JP3370011B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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Description
ミネッセンス素子に係り、特に、高輝度な発光が安定し
て行えると共に、所定の色彩の発光が得られるようにす
る点に特徴を有するものである。
て、従来から一般に使用されているCRTに比べて消費
電力が少なく容積の小さい平面表示素子のニーズが高ま
り、このような平面表示素子の一つとしてエレクトロル
ミネッセンス素子が注目されている。
ンス素子は、使用する材料によって大別され、無機材料
を使用した無機エレクトロルミネッセンス素子と、有機
材料を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子とに
大別される。
子は、ホール注入電極から注入されたホールと電子注入
電極から注入された電子とが、発光層とキャリア輸送層
との界面や発光層内で再結合して発光するようになって
おり、無機エレクトロルミネッセンス素子に比べて、低
い電圧で駆動できるという利点があった。
ス素子の場合には、発光材料を選択することによって適
当な色彩に発光する発光素子を得ることができ、マルチ
カラーやフルカラーの表示装置等としても利用できると
いう期待があった。
レクトロルミネッセンス素子について様々な研究が行わ
れるようになった。
ッセンス素子においては、一般にホール注入電極と電子
注入電極との間に、発光層とこの発光層にホールを輸送
するホール輸送層や電子を輸送する電子輸送層からなる
キャリア輸送層を設けるようにしている。
ッセンス素子としては、ホール注入電極と電子注入電極
との間にホール輸送層と発光層と電子輸送層とを積層さ
せたDH構造と称される三層構造のものや、ホール注入
電極と電子注入電極との間にホール輸送層と発光層とが
積層されたSH-A構造と称される二層構造のものや、
ホール注入電極と電子注入電極との間に発光層と電子輸
送層とが積層されたSH-B構造と称される二層構造の
ものが一般に使用されている。
インジウム−スズ酸化物等の仕事関数の大きな電極材料
が用いられ、上記電子注入電極には、Mg等の仕事関数
の小さな電極材料が用いられている。
送材料にはp型半導体の性質を有する有機材料が、電子
輸送層を構成する電子輸送材料にはn型半導体の性質を
有する有機材料が用いられ、また上記発光層を構成する
材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子の素子構造
に応じてその性質が決定され、例えば、上記のSH-A
構造ではn型半導体の性質を有する材料が、SH-B構
造ではp型半導体の性質を有する材料が、DH構造では
中性に近い性質を有する材料が用いられる。
輸送材料として、従来においては、下記の化4に示すト
リス(8−キノリノラト)アルミニウム(以下、Alq3
と略す。)等のキレート金属錯体が一般に使用されてい
る。
ル輸送材料として、従来においては、下記の化5に示す
N,N'-diphenyl-N,N'-di(3-methylphenyl)-1,1'-dipheny
l-4,4'-diamine(以下、TPDと略す。)等のフェニル
アミン系材料が用いられている。
スト材料に発光性の高いドーパントをドープさせて、十
分な発光が得られるようにしたものも用いられている。
パントの種類によっては、ホスト材料からドーパントに
励起エネルギーがうまく移動されず、十分な発光が得ら
れない場合もあった。
ントの種類により、ドーパント以外にホスト材料も発光
してしまい、適切な色彩の発光が得られなくなるという
問題があり、特に、高輝度で色純度の高い赤色の発光を
得ることが非常に困難であった。
層におけるホスト材料から発光性のドーパントに励起エ
ネルギーがうまく移動されて、より高輝度な発光が得ら
れるようにする。
るドーパント以外にホスト材料が発光するのを防止し、
適切な色彩の発光が得られるようにする。
ロルミネッセンス素子は、 ホール注入電極と電子注入電
極との間に、有機材料で構成された発光層が設けられた
有機エレクトロルミネッセンス素子において、上記発光
層のホスト材料に、発光性のドーパントと、この発光性
のドーパントの発光を助けるルブレンをドープさせてい
る。
ッセンス素子のように、発光層に発光性のドーパントと
この発光性のドーパントの発光を助けるルブレンとをド
ープさせると、発光性のドーパントが効率よく励起さ
れ、低電圧で高輝度な発光が得られるようになる。
ントが発光しない場合には、この励起エネルギー移動用
のドーパントによって励起された発光性のドーパントだ
けが発光するようになり、色純度の高い発光が得られる
ようになる。
や、この発光性のドーパントの発光を助けるルブレンを
発光層にドープさせるにあたり、これらの量が少ない
と、発光層にドープされた発光性のドーパントを効率よ
く励起させることができず、十分な発光が得られなくな
る一方、これらの量が多くなり過ぎると、発光層の安定
性等に問題が生じるため、発光層のホスト材料における
上記の各ドーパントのドープ量を0.01〜50重量%
の範囲にすることが好ましい。
センス素子において、高輝度で色純度の高い赤色の発光
を得るためには、上記の発光性のドーパントとして、例
えば、発光ピーク波長が550nm〜700nmの範囲
にある下記の化6、化7、化8から選択される化合物を
用いるようにする。
R7 は、水素又は置換基である。そして、このR1 〜R
7としては、例えば、−CnH2n+1、−CN、−O(CnH
2n+1)、−N(CnH2n+1)、ハロゲン基、フェニル基、ナ
フチル基等が挙げられる。尚、nは0〜10の整数であ
る。
ミネッセンス素子の素子構造は、前記のようにホール注
入電極と電子注入電極との間にホール輸送層と発光層と
電子輸送層とを積層させたDH構造、ホール注入電極と
電子注入電極との間にホール輸送層と発光層とを積層さ
れたSH-A構造、ホール注入電極と電子注入電極との
間に発光層と電子輸送層とを積層されたSH-B構造等
の公知の何れの構造であってもよい。
ロルミネッセンス素子を添付図面に基づいて具体的に説
明すると共に、比較例を挙げ、この発明の実施例の有機
エレクトロルミネッセンス素子が優れている点を明らか
にする。 (実施例1)実施例1における有機エレクトロルミネッ
センス素子においては、図1に示すように、ガラス基板
1の上にインジウム−スズ酸化物(以下、ITOと略
す。)からなる透明なホール注入電極2を形成し、この
ホール注入電極2の上に、下記化9に示す4,4',4"-tris
(3-methyphenylphenylamino)triphenylamine(以下、MT
DATAと略す。)からなる膜厚が500Åになったホール輸
送層3を形成している。
10に示すBis[n-(1-naphthly)-N-phenyl]benzidine(以
下、NPBと略す。)からなるホスト材料中に、発光性
のドーパントとして、このNPBよりもエネルギーギャ
ップの小さい下記化11に示すルブレンが5重量%ドープ
されてなる膜厚が150Åになった発光層4を形成してい
る。
示すAlq3 からなるホスト材料中に、電子輸送性のド
ーパントとして、下記化12に示す9,10-ジフェニルアン
トラセン(以下、DPAと略す。)が20重量%ドープさ
れてなる膜厚が350Åになった電子輸送層5を形成して
いる。
金(Mg:In=10:1)からなる膜厚が2000Åになった電
子注入電極6を形成している。
ミネッセンス素子を製造するにあたっては、ITOから
なる透明なホール注入電極2が形成されたガラス基板1
を中性洗剤により洗浄した後、これをアセトン中で20分
間、エタノール中で20分間それぞれ超音波洗浄し、更に
沸騰したエタノール中に約1分間入れて取り出し、これ
をすぐに送風乾燥させた。
記のホール注入電極2の上に、真空蒸着法により、前記
のホール輸送層3、発光層4、電子輸送層5、電子注入
電極6を順に形成した。尚、これらの蒸着は、何れも真
空度5×10-6Torrで、基板温度を制御しない条件下で行
った。
ミネッセンス素子におけるホール注入電極2を電源(図
示せず)のプラスに、電子注入電極6を電源のマイナス
に接続して電源から電圧を印加すると、下記表1に示す
ように、電圧6Vで輝度が301cd/m2 、電圧11Vで輝
度が21900cd/m2 になったルブレンによる黄色の発光
が得られた。 (実施例2)実施例2の有機エレクトロルミネッセンス
素子においては、上記の実施例1の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、電子輸送層5にドープさせる
電子輸送性のドーパントを下記の化13に示すアントラセ
ンに変更し、上記のAlq3からなるホスト材料中に、
電子輸送性のドーパントとしてアントラセンが12.8重量
%ドープされた電子輸送層5を形成し、それ以外は、上
記の実施例1の有機エレクトロルミネッセンス素子と同
様にした。
ミネッセンス素子におけるホール注入電極2を電源のプ
ラスに、電子注入電極6を電源のマイナスに接続して電
源から電圧を印加すると、下記表1に示すように、電圧
6Vで輝度が131cd/m2 、電圧11Vで輝度が5020cd/
m2 になったルブレンによる黄色の発光が得られた。 (比較例1)比較例1の有機エレクトロルミネッセンス
素子においては、上記の実施例1にの有機エレクトロル
ミネッセンス素子において、電子輸送層5にドーパント
をドープさせずに前記のAlq3 だけで構成し、それ以
外は、上記の実施例1の有機エレクトロルミネッセンス
素子と同様にした。
ミネッセンス素子におけるホール注入電極2を電源のプ
ラスに、電子注入電極6を電源のマイナスに接続して電
源から電圧を印加すると、下記の表1に示すように、電
圧6Vで輝度が27cd/m2 、電圧11Vで輝度が1739cd/
m2 になったルブレンによる黄色の発光が得られた。
用いた電子輸送層5に電子輸送性のドーパントをドープ
させた実施例1、2の各有機エレクトロルミネッセンス
素子は、電子輸送層5に電子輸送性のドーパントをドー
プさせなかった比較例1の有機エレクトロルミネッセン
ス素子に比べて高輝度な発光が得られ、特に、電子輸送
性のドーパントにDPAを用いた実施例1の有機エレク
トロルミネッセンス素子においては、その輝度が比較例
1の有機エレクトロルミネッセンス素子の10倍以上にな
っていた。
ネッセンス素子のように電子輸送層5に電子輸送性のド
ーパントをドープさせるにあたり、電子輸送性のドーパ
ントをドープさせる量が50重量%を越えると、逆に電子
輸送層5における電子輸送性が低下した。これは、ドー
パントの量が多くなり過ぎて、電子輸送層5の膜質が低
下したためであると考えられる。 (実施例3)実施例3における有機エレクトロルミネッ
センス素子においては、図2に示すように、ガラス基板
1の上にITOからなる透明なホール注入電極2を形成
し、このホール注入電極2の上に、前記化9に示すMTDA
TAからなる膜厚が500Åになった第1ホール輸送層3a
を形成し、この第1ホール輸送層3aの上に、前記化5
に示すTPDからなるホール輸送性のホスト材料中に、
電子輸送性のドーパントとして前記化12に示すDPAが
10重量%ドープされて膜厚が100Åになった第2ホール
輸送層3bを形成している。
前記化4に示すAlq3からなるホスト材料中に、電子
輸送性のドーパントとして前記化12に示すDPAが10重
量%ドープされて膜厚が500Åになった発光層4を形成
し、この発光層4の上にMgIn合金(Mg:In=10:1)か
らなる膜厚が2000Åになった電子注入電極6を形成して
いる。
ミネッセンス素子におけるホール注入電極2を電源のプ
ラスに、電子注入電極6を電源のマイナスに接続して電
源から電圧を印加すると、上記の発光層4におけるAl
q3 による発光ピーク波長510nmの緑色発光が得られ、
Alq3 よりもエネルギーギャップの大きいDPA(発
光ピーク波長438nm)の発光は見られなかった。
化させた場合、下記の表2に示すように、電圧6Vで輝
度が487cd/m2 、電圧11Vで輝度が24000cd/m2 の発
光が得られた。
素子において、初期輝度が500cd/m2 になるように、
初期電圧を6.3Vにし、13.6mA/cm2 の定電流で連続発
光させると、下記の表2に示すように、517時間後にお
ける輝度は初期輝度の約55%の273cd/m2 になってい
た。 (実施例4)実施例4の有機エレクトロルミネッセンス
素子においては、上記の実施例3の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子と同様に、第2ホール輸送層3bにおい
て、TPDからなるホール輸送性のホスト材料中に電子
輸送性のドーパントであるDPAは10重量%ドープさせ
る一方、発光層4におけるAlq3 中に電子輸送性のド
ーパントであるDPAをドープさせないようにし、それ
以外は、上記の実施例3の有機エレクトロルミネッセン
ス素子と同様にした。
ミネッセンス素子におけるホール注入電極2を電源のプ
ラスに、電子注入電極6を電源のマイナスに接続して電
源から電圧を印加すると、実施例3の有機エレクトロル
ミネッセンス素子と同様に、発光層4におけるAlq3
による緑色発光が得られた。
化させた場合、下記の表2に示すように、電圧6Vで輝
度が142cd/m2 、電圧11Vで輝度が12160cd/m2 の発
光が得られた。
素子において、初期輝度が500cd/m2 になるように、
初期電圧を7.6Vにし、15.6mA/cm2 の定電流で連続発
光させると、下記の表2に示すように、517時間後にお
ける輝度は初期輝度の約40%の201cd/m2 になってい
た。 (比較例2)比較例2の有機エレクトロルミネッセンス
素子においては、上記の実施例3の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、第2ホール輸送層3bにおけ
るTPDからなるホール輸送性のホスト材料中に電子輸
送性のドーパントであるDPAをドープさせないように
すると共に、発光層4におけるAlq3 中にも電子輸送
性のドーパントであるDPAをドープさせないように
し、それ以外は、上記の実施例3の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子と同様にした。
ミネッセンス素子におけるホール注入電極2を電源のプ
ラスに、電子注入電極6を電源のマイナスに接続して電
源から電圧を印加すると、実施例3の有機エレクトロル
ミネッセンス素子と同様に、発光層4におけるAlq3
による緑色発光が得られた。
化させた場合、下記の表2に示すように、電圧6Vで輝
度が112cd/m2 、電圧11Vで輝度が10150cd/m2 の発
光が得られた。
素子において、初期輝度が500cd/m2 になるように、
初期電圧を8.0Vにし、16.8mA/cm2 の定電流で連続発
光させると、約25時間で輝度が初期輝度の半分に低下
し、下記表2に示すように、517時間後においてはその
輝度が初期輝度の10%以下で殆ど発光しなくなってい
た。
のドーパントであるDPAを第2ホール輸送層3bにだ
けドープさせた実施例4の有機エレクトロルミネッセン
ス素子や、電子輸送性のドーパントであるDPAを第2
ホール輸送層3bと発光層4との両方にドープさせた実
施例3の有機エレクトロルミネッセンス素子は、電子輸
送性のドーパントであるDPAを第2ホール輸送層3b
と発光層4の何れにもドープさせなかった比較例2の有
機エレクトロルミネッセンス素子に比べて高輝度な発光
が得られると共に、長期にわたって安定した発光が得ら
れた。
Aを第2ホール輸送層3bと発光層4との両方にドープ
させた実施例3の有機エレクトロルミネッセンス素子に
おいては、より高輝度な発光が得られると共に、長期に
わたってより安定した発光が得られた。 (実施例5)実施例5における有機エレクトロルミネッ
センス素子においては、図2に示すように、ガラス基板
1の上にITOからなる透明なホール注入電極2を形成
し、このホール注入電極2の上に、前記化9に示すMTDA
TAからなる膜厚が500Åになった第1ホール輸送層3a
を形成し、この第1ホール輸送層3aの上に、前記化5
に示すTPDからなる膜厚が100Åになった第2ホール
輸送層3bを形成している。
に、前記化4に示すAlq3 からなるホスト材料中に、
発光性のドーパントとして下記化14に示すDCM1が1.
6重量%、このDCM1の発光を助ける励起エネルギー
移動用及び電子輸送用のドーパントとして前記化11に示
すルブレンが5重量%ドープされて膜厚が400Åになっ
た発光層4を形成し、この発光層4の上にMgIn合金(M
g:In=10:1)からなる膜厚が2000Åになった電子注
入電極6を形成している。
ミネッセンス素子におけるホール注入電極2を電源のプ
ラスに、電子注入電極6を電源のマイナスに接続して電
源から電圧を印加すると、上記の発光層4におけるDC
M1による発光ピーク波長611nm、色度座標x=0.562、
y=0.419のオレンジ色の発光が得られただけで、ルブ
レン(発光ピーク波長656nm)による発光は見られなか
った。
化させた場合、下記表3に示すように、電圧6Vで輝度
が60cd/m2 、電圧11Vで輝度が2190cd/m2 の発光が
得られた。
素子において、初期輝度が166cd/m2 になるように、
9mA/cm2 の定電流で連続発光させると、下記表3に示
すように、305時間後における輝度は初期輝度の約62%
になっていた。 (実施例6)実施例6の有機エレクトロルミネッセンス
素子においては、上記の実施例5の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、上記の発光層4にドープさせ
る上記のルブレンの量を10重量%にし、それ以外は、上
記の実施例5の有機エレクトロルミネッセンス素子と同
様にした。
ミネッセンス素子におけるホール注入電極2を電源のプ
ラスに、電子注入電極6を電源のマイナスに接続して電
源から電圧を印加すると、上記の実施例5の有機エレク
トロルミネッセンス素子と同様に、DCM1による発光
ピーク波長607nm、色度座標x=0.562、y=0.437のオ
レンジ色の発光が得られただけで、ルブレンの発光は見
られなかった。
化させた場合、下記の表3に示すように、電圧6Vで輝
度が60cd/m2 、電圧11Vで輝度が1915cd/m2 の発光
が得られた。
素子において、初期輝度が211cd/m2 になるように、
9mA/cm2 の定電流で連続発光させると、下記表3に示
すように、305時間後における輝度は初期輝度の約64%
になっていた。 (比較例3)比較例3の有機エレクトロルミネッセンス
素子においては、上記実施例5の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子において、発光層4に上記のルブレンをド
ープさせないようにし、それ以外は、上記実施例5の有
機エレクトロルミネッセンス素子と同様にした。
ミネッセンス素子におけるホール注入電極2を電源のプ
ラスに、電子注入電極6を電源のマイナスに接続して電
源から電圧を印加すると、上記のDCM1による発光ピ
ーク波長611nm、色度座標x=0.553、y=0.438のオレ
ンジ色の発光が得られた。
化させた場合、下記の表3に示すように、電圧6Vで輝
度が30cd/m2 、電圧11Vで輝度が1279cd/m2 の発光
が得られた。
素子において、初期輝度が222cd/m2 になるように、
9mA/cm2 の定電流で連続発光させると、下記表3に示
すように、305時間後における輝度は初期輝度の約32%
になっていた。
発光性のドーパントであるDCM1と共に、このDCM
1の発光を助ける励起エネルギー移動用及び電子輸送用
のドーパントであるルブレンをドープさせた実施例5、
6の各有機エレクトロルミネッセンス素子は、DCM1
の発光を助ける励起エネルギー移動用及び電子輸送用の
ドーパントであるルブレンをドープさせなかった比較例
3の有機エレクトロルミネッセンス素子に比べて高輝度
な発光が得られると共に、長期にわたって安定した発光
が得られた。 (実施例7)実施例7における有機エレクトロルミネッ
センス素子においては、図2に示すように、ガラス基板
1の上にITOからなる透明なホール注入電極2を形成
し、このホール注入電極2の上に、前記化9に示すMTDA
TAからなる膜厚が500Åになった第1ホール輸送層3a
を形成し、この第1ホール輸送層3aの上に、前記化5
に示すTPDからなる膜厚が100Åになった第2ホール
輸送層3bを形成している。
に、前記化4に示すAlq3 からなるホスト材料中に、
発光性のドーパントとして下記化15に示すNile Redが1
重量%、このNile Redの発光を助ける励起エネルギー移
動用及び電子輸送用のドーパントとして前記化11に示す
ルブレンが10重量%ドープされて膜厚が400Åになった
発光層4を形成し、この発光層4の上にMgIn合金(Mg:
In=10:1)からなる膜厚が2000Åになった電子注入電
極6を形成している。
ミネッセンス素子におけるホール注入電極2を電源のプ
ラスに、電子注入電極6を電源のマイナスに接続して電
源から電圧を印加すると、図3に示すように、約612nm
の波長にだけ発光ピークを有し、色度座標x=0.530、
y=0.464になった上記Nile Redによるオレンジ色の発
光が得られただけで、発光層4におけるルブレンやAl
q3 の発光は見られなかった。
化させた場合、下記の表4に示すように、電圧6Vで輝
度が51cd/m2 、電圧11Vで輝度が2170cd/m2 の発光
が得られた。
素子において、初期輝度が140cd/m2 になるように、
9mA/cm2 の定電流で連続発光させると、下記表3に示
すように、544時間後における輝度は初期輝度の約55%
になっていた。 (比較例4)比較例4の有機エレクトロルミネッセンス
素子においては、上記実施例7の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子において、上記の発光層4におけるAlq
3からなるホスト材料中に上記のルブレンをドープさせ
ないようにし、それ以外は、上記の実施例5の有機エレ
クトロルミネッセンス素子と同様にした。
ミネッセンス素子におけるホール注入電極2を電源のプ
ラスに、電子注入電極6を電源のマイナスに接続して電
源から電圧を印加すると、図4に示すように、615nmと5
35nmの波長にピークを有し、色度座標x=0.449、y=
0.489になった薄いオレンジ色発光が得られ、発光層4
におけるNile RedとAlq3 の両方が発光していた。こ
れは、発光層4にルブレンがドープされていないため、
励起エネルギーがAlq3 からNile Redにうまく移動さ
れず、Alq3 自体が発光したためである。
化させた場合、下記の表4に示すように、電圧6Vで輝
度が22cd/m2 、電圧11Vで輝度が1424cd/m2 の発光
が得られた。
素子において、初期輝度が115cd/m2 になるように、
9mA/cm2 の定電流で連続発光させると、下記表3に示
すように、544時間後における輝度は初期輝度の約23%
になっていた。
層4に発光性のドーパントであるNile Redと共に、この
Nile Redの発光を助ける励起エネルギー移動用及び電子
輸送用のドーパントであるルブレンをドープさせた実施
例7の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、
ルブレンやAlq3 が発光せずにNile Redだけが発光す
るようになり、Nile Redの発光を助ける励起エネルギー
移動用及び電子輸送用のドーパントであるルブレンをド
ープさせなかった比較例4の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子に比べて、色純度が高くなると共に、高輝度な
発光が得られ、更に長期にわたって安定した発光が得ら
れるようになった。 (実施例8)実施例8における有機エレクトロルミネッ
センス素子においては、図2に示すように、ガラス基板
1の上にITOからなる透明なホール注入電極2を形成
し、このホール注入電極2の上に、前記化9に示すMTDA
TAからなる膜厚が500Åになった第1ホール輸送層3a
を形成し、この第1ホール輸送層3aの上に、前記化5
に示すTPDからなる膜厚が100Åになった第2ホール
輸送層3bを形成している。
に、前記化4に示すAlq3 からなるホスト材料中に、
発光性のドーパントとして下記化16に示すDCM2が1
重量%、このDCM2の発光を助ける励起エネルギー移
動用及び電子輸送用のドーパントとして前記化11に示す
ルブレンが10重量%ドープされて膜厚が400Åになった
発光層4を形成し、この発光層4の上にMgIn合金(Mg:
In=10:1)からなる膜厚が2000Åになった電子注入電
極6を形成している。
ミネッセンス素子におけるホール注入電極2を電源のプ
ラスに、電子注入電極6を電源のマイナスに接続して電
源から電圧を印加すると、上記の発光層4におけるDC
M2による発光ピーク波長645nm、色度座標x=0.650、
y=0.350の赤色の発光が得られただけで、発光層4に
おけるルブレンやAlq3 の発光は見られなかった。
6Vにした場合の輝度は20cd/m2であり、また最高輝
度は7050cd/m2 であった。 (比較例5)比較例5の有機エレクトロルミネッセンス
素子においては、上記の実施例8の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、発光層4におけるAlq3 か
らなるホスト材料中に上記のルブレンをドープさせない
ようにし、それ以外は、上記の実施例8の有機エレクト
ロルミネッセンス素子と同様にした。
ミネッセンス素子におけるホール注入電極2を電源のプ
ラスに、電子注入電極6を電源のマイナスに接続して電
源から電圧を印加すると、DCM2による発光ピーク波
長645nm、色度座標x=0.612、y=0.382の赤色の発光
が得られた。
Vにした場合における輝度は13cd/m2 であり、また最
高輝度は4020cd/m2 であった。
発光層4におけるAlq3 からなるホスト材料中に、発
光性のドーパントであるDCM2と共に、このDCM2
の発光を助ける励起エネルギー移動用及び電子輸送用の
ドーパントであるルブレンをドープさせると、ルブレン
が発光することなく、発光性のドーパントであるDCM
2の発光効率が高められて、DCM2による高輝度な発
光が得られると共に、低電圧で十分な発光が得られて、
有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命を向上させる
ことができた。 (実施例9)実施例9における有機エレクトロルミネッ
センス素子においては、図2に示すように、ガラス基板
1の上にITOからなる透明なホール注入電極2を形成
し、このホール注入電極2の上に、前記化9に示すMTDA
TAからなる膜厚が500Åになった第1ホール輸送層3a
を形成し、この第1ホール輸送層3aの上に、前記化5
に示すTPDからなる膜厚が100Åになった第2ホール
輸送層3bを形成している。
に、前記化4に示すAlq3 からなるホスト材料中に、
発光性のドーパントとして前記化14に示すDCM1が1.
6重量%、電子輸送用のドーパントとして前記化12に示
すDPAが10重量%ドープされて膜厚が400Åになった
発光層4を形成し、この発光層4の上にMgIn合金(Mg:
In=10:1)からなる膜厚が2000Åになった電子注入電
極6を形成している。
ミネッセンス素子におけるホール注入電極2を電源のプ
ラスに、電子注入電極6を電源のマイナスに接続して電
源から電圧を印加すると、上記の発光層4におけるDC
M1による発光ピーク波長605nm、色度座標x=0.537、
y=0.447のオレンジ色の発光が得られ、発光層4にお
けるDPAやAlq3 の発光は見られなかった。
6Vにした場合の輝度は417cd/m2 で、また最高輝度は
12180cd/m2 であり、DCM1による高輝度な発光が
得られると共に、低電圧で十分な発光が得られて、有機
エレクトロルミネッセンス素子の寿命を向上させること
ができた。 (実施例10)実施例10における有機エレクトロルミネッ
センス素子においては、図2に示すように、ガラス基板
1の上にITOからなる透明なホール注入電極2を形成
し、このホール注入電極2の上に、下記化17に示す銅フ
タロシアニン(以下、CuPcと略す。)からなる膜厚が20
0Åになった第1ホール輸送層3aを形成し、この第1
ホール輸送層3aの上に、前記化10に示すNPBからな
るホール輸送性のホスト材料中に電子輸送性及びホール
輸送性を有するドーパントとして下記化18に示すオキサ
ジアゾール誘導体(以下、OXD8と略す。)が10重量
%ドープされて膜厚が100Åになった第2ホール輸送層
3bを形成している。
に、前記化4に示すAlq3 からなる膜厚が500Åにな
った発光層4を形成し、この発光層4の上にMgIn合金
(Mg:In=10:1)からなる膜厚が2000Åになった電子
注入電極6を形成している。
ミネッセンス素子におけるホール注入電極2を電源のプ
ラスに、電子注入電極6を電源のマイナスに接続して電
源から電圧を印加させると、上記の発光層4におけるA
lq3 による発光ピーク波長527nm、色度座標x=0.27
1、y=0.602の緑色の発光が得られた。
ロルミネッセンス素子に印加させる電圧を上昇させる
と、3.3Vで発光を開始し、6Vにした場合の輝度は128
cd/m 2であり、また最高輝度は33700cd/m2 であっ
た。 (比較例6)比較例6の有機エレクトロルミネッセンス
素子においては、上記の実施例10の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、上記の第2ホール輸送層3b
におけるNPBからなるホール輸送性のホスト材料中に
上記のOXD8をドープさせないようにし、それ以外
は、上記の実施例10の有機エレクトロルミネッセンス素
子と同様にした。
ミネッセンス素子におけるホール注入電極2を電源のプ
ラスに、電子注入電極6を電源のマイナスに接続して電
源から電圧を印加すると、上記の発光層4におけるAl
q3 による発光ピーク波長527nm、色度座標x=0.30
1、y=0.612の緑色の発光が得られた。また、上記の電
源からこの有機エレクトロルミネッセンス素子に印加さ
せる電圧を上昇させると、3.7Vで発光を開始し、6V
にした場合の輝度は77cd/m2 で、また最高輝度は2110
0cd/m2 であった。
第2ホール輸送層3bにおけるNPBからなるホール輸
送性のホスト材料中に電子輸送性及びホール輸送性を有
するOXD8をドープさせると、高輝度な発光が得られ
ると共に、低い電圧で発光を開始し、低電圧で十分な発
光が得られて、有機エレクトロルミネッセンス素子の寿
命を向上させることができた。
性及びホール輸送性を有するOXD8をドープさせるこ
とにより、この第2ホール輸送層3bに対する電子やホ
ールの注入効率が高まったためであると考えられる。 (実施例11〜16)実施例11〜16の各有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、図2に示すように、ガラス
基板1の上にITOからなる透明なホール注入電極2を
形成し、このホール注入電極2の上に、前記化17に示す
CuPcからなる膜厚が200Åになった第1ホール輸送層3
aを形成し、この第1ホール輸送層3aの上に、前記化
10に示すNPBからなる膜厚が100Åになった第2ホー
ル輸送層3bを形成している。
に、前記化4に示すAlq3 からなるホスト材料中に、
発光性のドーパントである前記化16に示すDCM2と、
このDCM2の発光を助ける励起エネルギー移動用及び
電子輸送用のドーパントであるルブレンとが、それぞれ
下記の表5に示す割合でドープされて膜厚が500Åにな
った発光層4を形成し、この発光層4の上にMgIn合金
(Mg:In=10:1)からなる膜厚が2000Åになった電子
注入電極6を形成している。 (比較例7〜9)比較例7〜9の各有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、上記の実施例11〜16の有機
エレクトロルミネッセンス素子における発光層4におい
て、発光性のドーパントである前記のDCM2を下記の
表5に示す割合でドープさせる一方、このDCM2の発
光を助ける励起エネルギー移動用及び電子輸送用のドー
パントであるルブレンをドープさせないようにし、それ
以外は、上記の実施例11〜16の有機エレクトロルミネッ
センス素子と同様にした。
〜9の各有機エレクトロルミネッセンス素子におけるホ
ール注入電極2を電源のプラスに、電子注入電極6を電
源のマイナスに接続して電源から電圧を印加して発光さ
せ、輝度が100cd/m2 と1000cd/m2 との場合におい
て、それぞれ発光された光の色度座標x、yを求めると
共に、最高輝度を測定し、その結果を下記の表6に示し
た。
るホスト材料中にドープさせるDCM2の量が同じにな
ったものを比較すると、このDCM2の発光を助ける励
起エネルギー移動用及び電子輸送用のドーパントである
ルブレンをドープさせた実施例の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の方が、ルブレンをドープさせなかった対
応する比較例の有機エレクトロルミネッセンス素子に比
べて赤色に近い発光が得られた。
ホスト材料中に、DCM2を2重量%、ルブレンを10重
量%ドープさせた実施例13の有機エレクトロルミネッ
センス素子と、発光層4におけるAlq3 からなるホス
ト材料中に、DCM2を2重量%ドープさせただけでル
ブレンをドープさせなかった比較例7の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子とにおける発光スペクトルを測定
し、その結果を図5に示した。
比較例7の有機エレクトロルミネッセンス素子において
は、DCM2による発光の他に、波長520nm付近にAl
q3による発光が生じていたが、DCM2の発光を助け
るルブレンをドープさせた実施例13の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子においては、Alq3 による発光は
なく、発光ピーク波長が約644nmになったDCM2によ
る発光だけが得られた。これは、励起エネルギーの移動
が、Alq3 →ルブレン→DCM2の順にスムーズに起
こっているためであると考えられる。
を2重量%ドープさせた実施例11〜13及び比較例7の各
有機エレクトロルミネッセンス素子において、10Vの電
圧を印加させた場合の輝度を比較すると、ルブレンのド
ープ量を5重量%にした実施例12の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の輝度が一番高くなっており、ルブレン
のドープ量を5重量%することが好ましかった。
ロルミネッセンス素子を比較した場合、発光性のドーパ
ントであるDCM2のドープ量を1重量%にした実施例
14、15の有機エレクトロルミネッセンス素子における輝
度が高くなっていたが、実施例14、15の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子の発光は、赤よりもオレンジ系の色
彩になっていた。これは、DCM2のドープ量が少ない
ため、発光効率の高いAlq3 やルブレンが発光したも
のと考えられる。
のドープ量を7重量%にした実施例16の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子においては赤色の発光が得られた
が、DCM2の発光効率が低いため、その輝度は低くな
っていた。
DCM2のドープ量を2重量%にした実施例11〜13の有
機エレクトロルミネッセンス素子においては、赤色でか
つ高輝度な発光が得られ、DCM2のドープ量を2重量
%にすることが好ましかった。
重量%ドープさせた実施例12の有機エレクトロルミネッ
センス素子と、DCM2を2重量%ドープさせただけで
ルブレンをドープさせなかった比較例7の有機エレクト
ロルミネッセンス素子とにおいて、輝度を100cd/m2
にした場合と、輝度を1000cd/m2 にした場合とにおけ
る色度座標の変化を調べると、両方とも色度座標の変化
は少なかった。
比較例7の有機エレクトロルミネッセンス素子から発光
された光の色度座標は、x=0.59、y=0.40となり、よ
りオレンジ色に近い発光が得られた。これは、この比較
例7の有機エレクトロルミネッセンス素子に印加させる
電圧を上げて発光輝度を大きくした場合、DCM2以外
に、Alq3 が発光するためであると考えられる。
ルミネッセンス素子においては、輝度を4000cd/m2 に
した場合においても、発光された光の色度座標はx=0.
64、y=0.36であり、色度座標の変化は少なく、赤色の
発光が得られた。これは、ルブレンをドープさせること
によって、上記のように励起エネルギーの移動がAlq
3→ルブレン→DCM2の順にスムーズに起こり、有機
エレクトロルミネッセンス素子に印加させる電圧を上げ
て発光輝度を大きくした場合においても、DCM2だけ
が発光するようになったためである。
M2と共に、このDCM2の発光を助けるルブレンをド
ープさせた実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子
においては、印加させる電圧を上げて発光輝度を大きく
した場合にも、色純度の高い赤色の発光が得られるよう
になった。
発色助長ドーパントであるルブレンをドープすることに
より、色純度の高い赤色発光を実現することができ、有
機エレクトロルミネッセンス素子を発光素子として使用
する場合の利用範囲を拡大することができ、その工業的
価値は大きい。
トロルミネッセンス素子の素子構造を示した概略図であ
る。
レクトロルミネッセンス素子の素子構造を示した概略図
である。
の発光スペクトルを示した図である。
の発光スペクトルを示した図である。
ッセンス素子の発光スペクトルを示した図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 ホール注入電極と電子注入電極との間
に、有機材料で構成された発光層が設けられた有機エレ
クトロルミネッセンス素子において、上記の発光層のホ
スト材料に、発光性のドーパントと、この発光性のドー
パントの発光を助けるルブレンと、がドープされている
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項2】 上記発光性のドーパントとルブレンとが
それぞれ上記の発光層のホスト材料に0.01重量%か
ら50重量%の範囲でドープされていることを特徴とす
る請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項3】 上記発光性のドーパントの発光ピーク波
長が550nm〜700nmの範囲にあることを特徴と
する請求項1、または2記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。 - 【請求項4】 上記発光性のドーパントが下記の3つの
構造式化1、化2及び化3に示される化合物から選択さ
れることを特徴とする請求項1、2または3記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。 【化1】 【化2】 【化3】 尚、上記構造式におけるR1 〜R7 は、水素又は置換基
である。 - 【請求項5】 上記ルブレンが発光しないことを特徴と
する請求項1、2、3、または4記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。
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---|---|---|---|---|
JP2000195670A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-07-14 | Rohm Co Ltd | 有機el素子 |
JP4094203B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2008-06-04 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体 |
JP2002100470A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動方法、駆動装置およびそれを用いた表示装置 |
US6893743B2 (en) | 2000-10-04 | 2005-05-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Organic electroluminescent device |
DE10058578C2 (de) * | 2000-11-20 | 2002-11-28 | Univ Dresden Tech | Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
JP4036682B2 (ja) | 2001-06-06 | 2008-01-23 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光材料 |
US6565996B2 (en) * | 2001-06-06 | 2003-05-20 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in a hole-transport layer and/or in an electron-transport layer |
JP4006266B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2007-11-14 | キヤノン株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
US6727644B2 (en) * | 2001-08-06 | 2004-04-27 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in an emission layer and in a hole and/or electron transport sublayer |
TW519852B (en) * | 2001-10-18 | 2003-02-01 | Opto Tech Corp | Organic light emitting device capable of projecting white light source and its manufacturing method |
KR100577179B1 (ko) | 2001-10-30 | 2006-05-10 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
GB0206736D0 (en) * | 2002-03-22 | 2002-05-01 | Elam T Ltd | Electroluminescent device |
KR100492850B1 (ko) * | 2002-07-02 | 2005-06-03 | (주)네스디스플레이 | 밴드갭이 큰 도펀트를 발광층에 포함하는 유기전기발광소자 |
US20040124421A1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
JP2004179142A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-06-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
JP4287198B2 (ja) * | 2002-11-18 | 2009-07-01 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4152173B2 (ja) * | 2002-11-18 | 2008-09-17 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US20050019607A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Franky So | OLED device with mixed emissive layer |
US6875524B2 (en) * | 2003-08-20 | 2005-04-05 | Eastman Kodak Company | White light-emitting device with improved doping |
JP2005100977A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電界発光素子およびそれを用いた発光装置 |
KR101246247B1 (ko) * | 2003-08-29 | 2013-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전계발광소자 및 그것을 구비한 발광장치 |
JP3728309B2 (ja) | 2003-09-30 | 2005-12-21 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント素子用有機化合物 |
KR20050039674A (ko) * | 2003-10-24 | 2005-04-29 | 펜탁스 가부시키가이샤 | 백색 유기 전자 발광 소자 |
US7898168B2 (en) * | 2003-10-27 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device having light-emitting layer with guest dopant |
JP3743005B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2006-02-08 | 日本精機株式会社 | 有機elパネル |
JP2005302667A (ja) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US7622200B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element |
US20060040131A1 (en) * | 2004-08-19 | 2006-02-23 | Eastman Kodak Company | OLEDs with improved operational lifetime |
US20060141287A1 (en) * | 2004-08-19 | 2006-06-29 | Eastman Kodak Company | OLEDs with improved operational lifetime |
US7767316B2 (en) * | 2004-09-20 | 2010-08-03 | Global Oled Technology Llc | Organic electroluminescent devices and composition |
JP4110160B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子、及びディスプレイ装置 |
EP1643568A1 (de) * | 2004-10-04 | 2006-04-05 | Novaled GmbH | Verfahren zum Herstellen einer Schicht aus einem dotierten Halbleitermaterial und Vorrichtung |
JP2006139932A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Pentax Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子、および有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
WO2006070619A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JP2006193546A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
CN100433400C (zh) * | 2005-01-17 | 2008-11-12 | 财团法人工业技术研究院 | 有机高分子发光二极管装置及其应用的显示器 |
US20060204784A1 (en) * | 2005-03-10 | 2006-09-14 | Begley William J | Organic light-emitting devices with mixed electron transport materials |
US20060246315A1 (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-02 | Begley William J | Phosphorescent oled with mixed electron transport materials |
CN100433402C (zh) * | 2005-05-31 | 2008-11-12 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光二极管 |
KR100806812B1 (ko) | 2005-07-25 | 2008-02-25 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 el 소자 및 그 제조방법 |
KR100672535B1 (ko) | 2005-07-25 | 2007-01-24 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자 및 그 제조방법 |
US20070046189A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Eastman Kodak Company | Intermediate connector for a tandem OLED device |
EP1780816B1 (en) | 2005-11-01 | 2020-07-01 | Novaled GmbH | A method for producing an electronic device with a layer structure and an electronic device |
US7553558B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-06-30 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device containing an anthracene derivative |
DE502005004425D1 (de) * | 2005-12-07 | 2008-07-24 | Novaled Ag | Verfahren zum Abscheiden eines Aufdampfmaterials |
US20070207345A1 (en) * | 2006-03-01 | 2007-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device including gallium complexes |
KR101361710B1 (ko) | 2006-03-21 | 2014-02-10 | 노발레드 아게 | 도핑된 유기 반도체 물질을 제조하는 방법 및 이러한 방법에 사용되는 포뮬레이션 |
US7638207B2 (en) * | 2006-03-30 | 2009-12-29 | Eastman Kodak Company | OLED device with improved efficiency and lifetime |
EP1863105B1 (en) | 2006-06-02 | 2020-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
CN2932742Y (zh) * | 2006-06-30 | 2007-08-08 | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 | 固持装置 |
EP1876658A3 (en) | 2006-07-04 | 2014-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
EP2573075B1 (en) * | 2007-02-21 | 2014-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and quinoxaline derivative |
US20080238300A1 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-02 | Sang Tae Park | Organic electroluminescence device and method for fabricating the same |
JP2008270557A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el素子 |
WO2008136583A1 (en) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Soonchunhyang University Industry Academy Cooperation Foundation | Organic light emitting device |
JP5530608B2 (ja) | 2007-09-13 | 2014-06-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子および発光装置 |
US8384283B2 (en) | 2007-09-20 | 2013-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
US8115382B2 (en) | 2007-09-20 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device, comprising controlled carrier transport |
CN102655223B (zh) * | 2007-10-19 | 2015-07-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光设备和电子设备 |
EP2075860A3 (en) * | 2007-12-28 | 2013-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device and electronic device |
KR101520285B1 (ko) * | 2008-05-16 | 2015-05-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광소자 및 전자기기 |
KR100924145B1 (ko) | 2008-06-10 | 2009-10-28 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 |
US8778511B2 (en) * | 2008-12-12 | 2014-07-15 | Universal Display Corporation | OLED stability via doped hole transport layer |
JP5402134B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2014-01-29 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
JP5475305B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2014-04-16 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、露光ヘッドおよび画像形成装置 |
US20100244677A1 (en) * | 2009-03-31 | 2010-09-30 | Begley William J | Oled device containing a silyl-fluoranthene derivative |
US8242489B2 (en) * | 2009-12-17 | 2012-08-14 | Global Oled Technology, Llc. | OLED with high efficiency blue light-emitting layer |
KR101657222B1 (ko) | 2010-05-14 | 2016-09-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
US8456081B2 (en) | 2010-06-03 | 2013-06-04 | The University Of Southern California | Ultrabright fluorescent OLEDS using triplet sinks |
JP5601100B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2014-10-08 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
GB2485001A (en) * | 2010-10-19 | 2012-05-02 | Cambridge Display Tech Ltd | OLEDs |
JP2012186257A (ja) | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Seiko Epson Corp | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
JP5672077B2 (ja) | 2011-03-04 | 2015-02-18 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
CN103346259B (zh) * | 2013-07-01 | 2016-01-20 | 苏州大学 | 一种有机太阳能电池 |
TWI727366B (zh) | 2013-08-09 | 2021-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件、顯示模組、照明模組、發光裝置、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置 |
GB2528906A (en) * | 2014-08-04 | 2016-02-10 | Novaled Gmbh | Organic light emitting devices and methods |
CN112909195B (zh) * | 2021-01-29 | 2022-09-30 | 昆山国显光电有限公司 | 有机发光显示器件、显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4769292A (en) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
JP3069139B2 (ja) * | 1990-03-16 | 2000-07-24 | 旭化成工業株式会社 | 分散型電界発光素子 |
JPH04297076A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-10-21 | Toshiba Corp | 有機el素子 |
JP3189376B2 (ja) * | 1992-04-30 | 2001-07-16 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP3332491B2 (ja) * | 1993-08-27 | 2002-10-07 | 三洋電機株式会社 | 有機el素子 |
EP0681019B1 (en) * | 1994-04-26 | 1999-09-01 | TDK Corporation | Phenylanthracene derivative and organic EL element |
JP3249297B2 (ja) * | 1994-07-14 | 2002-01-21 | 三洋電機株式会社 | 有機電界発光素子 |
US5681664A (en) * | 1994-08-04 | 1997-10-28 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Hole-transporting material and use thereof |
US5693428A (en) * | 1995-02-06 | 1997-12-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
JP3239057B2 (ja) * | 1995-11-07 | 2001-12-17 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4030608B2 (ja) * | 1996-05-01 | 2008-01-09 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JPH1036832A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-10 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子 |
US5645948A (en) * | 1996-08-20 | 1997-07-08 | Eastman Kodak Company | Blue organic electroluminescent devices |
JPH10270171A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-10-09 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US5989737A (en) * | 1997-02-27 | 1999-11-23 | Xerox Corporation | Organic electroluminescent devices |
JPH11251067A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP3266573B2 (ja) * | 1998-04-08 | 2002-03-18 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
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