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JP3317274B2 - 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法 - Google Patents

弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法

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JP3317274B2
JP3317274B2 JP14680099A JP14680099A JP3317274B2 JP 3317274 B2 JP3317274 B2 JP 3317274B2 JP 14680099 A JP14680099 A JP 14680099A JP 14680099 A JP14680099 A JP 14680099A JP 3317274 B2 JP3317274 B2 JP 3317274B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電基板上に複数
種類のＩＤＴを形成してなる弾性表面波装置及び弾性表
面波装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信機器の高機能化として
２つ以上の通信システムをもつマルチバンド対応の携帯
電話の検討がなされている。また、携帯電話の伝送周波
数の高周波化が進んでいる。
【０００３】そのため、例えば、８００ＭＨｚ帯の携帯
電話と１．５ＧＨｚ以上の携帯電話のシステムを共用で
きる携帯端末においては、その２つの異なる周波数それ
ぞれに、ＲＦ用バンドパスフィルタが必要となる。
【０００４】このような携帯端末の小型・軽量化のため
には、部品のサイズ低減には限界があるので１つの部品
に２つのフィルタの機能を持たせることが望まれる。
【０００５】そのため、一つの圧電基板上に複数種の機
能を持たせることが考えられてきており、一つの圧電基
板上に膜厚の異なる二種類のＩＤＴ等の電極を形成する
ことで、二種類の異なる周波数に対応する弾性表面波装
置が考えられている。
【０００６】このような弾性表面波装置の製造方法とし
て、特開平１０−１９０３９０号のような製造方法が提
案されている。以下、この弾性表面波装置の製造方法
を、図６に基づいて説明する。
【０００７】まず、圧電基板１０１上に所定の膜厚を有
する電極１０４ａを形成する。そして電極１０４ａを含
む圧電基板１０１上にレジストを付与する。次に第１の
弾性表面波素子のＩＤＴのパターンに対応する部分を遮
蔽部とするマスクを用いて露光し、現像して露光部分の
レジストを除去する。その結果、図６（ａ）に示すよう
に、露光しなかった第１の弾性表面波素子のＩＤＴのパ
ターンに対応する部分のレジスト１０２ａが残る。
【０００８】さらに、エッチングによりレジスト１０２
ａに対応する部分の電極 を除いて電極１０４ａを除去
した後、レジスト１０２ａを除去して図６（ｂ）に示す
ように、第１の弾性表面波素子１１０のＩＤＴ１１１を
形成する。
【０００９】次に、第１の弾性表面波素子のＩＤＴ１１
１を含む圧電基板１０１上にレジストを付与し、第２の
弾性表面波素子のＩＤＴに対応する部分を開口部とする
マスクを用いて露光し、現像して露光部分のレジストを
除去する。その結果、図６（ｃ）に示すように、レジス
ト１０２ｂに第２の弾性表面波素子のＩＤＴに対応する
部分に開口部が形成される。
【００１０】そして、図６（ｄ）に示すように、レジス
ト１０２ｂを含む圧電基板１０１上に第１の弾性表面波
素子１１０のＩＤＴ１１１の膜厚より小さい膜厚を有す
る電極１０４ｂを形成する。
【００１１】最後に、レジスト１０２ｂを除去すること
により、同時にレジスト１０２ｂ上に形成された電極１
０４ｂを除去し、図６（ｅ）に示すように、第１の弾性
表面波素子１１０のＩＤＴ１１１の膜厚より小さい膜厚
を有する第２の弾性表面波素子１２０のＩＤＴ１２１を
形成する。
【００１２】以上のような製造方法により、異なる周波
数特性を有する弾性表面波素子を同一圧電基板上に形成
していた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】このような製造方法に
おいて、第２の弾性表面波素子のＩＤＴ形成後、ＩＤＴ
の膜厚及びＩＤＴの電極線幅が所定の範囲から外れ所望
の周波数特性とならなかった場合、先に形成した第１の
弾性表面波素子の周波数が所望の周波数特性であって
も、その弾性表面波装置は不良となるという問題があっ
た。
【００１４】すなわち、第１、第２の弾性表面波素子を
同一の圧電基板上に形成して複合素子としたことによ
り、どちらか一方の弾性表面波素子の周波数特性が所望
の値から外れるだけで不良となるため、別々の圧電基板
上に形成した場合に比べて、格段に不良率があがるとい
う問題を有していた。
【００１５】また、一般に、レジストを付与する工程に
おいて、レジストの密着性および耐プラズマ性の向上を
目的としてレジストを加熱するが、上記のように圧電基
板上に周波数特性の異なる弾性表面波素子を配置した弾
性表面波装置の製造方法に適用する場合には次のような
不具合があった。
【００１６】すなわち、第２の弾性表面波素子のＩＤＴ
を構成するためのレジストを加熱すると、圧電基板が焦
電性を有するため、レジスト加熱時の温度変化により第
１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極間に電位差が発生し放
電が発生する。この放電によりＩＤＴの焦電破壊が起こ
る可能性がある。また、ＩＤＴの焦電破壊が起こらない
微少な放電であってもレジストが破れるおそれがあり、
第２の弾性表面波素子のＩＤＴをリフトオフ工法により
構成する際に、第１の弾性表面波のＩＤＴ電極がショー
トしてしまうおそれがあった。
【００１７】本発明は、上述の問題を鑑みてなされたも
のであり、圧電基板上に周波数特性の異なる弾性表面波
素子を構成する際に、不良率が低減された信頼性の高い
弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法を提供す
ることを目的としている。
【００１８】
【００１９】
【００２０】本発明の請求項１に係る弾性表面波装置の
製造方法では、圧電基板上に第１、第２の弾性表面波素
子を形成してなる弾性表面波装置の製造方法において、
第１の弾性表面波素子のＩＤＴを形成すると同時にＩＤ
Ｔの入出力側とアース側とを短絡用電極により接続させ
る工程と、第１の弾性表面波素子のＩＤＴ及び短絡用電
極が形成された基板上全面にレジストを付与し加熱する
工程と、第２の弾性表面波素子のＩＤＴが形成される領
域のレジストのみを除去する工程と、第２の弾性表面波
素子の電極膜厚と等しい膜厚の導電膜を形成する工程
と、レジストおよびレジスト上に形成されている導電膜
をリフトオフすることにより第２の弾性表面波素子のＩ
ＤＴを形成する工程と、第１の弾性表面波素子に接続さ
れた短絡用配線の一部を切断する工程と、前記ＩＤＴ上
を含む圧電基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁
膜の厚みを減少させることにより周波数を調整する工程
と、を備えている。
【００２１】これにより、第２の弾性表面波素子のリフ
トオフ後において第１の弾性表面波のＩＤＴ電極がショ
ートすることを抑えることができる。
【００２２】また、本発明の請求項２に係る弾性表面波
装置の製造方法では、前記周波数を調整する工程の前
に、第１、第２の弾性表面波素子の周波数をウェハプロ
ービングにより測定する工程を備え、前記絶縁膜を形成
する工程の後に、前記第１、第２の弾性表面波素子のそ
れぞれのＩＤＴ上に形成される絶縁膜の厚みが互いに異
なるように調整する工程を備えている。
【００２３】本発明の請求項３に係る弾性表面波素子の
製造方法では、前記第１の弾性表面波素子のＩＤＴを形
成する工程及び第２の弾性表面波素子のＩＤＴを形成す
る工程において、第１、第２の弾性表面波素子の周波数
が所定の周波数より高くなるようにＩＤＴを形成し、前
記絶縁膜の厚みが互いに異なるように調整する工程にお
いて、少なくとも一方の弾性表面波素子の周波数を所定
の値まで低くすると同時に、他方の弾性表面波素子の周
波数を所定の値よりも低くくし、前記周波数を調整する
工程において、他方の弾性表面波素子上の絶縁膜のみを
エッチングすることにより、他方の弾性表面波素子の周
波数を所定の値にしている。
【００２４】本発明の請求項４に係る弾性表面波素子の
製造方法では、前記第１の弾性表面波素子のＩＤＴを形
成する工程及び第２の弾性表面波素子のＩＤＴを形成す
る工程において、第１、第２の弾性表面波素子の周波数
が所定の周波数より高くなるようにＩＤＴを形成し、第
１、第２の弾性表面波素子上の絶縁膜を同時にエッチン
グすることにより、一方の周波数を所望の値まで高める
工程を備え、他方の弾性表面波素子の周波数をウェハプ
ロービングにより測定し、他方の弾性表面波素子上の絶
縁膜のみをプラズマエッチングして、他方の弾性表面波
素子の周波数を所望の値まで高めている。
【００２５】これら請求項２〜４に係る弾性表面波装置
の製造方法により、第１、第２の弾性表面波素子の周波
数特性を効果的に調整することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施形態に
係る弾性表面波装置の製造方法を図に基づいて説明す
る。まず、図６に示した従来の製造方法と同様に、圧電
基板の上面全面に第一の弾性表面波素子のＩＤＴや反射
器等と等しい膜厚の電極を形成する。電極は、Ａｌなど
の導電性材料を蒸着、スパッタリング、メッキ等の適宜
の方法で付与することにより形成される。
【００２７】次に、電極上に全面にポジ型のレジストを
付与する。このレジスト上に、第１の弾性表面波素子の
ＩＤＴや反射器等の部分が遮蔽部とされたマスクを用い
て露光し、しかる後、露光されたレジスト部分を除去す
ることにより、レジストをパターニングする。
【００２８】その後、レジストを侵さないが、電極を除
去し得るエッチャントを用いてエッチングを行い、図１
（ａ）に示すように、第１の弾性表面波素子１０である
一端子対共振子のＩＤＴ１１、反射器１２，１２、入出
力パッド１３，１４、短絡電極１５，１５を形成する。
また、図１（ａ）に示すように、短絡電極１５，１５
は、入出力パッド１３，１４と反射器１２，１２間を短
絡するように構成される。このエッチングでは湿式、プ
ラズマ等を用いた乾式を問わず、また、リフトオフによ
り電極形成されてもよい。
【００２９】次に、圧電基板１上に、ポジ型のレジスト
を全面に付与し、しかる後に、第２の弾性表面波素子２
０側において、ＩＤＴや反射器等のパターン形状部分が
開口部とされたマスクをレジスト上に積層して露光し、
露光された部分のレジストを除去することにより、図１
（ｂ）に示すようにパターニング形状の開口２Ｘを有す
るレジスト２を得る。なお、図１（ｂ）から明らかなよ
うに、第１の弾性表面波素子１０側においては、レジス
ト２により、ＩＤＴ１１、反射器１２，１２、入出力パ
ッド１３，１４、短絡電極１５，１５が保護されてい
る。
【００３０】この段階で、レジスト２を加熱処理するこ
とにより、レジストの密着性を向上させるとともに、耐
プラズマ性を向上させている。この際、短絡電極１５に
より入出力パッド１３，１４と反射器１２，１２間が短
絡されているため、それぞれの部分における電位差がな
くなって同電位となるため、放電が生じずＩＤＴやレジ
ストの破損の恐れが無くなる。次に、第２の弾性表面波
素子２０のＩＤＴに等しい膜厚の電極を付与する。しか
る後、レジスト２上に付与されている電極をレジスト２
とともにリフトオフし、第２の弾性表面波素子２０のＩ
ＤＴ２１、反射器２２，２２、入出力パッド２３，２４
を得ている。さらに、図１（ｃ）に示すように短絡電極
の一部を切断する。例えば、レジストを利用し、フォト
リソグラフィーとエッチングにより切断する。
【００３１】次に、図１（ｄ）に示すように、圧電基板
１上に絶縁膜３を形成する。絶縁膜３はＳｉＯ2とし、
ＲＦマグネトロンスパッタにより形成した。なお、外部
回路に接続するために、第１の弾性表面波素子１０の入
出力パッド１３，１４及び第２の弾性表面波素子２０の
入出力パッド２３，２４上の絶縁膜３は除去されてい
る。
【００３２】以上のように、本実施の形態では、圧電基
板上に電極膜厚を異ならせて周波数特性を異ならせた第
１、第２の弾性表面波素子を形成するにあたり、第１の
弾性表面波素子のＩＤＴを形成すると同時にＩＤＴの入
出力パッドおよび反射器とをそれぞれ短絡電極により接
続させ、第２の弾性表面波素子のＩＤＴを形成したあと
短絡用配線を切断する工程を用いることにより、第１の
弾性表面波のＩＤＴがショートすることを抑えることが
できる。また、第１、第２の弾性表面波素子の上にＳｉ
Ｏ2膜を形成することにより、周波数を調整できるので
複合素子としての不良率を低減することが可能となる。
【００３３】次に、本発明の第２の実施形態に係る弾性
表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法を図に基づい
て説明する。なお、上記第１の実施形態と同じ部分には
同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３４】図２は、第１、第２の弾性表面波素子３
０、４０の構成と、ウェハプロービング位置を示す図で
ある。第１の弾性表面波素子３０は、直列腕共振子３
１、３２と並列腕共振子３３、３４、３５からなるラダ
ー型フィルタであり、同様に第２の弾性表面素子４０
は、直列腕共振子４１、４２と並列腕共振子４３、４
４、４５からなるラダー型フィルタである。
【００３５】また、第１の弾性表面波素子３０の入出力
パッド３６〜３８及び第２の弾性表面波素子４０の入出
力パッド４６〜４８を除いてＳｉＯ2からなる絶縁膜３
を形成している。さらに、絶縁膜３は第１の弾性表面波
素子３０上の膜厚と第１の弾性表面波素子４０上の膜厚
とは異ならされており、段差３Ｘが形成されている。
【００３６】また、図２に示すように、プローブ５０
は、第１の弾性表面波素子３０の入出力パッド３６〜３
８及び第２の弾性表面波素子４０の入出力パッド４６〜
４８に接続して、ウェハプロービングを行うためのもの
である。
【００３７】図３（ａ）は、絶縁膜３を均一に形成した
状態の概略断面図であり、第１の弾性表面波素子３０の
周波数特性が調整により最適化されている。また、第２
の弾性表面波素子４０の周波数特性は絶縁膜３を付ける
前は所望の周波数より高くしておき、かつ図３（ａ）の
状態では所望の周波数より低くなっている。
【００３８】次に、第２の弾性表面波素子の周波数特性
をウェハプロービングにより測定し、その測定結果から
周波数特性の調整量を求める。そして、以下の工程によ
り、第２の弾性表面波素子の周波数特性を調整した結
果、図２に示した絶縁膜の段差３Ｘを形成されることと
なる。
【００３９】以下、第２の弾性表面波素子の周波数特性
を調整する工程について図３を用いて説明する。
【００４０】まず、絶縁膜３上に全面にポジ型のレジス
トを付与する。このレジスト上に、第１の弾性表面波フ
ィルタ素子３０に対応する部分が遮蔽部とされたマスク
を用いて露光し、しかる後、露光されたレジスト部分を
除去することにより、図３（ｂ）に示すパターニングさ
れたレジスト２ａを得る。
【００４１】次に、レジスト２ａを侵さないが、絶縁膜
３を除去し得るエッチャントを用いてエッチングを行
い、図３（ｃ）に示すように絶縁膜３に段差３Ｘを形成
する。このエッチングでは湿式、プラズマ等を用いた乾
式を問わない。
【００４２】図４は、第２の弾性表面波素子４０の周波
数特性の変化を示したものである。図４には、実線が絶
縁膜無し、破線が２９ｎｍ形成時、そして一点鎖線が１
３ｎｍまでプラズマエッチングしたときの特性を示して
いる。図４から明らかなように、ＳｉＯ2からなる絶縁
膜の厚みエッチングすることにより周波数特性が調整さ
れている。
【００４３】以上のように、本実施形態によれば、第
１、第２の弾性表面波素子の上にＳｉＯ2膜を形成する
ことにより、複合素子としての不良率を低減することが
可能となる。特に、第１、第２の弾性表面波素子の上に
成膜するＳｉＯ2膜をそれぞれ異ならせることにより、
異なる２つの弾性表面波素子の周波数を効果的に調整
し、複合素子の不良率を低減することができる。
【００４４】次に、本発明の第３の実施形態に係る弾性
表面波装置の製造方法を説明する。なお、上記第１、第
２の実施形態と同一部分には同一符号を付し、詳細な説
明は省略する。本実施の形態は、第２の実施形態と同様
に第１、第２の弾性表面波素子上の絶縁膜の膜厚を異な
らせる方法である。
【００４５】図５（ａ）は図３（ａ）と同様に絶縁膜３
を形成した状態であるが、第１の弾性表面波フィルタ素
子の周波数は最適値より低く設定されている。すなわ
ち、図５（ａ）の絶縁膜３は、図３（ａ）の絶縁膜３に
比べてその膜厚を厚く設定されている。
【００４６】このような絶縁膜３を形成した後、第１の
弾性表面波素子３０の周波数特性をウェハプロービング
により測定し、その測定結果から周波数特性の調整量を
求める。
【００４７】さらに、図５（ｂ）に示すように、第１の
弾性表面波素子３０の周波数が所望の値となるよう、絶
縁膜３の表面をプラズマエッチングし、絶縁膜３の厚み
を所定の厚みにし、第１の弾性表面波素子３０の周波数
特性を所望の値にする。
【００４８】その後、第２の弾性表面波素子４０の周波
数特性をウェハプロービングにより測定し、その測定結
果から周波数特性の調整量を求める。
【００４９】次に、図５（ｂ）の絶縁膜３上に全面にポ
ジ型のレジストを付与する。このレジスト上に、第１の
弾性表面波素子３０の部分が遮蔽部とされたマスクを用
いて露光し、しかる後、露光されたレジスト部分を除去
することにより、図５（ｃ）に示すパターングされたレ
ジスト２ａを得る。
【００５０】次に、レジスト２ａを侵さないが、絶縁膜
３を除去し得るエッチャントを用いてエッチングを行
い、図５（ｄ）に示すように絶縁膜３に段差３Ｘを形成
する。このエッチングでは湿式、プラズマ等を用いた乾
式を問わない。
【００５１】本実施の形態によれば、第１、第２の弾性
表面波素子の上にＳｉＯ2膜を形成することにより、複
合素子としての不良率を低減することが可能となる。特
に、第１の弾性表面波素子の上に成膜するＳｉＯ2膜を
調整してから、第２の弾性表面波素子の上に成膜するＳ
ｉＯ2膜を調整しているので、第２の実施形態に比べ
て、さらに２つの弾性表面波素子の周波数を効果的に調
整することができ、複合素子の不良率を低減することが
できる。
【００５２】なお、第２、第３の実施形態で説明した第
１、第２の弾性表面波素子の上に成膜する絶縁膜をそれ
ぞれ異ならせることにより、異なる２つの弾性表面波素
子の周波数を効果的に調整する手法は、第１の実施形態
で説明した一端子対共振子にも用いることができるもの
である。すなわち、本発明の第１〜３の実施形態で説明
した手法は、弾性表面波素子が共振子、フィルタ、デュ
プレクサ等どのような形態であっても適用することがで
きるものである。また、反射器のない構成の弾性表面波
素子でも同様に適用できる。
【００５３】また、上記各実施の形態では、第２の弾性
表面波素子の導電膜の厚みが第１の弾性表面波素子の導
電膜の厚みより薄くなっているが、逆に、第２の弾性表
面波フィルタ素子２の導電膜の厚みが厚くてもよいもの
である。
【００５４】さらに、各実施形態の圧電基板は、ＬｉＴ
ａＯ3、ＬｉＮｂＯ3または、水晶、四硼酸リチウム、ラ
ンガサイトなどの圧電単結晶、あるいはチタン酸ジルコ
ン酸鉛系圧電セラミックスのような圧電セラミックある
いはアルミナなどの絶縁基板上にＺｎＯなどの圧電性薄
膜を形成した圧電基板等どのようなものを用いてもよ
く、ＩＤＴや反射器等の電極材料として、ＡｌやＡｌ合
金その他導電材料であればどのようなものでも本発明は
適用できる。また、周波数特性を調整する絶縁膜もＳｉ
Ｏ2に限らるものではない。
【００５５】
【発明の効果】本発明では、圧電基板上に電極膜厚の異
なる第１、第２の弾性表面波素子を形成して構成するに
あたり、第１の弾性表面波素子のＩＤＴの入出力パッド
およびＩＤＴと反射器とをそれぞれ短絡電極により接続
させ、第２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極を形成したあ
と接続部を切断する工程を追加しているので、第２の弾
性表面波素子のリフトオフ後において第１の弾性表面波
のＩＤＴ電極がショートすることを抑えることができ
る。また、第１、第２の弾性表面波素子の上にＳｉＯ2
膜を形成することにより、複合素子としての不良率を低
減することが可能となる。
【００５６】また、特に請求項１に係る弾性表面波装置
及び請求項３〜５に係る弾性表面波装置の製造方法によ
れば、第１、第２の弾性表面波素子の上に成膜する絶縁
膜をそれぞれ異ならせることにより、異なる２つの弾性
表面波素子の周波数を効果的に調整し、複合素子の不良
率を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置
の工程を示す概略平面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置
を示す概略平面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置
の工程を示す概略断面図である。
【図４】本発明の絶縁膜による周波数の変化を示す特性
図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る弾性表面波装置
の工程を示す概略断面図である。
【図６】従来の弾性表面波装置の工程を示す概略断面図
である。
【符号の説明】
１ 圧電基板 ２ レジスト ２Ｘ レジストの開口 ３ 絶縁膜 １０ 第１の弾性表面波素子 １１ ＩＤＴ １２ 反射器 １３，１４ 入出力パッド １５ 短絡電極 ２０ 第２の弾性表面波素子 ２１ ＩＤＴ ２２ 反射器 ２３，２４ 入出力パッド

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】圧電基板上に第１、第２の弾性表面波素子
    を形成してなる弾性表面波装置の製造方法において、第
    １の弾性表面波素子のＩＤＴを形成すると同時にＩＤＴ
    の入出力側とアース側とを短絡用電極により接続させる
    工程と、第１の弾性表面波素子のＩＤＴ及び短絡用電極
    が形成された基板上全面にレジストを付与し加熱する工
    程と、第２の弾性表面波素子のＩＤＴが形成される領域
    のレジストのみを除去する工程と、第２の弾性表面波素
    子の電極膜厚と等しい膜厚の導電膜を形成する工程と、
    レジストおよびレジスト上に形成されている導電膜をリ
    フトオフすることにより第２の弾性表面波素子のＩＤＴ
    を形成する工程と、第１の弾性表面波素子に接続された
    短絡用配線の一部を切断する工程と、前記ＩＤＴ上を含
    む圧電基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の
    厚みを減少させることにより周波数を調整する工程と、
    を備えることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
  2. 【請求項２】前記周波数を調整する工程の前に、第１、
    第２の弾性表面波素子の周波数をウェハプロービングに
    より測定する工程を備え、前記絶縁膜を形成する工程の
    後に、前記第１、第２の弾性表面波素子のそれぞれのＩ
    ＤＴ上に形成される絶縁膜の厚みが互いに異なるように
    調整する工程を備えることを特徴とする請求項１記載の
    弾性表面波装置の製造方法。
  3. 【請求項３】前記第１の弾性表面波素子のＩＤＴを形成
    する工程及び第２の弾性表面波素子のＩＤＴを形成する
    工程において、第１、第２の弾性表面波素子の周波数が
    所定の周波数より高くなるようにＩＤＴを形成し、前記
    絶縁膜の厚みが互いに異なるように調整する工程におい
    て、少なくとも一方の弾性表面波素子の周波数を所定の
    値まで低くすると同時に、他方の弾性表面波素子の周波
    数を所定の値よりも低くくし、前記周波数を調整する工
    程において、他方の弾性表面波素子上の絶縁膜のみをエ
    ッチングすることにより、他方の弾性表面波素子の周波
    数を所定の値にすることを特徴する請求項２記載の弾性
    表面波装置の製造方法。
  4. 【請求項４】前記第１の弾性表面波素子のＩＤＴを形成
    する工程及び第２の弾性表面波素子のＩＤＴを形成する
    工程において、第１、第２の弾性表面波素子の周波数が
    所定の周波数より高くなるようにＩＤＴを形成し、第
    １、第２の弾性表面波素子上の絶縁膜を同時にエッチン
    グすることにより、一方の周波数を所望の値まで高める
    工程を備え、他方の弾性表面波素子の周波数をウェハプ
    ロービングにより測定し、他方の弾性表面波素子上の絶
    縁膜のみをプラズマエッチングして、他方の弾性表面波
    素子の周波数を所望の値まで高めることを特徴する請求
    項２記載の弾性表面波装置の製造方法。
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