JP3212199B2 - 平板型陰極線管 - Google Patents
平板型陰極線管Info
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- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、映像機器における受像
管,画像表示装置に使用される平板型陰極線管に関す
る。
管,画像表示装置に使用される平板型陰極線管に関す
る。
【0002】
【従来の技術】図9は、本発明者らが特願平5−101138
号にて提案している平板型陰極線管の構成を示す模式的
平面断面図である。図中7は前側金属容器7aと背面金属
容器7bとからなる偏平な筐形の金属容器7である。前側
金属容器7aの正面は開口されており、この部分に正面側
から、蛍光体層5が形成されたスクリーンガラス4を、
結晶化フリットガラス(又は低融点ガラス;以下フリッ
トガラスという)15を介して、又はガラス融着にて接合
してある。また金属容器7の背面側内部には、電子ビー
ム源である陰極部1,該陰極部1より電子ビームを取り
出す電子ビーム取り出し手段2,該電子ビーム取り出し
手段2により取り出された電子ビームの進路を複数の電
極板(図示せず)にて制御する電子ビーム制御手段3が
背面側からこの順に内蔵されている。前記金属容器7
は、これら内蔵物を適宜固設した前側金属容器7aと背面
金属容器7bとを向かい合わせに接合し封着してなる。
号にて提案している平板型陰極線管の構成を示す模式的
平面断面図である。図中7は前側金属容器7aと背面金属
容器7bとからなる偏平な筐形の金属容器7である。前側
金属容器7aの正面は開口されており、この部分に正面側
から、蛍光体層5が形成されたスクリーンガラス4を、
結晶化フリットガラス(又は低融点ガラス;以下フリッ
トガラスという)15を介して、又はガラス融着にて接合
してある。また金属容器7の背面側内部には、電子ビー
ム源である陰極部1,該陰極部1より電子ビームを取り
出す電子ビーム取り出し手段2,該電子ビーム取り出し
手段2により取り出された電子ビームの進路を複数の電
極板(図示せず)にて制御する電子ビーム制御手段3が
背面側からこの順に内蔵されている。前記金属容器7
は、これら内蔵物を適宜固設した前側金属容器7aと背面
金属容器7bとを向かい合わせに接合し封着してなる。
【0003】また電子ビーム制御手段3は、その両端に
バネ12,12が取り付けてあり、このバネ12, 12を、前側
金属容器7aの側部内壁に立設したセラミックス製のスタ
ッドピン11, 11に着脱可能に支持することにより、吊り
下げられている。さらに金属容器7の内部を超高真空状
態(10-5Pa以下)に排気するためのガラス/金属複合
排気管13が、背面金属容器7bに配設されている。
バネ12,12が取り付けてあり、このバネ12, 12を、前側
金属容器7aの側部内壁に立設したセラミックス製のスタ
ッドピン11, 11に着脱可能に支持することにより、吊り
下げられている。さらに金属容器7の内部を超高真空状
態(10-5Pa以下)に排気するためのガラス/金属複合
排気管13が、背面金属容器7bに配設されている。
【0004】以上の如き構成の平板型陰極線管において
は、陰極部1に所定の電圧を印加し、電子ビーム取り出
し手段2に電位を与えると電子ビームが引き出され、電
子ビーム制御手段3に制御信号を与えることで引き出さ
れた電子ビームの進路を制御し、スクリーンガラス4に
形成された蛍光体層5に電子ビームを正確に射突させる
と、画像が再現される。
は、陰極部1に所定の電圧を印加し、電子ビーム取り出
し手段2に電位を与えると電子ビームが引き出され、電
子ビーム制御手段3に制御信号を与えることで引き出さ
れた電子ビームの進路を制御し、スクリーンガラス4に
形成された蛍光体層5に電子ビームを正確に射突させる
と、画像が再現される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのような平
板型陰極線管では、スクリーンガラス4と前側金属容器
7aとをフリットガラス15を介して強固に接合するため
に、図10に示す如く、金属部材(前側金属容器7a) の前
処理として数μm のCr酸化膜 (Cr2 O3 )20を形成
しておく必要があった。図11はCr酸化膜20を形成した
後、フリットガラス15にて接合した部分を示す断面図で
ある。
板型陰極線管では、スクリーンガラス4と前側金属容器
7aとをフリットガラス15を介して強固に接合するため
に、図10に示す如く、金属部材(前側金属容器7a) の前
処理として数μm のCr酸化膜 (Cr2 O3 )20を形成
しておく必要があった。図11はCr酸化膜20を形成した
後、フリットガラス15にて接合した部分を示す断面図で
ある。
【0006】Cr酸化膜20等の酸化膜形成には様々な方
法が存在するが、膜の緻密性及び金属との密着性を考慮
すると、一般的には湿水素雰囲気高温酸化法が良好であ
るとされており、例えばステンレス鋼材(SUS43
0)であれば1000℃×6時間程度の処理にて3μm の酸
化膜が形成されることが分かっている。しかし金属表面
に形成したCr酸化膜とフリットガラスとの接合強度に
ついては、真空応力に対して十分な接合強度を有してい
るとは言い難く、真空容器の構造としては不十分であっ
た。
法が存在するが、膜の緻密性及び金属との密着性を考慮
すると、一般的には湿水素雰囲気高温酸化法が良好であ
るとされており、例えばステンレス鋼材(SUS43
0)であれば1000℃×6時間程度の処理にて3μm の酸
化膜が形成されることが分かっている。しかし金属表面
に形成したCr酸化膜とフリットガラスとの接合強度に
ついては、真空応力に対して十分な接合強度を有してい
るとは言い難く、真空容器の構造としては不十分であっ
た。
【0007】一方、金属を高温で長時間加熱すること
は、熱変形を引き起こし、機械的特性に悪影響を及ぼす
ことは明らかである。材料によっては結晶粒子粗大化が
早く脆化が起こることも知られている。また接合面の平
坦度維持も困難であり均一な接合が困難となるため、接
合後の寸法変動も起こり易くなるということも問題であ
った。本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであ
り、セラミックス膜又はガラス膜を溶射により形成して
金属とガラスとを接合することにより、軽量化のために
収納容器を金属製とした場合でも高い信頼性が得られる
平板型陰極線管を提供することを目的とする。
は、熱変形を引き起こし、機械的特性に悪影響を及ぼす
ことは明らかである。材料によっては結晶粒子粗大化が
早く脆化が起こることも知られている。また接合面の平
坦度維持も困難であり均一な接合が困難となるため、接
合後の寸法変動も起こり易くなるということも問題であ
った。本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであ
り、セラミックス膜又はガラス膜を溶射により形成して
金属とガラスとを接合することにより、軽量化のために
収納容器を金属製とした場合でも高い信頼性が得られる
平板型陰極線管を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】第1発明に係る平板型陰
極線管は、収納容器の接合部分には酸化物系セラミック
スを溶射してなるセラミックス膜を形成してあることを
特徴とする。
極線管は、収納容器の接合部分には酸化物系セラミック
スを溶射してなるセラミックス膜を形成してあることを
特徴とする。
【0009】第2発明に係る平板型陰極線管は、第1発
明において、セラミックス膜とスクリーンガラスとの間
は、結晶化フリットガラスを介して接合してあるか、又
はガラス融着にて接合してあることを特徴とする。
明において、セラミックス膜とスクリーンガラスとの間
は、結晶化フリットガラスを介して接合してあるか、又
はガラス融着にて接合してあることを特徴とする。
【0010】第3発明に係る平板型陰極線管は、収納容
器の接合部分には無機酸化物系ガラスを溶射してなるガ
ラス膜を形成してあることを特徴とする。
器の接合部分には無機酸化物系ガラスを溶射してなるガ
ラス膜を形成してあることを特徴とする。
【0011】第4発明に係る平板型陰極線管は、第3発
明において、ガラス膜とスクリーンガラスとの間は、結
晶化フリットガラスを介して接合してあるか、又はガラ
ス融着にて接合してあることを特徴とする。
明において、ガラス膜とスクリーンガラスとの間は、結
晶化フリットガラスを介して接合してあるか、又はガラ
ス融着にて接合してあることを特徴とする。
【0012】
【作用】第1発明にあっては、収納容器の接合部分に、
酸化物系セラミックスを溶射してなるセラミックス膜を
形成してある。このセラミックス膜は、溶射時に発生す
る多数の気孔が、堆積粒子層によって溶射するセラミッ
クスと収納容器との線膨張係数の差を吸収緩和するた
め、接合強度は高い。またこの溶射時に収納容器は、従
来のCr酸化膜形成時のような高温を受けないため、熱
変形が少ない。
酸化物系セラミックスを溶射してなるセラミックス膜を
形成してある。このセラミックス膜は、溶射時に発生す
る多数の気孔が、堆積粒子層によって溶射するセラミッ
クスと収納容器との線膨張係数の差を吸収緩和するた
め、接合強度は高い。またこの溶射時に収納容器は、従
来のCr酸化膜形成時のような高温を受けないため、熱
変形が少ない。
【0013】第2発明にあっては、このような金属表面
に形成されたセラミックス膜とガラスとを、結晶化フリ
ットガラスを介して、又はガラス融着にて接合する。こ
れにより第1発明の効果に加え、このセラミックス膜と
結晶化フリットガラスとの接合強度は従来から使用され
てきた、Cr酸化膜と結晶化フリットガラスとのそれよ
り高いため、金属からなる収納容器とスクリーンガラス
とを従来より強固に接合することができる。
に形成されたセラミックス膜とガラスとを、結晶化フリ
ットガラスを介して、又はガラス融着にて接合する。こ
れにより第1発明の効果に加え、このセラミックス膜と
結晶化フリットガラスとの接合強度は従来から使用され
てきた、Cr酸化膜と結晶化フリットガラスとのそれよ
り高いため、金属からなる収納容器とスクリーンガラス
とを従来より強固に接合することができる。
【0014】第3発明にあっては、第1発明のセラミッ
クス膜にかえてガラス膜を形成してあるが、線膨張係数
がスクリーンガラスと略同じガラスを溶射すれば、第1
発明と同等の高い接合強度が得られる。またこの場合も
高温熱処理を行う必要がないため、熱変形は少ない。
クス膜にかえてガラス膜を形成してあるが、線膨張係数
がスクリーンガラスと略同じガラスを溶射すれば、第1
発明と同等の高い接合強度が得られる。またこの場合も
高温熱処理を行う必要がないため、熱変形は少ない。
【0015】第4発明にあっては、このような金属表面
に形成されたガラス膜とガラスとを、結晶化フリットガ
ラスを介して、又はガラス融着にて接合する。これによ
り第3発明の効果に加え、このガラス膜と結晶化フリッ
トガラスとの接合強度は従来から使用されてきた、Cr
酸化膜と結晶化フリットガラスとのそれより高いため、
金属からなる収納容器とスクリーンガラスとを従来より
強固に接合することができる。
に形成されたガラス膜とガラスとを、結晶化フリットガ
ラスを介して、又はガラス融着にて接合する。これによ
り第3発明の効果に加え、このガラス膜と結晶化フリッ
トガラスとの接合強度は従来から使用されてきた、Cr
酸化膜と結晶化フリットガラスとのそれより高いため、
金属からなる収納容器とスクリーンガラスとを従来より
強固に接合することができる。
【0016】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。 実施例1.図1は、第1,第2発明に係る平板型陰極線
管の構成を示す模式的平面断面図である。図中7は前側
金属容器7aと背面金属容器7bとからなる偏平な筐形の金
属容器7である。前側金属容器7aの正面は開口されてお
り、この部分に正面側から、蛍光体層5が形成された珪
酸塩系ガラスからなるスクリーンガラス4を、セラミッ
クス膜14及びフリットガラス(結晶化フリットガラス)
15を介して接合してある。また金属容器7の背面側内部
には、電子ビーム源である陰極部1,該陰極部1より電
子ビームを取り出す電子ビーム取り出し手段2,該電子
ビーム取り出し手段2により取り出された電子ビームの
進路を複数の電極板(図示せず)にて制御する電子ビー
ム制御手段3が背面側からこの順に内蔵されている。前
記金属容器7は、これら内蔵物を適宜固設した前側金属
容器7aと背面金属容器7bとを向かい合わせに接合し封着
してなる。
き具体的に説明する。 実施例1.図1は、第1,第2発明に係る平板型陰極線
管の構成を示す模式的平面断面図である。図中7は前側
金属容器7aと背面金属容器7bとからなる偏平な筐形の金
属容器7である。前側金属容器7aの正面は開口されてお
り、この部分に正面側から、蛍光体層5が形成された珪
酸塩系ガラスからなるスクリーンガラス4を、セラミッ
クス膜14及びフリットガラス(結晶化フリットガラス)
15を介して接合してある。また金属容器7の背面側内部
には、電子ビーム源である陰極部1,該陰極部1より電
子ビームを取り出す電子ビーム取り出し手段2,該電子
ビーム取り出し手段2により取り出された電子ビームの
進路を複数の電極板(図示せず)にて制御する電子ビー
ム制御手段3が背面側からこの順に内蔵されている。前
記金属容器7は、これら内蔵物を適宜固設した前側金属
容器7aと背面金属容器7bとを向かい合わせに接合し封着
してなる。
【0017】また電子ビーム制御手段3は、その両端に
バネ12,12が取り付けてあり、このバネ12, 12を、前側
金属容器7aの側部内壁に立設したセラミックス製のスタ
ッドピン11, 11に着脱可能に支持することにより、吊り
下げられている。さらに金属容器7の内部を超高真空状
態(10-5Pa以下)に排気するためのガラス/金属複合
排気管13が、背面金属容器7bに配設されている。
バネ12,12が取り付けてあり、このバネ12, 12を、前側
金属容器7aの側部内壁に立設したセラミックス製のスタ
ッドピン11, 11に着脱可能に支持することにより、吊り
下げられている。さらに金属容器7の内部を超高真空状
態(10-5Pa以下)に排気するためのガラス/金属複合
排気管13が、背面金属容器7bに配設されている。
【0018】以上の如き構成の平板型陰極線管において
は、陰極部1に所定の電圧を印加し、電子ビーム取り出
し手段2に電位を与えると電子ビームが引き出され、電
子ビーム制御手段3に制御信号を与えることで引き出さ
れた電子ビームの進路を制御し、スクリーンガラス4に
形成された蛍光体層5に電子ビームを正確に射突させる
と、画像が再現される。
は、陰極部1に所定の電圧を印加し、電子ビーム取り出
し手段2に電位を与えると電子ビームが引き出され、電
子ビーム制御手段3に制御信号を与えることで引き出さ
れた電子ビームの進路を制御し、スクリーンガラス4に
形成された蛍光体層5に電子ビームを正確に射突させる
と、画像が再現される。
【0019】図2は、前側金属容器7aとスクリーンガラ
ス4との接合部分を示す拡大図である。この接合手順を
以下に述べる。まず所定の大きさ,形状に加工したステ
ンレス鋼(SUS430)からなる前側金属容器7aの接
合表面をAl2 O3 砥粒を用いてサンドブラスト処理し
て粗面化し、さらに脱脂洗浄した後、プラズマ溶射装置
にて室温下でZrO2 −Y2 O3 8%粉末を30〜50μm
の厚みに溶射してセラミックス膜14を形成する。そして
フリットガラス15を所定の幅及び厚みで塗布しスクリー
ンガラス4を載置し、 440℃×40分程度の焼成を行うこ
とにより接合している。図3はフリットガラス15接合時
の炉内温度分布の一例を示すグラフである。図3に示す
如く、毎分 3.5℃にて昇温し、 470℃にて60分維持した
後、 150℃までは毎分 2.6℃にて降温し、その後は毎分
2.0℃にて降温する。炉内を 470℃に設定した場合、接
合面温度は約 440℃が得られた。
ス4との接合部分を示す拡大図である。この接合手順を
以下に述べる。まず所定の大きさ,形状に加工したステ
ンレス鋼(SUS430)からなる前側金属容器7aの接
合表面をAl2 O3 砥粒を用いてサンドブラスト処理し
て粗面化し、さらに脱脂洗浄した後、プラズマ溶射装置
にて室温下でZrO2 −Y2 O3 8%粉末を30〜50μm
の厚みに溶射してセラミックス膜14を形成する。そして
フリットガラス15を所定の幅及び厚みで塗布しスクリー
ンガラス4を載置し、 440℃×40分程度の焼成を行うこ
とにより接合している。図3はフリットガラス15接合時
の炉内温度分布の一例を示すグラフである。図3に示す
如く、毎分 3.5℃にて昇温し、 470℃にて60分維持した
後、 150℃までは毎分 2.6℃にて降温し、その後は毎分
2.0℃にて降温する。炉内を 470℃に設定した場合、接
合面温度は約 440℃が得られた。
【0020】セラミックスを溶射するセラミックス溶射
では、上述の如きプラズマ溶射法が一般的であり、図4
はこのプラズマ溶射法の実施状態を示す模式図である。
プラズマ溶射は、プラズマ溶射ガン16にてN2 ,H2 、
又はNe,Ar等の不活性ガスを電離させ、このプラズ
マ溶射ガン16から発せられる高温・高速のプラズマジェ
ットに、コートしたい材料のセラミックス粉末を送り込
み、ジェット中で溶融・噴射・加速して母材である前側
金属容器7aにこの溶射粒子17を衝突させ膜を形成する方
法である。プラズマジェットは極めて高温であり、セラ
ミックス材料の如き高融点物質の溶射に適している。セ
ラミックスの粒子は母材に衝突した後、偏平に変形して
急速に固化し、それらの粒子が次々に積層されることで
膜が形成される。
では、上述の如きプラズマ溶射法が一般的であり、図4
はこのプラズマ溶射法の実施状態を示す模式図である。
プラズマ溶射は、プラズマ溶射ガン16にてN2 ,H2 、
又はNe,Ar等の不活性ガスを電離させ、このプラズ
マ溶射ガン16から発せられる高温・高速のプラズマジェ
ットに、コートしたい材料のセラミックス粉末を送り込
み、ジェット中で溶融・噴射・加速して母材である前側
金属容器7aにこの溶射粒子17を衝突させ膜を形成する方
法である。プラズマジェットは極めて高温であり、セラ
ミックス材料の如き高融点物質の溶射に適している。セ
ラミックスの粒子は母材に衝突した後、偏平に変形して
急速に固化し、それらの粒子が次々に積層されることで
膜が形成される。
【0021】溶射は高融点物質を溶融付着させるプロセ
スであるにもかかわらず、母材の温度上昇は比較的小さ
く、一般には 150℃程度に抑制可能であることが知られ
ている。従って溶射粒子17の衝突による母材の歪変形の
虞が少ないといえる。本実施例でも前側金属容器7aの温
度上昇は 100℃程度であり、金属の変形等は認められな
かった。また溶射されたセラミックス膜14は、研磨加工
により精密な寸法精度及び優秀な表面粗度に加工するこ
とが可能である。
スであるにもかかわらず、母材の温度上昇は比較的小さ
く、一般には 150℃程度に抑制可能であることが知られ
ている。従って溶射粒子17の衝突による母材の歪変形の
虞が少ないといえる。本実施例でも前側金属容器7aの温
度上昇は 100℃程度であり、金属の変形等は認められな
かった。また溶射されたセラミックス膜14は、研磨加工
により精密な寸法精度及び優秀な表面粗度に加工するこ
とが可能である。
【0022】図5は、セラミックス膜14と母材である前
側金属容器7aとの接合部分をさらに拡大した断面図であ
る。これらの接合は主として図5に示す如き投錨効果に
よるものであるとされている。またセラミックス膜14内
で溶射時に発生する多数の気孔が、堆積粒子層によって
溶射する材料と母材との線膨張係数の差を吸収緩和する
能力を有している。
側金属容器7aとの接合部分をさらに拡大した断面図であ
る。これらの接合は主として図5に示す如き投錨効果に
よるものであるとされている。またセラミックス膜14内
で溶射時に発生する多数の気孔が、堆積粒子層によって
溶射する材料と母材との線膨張係数の差を吸収緩和する
能力を有している。
【0023】このようにプラズマ溶射により形成したセ
ラミックス膜14のフリットガラス15に対する接合強度を
測定した結果を、他のサンプルと比較して表1に示す。
測定には、30mm×30mm×t5mmのステンレス鋼(SUS
430)表面に上述の如きプラズマ溶射でセラミックス
膜14(60μm)を形成したもの、同じくステンレス鋼表面
に湿水素酸化でCr酸化膜(3μm)を形成したもの、及
びガラス板(#5000)のみのものをサンプルとして用い
ている。そしてフリットガラスを 440℃×1時間の熱処
理を行い自然融着させて約25mm径とした後、引っ張り強
度試験によりサンプル板とフリットガラスとの接合強度
を測定した。なおデータとしては5回のテスト結果の平
均値を採用している。
ラミックス膜14のフリットガラス15に対する接合強度を
測定した結果を、他のサンプルと比較して表1に示す。
測定には、30mm×30mm×t5mmのステンレス鋼(SUS
430)表面に上述の如きプラズマ溶射でセラミックス
膜14(60μm)を形成したもの、同じくステンレス鋼表面
に湿水素酸化でCr酸化膜(3μm)を形成したもの、及
びガラス板(#5000)のみのものをサンプルとして用い
ている。そしてフリットガラスを 440℃×1時間の熱処
理を行い自然融着させて約25mm径とした後、引っ張り強
度試験によりサンプル板とフリットガラスとの接合強度
を測定した。なおデータとしては5回のテスト結果の平
均値を採用している。
【0024】
【表1】
【0025】表1より、プラズマ溶射により形成したセ
ラミックス膜14は、フリットガラスとの接着に関して多
方面で既に実績があるガラス,Cr酸化膜よりも高い接
着強度を有することが判る。さらに従来使用されていた
Cr酸化膜を形成する場合、収納容器を構成する金属の
組成はFe−Cr系等に限定されていたが、本発明のセ
ラミックス膜14を形成する場合は特に制限する必要はな
い。
ラミックス膜14は、フリットガラスとの接着に関して多
方面で既に実績があるガラス,Cr酸化膜よりも高い接
着強度を有することが判る。さらに従来使用されていた
Cr酸化膜を形成する場合、収納容器を構成する金属の
組成はFe−Cr系等に限定されていたが、本発明のセ
ラミックス膜14を形成する場合は特に制限する必要はな
い。
【0026】このようにしてスクリーンガラス4を接合
した前側金属容器7aに背面金属容器7bを金属溶接した
後、 400℃×20分(昇温;10℃/分,降温;10℃/分)
の熱処理工程を通してガラス/金属複合排気管13から真
空引きを行った。このときガラス/金属接合部に異常は
認められなかった。またこの平板型陰極線管に外気圧を
加え、内外圧力差3kgで10分間保持したが、容器の破
損はなく、ガラス/金属接合部にも異常は認められなか
った。本試験を行った後、Heリークディテクターで気
密性を検査したが、装置の限界を終えるリークは検出さ
れなかった。
した前側金属容器7aに背面金属容器7bを金属溶接した
後、 400℃×20分(昇温;10℃/分,降温;10℃/分)
の熱処理工程を通してガラス/金属複合排気管13から真
空引きを行った。このときガラス/金属接合部に異常は
認められなかった。またこの平板型陰極線管に外気圧を
加え、内外圧力差3kgで10分間保持したが、容器の破
損はなく、ガラス/金属接合部にも異常は認められなか
った。本試験を行った後、Heリークディテクターで気
密性を検査したが、装置の限界を終えるリークは検出さ
れなかった。
【0027】実施例2.図6は、第1,第2発明に係る
平板型陰極線管の、前側金属容器7aとスクリーンガラス
4との接合部分の他の実施例を示す模式的断面図であ
る。本実施例では、セラミックス膜14を形成した前側金
属容器7aとスクリーンガラス4とを、ガラス融着にて接
合してある。他の構成は図1に示すものと同様である。
ガラス融着は、スクリーンガラス4のへたり変形抑制、
及びスクリーンガラス4と前側金属容器7aとの接合位置
合わせのためのカーボン型を使用し、N2 雰囲気炉に
て、 900℃×30分の加熱を行った後、徐冷して実施し
た。図7はこのガラス融着時の炉内温度分布の一例を示
すグラフである。図7に示す如く、毎分20℃にて昇温
し、900℃にて20分維持した後、 550℃までは毎分 2.6
℃にて降温し、その後は毎分1.7℃にて降温する。本実
施例においても前述の実施例と同様、良好な接合結果が
得られた。
平板型陰極線管の、前側金属容器7aとスクリーンガラス
4との接合部分の他の実施例を示す模式的断面図であ
る。本実施例では、セラミックス膜14を形成した前側金
属容器7aとスクリーンガラス4とを、ガラス融着にて接
合してある。他の構成は図1に示すものと同様である。
ガラス融着は、スクリーンガラス4のへたり変形抑制、
及びスクリーンガラス4と前側金属容器7aとの接合位置
合わせのためのカーボン型を使用し、N2 雰囲気炉に
て、 900℃×30分の加熱を行った後、徐冷して実施し
た。図7はこのガラス融着時の炉内温度分布の一例を示
すグラフである。図7に示す如く、毎分20℃にて昇温
し、900℃にて20分維持した後、 550℃までは毎分 2.6
℃にて降温し、その後は毎分1.7℃にて降温する。本実
施例においても前述の実施例と同様、良好な接合結果が
得られた。
【0028】実施例3.図8は、第3,第4発明に係る
平板型陰極線管の、前側金属容器7aとスクリーンガラス
4との接合部分を示す模式的断面図である。本実施例で
は、前側金属容器7a表面にガラス膜18を形成し、さらに
フリットガラス15を介してスクリーンガラス4と接合し
てある。他の構成は図1に示すものと同様である。前述
の実施例ではプラズマ溶射装置から発せられるプラズマ
ジェットにセラミックス粉末を送り込んでセラミックス
膜14を形成したが、本実施例ではこのセラミックス粉末
にかえてガラス粉末を送り込み、30〜50μm のガラス膜
18を形成してある。このガラス粉末にはスクリーンガラ
ス4と線膨張係数が略同じ 100×10-7/℃であり、軟化
温度が 660℃であるSiO2 −PbO系ガラスを使用し
た。
平板型陰極線管の、前側金属容器7aとスクリーンガラス
4との接合部分を示す模式的断面図である。本実施例で
は、前側金属容器7a表面にガラス膜18を形成し、さらに
フリットガラス15を介してスクリーンガラス4と接合し
てある。他の構成は図1に示すものと同様である。前述
の実施例ではプラズマ溶射装置から発せられるプラズマ
ジェットにセラミックス粉末を送り込んでセラミックス
膜14を形成したが、本実施例ではこのセラミックス粉末
にかえてガラス粉末を送り込み、30〜50μm のガラス膜
18を形成してある。このガラス粉末にはスクリーンガラ
ス4と線膨張係数が略同じ 100×10-7/℃であり、軟化
温度が 660℃であるSiO2 −PbO系ガラスを使用し
た。
【0029】前述の実施例と同様に、背面金属容器7bを
金属溶接した後、真空状態として強度確認及び気密性を
検査したが、ガラス/金属接合部分を含めて何ら異常は
認められなかった。なおガラス膜18の密着性を向上させ
るために前側金属容器7aは 400℃に余熱して使用した
が、前側金属容器7aの変形は認められなかった。
金属溶接した後、真空状態として強度確認及び気密性を
検査したが、ガラス/金属接合部分を含めて何ら異常は
認められなかった。なおガラス膜18の密着性を向上させ
るために前側金属容器7aは 400℃に余熱して使用した
が、前側金属容器7aの変形は認められなかった。
【0030】また図示しないがガラス膜18とスクリーン
ガラス4とをガラス融着にて接合しても、前述の実施例
と同様、良好な効果が得られた。
ガラス4とをガラス融着にて接合しても、前述の実施例
と同様、良好な効果が得られた。
【0031】
【発明の効果】以上のように本発明に係る平板型陰極線
管は、金属表面にセラミックス膜又はガラス膜を溶射に
より形成し、これらとスクリーンガラスとの間は、結晶
化フリットガラスを介して、又はガラス融着にて接合し
てあるので、形状,サイズに係わらず、軽量化のために
収納容器を金属製としても、収納容器の強度及び気密性
を十分確保することができる。また金属部分を長時間,
高温にさらす必要がないため、寸法精度も十分に確保す
ることができ、ハイビジョン用の受像管のように全体的
に高い組立精度を要求される平板型陰極線管にも適用が
可能である。さらに従来行われていた湿水素処理とは異
なり、同時に多くの材料を連続的に処理することができ
るため、量産性にも優れている等、本発明は優れた効果
を奏する。
管は、金属表面にセラミックス膜又はガラス膜を溶射に
より形成し、これらとスクリーンガラスとの間は、結晶
化フリットガラスを介して、又はガラス融着にて接合し
てあるので、形状,サイズに係わらず、軽量化のために
収納容器を金属製としても、収納容器の強度及び気密性
を十分確保することができる。また金属部分を長時間,
高温にさらす必要がないため、寸法精度も十分に確保す
ることができ、ハイビジョン用の受像管のように全体的
に高い組立精度を要求される平板型陰極線管にも適用が
可能である。さらに従来行われていた湿水素処理とは異
なり、同時に多くの材料を連続的に処理することができ
るため、量産性にも優れている等、本発明は優れた効果
を奏する。
【図1】第1,第2発明に係る平板型陰極線管を示す模
式的平面断面図である。
式的平面断面図である。
【図2】前側金属容器とスクリーンガラスとの接合部分
を示す拡大図である。
を示す拡大図である。
【図3】フリットガラス接合時の炉内温度分布の一例を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図4】プラズマ溶射法の実施状態を示す模式図であ
る。
る。
【図5】セラミックス膜と前側金属容器との接合部分を
さらに拡大した断面図である。
さらに拡大した断面図である。
【図6】第1,第2発明に係る平板型陰極線管の、前側
金属容器とスクリーンガラスとの接合部分の他の実施例
を示す模式的断面図である。
金属容器とスクリーンガラスとの接合部分の他の実施例
を示す模式的断面図である。
【図7】ガラス融着時の炉内温度分布の一例を示すグラ
フである。
フである。
【図8】第3,第4発明に係る平板型陰極線管の、前側
金属容器とスクリーンガラスとの接合部分を示す模式的
断面図である。
金属容器とスクリーンガラスとの接合部分を示す模式的
断面図である。
【図9】従来の平板型陰極線管の構成を示す模式的平面
断面図である。
断面図である。
【図10】前側金属容器に前処理を行った状態を示す断
面図である。
面図である。
【図11】Cr酸化膜を形成した後、フリットガラスに
て接合した部分を示す断面図である。
て接合した部分を示す断面図である。
【符号の説明】 1 陰極部 2 電子ビーム取り出し手段 3 電子ビーム制御手段 4 スクリーンガラス 5 蛍光体層 7 金属容器 7a 前側金属容器 7b 背面金属容器 11 スタッドピン 12 バネ 14 セラミックス膜 15 フリットガラス 18 ガラス膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木田 音次郎 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150 旭 硝子株式会社 中央研究所内 (72)発明者 井桁 俊一 京都府長岡京市馬場図所1番地 三菱電 機株式会社 管球製作所内 (72)発明者 中村 浩二 京都府長岡京市馬場図所1番地 三菱電 機株式会社 管球製作所内 (56)参考文献 特開 平5−54838(JP,A) 特公 昭32−10219(JP,B1) 特公 昭24−1238(JP,B1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 29/86 H01J 9/26 C03C 27/02
Claims (4)
- 【請求項1】 金属からなる収納容器の正面に形成され
た開口部にスクリーンガラスを接合してなる平板型陰極
線管において、前記収納容器の接合部分には酸化物系セ
ラミックスを溶射してなるセラミックス膜を形成してあ
ることを特徴とする平板型陰極線管。 - 【請求項2】 セラミックス膜とスクリーンガラスとの
間は、結晶化フリットガラスを介して接合してあるか、
又はガラス融着にて接合してあることを特徴とする請求
項1記載の平板型陰極線管。 - 【請求項3】 金属からなる収納容器の正面に形成され
た開口部にスクリーンガラスを接合してなる平板型陰極
線管において、前記収納容器の接合部分には無機酸化物
系ガラスを溶射してなるガラス膜を形成してあることを
特徴とする平板型陰極線管。 - 【請求項4】 ガラス膜とスクリーンガラスとの間は、
結晶化フリットガラスを介して接合してあるか、又はガ
ラス融着にて接合してあることを特徴とする請求項3記
載の平板型陰極線管。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24812893A JP3212199B2 (ja) | 1993-10-04 | 1993-10-04 | 平板型陰極線管 |
TW084214263U TW315041U (en) | 1993-10-04 | 1994-06-20 | Flat type crt |
US08/267,754 US5528100A (en) | 1993-10-04 | 1994-07-05 | Flat cathode-ray tube |
DE4431386A DE4431386C2 (de) | 1993-10-04 | 1994-08-25 | Verfahren zur Herstellung einer flachen Kathodenstrahlröhre |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR20000024431A (ko) * | 2000-02-14 | 2000-05-06 | 이남재 | 연성 고형 입자사료의 제조방법 |
JP2002083535A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Sony Corp | 密封容器およびその製造方法ならびに表示装置 |
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KR20010099196A (ko) * | 2001-09-10 | 2001-11-09 | 제창국 | 천연 무기질을 주재로 한 광물사료 및 무기물 먹이 |
US6745449B2 (en) * | 2001-11-06 | 2004-06-08 | Raytheon Company | Method and apparatus for making a lid with an optically transmissive window |
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JP3977324B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
JP4650413B2 (ja) | 2003-04-10 | 2011-03-16 | 株式会社ニコン | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
WO2004093160A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
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TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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- 1993-10-04 JP JP24812893A patent/JP3212199B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1994-09-30 KR KR1019940025037A patent/KR0148417B1/ko not_active IP Right Cessation
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