃オーブンで乾燥した。透
明光硬化性レジストとして、ＣＴ（富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー社製）をＲ色素層上に１５００ｒ
ｐｍでスピンコートし、８０℃のホットプレートで５分
プリベークした。次に、Ｒ色素層パターン形成用のマス
ク（トライアングル用：図３０）を介して、プロキシミ
ティー方式（プロキシミティーギャップ６０μｍ）の露
光機で１００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有機ア
ルカリ系水溶液の現像液（０ ．５％ＴＭＡＨ水溶液：
富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製ＦＨＤ−
５）を１分間噴霧し、アクリル製の毛ブラシにてスクラ
ブを行い、さらに純水で洗浄して、未露光部のＲ色素層
と光硬化性レジストをエッチングした。最後に２００℃
のオーブンに基板を挿入して、露光部の光硬化性レジス
トを完全に熱硬化させ、Ｒ色素層を配置した。次いで製
造例１で調製したＢの前記ミセル分散液に挿入し、透明
導電性薄膜とポテンションスタットの陽極を接続して、
０．５Ｖ、５分間の定電位電解を行い、Ｒ色素層形成部
分以外の透明導電性薄膜上にＢの色素層を形成し、純水
で洗浄したのちエアブローにより水を切り、１００℃オ
ーブンで乾燥した。透明光硬化性レジストとして、ＣＴ
（富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製）をＲ
色素層とＢ色素層上に７００ｒｐｍでスピンコートし、
８０℃のホットプレートで５分プリベークした。次に、
Ｂ色素層パターン形成用のマスク（トライアングル：図
３１）を介して、プロキシミティー方式（プロキシミテ
ィーギャップ６０μｍ）の露光機で１００ｍＪ／ｃｍ²
でｉ線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液
（０ ．５％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製ＦＨＤ−５）を１分間噴霧し、ア
クリル製の毛ブラシにてスクラブを行い、さらに純水で
洗浄して、未露光部のＢ色素層と光硬化性レジストをエ
ッチングした。最後に２００℃のオーブンに基板を挿入
して、露光部の光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、
Ｂ色素層を配置した。次に、光可溶化型レジストのＨＰ
Ｒ２０４（富士ハントエレクトロニクステクノロジー社
製）を基板全面に１５００ｒｐｍでスピンコートし、１
１０℃のホットプレートで５分プリベークした。Ｇ色素
層パターン形成用のマスク（トライアングル用：図３
２）を介して、プロキシミティー方式（プロキシミティ
ーギャップ６０μｍ）の露光機で１００ｍＪ／ｃｍ²で
ｉ線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液
（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製ＦＨＤ−５）で２分間スピン現像
し、純水で洗浄した。次いでこの基板を製造例１で調製
したＧの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜と
ポテンションスタットの陽極を接続して、０．７Ｖ、１
０分間の定電位電解を行い、上記露光部に露出した透明
導電性薄膜上にＧの色素層を形成し、純水で洗浄したの
ちエアブローにより水を切り、１００℃オーブンで乾燥
した。次に、基板を室温の有機アルカリ系の剥離液（Ｎ
−３０３：長瀬産業社製）に５分間浸漬後、純水で洗浄
して、残存している光可溶化型レジストを完全に除去
し、ＲＧＢの色素層を形成した。次に、保護膜として透
明光硬化性レジストＶ−２５９ＰＡ（新日鉄化学社製）
を５００ｒｐｍでスピンコートし、８０℃オーブンで１
５分プリベークした。次いで、カラーフィルタのブラッ
クマトリックスおよびＲＧＢ色素層上のみを露光できる
マスクを介して３００ｍＪ／ｃｍ²で露光し、室温の
０．１Ｎの炭酸ナトリウム水溶液（富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー社製ＣＤ純水希釈品）で浸漬現像
し、さらに純水シャワーにより洗浄してからエアブロー
により乾燥後、２００℃オーブンで６０分間加熱してブ
ラックマトリックスおよびＲＧＢの色素層上のみに保護
膜を形成した。最後に、スパッタリング装置（アルバッ
ク社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用いて、ＩＴＯ薄膜を
約１２００⌒、スパッタリングして液晶駆動用の透明導
電性薄膜を形成した。このとき、基板温度を２００℃、
ＩＴＯ膜の表面抵抗を２０Ω／□に調整した。以上のよ
うにして、カラーフィルタを製造した（工程８，図５）

【００８４】実施例３ 製造例１において作製したＩＴＯパターニング基板上
を、製造例１で調製したＢの前記ミセル分散液に挿入
し、透明導電性薄膜（ＩＴＯの共通部分）とポテンショ
ンスタットの陽極を接続して、０．５Ｖ、８分間の定電
位分解を行い、透明導電性薄膜上にＢの色素層を形成
し、純水で洗浄したのちエアブローにより水を切り、１
００℃オーブンで乾燥した。次に、透明光硬化性レジス
トとして、Ｖ２５９ＰＡ（新日鉄化学社製）をＢ色素層
上に５００ｒｐｍでスピンコートし、８０℃のホットプ
レートで５分プリベークした。次に、Ｂ色素層パターン
形成用のマスク（トライアングル用：図３１）を介し
て、プロキシミティー方式（プロキシミティーギャップ
６０μｍ）の露光機で３００ｍＪ／ｃｍ² でｉ線露光
後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液（０．５％Ｔ
ＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニクステクノロジ
ー社製ＦＨＤ−５）を１分間噴霧し、アクリル製の毛ブ
ラシにてスクラブを行い、さらに純水で洗浄して、未露
光部のＢ色素層と光硬化性レジストをエッチングした。
最後に２００℃のオーブンに基板を挿入して、露光部の
光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、Ｂ色素層を配置
した。次いで製造例１で調製したＲの前記ミセル分散液
に挿入し、透明導電性薄膜（ＩＴＯの共通部分）とポテ
ンションスタットの陽極を接続して、０．４Ｖ、１５分
間の定電位電解を行い、Ｂ色素層形成部分以外の透明導
電性薄膜上にＲの色素層を形成し、純水で洗浄したのち
エアブローにより水を切り、１００℃オーブンで乾燥し
た。透明光硬化性レジストとして、Ｖ２５９ＰＡ（新日
鉄化学社製）をＢ色素層とＲ色素層上に７００ｒｐｍで
スピンコートし、８０℃のホットプレートで５分プリベ
ークした。次に、Ｒ色素層パターン形成用のマスク（ト
ライアングル：図３０）を介して、プロキシミティー方
式（プロキシミティーギャップ６０μｍ）の露光機で３
００ｍＪ／ｃｍ² でｉ線露光後、室温の有機アルカリ系
水溶液の現像液（０．５％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハント
エレクトロニスクテクノロジー社製ＦＨＤ−５）を１分
間噴霧し、アクリル製の毛ブラシにてスクラブを行い、
さらに純水で洗浄して、未露光部のＲ色素層と光硬化性
レジストをエッチングした。最後に２００℃のオーブン
に基板を挿入して、露光部の光硬化性レジストを完全に
熱硬化させ、Ｒ色素層を配置した。次に光可溶化型レジ
ストのＨＰＲ２０４（富士ハントエレクトロニクステク
ノロジー社製）を基板全面に１５００ｒｐｍでスピンコ
ートし、１１０℃のホットプレートで５分プリベークし
た。Ｇ色素層パターン形成用のマスク（トライアングル
用：図３２）を介して、プロキシミティー方式（プロキ
シミティーギャップ６０μｍ）の露光機で１００ｍＪ／
ｃｍ² でｉ線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現
像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクト
ロニスクテクノロジー社製ＦＨＤ−５）で２分間スピン
現像し、純水で洗浄した。次いでこの基板を製造例１で
調製したＧの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄
膜（ＩＴＯの共通部分）とポテンションスタットの陽極
を接続して、０．７Ｖ、１０分間の定電位電解を行い、
上記露光部に露出した透明導電性薄膜上にＧ色素層を形
成し、純水で洗浄したのちエアブローにより水を切り、
１００℃オーブンで乾燥した。次に、基板を室温の有機
アルカリ系の剥離液（Ｎ−３０３：長瀬産業社製）に５
分間浸漬後、純水で洗浄して、残存している光可溶化型
レジストを完全に除去し、ＲＧＢの色素層を形成した。
最後に、ＩＴＯの共通（導通部分）をカットして、ＩＴ
Ｏのストライプを独立させ、カラーフィルタを完成した
（工程５，図３）

【００８５】実施例４ 製造例１において作製したＩＴＯパターニング基板上
に、樹脂ブラックマトリックス形成レジストとして富士
ハントエレクトロニクステクノロジー社製のカラーモザ
イクＣＫに同ＣＲ、ＣＧ、ＣＢをそれぞれ、３：１：
１：１重量部混合したもの（特開平４−１３１０６号）
を用い、スピンコーター５００ｒｐｍでを塗布し、８０
℃オーブンで１５分間プリベークした。次いで、酸素遮
断膜のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）水溶液（ＣＰ：
富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製）をレジ
ストと同様に塗布した。次に、プロキシミティー方式
（プロキシミティーギャップ６０μｍ）の露光機でトラ
イアングル色素層パターン対応のブラックマトリックス
形成用マスク（図２９）を用いて、８０ｍＪ／ｃｍ²で
露光後、室温の無機アルカリ系水溶液の現像液（０．１
Ｎ炭酸ナトリウム水溶液：富士ハントエレクトロニクス
テクノロジー社製ＣＤ）で２分間スピン現像し、純水で
ブラシスクラブ洗浄し、さらに２２０℃のオーブンで６
０分間熱処理（ポストベーク）し、黒色色素含有レジス
ト硬化物が埋め込められ、ブラックマトリックスが形成
された。次に、ブラックマトリックスを形成した基板
を、製造例１で調製したＢの前記ミセル分散液に挿入
し、透明導電性薄膜（ＩＴＯの共通部分）とポテンショ
ンスタットの陽極を接続して、０．５Ｖ、８分間の定電
位電解を行い、透明導電性薄膜上にＢの色素層を形成
し、純水で洗浄したのちエアブローにより水を切り、１
００℃オーブンで乾燥した。次に、透明光硬化性レジス
トとして、Ｖ２５９ＰＡ（新日鉄化学社製）をＢ色素層
上に５００ｒｐｍでスピンコートし、８０℃のホットプ
レートで５分プリベークした。次に、Ｂ色素層パターン
形成用のマスク（トライアングル用：図３１）を介し
て、プロキシミティー方式（プロキシミティーギャップ
６０μｍ）の露光機で３００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光
後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液（０ ．５％
ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニクステクノロ
ジー社製ＦＨＤ−５）を１分間噴霧し、アクリル製の毛
ブラシにてスクラブを行い、さらに純水で洗浄して、未
露光部のＢ色素層と光硬化性レジストをエッチングし
た。最後に２００℃のオーブンに基板を挿入して、露光
部の光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、Ｂ色素層を
配置した。次いで製造例１で調製したＲの前記ミセル分
散液に挿入し、透明導電性薄膜（ＩＴＯの共通部分）と
ポテンションスタットの陽極を接続して、０．４Ｖ、１
５分間の定電位電解を行い、Ｂ色素層形成部分以外の透
明導電性薄膜上にＲの色素層を形成し、純水で洗浄した
のちエアブローにより水を切り、１００℃オーブンで乾
燥した。透明光硬化性レジストとして、Ｖ２５９ＰＡ
（新日鉄化学社製）をＢ色素層とＲ色素層上に７００ｒ
ｐｍでスピンコートし、８０℃のホットプレートで５分
プリベークした。次に、Ｒ色素層パターン形成用のマス
ク（トライアングル：図３０）を介して、プロキシミテ
ィー方式（プロキシミティーギャップ６０μｍ）の露光
機で３００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有機アル
カリ系水溶液の現像液（０ ．５％ＴＭＡＨ水溶液：富
士ハントエレクトロニクステクノロジー社製ＦＨＤ−
５）を１分間噴霧し、アクリル製の毛ブラシにてスクラ
ブを行い、さらに純水で洗浄して、未露光部のＲ色素層
と光硬化性レジストをエッチングした。最後に２００℃
のオーブンに基板を挿入して、露光部の光硬化性レジス
トを完全に熱硬化させ、Ｒ色素層を配置した。次に、光
可溶化型レジストのＨＰＲ２０４（富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー社製）を基板全面に１５００ｒｐ
ｍでスピンコートし、１１０℃のホットプレートで５分
プリベークした。Ｇ色素層パターン形成用のマスク（ト
ライアングル用：図３２）を介して、プロキシミティー
方式（プロキシミティーギャップ６０μｍ）の露光機で
１００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有機アルカリ
系水溶液の現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハ
ントエレクトロニクステクノロジー社製ＦＨＤ−５）で
２分間スピン現像し、純水で洗浄した。次いでこの基板
を製造例１で調製したＧの前記ミセル分散液に挿入し、
透明導電性薄膜（ＩＴＯの共通部分）とポテンションス
タットの陽極を接続して、０．７Ｖ、１０分間の定電位
電解を行い、上記露光部に露出した透明導電性薄膜上に
Ｇの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブローに
より水を切り、１００℃オーブンで乾燥した。次に、基
板を室温の有機アルカリ系の剥離液（Ｎ−３０３：長瀬
産業社製）に５分間浸漬後、純水で洗浄して、残存して
いる光可溶化型レジストを完全に除去し、ＲＧＢの色素
層を形成した。最後に、ＩＴＯの共通（導通部分）をカ
ットして、ＩＴＯのストライプを独立させ、カラーフィ
ルタを完成した（工程９、図７）。

【００８６】製造例２ 金属薄膜（ブラックマトリックス）上透明導電性薄膜成
膜基板の作製 鏡面研磨した３００ｍｍ角の白板ガラス基板（ＮＡ４
５：ＨＯＹＡ製）上に、スパッタリング装置（アルバッ
ク社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用いて、Ｃｒ薄膜を約
１２００⌒蒸着した。このとき、基板温度を２５０℃に
調整した。次に、蒸着したＣｒ薄膜上に、光可溶化のポ
ジ型レジスト（ＨＰＲ２０４：富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製）をロールコーターで１．５μｍ
膜厚でコートし、１１０℃のオーブンで３０分間プリベ
ークし、ダイアゴーナル色素層パターン対応のブラック
マトリックス形成用のマスク（図３３）を介して、プロ
キシミティー方式（プロキシミティーギャップ６０μ
ｍ）の露光機で６０ｍＪ／ｃｍ²で露光した。次に室温
の有機アルカリ系水溶液の現像液（２．３８％ＴＭＡＨ
水溶液：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製
ＦＨＤ−５）で２分間スピン現像して、純水シャワー洗
浄し、さらに１３０℃のオーブンで６０分間熱処理（ポ
ストベーク）して、レジストパターンを形成した。次
に、硝酸第二セリウムアンモニウム１６５ｇと過塩素酸
４２ｍｌと純水で１リットルのＣｒエッチャントを調製
し、レジストパターンを形成した基板を室温で２分間浸
漬し、純水シャワーで洗浄してレジストパターンのない
部分のＣｒ薄膜をエッチングし、さらに、有機アルカリ
系水溶液のレジスト剥離材（Ｎ−３０３：長瀬産業社
製）に室温で、５分間浸漬、純水シャワーで洗浄して、
金属薄膜（Ｃｒ）のブラックマトリックスを形成した。
次に、スパッタリング装置（アルバック社製：ＳＤＰ−
５５０ＶＴ）を用いて、ＩＴＯ薄膜を約１３００⌒、蒸
着を行った。このとき、基板温度を２５０℃、ＩＴＯ膜
の表面抵抗を２０Ω／□に調整した。

【００８７】実施例５ 製造例２で作製した基板上に、製造例１で調製したＧの
前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜（ＩＴＯ）
とポテンションスタットの陽極を接続して、０．７Ｖ、
１５分間の定電位電解を行い、透明導電性薄膜上にＧの
色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブローにより
水を切り、１００℃オーブンで乾燥した。次に、透明光
硬化性レジストとして、ＪＮＰＣ１６（日本合成ゴム社
製）をＧ色素層上に１５００ｒｐｍでスピンコートし、
８０℃のホットプレートで５分プリベークした。次に、
Ｇ色素層パターン形成用のマスク（ダイアゴーナル用：
図３４）を介して、プロキシミティー方式の露光機（プ
ロキシミティーギャップ６０μｍ）で３００ｍＪ／ｃｍ
²でｉ線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液
（０ ．５％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製ＦＨＤ−５）を１分間噴霧し、ア
クリル製の毛ブラシにてスクラブを行い、さらに純水で
洗浄して、未露光部のＧ色素層と光硬化性レジストをエ
ッチングした。最後に２００℃のオーブンに基板を挿入
して、露光部の光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、
Ｇ色素層を配置した。次いで製造例１で調製したＢの前
記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンショ
ンスタットの陽極を接続して、０．５Ｖ、５分間の定電
位電解を行い、Ｇ色素層形成部分以外の透明導電性薄膜
上にＢの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブロ
ーにより水を切り、１００℃オーブンで乾燥した。透明
光硬化性レジストとして、ＪＮＰＣ１６（日本合成ゴム
社製）をＧ色素層とＢ色素層上に１０００ｒｐｍでスピ
ンコートし、８０℃のホットプレートで５分プリベーク
した。次に、Ｂ色素層パターン形成用のマスク（ダイア
ゴーナル用：図３５）を介して、プロキシミティー方式
の露光機（プロキシミティーギャップ６０μｍ）で３０
０ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有機アルカリ系水
溶液の現像液（０ ．５％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハント
エレクトロニクステクノロジー社製ＦＨＤ−５）を１分
間噴霧し、アクリル製の毛ブラシにてスクラブを行い、
さらに純水で洗浄して、未露光部のＢ色素層と光硬化性
レジストをエッチングした。最後に２００℃のオーブン
に基板を挿入して、露光部の光硬化性レジストを完全に
熱硬化させ、Ｂ色素層を配置した。次に、光可溶化型レ
ジストのＨＰＲ２０４（富士ハントエレクトロニクステ
クノロジー社製）を基板全面に１５００ｒｐｍでスピン
コートし、１１０℃のホットプレートで５分プリベーク
した。次に電極取出し部を含めてブラックマトリックス
およびＲＧＢの色素層領域全てを露光できるマスク（図
３６）を介して、プロキシミティー方式の露光機（プロ
キシミティーギャップ６０μｍ）で３００ｍＪ／ｃｍ²
でｉ線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液
（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製ＦＨＤ−５）で２分間スピン現像
し、純水で洗浄した。次いでこの基板を製造例１で調製
したＲの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜と
ポテンションスタットの陽極を接続して、０．５Ｖ、１
５分間の定電位電解を行い、上記露光部に露出した透明
導電性薄膜上にＲの色素層を形成し、純水で洗浄したの
ちエアブローにより水を切り、１００℃オーブンで乾燥
した。次に、基板全面を６００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光
した後、室温の有機アルカリ系の剥離液（Ｎ−３０３：
長瀬産業社製）に３分間浸漬後、純水で洗浄して、残存
している光可溶化型レジストを完全に除去し、ＲＧＢの
色素層を形成した。次に、この基板上に保護膜として透
明な熱硬化性樹脂剤オプトマーＳＳ７２６５（日本合成
ゴム社製）を９００ｒｐｍでスピンコートし、２２０℃
のオーブンで完全に熱硬化させた。最後に、スパッタリ
ング装置（アルバック社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用
いて、ＩＴＯ薄膜を約１２００⌒、保護膜上にスパッタ
リングして液晶駆動用の透明導電性薄膜（電極）を形成
した。このとき、基板温度を２００℃、ＩＴＯ膜の表面
抵抗を２０Ω／□に調整した。以上のようにして、カラ
ーフィルタを製造した（工程６，図９）

【００８８】製造例３ 金属酸化物薄膜（ブラックマトリックス）上透明導電性
薄膜（ＩＴＯ）パターニング基板の作製 製造例２において金属薄膜Ｃｒを金属酸化物Ｃｒ₂Ｏ₃と
して、さらにトライアングル用のブラックマトリックス
形成用マスク（図３７）を用いた事以外は同様にブラッ
クマトリックスを形成した基板上に、絶縁膜として透明
な熱硬化性樹脂剤ＪＳＳ８１９（日本合成ゴム社製）を
１０００ｒｐｍでスピンコートし、２２０℃のオーブン
で完全に熱硬化させたあと、さらにスパッタリング装置
（アルバック社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用いて、シ
リカ（ＳｉＯ₂）薄膜を約５００⌒、透明導電性薄膜と
して、ＩＴＯ薄膜を１３００⌒を順次にスパッタリング
して、積層した。次に、ＩＴＯ薄膜を製膜した基板上
に、光可溶化型レジストのＦＨ２１３０（富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社製）を基板全面にロール
コーターで１．５μｍの膜厚で塗布し、１１０℃のホッ
トプレートで５分プリベークした。共通部分を有しかつ
ストライプ状にパターニングされたＩＴＯパターン形成
用のマスク（図２５）を介して、プロキシミティー方式
の露光機（プロキシミティーギャップ６０μｍ）で１０
０ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有機アルカリ系水
溶液の現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハント
エレクトロニクステクノロジー社製ＦＨＤ−５）で２分
間スピン現像し、純水で洗浄し、１５０℃のオーブンで
３０分ポストベークした。次いでこの基板を３７℃の第
二塩化鉄水溶液（ボウメ４２）と１２Ｎ塩酸水溶液の等
量混合物中に５分間浸漬して、レジストの積層されてい
ない部分のＩＴＯ膜をエッチングし、純水で洗浄してエ
アブローにより乾燥した。次いで、基板を室温の有機ア
ルカリ系の剥離液（Ｎ−３０３：長瀬産業社製）に５分
間浸漬後、純水で洗浄、エアブローで乾燥して、残存し
ている光可溶化型レジストを完全に除去し、ＩＴＯのパ
ターニングを終えた。

【００８９】実施例６ 製造例３で作製した基板上に、製造例１で調製したＢの
前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜（ＩＴＯ共
通部分）とポテンションスタットの陽極を接続して、
０．５Ｖ、５分間の定電位電解を行い、透明導電性薄膜
上にＢの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブロ
ーにより水を切り、１００℃オーブンで乾燥した。次
に、透明光硬化性レジストとして、ＣＴ（富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社製）をＢ色素層上に８０
０ｒｐｍでスピンコートし、８０℃のホットプレートで
５分プリベークした。次に、Ｂ色素層パターン形成用の
マスク（トライアングル用：図３１）を介して、プロキ
シミティー方式の露光機（プロキシミティーギャップ６
０μｍ）で１００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有
機アルカリ系水溶液の現像液（０ ．５％ＴＭＡＨ水溶
液：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製ＦＨ
Ｄ−５）を１分間噴霧し、アクリル製の毛ブラシにてス
クラブを行い、さらに純水で洗浄して、未露光部のＢ色
素層と光硬化性レジストをエッチングした。最後に２０
０℃のオーブンに基板を挿入して、露光部の光硬化性レ
ジストを完全に熱硬化させ、Ｂ色素層を配置した。次い
で製造例１で調製したＧの前記ミセル分散液に挿入し、
透明導電性薄膜（ＩＴＯ共通部分）とポテンションスタ
ットの陽極を接続して、０．５Ｖ、１０分間の定電位電
解を行い、Ｂ色素層形成部分以外の透明導電性薄膜上に
Ｇの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブローに
より水を切り、１００℃オーブンで乾燥した。透明光硬
化性レジストとして、ＣＴ（富士ハントエレクトロニク
ステクノロジー社製）をＢ色素層とＧ色素層上に１２０
０ｒｐｍでスピンコートし、８０℃のホットプレートで
５分プリベークした。次に、Ｇ色素層パターン形成用の
マスク（トライアングル用：図３８）を介して、プロキ
シミティー方式の露光機（プロキシミティーギャップ６
０μｍ）で１００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有
機アルカリ系水溶液の現像液（０ ．５％ＴＭＡＨ水溶
液：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製ＦＨ
Ｄ−５）を１分間噴霧し、アクリル製の毛ブラシにてス
クラブを行い、さらに純水で洗浄して、未露光部のＧ色
素層と光硬化性レジストをエッチングした。最後に２０
０℃のオーブンに基板を挿入して、露光部の光硬化性レ
ジストを完全に熱硬化させ、Ｇ色素層を配置した。次
に、光可溶化型レジストのＨＰＲ２０４（富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社製）を基板全面に１５０
０ｒｐｍでスピンコートし、１１０℃のホットプレート
で５分プリベークした。Ｒ色素層パターン形成用のマス
ク（トライアングル用：図３９）を介して、プロキシミ
ティー方式の露光機（プロキシミティーギャップ６０μ
ｍ）で３００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有機ア
ルカリ系水溶液の現像液（０．５％ＴＭＡＨ水溶液：富
士ハントエレクトロニクステクノロジー社製ＦＨＤ−
５）で２分間スピン現像し、純水で洗浄した。次いでこ
の基板を製造例１で調製したＲの前記ミセル分散液に挿
入し、透明導電性薄膜とポテンションスタットの陽極を
接続して、０．５Ｖ、１５分間の定電位電解を行い、上
記露光部に露出した透明導電性薄膜上にＲの色素層を形
成し、純水で洗浄したのちエアブローにより水を切り、
１００℃オーブンで乾燥した。次に、基板全面を６００
ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光した後、室温の有機アルカリ系
の剥離液（Ｎ−３０３：長瀬産業社製）に３分間浸漬
後、純水で洗浄して、残存している光可溶化型レジスト
を完全に除去し、ＲＧＢの色素層を形成した。次に、こ
の基板上に保護膜として透明な熱硬化性樹脂剤オプトマ
ーＳＳ７２６５（日本合成ゴム社製）をオフセット印刷
機を用いて、ＲＧＢの色素層上に約２．０μｍ塗布し、
２２０℃のオーブンで完全に熱硬化させたあと、最後
に、ＩＴＯの共通（導通）部分をカットして、ＩＴＯの
ストライプを独立させ、カラーフィルタを製造した（工
程７，図１１）

【００９０】製造例４ 透明導電性薄膜上金属（Ｃｒ）薄膜ブラックマトリック
ス形成基板の作製 製造例１において作製した透明導電性薄膜（ＩＴＯ）製
膜基板上に、さらに金属（Ｃｒ）薄膜をスパッタリング
装置（アルバック社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用い
て、Ｃｒ薄膜を約１２００⌒蒸着した。このとき、基板
温度を２５０℃に調整した。次に、蒸着したＣｒ薄膜上
に、光硬化性レジスト（Ｖ２５９ＰＡ：新日鉄化学社
製）をスピンコーターで１５００ｒｐｍでコートし、８
０℃のオーブンで３０分間プリベークし、ストライプお
よびダイアゴーナル色素層パターン対応のブラックマト
リックス形成用のマスク（図４０）を介して、プロキシ
ミティー方式（プロキシミティーギャップ６０μｍ）方
式の露光機で３００ｍＪ／ｃｍ²で露光した。次に室温
の有機アルカリ系水溶液の現像液（０．５％ＴＭＡＨ水
溶液：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製Ｆ
ＨＤ−５）で２分間スピン現像して、純水シャワー洗浄
し、さらに２００℃のオーブンで６０分間熱処理（ポス
トベーク）して、レジストパターンを形成した。次に、
硝酸第二セリウムアンモニウム１６５ｇと過塩素酸４２
ｍｌと純水で１リットルのＣｒエッチャントを調製し、
レジストパターンを形成した基板を室温で２分間浸漬
し、純水シャワーで洗浄してレジストパターンのない部
分のＣｒ薄膜をエッチングした後、エアブローにて乾燥
して、金属薄膜（Ｃｒ）のブラックマトリックスを形成
した。

【００９１】実施例７ 製造例４で作製した基板上に、光可溶化型レジストのＨ
ＰＲ２０４（富士ハントエレクトロニクステクノロジー
社製）を基板全面に７５０ｒｐｍでスピンコートし、１
１０℃のホットプレートで５分プリベークした。Ｒ色素
層パターン形成用のマスク（ダイアゴーナル用：図４
１）を介して、プロキシミティー方式の露光機（プロキ
シミティーギャップ６０μｍ）で１００ｍＪ／ｃｍ²で
ｉ線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液
（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製ＦＨＤ−５）で２分間スピン現像
し、純水で洗浄した。次いでこの基板を製造例１で調製
したＲの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜と
ポテンションスタットの陽極を接続して、０．５Ｖ、１
５分間の定電位電解を行い、上記露光部に露出した透明
導電性薄膜上にＲの色素層を形成し、純水で洗浄したの
ちエアブローにより水を切り、１００℃オーブンで乾燥
した。次に、光可溶化型レジストのＨＰＲ２０４（富士
ハントエレクトロニクステクノロジー社製）を基板全面
に１５００ｒｐｍでスピンコートし、１１０℃のホット
プレートで５分プリベークした。Ｇ色素層パターン形成
用のマスク（ダイアゴーナル用：図４２）を介して、プ
ロキシミティー方式の露光機（プロキシミティーギャッ
プ６０μｍ）で１００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温
の有機アルカリ系水溶液の現像液（２．３８％ＴＭＡＨ
水溶液：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製
ＦＨＤ−５）で３分間スピン現像し、純水で洗浄した。
次いでこの基板を製造例１で調製したＧの前記ミセル分
散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンションスタット
の陽極を接続して、０．５Ｖ、１０分間の定電位電解を
行い、上記露光部に露出した透明導電性薄膜上にＧの色
素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブローにより水
を切り、１００℃オーブンで乾燥した。さらに、光可溶
化型レジストのＨＰＲ２０４（富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製）を基板全面に１５００ｒｐｍで
スピンコートし、１１０℃のホットプレートで５分プリ
ベークした。Ｂ色素層パターン形成用のマスク（ダイア
ゴーナル用：図４３）を介して、プロキシミティー方式
の露光機（プロキシミティーギャップ６０μｍ）で１０
０ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有機アルカリ系水
溶液の現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハント
エレクトロニクステクノロジー社製ＦＨＤ−５）で４分
間スピン現像し、純水で洗浄した。次いでこの基板を製
造例１で調製したＢの前記ミセル分散液に挿入し、透明
導電性薄膜とポテンションスタットの陽極を接続して、
０．５Ｖ、１５分間の定電位電解を行い、上記露光部に
露出した透明導電性薄膜上にＢの色素層を形成し、純水
で洗浄したのちエアブローにより水を切り、１００℃オ
ーブンで乾燥した。次に、基板全面を６００ｍＪ／ｃｍ
²のｉ線露光してから、基板を室温の有機アルカリ系の
剥離液（Ｎ−３０３：長瀬産業社製）に３分間浸漬後、
純水で洗浄して、残存している光可溶化型レジストを完
全に除去し、ＲＧＢの色素層を形成した。次に、この基
板上に保護膜として透明な熱硬化性樹脂剤ＪＳＳ７１５
（日本合成ゴム社製）を９００ｒｐｍでスピンコート
し、２２０℃のオーブンで完全に熱硬化させた。最後
に、スパッタリング装置（アルバック社製：ＳＤＰー５
５０ＶＴ）を用いて、ＩＴＯ薄膜を約１２００⌒、保護
膜上にスパッタリングして液晶駆動用の透明導電性薄膜
（電極）を形成した。このとき、基板温度を２００℃、
ＩＴＯ膜の表面抵抗を２０Ω／□に調整した。以上のよ
うにして、カラーフィルタを製造した（工程１０，図１
３）

【００９２】実施例８ 製造例４で作製した基板を、製造例１で調製したＲの前
記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンショ
ンスタットの陽極を接続して、０．４Ｖ、１８分間の定
電位電解を行い、透明導電性薄膜上にＲの色素層を形成
し、純水で洗浄したのちエアブローにより水を切り、１
００℃オーブンで乾燥した。透明光硬化性レジストとし
て、ＣＴ（富士ハントエレクトロニクステクノロジー社
製）をＲ色素膜上に１５００ｒｐｍでスピンコートし、
８０℃のホットプレートで５分プリベークした。次に、
Ｒ色素層パターン形成用のマスク（ダイアゴーナル用：
（図４４）を介して、プロキシミティー方式の露光機
（プロキシミティーギャップ６０μｍ）で１００ｍＪ／
ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現
像液（０ ．５％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー社製ＦＨＤ−５）を１分間噴霧
し、アクリル製の毛ブラシにてスクラブを行い、さらに
純水で洗浄して、未露光部のＲ色素層と光硬化性レジス
トをエッチングした。最後に２００℃のオーブンに基板
を挿入して、露光部の光硬化性レジストを完全に熱硬化
させ、Ｒ色素層を配置した。次いで製造例１で調製した
Ｂの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテ
ンションスタットの陽極を接続して、０．５Ｖ、５分間
の定電位電解を行い、Ｒ色素層形成部分以外の透明導電
性薄膜上にＢの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエ
アブローにより水を切り、１００℃オーブンで乾燥し
た。透明光硬化性レジストとして、ＣＴ（富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社製）をＲ色素層とＢ色素
層上に１０００ｒｐｍでスピンコートし、８０℃のホッ
トプレートで５分プリベークした。次に、Ｂ色素層パタ
ーン形成用のマスク（ダイアゴーナル用：図３５）を介
して、プロキシミティー方式の露光機（プロキシミティ
ーギャップ６０μｍ）で１００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光
後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液（０ ．５％
ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニクステクノロ
ジー社製ＦＨＤ−５）を１分間噴霧し、アクリル製の毛
ブラシにてスクラブを行い、さらに純水で洗浄して、未
露光部のＢ色素層と光硬化性レジストをエッチングし
た。最後に２００℃のオーブンに基板を挿入して、露光
部の光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、Ｂ色素層を
配置した。次に、光可溶化型レジストのＨＰＲ２０４
（富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製）を基
板全面に１５００ｒｐｍでスピンコートし、１１０℃の
ホットプレートで５分プリベークした。Ｇ色素層パター
ン形成用のマスク（ダイアゴーナル用：図４５）を介し
て、プロキシミティー方式の露光機（プロキシミティー
ギャップ６０μｍ）で１００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光
後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液（０．５％Ｔ
ＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニクステクノロジ
ー社製ＦＨＤ−５）で２分間スピン現像し、純水で洗浄
した。次いでこの基板を製造例１で調製したＧの前記ミ
セル分散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンションス
タットの陽極を接続して、０．７Ｖ、１０分間の定電位
電解を行い、上記露光部に露出した透明導電性薄膜上に
Ｇの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブローに
より水を切り、１００℃オーブンで乾燥した。次に、基
板を室温の有機アルカリ系の剥離液（Ｎ−３０３：長瀬
産業社製）に５分間浸漬後、純水で洗浄して、残存して
いる光可溶化型レジストを完全に除去し、ＲＧＢの色素
層を形成した。次に、この基板上に保護膜として透明な
熱硬化性樹脂剤オプトマーＳＳ７２６５（日本合成ゴム
社製）を９００ｒｐｍでスピンコートし、２２０℃のオ
ーブンで完全に熱硬化させた。最後に、スパッタリング
装置（アルバック社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用い
て、ＩＴＯ薄膜を約１２００⌒、保護膜上にスパッタリ
ングして液晶駆動用の透明導電性薄膜を形成した。この
とき、基板温度を２００℃、ＩＴＯ膜の表面抵抗を２０
Ω／□に調整した。以上のようにして、カラーフィルタ
を製造した（工程１１，図１５）

【００９３】製造例５ 透明導電性薄膜上金属酸化物（Ｃｒ₂Ｏ₃）薄膜ブラック
マトリックス形成基板の作製 製造例１において作製した透明導電性薄膜（ＩＴＯ）製
膜基板上に、さらに金属酸化物（Ｃｒ₂Ｏ₃）薄膜をスパ
ッタリング装置（アルバック社製：ＳＤＰ−５５０Ｖ
Ｔ）を用いて、Ｃｒ₂Ｏ₃薄膜を約１２００⌒蒸着した。
このとき、基板温度を２５０℃に調整した。次に、蒸着
したＣｒ₂０₃薄膜上に、光可溶化型レジスト（ＨＰＲ２
０４：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製）
をスピンコーターで７５０ｒｐｍでコートし、８０℃の
ホットプレートで５分間プリベークし、ストライプおよ
びダイアゴーナル色素層パターン対応のブラックマトリ
ックス形成用のマスク（図３３）を介して、プロキシミ
ティー方式（プロキシミティーギャップ６０μｍ）の露
光機で１００ｍＪ／ｃｍ²で露光した。次に室温の有機
アルカリ系水溶液の現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶
液：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製ＦＨ
Ｄ−５）で２分間スピン現像して、純水シャワー洗浄
し、エアブローで乾燥させた。さらに１３０℃のオーブ
ンで３０分間熱処理（ポストベーク）して、レジストパ
ターンを形成した。次に、硝酸第二セリウムアンモニウ
ム１６５ｇと過塩素酸４２ｍｌと純水で１リットルのＣ
ｒエッチャントを調製し、レジストパターンを形成した
基板を室温で２分間浸漬し、純水シャワーで洗浄してレ
ジストパターンのない部分のＣｒ薄膜をエッチングした
後、室温のレジスト剥離剤（Ｎ３０３：長瀬産業社製）
に３分間浸漬し、純水シャワーにてリンスして、エアブ
ローにて乾燥し、金属酸化物薄膜（Ｃｒ₂Ｏ₃）のブラッ
クマトリックスを形成した。

【００９４】実施例９ 製造例５で作製した基板を用いて、実施例７と同一の方
法でカラーフィルタを製造した（工程１２、図１７）。

【００９５】実施例１０ 製造例５で作製した基板を用いて、実施例８と同一の方
法でカラーフィルタを製造した（工程１３、図１９）。

【００９６】実施例１１ 実施例８において、透明光硬化性レジストをスピンコー
トする前に、６０秒のＵＶ洗浄を行う事以外は、同一の
方法でカラーフィルタを製造した（工程１１、図１
５）。

【００９７】実施例１２ 実施例８において、透明光硬化性レジストをスピンコー
トするかわりに、製造例１で調製した光硬化性レジスト
のミセル分散液中に各Ｒ、Ｂの色素層をミセル電解法で
製膜した基板を挿入し、透明導電性薄膜とポテンション
スタットの陽極を接続してＲＢについていずれも０．５
Ｖで１０分間の定電位電解を行って、各ＲＢ色素層上に
光硬化性レジストの膜を積層した。次いで、純水で洗浄
したのち、エアブローで水を切り、１００オーブンで乾
燥した。以上の事以外は、実施例８と同一の方法でカラ
ーフィルタを製造した（工程１１、図１５）。

【００９８】実施例１３ 実施例８において、透明光硬化性レジストをスピンコー
トするかわりに、透明光硬化性電着ポリマー（特開平４
−１０４１０２号）を用いて、この１０％透明光硬化性
電着ポリマー電着液に、各Ｒ、Ｂの色素層をミセル電解
法で製膜した基板を挿入し、透明導電性薄膜とポテンシ
ョンスタットの陽極を接続してＲＢいずれも１００Ｖで
１分間の定電位電着を行って、各ＲＢ色素層上に光硬化
性電着ポリマーの膜を積層した。次いで、純水で洗浄し
たのち、エアブローで水を切り、１００オーブンで乾燥
した。以上の事以外は、実施例８と同一の方法でカラー
フィルタを製造した（工程１１、図１５）。

【００９９】実施例１４ 実施例７においてＲＧＢの色素層を形成した後、保護膜
として熱硬化性樹脂の代わりに製造例１で調製した光硬
化性レジストのミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜
とポテンションスタットの陽極を接続して０．５Ｖで１
０分間の定電位電解を行って、各ＲＧＢ色素層上に光硬
化性レジストの膜を積層した。次いで、純水で洗浄した
のち、エアブローで水を切り、２２０オーブンで乾燥、
熱硬化した。以上の事以外は、実施例７と同一の方法で
カラーフィルタを製造した（工程１０、図２１）。

【０１００】実施例１５ 製造例１において作製したＩＴＯを成膜した基板上に、
透明な熱硬化性樹脂としてオプトマーＳＳ７２６５（日
本合成ゴム社製）を電極取出し部分を除き、かつ、ＲＧ
Ｂの色素層の形成される予定の部分以外（図４６）に、
オフセット印刷により１．５μｍの膜厚で印刷して、２
２０℃のオーブンで熱硬化した。以下この基板を用い
て、実施例１と同一の方法でカラーフィルタを製造した
（工程４、図２３）。

【０１０１】比較例１ ＩＴＯ薄膜パターニング（色素層形成用電極形成） ＩＴＯ膜として２０Ω/□の面抵抗を持つガラス基板
（青板ガラス、研磨、シリカディップ品：ジオマテック
社製）に光可溶化型レジスト（FH2030M:富士ハントエレ
クトロニクステクノロジー社製）を1,000 ｒｐｍ でス
ピンコートした。スピンコート後、８０℃で１５分間プ
リベークを行った。その後、この基板を露光機にセット
する。マスクは、ストライプのＩＴＯパターニング用
（図４８）を用いた。プロキシミティーギャップ70μｍ
をとり、８０ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光した後、２５℃の
無機アルカリ系の現像液（ＬＳＩ現像液：富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社製）にて現像した。現像
後、純水にてリンスした後、１８０℃でポストベークし
た。次に、エッチャントとして1M FeCl₃ 6N HCl 0.1NH
NO₃ 0.1N Ce(NO₃)₄の水溶液を準備し、前記基板のＩＴ
Ｏをエッチングする。エッチングの終点は電気抵抗によ
り測定した。前記エッチングには約１０分の時間を必要
とした。エッチング後、純水でリンスし、レジストを剥
離剤（Ｎ−３０３：長瀬産業社製）にて 剥離した。こ
うしてＩＴＯパターニングガラス基板を得た。

【０１０２】ブラックマトリックス形成及び電極取出し
層形成 ブラックマトリックス形成レジストとして富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社のカラーモザイクＣＫに
同ＣＲ、ＣＧ、ＣＢをそれぞれ、３：１：１：１重量部
混合したもの（特開平４−１３１０６号）を用いた。
先に作製したＩＴＯパターニングガラス基板上にスピン
コーターで、５００ｒｐｍで先のレジストを塗布し、８
０℃オーブンで１５分間プリベークした。次いで、酸素
遮断膜のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）水溶液（Ｃ
Ｐ：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社）をレ
ジストと同様に塗布した。そして、アライメント機能の
ある露光機で位置合わせ機で位置合わせしながら、スト
ライプ色素層パターン対応のブラックマトリックスおよ
び電極取出し層形成用デザインのマスク（図４９）を用
いて８０μｍのプロキシミティーギャップを取ってｉ線
露光した後、無機アルカリ現像液（０．１Ｎ炭酸ナトリ
ウム水溶液：富士ハントエレクトロニクステクノロジー
社製ＣＤ）にて現像した。さらに、純水でリンスし、２
２０℃のオーブンで、ポストベークした。

【０１０３】色素層の形成 銀ペーストで各色ごとに導通を取った前記ブラックマト
リックス付きＩＴＯパターニング基板（図５０）を製造
例１記載のＲの前記ミセル溶液に挿入し、ストライプの
Ｒ列に導通をとった銀ペーストとポテンショスタットの
陽極を接続した。０．８Ｖ、１５分間の定電位電解を行
い、Ｒ色素層を得た。その後、純水で洗浄後、オーブン
にてプレベーク（１００℃×１５分間）した。次に、こ
の基板をＧの前記ミセル溶液挿入し、ストライプのＧ列
に導通をとった銀ペーストとポテンショスタットの陽極
を接続し、０．４Ｖ、１８分間の定電位電解を行い、カ
ラーフィルタＲＧ色素層の薄膜を得る。製膜後、Ｒの製
膜と同じ条件で後処理を行った。最後に、この基板をＢ
の前記ミセル溶液挿入し、ストライプのＢ列に導通をと
った銀ペーストとポテンショスタットの陽極を接続し、
０．７Ｖ、１０分間の定電位電解を行い、カラーフィル
タＲＧＢ色素層を得た。製膜後、Ｒの製膜と同じ条件で
後処理を行った。

【０１０４】保護膜の形成 前記色素薄膜基板に保護膜としてＯＳ−８０８（長瀬産
業社製）を８００ｒｐｍでスピンコートし、その後、２
４０℃、１時間ベークし硬化させた。こうして保護膜を
形成した。

【０１０５】基板カットおよび面取り 保護膜を形成した基板を図６１のＡ線で±０．３ｍｍ以
下の精度でスクライバーを用いてカットし、切断面を面
取り機により面取り研磨した。

【０１０６】液晶駆動用透明電極の形成 最後に、スパッタリング装置（アルバック社製：ＳＤＰ
−５５０ＶＴ）を用いて、ＩＴＯ薄膜を約１２００⌒、
保護膜上にスパッタリングして液晶駆動用の透明導電性
薄膜（電極）を形成した。このとき、基板温度を２００
℃、ＩＴＯ膜の表面抵抗を２０Ω／□に調整し、カラー
フィルタを完成した（工程１，図６０）。

【０１０７】比較例２ 金属薄膜（Ｃｒ）ブラックマトリックス形成 無アルカリガラス基板（ＮＡ４５：ＨＯＹＡ）に、Ｃｒ
薄膜を約1300⌒スパッタした（アルバック：ＳＤＰ−５
５０ＶＴ）。この上にに光可溶化型レジスト剤（HPR20
4:富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製）を1,
000 ｒｐｍ でスピンコートした。次いで、１００℃で５
分間ホットプレートでプリベークを行った。その後、こ
の基板をミラープロジェクション方式の露光機にセット
し、ダイアゴーナル色素層パターン対応のブラックマト
リックスパターンのマスク（図４７）を介して８０ｍＪ
／ｃｍ²でｉ線露光し、無機アルカリ水溶液の現像液
（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液、富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製ＦＨＤ−５）で浸漬現像した。次
に、純水にてシャワーリンスした後、150℃でポストベ
ークした。次にエッチャントとして室温の硝酸セリウム
アンモニウムと過塩素酸の混合水溶液でＣｒを３分間浸
漬エッチングした。エッチング後、純水でリンスし、有
機アルカリ水溶液の剥離剤（Ｎ−３０３：長瀬産業社
製）でレジストを剥離した。純水で十分に洗浄し、ブラ
ックマトリックス（ＢＭ）を得た。

【０１０８】絶縁膜及びＩＴＯ薄膜パターン形成（色素
層形成用電極形成） 次に、このＢＭ上に絶縁膜としてシリカ分散液（ＯＣＤ
ＴＹＰＥ−７；東京応化社製）を1,000 ｒｐｍ でスピ
ンコートし、２５０℃で６０分間ベークした後、さら
に、アルバック社製ＳＤＰ−５５０ＶＴに基板をセット
し、基板の上からＩＴＯを約１３００⌒スパッタした。
このときワークを２００℃としてＩＴＯの表面抵抗を２
０Ω／□に調整した。次いで、この基板をに光可溶化型
レジスト（FH2030M:富士ハントエレクトロニクステクノ
ロジー社製）を1,000 ｒｐｍ でスピンコートし、８０
℃オーブンで１５分間プリベークを行った。次いで、コ
ンタクト露光機にてダイアゴーナルパターンのマスク
（図５１）を介して、アライメント露光（露光エネルギ
ー６０ｍＪ／ｃｍ²（ｉ線））した後、無機アルカリ水
溶液の現像液（ＬＳＩ現像液：富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製）にてスピン現像した。現像後、
純水シャワーにてリンスした後、１５０℃でポストベー
クした。次に、エッチャントとして３７℃の第二塩化鉄
水溶液（ボウメ４２）と塩酸の等量混合液で前記基板の
ＩＴＯを３分間エッチングした。エッチングの終点は電
気抵抗により測定した。エッチング後、純水でリンス
し、レジストを有機アルカリ水溶液（Ｎ−３０３：長瀬
産業社製）にて剥離除去した。さらに純水で洗浄してＩ
ＴＯ電極の隣接同志の電気的リークがないことを確認
し、ＩＴＯパターニングＢＭ付き基板を完成した。

【０１０９】電極取出し層の形成 アクリル酸系レジスト（CT:富士ハントエレクトロニク
ステクノロジー社製）を電極取出し層として用い、上記
基板上に８５０ｒｐｍでスピンコートし、１００℃オー
ブンで４５分間プリベークした。次いで、プロキシミテ
ィー露光機（プロキシミティーギャップ６０μｍ）で位
置合わせしながら、電極取出し層の部分のみのマスク
（図５２）を介して、露光した（露光エネルギー４０ｍ
Ｊ／ｃｍ²（ｉ線））。その後、無機アルカリ水溶液
（０．１Ｎ炭酸ナトリウム水溶液：富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー社製ＣＤ）の現像液で１分間浸漬
現像した。さらに、純水でリンスし、２００℃オーブン
で、６０分間ポストベークして、カラーフィルタ用基板
を完成させた。

【０１１０】色素層の形成 銀ペーストによる電極取出しを図５３のように行ったこ
と以外は、比較例１と同一の工程で行い、ＲＧＢの色素
層を得た。

【０１１１】保護膜の形成 次に、前に形成した色素層の製膜された基板上に保護膜
剤として熱硬化性樹脂剤（オプトマーＳＳ７２６５：日
本合成ゴム（ＪＳＲ）社製）を９００ｒｐｍでスピンコ
ートし、さらに、２２０℃オーブンで、６０分間ポスト
ベークした。

【０１１２】基板カットおよび面取り 図６２，６３のＡ線でカットした以外は比較例１と同一
の工程で行った。

【０１１３】液晶駆動用透明電極の形成 最後に、スパッタリング装置（アルバック社製：ＳＤＰ
−５５０ＶＴ）を用いて、ＩＴＯ薄膜を約１２００⌒、
保護膜上にスパッタリングして液晶駆動用の透明導電性
薄膜（電極）を形成した。このとき、基板温度を２００
℃、ＩＴＯ膜の表面抵抗を２０Ω／□に調整し、カラー
フィルタを完成した（工程２，図６２）。

【０１１４】比較例３ ＩＴＯ薄膜パターニング（色素層形成用電極形成） ＩＴＯ膜／ガラス基板（無アルカリガラス；ＩＴＯ：２
０Ω/□）に光可溶化型レジスト（HPR204:富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社製）を1,000ｒｐｍ でス
ピンコートした。スピンコート後、８０℃オーブンで１
５分間プリベークを行った。その後、この基板をコンタ
クト露光機にてダイアゴーナル色素層パターンのマスク
（図５１）を介して８０ｍＪ／ｃｍ²で露光した後、有
機アルカリ水溶液の現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶
液：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製）に
て浸漬現像した。現像後、純水にてリンスした後、１５
０℃でポストベークした。次に、エッチャントとして３
７℃の第二塩化鉄水溶液（ボウメ４２）と塩酸の等量混
合物にて前記基板のＩＴＯを３分間エッチングした。エ
ッチングの終点は電気抵抗により測定した。次いで、純
水でリンスし、レジストを有機アルカリ水溶液（Ｎ−３
０３：長瀬産業社製）にて剥離除去した。さらに純水で
洗浄してＩＴＯ電極の隣接同志の電気的リークがないこ
とを確認してＩＴＯパターニング基板を完成した。

【０１１５】電極取出し層形成 比較例２と同一の工程で行い、電極の取出し層を形成し
た。

【０１１６】色素層形成 比較例２と同一の工程で行い、ＲＧＢの色素層を形成し
た。

【０１１７】保護膜形成 比較例２と同一の工程を行い、保護膜を形成した。

【０１１８】基板カットおよび面取り 図６４，６５のＡ線でカットした以外は比較例１と同一
の工程で行った。

【０１１９】液晶駆動用透明電極の形成 最後に、スパッタリング装置（アルバック社製：ＳＤＰ
−５５０ＶＴ）を用いて、ＩＴＯ薄膜を約１２００⌒、
保護膜上にスパッタリングして液晶駆動用の透明導電性
薄膜（電極）を形成した。このとき、基板温度を２００
℃、ＩＴＯ膜の表面抵抗を２０Ω／□に調整した。

【０１２０】ブラックマトリックス形成 前記基板にＣｒ薄膜を約１５００⌒スパッタした（アル
バック社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ型）。次に、光可溶化
型レジスト剤（ＦＨ２１３０：富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製）を1,500 ｒｐｍでスピンコート
した。スピンコート後、９０℃オーブンで１５分間プリ
ベークを行った。その後、この基板をプロキシミティー
方式の露光機（プロキシミティーギャップ８０μｍ）に
セットし、ダイアゴーナル色素層対応のブラックマトリ
ックスパターンのマスク（図４７）を介して、下地ＩＴ
Ｏパターンと位置合わせをして６０ｍＪ／ｃｍ² でｉ線
露光した。次いで、無機アルカリ水溶液（ＬＳＩ現像
液：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製）の
現像液で浸漬し、純水にてリンスした後、１５０℃でポ
ストベークした。次に、エッチャントとして硝酸セリウ
ムアンモニウムと過塩素酸の混合水溶液にてＣｒを３分
間エッチングした。エッチングの終点は電気抵抗により
測定した。次いで、純水でリンスし、レジストを有機ア
ルカリ水溶液の剥離剤（Ｎ−３０３：長瀬産業社製）に
て剥離除去した。純水で十分に洗浄し、ブラックマトリ
ックス（ＢＭ）を得、カラーフィルタを完成した。（工
程３，図６４）

【０１２１】比較例４（分散法カラーフィルタ） ブラックマトリックス形成 トライアングル色素層パターン対応のブラックマトリク
スパターンのマスク（図３７）を用いたこと以外は、比
較例２と同一の工程で行った。

【０１２２】色素層形成 ブラックマトリックスを形成した基板上に、赤色（Ｒ）
色素含有レジストＣＲ−２０００（富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー社製）を５００ｒｐｍでスピンコ
ートし、８５℃オーブンで１５分プリベークし、次いで
酸素遮断膜（ＣＰ：同社製）を上記レジストと同様に積
層コートした。この基板を、コンタクト露光機にセット
し、ブラックマトリックスと位置合わせ（アライメン
ト）してＲ色素層パターンのマスク（トライアングル色
素層パターン形成用：図３０）を介して３０ｍＪ／ｃｍ
²でｉ線露光し、無機アルカリ水溶液の現像液で（０．
１Ｎ炭酸ナトリウム水溶液：ＣＤ：同社製）でスプレイ
現像し、さらに純水シャワーによりリンスした。次い
で、２００℃オーブンで６０分ポストベークして、Ｒ色
素層を形成した。以下同様に、緑色（Ｇ）色素含有レジ
スト（ＣＧ−２０００：同社製）、青色（Ｂ）色素含有
レジスト（ＣＢ−２０００：同社製）をコートし、それ
ぞれの色素層形成用のマスク（トライアングル色素層パ
ターン形成用：図３８，３１）でアライメントのｉ線露
光、現像、リンス、ポストベークを繰り返してＲＧＢ３
色の色素層を形成した。

【０１２３】保護膜形成・液晶駆動用透明電極形成 比較例２と同一の工程を行い、カラーフィルタを完成し
た（工程１４，図６６）。

【０１２４】比較例５（レジスト電着法カラーフィル
タ） Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート、スチレ
ン、エチルアクリレート、ｐ−ヒドロキシ安息香酸とグ
リシジルアクリレートの等モル反応によって得られた化
合物をモル比で３：２：４：１、重量平均分子量７万に
共重合した有機重合体バインダー８００ｇ、２，２−ジ
メトキシ−２−フェニルアセトフェノン５ｇ、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート１４５ｇからなるカチ
オン性感光性樹脂組成物をエチレングリコールモノブチ
ルエーテルで固形分２０％に希釈し、０．５等量の酢酸
で中和し、純水で固形分１０％に調製した。上記のよう
に調製した電着樹脂組成物に各色の顔料を以下のように
混合してカチオン電着液を調製した。すなわち、Ｒ色カ
チオン電着液は、カチオン性感光性電着樹脂組成物：ア
ゾ金属塩赤顔料＝９９５．０：５．０、Ｂ色カチオン電
着液は、カチオン性感光性電着樹脂組成物：銅フタロシ
アニン＝９９５．０：５．０、Ｇ色カチオン電着液は、
カチオン性感光性電着樹脂組成物：ハロゲン化銅フタロ
シアニン＝９９５．０：５．０の比率で混合した。製造
例２で作製したクロム薄膜ブラックマトリクス上透明導
電性薄膜（ＩＴＯ）成膜基板上に、光可溶化型レジスト
として、ＨＰＲ２０４（富士ハントエレクトロニクステ
クノロジー社製）を１５００ｒｐｍでスピンコートし、
１１０℃のホットプレートで５分プリベークした。Ｒ色
素層パターン形成用のマスク（ダイアゴーナル用：図４
１）を介して、プロキシミティー方式の露光機（プロキ
シミティーギャップ６０μｍ）で８０ｍＪ／ｃｍ²でｉ
線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液（２．
３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニクステ
クノロジー社製ＦＨＤ−５）で１分間浸漬現像し、純水
で洗浄した。次に、上記Ｒ色素層形成用に光可溶化型レ
ジストをパターン化した基板を、上記で調製したＲ色カ
チオン電着液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンション
スタットの負電極と接続して、５Ｖ、３０秒間の定電位
電着を行い、上記露光部に露出した透明導電性薄膜上に
Ｒの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアナイフに
より水を切り、１００℃オーブンで乾燥した。次に、Ｇ
色素層パターン形成用のマスク（ダイアゴーナル用：図
４２）を介して、上記基板をプロキシミティー方式の露
光機（プロキシミティーギャップ６０μｍ）で８０ｍＪ
／ｃｍ²で露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像
液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロ
ニクステクノロジー社製ＦＨＤ−５）で１分間浸漬現像
し、純水で洗浄した。次いでこの基板を上記で調製した
Ｇ色のカチオン電着液にに挿入し、透明導電性薄膜と負
電極のポテンションスタットを接続して、５Ｖ、４５秒
の定電位電着を行い、上記露光部に露出した透明導電性
薄膜上にＧの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエア
ナイフにより水を切り、１００℃オーブンで乾燥した。
さらに、ＲＧの色素層を形成した基板をＢ色素層パター
ン形成用のマスク（ダイアゴーナル用：図４３）を介し
て、プロキシミティー方式の露光機（プロキシミティー
ギャップ６０μｍ）で８０ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、
室温の有機アルカリ系水溶液の現像液（２．３８％ＴＭ
ＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニクステクノロジー
社製ＦＨＤ−５）で１分間浸漬現像し、純水で洗浄し
た。次いでこの基板を上記で調製したＢ色カチオン電着
液に挿入し、透明導電性薄膜と負電極のポテンションス
タットを接続して、５Ｖ、３０秒の定電位電着を行い、
上記露光部に露出した透明導電性薄膜上にＢの色素層
（薄膜）を形成し、純水で洗浄したのちエアブローによ
り水を切り、１００℃オーブンで乾燥した。次に、基板
全面を６００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、ＲＧＢの色素
層を形成した基板を室温の有機アルカリ系の剥離液（Ｎ
−３０３：長瀬産業社製）に１０分間浸漬後、純水で洗
浄して、残存している光可溶化型レジストを完全に除去
した。 次に、この基板上に保護膜として透明な熱硬化
性樹脂剤（オプトマーＳＳ７２６５：日本合成ゴム社
（ＪＳＲ）製）を７００ｒｐｍでスピンコートし、２２
０℃のオーブンで６０分間熱処理（ポストベーク）し
て、熱硬化した。最後に、スパッタリング装置（アルバ
ック社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用いて、ＩＴＯ薄膜
を約１２００⌒、保護膜上にスパッタリングして液晶駆
動用の透明導電性薄膜（電極）を形成した。このとき、
基板温度を２００℃、ＩＴＯ膜の表面抵抗を２０Ω／□
に調整した。以上のようにして、カラーフィルタを製造
した（工程１５，図６８）

【０１２５】比較例６ 製造例１で作製した基板に、光可溶化型レジストとし
て、ＨＰＲ２０４（富士ハントエレクトロニクステクノ
ロジー社製）を７５０ｒｐｍでスピンコートし、１１０
℃のホットプレートで５分プリベークした。Ｇ色素層パ
ターン形成用のマスク（ストライプ用：（図２７）を介
して、プロキシミティー方式の露光機（プロキシミティ
ーギャップ６０μｍ）で８０ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光
後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液（２．３８％
ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニクステクノロ
ジー社製ＦＨＤ−５）で１分間スピン現像し、純水で洗
浄した。次いでこの基板を製造例１で調製したＧの前記
ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンション
スタットの陽極を接続して、０．４Ｖ、１８分間の定電
位電解を行い、上記露光部に露出した透明導電性薄膜上
にＧの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブロー
により水を切り、１００℃オーブンで乾燥した。次に、
Ｂ色素層パターン形成用のマスク（ストライプ用：（図
５５）を介して、プロキシミティー方式の露光機（プロ
キシミティーギャップ６０μｍ）で８０ｍＪ／ｃｍ²で
ｉ線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液
（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製ＦＨＤ−５）で２分間スピン現像
し、純水で洗浄した。次いでこの基板を製造例１で調製
したＢの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜と
ポテンションスタットの陽極を接続して、０．７Ｖ、１
０分間の定電位電解を行い、上記露光部に露出した透明
導電性薄膜上にＢの色素層を形成し、純水で洗浄したの
ちエアブローにより水を切り、１００℃オーブンで乾燥
した。さらに、Ｒ色素層パターン形成用のマスク（スト
ライプ用：（図５４）を介して、プロキシミティー方式
の露光機（プロキシミティーギャップ６０μｍ）で８０
ｍＪ／ｃｍ²で露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の
現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレク
トロニクステクノロジー社製ＦＨＤ−５）で３分間スピ
ン現像し、純水で洗浄した。次いでこの基板を製造例１
で調製したＲの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性
薄膜とポテンションスタットの陽極を接続して、０．８
Ｖ、１５分間の定電位電解を行い、上記露光部に露出し
た透明導電性薄膜上にＲの色素層を形成し、純水で洗浄
したのちエアブローにより水を切り、１００℃オーブン
で乾燥した。次に、ＧＢＲの色素層を形成した基板を室
温の有機アルカリ系の剥離液（Ｎ−３０３：長瀬産業社
製）に５分間浸漬後、純水で洗浄して、残存している光
可溶化型レジストを完全に除去した。次に、この基板上
に保護膜として透明な熱硬化性樹脂剤ＬＣ２００１（三
洋化成工業社製）を９００ｒｐｍでスピンコートし、２
２０℃のオーブンで完全に熱硬化させた。最後に、スパ
ッタリング装置（アルバック社製：ＳＤＰ−５５０Ｖ
Ｔ）を用いて、ＩＴＯ薄膜を約１２００⌒、保護膜上に
スパッタリングして液晶駆動用の透明導電性薄膜（電
極）を形成した。このとき、基板温度を２００℃、ＩＴ
Ｏ膜の表面抵抗を２０Ω／□に調整した。以上のように
して、カラーフィルタを製造した。（工程１６，図７
０）

【０１２６】参考例１（特願平４−２６５４２２号） 実施例１において、ＲＢの色素層を形成した基板を製造
例１で調製したＧの前記ミセル分散液に挿入し、透明導
電性薄膜とポテンションスタットの陽極を接続して、
０．７Ｖ、１０分間の定電位電解を行い、透明導電性薄
膜上にＧの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブ
ローにより水を切り、１００℃オーブンで乾燥した。次
に、透明光硬化性レジストとして、ＪＮＰＣ０６（日本
合成ゴム社製）を１５００ｒｐｍでスピンコートし、８
０℃のホットプレートで５分プリベークした。次に、Ｇ
色素層パターン形成用のマスク（ストライプ用：（図５
６）を介して、プロキシミティー方式の露光機（プロキ
シミティーギャップ６０μｍ）で３００ｍＪ／ｃｍ²で
ｉ線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液（０
．５％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニクス
テクノロジー社製ＦＨＤ−５）を１分間噴霧し、アクリ
ル製の毛ブラシにてスクラブを行い、さらに純水で洗浄
して、未露光部のＧ色素層と光硬化性レジストをエッチ
ングした。最後に２００℃のオーブンに基板を挿入し
て、露光部の光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、Ｇ
色素層を配置した。以下、実施例１と同様にカラーフィ
ルタを製造した（図５７）。

【０１２７】以上のカラーフィルタの製造工程（比較例
６は除く）における、生産歩留り、色むら、精細度、耐
熱性、耐光性の評価結果を示す（表１、２）。また、実
施例１と比較例６で製造したカラーフィルタの分光特性
の比較を図７２に示す。 生産歩留り：絶縁性基板（ガラス基板）を２０枚投入し
た時に対するカラーフィルタの良品数の割合（％）を示
す。良品の条件として、外観検査により、白欠陥および
黒欠陥３０μｍ径以下とした。ミセル電解法によるカラ
ーフィルタでは、ＩＴＯパターンの断線による色素層の
欠陥は白欠陥、ＩＴＯパターンのリークによる色素層の
重複は黒欠陥に相当する。また、カラーフィルタ面の突
起を表面粗さ計で測定し、突起の高さが４ミクロン以上
が存在しないものを良品とした。色むら：基板上９点の
画素の色度をＲＧＢ別に測定し、その色差の最も大きい
ものをΔＥとして評価した。なおΔＥはＪＩＳ Ｚ８７
２４，Ｚ８７２３に準じた。 精細度：設計マスクパターン（５０μｍ□）に対する色
素層パターンの寸法精度（μｍ）を示す。 耐熱性：２６０℃×１時間（酸素雰囲気）の熱処理によ
る色純度（Ｇ色素層パターンについて）の変化（％）
（熱処理前の色純度と熱処理後の色純度の差）を示す。
耐光性：１００万ルクスのメタルハライドランプの１０
００時間照射による色純度（Ｇ色素層について）の変化
（％）（照射前の色純度と照射後の色純度の差）を示
す。なお、色純度は、各色ごとに色度座標を取り、Ｃ光
源とその色度座標を直線で結び、外挿された直線と外周
部の交点を色純度１００％としたとき、その色度座標の
Ｃ光源からの距離の割合（％）を示す。

【０１２８】

【表１】

【０１２９】［表２］ ────────────────────────────────── 色素層ハ゜ターン 生産歩留 色むら 精細度 耐熱性 耐光性 ────────────────────────────────── 比較例1 ストライフ゜ ６０ ＜５ ±2.0 ０ ０ 工程1 比較例2 タ゛イアコ゛ーナル ２５ ＜５ ±2.0 ０ ０ 工程2 比較例3 タ゛イアコ゛ーナル ２０ ＜５ ±2.0 ０ ０ 工程3 比較例4 トライアンク゛ル ６０ ＜５ ±3.0 １０ ６０ 工程14 比較例5 タ゛イアコ゛ーナル ６０ ＜３ ±2.0 １０ ７０ 工程15 ──────────────────────────────────

【０１３０】表１及び表２から、本発明のカラーフィル
タの製造法によって、種々の色素層のパターンの対して
も、歩留りよくカラーフィルタを生産することが可能で
あり、色むらも低減し、精細度も良好であることがわか
った。さらに、耐熱性のみならず、特に耐光性について
は、本発明で得られた色素層（パターン）が優れている
ことを確認した。また、表３のＲＧＢの色素層間段差
（色素層の膜厚最大値と最小値の差）の比較より、保護
膜を積層することにより色素層間の平坦性が向上するこ
とを確認した。

【０１３１】 ［表３］ ─────────────────────── 保護膜 色素層間段差（μｍ） ─────────────────────── 実施例２ あり ＜０．２ 実施例３ なし ＜０．５ ───────────────────────

【０１３２】さらに、実施例１と比較例６で製造したカ
ラーフィルタの分光特性の比較図（図７２）からわかる
ように、明らかに、比較例６ではカラーフィルタの分光
特性の低下が見られた。ミセル電解法で形成した色素層
は電気的に絶縁されていないため、比較例６のように絶
縁化せずに複数色の色素層を形成すると、先に形成した
色素層が後で形成する色素層で汚染されることがわかっ
た。従って、少なくとも先に形成する色素層については
電気的に絶縁化されていなければならない。従って、実
施例１のようにミセル電解法で製膜した色素層上に光硬
化性レジストを積層して絶縁化し（色素層パターンを形
成し）、先に形成した色素層上に後の色素層が積層され
て汚染されないような工夫が必要であることがわかっ
た。また、表４に実施例１と参考例１の比較を行った。
実施例１では、ミセル電解法で製膜した色素層上に塗布
した透明な光硬化性レジストを所望の色に対応したマス
クを介して露光後、露光されていない部分の光硬化性レ
ジストおよび色素層をエッチングして色素層（パター
ン）を形成する工程と、光可溶化型レジストを露光、現
像して形成した光可溶化型レジストパターンの空隙の透
明導電性薄膜上にミセル電解法において色素層を形成す
る工程を複数色の色素層について組み合わせて繰り返し
てカラーフィルタを製造し、参考例１では、ミセル電解
法で製膜した色素層上に塗布した透明な光硬化性レジス
トを所望の色に対応したマスクを介して露光後、露光さ
れていない部分の光硬化性レジストおよび色素層をエッ
チングして色素層（パターン）を形成する工程を複数色
の色素層について繰り返してカラーフィルタを製造し
た。表４の結果より、参考例１のようなエッチングの困
難な色素（例えばＧ色素層）を選択する場合には、実施
例１のように、光可溶化型レジストを露光、現像して形
成した光可溶化型レジストパターンの空隙の透明導電性
薄膜上にミセル電解法において色素層を形成する工程を
選べば、歩留りよくカラーフィルタを製造できることが
わかった。

【０１３３】

【０１３４】

【発明の効果】本発明のカラーフィルタの製造法によれ
ば、まず、＜１＞透明導電性薄膜を微細加工によりパタ
ーン化する必要がなく、例え微細加工を行ったとして
も、比較的容易な（例：ストライプ）パターンでよいの
で、先のショート、断線による歩留の低下を避けること
ができる。また、＜２＞カラーフィルタの色素層（色素
層のパターン）において、ダイアゴーナル、トライアン
グルパターン配列が難しいとされていた従来技術に対
し、本発明では、容易に適用が可能となった。また、＜
３＞色素層のある一色について透明導電性薄膜の微細パ
ターンを連続してつなぐ必要がないので、先の電圧降下
によるカラーフィルタの色斑を低減することができる。
また、＜４＞本発明では、ミセル電解法で製膜した色素
膜上に塗布した透明な光硬化性レジストを所望の色に対
応したマスクを介して露光後、露光されていない部分の
光硬化性レジストおよび色素層をエッチングして色素層
（パターン）を形成する工程、および、ほとんど透明な
光可溶化型レジストを露光、現像して形成した光可溶化
型レジストの空隙にミセル電解法において色素層を形成
する工程のため、分散法カラーフィルタのような色素
（顔料）含有光硬化性レジストの色素の光吸収によるレ
ジストの露光感度および解像度の低下がない。その結
果、本発明のカラーフィルタを用いて、さらに高精細な
カラー液晶ディスプレイへの応用が期待できる。このよ
うな効果に加えて、＜５＞元来ミセル電解法カラーフィ
ルタの色素層は、特に顔料（色素）の含有割合が大きい
ため、高い耐光性および耐熱性の長所を生かすことがで
きる。また、＜６＞この製造法によれば、電極取出し層
の形成を行う必要がなく、カラーフィルタ製造の工程を
簡略にできる。また、＜７＞カラーフィルタの製造工程
において、先のレジスト電着法では、一度形成した色素
層が電着ポリマーと共存するため電気的に絶縁化され、
光可溶化型レジストを一回塗布すればそのまま三原色の
色素層の形成が可能であるが、ミセル電解法で形成した
色素層は電気的に絶縁されていないため、三原色の色素
層の形成には、少なくとも２色の色素層について電気的
に絶縁化されていなければならない。従って、ミセル電
解法で製膜した色素層上に光硬化性レジストまたは、光
可溶化型レジストを積層して絶縁化し、先に形成した色
素層上に後の色素層が形成されないような工夫が必要で
ある。この工夫により、ミセル電解法においても、先に
形成した色素層を後で形成する色素層により汚染するこ
となく所望の分光を有するカラーフィルタを製造するこ
とが可能となる。また、＜８＞ミセル電解法で製膜した
色素層上に塗布した透明な光硬化性レジストを所望の色
に対応したマスクを介して露光後、露光されていない部
分の光硬化性レジストおよび色素層をエッチングして色
素層（パターン）を形成する工程と、光可溶化型レジス
トを露光、現像して形成した光可溶化型レジストの空隙
にミセル電解法において色素層を形成する工程を複数色
の色素層について組み合わせて繰り返してカラーフィル
タを製造することにより、任意の色素の選択が可能とな
る。すなわち、上記色素層のエッチングには、色素によ
ってエッチングが困難なものが存在し、ウェットエッチ
ングでは、色素の凝集状態が密の色素層はエッチングが
難しく、ドライエッチングでは色素の分子構造がエッチ
ングガスに耐性を有するものが存在するので、上記のよ
うな色素層のエッチングだけでは選択できる色素が限ら
れてくる。従って、エッチングの困難な色素を選択する
ばあいには、本発明のように、光可溶化型レジストを露
光、現像して形成した光可溶化型レジストパターンの空
隙の透明導電性薄膜上にミセル電解法において色素層を
形成する工程を選べば、より歩留りよくカラーフィルタ
を製造できる。また、＜９＞このようなカラーフィルタ
の製造法に加えて、ミセル電解法で製膜した色素層上に
紫外線（ＵＶ）洗浄を行なう。これによって、色素層中
に混入している油脂等の異物を紫外光と空気中の酸素と
の反応による微量のオゾンによって分解し、かつ、光硬
化性レジストおよび保護膜の濡れ性を向上させ、光硬化
性レジストおよび保護膜の塗膜のピンホールを減少さ
せ、カラーフィルタの製造歩留りを一層向上させること
が可能となる。また、＜１０＞色素層上の光硬化性レジ
スト及び／又は保護膜を積層する方法が、ミセル電解
法、または、電着法による製膜方法が、ミセル分散液お
よび電着液のようにウェットの状態の中で行なわれる
が、スピンコーターやロールコーターのようなドライプ
ロセスに一般的に問題となるコーター周辺の雰囲気およ
びコーター装置の摺動部などから異物の混入を低減さ
せ、上記と同様にカラーフィルタの製造歩留りを一層向
上させることが可能となる。また、＜１１＞このような
カラーフィルタの製造法で得られるカラーフィルタの複
数色の色素層の形成する部分を除いた部分に保護膜を複
数色の色素層の形成工程の前または、各色素層の形成工
程の間に形成することにより、ミセル電解法での色素層
の製膜範囲が狭くなり、かつ、色素層のエッチング範囲
が少なくてよいため、ミセル分散液中の色素を節約でき
る上、製膜時間およびエッチング時間を短縮でき、カラ
ーフィルタ製造の能率を上げることができる。さらにエ
ッチングされる色素量も少ないため、カラーフィルタ上
へエッチングされた色素が異物として混入することも減
り、歩留りを上げることができる。また、＜１２＞ミセ
ル電解法で製膜した色素層上に、保護膜及び／又は液晶
駆動用透明導電性薄膜を積層するため、色素層の基板へ
の接着性をより向上させることができる。さらに、＜１
３＞色素層間の膜厚段差を低減する（平坦性を高める）
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１〜２４】本発明のカラーフィルタの製造工程を模
式的に示す断面図とカラーフィルタ完成時の模式的平面
図である。

【図２５〜５６】カラーフィルタの製造に使用されるマ
スクを模式的に示す平面図である。

【図５７〜５８】参考例におけるカラーフィルタの製造
工程を模式的に示す断面図とカラーフィルタ完成時の模
式的平面図である。

【図５９】一般的なカラー液晶ディスプレイを模式的に
示す断面図である。

【図６０〜７１】従来のカラーフィルタの製造工程の模
式的断面図とカラーフィルタ完成時の模式的平面図であ
る。

【図７２】本発明のカラーフィルタ（実施例１）と従来
のカラーフィルタ（比較例６）の分光特性比較を示す説
明図である。

【符号の説明】

１０１…絶縁性基板 １０２…透明導電性薄膜 １１０…ブラックマトリックス １２１…ミセル電解法Ｒ色素層 １２２…ミセル電解法Ｇ色素層 １２３…ミセル電解法Ｂ色素層 １３０…透明光硬化性レジスト １４０…光可溶化型レジスト １５０…保護膜 １６０…液晶駆動用透明電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02B 5/20 101

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板上に、ミセル電解法によって
   複数色の色素層を分離して配置し、所定の色素パターン
   を形成するカラーフィルタの製造方法において、 絶縁性基板上の、少なくとも複数色の色素層が配置され
   る領域、又は、少なくとも複数色の色素層が配置される
   領域を含む連続するパターンに対応する領域に透明導電
   性薄膜を積層、形成し、この透明導電性薄膜が積層、形
   成された絶縁性基板上に、複数の色素層を、単色の各色
   素層としては下記工程群Ａ（ａ１及びａ２）又は工程群
   Ｂ（ｂ１，ｂ２及びｂ３）のいずれかを用い、かつ、複
   数色の色素層の集合体としては下記工程群Ａ（ａ１及び
   ａ２）及び工程群Ｂ（ｂ１，ｂ２及びｂ３）の両方を用
   いて、分離、配置することを特徴とするカラーフィルタ
   の製造方法。工程群Ａ ａ１）透明導電性薄膜の全面又は一部上に、ミセル電解
   法による製膜によって、複数色から選択した一つの色の
   色素層を形成する工程 ａ２）一つの色の色素層の上に透明な光硬化性レジスト
   を積層し、その一つの色の色素層に対応したマスクを用
   いて露光し、かつ露光部の熱処理の前及び／又は後に、
   未露光部分の光硬化性レジスト及び色素層を除去して、
   一つの色の色素層を配置する工程工程群Ｂ ｂ１）透明導電性薄膜の全面又は一部上に、光可溶化型
   レジストを積層し、複数色から選択した一つの色の色素
   層に対応したパターンを有するマスクを用いて露光し、
   次いで、現像して露光した部分の光可溶化型レジストを
   除去する工程 ｂ２）ミセル電解法による製膜によって、前記一つの色
   の色素層を、光可溶化型レジストを除去して露出させた
   透明導電性薄膜上に配置する工程 ｂ３）透明導電性薄膜上に残留した全ての光可溶化型レ
   ジストを除去する工程
2. 【請求項２】 前記絶縁性基板上の所定の領域に透明導
   電性薄膜を積層、形成する工程の前に、絶縁性基板上
   に、ブラックマトリックスの形状にパターニングした金
   属又は金属酸化物薄膜を積層、形成することを特徴とす
   る請求項１記載のカラーフィルタの製造方法。
3. 【請求項３】 前記絶縁性基板上にブラックマトリック
   スの形状にパターニングして積層、形成された金属又は
   金属酸化物薄膜の上にさらに絶縁膜を積層、形成するこ
   とを特徴とする請求項２記載のカラーフィルタの製造方
   法。
4. 【請求項４】 前記透明導電性薄膜が積層、形成された
   絶縁性基板上に複数の色素層を、単色の各色素層として
   は前記工程群Ａ（ａ１及びａ２）又は工程群Ｂ（ｂ１，
   ｂ２及びｂ３）のいずれかを用い、かつ、複数色の色素
   層の集合体としては前記工程群Ａ（ａ１及びａ２）及び
   工程群Ｂ（ｂ１，ｂ２及びｂ３）の両方を用いて、分
   離、配置する工程の前、中間又は後に、 黒色色素を含有する光硬化性レジストを、ブラックマト
   リックスの形状にパターニングして積層、形成すること
   を特徴とする請求項１記載のカラーフィルタの製造方
   法。
5. 【請求項５】 前記絶縁性基板上の所定の領域に透明導
   電性薄膜を積層、形成する工程の後であって、かつ複数
   色の各色素層を分離、配置する工程の前に、少なくと
   も、複数色の色素層及びブラックマトリックスが配置さ
   れる領域に、金属又は金属酸化物薄膜を積層、形成する
   工程、並びに、光硬化性レジスト又は光可溶化型レジス
   トをブラックマトリックスの形状にパターニングして積
   層、形成し、さらに下地の露出した金属又は金属酸化物
   薄膜をエッチングして、ブラックマトリックスを形成す
   る工程を用いることを特徴とする請求項１記載のカラー
   フィルタの製造方法。
6. 【請求項６】 前記複数色の各色素層を分離、配置した
   部分以外の部分上に、保護膜を複数色の各色素層を分
   離、配置する工程の前、又は中間に積層、形成すること
   を特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のカラー
   フィルタの製造方法。
7. 【請求項７】 前記複数色の各色素層を分離、配置する
   工程の後に、保護膜及び／又は液晶駆動用電極を積層、
   形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項
   記載のカラーフィルタの製造方法。
8. 【請求項８】 前記複数色の各色素（画素）が、赤、
   青、緑の三原色、または三原色及び黒色に対応するもの
   であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記
   載のカラーフィルタの製造方法。
9. 【請求項９】 前記複数色の各色素層を分離、配置する
   に際し、一つの色の色素層をミセル電解法で製膜して形
   成した後に紫外線洗浄を行なうことを特徴とする請求項
   １〜８のいずれか１項記載のカラーフィルタの製造方
   法。
10. 【請求項１０】 前記光硬化性レジスト、及び／又は保
    護膜を積層、形成する方法が、ミセル電解法、又は電着
    法によるものであることを特徴とする請求項１〜９のい
    ずれか１項記載のカラーフィルタの製造方法。