JP3228517B2 - 炭化ホウ素系複合焼結体 - Google Patents
炭化ホウ素系複合焼結体Info
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- JP3228517B2 JP3228517B2 JP40984490A JP40984490A JP3228517B2 JP 3228517 B2 JP3228517 B2 JP 3228517B2 JP 40984490 A JP40984490 A JP 40984490A JP 40984490 A JP40984490 A JP 40984490A JP 3228517 B2 JP3228517 B2 JP 3228517B2
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- sintered body
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/563—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on boron carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、研磨材、耐摩材、高温
材料そしてエネルギー関連材料等に使用されるB4C系
セラミックスに関し、特にその高靭性化および高強度化
に関するものである。
材料そしてエネルギー関連材料等に使用されるB4C系
セラミックスに関し、特にその高靭性化および高強度化
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】B4Cセラミックスは高温における構造
部材用エンジニアリングセラミックスとして最近注目を
集めている。しかしながら、自動車部品や航空宇宙関連
材料のように、材料に対し過酷な条件下で高い信頼性と
安定性が要求される分野にB4Cセラミックスを使用し
ていくには破壊靭性をさらに向上させてその脆さを克服
しかつ高温強度の向上を図ることが必要不可欠である。
従来、破壊靭性を向上させる技術として、たとえば特公
昭62−265173号公報に示されるように窒化珪素マトリッ
クスに炭化珪素ウイスカーを複合、分散させる方法があ
る。この方法によれば、破壊の際に進展する亀裂がウイ
スカーによってディフレクションしたり、ウイスカ−の
引き抜きや架橋が起こることにより破壊靭性が向上する
と考えられている。しかしウイスカー複合により破壊靭
性は向上するが、逆に、添加したウイスカーのサイズが
1〜10μmのオーダーである上にその凝集を機械的に完
全に取り除くことは事実上困難であり、これが粗大粒と
して破壊起点となるため材料強度を低下させる。
部材用エンジニアリングセラミックスとして最近注目を
集めている。しかしながら、自動車部品や航空宇宙関連
材料のように、材料に対し過酷な条件下で高い信頼性と
安定性が要求される分野にB4Cセラミックスを使用し
ていくには破壊靭性をさらに向上させてその脆さを克服
しかつ高温強度の向上を図ることが必要不可欠である。
従来、破壊靭性を向上させる技術として、たとえば特公
昭62−265173号公報に示されるように窒化珪素マトリッ
クスに炭化珪素ウイスカーを複合、分散させる方法があ
る。この方法によれば、破壊の際に進展する亀裂がウイ
スカーによってディフレクションしたり、ウイスカ−の
引き抜きや架橋が起こることにより破壊靭性が向上する
と考えられている。しかしウイスカー複合により破壊靭
性は向上するが、逆に、添加したウイスカーのサイズが
1〜10μmのオーダーである上にその凝集を機械的に完
全に取り除くことは事実上困難であり、これが粗大粒と
して破壊起点となるため材料強度を低下させる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従って、従来はウイス
カーを添加したりB4Cを粒成長させて粗大粒の存在に
よって破壊靭性を向上させており、その結果、事実上欠
陥のサイズを大きくしてしまい強度が低下するため、強
度・靭性を同時に向上させることは困難であった。その
ため、B4Cマトリックスが粗大粒を含まない均一微細
粒で構成された組織において強度と靭性向上の両立を図
ることが課題であった。
カーを添加したりB4Cを粒成長させて粗大粒の存在に
よって破壊靭性を向上させており、その結果、事実上欠
陥のサイズを大きくしてしまい強度が低下するため、強
度・靭性を同時に向上させることは困難であった。その
ため、B4Cマトリックスが粗大粒を含まない均一微細
粒で構成された組織において強度と靭性向上の両立を図
ることが課題であった。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、原料粉末とし
て40〜99.5vol%のB4Cと、0.5〜60v
ol%のSiC及びTiCを有機溶剤中で混合し、乾燥
後その混合粉を1800〜2300℃の温度範囲で5〜
600分間ホットプレスした焼結体であって、B4C結
晶粒内にそれぞれ0.5vol%以上60vol%以下
のSiC及びTiB2がナノメーターオーダーで分散し
ており、破壊靭性が3MPam1/2以上であることを
特徴とする炭化ホウ素系複合焼結体である。
て40〜99.5vol%のB4Cと、0.5〜60v
ol%のSiC及びTiCを有機溶剤中で混合し、乾燥
後その混合粉を1800〜2300℃の温度範囲で5〜
600分間ホットプレスした焼結体であって、B4C結
晶粒内にそれぞれ0.5vol%以上60vol%以下
のSiC及びTiB2がナノメーターオーダーで分散し
ており、破壊靭性が3MPam1/2以上であることを
特徴とする炭化ホウ素系複合焼結体である。
【0005】マトリックスであるB4C結晶粒の平均粒
径は 3μm以下、好ましくは 0.5μm以下の均一微細粒
子からなることがよい。かかる結晶粒の内部にSiC及
び/又はTiB2がナノメーターオーダーで分散してい
る構造をもたせることにより、欠陥サイズの小さな組織
で強度低下因子を抑えかつナノ粒子の複合により結晶粒
内に残留応力を発生させて強度と靭性を向上させる。分
散しているSiC及び/又はTiB2の粒径は500nm以
下、特に 200nm以下が好ましい。分散量は0.5〜60v
ol%特には 0.5〜30vol%が好ましい。
径は 3μm以下、好ましくは 0.5μm以下の均一微細粒
子からなることがよい。かかる結晶粒の内部にSiC及
び/又はTiB2がナノメーターオーダーで分散してい
る構造をもたせることにより、欠陥サイズの小さな組織
で強度低下因子を抑えかつナノ粒子の複合により結晶粒
内に残留応力を発生させて強度と靭性を向上させる。分
散しているSiC及び/又はTiB2の粒径は500nm以
下、特に 200nm以下が好ましい。分散量は0.5〜60v
ol%特には 0.5〜30vol%が好ましい。
【0006】本発明により得られる焼結体の破壊靭性は
3MPam1/2 以上である。
3MPam1/2 以上である。
【0007】本発明の炭化ホウ素系焼結体の製造方法
は、原料粉末として40〜99.5vol%のB4C
と、0.5〜60vol%のSiC及びTiCを有機溶
剤中で混合し、乾燥後その混合粉を1800〜2300
℃の温度範囲で5〜600分間ホットプレスすることで
ある。
は、原料粉末として40〜99.5vol%のB4C
と、0.5〜60vol%のSiC及びTiCを有機溶
剤中で混合し、乾燥後その混合粉を1800〜2300
℃の温度範囲で5〜600分間ホットプレスすることで
ある。
【0008】ホットプレスの温度は特に2000〜2300℃が
好ましく、又、ホットプレスの時間も特には30〜300 分
が好ましい。
好ましく、又、ホットプレスの時間も特には30〜300 分
が好ましい。
【0009】
【作用】本発明によれば、B4C結晶粒内に熱膨脹係数
の大きな異種粒子が分散することにより焼結温度から室
温への冷却時にB4C結晶粒に熱膨脹係数のミスマッチ
による残留圧縮応力が発生する。破壊の際、亀裂先端部
分にこの応力場がかかることにより亀裂発生及び進展抵
抗が増大し破壊靭性が向上する。このため、B4C結晶
粒と異種粒子との熱膨脹係数の差は大きいほどよい、ま
た異種粒子がナノメーターオーダーで粒内分散している
ので欠陥サイズが増大しないため、破壊靭性の向上は強
度の向上に反映される。さらに粒内分散異種粒子のまわ
りの応力場によって歪みが発生し異種粒子を中心にB4
C結晶粒内の転位の移動が促進され転位面がサブ粒界を
形成してみかけ上マトリックス粒子が微細化し、強度が
向上する。また、粒界に残留している異種粒子は、高温
における粒界すべりのピン止め効果の役割を果たし、高
温強度が向上する。分散異種粒子の粒径は、大きすぎる
と残留圧縮応力によるB4C結晶粒強化の効果が低下す
るので 500nm以下が好ましく、下限は原子状で格子間
に固溶している状態になる手前の 1nmがよい。分散量
は少なすぎると複合効果が発揮されず多すぎても異種粒
子同士の合体が起きてしまうので 0.5〜60vol%が好
ましく、特に 0.5〜30vol%が好ましい。
の大きな異種粒子が分散することにより焼結温度から室
温への冷却時にB4C結晶粒に熱膨脹係数のミスマッチ
による残留圧縮応力が発生する。破壊の際、亀裂先端部
分にこの応力場がかかることにより亀裂発生及び進展抵
抗が増大し破壊靭性が向上する。このため、B4C結晶
粒と異種粒子との熱膨脹係数の差は大きいほどよい、ま
た異種粒子がナノメーターオーダーで粒内分散している
ので欠陥サイズが増大しないため、破壊靭性の向上は強
度の向上に反映される。さらに粒内分散異種粒子のまわ
りの応力場によって歪みが発生し異種粒子を中心にB4
C結晶粒内の転位の移動が促進され転位面がサブ粒界を
形成してみかけ上マトリックス粒子が微細化し、強度が
向上する。また、粒界に残留している異種粒子は、高温
における粒界すべりのピン止め効果の役割を果たし、高
温強度が向上する。分散異種粒子の粒径は、大きすぎる
と残留圧縮応力によるB4C結晶粒強化の効果が低下す
るので 500nm以下が好ましく、下限は原子状で格子間
に固溶している状態になる手前の 1nmがよい。分散量
は少なすぎると複合効果が発揮されず多すぎても異種粒
子同士の合体が起きてしまうので 0.5〜60vol%が好
ましく、特に 0.5〜30vol%が好ましい。
【0010】製造方法においてTiCは、ホットプレス
中1400〜2200℃でB4Cマトリックス中でTi
B2に変化することによりB 4 Cが異常粒成長するた
め、1800〜2300℃、特に2000〜2200℃
が好ましい。ホットプレス時間も同様の理由で5〜60
0分、特に30〜300分が好ましい。
中1400〜2200℃でB4Cマトリックス中でTi
B2に変化することによりB 4 Cが異常粒成長するた
め、1800〜2300℃、特に2000〜2200℃
が好ましい。ホットプレス時間も同様の理由で5〜60
0分、特に30〜300分が好ましい。
【0011】
【実施例】B4C粉末100gに対し、表1に示すよう
にSiC及びTiC粉末をそれぞれ分散量に応じて配合
し、ボールミルにより湿式混合した。乾燥後、これらの
複合粉末を表中に示したホットプレス(HP)の温度と
時間によってホットプレス焼結した。
にSiC及びTiC粉末をそれぞれ分散量に応じて配合
し、ボールミルにより湿式混合した。乾燥後、これらの
複合粉末を表中に示したホットプレス(HP)の温度と
時間によってホットプレス焼結した。
【0012】上記により焼結したもののB4C粒内にお
けるTiB2並びにSiCの分散量並びに曲げ強度、破
壊靭性は表2に示すとおりである。
けるTiB2並びにSiCの分散量並びに曲げ強度、破
壊靭性は表2に示すとおりである。
【0013】表1 表2 又、図1にNo.6の試料についてのホットプレス温度
と破壊靭性との関係を、図2に雰囲気温度と曲げ強度と
の関係を示した。なお、図1における“IM”は、JI
S R 1607のファインセラミックスの破壊じん
(靭)性試験方法において規定されている圧子圧入法に
よったものであり、“SEPB”は同じく予き裂導入破
壊試験法によったものである。
と破壊靭性との関係を、図2に雰囲気温度と曲げ強度と
の関係を示した。なお、図1における“IM”は、JI
S R 1607のファインセラミックスの破壊じん
(靭)性試験方法において規定されている圧子圧入法に
よったものであり、“SEPB”は同じく予き裂導入破
壊試験法によったものである。
【0014】
【発明の効果】本発明により、室温および高温強度・破
壊靭性ともに優れたB 4 Cセラミックスを得ることがで
き、高強度・高靭性は要求される自動車部品をはじめと
する各種構造用部材に適用して有効である。
壊靭性ともに優れたB 4 Cセラミックスを得ることがで
き、高強度・高靭性は要求される自動車部品をはじめと
する各種構造用部材に適用して有効である。
【図1】本発明実施例のホットプレス温度と破壊靭性と
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図2】実施例における雰囲気温度と曲げ強度との関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−153166(JP,A) 特開 平1−308874(JP,A) 特開 昭63−156068(JP,A) 特表 平2−503191(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C04B 35/563
Claims (1)
- 【請求項1】原料粉末として40〜99.5vol%の
B4Cと、0.5〜60vol%のSiC及びTiCを
有機溶剤中で混合し、乾燥後その混合粉を1800〜2
300℃の温度範囲で5〜600分間ホットプレスした
焼結体であって、B4C結晶粒内にそれぞれ0.5vo
l%以上60vol%以下のSiC及びTiB2がナノ
メーターオーダーで分散しており、破壊靭性が3MPa
m1/2以上であることを特徴とする炭化ホウ素系複合
焼結体。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40984490A JP3228517B2 (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 炭化ホウ素系複合焼結体 |
US07/804,842 US5418196A (en) | 1990-12-12 | 1991-12-06 | Sintered composite boron carbide body and production process thereof |
DE69120923T DE69120923T2 (de) | 1990-12-12 | 1991-12-11 | Gesinterter Borkarbid-Verbundkörper und sein Herstellungsverfahren |
CA002057385A CA2057385C (en) | 1990-12-12 | 1991-12-11 | Sintered composite boron carbide body and production process thereof |
EP91121217A EP0494390B1 (en) | 1990-12-12 | 1991-12-11 | Sintered composite boron carbide body and production process thereof |
US08/571,207 US5637269A (en) | 1990-12-12 | 1995-12-12 | Process for forming a sintered composite boron carbide body |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40984490A JP3228517B2 (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 炭化ホウ素系複合焼結体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04214075A JPH04214075A (ja) | 1992-08-05 |
JP3228517B2 true JP3228517B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=18519119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP40984490A Expired - Fee Related JP3228517B2 (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 炭化ホウ素系複合焼結体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5418196A (ja) |
EP (1) | EP0494390B1 (ja) |
JP (1) | JP3228517B2 (ja) |
CA (1) | CA2057385C (ja) |
DE (1) | DE69120923T2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4319460A1 (de) * | 1993-06-11 | 1994-12-15 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Verbundwerkstoffe auf der Basis von Borcarbid, Titandiborid und elementarem Kohlenstoff sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE4320102A1 (de) * | 1993-06-17 | 1994-12-22 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Verfahren zur Herstellung von polykristallinen dichten Formkörpern auf der Basis von Borcarbid durch drucklose Sinterung |
US5554328A (en) * | 1994-12-21 | 1996-09-10 | Composite Materials, Inc. | Method of making heat and impact resistant composite ceramic material |
US5894066A (en) * | 1998-01-12 | 1999-04-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Boron carbride/silicon carbide ceramics |
EP1892227B1 (en) * | 2001-11-06 | 2012-12-19 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | Process for producing a boron carbide based sintered body |
US20060141237A1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-06-29 | Katherine Leighton | Metal-ceramic materials |
US20070105706A1 (en) * | 2005-06-06 | 2007-05-10 | General Atomics | Ceramic Armor |
US7557054B2 (en) * | 2006-02-27 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Boron carbide sintered body and protective member |
JP4812462B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2011-11-09 | 京セラ株式会社 | 炭化硼素質焼結体およびこれを用いた防護部材 |
US7419925B1 (en) | 2006-08-23 | 2008-09-02 | Ut-Battelle, Llc | Lightweight high performance ceramic material |
US8236200B2 (en) * | 2006-12-06 | 2012-08-07 | General Electric Company | Nano-composite IR window and method for making same |
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WO2011011606A2 (en) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Methods of forming sintered boron carbide |
WO2016085843A1 (en) | 2014-11-26 | 2016-06-02 | Corning Incorporated | Composite ceramic composition and method of forming same |
CN110256081A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-09-20 | 合肥工业大学 | 一种碳化硼基复合陶瓷材料及其制备工艺 |
KR102364295B1 (ko) | 2020-02-28 | 2022-02-21 | 한국과학기술연구원 | 탄화붕소 복합재료 및 그의 제조방법 |
CN111470868B (zh) * | 2020-03-30 | 2022-07-05 | 江苏大学 | 一种高活性亚微米级碳化硼陶瓷粉体及其低温原位制备方法 |
JP7116234B1 (ja) * | 2021-09-24 | 2022-08-09 | 美濃窯業株式会社 | 複合セラミックスの製造方法 |
CN116693295A (zh) * | 2023-04-24 | 2023-09-05 | 湖南骏航材料科技股份有限公司 | 一种二硼化钛增强碳化硼基防弹陶瓷及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1990
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