JP3171144B2 - 表面波装置 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばラダー型フ
ィルタを構成するために複数の表面波素子を接続してな
る表面波装置に関し、特に、SHタイプの表面波を利用
した表面波装置に関する。
ィルタを構成するために複数の表面波素子を接続してな
る表面波装置に関し、特に、SHタイプの表面波を利用
した表面波装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、帯域フィルタとして、ラダー型フ
ィルタや格子型フィルタなどの種々のフィルタ装置が提
案されている。この種のフィルタ装置では、複数の共振
子がラダー型回路や格子型回路を構成するように電気的
に接続されている。
ィルタや格子型フィルタなどの種々のフィルタ装置が提
案されている。この種のフィルタ装置では、複数の共振
子がラダー型回路や格子型回路を構成するように電気的
に接続されている。
【0003】ところで、上記のようなフィルタ装置とし
て、SHタイプの表面波を利用した端面反射型の表面波
共振子を複数個用いた表面波装置が知られている。端面
反射型表面波共振子では、インターデジタルトランスデ
ューサ(以下、IDTと略す。)の両側に反射器を配置
した表面波共振子に比べて共振子の寸法を小さくするこ
とができる。従って、SHタイプの表面波を利用した端
面反射型表面波共振子を用いた種々の表面波装置が提案
されている。
て、SHタイプの表面波を利用した端面反射型の表面波
共振子を複数個用いた表面波装置が知られている。端面
反射型表面波共振子では、インターデジタルトランスデ
ューサ(以下、IDTと略す。)の両側に反射器を配置
した表面波共振子に比べて共振子の寸法を小さくするこ
とができる。従って、SHタイプの表面波を利用した端
面反射型表面波共振子を用いた種々の表面波装置が提案
されている。
【0004】図15は、SHタイプの表面波を利用した
端面反射型表面波共振子を複数個用いた従来の表面波装
置の一例を示す斜視図である。表面波装置51は、SH
タイプの表面波としてBGS波を利用した複数の表面波
共振子52〜56を接続してなるラダー型フィルタであ
る。ここでは、第1の表面波基板57上に、IDT52
a,53a,54aを形成することにより、直列腕共振
子としての表面波共振子52〜54が構成されている。
また、第2の表面波基板58の上面にIDT55a,5
6aを形成することにより、並列腕共振子としてのSA
W共振子55,56が構成されている。
端面反射型表面波共振子を複数個用いた従来の表面波装
置の一例を示す斜視図である。表面波装置51は、SH
タイプの表面波としてBGS波を利用した複数の表面波
共振子52〜56を接続してなるラダー型フィルタであ
る。ここでは、第1の表面波基板57上に、IDT52
a,53a,54aを形成することにより、直列腕共振
子としての表面波共振子52〜54が構成されている。
また、第2の表面波基板58の上面にIDT55a,5
6aを形成することにより、並列腕共振子としてのSA
W共振子55,56が構成されている。
【0005】SAW共振子52は、ボンディングワイヤ
59により入力端に接続されている。また、SAW共振
子54は、ボンディングワイヤ60により出力端に接続
されている。そして、SAW共振子52,53を接続し
ている接続電極61aにボンディングワイヤ62の一端
が接続されている。ボンディングワイヤ62の他端は、
SAW共振子55に接続されている。同様に、SAW共
振子53,54を接続している接続電極61bにボンデ
ィングワイヤ63の一端が接続されている。ボンディン
グワイヤ63の他端は、SAW共振子56に接続されて
いる。また、SAW共振子55とSAW共振子56とが
接続電極61cにより接続されている。従って、入出力
端子間(ボンディングワイヤ59,60間)に、3個の
直列腕共振子と2個の並列腕共振子とが接続されている
ラダー型回路が構成される。
59により入力端に接続されている。また、SAW共振
子54は、ボンディングワイヤ60により出力端に接続
されている。そして、SAW共振子52,53を接続し
ている接続電極61aにボンディングワイヤ62の一端
が接続されている。ボンディングワイヤ62の他端は、
SAW共振子55に接続されている。同様に、SAW共
振子53,54を接続している接続電極61bにボンデ
ィングワイヤ63の一端が接続されている。ボンディン
グワイヤ63の他端は、SAW共振子56に接続されて
いる。また、SAW共振子55とSAW共振子56とが
接続電極61cにより接続されている。従って、入出力
端子間(ボンディングワイヤ59,60間)に、3個の
直列腕共振子と2個の並列腕共振子とが接続されている
ラダー型回路が構成される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】表面波装置51におい
て、SAW共振子52〜54を第1の表面波基板57に
形成し、表面波共振子55,56を第2の表面波基板5
8に構成するのは、端面反射型表面波共振子52〜56
が、IDT52a〜56aの両側の一対の側面57a,
57b間または側面58a,58b間の反射を利用して
いるためである。そのため、ボンディングワイヤ62,
63を用い、表面波基板57と表面波基板58間を電気
的に接続しなければならず、ボンディングワイヤ62,
63が必要であるだけでなく、その接合作業が煩雑であ
った。
て、SAW共振子52〜54を第1の表面波基板57に
形成し、表面波共振子55,56を第2の表面波基板5
8に構成するのは、端面反射型表面波共振子52〜56
が、IDT52a〜56aの両側の一対の側面57a,
57b間または側面58a,58b間の反射を利用して
いるためである。そのため、ボンディングワイヤ62,
63を用い、表面波基板57と表面波基板58間を電気
的に接続しなければならず、ボンディングワイヤ62,
63が必要であるだけでなく、その接合作業が煩雑であ
った。
【0007】加えて、側面57a,57b,58a,5
8bを高精度に形成するために、表面波基板57,58
をそれぞれダイシングにより切り出さなければならない
が、ダイシングの回数が多く、その点からも、製造工程
が煩雑であった。
8bを高精度に形成するために、表面波基板57,58
をそれぞれダイシングにより切り出さなければならない
が、ダイシングの回数が多く、その点からも、製造工程
が煩雑であった。
【0008】本発明の目的は、SHタイプの表面波を利
用した複数の表面波共振子を接続してなる表面波装置で
あって、ボンディングワイヤの数を低減することがで
き、ボンディングワイヤによる接合作業やダイシング工
程の簡略化を果たし得る、小型であり、かつ安価な表面
波装置を提供することにある。
用した複数の表面波共振子を接続してなる表面波装置で
あって、ボンディングワイヤの数を低減することがで
き、ボンディングワイヤによる接合作業やダイシング工
程の簡略化を果たし得る、小型であり、かつ安価な表面
波装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、SHタイプの表面波を利用した複数の表面波素子を
接続してなる表面波装置であって、同一表面波基板に、
SHタイプの表面波を利用した複数の表面波素子が構成
されており、前記表面波素子が、表面波基板の上面にお
いて側面にほぼ沿うように形成されたIDTと、IDT
の上記側面とは反対側に配置された反射器とを有し、表
面波基板の側面による端面反射と、反射器による反射と
を利用した表面波共振子であることを特徴とする。
は、SHタイプの表面波を利用した複数の表面波素子を
接続してなる表面波装置であって、同一表面波基板に、
SHタイプの表面波を利用した複数の表面波素子が構成
されており、前記表面波素子が、表面波基板の上面にお
いて側面にほぼ沿うように形成されたIDTと、IDT
の上記側面とは反対側に配置された反射器とを有し、表
面波基板の側面による端面反射と、反射器による反射と
を利用した表面波共振子であることを特徴とする。
【0010】本発明に係る表面波装置は、複数の表面波
素子を接続してなる構成を有するが、この接続の態様に
ついては、用途に応じて適宜の回路構成を有するように
設計し得る。例えば、請求項2に記載の発明のように、
複数の表面波素子がラダー型回路を構成するように、表
面波基板上において複数の表面波素子を電気的に接続し
た構成としてもよく、あるいは、請求項3に記載のよう
に、格子型フィルタ回路を構成するように、複数の表面
波素子を表面波基板上において電気的に接続した構成と
してもよい。
素子を接続してなる構成を有するが、この接続の態様に
ついては、用途に応じて適宜の回路構成を有するように
設計し得る。例えば、請求項2に記載の発明のように、
複数の表面波素子がラダー型回路を構成するように、表
面波基板上において複数の表面波素子を電気的に接続し
た構成としてもよく、あるいは、請求項3に記載のよう
に、格子型フィルタ回路を構成するように、複数の表面
波素子を表面波基板上において電気的に接続した構成と
してもよい。
【0011】
(第1の実施例)図1は、本発明の第1の実施例に係る
表面波装置を示す斜視図である。表面波装置1は、SH
タイプの表面波としてのBGS波を利用した複数の表面
波素子を接続してなるラダー型フィルタである。
表面波装置を示す斜視図である。表面波装置1は、SH
タイプの表面波としてのBGS波を利用した複数の表面
波素子を接続してなるラダー型フィルタである。
【0012】表面波装置1は、矩形の表面波基板2を用
いて構成されている。表面波基板2は、例えばLiTa
O3 、LiNbO3 もしくは水晶などの圧電単結晶また
は圧電セラミックスにより構成され得る。表面基板2の
上面には、IDT3〜5が、表面波基板2の側面2aに
沿うように形成されている。また、表面波基板2の側面
2bに沿うように、表面波基板2の上面にIDT6,7
が形成されている。
いて構成されている。表面波基板2は、例えばLiTa
O3 、LiNbO3 もしくは水晶などの圧電単結晶また
は圧電セラミックスにより構成され得る。表面基板2の
上面には、IDT3〜5が、表面波基板2の側面2aに
沿うように形成されている。また、表面波基板2の側面
2bに沿うように、表面波基板2の上面にIDT6,7
が形成されている。
【0013】すなわち、IDT3〜5は、それぞれ、互
いに間挿し合う1以上の電極指を有するくし型電極によ
り構成されており、表面波伝搬方向外側の一方の電極指
が側面2aに沿うように形成されている。また、IDT
3〜5の側面2aとは表面波伝搬方向反対側には、それ
ぞれ、反射器8〜10が形成されている。反射器8〜1
0は、何れも、複数本の電極指を両端で短絡してなるグ
レーティング型反射器により構成されている。
いに間挿し合う1以上の電極指を有するくし型電極によ
り構成されており、表面波伝搬方向外側の一方の電極指
が側面2aに沿うように形成されている。また、IDT
3〜5の側面2aとは表面波伝搬方向反対側には、それ
ぞれ、反射器8〜10が形成されている。反射器8〜1
0は、何れも、複数本の電極指を両端で短絡してなるグ
レーティング型反射器により構成されている。
【0014】IDT3及び反射器8が形成されている部
分において直列腕共振子S1が構成されている。この直
列腕共振子S1では、IDT3で励振された表面波が側
面2aと反射器8とで反射され、閉じ込められる。すな
わち、端面反射型表面波共振子では、IDTの両側の端
面間で表面波が閉じ込められるのに対し、直列腕共振子
S1では、IDT3の一方側では端面としての側面2a
で表面波が反射され、他方側は反射器8で反射されて、
表面波が閉じ込められている。同様に、IDT4及び反
射器9により直列腕共振子S2が、IDT5及び反射器
10により直列腕共振子3が構成されている。
分において直列腕共振子S1が構成されている。この直
列腕共振子S1では、IDT3で励振された表面波が側
面2aと反射器8とで反射され、閉じ込められる。すな
わち、端面反射型表面波共振子では、IDTの両側の端
面間で表面波が閉じ込められるのに対し、直列腕共振子
S1では、IDT3の一方側では端面としての側面2a
で表面波が反射され、他方側は反射器8で反射されて、
表面波が閉じ込められている。同様に、IDT4及び反
射器9により直列腕共振子S2が、IDT5及び反射器
10により直列腕共振子3が構成されている。
【0015】また、側面2b側に形成されたIDT6,
7も同様に表面波共振子を構成している。すなわち、I
DT6の側面2bとは表面波伝搬方向反対側に反射器1
1が形成されている。この反射器11と側面2b間でI
DT6で励振された表面波が閉じ込められる。また、I
DT7の側面2bとは表面波伝搬方向反対側に反射器1
2が形成されている。IDT6及び反射器11により並
列腕共振子P1が構成されており、IDT7及び反射器
12により並列腕共振子P2が構成されている。
7も同様に表面波共振子を構成している。すなわち、I
DT6の側面2bとは表面波伝搬方向反対側に反射器1
1が形成されている。この反射器11と側面2b間でI
DT6で励振された表面波が閉じ込められる。また、I
DT7の側面2bとは表面波伝搬方向反対側に反射器1
2が形成されている。IDT6及び反射器11により並
列腕共振子P1が構成されており、IDT7及び反射器
12により並列腕共振子P2が構成されている。
【0016】直列腕共振子S1は、ボンディングワイヤ
13により入力端子INに接続されている。直列腕共振
子S3は、ボンディングワイヤ14により出力端子OU
Tに接続されている。また、直列腕共振子S1と直列腕
共振子S2とは接続電極15aにより電気的に接続され
ており、同様に、直列腕共振子S2と直列腕共振子S3
とが接続電極15bにより接続されている。
13により入力端子INに接続されている。直列腕共振
子S3は、ボンディングワイヤ14により出力端子OU
Tに接続されている。また、直列腕共振子S1と直列腕
共振子S2とは接続電極15aにより電気的に接続され
ており、同様に、直列腕共振子S2と直列腕共振子S3
とが接続電極15bにより接続されている。
【0017】また、接続電極15aに、接続電極16a
の一端が接続されている。接続電極16aの他端は、並
列腕共振子P1に接続されている。また、並列腕共振子
P1と並列腕共振子P2とが接続電極16bにより接続
されている。接続電極16bに、ボンディングワイヤ1
7が接続されている。ボンディングワイヤ17はアース
電位に接続される。
の一端が接続されている。接続電極16aの他端は、並
列腕共振子P1に接続されている。また、並列腕共振子
P1と並列腕共振子P2とが接続電極16bにより接続
されている。接続電極16bに、ボンディングワイヤ1
7が接続されている。ボンディングワイヤ17はアース
電位に接続される。
【0018】また、並列腕共振子P2は、接続電極16
cにより接続電極15bに接続されている。従って、直
列腕共振子S1〜S3及び並列腕共振子P1,P2は、
図2に回路図で示すように、ラダー型回路を構成してい
る。すなわち、単一の表面基板2上に、上記IDT3〜
7及び反射器8〜12並びに接続電極15a,15b,
16a〜16cを形成することにより、ラダー型フィル
タが構成されている。
cにより接続電極15bに接続されている。従って、直
列腕共振子S1〜S3及び並列腕共振子P1,P2は、
図2に回路図で示すように、ラダー型回路を構成してい
る。すなわち、単一の表面基板2上に、上記IDT3〜
7及び反射器8〜12並びに接続電極15a,15b,
16a〜16cを形成することにより、ラダー型フィル
タが構成されている。
【0019】上記IDT3〜7及び反射器8〜12並び
に接続電極15a,15b,16a〜16cは、何れ
も、アルミニウム、Ag、Cuなどの適宜の金属もしく
は合金などの導電性材料により形成することができ、そ
の場合、蒸着、メッキ、スパッタリング、導電ペースト
の塗布・硬化などの適宜の方法により形成し得る。
に接続電極15a,15b,16a〜16cは、何れ
も、アルミニウム、Ag、Cuなどの適宜の金属もしく
は合金などの導電性材料により形成することができ、そ
の場合、蒸着、メッキ、スパッタリング、導電ペースト
の塗布・硬化などの適宜の方法により形成し得る。
【0020】本実施例の表面波装置1を得るにあたって
は、表面波を反射させるための端面を切り出すに際して
は、側面2a,2bをダイシングにより露出させるだけ
でよい。すなわち、図15に示した表面波装置51で
は、表面波基板57の一対の側面57a,57b及び表
面波基板58の一対の側面58a,58bをダイシング
により形成しなければならず、4回のダイシング工程を
実施しなければならなかったのに対し、本実施例では、
正確に端面を形成する必要があるダイシング工程を2回
実施するだけでよい。
は、表面波を反射させるための端面を切り出すに際して
は、側面2a,2bをダイシングにより露出させるだけ
でよい。すなわち、図15に示した表面波装置51で
は、表面波基板57の一対の側面57a,57b及び表
面波基板58の一対の側面58a,58bをダイシング
により形成しなければならず、4回のダイシング工程を
実施しなければならなかったのに対し、本実施例では、
正確に端面を形成する必要があるダイシング工程を2回
実施するだけでよい。
【0021】加えて、各表面波共振子S1〜S3及びP
1,P2間の接続が、全て、表面波基板2上に形成され
た導電パターンよりなる接続電極15a,15b,16
a〜16cにより行われている。従って、表面波共振子
間を接続するのにボンディングワイヤを必要としないた
め、ボンディングワイヤの使用本数を低減することがで
きると共に、ボンディングワイヤによる煩雑な接合作業
を簡略化することができる。すなわち、表面波装置1で
は、必要とするボンディングワイヤ13,14,17
は、表面波装置1を入力端子、出力端子及びアース電位
に接続するのに用いられているだけであり、ラダー型回
路の内部の接続部分におけるボンディングワイヤの使用
を省略することができる。
1,P2間の接続が、全て、表面波基板2上に形成され
た導電パターンよりなる接続電極15a,15b,16
a〜16cにより行われている。従って、表面波共振子
間を接続するのにボンディングワイヤを必要としないた
め、ボンディングワイヤの使用本数を低減することがで
きると共に、ボンディングワイヤによる煩雑な接合作業
を簡略化することができる。すなわち、表面波装置1で
は、必要とするボンディングワイヤ13,14,17
は、表面波装置1を入力端子、出力端子及びアース電位
に接続するのに用いられているだけであり、ラダー型回
路の内部の接続部分におけるボンディングワイヤの使用
を省略することができる。
【0022】(第2の実施例)図3は、本発明の第2の
実施例に係る表面波装置を示す斜視図である。本実施例
の表面波装置21は、4個の表面波共振子を接続してな
るBGS波を利用した格子型フィルタである。
実施例に係る表面波装置を示す斜視図である。本実施例
の表面波装置21は、4個の表面波共振子を接続してな
るBGS波を利用した格子型フィルタである。
【0023】表面波装置21は、表面波基板22を用い
て構成されている。表面波基板22は、第1の実施例で
用いた表面波基板2と同様の材料で構成し得る。表面波
基板22上には、側面22aに沿うようにIDT23,
24が形成されている。また、側面22aとは対向する
側面22bに沿うように、表面波基板22上にIDT2
5,26が形成されている。
て構成されている。表面波基板22は、第1の実施例で
用いた表面波基板2と同様の材料で構成し得る。表面波
基板22上には、側面22aに沿うようにIDT23,
24が形成されている。また、側面22aとは対向する
側面22bに沿うように、表面波基板22上にIDT2
5,26が形成されている。
【0024】IDT23〜26は、何れも、1以上の電
極指を有するくし歯電極を互いに電極指が間挿し合うよ
うに配置した構成を有する。また、表面波伝搬方向最も
外側の電極指のうち一方の電極指が側面22aまたは側
面22bに沿うように形成されている。
極指を有するくし歯電極を互いに電極指が間挿し合うよ
うに配置した構成を有する。また、表面波伝搬方向最も
外側の電極指のうち一方の電極指が側面22aまたは側
面22bに沿うように形成されている。
【0025】IDT23,24では、IDT23,24
の表面波伝搬方向において側面22aとは反対側に反射
器27,28が形成されている。従って、IDT23で
励振された表面波は、側面22aと反射器27との間で
反射され、閉じ込められる。よって、第1の実施例で示
した表面波共振子S1と同様に表面波共振子として動作
し得る。すなわち、IDT23と反射器27とにより、
1個の表面波共振子R1が構成されている。同様に、I
DT24及び反射器28が形成されている部分において
表面波共振子R2が構成されている。
の表面波伝搬方向において側面22aとは反対側に反射
器27,28が形成されている。従って、IDT23で
励振された表面波は、側面22aと反射器27との間で
反射され、閉じ込められる。よって、第1の実施例で示
した表面波共振子S1と同様に表面波共振子として動作
し得る。すなわち、IDT23と反射器27とにより、
1個の表面波共振子R1が構成されている。同様に、I
DT24及び反射器28が形成されている部分において
表面波共振子R2が構成されている。
【0026】また、IDT25,26が配置されている
側においても、IDT25,26の側面22bとは表面
波伝搬方向反対側に反射器29,30が形成されてい
る。すなわち、IDT25と反射器29とにより表面波
共振子R3が、IDT26と反射器30により表面波共
振子R4が構成されている。表面波共振子R3,R4に
おいても、表面波は側面22bと、反射器29または反
射器30との間で表面波が閉じ込められる。
側においても、IDT25,26の側面22bとは表面
波伝搬方向反対側に反射器29,30が形成されてい
る。すなわち、IDT25と反射器29とにより表面波
共振子R3が、IDT26と反射器30により表面波共
振子R4が構成されている。表面波共振子R3,R4に
おいても、表面波は側面22bと、反射器29または反
射器30との間で表面波が閉じ込められる。
【0027】表面波共振子R1と表面波共振子R3と
は、表面波基板22上に導電パターンを形成することに
より構成された接続電極31aにより相互に電気的に接
続されている。この接続電極31aにボンディングワイ
ヤ32が接続されている。
は、表面波基板22上に導電パターンを形成することに
より構成された接続電極31aにより相互に電気的に接
続されている。この接続電極31aにボンディングワイ
ヤ32が接続されている。
【0028】また、表面波共振子R1と表面波共振子R
2とが接続電極31bにより電気的に接続されており、
表面波共振子R3と表面波共振子R4とが接続電極31
cにより電気的に接続されている。接続電極31b,3
1cには、それぞれボンディングワイヤ33,34が接
続されている。また、表面波共振子R2,表面波共振子
R4とが接続電極31dにより相互に接続されている。
接続電極31dにはボンディングワイヤ35が接続され
る。
2とが接続電極31bにより電気的に接続されており、
表面波共振子R3と表面波共振子R4とが接続電極31
cにより電気的に接続されている。接続電極31b,3
1cには、それぞれボンディングワイヤ33,34が接
続されている。また、表面波共振子R2,表面波共振子
R4とが接続電極31dにより相互に接続されている。
接続電極31dにはボンディングワイヤ35が接続され
る。
【0029】従って、表面波装置21においては、ボン
ディングワイヤ32〜35間において、図4に回路図で
示すように、表面波共振子R1〜R4が格子型に接続さ
れた格子型フィルタが構成される。
ディングワイヤ32〜35間において、図4に回路図で
示すように、表面波共振子R1〜R4が格子型に接続さ
れた格子型フィルタが構成される。
【0030】本実施例においても、図4に回路構成を示
す格子型フィルタを構成するにあたり、表面波基板22
の端面反射のためのダイシングについては、側面22
a,22bを切り出すためのダイシングのみを実施すれ
ばよい。すなわち、ダイシングを2回行うだけで、表面
波基板22を得ることができ、ダイシング工程の簡略化
を果たし得る。
す格子型フィルタを構成するにあたり、表面波基板22
の端面反射のためのダイシングについては、側面22
a,22bを切り出すためのダイシングのみを実施すれ
ばよい。すなわち、ダイシングを2回行うだけで、表面
波基板22を得ることができ、ダイシング工程の簡略化
を果たし得る。
【0031】加えて、格子型フィルタを構成するための
各表面波共振子R1〜R4の接続については、表面波基
板22上に導電パターンを形成することにより上記接続
電極31a〜31dを形成することにより行われる。す
なわち、各共振子間の電気的接続に際し、ボンディング
ワイヤを用いる必要がないため、ボンディングワイヤの
使用数の低減及びボンディングワイヤによる煩雑な接合
工程の簡略化を果たし得る。
各表面波共振子R1〜R4の接続については、表面波基
板22上に導電パターンを形成することにより上記接続
電極31a〜31dを形成することにより行われる。す
なわち、各共振子間の電気的接続に際し、ボンディング
ワイヤを用いる必要がないため、ボンディングワイヤの
使用数の低減及びボンディングワイヤによる煩雑な接合
工程の簡略化を果たし得る。
【0032】(変形例)第1,第2の実施例では、それ
ぞれ、ラダー型フィルタ及び格子型フィルタを構成する
ための表面波装置についての例を示したが、本発明に係
る表面波装置は、このような回路構成を実現するものに
限定されず、従来より公知の様々な複数のSAW共振子
を接続してなる表面波装置一般に適用することができ
る。例えば、従来、図5〜図9に示すSAW共振子フィ
ルタ61,62,63,64,65が知られている。な
お、図5〜図9において、IDTについてはそれぞれ、
参照番号66により、反射器については参照番号67で
示すこととする。
ぞれ、ラダー型フィルタ及び格子型フィルタを構成する
ための表面波装置についての例を示したが、本発明に係
る表面波装置は、このような回路構成を実現するものに
限定されず、従来より公知の様々な複数のSAW共振子
を接続してなる表面波装置一般に適用することができ
る。例えば、従来、図5〜図9に示すSAW共振子フィ
ルタ61,62,63,64,65が知られている。な
お、図5〜図9において、IDTについてはそれぞれ、
参照番号66により、反射器については参照番号67で
示すこととする。
【0033】すなわち、従来のSAW共振子フィルタ6
1〜65は、何れも、IDT66の両側に反射器67,
67を配置した構成を適宜組み合わせた構造を有する。
このようなSAW共振子フィルタ61〜65において
も、一方の反射器67を省略し、省略した反射器に代え
て表面基板の端面を利用し端面反射型の構成とすること
により、本発明に係る表面波装置とすることができる。
図10〜図14は、図5〜図9に示した各SAW共振子
フィルタ61〜65について、本発明に従って各SAW
共振子を構成した本発明の変形例に係る表面波装置41
〜45を示す。なお、図10〜図14においては、ID
Tを参照番号46で、反射器を参照番号47で示す。ま
た、反射器47と反対側に位置する端面すなわち表面波
基板の側面については図示を省略してある。
1〜65は、何れも、IDT66の両側に反射器67,
67を配置した構成を適宜組み合わせた構造を有する。
このようなSAW共振子フィルタ61〜65において
も、一方の反射器67を省略し、省略した反射器に代え
て表面基板の端面を利用し端面反射型の構成とすること
により、本発明に係る表面波装置とすることができる。
図10〜図14は、図5〜図9に示した各SAW共振子
フィルタ61〜65について、本発明に従って各SAW
共振子を構成した本発明の変形例に係る表面波装置41
〜45を示す。なお、図10〜図14においては、ID
Tを参照番号46で、反射器を参照番号47で示す。ま
た、反射器47と反対側に位置する端面すなわち表面波
基板の側面については図示を省略してある。
【0034】このように、本発明に係る表面波装置は、
SHタイプの表面波を利用した複数の表面波素子を接続
してなる様々な表面波装置に適用し得るものである。な
お、本発明において、SHタイプの表面波としては、上
述したBGS波に限定されず、ラブ波、漏洩弾性表面波
などの適宜のSHタイプの表面波を用いることができ
る。
SHタイプの表面波を利用した複数の表面波素子を接続
してなる様々な表面波装置に適用し得るものである。な
お、本発明において、SHタイプの表面波としては、上
述したBGS波に限定されず、ラブ波、漏洩弾性表面波
などの適宜のSHタイプの表面波を用いることができ
る。
【0035】
【発明の効果】請求項1に記載の発明に係る表面波装置
では、単一の表面波基板にSHタイプの表面波を利用し
た複数の表面波素子が構成されており、各表面波素子
が、表面波基板の上面において表面波基板の側面にほぼ
沿うように形成されたIDTとIDTの該側面とは反対
側に配置された反射器とを有し、表面波基板の該側面に
よる端面反射と反射器による反射とを利用した表面波共
振子とされているため、表面波基板のダイシング回数を
低減することができる。
では、単一の表面波基板にSHタイプの表面波を利用し
た複数の表面波素子が構成されており、各表面波素子
が、表面波基板の上面において表面波基板の側面にほぼ
沿うように形成されたIDTとIDTの該側面とは反対
側に配置された反射器とを有し、表面波基板の該側面に
よる端面反射と反射器による反射とを利用した表面波共
振子とされているため、表面波基板のダイシング回数を
低減することができる。
【0036】また、単一の表面波基板上に複数の表面波
素子が構成されているので、該複数の表面波素子間の電
気的接続を、表面波基板上に形成された1以上の接続電
極により行うことができ、従って、表面波共振子間の接
合にボンディングワイヤを用いる必要がないため、ボン
ディングワイヤの使用数の低減及びボンディングワイヤ
による煩雑な接合工程を簡略化することができる。しか
も、単一の表面波基板において全ての表面波共振子を構
成し得るので、表面波装置の小型化も図り得る。
素子が構成されているので、該複数の表面波素子間の電
気的接続を、表面波基板上に形成された1以上の接続電
極により行うことができ、従って、表面波共振子間の接
合にボンディングワイヤを用いる必要がないため、ボン
ディングワイヤの使用数の低減及びボンディングワイヤ
による煩雑な接合工程を簡略化することができる。しか
も、単一の表面波基板において全ての表面波共振子を構
成し得るので、表面波装置の小型化も図り得る。
【0037】よって、小型であるだけでなく、安価に複
数の表面波素子を接続してなる表面波装置を提供するこ
とが可能となり、例えば、請求項2に記載のように、ラ
ダー型回路を構成するように複数の表面波素子を表面波
基板上において電気的に接続することにより、あるいは
請求項3に記載のように、格子型フィルタ回路を構成す
るように複数の表面波素子を表面波基板上において電気
的に接続しておくことにより、ラダー型フィルタや格子
型フィルタなどの様々なフィルタ装置等を容易に実現す
ることができる。
数の表面波素子を接続してなる表面波装置を提供するこ
とが可能となり、例えば、請求項2に記載のように、ラ
ダー型回路を構成するように複数の表面波素子を表面波
基板上において電気的に接続することにより、あるいは
請求項3に記載のように、格子型フィルタ回路を構成す
るように複数の表面波素子を表面波基板上において電気
的に接続しておくことにより、ラダー型フィルタや格子
型フィルタなどの様々なフィルタ装置等を容易に実現す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に係る表面波装置を示す
斜視図。
斜視図。
【図2】図1に示した表面波装置の回路構成を示す図。
【図3】本発明の第2の実施例に係る表面波装置を示す
斜視図。
斜視図。
【図4】図3に示した表面波装置の回路構成を示す図。
【図5】従来のSAW共振子フィルタの第1の例を示す
模式的平面図。
模式的平面図。
【図6】従来のSAW共振子フィルタの第2の例を示す
模式的平面図。
模式的平面図。
【図7】従来のSAW共振子フィルタの第3の例を示す
模式的平面図。
模式的平面図。
【図8】従来のSAW共振子フィルタの第4の例を示す
模式的平面図。
模式的平面図。
【図9】従来のSAW共振子フィルタの第5の例を示す
模式的平面図。
模式的平面図。
【図10】図5に示した従来のSAW共振子フィルタに
ついて適用した本発明の表面波装置を示す模式的平面
図。
ついて適用した本発明の表面波装置を示す模式的平面
図。
【図11】図6に示した従来のSAW共振子フィルタに
ついて適用した本発明の表面波装置を示す模式的平面
図。
ついて適用した本発明の表面波装置を示す模式的平面
図。
【図12】図7に示した従来のSAW共振子フィルタに
ついて適用した本発明の表面波装置を示す模式的平面
図。
ついて適用した本発明の表面波装置を示す模式的平面
図。
【図13】図8に示した従来のSAW共振子フィルタに
ついて適用した本発明の表面波装置を示す模式的平面
図。
ついて適用した本発明の表面波装置を示す模式的平面
図。
【図14】図9に示した従来のSAW共振子フィルタに
ついて適用した本発明の表面波装置を示す模式的平面
図。
ついて適用した本発明の表面波装置を示す模式的平面
図。
【図15】従来のBGS波を利用したラダー型フィルタ
を構成するための表面波装置を説明するための斜視図。
を構成するための表面波装置を説明するための斜視図。
1…表面波装置 2…表面波基板 2a,2b…側面 3〜7…IDT 8〜12…反射器 S1〜S3…直列腕共振子 P1,P2…並列腕共振子 15a,15b,16a〜16c…接続電極 21…表面波装置 22…表面波基板 22a,22b…側面 23〜26…IDT R1〜R4…SAW共振子 27〜30…反射器 31a〜31d…接続電極 41〜45…表面波装置 46…IDT 47…反射器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−101112(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03H 9/64 H03H 9/25
Claims (3)
- 【請求項1】 SHタイプの表面波を利用した複数の表
面波素子を接続してなる表面波装置であって、 同一表面波基板に、SHタイプの表面波を利用した複数
の表面波素子が構成されており、 前記表面波素子が、表面波基板の上面において側面にほ
ぼ沿うように形成されたインターデジタルトランスデュ
ーサと、インターデジタルトランスデューサの上記側面
とは反対側に配置された反射器とを有し、表面波基板の
側面による端面反射と、反射器による反射とを利用した
表面波共振子であることを特徴とする、表面波装置。 - 【請求項2】 前記複数の表面波素子がラダー型回路を
構成するように前記表面波基板上において電気的に接続
されていることを特徴とする、請求項1に記載の表面波
装置。 - 【請求項3】 前記複数の表面波素子が格子型フィルタ
回路を構成するように前記表面波基板上において電気的
に接続されている、請求項1に記載の表面波装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18143397A JP3171144B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | 表面波装置 |
US09/103,322 US6127769A (en) | 1997-07-07 | 1998-06-23 | Surface acoustic wave device |
TW087110149A TW437165B (en) | 1997-07-07 | 1998-06-24 | Surface acoustic wave device |
SG1998001520A SG75854A1 (en) | 1997-07-07 | 1998-06-25 | Surface acoustic wave device |
NL1009560A NL1009560C2 (nl) | 1997-07-07 | 1998-07-06 | Oppervlaktegeluidsgolfinrichting. |
KR1019980027239A KR100290803B1 (ko) | 1997-07-07 | 1998-07-07 | 탄성표면파장치 |
CNB981154514A CN1144358C (zh) | 1997-07-07 | 1998-07-07 | 声表面波器件 |
DE19830315A DE19830315C2 (de) | 1997-07-07 | 1998-07-07 | Oberflächenwellenelement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18143397A JP3171144B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | 表面波装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1127093A JPH1127093A (ja) | 1999-01-29 |
JP3171144B2 true JP3171144B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=16100697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18143397A Expired - Fee Related JP3171144B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | 表面波装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JP3171144B2 (ja) |
KR (1) | KR100290803B1 (ja) |
CN (1) | CN1144358C (ja) |
DE (1) | DE19830315C2 (ja) |
NL (1) | NL1009560C2 (ja) |
SG (1) | SG75854A1 (ja) |
TW (1) | TW437165B (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0998039B1 (en) * | 1997-07-18 | 2016-12-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter |
JP3341709B2 (ja) * | 1998-06-01 | 2002-11-05 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置及びそれを用いた通信装置 |
JP2000295071A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Murata Mfg Co Ltd | 端面反射型表面波装置 |
JP3353742B2 (ja) * | 1999-05-07 | 2002-12-03 | 株式会社村田製作所 | 表面波共振子、表面波装置、通信機装置 |
JP3568025B2 (ja) * | 1999-05-14 | 2004-09-22 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置及び通信機装置 |
JP3317274B2 (ja) * | 1999-05-26 | 2002-08-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法 |
DE19932649A1 (de) * | 1999-07-13 | 2001-02-08 | Epcos Ag | SAW-Filter des Reaktanzfiltertyps mit verbesserter Sperrbereichsunterdrückung und Verfahren zur Optimierung der Sperrbereichsunterdrückung |
TW512587B (en) * | 1999-07-22 | 2002-12-01 | Murata Manufacturing Co | Surface acoustic wave device and communication apparatus |
JP3376969B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2003-02-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JP2001308675A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波フィルタ及び共用器、通信機装置 |
JP3402311B2 (ja) * | 2000-05-19 | 2003-05-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
JP3797155B2 (ja) * | 2000-09-06 | 2006-07-12 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型表面波装置の周波数調整方法 |
KR100483299B1 (ko) * | 2001-01-10 | 2005-04-18 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 장치 및 그 제조 방법 |
JP3412621B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2003-06-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
US6747412B2 (en) * | 2001-05-11 | 2004-06-08 | Bernard K. Vancil | Traveling wave tube and method of manufacture |
US6534896B2 (en) * | 2001-05-15 | 2003-03-18 | Nortel Networks Limited | Spatial harmonic transducers for surface wave devices |
KR100437492B1 (ko) * | 2001-11-16 | 2004-06-25 | 주식회사 케이이씨 | 표면 탄성파 소자 |
US7299528B2 (en) * | 2002-11-05 | 2007-11-27 | Lee David M | Method for forming a multi-frequency surface acoustic wave device |
KR101044971B1 (ko) * | 2003-07-30 | 2011-06-29 | 파나소닉 주식회사 | 탄성 표면파 필터 |
JP6335492B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2018-05-30 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波素子 |
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