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JP3405570B2 - Manufacturing method of color filter - Google Patents

Manufacturing method of color filter

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Publication number
JP3405570B2
JP3405570B2 JP26802293A JP26802293A JP3405570B2 JP 3405570 B2 JP3405570 B2 JP 3405570B2 JP 26802293 A JP26802293 A JP 26802293A JP 26802293 A JP26802293 A JP 26802293A JP 3405570 B2 JP3405570 B2 JP 3405570B2
Authority
JP
Japan
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dye
dye layer
resist
thin film
color filter
Prior art date
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暢 栄田
英明 倉田
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Idemitsu Kosan Co Ltd
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Idemitsu Kosan Co Ltd
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Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、カラーフィルタの製造
方法に関する。さらに詳しくは、パソコン、ワープロ、
壁掛テレビ、ポケット液晶テレビ、液晶プロジェクター
等のカラー液晶ディスプレイ、オーロラビジョン、固体
撮像素子(CCD)、及びオーディオ、車載用インパ
ネ、時計、電卓、ビデオデッキ、ファックス、通信機、
ゲーム、測定機器等のカラーディスプレイ等に好適に利
用できるカラーフィルタの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a color filter. For more details, see PCs, word processors,
Color TVs such as wall-mounted TVs, pocket LCD TVs, liquid crystal projectors, aurora vision, solid-state image sensor (CCD), audio, vehicle-mounted instrument panel, clock, calculator, VCR, fax machine, communication device,
The present invention relates to a method for manufacturing a color filter that can be suitably used for a color display of games, measuring instruments and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】以下、カラーフィルタの従来技術を、カ
ラー液晶ディスプレイに用いられた場合を例にとって説
明する。近時の液晶テレビジョン、液晶プロジェクタ
ー、ラップトップパーソナルコンピュータ、ノート型パ
ーソナルコンピュータ等のディスプレイにカラー液晶デ
ィスプレイが用いられている。このカラー液晶ディスプ
レイには、絶縁性基板上に色素層を平面的にパターン
化、すなわち、分離配置して形成したカラーフィルタが
使用されている。
2. Description of the Related Art The prior art of a color filter will be described below with reference to the case where it is used in a color liquid crystal display. 2. Description of the Related Art Recently, color liquid crystal displays have been used as displays for liquid crystal televisions, liquid crystal projectors, laptop personal computers, notebook personal computers and the like. This color liquid crystal display uses a color filter in which a dye layer is planarly patterned, that is, separated and arranged on an insulating substrate.

【0003】一般的なカラー液晶ディスプレイの構成を
図59示す。このカラー液晶ディスプレイは、二枚の基
板の間に液晶を挟持している。すなわち、その一枚の基
板としてカラーフィルタを用い、カラーフィルタ基板1
0と駆動用基板20の間に液晶30を封入している。液
晶30を封入した後、接着剤(封止材)40a,40b
で封止している。カラーフィルタ基板10は、絶縁性基
板としてのガラス基板やガラス基板に導電性薄膜を積層
形成した基板1上に複数色、例えば三原色、すなわち、
赤(レッド、R)、緑(グリーン、G)、青(ブルー、
B)(以下、必要に応じて単にR,G,Bと記載する)
の色素層5a,5b,5cをくりかえし形成して構成さ
れている。さらに、この色素層5a〜5c間に、そこで
の洩れ光によるコントラストと色純度との低下を防止す
るためブラックマトリックス(以下、必要に応じてBM
又はBLと記載する)2a,2b,2c,2dがくりか
えし設けられている。
FIG. 59 shows the structure of a general color liquid crystal display. This color liquid crystal display has a liquid crystal sandwiched between two substrates. That is, a color filter is used as the one substrate, and the color filter substrate 1
A liquid crystal 30 is sealed between 0 and the drive substrate 20. After encapsulating the liquid crystal 30, adhesives (sealing materials) 40a, 40b
It is sealed with. The color filter substrate 10 has a plurality of colors, for example, three primary colors, that is, three primary colors, on a glass substrate as an insulating substrate or a substrate 1 in which a conductive thin film is laminated on the glass substrate.
Red (red, R), green (green, G), blue (blue,
B) (hereinafter, simply referred to as R, G, B if necessary)
The dye layers 5a, 5b and 5c are repeatedly formed. Further, between the dye layers 5a to 5c, in order to prevent deterioration of contrast and color purity due to leakage light there, a black matrix (hereinafter referred to as BM as necessary) is provided.
2a, 2b, 2c, 2d are repeatedly provided.

【0004】また、ブラックマトリックス2a〜2d、
色素層5a〜5c上に保護膜6を形成して平坦化し、そ
の上面に液晶駆動用透明電極を設けている。一方、駆動
用基板20は、絶縁性基板21に駆動用透明電極22
a,22b,22cをくりかえし形成して構成されてい
る。このようなカラーフィルタの色素層は、通常、印刷
機を用いてガラス基板等の絶縁性基板上にR,G,B三
原色の顔料又は染料(色素)と樹脂を混練したインキを
印刷する印刷法によって形成されている。また、顔料ま
たは染料(色素)を分散させた紫外線硬化性樹脂(レジ
スト)をガラス基板上に塗布し、フォトリソグラフィー
法によるマスク露光、現像、及び熱硬化をR,G,Bご
とに三回繰り返して色素層を形成する分散法、また、ゼ
ラチン等の感光性天然高分子をガラス基板上に塗布し、
フォトリソグラフィー法によるマスク露光、現像後、
R,G,Bのうちの一色の染料でパターニングしたゼラ
チンを染色し、熱硬化する工程を残りの二色についても
同様に繰り返して色素層を形成する染色法が用いられて
いる。
Further, the black matrices 2a to 2d,
A protective film 6 is formed on the dye layers 5a to 5c and planarized, and a liquid crystal driving transparent electrode is provided on the upper surface thereof. On the other hand, the drive substrate 20 includes an insulating substrate 21 and a drive transparent electrode 22.
It is configured by repeatedly forming a, 22b, and 22c. The dye layer of such a color filter is usually printed by using a printing machine to print an ink prepared by kneading a pigment or dye (pigment) of R, G and B three primary colors and a resin on an insulating substrate such as a glass substrate. Is formed by. Further, an ultraviolet curable resin (resist) in which a pigment or a dye (pigment) is dispersed is applied on a glass substrate, and mask exposure by photolithography, development, and heat curing are repeated three times for each R, G, B. Dispersion method to form a dye layer, or by coating a photosensitive natural polymer such as gelatin on a glass substrate,
After mask exposure and development by photolithography method,
A dyeing method of forming a dye layer by similarly repeating the steps of dyeing gelatin patterned with one color dye of R, G, and B and thermosetting it for the remaining two colors is also used.

【0005】さらに、電着ポリマーと顔料または染料
(色素)を液体中に分散させ、基板上に形成された導電
性薄膜のパターン(電極)を利用して、この電極上に
R,G,Bの色素層を順次電着塗装を行って、顔料また
は染料(色素)と電着ポリマーとからなる色素層を形成
する電着法又は界面活性剤と顔料または染料(色素)を
液体中に分散させ、先の電極上に顔料または染料のR,
G,Bの各色素を順次製膜して、色素層を形成するミセ
ル電解法が用いられている。
Further, an electro-deposited polymer and a pigment or dye (colorant) are dispersed in a liquid, and a pattern (electrode) of a conductive thin film formed on a substrate is used to form R, G, B on this electrode. The dye layers are sequentially subjected to electrodeposition coating to form a dye layer composed of the pigment or dye (pigment) and the electrodeposition polymer, or the surfactant and the pigment or dye (pigment) are dispersed in the liquid. , R of pigment or dye on the previous electrode,
A micellar electrolysis method is used in which the dyes of G and B are sequentially formed into a film to form a dye layer.

【0006】なお、上記のカラーフィルタの色素層を形
成するいずれの方法においても、平面的に配置した複数
色の色素層上に、さらに保護膜として熱硬化性樹脂など
が積層される場合がある。以上のカラーフィルタの製造
法の中において、ミセル電解法で形成した色素層は、顔
料または染料の含有量が高いため、耐光性に優れている
ことが知られている(特願平4−031905号)。こ
こで、ミセル電解法で耐光性に優れたカラーフィルタを
製造する場合としては、例えば工程1(特開平3−10
2302号)、工程2(特開平4−110901号)、
工程3(特開平5−142418号)を挙げることがで
きる。まず、ガラスなどの絶縁性透明基板上にインジウ
ム,スズの酸化物(ITO)などの透明導電性薄膜をパ
ターン化して色素層形成用電極を形成し、さらに黒色色
素(黒色顔料または染料混合物)含有のアクリル酸系光
硬化性レジスト硬化物(特開平4−13106号)から
なる電極取出しとブラックマトリックス層をパターン化
して同時に積層後、ミセル電解法でRGB三原色の顔料
を製膜して色素層を形成し、アクリル樹脂やシロキサン
樹脂などを主剤として含む保護膜剤で保護膜を形成し、
再びインジウム,スズの酸化物(ITO)などの透明導
電性薄膜を一面又は部分的に積層し液晶駆動用電極とし
た工程がある(工程1,図60,61)。
In any of the above methods for forming the dye layer of the color filter, a thermosetting resin or the like may be laminated as a protective film on the dye layers of a plurality of colors arranged in a plane. . In the color filter manufacturing method described above, the dye layer formed by the micelle electrolysis method is known to have excellent light resistance because of its high content of pigment or dye (Japanese Patent Application No. 4-031905). issue). Here, in the case of manufacturing a color filter having excellent light resistance by the micelle electrolysis method, for example, step 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 3-10
2302), step 2 (JP-A-4-110901),
Step 3 (JP-A-5-142418) can be mentioned. First, a transparent conductive thin film such as indium and tin oxide (ITO) is patterned on an insulating transparent substrate such as glass to form an electrode for forming a dye layer, and further a black dye (black pigment or dye mixture) is contained. Of the acrylic acid-based photocurable resist cured product (Japanese Patent Laid-Open No. 4-13106) and a black matrix layer were patterned and laminated at the same time, and pigments of RGB three primary colors were formed by a micelle electrolysis method to form a dye layer. Formed, forming a protective film with a protective film agent containing acrylic resin or siloxane resin as a main agent,
There is a step of again laminating a transparent conductive thin film such as an oxide of indium or tin (ITO) on one surface or partially to form a liquid crystal driving electrode (step 1, FIGS. 60, 61).

【0007】また、ガラスなどの絶縁性透明基板に、メ
タルクロムおよび酸化物クロムなどの金属又は金属酸化
物薄膜をパターン化したブラックマトリックス、シリカ
又はアクリル樹脂などの絶縁膜、インジウム,スズの酸
化物(ITO)などの透明導電性薄膜をパターン化した
色素層形成用電極を順次積層し、さらに、色素(顔料ま
たは染料)含有アクリル酸系光硬化性レジスト硬化物又
はアクリル酸系光硬化性レジスト硬化物からなる電極取
出し層を形成後、ミセル電解法でRGB三原色の顔料を
製膜して色素層を形成し、アクリル樹脂やシロキサン樹
脂などを主剤として含む保護膜剤で保護膜を形成し、再
びインジウム,スズの酸化物(ITO)などの透明導電
性薄膜を一面又は部分的に積層し液晶駆動用電極とした
工程がある(工程2,図62,63)。
Further, a black matrix obtained by patterning a metal or metal oxide thin film such as metal chrome and oxide chrome on an insulating transparent substrate such as glass, an insulating film such as silica or acrylic resin, an oxide of indium and tin. An electrode for forming a dye layer in which a transparent conductive thin film such as (ITO) is patterned is sequentially laminated, and a dye (pigment or dye) -containing acrylic acid-based photocurable resist cured product or acrylic acid-based photocurable resist cured After forming the electrode extraction layer made of a material, a pigment layer of RGB three primary colors is formed by a micelle electrolysis method to form a pigment layer, and a protective film is formed by a protective film agent containing an acrylic resin or a siloxane resin as a main component, and again. There is a step of laminating a transparent conductive thin film such as indium and tin oxide (ITO) on one surface or a part thereof to form a liquid crystal driving electrode (step , As shown in FIG. 62 and 63).

【0008】さらに、ガラスなどの絶縁性透明基板に、
インジウム,スズの酸化物(ITO)などの透明導電性
薄膜をパターン化した色素層形成用電極を形成し、色素
(顔料または染料)含有アクリル酸系光硬化性レジスト
硬化物またはアクリル酸系光硬化性レジスト硬化物から
なる電極取出し層を積層後、ミセル電解法でRGB三原
色の顔料を製膜して色素層を形成し、アクリル樹脂やシ
ロキサン樹脂などを主剤として含む保護膜剤で保護膜を
形成し、再びインジウム,スズの酸化物(ITO)など
の透明導電性薄膜を一面又は部分的に積層し液晶駆動用
電極とし、さらにメタルクロムおよび酸化物クロムなど
の金属又は金属酸化物薄膜をパターン化したブラックマ
トリックスとした工程がある(工程3,図64,6
5)。なお、工程3については液晶駆動用電極とブラッ
クマトリックスの積層の順を逆にしたものもある。
Furthermore, on an insulating transparent substrate such as glass,
An electrode for dye layer formation is formed by patterning a transparent conductive thin film such as indium and tin oxide (ITO), and a dye (pigment or dye) -containing acrylic acid photocurable resist cured product or acrylic acid photocurable product is formed. After laminating an electrode extraction layer consisting of a hardened cured resist, a pigment layer of RGB three primary colors is formed by a micelle electrolysis method to form a pigment layer, and a protective film is formed by a protective film agent containing an acrylic resin or a siloxane resin as a main agent. Then, again, a transparent conductive thin film such as indium and tin oxide (ITO) is laminated on one surface or partially to form a liquid crystal driving electrode, and metal or metal oxide thin film such as metal chromium and chromium oxide is patterned. There is a process using a black matrix (process 3, FIGS. 64, 6).
5). In addition, in the step 3, there is also one in which the order of laminating the liquid crystal driving electrode and the black matrix is reversed.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】以上三つの工程の問題
点として、いずれにおいても、透明導電性薄膜をパター
ン化した色素層形成用電極(電着法も同様)と、電極取
出し層が不可欠となっていた。また、透明導電性薄膜
(主にITO)のパターン化には、フォトリソグラフィ
ー法による微細加工が必要であり、透明導電性薄膜のシ
ョートおよび断線による欠陥が発生しやすかった。一
方、電極取出し層も同様にパターン化する必要があり、
工程が煩雑であった。その結果、最終的にカラーフィル
タの歩留りの低下を避け得なかった。
As a problem of the above three steps, in any case, it is indispensable that the electrode for forming a dye layer in which a transparent conductive thin film is patterned (the same as in the electrodeposition method) and the electrode extraction layer are indispensable. Was becoming. Further, patterning of the transparent conductive thin film (mainly ITO) requires fine processing by a photolithography method, and defects due to short circuit and disconnection of the transparent conductive thin film are likely to occur. On the other hand, the electrode extraction layer also needs to be patterned similarly.
The process was complicated. As a result, it is inevitable that the yield of the color filter is finally lowered.

【0010】また、ミセル電解法でRGBの色素のうち
一色を製膜するにあたって、その一色の色素層形成用電
極を連続的につなぐ必要があった。その際、色素層のパ
ターン配列として、ストライプ配列の他に、ダイアゴー
ナル配列、トライアングル配列等があるが、色素形成用
電極パターンのライン−アンド−スペースがダイアゴー
ナルとトライアングル配列の場合には、小さくなり、ス
トライプパターンに比較して、先のショート、断線によ
る欠陥の確率の増加すなわち歩留りの低下が著しかっ
た。
Further, in forming a film of one of the RGB dyes by the micelle electrolysis method, it was necessary to continuously connect the dye layer forming electrodes of the one color. At that time, as the pattern arrangement of the dye layer, in addition to the stripe arrangement, there is a diagonal arrangement, a triangle arrangement, etc., but if the line-and-space of the dye forming electrode pattern is a diagonal and triangle arrangement, it becomes small, Compared with the stripe pattern, the increase in the probability of defects due to the short circuit and the disconnection, that is, the decrease in the yield was remarkable.

【0011】さらに、微細な色素層形成用電極を連続的
につなげることにより、透明導電性薄膜の抵抗による電
圧降下を発生させ、電極取出し層近辺と遠隔部に色素層
の膜厚差すなわちカラーフィルタの色斑をひきおこす場
合があった。特に、ダイアゴーナル、トライアングル配
列用には上記理由から色斑が発生しやすかった。以上の
問題点は、一般的にミセル電解法のみならず電着法につ
いても同様に存在した。
Further, by continuously connecting the fine dye layer forming electrodes, a voltage drop is generated due to the resistance of the transparent conductive thin film, and the film thickness difference between the dye layer near the electrode extraction layer and the remote portion, that is, the color filter. There was a case where it caused the color spot of. Especially for diagonal and triangle arrangements, color spots tend to occur for the above reasons. The above problems generally existed not only in the micelle electrolysis method but also in the electrodeposition method.

【0012】なお、カラーフィルタを電着法で製造する
場合において、レジスト電着法(特開平4−24740
2号など)で上記問題点の解決がなされている。すなわ
ち、(a)透明基板上に透明導電層を形成する工程、
(b)特定のポジ型感光性樹脂組成物(光可溶型レジス
ト)をこの透明導電層に形成する工程、(c)この感光
性樹脂層上に所望のパターンを有するマスクを載置した
後、露光・現像して、透明導電の一部を露出する工程、
(d)露出した透明導電層上に電着により所望の色の着
色層を形成する工程、及び(e)前記(c)及び(d)
の工程を必要回数繰り返す工程からなる多色表示装置
(カラーフィルタ)の製造方法が開示されている。しか
しながら、この製造法からなるカラーフィルタの色素層
(着色層)には、前述のように、電着ポリマー(水溶性
アクリル樹脂、エポキシ樹脂等)がかなりの割合で存在
し、顔料または染料の含有率が低くなるため、形成した
カラーフィルタの耐光性を電着ポリマーの劣化で低下さ
せてしまう問題があった。
When the color filter is manufactured by the electrodeposition method, the resist electrodeposition method (JP-A-4-24740) is used.
No. 2) has solved the above problems. That is, (a) a step of forming a transparent conductive layer on a transparent substrate,
(B) a step of forming a specific positive photosensitive resin composition (photosoluble resist) on the transparent conductive layer, (c) after placing a mask having a desired pattern on the photosensitive resin layer Exposing and developing to expose a part of the transparent conductive material,
(D) a step of forming a colored layer of a desired color on the exposed transparent conductive layer by electrodeposition, and (e) the above (c) and (d)
There is disclosed a method for manufacturing a multicolor display device (color filter), which comprises the step of repeating the above step for the required number of times. However, as described above, the dye layer (colored layer) of the color filter produced by this production method contains a considerable proportion of the electro-deposited polymer (water-soluble acrylic resin, epoxy resin, etc.), and contains no pigment or dye. Since the ratio is low, there is a problem that the light resistance of the formed color filter is deteriorated due to the deterioration of the electrodeposition polymer.

【0013】一方、ミセル電解法においても、特開平4
−342205号公報において、レジスト電着法と同様
の方法(色素層の形成を電着法ではなく、ミセル電解法
で行う)により上記問題点の解決が図られているが、ミ
セル電解法で製膜した色素層は、多孔質であり電気的に
絶縁ができないため、繰り返し多色の色素層の形成を行
う際に、先に形成した色素層を後に形成する色素層で汚
染して、カラーフィルタに要求される色の分光が得られ
ないという問題が未解決であった。
On the other hand, also in the micelle electrolysis method, Japanese Patent Laid-Open No.
In Japanese Patent Publication No. 342205, the above problem is solved by a method similar to the resist electrodeposition method (the dye layer is formed by a micelle electrolysis method instead of the electrodeposition method). Since the filmed dye layer is porous and cannot be electrically insulated, when the multicolored dye layer is repeatedly formed, the dye layer formed earlier is contaminated with the dye layer formed later, and the color filter is formed. However, the problem that the required color spectrum cannot be obtained has not been solved.

【0014】一方、ミセル電解法及び電着法のみならず
他の製造法によって色素層を形成する場合にも種々の問
題点があった。すなわち、分散法カラーフィルタは、色
素(顔料または染料)を分散させた光硬化性レジストを
使用するため、色素の光吸収によって露光感度及び色素
層のパターンの精細度(解像度)が透明レジストに比べ
て悪くなり、さらに、色素含有レジストは、スピンコー
ターおよびロールコーターで塗布されるが、カラーフィ
ルタの中心部と末端部に色素含有レジストの膜厚差が生
じ、それが色むらを引き起こす原因となっていた。印刷
法カラーフィルタは、RGBを順次印刷する際の位置合
わせが難しく、高解像度(高精細)の色素パターンは現
状では望むことができなかった。染色法は、色素が染料
のみ使われるため、カラーフィルタの後加工上の耐熱性
および洗浄処理における耐薬品性に問題があった。さら
に、これらの分散法、印刷法、染色法いずれにおいて
も、色素層が顔料(色素)と樹脂(有機物)の共存し、
顔料に比べ樹脂の割合が多いため、形成したカラーフィ
ルタの耐光性に難があった。本発明は上述の問題点に鑑
みなされたものであり、高耐光性を維持しつつ高精細化
を可能とし、また、平坦化等の品質の向上、生産効率
(歩留り)の向上を図ることができるカラーフィルタの
製造方法を提供することを目的とする。
On the other hand, there are various problems when the dye layer is formed not only by the micelle electrolysis method and the electrodeposition method but also by other manufacturing methods. That is, since the dispersion method color filter uses a photo-curable resist in which a dye (pigment or dye) is dispersed, the exposure sensitivity and the fineness (resolution) of the pattern of the dye layer are higher than those of the transparent resist due to the light absorption of the dye. Further, the dye-containing resist is applied by a spin coater and a roll coater, but a film thickness difference of the dye-containing resist occurs at the center part and the end part of the color filter, which causes color unevenness. Was there. The printing method color filter is difficult to align when sequentially printing RGB, and a high-resolution (high-definition) dye pattern cannot be currently desired. In the dyeing method, since only the dye is used as the dye, there is a problem in heat resistance in post-processing of the color filter and chemical resistance in the cleaning process. Further, in any of the dispersion method, the printing method, and the dyeing method, the pigment layer coexists with the pigment (pigment) and the resin (organic substance),
Since the proportion of the resin is higher than that of the pigment, the formed color filter has difficulty in light resistance. The present invention has been made in view of the above problems, and it is possible to achieve high definition while maintaining high light resistance, and to improve quality such as flattening and improve production efficiency (yield). An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a color filter that can be used.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明によれば、絶縁性基板上に、ミセル電解法によっ
て複数色の色素層を分離して配置し、所定の色素パター
ンを形成するカラーフィルタの製造方法において、絶縁
性基板上の、少なくとも複数色の色素層が配置される領
域、又は、少なくとも複数色の色素層が配置される領域
を含む連続するパターンに対応する領域に透明導電性薄
膜を積層、形成し、この透明導電性薄膜が積層、形成さ
れた絶縁性基板上に、複数の色素層を、単色の各色素層
としては下記工程群A(a1及びa2)又は工程群B
(b1,b2及びb3)のいずれかを用い、かつ、複数
色の色素層の集合体としては下記工程群A(a1及びa
2)及び工程群B(b1,b2及びb3)の両方を用い
て、分離、配置することを特徴とするカラーフィルタの
製造方法が提供される。なお、本発明の場合、各色素層
を分離配置するに際して、全ての色素層を工程群A(a
1及びa2)のみを用いて分離配置することはない。工程群A a1)透明導電性薄膜の全面又は一部上に、ミセル電解
法による製膜によって、複数色から選択した一つの色の
色素層を形成する工程 a2)一つの色の色素層の上に透明な光硬化性レジスト
を積層し、その一つの色の色素層に対応したマスクを用
いて露光し、かつ露光部の熱処理の前及び/又は後に、
未露光部分の光硬化性レジスト及び色素層を除去して、
一つの色の色素層を配置する工程工程群B b1)透明導電性薄膜の全面又は一部上に、光可溶化型
レジストを積層し、複数色から選択した一つの色の色素
層に対応したパターンを有するマスクを用いて露光し、
次いで、現像して露光した部分の光可溶化型レジストを
除去する工程 b2)ミセル電解法による製膜によって、前記一つの色
の色素層を、光可溶化型レジストを除去して露光させた
透明導電性薄膜上に配置する工程 b3)透明導電性薄膜上に残留した全ての光可溶化型レ
ジストを除去する工程
To achieve the above object, according to the present invention, dye layers of a plurality of colors are separated and arranged on an insulating substrate by a micelle electrolysis method to form a predetermined dye pattern. In the method of manufacturing a color filter, a transparent conductive film is formed on an insulating substrate in a region corresponding to a region in which dye layers of at least a plurality of colors are arranged, or a region corresponding to a continuous pattern including a region in which dye layers of a plurality of colors are arranged. Layer is formed by laminating and forming a transparent thin film, and a plurality of dye layers are formed on the insulating substrate on which the transparent conductive thin film is laminated and formed, and the following step group A (a1 and a2) or a step group is used as each monochromatic dye layer. B
(B1, b2, and b3), and as an aggregate of dye layers of a plurality of colors, the following process group A (a1 and a
2) and the process group B (b1, b2, and b3) are used to provide a method for manufacturing a color filter, which is characterized by separating and arranging. In addition, in the case of the present invention, when the respective dye layers are separately arranged, all the dye layers are processed by the process group A (a
1 and a2) are not used separately. Step group A a1) Step a2) forming a dye layer of one color selected from a plurality of colors on the whole or a part of the transparent conductive thin film by film formation by the micelle electrolysis method a2) On the dye layer of one color Is laminated with a transparent photo-curable resist, exposed using a mask corresponding to the dye layer of one color, and before and / or after the heat treatment of the exposed part,
Remove the photo-curable resist and dye layer in the unexposed area,
Step of arranging dye layer of one color Process group B b1) A photosolubilization type resist is laminated on the whole surface or a part of the transparent conductive thin film to correspond to the dye layer of one color selected from a plurality of colors. Exposing using a mask with a pattern,
Then, the step of developing and exposing the exposed portion of the photosolubilizing resist is removed b2) The dye layer of one color is exposed by removing the photosolubilizing resist by film formation by a micelle electrolysis method. Step b3) of disposing on the conductive thin film Step of removing all the photosolubilizing type resist remaining on the transparent conductive thin film

【0016】また、前記絶縁性基板上の所定の領域に透
明導電性薄膜を積層、形成する工程の前に、絶縁性基板
上に、ブラックマトリックスの形状にパターニングした
金属又は金属酸化物薄膜を積層、形成することを特徴と
するカラーフィルタの製造方法が提供される。
Before the step of laminating and forming a transparent conductive thin film on a predetermined region of the insulating substrate, a metal or metal oxide thin film patterned in a black matrix shape is laminated on the insulating substrate. A method for manufacturing a color filter is provided.

【0017】また、前記絶縁性基板上にブラックマトリ
ックスの形状にパターニングして積層、形成された金属
又は金属酸化物薄膜の上にさらに絶縁膜を積層、形成す
ることを特徴とするカラーフィルタの製造方法が提供さ
れる。
Also, a color filter is manufactured by further laminating and forming an insulating film on the metal or metal oxide thin film formed by patterning and laminating on the insulating substrate in the shape of a black matrix. A method is provided.

【0018】また、前記透明導電性薄膜が積層、形成さ
れた絶縁性基板上に複数の色素層を、単色の各色素層と
しては下記工程群A(a1及びa2)又は工程群B(b
1,b2及びb3)のいずれかを用い、かつ、複数色の
色素層の集合体としては下記工程群A(a1及びa2)
及び工程群B(b1,b2及びb3)の両方を用いて、
分離、配置する工程の前、中間又は後に、黒色色素を含
有する光硬化性レシストを、ブラックマトリックスの形
状にパターニングして積層、形成することを特徴とする
カラーフィルタの製造方法が提供される。
Further, a plurality of dye layers are formed on the insulating substrate on which the transparent conductive thin film is laminated and formed, and the following process groups A (a1 and a2) or process groups B (b
1, b2 and b3), and the following process group A (a1 and a2) is used as an aggregate of dye layers of a plurality of colors.
And using both process group B (b1, b2 and b3),
Provided is a method for producing a color filter, which comprises patterning a photocurable resist containing a black dye into a shape of a black matrix and stacking and forming it before, in the middle or after the steps of separating and arranging.

【0019】また、前記絶縁性基板上の所定の領域に透
明導電性薄膜を積層、形成する工程の後であって、かつ
複数色の各色素層を分離、配置する工程の前に、少なく
とも、複数色の色素層及びブラックマトリックスが配置
される領域に、金属又は金属酸化物薄膜を積層、形成す
る工程、並びに、光硬化性レジスト又は光可溶化型レジ
ストをブラックマトリックスの形状にパターニングして
積層、形成し、さらに下地の露出した金属又は金属酸化
物薄膜をエッチングして、ブラックマトリックスを形成
する工程を用いることを特徴とするカラーフィルタの製
造方法が提供される。
At least after the step of laminating and forming the transparent conductive thin film in a predetermined region on the insulating substrate and before the step of separating and arranging the dye layers of a plurality of colors, A step of laminating and forming a metal or metal oxide thin film in a region where a pigment layer of a plurality of colors and a black matrix are arranged, and patterning and laminating a photocurable resist or a photosolubilizing resist into a black matrix shape. A method of manufacturing a color filter is provided, which comprises a step of forming a black matrix by forming a black matrix by etching a metal or metal oxide thin film having an exposed underlayer.

【0020】[0020]

【0021】また、前記複数色の各色素層を分離、配置
した部分以外の部分上に、保護膜を複数色の各色素層を
分離、配置する工程の前、又は中間に積層、形成するこ
とを特徴とするカラーフィルタの製造方法が提供され
る。
Further, a protective film may be laminated and formed on a portion other than the portion where the dye layers of the plurality of colors are separated and arranged, before or in the step of separating and placing the dye layers of the plurality of colors. A method for manufacturing a color filter is provided.

【0022】また、前記複数色の各色素層を分離、配置
する工程の後に、保護膜及び/又は液晶駆動用電極を積
層、形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方
法が提供される。
Further, there is provided a method of manufacturing a color filter, which comprises laminating and forming a protective film and / or a liquid crystal driving electrode after the step of separating and arranging the dye layers of a plurality of colors.

【0023】また、前記複数色の各色素(画素)が、
赤、青、緑の三原色、または三原色及び黒色に対応する
ものであることを特徴とするカラーフィルタの製造方法
が提供される。
The pigments (pixels) of the plurality of colors are
There is provided a method of manufacturing a color filter, which corresponds to three primary colors of red, blue, green, or three primary colors and black.

【0024】また、前記複数色の各色素層を分離、配置
するに際し、一つの色の色素層をミセル電解法で製膜し
て形成した後に、紫外線洗浄を行なうことを特徴とする
カラーフィルタの製造方法が提供される。
In separating and arranging the dye layers of the plurality of colors, a dye layer of one color is formed by a micelle electrolysis method, and then washed with ultraviolet rays. A manufacturing method is provided.

【0025】さらに、前記光硬化性レジスト、及び/又
は保護膜を積層、形成する方法が、ミセル電解法、又は
電着法によるものであることを特徴とするカラーフィル
タの製造方法が提供される。
Further, there is provided a method of manufacturing a color filter, characterized in that the method for laminating and forming the photocurable resist and / or the protective film is a micelle electrolysis method or an electrodeposition method. .

【0026】以下、従来のカラーフィルムの製造工程及
び本発明の具体的な製造工程を概略説明するとともに、
使用材料について詳細に説明する。
Hereinafter, the conventional color film manufacturing process and the specific manufacturing process of the present invention will be briefly described.
The materials used will be described in detail.

【0027】1.従来のカラーフィルタの製造工程 工程1:図61は、ストライプ型色素パターンを有する
カラーフィルタの構成を示す正面図、図60は、その製
造工程を示す図61のX−Y線断面図である。 (A):絶縁性基板上に透明導電性薄膜を成膜する。 (B):透明導電性薄膜をパターン化する。 (C):BL(黒色)色素含有光硬化性レジスト硬化物
パターンを形成し、ブラックマトリックス及び電極取出
し層を形成する。 (D):ミセル電解法製膜により、R,G,B色素層を
製膜形成する。 (E):保護膜を形成する。 (F):図60のA線で切断する。 (G):液晶駆動用透明電極を形成する。 以下、同様にして工程2〜3及び工程14〜16につい
て簡略化して説明する。
1. Conventional Color Filter Manufacturing Process Step 1: FIG. 61 is a front view showing the configuration of a color filter having a stripe dye pattern, and FIG. 60 is a sectional view taken along line XY of FIG. 61 showing the manufacturing process. (A): A transparent conductive thin film is formed on an insulating substrate. (B): The transparent conductive thin film is patterned. (C): A BL (black) dye-containing photocurable resist cured product pattern is formed to form a black matrix and an electrode extraction layer. (D): R, G, B dye layers are formed by micellar electrolysis film formation. (E): A protective film is formed. (F): Cut at line A in FIG. (G): A liquid crystal driving transparent electrode is formed. Hereinafter, steps 2 to 3 and steps 14 to 16 will be simply described in the same manner.

【0028】工程2:図63は、ダイアゴーナル型色素
パターンを有するカラーフィルタの構成を示す正面図、
図62は、その製造工程を示す図63のX−Y線断面図
である。 絶縁性基板上に金属又は金属酸化物薄膜パターン化(ブ
ラックマトリックス形成)→絶縁膜形成→透明導電性薄
膜成膜→透明導電性薄膜パターン化→光硬化性レジスト
硬化物パターン化(電極取出し層形成)→ミセル電解法
製膜R,G,B色素層形成→保護膜形成→基板カット→
液晶駆動用電極形成
Step 2: FIG. 63 is a front view showing the structure of a color filter having a diagonal dye pattern.
62 is a cross-sectional view taken along the line XY of FIG. 63, showing the manufacturing process. Metal or metal oxide thin film patterning (black matrix formation) on insulating substrate → insulating film formation → transparent conductive thin film deposition → transparent conductive thin film patterning → photocurable resist cured product patterning (electrode extraction layer formation ) → Micelle electrolysis film formation R, G, B dye layer formation → protective film formation → substrate cut →
Liquid crystal driving electrode formation

【0029】工程3:図65はダイアゴーナル型色素パ
ターンを有するカラーフィルタの構成を示す正面図、図
64は、その製造工程を示す図65のX−Y線断面図で
ある。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜→透明導電性薄膜パ
ターン化→光硬化性レジスト硬化物パターン化(電極取
出し層形成)→ミセル電解法製膜R,G,B色素層形成
→保護膜形成→基板カット→液晶駆動用透明電極形成→
金属又は金属酸化物薄膜パターン化(ブラックマトリッ
クス形成)
Step 3: FIG. 65 is a front view showing the structure of a color filter having a diagonal type dye pattern, and FIG. 64 is a sectional view taken along the line XY of FIG. 65 showing its manufacturing process. Transparent conductive thin film formation on insulating substrate → Transparent conductive thin film patterning → Photocurable resist cured product patterning (electrode extraction layer formation) → Micelle electrolysis film formation R, G, B dye layer formation → Protective film formation → Substrate cut → Transparent electrode formation for liquid crystal drive →
Metal or metal oxide thin film patterning (black matrix formation)

【0030】工程14:図67はトライアングル型色素
パターンを有するカラーフィルタの構成を示す正面図、
図66は、その製造工程を示す図67のX−Y線断面図
である。 絶縁性基板上に金属又は金属酸化物薄膜パターン形成
(ブラックマトリックス形成)→R色素含有(分散)レ
ジストパターン形成(R色素層形成)→G色素含有(分
散)レジストパターン形成(G色素層形成)→B色素含
有(分散)レジストパターン形成(B色素層形成)→保
護膜形成→液晶駆動用透明電極形成
Step 14: FIG. 67 is a front view showing the structure of a color filter having a triangle type dye pattern,
66 is a cross-sectional view taken along the line XY of FIG. 67, showing the manufacturing process. Metal or metal oxide thin film pattern formation (black matrix formation)-> R dye-containing (dispersion) resist pattern formation (R-dye layer formation)-> G dye-containing (dispersion) resist pattern formation (G-dye layer formation) on an insulating substrate → Formation of resist pattern containing B dye (dispersion) (formation of B dye layer) → Formation of protective film → Formation of transparent electrode for liquid crystal drive

【0031】工程15:図69はダイアゴーナル型色素
パターンを有するカラーフィルタの構成を示す正面図、
図68は、その製造工程を示す図69のX−Y線断面図
である。 絶縁性基板上に金属又は金属酸化物薄膜パターン化(ブ
ラックマトリックス形成)→透明導電性薄膜成膜→光可
溶化型レジストパターン形成(R色素パターン用)→電
着法R色素含有(分散)電着ポリマーパターン形成→光
可溶化型レジストパターン形成(G色素パターン用)→
電着法G色素含有(分散)電着ポリマーパターン形成→
光可溶化型レジストパターン形成(B色素パターン用)
→電着法B色素含有(分散)電着ポリマーパターン形成
→光可溶化型レジスト除去→保護膜形成→液晶駆動用透
明電極形成
Step 15: FIG. 69 is a front view showing the structure of a color filter having a diagonal dye pattern.
68 is a cross-sectional view taken along the line XY of FIG. 69, showing the manufacturing process. Patterning of a metal or metal oxide thin film on an insulating substrate (black matrix formation) → transparent conductive thin film formation → photosolubilizing resist pattern formation (for R dye pattern) → electrodeposition method R dye containing (dispersion) electrode Deposition polymer pattern formation → Photosolubilization type resist pattern formation (for G dye pattern) →
Electrodeposition method G Dye-containing (dispersion) electrodeposition polymer pattern formation →
Photosolubilizing resist pattern formation (for B dye pattern)
→ Electrodeposition method B Dye-containing (dispersion) electrodeposition polymer pattern formation → Photosolubilization type resist removal → Protective film formation → Liquid crystal driving transparent electrode formation

【0032】工程16:図71はストライプ型色素パタ
ーンを有するカラーフィルタの構成を示す正面図、図7
0は、その製造工程を示す図71のX−Y線断面図であ
る。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜→光可溶化型レジス
トパターン形成(G色素パターン用)→ミセル電解法製
膜G色素層形成→光可溶化型レジストパターン形成(B
色素パターン用)→ミセル電解法製膜B色素形成→光可
溶化型レジストパターン形成(R色素パターン用)→ミ
セル電解法製膜R色素層形成→光可溶化型レジスト除去
→保護膜形成→液晶駆動用透明電極形成
Step 16: FIG. 71 is a front view showing the structure of a color filter having a stripe type dye pattern, FIG.
0 is a cross-sectional view taken along the line XY of FIG. 71, showing the manufacturing process. Transparent conductive thin film formation on insulating substrate → photo-solubilization type resist pattern formation (for G dye pattern) → micelle electrolytic film formation G dye layer formation → photo-solubilization type resist pattern formation (B
Dye pattern) → Micelle electrolysis film formation B dye formation → Photosolubilization type resist pattern formation (for R dye pattern) → Micelle electrolysis film formation R dye layer formation → Photosolubilization type resist removal → Protective film formation → Liquid crystal driving Transparent electrode formation

【0033】2.本発明のカラーフィルタ等の製造工程 以下、代表的な例を示すが、本発明は、以下の例に限ら
れることはない。なお、色素層R,G,Bの形成の順は
任意である。 工程4:図2は、ストライプ型色素パターンを有する、
カラーフィルタの構成を示す正面図、図1は、その製造
工程を示す図2のX−Y線断面図である。 (A):絶縁性基板上に、透明導電性薄膜を成膜する
(a)。 (B):ミセル電解法によってR色素層を製膜する
(b)。 (C)透明光硬化性レジストを積層する(c)。 (D):光硬化性透明レジスト積層パターンを形成し、
不要部分のR色素層もエッチングにより除去する。(R
色素層の形成)(d)。 (E):ミセル電解法によってB色素層を形成し、次ぎ
に透明光硬化性レジスト積層パターンを形成し、不要部
分のB色素層もエッチングにより除去する(B色素層形
成)(e)。 (F):光可溶化型レジストパターンを形成する(G色
素層形成用)(f)。 (G):ミセル電解法によってG色素層を形成する。
(G色素層形成)(g)。 (H):光可溶化型レジストを除去する(h)。 ここで、上記に加えて、(I):保護膜(i)及び/又
は(J):液晶駆動用透明導電性薄膜の電極(j)を少
なくともR,B,G色素層上に積層してもよい。また、
三色目(ここでは、G)の光可溶化型レジストの積層パ
ターン化は、三色目の色素層領域だけでもよいし、一色
目、二色目の色素層の領域を含めた、カラーフィルタの
複数色の色素層の形成される部分(表示部)でもよい。
さらに、カラーフィルタの複数色の色素層の形成される
部分(表示部)を除いた部分に保護膜を積層してもよ
い。その積層は、R,B,G色素層の形成工程の前、ま
たはR,B,Gの各色素層の形成工程の間でもよい。以
下、同様に工程5〜工程13について簡略化して説明す
る。
2. Manufacturing steps of the color filter and the like of the present invention Representative examples will be shown below, but the present invention is not limited to the following examples. The order of forming the dye layers R, G, and B is arbitrary. Step 4: FIG. 2 has a striped dye pattern,
FIG. 1 is a front view showing the configuration of the color filter, and FIG. 1 is a sectional view taken along line XY of FIG. 2 showing the manufacturing process. (A): A transparent conductive thin film is formed on an insulating substrate (a). (B): An R dye layer is formed by a micelle electrolysis method (b). (C) A transparent photocurable resist is laminated (c). (D): forming a photocurable transparent resist laminated pattern,
The unnecessary portion of the R dye layer is also removed by etching. (R
Formation of dye layer) (d). (E): A B dye layer is formed by a micelle electrolysis method, then a transparent photo-curable resist laminated pattern is formed, and an unnecessary portion of the B dye layer is also removed by etching (B dye layer formation) (e). (F): A photosolubilizing resist pattern is formed (for G dye layer formation) (f). (G): A G dye layer is formed by the micelle electrolysis method.
(G dye layer formation) (g). (H): The photosolubilizing resist is removed (h). Here, in addition to the above, (I): a protective film (i) and / or (J): an electrode (j) of a transparent conductive thin film for driving a liquid crystal is laminated on at least the R, B and G dye layers. Good. Also,
Lamination patterning of the third color (here, G) photosolubilizing resist may be performed only in the dye layer region of the third color, or in a plurality of colors of the color filter including the regions of the dye layers of the first color and the second color. It may be a portion (display portion) where the dye layer is formed.
Further, a protective film may be laminated on a portion of the color filter other than the portion (display portion) where the pigment layers of a plurality of colors are formed. The stacking may be performed before the step of forming the R, B, and G dye layers or between the steps of forming the R, B, and G dye layers. Hereinafter, similarly, the steps 5 to 13 will be simply described.

【0034】工程5:図4は、トライアングル型色素パ
ターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面図、
図3は、その製造工程を示す図4のX−Y線断面図であ
る。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜及びパターン化
(a)→ミセル電解法B色素層形成(b)→光硬化性レ
ジスト積層(c)→光硬化性レジストパターン化及び不
要部分のB色素層をエッチングにより除去(B色素層形
成)(d)→(b),(c),(d)をR色素について
繰り返す(R色素層形成)(e)→光可溶化型レジスト
積層パターン化(f)→ミセル電解法G色素層の形成
(G色素層形成)(g)→光可溶化型レジスト除去
(h) ここで、上記に加えて、保護膜及び/又は液晶駆動用透
明電極を少なくともR,B,G色素層上に積層してもよ
いが、STN方式及びMIM方式の液晶駆動方式におい
ては、透明導電性薄膜パターン(ストライプ)をして液
晶駆動することができるので、保護膜及び/又は液晶駆
動用透明導電性薄膜を必ずしも積層しなくてもよい。ま
た、三色目(ここでは、G)の光可溶化型レジストの積
層パターン化は、三色目の色素層領域だけでもよいし、
一色目及び二色目の色素層の領域を含めた、カラーフィ
ルタの複数色の色素層の形成される部分(表示部)でも
よい。さらに、カラーフィルタの複数の色素層の形成さ
れる部分(表示部)を除いた部分に保護膜を積層しても
よい。その積層は、R,B,G色素層の形成工程の前ま
たはR,B,Gの各色素層の形成工程の間でもよい。
Step 5: FIG. 4 is a front view showing the structure of a color filter having a triangle type dye pattern,
FIG. 3 is a sectional view taken along the line XY of FIG. 4 showing the manufacturing process. Formation of transparent conductive thin film on insulating substrate and patterning (a)-> micelle electrolysis method B dye layer formation (b)-> photocurable resist layering (c)-> photocurable resist patterning and unnecessary part B dye The layer is removed by etching (B dye layer formation) (d) → (b), (c) and (d) are repeated for the R dye (R dye layer formation) (e) → photosolubilization type resist lamination patterning ( f) → Micelle electrolysis method G dye layer formation (G dye layer formation) (g) → photosolubilization type resist removal (h) Here, in addition to the above, at least a protective film and / or a liquid crystal driving transparent electrode are provided. It may be laminated on the R, B and G dye layers, but in the liquid crystal driving method of the STN method and the MIM method, it is possible to drive the liquid crystal by forming a transparent conductive thin film pattern (stripe). / Or a transparent conductive thin film for driving liquid crystal It does not necessarily have to be laminated. Further, the laminated patterning of the photosolubilizing resist of the third color (here, G) may be performed only in the dye layer region of the third color,
It may be a portion (display portion) where the dye layers of a plurality of colors of the color filter are formed, including the areas of the dye layers of the first color and the second color. Further, a protective film may be laminated on a portion of the color filter excluding a portion (display portion) where a plurality of dye layers are formed. The stacking may be performed before the step of forming the R, B, G dye layers or during the step of forming the R, B, G dye layers.

【0035】工程6:図10は、ダイアゴーナル型色素
パターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面
図、図9は、その製造工程を示す図10のX−Y線断面
図である。 絶縁性基板上に金属または金属酸化物薄膜成膜およびパ
ターン化(ブラックマトリックスの形成)(a)→透明
導電性薄膜成膜(b)→ミセル電解法G色素層形成
(c)→光硬化性レジスト積層(d)→光硬化性レジス
トパターン化及び不要部分のG色素層エッチングにより
除去(G色素層形成)(e)→(c),(d),(e)
をB色素について繰り返す(B色素層形成)(f)→光
可溶化型レジスト積層パターン化(g)→ミセル電解法
R色素層形成(h)→光可溶化型レジスト除去(i) ここで、上記に加えて、保護膜及び/又は液晶駆動用透
明電極を少なくともR,B,G色素層上に積層してもよ
い。また、三色目(ここでは、R)の光可溶化型レジス
トの積層パターン化は、三色目の色素層領域だけでもよ
いし、一色目、二色目の色素層の領域を含めた、カラー
フィルタの複数の色素層の形成される部分(表示部)で
もよい。さらに、カラーフィルタの複数の色素層の形成
される部分(表示部)を除いた部分に保護膜を積層して
もよい。その積層は、R,B,G色素層の形成工程の前
またはR,B,Gの各色素層の形成工程の間でもよい。
Step 6: FIG. 10 is a front view showing the structure of a color filter having a diagonal dye pattern, and FIG. 9 is a sectional view taken along the line XY of FIG. 10 showing its manufacturing process. Metal or metal oxide thin film formation and patterning (formation of black matrix) on an insulating substrate (a) → transparent conductive thin film formation (b) → micelle electrolysis method G dye layer formation (c) → photocurability Resist lamination (d) → removal by photocurable resist patterning and unnecessary portion by G dye layer etching (G dye layer formation) (e) → (c), (d), (e)
Is repeated for B dye (B dye layer formation) (f) → photosolubilization type resist lamination patterning (g) → micelle electrolysis method R dye layer formation (h) → photosolubilization type resist removal (i) In addition to the above, a protective film and / or a liquid crystal driving transparent electrode may be laminated on at least the R, B, and G dye layers. Further, the laminated patterning of the photosolubilizing resist of the third color (here, R) may be performed only in the dye layer region of the third color, or in the color filter including the regions of the dye layers of the first color and the second color. It may be a portion (display portion) where a plurality of dye layers are formed. Further, a protective film may be laminated on a portion of the color filter excluding a portion (display portion) where a plurality of dye layers are formed. The stacking may be performed before the step of forming the R, B, G dye layers or during the step of forming the R, B, G dye layers.

【0036】工程7:図12は、トライアングル型色素
パターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面
図、図11は、その製造工程を示す図12のX−Y線断
面図である。 絶縁性基板上に金属または金属酸化物薄膜成膜およびパ
ターン化(ブラックマトリックスの形成)(a)→絶縁
膜積層(b)→透明導電性薄膜成膜およびパターン化
(c)→ミセル電解法B色素層形成(d)→光硬化性レ
ジスト積層(e)→光硬化性レジストパターン化及び不
要部分のB色素層エッチングにより除去(B色素層形
成)(f)→(d),(e),(f)をG色素について
繰り返す(G色素層形成)(g)→光可溶化型レジスト
積層パターン化(h)→ミセル電解法R色素層形成
(i)→光可溶化型レジスト除去(j)→保護膜形成
(k) ここで、上記に加えて、液晶駆動用透明電極を少なくと
もR,B,G色素層上に積層してもよいが、STN方式
及びMIM方式の液晶駆動方式においては、透明導電性
薄膜パターン(ストライプ)をして液晶駆動することが
できるので、保護膜及び/又は液晶駆動用透明電極を必
ずしも積層しなくてもよい。また、三色目(ここでは、
R)の光可溶化型レジストの積層パターン化は、三色目
の色素層領域だけでもよいし、一色目及び二色目の色素
層の領域を含めた、カラーフィルタの複数の色素層の形
成される部分(表示部)でもよい。さらに、カラーフィ
ルタの複数の色素層の形成される部分(表示部)を除い
た部分に保護膜を積層してもよい。その積層は、R,
B,G色素層の形成工程の前またはR,B,Gの各色素
層の形成工程の間でもよい。
Step 7: FIG. 12 is a front view showing the structure of a color filter having a triangle type dye pattern, and FIG. 11 is a sectional view taken along the line XY of FIG. 12 showing its manufacturing process. Metal or metal oxide thin film formation and patterning (formation of black matrix) on insulating substrate (a) → insulating film stacking (b) → transparent conductive thin film formation and patterning (c) → micelle electrolysis method B Dye layer formation (d) → photocurable resist stack (e) → photocurable resist patterning and removal of unnecessary portions by B dye layer etching (B dye layer formation) (f) → (d), (e), (F) is repeated for G dye (G dye layer formation) (g) → photosolubilization type resist lamination patterning (h) → micelle electrolysis method R dye layer formation (i) → photosolubilization type resist removal (j) → Formation of protective film (k) Here, in addition to the above, a transparent electrode for driving a liquid crystal may be laminated on at least the R, B, G dye layers, but in the liquid crystal driving method of the STN method and the MIM method, Transparent conductive thin film pattern (stra Since it is possible to drive the liquid crystal by performing the step (1), it is not always necessary to laminate the protective film and / or the transparent electrode for driving the liquid crystal. Also, the third color (here,
The laminated patterning of the photo-solubilizing resist of R) may be performed only in the dye layer region of the third color, or a plurality of dye layers of the color filter including the regions of the dye layers of the first color and the second color are formed. It may be a part (display part). Further, a protective film may be laminated on a portion of the color filter excluding a portion (display portion) where a plurality of dye layers are formed. The stack is R,
It may be before the step of forming the B and G dye layers or during the step of forming the R, B and G dye layers.

【0037】工程8:図6は、トライアングル型色素パ
ターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面図、
図5は、その製造工程を示す図6のX−Y線断面図であ
る。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜(a)→BL色素含
有光硬化性レジストパターン化(ブラックマトリックス
形成)(b)→ミセル電解法R色素層形成(c)→光硬
化性レジスト積層(d)→光硬化性レジストパターン化
及び不要部分のR色素層エッチングにより除去(R色素
層形成)(e)→(c),(d),(e)をB色素につ
いて繰り返す(B色素層形成)(f)→光可溶化型レジ
スト積層パターン化(g)→ミセル電解法G色素層形成
(h)→光可溶化型レジスト除去(i)→保護膜形成
(j)→液晶駆動用透明電極形成(k) ここで、三色目(ここでは、G)の光可溶化型レジスト
の積層パターン化は、三色目の色素層領域だけでもよい
し、一色目、二色目の色素層の領域を含めた、カラーフ
ィルタの複数色の色素層の形成される部分(表示部)で
もよい。さらに、カラーフィルタの複数の色素層の形成
される部分(表示部)を除いた部分に保護膜を積層して
もよい。その積層は、R,B,G色素層の形成工程の前
またはR,B,Gの各色素層の形成工程の間でもよい。
Step 8: FIG. 6 is a front view showing the structure of a color filter having a triangle type dye pattern,
FIG. 5 is a sectional view taken along the line XY of FIG. 6 showing the manufacturing process. Transparent conductive thin film formation on an insulating substrate (a)-> BL dye-containing photocurable resist patterning (black matrix formation) (b)-> micelle electrolysis method R dye layer formation (c)-> photocurable resist lamination ( d) → Removal by photo-curable resist patterning and R dye layer etching of unnecessary portions (R dye layer formation) (e) → (c), (d) and (e) are repeated for B dye (B dye layer formation) ) (F) → Photosolubilizing resist laminated patterning (g) → Micelle electrolysis method G dye layer formation (h) → Photosolubilizing resist removal (i) → Protective film formation (j) → Transparent electrode for driving liquid crystal Formation (k) Here, the laminated patterning of the photosolubilizing resist of the third color (here, G) may be performed only in the dye layer region of the third color, or may include the regions of the dye layers of the first color and the second color. In addition, the multi-color dye layers of the color filter are formed. Part (display part). Further, a protective film may be laminated on a portion of the color filter excluding a portion (display portion) where a plurality of dye layers are formed. The stacking may be performed before the step of forming the R, B, G dye layers or during the step of forming the R, B, G dye layers.

【0038】工程9:図8は、トライアングル型色素パ
ターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面図、
図7は、その製造工程を示す図8のX−Y線断面図であ
る。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜形成及びパターン化
(a)→BL色素含有光硬化性レジストパターン化(ブ
ラックマトリックス形成)(b)→ミセル電解法B色素
層形成(c)→光硬化性レジスト積層(d)→光硬化性
レジストパターン化及び不要部分のB色素層エッチング
により除去(B色素層形成)(e)→(c),(d),
(e)をR色素について繰り返す(R色素層形成)
(f)→光可溶化型レジスト積層パターン化(g)→ミ
セル電解法G色素層形成(h)→光可溶化型レジスト除
去(i) ここで、上記に加えて、保護膜及び/又は液晶駆動用透
明電極を少なくともR,B,G色素層上に積層してもよ
いが、STN方式及びMIM方式の液晶駆動方式におい
ては、透明導電性薄膜パターン(ストライプ)をして液
晶駆動することができるので、保護膜及び/又は液晶駆
動用透明電極を必ずしも積層しなくてもよい。また、三
色目(ここでは、G)の光可溶化型レジストの積層パタ
ーン化は、三色目の色素層領域だけでもよいし、一色目
及び二色目の色素層の領域を含めた、カラーフィルタの
複数の色素層の形成される部分(表示部)でもよい。さ
らに、カラーフィルタの複数の色素層の形成される部分
(表示部)を除いた部分に保護膜を積層してもよい。そ
の積層は、R,B,G色素層の形成工程の前またはR,
B,Gの各色素層の形成工程の間でもよい。また、工程
8、9において、BL色素含有光硬化性レジストパター
ン化すなわちブラックマトリックスの形成は、R,G,
B色素層の形成工程の前の他に、R,B,Gの各色素層
の形成工程の間でもよいし、R,G,B色素層形成工程
終了後でもよい。
Step 9: FIG. 8 is a front view showing the structure of a color filter having a triangle type dye pattern.
FIG. 7 is a sectional view taken along the line XY of FIG. 8 showing the manufacturing process. Forming and patterning a transparent conductive thin film on an insulating substrate (a)-> BL dye-containing photocurable resist patterning (black matrix formation) (b)-> micelle electrolysis method B dye layer formation (c)-> photocurable resist Lamination (d) → removal by photo-curing resist patterning and etching of B dye layer in unnecessary portions (B dye layer formation) (e) → (c), (d),
(E) is repeated for R dye (R dye layer formation)
(F) → Photosolubilization type resist laminated patterning (g) → Micelle electrolysis method G dye layer formation (h) → Photosolubilization type resist removal (i) Here, in addition to the above, a protective film and / or a liquid crystal The driving transparent electrode may be laminated on at least the R, B, and G dye layers, but in the liquid crystal driving method of the STN method and the MIM method, it is possible to drive the liquid crystal by forming a transparent conductive thin film pattern (stripe). Therefore, the protective film and / or the liquid crystal driving transparent electrode do not necessarily have to be laminated. Further, the laminated patterning of the third color (here, G) photosolubilizing resist may be performed only in the dye layer region of the third color, or in the color filter including the regions of the dye layers of the first color and the second color. It may be a portion (display portion) where a plurality of dye layers are formed. Further, a protective film may be laminated on a portion of the color filter excluding a portion (display portion) where a plurality of dye layers are formed. The stacking is performed before the R, B, G dye layer forming step or
It may be between the steps of forming the B and G dye layers. Further, in Steps 8 and 9, the BL dye-containing photo-curable resist patterning, that is, the formation of the black matrix is performed by R, G,
It may be before the step of forming the B dye layer, during the step of forming each of the R, B, and G dye layers, or after the completion of the R, G, B dye layer forming step.

【0039】工程10:図14は、ダイアゴーナル型色
素パターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面
図、図13は、その製造工程を示す図14のX−Y線断
面図である。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜(a)→金属または
金属酸化物薄膜成膜(b)→光硬化性レジストパターン
化及び金属および金属酸化物薄膜エッチング(ブラック
マトリックスの形成)(c)→光可溶化型レジスト積層
パターン化(d)→ミセル電解法R色素層形成(R色素
層形成)(e)→光可溶化型レジストパターン化(f)
→ミセル電解法G色素層形成(g)→光可溶化型レジス
トパターン化(h)→ミセル電解法B色素層形成(i)
→光可溶化型レジスト除去(j)→保護膜形成(k)→
液晶駆動用透明電極形成(l) また、各色素層形成毎に、光可溶化型レジストを除去し
てもよい。
Step 10: FIG. 14 is a front view showing the structure of a color filter having a diagonal dye pattern, and FIG. 13 is a sectional view taken along line XY of FIG. 14 showing the manufacturing process. Transparent conductive thin film deposition (a) → metal or metal oxide thin film deposition (b) → photocurable resist patterning and metal and metal oxide thin film etching (formation of black matrix) (c) on an insulating substrate -> Photosolubilization type resist laminated pattern (d)-> Micelle electrolysis method R dye layer formation (R dye layer formation) (e)-> Photosolubilization type resist patterning (f)
→ Micelle electrolysis method G dye layer formation (g) → photo-solubilization type resist patterning (h) → micelle electrolysis method B dye layer formation (i)
→ Photosolubilization type resist removal (j) → Protective film formation (k) →
Formation of transparent electrode for driving liquid crystal (l) Further, the photosolubilizing resist may be removed each time each dye layer is formed.

【0040】工程11:図16は、ダイアゴーナル型色
素パターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面
図、図15は、その製造工程を示す図16のX−Y線断
面図である。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜(a)→金属または
金属酸化物薄膜成膜(b)→光硬化性レジストパターン
化及び金属または金属酸化物薄膜エッチング(ブラック
マトリックスの形成)(c)→ミセル電解法R色素層形
成(d)→光硬化性レジスト積層(e)→光硬化性レジ
ストパターン化及び不要部分のR色素膜エッチング(R
色素層形成)(f)→(d),(e),(f)をB色素
について繰り返す(B色素層形成)(g)→光可溶化型
レジスト積層パターン化(h)→ミセル電解法G色素層
形成(i)→光可溶化型レジスト除去(j)→保護膜形
成(k)→液晶駆動用透明電極形成(l) ここで、三色目(ここでは、G)の光可溶化型レジスト
の積層パターン化は、三色目の色素層領域だけでもよい
し、一色目及び二色目の色素層の領域を含めた、カラー
フィルタの複数の色素層の形成される部分(表示部)で
もよい。さらに、カラーフィルタの複数の色素層の形成
される部分(表示部)を除いた部分に保護膜を積層して
もよい。その積層は、R,B,G色素層の形成工程の前
またはR,B,Gの各色素層の形成工程の間でもよい。
Step 11: FIG. 16 is a front view showing the structure of a color filter having a diagonal dye pattern, and FIG. 15 is a sectional view taken along the line XY of FIG. 16 showing the manufacturing process. Transparent conductive thin film deposition (a) → metal or metal oxide thin film deposition (b) → photo-curable resist patterning and metal or metal oxide thin film etching (formation of black matrix) (c) on an insulating substrate -> Micelle electrolysis method R dye layer formation (d)-> photocurable resist stack (e)-> photocurable resist patterning and R dye film etching (R) of unnecessary portions
Dye layer formation) (f) → (d), (e), (f) is repeated for B dye (B dye layer formation) (g) → photosolubilization type resist lamination patterning (h) → micelle electrolysis method G Dye layer formation (i) → photosolubilization type resist removal (j) → protective film formation (k) → liquid crystal driving transparent electrode formation (l) Here, the third color (here, G) photosolubilization type resist The layered pattern may be formed only in the dye layer region of the third color, or in a portion (display unit) in which a plurality of dye layers of the color filter are formed, including the regions of the dye layers of the first color and the second color. Further, a protective film may be laminated on a portion of the color filter excluding a portion (display portion) where a plurality of dye layers are formed. The stacking may be performed before the step of forming the R, B, G dye layers or during the step of forming the R, B, G dye layers.

【0041】工程12:図18は、ダイアゴーナル型色
素パターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面
図、図17は、その製造工程を示す図18のX−Y線断
面図である。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜(a)→金属または
金属酸化物薄膜パターン化(ブラックマトリックスの形
成)(b)→光可溶性レジストパターン化(c)→ミセ
ル電解法R色素層形成(R色素層形成)(d)→光可溶
化型レジストパターン化(e)→ミセル電解法G色素層
形成(G色素層形成)(f)→光可溶化型レジストパタ
ーン化(g)→ミセル電解法B色素層形成(B色素層形
成)(h)→光可溶化型レジスト除去(i)→保護膜形
成(j)→液晶駆動用透明電極形成(k) また、各色素層形成毎に、光可溶化型レジストを除去し
てもよい。
Step 12: FIG. 18 is a front view showing the structure of a color filter having a diagonal dye pattern, and FIG. 17 is a sectional view taken along the line XY of FIG. 18 showing its manufacturing process. Transparent conductive thin film formation on an insulating substrate (a) → metal or metal oxide thin film patterning (formation of black matrix) (b) → photo-soluble resist patterning (c) → micelle electrolysis method R dye layer formation ( R dye layer formation) (d) → photosolubilization type resist patterning (e) → micelle electrolysis method G dye layer formation (G dye layer formation) (f) → photosolubilization type resist patterning (g) → micelle electrolysis Method B Dye layer formation (B dye layer formation) (h) → photosolubilization type resist removal (i) → protective film formation (j) → liquid crystal driving transparent electrode formation (k) Further, for each dye layer formation, The photosolubilizing resist may be removed.

【0042】工程13:図20は、ダイアゴーナル型色
素パターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面
図、図19は、その製造工程を示す図20のX−Y線断
面図である。 絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜(a)→金属または
金属酸化物薄膜パターン化(ブラックマトリックスの形
成)(b)→ミセル電解法R色素層形成(c)→光硬化
性レジスト積層(d)→光硬化性レジストパターン化及
び不要部分のR色素膜エッチング(R色素層形成)
(e)→(c),(d),(e)をB色素について繰り
返す(B色素層形成)(f)→光可溶化型レジストパタ
ーン化(g)→ミセル電解法G色素層形成(h)→光可
溶化型レジスト除去(G色素層形成)(i)→保護膜形
成(j)→液晶駆動用透明電極形成(k) ここで、三色目(ここでは、G)の光可溶化型レジスト
の積層パターン化は、三色目の色素層領域だけでもよい
し、一色目及び二色目の色素層の領域を含めた、カラー
フィルタの複数の色素層の形成される部分(表示部)で
もよい。さらに、カラーフィルタの複数の色素層の形成
される部分(表示部)を除いた部分に保護膜を積層して
もよい。その積層は、R,B,G色素層の形成工程の前
またはR,B,Gの各色素層の形成工程の間でもよい。
Step 13: FIG. 20 is a front view showing the structure of a color filter having a diagonal dye pattern, and FIG. 19 is a sectional view taken along the line XY of FIG. 20 showing its manufacturing process. Transparent conductive thin film formation on an insulating substrate (a) → metal or metal oxide thin film patterning (formation of black matrix) (b) → micelle electrolysis R dye layer formation (c) → photocurable resist lamination ( d) → Photocurable resist patterning and R dye film etching of unnecessary portions (R dye layer formation)
(E) → (c), (d), (e) are repeated for B dye (B dye layer formation) (f) → photo-solubilizing resist patterning (g) → micelle electrolysis method G dye layer formation (h ) → Photosolubilization type resist removal (G dye layer formation) (i) → Protective film formation (j) → Transparent liquid crystal drive electrode formation (k) Here, the third color (here, G) photosolubilization type The resist may be laminated and patterned only in the dye layer region of the third color, or in a portion (display unit) in which a plurality of dye layers of the color filter are formed, including the regions of the dye layers of the first color and the second color. . Further, a protective film may be laminated on a portion of the color filter excluding a portion (display portion) where a plurality of dye layers are formed. The stacking may be performed before the step of forming the R, B, G dye layers or during the step of forming the R, B, G dye layers.

【0043】2.使用材料及びその使用方法 以下、本発明で使用される各種材料及びその使用方法に
ついて詳細に説明する。 (1)絶縁性基板 本発明で用いる絶縁性基板としては、特に制限はなく、
ガラス板やプラスチック板を用いることができる。具体
的に、ガラス板としては、低膨張ガラス、無アルカリガ
ラス(コーニング社製7059,HOYA製NA4
5),石英ガラス,ソーダライムガラス等を挙げること
ができる。プラスチック板としては、ポリエチレンテレ
フタレートなどのプラスチック板を挙げることができ
る。中でも、ガラス板が好適で、その研磨品が特に好ま
しいが無研磨品でもよい。
2. Materials Used and Methods of Using the Same Various materials used in the present invention and methods of using the same will be described in detail below. (1) Insulating Substrate The insulating substrate used in the present invention is not particularly limited,
A glass plate or a plastic plate can be used. Specifically, as the glass plate, low expansion glass, alkali-free glass (Corning 7059, HOYA NA4
5), quartz glass, soda lime glass and the like. Examples of the plastic plate include plastic plates such as polyethylene terephthalate. Of these, a glass plate is preferable, and a polished product thereof is particularly preferable, but a non-polished product may be used.

【0044】(2)透明導電性薄膜 透明導電性薄膜としては、ミセル化剤のフェロセン誘導
体の酸化電位より貴な金属または導電体を挙げることが
できる。具体的には、インジウムとスズの混合酸化物
(ITO),二酸化スズ,透明導電性ポリマーを挙げる
ことができる。透過率は95%以上(薄膜のみ)、膜厚
は100〜2000⌒、シート抵抗は500Ω/□以下
であることが好ましい。その形成方法は、特に制限はな
く、スパッタ法、蒸着法、CVD法、コーティング法、
パイロゾル法等により、絶縁性基板上の、少なくとも複
数色の色素層の形成される領域に形成するか、少なくと
も複数色の色素層の形成される領域を含むパターンに対
応する領域に形成される。具体的には、絶縁性基板上平
面的に見て、全面でもよいし、マスキング(例:図3
6)の手法により、少なくともカラーフィルタの複数色
の色素層の形成される領域に形成する。また、この透明
導電性薄膜を、所定のマスク(例:図25)を介して、
フォトリソグラフィー法などで、例えば少なくともカラ
ーフィルタの複数色の色素層の形成される領域を含むパ
ターンに対応する領域に形成する。
(2) Transparent conductive thin film As the transparent conductive thin film, a metal or a conductor having a noble potential higher than the oxidation potential of the ferrocene derivative of the micelle agent can be mentioned. Specific examples thereof include mixed oxides of indium and tin (ITO), tin dioxide, and transparent conductive polymers. It is preferable that the transmittance is 95% or more (only a thin film), the film thickness is 100 to 2000 ⌒, and the sheet resistance is 500 Ω / □ or less. The forming method is not particularly limited, and the sputtering method, vapor deposition method, CVD method, coating method,
By a pyrosol method or the like, it is formed on an insulating substrate in a region where dye layers of at least a plurality of colors are formed, or in a region corresponding to a pattern including a region where dye layers of a plurality of colors are formed. Specifically, it may be the entire surface of the insulating substrate when viewed two-dimensionally, or masking (example: FIG. 3).
By the method of 6), it is formed in at least the region of the color filter where the pigment layers of a plurality of colors are formed. In addition, this transparent conductive thin film, through a predetermined mask (example: FIG. 25),
By a photolithography method or the like, for example, it is formed in a region corresponding to a pattern including at least regions in which color dye layers of plural colors are formed.

【0045】(3)ブラックマトリックス ブラックマトリックスとしては、金属又は金属酸化物薄
膜、黒色色素含有光硬化性レジスト硬化物、ミセル電解
法製膜黒色色素層等を用いることができる。具体的に、
金属又は金属酸化物薄膜としては、クロム(Cr)、ニ
ッケル(Ni)、銅(Cu)等の金属又は、その酸化
物、並びに、上記金属又は金属酸化物の混合物を挙げる
ことができる。光学濃度は3.0以上(膜厚0.05〜
0.5μm)であることが好ましい。その形成方法につ
いては特に制限はなく、スパッタリング法、蒸着法、C
VD法等により絶縁性基板を平面的に見て、全面か、マ
スキングの方法により少なくともブラックマトリックス
と複数色の色素層の形成される領域を含んだ全面に上記
金属または金属酸化物薄膜を成膜後、フォトリソグラフ
ィー法によりパターニングを行う(一般的には、光可溶
化型レジスト塗布→露光(ブラックマトリックス形成用
マスク使用)→現像→ポストベーク→金属又は金属酸化
物薄膜のエッチング→光可溶化型レジスト除去)方法を
挙げることができる。
(3) Black Matrix As the black matrix, a metal or metal oxide thin film, a black dye-containing photocurable resist cured product, a black dye layer formed by a micelle electrolysis method, or the like can be used. Specifically,
Examples of the metal or metal oxide thin film include metals such as chromium (Cr), nickel (Ni), and copper (Cu), oxides thereof, and mixtures of the above metals or metal oxides. Optical density is 3.0 or more (film thickness 0.05-
0.5 μm) is preferable. There is no particular limitation on the forming method, and the sputtering method, vapor deposition method, C
The above-mentioned metal or metal oxide thin film is formed on the entire surface of the insulating substrate as viewed in a plane by the VD method or the like, or on the entire surface including at least a region where a black matrix and dye layers of a plurality of colors are formed by a masking method. After that, patterning is performed by a photolithography method (generally, photo-solubilization type resist application → exposure (using a mask for forming a black matrix) → development → post bake → metal or metal oxide thin film etching → photo-solubilization type). A method of removing the resist can be mentioned.

【0046】黒色色素含有光硬化性レジスト硬化物とし
ては、下記のものを用いることができる。黒色色素とし
ては、カーボンブラック、チタンブラック、アニリンブ
ラック又はコバルトや鉄、又はその酸化物のうち、単品
およびそのすくなくとも二種以上を混合してなる顔料お
よび顔料混合物(A)、及び黒色,赤色,青色,緑色,
紫色,シアニン,マゼンタ有機顔料(主にミセル電解法
製膜色素層に用いられる顔料を使用してもよい)のう
ち、少なくとも二種以上を混合してなる擬似黒色化顔料
混合物(B)、並びに(A)及び(B)の混合物(特開
平4−13106号,特開平4−190362号)を挙
げることができる。
The following can be used as the black dye-containing photocurable resist cured product. Examples of the black pigment include carbon black, titanium black, aniline black, cobalt or iron, or oxides thereof, a pigment and a pigment mixture (A) obtained by mixing at least two of them, and black, red, Blue, green,
A quasi-blackening pigment mixture (B) formed by mixing at least two or more of purple, cyanine, and magenta organic pigments (mainly pigments used in the micelle electrolysis film-forming dye layer may be used), and ( A mixture of A) and (B) (JP-A-4-13106, JP-A-4-190362) can be mentioned.

【0047】光硬化性レジストとしては、アクリル、メ
タクリル酸誘導体とその共重合体(バインダー)の混合
物を挙げることができる。上記アクリル、メタクリル酸
誘導体にエポキシ基、シロキサン基、ポリイミド前駆体
を導入したものであってもよい。光開始剤としては、ト
リアジン系、アセトフォノン系、ベンジイン系、ベンゾ
フェノン系、チオキサンソン系等を挙げることができ
る。分散剤としては非イオン性、イオン性界面活性剤、
有機顔料誘導体、ポリエステル系の単品および二種以上
の混合物を挙げることができる。溶剤としてはシクロヘ
キサノン等のケトン類、およびセロソルブアセテート等
のエステル類の単品および二種以上の混合物を挙げるこ
とができる。
Examples of the photocurable resist include a mixture of an acrylic or methacrylic acid derivative and its copolymer (binder). An epoxy group, a siloxane group, or a polyimide precursor may be introduced into the acrylic or methacrylic acid derivative. Examples of the photoinitiator include triazine-based, acetophonone-based, benzyne-based, benzophenone-based, thioxanthone-based and the like. As the dispersant, nonionic, ionic surfactant,
Examples include organic pigment derivatives, polyester-based single products, and mixtures of two or more thereof. Examples of the solvent include ketones such as cyclohexanone and esters such as cellosolve acetate, and mixtures of two or more thereof.

【0048】以上を混合、分散、瀘過後、フォトリソグ
ラフィー法によりパターニングを行う。一般的には、上
記レジストを塗布し、必要に応じて酸素遮断膜(ポリビ
ニルアルコール)を塗布し、露光し(ブラックマトリッ
クス形成用マスク使用)、現像し、ポストベークする。
なお、基板の裏面より露光する(バック露光)により、
ブラックマトリックス形成用マスクを使用する必要がな
い場合もある。例えば、RGB色素層(色素パターン)
がすでに形成されている場合には、RGB色素層をブラ
ックマトリックス形成用のマスクとすることができる。
光学濃度は、2.0以上(膜厚1.0μm)であること
が好ましい。具体的な商品名としては、CK−2000
(富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製)、V
−259ブラック(新日鉄社製)等を挙げることができ
る。
After mixing, dispersing, and filtering the above, patterning is performed by the photolithography method. Generally, the above resist is applied, an oxygen barrier film (polyvinyl alcohol) is applied if necessary, exposed (using a mask for forming a black matrix), developed, and post-baked.
In addition, by exposing from the back surface of the substrate (back exposure),
In some cases, it is not necessary to use a black matrix forming mask. For example, RGB dye layer (dye pattern)
In the case where the black matrix is already formed, the RGB dye layer can be used as a mask for forming the black matrix.
The optical density is preferably 2.0 or more (film thickness 1.0 μm). As a concrete product name, CK-2000
(Made by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.), V
-259 black (manufactured by Nippon Steel Co., Ltd.) and the like.

【0049】ミセル電解法製膜黒色色素層としては下記
のものを挙げることができる。黒色色素としてはカーボ
ンブラック、チタンブラック、アニリンブラック、又
は、コバルトや鉄又はその酸化物のうち単品および、す
くなくとも二種以上を混合してなる顔料および顔料混合
物(A)、及び黒色,赤色,青色,緑色,紫色,シアニ
ン,マゼンタ有機顔料(主にミセル電解法製膜色素層に
用いられる顔料を使用してよい)のうち、少なくとも二
種以上を混合してなる擬似黒色顔料混合物(B)、並び
に(A)と(B)の混合物。以上をミセル電解法で製膜
する。
Examples of the black dye layer formed by the micelle electrolysis method include the following. As the black pigment, carbon black, titanium black, aniline black, or a single product of cobalt, iron, or an oxide thereof, and a pigment and a pigment mixture (A) formed by mixing at least two kinds, and black, red, and blue. , Green, purple, cyanine, and magenta organic pigments (mainly pigments used in the micelle electrolysis film-forming dye layer may be used), a pseudo black pigment mixture (B) obtained by mixing at least two or more thereof, and A mixture of (A) and (B). The above is formed into a film by the micelle electrolysis method.

【0050】色素層の形成は、導電性薄膜上にミセル電
解法で黒色色素層を製膜し、さらに光硬化性レジストを
積層して、フォトリソグラフィー法によりブラックマト
リックスの形状でレジストのパターニングと色素層のエ
ッチングにより得ることができる(特願平4−2654
22号,5−144320号))。また、導電性薄膜上
に光可溶化型レジストを積層し、フォトリソグラフィー
法によりブラックマトリックスの形状でレジストのパタ
ーニングを行い、露出した導電性薄膜上にミセル電解法
で黒色色素層を製膜して得ることができる(特願平5−
91996号)。また、すでにRGBの色素層が形成さ
れていれば、その間隙にミセル電解法で黒色色素膜を製
膜しても得ることができる(特願平4−265422
号)。光学濃度は2.5以上(膜厚1.0μm)である
ことが好ましい。
The dye layer is formed by forming a black dye layer on the conductive thin film by the micelle electrolysis method, further laminating a photocurable resist, and patterning the resist in the shape of a black matrix by the photolithography method and dye. It can be obtained by etching the layer (Japanese Patent Application No. 4-2654).
22, No. 5-144320)). Further, a photosolubilizing resist is laminated on the conductive thin film, the resist is patterned in the shape of a black matrix by the photolithography method, and a black dye layer is formed on the exposed conductive thin film by the micelle electrolysis method. Can be obtained (Japanese Patent Application No. 5-
91996). Further, if RGB dye layers are already formed, a black dye film can be formed in the gaps by a micelle electrolysis method (Japanese Patent Application No. 4-265422).
issue). The optical density is preferably 2.5 or more (film thickness 1.0 μm).

【0051】以上のブラックマトリックスの形状は、複
数色の色素層間での漏れ光によるコントラストと色純度
との低下を防止する役割を果たすために、少なくとも色
素層間の間隙に存在しなければならない。各色素層がブ
ラックマトリックスと一部重なるようにするのがより好
ましい。さらに、ブラックマトリックスの領域が絶縁性
基板上の複数色の色素層の存在しない部分(カラーフィ
ルタの表示部外周辺部)にも存在する形状としてもよ
い。
The above-mentioned shape of the black matrix must exist at least in the gap between the dye layers in order to play a role of preventing deterioration of contrast and color purity due to leaked light between the dye layers of a plurality of colors. More preferably, each dye layer partially overlaps the black matrix. Further, the shape of the black matrix region may be present also in a portion where the pigment layers of a plurality of colors are not present on the insulating substrate (a peripheral portion outside the display portion of the color filter).

【0052】(4)透明光硬化性レジスト 本発明に用いられる透明光硬化性レジストとしては、紫
外光(i線、g線、h線)などにおける露光部分が重
合、架橋、硬化するものであって、透明性の高いものほ
どよい。具体的には、たとえばアクリル、メタクリル酸
誘導体と、その共重合体(バインダー)の混合物を挙げ
ることができる。このアクリル、メタクリル酸誘導体と
しては、エポキシ基、シロキサン基、ポリイミド前駆体
を導入したものを好適に用いることができる。光開始剤
としては、トリアジン系、アセトフェノン系、ベンジイ
ン系、ベンゾフェノン系、チオキサンソン系等を好適に
用いることができる。溶剤としては、シクロヘキサノン
等のケトン類、セロソルブアセテート等のエステル類の
単品及び二種以上の混合物を挙げることができる。これ
らを混合、分散、濾過してレジストを調整する。
(4) Transparent photo-curable resist The transparent photo-curable resist used in the present invention is one in which an exposed portion in ultraviolet light (i-line, g-line, h-line) or the like is polymerized, cross-linked and cured. The higher the transparency, the better. Specifically, for example, a mixture of acrylic or methacrylic acid derivative and its copolymer (binder) can be mentioned. As the acryl or methacrylic acid derivative, those introduced with an epoxy group, a siloxane group, or a polyimide precursor can be preferably used. As the photoinitiator, triazine-based, acetophenone-based, benziyne-based, benzophenone-based, thioxanthone-based and the like can be preferably used. Examples of the solvent include ketones such as cyclohexanone and esters such as cellosolve acetate, and mixtures of two or more thereof. These are mixed, dispersed, and filtered to prepare a resist.

【0053】具体的な商品名としては、CT(富士ハン
トエレクトロニクステクノロジー社製)、V−259P
A(新日鐵社製)、JNPC06,JNPC09,JN
PC16(JSR社製)、CFGR(東京応化社製)、
及びフォトニースUR3100(東レ社製)等を挙げる
ことができる。透明光硬化性レジスト硬化物の膜厚と透
過率は、膜厚0.1〜4.0μm,透過率90%以上/
460nmが好ましい。なお透過率はレジスト膜のみの
値である。
Specific product names include CT (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) and V-259P.
A (manufactured by Nippon Steel), JNPC06, JNPC09, JN
PC16 (made by JSR), CFGR (made by Tokyo Ohka),
And Photo Nice UR3100 (manufactured by Toray). The film thickness and transmittance of the transparent photocurable resist cured product are 0.1 to 4.0 μm, and the transmittance is 90% or more /
460 nm is preferred. The transmittance is the value of the resist film only.

【0054】(5)光可溶化型レジスト 本発明に用いられる光可溶化型レジストとしては、特に
制限はなく、紫外線(i線、g線、h線)などにおける
露光部分が現像液で溶出するものであればよい。具体的
には、ジアゾニウム塩とパラフォルムアルデヒド縮重合
物を含む感光性樹脂組成物(特公昭38−11365
号,米国特許1762033号記載など)、オルト−キ
ノンジアジド類、またはオルト−ジアゾオキシド類を含
む感光性樹脂組成物(特公昭37−3627号,特公昭
43−28403号,特公昭45−9610号記載な
ど)、アルカリ可溶性アジドポリマーを含む感光性樹脂
組成物(特公昭40−28499号,特公昭45−22
085号,英国特許第843541号記載など)、水ま
たはアルカリ水溶液で現像可能なアジド化合物を含む感
光性樹脂組成物(特公昭41−7100号,特公昭44
−28725号,米国特許第2,692,826号,特
公昭45−22082号記載など)、及び、カルボン酸
のtert−ブチルエステルまたはフェノールのter
t−ブチルカルボナートよりなる酸に不安定な枝分かれ
した基を有する重合体と露光時に酸を生じる光重合開始
剤(オニウム塩)とを含むポジ型感光性樹脂組成物等を
挙げることができる。具体的な商品名としては、例え
ば、HPR204、FH2130等(富士ハントエレク
トロニクステクノロジー社製)、OFPR(東京応化社
製)を挙げることができる。
(5) Photosolubilizing Resist The photosolubilizing resist used in the present invention is not particularly limited, and the exposed portion of ultraviolet rays (i rays, g rays, h rays) or the like is eluted with a developing solution. Anything will do. Specifically, a photosensitive resin composition containing a diazonium salt and a condensation product of paraformaldehyde (Japanese Patent Publication No. 38-11365).
, U.S. Pat. No. 1,762,033), ortho-quinonediazides, or ortho-diazooxides in a photosensitive resin composition (JP-B-37-3627, JP-B-43-28403, JP-B-45-9610) Etc.), a photosensitive resin composition containing an alkali-soluble azide polymer (Japanese Patent Publication No. 40-28499, Japanese Patent Publication No. 45-22).
No. 085, British Patent No. 843541, etc.), a photosensitive resin composition containing an azide compound developable with water or an aqueous alkali solution (Japanese Patent Publication Nos. 41-7100 and 44).
No. 28725, US Pat. No. 2,692,826, Japanese Patent Publication No. 45-22082), and tert-butyl ester of carboxylic acid or ter of phenol.
Examples thereof include a positive photosensitive resin composition containing a polymer of t-butyl carbonate having an acid-labile branched group and a photopolymerization initiator (onium salt) that produces an acid upon exposure. Specific product names include, for example, HPR204, FH2130 and the like (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) and OFPR (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.).

【0055】(6)ミセル電解法製膜色素層 赤色(R)色素層としては、ペリレン系顔料、レーキ顔
料、アゾ系顔料、ジスアゾ系顔料、キナクリドン系顔
料、アントラキノン系顔料、アントラセン系顔料、イソ
インドリン系顔料、イソインドリノン系顔料等の単品又
は少なくとも二種以上の混合物を挙げることができる。
緑色(G)色素層としては、ハロゲン多置換フタロシア
ニン系顔料、ハロゲン多置換銅フタロシアニン系顔料、
トリフェニルメタン系塩基性染料、イソインドリン系顔
料、イソインドリノン系顔料、アゾ顔料、ジスアゾ顔料
系等の単品又は少なくとも二種以上の混合物を挙げるこ
とができる。青色(B)色素層としては、銅フタロシア
ニン系顔料、フタロジアニン系顔料、インダンスロン系
顔料、インドフェノール系顔料、シアニン系顔料、ジオ
キサジン系顔料等の単品又は少なくとも二種以上の混合
物を挙げることができる。黒色(BL)色素層として
は、前述のブラックマトリックスの説明で挙げたものを
用いることができる。上記の色素層をミセル電解法で製
膜する。
(6) Micelle electrolysis film-forming dye layer The red (R) dye layer includes perylene pigments, lake pigments, azo pigments, disazo pigments, quinacridone pigments, anthraquinone pigments, anthracene pigments and isoindoline. Examples thereof include single pigments such as pigments and isoindolinone pigments, or a mixture of at least two kinds.
As the green (G) dye layer, halogen polysubstituted phthalocyanine pigments, halogen polysubstituted copper phthalocyanine pigments,
Examples thereof include triphenylmethane-based basic dyes, isoindoline-based pigments, isoindolinone-based pigments, azo pigments, disazo pigments, and the like, or a mixture of at least two or more thereof. Examples of the blue (B) dye layer include a copper phthalocyanine-based pigment, a phthalogenine-based pigment, an indanthrone-based pigment, an indophenol-based pigment, a cyanine-based pigment, and a dioxazine-based pigment, or a mixture of at least two or more thereof. it can. As the black (BL) dye layer, those mentioned in the above description of the black matrix can be used. The dye layer is formed into a film by the micelle electrolysis method.

【0056】それぞれの色素層の膜厚と透過率は下記と
することが好ましい。赤色(R)は、膜厚が0.5〜
1.5μm(透過率が60%以上/610nm),緑色
(G)は、膜厚が0.5〜1.5μm(透過率が60%
以上/545nm),青色(B)は、膜厚が0.2〜
1.5μm(透過率が60%以上/460nm)。な
お、透過率は色素層のみの値による。
The film thickness and transmittance of each dye layer are preferably set as follows. Red (R) has a film thickness of 0.5-
1.5 μm (transmittance 60% or more / 610 nm), green (G) has a film thickness of 0.5 to 1.5 μm (transmittance 60%
> / 545 nm) and blue (B) have a film thickness of 0.2 to
1.5 μm (transmittance of 60% or more / 460 nm). The transmittance depends on the value of only the dye layer.

【0057】ミセル電解法の条件としては、前記色素
(顔料または染料)、光硬化性レジスト又は後述の熱硬
化性樹脂を、フェロセン誘導体からなる界面活性剤(ミ
セル化剤)を用い水性媒体中に分散させて、ミセル分散
液を調製する。この際に用いられる水性媒体としては、
水をはじめ、水とアルコールとの混合液、水とアセトン
との混合液など種々の媒体を挙げることができる。ミセ
ル化剤(フェロセン誘導体界面活性剤)の代表例として
以下のものを挙げることができる。
As the conditions of the micelle electrolysis method, the dye (pigment or dye), the photocurable resist or the thermosetting resin described below is used in an aqueous medium by using a surfactant (micelle forming agent) composed of a ferrocene derivative. Disperse to prepare a micelle dispersion. As the aqueous medium used at this time,
Various media such as water, a mixed liquid of water and alcohol, a mixed liquid of water and acetone, and the like can be mentioned. The following can be mentioned as typical examples of the micellizing agent (ferrocene derivative surfactant).

【0058】[0058]

【化1】 [Chemical 1]

【0059】なお、フェロセン誘導体としては、このほ
か国際公開WO89/0193号明細書、特開平1−4
5370号公報、特開平1−226894号公報、特開
平2−83387号公報、特開平2−250892号公
報などに記載された方法によって製造されるものを使用
することができる。本発明の方法においては、界面活性
剤(ミセル化剤)として前記フェロセン誘導体を1種用
いてもよいし、2種以上を組合せてもよく、また、所望
により、前記フェロセン誘導体と他の界面活性剤とを組
み合せて用いてもよい。他の界面活性剤としては、ポリ
オキシエチレンアルキルエーテル,ポリオキシエチレン
脂肪酸エステル,ポリオキシエチレンアルキルフェニル
エーテル,ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンア
ルキルエーテル等の非イオン性界面活性剤、アルキル硫
酸塩,ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩,塩
化アルキルトリメチルアンモニウム,脂肪酸ジエチルア
ミノエチルアミド等のカチオン性およびアニオン性界面
活性剤を挙げることができる。
Further, as the ferrocene derivative, other than the above, WO 89/0193, JP-A-1-4.
What is manufactured by the method described in 5370 gazette, Unexamined-Japanese-Patent No. 1-2226894, 2-83387, 2-250892 etc. can be used. In the method of the present invention, one kind of the ferrocene derivative may be used as a surfactant (micelling agent), or two or more kinds thereof may be combined, and if desired, the ferrocene derivative and another surface active agent may be used. You may use it combining with an agent. Other surfactants include nonionic surfactants such as polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyethylene fatty acid esters, polyoxyethylene alkylphenyl ethers, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ethers, alkyl sulfates, and polyoxyethylenes. Examples thereof include cationic and anionic surfactants such as ethylene alkyl ether sulfate, alkyl trimethyl ammonium chloride, and fatty acid diethylaminoethylamide.

【0060】ミセル分散液の調製は、たとえば下記のよ
うにする。水性媒体中に前記フェロセン誘導体、所望に
応じて用いられる他の界面活性剤および所望の前記色素
(顔料又は染料)、光硬化性レジスト、又は熱硬化性樹
脂を入れて、メカニカルホモジナイザー,超音波ホモジ
ナイザー,ボールミル,サンドミル,スターラーなどに
より十分攪拌する。この操作で顔料は界面活性剤の作用
で、水媒体中に均一に分散またはミセル化して、分散液
またはミセル溶液となる。この際のミセル化剤の濃度に
ついては、特に制限はないが、通常は該フェロセン誘導
体および所望により用いられる他の界面活性剤の合計濃
度が臨界ミセル濃度以上、好ましくは0.1ミリモル/
リットル〜1モル/リットルの範囲で選ばれる。一方、
顔料濃度は通常1〜500グラム/リットルの範囲で選
ばれる。
The micelle dispersion is prepared, for example, as follows. A mechanical homogenizer or ultrasonic homogenizer containing the ferrocene derivative, another surfactant optionally used and the desired dye (pigment or dye), a photocurable resist, or a thermosetting resin in an aqueous medium. , Mix well with a ball mill, sand mill, stirrer, etc. By this operation, the pigment is uniformly dispersed or micellized in the aqueous medium by the action of the surfactant to be a dispersion liquid or a micelle solution. The concentration of the micellizing agent at this time is not particularly limited, but usually, the total concentration of the ferrocene derivative and other surfactant optionally used is not less than the critical micelle concentration, preferably 0.1 mmol / mol.
It is selected in the range of 1 to 1 mol / liter. on the other hand,
The pigment concentration is usually selected in the range of 1 to 500 g / liter.

【0061】また、水性媒体の電気伝導度を調節するた
めに、支持塩(支持電解質)を必要に応じて加えること
ができる。この支持塩の添加量は、分散している顔料の
析出を妨げない範囲であればよく、通常は0.05〜1
0モル/リットルの範囲で選ばれる。
Further, a supporting salt (supporting electrolyte) can be added, if necessary, in order to adjust the electric conductivity of the aqueous medium. The amount of the supporting salt added may be in a range that does not hinder the precipitation of the dispersed pigment, and is usually 0.05 to 1
It is selected in the range of 0 mol / liter.

【0062】この支持塩を加えずに電解を行うこともで
きるが、この場合支持塩を含まない純度の高い薄膜(色
素層)が得られる。また支持塩を用いる場合、その支持
塩の種類は、ミセルの形成や、電極への前記顔料の析出
を妨げることなく、水性媒体の電気伝導度を調節しうる
ものであれば特に制限はない。
Electrolysis can be carried out without adding the supporting salt, but in this case, a thin film (dye layer) having a high purity and containing no supporting salt can be obtained. When a supporting salt is used, the type of the supporting salt is not particularly limited as long as it can control the electric conductivity of the aqueous medium without hindering the formation of micelles or the deposition of the pigment on the electrode.

【0063】具体的には、一般に広く支持塩として用い
られている硫酸塩(リチウム,カリウム,ナトリウム,
ルビジウム,アルミニウムなどの塩),酢酸塩(リチウ
ム,カリウム,ナトリウム,ルビジウム,ベリリウム,
マグネシウム,カルシウム,ストロンチウム,バリウ
ム,アルミニウムなどの塩)、更にはアンモニウム塩な
どが好適であり、例えば、LiBr,KCl,Li2
4,(NH4)BF4などが挙げられる。
Specifically, sulfates (lithium, potassium, sodium, etc.) which are widely used as supporting salts are widely used.
Rubidium, aluminum salts, etc., Acetates (lithium, potassium, sodium, rubidium, beryllium,
(Salts of magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, etc.), and ammonium salts are preferable, and examples thereof include LiBr, KCl, Li 2 S.
Examples include O 4 , (NH 4 ) BF 4, and the like.

【0064】このようにして、前記赤色色素(顔料又は
染料),緑色色素(顔料又は染料),青色色素(顔料又
は染料)および黒色色素(顔料)を、それぞれを分散し
た4種のミセル分散液を調製する。なお、混合顔料のミ
セル分散液は、水性媒体中に混合すべき顔料をミセル化
剤とともに一度加え、分散させることにより調製しても
よいし、又は水性媒体中に混合すべき単一顔料をミセル
化剤とともに加え、分散させて得られたそれぞれのミセ
ル分散液を混合させることにより、調製してもよい。
In this way, four types of micelle dispersions in which the red pigment (pigment or dye), the green pigment (pigment or dye), the blue pigment (pigment or dye) and the black pigment (pigment) are dispersed, respectively. To prepare. The micellar dispersion of mixed pigments may be prepared by adding the pigment to be mixed in an aqueous medium together with a micelle-forming agent once and dispersing it, or micellar a single pigment to be mixed in an aqueous medium. It may be prepared by adding together with the agent and mixing the respective micelle dispersions obtained by dispersion.

【0065】ミセル電解法製膜は、たとえば下記のよう
にする。前記のミセル分散液のいずれか一つに、例えば
透明導電性薄膜がその少なくとも複数色の色素層の形成
される領域に形成された絶縁性基板を挿入し、これを通
電してミセル電解を行いこの基板の透明導電性薄膜上に
所望の色素層を形成する。
The film formation by the micelle electrolysis method is performed as follows, for example. In any one of the micelle dispersions described above, for example, an insulating substrate in which a transparent conductive thin film is formed in the region where the dye layers of at least a plurality of colors are formed is inserted, and this is energized to perform micelle electrolysis. A desired dye layer is formed on the transparent conductive thin film of this substrate.

【0066】電解条件は、各種状況に応じて適宜選べば
よいが、通常液温は0〜90℃、好ましくは10〜70
℃の範囲で選ぶことができ、電圧は0.03〜1.5
V、好ましくは0.1〜0.9Vの範囲で選ぶことがで
きる。また、電流密度は通常10mA/cm2以下好ま
しくは50〜300μA/cm2の範囲で選ぶことがで
きる。この電解処理を行うと、ミセル電解法の原理にし
たがった反応が進行する。これをフェロセン誘導体のF
eイオンの挙動に着目すると陽極ではフェロセンのFe
2+がFe3+となって、ミセルが崩壊し、顔料粒子又は染
料が陽極(透明導電性薄膜)上に析出する。一方、陰極
では陽極で酸化されたFe3+がFe2+に還元されてもと
のミセルに戻るので、繰り返し同じ溶液で製膜操作を行
うことができる。各色素層の膜厚および透過率は、上記
の電圧の範囲において、電解時間を操作すれば、コント
ロールすることができる。次に、ミセル電解処理により
形成された色素層は、通常純水などで洗浄された後、室
温での風乾を行ってもよいし、必要に応じて200℃ま
での温度範囲で加熱処理を行ってもよい。
The electrolysis conditions may be appropriately selected according to various situations, but the liquid temperature is usually 0 to 90 ° C., preferably 10 to 70.
Can be selected in the range of ℃, voltage is 0.03 ~ 1.5
V, preferably 0.1 to 0.9 V can be selected. The current density is usually 10 mA / cm 2 or less, and preferably 50 to 300 μA / cm 2 can be selected. When this electrolytic treatment is performed, the reaction according to the principle of the micelle electrolysis method proceeds. This is the ferrocene derivative F
Focusing on the behavior of e-ions, the ferrocene Fe at the anode
2+ becomes Fe 3+ , the micelles are disintegrated, and pigment particles or dyes are deposited on the anode (transparent conductive thin film). On the other hand, at the cathode, Fe 3+ oxidized at the anode is returned to the original micelle when it is reduced to Fe 2+ , so that the film forming operation can be repeated with the same solution. The film thickness and transmittance of each dye layer can be controlled by manipulating the electrolysis time within the above voltage range. Next, the dye layer formed by the micelle electrolysis treatment may be washed with pure water or the like and then air-dried at room temperature, or if necessary, heat-treated in a temperature range up to 200 ° C. May be.

【0067】さらに、前記光硬化性レジストまたは熱硬
化性樹脂のミセル分散液に、色素層の形成された基板を
挿入し、これを通電してミセル電解を行いこの基板の色
素層上に所望の光硬化性レジスト膜または熱硬化性樹脂
膜(保護膜)を積層する。色素層は多孔質であり、下地
の透明導電性薄膜と光硬化性レジストまたは熱硬化性樹
脂のミセル分散液が導通するため、光硬化性レジスト膜
または熱硬化性樹脂膜を、ミセル電解法により色素層上
に積層することが可能である。電解は、色素(顔料又は
染料)と同様の条件で行われ、ミセル電解法の原理を適
用することができる。ただし、光硬化性レジストまたは
熱硬化性樹脂膜が積層され、色素層の空隙を埋めてくる
と、だんだん色素層の導電性を失う。その結果、色素層
を含めた光硬化性レジスト膜、熱硬化性樹脂膜のシート
抵抗が109Ω/□以上となると製膜不能となる。した
がって、色素層を含めた光硬化性レジスト膜または熱硬
化性樹脂膜の膜厚は、色素層の膜厚でコントロールされ
る。次に、ミセル電解処理により形成されたレジスト膜
は、通常純水などで洗浄された後、室温での風乾を行っ
てもよいし、必要に応じて150℃までの温度範囲で加
熱処理を行ってもよい。一方、熱硬化性樹脂膜は保護膜
として使われるため、通常純水などで洗浄された後、室
温での風乾を行ってもよいし、必要に応じて150℃ま
での温度範囲で加熱処理を行った後、150〜300℃
の加熱処理を行って、完全に熱硬化する。なお、光硬化
性レジストまたは熱硬化性樹脂の積層は、ミセル電解法
のみなず電着法でも可能であるが、いずれの方法におい
ても、色素層を含む光硬化性レジスト膜中の色素(顔料
又は染料)の割合が多いため、形成したカラーフィルタ
の耐光性を低下させない。
Further, a substrate on which a dye layer is formed is inserted into the micelle dispersion liquid of the photocurable resist or the thermosetting resin, and this is energized to carry out micelle electrolysis to obtain a desired dye layer on the substrate. A photocurable resist film or a thermosetting resin film (protective film) is laminated. The dye layer is porous, and since the underlying transparent conductive thin film and the micelle dispersion liquid of the photocurable resist or the thermosetting resin are conducted, the photocurable resist film or the thermosetting resin film is formed by the micelle electrolysis method. It can be laminated on the dye layer. The electrolysis is performed under the same conditions as for the coloring matter (pigment or dye), and the principle of the micelle electrolysis method can be applied. However, when a photo-curable resist or a thermosetting resin film is laminated to fill the voids in the dye layer, the conductivity of the dye layer is gradually lost. As a result, when the sheet resistance of the photocurable resist film including the dye layer and the thermosetting resin film is 10 9 Ω / □ or more, the film cannot be formed. Therefore, the film thickness of the photocurable resist film or the thermosetting resin film including the dye layer is controlled by the film thickness of the dye layer. Next, the resist film formed by the micelle electrolytic treatment may be washed with pure water or the like and then air-dried at room temperature, or if necessary, heat-treated in a temperature range up to 150 ° C. May be. On the other hand, since the thermosetting resin film is used as a protective film, it may be washed with pure water or the like and then air-dried at room temperature. If necessary, heat treatment may be performed in a temperature range up to 150 ° C. After going, 150-300 ℃
Then, it is completely heat-cured. The photo-curable resist or the thermosetting resin can be laminated by the electrodeposition method as well as the micelle electrolysis method, but in any method, the dye (pigment in the photo-curable resist film containing the dye layer (pigment) Alternatively, the light resistance of the formed color filter is not deteriorated due to the large proportion of (or dye).

【0068】(7)カラーフィルタの複数色の色素層の
形成 上記基板(透明導電性薄膜およびブラックマトリックス
を積層した絶縁性基板)と、ミセル電解法製膜、透明光
硬化性レジスト、光可溶化型レジストを用いて、カラー
フィルタの複数色の色素層を形成することが可能であ
る。まず、本発明に用いられる工程群Aについて説明す
る。すなわち、絶縁性基板上の、少なくともカラーフィ
ルタの複数色の色素層の形成される領域に成膜された透
明導電性薄膜または、少なくともカラーフィルタの複数
色の色素層の形成される領域を含むパターンに対応する
領域に形成された透明導電性薄膜上において、複数色の
うち一つの色素(例えばR)を透明導電性薄膜上にミセ
ル電解法で製膜する(a1)。次いで、光硬化性レジス
トをスピンコートおよびロールコート、先のミセル電解
法、光硬化性電着ポリマーを利用した電着法(特開平4
−104102号)によりR色素層上に積層塗布して、
R色素層に対応するマスクを介して露光し、未露光部分
の光硬化性レジストと色素層をエッチングする(a
2)。ここで光硬化性レジスト(熱硬化性樹脂も同様)
の膜厚は、スピンコートおよびロールコートの場合に
は、レジストの粘度およびスピンコートの回転数、回転
時間によってコントロールし、ミセル電解法および電着
法の場合には、絶縁化された時点が積層の終点となる。
従って、カラーフィルタの色素層の膜厚は、ロールコー
トまたはスピンコートの場合には、色素層と光硬化性レ
ジストの膜厚の和からレジストの色素層への浸透分を差
し引いた分であり、ミセル電解法または電着法の場合に
はほとんど色素層の膜厚に近い。次に、露光は、コンタ
クト露光、プロキシミティー露光、ミラープロジェクシ
ョン、ステッパーのどの方式でもよく、使用したレジス
トの分光感度に応じた露光を行えばよい。露光エネルギ
ーは、例えばi線(365nm)の場合には20〜60
0mJ/cm2が一般的である。次に、現像液を噴霧
し、露光されていない部分の光硬化性レジストを溶解さ
せ、さらに下層の色素層を純水シャワー、高圧純水シャ
ワー、ブラシスクラブ、超音波純水シャワー等の方法に
よりリンスと同時にエッチングして、露光部の色素層と
積層した光硬化性レジストを残し、さらに150〜30
0℃のオーブンもしくはホットプレートにより加熱し
て、色素層と積層した光硬化性レジストを完全に硬化さ
せる。現像液は、レジストに対応する一般的なものが用
いられ、例えば有機系としては、テトラメチルアンモニ
ウムハイドロキシド(TMAH)などの第四級アミンの
の水溶液が、無機系としては、炭酸ナトリウム、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化
物、アルカリ金属塩の水溶液が用いられ、温度は室温か
ら80℃のものが使用される。また上層の光硬化性レジ
ストの露光後の現像およびリンス処理により、光硬化性
レジストのみパターニングし、先の加熱処理にて硬化さ
せた後に露出した色素層を例えば先の現像液のほかに有
機溶剤(エタノール、アセトン)あるは、界面活性剤等
で処理してエッチングしてもよい。ここで、色素層のエ
ッチングの方法は、先のウエットエッチングだけでな
く、UV/オゾン、プラズマ、スパッタ、イオンビーム
などのドライエッチングも可能であるし、ウエットエッ
チングとドライエッチングを適宜併用してもよい。この
ような工程を複数色のさらに別の色素(例えばBG)に
ついても同様に行う。
(7) Formation of Dye Layers of Multiple Colors of Color Filter The above-mentioned substrate (insulating substrate in which a transparent conductive thin film and a black matrix are laminated), a micellar electrolytic method film, a transparent photocurable resist, and a photosolubilizing type. It is possible to form a pigment layer of a plurality of colors of a color filter by using a resist. First, the process group A used in the present invention will be described. That is, a transparent conductive thin film formed on an insulating substrate at least in a region where color layers of a plurality of colors of a color filter are formed, or a pattern including at least a region where color layers of a plurality of colors of a color filter are formed. On the transparent conductive thin film formed in the region corresponding to (1), one dye (for example, R) of a plurality of colors is formed on the transparent conductive thin film by the micelle electrolysis method (a1). Then, a photo-curable resist is spin-coated and roll-coated, the above-mentioned micelle electrolysis method, and an electrodeposition method using a photo-curable electrodeposition polymer (Japanese Patent Laid-Open No. Hei.
No.-104102) and laminated coating on the R dye layer,
Exposure through a mask corresponding to the R dye layer is performed to etch the photocurable resist and the dye layer in the unexposed portion (a
2). Here photo-curable resist (same for thermosetting resin)
In the case of spin coating and roll coating, the film thickness is controlled by the viscosity of the resist and the spin coating rotation speed and rotation time. In the case of the micelle electrolysis method and the electrodeposition method, the time of insulation is the lamination. Will be the end point of.
Therefore, the film thickness of the dye layer of the color filter, in the case of roll coating or spin coating, is the amount obtained by subtracting the amount of permeation into the dye layer of the resist from the sum of the film thickness of the dye layer and the photocurable resist, In the case of the micelle electrolysis method or the electrodeposition method, it is almost close to the thickness of the dye layer. Next, the exposure may be any of contact exposure, proximity exposure, mirror projection, and stepper, and may be performed according to the spectral sensitivity of the resist used. The exposure energy is, for example, 20 to 60 in the case of i-line (365 nm).
0 mJ / cm 2 is common. Next, a developing solution is sprayed to dissolve the photo-curable resist in the unexposed portion, and the lower dye layer is further subjected to a method such as pure water shower, high pressure pure water shower, brush scrub, and ultrasonic pure water shower. Etching is performed at the same time as the rinsing, leaving the photo-curable resist laminated with the dye layer in the exposed area,
The photocurable resist laminated with the dye layer is completely cured by heating in an oven or a hot plate at 0 ° C. As a developing solution, a general developing solution corresponding to a resist is used. For example, as an organic type, an aqueous solution of a quaternary amine such as tetramethylammonium hydroxide (TMAH) is used, and as an inorganic type, a sodium carbonate, water is used. An aqueous solution of an alkali metal hydroxide such as sodium oxide or potassium hydroxide or an alkali metal salt is used, and the temperature is from room temperature to 80 ° C. Further, only the photocurable resist is patterned by the development and rinse treatment after the exposure of the photocurable resist of the upper layer, and the dye layer exposed after being cured by the above heat treatment is treated with an organic solvent in addition to the above developer. (Ethanol, acetone) or may be treated with a surfactant or the like for etching. Here, as the method for etching the dye layer, not only the wet etching described above but also dry etching using UV / ozone, plasma, sputtering, ion beam, or the like is possible, and wet etching and dry etching may be appropriately used in combination. Good. Such a process is similarly performed for another dye (for example, BG) of a plurality of colors.

【0069】次に、本発明に用いられる工程群Bについ
て説明する。すなわち、絶縁性基板上の、少なくともカ
ラーフィルタの複数色の色素層の形成される領域に成膜
された透明導電性薄膜または、少なくともカラーフィル
タの複数色の色素層の形成される領域を含んで、たとえ
ば、ストライプ状にパターニングされた透明導電性薄膜
上において、光可溶化型レジストをスピンコートおよび
ロールコートにより積層塗布して、さらに複数色のうち
の一つの色素(例えばR)層に対応するマスクを介して
露光し、露光した部分の光可溶化型レジストを常法によ
り現像、リンスして除去し(b1)、さらにR色素層を
光可溶化型レジストを除去し露出した透明導電性薄膜上
にミセル電解法で製膜し、R色素層を形成する(b
2)。この工程を複数色のさらに別の色素(例えばB
G)についても同様に行う。ここで露光、現像は光硬化
性レジストと同様である。最後に、残存する光可溶化型
レジスト全てを一般に用いられているレジスト剥離剤、
例えば第四級アミンなどのアミン類の溶液、ジメチルス
ルホキサイド(DMSO)、ジメチルフォルムアミド
(DMF)などの溶媒を用いて室温から160℃程度で
処理して剥離(除去)する(b3)。また、光可溶化型
レジストの剥離は、各色素層を形成する毎に行ってもよ
い。なお、光可溶化型レジストをより除去しやすいよう
にレジスト剥離剤にさらす前に20〜800mJ/cm
2の例えばi線露光を光可溶化型レジスト上に行うのが
より好ましい。
Next, the process group B used in the present invention will be described. That is, on the insulating substrate, at least the transparent conductive thin film formed in the region where the dye layers of the plurality of colors of the color filter are formed, or at least the region where the dye layers of the plurality of colors of the color filter are formed is included. For example, on a transparent conductive thin film patterned in a stripe shape, a photosolubilizing resist is laminated and applied by spin coating and roll coating, and one dye (for example, R) layer of a plurality of colors is further applied. The transparent conductive thin film is exposed through a mask, and the exposed portion of the photosolubilizing resist is developed and rinsed by a conventional method and removed (b1), and the R dye layer is exposed by removing the photosolubilizing resist. An R dye layer is formed by forming a film on the above by a micelle electrolysis method (b
2). This process is performed by adding another dye of multiple colors (for example, B
The same applies to G). Here, exposure and development are the same as those for the photocurable resist. Finally, a resist stripper that is commonly used for all remaining photosolubilized resist,
For example, a solution of amines such as quaternary amines, a solvent such as dimethyl sulfoxide (DMSO) and dimethylformamide (DMF) is used at room temperature to about 160 ° C. to remove (remove) (b3). Further, the photosolubilizing resist may be peeled off each time each dye layer is formed. It should be noted that 20 to 800 mJ / cm before exposure to the resist stripping agent so that the photosolubilized resist can be removed more easily.
More preferably, the second exposure such as i-line exposure is performed on the photosolubilizing resist.

【0070】本発明では、上記二つの色素層の形成法
(工程群A、工程群B)を組み合わせて、所望の複数色
の色素層を平面的に配置したカラーフィルタを得ること
ができる。この場合、単色の各色素層は工程群A又は工
程群Bのいずれかを用いて形成され、全ての色素層を、
工程群Aのみで形成することはない。また、絶縁性基板
上において、少なくともカラーフィルタの複数色の色素
層の形成される領域に透明導電性薄膜を製膜し、次いで
少なくともカラーフィルタのブラックマトリックスと複
数色の色素層の形成される領域に金属または金属酸化物
薄膜を成膜する。そして、光硬化性レジストをブラック
マトリックスの形状でフォトリソグラフィー法にて常法
によりパターニングし、さらに下地の露出した金属また
は金属酸化物薄膜を硝酸セリウムアンモニウムと過塩素
酸の混合水溶液などでエッチングして、ブラックマトリ
ックスを形成する。また、金属または金属酸化物薄膜上
に光可溶化型レジストをブラックマトリックスの形状で
フォトリソグラフィー法にて常法によりパターニング
し、さらに下地の露出した金属または金属酸化物薄膜を
硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合水溶液など
でエッチングし、さらに上記で記載したレジスト剥離剤
を用いて、同様に光可溶化型レジストを剥離して、ブラ
ックマトリックスを形成する。このようにして作製した
基板を用いた場合には、複数色の色素層の集合体を工程
群Aおよび工程群B、又は工程群Bのみをくりかえし用
いて、所望の複数色の色素層を平面的に配置したカラー
フィルタを得ることができる。
In the present invention, the above-described two dye layer forming methods (process group A, process group B) can be combined to obtain a color filter in which dye layers of desired plural colors are arranged in a plane. In this case, each monochromatic dye layer is formed using either process group A or process group B, and all the dye layers are
It is not formed only by the process group A. Further, on the insulating substrate, a transparent conductive thin film is formed at least in a region of the color filter where the pigment layers of a plurality of colors are formed, and then at least a region where the black matrix of the color filter and the pigment layers of a plurality of colors are formed. A metal or metal oxide thin film is formed on. Then, the photocurable resist is patterned in the form of a black matrix by a photolithography method by a conventional method, and the exposed metal or metal oxide thin film is etched with a mixed aqueous solution of cerium ammonium nitrate and perchloric acid. , Forming a black matrix. In addition, a photosolubilization type resist is patterned on the metal or metal oxide thin film in the form of a black matrix by a conventional photolithography method, and the metal or metal oxide thin film with the exposed underlying layer is cerium ammonium nitrate and perchlorine. The black matrix is formed by etching with a mixed aqueous solution of an acid and using the above-described resist stripping agent to strip the photosolubilizing resist in the same manner. When the substrate manufactured in this manner is used, the aggregate of the pigment layers of a plurality of colors is repeatedly used in the step group A and the step group B, or only the step group B, and a desired pigment layer of a plurality of colors is planarized. It is possible to obtain a color filter that is arranged physically.

【0071】(8)絶縁膜 絶縁膜は、透明導電性薄膜と金属または金属酸化物薄膜
(ブラックマトリックス)との電気的導通を防ぐために
用いられ、たとえば、ストライプ状にパターニングされ
た透明導電性薄膜とブラックマトリックスとの間に介在
して電気的絶縁を行う。絶縁性の黒色色素含有光硬化性
レジスト硬化物のブラックマトリックス(特開平4−1
3106号,特開平4−190362号)を用いる場合
は、絶縁膜は必要としない。本発明に用いられる絶縁膜
としては、透明光硬化性レジストの硬化物、透明熱硬化
性樹脂等を好適に用いることができ、また、絶縁膜と透
明導電性薄膜、絶縁膜と金属または金属酸化物薄膜との
密着性を高めるために、シリカ、アルミナ、チタニア等
の透明な無機酸化物の薄膜を接着面に介在させることが
さらに好ましい。ここで、光硬化性レジストとしては前
述のものを用いることができる。熱硬化性樹脂として
は、例えば、アクリル、メタクリル酸誘導体とその共重
合体(バインダー)の混合物を挙げることができる。ま
た、上記アクリル、メタクリル酸誘導体にエポキシ基、
シロキサン基、ポリイミド前駆体を導入したものを好適
に用いることができる。開始剤としては、トリアジン
系、アセトフェノン系、ベンジイン系、ベンゾフェノン
系、チオキサンソン系等を挙げることができる。溶剤と
しては、シクロヘキサノンなどのケトン類、セロソルブ
アセテートなどのエステル類の単品および二種以上の混
合物を挙げることができる。以上を混合、分散、濾過し
て、透明な熱硬化性樹脂を調製する。このような光硬化
性レジストまたは熱硬化性樹脂を、ロールコートまたは
スピンコート、オフセット印刷により、少なくともブラ
ックマトリクスの形状でパターニングされた金属または
金属酸化物薄膜上を含む全面に塗布し、オーブンやホッ
トープレートで150〜300℃で加熱熱硬化させて、
絶縁膜を形成する。具体的な商品名としては、オプトマ
ーSS7265,JHR−8484、JSS−819、
JSS715(JSR社製)、OS−808(長瀬産業
社製),LC2001(三洋化成社製)、V−259P
A(新日鉄化学社製)、CT(富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製)等を挙げることができる。透明
光硬化性レジスト硬化物又は透明熱硬化性樹脂硬化物の
膜厚と透過率は、膜厚0.1〜4.0μm,透過率90
%以上/460nmが好ましい。なお、透過率は前記硬
化物のみの値である。膜厚については、透明光硬化性レ
ジストは透明熱硬化性樹脂剤の粘度およびスピンコート
の回転数、回転時間によりコントロール可能である。
(8) Insulating Film The insulating film is used to prevent electrical conduction between the transparent conductive thin film and the metal or metal oxide thin film (black matrix). For example, the transparent conductive thin film patterned in a stripe pattern. And black matrix to provide electrical insulation. Black matrix of photocurable resist containing an insulative black dye (JP-A-4-1-1)
No. 3,106, JP-A-4-190362), no insulating film is required. As the insulating film used in the present invention, a cured product of a transparent photocurable resist, a transparent thermosetting resin, or the like can be preferably used, and an insulating film and a transparent conductive thin film, an insulating film and a metal or a metal oxide. It is more preferable to interpose a thin film of a transparent inorganic oxide such as silica, alumina, or titania on the adhesive surface in order to improve the adhesion to the thin film. Here, as the photocurable resist, the above-mentioned ones can be used. As the thermosetting resin, for example, a mixture of an acrylic or methacrylic acid derivative and its copolymer (binder) can be mentioned. In addition, the above acrylic and methacrylic acid derivatives have an epoxy group,
A material having a siloxane group or a polyimide precursor introduced therein can be preferably used. Examples of the initiator include triazine type, acetophenone type, benzyne type, benzophenone type, thioxanthone type and the like. Examples of the solvent include ketones such as cyclohexanone and esters such as cellosolve acetate, and mixtures of two or more thereof. The above is mixed, dispersed, and filtered to prepare a transparent thermosetting resin. Such a photocurable resist or thermosetting resin is applied to the entire surface including at least a metal or metal oxide thin film patterned in the shape of a black matrix by roll coating, spin coating, or offset printing, and then an oven or a hot Heat and heat cure at 150-300 ° C with a toe plate,
An insulating film is formed. Specific product names include Optomer SS7265, JHR-8484, JSS-819,
JSS715 (manufactured by JSR), OS-808 (manufactured by Nagase & Co., Ltd.), LC2001 (manufactured by Sanyo Kasei), V-259P
A (made by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.), CT (made by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.), etc. can be mentioned. The transparent photocurable resist cured product or transparent thermosetting resin cured product has a film thickness and a transmittance of 0.1 to 4.0 μm and a transmittance of 90.
% Or more / 460 nm is preferable. The transmittance is a value only for the cured product. Regarding the film thickness, the transparent photocurable resist can be controlled by the viscosity of the transparent thermosetting resin agent and the rotation speed and rotation time of spin coating.

【0072】無機酸化物薄膜としては、アルミナ、シリ
カ、チタニア等を挙げることができる。上記透明熱硬化
性樹脂に分散して上記のように塗布してもよいし、スパ
ッタ法、蒸着法、CVD法、にて独立に成膜してもよ
い。無機酸化物薄膜の膜厚と透過率は、膜厚0.01〜
3.5μm,透過率90%以上/460nmが好まし
い。なお、透過率は前記薄膜のみの値である。
Examples of the inorganic oxide thin film include alumina, silica, titania and the like. The transparent thermosetting resin may be dispersed and applied as described above, or may be independently formed by a sputtering method, a vapor deposition method, or a CVD method. The thickness and the transmittance of the inorganic oxide thin film are 0.01 to
It is preferably 3.5 μm and the transmittance is 90% or more / 460 nm. The transmittance is a value only for the thin film.

【0073】(9)保護膜 保護膜は、複数色の色素層を平面的に配置したのち、色
素層の基板への接着性、色素層間の膜厚段差を低減する
(平坦性を高める)ため、または所望の場所だけにミセ
ル電解法で色素層を製膜するために、積層形成すること
が好ましい。本発明に用いられる保護膜は、例えば、透
明光硬化性レジスト、及び透明熱硬化性樹脂剤を用いて
形成することができる。透明光硬化性レジストとして
は、前述のものを用いることができる。ロールコートま
たはスピンコート、オフセット印刷などで、少なくとも
複数色の色素層の形成された領域に、積層塗布し、オー
ブンやホットープレートで150〜300℃で加熱硬化
させて、保護膜を形成することができる。または、ロー
ルコート又はオフセット印刷などで、複数色の色素層の
形成工程の前または、各形成工程の間で、少なくともカ
ラーフィルタの複数色の色素層の形成される領域(表示
部)を除いた部分に積層塗布し、オーブンやホットープ
レートで150〜300℃で加熱硬化させて、保護膜を
形成することもできる。また、ロールコートまたはスピ
ンコート、オフセット印刷などで複数色の色素層の形成
された領域を含む基板全面に塗布し、フォトリソグラフ
ィー法にて少なくとも複数色の色素層の形成された領域
または、複数色の色素層の形成工程の前または、各形成
工程の間で、少なくともカラーフィルタの複数色の色素
層の形成される領域を除いた部分に積層されるようにパ
ターニングし、オーブンやホットープレートで150〜
300℃で加熱熱硬化させて、保護膜を形成することも
できる。
(9) Protective film The protective film is for arranging dye layers of a plurality of colors in a plane, and for reducing the adhesiveness of the dye layers to the substrate and the film thickness difference between the dye layers (improving the flatness). Or, in order to form a dye layer in a desired place only by the micelle electrolysis method, it is preferable to form a laminate. The protective film used in the present invention can be formed using, for example, a transparent photocurable resist and a transparent thermosetting resin agent. As the transparent photocurable resist, those mentioned above can be used. To form a protective film by roll-coating, spin-coating, offset-printing, etc., by laminating and coating on a region where at least pigment layers of plural colors are formed, and heating and curing at 150 to 300 ° C. in an oven or a hot plate. You can Alternatively, by roll coating, offset printing, or the like, at least the region (display unit) in which the multi-color dye layers are formed of the color filter is removed before or during the multi-color dye layer forming process. It is also possible to form a protective film by laminating and coating on a portion and heating and curing at 150 to 300 ° C. in an oven or a hot plate. Further, by roll coating, spin coating, offset printing, or the like is applied to the entire surface of the substrate including the area where the dye layers of multiple colors are formed, and the area where the dye layers of at least multiple colors are formed by the photolithography method or the multiple colors Before the step of forming the dye layer, or between each step, perform patterning so that it is laminated on at least a portion of the color filter excluding the area where the dye layers of a plurality of colors are formed, and then use an oven or a hot plate. 150 ~
The protective film can be formed by heating and thermosetting at 300 ° C.

【0074】透明熱硬化性樹脂としては、前述のものを
用いることができる。ロールコート又はスピンコート、
オフセット印刷などで、少なくともカラーフィルタの複
数色の色素層の形成された部分に、積層塗布し、オーブ
ンやホットープレートで150〜300℃で加熱硬化さ
せて、保護膜を形成することができる。または、ロール
コートまたはオフセット印刷などで、複数色の色素層の
形成工程の前または、各形成工程の間で、少なくともカ
ラーフィルタの複数色の色素層の形成される領域を除い
た部分に積層塗布し、オーブンやホットープレートで1
50〜300℃で加熱硬化させて、保護膜を形成するこ
ともできる。なお、色素層上(光硬化性レジストが積層
されておらず、絶縁化されていない色素層)である場合
(例えば、(7)カラーフィルタの複数色の色素層の形
成における工程群B)では、ミセル分散液に分散した光
硬化性レジストおよび熱硬化性樹脂をミセル電解法で製
膜、または特開平4−104102号記載の光硬化性電
着ポリマーを用いた電着法においても光硬化性電着ポリ
マーの保護膜を少なくともカラーフィルタの複数色の色
素層の形成された部分に積層することができる。
As the transparent thermosetting resin, those mentioned above can be used. Roll coat or spin coat,
It is possible to form a protective film by applying a laminated coating on at least a portion of the color filter where the pigment layers of a plurality of colors are formed by offset printing or the like and heating and curing at 150 to 300 ° C. in an oven or a hot plate. Alternatively, by roll coating, offset printing, or the like, before the step of forming the pigment layers of a plurality of colors or between the forming steps, at least a portion of the color filter excluding the area where the pigment layers of a plurality of colors are formed is laminated and applied. Then in the oven or hot plate
It is also possible to form a protective film by heating and curing at 50 to 300 ° C. In addition, in the case where it is on the dye layer (the dye layer in which the photo-curable resist is not laminated and is not insulated) (for example, (7) Step group B in forming dye layers of a plurality of colors of the color filter) , A photo-curable resist and a thermosetting resin dispersed in a micelle dispersion liquid are formed into a film by a micelle electrolysis method, or a photo-curing property is obtained even in an electrodeposition method using a photo-curable electrodeposition polymer described in JP-A-4-104102. A protective film of an electrodeposited polymer can be laminated on at least a portion of the color filter where the dye layers of a plurality of colors are formed.

【0075】(10)液晶駆動用透明電極 液晶駆動用透明電極としては、前記透明導電性薄膜と同
様の材料および形成方法を用いることができる。
(10) Liquid crystal driving transparent electrode For the liquid crystal driving transparent electrode, the same material and forming method as those for the transparent conductive thin film can be used.

【0076】[0076]

【実施例】以下、本発明を実施例によってさらに具体的
に説明する。 製造例1 1.透明導電性薄膜成膜基板の作製 鏡面研磨した300mm角の白板ガラス基板(コーニン
グ社製7059)上に、スパッタリング装置(アルバッ
ク社製:SDP−550VT)を用いて、ITO薄膜を
約1300Å蒸着を行った。このとき、基板温度を25
0℃、ITO膜の表面抵抗を20Ω/□に調整した。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail below with reference to examples. Production Example 1 1. Preparation of a transparent conductive thin film deposition substrate An ITO thin film was vapor-deposited on a mirror-polished 300 mm square white glass substrate (Corning 7059) using a sputtering device (ULVAC: SDP-550VT) at about 1300 Å. It was At this time, the substrate temperature is set to 25
The surface resistance of the ITO film was adjusted to 0Ω / □ at 0 ° C.

【0077】 2.透明導電性薄膜(ITO)のパターニング ITO薄膜を成膜した基板上に、光可溶化型レジストの
FH2130(富士ハントエレクトロニクステクノロジ
ー社製)を基板全面にロールコーターで1.5μmの膜
厚で塗布し、110℃のホットプレートで5分プリベー
クした。共通部分(ミセル電解法製膜用電極取出し部)
を有しかつストライプ状にパターニングされたITOパ
ターン形成用のマスク(図25)を介して、プロキシミ
ティー方式の露光機(プロキシミティーギャップ60μ
m)で100mJ/cm2でi線露光後、室温の有機ア
ルカリ系水溶液の現像液(2.38%TMAH水溶液:
富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製FHD−
5)で2分間スピン現像し、純水で洗浄し、150℃の
オーブンで30分ポストベークした。次いでこの基板を
37℃の第二塩化鉄水溶液(ボウメ42)と12N塩酸
水溶液の等量混合物中に5分間浸漬して、レジストの積
層されていない部分のITO膜をエッチングし、純水で
洗浄してエアブローにより乾燥した。次いで、基板を室
温の有機アルカリ系の剥離液(N−303:長瀬産業社
製)に5分間浸漬後、純水で洗浄、エアブローで乾燥し
て、残存している光可溶化型レジストを完全に除去し、
ITOのパターニングを終えた。
2. Patterning of transparent conductive thin film (ITO) On the substrate on which the ITO thin film is formed, a photosolubilizing resist FH2130 (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) is applied to the entire surface of the substrate with a roll coater to a film thickness of 1.5 μm. Prebaked on a hot plate at 110 ° C. for 5 minutes. Common part (Micelle electrolysis film formation electrode extraction part)
Through a mask (FIG. 25) for forming an ITO pattern having a stripe pattern and having a stripe pattern (proximity gap 60 μm).
m) after i-line exposure at 100 mJ / cm 2 and then a room temperature organic alkaline aqueous solution developer (2.38% TMAH aqueous solution:
Fuji Hunt Electronics Technology FHD-
5) was spin-developed for 2 minutes, washed with pure water, and post-baked in an oven at 150 ° C. for 30 minutes. Then, this substrate is immersed in an equal amount mixture of ferric chloride aqueous solution (Boume 42) and 12N hydrochloric acid aqueous solution at 37 ° C. for 5 minutes to etch the ITO film on the portion where the resist is not laminated and wash with pure water. And dried by air blow. Then, the substrate is immersed in an organic alkaline stripping solution (N-303: Nagase & Co., Ltd.) at room temperature for 5 minutes, washed with pure water and dried by air blow to completely remove the remaining photosolubilizing resist. Removed to
The patterning of ITO was completed.

【0078】3.ミセル分散液の調製 純水1リットル中において、顔料としてジアントラキノ
ニルレッド(チバガイギー社製)を用い、顔料濃度1
1.31g/リットル、フェロセン誘導体ミセル化剤と
してFPEG(11−フェロセニルウンデシルポリオキ
シエチレンエーテル)を用いて、2.75ミリモル/リ
ットル、支持塩として臭化リチウムを用いて0.1モル
/リットルの濃度で混合し、また、顔料としてジスアゾ
イエロー(大日本インキ化学工業社製)を用い、顔料濃
度12.45g/リットル、前記FPEGを2.00ミ
リモル/リットル、臭化リチウムを0.1モル/リット
ルの濃度で混合し、それぞれの混合液を超音波ホモジナ
イザーで30分分散させたのち、重量比9:1の割合で
それぞれの顔料の分散液を混合し、さらにこの混合液を
超音波ホモジナイザーで30分分散させ、Rの混合ミセ
ル分散液を調製した。
3. Preparation of Micelle Dispersion In 1 liter of pure water, dianthraquinonyl red (manufactured by Ciba Geigy) was used as a pigment, and the pigment concentration was 1
1.31 g / liter, FPEG (11-ferrocenyl undecyl polyoxyethylene ether) as a ferrocene derivative micelle agent, 2.75 mmol / liter, lithium bromide as a supporting salt, 0.1 mol / liter The mixture was mixed at a concentration of 1 liter, disazo yellow (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) was used as a pigment, the pigment concentration was 12.45 g / liter, the FPEG was 2.00 mmol / liter, and lithium bromide was 0.1%. Mix at a concentration of mol / liter, disperse each mixed solution with an ultrasonic homogenizer for 30 minutes, then mix each pigment dispersion at a weight ratio of 9: 1, and further sonicate this mixed solution. The mixture was dispersed for 30 minutes with a homogenizer to prepare a mixed micelle dispersion liquid of R.

【0079】また、純水1リットル中において、顔料と
してハロゲン化銅フタロシアニン(BASF社製)を用
い、顔料濃度14.85g/リットル、前記FPEGを
用いて、3.00ミリモル/リットル、支持塩として臭
化リチウムを用いて0.1モル/リットルの濃度で混合
し、また、顔料としてジスアゾイエロー(大日本インキ
化学工業社製)を用い、顔料濃度12.45g/リット
ル、前記FPEGを2.00ミリモル/リットル、臭化
リチウムを0.1モル/リットルの濃度で混合し、それ
ぞれの混合液を超音波ホモジナイザーで30分分散させ
たのち、重量比6:4の割合でそれぞれの顔料の分散液
を混合し、さらにこの混合液を超音波ホモジナイザーで
30分分散させ、Gの混合ミセル分散液を調製した。
Further, in 1 liter of pure water, a halogenated copper phthalocyanine (manufactured by BASF) was used as a pigment, the pigment concentration was 14.85 g / liter, and the above-mentioned FPEG was used as 3.00 mmol / liter. Lithium bromide was mixed at a concentration of 0.1 mol / liter, and disazo yellow (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) was used as a pigment, the pigment concentration was 12.45 g / liter, and the FPEG was 2.00. Mmol / l and lithium bromide were mixed at a concentration of 0.1 mol / l, and each mixed solution was dispersed for 30 minutes by an ultrasonic homogenizer, and then each pigment dispersion was mixed at a weight ratio of 6: 4. Were mixed, and this mixed solution was dispersed by an ultrasonic homogenizer for 30 minutes to prepare a mixed micelle dispersion liquid of G.

【0080】さらに、純水1リットル中において、顔料
として銅フタロシアニン(BASF社製)を用い、顔料
濃度6.90g/リットル、前記FPEGを用いて、
1.25ミリモル/リットル、支持塩として臭化リチウ
ムを用いて0.1モル/リットルの濃度で混合し、ま
た、顔料としてジオキサジンバイオレット(三陽色素社
製)を用い、顔料濃度4.88g/リットル、前記FP
EGを3.00ミリモル/リットル、臭化リチウムを
0.1モル/リットルの濃度で混合し、それぞれの混合
液を超音波ホモジナイザーで30分分散させたのち、重
量比7:3の割合でそれぞれの顔料の分散液を混合し、
さらにこの混合液を超音波ホモジナイザーで30分分散
させ、Bの混合ミセル分散液を調製した。
Further, in 1 liter of pure water, copper phthalocyanine (manufactured by BASF) was used as a pigment, the pigment concentration was 6.90 g / liter, and the FPEG was used.
1.25 mmol / l, lithium bromide was used as a supporting salt and mixed at a concentration of 0.1 mol / l, and dioxazine violet (manufactured by Sanyo Dye Co., Ltd.) was used as a pigment, and the pigment concentration was 4.88 g. / Liter, the FP
EG was mixed at a concentration of 3.00 mmol / liter and lithium bromide at a concentration of 0.1 mol / liter, and each mixed solution was dispersed for 30 minutes by an ultrasonic homogenizer, and then the weight ratio was 7: 3. Mix the pigment dispersion of
Furthermore, this mixed solution was dispersed for 30 minutes with an ultrasonic homogenizer to prepare a mixed micelle dispersion of B.

【0081】さらに、純水1リットル中において、光硬
化性レジストとしてアクリル酸系レジストCT(富士ハ
ントエレクトロニクステクノロジー社製)を用い、レジ
スト固形分濃度10.00g/リットル、前記FPEG
を用いて、1.50ミリモル/リットル、支持塩として
臭化リチウムを用いて0.1モル/リットルの濃度で混
合し、超音波ホモジナイザーで30分分散させたのち、
光硬化性レジストのミセル分散液を調製した。
Further, in 1 liter of pure water, an acrylic acid resist CT (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was used as a photocurable resist, and the solid content concentration of the resist was 10.00 g / liter.
Was mixed at a concentration of 1.50 mmol / l and lithium bromide as a supporting salt at a concentration of 0.1 mol / l, and the mixture was dispersed for 30 minutes with an ultrasonic homogenizer.
A micelle dispersion of photocurable resist was prepared.

【0082】実施例1 製造例1で作製したITO成膜基板を、製造例1で調製
したRの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜と
ポテンションスタットの陽極を接続して、0.4V、1
8分間の定電位電解を行い、透明導電性薄膜上にRの色
素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブローにより水
を切り、100℃オーブンで乾燥した。透明光硬化性レ
ジストとして、JNPC06(日本合成ゴム社製)をR
色素層上に1500rpmでスピンコートし、80℃の
ホットプレートで5分プリベークした。次に、R色素層
パターン形成用のマスク(ストライプ用:図26)を介
して、プロキシミティー方式の露光機(プロキシミティ
ーギャップ60μm)で300mJ/cm2でi線露光
後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液(0 .5%
TMAH水溶液:富士ハントエレクトロニクステクノロ
ジー社製FHD−5)を1分間噴霧し、アクリル製の毛
ブラシにてスクラブを行い、さらに純水で洗浄して、未
露光部のR色素層と光硬化性レジストをエッチングし
た。最後に200℃のオーブンに基板を挿入して、露光
部の光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、R色素層を
配置した。次いで製造例1で調製したBの前記ミセル分
散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンションスタット
の陽極を接続して、0.5V、5分間の定電位電解を行
い、R色素層形成部分以外の透明導電性薄膜上にBの色
素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブローにより水
を切り、100℃オーブンで乾燥した。透明光硬化性レ
ジストとして、JNPC06(日本合成ゴム社製)をR
色素層とB色素層上に1500rpmでスピンコート
し、80℃のホットプレートで5分プリベークした。次
に、B色素層パターン形成用のマスク(ストライプ用:
(図28)を介して、プロキシミティー方式の露光機
(プロキシミティーギャップ60μm)で300mJ/
cm2でi線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現
像液(0 .5%TMAH水溶液:富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー社製FHD−5)を1分間噴霧
し、アクリル製の毛ブラシにてスクラブを行い、さらに
純水で洗浄して、未露光部のB色素層と光硬化性レジス
トをエッチングした。最後に200℃のオーブンに基板
を挿入して、露光部の光硬化性レジストを完全に熱硬化
させ、B色素層を配置した。次に、光可溶化型レジスト
のHPR204(富士ハントエレクトロニクステクノロ
ジー社製)を基板全面に1500rpmでスピンコート
し、110℃のホットプレートで5分プリベークした。
G色素層パターン形成用のマスク(ストライプ用:(図
27)を介して、プロキシミティー方式の露光機(プロ
キシミティーギャップ60μm)で300mJ/cm2
でi線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液
(0.5%TMAH水溶液:富士ハントエレクトロニク
ステクノロジー社製FHD−5)で2分間スピン現像
し、純水で洗浄した。次いでこの基板を製造例1で調製
したGの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜と
ポテンションスタットの陽極を接続して、0.7V、1
0分間の定電位電解を行い、上記露光部に露出した透明
導電性薄膜上にGの色素層を形成し、純水で洗浄したの
ちエアブローにより水を切り、100℃オーブンで乾燥
した。次に、基板を室温の有機アルカリ系の剥離液(N
−303:長瀬産業社製)に5分間浸漬後、純水で洗浄
して、残存している光可溶化型レジストを完全に除去
し、RGBの色素層を形成した。次に、この基板上に保
護膜として透明な熱硬化性樹脂剤LC2001(三洋化
成工業社製)を900rpmでスピンコートし、220
℃のオーブンで完全に熱硬化させた。最後に、スパッタ
リング装置(アルバック社製:SDP−550VT)を
用いて、ITO薄膜を約1200⌒、保護膜上にスパッ
タリングして液晶駆動用の透明導電性薄膜(電極)を形
成した。このとき、基板温度を200℃、ITO膜の表
面抵抗を20Ω/□に調整した。以上のようにして、カ
ラーフィルタを製造した(工程4,図1)
Example 1 The ITO film-formed substrate prepared in Production Example 1 was inserted into the R micelle dispersion prepared in Production Example 1, and the transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat were connected to each other to give 0. .4V, 1
Constant-potential electrolysis was carried out for 8 minutes to form an R dye layer on the transparent conductive thin film, which was washed with pure water, drained by air blow, and dried in a 100 ° C. oven. JNPC06 (manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.) as a transparent photocurable resist
The dye layer was spin coated at 1500 rpm and prebaked on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes. Next, through an R dye layer pattern forming mask (for stripe: FIG. 26), i-line exposure was performed at 300 mJ / cm 2 with a proximity type exposure device (proximity gap 60 μm), and then an organic alkali system at room temperature was used. Aqueous developer (0.5%
TMAH aqueous solution: FHD-5) manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd. is sprayed for 1 minute, scrubbed with an acrylic bristle brush, further washed with pure water, and the R dye layer in the unexposed area and a photocurable resist Was etched. Finally, the substrate was inserted into an oven at 200 ° C., the photocurable resist in the exposed portion was completely thermoset, and the R dye layer was arranged. Then, the mixture was inserted into the micelle dispersion liquid of B prepared in Production Example 1, the transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat were connected, and 0.5 V for 5 minutes of potentiostatic electrolysis was performed. A dye layer of B was formed on the transparent conductive thin film other than the above, washed with pure water, drained by air blow, and dried in an oven at 100 ° C. JNPC06 (manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.) as a transparent photocurable resist
The dye layer and the B dye layer were spin-coated at 1500 rpm and prebaked on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes. Next, a mask for forming the B dye layer pattern (for stripes:
(Fig. 28) through a proximity type exposure device (proximity gap 60 μm) of 300 mJ /
After i-line exposure at cm 2 , a room temperature organic alkaline aqueous solution (0.5% TMAH aqueous solution: FHD-5 manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) is sprayed for 1 minute, and scrubbed with an acrylic bristle brush. After that, the substrate was washed with pure water to etch the unexposed portion of the B dye layer and the photocurable resist. Finally, the substrate was inserted into an oven at 200 ° C., the photocurable resist in the exposed portion was completely thermoset, and the B dye layer was arranged. Next, a photosolubilizing resist HPR204 (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-coated on the entire surface of the substrate at 1500 rpm, and prebaked on a hot plate at 110 ° C. for 5 minutes.
300 mJ / cm 2 with a proximity type exposure machine (proximity gap 60 μm) through a mask for forming the G dye layer pattern (for stripe: (FIG. 27))
After i-line exposure, the solution was spin-developed for 2 minutes with a developer (0.5% TMAH solution: FHD-5 manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) at room temperature for 2 minutes, and washed with pure water. Then, this substrate was inserted into the micelle dispersion of G prepared in Production Example 1, and the transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat were connected to each other to obtain 0.7V, 1
Constant-potential electrolysis was carried out for 0 minutes to form a G dye layer on the transparent conductive thin film exposed in the exposed portion, washed with pure water, drained by air blow, and dried in a 100 ° C. oven. Next, the substrate is placed at room temperature in an organic alkaline stripping solution (N
-303: manufactured by Nagase & Co., Ltd.) for 5 minutes, and then washed with pure water to completely remove the remaining photosolubilizing resist and form RGB dye layers. Next, a transparent thermosetting resin agent LC2001 (manufactured by Sanyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) was spin-coated on this substrate as a protective film at 900 rpm, and 220
It was completely thermoset in an oven at 0 ° C. Finally, using a sputtering device (SDP-550VT manufactured by ULVAC, Inc.), an ITO thin film of about 1200 Å was sputtered on the protective film to form a transparent conductive thin film (electrode) for driving a liquid crystal. At this time, the substrate temperature was adjusted to 200 ° C. and the surface resistance of the ITO film was adjusted to 20 Ω / □. The color filter was manufactured as described above (process 4, FIG. 1).

【0083】実施例2 製造例1で作製したITO成膜基板上に、黒色色素(カ
ーボンブラック)含有光硬化性レジスト(CK−200
0:富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製)を
500rpmでスピンコートし、85℃のホットプレー
トで5分間プリベークした。さらに、10%エタノール
含有のポリビニルアルコール水溶液(CP:富士ハント
エレクトロニクステクノロジー社製)を500rpmで
スピンコートし、85℃のホットプレートで5分間プリ
ベークした。次に、プロキシミティー方式(プロキシミ
ティーギャップ60μm)の露光機でトライアングル色
素層パターン対応のブラックマトリックス形成用マスク
(図29)を用いて、100mJ/cm2でi線露光
後、室温の無機アルカリ系水溶液の現像液(0.1N炭
酸ナトリウム水溶液:富士ハントエレクトロニクステク
ノロジー社製CD)で2分間スピン現像し、純水でブラ
シスクラブ洗浄し、さらに220℃のオーブンで60分
間熱処理(ポストベーク)し、黒色色素含有レジスト硬
化物が埋め込められ、ブラックマトリックスが形成され
た。次に、ブラックマトリックスを形成した基板を、製
造例1で調製したRの前記ミセル分散液に挿入し、透明
導電性薄膜とポテンションスタットの陽極を接続して、
0.4V、18分間の定電位電解を行い、透明導電性薄
膜上にRの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブ
ローにより水を切り、100℃オーブンで乾燥した。透
明光硬化性レジストとして、CT(富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー社製)をR色素層上に1500r
pmでスピンコートし、80℃のホットプレートで5分
プリベークした。次に、R色素層パターン形成用のマス
ク(トライアングル用:図30)を介して、プロキシミ
ティー方式(プロキシミティーギャップ60μm)の露
光機で100mJ/cm2でi線露光後、室温の有機ア
ルカリ系水溶液の現像液(0 .5%TMAH水溶液:
富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製FHD−
5)を1分間噴霧し、アクリル製の毛ブラシにてスクラ
ブを行い、さらに純水で洗浄して、未露光部のR色素層
と光硬化性レジストをエッチングした。最後に200℃
のオーブンに基板を挿入して、露光部の光硬化性レジス
トを完全に熱硬化させ、R色素層を配置した。次いで製
造例1で調製したBの前記ミセル分散液に挿入し、透明
導電性薄膜とポテンションスタットの陽極を接続して、
0.5V、5分間の定電位電解を行い、R色素層形成部
分以外の透明導電性薄膜上にBの色素層を形成し、純水
で洗浄したのちエアブローにより水を切り、100℃オ
ーブンで乾燥した。透明光硬化性レジストとして、CT
(富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製)をR
色素層とB色素層上に700rpmでスピンコートし、
80℃のホットプレートで5分プリベークした。次に、
B色素層パターン形成用のマスク(トライアングル:図
31)を介して、プロキシミティー方式(プロキシミテ
ィーギャップ60μm)の露光機で100mJ/cm2
でi線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液
(0 .5%TMAH水溶液:富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製FHD−5)を1分間噴霧し、ア
クリル製の毛ブラシにてスクラブを行い、さらに純水で
洗浄して、未露光部のB色素層と光硬化性レジストをエ
ッチングした。最後に200℃のオーブンに基板を挿入
して、露光部の光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、
B色素層を配置した。次に、光可溶化型レジストのHP
R204(富士ハントエレクトロニクステクノロジー社
製)を基板全面に1500rpmでスピンコートし、1
10℃のホットプレートで5分プリベークした。G色素
層パターン形成用のマスク(トライアングル用:図3
2)を介して、プロキシミティー方式(プロキシミティ
ーギャップ60μm)の露光機で100mJ/cm2
i線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液
(2.38%TMAH水溶液:富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製FHD−5)で2分間スピン現像
し、純水で洗浄した。次いでこの基板を製造例1で調製
したGの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜と
ポテンションスタットの陽極を接続して、0.7V、1
0分間の定電位電解を行い、上記露光部に露出した透明
導電性薄膜上にGの色素層を形成し、純水で洗浄したの
ちエアブローにより水を切り、100℃オーブンで乾燥
した。次に、基板を室温の有機アルカリ系の剥離液(N
−303:長瀬産業社製)に5分間浸漬後、純水で洗浄
して、残存している光可溶化型レジストを完全に除去
し、RGBの色素層を形成した。次に、保護膜として透
明光硬化性レジストV−259PA(新日鉄化学社製)
を500rpmでスピンコートし、80℃オーブンで1
5分プリベークした。次いで、カラーフィルタのブラッ
クマトリックスおよびRGB色素層上のみを露光できる
マスクを介して300mJ/cm2で露光し、室温の
0.1Nの炭酸ナトリウム水溶液(富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー社製CD純水希釈品)で浸漬現像
し、さらに純水シャワーにより洗浄してからエアブロー
により乾燥後、200℃オーブンで60分間加熱してブ
ラックマトリックスおよびRGBの色素層上のみに保護
膜を形成した。最後に、スパッタリング装置(アルバッ
ク社製:SDP−550VT)を用いて、ITO薄膜を
約1200⌒、スパッタリングして液晶駆動用の透明導
電性薄膜を形成した。このとき、基板温度を200℃、
ITO膜の表面抵抗を20Ω/□に調整した。以上のよ
うにして、カラーフィルタを製造した(工程8,図5)
Example 2 A black dye (carbon black) -containing photocurable resist (CK-200) was formed on the ITO film-forming substrate prepared in Production Example 1.
0: manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-coated at 500 rpm and prebaked on a hot plate at 85 ° C. for 5 minutes. Further, a polyvinyl alcohol aqueous solution containing 10% ethanol (CP: manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-coated at 500 rpm, and prebaked for 5 minutes on a hot plate at 85 ° C. Next, using a black matrix forming mask (FIG. 29) corresponding to the triangle dye layer pattern in a proximity type (proximity gap 60 μm) exposure machine, i-line exposure was performed at 100 mJ / cm 2 and then an inorganic alkali system at room temperature was used. Spin developing with an aqueous solution (0.1N sodium carbonate aqueous solution: CD manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) for 2 minutes, brush scrubbing with pure water, and heat treatment (post-baking) for 60 minutes in an oven at 220 ° C., The black dye-containing resist cured product was embedded to form a black matrix. Next, the substrate on which the black matrix was formed was inserted into the micelle dispersion liquid of R prepared in Production Example 1, and the transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat were connected to each other,
Constant-potential electrolysis was performed at 0.4 V for 18 minutes to form an R dye layer on the transparent conductive thin film, which was washed with pure water, drained by air blow, and dried in a 100 ° C. oven. As a transparent photo-curable resist, CT (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) 1500r on the R dye layer
It was spin-coated with pm and prebaked on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes. Next, through an R dye layer pattern forming mask (for triangle: FIG. 30), i-line exposure was performed at 100 mJ / cm 2 with a proximity method (proximity gap 60 μm) exposure machine, and then an organic alkali system at room temperature was used. Aqueous developer (0.5% TMAH aqueous solution:
Fuji Hunt Electronics Technology FHD-
5) was sprayed for 1 minute, scrubbed with an acrylic bristle brush, and further washed with pure water to etch the R dye layer and the photocurable resist in the unexposed area. Finally 200 ℃
The substrate was inserted into the oven, and the photocurable resist in the exposed area was completely thermoset, and the R dye layer was arranged. Then, the mixture was inserted into the micelle dispersion liquid of B prepared in Production Example 1, the transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat were connected,
Conducting constant potential electrolysis at 0.5 V for 5 minutes to form the B dye layer on the transparent conductive thin film other than the R dye layer forming portion, washing with pure water, draining water by air blow, and then in a 100 ° C. oven. Dried. CT as a transparent photocurable resist
R (made by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.)
Spin coat on dye layer and B dye layer at 700 rpm,
It was prebaked on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes. next,
100 mJ / cm 2 with a proximity type (proximity gap 60 μm) exposure machine through a mask (triangle: FIG. 31) for forming a B dye layer pattern.
After i-line exposure, a room temperature organic alkaline aqueous solution developer (0.5% TMAH aqueous solution: FHD-5 manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) is sprayed for 1 minute, and scrubbed with an acrylic bristle brush, Further, it was washed with pure water to etch the unexposed portion of the B dye layer and the photocurable resist. Finally, the substrate is inserted into an oven at 200 ° C. to completely thermoset the photocurable resist in the exposed area,
The B dye layer was placed. Next, the HP of the photosolubilization type resist
R204 (Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-coated at 1500 rpm on the entire surface of the substrate, and 1
It was prebaked on a hot plate at 10 ° C. for 5 minutes. Mask for forming G dye layer pattern (for triangle: Fig. 3
2) through i-line exposure at 100 mJ / cm 2 with a proximity type (proximity gap 60 μm) exposure machine, and then a developer of an organic alkaline aqueous solution at room temperature (2.38% TMAH aqueous solution: Fuji Hunt Electronics Technology) It was spin-developed for 2 minutes with FHD-5) manufactured by Co. and washed with pure water. Then, this substrate was inserted into the micelle dispersion of G prepared in Production Example 1, and the transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat were connected to each other to obtain 0.7V, 1
Constant-potential electrolysis was carried out for 0 minutes to form a G dye layer on the transparent conductive thin film exposed in the exposed portion, washed with pure water, drained by air blow, and dried in a 100 ° C. oven. Next, the substrate is placed at room temperature in an organic alkaline stripping solution (N
-303: manufactured by Nagase & Co., Ltd.) for 5 minutes, and then washed with pure water to completely remove the remaining photosolubilizing resist and form RGB dye layers. Next, as a protective film, a transparent photocurable resist V-259PA (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.)
Spin coat at 500 rpm and 1 in 80 ° C oven
Prebaked for 5 minutes. Then, it is exposed at 300 mJ / cm 2 through a mask capable of exposing only the black matrix of the color filter and the RGB dye layer, and a 0.1 N aqueous sodium carbonate solution at room temperature (Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd. diluted CD pure water product). Immersion development was carried out, followed by washing with a pure water shower, drying by air blow, and heating in a 200 ° C. oven for 60 minutes to form a protective film only on the black matrix and RGB dye layers. Finally, using a sputtering device (SDP-550VT manufactured by ULVAC, Inc.), an ITO thin film was sputtered by about 1200 Å to form a transparent conductive thin film for driving a liquid crystal. At this time, the substrate temperature is 200 ° C,
The surface resistance of the ITO film was adjusted to 20Ω / □. The color filter was manufactured as described above (step 8, FIG. 5).

【0084】実施例3 製造例1において作製したITOパターニング基板上
を、製造例1で調製したBの前記ミセル分散液に挿入
し、透明導電性薄膜(ITOの共通部分)とポテンショ
ンスタットの陽極を接続して、0.5V、8分間の定電
位分解を行い、透明導電性薄膜上にBの色素層を形成
し、純水で洗浄したのちエアブローにより水を切り、1
00℃オーブンで乾燥した。次に、透明光硬化性レジス
トとして、V259PA(新日鉄化学社製)をB色素層
上に500rpmでスピンコートし、80℃のホットプ
レートで5分プリベークした。次に、B色素層パターン
形成用のマスク(トライアングル用:図31)を介し
て、プロキシミティー方式(プロキシミティーギャップ
60μm)の露光機で300mJ/cm2 でi線露光
後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液(0.5%T
MAH水溶液:富士ハントエレクトロニクステクノロジ
ー社製FHD−5)を1分間噴霧し、アクリル製の毛ブ
ラシにてスクラブを行い、さらに純水で洗浄して、未露
光部のB色素層と光硬化性レジストをエッチングした。
最後に200℃のオーブンに基板を挿入して、露光部の
光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、B色素層を配置
した。次いで製造例1で調製したRの前記ミセル分散液
に挿入し、透明導電性薄膜(ITOの共通部分)とポテ
ンションスタットの陽極を接続して、0.4V、15分
間の定電位電解を行い、B色素層形成部分以外の透明導
電性薄膜上にRの色素層を形成し、純水で洗浄したのち
エアブローにより水を切り、100℃オーブンで乾燥し
た。透明光硬化性レジストとして、V259PA(新日
鉄化学社製)をB色素層とR色素層上に700rpmで
スピンコートし、80℃のホットプレートで5分プリベ
ークした。次に、R色素層パターン形成用のマスク(ト
ライアングル:図30)を介して、プロキシミティー方
式(プロキシミティーギャップ60μm)の露光機で3
00mJ/cm2 でi線露光後、室温の有機アルカリ系
水溶液の現像液(0.5%TMAH水溶液:富士ハント
エレクトロニスクテクノロジー社製FHD−5)を1分
間噴霧し、アクリル製の毛ブラシにてスクラブを行い、
さらに純水で洗浄して、未露光部のR色素層と光硬化性
レジストをエッチングした。最後に200℃のオーブン
に基板を挿入して、露光部の光硬化性レジストを完全に
熱硬化させ、R色素層を配置した。次に光可溶化型レジ
ストのHPR204(富士ハントエレクトロニクステク
ノロジー社製)を基板全面に1500rpmでスピンコ
ートし、110℃のホットプレートで5分プリベークし
た。G色素層パターン形成用のマスク(トライアングル
用:図32)を介して、プロキシミティー方式(プロキ
シミティーギャップ60μm)の露光機で100mJ/
cm2 でi線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現
像液(2.38%TMAH水溶液:富士ハントエレクト
ロニスクテクノロジー社製FHD−5)で2分間スピン
現像し、純水で洗浄した。次いでこの基板を製造例1で
調製したGの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄
膜(ITOの共通部分)とポテンションスタットの陽極
を接続して、0.7V、10分間の定電位電解を行い、
上記露光部に露出した透明導電性薄膜上にG色素層を形
成し、純水で洗浄したのちエアブローにより水を切り、
100℃オーブンで乾燥した。次に、基板を室温の有機
アルカリ系の剥離液(N−303:長瀬産業社製)に5
分間浸漬後、純水で洗浄して、残存している光可溶化型
レジストを完全に除去し、RGBの色素層を形成した。
最後に、ITOの共通(導通部分)をカットして、IT
Oのストライプを独立させ、カラーフィルタを完成した
(工程5,図3)
Example 3 The ITO patterned substrate prepared in Production Example 1 was inserted into the micelle dispersion B prepared in Production Example 1, and the transparent conductive thin film (common portion of ITO) and the anode of the potentiostat were inserted. Is connected to perform a constant potential decomposition at 0.5 V for 8 minutes to form a dye layer of B on the transparent conductive thin film, wash with pure water, and then remove water by air blow, 1
Dried in a 00 ° C oven. Next, as a transparent photocurable resist, V259PA (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was spin-coated on the B dye layer at 500 rpm, and prebaked on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes. Next, through a mask (for triangle: FIG. 31) for forming a B dye layer pattern, i-line exposure was performed at 300 mJ / cm 2 with a proximity method (proximity gap 60 μm) exposure machine, and then an organic alkali system at room temperature was used. Aqueous developer (0.5% T
MAH aqueous solution: FHD-5) manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd. is sprayed for 1 minute, scrubbed with an acrylic bristle brush, further washed with pure water, and the B dye layer in the unexposed area and a photocurable resist Was etched.
Finally, the substrate was inserted into an oven at 200 ° C., the photocurable resist in the exposed portion was completely thermoset, and the B dye layer was arranged. Then, the mixture was inserted into the R micelle dispersion prepared in Production Example 1, the transparent conductive thin film (the common part of ITO) was connected to the anode of the potentiostat, and potentiostatic electrolysis was performed at 0.4 V for 15 minutes. The R dye layer was formed on the transparent conductive thin film other than the B dye layer forming portion, washed with pure water, drained by air blow, and dried in a 100 ° C. oven. As a transparent photocurable resist, V259PA (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was spin-coated on the B dye layer and the R dye layer at 700 rpm, and prebaked for 5 minutes on a hot plate at 80 ° C. Next, through a mask (triangle: FIG. 30) for forming the R dye layer pattern, a proximity method (proximity gap 60 μm) exposure device 3 was used.
After i-ray exposure at 00 mJ / cm 2 , a room temperature organic alkaline aqueous solution developer (0.5% TMAH aqueous solution: FHD-5 manufactured by Fuji Hunt Electronic Technologies Co., Ltd.) was sprayed for 1 minute, and then applied to an acrylic bristle brush. Scrub,
Further, it was washed with pure water to etch the R dye layer and the photocurable resist in the unexposed area. Finally, the substrate was inserted into an oven at 200 ° C., the photocurable resist in the exposed portion was completely thermoset, and the R dye layer was arranged. Next, a photosolubilizing resist HPR204 (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-coated on the entire surface of the substrate at 1500 rpm, and prebaked for 5 minutes on a 110 ° C. hot plate. Through a mask (for triangle: FIG. 32) for forming a G dye layer pattern, 100 mJ / in a proximity type (proximity gap 60 μm) exposure device.
After i-line exposure at cm 2 , the solution was spin-developed for 2 minutes with a developer (2.38% TMAH aqueous solution: FHD-5 manufactured by Fuji Hunt Electronic Technologies Co., Ltd.) at room temperature for 2 minutes and washed with pure water. Next, this substrate was inserted into the micelle dispersion of G prepared in Production Example 1, the transparent conductive thin film (common part of ITO) and the anode of the potentiostat were connected, and a constant potential of 0.7 V for 10 minutes was set. Electrolyze,
A G dye layer is formed on the transparent conductive thin film exposed in the exposed portion, washed with pure water, and then drained by air blow,
Dried in a 100 ° C. oven. Next, the substrate is immersed in an organic alkaline stripping solution (N-303: Nagase & Co., Ltd.) at room temperature.
After dipping for a minute, it was washed with pure water to completely remove the remaining photosolubilizing resist, and the RGB dye layers were formed.
Finally, cut the common ITO (conductive part) and
Color stripes were completed by making O stripes independent (process 5, FIG. 3)

【0085】実施例4 製造例1において作製したITOパターニング基板上
に、樹脂ブラックマトリックス形成レジストとして富士
ハントエレクトロニクステクノロジー社製のカラーモザ
イクCKに同CR、CG、CBをそれぞれ、3:1:
1:1重量部混合したもの(特開平4−13106号)
を用い、スピンコーター500rpmでを塗布し、80
℃オーブンで15分間プリベークした。次いで、酸素遮
断膜のポリビニルアルコール(PVA)水溶液(CP:
富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製)をレジ
ストと同様に塗布した。次に、プロキシミティー方式
(プロキシミティーギャップ60μm)の露光機でトラ
イアングル色素層パターン対応のブラックマトリックス
形成用マスク(図29)を用いて、80mJ/cm2
露光後、室温の無機アルカリ系水溶液の現像液(0.1
N炭酸ナトリウム水溶液:富士ハントエレクトロニクス
テクノロジー社製CD)で2分間スピン現像し、純水で
ブラシスクラブ洗浄し、さらに220℃のオーブンで6
0分間熱処理(ポストベーク)し、黒色色素含有レジス
ト硬化物が埋め込められ、ブラックマトリックスが形成
された。次に、ブラックマトリックスを形成した基板
を、製造例1で調製したBの前記ミセル分散液に挿入
し、透明導電性薄膜(ITOの共通部分)とポテンショ
ンスタットの陽極を接続して、0.5V、8分間の定電
位電解を行い、透明導電性薄膜上にBの色素層を形成
し、純水で洗浄したのちエアブローにより水を切り、1
00℃オーブンで乾燥した。次に、透明光硬化性レジス
トとして、V259PA(新日鉄化学社製)をB色素層
上に500rpmでスピンコートし、80℃のホットプ
レートで5分プリベークした。次に、B色素層パターン
形成用のマスク(トライアングル用:図31)を介し
て、プロキシミティー方式(プロキシミティーギャップ
60μm)の露光機で300mJ/cm2でi線露光
後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液(0 .5%
TMAH水溶液:富士ハントエレクトロニクステクノロ
ジー社製FHD−5)を1分間噴霧し、アクリル製の毛
ブラシにてスクラブを行い、さらに純水で洗浄して、未
露光部のB色素層と光硬化性レジストをエッチングし
た。最後に200℃のオーブンに基板を挿入して、露光
部の光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、B色素層を
配置した。次いで製造例1で調製したRの前記ミセル分
散液に挿入し、透明導電性薄膜(ITOの共通部分)と
ポテンションスタットの陽極を接続して、0.4V、1
5分間の定電位電解を行い、B色素層形成部分以外の透
明導電性薄膜上にRの色素層を形成し、純水で洗浄した
のちエアブローにより水を切り、100℃オーブンで乾
燥した。透明光硬化性レジストとして、V259PA
(新日鉄化学社製)をB色素層とR色素層上に700r
pmでスピンコートし、80℃のホットプレートで5分
プリベークした。次に、R色素層パターン形成用のマス
ク(トライアングル:図30)を介して、プロキシミテ
ィー方式(プロキシミティーギャップ60μm)の露光
機で300mJ/cm2でi線露光後、室温の有機アル
カリ系水溶液の現像液(0 .5%TMAH水溶液:富
士ハントエレクトロニクステクノロジー社製FHD−
5)を1分間噴霧し、アクリル製の毛ブラシにてスクラ
ブを行い、さらに純水で洗浄して、未露光部のR色素層
と光硬化性レジストをエッチングした。最後に200℃
のオーブンに基板を挿入して、露光部の光硬化性レジス
トを完全に熱硬化させ、R色素層を配置した。次に、光
可溶化型レジストのHPR204(富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー社製)を基板全面に1500rp
mでスピンコートし、110℃のホットプレートで5分
プリベークした。G色素層パターン形成用のマスク(ト
ライアングル用:図32)を介して、プロキシミティー
方式(プロキシミティーギャップ60μm)の露光機で
100mJ/cm2でi線露光後、室温の有機アルカリ
系水溶液の現像液(2.38%TMAH水溶液:富士ハ
ントエレクトロニクステクノロジー社製FHD−5)で
2分間スピン現像し、純水で洗浄した。次いでこの基板
を製造例1で調製したGの前記ミセル分散液に挿入し、
透明導電性薄膜(ITOの共通部分)とポテンションス
タットの陽極を接続して、0.7V、10分間の定電位
電解を行い、上記露光部に露出した透明導電性薄膜上に
Gの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブローに
より水を切り、100℃オーブンで乾燥した。次に、基
板を室温の有機アルカリ系の剥離液(N−303:長瀬
産業社製)に5分間浸漬後、純水で洗浄して、残存して
いる光可溶化型レジストを完全に除去し、RGBの色素
層を形成した。最後に、ITOの共通(導通部分)をカ
ットして、ITOのストライプを独立させ、カラーフィ
ルタを完成した(工程9、図7)。
Example 4 On the ITO patterned substrate produced in Production Example 1, as a resin black matrix forming resist, the same color CR, CG, and CB were added to the color mosaic CK manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., 3: 1:
A mixture of 1: 1 parts by weight (JP-A-4-13106)
Using a spin coater at 500 rpm,
Prebaked for 15 minutes in an oven. Next, a polyvinyl alcohol (PVA) aqueous solution (CP:
Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was applied in the same manner as the resist. Then, using a mask for forming a black matrix (FIG. 29) corresponding to the triangle dye layer pattern in a proximity type (proximity gap 60 μm) exposure machine, after exposing at 80 mJ / cm 2 , an inorganic alkaline aqueous solution at room temperature was used. Developer (0.1
Aqueous sodium carbonate solution: CD developed by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) for 2 minutes, spin-developed, brush scrubbed with pure water, and then in an oven at 220 ° C. for 6 minutes.
After heat treatment (post-baking) for 0 minutes, a black dye-containing resist cured product was embedded, and a black matrix was formed. Next, the substrate on which the black matrix was formed was inserted into the micelle dispersion liquid of B prepared in Production Example 1, the transparent conductive thin film (the common part of ITO) and the anode of the potentiostat were connected to each other. Constant-potential electrolysis at 5 V for 8 minutes was performed to form a B dye layer on the transparent conductive thin film, which was washed with pure water and then drained by air blow to remove 1
Dried in a 00 ° C oven. Next, as a transparent photocurable resist, V259PA (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was spin-coated on the B dye layer at 500 rpm, and prebaked on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes. Next, through a mask (for triangle: FIG. 31) for forming a B dye layer pattern, i-line exposure was performed at 300 mJ / cm 2 with a proximity type (proximity gap 60 μm) exposure machine, and then an organic alkali system at room temperature was used. Aqueous developer (0.5%
TMAH aqueous solution: FHD-5) manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd. is sprayed for 1 minute, scrubbed with an acrylic bristle brush, further washed with pure water, and the B dye layer in the unexposed area and a photocurable resist Was etched. Finally, the substrate was inserted into an oven at 200 ° C., the photocurable resist in the exposed portion was completely thermoset, and the B dye layer was arranged. Then, the mixture was inserted into the R micelle dispersion prepared in Production Example 1, the transparent conductive thin film (common part of ITO) and the anode of the potentiostat were connected to each other, and 0.4 V, 1
Constant-potential electrolysis was carried out for 5 minutes to form an R dye layer on the transparent conductive thin film other than the B dye layer forming portion. The R dye layer was washed with pure water, drained by air blow, and dried in a 100 ° C. oven. As a transparent photocurable resist, V259PA
(Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) 700r on the B and R dye layers
It was spin-coated with pm and prebaked on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes. Next, through an R-dye layer pattern forming mask (triangle: FIG. 30), i-line exposure was performed at 300 mJ / cm 2 with a proximity type (proximity gap 60 μm) exposure machine, and then an organic alkaline aqueous solution at room temperature was used. Developer (0.5% TMAH aqueous solution: FHD- manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.)
5) was sprayed for 1 minute, scrubbed with an acrylic bristle brush, and further washed with pure water to etch the R dye layer and the photocurable resist in the unexposed area. Finally 200 ℃
The substrate was inserted into the oven, and the photocurable resist in the exposed area was completely thermoset, and the R dye layer was arranged. Next, a photosolubilizing resist HPR204 (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) is applied on the entire surface of the substrate at 1500 rp.
m and spin-coated at 110 ° C. on a hot plate for 5 minutes. Through a mask (for triangle: FIG. 32) for forming a G dye layer pattern, i-line exposure was performed at 100 mJ / cm 2 with a proximity type (proximity gap 60 μm) exposure machine, and then development was performed with an organic alkaline aqueous solution at room temperature. The solution (2.38% TMAH aqueous solution: FHD-5 manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-developed for 2 minutes and washed with pure water. Then, this substrate was inserted into the micelle dispersion of G prepared in Production Example 1,
The transparent conductive thin film (common part of ITO) and the anode of the potentiostat are connected to each other, and constant potential electrolysis is performed at 0.7 V for 10 minutes, and the G dye layer is formed on the transparent conductive thin film exposed in the exposed portion. Was formed, washed with pure water, drained by air blow, and dried in an oven at 100 ° C. Next, the substrate was immersed in an organic alkaline stripping solution (N-303: Nagase & Co., Ltd.) at room temperature for 5 minutes and then washed with pure water to completely remove the remaining photosolubilizing resist. , RGB dye layers were formed. Finally, the common ITO film (conductive portion) was cut to separate the ITO stripes, thus completing the color filter (step 9, FIG. 7).

【0086】製造例2 金属薄膜(ブラックマトリックス)上透明導電性薄膜成
膜基板の作製 鏡面研磨した300mm角の白板ガラス基板(NA4
5:HOYA製)上に、スパッタリング装置(アルバッ
ク社製:SDP−550VT)を用いて、Cr薄膜を約
1200⌒蒸着した。このとき、基板温度を250℃に
調整した。次に、蒸着したCr薄膜上に、光可溶化のポ
ジ型レジスト(HPR204:富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製)をロールコーターで1.5μm
膜厚でコートし、110℃のオーブンで30分間プリベ
ークし、ダイアゴーナル色素層パターン対応のブラック
マトリックス形成用のマスク(図33)を介して、プロ
キシミティー方式(プロキシミティーギャップ60μ
m)の露光機で60mJ/cm2で露光した。次に室温
の有機アルカリ系水溶液の現像液(2.38%TMAH
水溶液:富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製
FHD−5)で2分間スピン現像して、純水シャワー洗
浄し、さらに130℃のオーブンで60分間熱処理(ポ
ストベーク)して、レジストパターンを形成した。次
に、硝酸第二セリウムアンモニウム165gと過塩素酸
42mlと純水で1リットルのCrエッチャントを調製
し、レジストパターンを形成した基板を室温で2分間浸
漬し、純水シャワーで洗浄してレジストパターンのない
部分のCr薄膜をエッチングし、さらに、有機アルカリ
系水溶液のレジスト剥離材(N−303:長瀬産業社
製)に室温で、5分間浸漬、純水シャワーで洗浄して、
金属薄膜(Cr)のブラックマトリックスを形成した。
次に、スパッタリング装置(アルバック社製:SDP−
550VT)を用いて、ITO薄膜を約1300⌒、蒸
着を行った。このとき、基板温度を250℃、ITO膜
の表面抵抗を20Ω/□に調整した。
Production Example 2 Preparation of Transparent Conductive Thin Film Deposition Substrate on Metal Thin Film (Black Matrix) White glass substrate (NA4) of 300 mm square, mirror-polished
5: HOYA), a Cr thin film was vapor-deposited at about 1200 Å using a sputtering device (SDP-550VT, manufactured by ULVAC, Inc.). At this time, the substrate temperature was adjusted to 250 ° C. Then, a photo-solubilizing positive resist (HPR204: manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was applied on the vapor-deposited Cr thin film with a roll coater to a thickness of 1.5 μm.
The film is coated with a film thickness, prebaked in an oven at 110 ° C. for 30 minutes, and passed through a mask (FIG. 33) for forming a black matrix corresponding to the diagonal dye layer pattern, in a proximity method (proximity gap 60 μm).
The exposure was performed at 60 mJ / cm 2 with the exposure machine of m). Next, a room temperature organic alkaline aqueous solution developer (2.38% TMAH
Aqueous solution: FHD-5) manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd. was spin-developed for 2 minutes, washed with a pure water shower, and further heat-treated (post-baked) for 60 minutes in an oven at 130 ° C. to form a resist pattern. Next, 1 liter of Cr etchant was prepared with 165 g of ceric ammonium nitrate, 42 ml of perchloric acid and pure water, the substrate on which the resist pattern was formed was immersed at room temperature for 2 minutes and washed with a pure water shower to form the resist pattern. Etching the Cr thin film in the non-existing portion, further immersing in a resist stripping material (N-303: Nagase & Co., Ltd.) of an organic alkaline aqueous solution at room temperature for 5 minutes and washing with a pure water shower,
A black matrix of a metal thin film (Cr) was formed.
Next, a sputtering device (made by ULVAC: SDP-
550 VT) was used to deposit an ITO thin film at about 1300 Å. At this time, the substrate temperature was adjusted to 250 ° C. and the surface resistance of the ITO film was adjusted to 20Ω / □.

【0087】実施例5 製造例2で作製した基板上に、製造例1で調製したGの
前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜(ITO)
とポテンションスタットの陽極を接続して、0.7V、
15分間の定電位電解を行い、透明導電性薄膜上にGの
色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブローにより
水を切り、100℃オーブンで乾燥した。次に、透明光
硬化性レジストとして、JNPC16(日本合成ゴム社
製)をG色素層上に1500rpmでスピンコートし、
80℃のホットプレートで5分プリベークした。次に、
G色素層パターン形成用のマスク(ダイアゴーナル用:
図34)を介して、プロキシミティー方式の露光機(プ
ロキシミティーギャップ60μm)で300mJ/cm
2でi線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液
(0 .5%TMAH水溶液:富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製FHD−5)を1分間噴霧し、ア
クリル製の毛ブラシにてスクラブを行い、さらに純水で
洗浄して、未露光部のG色素層と光硬化性レジストをエ
ッチングした。最後に200℃のオーブンに基板を挿入
して、露光部の光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、
G色素層を配置した。次いで製造例1で調製したBの前
記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンショ
ンスタットの陽極を接続して、0.5V、5分間の定電
位電解を行い、G色素層形成部分以外の透明導電性薄膜
上にBの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブロ
ーにより水を切り、100℃オーブンで乾燥した。透明
光硬化性レジストとして、JNPC16(日本合成ゴム
社製)をG色素層とB色素層上に1000rpmでスピ
ンコートし、80℃のホットプレートで5分プリベーク
した。次に、B色素層パターン形成用のマスク(ダイア
ゴーナル用:図35)を介して、プロキシミティー方式
の露光機(プロキシミティーギャップ60μm)で30
0mJ/cm2でi線露光後、室温の有機アルカリ系水
溶液の現像液(0 .5%TMAH水溶液:富士ハント
エレクトロニクステクノロジー社製FHD−5)を1分
間噴霧し、アクリル製の毛ブラシにてスクラブを行い、
さらに純水で洗浄して、未露光部のB色素層と光硬化性
レジストをエッチングした。最後に200℃のオーブン
に基板を挿入して、露光部の光硬化性レジストを完全に
熱硬化させ、B色素層を配置した。次に、光可溶化型レ
ジストのHPR204(富士ハントエレクトロニクステ
クノロジー社製)を基板全面に1500rpmでスピン
コートし、110℃のホットプレートで5分プリベーク
した。次に電極取出し部を含めてブラックマトリックス
およびRGBの色素層領域全てを露光できるマスク(図
36)を介して、プロキシミティー方式の露光機(プロ
キシミティーギャップ60μm)で300mJ/cm2
でi線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液
(2.38%TMAH水溶液:富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製FHD−5)で2分間スピン現像
し、純水で洗浄した。次いでこの基板を製造例1で調製
したRの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜と
ポテンションスタットの陽極を接続して、0.5V、1
5分間の定電位電解を行い、上記露光部に露出した透明
導電性薄膜上にRの色素層を形成し、純水で洗浄したの
ちエアブローにより水を切り、100℃オーブンで乾燥
した。次に、基板全面を600mJ/cm2でi線露光
した後、室温の有機アルカリ系の剥離液(N−303:
長瀬産業社製)に3分間浸漬後、純水で洗浄して、残存
している光可溶化型レジストを完全に除去し、RGBの
色素層を形成した。次に、この基板上に保護膜として透
明な熱硬化性樹脂剤オプトマーSS7265(日本合成
ゴム社製)を900rpmでスピンコートし、220℃
のオーブンで完全に熱硬化させた。最後に、スパッタリ
ング装置(アルバック社製:SDP−550VT)を用
いて、ITO薄膜を約1200⌒、保護膜上にスパッタ
リングして液晶駆動用の透明導電性薄膜(電極)を形成
した。このとき、基板温度を200℃、ITO膜の表面
抵抗を20Ω/□に調整した。以上のようにして、カラ
ーフィルタを製造した(工程6,図9)
Example 5 The transparent conductive thin film (ITO) was inserted into the above-mentioned micelle dispersion of G prepared in Production Example 1 on the substrate prepared in Production Example 2.
Connect the anode of the potentiostat to 0.7V,
Constant-potential electrolysis was carried out for 15 minutes to form a dye layer of G on the transparent conductive thin film, which was washed with pure water, drained by air blow, and dried in an oven at 100 ° C. Next, as a transparent photocurable resist, JNPC16 (manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.) was spin-coated on the G dye layer at 1500 rpm,
It was prebaked on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes. next,
Mask for G dye layer pattern formation (for diagonal:
34) through a proximity type exposure device (proximity gap 60 μm) to 300 mJ / cm.
After i-line exposure at 2 , a room temperature organic alkaline aqueous solution developer (0.5% TMAH aqueous solution: FHD-5 manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) is sprayed for 1 minute and scrubbed with an acrylic bristle brush. Further, it was washed with pure water to etch the G dye layer and the photocurable resist in the unexposed area. Finally, the substrate is inserted into an oven at 200 ° C. to completely thermoset the photocurable resist in the exposed area,
The G dye layer was placed. Then, the mixture was inserted into the micelle dispersion liquid of B prepared in Production Example 1, the transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat were connected, and constant potential electrolysis was performed for 0.5 V for 5 minutes to form a G dye layer forming portion. A dye layer of B was formed on the transparent conductive thin film other than the above, washed with pure water, drained by air blow, and dried in an oven at 100 ° C. As a transparent photocurable resist, JNPC16 (manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.) was spin-coated on the G dye layer and the B dye layer at 1000 rpm, and prebaked on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes. Next, through a mask (for diagonal: FIG. 35) for forming a B dye layer pattern, a proximity exposure device (proximity gap 60 μm) is used to perform 30
After i-line exposure at 0 mJ / cm 2 , a room temperature organic alkaline aqueous solution developer (0.5% TMAH aqueous solution: FHD-5 manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was sprayed for 1 minute, and an acrylic bristle brush was used. Scrub,
Further, it was washed with pure water to etch the unexposed portion of the B dye layer and the photocurable resist. Finally, the substrate was inserted into an oven at 200 ° C., the photocurable resist in the exposed portion was completely thermoset, and the B dye layer was arranged. Next, a photosolubilizing resist HPR204 (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-coated on the entire surface of the substrate at 1500 rpm, and prebaked on a hot plate at 110 ° C. for 5 minutes. Next, through a mask (FIG. 36) capable of exposing the entire black matrix and RGB dye layer regions including the electrode extraction portion, 300 mJ / cm 2 with a proximity type exposure device (proximity gap 60 μm).
After i-line exposure, the solution was spin-developed for 2 minutes with a developer (2.38% TMAH aqueous solution: FHD-5 manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) at room temperature and washed with pure water. Next, this substrate was inserted into the R micelle dispersion prepared in Production Example 1, the transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat were connected to each other, and 0.5 V, 1
A constant potential electrolysis was carried out for 5 minutes to form an R dye layer on the transparent conductive thin film exposed in the exposed area, and after washing with pure water, the water was removed by air blow and drying was performed in a 100 ° C. oven. Next, after exposing the entire surface of the substrate by i-line exposure at 600 mJ / cm 2 , an organic alkaline stripping solution (N-303:
After being immersed in Nagase & Co., Ltd.) for 3 minutes, it was washed with pure water to completely remove the remaining photosolubilizing resist, and the RGB dye layers were formed. Next, a transparent thermosetting resin agent Optomer SS7265 (manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.) was spin-coated on this substrate as a protective film at 900 rpm, and 220 ° C.
Completely cured in an oven. Finally, using a sputtering device (SDP-550VT manufactured by ULVAC, Inc.), an ITO thin film of about 1200 Å was sputtered on the protective film to form a transparent conductive thin film (electrode) for driving a liquid crystal. At this time, the substrate temperature was adjusted to 200 ° C. and the surface resistance of the ITO film was adjusted to 20 Ω / □. The color filter was manufactured as described above (process 6, FIG. 9).

【0088】製造例3 金属酸化物薄膜(ブラックマトリックス)上透明導電性
薄膜(ITO)パターニング基板の作製 製造例2において金属薄膜Crを金属酸化物Cr23
して、さらにトライアングル用のブラックマトリックス
形成用マスク(図37)を用いた事以外は同様にブラッ
クマトリックスを形成した基板上に、絶縁膜として透明
な熱硬化性樹脂剤JSS819(日本合成ゴム社製)を
1000rpmでスピンコートし、220℃のオーブン
で完全に熱硬化させたあと、さらにスパッタリング装置
(アルバック社製:SDP−550VT)を用いて、シ
リカ(SiO2)薄膜を約500⌒、透明導電性薄膜と
して、ITO薄膜を1300⌒を順次にスパッタリング
して、積層した。次に、ITO薄膜を製膜した基板上
に、光可溶化型レジストのFH2130(富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社製)を基板全面にロール
コーターで1.5μmの膜厚で塗布し、110℃のホッ
トプレートで5分プリベークした。共通部分を有しかつ
ストライプ状にパターニングされたITOパターン形成
用のマスク(図25)を介して、プロキシミティー方式
の露光機(プロキシミティーギャップ60μm)で10
0mJ/cm2でi線露光後、室温の有機アルカリ系水
溶液の現像液(2.38%TMAH水溶液:富士ハント
エレクトロニクステクノロジー社製FHD−5)で2分
間スピン現像し、純水で洗浄し、150℃のオーブンで
30分ポストベークした。次いでこの基板を37℃の第
二塩化鉄水溶液(ボウメ42)と12N塩酸水溶液の等
量混合物中に5分間浸漬して、レジストの積層されてい
ない部分のITO膜をエッチングし、純水で洗浄してエ
アブローにより乾燥した。次いで、基板を室温の有機ア
ルカリ系の剥離液(N−303:長瀬産業社製)に5分
間浸漬後、純水で洗浄、エアブローで乾燥して、残存し
ている光可溶化型レジストを完全に除去し、ITOのパ
ターニングを終えた。
Production Example 3 Fabrication of Transparent Conductive Thin Film (ITO) Patterned Substrate on Metal Oxide Thin Film (Black Matrix) In Production Example 2, the metal thin film Cr was changed to the metal oxide Cr 2 O 3 and a black matrix for triangle was formed. A transparent thermosetting resin agent JSS819 (manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.) as an insulating film was spin-coated at 1000 rpm on a substrate on which a black matrix was formed in the same manner except that a mask for manufacturing (FIG. 37) was used, and the temperature was 220 ° C. After completely heat-curing in an oven, a sputtering device (SDP-550VT manufactured by ULVAC, Inc.) was used to further deposit a silica (SiO 2 ) thin film of about 500 ⌒ and a transparent conductive thin film of an ITO thin film of 1300 ⌒ in order. It was sputtered on and laminated. Next, a photosolubilizing resist FH2130 (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was coated on the entire surface of the substrate on which an ITO thin film had been formed by a roll coater to a film thickness of 1.5 μm, and a hot plate at 110 ° C. I prebaked it for 5 minutes. Through a mask (FIG. 25) for forming an ITO pattern which has a common portion and is patterned in a stripe pattern, a proximity type exposure device (proximity gap 60 μm) is used.
After i-line exposure at 0 mJ / cm 2 , spin development was performed for 2 minutes with a developer (2.38% TMAH aqueous solution: FHD-5 manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) of an organic alkaline aqueous solution at room temperature, and washed with pure water. Post-baked in an oven at 150 ° C. for 30 minutes. Then, this substrate is immersed in an equal amount mixture of ferric chloride aqueous solution (Boume 42) and 12N hydrochloric acid aqueous solution at 37 ° C. for 5 minutes to etch the ITO film on the portion where the resist is not laminated and wash with pure water. And dried by air blow. Then, the substrate is immersed in an organic alkaline stripping solution (N-303: Nagase & Co., Ltd.) at room temperature for 5 minutes, washed with pure water and dried by air blow to completely remove the remaining photosolubilizing resist. Then, the ITO patterning was completed.

【0089】実施例6 製造例3で作製した基板上に、製造例1で調製したBの
前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜(ITO共
通部分)とポテンションスタットの陽極を接続して、
0.5V、5分間の定電位電解を行い、透明導電性薄膜
上にBの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブロ
ーにより水を切り、100℃オーブンで乾燥した。次
に、透明光硬化性レジストとして、CT(富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社製)をB色素層上に80
0rpmでスピンコートし、80℃のホットプレートで
5分プリベークした。次に、B色素層パターン形成用の
マスク(トライアングル用:図31)を介して、プロキ
シミティー方式の露光機(プロキシミティーギャップ6
0μm)で100mJ/cm2でi線露光後、室温の有
機アルカリ系水溶液の現像液(0 .5%TMAH水溶
液:富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製FH
D−5)を1分間噴霧し、アクリル製の毛ブラシにてス
クラブを行い、さらに純水で洗浄して、未露光部のB色
素層と光硬化性レジストをエッチングした。最後に20
0℃のオーブンに基板を挿入して、露光部の光硬化性レ
ジストを完全に熱硬化させ、B色素層を配置した。次い
で製造例1で調製したGの前記ミセル分散液に挿入し、
透明導電性薄膜(ITO共通部分)とポテンションスタ
ットの陽極を接続して、0.5V、10分間の定電位電
解を行い、B色素層形成部分以外の透明導電性薄膜上に
Gの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブローに
より水を切り、100℃オーブンで乾燥した。透明光硬
化性レジストとして、CT(富士ハントエレクトロニク
ステクノロジー社製)をB色素層とG色素層上に120
0rpmでスピンコートし、80℃のホットプレートで
5分プリベークした。次に、G色素層パターン形成用の
マスク(トライアングル用:図38)を介して、プロキ
シミティー方式の露光機(プロキシミティーギャップ6
0μm)で100mJ/cm2でi線露光後、室温の有
機アルカリ系水溶液の現像液(0 .5%TMAH水溶
液:富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製FH
D−5)を1分間噴霧し、アクリル製の毛ブラシにてス
クラブを行い、さらに純水で洗浄して、未露光部のG色
素層と光硬化性レジストをエッチングした。最後に20
0℃のオーブンに基板を挿入して、露光部の光硬化性レ
ジストを完全に熱硬化させ、G色素層を配置した。次
に、光可溶化型レジストのHPR204(富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社製)を基板全面に150
0rpmでスピンコートし、110℃のホットプレート
で5分プリベークした。R色素層パターン形成用のマス
ク(トライアングル用:図39)を介して、プロキシミ
ティー方式の露光機(プロキシミティーギャップ60μ
m)で300mJ/cm2でi線露光後、室温の有機ア
ルカリ系水溶液の現像液(0.5%TMAH水溶液:富
士ハントエレクトロニクステクノロジー社製FHD−
5)で2分間スピン現像し、純水で洗浄した。次いでこ
の基板を製造例1で調製したRの前記ミセル分散液に挿
入し、透明導電性薄膜とポテンションスタットの陽極を
接続して、0.5V、15分間の定電位電解を行い、上
記露光部に露出した透明導電性薄膜上にRの色素層を形
成し、純水で洗浄したのちエアブローにより水を切り、
100℃オーブンで乾燥した。次に、基板全面を600
mJ/cm2でi線露光した後、室温の有機アルカリ系
の剥離液(N−303:長瀬産業社製)に3分間浸漬
後、純水で洗浄して、残存している光可溶化型レジスト
を完全に除去し、RGBの色素層を形成した。次に、こ
の基板上に保護膜として透明な熱硬化性樹脂剤オプトマ
ーSS7265(日本合成ゴム社製)をオフセット印刷
機を用いて、RGBの色素層上に約2.0μm塗布し、
220℃のオーブンで完全に熱硬化させたあと、最後
に、ITOの共通(導通)部分をカットして、ITOの
ストライプを独立させ、カラーフィルタを製造した(工
程7,図11)
Example 6 On the substrate prepared in Preparation Example 3, the above micelle dispersion liquid of B prepared in Preparation Example 1 was inserted, and the transparent conductive thin film (ITO common part) and the anode of the potentiostat were connected. hand,
Constant-potential electrolysis was performed at 0.5 V for 5 minutes to form a dye layer of B on the transparent conductive thin film, which was washed with pure water, drained by air blow, and dried in an oven at 100 ° C. Next, as a transparent photocurable resist, CT (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) is applied to the B dye layer by 80.
It was spin-coated at 0 rpm and prebaked on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes. Next, a proximity type exposure machine (proximity gap 6) is formed through a mask (for triangle: FIG. 31) for forming the B dye layer pattern.
After i-line exposure at 100 mJ / cm 2 at 0 μm), a developer of an organic alkaline aqueous solution at room temperature (0.5% TMAH aqueous solution: FH manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.)
D-5) was sprayed for 1 minute, scrubbed with an acrylic bristle brush, and further washed with pure water to etch the unexposed portion of the B dye layer and the photocurable resist. Finally 20
The substrate was inserted into an oven at 0 ° C., the photocurable resist in the exposed portion was completely thermoset, and the B dye layer was arranged. Then, it was inserted into the micelle dispersion of G prepared in Production Example 1,
The transparent conductive thin film (common part of ITO) and the anode of the potentiostat are connected to each other, and constant potential electrolysis is performed at 0.5 V for 10 minutes, and the G dye layer is formed on the transparent conductive thin film other than the B dye layer forming part. Was formed, washed with pure water, drained by air blow, and dried in an oven at 100 ° C. As a transparent photocurable resist, CT (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) is applied on the B dye layer and the G dye layer in an amount of 120.
It was spin-coated at 0 rpm and prebaked on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes. Next, a proximity type exposure machine (proximity gap 6) is formed through a mask (for triangle: FIG. 38) for forming a G dye layer pattern.
After i-line exposure at 100 mJ / cm 2 at 0 μm), a developer of an organic alkaline aqueous solution at room temperature (0.5% TMAH aqueous solution: FH manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.)
D-5) was sprayed for 1 minute, scrubbed with an acrylic bristle brush, and further washed with pure water to etch the G dye layer in the unexposed area and the photocurable resist. Finally 20
The substrate was inserted into an oven at 0 ° C., the photocurable resist in the exposed portion was completely thermoset, and the G dye layer was arranged. Next, HPR204 (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.), which is a photosolubilizing resist, is applied to the entire surface of the substrate by 150.
It was spin-coated at 0 rpm and prebaked on a 110 ° C. hot plate for 5 minutes. Proximity type exposure device (proximity gap 60 μm) through a mask (for triangle: FIG. 39) for forming the R dye layer pattern.
m) after i-line exposure at 300 mJ / cm 2 , and a room temperature organic alkaline aqueous solution developer (0.5% TMAH aqueous solution: FHD- manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.).
5) was spin-developed for 2 minutes and washed with pure water. Next, this substrate was inserted into the R micelle dispersion prepared in Production Example 1, the transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat were connected, and constant potential electrolysis was carried out at 0.5 V for 15 minutes, followed by the above exposure. R dye layer is formed on the transparent conductive thin film exposed at the part, washed with pure water, then drained by air blow,
Dried in a 100 ° C. oven. Next, the entire surface of the substrate is 600
After i-line exposure at mJ / cm 2 , after immersion in an organic alkaline stripping solution (N-303: Nagase & Co., Ltd.) at room temperature for 3 minutes, washing with pure water and remaining photosolubilizing type The resist was completely removed to form RGB dye layers. Next, a transparent thermosetting resin agent Optomer SS7265 (manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.) was applied as a protective film on this substrate using an offset printing machine to apply about 2.0 μm on the RGB dye layers,
After completely thermosetting in an oven at 220 ° C., finally, the common (conducting) part of ITO was cut to make the ITO stripes independent, and a color filter was manufactured (step 7, FIG. 11).

【0090】製造例4 透明導電性薄膜上金属(Cr)薄膜ブラックマトリック
ス形成基板の作製 製造例1において作製した透明導電性薄膜(ITO)製
膜基板上に、さらに金属(Cr)薄膜をスパッタリング
装置(アルバック社製:SDP−550VT)を用い
て、Cr薄膜を約1200⌒蒸着した。このとき、基板
温度を250℃に調整した。次に、蒸着したCr薄膜上
に、光硬化性レジスト(V259PA:新日鉄化学社
製)をスピンコーターで1500rpmでコートし、8
0℃のオーブンで30分間プリベークし、ストライプお
よびダイアゴーナル色素層パターン対応のブラックマト
リックス形成用のマスク(図40)を介して、プロキシ
ミティー方式(プロキシミティーギャップ60μm)方
式の露光機で300mJ/cm2で露光した。次に室温
の有機アルカリ系水溶液の現像液(0.5%TMAH水
溶液:富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製F
HD−5)で2分間スピン現像して、純水シャワー洗浄
し、さらに200℃のオーブンで60分間熱処理(ポス
トベーク)して、レジストパターンを形成した。次に、
硝酸第二セリウムアンモニウム165gと過塩素酸42
mlと純水で1リットルのCrエッチャントを調製し、
レジストパターンを形成した基板を室温で2分間浸漬
し、純水シャワーで洗浄してレジストパターンのない部
分のCr薄膜をエッチングした後、エアブローにて乾燥
して、金属薄膜(Cr)のブラックマトリックスを形成
した。
Production Example 4 Production of Metal (Cr) Thin Film Black Matrix Forming Substrate on Transparent Conductive Thin Film On the transparent electroconductive thin film (ITO) film-forming substrate produced in Production Example 1, a metal (Cr) thin film is further sputtered. A Cr thin film was vapor-deposited in an amount of about 1200 ℓ using (SDP-550VT manufactured by ULVAC, Inc.). At this time, the substrate temperature was adjusted to 250 ° C. Next, a photocurable resist (V259PA: manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was coated on the vapor-deposited Cr thin film by a spin coater at 1500 rpm, and then 8
Prebaked in an oven at 0 ° C. for 30 minutes, and through a mask for forming a black matrix corresponding to the stripe and diagonal dye layer patterns (FIG. 40), 300 mJ / cm 2 with a proximity type (proximity gap 60 μm) type exposure machine. Exposed. Next, an organic alkaline aqueous solution at room temperature (0.5% TMAH aqueous solution: F manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.)
The resist pattern was formed by spin developing with HD-5) for 2 minutes, washing with pure water in a shower, and further heat-treating (post-baking) for 60 minutes in an oven at 200 ° C. next,
Cerium ammonium nitrate 165g and perchloric acid 42
Prepare 1 liter of Cr etchant with ml and pure water,
The substrate on which the resist pattern is formed is immersed at room temperature for 2 minutes, washed with a pure water shower to etch the Cr thin film in the portion without the resist pattern, and then dried by air blow to form a black matrix of the metal thin film (Cr). Formed.

【0091】実施例7 製造例4で作製した基板上に、光可溶化型レジストのH
PR204(富士ハントエレクトロニクステクノロジー
社製)を基板全面に750rpmでスピンコートし、1
10℃のホットプレートで5分プリベークした。R色素
層パターン形成用のマスク(ダイアゴーナル用:図4
1)を介して、プロキシミティー方式の露光機(プロキ
シミティーギャップ60μm)で100mJ/cm2
i線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液
(2.38%TMAH水溶液:富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製FHD−5)で2分間スピン現像
し、純水で洗浄した。次いでこの基板を製造例1で調製
したRの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜と
ポテンションスタットの陽極を接続して、0.5V、1
5分間の定電位電解を行い、上記露光部に露出した透明
導電性薄膜上にRの色素層を形成し、純水で洗浄したの
ちエアブローにより水を切り、100℃オーブンで乾燥
した。次に、光可溶化型レジストのHPR204(富士
ハントエレクトロニクステクノロジー社製)を基板全面
に1500rpmでスピンコートし、110℃のホット
プレートで5分プリベークした。G色素層パターン形成
用のマスク(ダイアゴーナル用:図42)を介して、プ
ロキシミティー方式の露光機(プロキシミティーギャッ
プ60μm)で100mJ/cm2でi線露光後、室温
の有機アルカリ系水溶液の現像液(2.38%TMAH
水溶液:富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製
FHD−5)で3分間スピン現像し、純水で洗浄した。
次いでこの基板を製造例1で調製したGの前記ミセル分
散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンションスタット
の陽極を接続して、0.5V、10分間の定電位電解を
行い、上記露光部に露出した透明導電性薄膜上にGの色
素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブローにより水
を切り、100℃オーブンで乾燥した。さらに、光可溶
化型レジストのHPR204(富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製)を基板全面に1500rpmで
スピンコートし、110℃のホットプレートで5分プリ
ベークした。B色素層パターン形成用のマスク(ダイア
ゴーナル用:図43)を介して、プロキシミティー方式
の露光機(プロキシミティーギャップ60μm)で10
0mJ/cm2でi線露光後、室温の有機アルカリ系水
溶液の現像液(2.38%TMAH水溶液:富士ハント
エレクトロニクステクノロジー社製FHD−5)で4分
間スピン現像し、純水で洗浄した。次いでこの基板を製
造例1で調製したBの前記ミセル分散液に挿入し、透明
導電性薄膜とポテンションスタットの陽極を接続して、
0.5V、15分間の定電位電解を行い、上記露光部に
露出した透明導電性薄膜上にBの色素層を形成し、純水
で洗浄したのちエアブローにより水を切り、100℃オ
ーブンで乾燥した。次に、基板全面を600mJ/cm
2のi線露光してから、基板を室温の有機アルカリ系の
剥離液(N−303:長瀬産業社製)に3分間浸漬後、
純水で洗浄して、残存している光可溶化型レジストを完
全に除去し、RGBの色素層を形成した。次に、この基
板上に保護膜として透明な熱硬化性樹脂剤JSS715
(日本合成ゴム社製)を900rpmでスピンコート
し、220℃のオーブンで完全に熱硬化させた。最後
に、スパッタリング装置(アルバック社製:SDPー5
50VT)を用いて、ITO薄膜を約1200⌒、保護
膜上にスパッタリングして液晶駆動用の透明導電性薄膜
(電極)を形成した。このとき、基板温度を200℃、
ITO膜の表面抵抗を20Ω/□に調整した。以上のよ
うにして、カラーフィルタを製造した(工程10,図1
3)
Example 7 On the substrate prepared in Preparation Example 4, H of the photosolubilizing resist was applied.
PR204 (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-coated at 750 rpm on the entire surface of the substrate, and 1
It was prebaked on a hot plate at 10 ° C. for 5 minutes. Mask for R dye layer pattern formation (for diagonal: FIG. 4)
1) through i-line exposure at 100 mJ / cm 2 with a proximity type exposure machine (proximity gap 60 μm), and then a developer of an organic alkaline aqueous solution at room temperature (2.38% TMAH aqueous solution: Fuji Hunt Electronics Technology) It was spin-developed for 2 minutes with FHD-5) manufactured by Co. and washed with pure water. Next, this substrate was inserted into the R micelle dispersion prepared in Production Example 1, the transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat were connected to each other, and 0.5 V, 1
A constant potential electrolysis was carried out for 5 minutes to form an R dye layer on the transparent conductive thin film exposed in the exposed area, and after washing with pure water, the water was removed by air blow and drying was performed in a 100 ° C. oven. Next, a photosolubilizing resist HPR204 (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-coated on the entire surface of the substrate at 1500 rpm, and prebaked on a hot plate at 110 ° C. for 5 minutes. After exposure to i-line at 100 mJ / cm 2 with a proximity type exposure device (proximity gap 60 μm) through a mask for forming a G dye layer pattern (for diagonal: FIG. 42), development of an organic alkaline aqueous solution at room temperature Liquid (2.38% TMAH
Aqueous solution: FHD-5) manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd. was spin-developed for 3 minutes and washed with pure water.
Then, this substrate was inserted into the micelle dispersion of G prepared in Production Example 1, the transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat were connected, and constant potential electrolysis was performed at 0.5 V for 10 minutes, and the above exposure was performed. A G dye layer was formed on the transparent conductive thin film exposed at the part, washed with pure water, drained by air blow, and dried in an oven at 100 ° C. Further, a photosolubilizing resist HPR204 (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-coated on the entire surface of the substrate at 1500 rpm, and prebaked on a 110 ° C. hot plate for 5 minutes. Through a mask (for diagonal: FIG. 43) for forming a B dye layer pattern, a proximity type exposure device (proximity gap 60 μm) is used for 10
After i-line exposure at 0 mJ / cm 2 , spin development was performed for 4 minutes with a developer (2.38% TMAH aqueous solution: FHD-5 manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) of an organic alkaline aqueous solution at room temperature, and washed with pure water. Then, this substrate was inserted into the micelle dispersion liquid of B prepared in Production Example 1, the transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat were connected,
Constant-potential electrolysis at 0.5 V for 15 minutes was performed to form a dye layer of B on the transparent conductive thin film exposed in the exposed area, washed with pure water, drained with air blow, and dried in an oven at 100 ° C. did. Next, 600 mJ / cm over the entire surface of the substrate
After the i-line exposure of 2 , the substrate was immersed in a room temperature organic alkaline stripping solution (N-303: Nagase & Co., Ltd.) for 3 minutes,
The residual photosolubilizing resist was completely removed by washing with pure water to form RGB dye layers. Next, a transparent thermosetting resin agent JSS715 as a protective film is formed on this substrate.
(Manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.) was spin-coated at 900 rpm, and completely heat-cured in an oven at 220 ° C. Finally, a sputtering device (made by ULVAC: SDP-5)
An ITO thin film of about 1200 Å was sputtered on the protective film using 50 VT) to form a transparent conductive thin film (electrode) for driving a liquid crystal. At this time, the substrate temperature is 200 ° C,
The surface resistance of the ITO film was adjusted to 20Ω / □. The color filter was manufactured as described above (Step 10, FIG.
3)

【0092】実施例8 製造例4で作製した基板を、製造例1で調製したRの前
記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンショ
ンスタットの陽極を接続して、0.4V、18分間の定
電位電解を行い、透明導電性薄膜上にRの色素層を形成
し、純水で洗浄したのちエアブローにより水を切り、1
00℃オーブンで乾燥した。透明光硬化性レジストとし
て、CT(富士ハントエレクトロニクステクノロジー社
製)をR色素膜上に1500rpmでスピンコートし、
80℃のホットプレートで5分プリベークした。次に、
R色素層パターン形成用のマスク(ダイアゴーナル用:
(図44)を介して、プロキシミティー方式の露光機
(プロキシミティーギャップ60μm)で100mJ/
cm2でi線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現
像液(0 .5%TMAH水溶液:富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー社製FHD−5)を1分間噴霧
し、アクリル製の毛ブラシにてスクラブを行い、さらに
純水で洗浄して、未露光部のR色素層と光硬化性レジス
トをエッチングした。最後に200℃のオーブンに基板
を挿入して、露光部の光硬化性レジストを完全に熱硬化
させ、R色素層を配置した。次いで製造例1で調製した
Bの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテ
ンションスタットの陽極を接続して、0.5V、5分間
の定電位電解を行い、R色素層形成部分以外の透明導電
性薄膜上にBの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエ
アブローにより水を切り、100℃オーブンで乾燥し
た。透明光硬化性レジストとして、CT(富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社製)をR色素層とB色素
層上に1000rpmでスピンコートし、80℃のホッ
トプレートで5分プリベークした。次に、B色素層パタ
ーン形成用のマスク(ダイアゴーナル用:図35)を介
して、プロキシミティー方式の露光機(プロキシミティ
ーギャップ60μm)で100mJ/cm2でi線露光
後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液(0 .5%
TMAH水溶液:富士ハントエレクトロニクステクノロ
ジー社製FHD−5)を1分間噴霧し、アクリル製の毛
ブラシにてスクラブを行い、さらに純水で洗浄して、未
露光部のB色素層と光硬化性レジストをエッチングし
た。最後に200℃のオーブンに基板を挿入して、露光
部の光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、B色素層を
配置した。次に、光可溶化型レジストのHPR204
(富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製)を基
板全面に1500rpmでスピンコートし、110℃の
ホットプレートで5分プリベークした。G色素層パター
ン形成用のマスク(ダイアゴーナル用:図45)を介し
て、プロキシミティー方式の露光機(プロキシミティー
ギャップ60μm)で100mJ/cm2でi線露光
後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液(0.5%T
MAH水溶液:富士ハントエレクトロニクステクノロジ
ー社製FHD−5)で2分間スピン現像し、純水で洗浄
した。次いでこの基板を製造例1で調製したGの前記ミ
セル分散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンションス
タットの陽極を接続して、0.7V、10分間の定電位
電解を行い、上記露光部に露出した透明導電性薄膜上に
Gの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブローに
より水を切り、100℃オーブンで乾燥した。次に、基
板を室温の有機アルカリ系の剥離液(N−303:長瀬
産業社製)に5分間浸漬後、純水で洗浄して、残存して
いる光可溶化型レジストを完全に除去し、RGBの色素
層を形成した。次に、この基板上に保護膜として透明な
熱硬化性樹脂剤オプトマーSS7265(日本合成ゴム
社製)を900rpmでスピンコートし、220℃のオ
ーブンで完全に熱硬化させた。最後に、スパッタリング
装置(アルバック社製:SDP−550VT)を用い
て、ITO薄膜を約1200⌒、保護膜上にスパッタリ
ングして液晶駆動用の透明導電性薄膜を形成した。この
とき、基板温度を200℃、ITO膜の表面抵抗を20
Ω/□に調整した。以上のようにして、カラーフィルタ
を製造した(工程11,図15)
Example 8 The substrate prepared in Preparation Example 4 was inserted into the R micelle dispersion prepared in Preparation Example 1, and the transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat were connected to each other to 0.4 V, 18 minutes of constant potential electrolysis was performed to form an R dye layer on the transparent conductive thin film, and after washing with pure water, the water was removed by air blow, and 1
Dried in a 00 ° C oven. As a transparent photocurable resist, CT (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-coated on the R dye film at 1500 rpm,
It was prebaked on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes. next,
Mask for R dye layer pattern formation (for diagonal:
(Fig. 44) through a proximity type exposure device (proximity gap 60 μm) of 100 mJ /
After i-line exposure at cm 2 , a room temperature organic alkaline aqueous solution developer (0.5% TMAH aqueous solution: FHD-5 manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) is sprayed for 1 minute and scrubbed with an acrylic bristle brush. This was performed and further washed with pure water to etch the unexposed portion of the R dye layer and the photocurable resist. Finally, the substrate was inserted into an oven at 200 ° C., the photocurable resist in the exposed portion was completely thermoset, and the R dye layer was arranged. Then, the mixture was inserted into the micelle dispersion liquid of B prepared in Production Example 1, the transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat were connected, and 0.5 V for 5 minutes of potentiostatic electrolysis was performed. A dye layer of B was formed on the transparent conductive thin film other than the above, washed with pure water, drained by air blow, and dried in an oven at 100 ° C. As a transparent photocurable resist, CT (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-coated on the R dye layer and the B dye layer at 1000 rpm, and prebaked on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes. Next, through a mask (for diagonal: FIG. 35) for forming a B dye layer pattern, i-line exposure was performed at 100 mJ / cm 2 with a proximity type exposure device (proximity gap 60 μm), and then an organic alkali system at room temperature was used. Aqueous developer (0.5%
TMAH aqueous solution: FHD-5) manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd. is sprayed for 1 minute, scrubbed with an acrylic bristle brush, further washed with pure water, and the B dye layer in the unexposed area and a photocurable resist Was etched. Finally, the substrate was inserted into an oven at 200 ° C., the photocurable resist in the exposed portion was completely thermoset, and the B dye layer was arranged. Next, a photosolubilizing type resist HPR204
(Manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-coated on the entire surface of the substrate at 1500 rpm, and prebaked for 5 minutes on a hot plate at 110 ° C. I-line exposure at 100 mJ / cm 2 with a proximity type exposure device (proximity gap 60 μm) through a mask for forming a G dye layer pattern (for diagonal: FIG. 45), followed by development of an organic alkaline aqueous solution at room temperature Liquid (0.5% T
MAH aqueous solution: spin-developed for 2 minutes with Fuji Hunt Electronics Technology FHD-5) and washed with pure water. Then, this substrate was inserted into the micelle dispersion of G prepared in Production Example 1, the transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat were connected to each other, and the potential was electrolyzed at 0.7 V for 10 minutes to perform the above exposure. A G dye layer was formed on the transparent conductive thin film exposed at the part, washed with pure water, drained by air blow, and dried in an oven at 100 ° C. Next, the substrate was immersed in an organic alkaline stripping solution (N-303: Nagase & Co., Ltd.) at room temperature for 5 minutes and then washed with pure water to completely remove the remaining photosolubilizing resist. , RGB dye layers were formed. Next, a transparent thermosetting resin agent Optomer SS7265 (manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) was spin-coated on this substrate as a protective film at 900 rpm, and was completely thermoset in an oven at 220 ° C. Finally, using a sputtering device (SDP-550VT manufactured by ULVAC, Inc.), an ITO thin film of about 1200 Å was sputtered on the protective film to form a transparent conductive thin film for driving a liquid crystal. At this time, the substrate temperature is 200 ° C. and the surface resistance of the ITO film is 20
Adjusted to Ω / □. The color filter was manufactured as described above (process 11, FIG. 15).

【0093】製造例5 透明導電性薄膜上金属酸化物(Cr23)薄膜ブラック
マトリックス形成基板の作製 製造例1において作製した透明導電性薄膜(ITO)製
膜基板上に、さらに金属酸化物(Cr23)薄膜をスパ
ッタリング装置(アルバック社製:SDP−550V
T)を用いて、Cr23薄膜を約1200⌒蒸着した。
このとき、基板温度を250℃に調整した。次に、蒸着
したCr23薄膜上に、光可溶化型レジスト(HPR2
04:富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製)
をスピンコーターで750rpmでコートし、80℃の
ホットプレートで5分間プリベークし、ストライプおよ
びダイアゴーナル色素層パターン対応のブラックマトリ
ックス形成用のマスク(図33)を介して、プロキシミ
ティー方式(プロキシミティーギャップ60μm)の露
光機で100mJ/cm2で露光した。次に室温の有機
アルカリ系水溶液の現像液(2.38%TMAH水溶
液:富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製FH
D−5)で2分間スピン現像して、純水シャワー洗浄
し、エアブローで乾燥させた。さらに130℃のオーブ
ンで30分間熱処理(ポストベーク)して、レジストパ
ターンを形成した。次に、硝酸第二セリウムアンモニウ
ム165gと過塩素酸42mlと純水で1リットルのC
rエッチャントを調製し、レジストパターンを形成した
基板を室温で2分間浸漬し、純水シャワーで洗浄してレ
ジストパターンのない部分のCr薄膜をエッチングした
後、室温のレジスト剥離剤(N303:長瀬産業社製)
に3分間浸漬し、純水シャワーにてリンスして、エアブ
ローにて乾燥し、金属酸化物薄膜(Cr23)のブラッ
クマトリックスを形成した。
Production Example 5 Production of Metal Oxide (Cr 2 O 3 ) Thin Film Black Matrix Forming Substrate on Transparent Conductive Thin Film On the transparent electroconductive thin film (ITO) film production substrate produced in Production Example 1, metal oxide was further formed. Sputtering apparatus for (Cr 2 O 3 ) thin film (manufactured by ULVAC, Inc .: SDP-550V
T) was used to deposit a Cr 2 O 3 thin film of about 1200 Å.
At this time, the substrate temperature was adjusted to 250 ° C. Then, on the Cr 2 0 3 thin film was deposited, light-solubilizing type resist (HPR2
04: Made by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.)
Was coated with a spin coater at 750 rpm, pre-baked on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes, and passed through a mask for forming a black matrix corresponding to the stripe and diagonal dye layer patterns (FIG. 33), a proximity method (proximity gap 60 μm). ) Was used for exposure at 100 mJ / cm 2 . Next, a room temperature organic alkaline aqueous solution developer (2.38% TMAH aqueous solution: FH manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.)
D-5) was spin-developed for 2 minutes, washed with pure water by shower, and dried by air blow. Further, a heat treatment (post-baking) was performed for 30 minutes in an oven at 130 ° C. to form a resist pattern. Next, 165 g of ceric ammonium nitrate, 42 ml of perchloric acid and 1 liter of C with pure water.
After the r etchant was prepared, the substrate on which the resist pattern was formed was immersed at room temperature for 2 minutes, washed with a pure water shower to etch the Cr thin film in the portion without the resist pattern, and then the resist stripper at room temperature (N303: Nagase & Co., Ltd. (Made by the company)
It was immersed for 3 minutes in water, rinsed with a pure water shower, and dried by air blow to form a black matrix of a metal oxide thin film (Cr 2 O 3 ).

【0094】実施例9 製造例5で作製した基板を用いて、実施例7と同一の方
法でカラーフィルタを製造した(工程12、図17)。
Example 9 A color filter was manufactured in the same manner as in Example 7 by using the substrate manufactured in Manufacturing Example 5 (Step 12, FIG. 17).

【0095】実施例10 製造例5で作製した基板を用いて、実施例8と同一の方
法でカラーフィルタを製造した(工程13、図19)。
Example 10 Using the substrate produced in Production Example 5, a color filter was produced in the same manner as in Example 8 (step 13, FIG. 19).

【0096】実施例11 実施例8において、透明光硬化性レジストをスピンコー
トする前に、60秒のUV洗浄を行う事以外は、同一の
方法でカラーフィルタを製造した(工程11、図1
5)。
Example 11 A color filter was manufactured by the same method as in Example 8 except that UV cleaning was performed for 60 seconds before spin coating the transparent photocurable resist (Step 11, FIG. 1).
5).

【0097】実施例12 実施例8において、透明光硬化性レジストをスピンコー
トするかわりに、製造例1で調製した光硬化性レジスト
のミセル分散液中に各R、Bの色素層をミセル電解法で
製膜した基板を挿入し、透明導電性薄膜とポテンション
スタットの陽極を接続してRBについていずれも0.5
Vで10分間の定電位電解を行って、各RB色素層上に
光硬化性レジストの膜を積層した。次いで、純水で洗浄
したのち、エアブローで水を切り、100オーブンで乾
燥した。以上の事以外は、実施例8と同一の方法でカラ
ーフィルタを製造した(工程11、図15)。
Example 12 Instead of spin-coating the transparent photocurable resist in Example 8, the dye layers of R and B were added to the micelle dispersion of the photocurable resist prepared in Production Example 1 by the micelle electrolysis method. Insert the substrate formed in step 1, connect the transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat, and set RB to 0.5.
A potentiostatic electrolysis was performed at V for 10 minutes to laminate a photocurable resist film on each RB dye layer. Then, after washing with pure water, the water was removed with an air blow and dried in a 100 oven. A color filter was manufactured by the same method as in Example 8 except for the above (Step 11, FIG. 15).

【0098】実施例13 実施例8において、透明光硬化性レジストをスピンコー
トするかわりに、透明光硬化性電着ポリマー(特開平4
−104102号)を用いて、この10%透明光硬化性
電着ポリマー電着液に、各R、Bの色素層をミセル電解
法で製膜した基板を挿入し、透明導電性薄膜とポテンシ
ョンスタットの陽極を接続してRBいずれも100Vで
1分間の定電位電着を行って、各RB色素層上に光硬化
性電着ポリマーの膜を積層した。次いで、純水で洗浄し
たのち、エアブローで水を切り、100オーブンで乾燥
した。以上の事以外は、実施例8と同一の方法でカラー
フィルタを製造した(工程11、図15)。
Example 13 Instead of spin-coating a transparent photocurable resist in Example 8, a transparent photocurable electrodeposition polymer (Japanese Patent Laid-Open No. Hei.
No. 104102), a substrate on which the dye layers of R and B are formed by the micelle electrolysis method is inserted into this 10% transparent photocurable electrodeposition polymer electrodeposition liquid, and the transparent conductive thin film and the potion are formed. The anode of the stat was connected, and constant potential electrodeposition was carried out at 100 V for 1 minute for each RB, and a film of a photocurable electrodeposition polymer was laminated on each RB dye layer. Then, after washing with pure water, the water was removed with an air blow and dried in a 100 oven. A color filter was manufactured by the same method as in Example 8 except for the above (Step 11, FIG. 15).

【0099】実施例14 実施例7においてRGBの色素層を形成した後、保護膜
として熱硬化性樹脂の代わりに製造例1で調製した光硬
化性レジストのミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜
とポテンションスタットの陽極を接続して0.5Vで1
0分間の定電位電解を行って、各RGB色素層上に光硬
化性レジストの膜を積層した。次いで、純水で洗浄した
のち、エアブローで水を切り、220オーブンで乾燥、
熱硬化した。以上の事以外は、実施例7と同一の方法で
カラーフィルタを製造した(工程10、図21)。
Example 14 After forming the RGB dye layers in Example 7, the protective layer was inserted into the micelle dispersion of the photocurable resist prepared in Production Example 1 instead of the thermosetting resin to give a transparent conductive film. Connect the thin film and the anode of the potentiostat to 0.5V to 1
A potentiostatic electrolysis was performed for 0 minutes to laminate a photocurable resist film on each of the RGB dye layers. Then, after washing with pure water, drain the water with an air blow and dry in a 220 oven,
Heat cured. A color filter was manufactured by the same method as in Example 7 except for the above (Step 10, FIG. 21).

【0100】実施例15 製造例1において作製したITOを成膜した基板上に、
透明な熱硬化性樹脂としてオプトマーSS7265(日
本合成ゴム社製)を電極取出し部分を除き、かつ、RG
Bの色素層の形成される予定の部分以外(図46)に、
オフセット印刷により1.5μmの膜厚で印刷して、2
20℃のオーブンで熱硬化した。以下この基板を用い
て、実施例1と同一の方法でカラーフィルタを製造した
(工程4、図23)。
Example 15 On the substrate on which the ITO film formed in Production Example 1 was formed,
Optomer SS7265 (manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.) as a transparent thermosetting resin except for the electrode extraction portion, and RG
Other than the portion where the dye layer of B is to be formed (FIG. 46),
By offset printing with a film thickness of 1.5 μm, 2
Heat cured in an oven at 20 ° C. Then, using this substrate, a color filter was manufactured by the same method as in Example 1 (step 4, FIG. 23).

【0101】比較例1 ITO薄膜パターニング(色素層形成用電極形成) ITO膜として20Ω/□の面抵抗を持つガラス基板
(青板ガラス、研磨、シリカディップ品:ジオマテック
社製)に光可溶化型レジスト(FH2030M:富士ハントエレ
クトロニクステクノロジー社製)を1,000 rpm でス
ピンコートした。スピンコート後、80℃で15分間プ
リベークを行った。その後、この基板を露光機にセット
する。マスクは、ストライプのITOパターニング用
(図48)を用いた。プロキシミティーギャップ70μm
をとり、80mJ/cm2でi線露光した後、25℃の
無機アルカリ系の現像液(LSI現像液:富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社製)にて現像した。現像
後、純水にてリンスした後、180℃でポストベークし
た。次に、エッチャントとして1M FeCl3 6N HCl 0.1NH
NO3 0.1N Ce(NO3)4の水溶液を準備し、前記基板のIT
Oをエッチングする。エッチングの終点は電気抵抗によ
り測定した。前記エッチングには約10分の時間を必要
とした。エッチング後、純水でリンスし、レジストを剥
離剤(N−303:長瀬産業社製)にて 剥離した。こ
うしてITOパターニングガラス基板を得た。
Comparative Example 1 ITO Thin Film Patterning (Formation of Dye Layer Forming Electrode) As a ITO film, a glass substrate having a sheet resistance of 20 Ω / □ (blue plate glass, polished, silica dip product: manufactured by Geomatec Co., Ltd.) was used as a photosolubilizing resist. (FH2030M: manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-coated at 1,000 rpm. After spin coating, prebaking was performed at 80 ° C. for 15 minutes. After that, this substrate is set in the exposure device. As the mask, stripe ITO patterning (FIG. 48) was used. Proximity gap 70 μm
After exposure to i-rays at 80 mJ / cm 2 , it was developed with an inorganic alkaline developer (LSI developer: manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) at 25 ° C. After development, the substrate was rinsed with pure water and then post-baked at 180 ° C. Then, as an etchant, 1M FeCl 3 6N HCl 0.1NH
An aqueous solution of NO 3 0.1N Ce (NO 3 ) 4 is prepared, and the IT of the substrate is prepared.
Etch O. The end point of etching was measured by electric resistance. The etching required about 10 minutes. After etching, the substrate was rinsed with pure water, and the resist was stripped with a stripping agent (N-303: manufactured by Nagase & Co., Ltd.). Thus, an ITO patterned glass substrate was obtained.

【0102】ブラックマトリックス形成及び電極取出し
層形成 ブラックマトリックス形成レジストとして富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社のカラーモザイクCKに
同CR、CG、CBをそれぞれ、3:1:1:1重量部
混合したもの(特開平4−13106号)を用いた。
先に作製したITOパターニングガラス基板上にスピン
コーターで、500rpmで先のレジストを塗布し、8
0℃オーブンで15分間プリベークした。次いで、酸素
遮断膜のポリビニルアルコール(PVA)水溶液(C
P:富士ハントエレクトロニクステクノロジー社)をレ
ジストと同様に塗布した。そして、アライメント機能の
ある露光機で位置合わせ機で位置合わせしながら、スト
ライプ色素層パターン対応のブラックマトリックスおよ
び電極取出し層形成用デザインのマスク(図49)を用
いて80μmのプロキシミティーギャップを取ってi線
露光した後、無機アルカリ現像液(0.1N炭酸ナトリ
ウム水溶液:富士ハントエレクトロニクステクノロジー
社製CD)にて現像した。さらに、純水でリンスし、2
20℃のオーブンで、ポストベークした。
Black matrix formation and electrode extraction layer formation As a black matrix formation resist, a color mosaic CK manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., in which 3: 1: 1: 1 parts by weight of CR, CG, and CB, respectively, are mixed (Japanese Patent Laid-Open No. H11-242242). 4-13106) was used.
The above resist was coated on the ITO patterned glass substrate prepared above with a spin coater at 500 rpm, and
Prebaked for 15 minutes in 0 ° C oven. Then, a polyvinyl alcohol (PVA) aqueous solution (C
P: Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was applied in the same manner as the resist. Then, while aligning with an aligner using an aligner having an alignment function, a proximity gap of 80 μm was set using a black matrix corresponding to the stripe dye layer pattern and a mask (FIG. 49) designed to form an electrode extraction layer. After the i-line exposure, it was developed with an inorganic alkaline developer (0.1N sodium carbonate aqueous solution: CD manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.). In addition, rinse with pure water and
Post-baked in an oven at 20 ° C.

【0103】色素層の形成 銀ペーストで各色ごとに導通を取った前記ブラックマト
リックス付きITOパターニング基板(図50)を製造
例1記載のRの前記ミセル溶液に挿入し、ストライプの
R列に導通をとった銀ペーストとポテンショスタットの
陽極を接続した。0.8V、15分間の定電位電解を行
い、R色素層を得た。その後、純水で洗浄後、オーブン
にてプレベーク(100℃×15分間)した。次に、こ
の基板をGの前記ミセル溶液挿入し、ストライプのG列
に導通をとった銀ペーストとポテンショスタットの陽極
を接続し、0.4V、18分間の定電位電解を行い、カ
ラーフィルタRG色素層の薄膜を得る。製膜後、Rの製
膜と同じ条件で後処理を行った。最後に、この基板をB
の前記ミセル溶液挿入し、ストライプのB列に導通をと
った銀ペーストとポテンショスタットの陽極を接続し、
0.7V、10分間の定電位電解を行い、カラーフィル
タRGB色素層を得た。製膜後、Rの製膜と同じ条件で
後処理を行った。
Formation of Dye Layer The ITO patterning substrate with the black matrix (FIG. 50), which is made conductive for each color by silver paste, is inserted into the R micelle solution described in Production Example 1, and the R column of the stripe is made conductive. The silver paste and the potentiostat anode were connected. A constant potential electrolysis was performed at 0.8 V for 15 minutes to obtain an R dye layer. Then, it was washed with pure water and prebaked in an oven (100 ° C. × 15 minutes). Next, this substrate was inserted into the G micelle solution, the conductive silver paste was connected to the G row of stripes and the anode of the potentiostat was connected, and constant voltage electrolysis was performed for 0.4 V for 18 minutes to obtain the color filter RG. Obtain a thin film of the dye layer. After film formation, post-treatment was performed under the same conditions as the film formation of R. Finally, this board is B
Insert the above micelle solution, and connect the conductive silver paste to the anode of the potentiostat in row B of the stripe,
Constant-voltage electrolysis was performed at 0.7 V for 10 minutes to obtain a color filter RGB dye layer. After film formation, post-treatment was performed under the same conditions as the film formation of R.

【0104】保護膜の形成 前記色素薄膜基板に保護膜としてOS−808(長瀬産
業社製)を800rpmでスピンコートし、その後、2
40℃、1時間ベークし硬化させた。こうして保護膜を
形成した。
Formation of Protective Film OS-808 (manufactured by Nagase & Co., Ltd.) was spin-coated on the dye thin film substrate as a protective film at 800 rpm, and then 2
It was baked at 40 ° C. for 1 hour and cured. Thus, the protective film was formed.

【0105】基板カットおよび面取り 保護膜を形成した基板を図61のA線で±0.3mm以
下の精度でスクライバーを用いてカットし、切断面を面
取り機により面取り研磨した。
Substrate cut and chamfer The substrate on which the protective film was formed was cut with a scriber at an accuracy of ± 0.3 mm or less along line A in FIG. 61, and the cut surface was chamfered and polished by a chamfering machine.

【0106】液晶駆動用透明電極の形成 最後に、スパッタリング装置(アルバック社製:SDP
−550VT)を用いて、ITO薄膜を約1200⌒、
保護膜上にスパッタリングして液晶駆動用の透明導電性
薄膜(電極)を形成した。このとき、基板温度を200
℃、ITO膜の表面抵抗を20Ω/□に調整し、カラー
フィルタを完成した(工程1,図60)。
Formation of transparent electrode for driving liquid crystal Finally, a sputtering device (made by ULVAC, Inc .: SDP
-550 VT) using an ITO thin film of about 1200 ⌒,
A transparent conductive thin film (electrode) for driving a liquid crystal was formed on the protective film by sputtering. At this time, the substrate temperature is set to 200
The surface resistance of the ITO film was adjusted to 20 Ω / □ at ℃ and the color filter was completed (step 1, FIG. 60).

【0107】比較例2 金属薄膜(Cr)ブラックマトリックス形成 無アルカリガラス基板(NA45:HOYA)に、Cr
薄膜を約1300⌒スパッタした(アルバック:SDP−5
50VT)。この上にに光可溶化型レジスト剤(HPR20
4:富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製)を1,
000 rpm でスピンコートした。次いで、100℃で5
分間ホットプレートでプリベークを行った。その後、こ
の基板をミラープロジェクション方式の露光機にセット
し、ダイアゴーナル色素層パターン対応のブラックマト
リックスパターンのマスク(図47)を介して80mJ
/cm2でi線露光し、無機アルカリ水溶液の現像液
(2.38%TMAH水溶液、富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製FHD−5)で浸漬現像した。次
に、純水にてシャワーリンスした後、150℃でポストベ
ークした。次にエッチャントとして室温の硝酸セリウム
アンモニウムと過塩素酸の混合水溶液でCrを3分間浸
漬エッチングした。エッチング後、純水でリンスし、有
機アルカリ水溶液の剥離剤(N−303:長瀬産業社
製)でレジストを剥離した。純水で十分に洗浄し、ブラ
ックマトリックス(BM)を得た。
Comparative Example 2 Metal thin film (Cr) Black matrix forming non-alkali glass substrate (NA45: HOYA) was coated with Cr.
About 1300 ⌒ sputtered thin film (ULVAC: SDP-5
50 VT). On top of this, a photosolubilizing resist agent (HPR20
4: Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.)
It was spin coated at 000 rpm. Then 5 at 100 ° C
Prebaked on a hot plate for minutes. Then, this substrate was set in a mirror projection type exposure machine, and 80 mJ was passed through a black matrix pattern mask (FIG. 47) corresponding to the diagonal dye layer pattern.
/ Cm < 2 > i-line exposure, and immersion development was carried out with a developer (2.38% TMAH aqueous solution, FHD-5 manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) of an inorganic alkali aqueous solution. Next, after shower rinsing with pure water, post-baking was performed at 150 ° C. Then, as an etchant, Cr was immersion-etched for 3 minutes with a mixed aqueous solution of cerium ammonium nitrate and perchloric acid at room temperature. After etching, the substrate was rinsed with pure water, and the resist was stripped with an organic alkaline aqueous solution stripping agent (N-303: manufactured by Nagase & Co., Ltd.). It was thoroughly washed with pure water to obtain a black matrix (BM).

【0108】絶縁膜及びITO薄膜パターン形成(色素
層形成用電極形成) 次に、このBM上に絶縁膜としてシリカ分散液(OCD
TYPE−7;東京応化社製)を1,000 rpm でスピ
ンコートし、250℃で60分間ベークした後、さら
に、アルバック社製SDP−550VTに基板をセット
し、基板の上からITOを約1300⌒スパッタした。
このときワークを200℃としてITOの表面抵抗を2
0Ω/□に調整した。次いで、この基板をに光可溶化型
レジスト(FH2030M:富士ハントエレクトロニクステクノ
ロジー社製)を1,000 rpm でスピンコートし、80
℃オーブンで15分間プリベークを行った。次いで、コ
ンタクト露光機にてダイアゴーナルパターンのマスク
(図51)を介して、アライメント露光(露光エネルギ
ー60mJ/cm2(i線))した後、無機アルカリ水
溶液の現像液(LSI現像液:富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製)にてスピン現像した。現像後、
純水シャワーにてリンスした後、150℃でポストベー
クした。次に、エッチャントとして37℃の第二塩化鉄
水溶液(ボウメ42)と塩酸の等量混合液で前記基板の
ITOを3分間エッチングした。エッチングの終点は電
気抵抗により測定した。エッチング後、純水でリンス
し、レジストを有機アルカリ水溶液(N−303:長瀬
産業社製)にて剥離除去した。さらに純水で洗浄してI
TO電極の隣接同志の電気的リークがないことを確認
し、ITOパターニングBM付き基板を完成した。
Formation of Insulating Film and ITO Thin Film Pattern (Formation of Dye Layer Forming Electrode) Next, a silica dispersion (OCD) was formed as an insulating film on the BM.
TYPE-7; manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) is spin coated at 1,000 rpm, baked at 250 ° C. for 60 minutes, and then the substrate is set on SDP-550VT manufactured by ULVAC, Inc., and ITO is sputtered on the substrate for about 1300 ⌒. did.
At this time, the work is set to 200 ° C. and the surface resistance of ITO is set to 2
It was adjusted to 0Ω / □. Then, a photosolubilizing resist (FH2030M: manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-coated on this substrate at 1,000 rpm,
Prebaking was performed for 15 minutes in an oven. Then, after alignment exposure (exposure energy 60 mJ / cm 2 (i-line)) through a diagonal pattern mask (FIG. 51) with a contact exposure machine, a developer of an inorganic alkaline aqueous solution (LSI developer: Fuji Spin development was performed by Hunt Electronics Technology. After development,
After rinsing with a pure water shower, post-baking was performed at 150 ° C. Next, the ITO on the substrate was etched for 3 minutes by using a ferric chloride aqueous solution (Boume 42) at 37 ° C. as an etchant and an equal volume mixture of hydrochloric acid. The end point of etching was measured by electric resistance. After etching, the substrate was rinsed with pure water, and the resist was peeled off with an organic alkaline aqueous solution (N-303: manufactured by Nagase & Co., Ltd.). Further wash with pure water and
It was confirmed that there was no electrical leakage between adjacent TO electrodes, and a substrate with an ITO patterning BM was completed.

【0109】電極取出し層の形成 アクリル酸系レジスト(CT:富士ハントエレクトロニク
ステクノロジー社製)を電極取出し層として用い、上記
基板上に850rpmでスピンコートし、100℃オー
ブンで45分間プリベークした。次いで、プロキシミテ
ィー露光機(プロキシミティーギャップ60μm)で位
置合わせしながら、電極取出し層の部分のみのマスク
(図52)を介して、露光した(露光エネルギー40m
J/cm2(i線))。その後、無機アルカリ水溶液
(0.1N炭酸ナトリウム水溶液:富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー社製CD)の現像液で1分間浸漬
現像した。さらに、純水でリンスし、200℃オーブン
で、60分間ポストベークして、カラーフィルタ用基板
を完成させた。
Formation of Electrode Extraction Layer Using an acrylic acid type resist (CT: manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) as an electrode extraction layer, the above substrate was spin-coated at 850 rpm and prebaked in an oven at 100 ° C. for 45 minutes. Then, while aligning with a proximity exposure device (proximity gap 60 μm), exposure was performed (exposure energy 40 m
J / cm 2 (i line)). Then, immersion development was performed for 1 minute with a developer of an inorganic alkaline aqueous solution (0.1N sodium carbonate aqueous solution: CD manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.). Furthermore, the substrate was rinsed with pure water and post-baked in a 200 ° C. oven for 60 minutes to complete a color filter substrate.

【0110】色素層の形成 銀ペーストによる電極取出しを図53のように行ったこ
と以外は、比較例1と同一の工程で行い、RGBの色素
層を得た。
Formation of Dye Layer A RGB dye layer was obtained by the same steps as in Comparative Example 1 except that the electrode extraction with the silver paste was carried out as shown in FIG.

【0111】保護膜の形成 次に、前に形成した色素層の製膜された基板上に保護膜
剤として熱硬化性樹脂剤(オプトマーSS7265:日
本合成ゴム(JSR)社製)を900rpmでスピンコ
ートし、さらに、220℃オーブンで、60分間ポスト
ベークした。
Formation of Protective Film Next, a thermosetting resin agent (Optomer SS7265: manufactured by Japan Synthetic Rubber (JSR)) was spun at 900 rpm as a protective film agent on the substrate on which the dye layer formed previously was formed. It was coated and further post-baked in a 220 ° C. oven for 60 minutes.

【0112】基板カットおよび面取り 図62,63のA線でカットした以外は比較例1と同一
の工程で行った。
Substrate cutting and chamfering The same steps as in Comparative Example 1 were carried out except that the cutting was carried out along the line A in FIGS.

【0113】液晶駆動用透明電極の形成 最後に、スパッタリング装置(アルバック社製:SDP
−550VT)を用いて、ITO薄膜を約1200⌒、
保護膜上にスパッタリングして液晶駆動用の透明導電性
薄膜(電極)を形成した。このとき、基板温度を200
℃、ITO膜の表面抵抗を20Ω/□に調整し、カラー
フィルタを完成した(工程2,図62)。
Formation of transparent electrode for driving liquid crystal Finally, a sputtering device (made by ULVAC, Inc .: SDP
-550 VT) using an ITO thin film of about 1200 ⌒,
A transparent conductive thin film (electrode) for driving a liquid crystal was formed on the protective film by sputtering. At this time, the substrate temperature is set to 200
The surface resistance of the ITO film was adjusted to 20 Ω / □ at ℃ and the color filter was completed (step 2, FIG. 62).

【0114】比較例3 ITO薄膜パターニング(色素層形成用電極形成) ITO膜/ガラス基板(無アルカリガラス;ITO:2
0Ω/□)に光可溶化型レジスト(HPR204:富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社製)を1,000rpm でス
ピンコートした。スピンコート後、80℃オーブンで1
5分間プリベークを行った。その後、この基板をコンタ
クト露光機にてダイアゴーナル色素層パターンのマスク
(図51)を介して80mJ/cm2で露光した後、有
機アルカリ水溶液の現像液(2.38%TMAH水溶
液:富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製)に
て浸漬現像した。現像後、純水にてリンスした後、15
0℃でポストベークした。次に、エッチャントとして3
7℃の第二塩化鉄水溶液(ボウメ42)と塩酸の等量混
合物にて前記基板のITOを3分間エッチングした。エ
ッチングの終点は電気抵抗により測定した。次いで、純
水でリンスし、レジストを有機アルカリ水溶液(N−3
03:長瀬産業社製)にて剥離除去した。さらに純水で
洗浄してITO電極の隣接同志の電気的リークがないこ
とを確認してITOパターニング基板を完成した。
Comparative Example 3 ITO thin film patterning (formation of dye layer forming electrode) ITO film / glass substrate (alkali-free glass; ITO: 2)
A photosolubilizing resist (HPR204: manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-coated on 0 Ω / □ at 1,000 rpm. After spin coating, 1 in 80 ° C oven
Prebaking was performed for 5 minutes. Then, this substrate was exposed at 80 mJ / cm 2 through a diagonal dye layer pattern mask (FIG. 51) in a contact exposure machine, and then an organic alkaline aqueous solution developer (2.38% TMAH aqueous solution: Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was used. Immersion development. After development, rinse with pure water, then 15
Post-baked at 0 ° C. Next, 3 as an etchant
The ITO of the substrate was etched for 3 minutes with an equal mixture of a ferric chloride aqueous solution (Boume 42) and hydrochloric acid at 7 ° C. The end point of etching was measured by electric resistance. Then, the resist is rinsed with pure water to remove the resist from an organic alkaline aqueous solution (N-3
03: manufactured by Nagase & Co., Ltd.). Further, the substrate was washed with pure water, and it was confirmed that there was no electrical leakage between adjacent ITO electrodes, and an ITO patterned substrate was completed.

【0115】電極取出し層形成 比較例2と同一の工程で行い、電極の取出し層を形成し
た。
Formation of Electrode Extraction Layer The same steps as in Comparative Example 2 were carried out to form an electrode extraction layer.

【0116】色素層形成 比較例2と同一の工程で行い、RGBの色素層を形成し
た。
Formation of Dye Layers The same steps as in Comparative Example 2 were carried out to form R, G, and B dye layers.

【0117】保護膜形成 比較例2と同一の工程を行い、保護膜を形成した。Protective film formation The same process as in Comparative Example 2 was performed to form a protective film.

【0118】基板カットおよび面取り 図64,65のA線でカットした以外は比較例1と同一
の工程で行った。
Substrate cutting and chamfering The same steps as in Comparative Example 1 were carried out except that the line A in FIGS.

【0119】液晶駆動用透明電極の形成 最後に、スパッタリング装置(アルバック社製:SDP
−550VT)を用いて、ITO薄膜を約1200⌒、
保護膜上にスパッタリングして液晶駆動用の透明導電性
薄膜(電極)を形成した。このとき、基板温度を200
℃、ITO膜の表面抵抗を20Ω/□に調整した。
Formation of transparent electrode for driving liquid crystal Finally, a sputtering device (made by ULVAC: SDP
-550 VT) using an ITO thin film of about 1200 ⌒,
A transparent conductive thin film (electrode) for driving a liquid crystal was formed on the protective film by sputtering. At this time, the substrate temperature is set to 200
The surface resistance of the ITO film was adjusted to 20Ω / □ at ℃.

【0120】ブラックマトリックス形成 前記基板にCr薄膜を約1500⌒スパッタした(アル
バック社製:SDP−550VT型)。次に、光可溶化
型レジスト剤(FH2130:富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製)を1,500 rpmでスピンコート
した。スピンコート後、90℃オーブンで15分間プリ
ベークを行った。その後、この基板をプロキシミティー
方式の露光機(プロキシミティーギャップ80μm)に
セットし、ダイアゴーナル色素層対応のブラックマトリ
ックスパターンのマスク(図47)を介して、下地IT
Oパターンと位置合わせをして60mJ/cm2 でi線
露光した。次いで、無機アルカリ水溶液(LSI現像
液:富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製)の
現像液で浸漬し、純水にてリンスした後、150℃でポ
ストベークした。次に、エッチャントとして硝酸セリウ
ムアンモニウムと過塩素酸の混合水溶液にてCrを3分
間エッチングした。エッチングの終点は電気抵抗により
測定した。次いで、純水でリンスし、レジストを有機ア
ルカリ水溶液の剥離剤(N−303:長瀬産業社製)に
て剥離除去した。純水で十分に洗浄し、ブラックマトリ
ックス(BM)を得、カラーフィルタを完成した。(工
程3,図64)
Formation of Black Matrix A Cr thin film was sputtered on the above-mentioned substrate in an amount of about 1500 Å (SDP-550VT type manufactured by ULVAC, Inc.). Next, a photosolubilizing resist agent (FH2130: manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-coated at 1,500 rpm. After spin coating, prebaking was performed in a 90 ° C. oven for 15 minutes. After that, this substrate is set in a proximity type exposure device (proximity gap 80 μm), and a base IT is formed through a black matrix pattern mask (FIG. 47) corresponding to a diagonal dye layer.
I-line exposure was performed at 60 mJ / cm 2 in alignment with the O pattern. Then, the substrate was immersed in a developer of an inorganic alkaline aqueous solution (LSI developer: manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.), rinsed with pure water, and post-baked at 150 ° C. Next, Cr was etched for 3 minutes with a mixed aqueous solution of cerium ammonium nitrate and perchloric acid as an etchant. The end point of etching was measured by electric resistance. Then, it was rinsed with pure water, and the resist was stripped and removed with a stripper (N-303: Nagase & Co., Ltd.) of an organic alkali aqueous solution. It was thoroughly washed with pure water to obtain a black matrix (BM), and a color filter was completed. (Step 3, FIG. 64)

【0121】比較例4(分散法カラーフィルタ) ブラックマトリックス形成 トライアングル色素層パターン対応のブラックマトリク
スパターンのマスク(図37)を用いたこと以外は、比
較例2と同一の工程で行った。
Comparative Example 4 (Dispersion Method Color Filter) The same process as in Comparative Example 2 was carried out except that a black matrix pattern mask (FIG. 37) corresponding to the black matrix forming triangle dye layer pattern was used.

【0122】色素層形成 ブラックマトリックスを形成した基板上に、赤色(R)
色素含有レジストCR−2000(富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー社製)を500rpmでスピンコ
ートし、85℃オーブンで15分プリベークし、次いで
酸素遮断膜(CP:同社製)を上記レジストと同様に積
層コートした。この基板を、コンタクト露光機にセット
し、ブラックマトリックスと位置合わせ(アライメン
ト)してR色素層パターンのマスク(トライアングル色
素層パターン形成用:図30)を介して30mJ/cm
2でi線露光し、無機アルカリ水溶液の現像液で(0.
1N炭酸ナトリウム水溶液:CD:同社製)でスプレイ
現像し、さらに純水シャワーによりリンスした。次い
で、200℃オーブンで60分ポストベークして、R色
素層を形成した。以下同様に、緑色(G)色素含有レジ
スト(CG−2000:同社製)、青色(B)色素含有
レジスト(CB−2000:同社製)をコートし、それ
ぞれの色素層形成用のマスク(トライアングル色素層パ
ターン形成用:図38,31)でアライメントのi線露
光、現像、リンス、ポストベークを繰り返してRGB3
色の色素層を形成した。
Dye layer formation Red (R) is formed on the substrate on which the black matrix is formed.
Dye-containing resist CR-2000 (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-coated at 500 rpm, prebaked in an oven at 85 ° C. for 15 minutes, and then an oxygen barrier film (CP: manufactured by the same company) was laminated and coated in the same manner as the above resist. This substrate was set in a contact exposure machine, aligned with the black matrix, and aligned at 30 mJ / cm through a mask of R dye layer pattern (for forming triangle dye layer pattern: FIG. 30).
2 is exposed to i-line, and is developed with a developing solution of an inorganic alkali aqueous solution (0.
Spray development was performed with a 1N sodium carbonate aqueous solution: CD: manufactured by the same company, and rinsed with a pure water shower. Then, it was post-baked in a 200 ° C. oven for 60 minutes to form an R dye layer. Similarly, a mask for forming a dye layer (triangle dye) is coated with a resist containing a green (G) dye (CG-2000: manufactured by the same company) and a resist containing a blue (B) dye (CB-2000: manufactured by the same company). For layer pattern formation: Alignment i-line exposure, development, rinsing, and post-baking are repeated for RGB3 in FIGS.
A color dye layer was formed.

【0123】保護膜形成・液晶駆動用透明電極形成 比較例2と同一の工程を行い、カラーフィルタを完成し
た(工程14,図66)。
Formation of Protective Film / Transparent Electrode for Driving Liquid Crystals The same steps as in Comparative Example 2 were carried out to complete a color filter (step 14, FIG. 66).

【0124】比較例5(レジスト電着法カラーフィル
タ) N,N−ジエチルアミノエチルメタクリレート、スチレ
ン、エチルアクリレート、p−ヒドロキシ安息香酸とグ
リシジルアクリレートの等モル反応によって得られた化
合物をモル比で3:2:4:1、重量平均分子量7万に
共重合した有機重合体バインダー800g、2,2−ジ
メトキシ−2−フェニルアセトフェノン5g、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート145gからなるカチ
オン性感光性樹脂組成物をエチレングリコールモノブチ
ルエーテルで固形分20%に希釈し、0.5等量の酢酸
で中和し、純水で固形分10%に調製した。上記のよう
に調製した電着樹脂組成物に各色の顔料を以下のように
混合してカチオン電着液を調製した。すなわち、R色カ
チオン電着液は、カチオン性感光性電着樹脂組成物:ア
ゾ金属塩赤顔料=995.0:5.0、B色カチオン電
着液は、カチオン性感光性電着樹脂組成物:銅フタロシ
アニン=995.0:5.0、G色カチオン電着液は、
カチオン性感光性電着樹脂組成物:ハロゲン化銅フタロ
シアニン=995.0:5.0の比率で混合した。製造
例2で作製したクロム薄膜ブラックマトリクス上透明導
電性薄膜(ITO)成膜基板上に、光可溶化型レジスト
として、HPR204(富士ハントエレクトロニクステ
クノロジー社製)を1500rpmでスピンコートし、
110℃のホットプレートで5分プリベークした。R色
素層パターン形成用のマスク(ダイアゴーナル用:図4
1)を介して、プロキシミティー方式の露光機(プロキ
シミティーギャップ60μm)で80mJ/cm2でi
線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液(2.
38%TMAH水溶液:富士ハントエレクトロニクステ
クノロジー社製FHD−5)で1分間浸漬現像し、純水
で洗浄した。次に、上記R色素層形成用に光可溶化型レ
ジストをパターン化した基板を、上記で調製したR色カ
チオン電着液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンション
スタットの負電極と接続して、5V、30秒間の定電位
電着を行い、上記露光部に露出した透明導電性薄膜上に
Rの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアナイフに
より水を切り、100℃オーブンで乾燥した。次に、G
色素層パターン形成用のマスク(ダイアゴーナル用:図
42)を介して、上記基板をプロキシミティー方式の露
光機(プロキシミティーギャップ60μm)で80mJ
/cm2で露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像
液(2.38%TMAH水溶液:富士ハントエレクトロ
ニクステクノロジー社製FHD−5)で1分間浸漬現像
し、純水で洗浄した。次いでこの基板を上記で調製した
G色のカチオン電着液にに挿入し、透明導電性薄膜と負
電極のポテンションスタットを接続して、5V、45秒
の定電位電着を行い、上記露光部に露出した透明導電性
薄膜上にGの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエア
ナイフにより水を切り、100℃オーブンで乾燥した。
さらに、RGの色素層を形成した基板をB色素層パター
ン形成用のマスク(ダイアゴーナル用:図43)を介し
て、プロキシミティー方式の露光機(プロキシミティー
ギャップ60μm)で80mJ/cm2でi線露光後、
室温の有機アルカリ系水溶液の現像液(2.38%TM
AH水溶液:富士ハントエレクトロニクステクノロジー
社製FHD−5)で1分間浸漬現像し、純水で洗浄し
た。次いでこの基板を上記で調製したB色カチオン電着
液に挿入し、透明導電性薄膜と負電極のポテンションス
タットを接続して、5V、30秒の定電位電着を行い、
上記露光部に露出した透明導電性薄膜上にBの色素層
(薄膜)を形成し、純水で洗浄したのちエアブローによ
り水を切り、100℃オーブンで乾燥した。次に、基板
全面を600mJ/cm2でi線露光後、RGBの色素
層を形成した基板を室温の有機アルカリ系の剥離液(N
−303:長瀬産業社製)に10分間浸漬後、純水で洗
浄して、残存している光可溶化型レジストを完全に除去
した。 次に、この基板上に保護膜として透明な熱硬化
性樹脂剤(オプトマーSS7265:日本合成ゴム社
(JSR)製)を700rpmでスピンコートし、22
0℃のオーブンで60分間熱処理(ポストベーク)し
て、熱硬化した。最後に、スパッタリング装置(アルバ
ック社製:SDP−550VT)を用いて、ITO薄膜
を約1200⌒、保護膜上にスパッタリングして液晶駆
動用の透明導電性薄膜(電極)を形成した。このとき、
基板温度を200℃、ITO膜の表面抵抗を20Ω/□
に調整した。以上のようにして、カラーフィルタを製造
した(工程15,図68)
Comparative Example 5 (Resist electrodeposition method color filter) N, N-diethylaminoethyl methacrylate, styrene, ethyl acrylate, a compound obtained by an equimolar reaction of p-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate in a molar ratio of 3: A cationic photosensitive resin composition composed of 800 g of an organic polymer binder copolymerized with 2: 4: 1 and a weight average molecular weight of 70,000, 5 g of 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, and 145 g of trimethylolpropane triacrylate was used as ethylene. The solid content was diluted to 20% with glycol monobutyl ether, neutralized with 0.5 equivalent of acetic acid, and the solid content was adjusted to 10% with pure water. A pigment of each color was mixed with the electrodeposition resin composition prepared as described above as follows to prepare a cationic electrodeposition liquid. That is, the R color cationic electrodeposition liquid is a cationic photosensitive electrodeposition resin composition: azo metal salt red pigment = 995.0: 5.0, and the B color cationic electrodeposition liquid is a cationic photosensitive electrodeposition resin composition. Material: Copper phthalocyanine = 995.0: 5.0, G color cation electrodeposition liquid is
The cationic photosensitive electrodeposition resin composition and the halogenated copper phthalocyanine were mixed in a ratio of 995.0: 5.0. HPR204 (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) as a photosolubilizing resist was spin-coated at 1500 rpm on a transparent conductive thin film (ITO) film-forming substrate on a chromium thin film black matrix produced in Production Example 2.
It was prebaked on a hot plate at 110 ° C. for 5 minutes. Mask for R dye layer pattern formation (for diagonal: FIG. 4)
I) at 80 mJ / cm 2 with a proximity type exposure machine (proximity gap 60 μm) through 1)
After the line exposure, a developing solution (2.
38% TMAH aqueous solution: FHD-5) manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd. was immersion developed for 1 minute and washed with pure water. Next, the substrate in which a photo-solubilizing resist for forming the R dye layer was patterned was inserted into the R color cation electrodeposition solution prepared above, and was connected to the transparent conductive thin film and the negative electrode of the potentiostat. Then, constant potential electrodeposition was carried out for 5 V for 30 seconds to form an R dye layer on the transparent conductive thin film exposed in the exposed area, and after washing with pure water, the water was removed with an air knife and the oven was heated at 100 ° C. Dried. Then G
80 mJ of the above substrate with a proximity type exposure device (proximity gap 60 μm) through a mask for dye layer pattern formation (for diagonal: FIG. 42).
/ Cm 2 After exposure, it was immersed for 1 minute in a developer (2.38% TMAH aqueous solution: FHD-5 manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) of an organic alkaline aqueous solution at room temperature, and washed with pure water. Then, this substrate was inserted into the G-colored cationic electrodeposition solution prepared above, and the transparent conductive thin film and the negative electrode potentiostat were connected to perform constant potential electrodeposition at 5 V for 45 seconds, followed by the above exposure. A dye layer of G was formed on the transparent conductive thin film exposed at the part, washed with pure water, drained with an air knife, and dried in an oven at 100 ° C.
Further, the substrate on which the RG dye layer was formed was passed through a mask (for diagonal: FIG. 43) for forming the B dye layer pattern, and the i-line was irradiated at 80 mJ / cm 2 with a proximity type exposure device (proximity gap 60 μm). After exposure,
Room-temperature organic alkaline aqueous solution (2.38% TM
AH aqueous solution: immersion development was performed for 1 minute with FHD-5) manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd., and washed with pure water. Then, this substrate was inserted into the B-color cation electrodeposition solution prepared above, the transparent conductive thin film and the negative electrode potentiostat were connected, and constant potential electrodeposition at 5 V for 30 seconds was performed.
A dye layer (thin film) of B was formed on the transparent conductive thin film exposed in the exposed portion, washed with pure water, drained by air blow, and dried in a 100 ° C. oven. Next, after exposing the entire surface of the substrate to 600 mJ / cm 2 by i-line, the substrate on which the RGB dye layers are formed is subjected to an organic alkaline stripping solution (N
-303: manufactured by Nagase & Co., Ltd.) for 10 minutes and washed with pure water to completely remove the remaining photosolubilizing resist. Next, a transparent thermosetting resin agent (Optomer SS7265: manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. (JSR)) was spin-coated on this substrate as a protective film at 700 rpm, and 22
It was heat-treated (post-baked) for 60 minutes in an oven at 0 ° C. to be heat-cured. Finally, using a sputtering device (SDP-550VT manufactured by ULVAC, Inc.), an ITO thin film of about 1200 Å was sputtered on the protective film to form a transparent conductive thin film (electrode) for driving a liquid crystal. At this time,
Substrate temperature is 200 ° C, surface resistance of ITO film is 20Ω / □
Adjusted to. The color filter was manufactured as described above (step 15, FIG. 68).

【0125】比較例6 製造例1で作製した基板に、光可溶化型レジストとし
て、HPR204(富士ハントエレクトロニクステクノ
ロジー社製)を750rpmでスピンコートし、110
℃のホットプレートで5分プリベークした。G色素層パ
ターン形成用のマスク(ストライプ用:(図27)を介
して、プロキシミティー方式の露光機(プロキシミティ
ーギャップ60μm)で80mJ/cm2でi線露光
後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液(2.38%
TMAH水溶液:富士ハントエレクトロニクステクノロ
ジー社製FHD−5)で1分間スピン現像し、純水で洗
浄した。次いでこの基板を製造例1で調製したGの前記
ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンション
スタットの陽極を接続して、0.4V、18分間の定電
位電解を行い、上記露光部に露出した透明導電性薄膜上
にGの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブロー
により水を切り、100℃オーブンで乾燥した。次に、
B色素層パターン形成用のマスク(ストライプ用:(図
55)を介して、プロキシミティー方式の露光機(プロ
キシミティーギャップ60μm)で80mJ/cm2
i線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液
(2.38%TMAH水溶液:富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製FHD−5)で2分間スピン現像
し、純水で洗浄した。次いでこの基板を製造例1で調製
したBの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜と
ポテンションスタットの陽極を接続して、0.7V、1
0分間の定電位電解を行い、上記露光部に露出した透明
導電性薄膜上にBの色素層を形成し、純水で洗浄したの
ちエアブローにより水を切り、100℃オーブンで乾燥
した。さらに、R色素層パターン形成用のマスク(スト
ライプ用:(図54)を介して、プロキシミティー方式
の露光機(プロキシミティーギャップ60μm)で80
mJ/cm2で露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の
現像液(2.38%TMAH水溶液:富士ハントエレク
トロニクステクノロジー社製FHD−5)で3分間スピ
ン現像し、純水で洗浄した。次いでこの基板を製造例1
で調製したRの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性
薄膜とポテンションスタットの陽極を接続して、0.8
V、15分間の定電位電解を行い、上記露光部に露出し
た透明導電性薄膜上にRの色素層を形成し、純水で洗浄
したのちエアブローにより水を切り、100℃オーブン
で乾燥した。次に、GBRの色素層を形成した基板を室
温の有機アルカリ系の剥離液(N−303:長瀬産業社
製)に5分間浸漬後、純水で洗浄して、残存している光
可溶化型レジストを完全に除去した。次に、この基板上
に保護膜として透明な熱硬化性樹脂剤LC2001(三
洋化成工業社製)を900rpmでスピンコートし、2
20℃のオーブンで完全に熱硬化させた。最後に、スパ
ッタリング装置(アルバック社製:SDP−550V
T)を用いて、ITO薄膜を約1200⌒、保護膜上に
スパッタリングして液晶駆動用の透明導電性薄膜(電
極)を形成した。このとき、基板温度を200℃、IT
O膜の表面抵抗を20Ω/□に調整した。以上のように
して、カラーフィルタを製造した。(工程16,図7
0)
Comparative Example 6 HPR204 (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) as a photosolubilizing resist was spin-coated at 750 rpm on the substrate prepared in Preparation Example 1 to obtain 110.
It was prebaked for 5 minutes on a hot plate at ℃. After the G-dye layer pattern forming mask (for stripe: (FIG. 27), i-line exposure was performed at 80 mJ / cm 2 with a proximity type exposure device (proximity gap 60 μm), an organic alkaline aqueous solution at room temperature was used. Developer (2.38%
TMAH aqueous solution: spin-developed for 1 minute with FHD-5) manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd., and washed with pure water. Then, this substrate was inserted into the micelle dispersion of G prepared in Production Example 1, the transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat were connected, and a constant potential electrolysis was performed at 0.4 V for 18 minutes, and the above exposure was performed. A G dye layer was formed on the transparent conductive thin film exposed in the area, washed with pure water, drained by air blow, and dried in an oven at 100 ° C. next,
After the mask for B dye layer pattern formation (for stripe: (FIG. 55), i-line exposure was performed at 80 mJ / cm 2 with a proximity type exposure device (proximity gap 60 μm), an organic alkaline aqueous solution at room temperature was used. A developing solution (2.38% TMAH aqueous solution: FHD-5 manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) was spin-developed for 2 minutes and washed with pure water, and then this substrate was added to the micelle dispersion of B prepared in Production Example 1. Insert and connect the transparent conductive thin film and the anode of potentiostat, 0.7V, 1
Constant-potential electrolysis was performed for 0 minutes to form a dye layer of B on the transparent conductive thin film exposed in the exposed area, washed with pure water, drained by air blow, and dried in a 100 ° C. oven. Further, the mask for forming the R dye layer pattern (for stripe: (FIG. 54) is used, and the exposure is carried out by a proximity type exposure device (proximity gap 60 μm).
After exposure with mJ / cm 2 , the film was spin-developed for 3 minutes with a developer (2.38% TMAH aqueous solution: FHD-5 manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) at room temperature for 3 minutes, and washed with pure water. Next, this substrate is manufactured as Example 1.
The transparent conductive thin film and the anode of the potentiostat were connected to each other by inserting into the micelle dispersion liquid of R prepared in
A constant-potential electrolysis was performed for 15 minutes at V to form a dye layer of R on the transparent conductive thin film exposed in the exposed portion, washed with pure water, drained by air blow, and dried in a 100 ° C. oven. Next, the substrate on which the GBR dye layer is formed is immersed in an organic alkaline stripping solution (N-303: manufactured by Nagase & Co., Ltd.) at room temperature for 5 minutes, washed with pure water, and remaining photosolubilized. The mold resist was completely removed. Next, a transparent thermosetting resin agent LC2001 (manufactured by Sanyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) was spin-coated on this substrate as a protective film at 900 rpm, and 2
It was completely thermoset in an oven at 20 ° C. Finally, a sputtering device (made by ULVAC: SDP-550V
Using T), an ITO thin film was sputtered on the protective film at a thickness of about 1200 to form a transparent conductive thin film (electrode) for driving a liquid crystal. At this time, the substrate temperature is 200 ° C., IT
The surface resistance of the O film was adjusted to 20Ω / □. The color filter was manufactured as described above. (Step 16, FIG. 7
0)

【0126】参考例1(特願平4−265422号) 実施例1において、RBの色素層を形成した基板を製造
例1で調製したGの前記ミセル分散液に挿入し、透明導
電性薄膜とポテンションスタットの陽極を接続して、
0.7V、10分間の定電位電解を行い、透明導電性薄
膜上にGの色素層を形成し、純水で洗浄したのちエアブ
ローにより水を切り、100℃オーブンで乾燥した。次
に、透明光硬化性レジストとして、JNPC06(日本
合成ゴム社製)を1500rpmでスピンコートし、8
0℃のホットプレートで5分プリベークした。次に、G
色素層パターン形成用のマスク(ストライプ用:(図5
6)を介して、プロキシミティー方式の露光機(プロキ
シミティーギャップ60μm)で300mJ/cm2
i線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液(0
.5%TMAH水溶液:富士ハントエレクトロニクス
テクノロジー社製FHD−5)を1分間噴霧し、アクリ
ル製の毛ブラシにてスクラブを行い、さらに純水で洗浄
して、未露光部のG色素層と光硬化性レジストをエッチ
ングした。最後に200℃のオーブンに基板を挿入し
て、露光部の光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、G
色素層を配置した。以下、実施例1と同様にカラーフィ
ルタを製造した(図57)。
Reference Example 1 (Japanese Patent Application No. 4-265422) In Example 1, the substrate on which the dye layer of RB was formed was inserted into the micelle dispersion of G prepared in Production Example 1 to form a transparent conductive thin film. Connect the anode of the potentiostat,
A constant potential electrolysis was performed at 0.7 V for 10 minutes to form a G dye layer on the transparent conductive thin film, which was washed with pure water, drained with air blow, and dried in a 100 ° C. oven. Next, as a transparent photocurable resist, JNPC06 (manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.) was spin-coated at 1500 rpm, and 8
It was prebaked for 5 minutes on a hot plate at 0 ° C. Then G
Mask for forming the dye layer pattern (for stripe: (Fig. 5
6) through i-line exposure at 300 mJ / cm 2 with a proximity type exposure machine (proximity gap 60 μm), and then a developing solution (0
. 5% TMAH aqueous solution: FHD-5 made by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd. is sprayed for 1 minute, scrubbed with an acrylic bristle brush, further washed with pure water, and the G dye layer in the unexposed area and photocuring The positive resist was etched. Finally, the substrate is inserted into an oven at 200 ° C. to completely heat-cure the photo-curable resist in the exposed area,
The dye layer was placed. Hereinafter, a color filter was manufactured in the same manner as in Example 1 (FIG. 57).

【0127】以上のカラーフィルタの製造工程(比較例
6は除く)における、生産歩留り、色むら、精細度、耐
熱性、耐光性の評価結果を示す(表1、2)。また、実
施例1と比較例6で製造したカラーフィルタの分光特性
の比較を図72に示す。 生産歩留り:絶縁性基板(ガラス基板)を20枚投入し
た時に対するカラーフィルタの良品数の割合(%)を示
す。良品の条件として、外観検査により、白欠陥および
黒欠陥30μm径以下とした。ミセル電解法によるカラ
ーフィルタでは、ITOパターンの断線による色素層の
欠陥は白欠陥、ITOパターンのリークによる色素層の
重複は黒欠陥に相当する。また、カラーフィルタ面の突
起を表面粗さ計で測定し、突起の高さが4ミクロン以上
が存在しないものを良品とした。色むら:基板上9点の
画素の色度をRGB別に測定し、その色差の最も大きい
ものをΔEとして評価した。なおΔEはJIS Z87
24,Z8723に準じた。 精細度:設計マスクパターン(50μm□)に対する色
素層パターンの寸法精度(μm)を示す。 耐熱性:260℃×1時間(酸素雰囲気)の熱処理によ
る色純度(G色素層パターンについて)の変化(%)
(熱処理前の色純度と熱処理後の色純度の差)を示す。
耐光性:100万ルクスのメタルハライドランプの10
00時間照射による色純度(G色素層について)の変化
(%)(照射前の色純度と照射後の色純度の差)を示
す。なお、色純度は、各色ごとに色度座標を取り、C光
源とその色度座標を直線で結び、外挿された直線と外周
部の交点を色純度100%としたとき、その色度座標の
C光源からの距離の割合(%)を示す。
The evaluation results of production yield, color unevenness, definition, heat resistance and light resistance in the above color filter manufacturing process (excluding Comparative Example 6) are shown (Tables 1 and 2). A comparison of the spectral characteristics of the color filters manufactured in Example 1 and Comparative Example 6 is shown in FIG. Production yield: Indicates the ratio (%) of the number of non-defective color filters to 20 insulating substrates (glass substrates). As a condition for a non-defective product, a white defect and a black defect having a diameter of 30 μm or less were determined by visual inspection. In the color filter by the micelle electrolysis method, the defect of the dye layer due to the disconnection of the ITO pattern corresponds to a white defect, and the overlap of the dye layers due to the leakage of the ITO pattern corresponds to a black defect. In addition, the protrusions on the color filter surface were measured with a surface roughness meter, and those having a protrusion height of 4 μm or more were determined to be good. Color unevenness: The chromaticity of 9 pixels on the substrate was measured for each RGB, and the one with the largest color difference was evaluated as ΔE. ΔE is JIS Z87
24, Z8723. Definition: Shows the dimensional accuracy (μm) of the dye layer pattern with respect to the design mask pattern (50 μm □). Heat resistance: Change in color purity (G dye layer pattern) (%) by heat treatment at 260 ° C. for 1 hour (oxygen atmosphere)
(Difference between color purity before heat treatment and color purity after heat treatment) is shown.
Light resistance: 10 million lux of metal halide lamp
The change (%) in the color purity (for the G dye layer) by irradiation for 00 hours (difference between the color purity before irradiation and the color purity after irradiation) is shown. The color purity is calculated by taking chromaticity coordinates for each color, connecting the C light source and its chromaticity coordinates with a straight line, and assuming that the intersection point of the extrapolated line and the outer peripheral portion is 100% in color purity. Shows the ratio (%) of the distance from the C light source.

【0128】[0128]

【表1】 [Table 1]

【0129】[表2] ────────────────────────────────── 色素層ハ゜ターン 生産歩留 色むら 精細度 耐熱性 耐光性 ────────────────────────────────── 比較例1 ストライフ゜ 60 <5 ±2.0 0 0 工程1 比較例2 タ゛イアコ゛ーナル 25 <5 ±2.0 0 0 工程2 比較例3 タ゛イアコ゛ーナル 20 <5 ±2.0 0 0 工程3 比較例4 トライアンク゛ル 60 <5 ±3.0 10 60 工程14 比較例5 タ゛イアコ゛ーナル 60 <3 ±2.0 10 70 工程15 ──────────────────────────────────[Table 2]   ──────────────────────────────────             Dye layer pattern Production yield Color unevenness Fineness Heat resistance Light resistance   ──────────────────────────────────   Comparative Example 1 Stroke 60 <5 ± 2.0 0 0   Process 1   Comparative Example 2 Diagonal 25 <5 ± 2.0 0 0   Process 2   Comparative Example 3 Diagonal 20 <5 ± 2.0 0 0   Process 3   Comparative Example 4 Triangle 60 <5 ± 3.0 10 60   Process 14   Comparative Example 5 Diagonal 60 <3 ± 2.0 10 70   Process 15   ──────────────────────────────────

【0130】表1及び表2から、本発明のカラーフィル
タの製造法によって、種々の色素層のパターンの対して
も、歩留りよくカラーフィルタを生産することが可能で
あり、色むらも低減し、精細度も良好であることがわか
った。さらに、耐熱性のみならず、特に耐光性について
は、本発明で得られた色素層(パターン)が優れている
ことを確認した。また、表3のRGBの色素層間段差
(色素層の膜厚最大値と最小値の差)の比較より、保護
膜を積層することにより色素層間の平坦性が向上するこ
とを確認した。
From Tables 1 and 2, the color filter manufacturing method of the present invention makes it possible to produce a color filter with a good yield even with respect to various dye layer patterns, and reduce color unevenness. It was found that the definition was also good. Furthermore, it was confirmed that the dye layer (pattern) obtained in the present invention is excellent not only in heat resistance but also in light resistance in particular. Further, it was confirmed from the comparison of the RGB dye layer steps (difference between the dye layer thickness maximum value and the dye layer thickness minimum value) in Table 3 that the flatness between the dye layers was improved by laminating the protective film.

【0131】 [表3] ─────────────────────── 保護膜 色素層間段差(μm) ─────────────────────── 実施例2 あり <0.2 実施例3 なし <0.5 ───────────────────────[0131] [Table 3]               ───────────────────────                          Protective film Dye layer step (μm)               ───────────────────────               Example 2 Yes <0.2               Example 3 None <0.5               ───────────────────────

【0132】さらに、実施例1と比較例6で製造したカ
ラーフィルタの分光特性の比較図(図72)からわかる
ように、明らかに、比較例6ではカラーフィルタの分光
特性の低下が見られた。ミセル電解法で形成した色素層
は電気的に絶縁されていないため、比較例6のように絶
縁化せずに複数色の色素層を形成すると、先に形成した
色素層が後で形成する色素層で汚染されることがわかっ
た。従って、少なくとも先に形成する色素層については
電気的に絶縁化されていなければならない。従って、実
施例1のようにミセル電解法で製膜した色素層上に光硬
化性レジストを積層して絶縁化し(色素層パターンを形
成し)、先に形成した色素層上に後の色素層が積層され
て汚染されないような工夫が必要であることがわかっ
た。また、表4に実施例1と参考例1の比較を行った。
実施例1では、ミセル電解法で製膜した色素層上に塗布
した透明な光硬化性レジストを所望の色に対応したマス
クを介して露光後、露光されていない部分の光硬化性レ
ジストおよび色素層をエッチングして色素層(パター
ン)を形成する工程と、光可溶化型レジストを露光、現
像して形成した光可溶化型レジストパターンの空隙の透
明導電性薄膜上にミセル電解法において色素層を形成す
る工程を複数色の色素層について組み合わせて繰り返し
てカラーフィルタを製造し、参考例1では、ミセル電解
法で製膜した色素層上に塗布した透明な光硬化性レジス
トを所望の色に対応したマスクを介して露光後、露光さ
れていない部分の光硬化性レジストおよび色素層をエッ
チングして色素層(パターン)を形成する工程を複数色
の色素層について繰り返してカラーフィルタを製造し
た。表4の結果より、参考例1のようなエッチングの困
難な色素(例えばG色素層)を選択する場合には、実施
例1のように、光可溶化型レジストを露光、現像して形
成した光可溶化型レジストパターンの空隙の透明導電性
薄膜上にミセル電解法において色素層を形成する工程を
選べば、歩留りよくカラーフィルタを製造できることが
わかった。
Furthermore, as can be seen from the comparison diagram (FIG. 72) of the spectral characteristics of the color filters manufactured in Example 1 and Comparative Example 6, in Comparative Example 6, it is clear that the spectral characteristics of the color filters were lowered. . Since the dye layer formed by the micelle electrolysis method is not electrically insulated, when a dye layer of a plurality of colors is formed without insulation as in Comparative Example 6, the dye layer formed earlier is a dye formed later. It was found to be contaminated with layers. Therefore, at least the dye layer formed first must be electrically insulated. Therefore, as in Example 1, a photo-curable resist was laminated on the dye layer formed by the micelle electrolysis method to insulate (form a dye layer pattern), and the dye layer formed earlier was formed on the dye layer formed later. It was found that it is necessary to devise a method to prevent the layers from being stacked and contaminated. Further, Table 4 compares Example 1 with Reference Example 1.
In Example 1, after exposing the transparent photocurable resist applied on the dye layer formed by the micelle electrolysis method through a mask corresponding to a desired color, the photocurable resist and the dye in the unexposed portion were exposed. The step of forming a dye layer (pattern) by etching the layer and the dye layer in the micelle electrolysis method on the transparent conductive thin film in the voids of the photosolubilizing resist pattern formed by exposing and developing the photosolubilizing resist A color filter is manufactured by repeating the steps of forming a dye layer of a plurality of colors in combination, and in Reference Example 1, the transparent photocurable resist applied on the dye layer formed by the micelle electrolysis method is formed into a desired color. After exposing through the corresponding mask, the steps of forming the dye layer (pattern) by etching the photocurable resist and the dye layer in the unexposed portion are repeated for the dye layers of multiple colors. To produce a color filter return. From the results shown in Table 4, when a dye that is difficult to etch as in Reference Example 1 (for example, G dye layer) is selected, a photosolubilizing resist is exposed and developed as in Example 1. It was found that a color filter can be manufactured with good yield by selecting a step of forming a dye layer on the transparent conductive thin film in the voids of the photosolubilizing resist pattern by the micelle electrolysis method.

【0133】 [0133]

【0134】[0134]

【発明の効果】本発明のカラーフィルタの製造法によれ
ば、まず、<1>透明導電性薄膜を微細加工によりパタ
ーン化する必要がなく、例え微細加工を行ったとして
も、比較的容易な(例:ストライプ)パターンでよいの
で、先のショート、断線による歩留の低下を避けること
ができる。また、<2>カラーフィルタの色素層(色素
層のパターン)において、ダイアゴーナル、トライアン
グルパターン配列が難しいとされていた従来技術に対
し、本発明では、容易に適用が可能となった。また、<
3>色素層のある一色について透明導電性薄膜の微細パ
ターンを連続してつなぐ必要がないので、先の電圧降下
によるカラーフィルタの色斑を低減することができる。
また、<4>本発明では、ミセル電解法で製膜した色素
膜上に塗布した透明な光硬化性レジストを所望の色に対
応したマスクを介して露光後、露光されていない部分の
光硬化性レジストおよび色素層をエッチングして色素層
(パターン)を形成する工程、および、ほとんど透明な
光可溶化型レジストを露光、現像して形成した光可溶化
型レジストの空隙にミセル電解法において色素層を形成
する工程のため、分散法カラーフィルタのような色素
(顔料)含有光硬化性レジストの色素の光吸収によるレ
ジストの露光感度および解像度の低下がない。その結
果、本発明のカラーフィルタを用いて、さらに高精細な
カラー液晶ディスプレイへの応用が期待できる。このよ
うな効果に加えて、<5>元来ミセル電解法カラーフィ
ルタの色素層は、特に顔料(色素)の含有割合が大きい
ため、高い耐光性および耐熱性の長所を生かすことがで
きる。また、<6>この製造法によれば、電極取出し層
の形成を行う必要がなく、カラーフィルタ製造の工程を
簡略にできる。また、<7>カラーフィルタの製造工程
において、先のレジスト電着法では、一度形成した色素
層が電着ポリマーと共存するため電気的に絶縁化され、
光可溶化型レジストを一回塗布すればそのまま三原色の
色素層の形成が可能であるが、ミセル電解法で形成した
色素層は電気的に絶縁されていないため、三原色の色素
層の形成には、少なくとも2色の色素層について電気的
に絶縁化されていなければならない。従って、ミセル電
解法で製膜した色素層上に光硬化性レジストまたは、光
可溶化型レジストを積層して絶縁化し、先に形成した色
素層上に後の色素層が形成されないような工夫が必要で
ある。この工夫により、ミセル電解法においても、先に
形成した色素層を後で形成する色素層により汚染するこ
となく所望の分光を有するカラーフィルタを製造するこ
とが可能となる。また、<8>ミセル電解法で製膜した
色素層上に塗布した透明な光硬化性レジストを所望の色
に対応したマスクを介して露光後、露光されていない部
分の光硬化性レジストおよび色素層をエッチングして色
素層(パターン)を形成する工程と、光可溶化型レジス
トを露光、現像して形成した光可溶化型レジストの空隙
にミセル電解法において色素層を形成する工程を複数色
の色素層について組み合わせて繰り返してカラーフィル
タを製造することにより、任意の色素の選択が可能とな
る。すなわち、上記色素層のエッチングには、色素によ
ってエッチングが困難なものが存在し、ウェットエッチ
ングでは、色素の凝集状態が密の色素層はエッチングが
難しく、ドライエッチングでは色素の分子構造がエッチ
ングガスに耐性を有するものが存在するので、上記のよ
うな色素層のエッチングだけでは選択できる色素が限ら
れてくる。従って、エッチングの困難な色素を選択する
ばあいには、本発明のように、光可溶化型レジストを露
光、現像して形成した光可溶化型レジストパターンの空
隙の透明導電性薄膜上にミセル電解法において色素層を
形成する工程を選べば、より歩留りよくカラーフィルタ
を製造できる。また、<9>このようなカラーフィルタ
の製造法に加えて、ミセル電解法で製膜した色素層上に
紫外線(UV)洗浄を行なう。これによって、色素層中
に混入している油脂等の異物を紫外光と空気中の酸素と
の反応による微量のオゾンによって分解し、かつ、光硬
化性レジストおよび保護膜の濡れ性を向上させ、光硬化
性レジストおよび保護膜の塗膜のピンホールを減少さ
せ、カラーフィルタの製造歩留りを一層向上させること
が可能となる。また、<10>色素層上の光硬化性レジ
スト及び/又は保護膜を積層する方法が、ミセル電解
法、または、電着法による製膜方法が、ミセル分散液お
よび電着液のようにウェットの状態の中で行なわれる
が、スピンコーターやロールコーターのようなドライプ
ロセスに一般的に問題となるコーター周辺の雰囲気およ
びコーター装置の摺動部などから異物の混入を低減さ
せ、上記と同様にカラーフィルタの製造歩留りを一層向
上させることが可能となる。また、<11>このような
カラーフィルタの製造法で得られるカラーフィルタの複
数色の色素層の形成する部分を除いた部分に保護膜を複
数色の色素層の形成工程の前または、各色素層の形成工
程の間に形成することにより、ミセル電解法での色素層
の製膜範囲が狭くなり、かつ、色素層のエッチング範囲
が少なくてよいため、ミセル分散液中の色素を節約でき
る上、製膜時間およびエッチング時間を短縮でき、カラ
ーフィルタ製造の能率を上げることができる。さらにエ
ッチングされる色素量も少ないため、カラーフィルタ上
へエッチングされた色素が異物として混入することも減
り、歩留りを上げることができる。また、<12>ミセ
ル電解法で製膜した色素層上に、保護膜及び/又は液晶
駆動用透明導電性薄膜を積層するため、色素層の基板へ
の接着性をより向上させることができる。さらに、<1
3>色素層間の膜厚段差を低減する(平坦性を高める)
ことができる。
According to the method of manufacturing a color filter of the present invention, it is not necessary to pattern the transparent conductive thin film <1> by microfabrication, and even if microfabrication is performed, it is relatively easy. (Example: stripe) pattern can be used, so that reduction in yield due to short circuit and disconnection can be avoided. Further, in the present invention, the present invention can be easily applied to the conventional technique in which it is difficult to arrange a diagonal pattern and a triangle pattern in the dye layer (pattern of the dye layer) of the <2> color filter. Also, <
3> Since it is not necessary to continuously connect the fine patterns of the transparent conductive thin film for one color having the dye layer, it is possible to reduce the color spots of the color filter due to the voltage drop.
<4> In the present invention, the transparent photo-curable resist applied on the dye film formed by the micelle electrolysis method is exposed through a mask corresponding to a desired color, and then the photo-curing of the unexposed portion is performed. Of a photo-soluble resist and a dye layer to form a dye layer (pattern), and a dye in a micelle electrolysis method in a void of the photo-solubilized resist formed by exposing and developing an almost transparent photo-solubilized resist. Due to the step of forming the layer, there is no reduction in exposure sensitivity and resolution of the resist due to light absorption of the dye of the photocurable resist containing a dye (pigment) such as a dispersion method color filter. As a result, it can be expected that the color filter of the present invention will be applied to a color liquid crystal display with higher definition. In addition to such effects, since the dye layer of the <5> original micelle electrolysis color filter has a particularly large pigment (dye) content, it is possible to take advantage of high light resistance and heat resistance. <6> According to this manufacturing method, there is no need to form an electrode extraction layer, and the color filter manufacturing process can be simplified. Further, in the <7> color filter manufacturing process, in the above-mentioned resist electrodeposition method, the dye layer once formed coexists with the electrodeposition polymer, so that it is electrically insulated,
Although it is possible to form the dye layers of the three primary colors as it is by applying the photosolubilizing resist once, the dye layer formed by the micelle electrolysis method is not electrically insulated. , The dye layers of at least two colors must be electrically insulated. Therefore, it is necessary to laminate a photo-curable resist or a photo-solubilizing resist on the dye layer formed by the micelle electrolysis method to insulate the dye layer so that the subsequent dye layer is not formed on the previously formed dye layer. is necessary. By this device, even in the micelle electrolysis method, it is possible to manufacture a color filter having a desired spectrum without contaminating the dye layer formed earlier with the dye layer formed later. <8> After exposing a transparent photocurable resist applied on a dye layer formed by the micelle electrolysis method through a mask corresponding to a desired color, the photocurable resist and the dye in the unexposed portion are exposed. Multiple steps of forming the dye layer (pattern) by etching the layer and forming the dye layer by the micelle electrolysis method in the voids of the photosolubilizing resist formed by exposing and developing the photosolubilizing resist It is possible to select an arbitrary dye by repeatedly combining the dye layers of (1) and (2) to manufacture a color filter. That is, in the etching of the dye layer, there are some that are difficult to etch depending on the dye, and in wet etching, it is difficult to etch the dye layer in which the agglomerated state of the dye is dense, and in dry etching the molecular structure of the dye becomes an etching gas. Since some resists have resistance, the dyes that can be selected are limited only by etching the dye layer as described above. Therefore, when a dye that is difficult to etch is selected, micelles are formed on the transparent conductive thin film in the voids of the photosolubilizing resist pattern formed by exposing and developing the photosolubilizing resist as in the present invention. If the step of forming the dye layer in the electrolytic method is selected, the color filter can be manufactured with higher yield. <9> In addition to such a color filter manufacturing method, ultraviolet (UV) cleaning is performed on the dye layer formed by the micelle electrolysis method. With this, foreign substances such as oil and fat mixed in the dye layer are decomposed by a slight amount of ozone due to a reaction between ultraviolet light and oxygen in the air, and the wettability of the photocurable resist and the protective film is improved, It is possible to reduce pinholes in the coating film of the photocurable resist and the protective film, and further improve the manufacturing yield of the color filter. In addition, a method of laminating a photocurable resist and / or a protective film on a <10> dye layer is a micellar electrolysis method or a film formation method by an electrodeposition method, such as a micelle dispersion liquid and an electrodeposition liquid. However, in the same manner as above, foreign matter is reduced from the atmosphere around the coater and the sliding parts of the coater device, which are generally problematic in dry processes such as spin coaters and roll coaters. It is possible to further improve the manufacturing yield of the color filter. <11> A protective film is provided on a portion of the color filter obtained by such a method for producing a color filter except a portion where the pigment layers of a plurality of colors are formed, before the step of forming the pigment layers of a plurality of colors or each pigment. By forming it during the layer forming step, the film forming range of the dye layer in the micelle electrolysis method is narrowed, and the etching range of the dye layer may be small, so that the dye in the micelle dispersion can be saved. The film forming time and etching time can be shortened, and the efficiency of color filter manufacturing can be improved. Furthermore, since the amount of dye that is etched is small, the dye that has been etched onto the color filter is not mixed as foreign matter, and the yield can be increased. Further, since the protective film and / or the transparent conductive thin film for driving a liquid crystal is laminated on the dye layer formed by the <12> micelle electrolysis method, the adhesion of the dye layer to the substrate can be further improved. Furthermore, <1
3> Reduce film thickness step between dye layers (improve flatness)
be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1〜24】本発明のカラーフィルタの製造工程を模
式的に示す断面図とカラーフィルタ完成時の模式的平面
図である。
1 to 24 are a sectional view schematically showing a manufacturing process of a color filter of the present invention and a schematic plan view when a color filter is completed.

【図25〜56】カラーフィルタの製造に使用されるマ
スクを模式的に示す平面図である。
25 to 56 are plan views schematically showing a mask used for manufacturing a color filter.

【図57〜58】参考例におけるカラーフィルタの製造
工程を模式的に示す断面図とカラーフィルタ完成時の模
式的平面図である。
57 to 58 are a cross-sectional view schematically showing the manufacturing process of the color filter in the reference example and a schematic plan view when the color filter is completed.

【図59】一般的なカラー液晶ディスプレイを模式的に
示す断面図である。
FIG. 59 is a cross-sectional view schematically showing a general color liquid crystal display.

【図60〜71】従来のカラーフィルタの製造工程の模
式的断面図とカラーフィルタ完成時の模式的平面図であ
る。
60 to 71 are a schematic cross-sectional view of a conventional color filter manufacturing process and a schematic plan view of a completed color filter.

【図72】本発明のカラーフィルタ(実施例1)と従来
のカラーフィルタ(比較例6)の分光特性比較を示す説
明図である。
FIG. 72 is an explanatory diagram showing a comparison of spectral characteristics between the color filter of the invention (Example 1) and the conventional color filter (Comparative example 6).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101…絶縁性基板 102…透明導電性薄膜 110…ブラックマトリックス 121…ミセル電解法R色素層 122…ミセル電解法G色素層 123…ミセル電解法B色素層 130…透明光硬化性レジスト 140…光可溶化型レジスト 150…保護膜 160…液晶駆動用透明電極 101 ... Insulating substrate 102 ... Transparent conductive thin film 110 ... Black Matrix 121 ... Micelle electrolysis method R dye layer 122 ... Micelle electrolysis method G dye layer 123 ... Micelle electrolysis method B dye layer 130 ... Transparent photocurable resist 140 ... Photosolubilization type resist 150 ... Protective film 160 ... Transparent electrode for driving liquid crystal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02B 5/20 101 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02B 5/20 101

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 絶縁性基板上に、ミセル電解法によって
複数色の色素層を分離して配置し、所定の色素パターン
を形成するカラーフィルタの製造方法において、 絶縁性基板上の、少なくとも複数色の色素層が配置され
る領域、又は、少なくとも複数色の色素層が配置される
領域を含む連続するパターンに対応する領域に透明導電
性薄膜を積層、形成し、この透明導電性薄膜が積層、形
成された絶縁性基板上に、複数の色素層を、単色の各色
素層としては下記工程群A(a1及びa2)又は工程群
B(b1,b2及びb3)のいずれかを用い、かつ、複
数色の色素層の集合体としては下記工程群A(a1及び
a2)及び工程群B(b1,b2及びb3)の両方を用
いて、分離、配置することを特徴とするカラーフィルタ
の製造方法。工程群A a1)透明導電性薄膜の全面又は一部上に、ミセル電解
法による製膜によって、複数色から選択した一つの色の
色素層を形成する工程 a2)一つの色の色素層の上に透明な光硬化性レジスト
を積層し、その一つの色の色素層に対応したマスクを用
いて露光し、かつ露光部の熱処理の前及び/又は後に、
未露光部分の光硬化性レジスト及び色素層を除去して、
一つの色の色素層を配置する工程工程群B b1)透明導電性薄膜の全面又は一部上に、光可溶化型
レジストを積層し、複数色から選択した一つの色の色素
層に対応したパターンを有するマスクを用いて露光し、
次いで、現像して露光した部分の光可溶化型レジストを
除去する工程 b2)ミセル電解法による製膜によって、前記一つの色
の色素層を、光可溶化型レジストを除去して露出させた
透明導電性薄膜上に配置する工程 b3)透明導電性薄膜上に残留した全ての光可溶化型レ
ジストを除去する工程
1. A method of micellar electrolysis on an insulating substrate
Predetermined dye pattern by arranging dye layers of multiple colors separately
In the method of manufacturing a color filter for forming A dye layer of at least multiple colors is arranged on the insulating substrate.
Area, or at least pigment layers of multiple colors are arranged
Transparent conductive in areas corresponding to continuous patterns including areas
Conductive thin film is laminated and formed, and this transparent conductive thin film is laminated and shaped.
Multiple pigment layers are formed on the insulating substrate made of monochromatic color.
As the elementary layer, the following process group A (a1 and a2) or process group
B (b1, b2 and b3) is used, and
The following process group A (a1 and
For both a2) and process group B (b1, b2 and b3)
Color filter characterized by being separated and arranged
Manufacturing method.Process group A a1) Micelle electrolysis on the whole surface or part of the transparent conductive thin film.
By the film formation by the method, one color selected from multiple colors
Step of forming dye layer a2) A transparent photocurable resist on the dye layer of one color
, And use a mask corresponding to the dye layer of one color
Exposure, and before and / or after the heat treatment of the exposed part,
Remove the photo-curable resist and dye layer in the unexposed area,
Step of disposing one color dye layerProcess group B b1) A photo-solubilizing type on the entire surface or part of the transparent conductive thin film
Layered resist, one color dye selected from multiple colors
Exposing with a mask having a pattern corresponding to the layers,
Then, develop and expose the exposed portion of the photosolubilizing resist
Removal process b2) The one color obtained by the film formation by the micelle electrolysis method.
The dye layer was exposed by removing the photosolubilizing resist.
Step of placing on transparent conductive thin film b3) All the photosolubilizing type residue remaining on the transparent conductive thin film.
The process of removing giist
【請求項2】 前記絶縁性基板上の所定の領域に透明導
電性薄膜を積層、形成する工程の前に、絶縁性基板上
に、ブラックマトリックスの形状にパターニングした金
属又は金属酸化物薄膜を積層、形成することを特徴とす
る請求項1記載のカラーフィルタの製造方法。
2. A metal or metal oxide thin film patterned in the shape of a black matrix is laminated on the insulating substrate before the step of laminating and forming a transparent conductive thin film on a predetermined region of the insulating substrate. The method of manufacturing a color filter according to claim 1, wherein the color filter is formed.
【請求項3】 前記絶縁性基板上にブラックマトリック
スの形状にパターニングして積層、形成された金属又は
金属酸化物薄膜の上にさらに絶縁膜を積層、形成するこ
とを特徴とする請求項2記載のカラーフィルタの製造方
法。
3. The insulating film is further laminated and formed on the metal or metal oxide thin film formed by patterning and laminating on the insulating substrate in the shape of a black matrix. Of manufacturing color filter of.
【請求項4】 前記透明導電性薄膜が積層、形成された
絶縁性基板上に複数の色素層を、単色の各色素層として
前記工程群A(a1及びa2)又は工程群B(b1,
b2及びb3)のいずれかを用い、かつ、複数色の色素
層の集合体としては前記工程群A(a1及びa2)及び
工程群B(b1,b2及びb3)の両方を用いて、分
離、配置する工程の前、中間又は後に、 黒色色素を含有する光硬化性レジストを、ブラックマト
リックスの形状にパターニングして積層、形成すること
を特徴とする請求項1記載のカラーフィルタの製造方
法。
Wherein said transparent conductive thin film is laminated, a plurality of dye layers formed on an insulating substrate, the process group A (a1 and a2) as the dye layer of the single-color or process group B (b1,
using any of b2 and b3), and, as a collection of a plurality of colors of the dye layer using both the process group A (a1 and a2) and process group B (b1, b2 and b3), separated, 2. The method for producing a color filter according to claim 1, wherein a photocurable resist containing a black dye is patterned into a shape of a black matrix to be laminated and formed before, during or after the step of disposing.
【請求項5】 前記絶縁性基板上の所定の領域に透明導
電性薄膜を積層、形成する工程の後であって、かつ複数
色の各色素層を分離、配置する工程の前に、少なくと
も、複数色の色素層及びブラックマトリックスが配置さ
れる領域に、金属又は金属酸化物薄膜を積層、形成する
工程、並びに、光硬化性レジスト又は光可溶化型レジス
トをブラックマトリックスの形状にパターニングして積
層、形成し、さらに下地の露出した金属又は金属酸化物
薄膜をエッチングして、ブラックマトリックスを形成す
る工程を用いることを特徴とする請求項1記載のカラー
フィルタの製造方法。
5. At least after the step of laminating and forming a transparent conductive thin film in a predetermined region on the insulating substrate and before the step of separating and disposing the dye layers of a plurality of colors, A step of laminating and forming a metal or metal oxide thin film in a region where a pigment layer of a plurality of colors and a black matrix are arranged, and patterning and laminating a photocurable resist or a photosolubilizing resist into a black matrix shape. 2. The method of manufacturing a color filter according to claim 1, further comprising the step of forming a black matrix by forming a black matrix by etching the metal or metal oxide thin film having an exposed underlayer.
【請求項6】 前記複数色の各色素層を分離、配置した
部分以外の部分上に、保護膜を複数色の各色素層を分
離、配置する工程の前、又は中間に積層、形成すること
を特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載のカラー
フィルタの製造方法。
6. A protective film is laminated and formed on a portion other than the portion where the pigment layers of the plurality of colors are separated and arranged, before or in the step of separating and placing the pigment layers of the plurality of colors. The method for producing a color filter according to claim 1 , wherein the color filter is manufactured.
【請求項7】 前記複数色の各色素層を分離、配置する
工程の後に、保護膜及び/又は液晶駆動用電極を積層、
形成することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項
記載のカラーフィルタの製造方法。
7. A protective film and / or a liquid crystal driving electrode is laminated after the step of separating and arranging the dye layers of the plurality of colors,
It forms, The manufacturing method of the color filter of any one of Claims 1-6 characterized by the above-mentioned.
【請求項8】 前記複数色の各色素(画素)が、赤、
青、緑の三原色、または三原色及び黒色に対応するもの
であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項記
載のカラーフィルタの製造方法。
8. The dyes (pixels) of the plurality of colors are red,
The method for producing a color filter according to any one of claims 1 to 7 , which corresponds to three primary colors of blue and green, or three primary colors and black.
【請求項9】 前記複数色の各色素層を分離、配置する
に際し、一つの色の色素層をミセル電解法で製膜して形
成した後に紫外線洗浄を行なうことを特徴とする請求項
1〜8のいずれか1項記載のカラーフィルタの製造方
法。
9. separate the dye layer of the plurality of colors, upon placing, claims the dye layer of one color and performing UV cleaning after formation by deposition in micelle electrolytic method
9. The method for manufacturing a color filter according to any one of 1 to 8 .
【請求項10】 前記光硬化性レジスト、及び/又は保
護膜を積層、形成する方法が、ミセル電解法、又は電着
法によるものであることを特徴とする請求項1〜9のい
ずれか1項記載のカラーフィルタの製造方法。
10. The method of laminating and forming the photocurable resist and / or the protective film is a micelle electrolysis method or an electrodeposition method, according to any one of claims 1 to 9. A method of manufacturing a color filter according to the item.
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