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JP3223199B2 - 多層セラミック部品の製造方法および多層セラミック部品 - Google Patents

多層セラミック部品の製造方法および多層セラミック部品

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JP3223199B2
JP3223199B2 JP13419992A JP13419992A JP3223199B2 JP 3223199 B2 JP3223199 B2 JP 3223199B2 JP 13419992 A JP13419992 A JP 13419992A JP 13419992 A JP13419992 A JP 13419992A JP 3223199 B2 JP3223199 B2 JP 3223199B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は多層セラミック部品の製
造方法と、多層セラミック部品に関する。
【0002】
【従来の技術】100MHz 〜3GHz 程度の準マイクロ波
帯や高周波帯の機能ブロックを構成する方法として、多
層セラミック基板による集積回路方式が、機能部品の小
型化の要請や信頼性の向上を図る上で最も有効な方法と
して知られている。このような多層セラミック基板は、
多層セラミック部品の1つであって、誘電体のグリーン
シートに内部導体ペーストを印刷し、このグリーンシー
トを積層して、熱プレスにて圧着成形してスタックし、
誘電体と導体を同時に焼成することにより作製される。
【0003】多層セラミック基板を用いた集積回路方式
は種々の機能部品に利用されているが、この回路基板に
共振器機能を持たせ、特に周波数の高い準マイクロ波回
路に使用すると、低周波領域ではさして問題とはならな
い内部導体の表皮効果が問題となり、高周波抵抗が高く
なり、回路の損失が増大し、共振器のQ値が低下する。
これは共振器に使用されている内部導体が多孔質であっ
たり、あるいは内部導体に含まれるフリットが残留した
りするために、その高周波抵抗が増加するからであると
考えられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この内部導体の高周波
抵抗を低減し、伝送線路の損失を低減し、共振器のQ値
を向上するためには、導体ペーストの導体粉に純銀粉等
の比抵抗の小さい金属を使用したり、鱗片状の銀粉等を
混入するとともにガラスフリット等の添加物量を極力抑
えて、金属粉間の接触面積を増加させたり、あるいは導
体ペーストのかわりにカーボンペースト等の容易に熱分
解する物質を用い、焼成時の熱分解により空洞を形成し
た後、熔融銀を圧入する等の対策が試みられている。し
かし、これらの方法を用いても、高周波抵抗を十分に低
下させることはできず、また伝送線路の損失を低減し、
共振器のQ値を十分高い値とすることはできず、あるい
は生産性が著しく低くなり当初の目的を達成できない。
なお、このような内部導体の不完全性による導電率の低
下とQ値の低下とは、種々の構造や、使用用途や、製法
の多層セラミック基板等の多層セラミック部品において
共通の問題であり、その解決が望まれている。
【0005】本発明の目的は、内部導体を緻密化し、回
路の損失を低減し、Q値を向上した多層セラミック基板
等の多層セラミック部品とその製造方法とを提供するこ
とにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(5)の本発明により達成される。 (1) 酸化物骨材を含有するグリーンシートから形成
した絶縁性のセラミック材料層上に内部導体のパターン
を導体粉を含有する導体ペーストから印刷して形成し、
絶縁性のセラミック材料層と積層して焼成することによ
り、多層セラミック部品を製造する場合において、前記
絶縁性のセラミック材料層は前記内部導体の融点以下の
温度で理論密度の95%以上となるように変化するもの
であり、前記導体粉が90重量%以上の銀または銅を含
有するものであり、前記焼成に際し、前記内部導体のパ
ターンは、前記セラミック材料層内に密閉されており、
この焼成後に焼成体を切断するものであり、前記内部導
体の融点以上で焼成して、切断して端面をエッチングし
て内部導体層を走査型電子顕微鏡で観察したとき、前記
内部導体層には導体粒子の粒界が実質的に存在しない多
層セラミック部品を得る多層セラミック部品の製造方
法。 (2) 前記導体ペーストは、前記導体粉に対し、30
体積%以下のガラスフリットを含有するか、ガラスフリ
ットを含有しない上記(1)の多層セラミック部品の製
造方法。 (3) 前記焼成を、前記導体粉の融点以上、融点+3
00℃以下の温度で行なう上記(1)または(2)の多
層セラミック部品の製造方法。 (4) 前記内部導体の連続層が形成されており、この
連続層の外部に前記内部導体層用の内部導体ペースト中
に添加されたガラスフリットが排出されている上記
(1)〜(3)のいずれかの多層セラミック部品の製造
方法。 (5) Q値が高く、そのバラツキの少ない多層セラミ
ック部品を得る上記(1)〜(4)のいずれかの多層セ
ラミック部品の製造方法。
【0007】
【0008】
【0009】
【0010】
【0011】
【0012】
【0013】
【0014】
【0015】
【作用】本発明においては絶縁性の素体と内部導体とを
同時焼成する際の温度を導体の融点以上とし、内部導体
を熔融状態にして緻密化し、用いる導体粉によって生じ
る内部導体内の粒界を実質的に消滅させ、その伝送線路
の損失の低減と、Q値の向上とを図っている。そして、
例えば内部導体により、トリプレート線路構造を形成し
てこれを基板内部に内蔵させ、必要な配線を行なうこと
により、小型で、高いQ値をもつ共振器を内蔵した多層
セラミック基板等の多層セラミック部品を得ることがで
きる。
【0016】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。本発明によって得られる多層セラミック部
品のうち、例えば共振器は、1〜3GHz 程度の準マイク
ロ波帯域で使用される共振器として好適である。より具
体的にはこの共振器等の多層セラミック部品は、誘電体
のグリーンシート上に内部導体パターンを形成した後、
このグリーンシートを積層して、熱プレスにて圧着し、
その後焼成して製造される。このようないわゆるグリー
ンシート法の他、誘電体のペーストと内部導体のペース
トとを交互に積層するいわゆる印刷積層法を用いてもよ
い。
【0017】本発明においては、後述する内部導体と、
誘電体等の絶縁材のグリーンシート等のセラミック材料
層の同時焼成を導体の融点以上の温度で行なう。こうす
ることにより、内部導体が熔融状態になり、構造が緻密
化して、導体の接触状態が改善され、線路の損失を低減
させ、共振器としてのQ値を向上させることができる。
【0018】特に、内部導体としては、比抵抗の小さい
銀あるいは銅を用いることが好ましいが、銀の場合に
は、その融点である960℃以上の温度、より好ましく
は960〜1260℃、さらに好ましくは、970〜1
100℃で焼成を行なうことが好ましい。また、銅の場
合には、その融点である1060℃以上、より好ましく
は1060〜1360℃、さらに好ましくは、1070
〜1200℃で焼成することが好ましい。このように融
点以上、融点+300℃以下の温度、より好ましくは、
融点+10℃〜融点+140℃の温度で、グリーンシー
ト等のセラミック材料層と同時焼成することにより、本
発明の実効が顕れる。これは焼成温度が融点未満では本
発明の実効が顕れないが、あまりに高すぎると誘電体中
への銀や銅の拡散が進み、特性が劣化してしまうからで
ある。焼成は、銀の場合には通常、空気中にて上記の温
度で1分〜1時間程度、より好ましくは、5〜20分程
度行なうことが好ましい。また、銅の場合には、通常、
酸素分圧(Po2 )を10-6atm 以下に制御して行う。
なお、焼成は複数回行ってもよく、そのとき少なくとも
1回は融点以上の焼成とする。
【0019】本発明では、内部導体に用いる導体とし
て、融点が960℃付近の銀または融点1060℃付近
の銅を用いる。この際、銀あるいは銅の含有量が90重
量%以上のものを用い、特に純度99重量%以上、さら
には99.9重量%以上の純銀または純銅を用いること
が好ましい。このように、特に純銀ないし純銅を用いる
ことにより比抵抗と損失とをきわめて小さくすることが
でき、共振器のQ値を向上させることができる。
【0020】内部導体パターンの形成方法としては、所
定形状の銀箔を誘電体グリーンシートにはさむ、あるい
は導体ペーストの印刷または転写を行なう等の方法が挙
げられるが、特に印刷法が好ましい。
【0021】導体ペーストにてパターンを形成する場
合、用いる銀粉、銅粉等の導体粉の平均粒径(異方性の
ある時には長軸径)は、0.5〜20μm 程度、より好
ましくは1〜5μm とするのが好ましい。粒径が小さす
ぎると、分散性が悪くなり、導体ペースト中の導体粉の
含有量を多くすることができず、また含有量を多くする
と粘度が高くなってしまい、緻密なパターンを形成でき
なくなってくる。一方、粒径が大きすぎると、スクリー
ン印刷、転写法等によるパターンの形成が困難となって
くる。また、銀粉の形状等には特に制約はないが、一般
に球状とし、その一部または全部を鱗片状のものとして
もよい。
【0022】内部導体ペースト中の導体粉の含有量は、
60〜95重量%、特に70〜90重量%とするのが好
ましい。含有量が少ないと、比抵抗が減少し、Q値が低
下し、焼成後のパターンの一部が断線したり、比抵抗や
Q値がばらついたりしてくる。また大きすぎると、ペー
ストの粘度が増大し、パターン形成が困難となってく
る。
【0023】焼成時に熔融した導体は、焼成条件によっ
ては基板内部に偏在して集合し、網目構造を形成するこ
とがあり、これによりQ値がばらつくことがある。しか
し、このような現象は、好ましくは導体粉融点付近に軟
化点をもつガラスフリットを内部導体ペーストに添加す
ることにより防止される。また、ガラスフリットの添加
は、内部導体材料の拡散を防止する効果がある。ただ
し、拡散が問題とならない場合には、ガラスフリットは
添加しない方が好ましい。このときには、伝送線路の損
失がさらに低減される。
【0024】内部導体ペーストに含有させるガラスフリ
ットは、銀等の導体粉の融点付近、特に700〜110
0℃に軟化点を有するガラスを用いることが好ましい。
より具体的には、銀粉を用いるときには、700〜10
00℃、特に900〜980℃に軟化点を有し、銅粉を
用いる時には、800〜1100℃、特に1000〜1
080℃に軟化点を有するガラスを用いればよい。この
ようなガラスフリットを添加することにより、溶融後の
網目構造の発生が減少し、Q値のバラツキを抑えること
ができる。
【0025】用いるガラスフリットの組成には特に制限
はないが、特に下記の組成が好ましい。
【0026】 SiO2 :55〜75モル%、特に65〜70モル% Al23 :10〜30モル%、特に15〜20モル% アルカリ土類金属酸化物の1種以上:10〜20モル
%、特に5〜15モル%、 ZrO2 :0〜5モル%、
【0027】この場合、アルカリ土類金属酸化物として
は、SrO、CaOおよびMgOの1種〜3種が好まし
い。ガラスフリットの平均粒径には特に制限はないが、
通常、0.5〜2.0μm 程度のものを用いる。
【0028】内部導体ペースト中のガラスフリットを添
加する場合、その含有量は、10重量%以下、特に1〜
10重量%、さらには3〜8重量%が好ましい。また、
ガラスフリットは、導体粉に対して10重量%以下、特
に2〜10重量%、特に4〜6重量%、体積比では30
体積%以下、特に2〜30体積%、さらには5〜10体
積%含まれることが好ましい。前記のとおり、ガラスフ
リット量が少ないと、網目構造防止効果が減少して、Q
値のバラツキが生じる場合もあるが、用いる銀の拡散が
問題とならなかったり、銅を用いるときには、損失をよ
り小さくする点でガラスフリット量は0である方が好ま
しい。なお、フリット量が多すぎると、比抵抗が増大
し、Q値が減少する。
【0029】より具体的には、導体ペーストに使用され
る銀粉は一般的に、平均粒径が1μm 程度以下の微粉で
あり、そのため同時焼成を行った場合、誘電体材料に銀
が拡散し、拡散の程度が高い部分の収縮が他の部分より
も早く生じ、クラックの原因となる。これを防止するた
めには、ペースト中にガラスフリットを添加することに
より、銀の拡散を防止し、クラックの発生を防止する。
しかし、導体ペーストの金属成分含有率を上げるために
平均粒径5μm 程度以上の比較的大径の銀粉を使用した
り、適当な焼成条件を選択するときには、銀の拡散の程
度が低いので、フリットレスの場合においてもクラック
を発生させずに焼成することが可能である。
【0030】内部導体ペーストには、銀粉等の導体粉と
ガラスフリットの他、ビヒクルが含まれる。ビヒクルと
しては、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、メ
タクリル樹脂、ブチルメタアクリレート等のバインダ、
テルピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビト
ールアセテート、トルエン、アルコール、キシレン等の
溶剤、その他各種分散剤、活性剤、可塑剤等が挙げら
れ、これらのうち任意のものが目的に応じて適宜選択さ
れる。ビヒクルの添加量は、ペースト中、10〜20重
量%程度とすることが好ましい。
【0031】このような内部導体ペーストは焼成後の厚
さが10〜60μm 程度、特に20〜50μm 程度とな
るように成膜することが好ましい。成膜方法は公知のス
クリーン印刷法、転写法などによればよい。
【0032】内部導体ペーストのパターンを形成する絶
縁性の誘電体のセラミック材料層は、通常、ガラスと酸
化物骨材とを含有する。酸化物骨材としては、例えばA
23 、石英、ムライト、コージェライト、R2 Ti2
7 (Rはランタノイド元素の1種以上)、Ca2
27 、MgTiO3 、SrZrO3 、TiO2 、S
nO2 ・TiO2 、ZrTiO4 、Ba2 Ti920
Sr2 Nb27 、CaTiO3 、SrTiO3 、Sr
SnO3 、BaO・R23 ・nTiO2 (Rはランタ
ノイド)系等の1種ないし2種以上を挙げることができ
る。この場合、用いる酸化物骨材は、化学量論組成から
多少偏倚した組成であってもよく、偏倚した組成のもの
との混合物、あるいは偏倚した組成のもの同志の混合物
であってもよい。また、さらに各種酸化物、例えばBi
23 、MnO、CuO等を添加したものであってもよ
い。
【0033】セラミック材料層は、グリーンシートであ
っても、スクリーン印刷等によって設けた層であっても
よい。ただし、セラミック層は内部導体ペーストの銅体
粉の融点以下、好ましくは融点−200℃〜融点、特
に、融点−100℃〜融点にて、好ましくは理論密度の
95%以上となるように緻密化している。このため、上
記の酸化物骨材とガラスとのコンポジット材料の他、ガ
ラスを含有しないセラミック材料、例えばチップコンデ
ンサや誘電体共振器等に使用されている焼成温度が例え
ば800〜1000℃程度の各種誘電体グリーンシート
用材料のいずれであってもよい。
【0034】ガラスコンポジット材料を用いる場合、グ
リーンシート等のセラミック材料層中の酸化物骨材の含
有量は、酸化物骨材とガラスとの総計に対し、20〜9
6体積%、特に25〜95体積%とするのが好ましい。
骨材が多いと焼結性が悪化することがある。また、少な
いと誘電体基板の抗析強度が低下してくる。また酸化物
骨材の平均粒径は0.5〜3μm 程度が好ましい。平均
粒径が小さすぎると、シート形成が困難となり、また大
きすぎると共振器素体の強度不足となってくる。
【0035】ガラスフリットとしては、導体粉として銀
粉を用いるときには、軟化点が700〜900℃程度、
銅粉を用いるときには、軟化点が800〜1000℃程
度のガラスを用いることが好ましい。軟化点が高すぎる
と、好適温度での焼成が困難となり、軟化点が低すぎる
と、シート成形時のバインダーが抜けにくく、絶縁性に
問題が出る。
【0036】用いるガラスフリットの組成に特に制限は
ないが、前記の範囲の焼成温度で高強度のグリーンシー
トが得られ、内部導体の拡散を抑制できる等の点から下
記の組成が好ましい。
【0037】 SiO2 :50〜70モル% Al23 :5〜20モル% アルカリ土類金属酸化物の1種以上:25〜45モル% B23 :0〜10モル%
【0038】前記アルカリ土類金属酸化物としては、S
rO、CaOおよびMgOの1種以上、特に前記3種を
併用することが好ましく、3種を併用する場合SrOの
含有量は15〜30モル%、CaOの含有量は1〜8モ
ル%、MgOの含有量は1〜7モル%が好ましい。
【0039】また、ガラスの平均粒径にも特に制限はな
いが通常成形性等を考慮して1〜3μm 程度のものを用
いる。グリーンシート中のガラスの含有量は4〜80体
積%とするのが好ましい。含有量が少なすぎると焼結性
が悪化することがあり、多すぎると誘電体の抗析強度が
低下してくる。
【0040】このような誘電体のセラミック層材料は、
焼結前にビヒクルを加えてスラリーとされる。ビヒクル
としては、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、
メタクリル樹脂、ブチルメタアクリレート等のバイン
ダ、テルピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカル
ビトールアセテート、アセテート、トルエン、アルコー
ル、キシレン等の溶剤、その他各種分散剤、活性剤、可
塑剤等が挙げられ、これらのうち任意のものが目的に応
じて適宜選択される。ビヒクルの添加量は、酸化物骨材
とガラスの合計量100重量部に対し、65〜85重量
%程度とすることが好ましい。
【0041】次に、本発明の多層セラミック部品のう
ち、多層セラミック基板を共振器とした例について、図
1に示される好適例に従って説明する。図1に示される
共振器は、トリプレート線路を有する多層セラミック基
板であって、特に電圧制御発振器(VCO)を構成して
いる。そして、誘電体層21、23、25、27を積層
一体化した積層体2を有し、少なくともこの積層体2の
誘電体層23、25間にストリップ線路3を有する。ス
トリップ線路の形状、寸法、数等には特に制限がなく、
目的等に応じて適宜決定すればよい。
【0042】また、誘電体層23、25間には、必要に
応じて内部導体7が形成される。この場合内部導体7
は、例えば、コイルの導体、コンデンサの電極等種々の
目的や用途に応じて所望のパターンに形成される。さら
に、誘電体層23、21間および誘電体層27上にはグ
ランドプレーン4が形成されている。この場合、グラン
ドプレーン4、4間にストリップ線路3を位置させて、
トリプレート線路が形成される。また、積層体2上には
外部導体6が形成され、この外部導体6と、前記ストリ
ップ線路3、グランドプレーン4および内部導体7とが
それぞれスルホール5内の導体を介して電気的に接続さ
れる。
【0043】このような共振器は、例えば以下のように
して製造する。まず、前述の内部導体用ペーストおよび
外部導体用ペーストをそれぞれ作製する。外部導体のペ
ーストは、導体粉と、導体粉に対し、0〜10重量%程
度のガラスフリットや酸化物粉と、ビヒクルとを含有す
る。同時に、誘電体層材料となるグリーンシートを作製
する。この場合、前述の誘電体材料のスラリーを用い、
例えばドクターブレード法により所定枚数作製する。次
いで、グリーンシート上にパンチングマシーンや金型プ
レスを用いてスルーホール5を形成し、その後、内部導
体用ペーストを各グリーンシート上に、例えばスクリー
ン印刷法により印刷し、所定のパターンの内部導体7、
ストリップ線路3、グランドプレーン4を形成するとと
もにスルーホール5内に充填する。
【0044】次いで、各グリーンシートを重ね合せ、熱
プレス(約40〜120℃、50〜1000Kgf/cm2)を
加えてグリーンシートの積層体とし、必要に応じて脱バ
インダー処理、切断用溝の形成等を行なう。この後、グ
リーンシートの積層体を通常空気中で、前記の温度で焼
成、一体化し、誘電体層23、25間にストリップ線路
3が形成された共振器を得る。そして、外部導体用ペー
ストをスクリーン印刷法等により印刷し、焼成して外部
導体6を形成する。この場合、好ましくは、これら外部
導体6を誘電体層21、23、25、27と一体同時焼
成して形成する。バラクタダイオードや、デカップリン
グキャパシタンス等の所定の表面実装部品8を外部導体
6に半田付けし、必要に応じ、絶縁被覆層を形成して図
2に示す電圧制御発振器(VCO)1が得られる。
【0045】以上の他、前記のとおり、セラミック層と
内部導体層とを交互に印刷積層する公知の印刷積層法を
用いてもよい。
【0046】このような焼成を行うに際し、積層体の端
面から内部導体が露出しないようにして、グリーンシー
ト等内に内部導体を密閉し、焼成時に熔融した導体が揮
発したり、吹き出したりするのを防止することが好まし
い。そして、その後、切断してチップ化するとともに、
側面部等から内部導体を露出させ、これに外部電極等を
接続すればよい。
【0047】以上のようにして同時焼成された内部導体
は緻密な連続構造をもつ。すなわち、導体層全幅および
全長に亘って連続する緻密な構造をもつ。そして、より
具体的には、一旦熔融されることによって、基板を垂直
に切断して、切断端面に表われる内部導体をエッチング
し、そのエッチング面を走査型電子顕微鏡(SEM)で
300〜3000倍の倍率で観察したとき、緻密かつ連
続な内部導体層には導体粒子の粒界が実質的に存在しな
いようにすることができる。粒界が実質的に存在しない
とは、平均1000μm2以上、特に3000μm2以上、
さらに5000μm2、さらには10000μm2以上の領
域に亘ってSEM観察による粒界が観察されないことを
意味し、条件を好適なものとすれば、粒界の存在を皆無
にすることもできる。また、多結晶状態を示す三重点
も、実質的に存在しないようにすることもでき、三重点
の存在も1000μm2以上、特に3000μm2以上、さ
らに5000μm2以上、さらには10000μm2以上に
1個、条件により皆無にすることもできる。
【0048】このようなSEMで観察される粒界は、原
料導体粉が溶融したのち生じる粒子の粒界であり、結晶
粒界ではない。このため導体の切断端面を透過型電子顕
微鏡(TEM)で10000〜100000倍程度の倍
率で観察したときには、冷却過程で生じた微細結晶粒界
が観察される。なお、SEMやTEMの観察に際しては
常法に従えばよいが、エッチングは、濃アンモニア水5
0体積%と、3%過酸化水素水50体積%の混合液をエ
ッチング液とし、切断面を樹脂埋めした後、鏡面仕上げ
して試料をエッチングすればよい。エッチング時間は3
0〜120秒、常温で行えばよい。
【0049】さらに、緻密化により、ガラスフリットを
用いた内部導体ペーストを用いたときの内部導体層のS
EM像では、内部導体の連続層と、この連続層内部、あ
るいはより好ましくはこの連続層と素体との界面間に排
出されたガラス成分とが観察される。このガラス成分
は、内部導体ペースト中に添加されたガラスフリットに
基づくものであり、通常は、素体中に拡散されずに、素
体・内部導体層界面等に添加量に応じて部分的に集合、
排出されている。
【0050】本発明の多層セラミック部品のうち、共振
器は、少なくとも誘電体層間にTEM線路等のストリッ
プ線路を有するハイパスフィルタ、ローパスフィルタ、
バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ
等の各種フィルタ、これらのフィルタを組み合わせた分
波フィルタ、デュプレクサ、電圧制御発振器等に応用が
可能である。このほか、100MHz 〜3GHz の帯域で使
用される各種多層セラミック基板、あるいはコンデンサ
やインダクタの一方あるいは両方を内蔵する多層セラミ
ック基板、さらにはコンデンサ(C)チップ、チップイ
ンダクタ(L)、LCチップ等の多層セラミック部品で
あってもよい。
【0051】このような多層セラミック基板による集積
回路に組み込まれる共振器に必要なQ値は、構成される
回路により異なるが、例えば前述の電圧制御型発振器
(VCO)では160以上が必要となるが、本発明では
これを十分満足できる。
【0052】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ本発明を
さらに詳細に説明する。 実施例1 純度99.9%以上の銀粉およびガラスフリットおよび
ビヒクルを三本ロールにより混合分散した。銀粉は平均
径3μm の球状のものを用いガラスフリットとしては、 (1)軟化点960℃ SiO2 :66.0モル% SrO:15.0モル% Al23 :16.0モル% ZrO2 :3.0モル% (2)軟化点860℃ SiO2 :62モル% SrO:26モル% Al23 :12モル% ZrO2 :0モル% (2)軟化点820℃ SiO2 :66モル% SrO:26モル% Al23 :8モル% ZrO2 :0モル% の3種の組成の平均粒径1.0μm のものを用いた。
【0053】混合物にビヒクルを添加し、3本ロールで
混練して内部導体ペーストとした。ビヒクルには、バイ
ンダとしてアクリル樹脂、溶剤としてターピネオールを
用いた。各成分の混合比率は、 銀粉+ガラスフリット 90重量% 有機バインダ 2.5重量% 有機溶剤 7.5重量% であり、銀粉+ガラスフリット量のフリット含有量(体
積%)を表1のように変更した。
【0054】これとは別に平均粒径1.9μm のガラス
粒子:70体積%と、平均粒径1.5μm のAl23
粒子:15体積%と、平均粒径1.0μm のTiO2
子:15体積%とを含有する誘電体材料を作製した。そ
してこの誘電体材料100重量部に対し、ビヒクルを7
3重量部添加し、ボールミルで混合してスラリー化し、
スラリーを得た。ビヒクルには、バインダとしてアクリ
ル系樹脂、溶剤としてエチルアルコールおよびトルエ
ン、可塑剤としてフタル酸エステルを用いた。また、ガ
ラス粒子の組成は、SiO2 :62モル%、Al2
3 :8モル%、B23 :3モル%、SrO:20モル
%、CaO:4モル%、MgO:3モル%であり、軟化
点は815℃であった。
【0055】この高周波誘電体材料のペーストを用い、
ドクターブレード法により厚さ0.25mmのグリーンシ
ートを作製した。次いで各グリーンシートに、前記Ag
内部導体ペーストをスクリーン印刷法により印刷し、ス
トリップ線路、グランドプレーンを形成した後、熱プレ
スにより積層してグリーンシート積層体を得た。そし
て、この積層体を脱脂後、空気中で表1に示される温度
で10分間同時焼成した。内部導体の厚さは30μm で
あった。また、内部導体はグリーンシート内に密閉し
た。
【0056】次いで、所定寸法に切断後、グランドプレ
ーン用Agペーストをスクリーン印刷法により印刷し、
空気中で温度850℃で10分間焼成して共振周波数約
1.9GHz のトリプレート線路共振器を得た。寸法は1
0mm×11.7mm×2mmとし、12個のサンプルを作製
した。
【0057】このようにして作製した共振器のQ値の測
定結果を表1に示す。数値としては12個のサンプルの
平均値とバラツキとを示す。
【0058】
【表1】
【0059】次に、線路幅2mm、共振器厚2mm、誘電体
のQF=1000GHz 、線路厚み30μm 、誘電率1
0.9線路の比抵抗1.62E−8Ω/m(線路にバルク
の銀を使用した場合)、グランド面の比抵抗3.24Ω
/mの条件にて、Quのシミュレーションを行ったとこ
ろ、Qu=281.4を得た。この結果と表1との比較
により、内部導体熔融法を用いることにより理論値の8
5%のQ値を得ることが可能となったことがわかる。
【0060】図3〜図12には、サンプルの断面の走査
型電子顕微鏡(SEM)写真(1000倍、500倍)
が示される。このうち、図3、4、5、6、7、8が、
本発明の試料No. 1、2、4、5、6、7の写真、ま
た、図9、10が比較用試料No. 8、図11、12が比
較用試料No. 9の写真である。なお、エッチングは前記
の条件で60秒行った。
【0061】これらから、本発明における内部導体に
は、銀の粒界が存在しないことがわかる。より具体的に
は、試料No. 1では導体ペースト中にフリットがないの
で導体層内にフリットがない。また、試料No. 2、4、
7ではフリットが添加されているが、導体層中にはフリ
ットはなく、導体層中のガラスフリットが排出されてい
る。一方、試料No. 5、6では、ガラスフリットの排出
が一部生じており、フリットが導体内でも集合してい
る。いずれの場合も、導体層の銀は連続しており、粒界
は観察されない。これに対し、比較用試料のNo. 8、9
では、用いた銀粉に応じた粒界が観察される他、画面白
く光るガラスフリットが確認され、また、全体に多孔形
状で連続層を形成しておらず、これにより低いQuしか
得られないことがわかる。なお、TEM観察では、微細
結晶粒界が観察された。
【0062】実施例2 実施例1において、ガラスフリット16.8vol%とガラ
スフリット0vol%の各々につき、融点未満の900℃、
10分の焼成と、融点以上の1000℃、10分の焼成
とを行った後、表2のように、1000℃、10分の焼
成をくり返した。Quの結果を表2に示す。表2の結果
から、融点以上の焼成の効果が明らかである。
【0063】
【表2】
【0064】実施例3 下記の銅系の内部導体ペーストを作製した。銅は、融点
1083℃、比抵抗1.72E−6Ω/cm である。
【0065】 導体ペースト 銅粉 平均粒径3μm 球状 純度99.
9% ガラスフリット SiO2 −Al23 −SrO系
(軟化温度860℃) 有機バインダー アクリル系 有機溶剤 ターピネオール 混合比率 ガラスフリット+銅粉 80wt% 有機バインダー 5.0wt% 有機溶剤 15.0wt%
【0066】上記の各材料を3本ロールにより混合分散
した。このペーストを用い、焼成時の雰囲気をアルゴン
ガス中で密閉型の焼成炉を用いて酸素分圧≦10-6atm
で行い、共振器のグランド面にも銅を使用したほかは、
実施例1と全く同様に共振器を作製した。結果を表3に
示す。
【0067】
【表3】
【0068】なお、シミュレーション値は、線路幅2m
m、共振器厚2mm、誘電体のQF=1000GHz 、線路
厚み30μm 、誘電率10.9、線路の比抵抗1.72
E−8Ω/m(線路にバルクの銀を使用した場合)、グラ
ンド面の比抵抗3.44Ω/mの条件でQu=275.4
であり、本発明に従い、理論値の82%のQ値を得られ
ることがわかる。
【0069】実施例4 原料としてBaCo3 、Nd23 、TiO2 、Bi2
3 、MnCO3 、Al23 を用い、下記組成が得ら
れるように秤量し、秤量原料をボールミルに水と共に入
れ、4時間湿式混合した。次いで、この物質を脱水、乾
燥した後、1280℃で2時間仮焼した。
【0070】 18.2モル%BaO−66.7%TiO2 −15.1
モル%Nd23 BiO3 7.59wt% Al23 1.0wt% MnO 0.5wt%
【0071】この仮焼物と、10wt% のガラスと、1.
0wt% のCuOとを4時間湿式粉砕した。ついで、この
粉砕物を乾燥したのち有機バインダー[ポリビニルアル
コール系のPVA117;呉羽化学工業(株)製、アク
リル系のエルバサイト;デュポン社製]と共にペースト
化した。ガラスはPbO66.9wt% 、B23 14.
8wt% 、ZnO11.6wt% 、Al23 0.41%、
SiO2 3.83wt%含有する組成のものを用いた。誘
電体材料を焼結体としたときの誘電率は73、QF=2
500GHz 、τε=−3.2ppm /℃である。
【0072】一方、導体ペーストは下記の組成とした。
【0073】 銀粉 平均粒径3μm 球状 純度99.
9% ガラスフリット SiO2 −Al23 −SrO系
(軟化点860℃) 有機バインダー アクリル系 有機溶剤 ターピネオール 混合比率 ガラスフリット+銀粉 90wt% 有機バインダー 2.5wt% 有機溶剤 7.5wt%
【0074】上記の各材料を3本ロールにより混合分散
した。
【0075】これらペーストを用い、2.0mm角、長さ
4.6mm、線路幅1.0mm、グランド面の導体材料も銀
を使用した共振器を作製した。結果を表4に示す。
【0076】
【表4】
【0077】なお、シミュレーション値は、線路幅1m
m、共振器厚2mm、誘電体のQF=2500GHz 、線路
厚み30μm 、誘電率73、線路の比抵抗1.62E−
8Ω/m(線路にバルクのAgを使用した場合)、グラン
ド面の比抵抗3.44Ω/mにて、Qu=294.8であ
り、理論値の82%のQuが得られた。
【0078】実施例5 純度99.9%の銀粉およびガラスフリットおよびビヒ
クルを三本ロールにより混合分散した。銀粉は平均径3
μm の球状のものを用い、ガラスフリットとしては、 SiO2 :62モル% SrO:26モル% Al23 :12モル% の組成の平均粒径1.0μm のものを用いた。このガラ
スの軟化点は860℃である。
【0079】混合物にビヒクルを添加し、3本ロールで
混練して内部導体ペーストとした。ビヒクルには、バイ
ンダとしてアクリル樹脂、溶剤としてターピネオールを
用いた。各成分の混合比率は、 銀粉 85.22重量% ガラスフリット 4.77重量% 有機バインダ 2.5重量% 有機溶剤 7.5重量% である。
【0080】これとは別に平均粒径1.9μm のガラス
粒子:70体積%と、平均粒径1.5μm のAl23
粒子:30体積%とを含有する誘電体材料を作製した。
そしてこの誘電体材料100重量部に対し、ビヒクルを
73重量部添加し、ボールミルで混合してスラリー化
し、スラリーを得た。ビヒクルには、バインダとしてア
クリル系樹脂、溶剤としてエチルアルコールおよびトル
エン、可塑剤としてフタル酸エステルを用いた。また、
ガラス粒子の組成は、SiO2 :62モル%、Al2
3 :8モル%、B23 :3モル%、SrO:20モル
%、CaO:4モル%、MgO:3モル%であり、軟化
点は815℃であった。
【0081】この誘電体材料のペーストを用い、ドクタ
ーブレード法により厚さ0.25mmのグリーンシートを
作製した。次いで、4枚のグリーンシートに、前記Ag
内部導体ペーストをスクリーン印刷法により印刷し、線
幅200μm 、3ターンのスルーホールで相互に導通し
たコイルを形成した後、熱プレスにより積層してグリー
ンシート積層体を得た。そして、この積層体を脱脂後、
空気中で表4に示される温度で30分間同時焼成した。
内部導体の厚さは20μm であった。
【0082】次いで、外部電極用Agペーストをスクリ
ーン印刷法により印刷し、空気中で温度850℃で10
分間焼成してLチップを得た。寸法は2.0mm×1.2
mm×1mmとした。
【0083】このようにして作製したLチップのQ値
(100MHz )の測定結果を表5に示す。また、線幅2
00μm 、5ターンで、6層のグリーンシートを用い、
3.2mm×1.6mm×1mmとした他は、上記と同様にし
て作製したLチップの例を表5に併記する。表5に示さ
れる結果から、本発明の効果が明らかである。
【0084】
【表5】
【0085】
【発明の効果】本発明によれば、内部導体が緻密で、Q
値が高く、そのバラツキの小さい多層セラミック基板が
得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の多層セラミック基板を共振器としたと
きの1例が示される部分断面図である。
【図2】本発明の多層セラミック基板を共振器として用
いた電圧制御発振器が示される斜視図である。
【図3】結晶構造を示す図面代用写真であって、本発明
の切断面のエッチング後の走査型電子顕微鏡(SEM)
写真である。
【図4】結晶構造を示す図面代用写真であって、本発明
の切断面のエッチング後のSEM写真である。
【図5】結晶構造を示す図面代用写真であって、本発明
の切断面のエッチング後のSEM写真である。
【図6】結晶構造を示す図面代用写真であって、本発明
の切断面のエッチング後のSEM写真である。
【図7】結晶構造を示す図面代用写真であって、本発明
の切断面のエッチング後のSEM写真である。
【図8】結晶構造を示す図面代用写真であって、本発明
の切断面のエッチング後のSEM写真である。
【図9】結晶構造を示す図面代用写真であって、比較用
共振器の切断面のエッチング後のSEM写真である。
【図10】結晶構造を示す図面代用写真であって、比較
用共振器の切断面のエッチング後のSEM写真である。
【図11】結晶構造を示す図面代用写真であって、比較
用共振器の切断面のエッチング後のSEM写真である。
【図12】結晶構造を示す図面代用写真であって、比較
用共振器の切断面のエッチング後のSEM写真である。
【符号の説明】
1 電圧制御発振器 2 積層体 21、23、25、27 誘電体層 3 ストリップ線路 4 グランドプレーン 5 スルーホール 6 外部導体 7 内部導体 8 表面実装部品
フロントページの続き (72)発明者 安田 教一 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 近藤 英 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 三浦 太郎 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 中井 信也 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−107596(JP,A) 特開 平2−197189(JP,A) 特開 平4−124071(JP,A) 特開 平2−276105(JP,A) 特開 平2−230607(JP,A) 特開 昭61−161807(JP,A) 特開 昭57−206088(JP,A) 特開 平5−21635(JP,A) 特公 昭63−23648(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 3/46 H01P 11/00

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 酸化物骨材を含有するグリーンシートか
    ら形成した絶縁性のセラミック材料層上に内部導体のパ
    ターンを導体粉を含有する導体ペーストから印刷して形
    成し、絶縁性のセラミック材料層と積層して焼成するこ
    とにより、多層セラミック部品を製造する場合におい
    て、 前記絶縁性のセラミック材料層は前記内部導体の融点以
    下の温度で理論密度の95%以上となるように変化する
    ものであり、 前記導体粉が90重量%以上の銀または銅を含有するも
    のであり、 前記焼成に際し、前記内部導体のパターンは、前記セラ
    ミック材料層内に密閉されており、この焼成後に焼成体
    を切断するものであり、 前記内部導体の融点以上で焼成して、 切断して端面をエッチングして内部導体層を走査型電子
    顕微鏡で観察したとき、前記内部導体層には導体粒子の
    粒界が実質的に存在しない多層セラミック部品を得る多
    層セラミック部品の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記導体ペーストは、前記導体粉に対
    し、30体積%以下のガラスフリットを含有するか、ガ
    ラスフリットを含有しない請求項1の多層セラミック部
    品の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記焼成を、前記導体粉の融点以上、融
    点+300℃以下の温度で行なう請求項1または2の多
    層セラミック部品の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記内部導体の連続層が形成されてお
    り、この連続層の外部に前記内部導体層用の内部導体ペ
    ースト中に添加されたガラスフリットが排出されている
    請求項1〜3のいずれかの多層セラミック部品の製造方
    法。
  5. 【請求項5】 Q値が高く、そのバラツキの少ない多層
    セラミック部品を得る請求項1〜4のいずれかの多層セ
    ラミック部品の製造方法。
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