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JP3377747B2 - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

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JP3377747B2
JP3377747B2 JP17641498A JP17641498A JP3377747B2 JP 3377747 B2 JP3377747 B2 JP 3377747B2 JP 17641498 A JP17641498 A JP 17641498A JP 17641498 A JP17641498 A JP 17641498A JP 3377747 B2 JP3377747 B2 JP 3377747B2
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point
capillary
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bonding point
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Shinkawa Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、第１ボンディング
点と第２ボンディング点との間をワイヤで接続するワイ
ヤボンディング方法に係り、特にワイヤループ形成方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の組立工程には、図４に示す
ように、リードフレーム１にマウントされた半導体チッ
プ２上のパッド２ａ（第１ボンディング点）とリードフ
レーム１上のリード１ａ（第２ボンディング点）との間
をワイヤ３により接続する工程がある。この場合におけ
るワイヤ３のループ形状として、図４（ａ）に示す台形
ループと、図４（ｂ）に示す三角ループとがある。な
お、この種のワイヤループ形成方法として、例えば特公
平５−６０６５７号公報、特開平４−３１８９４３号公
報があげられる。
【０００３】図４（ａ）に示す台形ループは、図５に示
す工程により形成される。図５（ａ）に示すように、ワ
イヤ３をクランプするクランパ（図示せず）は開状態
で、キャピラリ４が下降して第１ボンディング点Ａにワ
イヤ先端に形成されたボールをボンディングした後、キ
ャピラリ４はＢ点まで上昇してワイヤ３を繰り出す。次
に図５（ｂ）に示すように、キャピラリ４を第２ボンデ
ィング点Ｇと反対方向にＣ点まで水平移動させる。一般
に、キャピラリ４を第２ボンディング点Ｇと反対方向に
移動させることをリバース動作という。これにより、ワ
イヤ３は、Ａ点からＣ点まで傾斜した形状となり、ワイ
ヤ３の部分に癖３ａが付く。このＡ点からＣ点までの工
程で繰り出されたワイヤ３は、図４（ａ）に示すネック
高さ部３１となる。
【０００４】次に図５（ｃ）に示すように、キャピラリ
４はＤ点まで上昇してワイヤ３を繰り出す。その後、図
５（ｄ）に示すように、キャピラリ４は再び第２ボンデ
ィング点Ｇと反対方向にＥ点まで水平移動、即ちリバー
ス動作を行う。これにより、ワイヤ３は、Ｃ点からＥ点
まで傾斜した形状となり、ワイヤ３の部分に癖３ｂが付
く。このＣ点からＥ点まで繰り出されたワイヤ３は、図
４（ａ）に示す台形部長さ部分３２となる。
【０００５】次に図５（ｅ）に示すように、キャピラリ
４はＦ点まで上昇して図４（ａ）に示す傾斜部３３分だ
けワイヤ３を繰り出す。その後、クランパ（図示せず）
が閉じる。クランパが閉じると、以後キャピラリ４が移
動してもワイヤ３の繰り出しは行われない。次に図５
（ｆ）（ｇ）に示すように、キャピラリ４は円弧運動又
は円弧運動後に下降して第２ボンディング点Ｇに位置
し、第２ボンディング点Ｇにワイヤ３をボンディングす
る。
【０００６】図４（ｂ）に示す三角ループは、図６に示
す工程により形成される。三角ループは、台形ループの
台形部長さ部分３２を形成しないものであるので、図５
（ｄ）に示す第２回目のリバース動作を行っていない。
従って、図５（ｃ）（ｄ）（ｅ）の工程は、図６（ｃ）
の工程のみとなる。即ち、図６（ａ）（ｂ）は図５
（ａ）（ｂ）と同じ工程であり、図６（ｂ）に示す第１
回目のリバース動作後、図６（ｃ）に示すように、キャ
ピラリ４はＦ点まで上昇してワイヤ３を繰り出す。その
後、キャピラリ４は図５（ｆ）（ｇ）と同様の図６
（ｄ）（ｅ）の動作を行って第２ボンディング点Ｇにワ
イヤ３をボンディングする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記したように、図６
に示す三角ループ形成工程は、図５に示す台形ループ形
成工程より単純な工程で形成でき、ループ形成が短時間
に行えるという特徴を有する。しかし、第１ボンディン
グ点Ａと第２ボンディング点Ｇとの段差が大きい場合、
或いは第１ボンディング点Ａと半導体チップ２の端部と
が離れている場合には、図４（ｂ）に示す三角ループの
ワイヤループ形状では、ワイヤ３が半導体チップ２に接
触してしまう。このような場合には、図４（ａ）に示す
台形ループのワイヤループ形状にして、ワイヤ３と半導
体チップ２との接触を防止している。
【０００８】図５に示す台形ループ形成工程において、
図５（ｂ）に示す第１回目のリバース動作は、キャピラ
リ４が第１ボンディング点Ａに近い高さでの位置で行う
ので、比較的強い癖３ａが付き易い。しかし、図５
（ｄ）に示す第２回目のリバース動作は、キャピラリ４
が第１ボンディング点Ａから離れた高い位置で行うの
で、癖３ｂが付き難くて安定しない。このため、図４
（ａ）に示す癖３ｂの部分が安定しないのでワイヤルー
プの形状保持力が弱く、癖３ｂの高さが癖３ａの高さに
揃わないで尻上がり又は尻下がりとなったりする。また
癖３ｂ部分の形状保持力が弱いと、外部からの加圧によ
ってワイヤ曲がりが発生する。例えば、第２ボンディン
グ点Ｇへのボンディング時におけるキャピラリ接触や超
音波発振による衝撃、またワイヤ３の振動、またモール
ド時のモールド材注入によるモールドの流れ等の外力に
よってワイヤ曲がりが発生し易い。
【０００９】本発明の課題は、台形ループの問題点を解
決するもので、安定したワイヤループ形状及び形状保持
力の高いワイヤループ形状を形成することができるワイ
ヤボンディング方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の第１の手段は、第１ボンディング点と第２ボンディン
グ点との間をワイヤで接続するワイヤボンディング方法
において、第１ボンディング点にワイヤの先端を接続す
る工程と、次にキャピラリを上昇させ、続いて第２ボン
ディング点と反対方向に移動させる第１回目のリバース
動作を行う工程と、次にキャピラリを上昇させ、その後
キャピラリを第２ボンディング点の方向に移動させ、続
いてキャピラリを僅かに下降させる工程と、次にキャピ
ラリを上昇させ、その後第２ボンディング点と反対方向
に移動させる第２回目のリバース動作を少なくとも１回
行う工程と、次にキャピラリを上昇させてワイヤを繰り
出し、第２ボンディング点の方向に移動させてワイヤを
第２ボンディング点に接続する工程を行うことを特徴と
する。
【００１１】上記課題を解決するための第２の手段は、
上記第１の手段において、前記リバース動作後、キャピ
ラリを僅かに下降させる工程を付加したことを特徴とす
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図１及び
図２により説明する。なお、図４（ａ）及び図５と同じ
又は相当部材若しくは相当部分には同一符号を付して説
明する。本実施の形態は、図５に示す台形ループの図５
（ｃ）乃至（ｅ）の工程を図１（ｃ）乃至（ｈ）のよう
に変えたものである。その他の工程は図５の工程と同じ
である。即ち、図１（ａ）（ｂ）及び（ｉ）（ｊ）の工
程は図５（ａ）（ｂ）及び（ｆ）（ｇ）の工程に相当す
る。
【００１３】まず、従来と同じ図１（ａ）（ｂ）の工程
について説明する。図１（ａ）に示すように、ワイヤ３
をクランプするクランパ（図示せず）は開状態で、キャ
ピラリ４が下降して第１ボンディング点Ａにワイヤ先端
に形成されたボールをボンディングした後、キャピラリ
４はＢ点まで上昇してワイヤ３を繰り出す。次に図１
（ｂ）に示すように、キャピラリ４を第２ボンディング
点Ｇと反対方向のＣ点まで水平移動させるリバース動作
を行う。これにより、従来と同様に、ワイヤ３の部分に
癖３ａが付く。またＡ点からＣ点までの工程で繰り出さ
れたワイヤ３は、図１（ｉ）に示すネック高さ部３１と
なる。
【００１４】次に本実施の形態の特徴とする工程が行わ
れる。図１（ｃ）に示すように、キャピラリ４はＣ点と
Ｄ点（図１（ｆ）及び図５（ｃ）参照）のほぼ半分のＤ
１点まで上昇してワイヤ３を繰り出す。その後、図１
（ｄ）に示すように、キャピラリ４は第２ボンディング
点Ｇの方向へＤ２点まで移動する。そして、図１（ｅ）
に示すように、キャピラリ４は僅かにＤ３点まで下降す
る。続いて図１（ｆ）に示すように、キャピラリ４はＤ
点まで上昇してワイヤ３を繰り出す。
【００１５】前記図１（ｄ）乃至（ｆ）の工程により、
ワイヤ３に癖３ｃが付く。特に図１（ｄ）から（ｅ）の
工程により、癖３ｃはより強く付けられて定着すると共
に、癖３ｃの位置がより安定し、また形状保持力が高い
ワイヤループ形状が形成される。またＤ１点からＤ２点
までの動作で繰り出した長さ（癖３ａから癖３ｃまでの
長さ）が第１の横ワイヤ部３４となる。
【００１６】次に図１（ｇ）に示すように、キャピラリ
４は第２ボンディング点Ｇと反対方向に移動、即ち第２
回目のリバース動作を行いＥ点まで水平移動する。この
Ｃ点からＥ点までの動作により、ワイヤ３には癖３ｂが
付く。またこの時に繰り出されたワイヤ３は図１（ｊ）
に示す第２の横ワイヤ部３５となる。次に図１（ｈ）に
示すように、キャピラリ４はＦ点まで上昇して図１
（ｊ）に示す傾斜部３３分だけワイヤ３を繰り出す。そ
の後、クランパ（図示せず）は閉じる。クランパが閉じ
ると、以後キャピラリ４が移動してもワイヤ３の繰り出
しは行われない。
【００１７】その後は従来と同様に、図１（ｉ）から
（ｊ）に示すように、キャピラリ４は円弧運動又は円弧
運動後に下降して第２ボンディング点Ｇに位置し、ワイ
ヤ３をボンディングする。なお、Ｆ点から第２ボンディ
ング点Ｇまでの動作は、本発明の要旨と直接関係はない
ので、前記した従来例に開示されている動作と同様の動
作を行わせても、またはその他の種々の動作を行わせて
も良いことは言うまでもない。
【００１８】このように、図１（ｇ）の第２回目のリバ
ース動作は、単にキャピラリ４を図１（ｃ）のように上
昇させた後に行うのではなく、図１（ｄ）のように一旦
第２ボンディング点Ｇの方向に移動させ、続いて図１
（ｅ）のように僅かに下降させ、次に図１（ｆ）のよう
に上昇させて癖３ｃを付けた後に行う。このため、台形
部長さ部分３２に強い癖３ｃが付き、この癖３ｃの存在
によって台形部長さ部分３２が下方に窪んだ形状とな
り、従来より強い癖３ｂが付き、また癖３ｂの位置が安
定すると共に、形状保持力が高いワイヤループ形状が形
成される。
【００１９】図３は本発明の他の実施の形態を示す。本
実施の形態は、前記実施の形態（図１、図２参照）の工
程において、キャピラリ４がＢ点からＣ点に移動してリ
バース動作を行った後にキャピラリ４をＣ点からＣ１点
まで僅かに下降、またＤ点からＥ点に移動してリバース
動作を行った後にＥ点からＥ１点まで僅かに下降させる
工程を付加したものである。
【００２０】このように、キャピラリ４をＣ点からＣ１
点まで僅かに下降させると、図１（ｃ）乃至（ｊ）に示
す癖３ａがより強く付けられる。またキャピラリ４をＥ
点からＥ１点まで僅かに下降させると、図１（ｈ）乃至
（ｊ）に示す癖３ｂがより強く付けられる。即ち、本実
施の形態においては、全ての癖３ａ、３ｂ、３ｃが強く
付けられ、上記実施の形態より更にワイヤループ形状及
び形状保持力が向上する。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、第１ボンディング点に
ワイヤを接続する工程と、次にキャピラリを上昇させ、
続いて第２ボンディング点と反対方向に移動させる第１
回目のリバース動作を行う工程と、次にキャピラリを上
昇させ、その後キャピラリを第２ボンディング点の方向
に移動させ、続いてキャピラリを僅かに下降させる工程
と、次にキャピラリを上昇させ、その後第２ボンディン
グ点と反対方向に移動させる第２回目のリバース動作を
少なくとも１回行う工程と、次にキャピラリを上昇させ
てワイヤを繰り出し、第２ボンディング点の方向に移動
させてワイヤを第２ボンディング点に接続する工程を行
うので、安定したワイヤループ形状及び形状保持力の高
いワイヤループ形状を形成することができる。
【００２２】これにより、配線距離の短い短ループは勿
論のこと、配線距離の長い長ループにおいても安定した
ループ形状が得られる。また外部からの加圧に対して形
状保持力が高いループが形成されるので、外部からの加
圧によるワイヤ曲がりが防止できる。例えば、第２ボン
ディング点へのボンディング時におけるキャピラリ接触
や超音波発振による衝撃、またワイヤの振動、またモー
ルド時のモールド材注入によるモールドの流れ等の外力
に対し、高いショック吸収能力があり、ワイヤ曲がりが
防止される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態を示し、（ａ）乃至
（ｊ）は各工程のキャピラリ移動によるワイヤ形状を示
す状態図である。
【図２】図１のキャピラリの軌跡を示す説明図である。
【図３】本発明の他の実施の形態のキャピラリの軌跡を
示す説明図である。
【図４】（ａ）は従来の台形ループのワイヤループ形状
を示す図、（ｂ）は従来の三角ループのワイヤループ形
状を示す図である。
【図５】（ａ）乃至（ｇ）は図４（ａ）の台形ループを
形成するキャピラリの軌跡による各時点でのワイヤ形状
を示す状態図である。
【図６】（ａ）乃至（ｅ）は図４（ｂ）の三角ループを
形成するキャピラリの軌跡による各時点でのワイヤ形状
を示す状態図である。
【符号の説明】
Ａ 第１ボンディング点 Ｇ 第２ボンディング点 ３ ワイヤ ３ａ、３ｂ、３ｃ 癖 ４ キャピラリ ３１ ネック高さ部 ３２ 台形部長さ部分 ３３ 傾斜部 ３４ 第１の横ワイヤ部 ３５ 第２の横ワイヤ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１ボンディング点と第２ボンディング
    点との間をワイヤで接続するワイヤボンディング方法に
    おいて、第１ボンディング点にワイヤの先端を接続する
    工程と、次にキャピラリを上昇させ、続いて第２ボンデ
    ィング点と反対方向に移動させる第１回目のリバース動
    作を行う工程と、次にキャピラリを上昇させ、その後キ
    ャピラリを第２ボンディング点の方向に移動させ、続い
    てキャピラリを僅かに下降させる工程と、次にキャピラ
    リを上昇させ、その後第２ボンディング点と反対方向に
    移動させる第２回目のリバース動作を少なくとも１回行
    う工程と、次にキャピラリを上昇させてワイヤを繰り出
    し、第２ボンディング点の方向に移動させてワイヤを第
    ２ボンディング点に接続する工程を行うことを特徴とす
    るワイヤボンディング方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載のワイヤボンディング方法
    において、前記リバース動作後、キャピラリを僅かに下
    降させる工程を付加したことを特徴とするワイヤボンデ
    ィング方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3455092B2 (ja) * 1997-10-27 2003-10-06 株式会社新川 半導体装置及びワイヤボンディング方法
JP3685779B2 (ja) * 2002-08-27 2005-08-24 株式会社新川 ワイヤボンディング方法、ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディングプログラム
JP4106039B2 (ja) * 2003-06-27 2008-06-25 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
US7464854B2 (en) * 2005-01-25 2008-12-16 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Method and apparatus for forming a low profile wire loop
CN101652844B (zh) * 2007-04-02 2015-08-26 库利克和索夫工业公司 在引线环中形成弯曲的方法
JP2009010064A (ja) 2007-06-27 2009-01-15 Shinkawa Ltd 半導体装置及びワイヤボンディング方法
JP4547405B2 (ja) * 2007-08-01 2010-09-22 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
JP2015043465A (ja) * 2014-12-01 2015-03-05 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルＰＳ４ Ｌｕｘｃｏ Ｓ．ａ．ｒ．ｌ． 半導体装置
US9881891B1 (en) * 2016-11-15 2018-01-30 Asm Technology Singapore Pte Ltd Method of forming three-dimensional wire loops and wire loops formed using the method
JP7386526B2 (ja) * 2020-02-26 2023-11-27 株式会社新川 ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法
JP7576927B2 (ja) * 2020-04-30 2024-11-01 浜松ホトニクス株式会社 半導体素子及び半導体素子製造方法
WO2022259328A1 (ja) * 2021-06-07 2022-12-15 株式会社新川 ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2883463B2 (ja) 1991-04-17 1999-04-19 株式会社東芝 ワイヤボンディング装置
JPH0560657A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Nippon Seiko Kk 複列玉軸受の外輪軌道のピツチを測定する装置
JP3189115B2 (ja) * 1996-12-27 2001-07-16 株式会社新川 半導体装置及びワイヤボンディング方法
JP3333413B2 (ja) * 1996-12-27 2002-10-15 株式会社新川 ワイヤボンディング方法

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