JP3345588B2 - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド及
びその製造方法に係るものであり、特にヘッド素子とボ
ンディングパッドとの間を接続する、微小な間隔の複数
の引き出し線を有する薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
に関する。
びその製造方法に係るものであり、特にヘッド素子とボ
ンディングパッドとの間を接続する、微小な間隔の複数
の引き出し線を有する薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の薄膜磁気ヘッドの説明図
であり、同図Ａは、従来の薄膜磁気ヘッドの斜視図、同
図Ｂは、同図Ａの５Ｂ−５Ｂ線で示した断面図、同図Ｃ
は、従来の薄膜磁気ヘッドの一部を断面とした要部斜視
図である。また、図６は、従来の薄膜磁気ヘッドの引き
出し線のパターンを説明するための図であり、同図Ａ
は、従来の薄膜磁気ヘッドの引き出し線の概略平面図、
同図Ｂは、同図Ａの６Ｂ−６Ｂ線で示した断面図であ
る。また、図７及び図８は、従来の薄膜磁気ヘッドの製
造方法を説明するための平面図及び断面図である。ま
た、図９は、従来の他の薄膜磁気ヘッドの要部断面図で
ある。
であり、同図Ａは、従来の薄膜磁気ヘッドの斜視図、同
図Ｂは、同図Ａの５Ｂ−５Ｂ線で示した断面図、同図Ｃ
は、従来の薄膜磁気ヘッドの一部を断面とした要部斜視
図である。また、図６は、従来の薄膜磁気ヘッドの引き
出し線のパターンを説明するための図であり、同図Ａ
は、従来の薄膜磁気ヘッドの引き出し線の概略平面図、
同図Ｂは、同図Ａの６Ｂ−６Ｂ線で示した断面図であ
る。また、図７及び図８は、従来の薄膜磁気ヘッドの製
造方法を説明するための平面図及び断面図である。ま
た、図９は、従来の他の薄膜磁気ヘッドの要部断面図で
ある。
【０００３】ハードディスク等の磁気記録装置に搭載さ
れる薄膜磁気ヘッドのスライダ１は、アルミナ・チタン
カーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミックス材か
らなり、図５Ａに示すように、レール状のＡＢＳ面（浮
上面；磁気記録媒体との対向面）１ａとトレーリング側
端面１ｂとを有している。また、トレーリング側端面１
ｂにはヘッド素子２及び外部回路接続用の４つのボンデ
ィングパッド３とが設けられている。
れる薄膜磁気ヘッドのスライダ１は、アルミナ・チタン
カーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミックス材か
らなり、図５Ａに示すように、レール状のＡＢＳ面（浮
上面；磁気記録媒体との対向面）１ａとトレーリング側
端面１ｂとを有している。また、トレーリング側端面１
ｂにはヘッド素子２及び外部回路接続用の４つのボンデ
ィングパッド３とが設けられている。
【０００４】ヘッド素子２は、図５Ｂに示すように、読
み出し用の磁気抵抗効果（MagnetoResistive）型磁気ヘ
ッド（以下、ＭＲヘッドと称す）２ａと、その上に積層
された書き込み用の誘導型磁気ヘッド（以下、インダク
ティブヘッドと称す）２ｂとからなる、いわゆる複合型
薄膜磁気ヘッドである。ＭＲヘッド２ａは、スライダ１
のトレーリング側端面１ｂ上に積層されたＮｉ−Ｆｅ系
合金（パーマロイ）からなる下部シールド層２ａ１と、
下部シールド層２ａ１の上に積層されたＡｌ2Ｏ3等の非
磁性材料からなる下部ギャップ層２ａ２と、下部ギャッ
プ層２ａ２の上層の中央部に設けられた磁気抵抗効果
（ＭＲ）素子２ａ３と、磁気抵抗効果素子２ａ３の両側
に形成された縦バイアスとしてのハードバイアス層（図
示せず）と、ハードバイアス層（図示せず）の上層に設
けられたＣｒ等の非磁性導電材料からなる２つの導電層
２ａ４と、磁気抵抗効果素子２ａ３及び導電層２ａ４の
上層に設けられたＡｌ2Ｏ3等の非磁性材料からなる上部
ギャップ層２ａ５と、上部ギャップ層２ａ５上層に設け
られた、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロイ）等の磁性材料
からなる上部シールド層２ａ６とを有する。
み出し用の磁気抵抗効果（MagnetoResistive）型磁気ヘ
ッド（以下、ＭＲヘッドと称す）２ａと、その上に積層
された書き込み用の誘導型磁気ヘッド（以下、インダク
ティブヘッドと称す）２ｂとからなる、いわゆる複合型
薄膜磁気ヘッドである。ＭＲヘッド２ａは、スライダ１
のトレーリング側端面１ｂ上に積層されたＮｉ−Ｆｅ系
合金（パーマロイ）からなる下部シールド層２ａ１と、
下部シールド層２ａ１の上に積層されたＡｌ2Ｏ3等の非
磁性材料からなる下部ギャップ層２ａ２と、下部ギャッ
プ層２ａ２の上層の中央部に設けられた磁気抵抗効果
（ＭＲ）素子２ａ３と、磁気抵抗効果素子２ａ３の両側
に形成された縦バイアスとしてのハードバイアス層（図
示せず）と、ハードバイアス層（図示せず）の上層に設
けられたＣｒ等の非磁性導電材料からなる２つの導電層
２ａ４と、磁気抵抗効果素子２ａ３及び導電層２ａ４の
上層に設けられたＡｌ2Ｏ3等の非磁性材料からなる上部
ギャップ層２ａ５と、上部ギャップ層２ａ５上層に設け
られた、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロイ）等の磁性材料
からなる上部シールド層２ａ６とを有する。
【０００５】また、図５Ｂ及び５Ｃに示すように、イン
ダクティブヘッド２ｂは、ＭＲヘッド２ａの上部シール
ド層２ａ６と兼用される下部コア層２ｂ１と、下部コア
層２ｂ１の上方に設けられたギャップを形成する非磁性
材料層２ｂ２と、非磁性材料層２ｂ２の上に積層された
有機樹脂材料等からなる第１のコイル絶縁層２ｂ３と、
第１のコイル絶縁層２ｂ３の上方に設けられたＣｕ等の
低抵抗導電性材料からなる平面螺旋状のコイル２ｂ４
と、コイル２ｂ４の上を覆うようにして設けられた第２
のコイル絶縁層２ｂ５と、その一端がＡＢＳ面１ａ側に
おいて非磁性材料層２ｂ２と接すると共に、その他端が
平面螺旋状のコイル２ｂ４の中央部Ｃ付近において第２
のコイル絶縁層２ｂ５に設けられた穴Ｈを介して下部コ
ア層２ｂ１と接続された、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロ
イ）等の磁性材料からなる上部コア層２ｂ６とを有す
る。
ダクティブヘッド２ｂは、ＭＲヘッド２ａの上部シール
ド層２ａ６と兼用される下部コア層２ｂ１と、下部コア
層２ｂ１の上方に設けられたギャップを形成する非磁性
材料層２ｂ２と、非磁性材料層２ｂ２の上に積層された
有機樹脂材料等からなる第１のコイル絶縁層２ｂ３と、
第１のコイル絶縁層２ｂ３の上方に設けられたＣｕ等の
低抵抗導電性材料からなる平面螺旋状のコイル２ｂ４
と、コイル２ｂ４の上を覆うようにして設けられた第２
のコイル絶縁層２ｂ５と、その一端がＡＢＳ面１ａ側に
おいて非磁性材料層２ｂ２と接すると共に、その他端が
平面螺旋状のコイル２ｂ４の中央部Ｃ付近において第２
のコイル絶縁層２ｂ５に設けられた穴Ｈを介して下部コ
ア層２ｂ１と接続された、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロ
イ）等の磁性材料からなる上部コア層２ｂ６とを有す
る。
【０００６】また、４本の引き出し線４（４ａ、４ｂ、
４ｃ、４ｄ）は、ヘッド素子２の側部のトレーリング側
端面１ｂに設けられており、図６Ａに示すように、それ
ぞれニッケル（Ｎｉ）や銅（Ｃｕ）等の低抵抗導電性材
料からなり、それらの一端には幅広とされた終端部Ｅが
設けられている。また、２本の引き出し線４ａ、４ｂ
は、それらの他端がコイル２ｂ４の両端（外周端又は中
央端）と接続されており、他の２本の引き出し線４ｃ、
４ｄは、それらの他端がＭＲヘッド２ａの２つの導電層
２ａ４とそれぞれ接続されている（接続状態は図示せ
ず）。また、４本の引き出し線４は、その一部が平行に
設けられており、それらの平行部においては微小な間隔
Ｓａをあけて隣りあっている。また、図６Ｂに示すよう
に、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロイ）等の導電性材料か
らなるメッキ下地層５は、４つの終端部Ｅの上部及び側
部を覆うようにして設けられ、また、Ｎｉ−Ｆｅ系合金
（パーマロイ）等からなるバンプ基部６は、終端部Ｅ上
のメッキ下地層５上に積層されている。また、導電性材
料であるＮｉ又はＣｕ等からなる４つのバンプ７は、バ
ンプ基部６と接触する垂直なコンタクト部７ａと、裾部
が広がった形状の鍔部７ｂとを有し、４つのバンプ基部
６上に設けられている。
４ｃ、４ｄ）は、ヘッド素子２の側部のトレーリング側
端面１ｂに設けられており、図６Ａに示すように、それ
ぞれニッケル（Ｎｉ）や銅（Ｃｕ）等の低抵抗導電性材
料からなり、それらの一端には幅広とされた終端部Ｅが
設けられている。また、２本の引き出し線４ａ、４ｂ
は、それらの他端がコイル２ｂ４の両端（外周端又は中
央端）と接続されており、他の２本の引き出し線４ｃ、
４ｄは、それらの他端がＭＲヘッド２ａの２つの導電層
２ａ４とそれぞれ接続されている（接続状態は図示せ
ず）。また、４本の引き出し線４は、その一部が平行に
設けられており、それらの平行部においては微小な間隔
Ｓａをあけて隣りあっている。また、図６Ｂに示すよう
に、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロイ）等の導電性材料か
らなるメッキ下地層５は、４つの終端部Ｅの上部及び側
部を覆うようにして設けられ、また、Ｎｉ−Ｆｅ系合金
（パーマロイ）等からなるバンプ基部６は、終端部Ｅ上
のメッキ下地層５上に積層されている。また、導電性材
料であるＮｉ又はＣｕ等からなる４つのバンプ７は、バ
ンプ基部６と接触する垂直なコンタクト部７ａと、裾部
が広がった形状の鍔部７ｂとを有し、４つのバンプ基部
６上に設けられている。
【０００７】そして、図６Ｂに示すように、Ａｌ2Ｏ3等
からなる保護層８は、上部コア層２ｂ６、引き出し線４
及びバンプ７等の上層を覆った状態でスライダ１のトレ
ーリング側端面１ｂの全面に設けられ、そのトレーリン
グ側端面１ｂが研磨されることにより、４つのバンプ７
の鍔部７ｂの一部が露出した状態とされ、それらの露出
部上層に金からなる４つのボンディングパッド３がメッ
キにより形成されている。このようにして、４つのボン
ディングパッド３とヘッド素子２とが電気的に接続さ
れ、薄膜磁気ヘッドが構成されている。
からなる保護層８は、上部コア層２ｂ６、引き出し線４
及びバンプ７等の上層を覆った状態でスライダ１のトレ
ーリング側端面１ｂの全面に設けられ、そのトレーリン
グ側端面１ｂが研磨されることにより、４つのバンプ７
の鍔部７ｂの一部が露出した状態とされ、それらの露出
部上層に金からなる４つのボンディングパッド３がメッ
キにより形成されている。このようにして、４つのボン
ディングパッド３とヘッド素子２とが電気的に接続さ
れ、薄膜磁気ヘッドが構成されている。
【０００８】以下に、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法
を説明する。まず、スライダ１のトレーリング側端面１
ｂに形成されたＭＲヘッド２ａ上に、Ｎｉ−Ｆｅ系合金
（パーマロイ）からなる下部コア層２ｂ１及び非磁性材
料層２ｂ２を順次積層し、第１のコイル絶縁層２ｂ３を
有機樹脂材料等を塗布してフォトリソグラフィにより形
成する（図示せず）。次に、図７Ａ（平面図）及び図７
Ｂ（図７Ａの７Ｂ−７Ｂ線における断面図）に示すよう
に、フォトリソグラフィ及びメッキにより、第１のコイ
ル絶縁層２ｂ３の上に銅等を用いてコイル２ｂ４を形成
すると共に、同じ工程でスライダ１の上に、終端部Ｅを
有する引き出し線４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）を形成
する。
を説明する。まず、スライダ１のトレーリング側端面１
ｂに形成されたＭＲヘッド２ａ上に、Ｎｉ−Ｆｅ系合金
（パーマロイ）からなる下部コア層２ｂ１及び非磁性材
料層２ｂ２を順次積層し、第１のコイル絶縁層２ｂ３を
有機樹脂材料等を塗布してフォトリソグラフィにより形
成する（図示せず）。次に、図７Ａ（平面図）及び図７
Ｂ（図７Ａの７Ｂ−７Ｂ線における断面図）に示すよう
に、フォトリソグラフィ及びメッキにより、第１のコイ
ル絶縁層２ｂ３の上に銅等を用いてコイル２ｂ４を形成
すると共に、同じ工程でスライダ１の上に、終端部Ｅを
有する引き出し線４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）を形成
する。
【０００９】次に、図７Ｃ（平面図）に示すように、コ
イル２ｂ４を覆うように有機樹脂材料等を塗布して、第
１のコイル絶縁層２ｂ３の上層に第２のコイル絶縁層２
ｂ５をフォトリソグラフィにより形成する。また、コイ
ル２ｂ４の中央部Ｃ（図５参照）付近の第２のコイル絶
縁層２ｂ５には、下部コア層２ｂ１まで到達する穴Ｈを
設ける。
イル２ｂ４を覆うように有機樹脂材料等を塗布して、第
１のコイル絶縁層２ｂ３の上層に第２のコイル絶縁層２
ｂ５をフォトリソグラフィにより形成する。また、コイ
ル２ｂ４の中央部Ｃ（図５参照）付近の第２のコイル絶
縁層２ｂ５には、下部コア層２ｂ１まで到達する穴Ｈを
設ける。
【００１０】次に、ヘッド素子２及び引き出し線４の上
層及び穴Ｈの内部のトレーリング側端面１ｂの全面にＮ
ｉ−Ｆｅ系合金（パーマロイ）等からなるメッキ下地層
５をスパッタ、蒸着等により形成する。このメッキ下地
層５は、後のメッキ工程で上部コア２ｂ６、バンプ基部
６、バンプ７を形成する部分にのみ形成して、それらを
メッキ工程における電極として利用することも可能であ
るが、メッキ下地層５が複数に点在することとなると、
それら一つずつに電源からの導線を結線しなければなら
ず煩雑となるため、コスト上昇を招くために現実的では
ないので、前述のようにメッキ下地層５はトレーリング
側端面１ｂの全面に形成する。
層及び穴Ｈの内部のトレーリング側端面１ｂの全面にＮ
ｉ−Ｆｅ系合金（パーマロイ）等からなるメッキ下地層
５をスパッタ、蒸着等により形成する。このメッキ下地
層５は、後のメッキ工程で上部コア２ｂ６、バンプ基部
６、バンプ７を形成する部分にのみ形成して、それらを
メッキ工程における電極として利用することも可能であ
るが、メッキ下地層５が複数に点在することとなると、
それら一つずつに電源からの導線を結線しなければなら
ず煩雑となるため、コスト上昇を招くために現実的では
ないので、前述のようにメッキ下地層５はトレーリング
側端面１ｂの全面に形成する。
【００１１】引き続き、第２のコイル絶縁層２ｂ５の上
には上部コア層２ｂ６の形状パターンの窓部を設けたレ
ジスト層（図示せず）を、また、４つの終端部Ｅの上に
はバンプ基部６の形状パターンの窓部を設けたレジスト
層（図示せず）をフォトリソグラフィによりそれぞれ形
成する。続いて、図７Ｄ（図７Ｂと同じ場所の断面図、
以下同じ）に示すように、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロ
イ）等を用いて、メッキにより、第２のコイル絶縁層２
ｂ５及び穴Ｈの上のメッキ下地層５の上に上部コア層２
ｂ６を、終端部Ｅの上のメッキ下地層５の上にバンプ基
部６をそれぞれ形成する。尚、残存したレジスト層（図
示せず）はウェットエッチングにより除去する。このよ
うにバンプ基部６を設けるのは、後の工程でバンプ７を
バンプ基部６の上に設け、さらにその上の保護層を設け
た後、バンプ７の上部を露出するように研磨するので、
バンプ７の最も高い部分までの高さを、インダクティブ
ヘッド２ｂの高さ（上部コア層２ｂ６までの高さ）より
も高くして、研磨時にインダクティブヘッド２ｂが破壊
されないようにする必要があり、少しでも高さを稼いで
おいた方が好ましいためである。
には上部コア層２ｂ６の形状パターンの窓部を設けたレ
ジスト層（図示せず）を、また、４つの終端部Ｅの上に
はバンプ基部６の形状パターンの窓部を設けたレジスト
層（図示せず）をフォトリソグラフィによりそれぞれ形
成する。続いて、図７Ｄ（図７Ｂと同じ場所の断面図、
以下同じ）に示すように、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロ
イ）等を用いて、メッキにより、第２のコイル絶縁層２
ｂ５及び穴Ｈの上のメッキ下地層５の上に上部コア層２
ｂ６を、終端部Ｅの上のメッキ下地層５の上にバンプ基
部６をそれぞれ形成する。尚、残存したレジスト層（図
示せず）はウェットエッチングにより除去する。このよ
うにバンプ基部６を設けるのは、後の工程でバンプ７を
バンプ基部６の上に設け、さらにその上の保護層を設け
た後、バンプ７の上部を露出するように研磨するので、
バンプ７の最も高い部分までの高さを、インダクティブ
ヘッド２ｂの高さ（上部コア層２ｂ６までの高さ）より
も高くして、研磨時にインダクティブヘッド２ｂが破壊
されないようにする必要があり、少しでも高さを稼いで
おいた方が好ましいためである。
【００１２】次に、図８Ａに示すように、バンプ基部６
の上部が露出するように窓部９ａを設けたレジスト層９
をフォトリソグラフィにより形成する。
の上部が露出するように窓部９ａを設けたレジスト層９
をフォトリソグラフィにより形成する。
【００１３】次に、図８Ｂに示すように、Ｎｉ及びＣｕ
等を用いて、メッキによりバンプ７を形成する。このと
き、前述のようにバンプ７の高さをインダクティブヘッ
ド２ｂの高さより少しでも高くする必要があるため、Ｎ
ｉやＣｕ等の膜厚がレジスト層９の膜厚を越えるように
してメッキする。このようにすることで、Ｎｉ及びＣｕ
等は窓部９ａの周囲上に広がり、バンプ７は窓部９ａに
対応して形作られる垂直なコンタクト部７ａと、表面張
力により断面が球状となって裾部が広がって、その下端
が終端部Ｅと同等もしくはそれ以上の底面積を有する鍔
部７ｂが形成される。
等を用いて、メッキによりバンプ７を形成する。このと
き、前述のようにバンプ７の高さをインダクティブヘッ
ド２ｂの高さより少しでも高くする必要があるため、Ｎ
ｉやＣｕ等の膜厚がレジスト層９の膜厚を越えるように
してメッキする。このようにすることで、Ｎｉ及びＣｕ
等は窓部９ａの周囲上に広がり、バンプ７は窓部９ａに
対応して形作られる垂直なコンタクト部７ａと、表面張
力により断面が球状となって裾部が広がって、その下端
が終端部Ｅと同等もしくはそれ以上の底面積を有する鍔
部７ｂが形成される。
【００１４】次に、レジスト層９をウェットエッチング
により除去し、図８Ｃに示すように、上方からのアルゴ
ン（Ａｒ）イオン（図中矢印）等を用いたイオンミリン
グにより、メッキ下地層５を除去して、４本の引き出し
線４の間を電気的に分離する。尚、この時、バンプ７の
鍔部７ｂの影となる部分（図中点線で示す領域内）のメ
ッキ下地層５は、イオンミリングを行っても除去されず
に残存するが、終端部Ｅとバンプ基部６との間に介在し
た部分については、それらの電気的接続を何ら妨げるも
のではないため、残存していても問題はなく、また、終
端部Ｅの側面付近については、４本の引き出し線４の間
において電気的に分離されていれば残存していても問題
はない。
により除去し、図８Ｃに示すように、上方からのアルゴ
ン（Ａｒ）イオン（図中矢印）等を用いたイオンミリン
グにより、メッキ下地層５を除去して、４本の引き出し
線４の間を電気的に分離する。尚、この時、バンプ７の
鍔部７ｂの影となる部分（図中点線で示す領域内）のメ
ッキ下地層５は、イオンミリングを行っても除去されず
に残存するが、終端部Ｅとバンプ基部６との間に介在し
た部分については、それらの電気的接続を何ら妨げるも
のではないため、残存していても問題はなく、また、終
端部Ｅの側面付近については、４本の引き出し線４の間
において電気的に分離されていれば残存していても問題
はない。
【００１５】そして、図８Ｄに示すように、上部コア層
２ｂ６、引き出し線４及びバンプ７等の上層を覆うよう
に、アルミナからなる保護層８をスパッタにより形成す
る。そして、保護層８下にあるバンプ７の鍔部７ｂが研
磨されて一部が露出するまで（図中点線に示した部分ま
で）表面を研磨し、最後に、露出した鍔部７ｂ上に金か
らなるボンディングパッド３をメッキにより形成して、
図６Ｂに示したような薄膜磁気ヘッドが完成する。
２ｂ６、引き出し線４及びバンプ７等の上層を覆うよう
に、アルミナからなる保護層８をスパッタにより形成す
る。そして、保護層８下にあるバンプ７の鍔部７ｂが研
磨されて一部が露出するまで（図中点線に示した部分ま
で）表面を研磨し、最後に、露出した鍔部７ｂ上に金か
らなるボンディングパッド３をメッキにより形成して、
図６Ｂに示したような薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】近時、ハードディスク
等の磁気記録装置の高容量化に伴い、薄膜磁気ヘッドの
スライダ１のサイズが小さくなってきており、引き出し
線４は限られたスペースにおいて効果的な配置が必要と
なっている。スライダ１のサイズの縮小に伴い、トレー
リング側端面１ｂの面積が小さくなると、図９に示すよ
うに、引き出し線４の平行部の間隔Ｓｂを狭くする必要
が出てくる。このように、引き出し線４の平行部の間隔
Ｓｂが狭くなると、バンプ７の鍔部７ｂの影となる部分
が、近傍の他の引き出し線４にまで及ぶ。すると、図９
に示すように、終端部Ｅ上にバンプ７を形成した後にイ
オンミリングでメッキ下地層５を除去して、４本の引き
出し線４の間を電気的に分離する際に、バンプ７の鍔部
７ｂの影で残存したメッキ下地層５が、近傍の他の引き
出し線４ｂにまで及んで、１本の引き出し線４ａと他の
引き出し線４ｂとを接続する形となりショートすること
となる。
等の磁気記録装置の高容量化に伴い、薄膜磁気ヘッドの
スライダ１のサイズが小さくなってきており、引き出し
線４は限られたスペースにおいて効果的な配置が必要と
なっている。スライダ１のサイズの縮小に伴い、トレー
リング側端面１ｂの面積が小さくなると、図９に示すよ
うに、引き出し線４の平行部の間隔Ｓｂを狭くする必要
が出てくる。このように、引き出し線４の平行部の間隔
Ｓｂが狭くなると、バンプ７の鍔部７ｂの影となる部分
が、近傍の他の引き出し線４にまで及ぶ。すると、図９
に示すように、終端部Ｅ上にバンプ７を形成した後にイ
オンミリングでメッキ下地層５を除去して、４本の引き
出し線４の間を電気的に分離する際に、バンプ７の鍔部
７ｂの影で残存したメッキ下地層５が、近傍の他の引き
出し線４ｂにまで及んで、１本の引き出し線４ａと他の
引き出し線４ｂとを接続する形となりショートすること
となる。
【００１７】このような鍔部７ｂの影となる部分におけ
る残存したメッキ下地層５によるショートを無くすため
に、例えば、バンプ７の形状を変えて鍔部７ｂを設けな
いこと、即ち、バンプ７をコンタクト部７ａのみの形状
とすることで、バンプ７の鍔部７ｂの影となる部分を実
質的に無くし、メッキ下地層５が除去されずに残存する
部分を極力無くすことが考えられる。これは、レジスト
層９の膜厚を厚くして窓部９ａを深くすることで実現で
きると思われる。しかしながら、インダクティブヘッド
２ｂの高さ（上部コア層２ｂ６までの高さ）よりもバン
プ７の高さを高くするためには、バンプ基部６の上にお
いて２０μｍ以上の膜厚を有するレジスト層９が必要と
なり、フォトリソグラフィの露光工程においては焦点深
度が深くなり、レジスト層９にコンタクト部７ａ（即ち
窓部９ａ）の形状パターンを最底部（バンプ基部６）ま
で正確に形成することが出来ず、バンプ７を形成しても
電気的接続が確実とならない。また、このような形状の
バンプ７を一工程で形成するのは非常に困難である。
る残存したメッキ下地層５によるショートを無くすため
に、例えば、バンプ７の形状を変えて鍔部７ｂを設けな
いこと、即ち、バンプ７をコンタクト部７ａのみの形状
とすることで、バンプ７の鍔部７ｂの影となる部分を実
質的に無くし、メッキ下地層５が除去されずに残存する
部分を極力無くすことが考えられる。これは、レジスト
層９の膜厚を厚くして窓部９ａを深くすることで実現で
きると思われる。しかしながら、インダクティブヘッド
２ｂの高さ（上部コア層２ｂ６までの高さ）よりもバン
プ７の高さを高くするためには、バンプ基部６の上にお
いて２０μｍ以上の膜厚を有するレジスト層９が必要と
なり、フォトリソグラフィの露光工程においては焦点深
度が深くなり、レジスト層９にコンタクト部７ａ（即ち
窓部９ａ）の形状パターンを最底部（バンプ基部６）ま
で正確に形成することが出来ず、バンプ７を形成しても
電気的接続が確実とならない。また、このような形状の
バンプ７を一工程で形成するのは非常に困難である。
【００１８】また、鍔部７ｂの影となる部分における残
存したメッキ下地層５によるショートを無くすために、
４本の引き出し線４の配置位置は変えず、引き出し線４
の線幅を狭くして、それぞれの間隔を広くとることが考
えられるが、このようにすると、引き出し線４の抵抗が
大きくなり、消費電力が増大するため好ましくない。ま
た、この際には鍔部７ｂの大きさを小さくする必要も生
じるが、コンタクト部７ａ（即ち窓部９ａ）の深さを深
くして、鍔部７ｂを形成する際にレジスト層９の膜厚を
越えてメッキする量を減少させることによって対応する
ことは、前述のようにフォトリソグラフィの露光工程に
おける問題から採用することは困難である。また、コン
タクト部７ａ（窓部９ａ）の深さを変えずに、単に鍔部
７ｂの形成時に、レジスト層９の膜厚を越えてメッキす
る量を少なくすると、前述のようにインダクティブヘッ
ド２ｂの高さよりも高くすることが出来なくなる。
存したメッキ下地層５によるショートを無くすために、
４本の引き出し線４の配置位置は変えず、引き出し線４
の線幅を狭くして、それぞれの間隔を広くとることが考
えられるが、このようにすると、引き出し線４の抵抗が
大きくなり、消費電力が増大するため好ましくない。ま
た、この際には鍔部７ｂの大きさを小さくする必要も生
じるが、コンタクト部７ａ（即ち窓部９ａ）の深さを深
くして、鍔部７ｂを形成する際にレジスト層９の膜厚を
越えてメッキする量を減少させることによって対応する
ことは、前述のようにフォトリソグラフィの露光工程に
おける問題から採用することは困難である。また、コン
タクト部７ａ（窓部９ａ）の深さを変えずに、単に鍔部
７ｂの形成時に、レジスト層９の膜厚を越えてメッキす
る量を少なくすると、前述のようにインダクティブヘッ
ド２ｂの高さよりも高くすることが出来なくなる。
【００１９】本発明が解決しようとする課題は、ヘッド
素子とボンディングパッドとの間を接続する引き出し線
が、バンプ下部のメッキ下地層により近傍の他の引き出
し線とショートされることなく、スライダの小型化を実
現できる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するこ
とである。
素子とボンディングパッドとの間を接続する引き出し線
が、バンプ下部のメッキ下地層により近傍の他の引き出
し線とショートされることなく、スライダの小型化を実
現できる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するこ
とである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子を有
する再生用の磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び／又はコイ
ルを有する記録用の誘導型磁気ヘッドを備え、一端が前
記コイルの両端及び／又は前記磁気抵抗効果素子の両端
にそれぞれ接続され、間隔を置いて設けられた複数の引
き出し線と、有機樹脂材料からなって、複数の前記引き
出し線の間を絶縁して、それらの上部を覆うと共に、前
記引き出し線の他端が露出された開口部を有する引き出
し線絶縁層と、前記開口部に露出された引き出し線の他
端部上、および前記開口部の周囲の前記引き出し線絶縁
層上に設けられた導電性金属材料からなるメッキ下地層
と、該メッキ下地層上に電気的に導通されたバンプとを
有し、前記メッキ下地層上に、導電性材料からなるバン
プ基部を介して前記バンプを設けた構成とした。
め、本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子を有
する再生用の磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び／又はコイ
ルを有する記録用の誘導型磁気ヘッドを備え、一端が前
記コイルの両端及び／又は前記磁気抵抗効果素子の両端
にそれぞれ接続され、間隔を置いて設けられた複数の引
き出し線と、有機樹脂材料からなって、複数の前記引き
出し線の間を絶縁して、それらの上部を覆うと共に、前
記引き出し線の他端が露出された開口部を有する引き出
し線絶縁層と、前記開口部に露出された引き出し線の他
端部上、および前記開口部の周囲の前記引き出し線絶縁
層上に設けられた導電性金属材料からなるメッキ下地層
と、該メッキ下地層上に電気的に導通されたバンプとを
有し、前記メッキ下地層上に、導電性材料からなるバン
プ基部を介して前記バンプを設けた構成とした。
【００２１】
【００２２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、磁気抵抗効果素子と該磁気抵抗効果素子の両端に接
続された導電層とを有する再生用の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド及び／又は上部コア層と下部コア層との間に形成
されたコイルとを有する誘導型磁気ヘッドを備えた薄膜
磁気ヘッドの製造方法であって、前記導電層の両端及び
／又は前記コイルの両端に、複数の引き出し線の一端を
各々接続し、該引き出し線の他端にそれぞれ終端部を形
成する工程と、複数の前記引き出し線の間と複数の前記
引き出し線の上部を有機樹脂材料からなる引き出し線絶
縁層で被覆した後、前記終端部を露出するための開口部
を形成する工程と、前記引き出し線絶縁層及び前記開口
部に露出された前記終端部の上にメッキ下地層を形成す
る工程と、前記開口部の前記メッキ下地層上にバンプ基
部をメッキにより形成する工程と、該バンプ基部の上に
外部回路と接続するためのバンプを形成する工程と、該
バンプをマスクとしてメッキ下地層をイオンミリングに
より除去する工程とを有するものである。
は、磁気抵抗効果素子と該磁気抵抗効果素子の両端に接
続された導電層とを有する再生用の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド及び／又は上部コア層と下部コア層との間に形成
されたコイルとを有する誘導型磁気ヘッドを備えた薄膜
磁気ヘッドの製造方法であって、前記導電層の両端及び
／又は前記コイルの両端に、複数の引き出し線の一端を
各々接続し、該引き出し線の他端にそれぞれ終端部を形
成する工程と、複数の前記引き出し線の間と複数の前記
引き出し線の上部を有機樹脂材料からなる引き出し線絶
縁層で被覆した後、前記終端部を露出するための開口部
を形成する工程と、前記引き出し線絶縁層及び前記開口
部に露出された前記終端部の上にメッキ下地層を形成す
る工程と、前記開口部の前記メッキ下地層上にバンプ基
部をメッキにより形成する工程と、該バンプ基部の上に
外部回路と接続するためのバンプを形成する工程と、該
バンプをマスクとしてメッキ下地層をイオンミリングに
より除去する工程とを有するものである。
【００２３】
【００２４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の薄膜磁気ヘッド
の実施の形態について説明する。図１は、本発明の薄膜
磁気ヘッドの引き出し線のパターンを説明するための図
であり、同図Ａは、本発明の薄膜磁気ヘッドの引き出し
線の概略平面図、同図Ｂは、同図Ａの１Ｂ−１Ｂ線で示
した断面図である。また、図２〜図４は、本発明の薄膜
磁気ヘッドの製造方法を説明するための平面図及び断面
図である。尚、従来の薄膜磁気ヘッドと同様の部品（部
分）については同一番号を付し、それらの説明を一部省
略する。
の実施の形態について説明する。図１は、本発明の薄膜
磁気ヘッドの引き出し線のパターンを説明するための図
であり、同図Ａは、本発明の薄膜磁気ヘッドの引き出し
線の概略平面図、同図Ｂは、同図Ａの１Ｂ−１Ｂ線で示
した断面図である。また、図２〜図４は、本発明の薄膜
磁気ヘッドの製造方法を説明するための平面図及び断面
図である。尚、従来の薄膜磁気ヘッドと同様の部品（部
分）については同一番号を付し、それらの説明を一部省
略する。
【００２５】本発明の薄膜磁気ヘッドは、図５Ａに示し
た従来の薄膜磁気ヘッドと同様に、そのスライダ１は、
アルミナ・チタンカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等の
セラミックス材からなり、レール状のＡＢＳ面（浮上
面）１ａとトレーリング側端面１ｂとを有している。ま
た、トレーリング側端面１ｂにはヘッド素子２及び外部
回路接続用の４つのボンディングパッド３とが設けられ
ている。
た従来の薄膜磁気ヘッドと同様に、そのスライダ１は、
アルミナ・チタンカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等の
セラミックス材からなり、レール状のＡＢＳ面（浮上
面）１ａとトレーリング側端面１ｂとを有している。ま
た、トレーリング側端面１ｂにはヘッド素子２及び外部
回路接続用の４つのボンディングパッド３とが設けられ
ている。
【００２６】また、ヘッド素子２は、図５Ｂに示した従
来の薄膜ヘッドと同様に、読み出し用のＭＲヘッド２ａ
と、その上に積層された書き込み用のインダクティブヘ
ッド２ｂとからなる、いわゆる複合型薄膜磁気ヘッドで
ある。
来の薄膜ヘッドと同様に、読み出し用のＭＲヘッド２ａ
と、その上に積層された書き込み用のインダクティブヘ
ッド２ｂとからなる、いわゆる複合型薄膜磁気ヘッドで
ある。
【００２７】また、４本の引き出し線４（４ａ、４ｂ、
４ｃ、４ｄ）は、ヘッド素子２の側部のトレーリング側
端面１ｂに設けられており、図１に示すように、それぞ
れニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）等の低抵抗導電性材
料からなり、それらの一端には幅広とされた終端部Ｅが
設けられている。また、２本の引き出し線４ａ、４ｂ
は、それらの他端がコイル２ｂ４の両端（外周端又は中
央端）と接続されており、他の２本の引き出し線４ｃ、
４ｄは、それらの他端がＭＲヘッド２ａの２つの導電層
２ａ４とそれぞれ接続されている（接続状態は図示せ
ず）。また、４本の引き出し線４は、その一部が平行に
設けられており、それらの平行部においては微小な間隔
Ｓをあけて隣りあっている。
４ｃ、４ｄ）は、ヘッド素子２の側部のトレーリング側
端面１ｂに設けられており、図１に示すように、それぞ
れニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）等の低抵抗導電性材
料からなり、それらの一端には幅広とされた終端部Ｅが
設けられている。また、２本の引き出し線４ａ、４ｂ
は、それらの他端がコイル２ｂ４の両端（外周端又は中
央端）と接続されており、他の２本の引き出し線４ｃ、
４ｄは、それらの他端がＭＲヘッド２ａの２つの導電層
２ａ４とそれぞれ接続されている（接続状態は図示せ
ず）。また、４本の引き出し線４は、その一部が平行に
設けられており、それらの平行部においては微小な間隔
Ｓをあけて隣りあっている。
【００２８】また、図１Ｂに示すように、また、有機樹
脂材料等からなる引き出し線絶縁層１０は、引き出し線
４の間を絶縁して、それらの上層を覆うと共に、終端部
Ｅの上部が露出するように開口部１０ａを空けた状態で
形成されている。また、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロ
イ）等の導電性材料からなるメッキ下地層５は、終端部
Ｅの上部及びその周囲の引き出し線絶縁層１０を覆うよ
うにして設けられ、また、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロ
イ）等からなるバンプ基部６は、終端部Ｅ上のメッキ下
地層５上に積層されている。即ち、メッキ下地層５は引
き出し線４とバンプ基部６との間に介在されている。ま
た、導電性材料であるＮｉ又はＣｕ等からなる４つのバ
ンプ７は、バンプ基部６と接触する垂直なコンタクト部
７ａと、裾部が広がった形状の鍔部７ｂとを有し、４つ
のバンプ基部６上に設けられている。
脂材料等からなる引き出し線絶縁層１０は、引き出し線
４の間を絶縁して、それらの上層を覆うと共に、終端部
Ｅの上部が露出するように開口部１０ａを空けた状態で
形成されている。また、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロ
イ）等の導電性材料からなるメッキ下地層５は、終端部
Ｅの上部及びその周囲の引き出し線絶縁層１０を覆うよ
うにして設けられ、また、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロ
イ）等からなるバンプ基部６は、終端部Ｅ上のメッキ下
地層５上に積層されている。即ち、メッキ下地層５は引
き出し線４とバンプ基部６との間に介在されている。ま
た、導電性材料であるＮｉ又はＣｕ等からなる４つのバ
ンプ７は、バンプ基部６と接触する垂直なコンタクト部
７ａと、裾部が広がった形状の鍔部７ｂとを有し、４つ
のバンプ基部６上に設けられている。
【００２９】そして、Ａｌ2Ｏ3等からなる保護層８は、
上部コア層２ｂ６、引き出し線４、引き出し線絶縁層１
０及びバンプ７等の上層を覆った状態でスライダ１のト
レーリング側端面１ｂの全面に設けられ、そのトレーリ
ング側端面１ｂが研磨されることにより、４つのバンプ
７の鍔部７ｂの一部が露出した状態とされ、それらの露
出部上層に金からなる４つのボンディングパッド３がメ
ッキにより形成されている。このようにして、４つのボ
ンディングパッド３とヘッド素子２とが電気的に接続さ
れ、薄膜磁気ヘッドが構成されている。尚、図１Ｂで
は、引き出し線４ｃの終端部Ｅを通り、引き出し線４
ａ、４ｂを含む部分の断面図を例示したが、その他の終
端部Ｅと引き出し線４とが近接した部分についても同様
の構造を有する。
上部コア層２ｂ６、引き出し線４、引き出し線絶縁層１
０及びバンプ７等の上層を覆った状態でスライダ１のト
レーリング側端面１ｂの全面に設けられ、そのトレーリ
ング側端面１ｂが研磨されることにより、４つのバンプ
７の鍔部７ｂの一部が露出した状態とされ、それらの露
出部上層に金からなる４つのボンディングパッド３がメ
ッキにより形成されている。このようにして、４つのボ
ンディングパッド３とヘッド素子２とが電気的に接続さ
れ、薄膜磁気ヘッドが構成されている。尚、図１Ｂで
は、引き出し線４ｃの終端部Ｅを通り、引き出し線４
ａ、４ｂを含む部分の断面図を例示したが、その他の終
端部Ｅと引き出し線４とが近接した部分についても同様
の構造を有する。
【００３０】以上のように、複数の引き出し線４の間の
微小な間隔Ｓに引き出し線絶縁層１０を充填し、且つ引
き出し線絶縁層１０の上にバンプ基部６の下地メッキ層
５を形成するため、複数の引き出し線４の間の絶縁性を
向上でき、ひいてはスライダの小型化に対応できる。こ
のような効果は、上述した形状パターンの引き出し線４
に限らず、また、各引き出し線４とコイル２ｂ４及び／
又はＭＲヘッド２ａの導電層２ａ４とがどのように接続
されていても、複数の引き出し線４が近接した状態で引
き回されているものであれば同様に奏する。
微小な間隔Ｓに引き出し線絶縁層１０を充填し、且つ引
き出し線絶縁層１０の上にバンプ基部６の下地メッキ層
５を形成するため、複数の引き出し線４の間の絶縁性を
向上でき、ひいてはスライダの小型化に対応できる。こ
のような効果は、上述した形状パターンの引き出し線４
に限らず、また、各引き出し線４とコイル２ｂ４及び／
又はＭＲヘッド２ａの導電層２ａ４とがどのように接続
されていても、複数の引き出し線４が近接した状態で引
き回されているものであれば同様に奏する。
【００３１】以下に、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法を説明する。まず、スライダ１のトレーリング側端面
１ｂに形成されたＭＲヘッド２ａ上に、Ｎｉ−Ｆｅ系合
金（パーマロイ）からなる下部コア層２ｂ１及び非磁性
材料層２ｂ２を順次積層し、第１のコイル絶縁層２ｂ３
を有機樹脂材料等を塗布してフォトリソグラフィにより
形成する（図示せず）。次に、図２Ａ（平面図）及び図
２Ｂ（図２Ａの２Ｂ−２Ｂ線における断面図）に示すよ
うに、フォトリソグラフィ及びメッキにより、第１のコ
イル絶縁層２ｂ３の上に銅等を用いてコイル２ｂ４を形
成すると共に、同じ工程でスライダ１の上に、終端部Ｅ
を有する引き出し線４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）を形
成する。
法を説明する。まず、スライダ１のトレーリング側端面
１ｂに形成されたＭＲヘッド２ａ上に、Ｎｉ−Ｆｅ系合
金（パーマロイ）からなる下部コア層２ｂ１及び非磁性
材料層２ｂ２を順次積層し、第１のコイル絶縁層２ｂ３
を有機樹脂材料等を塗布してフォトリソグラフィにより
形成する（図示せず）。次に、図２Ａ（平面図）及び図
２Ｂ（図２Ａの２Ｂ−２Ｂ線における断面図）に示すよ
うに、フォトリソグラフィ及びメッキにより、第１のコ
イル絶縁層２ｂ３の上に銅等を用いてコイル２ｂ４を形
成すると共に、同じ工程でスライダ１の上に、終端部Ｅ
を有する引き出し線４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）を形
成する。
【００３２】次に、図２Ｃ（平面図）に示すように、コ
イル２ｂ４及び引き出し線４の上層を覆うように有機樹
脂材料等を塗布して、第１のコイル絶縁層２ｂ３の上層
に第２のコイル絶縁層２ｂ５を、また、引き出し線４の
上層に引き出し線絶縁層１０をフォトリソグラフィによ
り形成する（斜線部）。尚、引き出し線絶縁層１０は、
図２Ｃ及び図２Ｄ（図２Ｃの２Ｄ−２Ｄ線における断面
図）に示すように、それらの終端部Ｅの上部が露出する
ように開口部１０ａを空けた状態で形成する。また、こ
れらのコイル絶縁層２ｂ５と引き出し線絶縁層１０と
は、別の工程で形成することも可能であるが、同じ材料
を用いて同じ工程で形成することにより、容易に形成で
き、且つ製造コストの削減を図ることが出来る。また、
コイル２ｂ４の中央部Ｃ（図５参照）付近の第２のコイ
ル絶縁層２ｂ５には、下部コア層２ｂ１まで到達する穴
Ｈを設ける。
イル２ｂ４及び引き出し線４の上層を覆うように有機樹
脂材料等を塗布して、第１のコイル絶縁層２ｂ３の上層
に第２のコイル絶縁層２ｂ５を、また、引き出し線４の
上層に引き出し線絶縁層１０をフォトリソグラフィによ
り形成する（斜線部）。尚、引き出し線絶縁層１０は、
図２Ｃ及び図２Ｄ（図２Ｃの２Ｄ−２Ｄ線における断面
図）に示すように、それらの終端部Ｅの上部が露出する
ように開口部１０ａを空けた状態で形成する。また、こ
れらのコイル絶縁層２ｂ５と引き出し線絶縁層１０と
は、別の工程で形成することも可能であるが、同じ材料
を用いて同じ工程で形成することにより、容易に形成で
き、且つ製造コストの削減を図ることが出来る。また、
コイル２ｂ４の中央部Ｃ（図５参照）付近の第２のコイ
ル絶縁層２ｂ５には、下部コア層２ｂ１まで到達する穴
Ｈを設ける。
【００３３】次に、図３Ａ（図２Ｂ、図２Ｄと同じ場所
の断面図、以下同じ）に示すように、ヘッド素子２及び
引き出し線４並びに引き出し線絶縁層１０の上層及び穴
Ｈの内部のトレーリング側端面１ｂの全面にＮｉ−Ｆｅ
系合金（パーマロイ）等からなるメッキ下地層５をスパ
ッタ、蒸着等により形成する。
の断面図、以下同じ）に示すように、ヘッド素子２及び
引き出し線４並びに引き出し線絶縁層１０の上層及び穴
Ｈの内部のトレーリング側端面１ｂの全面にＮｉ−Ｆｅ
系合金（パーマロイ）等からなるメッキ下地層５をスパ
ッタ、蒸着等により形成する。
【００３４】次に、第２のコイル絶縁層２ｂ５の上には
上部コア層２ｂ６の形状パターンの窓部を設けたレジス
ト層（図示せず）を、また、４つの終端部Ｅの上、及び
その周囲の引き出し線絶縁層１０上にはバンプ基部６の
形状パターンの窓部を設けたレジスト層（図示せず）を
フォトリソグラフィによりそれぞれ形成する。続いて、
図３Ｂに示すように、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロイ）
等を用いて、メッキにより、第２のコイル絶縁層２ｂ５
及び穴Ｈの上のメッキ下地層５の上に上部コア層２ｂ６
を、終端部Ｅの上のメッキ下地層５の上にバンプ基部６
をそれぞれ形成する。尚、残存したレジスト層（図示せ
ず）はウェットエッチングにより除去する。このように
バンプ基部６を設けるのは、後の工程でバンプ７をバン
プ基部６の上に設け、さらにその上の保護層を設けた
後、バンプ７の上部を露出するように研磨するので、バ
ンプ７の最も高い部分までの高さを、インダクティブヘ
ッド２ｂの高さ（上部コア層２ｂ６までの高さ）よりも
高くして、研磨時にインダクティブヘッド２ｂが破壊さ
れないようにする必要があり、少しでも高さを稼いでお
いた方が好ましいためである。
上部コア層２ｂ６の形状パターンの窓部を設けたレジス
ト層（図示せず）を、また、４つの終端部Ｅの上、及び
その周囲の引き出し線絶縁層１０上にはバンプ基部６の
形状パターンの窓部を設けたレジスト層（図示せず）を
フォトリソグラフィによりそれぞれ形成する。続いて、
図３Ｂに示すように、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロイ）
等を用いて、メッキにより、第２のコイル絶縁層２ｂ５
及び穴Ｈの上のメッキ下地層５の上に上部コア層２ｂ６
を、終端部Ｅの上のメッキ下地層５の上にバンプ基部６
をそれぞれ形成する。尚、残存したレジスト層（図示せ
ず）はウェットエッチングにより除去する。このように
バンプ基部６を設けるのは、後の工程でバンプ７をバン
プ基部６の上に設け、さらにその上の保護層を設けた
後、バンプ７の上部を露出するように研磨するので、バ
ンプ７の最も高い部分までの高さを、インダクティブヘ
ッド２ｂの高さ（上部コア層２ｂ６までの高さ）よりも
高くして、研磨時にインダクティブヘッド２ｂが破壊さ
れないようにする必要があり、少しでも高さを稼いでお
いた方が好ましいためである。
【００３５】次に、図３Ｃに示すように、バンプ基部６
の上部が露出するように窓部９ａを設けたレジスト層９
をフォトリソグラフィにより形成する。
の上部が露出するように窓部９ａを設けたレジスト層９
をフォトリソグラフィにより形成する。
【００３６】次に、図３Ｄに示すように、Ｎｉ及びＣｕ
等を用いて、メッキによりバンプ７を形成する。このと
き、前述のようにバンプ７の高さをインダクティブヘッ
ド２ｂの高さより少しでも高くする必要があるため、Ｎ
ｉやＣｕ等の膜厚がレジスト層９の膜厚を越えるように
してメッキする。このようにすることで、Ｎｉ及びＣｕ
等は窓部９ａの周囲上に広がり、バンプ７は窓部９ａに
対応して形作られる垂直なコンタクト部７ａと、表面張
力により断面が球状となって裾部が広がって、その下端
が終端部Ｅと同等もしくはそれ以上の底面積を有する鍔
部７ｂが形成される。
等を用いて、メッキによりバンプ７を形成する。このと
き、前述のようにバンプ７の高さをインダクティブヘッ
ド２ｂの高さより少しでも高くする必要があるため、Ｎ
ｉやＣｕ等の膜厚がレジスト層９の膜厚を越えるように
してメッキする。このようにすることで、Ｎｉ及びＣｕ
等は窓部９ａの周囲上に広がり、バンプ７は窓部９ａに
対応して形作られる垂直なコンタクト部７ａと、表面張
力により断面が球状となって裾部が広がって、その下端
が終端部Ｅと同等もしくはそれ以上の底面積を有する鍔
部７ｂが形成される。
【００３７】次に、図４Ａに示すように、レジスト層９
をウェットエッチングにより除去する。次に、図４Ｂに
示すように、上方からのアルゴン（Ａｒ）イオン（図中
矢印）等を用いたイオンミリングにより、メッキ下地層
５を除去して、４本の引き出し線４の間を電気的に分離
する。尚、この時、バンプ７の鍔部７ｂの影となる部分
（図中点線で示す領域内）のメッキ下地層５は、イオン
ミリングを行っても除去されずに残存するが、終端部Ｅ
の近傍の引き出し線４は引き出し線絶縁層１０により覆
われて予め絶縁されているので、残存したメッキ下地層
５が原因となる隣接した複数の引き出し線４間における
ショートが発生することはない。
をウェットエッチングにより除去する。次に、図４Ｂに
示すように、上方からのアルゴン（Ａｒ）イオン（図中
矢印）等を用いたイオンミリングにより、メッキ下地層
５を除去して、４本の引き出し線４の間を電気的に分離
する。尚、この時、バンプ７の鍔部７ｂの影となる部分
（図中点線で示す領域内）のメッキ下地層５は、イオン
ミリングを行っても除去されずに残存するが、終端部Ｅ
の近傍の引き出し線４は引き出し線絶縁層１０により覆
われて予め絶縁されているので、残存したメッキ下地層
５が原因となる隣接した複数の引き出し線４間における
ショートが発生することはない。
【００３８】そして、図４Ｃに示すように、上部コア層
２ｂ６、引き出し線４及びバンプ７等の上層を覆うよう
に、アルミナからなる保護層８をスパッタにより形成す
る。そして、保護層８下にあるバンプ７の鍔部７ｂが研
磨されて一部が露出するまで（図中点線に示した部分ま
で）表面を研磨し、最後に、露出した鍔部７ｂ上に金か
らなるボンディングパッド３をメッキにより形成して、
図１に示したような薄膜磁気ヘッドが完成する。尚、図
２及び図３では、引き出し線４ｃの終端部Ｅを通り、引
き出し線４ａ、４ｂを含む部分の断面図を例示したが、
その他の終端部Ｅと引き出し線４とが近接した部分につ
いても同様の構造となる。
２ｂ６、引き出し線４及びバンプ７等の上層を覆うよう
に、アルミナからなる保護層８をスパッタにより形成す
る。そして、保護層８下にあるバンプ７の鍔部７ｂが研
磨されて一部が露出するまで（図中点線に示した部分ま
で）表面を研磨し、最後に、露出した鍔部７ｂ上に金か
らなるボンディングパッド３をメッキにより形成して、
図１に示したような薄膜磁気ヘッドが完成する。尚、図
２及び図３では、引き出し線４ｃの終端部Ｅを通り、引
き出し線４ａ、４ｂを含む部分の断面図を例示したが、
その他の終端部Ｅと引き出し線４とが近接した部分につ
いても同様の構造となる。
【００３９】
【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、磁気
抵抗効果素子を有する再生用の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド及び／又はコイルを有する記録用の誘導型磁気ヘッド
を備え、一端が前記コイルの両端及び／又は前記磁気抵
抗効果素子の両端にそれぞれ接続され、間隔を置いて設
けられた複数の引き出し線と、有機樹脂材料からなっ
て、複数の前記引き出し線の間を絶縁して、それらの上
部を覆うと共に、前記引き出し線の他端が露出された開
口部を有する引き出し線絶縁層と、前記開口部に露出さ
れた引き出し線の他端部上、および前記開口部の周囲の
前記引き出し線絶縁層上に設けられた導電性金属材料か
らなるメッキ下地層と、メッキ下地層上に電気的に導通
されたバンプとを有し、前記メッキ下地層上に、導電性
材料からなるバンプ基部を介して前記バンプを設けたこ
とにより、ハードディスク等の磁気記録装置の高容量化
に伴い、薄膜磁気ヘッドのスライダのサイズが小さくな
り、トレーリング側端面の面積が小さくなっても、バン
プ下部のメッキ下地層により近傍の他の引き出し線とシ
ョートされることが無く、良好に絶縁され、小型化され
ており、且つ、インダクティブヘッドが破壊されずに、
バンプと引き出し線との導通が図られた薄膜磁気ヘッド
を提供することができる。た薄膜磁気ヘッドを提供する
ことができる。
抵抗効果素子を有する再生用の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド及び／又はコイルを有する記録用の誘導型磁気ヘッド
を備え、一端が前記コイルの両端及び／又は前記磁気抵
抗効果素子の両端にそれぞれ接続され、間隔を置いて設
けられた複数の引き出し線と、有機樹脂材料からなっ
て、複数の前記引き出し線の間を絶縁して、それらの上
部を覆うと共に、前記引き出し線の他端が露出された開
口部を有する引き出し線絶縁層と、前記開口部に露出さ
れた引き出し線の他端部上、および前記開口部の周囲の
前記引き出し線絶縁層上に設けられた導電性金属材料か
らなるメッキ下地層と、メッキ下地層上に電気的に導通
されたバンプとを有し、前記メッキ下地層上に、導電性
材料からなるバンプ基部を介して前記バンプを設けたこ
とにより、ハードディスク等の磁気記録装置の高容量化
に伴い、薄膜磁気ヘッドのスライダのサイズが小さくな
り、トレーリング側端面の面積が小さくなっても、バン
プ下部のメッキ下地層により近傍の他の引き出し線とシ
ョートされることが無く、良好に絶縁され、小型化され
ており、且つ、インダクティブヘッドが破壊されずに、
バンプと引き出し線との導通が図られた薄膜磁気ヘッド
を提供することができる。た薄膜磁気ヘッドを提供する
ことができる。
【００４０】
【００４１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、磁気抵抗効果素子と該磁気抵抗効果素子の両端に接
続された導電層とを有する再生用の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド及び／又は上部コア層と下部コア層との間に形成
されたコイルとを有する誘導型磁気ヘッドを備えた薄膜
磁気ヘッドの製造方法であって、前記導電層の両端及び
／又は前記コイルの両端に、複数の引き出し線の一端を
各々接続し、該引き出し線の他端にそれぞれ終端部を形
成する工程と、複数の前記引き出し線の間と複数の前記
引き出し線の上部を有機樹脂材料からなる引き出し線絶
縁層で被覆した後、前記終端部を露出するための開口部
を形成する工程と、前記引き出し線絶縁層及び前記開口
部に露出された前記終端部の上にメッキ下地層を形成す
る工程と、前記開口部の前記メッキ下地層上にバンプ基
部をメッキにより形成する工程と、該バンプ基部の上に
外部回路と接続するためのバンプを形成する工程と、該
バンプをマスクとしてメッキ下地層をイオンミリングに
より除去する工程とを有することにより、ハードディス
ク等の磁気記録装置の高容量化に伴い、薄膜磁気ヘッド
のスライダのサイズが小さくなって、トレーリング側端
面の面積が小さくなり、イオンミリングによりメッキ下
地層を除去する際に、バンプ下部にメッキ下地層をが残
存しても、残存したメッキ下地層は、近傍の他の引き出
し線とショートされることが無いようにすることができ
る。
ば、磁気抵抗効果素子と該磁気抵抗効果素子の両端に接
続された導電層とを有する再生用の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド及び／又は上部コア層と下部コア層との間に形成
されたコイルとを有する誘導型磁気ヘッドを備えた薄膜
磁気ヘッドの製造方法であって、前記導電層の両端及び
／又は前記コイルの両端に、複数の引き出し線の一端を
各々接続し、該引き出し線の他端にそれぞれ終端部を形
成する工程と、複数の前記引き出し線の間と複数の前記
引き出し線の上部を有機樹脂材料からなる引き出し線絶
縁層で被覆した後、前記終端部を露出するための開口部
を形成する工程と、前記引き出し線絶縁層及び前記開口
部に露出された前記終端部の上にメッキ下地層を形成す
る工程と、前記開口部の前記メッキ下地層上にバンプ基
部をメッキにより形成する工程と、該バンプ基部の上に
外部回路と接続するためのバンプを形成する工程と、該
バンプをマスクとしてメッキ下地層をイオンミリングに
より除去する工程とを有することにより、ハードディス
ク等の磁気記録装置の高容量化に伴い、薄膜磁気ヘッド
のスライダのサイズが小さくなって、トレーリング側端
面の面積が小さくなり、イオンミリングによりメッキ下
地層を除去する際に、バンプ下部にメッキ下地層をが残
存しても、残存したメッキ下地層は、近傍の他の引き出
し線とショートされることが無いようにすることができ
る。
【００４２】
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの引き出し線のパター
ンを説明するための図である。
ンを説明するための図である。
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
ための平面図及び断面図である。
ための平面図及び断面図である。
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの説明図である。
【図６】従来の薄膜磁気ヘッドの引き出し線のパターン
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図７】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するた
めの平面図及び断面図である。
めの平面図及び断面図である。
【図８】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
【図９】従来の他の薄膜磁気ヘッドの要部断面図であ
る。
る。
１ スライダ １ａ ＡＢＳ面 １ｂ トレーリング側端面 ２ ヘッド素子 ２ａ 磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド） ２ａ１ 下部シールド層 ２ａ２ 下部ギャップ層 ２ａ３ 磁気抵抗効果（ＭＲ）素子 ２ａ４ 導電層 ２ａ５ 上部ギャップ層 ２ａ６ 上部シールド層 ２ｂ 誘導型磁気ヘッド（インダクティブヘッド） ２ｂ１ 下部コア層 ２ｂ２ 非磁性材料層 ２ｂ３ 第１のコイル絶縁層 ２ｂ４ コイル ２ｂ５ 第２のコイル絶縁層 ２ｂ６ 上部コア層 ３ ボンディングパッド ４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ） 引き出し線 ５ メッキ下地層 ６ バンプ基部 ７ バンプ ７ａ コンタクト部 ７ｂ 鍔部 ８ 保護層 ９ レジスト層 ９ａ 窓部 １０ 引き出し線絶縁層 １０ａ 開口部 Ｅ 終端部 Ｓ 引き出し線４の間隔
Claims (2)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子を有する再生用の磁気
抵抗効果型磁気ヘッド及び／又はコイルを有する記録用
の誘導型磁気ヘッドを備え、一端が前記コイルの両端及
び／又は前記磁気抵抗効果素子の両端にそれぞれ接続さ
れ、間隔を置いて設けられた複数の引き出し線と、有機
樹脂材料からなって、複数の前記引き出し線の間を絶縁
して、それらの上部を覆うと共に、前記引き出し線の他
端が露出された開口部を有する引き出し線絶縁層と、前
記開口部に露出された引き出し線の他端部上、および前
記開口部の周囲の前記引き出し線絶縁層上に設けられた
導電性金属材料からなるメッキ下地層と、該メッキ下地
層上に電気的に導通されたバンプとを有し、前記メッキ
下地層上に、導電性材料からなるバンプ基部を介して前
記バンプを設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 磁気抵抗効果素子と該磁気抵抗効果素子
の両端に接続された導電層とを有する再生用の磁気抵抗
効果型磁気ヘッド及び／又は上部コア層と下部コア層と
の間に形成されたコイルとを有する誘導型磁気ヘッドを
備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記導電層の両端及び／又は前記コイルの両端に、複数
の引き出し線の一端を各々接続し、該引き出し線の他端
にそれぞれ終端部を形成する工程と、 複数の前記引き出し線の間と複数の前記引き出し線の上
部を有機樹脂材料からなる引き出し線絶縁層で被覆した
後、前記終端部を露出するための開口部を形成する工程
と、 前記引き出し線絶縁層及び前記開口部に露出された前記
終端部の上にメッキ下地層を形成する工程と、 前記開口部の前記メッキ下地層上にバンプ基部をメッキ
により形成する工程と、 該バンプ基部の上に外部回路と接続するためのバンプを
形成する工程と、 該バンプをマスクとしてメッキ下地層をイオンミリング
により除去する工程とを有することを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32232498A JP3345588B2 (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| KR1019990047768A KR100339901B1 (ko) | 1998-11-12 | 1999-10-30 | 박막 자기헤드 및 그 제조 방법 |
| US09/436,966 US6256170B1 (en) | 1998-11-12 | 1999-11-09 | Thin film magnetic head having closely spaced wires connecting head device with bonding pads |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32232498A JP3345588B2 (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000149221A JP2000149221A (ja) | 2000-05-30 |
| JP3345588B2 true JP3345588B2 (ja) | 2002-11-18 |
Family
ID=18142376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32232498A Expired - Fee Related JP3345588B2 (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6256170B1 (ja) |
| JP (1) | JP3345588B2 (ja) |
| KR (1) | KR100339901B1 (ja) |
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| US6643099B1 (en) * | 2000-06-20 | 2003-11-04 | Seagate Technology Llc | Transducer formed on a sacrificial metal substrate |
| JP3569513B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2004-09-22 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JP4047252B2 (ja) | 2003-06-09 | 2008-02-13 | アルプス電気株式会社 | 薄膜構造体の製造方法 |
| JP2006040414A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板 |
| JP2006221761A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 薄膜磁気ヘッド及び当該薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置 |
| DE102005009358B4 (de) * | 2005-03-01 | 2021-02-04 | Snaptrack, Inc. | Lötfähiger Kontakt und ein Verfahren zur Herstellung |
| US7948714B2 (en) * | 2006-01-31 | 2011-05-24 | Seagate Technology Llc | Transducer including an element of a transducer and a sidewall in an electrically conductive magnetic layer |
| US20080180848A1 (en) * | 2007-01-31 | 2008-07-31 | Manoj Chopra | Controlling bond pad migration in a direct access storage device |
| US20080218900A1 (en) * | 2007-03-09 | 2008-09-11 | Tdk Corporation | Multi-channel thin-film magnetic head and magnetic tape drive apparatus with the multi-channel thin-film magnetic head |
| US9583125B1 (en) | 2009-12-16 | 2017-02-28 | Magnecomp Corporation | Low resistance interface metal for disk drive suspension component grounding |
| US9025285B1 (en) | 2009-12-16 | 2015-05-05 | Magnecomp Corporation | Low resistance interface metal for disk drive suspension component grounding |
| US8375565B2 (en) | 2010-05-28 | 2013-02-19 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing an electronic lapping guide corresponding to a near-field transducer of an energy assisted magnetic recording transducer |
| KR101222388B1 (ko) * | 2011-10-14 | 2013-01-15 | 삼성전자주식회사 | 휴대 단말기에서 안테나 수신 감도 향상을 위한 장치 |
| US8749790B1 (en) | 2011-12-08 | 2014-06-10 | Western Digital (Fremont), Llc | Structure and method to measure waveguide power absorption by surface plasmon element |
| US9441938B1 (en) | 2013-10-08 | 2016-09-13 | Western Digital (Fremont), Llc | Test structures for measuring near field transducer disc length |
| US9036306B1 (en) * | 2013-12-19 | 2015-05-19 | HGST Netherlands B.V. | Grounding for a hard disk drive suspension tail |
| JP6282525B2 (ja) * | 2014-05-16 | 2018-02-21 | 日本発條株式会社 | ヘッド・サスペンション用フレキシャの端子パッド構造及び形成方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2950211B2 (ja) * | 1995-08-02 | 1999-09-20 | ティーディーケイ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US6146813A (en) * | 1999-01-13 | 2000-11-14 | Applied Kinetics Inc. | Method and shunting and deshunting an electrical component and a shuntable/shunted electrical component |
-
1998
- 1998-11-12 JP JP32232498A patent/JP3345588B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-10-30 KR KR1019990047768A patent/KR100339901B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-11-09 US US09/436,966 patent/US6256170B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
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