JP3310212B2 - 塗布・現像処理システムおよび液処理システム - Google Patents
塗布・現像処理システムおよび液処理システムInfo
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03D—APPARATUS FOR PROCESSING EXPOSED PHOTOGRAPHIC MATERIALS; ACCESSORIES THEREFOR
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板例えば
半導体ウエハを搬送する搬送装置の周囲に、基板に塗布
処理、現像処理およびこれらの前後処理を施す複数の処
理ユニットを配置した塗布・現像処理システムおよび液
処理システムに関する。
半導体ウエハを搬送する搬送装置の周囲に、基板に塗布
処理、現像処理およびこれらの前後処理を施す複数の処
理ユニットを配置した塗布・現像処理システムおよび液
処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては、被処理基板例えば半導体ウエハに処理液例え
ばフォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ技術
を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト膜を
露光し、これを現像処理する一連の処理工程がある。こ
の処理工程は、半導体デバイスの高集積化には極めて重
要なプロセスである。
おいては、被処理基板例えば半導体ウエハに処理液例え
ばフォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ技術
を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト膜を
露光し、これを現像処理する一連の処理工程がある。こ
の処理工程は、半導体デバイスの高集積化には極めて重
要なプロセスである。
【０００３】このような処理工程においては、半導体ウ
エハを洗浄ユニットにて洗浄した後、半導体ウエハにア
ドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理を施し、冷却
処理ユニットにて冷却した後、レジスト塗布ユニットに
てフォトレジスト膜すなわち感光膜を塗布形成する。そ
して、フォトレジスト膜を熱処理ユニットにて加熱して
ベーキング処理（プリベーク）を施した後、露光ユニッ
トにて所定のパターンを露光し、そして、露光後の半導
体ウエハを現像ユニットにて現像液を塗布して所定のパ
ターンを形成した後に、ベーキング処理（ポストベー
ク）を施して高分子化のための熱変成、半導体ウエハと
パターンとの密着性を強化している。
エハを洗浄ユニットにて洗浄した後、半導体ウエハにア
ドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理を施し、冷却
処理ユニットにて冷却した後、レジスト塗布ユニットに
てフォトレジスト膜すなわち感光膜を塗布形成する。そ
して、フォトレジスト膜を熱処理ユニットにて加熱して
ベーキング処理（プリベーク）を施した後、露光ユニッ
トにて所定のパターンを露光し、そして、露光後の半導
体ウエハを現像ユニットにて現像液を塗布して所定のパ
ターンを形成した後に、ベーキング処理（ポストベー
ク）を施して高分子化のための熱変成、半導体ウエハと
パターンとの密着性を強化している。
【０００４】このような塗布・現像処理システムの一つ
のタイプとして、垂直方向に延在された搬送路の周囲
に、上記の複数の処理ユニットが垂直方向に積層して配
置され、この搬送路を垂直に移動する移載機構によっ
て、半導体ウエハを各処理ユニットに搬入・搬出するよ
うにしたものがある。このような処理システムでは、洗
浄ユニット、アドヒージョン処理ユニット、ベーキング
処理ユニット等が一つの処理群として積層され、さら
に、レジスト塗布ユニットと現像処理ユニットとが他の
一つの処理群として積層されている。
のタイプとして、垂直方向に延在された搬送路の周囲
に、上記の複数の処理ユニットが垂直方向に積層して配
置され、この搬送路を垂直に移動する移載機構によっ
て、半導体ウエハを各処理ユニットに搬入・搬出するよ
うにしたものがある。このような処理システムでは、洗
浄ユニット、アドヒージョン処理ユニット、ベーキング
処理ユニット等が一つの処理群として積層され、さら
に、レジスト塗布ユニットと現像処理ユニットとが他の
一つの処理群として積層されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような塗布・現像工程においては、レジスト液を半導体
ウエハ表面に塗布する前工程として半導体ウエハ表面の
疎水化処理を行う際に、アミン系溶剤を使用しているた
め、アミン等のアルカリ成分が生成される。また、露光
処理時の異常露光の発生を防止するため使用する反射防
止膜である塗布剤の溶剤としてアミン系溶剤を使用して
いるため、同様にアミン等のアルカリ成分が生成され
る。
ような塗布・現像工程においては、レジスト液を半導体
ウエハ表面に塗布する前工程として半導体ウエハ表面の
疎水化処理を行う際に、アミン系溶剤を使用しているた
め、アミン等のアルカリ成分が生成される。また、露光
処理時の異常露光の発生を防止するため使用する反射防
止膜である塗布剤の溶剤としてアミン系溶剤を使用して
いるため、同様にアミン等のアルカリ成分が生成され
る。
【０００６】このような疎水化工程や塗布工程でアミン
等のアルカリ成分が生成されると、上述したタイプの塗
布・現像処理システムにおいては、レジスト塗布ユニッ
トと現像処理ユニットとが一つの処理群として積層され
ているため、このようなアルカリ成分が、現像処理ユニ
ット内に流入されるおそれがある。
等のアルカリ成分が生成されると、上述したタイプの塗
布・現像処理システムにおいては、レジスト塗布ユニッ
トと現像処理ユニットとが一つの処理群として積層され
ているため、このようなアルカリ成分が、現像処理ユニ
ット内に流入されるおそれがある。
【０００７】このようにアルカリ成分が現像工程に流入
されると、さらに高集積化された場合には、現像工程に
おいて回路パターンの正確な線幅が得られず、また、Ｉ
Ｃ素子の歩留まりの低下を招来するといったことも考え
られる。
されると、さらに高集積化された場合には、現像工程に
おいて回路パターンの正確な線幅が得られず、また、Ｉ
Ｃ素子の歩留まりの低下を招来するといったことも考え
られる。
【０００８】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、塗布処理と現像処理とが相互干渉せず、さらに
高集積化が進んだ場合であっても、回路パターンの正確
な線幅を得ることができると共に、歩留まりを一層向上
することができる塗布・現像処理システム、および２つ
の液処理が相互干渉しない液処理システムを提供するこ
とを目的とする。
であり、塗布処理と現像処理とが相互干渉せず、さらに
高集積化が進んだ場合であっても、回路パターンの正確
な線幅を得ることができると共に、歩留まりを一層向上
することができる塗布・現像処理システム、および２つ
の液処理が相互干渉しない液処理システムを提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】 上記課題を解決するため
に、 第１発明は、垂直方向に基板を搬送する搬送装置
と、この搬送装置の周囲に垂直方向に積層して配置さ
れ、前記搬送装置により搬送された基板に、塗布処理お
よび現像処理の前後で熱系処理を含む所定の処理を施す
ための複数の前後処理ユニットが積層して構成された積
層体と、前記搬送装置の一方の側に配置され、前記搬送
装置により搬送された基板に塗布処理を施すための塗布
処理ユニットと、前記搬送装置の他方側に、前記塗布処
理ユニットに対向するように配置され、前記搬送装置に
より搬送された基板に現像処理を施すための現像処理ユ
ニットとを具備し、 前記積層体は、前記塗布処理ユニッ
トと現像処理ユニットとの間に配置されていることを特
徴とする塗布・現像処理システムを提供する。
に、 第１発明は、垂直方向に基板を搬送する搬送装置
と、この搬送装置の周囲に垂直方向に積層して配置さ
れ、前記搬送装置により搬送された基板に、塗布処理お
よび現像処理の前後で熱系処理を含む所定の処理を施す
ための複数の前後処理ユニットが積層して構成された積
層体と、前記搬送装置の一方の側に配置され、前記搬送
装置により搬送された基板に塗布処理を施すための塗布
処理ユニットと、前記搬送装置の他方側に、前記塗布処
理ユニットに対向するように配置され、前記搬送装置に
より搬送された基板に現像処理を施すための現像処理ユ
ニットとを具備し、 前記積層体は、前記塗布処理ユニッ
トと現像処理ユニットとの間に配置されていることを特
徴とする塗布・現像処理システムを提供する。
【００１０】第２発明は、垂直方向に基板を搬送する２
つの搬送装置と、これら２つの搬送装置の間に設けら
れ、基板を一時的に載置する中継部と、一方の搬送装置
により基板の搬入出が行われ、搬入された基板に塗布処
理を施すための塗布処理ユニットと、他方の搬送装置に
より基板の搬入出が行われ、搬入された基板に現像処理
を施すための現像処理ユニットと、これら搬送装置の周
囲に設けられ、前記搬送装置により搬送された基板に塗
布処理および現像処理の前後で熱系処理を含む所定の処
理を施すための複数の前後処理ユニットを垂直方向に積
層して構成した複数の積層体と、を具備し、前記一方の
搬送装置と、前記中継部と、前記他方の搬送装置とは、
この順に配置され、前記塗布処理ユニットと前記現像処
理ユニットは、前記一方の搬送装置と、前記中継部と、
前記他方の搬送装置とを間に挟んで互いに反対側に対向
して配置されていることを特徴とする塗布・現像処理シ
ステムを提供する。
つの搬送装置と、これら２つの搬送装置の間に設けら
れ、基板を一時的に載置する中継部と、一方の搬送装置
により基板の搬入出が行われ、搬入された基板に塗布処
理を施すための塗布処理ユニットと、他方の搬送装置に
より基板の搬入出が行われ、搬入された基板に現像処理
を施すための現像処理ユニットと、これら搬送装置の周
囲に設けられ、前記搬送装置により搬送された基板に塗
布処理および現像処理の前後で熱系処理を含む所定の処
理を施すための複数の前後処理ユニットを垂直方向に積
層して構成した複数の積層体と、を具備し、前記一方の
搬送装置と、前記中継部と、前記他方の搬送装置とは、
この順に配置され、前記塗布処理ユニットと前記現像処
理ユニットは、前記一方の搬送装置と、前記中継部と、
前記他方の搬送装置とを間に挟んで互いに反対側に対向
して配置されていることを特徴とする塗布・現像処理シ
ステムを提供する。
【００１１】第３発明は、第２発明において、前記複数
の積層体のうちの一部は前記搬送装置の一方の周囲に設
けられ、残部は前記搬送装置の他方の周囲に設けられ、
一方の搬送装置、その周囲の複数の積層体、および塗布
処理ユニットにより第１の処理部を構成し、他方の搬送
装置、その周囲の複数の積層体、および現像処理ユニッ
トにより第２の処理部を構成することを特徴とする塗布
・現像処理システムを提供する。
の積層体のうちの一部は前記搬送装置の一方の周囲に設
けられ、残部は前記搬送装置の他方の周囲に設けられ、
一方の搬送装置、その周囲の複数の積層体、および塗布
処理ユニットにより第１の処理部を構成し、他方の搬送
装置、その周囲の複数の積層体、および現像処理ユニッ
トにより第２の処理部を構成することを特徴とする塗布
・現像処理システムを提供する。
【００１２】第４発明は、第２発明または第３発明にお
いて、前記複数の積層体は、前記塗布処理ユニットと前
記現像処理ユニットとの間に設けられていることを特徴
とする塗布・現像処理システムを提供する。
いて、前記複数の積層体は、前記塗布処理ユニットと前
記現像処理ユニットとの間に設けられていることを特徴
とする塗布・現像処理システムを提供する。
【００１３】第５発明は、第１発明から第４発明のいず
れかにおいて、前記搬送装置は、垂直方向に延在された
搬送路と、この搬送路に沿って垂直方向に移動しながら
搬送した基板を、前記前後処理ユニット、塗布処理ユニ
ットおよび現像処理ユニットに移載する移載機構とを有
することを特徴とする塗布・現像処理システムを提供す
る。
れかにおいて、前記搬送装置は、垂直方向に延在された
搬送路と、この搬送路に沿って垂直方向に移動しながら
搬送した基板を、前記前後処理ユニット、塗布処理ユニ
ットおよび現像処理ユニットに移載する移載機構とを有
することを特徴とする塗布・現像処理システムを提供す
る。
【００１４】第６発明は、第３発明において、前記第１
および第２の処理部のうち、いずれか一方の処理部に、
処理前の基板および処理後の基板を収納するローダ／ア
ンローダユニットが設けられていることを特徴とする塗
布・現像処理システムを提供する。
および第２の処理部のうち、いずれか一方の処理部に、
処理前の基板および処理後の基板を収納するローダ／ア
ンローダユニットが設けられていることを特徴とする塗
布・現像処理システムを提供する。
【００１５】第７発明は、第３発明または第６発明にお
いて、前記第１および第２の処理部のうち、いずれか一
方の処理部に、基板を露光装置に受け渡すインターフェ
イス装置が設けられていることを特徴とする塗布・現像
処理システムを提供する。
いて、前記第１および第２の処理部のうち、いずれか一
方の処理部に、基板を露光装置に受け渡すインターフェ
イス装置が設けられていることを特徴とする塗布・現像
処理システムを提供する。
【００１６】第８発明は、第１発明から第７発明のいず
れかにおいて、前記塗布処理ユニットおよび前記現像処
理ユニットは、それぞれ複数積層して配置されているこ
とを特徴とする塗布・現像処理システムを提供する。
れかにおいて、前記塗布処理ユニットおよび前記現像処
理ユニットは、それぞれ複数積層して配置されているこ
とを特徴とする塗布・現像処理システムを提供する。
【００１７】第９発明は、基板に対して所定の熱系の処
理を施す複数の熱系の処理ユニットが垂直方向に積層さ
れて構成された積層体と、基板に対して所定の液系の処
理を施す複数の液系の処理ユニットと、これら熱系の処
理ユニットおよび液系の処理ユニットに対して基板を搬
入出し、基板を垂直方向に搬送することができるように
構成された搬送装置とを備えた２組の処理セクションを
具備し、さらに、これら処理セクションの各搬送装置の
間に配置され、各搬送装置が基板を受け渡すために基板
を一時的に載置する中継部を具備し、前記２組のうち一
方の処理セクションに属する搬送装置と、前記中継部
と、他方の処理セクションに属する搬送装置とは、この
順に配置され、前記２組の処理セクションの各液系の処
理ユニットは、前記一方の処理セクションに属する搬送
装置と、前記中継部と、前記他方の処理セクションに属
する搬送装置とを間に挟んで互いに反対側に対向して配
置されていることを特徴とする液処理システムを提供す
る。
理を施す複数の熱系の処理ユニットが垂直方向に積層さ
れて構成された積層体と、基板に対して所定の液系の処
理を施す複数の液系の処理ユニットと、これら熱系の処
理ユニットおよび液系の処理ユニットに対して基板を搬
入出し、基板を垂直方向に搬送することができるように
構成された搬送装置とを備えた２組の処理セクションを
具備し、さらに、これら処理セクションの各搬送装置の
間に配置され、各搬送装置が基板を受け渡すために基板
を一時的に載置する中継部を具備し、前記２組のうち一
方の処理セクションに属する搬送装置と、前記中継部
と、他方の処理セクションに属する搬送装置とは、この
順に配置され、前記２組の処理セクションの各液系の処
理ユニットは、前記一方の処理セクションに属する搬送
装置と、前記中継部と、前記他方の処理セクションに属
する搬送装置とを間に挟んで互いに反対側に対向して配
置されていることを特徴とする液処理システムを提供す
る。
【００１８】第１０発明は、第９発明において、前記搬
送装置は、垂直方向に延在された搬送路と、 この搬送路
に沿って垂直方向に移動しながら搬送した基板を、前記
熱系の処理ユニットまたは液系の処理ユニットに移載す
る移載機構とを有することを特徴とする液処理システム
を提供する。
送装置は、垂直方向に延在された搬送路と、 この搬送路
に沿って垂直方向に移動しながら搬送した基板を、前記
熱系の処理ユニットまたは液系の処理ユニットに移載す
る移載機構とを有することを特徴とする液処理システム
を提供する。
【００１９】第１１発明は、第９発明または第１０発明
において、前記積層体は、前記２つの液系の処理ユニッ
トの間に設けられていることを特徴とする液処理システ
ムを提供する。
において、前記積層体は、前記２つの液系の処理ユニッ
トの間に設けられていることを特徴とする液処理システ
ムを提供する。
【００２０】第１２発明は、第９発明から第１１発明の
いずれかにおいて、前記液系の処理ユニットは複数積層
して配置されていることを特徴とするの液処理システム
を提供する。
いずれかにおいて、前記液系の処理ユニットは複数積層
して配置されていることを特徴とするの液処理システム
を提供する。
【００２１】第１３発明は、第９発明から第１２発明の
いずれかにおいて、前記熱系の処理ユニットの内の所定
のユニットを介して基板が外部に対して搬入出されるこ
とを特徴とする液処理システムを提供する。
いずれかにおいて、前記熱系の処理ユニットの内の所定
のユニットを介して基板が外部に対して搬入出されるこ
とを特徴とする液処理システムを提供する。
【００２２】第１発明によれば、垂直方向に基板を搬送
する搬送装置の周囲に、塗布処理および現像処理の前後
で熱系処理を含む所定の処理を施すための複数の前後処
理ユニットを垂直方向に積層した積層体を配置し、搬送
装置の一方の側に基板に塗布処理を施すための塗布処理
ユニットを配置し、搬送装置の他方側に、基板に現像処
理を施すための現像処理ユニットを塗布処理ユニットに
対向するように配置し、前記積層体を前記塗布処理ユニ
ットと現像処理ユニットとの間に配置したので、基板の
搬送経路が短く小型化可能な塗布・現像システムにおい
て、塗布処理ユニットと現像処理ユニットとを確実に分
離してこれらの間の相互干渉を防止することができ、さ
らに高集積化が進んだ場合であっても、高いスループッ
トを維持しつつ回路パターンの正確な線幅を得ることが
でき、歩留まりを一層向上することができる。
する搬送装置の周囲に、塗布処理および現像処理の前後
で熱系処理を含む所定の処理を施すための複数の前後処
理ユニットを垂直方向に積層した積層体を配置し、搬送
装置の一方の側に基板に塗布処理を施すための塗布処理
ユニットを配置し、搬送装置の他方側に、基板に現像処
理を施すための現像処理ユニットを塗布処理ユニットに
対向するように配置し、前記積層体を前記塗布処理ユニ
ットと現像処理ユニットとの間に配置したので、基板の
搬送経路が短く小型化可能な塗布・現像システムにおい
て、塗布処理ユニットと現像処理ユニットとを確実に分
離してこれらの間の相互干渉を防止することができ、さ
らに高集積化が進んだ場合であっても、高いスループッ
トを維持しつつ回路パターンの正確な線幅を得ることが
でき、歩留まりを一層向上することができる。
【００２３】第２発明によれば、垂直方向に基板を搬送
する２つの搬送装置の間に基板を一時的に載置する中継
部を設け、塗布処理ユニットと現像処理ユニットとを２
つの搬送装置および中継部を挟んで互いに反対側に対向
して配置し、これら搬送装置の周囲に、前記搬送装置に
より搬送された基板に塗布処理および現像処理の前後で
熱系処理を含む所定の処理を施すための複数の前後処理
ユニットを垂直方向に積層して構成した複数の積層体を
設け、一方の搬送装置と、中継部と、他方の搬送装置と
を、この順で配置し、塗布処理ユニットと現像処理ユニ
ットを、一方の搬送装置と、中継部と、他方の搬送装置
とを間に挟んで互いに反対側に対向して配置したので、
塗布処理ユニットと現像処理ユニットとをさらに一層確
実に分離することができるとともに、２つの搬送装置と
その間の中継部を設け、かつ２つの搬送装置の周囲に前
記積層体を設けたので、多数の基板処理が可能となり、
さらに基板の搬送経路を短くして基板に対して必要な処
理を行うことができ、スループットを一層向上させるこ
とができる。
する２つの搬送装置の間に基板を一時的に載置する中継
部を設け、塗布処理ユニットと現像処理ユニットとを２
つの搬送装置および中継部を挟んで互いに反対側に対向
して配置し、これら搬送装置の周囲に、前記搬送装置に
より搬送された基板に塗布処理および現像処理の前後で
熱系処理を含む所定の処理を施すための複数の前後処理
ユニットを垂直方向に積層して構成した複数の積層体を
設け、一方の搬送装置と、中継部と、他方の搬送装置と
を、この順で配置し、塗布処理ユニットと現像処理ユニ
ットを、一方の搬送装置と、中継部と、他方の搬送装置
とを間に挟んで互いに反対側に対向して配置したので、
塗布処理ユニットと現像処理ユニットとをさらに一層確
実に分離することができるとともに、２つの搬送装置と
その間の中継部を設け、かつ２つの搬送装置の周囲に前
記積層体を設けたので、多数の基板処理が可能となり、
さらに基板の搬送経路を短くして基板に対して必要な処
理を行うことができ、スループットを一層向上させるこ
とができる。
【００２４】特に、第３発明のように、一方の搬送装
置、その周囲の複数の積層体、および塗布処理ユニット
により第１の処理部を構成し、他方の搬送装置、その周
囲の複数の積層体、および現像処理ユニットにより第２
の処理部を構成することにより、処理の自由度が高ま
り、スループットをさらに一層向上させることができ
る。また、第５発明のように、前記搬送装置を、垂直方
向に延在された搬送路と、この搬送路に沿って垂直方向
に移動しながら搬送した基板を、前記前後処理ユニッ
ト、塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットに移載す
る移載機構とを有する構成とすることにより、搬送装置
の水平方向の移動がなくなり極めて高いスループットを
実現することができる。
置、その周囲の複数の積層体、および塗布処理ユニット
により第１の処理部を構成し、他方の搬送装置、その周
囲の複数の積層体、および現像処理ユニットにより第２
の処理部を構成することにより、処理の自由度が高ま
り、スループットをさらに一層向上させることができ
る。また、第５発明のように、前記搬送装置を、垂直方
向に延在された搬送路と、この搬送路に沿って垂直方向
に移動しながら搬送した基板を、前記前後処理ユニッ
ト、塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットに移載す
る移載機構とを有する構成とすることにより、搬送装置
の水平方向の移動がなくなり極めて高いスループットを
実現することができる。
【００２５】第６発明によれば、第１および第２の処理
部のうち、いずれか一方の処理部に、処理前の基板およ
び処理後の基板を収納するローダ／アンローダユニット
を接続するようにし、また、第７発明によれば、いずれ
か一方の処理部に、基板を露光装置に受け渡すインター
フェイス装置を接続するようにしたので、多数の基板を
短い搬送距離で連続して処理することが可能になり、ス
ループットの向上を図ることができる。
部のうち、いずれか一方の処理部に、処理前の基板およ
び処理後の基板を収納するローダ／アンローダユニット
を接続するようにし、また、第７発明によれば、いずれ
か一方の処理部に、基板を露光装置に受け渡すインター
フェイス装置を接続するようにしたので、多数の基板を
短い搬送距離で連続して処理することが可能になり、ス
ループットの向上を図ることができる。
【００２６】第９発明によれば、基板に対して所定の熱
系の処理を施す複数の熱系の処理ユニットが垂直方向に
積層されて構成された積層体と、基板に対して所定の液
系の処理を施す複数の液系の処理ユニットと、これら熱
系の処理ユニットおよび液系の処理ユニットに対して基
板を搬入出し、基板を垂直方向に搬送することができる
ように構成された搬送装置とを備えた２組の処理セクシ
ョンにおいて、２組のうち一方の処理セクションに属す
る搬送装置と、中継部と、他方の処理セクションに属す
る搬送装置とを、この順で配置し、２組の処理セクショ
ンの各液系の処理ユニットを、一方の処理セクションに
属する搬送装置と、中継部と、他方の処理セクションに
属する搬送装置とを間に挟んで互いに反対側に対向して
配置したので、２つの液処理ユニットの相互干渉を確実
に防止することができるとともに、処理のスループット
を極めて高くすることができる。
系の処理を施す複数の熱系の処理ユニットが垂直方向に
積層されて構成された積層体と、基板に対して所定の液
系の処理を施す複数の液系の処理ユニットと、これら熱
系の処理ユニットおよび液系の処理ユニットに対して基
板を搬入出し、基板を垂直方向に搬送することができる
ように構成された搬送装置とを備えた２組の処理セクシ
ョンにおいて、２組のうち一方の処理セクションに属す
る搬送装置と、中継部と、他方の処理セクションに属す
る搬送装置とを、この順で配置し、２組の処理セクショ
ンの各液系の処理ユニットを、一方の処理セクションに
属する搬送装置と、中継部と、他方の処理セクションに
属する搬送装置とを間に挟んで互いに反対側に対向して
配置したので、２つの液処理ユニットの相互干渉を確実
に防止することができるとともに、処理のスループット
を極めて高くすることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態が採用さ
れた半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）の塗布現
像処理システム１の全体構成の平面図であり、図２は、
図１に示した塗布処理ユニットおよび周辺露光装置の側
面図であり、図３は、図１に示した前後処理ユニットの
側面図であり、図４は、図１に示した現像処理ユニット
の側面図である。
づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態が採用さ
れた半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）の塗布現
像処理システム１の全体構成の平面図であり、図２は、
図１に示した塗布処理ユニットおよび周辺露光装置の側
面図であり、図３は、図１に示した前後処理ユニットの
側面図であり、図４は、図１に示した現像処理ユニット
の側面図である。
【００２８】この塗布現像処理システムは、図１に示す
ように、被処理基板としてのウエハＷを外部からシステ
ムに搬入し、処理後のウエハＷを搬出するためのカセッ
トステーション１（ローダ／アンローダユニット）と、
塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施
す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置して
なる処理ステーション２と、この処理ステーション２に
隣接して配置され、レジストが塗布されたウエハを露光
するための露光装置３と、処理ステーション２と露光装
置４との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフ
ェイス装置３と、から構成されている。
ように、被処理基板としてのウエハＷを外部からシステ
ムに搬入し、処理後のウエハＷを搬出するためのカセッ
トステーション１（ローダ／アンローダユニット）と、
塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施
す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置して
なる処理ステーション２と、この処理ステーション２に
隣接して配置され、レジストが塗布されたウエハを露光
するための露光装置３と、処理ステーション２と露光装
置４との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフ
ェイス装置３と、から構成されている。
【００２９】カセットステーション１は、図１に示すよ
うに、ウエハＷをウエハカセット１ａに複数枚、例えば
２５枚搭載した状態で外部からシステムに搬入したり、
あるいはシステムから搬出したり、搬送装置１ｂにより
ウエハカセット１ａに対してウエハＷを搬入・搬出した
りするようになっている。また、後述するように、処理
ステーション２のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）お
よびイクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセス
できるようになっている。
うに、ウエハＷをウエハカセット１ａに複数枚、例えば
２５枚搭載した状態で外部からシステムに搬入したり、
あるいはシステムから搬出したり、搬送装置１ｂにより
ウエハカセット１ａに対してウエハＷを搬入・搬出した
りするようになっている。また、後述するように、処理
ステーション２のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）お
よびイクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセス
できるようになっている。
【００３０】処理ステーション２は、図１に示すよう
に、基本的には、塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および周
辺露光装置（ＷＥＥ）からなる第１処理セクションＡ
と、塗布および現像処理の前後処理を施すための２組の
第２処理セクションＢ１，Ｂ２と、現像処理ユニット
（ＤＥＶ）からなる第３処理セクションＣとから構成さ
れている。
に、基本的には、塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および周
辺露光装置（ＷＥＥ）からなる第１処理セクションＡ
と、塗布および現像処理の前後処理を施すための２組の
第２処理セクションＢ１，Ｂ２と、現像処理ユニット
（ＤＥＶ）からなる第３処理セクションＣとから構成さ
れている。
【００３１】第１処理セクションＡは、図２に示すよう
に、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて
レジストを塗布するスピンナ型処理ユニットであるレジ
スト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）が２段に重ねられてい
る。この２段のレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）に
隣接して、周辺露光装置（ＷＥＥ）が配置されている。
なお、このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の詳細
は後述する。
に、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて
レジストを塗布するスピンナ型処理ユニットであるレジ
スト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）が２段に重ねられてい
る。この２段のレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）に
隣接して、周辺露光装置（ＷＥＥ）が配置されている。
なお、このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の詳細
は後述する。
【００３２】２組の第２処理セクションＢ１，Ｂ２は、
略同様に構成されており、図１に示すように、第２処理
セクションＢ １ は、１つの搬送装置１１と、複数の前後
処理ユニットが夫々積層された２つの積層体１２，１３
とからなっており、他の第２処理セクションＢ ２ は１つ
の搬送装置１１′と、複数の前後処理ユニットが夫々積
層された２つの積層体１２′，１３′とからなってい
る。
略同様に構成されており、図１に示すように、第２処理
セクションＢ １ は、１つの搬送装置１１と、複数の前後
処理ユニットが夫々積層された２つの積層体１２，１３
とからなっており、他の第２処理セクションＢ ２ は１つ
の搬送装置１１′と、複数の前後処理ユニットが夫々積
層された２つの積層体１２′，１３′とからなってい
る。
【００３３】搬送装置１１は、図３に示すように、垂直
方向に延在された搬送路１４と、この搬送路１４に沿っ
て垂直方向に移動してウエハＷを各処理ユニットに移載
するウエハ移載機構１５とから構成されている。このウ
エハ移載機構１５は、搬送路１４に沿って垂直方向（Ｚ
方向）に昇降自在であると共に、θ方向に回転自在とな
っている。また、ウエハ移載機構１５は、基台１６の前
後方向に移動自在な複数本のピックアップ部材１７を備
え、これらのピックアップ部材１７によって各処理ユニ
ット間でのウエハＷの受け渡しを実現する。さらに、こ
のピックアップ部材１７は、積層体１２，１３の各処理
ユニットだけでなく、塗布処理ユニット（ＣＯＴ）およ
び周辺露光装置（ＷＥＥ）にもアクセスできるようにな
っている。搬送装置１１′も同様に構成されており、積
層体１２′，１３′の各処理ユニ ットだけでなく、現像
処理ユニット（ＤＥＶ）にもアクセスできるようになっ
ている。
方向に延在された搬送路１４と、この搬送路１４に沿っ
て垂直方向に移動してウエハＷを各処理ユニットに移載
するウエハ移載機構１５とから構成されている。このウ
エハ移載機構１５は、搬送路１４に沿って垂直方向（Ｚ
方向）に昇降自在であると共に、θ方向に回転自在とな
っている。また、ウエハ移載機構１５は、基台１６の前
後方向に移動自在な複数本のピックアップ部材１７を備
え、これらのピックアップ部材１７によって各処理ユニ
ット間でのウエハＷの受け渡しを実現する。さらに、こ
のピックアップ部材１７は、積層体１２，１３の各処理
ユニットだけでなく、塗布処理ユニット（ＣＯＴ）およ
び周辺露光装置（ＷＥＥ）にもアクセスできるようにな
っている。搬送装置１１′も同様に構成されており、積
層体１２′，１３′の各処理ユニ ットだけでなく、現像
処理ユニット（ＤＥＶ）にもアクセスできるようになっ
ている。
【００３４】２つの積層体１２，１３に夫々積層される
複数の前後処理ユニットは、ウエハＷを載置台ＳＰに載
せて主に熱系の処理を行うオーブン型の処理ユニットが
積層されている。すなわち図３に示すように、積層体１
２では、冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化
処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わ
せを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷ
の搬入出を行うイクステンションユニット（ＥＸＴ）、
露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を行う
ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が、下から
順に例えば８段に重ねられている。また、積層体１３で
は、クーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステンション
・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンシ
ョンユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およ
びポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から
順に、８段に重ねられている。積層体１２′，１３′も
同様に、所定の熱的処理を行うオーブン型の処理ユニッ
トが積層されて構成されている。
複数の前後処理ユニットは、ウエハＷを載置台ＳＰに載
せて主に熱系の処理を行うオーブン型の処理ユニットが
積層されている。すなわち図３に示すように、積層体１
２では、冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化
処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わ
せを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷ
の搬入出を行うイクステンションユニット（ＥＸＴ）、
露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を行う
ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が、下から
順に例えば８段に重ねられている。また、積層体１３で
は、クーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステンション
・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンシ
ョンユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およ
びポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から
順に、８段に重ねられている。積層体１２′，１３′も
同様に、所定の熱的処理を行うオーブン型の処理ユニッ
トが積層されて構成されている。
【００３５】このように、処理温度の低いクーリングユ
ニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニ
ット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高い
ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキ
ングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の
熱的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、
ランダムな多段配置としてもよい。
ニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニ
ット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高い
ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキ
ングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の
熱的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、
ランダムな多段配置としてもよい。
【００３６】第３処理セクションＣは、図４に示すよう
に、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて
現像処理を行うスピンナ型処理ユニットである２台の現
像処理ユニット（ＤＥＶ）が隣接して配置されている。
また、これら現像処理ユニット（ＤＥＶ）は、図４に仮
想線で示すように、各々上下方向に２段に積層してもよ
い。
に、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて
現像処理を行うスピンナ型処理ユニットである２台の現
像処理ユニット（ＤＥＶ）が隣接して配置されている。
また、これら現像処理ユニット（ＤＥＶ）は、図４に仮
想線で示すように、各々上下方向に２段に積層してもよ
い。
【００３７】さらに、２組の第２処理セクションＢ１，
Ｂ２の間には、ウエハＷを中継する中継部１８が設けら
れている。この中継部１８は、例えば露光処理後のウエ
ハＷを第３処理セクションＣの現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）に搬送するような場合、または、現像処理後のウエ
ハＷをカセットステーション１に戻すような場合等に、
一方側の搬送装置１１からウエハＷが一時的に載置され
る。そして、中継部１８上のウエハＷは他方の搬送装置
１１に受け取られる。すなわち、この中継部１８は２つ
の搬送装置１１，１１′の間でウエハＷを中継するよう
になっている。なお、この中継部１８は、複数段に設け
られて、搬送装置１１，１１′の上方または下方との間
でウエハＷを中継するように構成されていてもよい。ま
た、共通の搬送装置１１を一つだけ設け、中継部１８を
省略してもよい。
Ｂ２の間には、ウエハＷを中継する中継部１８が設けら
れている。この中継部１８は、例えば露光処理後のウエ
ハＷを第３処理セクションＣの現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）に搬送するような場合、または、現像処理後のウエ
ハＷをカセットステーション１に戻すような場合等に、
一方側の搬送装置１１からウエハＷが一時的に載置され
る。そして、中継部１８上のウエハＷは他方の搬送装置
１１に受け取られる。すなわち、この中継部１８は２つ
の搬送装置１１，１１′の間でウエハＷを中継するよう
になっている。なお、この中継部１８は、複数段に設け
られて、搬送装置１１，１１′の上方または下方との間
でウエハＷを中継するように構成されていてもよい。ま
た、共通の搬送装置１１を一つだけ設け、中継部１８を
省略してもよい。
【００３８】さらに、この中継部１８が設けられた２組
の第２処理セクションＢ１，Ｂ２の間には、作業者がメ
ンテナンスのために容易に入り込むことができる空間が
形成されており、メンテナンス性を向上することもでき
る。
の第２処理セクションＢ１，Ｂ２の間には、作業者がメ
ンテナンスのために容易に入り込むことができる空間が
形成されており、メンテナンス性を向上することもでき
る。
【００３９】このように、本実施の形態では、塗布処理
ユニット（ＣＯＴ）と現像処理ユニット（ＤＥＶ）とが
２つの搬送装置１１，１１′および中継部１８により大
きく離間して配置されているため、塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）でアミン等のアルカリ成分が生成されること
があっても、このアルカリ成分が現像処理ユニット（Ｄ
ＥＶ）に流入することを確実に防止することができる。
ユニット（ＣＯＴ）と現像処理ユニット（ＤＥＶ）とが
２つの搬送装置１１，１１′および中継部１８により大
きく離間して配置されているため、塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）でアミン等のアルカリ成分が生成されること
があっても、このアルカリ成分が現像処理ユニット（Ｄ
ＥＶ）に流入することを確実に防止することができる。
【００４０】次に、本実施の形態に係る塗布・現像処理
システムに装着されるレジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）について説明する。図５および図６は、レジスト塗
布処理ユニット（ＣＯＴ）の全体構成を示す略断面図お
よび略平面図である。
システムに装着されるレジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）について説明する。図５および図６は、レジスト塗
布処理ユニット（ＣＯＴ）の全体構成を示す略断面図お
よび略平面図である。
【００４１】このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
の中央部には環状のカップＣＰが配置され、カップＣＰ
の内側にはスピンチャック２１が配置されている。スピ
ンチャック２１は、真空吸着によってウエハＷを保持し
ながら駆動モータ２２によって回転され、この駆動モー
タ２２は、エアシリンダ２４によって昇降されるフラン
ジ２３に固定されている。
の中央部には環状のカップＣＰが配置され、カップＣＰ
の内側にはスピンチャック２１が配置されている。スピ
ンチャック２１は、真空吸着によってウエハＷを保持し
ながら駆動モータ２２によって回転され、この駆動モー
タ２２は、エアシリンダ２４によって昇降されるフラン
ジ２３に固定されている。
【００４２】ウエハＷの表面にレジスト液を供給するた
めのレジストノズル２５は、レジスト供給管２６を介し
てレジスト供給部（図示せず）に接続されている。この
レジストノズル２５はレジストノズルスキャンアーム２
７の先端部にノズル保持体２８を介して着脱可能に取り
付けられている。このレジストノズルスキャンアーム２
７は、一方向（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール２９
上で水平移動可能な垂直支持部材３０の上端部に取り付
けられており、図示しないＹ方向駆動機構によって垂直
支持部材３０と一体にＹ方向に移動するようになってい
る。
めのレジストノズル２５は、レジスト供給管２６を介し
てレジスト供給部（図示せず）に接続されている。この
レジストノズル２５はレジストノズルスキャンアーム２
７の先端部にノズル保持体２８を介して着脱可能に取り
付けられている。このレジストノズルスキャンアーム２
７は、一方向（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール２９
上で水平移動可能な垂直支持部材３０の上端部に取り付
けられており、図示しないＹ方向駆動機構によって垂直
支持部材３０と一体にＹ方向に移動するようになってい
る。
【００４３】また、レジストノズルスキャンアーム２７
は、レジストノズル待機部３１でレジストノズル２５を
選択的に取り付けるためにＹ方向と直角なＸ方向にも移
動可能であり、図示しないＸ方向駆動機構によってＸ方
向にも移動するようになっている。
は、レジストノズル待機部３１でレジストノズル２５を
選択的に取り付けるためにＹ方向と直角なＸ方向にも移
動可能であり、図示しないＸ方向駆動機構によってＸ方
向にも移動するようになっている。
【００４４】さらに、レジストノズルスキャンアーム２
７の先端部には、ウエハ表面へのレジスト液の供給に先
立ってウエハ表面にウエハ表面を濡らすための液剤例え
ばシンナーを供給するシンナーノズル３２が取り付けら
れている。
７の先端部には、ウエハ表面へのレジスト液の供給に先
立ってウエハ表面にウエハ表面を濡らすための液剤例え
ばシンナーを供給するシンナーノズル３２が取り付けら
れている。
【００４５】さらにまた、ガイドレール２９上には、リ
ンスノズルスキャンアーム３３を支持しＹ方向に移動可
能な垂直支持部材３４も設けられている。このリンスノ
ズルスキャンアーム３３の先端部にはサイドリンス用の
リンスノズル３５が取り付けられている。リンスノズル
スキャンアーム３３およびリンスノズル３５は、リンス
ノズル待機位置（実線の位置）とウエハＷの周辺部の真
上に設定されたリンス液吐出位置（点線の位置）との間
で並進または直線移動するようになっている。
ンスノズルスキャンアーム３３を支持しＹ方向に移動可
能な垂直支持部材３４も設けられている。このリンスノ
ズルスキャンアーム３３の先端部にはサイドリンス用の
リンスノズル３５が取り付けられている。リンスノズル
スキャンアーム３３およびリンスノズル３５は、リンス
ノズル待機位置（実線の位置）とウエハＷの周辺部の真
上に設定されたリンス液吐出位置（点線の位置）との間
で並進または直線移動するようになっている。
【００４６】次に、図１ないし図４を参照して、本実施
の形態に係るウエハの塗布・現像処理システムの動作・
作用を概括して説明する。
の形態に係るウエハの塗布・現像処理システムの動作・
作用を概括して説明する。
【００４７】カセットステーション１から、洗浄処理さ
れたウエハＷが一方の第２処理セクションＢ１の積層体
１３のイクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送さ
れ、この処理セクションＢ１内において、レジストの定
着性を高めるため、アドヒージョンユニット（ＡＤ）に
より疎水化処理される。
れたウエハＷが一方の第２処理セクションＢ１の積層体
１３のイクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送さ
れ、この処理セクションＢ１内において、レジストの定
着性を高めるため、アドヒージョンユニット（ＡＤ）に
より疎水化処理される。
【００４８】疎水化処理されたウエハＷは、搬送装置１
１によりレジスト第１処理セクションＡの塗布処理ユニ
ット（ＣＯＴ）に搬入されて、レジスト液が塗布され
る。なお、反射防止膜を塗布する場合には、ウエハＷの
表面に反射防止膜を塗布し、ベーキングした後、レジス
ト液が塗布される。
１によりレジスト第１処理セクションＡの塗布処理ユニ
ット（ＣＯＴ）に搬入されて、レジスト液が塗布され
る。なお、反射防止膜を塗布する場合には、ウエハＷの
表面に反射防止膜を塗布し、ベーキングした後、レジス
ト液が塗布される。
【００４９】レジスト液が塗布されたウエハＷは、搬送
装置１１によりプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）に搬送されてプリベークされ、その後、積層体１２
のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）を介してインター
フェイス装置３に至り、そこから露光装置４に搬入され
て、所定の回路パターンが縮小投影されて露光される。
装置１１によりプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）に搬送されてプリベークされ、その後、積層体１２
のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）を介してインター
フェイス装置３に至り、そこから露光装置４に搬入され
て、所定の回路パターンが縮小投影されて露光される。
【００５０】露光されたウエハＷは、インターフェイス
装置３により処理ステーション２に戻され、一方の第２
処理セクションＢ１内において、または中継部１８によ
り搬送されて他方の第２の処理セクションＢ２内におい
て、いずれかのベーキングユニットによりベーキングさ
れる。その後、ウエハＷは、搬送装置１１′により現像
処理ユニット（ＤＥＶ）に搬入されて現像処理され、次
いで、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）によ
りポストベークされてパターン強化される。
装置３により処理ステーション２に戻され、一方の第２
処理セクションＢ１内において、または中継部１８によ
り搬送されて他方の第２の処理セクションＢ２内におい
て、いずれかのベーキングユニットによりベーキングさ
れる。その後、ウエハＷは、搬送装置１１′により現像
処理ユニット（ＤＥＶ）に搬入されて現像処理され、次
いで、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）によ
りポストベークされてパターン強化される。
【００５１】このようにして処理されたウエハＷは、第
２処理セクションＢ２の搬送装置１１′により中継部１
８に載置され、第２処理セクションＢ１の搬送装置１１
によりカセットステーション１に戻される。
２処理セクションＢ２の搬送装置１１′により中継部１
８に載置され、第２処理セクションＢ１の搬送装置１１
によりカセットステーション１に戻される。
【００５２】このように、本実施の形態では、２つの搬
送装置１１，１１′および中継部１８を設けたので、搬
送の自由度が高く、ウエハＷを適宜搬送しながら、第
１、第２および第３処理群Ａ，Ｂ１，Ｂ２，Ｃにより各
種処理を行うことができるため、連続して多数のウエハ
Ｗの処理が可能になり、スループットの向上を図ること
ができる。また、上述したように、塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）と現像処理ユニット（ＤＥＶ）とが２つの搬
送装置１１，１１′および中継部１８により大きく離間
して配置されているため、塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
でアミン等のアルカリ成分が生成されることがあって
も、このアルカリ成分が現像処理ユニット（ＤＥＶ）に
流入することを確実に防止することができる。したがっ
て、さらに高集積化が進んだ場合であっても、回路パタ
ーンの正確な線幅を得ることができると共に、歩留まり
を一層向上することができる。
送装置１１，１１′および中継部１８を設けたので、搬
送の自由度が高く、ウエハＷを適宜搬送しながら、第
１、第２および第３処理群Ａ，Ｂ１，Ｂ２，Ｃにより各
種処理を行うことができるため、連続して多数のウエハ
Ｗの処理が可能になり、スループットの向上を図ること
ができる。また、上述したように、塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）と現像処理ユニット（ＤＥＶ）とが２つの搬
送装置１１，１１′および中継部１８により大きく離間
して配置されているため、塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
でアミン等のアルカリ成分が生成されることがあって
も、このアルカリ成分が現像処理ユニット（ＤＥＶ）に
流入することを確実に防止することができる。したがっ
て、さらに高集積化が進んだ場合であっても、回路パタ
ーンの正確な線幅を得ることができると共に、歩留まり
を一層向上することができる。
【００５３】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、半導体ウエハにレジスト液を塗布する塗布装置に
ついて説明したが、半導体ウエハ以外の他の被処理基
板、例えばＬＣＤ基板にレジスト液を塗布する場合にも
本発明を適用できる。また、一つの搬送装置の周囲に複
数の処理ユニット群を配置し、現像処理ユニットと塗布
処理ユニットを対向して配置するようにしてもよい。さ
らに、搬送装置は被処理体を垂直に搬送するタイプのも
のに限らず平面的に搬送するものであってもよい。
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、半導体ウエハにレジスト液を塗布する塗布装置に
ついて説明したが、半導体ウエハ以外の他の被処理基
板、例えばＬＣＤ基板にレジスト液を塗布する場合にも
本発明を適用できる。また、一つの搬送装置の周囲に複
数の処理ユニット群を配置し、現像処理ユニットと塗布
処理ユニットを対向して配置するようにしてもよい。さ
らに、搬送装置は被処理体を垂直に搬送するタイプのも
のに限らず平面的に搬送するものであってもよい。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、第１発明によれ
ば、垂直方向に基板を搬送する搬送装置の周囲に、塗布
処理および現像処理の前後で熱系処理を含む所定の処理
を施すための複数の前後処理ユニットを垂直方向に積層
した積層体を配置し、搬送装置の一方の側に基板に塗布
処理を施すための塗布処理ユニットを配置し、搬送装置
の他方側に、基板に現像処理を施すための現像処理ユニ
ットを塗布処理ユニットに対向するように配置し、前記
積層体を前記塗布処理ユニットと現像処理ユニットとの
間に配置したので、基板の搬送経路が短く小型化可能な
塗布・現像システム において、塗布処理ユニットと現像
処理ユニットとを確実に分離してこれらの間の相互干渉
を防止することができ、さらに高集積化が進んだ場合で
あっても、高いスループットを維持しつつ回路パターン
の正確な線幅を得ることができ、歩留まりを一層向上す
ることができる。
ば、垂直方向に基板を搬送する搬送装置の周囲に、塗布
処理および現像処理の前後で熱系処理を含む所定の処理
を施すための複数の前後処理ユニットを垂直方向に積層
した積層体を配置し、搬送装置の一方の側に基板に塗布
処理を施すための塗布処理ユニットを配置し、搬送装置
の他方側に、基板に現像処理を施すための現像処理ユニ
ットを塗布処理ユニットに対向するように配置し、前記
積層体を前記塗布処理ユニットと現像処理ユニットとの
間に配置したので、基板の搬送経路が短く小型化可能な
塗布・現像システム において、塗布処理ユニットと現像
処理ユニットとを確実に分離してこれらの間の相互干渉
を防止することができ、さらに高集積化が進んだ場合で
あっても、高いスループットを維持しつつ回路パターン
の正確な線幅を得ることができ、歩留まりを一層向上す
ることができる。
【００５５】また、第２発明によれば、垂直方向に基板
を搬送する２つの搬送装置の間に基板を一時的に載置す
る中継部を設け、塗布処理ユニットと現像処理ユニット
とを２つの搬送装置および中継部を挟んで互いに反対側
に対向して配置し、これら搬送装置の周囲に、前記搬送
装置により搬送された基板に塗布処理および現像処理の
前後で熱系処理を含む所定の処理を施すための複数の前
後処理ユニットを垂直方向に積層して構成した複数の積
層体を設け、一方の搬送装置と、中継部と、他方の搬送
装置とを、この順で配置し、塗布処理ユニットと現像処
理ユニットを、一方の搬送装置と、中継部と、他方の搬
送装置とを間に挟んで互いに反対側に対向して配置した
ので、塗布処理ユニットと現像処理ユニットとをさらに
一層確実に分離することができるとともに、２つの搬送
装置とその間の中継部を設け、かつ２つの搬送装置の周
囲に前記積層体を設けたので、多数の基板処理が可能と
なり、さらに基板の搬送経路を短くして基板に対して必
要な処理を行うことができ、スループットを一層向上さ
せることができる。
を搬送する２つの搬送装置の間に基板を一時的に載置す
る中継部を設け、塗布処理ユニットと現像処理ユニット
とを２つの搬送装置および中継部を挟んで互いに反対側
に対向して配置し、これら搬送装置の周囲に、前記搬送
装置により搬送された基板に塗布処理および現像処理の
前後で熱系処理を含む所定の処理を施すための複数の前
後処理ユニットを垂直方向に積層して構成した複数の積
層体を設け、一方の搬送装置と、中継部と、他方の搬送
装置とを、この順で配置し、塗布処理ユニットと現像処
理ユニットを、一方の搬送装置と、中継部と、他方の搬
送装置とを間に挟んで互いに反対側に対向して配置した
ので、塗布処理ユニットと現像処理ユニットとをさらに
一層確実に分離することができるとともに、２つの搬送
装置とその間の中継部を設け、かつ２つの搬送装置の周
囲に前記積層体を設けたので、多数の基板処理が可能と
なり、さらに基板の搬送経路を短くして基板に対して必
要な処理を行うことができ、スループットを一層向上さ
せることができる。
【００５６】特に、第３発明のように、一方の搬送装
置、その周囲の複数の積層体、および塗布処理ユニット
により第１の処理部を構成し、他方の搬送装置、その周
囲の複数の積層体、および現像処理ユニットにより第２
の処理部を構成することにより、処理の自由度が高ま
り、スループットをさらに一層向上させることができ
る。
置、その周囲の複数の積層体、および塗布処理ユニット
により第１の処理部を構成し、他方の搬送装置、その周
囲の複数の積層体、および現像処理ユニットにより第２
の処理部を構成することにより、処理の自由度が高ま
り、スループットをさらに一層向上させることができ
る。
【００５７】第９発明によれば、基板に対して所定の熱
系の処理を施す複数の熱系の処理ユニットが垂直方向に
積層されて構成された積層体と、基板に対して所定の液
系の処理を施す複数の液系の処理ユニットと、これら熱
系の処理ユニットおよび液系の処理ユニットに対して基
板を搬入出し、基板を垂直方向に搬送することができる
ように構成された搬送装置とを備えた２組の処理セクシ
ョンにおいて、２組のうち一方の処理セクションに属す
る搬送装置と、中継部と、他方の処理セクションに属す
る搬送装置とを、この順で配置し、２組の処理セクショ
ンの各液系の処理ユニットを、一方の処理セクションに
属する搬送装置と、中継部と、他方の処理セクションに
属する搬送装置とを間に挟んで互いに反対側に対向して
配置したので、２つの液処理ユニットの相互干渉を確実
に防止することができるとともに、処理のスループット
を極めて高くすることができる。
系の処理を施す複数の熱系の処理ユニットが垂直方向に
積層されて構成された積層体と、基板に対して所定の液
系の処理を施す複数の液系の処理ユニットと、これら熱
系の処理ユニットおよび液系の処理ユニットに対して基
板を搬入出し、基板を垂直方向に搬送することができる
ように構成された搬送装置とを備えた２組の処理セクシ
ョンにおいて、２組のうち一方の処理セクションに属す
る搬送装置と、中継部と、他方の処理セクションに属す
る搬送装置とを、この順で配置し、２組の処理セクショ
ンの各液系の処理ユニットを、一方の処理セクションに
属する搬送装置と、中継部と、他方の処理セクションに
属する搬送装置とを間に挟んで互いに反対側に対向して
配置したので、２つの液処理ユニットの相互干渉を確実
に防止することができるとともに、処理のスループット
を極めて高くすることができる。
【図１】本発明の一実施の形態である半導体ウエハの塗
布現像処理システムの全体構成の平面図。
布現像処理システムの全体構成の平面図。
【図２】図１に示した現像処理ユニットおよび周辺露光
装置の側面図。
装置の側面図。
【図３】図１に示した前後処理ユニットの側面図。
【図４】図１に示した塗布処理ユニットの側面図。
【図５】図１に示した塗布現像処理システムに装着した
レジスト塗布装置の全体構成の断面図。
レジスト塗布装置の全体構成の断面図。
【図６】図５に示したレジスト塗布装置の平面図。
１……カセットステーション（ローダ／アンローダユニ
ット） ２……処理ステーション ３……インターフェイス装置 ４……露光装置 １１，１１′……搬送装置 １８……中継部 １２，１２′，１３，１３′……積層体 １４……搬送路 １５……ウエハ移載機構 ＣＯＴ……塗布処理ユニット ＤＥＶ……現像処理ユニット Ｗ……半導体ウエハ（被処理基板）
ット） ２……処理ステーション ３……インターフェイス装置 ４……露光装置 １１，１１′……搬送装置 １８……中継部 １２，１２′，１３，１３′……積層体 １４……搬送路 １５……ウエハ移載機構 ＣＯＴ……塗布処理ユニット ＤＥＶ……現像処理ユニット Ｗ……半導体ウエハ（被処理基板）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｃ ５６９Ｃ ５７１ (56)参考文献 特開 平９−45613（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−305914（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−178416（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−85812（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−241840（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−120984（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (13)
- 【請求項１】 垂直方向に基板を搬送する搬送装置と、 この搬送装置の周囲に垂直方向に積層して配置され、前
記搬送装置により搬送された基板に、塗布処理および現
像処理の前後で熱系処理を含む所定の処理を施すための
複数の前後処理ユニットが積層して構成された積層体
と、 前記搬送装置の一方の側に配置され、前記搬送装置によ
り搬送された基板に塗布処理を施すための塗布処理ユニ
ットと、 前記搬送装置の他方側に、前記塗布処理ユニットに対向
するように配置され、前記搬送装置により搬送された基
板に現像処理を施すための現像処理ユニットとを具備
し、 前記積層体は、前記塗布処理ユニットと現像処理ユニッ
トとの間に配置されていることを特徴とする塗布・現像
処理システム。 - 【請求項２】 垂直方向に基板を搬送する２つの搬送装
置と、 これら２つの搬送装置の間に設けられ、基板を一時的に
載置する中継部と、 一方の搬送装置により基板の搬入出が行われ、搬入され
た基板に塗布処理を施すための塗布処理ユニットと、 他方の搬送装置により基板の搬入出が行われ、搬入され
た基板に現像処理を施すための現像処理ユニットと、 これら搬送装置の周囲に設けられ、前記搬送装置により
搬送された基板に塗布処理および現像処理の前後で熱系
処理を含む所定の処理を施すための複数の前後処理ユニ
ットを垂直方向に積層して構成した複数の積層体と、 を具備し、前記一方の搬送装置と、前記中継部と、前記他方の搬送
装置とは、この順に配置され、 前記塗布処理ユニットと
前記現像処理ユニットは、前記一方の搬送装置と、前記
中継部と、前記他方の搬送装置とを間に挟んで互いに反
対側に対向して配置されていることを特徴とする塗布・
現像処理システム。 - 【請求項３】 前記複数の積層体のうちの一部は前記搬
送装置の一方の周囲に設けられ、残部は前記搬送装置の
他方の周囲に設けられ、一方の搬送装置、その周囲の複
数の積層体、および塗布処理ユニットにより第１の処理
部を構成し、他方の搬送装置、その周囲の複数の積層
体、および現像処理ユニットにより第２の処理部を構成
することを特徴とする請求項２に記載の塗布・現像処理
システム。 - 【請求項４】 前記複数の積層体は、前記塗布処理ユニ
ットと前記現像処理ユニットとの間に設けられているこ
とを特徴とする請求項２または請求項３に記載の塗布・
現像処理システム。 - 【請求項５】 前記搬送装置は、 垂直方向に延在された搬送路と、 この搬送路に沿って垂直方向に移動しながら搬送した基
板を、前記前後処理ユニット、塗布処理ユニットおよび
現像処理ユニットに移載する移載機構とを有することを
特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載
の塗布・現像処理システム。 - 【請求項６】 前記第１および第２の処理部のうち、い
ずれか一方の処理部に、処理前の基板および処理後の基
板を収納するローダ／アンローダユニットが設けられて
いることを特徴とする請求項３に記載の塗布・現像処理
システム。 - 【請求項７】 前記第１および第２の処理部のうち、い
ずれか一方の処理部に、基板を露光装置に受け渡すイン
ターフェイス装置が設けられていることを特徴とする請
求項３または請求項６に記載の塗布・現像処理システ
ム。 - 【請求項８】 前記塗布処理ユニットおよび前記現像処
理ユニットは、それぞれ複数積層して配置されているこ
とを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に
記載の塗布・現像処理システム。 - 【請求項９】 基板に対して所定の熱系の処理を施す複
数の熱系の処理ユニットが垂直方向に積層されて構成さ
れた積層体と、 基板に対して所定の液系の処理を施す複数の液系の処理
ユニットと、 これら熱系の処理ユニットおよび液系の処理ユニットに
対して基板を搬入出し、基板を垂直方向に搬送すること
ができるように構成された搬送装置とを備えた２組の処
理セクションを具備し、 さらに、これら処理セクションの各搬送装置の間に配置
され、各搬送装置が基板を受け渡すために基板を一時的
に載置する中継部を具備し、前記２組のうち一方の処理セクションに属する搬送装置
と、前記中継部と、他方の処理セクションに属する搬送
装置とは、この順に配置され、 前記２組の処理セクショ
ンの各液系の処理ユニットは、前記一方の処理セクショ
ンに属する搬送装置と、前記中継部と、前記他方の処理
セクションに属する搬送装置とを間に挟んで互いに反対
側に対向して配置されていることを特徴とする液処理シ
ステム。 - 【請求項１０】 前記搬送装置は、 垂直方向に延在された搬送路と、 この搬送路に沿って垂直方向に移動しながら搬送した基
板を、前記熱系の処理ユニットまたは液系の処理ユニッ
トに移載する移載機構とを有することを特徴とする請求
項９に記載の液処理システム。 - 【請求項１１】 前記積層体は、前記２つの液系の処理
ユニットの間に設けられていることを特徴とする請求項
９または請求項１０に記載の液処理システム。 - 【請求項１２】 前記液系の処理ユニットは複数積層し
て配置されていることを特徴とする請求項９から請求項
１１のいずれか１項に記載の液処理システム。 - 【請求項１３】 前記熱系の処理ユニットの内の所定の
ユニットを介して基板が外部に対して搬入出されること
を特徴とする請求項９から請求項１２のいずれか１項に
記載の液処理システム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03978998A JP3310212B2 (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 塗布・現像処理システムおよび液処理システム |
| US09/243,117 US6126338A (en) | 1998-02-06 | 1999-02-03 | Resist coating-developing system |
| KR10-1999-0003880A KR100439608B1 (ko) | 1998-02-06 | 1999-02-05 | 레지스트도포·현상처리시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03978998A JP3310212B2 (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 塗布・現像処理システムおよび液処理システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233421A JPH11233421A (ja) | 1999-08-27 |
| JP3310212B2 true JP3310212B2 (ja) | 2002-08-05 |
Family
ID=12562723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03978998A Expired - Fee Related JP3310212B2 (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 塗布・現像処理システムおよび液処理システム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6126338A (ja) |
| JP (1) | JP3310212B2 (ja) |
| KR (1) | KR100439608B1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3445937B2 (ja) * | 1998-06-24 | 2003-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 多段スピン型基板処理システム |
| US6350316B1 (en) * | 1998-11-04 | 2002-02-26 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for forming coating film |
| JP3542919B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2004-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP4021118B2 (ja) | 1999-04-28 | 2007-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP3442686B2 (ja) * | 1999-06-01 | 2003-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| US6338582B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-01-15 | Tokyo Electron Limited | Substrate delivery apparatus and coating and developing processing system |
| SG185822A1 (en) * | 2000-02-01 | 2012-12-28 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US6558053B2 (en) * | 2001-04-19 | 2003-05-06 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US6708701B2 (en) | 2001-10-16 | 2004-03-23 | Applied Materials Inc. | Capillary ring |
| US6786996B2 (en) | 2001-10-16 | 2004-09-07 | Applied Materials Inc. | Apparatus and method for edge bead removal |
| JP3916473B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2007-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP4024639B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2007-12-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 薬液ポンプ、配管システム、基板処理ユニット、基板処理装置、薬液吐出方法、配液方法および基板処理方法 |
| JP4093878B2 (ja) * | 2003-02-20 | 2008-06-04 | 東京応化工業株式会社 | 多段式処理装置 |
| US7503710B2 (en) * | 2005-05-30 | 2009-03-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system |
| JP4515331B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2010-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理システム |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970003907B1 (ko) * | 1988-02-12 | 1997-03-22 | 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 | 기판처리 장치 및 기판처리 방법 |
| JP3196917B2 (ja) * | 1994-06-17 | 2001-08-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| TW297910B (ja) * | 1995-02-02 | 1997-02-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| JP3069945B2 (ja) * | 1995-07-28 | 2000-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
-
1998
- 1998-02-06 JP JP03978998A patent/JP3310212B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-02-03 US US09/243,117 patent/US6126338A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11233421A (ja) | 1999-08-27 |
| KR100439608B1 (ko) | 2004-07-12 |
| KR19990072442A (ko) | 1999-09-27 |
| US6126338A (en) | 2000-10-03 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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