JP3309850B2 - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
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- JP3309850B2 JP3309850B2 JP2000345985A JP2000345985A JP3309850B2 JP 3309850 B2 JP3309850 B2 JP 3309850B2 JP 2000345985 A JP2000345985 A JP 2000345985A JP 2000345985 A JP2000345985 A JP 2000345985A JP 3309850 B2 JP3309850 B2 JP 3309850B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機重合体を誘電体
とするコンデンサに関し、各種コンデンサ特性が顕著に
改良されるコンデンサに関する。
とするコンデンサに関し、各種コンデンサ特性が顕著に
改良されるコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】コンデンサは一般に回路素子として使用
され、２つの導体板を空気または他の誘電体を介在させ
て対向させた構造を基本とするが、誘電体の種類や使用
目的によって各種の形態のものがある。中でも、近年の
電気・電子機器の小形化・高密度化に伴い、容積当りの
静電容量が高く容積効率の大きいより小型のコンデンサ
が次第に重要になりつつあり、特に高温の動作環境にお
いて性能特性の良好なＳＭＴ対応高耐熱性コンデンサに
対する期待は大きい。
され、２つの導体板を空気または他の誘電体を介在させ
て対向させた構造を基本とするが、誘電体の種類や使用
目的によって各種の形態のものがある。中でも、近年の
電気・電子機器の小形化・高密度化に伴い、容積当りの
静電容量が高く容積効率の大きいより小型のコンデンサ
が次第に重要になりつつあり、特に高温の動作環境にお
いて性能特性の良好なＳＭＴ対応高耐熱性コンデンサに
対する期待は大きい。
【０００３】この種のコンデンサは、一般に重合体一体
構造コンデンサの形態であり、種々の基体上に薄い重合
体コーティング膜を形成し、これを誘電体として使用す
るものである。この重合体コーティング膜は主として真
空チャンバ内で蒸着を行うことにより形成される。この
ようなコンデンサおよびコーティング技術に関する先行
技術として、例えば特開昭６０−１５３１１３号、特開
昭６２−２８９２５９号、特開昭６３−７２１０７号、
特開昭６３−７２１０８号、特表昭６３−５０３５５２
号、特開平１−３１６４５０号、特開平２−４３０４２
号等を例示することができる。
構造コンデンサの形態であり、種々の基体上に薄い重合
体コーティング膜を形成し、これを誘電体として使用す
るものである。この重合体コーティング膜は主として真
空チャンバ内で蒸着を行うことにより形成される。この
ようなコンデンサおよびコーティング技術に関する先行
技術として、例えば特開昭６０−１５３１１３号、特開
昭６２−２８９２５９号、特開昭６３−７２１０７号、
特開昭６３−７２１０８号、特表昭６３−５０３５５２
号、特開平１−３１６４５０号、特開平２−４３０４２
号等を例示することができる。
【０００４】コンデンサの特性は、主として静電容量、
誘電正接および漏れ電流を指標として評価することがで
きる。高温環境における良好な動作が求められるコンデ
ンサの場合、このような評価を高温環境における製品寿
命特性試験として行うことができる。一般に、コンデン
サの静電容量は、誘電体の誘電率に比例するため高い誘
電率の誘電体を用い、使用中は誘電体の物理化学的変化
を避け誘電率を高く維持すべきである。充電電流の位相
と外部電界の位相との差である損失角の正接すなわち誘
電正接はコンデンサの消費電力の目安として用いられ、
その値が小さければ消費電力が少いことを示す。充電開
始後一定値に達した時に流れる電流である漏れ電流は誘
電体の荷電担体の定常的な移動によるもので、誘電体中
の不純物の解離等によって生じたイオンが荷電担体の主
体をなすと考えられており、漏れ電流の変化の大小は誘
電体の電気化学的状態の安定性を反映する。
誘電正接および漏れ電流を指標として評価することがで
きる。高温環境における良好な動作が求められるコンデ
ンサの場合、このような評価を高温環境における製品寿
命特性試験として行うことができる。一般に、コンデン
サの静電容量は、誘電体の誘電率に比例するため高い誘
電率の誘電体を用い、使用中は誘電体の物理化学的変化
を避け誘電率を高く維持すべきである。充電電流の位相
と外部電界の位相との差である損失角の正接すなわち誘
電正接はコンデンサの消費電力の目安として用いられ、
その値が小さければ消費電力が少いことを示す。充電開
始後一定値に達した時に流れる電流である漏れ電流は誘
電体の荷電担体の定常的な移動によるもので、誘電体中
の不純物の解離等によって生じたイオンが荷電担体の主
体をなすと考えられており、漏れ電流の変化の大小は誘
電体の電気化学的状態の安定性を反映する。
【０００５】前記の従来のコンデンサは、特に高温の動
作環境において静電容量、誘電正接、漏れ電流等の性能
特性において必ずしも十分ではなく、更にＳＭＴ対応高
耐熱性コンデンサに対する期待に完全に応え得るもので
はなかった。
作環境において静電容量、誘電正接、漏れ電流等の性能
特性において必ずしも十分ではなく、更にＳＭＴ対応高
耐熱性コンデンサに対する期待に完全に応え得るもので
はなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、小型で、特
に高温の動作環境において優れた静電容量、誘電正接、
漏れ電流等の性能特性を発揮し、ＳＭＴ対応高耐熱性コ
ンデンサに対する期待に応え得る有機重合体を誘電体と
するコンデンサを提供することを目的とする。
に高温の動作環境において優れた静電容量、誘電正接、
漏れ電流等の性能特性を発揮し、ＳＭＴ対応高耐熱性コ
ンデンサに対する期待に応え得る有機重合体を誘電体と
するコンデンサを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、次の一
般式
般式
【０００８】
【化２】
【０００９】（式中、Ｒ１、Ｒ２は同一または異なって
もよい炭素数３〜８のアルケニル基、Ｒ３、Ｒ４は水素
原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、または−（ＣＯ）−Ｏ−Ｒ基であって、−
（ＣＯ）−Ｏ−Ｒ基におけるＲは炭素数３〜８のアルケ
ニル基、−Ｒ′−Ｃ≡Ｎ基、炭素数１〜８のアルキル基
を表し、また−Ｒ′−Ｃ≡Ｎ基におけるＲ′は炭素数２
〜５のアルキレン基を表す）で表される芳香族多塩基酸
アルケニルエステル化合物モノマーより得られる三次元
構造付加重合体を誘電体とし、この誘電体と蒸着金属層
とを交互に積層したコンデンサが提供される。
もよい炭素数３〜８のアルケニル基、Ｒ３、Ｒ４は水素
原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、または−（ＣＯ）−Ｏ−Ｒ基であって、−
（ＣＯ）−Ｏ−Ｒ基におけるＲは炭素数３〜８のアルケ
ニル基、−Ｒ′−Ｃ≡Ｎ基、炭素数１〜８のアルキル基
を表し、また−Ｒ′−Ｃ≡Ｎ基におけるＲ′は炭素数２
〜５のアルキレン基を表す）で表される芳香族多塩基酸
アルケニルエステル化合物モノマーより得られる三次元
構造付加重合体を誘電体とし、この誘電体と蒸着金属層
とを交互に積層したコンデンサが提供される。
【００１０】
【発明の実施の形態】芳香族多塩基酸アルケニルエステ
ル化合物を合成するに際しては、芳香族多塩基酸（また
は酸無水物）とアルコールとを酸触媒下に反応させ、直
接エステル化することにより所望のモノマーを得ること
ができる。
ル化合物を合成するに際しては、芳香族多塩基酸（また
は酸無水物）とアルコールとを酸触媒下に反応させ、直
接エステル化することにより所望のモノマーを得ること
ができる。
【００１１】または、アルケニルクロリドを芳香族多塩
基酸金属塩と反応させることにより所望のモノマーを得
ることができる。
基酸金属塩と反応させることにより所望のモノマーを得
ることができる。
【００１２】合成に用いる不飽和アルコールの具体例と
して、アリルアルコール、クロチルアルコール、３−ブ
テン−１−オール、２−メチル−２−ブテン−１−オー
ル、３−メチル−３−ブテン−１−オール、１−ペンテ
ン−３−オール、２−ペンテン−１−オール、ｃｉｓ−
２−ペンテン−１−オール、３−ペンテン−２−オー
ル、４−ペンテン−１−オール、４−ペンテン−２−オ
ール等を例示することができる。
して、アリルアルコール、クロチルアルコール、３−ブ
テン−１−オール、２−メチル−２−ブテン−１−オー
ル、３−メチル−３−ブテン−１−オール、１−ペンテ
ン−３−オール、２−ペンテン−１−オール、ｃｉｓ−
２−ペンテン−１−オール、３−ペンテン−２−オー
ル、４−ペンテン−１−オール、４−ペンテン−２−オ
ール等を例示することができる。
【００１３】アルケニルクロリドを用いる場合のアルケ
ニルクロリドの具体例として、アリルクロリド、クロチ
ルクロリド、３−クロロ−１−ブテン、１−クロロ−２
−メチルプロペン、３−クロロ−２−メチルプロペン、
１−クロロ−３−メチル−２−ブテン等を例示すること
ができる。
ニルクロリドの具体例として、アリルクロリド、クロチ
ルクロリド、３−クロロ−１−ブテン、１−クロロ−２
−メチルプロペン、３−クロロ−２−メチルプロペン、
１−クロロ−３−メチル−２−ブテン等を例示すること
ができる。
【００１４】芳香族多塩基酸の具体例として、フタル
酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリト酸、トリ
メリト酸、ヘミメリト酸、トリメシン酸、メチルイソフ
タル酸、プレーニト酸、メロファン酸、ベンゼンペンタ
カルボン酸、メリト酸、メトキシフタル酸等を例示する
ことができる。
酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリト酸、トリ
メリト酸、ヘミメリト酸、トリメシン酸、メチルイソフ
タル酸、プレーニト酸、メロファン酸、ベンゼンペンタ
カルボン酸、メリト酸、メトキシフタル酸等を例示する
ことができる。
【００１５】コンデンサを作成するに際しては、真空チ
ャンバ内圧力１×１０−４ｔｏｒｒ以下で、芳香族多塩
基酸アルケニルエステル化合物モノマーを蒸発可能加熱
温度で蒸発させた後、電子ビームにより硬化させ誘電体
を形成する。この誘電体と蒸着金属層とを交互に形成、
積層することによりコンデンサを作成することができ
る。このような蒸着形成方法は従来より使用されている
通常の技術によることができ、例えば前記した先行技術
文献に記載されているものに準拠することができる。
ャンバ内圧力１×１０−４ｔｏｒｒ以下で、芳香族多塩
基酸アルケニルエステル化合物モノマーを蒸発可能加熱
温度で蒸発させた後、電子ビームにより硬化させ誘電体
を形成する。この誘電体と蒸着金属層とを交互に形成、
積層することによりコンデンサを作成することができ
る。このような蒸着形成方法は従来より使用されている
通常の技術によることができ、例えば前記した先行技術
文献に記載されているものに準拠することができる。
【００１６】本発明が開示した芳香族多塩基酸アルケニ
ルエステル化合物モノマーより得られる付加重合体と蒸
着金属層とを交互に積層することにより、小型で、重合
体の三次元構造の形成により、熱安定性に優れ、コンデ
ンサの誘電体として使用した場合、広い温度範囲で安定
した静電容量、誘電正接、漏れ電流等の性能特性を示す
コンデンサを与える。
ルエステル化合物モノマーより得られる付加重合体と蒸
着金属層とを交互に積層することにより、小型で、重合
体の三次元構造の形成により、熱安定性に優れ、コンデ
ンサの誘電体として使用した場合、広い温度範囲で安定
した静電容量、誘電正接、漏れ電流等の性能特性を示す
コンデンサを与える。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、本願の誘電体と蒸着金
属層とを交互に積層したことにより、小型で、特に高温
の動作環境において優れた静電容量、誘電正接、漏れ電
流等の性能特性を発揮し、ＳＭＴ対応高耐熱性コンデン
サに対する期待に応え得るコンデンサが提供される。
属層とを交互に積層したことにより、小型で、特に高温
の動作環境において優れた静電容量、誘電正接、漏れ電
流等の性能特性を発揮し、ＳＭＴ対応高耐熱性コンデン
サに対する期待に応え得るコンデンサが提供される。
【００１８】
【実施例】以下に実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明は以下の実施例にのみ限定されるもの
ではない。
明するが、本発明は以下の実施例にのみ限定されるもの
ではない。
【００１９】実施例１ 誘電体形成モノマーとしてテレフタル酸ジアリルを使用
し、誘電体厚さを０．５〜１μｍ、電極（アルミニウ
ム）形成面積を２５ｍｍ２としてコンデンサを作成し
た。
し、誘電体厚さを０．５〜１μｍ、電極（アルミニウ
ム）形成面積を２５ｍｍ２としてコンデンサを作成し
た。
【００２０】コンデンサを作成するに際しては、真空チ
ャンバ内圧力１×１０−４ｔｏｒｒ以下で、テレフタル
酸ジアリルモノマーを蒸発可能加熱温度で蒸発させた
後、電子ビームにより硬化させ誘電体を形成した。この
誘電体と蒸着金属層とを交互に形成してコンデンサを作
成した。誘電体の積層数は５０とした。得られたコンデ
ンサの製品寿命特性を表１に示す。
ャンバ内圧力１×１０−４ｔｏｒｒ以下で、テレフタル
酸ジアリルモノマーを蒸発可能加熱温度で蒸発させた
後、電子ビームにより硬化させ誘電体を形成した。この
誘電体と蒸着金属層とを交互に形成してコンデンサを作
成した。誘電体の積層数は５０とした。得られたコンデ
ンサの製品寿命特性を表１に示す。
【００２１】実施例２ 誘電体形成モノマーとしてトリメリト酸トリアリル（４
０重量％）およびフタル酸ジアリル（６０重量％）を使
用し、誘電体厚さを１〜１．５μｍ、電極（アルミニウ
ム）形成面積を２５ｍｍ２としてコンデンサを作成し
た。
０重量％）およびフタル酸ジアリル（６０重量％）を使
用し、誘電体厚さを１〜１．５μｍ、電極（アルミニウ
ム）形成面積を２５ｍｍ２としてコンデンサを作成し
た。
【００２２】コンデンサを作成するに際しては、真空チ
ャンバ内圧力１×１０−４ｔｏｒｒ以下で、トリメリト
酸トリアリル（４０重量％）およびフタル酸ジアリル
（６０重量％）のモノマーを蒸発可能加熱温度で蒸発さ
せた後、電子ビームにより硬化させ誘電体を形成した。
この誘電体と蒸着金属層とを交互に形成してコンデンサ
を作成した。誘電体の積層数は５０とした。得られたコ
ンデンサの製品寿命特性を表１に示す。
ャンバ内圧力１×１０−４ｔｏｒｒ以下で、トリメリト
酸トリアリル（４０重量％）およびフタル酸ジアリル
（６０重量％）のモノマーを蒸発可能加熱温度で蒸発さ
せた後、電子ビームにより硬化させ誘電体を形成した。
この誘電体と蒸着金属層とを交互に形成してコンデンサ
を作成した。誘電体の積層数は５０とした。得られたコ
ンデンサの製品寿命特性を表１に示す。
【００２３】実施例３ 誘電体形成モノマーとしてピロメリト酸ジアリルジ−２
−シアノエチルを使用し、誘電体厚さを１〜１．５μ
ｍ、電極（アルミニウム）形成面積を２５ｍｍ２として
コンデンサを作成した。
−シアノエチルを使用し、誘電体厚さを１〜１．５μ
ｍ、電極（アルミニウム）形成面積を２５ｍｍ２として
コンデンサを作成した。
【００２４】コンデンサを作成するに際しては、真空チ
ャンバ内圧力１×１０−４ｔｏｒｒ以下で、ピロメリト
酸ジアリルジ−２−シアノエチルモノマーを蒸発可能加
熱温度で蒸発させた後、電子ビームにより硬化させ誘電
体を形成した。この誘電体と蒸着金属層とを交互に形成
してコンデンサを作成した。誘電体の積層数は５０とし
た。得られたコンデンサの製品寿命特性を表１に示す。
ャンバ内圧力１×１０−４ｔｏｒｒ以下で、ピロメリト
酸ジアリルジ−２−シアノエチルモノマーを蒸発可能加
熱温度で蒸発させた後、電子ビームにより硬化させ誘電
体を形成した。この誘電体と蒸着金属層とを交互に形成
してコンデンサを作成した。誘電体の積層数は５０とし
た。得られたコンデンサの製品寿命特性を表１に示す。
【００２５】実施例４ 誘電体形成モノマーとしてイソフタル酸ジクロチルを使
用し、誘電体厚さを０．５〜１μｍ、電極（アルミニウ
ム）形成面積を２５ｍｍ２として本発明による有機重合
体を誘電体とするコンデンサを作成した。
用し、誘電体厚さを０．５〜１μｍ、電極（アルミニウ
ム）形成面積を２５ｍｍ２として本発明による有機重合
体を誘電体とするコンデンサを作成した。
【００２６】コンデンサを作成するに際しては、真空チ
ャンバ内圧力１×１０−４ｔｏｒｒ以下で、イソフタル
酸ジクロチルモノマーを蒸発可能加熱温度で蒸発させた
後、電子ビームにより硬化させ誘電体を形成した。この
誘電体と蒸着金属層とを交互に形成してコンデンサを作
成した。誘電体の積層数は５０とした。得られたコンデ
ンサの製品寿命特性を表１に示す。
ャンバ内圧力１×１０−４ｔｏｒｒ以下で、イソフタル
酸ジクロチルモノマーを蒸発可能加熱温度で蒸発させた
後、電子ビームにより硬化させ誘電体を形成した。この
誘電体と蒸着金属層とを交互に形成してコンデンサを作
成した。誘電体の積層数は５０とした。得られたコンデ
ンサの製品寿命特性を表１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】以上の結果から、コンデンサ用誘電体とし
て芳香族多塩基酸アルケニルエステル化合物モノマーよ
り得られる付加重合体と蒸着金属層とを交互に積層する
ことにより、小型で、特に高温の動作環境において優れ
た静電容量、誘電正接、漏れ電流等の性能特性を発揮
し、ＳＭＴ対応高耐熱性コンデンサに対する期待に応え
得るコンデンサが提供されることが判る。
て芳香族多塩基酸アルケニルエステル化合物モノマーよ
り得られる付加重合体と蒸着金属層とを交互に積層する
ことにより、小型で、特に高温の動作環境において優れ
た静電容量、誘電正接、漏れ電流等の性能特性を発揮
し、ＳＭＴ対応高耐熱性コンデンサに対する期待に応え
得るコンデンサが提供されることが判る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｇ 4/33 Ｈ０１Ｇ 4/06 １０２ (72)発明者 横山 豊 東京都青梅市東青梅１丁目167番地の１ 日本ケミコン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−119714（ＪＰ，Ａ) 特公 昭44−3986（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 4/00 - 4/10 H01G 4/14 - 4/42
Claims (1)
- 【請求項１】 次の一般式 【化１】 （式中、Ｒ１、Ｒ２は同一または異なってもよい炭素数
３〜８のアルケニル基、Ｒ３、Ｒ４は水素原子、炭素数
１〜８のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ま
たは−（ＣＯ）−Ｏ−Ｒ基であって、−（ＣＯ）−Ｏ−
Ｒ基におけるＲは炭素数３〜８のアルケニル基、−Ｒ′
−Ｃ≡Ｎ基、炭素数１〜８のアルキル基を表し、また−
Ｒ′−Ｃ≡Ｎ基におけるＲ′は炭素数２〜５のアルキレ
ン基を表す）で表される芳香族多塩基酸アルケニルエス
テル化合物モノマーより得られる三次元構造付加重合体
を誘電体とし、この誘電体と蒸着金属層とを交互に積層
したコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000345985A JP3309850B2 (ja) | 2000-11-13 | 2000-11-13 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000345985A JP3309850B2 (ja) | 2000-11-13 | 2000-11-13 | コンデンサ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19430391A Division JPH0541333A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001196259A JP2001196259A (ja) | 2001-07-19 |
| JP3309850B2 true JP3309850B2 (ja) | 2002-07-29 |
Family
ID=18819931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000345985A Expired - Fee Related JP3309850B2 (ja) | 2000-11-13 | 2000-11-13 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3309850B2 (ja) |
-
2000
- 2000-11-13 JP JP2000345985A patent/JP3309850B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP2001196259A (ja) | 2001-07-19 |
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