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JP3348936B2 - 縦型熱処理装置 - Google Patents

縦型熱処理装置

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JP3348936B2
JP3348936B2 JP28778693A JP28778693A JP3348936B2 JP 3348936 B2 JP3348936 B2 JP 3348936B2 JP 28778693 A JP28778693 A JP 28778693A JP 28778693 A JP28778693 A JP 28778693A JP 3348936 B2 JP3348936 B2 JP 3348936B2
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wafer
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    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/14—Substrate holders or susceptors
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  • Organic Chemistry (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、縦型熱処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）
の製造プロセスの１つとして、酸化膜の形成やドーパン
トの拡散などを行うために高温下で熱処理を行うプロセ
スがある。この熱処理を行う装置としては、従来横型熱
処理炉が主流であったが、最近では、外気の巻き込みが
少ないなどの理由から縦型熱処理炉が多く使用されるよ
うになってきている。
【０００３】縦型熱処理炉を用いた縦型熱処理装置にお
いては、多数のウエハを上下に間隔をおいて搭載して熱
処理炉に対してロード、アンロードを行うためにウエハ
保持具である縦長のウエハボートが用いられる。図８は
従来のウエハボートを示し、このウエハボート１は、上
下にそれぞれ対向して配置された円形の天板１１及び底
板１２の間に、例えば石英よりなる４本の支柱１３〜１
６が設けられ、そのうち２本の支柱１３、１４について
はウエハＷの進入方向手前側の左右位置をそれぞれ支持
し、また残り２本の支柱１５、１６については、ウエハ
Ｗの進入方向奥側の左右位置をそれぞれ支持するような
位置関係に配置されており、断熱材である保温筒１７の
上に設けられている。
【０００４】保温筒１７の上面には、環状のスタンド部
１７ａが形成され、このスタンド部１７ａの上にウエハ
ボート１が載置されている。またこの保温筒１７の下面
には環状突起（図示せず）が形成され、この環状突起の
下面が蓋体１８の上面に面接触して、保温筒１７が蓋体
１８の上に載置されている。
【０００５】そして、各支柱１３〜１６は、図９に示す
ように各ウエハＷが挿入されてその周縁部下面を支持す
るようにウエハＷの厚さよりも若干上下の幅が長い溝部
１ａが形成されており、手前側の２本の支柱１３、１４
の間から搬送アーム１０により溝部１ａに対してウエハ
Ｗの着脱が行われる。このように構成されたウエハボー
ト１は、処理前のウエハＷが所定枚数搭載されると、エ
レベータ１９が上昇して図示しない熱処理炉内に導入さ
れ、これによりウエハＷがロードされて、所定の熱処理
が行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところでウエハは大口
径化が進みつつあり、そのサイズは６インチから８イン
チへ移行し始めており、さらには１２インチへの移行も
検討されている。このようにウエハが大口径化してくる
と、シリコンの融点（約１４１０℃）に近い温度例えば
１２００℃程度の高温で熱処理を行ったときにウエハボ
ートの支柱により支持されている個所の付近においてス
リップと呼ばれる結晶欠陥がウエハに発生しやすくな
る。このスリップは目視では確認しにくい程度の微小な
断層であり、拡大鏡や顕微鏡などにより見ることができ
る。
【０００７】その原因はウエハの自重による内部応力や
ウエハの面内温度不均一に基づく熱応力などが原因で起
こるのではないかと考えられている。この原因について
もう少し詳しく考察すると、図９に示すようにウエハＷ
は、ウエハボートの支柱１３（１４〜１６）の溝部１ａ
にて周縁部が支持されており、溝部１ａの支面は完全な
平面ではなく微視的には凹凸があり、しかもウエハＷは
加熱されて反りが生じているため、溝部１ａの支面全面
で支持されているのではなく局所的に支持されている。
従ってウエハＷの支持領域は実際には狭く、ウエハＷと
溝部１ａとが接触しているウエハＷの領域では自重によ
り大きな応力が作用している。
【０００８】一方ウエハボート１の天板１１及び底板１
２は炉内のヒータから加熱されるが、ウエハボート１の
上下にはヒータが存在しないので、天板１１及び底板１
２から２次的な輻射熱として放熱され、これらは面状体
であるからその輻射熱量はかなり多い。このためウエハ
ボート１の支柱１１〜１４から天板１１及び底板１２へ
熱が伝導し、結局ウエハＷ→支柱→天板１１（底板１
２）に熱が伝導するので、ウエハＷの周縁部では温度勾
配が生じる。ここで溝部１ａに実際に接触しているウエ
ハＷの微小領域に着目すると、この微小領域内には上述
のように大きな応力が加わっており、ここに大きな温度
差が生じるので強い熱応力が加わりウエハＷの下面から
上面に向かって断層が突き抜け、スリップが発生するも
のと推察され、特にウエハボートの上下両端に近いもの
ほど、ウエハＷからウエハボートの上下両端に流れる熱
量が大きく、スリップが発生しやすいと考えられる。そ
してスリップが素子の配列領域に発生するとその素子は
不良品となるので歩留まりが低下してしまう。
【０００９】このようにウエハを熱処理するにあたっ
て、特にシリコンの融点に近い高温で熱処理するにあた
って、ウエハが大口径化してくると、スリップの発生と
いう問題が起こり、このことがウエハの大口径化への移
行を阻む一つの大きな課題となっている。
【００１０】本発明はこのような事情のもとになされた
ものであり、その目的は、被処理体を熱処理する場合に
スリップの発生を減少させることのできる縦型熱処理装
置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、多数
の被処理体を上下に間隔をおいて保持すると共に保温部
を介して蓋体の上に配置された被処理体保持具を縦型の
反応管内に搬入して被処理体を熱処理する縦型熱処理装
置において、前記保温部の上に、筒状体の周面に周方向
に沿って間隔をおいてスリットを形成してなる支持部材
を介して前記被処理体保持具を載置したことを特徴とす
る。また他の発明は、前記蓋体の上に、筒状体の周面に
周方向に沿って間隔をおいてスリットを形成してなる支
持部材を介して前記保温部を載置したことを特徴とす
る。このような発明によれば、被処理体保持具から保温
部や蓋部へ伝導する熱量を少なくできるので、スリップ
の発生を抑えることができる。
【００１２】なお被処理体保持具は、鉛直方向に伸びる
複数の支柱と、これら支柱の下端部を支持する環状部材
と、前記支柱の上端部同士を互に固定する環状の固定部
材と、を備えてなる構成とすることが好ましい。被処理
体を被処理体保持具に搭載して反応管内にロードし反応
管内を加熱すると、被処理体保持具の上端部及び下端部
で二次輻射が起こるが、上端部及び下端部に設けられた
支柱の固定部材は環状であるため、輻射熱量は少ない。
このため支柱において上端、下端に伝導する熱量は少な
くなるので被処理体の周縁部から支柱に伝導する熱量も
少なく、被処理体の面内温度均一性が高くて被処理体の
周縁部の熱応力が小さくなり、スリップの発生を抑える
ことができる。
【００１３】
【実施例】以下本発明を酸化、拡散炉に適用した実施例
について説明する。図１及び図２に示すようにこの実施
例で用いられる被処理体保持具例えばウエハボート２
は、環状の支持部材３１の上面に、各々鉛直方向に伸び
る４本の支柱２１〜２４を周方向に沿って植設すると共
に、各支柱２１〜２４の上端部同士を環状の固定部材３
２により互に固定して構成され、各支柱２１〜２４には
ウエハＷの周縁部の下面を保持するように上下に所定の
間隔をおいて溝部２０が形成されている。前記支柱２１
〜２４において、２本の支柱２１、２２についてはウエ
ハＷの進入方向手前側の左右位置を夫々支持し、残り２
本の支柱２３、２４については、ウエハＷの進入方向奥
側の左右位置を夫々支持するような位置関係に配置され
ている。これら支柱２１〜２４、支持部材３１及び固定
部材３２は例えばＳｉＣにより作られているが、その材
質としてはＳｉＣに限らず例えば石英であってもよい。
【００１４】前記ウエハボート２は、保温部例えば石英
よりなる保温筒４を介して、後述の反応管の下端開口部
を塞ぐための蓋体５上に配置されており、この蓋体５は
ボートエレベータ５１上に載置されている。前記保温筒
４の上面には筒状のスタンド部４１が形成され、このス
タンド部４１の上にウエハボート２が載置されている。
【００１５】前記ウエハボート２の上方側には縦型炉が
配設されており、縦型炉内にウエハボート２を搬入した
状態を示す図２を参照しながら縦型炉の構造について簡
単に説明する。熱処理領域を形成する反応管６は、各々
略鉛直方向に沿って配置された内管６１及び外管６２よ
りなる二重管構造に作られると共に、下端のフランジ部
６３を介して図示しないベースプレートに固定されてい
る。この反応管６の下端部の外周面は断熱材６４により
覆われている。また内管６１の頂部には、多数のガス流
路である細孔６０が形成されており、さらに外管６２の
側壁にはガス導入管６５が連結されている。そして、内
管６１には排気管６６が接続され排気が行われるように
構成されている。
【００１６】前記反応管１の外側には、当該反応管１を
取り囲むように例えばＳｉＣよりなる筒状の均熱管６７
が配設されており、この均熱管６７の外側には、当該均
熱管６７を囲むようにヒータ６８が配設されている。こ
のヒータ６８は、断熱層６８ａの内側に抵抗発熱線６８
ｂをコイル状に巻いて構成される。
【００１７】次に上述実施例の作用について述べる。先
ずヒータ６８を発熱させて均熱管６７を介して反応管１
内を例えば約８００℃の均熱状態に加熱する。一方ボー
トエレベータ３を反応管６の下方側に位置させておい
て、搬送アーム５２によりウエハボート２に未処理のウ
エハＷを例えば１００枚搭載した後、ウエハボート２を
蓋体５により反応管７の下端開口部を塞ぐ位置（図２に
示す位置）まで上昇させ、ウエハＷを反応管７内にロー
ドする。ウエハＷが反応管７内の雰囲気と同じ温度に達
した後、ヒータ６８を更に発熱させて反応管７内の温度
を例えば１２００℃に昇温させ、ガス導入管６５から細
孔６０を経て内管６１内に処理ガスを導入すると共に排
気管６６により排気しながら反応管６内を所定の圧力例
えば常圧に維持して、ウエハＷに対して例えば拡散処理
を行う。
【００１８】ここでウエハボート２の熱の流れについて
述べると、ウエハＷ及びウエハボート２の支柱２１はヒ
ータ６８により均熱管６７を介して輻射熱を受けて加熱
される。一方ウエハボート２の上方及び下方にはヒータ
が存在しないため、ウエハボート２の上端及び下端即ち
固定部材３２及び支持部材３１から二次輻射が起こって
放熱されるが、これら固定部材３２及び支持部材３１は
環状であるため、輻射面積が小さい。従って図３に示す
ようなウエハＷ→支柱２１〜２４の溝部２０の支持面→
支柱２１〜２４の上端部（下端部）のループで伝導する
熱の流れ（矢印で示す）は、従来のように面状体である
天板及び底板が設けられていたウエハボートに比べて小
さくなり、この結果支柱２１〜２４において上下両端部
とそれ以外の個所との温度差は小さくなる。このためウ
エハＷの面内温度均一性が高くなるのでのでウエハＷの
周縁部にて溝部２０により支持されている領域における
熱応力が小さくなり、スリップの発生が抑えられる。
【００１９】上述の実施例の効果を図４に示すと、横軸
はスリップの発生の程度（１枚のウエハに発生するスリ
ップの長さの合計）、縦軸はウエハボート上のウエハの
高さ位置であり、実線（１）が実施例の結果、点線
（２）が従来のウエハボートを用いた場合の結果であ
る。この図からわかるように、実施例の場合従来に比べ
てウエハボートの上下両端付近のスリップの発生の程度
が小さくなり、更に上下両端部から中央に向かうにつれ
てスリップの発生の程度は急激に少なくなる。これに対
し従来の場合スリップの発生の程度の減小カーブは緩や
かであり、この結果からわかるように実施例によればウ
エハボートの広い高さ領域に亘ってスリップの発生を小
さくすることができ、スループットを向上させることが
できる。
【００２０】また本発明では、スリップの発生を抑える
構造として、図５に示す構造を採用してもよい。この実
施例では、ウエハボート２は下端及び上端にて夫々面状
体である底板２５及び天板２６を備えると共に、保温筒
４の上面に例えば横断面が狭小な３つの支持部材７１〜
７３を周方向に３等分した位置に配設して、これら支持
部材７１〜７３により、いわば３点でウエハボート２を
支持し、更に蓋体５の上面にも横断面が狭小な３つの支
持部材８１〜８３を周方向に３等分した位置に配設し
て、これら支持部材８１〜８４によりいわば３点で保温
筒４を支持した構成としている。
【００２１】このような構成によれば、ウエハボート２
の底部から保温筒４を介して蓋部５に熱伝導により放熱
されていくが、この熱の流れに対し、支持部材７１〜７
３及び支持部材８１〜８３が熱伝導抑制領域として機能
し、つまり熱伝導路が絞られているので下方への放熱を
抑える働きをし、この結果ウエハボート２の底部の温度
低下が抑制される。従ってウエハＷの周縁部から支柱２
１〜２４へ逃げる熱量が小さくなり、ウエハＷの周縁部
における熱応力が小さくなり、スリップの発生が抑えら
れる。
【００２２】このような構造の装置と従来の装置とを用
いて、ウエハＷを１２００℃で５時間加熱し、この処理
をウエハＷを交換して３回行ったところ、従来装置にお
けるウエハボートの最下段のウエハＷのスリップの長さ
の合計は約２５ｍｍであったのに対し、実施例では約６
ｍｍであり、上述の構造が有効であることが確認でき
た。
【００２３】また本発明では図１に示す構造と図５に示
す構造とを両方兼備する構成としてもよく、このような
縦型熱処理装置を図６に示しておく。更にウエハボート
２と保温筒４との間及び保温筒４と蓋体５との間に熱伝
導抑制領域（上述の実施例でいえば支持部材７１〜７
３、８１〜８３が配設されている個所）を形成するにあ
たっては、３点支持に限らず、４点以上で支持してもよ
いが、できるだけ支持点の面積を小さくして熱伝導を抑
えることが好ましい。
【００２４】更にまたこのような熱伝導抑制領域は、保
温筒４とウエハボート２との間、及び保温筒４と蓋体５
との間の一方だけに形成してもよいし、また保温筒４や
蓋体５の上に支持部材を立設する代りに、例えば図７に
示すような筒状の中間支持部材９を別途用意し、この中
央に周方向の３個所の島領域９１〜９３を除いてスリッ
ト９０を入れて熱の流路を絞るようにしてもよい。
【００２５】なおウエハボートは、支柱に溝以外のウエ
ハ支持部例えばリング状の載置部を棚状に設けたもので
あってもよい。そしてまた本発明は、酸化、拡散炉に限
らずＣＶＤ、エッチングなどの熱処理装置に適用するこ
とができ、また被処理体としては半導体ウエハに限らず
ＬＣＤ基板などであってもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、被処理体
保持具の放熱を抑えることができるため、被処理体の面
内温度均一性が高く、従って被処理体の周縁部における
熱応力を緩和することができ、被処理体のスリップの発
生を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の概観を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施例を示す縦断面図である。
【図３】ウエハボートの熱伝導の様子を模式的に示す説
明図である。
【図４】本発明の実施例におけるスリップ発生の程度を
従来例と比較して示す特性図である。
【図５】本発明の他の実施例の要部を示す分解斜視図で
ある。
【図６】本発明の更にまた他の実施例を示す縦断面図で
ある。
【図７】本発明の更に他の実施例における支持具を示す
斜視図である。
【図８】従来のウエハボートを示す斜視図である。
【図９】従来のウエハボートを拡大して示す説明図であ
る。
【図１０】ウエハボートにおけるウエハの支持部位を拡
大して示す説明図である。
【符号の説明】
２ ウエハボート ２１〜２４ 支柱 ３１ 支持部材 ３２ 固定部材 ４ 保温筒 ５ 蓋体 ６ 反応管 ６８ ヒータ ７１〜７３ 支持部 ８１〜８３ 支持部 ９ 支持具 Ｗ 半導体ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−145807（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−32534（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/22 511

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 多数の被処理体を上下に間隔をおいて保
    持すると共に保温部を介して蓋体の上に配置された被処
    理体保持具を縦型の反応管内に搬入して被処理体を熱処
    理する縦型熱処理装置において、 前記保温部の上に、筒状体の周面に周方向に沿って間隔
    をおいてスリットを形成してなる支持部材を介して前記
    被処理体保持具を載置したことを特徴とする縦型熱処理
    装置。
  2. 【請求項２】 多数の被処理体を上下に間隔をおいて保
    持すると共に保温部を介して蓋体の上に配置された被処
    理体保持具を縦型の反応管内に搬入して被処理体を熱処
    理する縦型熱処理装置において、 前記蓋体の上に、筒状体の周面に周方向に沿って間隔を
    おいてスリットを形成してなる支持部材を介して前記保
    温部を載置したことを特徴とする縦型熱処理装置。
  3. 【請求項３】 被処理体保持具は、鉛直方向に伸びる複
    数の支柱と、これら支柱の下端部を支持する環状部材
    と、前記支柱の上端部同士を互に固定する環状の固定部
    材と、を備えてなることを特徴とする請求項１または２
    記載の縦型熱処理装置。
JP28778693A 1993-03-09 1993-10-21 縦型熱処理装置 Expired - Fee Related JP3348936B2 (ja)

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US08/206,825 US5458688A (en) 1993-03-09 1994-03-08 Heat treatment boat
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578132A (en) * 1993-07-07 1996-11-26 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure
USD380454S (en) * 1995-05-30 1997-07-01 Tokyo Electron Limited Wafer boat
USD378675S (en) * 1995-05-30 1997-04-01 Tokyo Electron Limited Wafer boat
USD378823S (en) * 1995-05-30 1997-04-15 Tokyo Electron Limited Wafer boat
JPH09293685A (ja) * 1996-02-28 1997-11-11 Asahi Glass Co Ltd 縦型ウエハボート
JPH09260364A (ja) * 1996-03-26 1997-10-03 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法および熱処理装置
JPH09306980A (ja) * 1996-05-17 1997-11-28 Asahi Glass Co Ltd 縦型ウエハボート
US5848889A (en) * 1996-07-24 1998-12-15 Applied Materials Inc. Semiconductor wafer support with graded thermal mass
US6066836A (en) * 1996-09-23 2000-05-23 Applied Materials, Inc. High temperature resistive heater for a process chamber
US6395363B1 (en) 1996-11-05 2002-05-28 Applied Materials, Inc. Sloped substrate support
AU1358097A (en) * 1997-01-07 1998-08-03 Silicon Valley Group, Inc. Thermal processing apparatus and process
NL1005963C2 (nl) * 1997-05-02 1998-11-09 Asm Int Verticale oven voor het behandelen van halfgeleidersubstraten.
US6133121A (en) * 1997-10-15 2000-10-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for supporting semiconductor wafers and semiconductor wafer processing method using supporting apparatus
US5800616A (en) * 1997-12-15 1998-09-01 Sony Corporation Vertical LPCVD furnace with reversible manifold collar and method of retrofitting same
US6200388B1 (en) 1998-02-11 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support for a thermal processing chamber
US6048403A (en) * 1998-04-01 2000-04-11 Applied Materials, Inc. Multi-ledge substrate support for a thermal processing chamber
US6280183B1 (en) 1998-04-01 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Substrate support for a thermal processing chamber
US6027569A (en) * 1998-06-03 2000-02-22 Seh America, Inc. Gas injection systems for a LPCVD furnace
US6171400B1 (en) * 1998-10-02 2001-01-09 Union Oil Company Of California Vertical semiconductor wafer carrier
JP4045689B2 (ja) * 1999-04-14 2008-02-13 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US6246031B1 (en) * 1999-11-30 2001-06-12 Wafermasters, Inc. Mini batch furnace
US6378538B1 (en) * 1999-12-13 2002-04-30 Advanced Micro Devices, Inc. Durable, multi-piece rotor for spray acid tools
US6287112B1 (en) * 2000-03-30 2001-09-11 Asm International, N.V. Wafer boat
US6331212B1 (en) * 2000-04-17 2001-12-18 Avansys, Llc Methods and apparatus for thermally processing wafers
US6497403B2 (en) 2000-12-28 2002-12-24 Memc Electronic Materials, Inc. Semiconductor wafer holder
US6442950B1 (en) * 2001-05-23 2002-09-03 Macronix International Co., Ltd. Cooling system of chamber with removable liner
US6835039B2 (en) * 2002-03-15 2004-12-28 Asm International N.V. Method and apparatus for batch processing of wafers in a furnace
US20070243317A1 (en) * 2002-07-15 2007-10-18 Du Bois Dale R Thermal Processing System and Configurable Vertical Chamber
US20060083495A1 (en) * 2002-07-15 2006-04-20 Qiu Taiquing Variable heater element for low to high temperature ranges
US6582221B1 (en) 2002-07-19 2003-06-24 Asm International N.V. Wafer boat and method for treatment of substrates
US6727194B2 (en) * 2002-08-02 2004-04-27 Wafermasters, Inc. Wafer batch processing system and method
US7256375B2 (en) * 2002-08-30 2007-08-14 Asm International N.V. Susceptor plate for high temperature heat treatment
KR100491161B1 (ko) * 2002-11-26 2005-05-24 주식회사 테라세미콘 반도체 제조장치
CN1701417B (zh) 2003-02-21 2012-04-25 株式会社日立国际电气 基板处理装置和用于制造半导体器件的方法
US7033126B2 (en) * 2003-04-02 2006-04-25 Asm International N.V. Method and apparatus for loading a batch of wafers into a wafer boat
WO2005004967A2 (en) * 2003-07-02 2005-01-20 Cook Incorporated Small gauge needle catheterization apparatus
US7181132B2 (en) 2003-08-20 2007-02-20 Asm International N.V. Method and system for loading substrate supports into a substrate holder
US20050098107A1 (en) * 2003-09-24 2005-05-12 Du Bois Dale R. Thermal processing system with cross-flow liner
US20060004493A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Jack Hwang Use of active temperature control to provide emmisivity independent wafer temperature
US20060286807A1 (en) * 2005-06-16 2006-12-21 Jack Hwang Use of active temperature control to provide emmisivity independent wafer temperature
TWI366234B (en) * 2004-06-30 2012-06-11 Intel Corp Method, apparatus and system to control temperature of a wafer edge or wafer edge support during heating, and machine-readable medium having data therein
US20060060145A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Van Den Berg Jannes R Susceptor with surface roughness for high temperature substrate processing
US20060065634A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-30 Van Den Berg Jannes R Low temperature susceptor cleaning
US8211235B2 (en) * 2005-03-04 2012-07-03 Picosun Oy Apparatuses and methods for deposition of material on surfaces
JP4683332B2 (ja) * 2005-12-28 2011-05-18 株式会社Ｉｈｉ 熱処理装置
JP4994724B2 (ja) * 2006-07-07 2012-08-08 株式会社東芝 成膜装置及び成膜方法
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
KR20150110207A (ko) * 2014-03-24 2015-10-02 주식회사 테라세미콘 보트
CN103928373B (zh) * 2014-04-28 2016-10-12 北京七星华创电子股份有限公司 一种半导体热处理设备
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
JP6505001B2 (ja) * 2015-11-18 2019-04-24 東京エレクトロン株式会社 ウエハボート支持台及びこれを用いた熱処理装置
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) * 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
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KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
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KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
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KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
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US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
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TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
CN112281139B (zh) * 2020-10-30 2021-07-16 东北石油大学 一种化学气相沉积管式炉实验装置
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
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USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1137807B (de) * 1961-06-09 1962-10-11 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase
JPS53148283A (en) * 1977-05-30 1978-12-23 Toshiba Ceramics Co Silicon wafer jig
JPS61244040A (ja) * 1985-04-22 1986-10-30 Sony Corp ウエハ移載具
JPS63102225A (ja) * 1986-10-20 1988-05-07 Deisuko Haitetsuku:Kk 縦形半導体熱処理装置のウエ−ハボ−ト
US5228501A (en) * 1986-12-19 1993-07-20 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition clamping mechanism and heater/cooler
JPH021116A (ja) * 1988-03-09 1990-01-05 Tel Sagami Ltd 熱処理装置
US5169453A (en) * 1989-03-20 1992-12-08 Toyoko Kagaku Co., Ltd. Wafer supporting jig and a decompressed gas phase growth method using such a jig
US5261776A (en) * 1989-04-27 1993-11-16 Micron Technology, Inc. Vacuum operated wafer transfer apparatus
US5162047A (en) * 1989-08-28 1992-11-10 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical heat treatment apparatus having wafer transfer mechanism and method for transferring wafers
US5146869A (en) * 1990-06-11 1992-09-15 National Semiconductor Corporation Tube and injector for preheating gases in a chemical vapor deposition reactor
US5310339A (en) * 1990-09-26 1994-05-10 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus having a wafer boat
JP3138868B2 (ja) * 1990-10-18 2001-02-26 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US5148714A (en) * 1990-10-24 1992-09-22 Ag Processing Technology, Inc. Rotary/linear actuator for closed chamber, and reaction chamber utilizing same
US5192371A (en) * 1991-05-21 1993-03-09 Asm Japan K.K. Substrate supporting apparatus for a CVD apparatus
JP3234617B2 (ja) * 1991-12-16 2001-12-04 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置用基板支持具
JP3100252B2 (ja) * 1992-05-26 2000-10-16 東京エレクトロン株式会社 被処理体用ボート及びそれを用いた被処理体の移し換え方法ならびに熱処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5482559A (en) 1996-01-09
JPH07122513A (ja) 1995-05-12

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