JP2001068042A

JP2001068042A - 電子線励起ディスプレイ用スペーサ

Info

Publication number: JP2001068042A
Application number: JP23975199A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Mizuno; 俊明水野
Original assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Current assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Priority date: 1999-08-26
Filing date: 1999-08-26
Publication date: 2001-03-16

Abstract

(57)【要約】【課題】電子放出素子から蛍光膜に向かって放出され
た電子の軌道を安定させて画像を安定させることができ
る電子線励起ディスプレイ用スペーサを提供する。【解決手段】フェースプレート１１とリアプレート１
２とは支持枠１３を介して気密的に接合され、支持枠１
３と共に気密且つ耐大気圧構造の真空容器を形成する。
フェースプレート１１及びリアプレート１２の間には大
気圧支持部材として複数のガラススペーサ２０が挿入さ
れる。ガラススペーサ２０には、その表面に凹凸膜２１
が形成されている。凹凸膜２１は、例えば、ＳｉＯ₂膜
マトリックスにＳｉＯ₂微粒子を均一に分散して形成さ
れ、該膜マトリックスの中に分散されたＳｉＯ₂微粒子
により膜表面に凹凸が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子線励起ディス
プレイ用スペーサに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、大きくて重いブラウン管型ディス
プレイに代わるものとして、薄型で軽いいわゆるフラッ
ト型電子線励起ディスプレイ（ＦＥＤ）が注目されてい
る。このフラット型電子線励起ディスプレイは、互いに
対向して配置されたガラス製のフェースプレート及びリ
アプレートにより形成された約１０^-5ｔｏｒｒ以下の真
空雰囲気の真空容器の中に電子線源、蛍光体、その他の
構成部品を作り込まなければならず、この真空容器は耐
大気圧構造にする必要がある。

【０００３】フラット型電子線励起ディスプレイは、内
面に蛍光膜が塗布されたガラス製のフェースプレート
と、内面に電子放出素子群が形成されたガラス製のリア
プレートとを備える。また、フェースプレートとリアプ
レートとは支持枠を介して気密に接合され、支持枠と共
に気密の耐大気圧構造をなす真空容器を形成する。

【０００４】この真空容器内部は上記のように真空に保
持されるので、ディスプレイの表示画面が大きくなるに
従って、真空容器内部と外部の気圧差によりフェースプ
レートとリアプレートが変形又は接触する場合があり、
この変形又は接触を防止するために、フェースプレート
とリアプレートとの間には大気圧支持部材として複数の
ガラススペーサが挿入される。

【０００５】しかしながら、ガラススペーサの近傍にあ
る電子放出素子から放出された電子は、その一部がガラ
ススペーサに衝突することにより又は放出された電子そ
のものの作用によりガラススペーサに帯電を引き起こす
可能性があり、このガラススペーサの帯電により、電子
放出素子から放出された電子はその軌道が曲げられる。

【０００６】また、電子放出素子から放出された電子を
加速するために電子放出素子とフェースプレートとの間
には数百ボルト以上の高電圧（１ｋＶ／ｍｍ以上）を印
加するため、ガラススペーサ表面での沿面放電が発生す
る可能性があり、ガラススペーサが帯電している場合は
特に該放電が発生する可能性が高い。この放電も電子放
出素子から放出された電子の軌道を曲げる原因となる。

【０００７】上記のように電子放出素子から放出された
電子の軌道が曲がると、電子は蛍光体上の正規な位置と
は異なる場所に到達し、ガラススペーサ近傍の画像が歪
んで表示され、この問題点を解消する対策として、ガラ
ススペーサ表面に帯電防止用の高抵抗膜を成膜すること
が提案されている（例えば特開平１１−７９１０号公
報）。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガラス
スペーサ表面に帯電防止用の高抵抗膜を成膜したとして
も、電子放出素子からの電子が帯電防止用の高抵抗膜に
衝突した際に２次電子が発生するため、依然として該電
子の軌道が安定せず画面を安定させることができない。
この２次電子の放出は、帯電防止用の高抵抗膜の組成変
更によりある程度は抑制することができるが、完全に抑
制することはできない。

【０００９】本発明の目的は、電子放出素子から蛍光膜
に向かって放出された電子の軌道を安定させて画像を安
定させることができる電子線励起ディスプレイ用スペー
サを提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の電子線励起ディスプレイ用スペーサ
は、表面に酸化物微粒子を含有する凹凸膜が形成された
ことを特徴とする。

【００１１】請求項１記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサによれば、スペーサ表面に、酸化物微粒子を含
有する凹凸膜が形成されているので、電子放出素子から
蛍光膜に向かって放出された電子が該スペーサに衝突し
たときに発生する２次電子を凹凸膜でトラップすること
により、該電子の軌道を安定させて画像を安定させるこ
とができる。

【００１２】請求項２記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサは、請求項１に記載の電子線励起ディスプレイ
用スペーサにおいて、前記凹凸膜の表面粗さが算術平均
粗さで１０〜１５０ｎｍであることを特徴とする。

【００１３】請求項２記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサによれば、凹凸膜の表面粗さが算術平均粗さで
１０〜１５０ｎｍであるので、電子がスペーサに衝突し
たときに発生する２次電子を凹凸膜で確実にトラップす
ることができる。

【００１４】請求項３記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサは、請求項２に記載の電子線励起ディスプレイ
用スペーサにおいて、前記凹凸膜中の前記酸化物微粒子
の含有量が１０〜８０重量％であることを特徴とする。

【００１５】請求項３記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサによれば、凹凸膜中の酸化物微粒子の含有量が
１０〜８０重量％であるので、凹凸膜の表面に実質的に
凹凸を形成することができると共に、凹凸膜の強度を維
持して酸化物微粒子が剥がれ落ちるのを防止することが
できる。

【００１６】請求項４記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサは、請求項２又は３に記載の電子線励起ディス
プレイ用スペーサにおいて、前記酸化物微粒子の粒径が
４〜３００ｎｍであることを特徴とする。

【００１７】請求項４記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサによれば、酸化物微粒子の粒径が４〜３００ｎ
ｍであるので、酸化物微粒子を凹凸膜のマトリックス中
に均等に分散することができると共に、凹凸膜の成膜に
使用するマトリックス形成用溶液中で沈降が起こるのを
防止することができる。

【００１８】請求項５記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサは、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電
子線励起ディスプレイ用スペーサにおいて、前記酸化物
微粒子が、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン及
び酸化ジルコニウムから成る群から選択された少なくと
も１種の酸化物から成ることを特徴とする。

【００１９】請求項５記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサによれば、酸化物微粒子が、酸化珪素、酸化ア
ルミニウム、酸化チタン及び酸化ジルコニウムから成る
群から選択された少なくとも１種の酸化物から成るの
で、凹凸膜の成膜時及び電子線励起ディスプレイの作製
時における高温の熱処理によっても凹凸膜の構造、組成
等が変化するのを防止することができる。

【００２０】請求項６記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサは、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電
子線励起ディスプレイ用スペーサにおいて、前記凹凸膜
の膜厚が１０〜５００ｎｍであることを特徴とする。

【００２１】請求項６記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサによれば、凹凸膜の膜厚が１０〜５００ｎｍで
あるので、酸化物微粒子を均一に分散させることがでる
と共に、凹凸膜の成膜を容易にすることができる。

【００２２】請求項７記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサは、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電
子線励起ディスプレイ用スペーサにおいて、前記凹凸膜
のマトリックスの表面抵抗が１０⁵〜１０¹²Ω／□であ
ることを特徴とする。

【００２３】請求項７記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサによれば、凹凸膜に帯電防止用の高抵抗膜の機
能を持たせることができ、その結果、電子放出防止素子
から放出された電子の軌道を安定化させて該電子が凹凸
膜に衝突する可能性を低減することができる。

【００２４】請求項８記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサは、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電
子線励起ディスプレイ用スペーサにおいて、前記スペー
サがガラス製であることを特徴とする。

【００２５】請求項８記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサによれば、該スペーサを容易に作製することが
できる。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明者は、上記目的を達成すべ
く鋭意研究を行った結果、電子線励起ディスプレイ用ス
ペーサの表面に、酸化物微粒子を含有する凹凸膜を形成
すると、電子放出素子から蛍光膜に向かって放出された
電子が該スペーサに衝突したときに発生する２次電子を
凹凸膜でトラップすることにより、該電子の軌道を安定
させて画像を安定させることができることを見い出し
た。

【００２７】本発明は、上記研究の結果に基づいてなさ
れたものである。

【００２８】以下、本発明の実施の形態に係る電子線励
起ディスプレイ用スペーサを図面を参照して説明する。

【００２９】図１は、本発明の実施の形態に係るガラス
スペーサを備える電子線励起ディスプレイの部分切欠き
斜視図である。

【００３０】図１の電子線励起ディスプレイは、内面に
蛍光膜１４が塗布されたフェースプレート１１と、内面
に後述する電子放出素子群が形成されたリアプレート１
２とを備える。蛍光膜１４は、該電子放出素子群から電
子ビームが照射されて発光する。また、蛍光膜１４の内
面には、蛍光膜１４が発する光の一部を鏡面反射して光
の利用率を向上させる等のためにメタルバック１５が形
成されている。

【００３１】また、フェースプレート１１とリアプレー
ト１２とは、図１のＡ−Ａ断面図である図２に示すよう
に支持枠１３を介して気密に接合され、支持枠１３と共
に気密且つ耐大気圧構造の真空容器を形成する。

【００３２】真空容器を組み立てるにあたっては、各部
材の接合部に十分な強度と気密性を保持させるため、例
えばフリットガラスを接合部に塗布し、大気圧又は窒素
雰囲気中で４００〜５００℃で１０分以上焼成すること
により各部材を封着する。

【００３３】リアプレート１２には基板１６が固定さ
れ、この基板１６の上に電子放出素子１７がｎ×ｍ個形
成されている。ここで、ｎ，ｍは２以上の正の整数であ
り、目的とする表示画素数に応じて適宜設定される。こ
れらのｎ×ｍ個の電子放出素子１７は、ｍ本の行方向配
線１８とｎ本の列方向配線１９により単純マトリックス
配線されている。

【００３４】行方向配線１８と列方向配線１９を介して
所望の電子放出素子に電圧を印加すると、該電子放出素
子１７から電子が放出され、それと同時にメタルバック
１５に十〜数百Ｖの高圧を印加して、上記放出された電
子を加速し、フェースプレート１１の内面の蛍光膜１４
に衝突させると、蛍光膜１４の蛍光体が励起されて発光
し、フェースプレート１１上に画像が形成される。

【００３５】図１の電子線励起ディスプレイを構成する
真空容器は上記のように内部が真空に保持されるので、
該ディスプレイの表示画面が大きくなるに従って、真空
容器内部と外部の気圧差によりフェースプレート１１と
リアプレート１２が変形又は接触する場合があり、この
変形又は接触を防止するために、フェースプレート１１
及びリアプレート１２の間には大気圧支持部材として複
数のガラススペーサ２０が挿入される。ガラススペーサ
２０は、例えば、高さ３ｍｍ、板厚２００μｍ、長さ１
００ｍｍの薄板状であり、行方向配線１８に平行に配置
されている。

【００３６】ガラススペーサ２０は、接合部材４１を介
してフェースプレート１１の内側（メタルバック１５
等）及び行方向配線１８に固定され且つ電気的に接続さ
れる。

【００３７】ガラススペーサ２０には、その表面に凹凸
膜２１が成膜されている。

【００３８】ガラススペーサ２０は、基板１６上の行方
向配線１８及び列方向配線１９とフェースプレート１１
内面のメタルバック１５との間に印加される高電圧に耐
えるだけの絶縁性を有する材料、具体的には、ソーダラ
イムガラス、石英ガラス、Ｎａ等の不純物含有量を減少
したガラス等から形成してもよく、またガラススペーサ
２０をセラミックス製のスペーサに代えてもよい。ま
た、ガラススペーサ２０は、その熱膨張率が真空容器及
び基板１６を成す部材に近い材料から形成するのが好ま
しい。

【００３９】凹凸膜２１は、膜マトリックスに酸化物微
粒子を均一に分散して形成され、ガラススペーサ２０の
表面のうち少なくとも真空容器内の真空雰囲気に露出し
ている面に後述の方法により成膜される。凹凸膜２１
は、膜マトリックスの中に分散された酸化物微粒子によ
り膜表面に凹凸が形成される。この凹凸は、電子放出素
子１７からの電子が凹凸膜２１に衝突することにより放
出される２次電子をトラップする。

【００４０】凹凸膜２１の表面粗さは、算術平均粗さ
（Ｒａ）で１０〜１５０ｎｍ、好ましくは、５０〜１３
０ｎｍあるのがよい。該表面粗さが、１０ｎｍ未満のと
き又は１５０ｎｍを越えるときは、２次電子の吸収効率
が低い。

【００４１】凹凸膜２１中の酸化物微粒子の含有量は、
１０〜８０重量％が好ましい。該含有量が１０重量％未
満のときは、凹凸膜２１の表面に凹凸が実質的に形成さ
れず、８０重量％を越えると、凹凸膜２１の厚み方向で
膜マトリックス部分のしめる割合が少ないため凹凸膜２
１の強度が低くなって酸化物微粒子が剥がれ落ちてしま
う。

【００４２】凹凸膜２１中の酸化物微粒子の粒径は、４
〜３００ｎｍが好ましい。該粒径が４ｎｍ未満のとき
は、表面粗さを大きくすることができず２次電子吸収効
率が低く、３００ｎｍを越えると、酸化物微粒子が大き
くなり過ぎて膜マトリクス中に均一に分散できず、ま
た、凹凸膜２１の成膜時に用いる膜マトリックス形成用
溶液中で沈降が起こるので再現性良く凹凸膜２１を得る
のが困難となる。

【００４３】凹凸膜２１中の酸化物微粒子は、酸化珪
素、酸化アルミニウム、酸化チタン及び酸化ジルコニウ
ムからなる群より選ばれる少なくとも一種の酸化物であ
るのが好ましい。

【００４４】凹凸膜２１に用いられる膜マトリックスの
材料は、後述するような凹凸膜２１の成膜時及び電子線
励起ディスプレイの作製時における高温の熱処理によっ
ても凹凸膜２１の構造、組成等が変化せず所望の表面抵
抗を維持することができる材料が好ましい。具体的に
は、該材料は、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタ
ン及び酸化ジルコニウムからなる群より選ばれる少なく
とも一種の酸化物であるのが好ましい。なお、上記酸化
物微粒子と同じ材料である必要はない。

【００４５】凹凸膜２１の膜厚は、１０〜５００ｎｍで
あるのが好ましい。該膜厚が、１０ｎｍ未満のときは、
酸化物微粒子を均一に分散するのが困難になり、５００
ｎｍを越えると、凹凸膜２１の成膜が困難になる。

【００４６】凹凸膜２１の膜マトリックスの表面抵抗
は、１０⁵〜１０¹²Ω／□、好ましくは、１０⁵〜１０¹¹
Ω／□であるのがよい。該表面抵抗が、１０¹²Ω／□を
越えると十分な帯電防止効果を得ることができなくな
り、下限値１０⁵Ω／□は、帯電防止の観点からガラス
スペーサ２０の形状とスペーサ２０に印加される電圧に
よって選択される。これにより、凹凸膜２１は、帯電防
止用の高抵抗膜の機能をも有し、電子放出素子１７から
放出された電子の軌道を安定化させて該電子が凹凸膜２
１に衝突する可能性を低減させることができる。

【００４７】

【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。

【００４８】まず、ガラススペーサ２０を、ソーダライ
ムガラス材料（主として、ＳｉＯ₂７２重量％、Ｎａ₂Ｏ
１３重量％、ＣａＯ８重量％、ＭｇＯ４重量％、Ａｌ₂
Ｏ₃１．８重量％、Ｋ₂Ｏ０．９重量％を含む）で作製
し、このガラススペーサ２０の表面に、表１に示す微粒
子組成、微粒子含有量、粒径、膜厚、表面粒子粗さ（Ｒ
ａ）の凹凸膜２１を後述する方法により成膜した試料
（実施例試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１０、比較例試料Ｎｏ．
１〜Ｎｏ．４）を準備し、さらに、これらの試料を用い
て後述する方法によりフラット型電子線励起ディスプレ
イを作製した。

【００４９】まず、凹凸膜２１をガラススペーサ２０表
面に成膜するに際して、以下のように凹凸膜形成用コー
ティング液を調製した。

【００５０】有機金属化合物であるテトラエトキシシラ
ン（（Ｃ₂Ｈ₅Ｏ）₄Ｓｉ）の市販品をエタノールで１０
倍に希釈し、この溶液に、シリカの各種の粒径のコロイ
ダルシリカ（日産化学工業株式会社製スノーテックス）
を、表１に示した割合になるよう室温で混合して凹凸形
成用コーディング液とした。

【００５１】

【表１】

【００５２】表１の実施例試料Ｎｏ．８〜１０は、それ
ぞれ上記テトラエトキシシラン溶液に、表１に示したア
ルミナ、チタニア、ジルコニアの各種のコロイド溶液
（日産化学工業株式会社製）を所定の割合で混合して凹
凸形成用コーディング液とした。

【００５３】ガラススペーサー２０へのコーディング
は、上記溶液を用いてディッピング法で行った。１回の
ディッピングで、表１に記載してある膜厚になるように
引き上げ速度の条件を設定した。また、実施例試料Ｎ
ｏ．３は、５回コーディングを行った。

【００５４】尚、比較例試料Ｎｏ．１については、凹凸
膜２１を形成しないガラススペーサ２０を作製した。

【００５５】このようにして表面に凹凸膜２１が形成さ
れたガラススペーサ２０を１００℃で３０分間乾燥さ
せ、さらに２５０℃で３０分間乾燥させた後、５００℃
のオーブン内で１時間熱処理した。これにより、実施例
試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．７、比較例試料Ｎｏ．２〜Ｎｏ．
４では、膜マトリックス形成用溶液中のテトラエトキシ
シランのＣ，Ｈ成分を燃焼除去することによりＳｉＯ₂
膜マトリックスを形成した。その結果、ＳｉＯ₂膜マト
リックスの中にシリカコロイドのＳｉＯ₂微粒子が均一
に分散された膜厚５０〜３００ｎｍの凹凸膜２１がガラ
ススペーサ２０に形成された。

【００５６】実施例試料Ｎｏ．８〜Ｎｏ．１０について
も各酸化物微粒子が均一に分散された膜厚７０ｎｍの凹
凸膜２１がガラススペーサ２０に形成された。

【００５７】これらの実施例試料の表面抵抗を測定した
ところ、いずれも１０¹⁰〜１０¹²Ω／□であった。

【００５８】次に、上記のように表面に凹凸膜２１を形
成したガラススペーサ２０（以下、単に「ガラススペー
サ２０」という）の表面粗さを、原子間顕微鏡ＡＦＭ
（セイコー電子株式会社「ＳＰＩ３７００」）を用いて
算術平均粗さ（Ｒａ）として測定した。

【００５９】次いで、上記ガラススペーサ２０を用いて
以下に述べるように電子線励起ディスプレイを作製し
た。

【００６０】まず、リアプレート１２上に基板１６、行
方向配線１８及び列方向配線１９を形成しておき、次い
で、ガラススペーサ２０をリアプレート１２上の行方向
配線１８とフェースプレート１１上のメタルバック１５
とに接合部材４１を用いて固定接続した。具体的には、
接続すべき行方向配線１８上にペースト状フリットガラ
スを予め印刷したリアプレート１２をホットプレート上
に載せ、該行方向配線１８上に石英ガラス製の補助治具
を用いてガラススペーサ２０を保持し、次いで、ペース
ト状フリットガラスが十分に溶融する温度、例えば４３
０℃まで加熱し、その温度に約３０分保持して冷却し
た。

【００６１】次に、予めペースト粉末状フリットガラス
を塗布した支持枠１３と予めペースト状フリットガラス
をメタルバック１５の所定の部位に塗布したフェースプ
レート１１をリアプレート１２の所定の位置に保持し
て、ペースト状フリットガラスが十分に溶融する温度、
例えば４３０℃まで加熱し、その温度に約３０分保持し
て冷却し、真空容器を形成した。

【００６２】その後、電子放出素子１７を形成するた
め、常温で通電フォーマット処理や通電活性化処理を行
った。

【００６３】上記工程は、使用部材の表面の酸化を防止
するため窒素等の非酸化雰囲気下で行った。

【００６４】以上のように作製した電子線励起ディスプ
レイの内部を真空に排気するために、真空容器を組み立
てた後この真空容器を不図示の排気管と真空ポンプとを
接続し、真空容器の内部を１０^-5ｔｏｒｒ程度まで排気
した。真空容器の内部の真空を維持するため、電子放出
素子１７の特性が劣化しない範囲で３００℃で約１０時
間加熱して脱気を行い、その後、排気管をガスバーナー
で融着封止し、最後に、封止後の真空度を維持するため
にゲッター処理を行った。

【００６５】電子線励起ディスプレイの画像の歪み、即
ち電子ビーム軌道の曲がりを以下の方法で測定した。

【００６６】まず、上記工程により作製した電子線励起
ディスプレイの行方向配線１８及び列方向配線１９を不
図示の画像信号回路に接続することにより電子線励起デ
ィスプレイに画像を表示した。

【００６７】このとき、電子加速電圧は５ｋＶ、電子放
出素子１７の駆動電圧は２０Ｖであり、行方向配線１８
（１８０素子を含む）の１ラインに流れる電流は５１０
ｍＡであった。

【００６８】画面安定性としての電子ビーム軌道曲がり
に関して、ガラススペーサ２０に近接する行方向発光ラ
インの各素子について、設計値通りに電子ビームの軌道
が曲がっていないか否か、又は電子ビームがガラススペ
ーサ２０に近づく電子ビーム吸引が起こっていないか否
か、又は電子ビームがガラススペーサ２０から離れる電
子ビーム反発が起こっていないか否かを調べた。

【００６９】電子ビーム吸引が発生した場合は、ガラス
スペーサ２０に吸引されてガラススペーサ２０の表面に
衝突した電子は散乱した状態で蛍光膜１４の蛍光体と衝
突するため蛍光膜１４を通して見ると、衝突部位の周囲
に色ムラが生じる。

【００７０】上記ガラススペーサ２０の表面粗さ及び画
面安定性の測定結果を表１に示す。表１の画像安定性の
欄において、電子ビーム軌道曲がりが全くない場合を
「極めて良好」、電子ビーム軌道曲がりが若干あるが、
問題のない程度である場合を「良好」、電子ビーム軌道
曲がりが若干あり、わずかに問題がある場合を「やや良
好」、電子ビーム軌道曲がりがかなりあり、ディスプレ
イとしての使用に差し支えがある場合を「不可」として
いる。

【００７１】表１に示される結果から、実施例試料Ｎ
ｏ．１〜Ｎｏ．１０は、いずれも凹凸膜１２の表面粗さ
が１５〜１３０ｎｍの範囲にあり、比較例試料に比して
良好な画像安定性を有することが分かる。また、実施例
試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．３、Ｎｏ．６及びＮｏ．９は、い
ずれも凹凸膜２１の表面粗さが５０〜１３０ｎｍの範囲
にあり、比較例試料に比して極めて良好な画像安定性を
有することが分かる。

【００７２】上記実施例では、凹凸膜２１をガラススペ
ーサ２０表面に成膜する方法として、ディッピング法を
用いているが、他にスピンコート法が適用可能である。
これらの方法は、凹凸膜２１やガラススペーサ２０の材
料に応じて適宜選択することができる。

【００７３】上記実施例では、ディッピング法等により
酸化物微粒子を含有する凹凸膜２１をガラススペーサ２
０表面に成膜しているが、この方法は、ガラススペーサ
２０を直接研磨することによりガラススペーサ２０の表
面に凹凸を形成する方法に対して、後者方法の欠点、即
ち、ガラススペーサ２０の表面に多くのキズをつけ、ガ
ラススペーサ２０の機械的強度を低下させる欠点がない
点で有利である。

【００７４】なお、表１の実施例試料Ｎｏ．１、３、６
及び９の実験を、テトラエトキシシランの代わりにテト
ラプロポキシチタン（Ｃ₃Ｈ₇Ｏ）₄Ｔｉの市販品を用
い、こいれをエタノールで１０倍に希釈した溶液として
同様の実験を行った。得られたコーディング付きガラス
スペーサー２０の表面抵抗を測定したところ、いずれも
１０^4.8〜１０⁹の範囲にあった。

【００７５】これらのガラススペーサーを用いて作製し
た電子線励起ディスプレイの画面安定性は、いずれも極
めて良好であった。

【００７６】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、請求項１
記載の電子線励起ディスプレイ用スペーサによれば、ス
ペーサ表面に、酸化物微粒子を含有する凹凸膜が形成さ
れているので、電子放出素子から蛍光膜に向かって放出
された電子が該スペーサに衝突したときに発生する２次
電子を凹凸膜でトラップすることにより、該電子の軌道
を安定させて画像を安定させることができる。

【００７７】請求項２記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサによれば、凹凸膜の表面粗さが算術平均粗さで
１０〜１５０ｎｍであるので、電子がスペーサに衝突し
たときに発生する２次電子を凹凸膜で確実にトラップす
ることができる。

【００７８】請求項３記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサによれば、凹凸膜中の酸化物微粒子の含有量が
１０〜８０重量％であるので、凹凸膜の表面に実質的に
凹凸を形成することができると共に、凹凸膜の強度を維
持して酸化物微粒子が剥がれ落ちるのを防止することが
できる。

【００７９】請求項４記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサによれば、酸化物微粒子の粒径が４〜３００ｎ
ｍであるので、酸化物微粒子を凹凸膜のマトリックス中
に均等に分散することができると共に、凹凸膜の成膜に
使用するマトリックス形成用溶液中で沈降が起こるのを
防止することができる。

【００８０】請求項６記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサによれば、酸化物微粒子が、酸化珪素、酸化ア
ルミニウム、酸化チタン及び酸化ジルコニウムから成る
群から選択された少なくとも１種の酸化物から成るの
で、凹凸膜の成膜時及び電子線励起ディスプレイの作製
時における高温の熱処理によっても凹凸膜の構造、組成
等が変化するのを防止することができる。

【００８１】請求項６記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサによれば、凹凸膜の膜厚が１０〜５００ｎｍで
あるので、酸化物微粒子を均一に分散させることがでる
と共に、凹凸膜の成膜を容易にすることができる。

【００８２】請求項６記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサによれば、凹凸膜に帯電防止用の高抵抗膜の機
能を持たせることができ、その結果、電子放出防止素子
から放出された電子の軌道を安定化させて該電子が凹凸
膜に衝突する可能性を低減することができる。

【００８３】請求項８記載の電子線励起ディスプレイ用
スペーサによれば、該スペーサを容易に作製することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るガラススペーサを備
える電子線励起ディスプレイの部分切欠き斜視図であ
る。

【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。

【符号の説明】

１１フェースプレート１２リアプレート１３支持枠１４蛍光膜１５メタルバック１６基板１７電子線放出素子１８行方向配線１９列方向配線２０ガラススペーサ２１凹凸膜４０，４１接合部材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面に酸化物微粒子を含有する凹凸膜を
形成したことを特徴とする電子線励起ディスプレイ用ス
ペーサ。
【請求項２】前記凹凸膜の表面粗さが算術平均粗さで
１０〜１５０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載
の電子線励起ディスプレイ用スペーサ。
【請求項３】前記凹凸膜中の前記酸化物微粒子の含有
量が１０〜８０重量％であることを特徴とする請求項２
記載の電子線励起ディスプレイ用スペーサ。
【請求項４】前記酸化物微粒子の粒径が４〜３００ｎ
ｍであることを特徴とする請求項２又は３に記載の電子
線励起ディスプレイ用スペーサ。
【請求項５】前記酸化物微粒子が、酸化珪素、酸化ア
ルミニウム、酸化チタン及び酸化ジルコニウムから成る
群から選択された少なくとも１種の酸化物から成ること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電
子線励起ディスプレイ用スペーサ。
【請求項６】前記凹凸膜の膜厚が１０〜５００ｎｍで
あることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に
記載の電子線励起ディスプレイ用スペーサ。
【請求項７】前記凹凸膜のマトリックスの表面抵抗が
１０⁵〜１０¹²Ω／□であることを特徴とする請求項１
乃至６のいずれか１項に記載の電子線励起ディスプレイ
用スペーサ。
【請求項８】前記スペーサがガラス製であることを特
徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子線
励起ディスプレイ用スペーサ。