JP3229251B2 - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＣＶＤ装置、特に真
空チャンバ内で発生させたガスプラズマにより成膜を行
うＣＶＤ装置に関する。
空チャンバ内で発生させたガスプラズマにより成膜を行
うＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体のガラス基板等の表面に所定の膜
を成膜する方法として、ガスプラズマ等を用いるプラズ
マＣＶＤ法（Plasma Chemical Vapor Deposition: プラ
ズマ化学気相堆積法) が従来より、広く知られている。
を成膜する方法として、ガスプラズマ等を用いるプラズ
マＣＶＤ法（Plasma Chemical Vapor Deposition: プラ
ズマ化学気相堆積法) が従来より、広く知られている。
【０００３】プラズマＣＶＤ法は、反応空間にプラズマ
を導入することにより、その空間に存在する気体を活性
化して、低温で薄膜を作成するものである。
を導入することにより、その空間に存在する気体を活性
化して、低温で薄膜を作成するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記プラズ
マＣＶＤ法においては、処理能力に限界があり、生産性
の向上という点で課題が残されていた。特に、最近は基
板の大型化、すなわち大面積化の要求が高まっている
が、従来のＣＶＤ装置にあっては、成膜する対象物が大
型化すればするほど処理能力が低下し、逆に大型の基板
に成膜するためにＣＶＤ装置そのものを大型化すると装
置内のプラズマ密度が低下してしまい、いずれの場合も
効率良く成膜を行えず、大型の基板を一度に、かつ大量
に処理することは困難であった。
マＣＶＤ法においては、処理能力に限界があり、生産性
の向上という点で課題が残されていた。特に、最近は基
板の大型化、すなわち大面積化の要求が高まっている
が、従来のＣＶＤ装置にあっては、成膜する対象物が大
型化すればするほど処理能力が低下し、逆に大型の基板
に成膜するためにＣＶＤ装置そのものを大型化すると装
置内のプラズマ密度が低下してしまい、いずれの場合も
効率良く成膜を行えず、大型の基板を一度に、かつ大量
に処理することは困難であった。
【０００５】本発明は、このような問題を解決するため
になされたもので、大型の基板を一度に大量に、しかも
高速で処理できるＣＶＤ装置を提供することを目的とす
る。
になされたもので、大型の基板を一度に大量に、しかも
高速で処理できるＣＶＤ装置を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のＣＶＤ装置は、真空源に接続される真空チ
ャンバと、ガス供給源およびそのガス供給源からのガス
を上記真空チャンバ内に導くガス供給管を備えたガス供
給ユニットと、上記真空チャンバ内に設けられ、その真
空チャンバ内に導かれたガスをプラズマ化および／また
は活性イオン化する放電電極を有するＣＶＤ装置におい
て、上記真空チャンバ内に、回転テーブルと、その回転
テーブル上の周縁部に同心円状に複数個配置され、かつ
個々の表面側および裏面側にそれぞれ成膜すべき基板を
保持する基板ホルダとが設けられ、上記ガス供給管、上
記放電電極およびアノード電極が、上記基板ホルダの表
面側および裏面側にそれぞれ上記基板の移動軌跡に沿っ
て等間隔で順に同心円状に対向配置され、上記放電電極
は円形または多角形のリング状の複数の永久磁石が、こ
れらの永久磁石の磁化方向に絶縁体を介して一定の間隔
で軸棒に着脱自在に嵌め込まれ、かつ、相互に隣合う永
久磁石の磁極を同極性とするよう配列されており、上記
アノード電極は金属棒が複数のリング体を貫通してなる
カルーセル型の構成であることによって特徴付けられて
いる。
め、本発明のＣＶＤ装置は、真空源に接続される真空チ
ャンバと、ガス供給源およびそのガス供給源からのガス
を上記真空チャンバ内に導くガス供給管を備えたガス供
給ユニットと、上記真空チャンバ内に設けられ、その真
空チャンバ内に導かれたガスをプラズマ化および／また
は活性イオン化する放電電極を有するＣＶＤ装置におい
て、上記真空チャンバ内に、回転テーブルと、その回転
テーブル上の周縁部に同心円状に複数個配置され、かつ
個々の表面側および裏面側にそれぞれ成膜すべき基板を
保持する基板ホルダとが設けられ、上記ガス供給管、上
記放電電極およびアノード電極が、上記基板ホルダの表
面側および裏面側にそれぞれ上記基板の移動軌跡に沿っ
て等間隔で順に同心円状に対向配置され、上記放電電極
は円形または多角形のリング状の複数の永久磁石が、こ
れらの永久磁石の磁化方向に絶縁体を介して一定の間隔
で軸棒に着脱自在に嵌め込まれ、かつ、相互に隣合う永
久磁石の磁極を同極性とするよう配列されており、上記
アノード電極は金属棒が複数のリング体を貫通してなる
カルーセル型の構成であることによって特徴付けられて
いる。
【０００７】また、上記放電電極に、上記永久磁石をそ
の永久磁石の並び方向に所定のストロークで往復動させ
るための駆動手段を設けることが望ましい。 また、上
記ガス供給ユニットには、真空チャンバ内に供給される
ガスを予めプラズマ化および／または活性イオン化させ
るためのマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段を設
けることが望ましい。
の永久磁石の並び方向に所定のストロークで往復動させ
るための駆動手段を設けることが望ましい。 また、上
記ガス供給ユニットには、真空チャンバ内に供給される
ガスを予めプラズマ化および／または活性イオン化させ
るためのマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段を設
けることが望ましい。
【０００８】さらに、上記放電電極に供給される高周波
電力の位相を制御する位相シフタと、放電電極の直流自
己バイアスをコントロールするバイアスコントローラが
組み込まれたマッチングボックスを備え、この高周波電
源からの電力をこのマッチングボックスを介して上記放
電電極に供給するよう構成することが望ましい。
電力の位相を制御する位相シフタと、放電電極の直流自
己バイアスをコントロールするバイアスコントローラが
組み込まれたマッチングボックスを備え、この高周波電
源からの電力をこのマッチングボックスを介して上記放
電電極に供給するよう構成することが望ましい。
【０００９】また、本発明のＣＶＤ装置は、真空源に接
続される真空チャンバと、ガス供給源およびそのガス供
給源からのガスを上記真空チャンバ内に導くガス供給管
を備えたガス供給ユニットと、上記真空チャンバ内に設
けられ、その真空チャンバ内に導かれたガスをプラズマ
化および／または活性イオン化する放電電極を有するＣ
ＶＤ装置において、上記真空チャンバ内に、直線状に移
動する搬送コンベアと、その搬送コンベアに複数個配置
され、かつ個々の表面側および裏面側にそれぞれ成膜す
べき基板を保持する基板ホルダとが設けられ、上記ガス
供給管、上記放電電極およびアノード電極が、上記基板
ホルダの表面側および裏面側にそれぞれ上記基板の移動
軌跡に沿って等間隔で順に直線状に対向配置され、上記
放電電極は円形または多角形のリング状の複数の永久磁
石が、これらの永久磁石の磁化方向に絶縁体を介して一
定の間隔で軸棒に着脱自在に嵌め込まれ、かつ、相互に
隣合う永久磁石の磁極を同極性とするよう配列されてお
り、上記アノード電極は金属棒が複数のリング体を貫通
してなるインライン型の構成によって特徴付けられる。
続される真空チャンバと、ガス供給源およびそのガス供
給源からのガスを上記真空チャンバ内に導くガス供給管
を備えたガス供給ユニットと、上記真空チャンバ内に設
けられ、その真空チャンバ内に導かれたガスをプラズマ
化および／または活性イオン化する放電電極を有するＣ
ＶＤ装置において、上記真空チャンバ内に、直線状に移
動する搬送コンベアと、その搬送コンベアに複数個配置
され、かつ個々の表面側および裏面側にそれぞれ成膜す
べき基板を保持する基板ホルダとが設けられ、上記ガス
供給管、上記放電電極およびアノード電極が、上記基板
ホルダの表面側および裏面側にそれぞれ上記基板の移動
軌跡に沿って等間隔で順に直線状に対向配置され、上記
放電電極は円形または多角形のリング状の複数の永久磁
石が、これらの永久磁石の磁化方向に絶縁体を介して一
定の間隔で軸棒に着脱自在に嵌め込まれ、かつ、相互に
隣合う永久磁石の磁極を同極性とするよう配列されてお
り、上記アノード電極は金属棒が複数のリング体を貫通
してなるインライン型の構成によって特徴付けられる。
【００１０】また、本発明のＣＶＤ装置は、カルーセル
型の構成と同様、上記放電電極に、上記永久磁石をその
永久磁石の並び方向に所定のストロークで往復動させる
ための駆動手段を設けることが望ましい。また、上記ガ
ス供給ユニットには、真空チャンバ内に供給されるガス
を予めプラズマ化および／または活性イオン化させるた
めのマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段を設ける
ことが望ましい。さらに、上記放電電極に供給される高
周波電力の位相を制御する位相シフタと、放電電極の直
流自己バイアスをコントロールするバイアスコントロー
ラが組み込まれたマッチングボックスを備え、この高周
波電源からの電力をこのマッチングボックスを介して上
記放電電極に供給するよう構成することが望ましい。
型の構成と同様、上記放電電極に、上記永久磁石をその
永久磁石の並び方向に所定のストロークで往復動させる
ための駆動手段を設けることが望ましい。また、上記ガ
ス供給ユニットには、真空チャンバ内に供給されるガス
を予めプラズマ化および／または活性イオン化させるた
めのマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段を設ける
ことが望ましい。さらに、上記放電電極に供給される高
周波電力の位相を制御する位相シフタと、放電電極の直
流自己バイアスをコントロールするバイアスコントロー
ラが組み込まれたマッチングボックスを備え、この高周
波電源からの電力をこのマッチングボックスを介して上
記放電電極に供給するよう構成することが望ましい。
【００１１】以上の構成によって、本発明のＣＶＤ装置
では、放電電極は、円形または多角形のリング状の複数
の永久磁石を相互に吸引状態となるように、絶縁体を介
して一定の間隔で配列することにより、電極の近傍に密
度の高いプラズマを発生させることができる。また、こ
れらの永久磁石を軸棒に着脱自在としたので、放電電極
を所望の大きさに形成することが可能となり、大面積を
有する基板上への成膜を容易にしかも精度よく行うこと
ができる。
では、放電電極は、円形または多角形のリング状の複数
の永久磁石を相互に吸引状態となるように、絶縁体を介
して一定の間隔で配列することにより、電極の近傍に密
度の高いプラズマを発生させることができる。また、こ
れらの永久磁石を軸棒に着脱自在としたので、放電電極
を所望の大きさに形成することが可能となり、大面積を
有する基板上への成膜を容易にしかも精度よく行うこと
ができる。
【００１２】また、上記永久磁石をその永久磁石の並び
方向に所定のストロークで往復動することにより、放電
電極近傍に発生したプラズマ等の密度を均一化すること
ができるので、基板の表面を均一に、精度よく成膜する
ことができる。
方向に所定のストロークで往復動することにより、放電
電極近傍に発生したプラズマ等の密度を均一化すること
ができるので、基板の表面を均一に、精度よく成膜する
ことができる。
【００１３】また、マイクロ波導入手段からマイクロ波
を導入して予めプラズマ化および／または活性イオン化
させた状態のガスを真空チャンバ内に供給した場合、こ
のガス供給後の放電によるプラズマ化および／または活
性イオン化により、放電電極の周囲には多量のプラズマ
ないしラジカルイオンが発生する。これにより、高速で
精度よく成膜することができる。
を導入して予めプラズマ化および／または活性イオン化
させた状態のガスを真空チャンバ内に供給した場合、こ
のガス供給後の放電によるプラズマ化および／または活
性イオン化により、放電電極の周囲には多量のプラズマ
ないしラジカルイオンが発生する。これにより、高速で
精度よく成膜することができる。
【００１４】なお、一個の真空チャンバ内に設けられた
複数個の放電電極に対し、同時に高周波電力を供給する
と、それらの放電電極間の相互干渉によりプラズマ発生
が不安定となり、チャージアップや異常放電等が多発す
るおそれがある。そこで、アノード電極を放電電極の近
傍に設けることで、それらを防止することができる。
複数個の放電電極に対し、同時に高周波電力を供給する
と、それらの放電電極間の相互干渉によりプラズマ発生
が不安定となり、チャージアップや異常放電等が多発す
るおそれがある。そこで、アノード電極を放電電極の近
傍に設けることで、それらを防止することができる。
【００１５】また、他の手段として、位相シフタと、バ
イアスコントローラが組み込まれたマッチングボックス
を設け、高周波電源からの電力をこのマッチングボック
スを介して上記放電電極に供給することで、高周波電力
の位相制御と放電電極の直流自己バイアスが最適状態と
なるようにコントロールされるので、これら放電電極間
の相互干渉が起こらず、プラズマ等の発生が安定化され
る。また、高周波電圧を連続もしくはパルスで印加する
ことにより、異常放電の防止及び成膜形状のコントロー
ルも可能となる。 さらに、本発明をカルーセル型のＣ
ＶＤ装置に適用した場合、回転テーブル上の周縁部に同
心円状に複数個配置された基板ホルダの表面側および裏
面側にそれぞれ保持された基板に、基板の回転軌跡に沿
ってこれらの基板ホルダの表面側および裏面側に配置さ
れている放電電極およびガス供給管により密度の高いプ
ラズマ等が常に供給され、大型の基板を一度に大量に成
膜することができる。
イアスコントローラが組み込まれたマッチングボックス
を設け、高周波電源からの電力をこのマッチングボック
スを介して上記放電電極に供給することで、高周波電力
の位相制御と放電電極の直流自己バイアスが最適状態と
なるようにコントロールされるので、これら放電電極間
の相互干渉が起こらず、プラズマ等の発生が安定化され
る。また、高周波電圧を連続もしくはパルスで印加する
ことにより、異常放電の防止及び成膜形状のコントロー
ルも可能となる。 さらに、本発明をカルーセル型のＣ
ＶＤ装置に適用した場合、回転テーブル上の周縁部に同
心円状に複数個配置された基板ホルダの表面側および裏
面側にそれぞれ保持された基板に、基板の回転軌跡に沿
ってこれらの基板ホルダの表面側および裏面側に配置さ
れている放電電極およびガス供給管により密度の高いプ
ラズマ等が常に供給され、大型の基板を一度に大量に成
膜することができる。
【００１６】さらにまた、本発明をインライン型のＣＶ
Ｄ装置に適用した場合も同様に、直線状に移動する搬送
コンベアに複数個配置された基板ホルダの表面側および
裏面側にそれぞれ保持された基板に、基板の移動軌跡に
沿ってこれらの基板ホルダの表面側および裏面側に配置
されている放電電極およびガス供給管により密度の高い
プラズマ等が常に供給され、大型の基板を一度に大量に
成膜することができる。
Ｄ装置に適用した場合も同様に、直線状に移動する搬送
コンベアに複数個配置された基板ホルダの表面側および
裏面側にそれぞれ保持された基板に、基板の移動軌跡に
沿ってこれらの基板ホルダの表面側および裏面側に配置
されている放電電極およびガス供給管により密度の高い
プラズマ等が常に供給され、大型の基板を一度に大量に
成膜することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００１８】図２は本発明のＣＶＤ装置の実施の形態の
構成を示す縦断面図であり、図３は図２におけるII−II
断面図である。
構成を示す縦断面図であり、図３は図２におけるII−II
断面図である。
【００１９】これらの図に示すように、ＣＶＤ装置１は
プレート２上に円筒形の容器を設けてなる真空チャンバ
４を有する。この真空チャンバ４は、プレート２に形成
された排気口（図示せず）を介して外部の図示しない真
空ポンプ（真空源）と接続されており、同ポンプによっ
て真空チャンバ４内が所定の真空状態にされるようにな
っている。
プレート２上に円筒形の容器を設けてなる真空チャンバ
４を有する。この真空チャンバ４は、プレート２に形成
された排気口（図示せず）を介して外部の図示しない真
空ポンプ（真空源）と接続されており、同ポンプによっ
て真空チャンバ４内が所定の真空状態にされるようにな
っている。
【００２０】真空チャンバ４内には、周囲に歯５０１‥
‥５０１が形成されてなる回転テーブル５が備えられて
いる。この回転テーブル５は、その周縁部下面側がロー
ラ６‥‥６によって受けられてプレート２上に支持され
ている。この回転テーブル５に設けられた歯５０１‥‥
５０１とプレート２に取り付けられた回転テーブル駆動
用モータ（回転駆動手段）７の軸部先端に設けられた歯
車７０１とが噛み合わされた状態で、モータ７が駆動す
ることにより、回転テーブル５はプレート２上の中心軸
８の回りを所望の速度で回転するようになっている。
‥５０１が形成されてなる回転テーブル５が備えられて
いる。この回転テーブル５は、その周縁部下面側がロー
ラ６‥‥６によって受けられてプレート２上に支持され
ている。この回転テーブル５に設けられた歯５０１‥‥
５０１とプレート２に取り付けられた回転テーブル駆動
用モータ（回転駆動手段）７の軸部先端に設けられた歯
車７０１とが噛み合わされた状態で、モータ７が駆動す
ることにより、回転テーブル５はプレート２上の中心軸
８の回りを所望の速度で回転するようになっている。
【００２１】この回転テーブル５上には、その周縁部と
その周縁部から回転テーブル５の中心の向きに所定間隔
を隔てた部位にそれぞれ同心円状に複数の基板ホルダ９
‥‥９、９′‥‥９′が絶縁体（図示せず）を介して配
置されている。これらの基板ホルダ９、９′の両面に
は、成膜する対象として複数のガラス基板１００が着脱
自在に取り付けられるようになっている。また、これら
の基板ホルダ９、９′には、真空チャンバ４外に備えら
れたマッチングボックス１０を介してＲＦ電源１１およ
びＤＣ電源１２が接続されている。
その周縁部から回転テーブル５の中心の向きに所定間隔
を隔てた部位にそれぞれ同心円状に複数の基板ホルダ９
‥‥９、９′‥‥９′が絶縁体（図示せず）を介して配
置されている。これらの基板ホルダ９、９′の両面に
は、成膜する対象として複数のガラス基板１００が着脱
自在に取り付けられるようになっている。また、これら
の基板ホルダ９、９′には、真空チャンバ４外に備えら
れたマッチングボックス１０を介してＲＦ電源１１およ
びＤＣ電源１２が接続されている。
【００２２】回転テーブル５の下面側には、電線１３を
介して各基板ホルダ９、９′に電気的に接続されたテー
ブル端子１４が設けられている。また、プレート２上面
には、電線１５を介してマッチングボックス１０に接続
された プレート端子１６が設けられている。そして回
転テーブル５の回転時においてはテーブル端子１４がプ
レート端子１６に接しながら中心軸８の回りを回転し、
その状態で外部のＲＦ電源１１ないしＤＣ電源１２から
マッチングボックス１０を介して各基板ホルダ９、９
に、所定の高周波電力ないし直流電力があるいはこの両
者が重畳された状態で印加されることにより、各基板ホ
ルダ９、９に負の電界、つまり周囲の空間に各基板ホル
ダ９、９に向かう電界を生じさせるようになっている。
また、基板ホルダ９、９には３００℃程度に基板１００
を加熱するためのヒータ（図示せず）が設けられてい
る。
介して各基板ホルダ９、９′に電気的に接続されたテー
ブル端子１４が設けられている。また、プレート２上面
には、電線１５を介してマッチングボックス１０に接続
された プレート端子１６が設けられている。そして回
転テーブル５の回転時においてはテーブル端子１４がプ
レート端子１６に接しながら中心軸８の回りを回転し、
その状態で外部のＲＦ電源１１ないしＤＣ電源１２から
マッチングボックス１０を介して各基板ホルダ９、９
に、所定の高周波電力ないし直流電力があるいはこの両
者が重畳された状態で印加されることにより、各基板ホ
ルダ９、９に負の電界、つまり周囲の空間に各基板ホル
ダ９、９に向かう電界を生じさせるようになっている。
また、基板ホルダ９、９には３００℃程度に基板１００
を加熱するためのヒータ（図示せず）が設けられてい
る。
【００２３】また、真空チャンバ４内には、その内部に
相対的に内側（中心側）に位置する各基板ホルダ９′と
外周側に位置する各基板ホルダ９の各回転軌跡に沿っ
て、それぞれ、その内側および外側に同心円状にプラズ
マ発生電極２０が配置されており、このプラズマ発生電
極２０の近傍にはアノード電極７０が配置されている。
また、ガス供給源３２からのガスを真空チャンバ４内に
導くガス供給管３０はプラズマ発生電極２０を挟んでア
ノード電極７０の反対側に配置されている。これらガス
供給管３０、プラズマ発生電極２０およびアノード電極
７０は等間隔で順に同心円状に配置されている。これら
ガス供給管３０、プラズマ発生電極２０およびアノード
電極７０は、いずれも容器３の天井部を介して真空チャ
ンバ４の外側から真空チャンバ４内部に挿入され、各基
板ホルダ９、９′の両面に装着された基板１００に対向
するように設置される。ただし、基板１００の出し入れ
作業を行う必要上、真空チャンバ４の側壁に設けられた
出入口４１に対応する部分には、ガス供給管３０、プラ
ズマ発生電極２０およびアノード電極７０は設置されて
いない。
相対的に内側（中心側）に位置する各基板ホルダ９′と
外周側に位置する各基板ホルダ９の各回転軌跡に沿っ
て、それぞれ、その内側および外側に同心円状にプラズ
マ発生電極２０が配置されており、このプラズマ発生電
極２０の近傍にはアノード電極７０が配置されている。
また、ガス供給源３２からのガスを真空チャンバ４内に
導くガス供給管３０はプラズマ発生電極２０を挟んでア
ノード電極７０の反対側に配置されている。これらガス
供給管３０、プラズマ発生電極２０およびアノード電極
７０は等間隔で順に同心円状に配置されている。これら
ガス供給管３０、プラズマ発生電極２０およびアノード
電極７０は、いずれも容器３の天井部を介して真空チャ
ンバ４の外側から真空チャンバ４内部に挿入され、各基
板ホルダ９、９′の両面に装着された基板１００に対向
するように設置される。ただし、基板１００の出し入れ
作業を行う必要上、真空チャンバ４の側壁に設けられた
出入口４１に対応する部分には、ガス供給管３０、プラ
ズマ発生電極２０およびアノード電極７０は設置されて
いない。
【００２４】このプラズマ発生電極２０の拡大断面図を
図１に示す。このプラズマ発生電極２０は、金属棒２１
の外周に、非磁性体２２によって被覆された円形または
多角形のリング状の複数の永久磁石２３を嵌合させると
ともに、その隣合う永久磁石２３が互いに反発し合うよ
うその極性を同一にし、永久磁石２３‥‥２３間に金属
あるいは絶縁体からなるスペーサ２４を設けた構成とな
っており、さらに管体２０１によってこれらが収容され
た構成となっている。このプラズマ発生電極２０は、永
久磁石２３の数を増減することにより、所望の大きさの
基板に対応する長さに調節が可能となっている。このよ
うに、永久磁石２３による磁界を構成することにより、
プラズマ発生電極２０の近傍に密度の高いプラズマを発
生させることができる。言い換えると、低インピーダン
スで放電を起こさせることにより、ＲＦ電源２６から供
給される電力を効率良く放電エネルギに変換してプラズ
マ発生電極２０の近傍に多量のプラズマを発生させるこ
とができる。
図１に示す。このプラズマ発生電極２０は、金属棒２１
の外周に、非磁性体２２によって被覆された円形または
多角形のリング状の複数の永久磁石２３を嵌合させると
ともに、その隣合う永久磁石２３が互いに反発し合うよ
うその極性を同一にし、永久磁石２３‥‥２３間に金属
あるいは絶縁体からなるスペーサ２４を設けた構成とな
っており、さらに管体２０１によってこれらが収容され
た構成となっている。このプラズマ発生電極２０は、永
久磁石２３の数を増減することにより、所望の大きさの
基板に対応する長さに調節が可能となっている。このよ
うに、永久磁石２３による磁界を構成することにより、
プラズマ発生電極２０の近傍に密度の高いプラズマを発
生させることができる。言い換えると、低インピーダン
スで放電を起こさせることにより、ＲＦ電源２６から供
給される電力を効率良く放電エネルギに変換してプラズ
マ発生電極２０の近傍に多量のプラズマを発生させるこ
とができる。
【００２５】このプラズマ発生電極２０は、図２に示す
ように、それぞれマッチングボックス２５を介してＲＦ
電源２６に接続されている。マッチングボックス２５に
はプラズマ発生電極２０に供給する高周波電力の位相を
制御しうる位相シフタと、放電電極の直流自己バイアス
をコントロールするバイアスのコントローラとが組み込
まれている。このマッチングボックス２５を介してＲＦ
電源２６からの電源が供給されると基板ホルダ９、９′
間で放電が起こり、各プラズマ発生電極２０の近傍に高
密度のプラズマないしラジカルイオンが発生し、これに
より基板１００の表面が成膜される。
ように、それぞれマッチングボックス２５を介してＲＦ
電源２６に接続されている。マッチングボックス２５に
はプラズマ発生電極２０に供給する高周波電力の位相を
制御しうる位相シフタと、放電電極の直流自己バイアス
をコントロールするバイアスのコントローラとが組み込
まれている。このマッチングボックス２５を介してＲＦ
電源２６からの電源が供給されると基板ホルダ９、９′
間で放電が起こり、各プラズマ発生電極２０の近傍に高
密度のプラズマないしラジカルイオンが発生し、これに
より基板１００の表面が成膜される。
【００２６】また、アノード電極７０は、図４に示すよ
うに、例えばアルミニウムからなる金属棒７１が複数の
リング体７２を貫通した構成となっている。
うに、例えばアルミニウムからなる金属棒７１が複数の
リング体７２を貫通した構成となっている。
【００２７】さらに、この実施の形態では、各プラズマ
発生電極２０の上部に、このプラズマ発生電極２０を上
下方向に所定のストロークで往復動させるための駆動機
構として、モータ２７が設置されている。この往復動に
よって、プラズマ発生電極２０近傍に発生したプラズマ
の密度が、均一化されるので、各基板１００の表面を均
一に成膜することができる。
発生電極２０の上部に、このプラズマ発生電極２０を上
下方向に所定のストロークで往復動させるための駆動機
構として、モータ２７が設置されている。この往復動に
よって、プラズマ発生電極２０近傍に発生したプラズマ
の密度が、均一化されるので、各基板１００の表面を均
一に成膜することができる。
【００２８】なお、各ＲＦ電源２６は、その対応するプ
ラズマ発生電極２０に、周波数が数Ｈｚ〜１００ＭＨｚ
のＲＦ電圧を連続もしくはパルス的（ＯＮ時間５０〜５
００μｓｅｃ，ＯＦＦ時間５〜１００μｓｅｃ）に印加
されるようになっているが、この場合、自己バイアス電
圧が高くなるとプラズマ発生電極２０からのスパッタが
起こるので、印加するＲＦ電圧は、放電で発生する自己
バイアスが高くならない程度（−１００Ｖ以下）が望ま
しい。できるだけ高エネルギのプラズマを発生させるに
は投入電力を大きくすればよいが、投入電力を大きくす
ると自己バイアス電圧が高くなり、プラズマ発生電極２
０でスパッタが生じたり、異常放電が発生したりする可
能性がある。したがって、特にスパッタされる周波数
（１３．５６ＭＨｚ）のＲＦ電力を用いる場合には、自
己バイアス電圧が数ボルトの負電圧となるようにローパ
スフィルタにより直流分を数オームの抵抗を介して接地
し、調整するのが望ましい。
ラズマ発生電極２０に、周波数が数Ｈｚ〜１００ＭＨｚ
のＲＦ電圧を連続もしくはパルス的（ＯＮ時間５０〜５
００μｓｅｃ，ＯＦＦ時間５〜１００μｓｅｃ）に印加
されるようになっているが、この場合、自己バイアス電
圧が高くなるとプラズマ発生電極２０からのスパッタが
起こるので、印加するＲＦ電圧は、放電で発生する自己
バイアスが高くならない程度（−１００Ｖ以下）が望ま
しい。できるだけ高エネルギのプラズマを発生させるに
は投入電力を大きくすればよいが、投入電力を大きくす
ると自己バイアス電圧が高くなり、プラズマ発生電極２
０でスパッタが生じたり、異常放電が発生したりする可
能性がある。したがって、特にスパッタされる周波数
（１３．５６ＭＨｚ）のＲＦ電力を用いる場合には、自
己バイアス電圧が数ボルトの負電圧となるようにローパ
スフィルタにより直流分を数オームの抵抗を介して接地
し、調整するのが望ましい。
【００２９】また、ガス供給管３０は、その一端はガス
供給源（図示せず）に接続されているとともに、真空チ
ャンバ４の上部壁体を貫通して、真空チャンバ４内に配
設されており、真空チャンバ４内に配設された管部分は
多数の吐出口が設けられた構成となっている。また、ガ
ス供給源から真空チャンバ４に到る管部分に、マイクロ
波導入装置３１が設置されている。このマイクロ波導入
装置３１は、マグネトロンおよび導波管等によって構成
されており、ガス供給源から供給されるＳｉＨ 4 、ＮＨ
3 およびＡｒ等の処理ガスにマイクロ波導入装置３１か
らのマイクロ波（周波数は２．４５ＧＨｚ）を供給して
これらのガスを別々に真空チャンバ４外で予めプラズマ
化あるいは活性化（ラジカル化）する構成となってい
る。こうしてプラズマ化あるいは活性化されたガスはガ
ス供給管３０を通じて真空チャンバ４内に供給され、ガ
ス供給管３０の吐出口から周辺のプラズマ発生電極２０
およびアノード電極７０の近傍に吐出される。
供給源（図示せず）に接続されているとともに、真空チ
ャンバ４の上部壁体を貫通して、真空チャンバ４内に配
設されており、真空チャンバ４内に配設された管部分は
多数の吐出口が設けられた構成となっている。また、ガ
ス供給源から真空チャンバ４に到る管部分に、マイクロ
波導入装置３１が設置されている。このマイクロ波導入
装置３１は、マグネトロンおよび導波管等によって構成
されており、ガス供給源から供給されるＳｉＨ 4 、ＮＨ
3 およびＡｒ等の処理ガスにマイクロ波導入装置３１か
らのマイクロ波（周波数は２．４５ＧＨｚ）を供給して
これらのガスを別々に真空チャンバ４外で予めプラズマ
化あるいは活性化（ラジカル化）する構成となってい
る。こうしてプラズマ化あるいは活性化されたガスはガ
ス供給管３０を通じて真空チャンバ４内に供給され、ガ
ス供給管３０の吐出口から周辺のプラズマ発生電極２０
およびアノード電極７０の近傍に吐出される。
【００３０】以上の構成の本実施の形態のＣＶＤ装置を
用いて、例えば基板の表面に窒化珪素の薄膜を成膜する
場合について説明する。
用いて、例えば基板の表面に窒化珪素の薄膜を成膜する
場合について説明する。
【００３１】まず、図３に示すように、真空チャンバ４
内の回転テーブル５上にそれぞれ同心円状に配置されて
いる内側および外側の基板ホルダ９、９′の表裏両面に
基板１００‥‥１００を所定の状態にセットする。次
に、真空チャンバ４の出入口４１の扉４２を閉鎖して真
空チャンバ４を密閉した後、真空チャンバ４内を所定の
真空状態にし、その状態でモータ７により回転テーブル
５を回転駆動して、回転テーブル５上の各基板ホルダ
９、９′およびそれらに装着された各基板１００を中心
軸８の回りに一体的に回転させる。
内の回転テーブル５上にそれぞれ同心円状に配置されて
いる内側および外側の基板ホルダ９、９′の表裏両面に
基板１００‥‥１００を所定の状態にセットする。次
に、真空チャンバ４の出入口４１の扉４２を閉鎖して真
空チャンバ４を密閉した後、真空チャンバ４内を所定の
真空状態にし、その状態でモータ７により回転テーブル
５を回転駆動して、回転テーブル５上の各基板ホルダ
９、９′およびそれらに装着された各基板１００を中心
軸８の回りに一体的に回転させる。
【００３２】次に、この状態で、まず、基板ホルダ９、
９′に保持された基板１００をヒータにより３００℃程
度に加熱しておく。そして、真空チャンバ４外からその
内部にガス供給管３０を通じて、珪素源としてＳｉ
Ｈ4 、窒素源としてＮＨ3 、そしてキャリアガスとして
Ａｒガスを供給する。ここで、ＲＦ電源１１またはＤＣ
電源１２からマッチングボックス１０等を介して各基板
ホルダ９、９′にＲＦ電力もしくはＤＣ電力またはこれ
らの電力を重畳させて負の電界を印加するとともに、各
プラズマ発生電極２０をモータ２７により、図１におけ
る上下方向に所定のストロークで往復運動させつつ、各
プラズマ発生電極２０にその対応するＲＦ電源２６から
マッチングボックス２５を介して所定のＲＦ電力を供給
する。
９′に保持された基板１００をヒータにより３００℃程
度に加熱しておく。そして、真空チャンバ４外からその
内部にガス供給管３０を通じて、珪素源としてＳｉ
Ｈ4 、窒素源としてＮＨ3 、そしてキャリアガスとして
Ａｒガスを供給する。ここで、ＲＦ電源１１またはＤＣ
電源１２からマッチングボックス１０等を介して各基板
ホルダ９、９′にＲＦ電力もしくはＤＣ電力またはこれ
らの電力を重畳させて負の電界を印加するとともに、各
プラズマ発生電極２０をモータ２７により、図１におけ
る上下方向に所定のストロークで往復運動させつつ、各
プラズマ発生電極２０にその対応するＲＦ電源２６から
マッチングボックス２５を介して所定のＲＦ電力を供給
する。
【００３３】なおこのガス供給においては、ガス供給管
３０の途中にマイクロ波導入装置３１からマイクロ波を
導入してガスの一部を予めプラズマ化ないしイオン化
（ラジカル化）しておく。
３０の途中にマイクロ波導入装置３１からマイクロ波を
導入してガスの一部を予めプラズマ化ないしイオン化
（ラジカル化）しておく。
【００３４】このようにすると、各プラズマ発生電極２
０およびアノード電極７０の近傍にガス供給管３０を通
じて予め一部プラズマ化ないしイオン化されたガスが供
給され、各プラズマ発生電極２０と基板ホルダ９、９′
との間に生じる放電により更に多量のプラズマがプラズ
マ発生電極２０の近傍で発生する。そして、そのうち、
正電荷を帯びた粒子が、基板ホルダ９、９′に印加され
ている負の電界により基板ホルダ９、９′側に加速され
て基板１００に衝突することにより、プラズマ化ないし
イオン化によりラジカル状態となったガスは基板１００
表面に窒化珪素の薄膜を成膜する。しかも、この場合、
各プラズマ発生電極２０の金属棒２１に嵌合された永久
磁石２３が管体２０１内で、図２の上下方向に所定のス
トロークで往復動することにより、安定した状態で各基
板１００に対して密度の高いプラズマが均一な状態で供
給されることになり、さらに、プラズマ発生電極２０の
近傍には、アノード電極が設けられていることから、各
基板１００に対する成膜が効率良く、しかも均一に行わ
れる。さらに、永久磁石２３を増減することで基板１０
０の大きさに対応するプラズマ発生電極２０とすること
ができるので、大型の基板を一度にしかも大量に成膜す
ることが可能となる。また、プラズマ発生電極２０に所
定のＲＦ電力を供給した際のチャージアップおよび異常
放電を防止することもできる。
０およびアノード電極７０の近傍にガス供給管３０を通
じて予め一部プラズマ化ないしイオン化されたガスが供
給され、各プラズマ発生電極２０と基板ホルダ９、９′
との間に生じる放電により更に多量のプラズマがプラズ
マ発生電極２０の近傍で発生する。そして、そのうち、
正電荷を帯びた粒子が、基板ホルダ９、９′に印加され
ている負の電界により基板ホルダ９、９′側に加速され
て基板１００に衝突することにより、プラズマ化ないし
イオン化によりラジカル状態となったガスは基板１００
表面に窒化珪素の薄膜を成膜する。しかも、この場合、
各プラズマ発生電極２０の金属棒２１に嵌合された永久
磁石２３が管体２０１内で、図２の上下方向に所定のス
トロークで往復動することにより、安定した状態で各基
板１００に対して密度の高いプラズマが均一な状態で供
給されることになり、さらに、プラズマ発生電極２０の
近傍には、アノード電極が設けられていることから、各
基板１００に対する成膜が効率良く、しかも均一に行わ
れる。さらに、永久磁石２３を増減することで基板１０
０の大きさに対応するプラズマ発生電極２０とすること
ができるので、大型の基板を一度にしかも大量に成膜す
ることが可能となる。また、プラズマ発生電極２０に所
定のＲＦ電力を供給した際のチャージアップおよび異常
放電を防止することもできる。
【００３５】上記のプラズマ発生電極２０は、本発明実
施の形態において適用した円筒形の真空チャンバの設け
られたＣＶＤ装置、いわゆるカルーセル型ＣＶＤ装置に
適用されるのみならず、例えば図５に示すような直線
型、いわゆるインライン型のＣＶＤ装置にも適用するこ
とができる。この例を他の実施の形態として、以下に説
明する。
施の形態において適用した円筒形の真空チャンバの設け
られたＣＶＤ装置、いわゆるカルーセル型ＣＶＤ装置に
適用されるのみならず、例えば図５に示すような直線
型、いわゆるインライン型のＣＶＤ装置にも適用するこ
とができる。この例を他の実施の形態として、以下に説
明する。
【００３６】このＣＶＤ装置５１は、基板ホルダ５２に
対して基板１０２のセット作業が行われる搬入室５３
と、基板１０２の表面を成膜する成膜室５４と、基板ホ
ルダ５２から成膜後の基板１０２を取り外す作業が行わ
れる搬出室５６とを一列に配置した構成で、これらの各
室５３、５４、５６内を搬送コンベア（図示せず）が図
５中の左側から右側に向けて矢印５０に示すように順次
通過するようになっている。ここで、各室５３、５４、
５６の間には、各室５３、５４、５６をそれぞれ密閉状
態に保ってそれぞれ独立して排気を可能とする開閉自在
のシャッタ（あるいはバルブ）５７‥‥５７が設けられ
ている。
対して基板１０２のセット作業が行われる搬入室５３
と、基板１０２の表面を成膜する成膜室５４と、基板ホ
ルダ５２から成膜後の基板１０２を取り外す作業が行わ
れる搬出室５６とを一列に配置した構成で、これらの各
室５３、５４、５６内を搬送コンベア（図示せず）が図
５中の左側から右側に向けて矢印５０に示すように順次
通過するようになっている。ここで、各室５３、５４、
５６の間には、各室５３、５４、５６をそれぞれ密閉状
態に保ってそれぞれ独立して排気を可能とする開閉自在
のシャッタ（あるいはバルブ）５７‥‥５７が設けられ
ている。
【００３７】成膜室５４には、基板ホルダ５２の搬送経
路に沿ってその両側（図５中の上側および下側）に、複
数のプラズマ発生電極５８‥‥５８およびアノード電極
８８‥‥８８と、二種類のガス、すなわちガス６６、ガ
ス６７を混合して成膜室５４内に供給するガス供給管５
９とが一定の間隔を隔てて、ガス供給管５９、アノード
電極８８、プラズマ発生電極５８の順に配置されてい
る。また、成膜室５４の外側にはＲＦ電源６０およびＤ
Ｃ電源６１が備えられており、これらの電源から成膜室
５４内の基板ホルダ５２に所定のＲＦ電力あるいはＤＣ
電力あるいはその両方を重畳した電圧が印加されるよう
になっている。この場合のプラズマ発生電極５８および
アノード電極８８、ガス供給管５９、ＲＦ電源６０およ
びＤＣ電源６１は、基本的には、図２に示すＣＶＤ装置
１に用いたものと同様の構成となっている。
路に沿ってその両側（図５中の上側および下側）に、複
数のプラズマ発生電極５８‥‥５８およびアノード電極
８８‥‥８８と、二種類のガス、すなわちガス６６、ガ
ス６７を混合して成膜室５４内に供給するガス供給管５
９とが一定の間隔を隔てて、ガス供給管５９、アノード
電極８８、プラズマ発生電極５８の順に配置されてい
る。また、成膜室５４の外側にはＲＦ電源６０およびＤ
Ｃ電源６１が備えられており、これらの電源から成膜室
５４内の基板ホルダ５２に所定のＲＦ電力あるいはＤＣ
電力あるいはその両方を重畳した電圧が印加されるよう
になっている。この場合のプラズマ発生電極５８および
アノード電極８８、ガス供給管５９、ＲＦ電源６０およ
びＤＣ電源６１は、基本的には、図２に示すＣＶＤ装置
１に用いたものと同様の構成となっている。
【００３８】このインライン型のＣＶＤ装置５１による
と、搬入室５３で基板ホルダ５２に基板１０２がセット
された後、この基板１０２は搬送コンベアによって成膜
室５４に送られ、基板ホルダ５２の両側に設置されてい
るプラズマ発生装置５８およびアノード電極８８の間を
通過しながら成膜される。したがって、こうした一連の
成膜工程を連続的に行うことができる。
と、搬入室５３で基板ホルダ５２に基板１０２がセット
された後、この基板１０２は搬送コンベアによって成膜
室５４に送られ、基板ホルダ５２の両側に設置されてい
るプラズマ発生装置５８およびアノード電極８８の間を
通過しながら成膜される。したがって、こうした一連の
成膜工程を連続的に行うことができる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＣＶＤ装
置によれば、放電電極は、円形または多角形のリング状
の複数の永久磁石を、これらの磁石の磁化方向に絶縁体
を介して一定の間隔で軸棒に着脱自在に嵌め込み、相互
に隣合うの永久磁石の磁極を同極性とする構成としたか
ら、従来のように、プラズマ密度の低下を招くことがな
く、電極の近傍に密度の高いプラズマを発生させること
ができ、さらに、放電電極を所望の大きさに形成できる
ので、大型の基板等を一度に多量に成膜することが可能
になり、処理能力が向上する。
置によれば、放電電極は、円形または多角形のリング状
の複数の永久磁石を、これらの磁石の磁化方向に絶縁体
を介して一定の間隔で軸棒に着脱自在に嵌め込み、相互
に隣合うの永久磁石の磁極を同極性とする構成としたか
ら、従来のように、プラズマ密度の低下を招くことがな
く、電極の近傍に密度の高いプラズマを発生させること
ができ、さらに、放電電極を所望の大きさに形成できる
ので、大型の基板等を一度に多量に成膜することが可能
になり、処理能力が向上する。
【００４０】また、放電電極に駆動手段を設け、永久磁
石をその永久磁石の並び方向に所定のストロークで往復
動させる構成とした場合、基板の表面を均一に成膜する
ことができ、成膜精度が向上する。さらに、マイクロ波
導入手段を設けた構成とすれば、成膜速度が大きくな
る。さらにまた、位相シフタと、バイアスコントローラ
が組み込まれたマッチングボックスを備え、高周波電源
からの電力をこのマッチングボックスを介して放電電極
に供給する構成とした場合には、放電電極間の相互干渉
が起こらず、プラズマ等の発生が安定化される。また、
異常放電の防止や成膜形状のコントロールも可能とな
る。
石をその永久磁石の並び方向に所定のストロークで往復
動させる構成とした場合、基板の表面を均一に成膜する
ことができ、成膜精度が向上する。さらに、マイクロ波
導入手段を設けた構成とすれば、成膜速度が大きくな
る。さらにまた、位相シフタと、バイアスコントローラ
が組み込まれたマッチングボックスを備え、高周波電源
からの電力をこのマッチングボックスを介して放電電極
に供給する構成とした場合には、放電電極間の相互干渉
が起こらず、プラズマ等の発生が安定化される。また、
異常放電の防止や成膜形状のコントロールも可能とな
る。
【００４１】またさらに、カルーセル型のＣＶＤ装置で
は、真空チャンバ内に、回転テーブルと、その回転テー
ブル上の周縁部に同心円状に複数個配置され、かつ個々
の表面側および裏面側にそれぞれ成膜すべき基板を保持
する基板ホルダとを設け、ガス供給管、放電電極および
金属棒が複数のリング体を貫通してなるアノード電極
を、基板ホルダの表面側および裏面側にそれぞれ上記基
板の移動軌跡に沿って等間隔で順に同心円状に対向配置
し、またインラインのＣＶＤ装置では、真空チャンバ内
に、直線状に移動する搬送コンベアと、その搬送コンベ
アに複数個配置され、かつ個々の表面側および裏面側に
それぞれ成膜すべき基板を保持する基板ホルダとを設
け、ガス供給管、放電電極およびアノード電極を、基板
ホルダの表面側および裏面側にそれぞれ上記基板の移動
軌跡に沿って等間隔で順に直線状に対向配置した構成と
したので、密度の高いプラズマが常に供給され、大型の
基板を一度に多量に効率良く成膜することが可能にな
る。
は、真空チャンバ内に、回転テーブルと、その回転テー
ブル上の周縁部に同心円状に複数個配置され、かつ個々
の表面側および裏面側にそれぞれ成膜すべき基板を保持
する基板ホルダとを設け、ガス供給管、放電電極および
金属棒が複数のリング体を貫通してなるアノード電極
を、基板ホルダの表面側および裏面側にそれぞれ上記基
板の移動軌跡に沿って等間隔で順に同心円状に対向配置
し、またインラインのＣＶＤ装置では、真空チャンバ内
に、直線状に移動する搬送コンベアと、その搬送コンベ
アに複数個配置され、かつ個々の表面側および裏面側に
それぞれ成膜すべき基板を保持する基板ホルダとを設
け、ガス供給管、放電電極およびアノード電極を、基板
ホルダの表面側および裏面側にそれぞれ上記基板の移動
軌跡に沿って等間隔で順に直線状に対向配置した構成と
したので、密度の高いプラズマが常に供給され、大型の
基板を一度に多量に効率良く成膜することが可能にな
る。
【図１】本発明のＣＶＤ装置に適用される放電電極の構
成を示す縦断面図
成を示す縦断面図
【図２】図１に示す放電電極を用いた本発明の実施の形
態を示す縦断面図
態を示す縦断面図
【図３】図２におけるII−II断面図
【図４】本発明の実施の形態に適用されるアノード電極
の構成を示す縦断面図
の構成を示す縦断面図
【図５】本発明の他の実施の形態を示す平面図
１ ＣＶＤ装置 ４ 真空チャンバ ５ 回転テーブル ９、９′、５２ 基板ホルダ １０、２５ マッチングボックス ２０ プラズマ発生装置 ２１ 金属棒 ２２ 非磁性体 ２３ 永久磁石 ２４ 絶縁体 ２６ ＲＦ電源 ２７ モータ ３０ ガス供給管 ３１ マイクロ波導入装置 ７０ アノード電極 １００、１０２ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−129609（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−235395（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205 H01L 21/302 H01L 21/31 H05H 1/46
Claims (8)
- 【請求項１】 真空源に接続される真空チャンバと、ガ
ス供給源およびそのガス供給源からのガスを上記真空チ
ャンバ内に導くガス供給管を備えたガス供給ユニット
と、上記真空チャンバ内に設けられ、その真空チャンバ
内に導かれたガスをプラズマ化および／または活性イオ
ン化する放電電極を有するＣＶＤ装置において、上記真
空チャンバ内に、回転テーブルと、その回転テーブル上
の周縁部に同心円状に複数個配置され、かつ個々の表面
側および裏面側にそれぞれ成膜すべき基板を保持する基
板ホルダとが設けられ、上記ガス供給管、上記放電電極
およびアノード電極が、上記基板ホルダの表面側および
裏面側にそれぞれ上記基板の移動軌跡に沿って等間隔で
順に同心円状に対向配置され、上記放電電極は円形また
は多角形のリング状の複数の永久磁石が、これらの永久
磁石の磁化方向に絶縁体を介して一定の間隔で軸棒に着
脱自在に嵌め込まれ、かつ、相互に隣合う永久磁石の磁
極を同極性とするよう配列されており、上記アノード電
極は金属棒が複数のリング体を貫通してなることを特徴
とするＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 上記放電電極に、上記永久磁石をその永
久磁石の並び方向に所定のストロークで往復動させるた
めの駆動手段が設けられたことを特徴とする請求項１に
記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 上記ガス供給ユニットには、真空チャン
バ内に供給されるガスを予めプラズマ化および／または
活性イオン化させるためのマイクロ波を導入するマイク
ロ波導入手段が設けられたことを特徴とする請求項１ま
たは２に記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 上記放電電極に供給される高周波電力の
位相を制御する位相シフタと、放電電極の直流自己バイ
アスをコントロールするバイアスコントローラが組み込
まれたマッチングボックスを備え、この高周波電源から
の電力をこのマッチングボックスを介して上記放電電極
に供給するよう構成されたことを特徴とする請求項１、
２または３に記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 真空源に接続される真空チャンバと、ガ
ス供給源およびそのガス供給源からのガスを上記真空チ
ャンバ内に導くガス供給管を備えたガス供給ユニット
と、上記真空チャンバ内に設けられ、その真空チャンバ
内に導かれたガス をプラズマ化および／または活性イオ
ン化する放電電極を有するＣＶＤ装置において、上記真
空チャンバ内に、直線状に移動する搬送コンベアと、そ
の搬送コンベアに複数個配置され、かつ個々の表面側お
よび裏面側にそれぞれ成膜すべき基板を保持する基板ホ
ルダとが設けられ、上記ガス供給管、上記放電電極およ
びアノード電極が、上記基板ホルダの表面側および裏面
側にそれぞれ上記基板の移動軌跡に沿って等間隔で順に
直線状に対向配置され、上記放電電極は円形または多角
形のリング状の複数の永久磁石が、これらの永久磁石の
磁化方向に絶縁体を介して一定の間隔で軸棒に着脱自在
に嵌め込まれ、かつ、相互に隣合う永久磁石の磁極を同
極性とするよう配列されており、上記アノード電極は金
属棒が複数のリング体を貫通してなることを特徴とする
ＣＶＤ装置。 - 【請求項６】 上記放電電極に、上記永久磁石をその永
久磁石の並び方向に所定のストロークで往復動させるた
めの駆動手段が設けられたことを特徴とする請求項５に
記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項７】 上記ガス供給ユニットには、真空チャン
バ内に供給されるガスを予めプラズマ化および／または
活性イオン化させるためのマイクロ波を導入するマイク
ロ波導入手段が設けられたことを特徴とする請求項５ま
たは６に記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項８】 上記放電電極に供給される高周波電力の
位相を制御する位相シフタと、放電電極の直流自己バイ
アスをコントロールするバイアスコントローラが組み込
まれたマッチングボックスを備え、この高周波電源から
の電力をこのマッチングボックスを介して上記放電電極
に供給するよう構成されたことを特徴とする請求項５、
６または７に記載のＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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