JP3232963B2 - 有機基板接続用鉛レスはんだ及びそれを用いた実装品 - Google Patents
有機基板接続用鉛レスはんだ及びそれを用いた実装品Info
- Publication number
- JP3232963B2 JP3232963B2 JP20305495A JP20305495A JP3232963B2 JP 3232963 B2 JP3232963 B2 JP 3232963B2 JP 20305495 A JP20305495 A JP 20305495A JP 20305495 A JP20305495 A JP 20305495A JP 3232963 B2 JP3232963 B2 JP 3232963B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- substrate
- temperature
- electronic component
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
- B23K35/262—Sn as the principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S228/00—Metal fusion bonding
- Y10S228/903—Metal to nonmetal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
LSI,部品等を接続するために、最高温度220〜2
30℃でのはんだ付けが可能で,かつ150℃の高温で
も機械的強度面で十分な信頼性を有するPbレスはんだ
及びそれを用いた実装品に関するものである。
はガラスエポキシ製である。ガラスエポキシ基板の耐熱
温度はリフロー炉を用いた場合,最高220〜230℃
である。これに使用する接続用はんだは、Pb−63%
Sn共晶はんだ(融点:183℃),若しくは共晶近傍の
はんだ組成が使用されており、融点は183℃前後であ
るため、汎用されているガラスエポキシ基板の耐熱温度
(230℃)以内で十分な接続がなされてきた。また,高
温での信頼性は最高150℃まで保証できた。
プリント基板がのざらしに放置され,このはんだに含ま
れる鉛(以下,Pbと記す)は酸と容易に反応して(酸性
雨等でも加速される)地下水に溶けることが公表されて
いる。そこで,Pbに代わるPbレスはんだ合金とし
て,環境への影響が少なく,資源の涸渇の問題が少な
く,コスト面での問題も少なく,材料としての使用実績
がある,Sn,Zn,Bi等が有力候補としてクローズ
アップされている。既に2元系はんだではSn−3.5
%Ag(融点221℃),Sn−5%Sb(融点240
℃)はPbレスはんだとして使用実績がある。しかし,
融点が高過ぎるためガラスエポキシ基板のはんだ付け用
には使用できない。Sn−9%Zn(融点199℃の共
晶)は融点は下がるが,表面が著しく酸化されやすく,
CuもしくはNiに対するぬれ性がSn−Ag系,Sn
−Sb系に比べ著しく低下するため,また融点的にもガ
ラスエポキシ基板に電子部品を220〜230℃でリフ
ローできる程低い融点ではない。これまでの実績ではは
んだの融点に対して,はんだ付け温度は30〜50℃高
いのが経験的に知られている。例えば,Pb−63%S
n共晶はんだ(融点:183℃)の場合,炉リフローの最高
温度は220℃が標準である。この温度差は37℃であ
る。短時間にはんだ付けできるウエーブソルダリングの
場合,235℃が標準である。この温度差は52℃であ
る。ぬれ性の悪い場合は更にこの温度差は大きくなる。
Sn−9%Znはんだを用いた場合,一般に使用してい
るロジン系のフラックス(塩素0.2%含有)を用いて
も,230℃のリフロー温度ではほとんどぬれないこと
が分かっている。
−58%Bi;融点138℃),Sn−In系はんだ
(代表組成Sn−52%In;融点117℃)があるが,
固相線温度が下がるため150℃の高温強度を保証でき
ない。従ってこれらの組成はPb−63%Sn共晶はん
だ代替用のはんだと言えるものではない。このため,新
たな組合せでの要求を満たす新はんだ材料の開発が要求
されている。
んだは融点の面から有望である。Sn−Zn−Bi系は
んだは特願昭55−87627,特願昭58−6201
7で権利化されている。
Znが5〜10%,Biが8〜13%,残部がSnから
なる耐食性に優れた低融点Al用はんだを提案してい
る。低温で強度向上を目的としたAl用はんだであり,
Cu導体からなるプリント基板を接続の対象としていな
い。また,Znが5%以上であることから酸化が著し
く,かつ,酸化膜が強固なため,電子部品接続に一般に
使用されている弱いフラックス(ロジン系)では還元でき
ない。従って,強いフラックスの使用が必須である。こ
のような強いフラックスの使用は電子部品の接続には,
フラックス残渣による腐食が問題になる。例えば,コネ
クターピンの接続の時,コネクター内部に入ったフラッ
クスは洗浄で除去できず,残渣となり導体部を腐食させ
る原因となる。従って,通常はパッケージの状態では
0.2%までの塩素が入ったフラックスが使用されてき
た。これ以上強いフラックスを使用すると,洗浄しきれ
ない場合のフラックス残渣による腐食,マイグレーショ
ンの問題,電気絶縁特性の劣化等の問題が生じやすく,
使用を避けているのが実情である。
Znが5〜15%,Biが3〜20%,残部がSnから
なるはんだ合金を提案されており,ワイヤの接続におけ
る強度向上を目的としている。また,実施例の融点は高
く,ガラスエポキシ基板の耐熱温度に耐えられる230
℃以内でリフローできるはんだ組成とは言えない。ま
た,Znが5%以上であることから酸化が著しく,か
つ,酸化膜が強固なため,電子部品接続に一般に使用さ
れている弱いフラックス(ロジン系)では還元できない。
従って,強いフラックスの使用が必須である。このよう
な強いフラックスの使用は電子部品の接続には,フラッ
クス残渣による腐食,電気絶縁特性の劣化等が問題にな
るため使用できない。
いで,Pb−Sn共晶はんだの代替用はんだを用いて,
従来の基板にLSI,部品等の電子部品を高信頼で実装
するため,230℃以下で,かつ弱いフラックスでCu
導体上,もしくは部品のSn系はんだめっき端子構成で
十分にぬれ性を確保し,リフローできることを目的とし
ている。このため,融点は固相線温度が少なくとも16
0℃以上,望ましくは170℃以上(150℃の高温で
の使用に耐えられることも必要条件)であり,液相線温
度が最高195℃以下,望ましくは190℃以下(高く
することははんだ付け温度が高くなり,基板,部品に対
する熱影響が大きくなる)とすることを第一課題とし
た。ぬれ性確保には端子へのメタライズでカバーできる
が,材料自体の物性によるぬれの悪さを防止するため,
ぬれの悪いZnの量を最小限に押さえる必要がある。し
かしZnを入れないことには液相線温度が大きく下がら
ないので,ぬれとのバランスを保って組成を決める必要
がある。SnにZnを9%入れた状態で199℃の最小
値になるが,前述した通りこれでは未だ融点が高く,ぬ
れが悪過ぎる。
に、Pbレスはんだの組合せの中で,環境への影響が少
なく,資源の枯渇の問題がなく,融点を下げることがで
きて,ぬれ性を確保できるSn−Zn−Biの3元系は
んだをベースとした合金を候補として検討した。この3
元系はんだの状態図の詳細は未知で,図1に示されるよ
うに,融点(液相線温度)の概略が分かる程度である。こ
のため,融点(固相線温度,液相線温度)と組成との関
係,組成とぬれ性,物性,機械的特性等の関係等を明ら
かにする必要があった。本発明の基板接続用はんだは、
Znが3〜5%,Biが10〜23%,残部がSnのS
n−Zn−Bi系をベースとした合金,あるいはこの合
金にIn,Ag,Sb,Cuのうち1種または2種以上
の元素を添加してぬれ性,機械的性質を良くしたことを
特徴とするものである。
ある。
め、230℃以下での接続が困難である。5%以上では
はんだの表面酸化が激しいため、電子部品はんだ付けと
して実績のあるフラックスを用いたのではぬれ性を確保
できない。このため,低温化が可能な材料で,かつ,環
境,資源,実績,コスト等の面で優れるBiを第三元素
として添加することで,融点を目標とする温度域に近付
けることとした。Sn−Znの2元共晶線は、Biが1
1〜23%の範囲では、Znが4〜5%の間を通ること
から、2元共晶線から外れることは液相線と固相線の温
度差が大きくなり、接続に望ましい状態とはいえない。
またZnが3〜5%の範囲ならば,Znの酸化の影響を
それほど受けないのでぬれ性もある程度確保できる。か
つ,ガラスエポキシ基板への電子部品を実装できる融
点,ぬれ性の組成を見出せられる。
℃以上であるため,220〜230℃でのリフロー接続
が困難となる。Biが23%以上では固相線温度が15
0℃近くに下がること及びはんだ自体に延性がなくな
る。従って,高温での信頼性のマージン確保が困難であ
り,機械的特性も低下する。-55〜150℃の温度サ
イクル加速試験に耐えられるには,固相線温度としては
低くても160℃以上が必要である。
明する。
はんだの検討した組成の固相線温度及び液相線温度を示
す。なお,融点(液相線,固相線温度)は2℃/minの
昇温速度でDSCを用いて測定した。得られたDSCカ
ーブより液相線,固相線温度は図2に示されるようにカ
ーブのピークからそれぞれ高温部,低温部に向かって引
いた接線がカ−ブの平らな部分の延長線と交わる点の温
度とした。
公知の状態図〔International Critical Tables,2(192
7),418〕である。全体の概略的な融点(液相線温度)は分
かるが,その液相面ですら正確な形状等は分かっていな
いのが実状である。すなわち,液相線温度と固相線温度
との関係は不明である。そこで,必要とする融点域に絞
った組成の液相線温度及び固相線温度を調べたのがそれ
ぞれ図3,4である。図3は図2の範囲を拡大し,液相
線温度を表示したものである。熱分析曲線からSn−Z
n系の2元共晶ライン(太線で流れを示した)の谷はBi
量が11〜23%の範囲では,Znが4〜5%の範囲を
通過していることが分かった。Bi量の下限として、1
0%以下では2元共晶ラインの谷の液相線温度が195
℃以上になることから,ガラスエポキシ基板を対象とす
るはんだ付けは困難のため,Bi量は10%以上とし
た。図4は図3と同じ組成範囲の固相線温度を表示した
ものである。図4の括弧の中の値は液相線温度(図3参
照)と固相線温度との温度差を示す。一般的に接続にお
いては,温度差は少ないのが望ましいとされている。固
相線温度はBiが少ない範囲では要求範囲に入っている
が,Bi量が23%以上になると160℃を切ることが
分かった。また,Bi量が24%以上で固相温度が13
0℃近くまで降下してしまう点が存在することがわかっ
た。これは,Bi量が24%以上になると,融点の低い
Sn−Zn−Bi3元系共晶組成に近い組成をもつ相が
析出するためと考える。従って,Biの上限は23%と
した。図2,3,4から分かるように,Zn量の変化に
よる融点の変化は著しく,Znが3%以下ではBiが少
ない範囲で(16%以下)液相線温度は200℃以上を超
えてしまう。また,Znが3%以下ではBi量を問わ
ず,液相線温度と固相線温度との温度差がついてくる
(図4)ので,接続の観点から望ましくない。Znが3%
ではBiが25%以下でも液相線温度は187℃以下で
あることから,融点の条件として187℃以下である必
要からZnが3%以上であることが必要条件である。他
方,Znが5%以上になると,液相線温度と固相線温度
との温度差は少なくなるので,接続の観点からは望まし
い。しかし,Znの酸化が著しくなり,ぬれ性が悪くな
る弊害が大きく,電子部品接続用として実用的ではな
い。また,融点的にみても,Znが5%以上では2元共
晶ラインの谷を超えているので,液相温度が上昇してい
く方向であり,Znが3〜5%のはんだに比べてメリッ
トのある組成とは言えない。更には,Cuとの合金層の
成長が大になり,脆くなるためZnは5%以下が望まし
い。このため,Znとして3〜5%を妥当な範囲とし
た。以上は融点,はんだ付け条件から検討した結果であ
るが,ぬれ性の面から検討した結果,酸化度の状態に比
例してぬれ性も低下することが分かった。すなはち,Z
n量の増加と共にぬれ性は低下する。これより,ぬれ性
の点ではZn量は少ない程良い。
量(mass%)を取り,液相線温度と固相線温度との関係を
示した。液相線温度と固相線温度との差は一般的には少
ない程望ましい。この差がつき過ぎると接続プロセス上
での問題が出やすい。はんだ付け最高温度は220〜2
30℃と決められているので,液相線温度と固相線温度
との差がないほど高温での信頼性のマージンが広がるこ
とになる。この図から,Zn量が3,4,5%における液
相線温度と固相線温度との関係が分かる。固相線温度は
Biが23%近くまではZn量にあまり依存せずBi量
の増加に伴って下降していくことがわかる。しかし,2
3%を過ぎると急激に固相線温度が低下する傾向があ
る。固相線温度が160℃を切らないBi量はZn量が
3〜5%の範囲では23%以下の範囲である。液相線温
度もBi量の増加に伴い下降していくが,Zn量にも大
きく依存しており,Zn量が3,4,5%と増加するにつ
れ,液相線温度は下がり,液相線温度と固相線温度の差
は小さくなる。図5に示されてはいないが,2元共晶ラ
インの直線部分はZn量4%と5%の間を通ることが熱
分析結果によって明らかとなったので,Zn量を4%と
5%の間のある値(5%に近い)にすれば,液相線温度は
Zn量が3,4,5%のときよりも低下し,液相線温度と
固相線温度の差はさらに小さくなり接続の観点から望ま
しい状況となることがわかる。Zn量が少ないと継手の
強度は小さくなるが,電子部品継手の信頼性の点からは
強度向上を余り必要としていないのが実状である〔例え
ば 曽我:はんだ付け継手の信頼性,プリント回路学会
誌,Vol.7,No.2(1992)〕。Sn−Zn−Bi系はん
だの一般的性質は,高温での強度(耐クリープ性等)が強
く,かつ,耐熱疲労性にも優れており,バランスの良い
はんだである。
リント基板のCu端子に対するはんだのぬれ性を評価し
た。使用したフラックスは0.2%の塩素が入ったロジ
ン系である。Zn量が多い程ぬれ性は低下していること
が分かった。また,同様に,Bi量によるぬれ性の影響
を調べると,Bi量が多くなるほどぬれ性は低下してく
る。しかし,Zn量の変化程には敏感ではないことが分
かった。これより,ぬれ性は,Zn量に大きく依存し,
Znが5%以下で十分ではないが,接続に必要なぬれが
得られる結果を得た。
り,液相線(195℃,190℃,185℃),固相線(160℃,165
℃,170℃)をパラメータにしたものである。液相線温度
と固相線温度の等温ラインは交叉する特殊なケースと考
えられる。交点の組成における液相線温度を上段に,固
相線温度を下段に示した。液相線温度は220℃ではんだ
付けする必要から高くとも195℃以下にし,固相線温度
は150℃の高温での信頼性を確保するため,低くとも160
℃以上にする必要がある。Zn量は多いとぬれ性の低下
をもたらし,酸化が激しいことから,5%以下とする。
また,Bi量は23%以上ではさらに低温の融点(13
0℃)をもつ新たな3元共晶組織があらわれ,かつ脆く
なり,伸びが低下するため継手として良くない。従っ
て,これらを含む組成範囲として,A(85,5,10),B(72,
5,23),C(76,3,21)で囲まれた組成範囲を適正領域と決
めた。
(6)で囲まれた領域はZn5%以内で液相線195℃以
下,固相線160℃以上を満たす組成が得られる。AB
と液相線(2)と固相線(5)で囲まれた領域はZn5%以
内で液相線190℃以下,固相線165℃以上を満たす
組成が得られる。同様にABと液相線(3)と固相線(5)
で囲まれた領域はZn5%以内で液相線185℃以下,
固相線165℃以上を満たす組成が得られる。この中で
液相線温度が185℃前後で,固相線温度が165℃以
上で,かつBi量を少なくした組成としてZn4.5−
Sn76.5−Bi19が考えられる。この組成につい
てのぬれ性,強度等の検討を行った。
10μmのSnめっきを施したサンプルに,上記組成の
はんだを直径約50μmのボールに作成しペースト化し
たものを,印刷により各パッド上に供給した。ペースト
には若干強めのフラックスを用い,約180μmの厚さ
に印刷した。その上にQFP−LSI(0.5mmピッ
チ)を搭載した。LSIの42アロイリードにはSnめ
っきが8μm施されている。230℃でリフローするこ
とによりSn表面の酸化膜はフラックス中の塩素により
還元されてはんだがぬれ拡がる。なお、Snめっきの代
わりにSn−Biめっきを施すことにより融点を下げ,
ぬれ拡がりを増すことができる。はんだめっき厚さは1
0μm以下であることから,全体の組成変化による融点
の影響は少ない。また,Cuパッド上に薄くNi−Au
めっきを施し,そして42アロイリード上に同様にNi
−Auめっきを施すことにより表面は酸化されにくいた
め,はんだ表面の酸化膜が破られさえすればぬれ拡がり
に優れる構成をとることができる。
(液相線温度185℃,固相線温度165℃)のペースト
用はんだボール(平均50μm径)に2μmのSnめっき
(もしくはSn−Biめっき)を施した。このように表面
処理すると,はんだ付け直前の165℃で内部のはんだ
が溶け始め,Snめっきは内部のはんだに溶け初める。
185℃になると溶解し,表面のSn(もしくはSn−
Bi)ははんだ中に完全に溶けると同時に,隣接のはん
だボールと溶触する。この時,表面にZnの成分も出て
来るが,N2雰囲気であるためZnが酸化されないた
め,フラックス中での基板パッド,部品端子上のぬれ性
を確保できる。基板パッド,部品の端子上のSnめっき
のSnO2膜はフラックス中の塩酸で還元され,最高2
30℃の温度でリフローが可能となる。基板及び部品の
端子上のSn量はペースト中のはんだ量と比較して少な
いので,成分的にはSn含有量が1%程度増えるだけで
ある。従って,最終的はんだ組成の融点は,ペーストは
んだの融点とほとんど変わらない。そして,はんだ付け
にはフラックスの存在とN2雰囲気でのリフローのた
め,Znの酸化を防止でき,Sn−Zn−Biのリフロ
ーにおける端子上への十分なぬれ性を確保できた。比較
的液相線温度及び固相線温度の高いSn84−Zn5−
Bi11はんだにInを3%添加し,液相線温度及び固
相線温度を下げた組成をペースト用として使用した。表
面はZnの酸化を防止するためSnめっきを2〜5μm
施した。従ってN2雰囲気のリフロー中で固相線温度を
超えた170℃で内部のはんだと溶融を開始し,185
℃で完全に溶融が完了すると共に,Znの成分はN2の
ため酸化せず,230℃の最高温度で容易にはんだは端
子上にぬれ拡がることを確認した。
Bi系はんだは、環境を考慮し、資源的に安定して供給
可能で涸渇の問題がなく,コスト高にならず,かつ,従
来のPb−Sn共晶はんだと同等のリフロー温度で従来
から使用されている基板に,同一のリフロー装置ではん
だ付けできる。本はんだは強度が強く,特に高温での強
度,耐クリープ強度に優れる。電子部品の継手としても
従来のPb−Sn共晶はんだと比べ同等の耐熱疲労性を
有するものである。
が,それ以上の耐熱性基板,例えばガラスポリイミド基
板,BT(ガラス布基材ビスマレイド・トリアジン)基
板,セラミック基板等に使用できることは言うまでもな
い。
態図(液相線温度)である。
度)解析法を示す図である。
%,Bi:10〜25%の範囲内の液相線温度を示す図
である。
%,Bi:10〜25%の範囲内の固相線温度を示す図
である。
含有量,縦軸に温度をとり液相線温度と固相線温度の関
係を示す図である。
図面上に液相線温度と固相線温度のデータを書き入れ,
請求項3,請求項4の特許請求範囲を示した図である。
Claims (12)
- 【請求項1】電子部品と基板を接続するためのはんだで
あって、該はんだの組成はZn:3〜5%,Bi:10
〜23%,残りSnであることを特徴とするはんだ。 - 【請求項2】電子部品と基板を接続するための3元系は
んだであって、該はんだの組成(Sn,Zn,Bi)は、A(8
5,5,10),B(72,5,23),C(76,3,21)で囲まれた範囲にあ
ることを特徴とするはんだ。 - 【請求項3】請求項1または2に記載のはんだであっ
て、該はんだの液相線温度が195℃以下で固相線温度が1
60℃以上であることを特徴とするはんだ。 - 【請求項4】請求項1から3のいずれか1項に記載のは
んだの組成にInを1〜5%含有させたことを特徴とす
るはんだ。 - 【請求項5】請求項1から4のいずれか1項に記載のは
んだであって、該はんだがペースト状であることを特徴
とするはんだ。 - 【請求項6】請求項1から5のいずれかに1項に記載の
はんだを用いて、基板と電子部品を接続したことを特徴
とする実装品。 - 【請求項7】請求項1から5のいずれかに1項に記載の
はんだを用いて、電子部品を基板に実装したことを特徴
とする実装品。 - 【請求項8】請求項6または7に記載の実装品であっ
て、該基板がプリント基板であることを特徴とする実装
品。 - 【請求項9】請求項6または7に記載の実装品であっ
て、該基板がガラスエポキシ基板であることを特徴とす
る実装品。 - 【請求項10】請求項6または7に記載の実装品であっ
て、該基板がガラスポリイミド基板、ガラス繊維基材ビ
スマレイド・トリアジン基板およびセラミック基板のい
ずれか1つであることを特徴とする実装品。 - 【請求項11】リード付き電子部品と、銅配線を有する
有機基板と、該電子部品と該有機基板の該銅配線を電気
的に接続するはんだを有する実装品であって、該はんだ
が請求項1から5のいずれか1項に記載のはんだである
ことを特徴とする実装品。 - 【請求項12】請求項5に記載のはんだを基板にペース
ト印刷する工程と、該基板の電極と電子部品の端子が電
気的に接続するように該半導体装置を該基板に搭載する
工程と、該はんだをリフローする工程とを有することを
特徴とする実装品の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20305495A JP3232963B2 (ja) | 1994-10-11 | 1995-08-09 | 有機基板接続用鉛レスはんだ及びそれを用いた実装品 |
TW084110626A TW360578B (en) | 1994-10-11 | 1995-10-07 | Lead-free solder used for connecting electronic parts on organic substrate |
KR1019950034598A KR100255251B1 (ko) | 1994-10-11 | 1995-10-10 | 유기기판 상에 전자부품을 접속하기 위해 사용된 무연땜납 및 그것을 사용해서 제조한 전자제품 |
CN95120505A CN1067929C (zh) | 1994-10-11 | 1995-10-11 | 用于将电子元件连接在有机基底上的无铅焊料及其应用 |
US08/963,119 US5942185A (en) | 1994-10-11 | 1997-10-28 | Lead-free solder used for connecting electronic parts on organic substrate and electronic products made using same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24504894 | 1994-10-11 | ||
JP6-245048 | 1994-10-11 | ||
JP20305495A JP3232963B2 (ja) | 1994-10-11 | 1995-08-09 | 有機基板接続用鉛レスはんだ及びそれを用いた実装品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08164495A JPH08164495A (ja) | 1996-06-25 |
JP3232963B2 true JP3232963B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=26513720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20305495A Expired - Lifetime JP3232963B2 (ja) | 1994-10-11 | 1995-08-09 | 有機基板接続用鉛レスはんだ及びそれを用いた実装品 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5942185A (ja) |
JP (1) | JP3232963B2 (ja) |
KR (1) | KR100255251B1 (ja) |
CN (1) | CN1067929C (ja) |
TW (1) | TW360578B (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3688429B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | 電子部品実装用基板および電子部品実装基板 |
JP3311282B2 (ja) * | 1997-10-13 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 金属部材の接合方法及び接合体 |
JP3622462B2 (ja) * | 1997-12-16 | 2005-02-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
US20020009610A1 (en) * | 1997-12-16 | 2002-01-24 | Hanae Shimokawa | Technical field |
US6204490B1 (en) | 1998-06-04 | 2001-03-20 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus of manufacturing an electronic circuit board |
WO2000042829A1 (en) * | 1999-01-11 | 2000-07-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Article having a circuit soldered with parts and method for recycling wastes of the same |
US6294766B1 (en) * | 1999-07-31 | 2001-09-25 | Microsemi Corporation | Battery cell bypass with pre-loaded compression action |
JP2001183687A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-06 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
WO2001065167A1 (en) * | 2000-03-02 | 2001-09-07 | Pearl Technology Holdings, Llc | Inflatable structure for supporting an article of manufacture |
US6503338B1 (en) * | 2000-04-28 | 2003-01-07 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-free solder alloys |
US6429388B1 (en) | 2000-05-03 | 2002-08-06 | International Business Machines Corporation | High density column grid array connections and method thereof |
KR100398716B1 (ko) * | 2000-06-12 | 2003-09-19 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 모듈 및 반도체 장치를 접속한 회로 기판 |
CN1299547C (zh) * | 2000-07-12 | 2007-02-07 | 罗姆股份有限公司 | 导体间的连接结构及其连接方法 |
US6680128B2 (en) * | 2001-09-27 | 2004-01-20 | Agilent Technologies, Inc. | Method of making lead-free solder and solder paste with improved wetting and shelf life |
JP2003338682A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-11-28 | Nec Infrontia Corp | はんだ付け方法及びはんだ接合体 |
JP4042418B2 (ja) * | 2002-01-30 | 2008-02-06 | 昭和電工株式会社 | ハンダ付けフラックス |
SG107581A1 (en) | 2002-03-26 | 2004-12-29 | Inst Of High Performance Compu | Lead free tin based solder composition |
JP3878978B2 (ja) * | 2002-10-24 | 2007-02-07 | コーア株式会社 | 鉛非含有はんだ、および鉛非含有の継手 |
JP2005026188A (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-27 | Koa Corp | 電流ヒューズ及び電流ヒューズの製造方法 |
US20060226199A1 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Visteon Global Technologies, Inc. | Selective soldering of flat flexible cable with lead-free solder to a substrate |
CN100413634C (zh) * | 2005-12-12 | 2008-08-27 | 黄德欢 | 一种低熔点无铅焊锡 |
CN100453246C (zh) * | 2006-07-13 | 2009-01-21 | 昆山成利焊锡制造有限公司 | 无铅软钎焊料 |
JP2011194410A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | コーティングされたPbフリーBi系はんだ合金およびその製造方法 |
JP2011058003A (ja) * | 2010-11-24 | 2011-03-24 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、樹脂封止型半導体装置及び半導体装置の実装方法 |
WO2012117988A1 (ja) | 2011-03-02 | 2012-09-07 | セントラル硝子株式会社 | 車両ガラス用無鉛ハンダ合金 |
JP5947238B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2016-07-06 | 株式会社日立製作所 | ペースト、アルミニウム電線体、アルミニウム電線体の製造方法、モータ及びモータの製造方法 |
JP6696665B2 (ja) * | 2015-10-25 | 2020-05-20 | 農工大ティー・エル・オー株式会社 | 超音波半田付け方法および超音波半田付け装置 |
CN106975860A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-07-25 | 合肥仁德电子科技有限公司 | 一种电路板用锡膏及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS515479B2 (ja) * | 1971-09-27 | 1976-02-20 | ||
JPS5711793A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-21 | Dainichi Nippon Cables Ltd | Solder for aluminium |
JPS59189096A (ja) * | 1983-04-08 | 1984-10-26 | Senjiyu Kinzoku Kogyo Kk | 半田合金 |
JPS6235876A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 光定着型感熱記録媒体 |
JPH01313198A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-18 | Mitsubishi Steel Mfg Co Ltd | 低融点低銀ろう材 |
JP3183878B2 (ja) * | 1989-10-13 | 2001-07-09 | 大豊工業株式会社 | はんだ付方法 |
JP3346848B2 (ja) * | 1993-08-11 | 2002-11-18 | 株式会社日本スペリア社 | 無鉛はんだ合金 |
JP4066294B2 (ja) * | 1999-11-19 | 2008-03-26 | ボッシュ株式会社 | マスタシリンダ |
-
1995
- 1995-08-09 JP JP20305495A patent/JP3232963B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-07 TW TW084110626A patent/TW360578B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-10-10 KR KR1019950034598A patent/KR100255251B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-10-11 CN CN95120505A patent/CN1067929C/zh not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-10-28 US US08/963,119 patent/US5942185A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5942185A (en) | 1999-08-24 |
TW360578B (en) | 1999-06-11 |
KR960016660A (ko) | 1996-05-22 |
CN1132673A (zh) | 1996-10-09 |
CN1067929C (zh) | 2001-07-04 |
JPH08164495A (ja) | 1996-06-25 |
KR100255251B1 (ko) | 2000-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3232963B2 (ja) | 有機基板接続用鉛レスはんだ及びそれを用いた実装品 | |
US7709746B2 (en) | Pb-free solder-connected structure and electronic device | |
Kang et al. | Lead (Pb)-free solders for electronic packaging | |
US6010060A (en) | Lead-free solder process | |
US6296722B1 (en) | Lead-free solder alloy | |
KR100999331B1 (ko) | 납프리 땜납 합금 | |
KR0124517B1 (ko) | 무연의 주석, 안티몬, 비스무트 및 구리 납땜 합금 | |
EP0629463B1 (en) | Lead-free, high-temperature, tin based multi-component solder | |
JP2000307228A (ja) | 鉛を含まないはんだ接合方法及びこれによって製造された電子モジュール | |
JP3892190B2 (ja) | 混載実装構造体及び混載実装方法並びに電子機器 | |
JPH1041621A (ja) | 錫−ビスマスはんだの接合方法 | |
EP1402989A1 (en) | Leach-resistant solder alloys for silver-based thick-film conductors | |
JP3460438B2 (ja) | 鉛フリーはんだ及びそれを用いた実装品 | |
JPH0985484A (ja) | 鉛フリーはんだとそれを用いた実装方法及び実装品 | |
EP0770449A1 (en) | Low temperature solder alloy and articles comprising the alloy | |
US20020009610A1 (en) | Technical field | |
JP3460442B2 (ja) | 鉛フリーはんだ及びそれを用いた実装品 | |
JP3592054B2 (ja) | 電子回路及びその製造方法 | |
JP2001298270A (ja) | 電子機器およびその接続に用いるはんだ | |
JP2002153990A (ja) | はんだボール用合金 | |
CA2493351C (en) | Pb-free solder-connected structure and electronic device | |
JP2002009428A (ja) | 電子部品の実装方法及び電子部品の実装構造 | |
JP2001232491A (ja) | 半導体パッケージ及びはんだ接合 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070921 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080921 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080921 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120921 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120921 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130921 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |