JP3301914B2

JP3301914B2 - 配線基板

Info

Publication number: JP3301914B2
Application number: JP10111596A
Authority: JP
Inventors: 英博南上; 哲也木村
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1996-04-23
Filing date: 1996-04-23
Publication date: 2002-07-15
Anticipated expiration: 2016-04-23
Also published as: JPH09289267A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アルミナ質セラミ
ックスから成る絶縁基体にメタライズ配線層を形成した
配線基板に関するもので、絶縁基体とメタライズ配線層
を低い焼成温度でかつ短時間で同時焼成することがで
き、半導体素子が収容搭載される半導体素子収納用パッ
ケージや回路配線導体を有する各種回路基板、及びセル
ラー電話、パーソナルハンディホンシステム、各種衛星
通信用の高周波用多層配線基板等に好適な、とりわけ半
導体素子がコンパクトに収容搭載でき、更に半導体素子
の他にコンデンサや抵抗体等の各種電子部品が搭載され
る混成集積回路装置等に好適な配線基板に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来より、アルミナ質セラミックスは、
電気絶縁性や化学的安定性等の特性に優れていることか
ら半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
や、半導体素子の他にコンデンサあるいは抵抗体等の各
種電子部品を搭載した混成集積回路装置等の各種配線基
板用絶縁基体として多用されている。

【０００３】係る絶縁基体には、その表面あるいは内部
に電気回路を形成するための導体としてメタライズ配線
層が形成されており、例えば半導体素子収納用パッケー
ジにおいては、絶縁基体に設けた凹部底面に半導体素子
を接着固定するとともに、半導体素子の各電極をボンデ
ィングワイヤを介して前記メタライズ配線層と電気的に
接続し、更に前記凹部を塞ぐように蓋体を接合して前記
半導体素子が絶縁基体の凹部内に気密に収容されて最終
製品としての半導体部品とされてきた。

【０００４】係る絶縁基体にメタライズ配線層を形成す
るには、絶縁基体と成るセラミックグリーンシート表面
にスクリーン印刷法等により、ＷやＭｏ等の高融点金属
に有機系バインダーと溶媒を添加して調製したメタライ
ズペーストを所定パターンに塗布した後、適宜積層し、
還元性雰囲気中、１６００℃前後の温度で数時間保持し
て絶縁基体とメタライズ配線層を同時焼成することによ
り、アルミナ質セラミックスの結晶間に介在する液相成
分の一部を高融点金属の粒子間に拡散させてメタライズ
配線層と絶縁基体を被着接合する方法が一般に採用され
ている。

【０００５】近年、高周波化及び高密度化が進むＩＣや
ＬＳＩ等の半導体素子を搭載する配線基板は、半導体素
子の高速化と放熱性を良好ならしめ、更に高い絶縁抵抗
や低い誘電損失（ｔａｎδ）等の品質の向上が求めら
れ、その上、半導体素子をコンパクトに搭載するために
半導体素子の各電極を配線基板の配線用電極にハンダバ
ンプ等により直接接続するフリップチップ接続法等が採
用されるようになってきている。

【０００６】そのため、絶縁基体としては、より純度の
高いアルミナを用いると共に焼結助剤を可能な限り減少
させ、配線密度を上げて高密度化するとともに、半導体
素子の高速化を実現するために配線抵抗を低くすべく高
融点金属に添加する液相成分を減らしてメタライズ配線
層を形成するとともに、絶縁基体とメタライズ配線層と
の接着強度をより強固なものにすることが望まれてい
た。

【０００７】しかし、絶縁基体の焼結助剤及びメタライ
ズ配線層の液相成分を減らすと、配線抵抗は低くなるも
のの両者の接着強度が減少することになり、それを防止
するためには焼成温度を高くしなければならず、焼成コ
ストの増加を招いていた。

【０００８】そこで、そのような問題を解消するため
に、前記高融点金属にＡｌ₂Ｏ₃と、Ｎｂ₂Ｏ₅あるい
はその化合物とを添加したメタライズ組成物が提案され
ていた（特公昭５７−１００７６号公報、特開昭６３−
１０７８７９号公報参照）。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記メ
タライズ組成物では１６００℃以下、１３００℃までの
焼成温度でも充分な接着強度を有するものの、焼成時間
は依然として数時間以上を必要とし、しかもメタライズ
組成物として仮焼原料粉末を用いたりしなければなら
ず、仮焼・粉砕の煩雑な製造工程の増加とコストアップ
は、高密度化が進む半導体装置の多様化、小型化に伴う
半導体装置搭載製品のモデルチェンジや市場投入期間が
更に短くなっている昨今の状況下では、それらに使用さ
れる配線基板の短納期化及び低コスト化の要求を必ずし
も満足するものではないという課題があった。

【００１０】

【発明の目的】本発明は前記課題に鑑みなされたもの
で、仮焼・粉砕等の煩雑な製造工程を必要とせず、アル
ミナ質セラミックスから成る絶縁基体とメタライズ配線
層を低温度でかつ短時間に同時焼成可能として製造コス
トを低減し、かつ反りやうねり等の変形もなく、半導体
素子がコンパクトに収容搭載でき、半導体素子の他にコ
ンデンサや抵抗体等の各種電子部品を密に搭載すること
が可能な多層配線基板や半導体素子収納用パッケージ等
に好適な、昨今の半導体装置搭載製品の状況に即応した
短納期で低コストの配線基板を提供することを目的とす
るものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、アルミナ
質セラミックスから成る絶縁基体に高融点金属のＷ、Ｍ
ｏの一種以上を主成分とするメタライズ配線層を形成す
るためのメタライズ組成物として、０．５〜１０．０重
量％のＡｌ₂Ｏ₃と０．１〜３．０重量％のＮｂ
₂Ｏ₅、及び１２００〜１６００℃の温度範囲で前記メ
タライズ組成物中のＡｌ₂Ｏ₃と液相を生成するＡｌ₂
Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＭｇＯ、ＣａＯの内の２種以上から成
る化合物を０．０１〜１０．０重量％含有させることに
より前記目的が達成されることを知見したものである。

【００１２】即ち、本発明の配線基板は、高融点金属の
Ｗ、Ｍｏの一種以上を主成分とし、メタライズ組成物を
成すＡｌ₂Ｏ₃とＮｂ₂Ｏ₅の他に、該Ａｌ₂Ｏ₃と１
２００〜１６００℃の温度範囲で液相を生成するＡｌ₂
Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＭｇＯ、ＣａＯの内の２種以上から成
る化合物を０．０１〜１０．０重量％含有して成るメタ
ライズ組成物で形成したメタライズ配線層を有すること
を特徴とするものである。

【００１３】更に、本発明の配線基板は、前記化合物が
コージェライトまたはアノーサイトであることがより望
ましいものである。

【００１４】

【作用】本発明によれば、アルミナ質セラミックスから
成る絶縁基体に高融点金属のＷ、Ｍｏの一種以上を主成
分とし、Ａｌ₂Ｏ₃とＮｂ₂Ｏ₅の他に、該Ａｌ₂Ｏ₃
と１２００〜１６００℃の温度範囲で液相を生成するＡ
ｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＭｇＯ、ＣａＯの内の２種以上か
ら成る化合物を含有するメタライズ組成物でメタライズ
配線層を形成するようにしたことから、メタライズ組成
物中のＡｌ₂Ｏ₃と前記化合物が同時に液相を生成し、
高融点金属のＷあるいはＭｏ粒子の表面が前記液相で覆
われて該粒子の再配列を促し、焼結をより一層促進して
低温度で短時間焼成が可能となる。

【００１５】それと共に、アルミナ質セラミックスとメ
タライズ組成物の収縮も同時に開始されることになり、
絶縁基体の反りやうねり等の変形も極めて小さくなり、
前記アルミナ質セラミックスとメタライズ組成物中の液
相成分が互いに反応して接着強度も増強されることとな
る。

【００１６】一方、それと共にメタライズ組成物中の高
融点金属のＭｏやＷも緻密化するので、メタライズ配線
層の配線抵抗も低下することになる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の配線基板について
詳述する。

【００１８】本発明におけるメタライズ組成物中の高融
点金属としては、ＷまたはＭｏのいずれを使用しても良
く、また双方を混合することも可能である。

【００１９】従来、同時焼成用メタライズ組成物として
は一般にＷが用いられてきたが、高周波特性に優れた絶
縁基体では、メタライズ組成物としては焼結性が高くメ
タライズ配線層が緻密化し易いことが望ましく、その点
からはＭｏはＷに比較して低融点であり焼結性が高く、
高周波特性に優れたアルミナ質セラミックスから成る絶
縁基体のメタライズ配線層として優れた特性を有してい
る。

【００２０】また、本発明のメタライズ組成物は、平均
粒径が２〜３μｍの前記高融点金属粉末に、Ａｌ₂Ｏ₃
とＮｂ₂Ｏ₅の他に、該Ａｌ₂Ｏ₃と１２００〜１６０
０℃の温度範囲で液相を生成するＡｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ
Ｏ₂、ＭｇＯ、ＣａＯの内の２種以上から成る化合物と
を含有するもので、Ａｌ₂Ｏ₃の含有量が０．５重量％
未満では１６００℃以下の低温度で前記化合物と液相を
生成せず、また１０．０重量％を越えると、メタライズ
配線層表面がＡｌ₂Ｏ₃を主成分とするセラミック層で
覆われ、後工程のメッキ処理で均一なメッキ被膜を形成
できなかったり、メッキ被覆層とメタライズ配線層との
被着接合強度が低くなるとともに、配線抵抗が増加する
ことになる。

【００２１】従って、前記Ａｌ₂Ｏ₃の含有量は０．５
〜１０．０重量％に特定され、絶縁基体とメタライズ配
線層、及びメタライズ配線層とメッキ被覆層との被着接
合強度と配線抵抗の点からは、１．０〜３．０重量％が
最適である。

【００２２】次に、前記Ｎｂ₂Ｏ₅は高融点金属とガラ
ス成分との濡れ性を改善するための成分であり、その含
有量が０．１重量％未満の場合には高融点金属とガラス
成分との濡れ性が部分的にしか改善されず、絶縁基体に
対する接合強度が低下し、また、３．０重量％を越える
と絶縁基体とメタライズ配線層との被着が阻害されて高
融点金属とガラス成分の周囲にＮｂ₂Ｏ₅が過剰に存在
することから接合強度が劣ると共に、配線抵抗が増加す
ることになる。

【００２３】従って、Ｎｂ₂Ｏ₅の含有量は、０．１〜
３．０重量％に特定され、高融点金属とガラス成分との
濡れ性がより均一になるという点からは、０．３〜２．
０重量％がより望ましい。

【００２４】一方、メタライズ組成物中のＡｌ₂Ｏ₃と
１２００〜１６００℃の温度範囲で液相を生成するＡｌ
₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＭｇＯ、ＣａＯの内の２種以上から
成る化合物の含有量が０．０１重量％未満になると、高
融点金属粒子間に介在する液相量が不十分であるため、
高融点金属粒子の焼結が阻害されて絶縁基体との接合強
度が低くなると共に、配線抵抗が増加することになる。

【００２５】また、前記含有量が１０．０重量％を越え
るとメタライズ配線層表面がガラス成分で覆われるた
め、後のメッキ工程においてメッキ不良が発生したり、
メッキ被覆層とメタライズ配線層との被着接合強度が低
下すると共に、配線抵抗が増加して配線基板としての要
求を満足しない。

【００２６】従って、前記化合物の含有量は、０．０１
〜１０．０重量％に特定され、高融点金属の焼結及びメ
タライズ配線層表面へのメッキ被覆性の点からは、０．
０５〜２．０重量％がより好ましい。

【００２７】また、前記Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｍｇ
Ｏ、ＣａＯの内の２種以上から成る化合物で、Ａｌ₂Ｏ
₃との液相生成温度が１２００℃未満の化合物は、アル
ミナ質セラミックスの焼結開始温度が１２００〜１３０
０℃であることから化合物の液相成分がアルミナ質セラ
ミックス側に拡散してしまい、一方、前記液相生成温度
が１６００℃を越えると、焼成コストが増加して望まし
くなく、その上、アルミナ質セラミックスの焼成温度が
１４５０〜１６００℃であることから、メタライズ組成
物が緻密化せずメタライズ配線層の抵抗が大きくなり損
失が大となる等、電気的特性が劣化すると共に、絶縁基
体との接着強度が低下してしまい、いずれも化合物の添
加効果がなくなってしまう。

【００２８】従って、前記液相生成温度範囲は１２００
〜１６００℃に特定され、とりわけ１２００〜１４００
℃が最も好適である。

【００２９】前述のような条件を満足する化合物として
は、ムライト（３Ａｌ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂）、スピネル
（ＭｇＯ・Ａｌ₂Ｏ₃）、ゲーレナイト（２ＣａＯ・Ａ
ｌ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）、ランキナイト（３ＣａＯ・２Ｓ
ｉＯ₂）、プロトエンスタタイト（ＭｇＯ・Ｓｉ
Ｏ₂）、コージェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ₂Ｏ₃・５
ＳｉＯ₂）、アノーサイト（ＣａＯ・Ａｌ₂Ｏ₃・２Ｓ
ｉＯ₂）やフォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）等
が挙げられ、１２００〜１４００℃の温度範囲でＡｌ₂
Ｏ₃と液相を生成する化合物としては、コージェライト
（２ＭｇＯ・２Ａｌ₂Ｏ₃・５ＳｉＯ₂）、アノーサイ
ト（ＣａＯ・Ａｌ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂）が最適である。

【００３０】尚、前記化合物の粒径は、高融点金属の粒
径より大となると高融点金属の粒子間に均一に分散しな
くなり、その結果、高融点金属の濡れ性が不十分とな
り、該高融点金属粒子間へのガラス成分の浸透が部分的
となり、絶縁基体とメタライズ配線層の接着強度が劣化
するとともに配線抵抗も増加する傾向を示すことから、
前記化合物の粒径は高融点金属の粒径と同等、あるいは
より小さいものにしておくことが望ましい。

【００３１】更に、メタライズ組成物に含有する前記化
合物の量と、メタライズ組成物中のＡｌ₂Ｏ₃と液相を
生成する温度範囲を特定することにより、絶縁基体とメ
タライズ配線層との熱収縮の整合性が良くなり、焼成過
程での収縮差による配線基板の反りやうねり等の変形が
防止されるとともに、前記収縮差に起因して発生する不
要な応力も緩和され、その結果、メタライズ配線層を絶
縁基体に強固に接着させることが可能となる。

【００３２】尚、本発明の配線基板に適用するメタライ
ズ組成物を好適に用い得る絶縁基体としては、この配線
基板を１〜１００ＧＨｚの高周波帯用基板とする場合、
１〜１０ＧＨｚ帯域における誘電正接（ｔａｎδ）が１
×１０^-3以下付近の値を得ることが必要となるため、高
純度アルミナ質焼結体とすることがより望ましい。

【００３３】更に、メタライズ組成物中の無機成分、特
にＡｌ₂Ｏ₃の純度を９９．９％以上にすると、該Ａｌ
₂Ｏ₃と絶縁基体のＡｌ₂Ｏ₃が焼結して形成される界
面は、純度が高く強度も大きいものとなり気密性に更に
寄与する。

【００３４】しかも、係るメタライズ組成物は、高純度
のアルミナ質セラミックスを絶縁基体とする配線基板を
製造する際、同時焼成によってアルミナ質焼結体とメタ
ライズ配線層を形成することができるため、配線基板の
多層配線化が容易となる。

【００３５】次に、前記メタライズ組成物を用い、アル
ミナ質セラミックスを絶縁基体とする配線基板の製造方
法について説明する。先ず、Ａｌ₂Ｏ₃原料粉末にＳｉ
Ｏ₂、ＭｇＯ、ＣａＯ等の焼結助剤を添加して混合した
ものに、溶媒等を添加混合して泥漿を調製し、これをド
クターブレード法、カレンダーロール法、圧延法等で、
あるいは前記混合粉末をプレス成形して適当な厚さのシ
ート状に成形してグリーンシートを作製する。

【００３６】一方、高融点金属を主成分とし、Ａｌ₂Ｏ
₃とＮｂ₂Ｏ₅、及びＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＭｇＯ、
ＣａＯの内の２種以上から成る化合物を含有するメタラ
イズ組成物の混合粉末に、アクリル樹脂、エチルセルロ
ース、ニトロセルロース等の公知のバインダーと、ジブ
チルフタレートなどの公知の可塑剤と、必要に応じて消
泡剤、界面活性剤等を溶媒とともに適宜添加混合してメ
タライズペーストを調製する。

【００３７】そして、このメタライズペーストを前記グ
リーンシートの表面にスクリーン印刷法、グラビア印刷
法等により配線パターン状に印刷すると共に、グリーン
シートにスルーホールを形成し、該スルーホール内へも
前記メタライズペーストを充填した後、複数のグリーン
シートを積層一体化する。

【００３８】このようにして得られた積層物を還元性雰
囲気中、好ましくは加湿窒素水素混合雰囲気中で１４５
０〜１６００℃の温度で焼成し、グリーンシートとメタ
ライズペーストとを同時に焼成することにより多層の配
線基板が作製できる。

【００３９】尚、前記配線基板の表面に露出したメタラ
イズ配線層や、接続金具が取り付けられる配線層の表面
には、耐食性を向上させたり、ロウ材や半田との濡れ性
を向上させて接合強度を高めるために、ニッケル（Ｎ
ｉ）、金（Ａｕ）等の良導電性で耐蝕性に優れた金属を
電解メッキ、無電解メッキ等の手段により０．１〜１０
μｍの厚さで形成しても良い。

【００４０】

【実施例】以下、本発明のメタライズ組成物及びそれを
用いた配線基板について、実施例に基づき具体的に詳述
する。

【００４１】先ず、平均粒径が１〜３μｍのＷ、Ｍｏ粉
末と、前記粒径より小さい粒径を有するＡｌ₂Ｏ₃とＮ
ｂ₂Ｏ₅、及びＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＭｇＯ、ＣａＯ
の内の２種以上から成る化合物粉末を表１乃至表３に示
す割合でそれぞれ秤量し、それに公知の有機系バインダ
ーと有機溶媒を添加して混練機で１０時間混練してペー
スト状のメタライズ用試料を作製した。

【００４２】一方、絶縁基体用のアルミナ質成形体とし
て、Ａｌ₂Ｏ₃９２重量％に、ＳｉＯ₂、ＭｇＯ、Ｃａ
Ｏ等から成る焼結助剤を合計量で８重量％添加し、それ
に有機系バインダー、可塑剤、溶媒を加えて泥漿を調製
し、該泥漿を前記公知のテープ成形法により厚さ約３０
０μｍの絶縁基体用セラミックグリーンシートを成形し
た。

【００４３】尚、メタライズ組成物として、前記Ａｌ₂
Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＭｇＯ、ＣａＯの内の２種以上から成
る化合物を全く含有しないもの、及び前記液相生成温度
が１６００℃を越えるペリクラース（ＭｇＯ）を添加し
たものを比較例とした。

【００４４】また、前記Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｍｇ
Ｏ、ＣａＯの内の２種以上から成る化合物の液相生成温
度は、該化合物とＡｌ₂Ｏ₃原料粉末との混合粉末をそ
れぞれの状態図より想定した種々の温度で焼成して液相
の生成を目視検査するとともに、走査型電子顕微鏡でも
検査して確認し、液相生成温度を特定した。

【００４５】

【表１】

【００４６】

【表２】

【００４７】

【表３】

【００４８】かくして得られたメタライズ用試料を、長
方形状に切断した前記セラミックグリーンシートの一方
の外表面に縦３ｍｍ、横２４ｍｍの長方形状、及び抵抗
測定用パターンをスクリーン印刷法により印刷した後、
これを窒素と水素の混合ガスから成る還元性雰囲気中、
１６００℃の温度で同時焼成し、アルミナ質焼結体から
成る絶縁基体表面に厚さ約２０μｍのメタライズ配線層
を被着形成した評価用の配線基板を作製した。

【００４９】かくして得られた評価用の配線基板を用い
て、該配線基板のメタライズ配線層外表面にＮｉを被覆
し、該Ｎｉ被覆層上に鉄−ニッケル系のリードピンを、
８００〜９００℃の温度で銀ロウにて接合した後、該リ
ードピンを１０ｍｍ／ｍｉｎの引っ張り速度で引っ張
り、該リードピンが剥離した時の荷重をメタライズ強度
として評価した。

【００５０】次に、前記配線基板に形成した抵抗測定用
パターンのメタライズ配線層の両端の電気抵抗を４端子
法による電気抵抗測定器で測定し、該メタライズ配線層
の形状寸法を測定顕微鏡で計測するとともに、ダイヤモ
ンド針を装着した接触型表面粗さ計でその幅と厚さを測
定して比抵抗値を算出して配線抵抗を評価した。

【００５１】また、前記配線基板表面の中央部を前記接
触型表面粗さ計で対角線方向に触針して反り形状を計測
し、単位長さ当たりの反り（μｍ／ｍｍ）を算出してそ
の最大値を平坦度として評価した。

【００５２】

【表４】

【００５３】

【表５】

【００５４】

【表６】

【００５５】以上の結果から明らかなように、Ａｌ₂Ｏ
₃と液相を生成する化合物を含有しない比較例の試料番
号１６、６３、８９では、いずれも焼成時間が１２０分
と極めて長く、また前記液相を形成する温度が１６００
℃を越える比較例の試料番号４９、７６、１０２では、
焼成時間は短いものの、メタライズ強度が４．２ｋｇｆ
以下と低く、配線抵抗も３．４×１０^-5Ωｃｍ以上と高
く、しかも平坦度が単位長さ（ｍｍ）当たり１．１０μ
ｍと極めて悪い。

【００５６】また、前記比較例以外の本発明の請求範囲
外の試料番号１、８、９、１５、２５、２６、３１、３
２、３７、４２、５０、５６、５７、６２、６８、７
３、７７、８２、８３、８８、９４、９９では、メタラ
イズ強度が５ｋｇｆ以下であったり、配線抵抗が３．０
×１０^-5Ωｃｍ以上であったり、平坦度が１．０５μｍ
／ｍｍ以上であったり、全ての特性を満足するものでは
ない。

【００５７】それらに対して、本願発明の試料はいずれ
も短時間で焼成可能な上、メタライズ強度、配線抵抗、
平坦度のいずれも満足すべきものであることが分かる。

【００５８】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の配線基板
は、高融点金属のＷ、Ｍｏの一種以上を主成分とし、
０．５〜１０．０重量％のＡｌ₂Ｏ₃と０．１〜３．０
重量％のＮｂ₂Ｏ₅、及び１２００〜１６００℃の温度
範囲で前記Ａｌ₂Ｏ₃と液相を生成するＡｌ₂Ｏ₃、Ｓ
ｉＯ₂、ＭｇＯ、ＣａＯの内の２種以上から成る化合物
を０．０１〜１０．０重量％含有して成るメタライズ組
成物で形成したメタライズ配線層を有することから、仮
焼・粉砕等の煩雑な製造工程を必要とせず、アルミナ質
セラミックスから成る絶縁基体と低い電気抵抗と高い気
密性を有するメタライズ配線層を低温度でかつ短時間に
同時焼成でき、製造コストが低く、かつ反りやうねり等
の変形もなく、半導体素子収納用パッケージや各種回路
基板、及び高周波用の多層配線基板等、とりわけ半導体
素子がコンパクトに収容搭載でき、半導体素子の他にコ
ンデンサや抵抗体等の各種電子部品を密に搭載すること
が可能な、昨今の半導体装置搭載製品の状況に即応した
短納期で低コストの信頼性の高い配線基板を提供するこ
とができるものである。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】アルミナ質セラミックスから成る絶縁基体
に高融点金属のタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）の一種以上を主成分とするメタライズ配線層を形成
した配線基板であって、前記メタライズ配線層を形成す
るためのメタライズ組成物が０．５〜１０．０重量％の
アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）と０．１〜３．０重量％の酸化
ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）、及び１２００〜１６００℃の温
度範囲で前記アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）と液相を生成する
アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、シリカ（ＳｉＯ₂）、マグネ
シア（ＭｇＯ）、カルシア（ＣａＯ）の内の２種以上か
ら成る化合物を０．０１〜１０．０重量％含有すること
を特徴とする配線基板。
【請求項２】前記化合物がコージェライトまたはアノー
サイトであることを特徴とする請求項１記載の配線基
板。