JP3402460B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は青色発光の窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子の製造方法に関する。
ウム系化合物半導体発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、青色の発光ダイオードとしてＧａ
Ｎ系の化合物半導体を用いたものが知られている。その
ＧａＮ系の化合物半導体は直接遷移であることから発光
効率が高いこと、光の３原色の１つである青色を発光色
とすること等から注目されている。このようなＧａＮ系
の化合物半導体を用いた発光ダイオードは、サファイア
基板上に直接又は窒化アルミニウムから成るバッファ層
を介在させて、Ｎ導電型のＧａＮ系の化合物半導体から
成るＮ層を成長させ、そのＮ層の上にＩ導電型のＧａＮ
系の化合物半導体から成るＩ層を成長させた構造をとっ
ている。
Ｎ系の化合物半導体を用いたものが知られている。その
ＧａＮ系の化合物半導体は直接遷移であることから発光
効率が高いこと、光の３原色の１つである青色を発光色
とすること等から注目されている。このようなＧａＮ系
の化合物半導体を用いた発光ダイオードは、サファイア
基板上に直接又は窒化アルミニウムから成るバッファ層
を介在させて、Ｎ導電型のＧａＮ系の化合物半導体から
成るＮ層を成長させ、そのＮ層の上にＩ導電型のＧａＮ
系の化合物半導体から成るＩ層を成長させた構造をとっ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の発光
ダイオードの発光輝度を向上させるためには、発光に寄
与するキャリア数を多くするために、Ｎ層の厚さはでき
るだけ厚い方が望ましい。又、良質なＩ層の結晶を得る
ためにもＮ層の厚さは厚い方が望ましい。
ダイオードの発光輝度を向上させるためには、発光に寄
与するキャリア数を多くするために、Ｎ層の厚さはでき
るだけ厚い方が望ましい。又、良質なＩ層の結晶を得る
ためにもＮ層の厚さは厚い方が望ましい。
【０００４】一方、動作電圧を均一にするためには、Ｉ
層の膜厚は薄く均一に精度良く制御される必要がある。
ところが、従来のＭＯＶＰＥ法だけで結晶成長させる
と、結晶成長速度が遅く、厚いＮ層を形成するのに時間
がかかるという問題がある。
層の膜厚は薄く均一に精度良く制御される必要がある。
ところが、従来のＭＯＶＰＥ法だけで結晶成長させる
と、結晶成長速度が遅く、厚いＮ層を形成するのに時間
がかかるという問題がある。
【０００５】一方、サファイア基板上に順次Ｎ型Ｇａ
Ｎ、Ｉ型ＧａＮをハライド気相成長法で成長させるとい
う方法もあるが、ハライド気相成長法では成長速度が速
くＩ層の膜厚を薄く均一にすることが困難であった。
Ｎ、Ｉ型ＧａＮをハライド気相成長法で成長させるとい
う方法もあるが、ハライド気相成長法では成長速度が速
くＩ層の膜厚を薄く均一にすることが困難であった。
【０００６】本発明者らはＧａＮの結晶成長について研
究を重ねてきた結果、ハライド気相成長法で大部分のＮ
層を成長させた後、上層部を薄くＭＯＶＰＥ法で成長さ
せることにより、その上にＭＯＶＰＥ法により結晶性の
良いＩ層を成長させることができることを見出した。
又、基板上に室温〜500 ℃の範囲でバッファ層を形成し
て、その上に各層を形成すると各層の結晶性が良くなる
ことを見いだした。
究を重ねてきた結果、ハライド気相成長法で大部分のＮ
層を成長させた後、上層部を薄くＭＯＶＰＥ法で成長さ
せることにより、その上にＭＯＶＰＥ法により結晶性の
良いＩ層を成長させることができることを見出した。
又、基板上に室温〜500 ℃の範囲でバッファ層を形成し
て、その上に各層を形成すると各層の結晶性が良くなる
ことを見いだした。
【０００７】本発明は、係る結論に基づいてなされたも
のであり、その目的は、結晶性を改善した窒化ガリウム
系化合物半導体を成長させることである。
のであり、その目的は、結晶性を改善した窒化ガリウム
系化合物半導体を成長させることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の請求項１に記載の発明は、基板上に直接的又は間接的
に、Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌX Ｇａ
1-X Ｎ；X=0 を含む) からなる膜厚の厚い第１Ｎ層をハ
ライド気相成長法により形成し、 その第１Ｎ層の上にＮ
型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａｌ X Ｇａ 1-X Ｎ；
X=0 を含む) からなる膜厚の薄い第２Ｎ層を有機金属化
合物気相成長法（ＭＯＶＰＥ）により形成することを特
徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法であ
る。
の請求項１に記載の発明は、基板上に直接的又は間接的
に、Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌX Ｇａ
1-X Ｎ；X=0 を含む) からなる膜厚の厚い第１Ｎ層をハ
ライド気相成長法により形成し、 その第１Ｎ層の上にＮ
型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａｌ X Ｇａ 1-X Ｎ；
X=0 を含む) からなる膜厚の薄い第２Ｎ層を有機金属化
合物気相成長法（ＭＯＶＰＥ）により形成することを特
徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法であ
る。
【０００９】請求項２に記載の発明は、前記基板はサフ
ァイア基板であって、そのサファイア基板と第１Ｎ層と
の間に、バッファ層を形成することを特徴とする。 請求
項３に記載の発明は、バッファ層は多結晶であることを
特徴とする。請求項４に記載の発明は、室温から５００
℃の範囲で形成することを特徴とする。 請求項５に記載
の発明は、バッファ層は100 〜1000Åの厚さに形成する
ことを特徴とする。請求項６に記載の発明は、バッファ
層は分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）で形成することを
特徴とする。請求項７に記載の発明は、バッファ層は、
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）であることを特徴とする。
ァイア基板であって、そのサファイア基板と第１Ｎ層と
の間に、バッファ層を形成することを特徴とする。 請求
項３に記載の発明は、バッファ層は多結晶であることを
特徴とする。請求項４に記載の発明は、室温から５００
℃の範囲で形成することを特徴とする。 請求項５に記載
の発明は、バッファ層は100 〜1000Åの厚さに形成する
ことを特徴とする。請求項６に記載の発明は、バッファ
層は分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）で形成することを
特徴とする。請求項７に記載の発明は、バッファ層は、
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）であることを特徴とする。
【００１０】請求項８に記載の発明は、サファイア基板
の主面はｃ面（０００１）であることを特徴とする。請
求項９に記載の発明は、第１Ｎ層、又は／及び、第２Ｎ
層は窒化ガリウム（ＧａＮ）であることを特徴とする。
の主面はｃ面（０００１）であることを特徴とする。請
求項９に記載の発明は、第１Ｎ層、又は／及び、第２Ｎ
層は窒化ガリウム（ＧａＮ）であることを特徴とする。
【００１１】
【発明の効果】Ｎ層の大部分はハライド気相成長法によ
り成長されるため、厚いＮ層が高速度で得られるので、
製造速度が向上した。又、Ｎ層の上層部の第２Ｎ層はＭ
ＯＶＰＥ法で形成したので、その上に成長させる層は結
晶性が良く且つその層厚が均一に制御された。その結
果、例えば発光特性が向上した。 また、サファイ基板上
にバッファ層を形成することで、その上の各層の結晶性
を向上させることができた。特に、バッファ層を多結晶
とすることで、バッファ層上の第１Ｎ層、第２Ｎ層、及
びその上に成長させる層の各層の結晶性が向上した。バ
ッファ層は室温から５００℃の範囲で形成したり、ＭＢ
Ｅ法で形成することで、バッファ層上の各層の単結晶性
を向上させるために最適な多結晶とすることができる。
また、バッファ層の厚さを１００〜１０００Åとするこ
とで、バッファ層上の第１Ｎ層、第２Ｎ層、及びその上
に成長させる層の各層の単結晶性が良くなった。
り成長されるため、厚いＮ層が高速度で得られるので、
製造速度が向上した。又、Ｎ層の上層部の第２Ｎ層はＭ
ＯＶＰＥ法で形成したので、その上に成長させる層は結
晶性が良く且つその層厚が均一に制御された。その結
果、例えば発光特性が向上した。 また、サファイ基板上
にバッファ層を形成することで、その上の各層の結晶性
を向上させることができた。特に、バッファ層を多結晶
とすることで、バッファ層上の第１Ｎ層、第２Ｎ層、及
びその上に成長させる層の各層の結晶性が向上した。バ
ッファ層は室温から５００℃の範囲で形成したり、ＭＢ
Ｅ法で形成することで、バッファ層上の各層の単結晶性
を向上させるために最適な多結晶とすることができる。
また、バッファ層の厚さを１００〜１０００Åとするこ
とで、バッファ層上の第１Ｎ層、第２Ｎ層、及びその上
に成長させる層の各層の単結晶性が良くなった。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施例に
基づいて説明する。 （第１実施例） 図１は本発明の具体的な一実施例に係る発光ダイオード
１の構成を示した断面図である。
基づいて説明する。 （第１実施例） 図１は本発明の具体的な一実施例に係る発光ダイオード
１の構成を示した断面図である。
【００１３】主面をｃ面((0001) 面) とするサファイア
基板２を硝酸で洗浄した後、更にアセトンで洗浄した。
そして、洗浄後、窒素ガスを吹き付けて乾燥させた後、
そのサファイア基板２をハライド気相成長装置のサセプ
タに取り付けた。その後、反応室の温度を 900℃とし
て、ガス流の上流側に載置された金属ＧａにＨＣｌガス
を流し、両者の反応生成物として得られたＧａＣｌと、
ＮＨ3 と、キャリアガスＮ2 を1000℃に加熱されたサフ
ァイア基板２に向かって流した。流速はＧａＣｌが10ml
／分、ＮＨ3 が 1.0liter ／分、Ｎ2 が 2.0 liter／分
とした。サファイア基板２上に成長したＮ型のＧａＮか
ら成る第１Ｎ層４の厚さは20μｍであり、その成長速度
は約１μｍ／分であった。
基板２を硝酸で洗浄した後、更にアセトンで洗浄した。
そして、洗浄後、窒素ガスを吹き付けて乾燥させた後、
そのサファイア基板２をハライド気相成長装置のサセプ
タに取り付けた。その後、反応室の温度を 900℃とし
て、ガス流の上流側に載置された金属ＧａにＨＣｌガス
を流し、両者の反応生成物として得られたＧａＣｌと、
ＮＨ3 と、キャリアガスＮ2 を1000℃に加熱されたサフ
ァイア基板２に向かって流した。流速はＧａＣｌが10ml
／分、ＮＨ3 が 1.0liter ／分、Ｎ2 が 2.0 liter／分
とした。サファイア基板２上に成長したＮ型のＧａＮか
ら成る第１Ｎ層４の厚さは20μｍであり、その成長速度
は約１μｍ／分であった。
【００１４】次に、第１Ｎ層４が成長したサファイア基
板２をハライド気相成長装置から取り出し、ＭＯＶＰＥ
装置の反応室のサセプタに載置した。そして、サファイ
ア基板２を1000℃に加熱して、キャリアガスとしてＨ2
を 2.5liter ／分、ＮＨ3 を1.5liter ／分、トリメチ
ルガリウム（ＴＭＧ）を20ml／分の割合で12分間供給
し、膜厚約２μｍのＮ型のＧａＮから成る第２Ｎ層８を
形成した。
板２をハライド気相成長装置から取り出し、ＭＯＶＰＥ
装置の反応室のサセプタに載置した。そして、サファイ
ア基板２を1000℃に加熱して、キャリアガスとしてＨ2
を 2.5liter ／分、ＮＨ3 を1.5liter ／分、トリメチ
ルガリウム（ＴＭＧ）を20ml／分の割合で12分間供給
し、膜厚約２μｍのＮ型のＧａＮから成る第２Ｎ層８を
形成した。
【００１５】次に、サファイア基板２を 900℃にして、
Ｈ2 を 2.5liter ／分、ＮＨ3 を 1.5liter ／分、ＴＭ
Ｇを15ml／分、ジエチル亜鉛（ＤＥＺ）を 5×10-6モル
／分の割合で５分間供給して、Ｉ型のＧａＮから成るＩ
層５を膜厚 1.0μｍに形成した。
Ｈ2 を 2.5liter ／分、ＮＨ3 を 1.5liter ／分、ＴＭ
Ｇを15ml／分、ジエチル亜鉛（ＤＥＺ）を 5×10-6モル
／分の割合で５分間供給して、Ｉ型のＧａＮから成るＩ
層５を膜厚 1.0μｍに形成した。
【００１６】次に、第１Ｎ層４及び第２Ｎ層８の側壁と
Ｉ層５の上面にアルミニウム電極６、７を蒸着して、発
光ダイオードを形成した。このようにして得られた発光
ダイオード１の第１Ｎ層４，第２Ｎ層８及びＩ層５の断
面の顕微鏡写真、高エネルギー電子線による反射回析法
(RHEED) により、それぞれ、良好な結晶性が得られてい
ることが分かった。
Ｉ層５の上面にアルミニウム電極６、７を蒸着して、発
光ダイオードを形成した。このようにして得られた発光
ダイオード１の第１Ｎ層４，第２Ｎ層８及びＩ層５の断
面の顕微鏡写真、高エネルギー電子線による反射回析法
(RHEED) により、それぞれ、良好な結晶性が得られてい
ることが分かった。
【００１７】特に、第１Ｎ層４をハライド気相成長法で
高速に成長させ、その上にＭＯＶＰＥ法で精密に成長さ
せた第２Ｎ層８を形成したので、Ｉ層５の結晶性は、Ｎ
層をハライド気相成長法だけで成長させたものに比べて
良くなった。
高速に成長させ、その上にＭＯＶＰＥ法で精密に成長さ
せた第２Ｎ層８を形成したので、Ｉ層５の結晶性は、Ｎ
層をハライド気相成長法だけで成長させたものに比べて
良くなった。
【００１８】又、この発光ダイオード１の発光ピークの
スペクトルは480nm であり、発光強度（軸上輝度）は10
mcd であった。
スペクトルは480nm であり、発光強度（軸上輝度）は10
mcd であった。
【００１９】（第２実施例）
図２は第２実施例に係る発光ダイオード１０の構成を示
した断面図である。第１実施例と同様にして、主面をｃ
面((0001) 面) とするサファイア基板２を硝酸で洗浄し
た後、更にアセトンで洗浄した。そして、洗浄後、窒素
ガスを吹き付けて乾燥させた後、そのサファイア基板２
をＭＯＶＰＥ装置のサセプタに取り付けた。その後、サ
ファイア基板２を 600℃に加熱して、キャリアガスとし
てＨ2 を2liter ／分、ＮＨ3 を1.5 liter ／分、トリ
メチルアルミニウム（ＴＭＡ）を15ml／分の割合で6 分
間供給し、ＡｌＮから成るバッファ層３を厚さ約0.1 μ
ｍに形成した。その後、第１実施例と同様な手順にて、
第１Ｎ層４，第２Ｎ層８，Ｉ層５を順次形成して、発光
ダイオード１０を作成した。
した断面図である。第１実施例と同様にして、主面をｃ
面((0001) 面) とするサファイア基板２を硝酸で洗浄し
た後、更にアセトンで洗浄した。そして、洗浄後、窒素
ガスを吹き付けて乾燥させた後、そのサファイア基板２
をＭＯＶＰＥ装置のサセプタに取り付けた。その後、サ
ファイア基板２を 600℃に加熱して、キャリアガスとし
てＨ2 を2liter ／分、ＮＨ3 を1.5 liter ／分、トリ
メチルアルミニウム（ＴＭＡ）を15ml／分の割合で6 分
間供給し、ＡｌＮから成るバッファ層３を厚さ約0.1 μ
ｍに形成した。その後、第１実施例と同様な手順にて、
第１Ｎ層４，第２Ｎ層８，Ｉ層５を順次形成して、発光
ダイオード１０を作成した。
【００２０】このように作成された発光ダイオード１０
の第１Ｎ層４，第２Ｎ層８及びＩ層５の断面の顕微鏡写
真、高エネルギー電子線による反射回析法(RHEED) によ
り、それぞれ、良好な結晶性が得られていることが分か
った。又、この発光ダイオード１の発光ピークのスペク
トルは480nm であり、発光強度（軸上輝度）は10mcd で
あった。
の第１Ｎ層４，第２Ｎ層８及びＩ層５の断面の顕微鏡写
真、高エネルギー電子線による反射回析法(RHEED) によ
り、それぞれ、良好な結晶性が得られていることが分か
った。又、この発光ダイオード１の発光ピークのスペク
トルは480nm であり、発光強度（軸上輝度）は10mcd で
あった。
【００２１】（第３実施例）
本実施例は、第２実施例において、第２図のバッファ層
３を分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）により作成したも
のである。第２実施例と同様にして、主面をｃ面((000
1) 面) とするサファイア基板２を洗浄した後、そのサ
ファイア基板２をＭＢＥ装置のサセプタに取り付けた。
その後、サファイア基板２を 500℃に加熱して、窒素ガ
スプラズマ中で、アルミニウムを蒸発させて、サファイ
ア基板２の主面上に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成
るバッファ層３を約 500Åの厚さに形成した。その後の
第１Ｎ層４，第２Ｎ層８，Ｉ層５，電極６，７の作成方
法は、第１実施例と同様である。
３を分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）により作成したも
のである。第２実施例と同様にして、主面をｃ面((000
1) 面) とするサファイア基板２を洗浄した後、そのサ
ファイア基板２をＭＢＥ装置のサセプタに取り付けた。
その後、サファイア基板２を 500℃に加熱して、窒素ガ
スプラズマ中で、アルミニウムを蒸発させて、サファイ
ア基板２の主面上に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成
るバッファ層３を約 500Åの厚さに形成した。その後の
第１Ｎ層４，第２Ｎ層８，Ｉ層５，電極６，７の作成方
法は、第１実施例と同様である。
【００２２】このようにして得られた発光ダイオードの
第１Ｎ層４，第２Ｎ層８及びＩ層５の断面の顕微鏡写
真、高エネルギー電子線による反射回析法(RHEED) によ
り、良好な結晶性が得られていることが分かった。又、
この発光ダイオード１の発光ピークのスペクトルは480n
m であり、発光強度（軸上輝度）は10mcd であった。
第１Ｎ層４，第２Ｎ層８及びＩ層５の断面の顕微鏡写
真、高エネルギー電子線による反射回析法(RHEED) によ
り、良好な結晶性が得られていることが分かった。又、
この発光ダイオード１の発光ピークのスペクトルは480n
m であり、発光強度（軸上輝度）は10mcd であった。
【００２３】尚、本発明者らの考察によれば、ＭＢＥで
形成されたバッファ層３では、第１Ｎ層４のＧａＮの成
長の核が、バッファ層３をＭＯＶＰＥで成長させたもの
と比べて、均一に分散し、そのために、第１Ｎ層４、第
２Ｎ層８及びＩ層５の単結晶性が良くなったと考えられ
る。又、バッファ層３は、サファイア基板２を 500℃に
してＭＢＥで形成したので、多結晶であった。
形成されたバッファ層３では、第１Ｎ層４のＧａＮの成
長の核が、バッファ層３をＭＯＶＰＥで成長させたもの
と比べて、均一に分散し、そのために、第１Ｎ層４、第
２Ｎ層８及びＩ層５の単結晶性が良くなったと考えられ
る。又、バッファ層３は、サファイア基板２を 500℃に
してＭＢＥで形成したので、多結晶であった。
【００２４】又、本発明者らは、バッファ層３は多結晶
で成長させた方が単結晶で成長させた方よりも、第１Ｎ
層４、第２Ｎ層８及びＩ層５の単結晶性が良いことも見
出した。このためにもＭＢＥでバッファ層３を成長させ
ることは効果があり、多結晶とする成長温度は、室温〜
500℃が望ましい。又、第１Ｎ層４、第２Ｎ層８及びＩ
層５の単結晶性を良くするためには、バッファ層３の厚
さは 100〜1000Åが望ましい。尚、上記実施例では、第
１Ｎ層４、第２Ｎ層８及びＩ層５をＧａＮで形成した
が、ＡｌX Ｇａ1-X Ｎで形成しても良い。
で成長させた方が単結晶で成長させた方よりも、第１Ｎ
層４、第２Ｎ層８及びＩ層５の単結晶性が良いことも見
出した。このためにもＭＢＥでバッファ層３を成長させ
ることは効果があり、多結晶とする成長温度は、室温〜
500℃が望ましい。又、第１Ｎ層４、第２Ｎ層８及びＩ
層５の単結晶性を良くするためには、バッファ層３の厚
さは 100〜1000Åが望ましい。尚、上記実施例では、第
１Ｎ層４、第２Ｎ層８及びＩ層５をＧａＮで形成した
が、ＡｌX Ｇａ1-X Ｎで形成しても良い。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る発光ダイオー
ドの構成を示した構成図。
ドの構成を示した構成図。
【図２】他の実施例に係る発光ダイオードの構成を示し
た構成図。
た構成図。
１，１０…発光ダイオード
２…サファイア基板
３…バッファ層
４…第１Ｎ層
８…第２Ｎ層
５…Ｉ層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(73)特許権者 391012224
名古屋大学長
愛知県名古屋市千種区不老町（番地な
し)
(72)発明者 真部 勝英
愛知県西春日井郡春日村大字落合字長畑
１番地 豊田合成株式会社内
(72)発明者 加藤 久喜
愛知県西春日井郡春日村大字落合字長畑
１番地 豊田合成株式会社内
(72)発明者 馬渕 彰
愛知県西春日井郡春日村大字落合字長畑
１番地 豊田合成株式会社内
(72)発明者 赤崎 勇
愛知県名古屋市千種区不老町（番地な
し） 名古屋大学内
(72)発明者 天野 浩
愛知県名古屋市千種区不老町（番地な
し） 名古屋大学内
(56)参考文献 特開 平２−81483（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−173829（ＪＰ，Ａ)
特開 昭52−23600（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−219614（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
Claims (9)
- 【請求項１】 基板上に直接的又は間接的に、Ｎ型の窒
化ガリウム系化合物半導体（ＡｌX Ｇａ1-X Ｎ；X=0 を
含む) からなる膜厚の厚い第１Ｎ層をハライド気相成長
法により形成し、 その第１Ｎ層の上にＮ型の窒化ガリウム系化合物半導体
（Ａｌ X Ｇａ 1-X Ｎ；X=0 を含む) からなる膜厚の薄い
第２Ｎ層を有機金属化合物気相成長法（ＭＯＶＰＥ）に
より形成すること を特徴とする窒化ガリウム系化合物半
導体の成長方法。 - 【請求項２】 前記基板はサファイア基板であって、そ
のサファイア基板と前記第１Ｎ層との間に、バッファ層
を形成することを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリ
ウム系化合物半導体の成長方法。 - 【請求項３】 前記バッファ層は多結晶とすることを特
徴とする請求項２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体
の成長方法。 - 【請求項４】 前記バッファ層は室温から５００℃の範
囲で形成することを特徴とする請求項２又は請求項３に
記載の窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法。 - 【請求項５】 前記バッファ層は、１００〜１０００Å
の厚さとすることを特徴とする請求項２乃至請求項４の
いずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体の成
長方法。 - 【請求項６】 前記バッファ層は分子線エピタキシー法
（ＭＢＥ）により形成することを特徴とする請求項２乃
至請求項５のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合
物半導体の成長方法。 - 【請求項７】 前記バッファ層は窒化アルミニウム（Ａ
ｌＮ）であることを特徴とする請求項２乃至請求項６の
いずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体の成
長方法。 - 【請求項８】 前記サファイア基板の主面はｃ面（００
０１）とすることを特徴とする請求項２乃至請求項７の
いずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体の成
長方法。 - 【請求項９】 前記第１Ｎ層、又は／及び、前記第２Ｎ
層は窒化ガリウム（ＧａＮ）であることを特徴とする請
求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の記載の窒化
ガリウム系化合物半導体の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20357299A JP3402460B2 (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | 窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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