JP3131108U

JP3131108U - 光または放射線検出装置

Info

Publication number: JP3131108U
Application number: JP2007000720U
Authority: JP
Inventors: 吉牟田　利典; 足立　晋; 晃一田邊
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 2007-02-08
Filing date: 2007-02-08
Publication date: 2007-04-19
Anticipated expiration: 2017-02-08

Abstract

【課題】磁気ノイズを低減させることができる光または放射線検出器を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板３６や信号処理基板４１を駆動するための電源基板４２を放射線検出器３０が備えた構成の場合には、電源や電源基板４２から発生する磁気の影響を受けないように磁気シールドとしてパーマロイ４６，４７を配設する。このパーマロイ４６，４７を配設することで、電源や電源基板４２からの磁気ノイズを排除することができて、磁気ノイズを低減させることができる。
【選択図】図１

Description

この考案は、医療分野、工業分野、さらには原子力分野等に用いられる光または放射線検出器に関する。

Ｘ線検出器を例に採って説明する。Ｘ線検出器はＸ線感応型のＸ線変換層を備えており、Ｘ線の入射によりＸ線変換層は電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことでＸ線を検出する。Ｘ線変換層によりＸ線から変換された電荷は非常に微小で、その電荷を増幅する必要がある。その際にはノイズまで増幅されるのでＳ／Ｎ（信号対ノイズ）比のよい画像を得るためには低ノイズ化が必要となる。ノイズとしては電気的なノイズと磁気ノイズとがある。電気的なノイズを低減させる場合には、シールド効果の高いポリアミドと銀とを折り合わせた導電性繊維が検出器に用いられる（例えば、特許文献１参照）。また、磁気ノイズを低減させる場合には、図６に示すように放射線検出器１３０を筐体１１０で収納し、その筐体１１０を透磁性物質で形成することで磁気シールドを配設している（例えば、特許文献２参照）。

一方、Ｘ線の入射面とは逆側からＸ線の散乱線（以下、この散乱線を「後方散乱線」と呼ぶ）から影響を受けるが、この後方散乱線を減衰させる場合には、鉛が一般的である。透視撮影などで使用される医用放射線撮像装置等の場合には、電子部品の保護や、漏洩Ｘ線防止のために鉛が配置されている場合が多い。
特開２０００−１１６６３３号公報（第３頁、図２，４）特開２００５−２４９６５８号公報（第１−４，６−８頁、図２，３，５−７）

一般的に磁気ノイズは、大電流もしくは高電圧の部分に発生することが多く、外部にあるコンピュータ側のＣＲＴ(Cathode Ray Tube)や電源等からの輻射ノイズであることが多い。しかしながら、図６に示すような検出器では平面型であり、放射線感応型の半導体厚膜１３１に代表されるＸ線変換層などをパターン形成した絶縁基板１３６のＸ線の入射面とは逆側に、電源等の回路を配設している。この回路から電源による磁気ノイズが発生するので、外部の磁気ノイズの影響を排除すべく外部のみを透磁性物質で形成された筐体で覆っただけでは磁気ノイズによる影響が残っている。

この考案は、このような事情に鑑みてなされたものであって、磁気ノイズを低減させることができる光または放射線検出器を提供することを目的とする。

この考案は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の考案は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、前記電荷情報を読み出す読み出し基板と、読み出された電荷情報を信号処理する信号処理基板と、これらの基板を駆動するための電源または電源基板とを備え、変換された電荷情報を読み出して信号処理することで光または放射線を検出する光または放射線検出器であって、前記電源または電源基板から発生する磁気の影響を受けないように磁気シールドを配設することを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項１に記載の考案によれば、読み出し基板や信号処理基板を駆動するための電源または電源基板を光または放射線検出器が備えた構成の場合には、電源または電源基板から発生する磁気の影響を受けないように磁気シールドを配設する。この磁気シールドを配設することで、電源または電源基板からの磁気ノイズを排除することができて、磁気ノイズを低減させることができる。

上述した考案において磁気シールドは透磁性物質で形成されているのが好ましい（請求項２に記載の考案）。透磁性物質で磁気シールドを形成することで、磁気の影響を確実に受けないようにすることができる。

また、上述した考案の好ましい一例は、磁気シールドは、基板または電源基板を覆うことである（請求項３に記載の考案）。磁気シールドが基板または電源基板を覆うことで、電源または電源基板からの磁気ノイズを排除することができる。

さらに、上述した考案の好ましい他の一例は、読み出し基板の光または放射線の入射面とは逆側の面に磁気シールドを配設し、その磁気シールドは、磁気シールドを配設した読み出し基板の前記逆側の面積と同等の面積、あるいはそれ以上の面積を有することである（請求項４に記載の考案）。通常、電源または電源基板は、読み出し基板の光または放射線の入射面とは逆側に配設されているので、その逆側の面に磁気シールドを配設し、かつその逆側の面積と同等の面積、あるいはそれ以上の面積を磁気シールドが有することで、電源または電源基板からの磁気ノイズを排除することができる。なお、上述した逆側の面積よりも小さければ磁気の影響を受けるので、逆側の面積と同等の面積、あるいはそれ以上の面積を磁気シールドが有する。なお、前者の一例（請求項３に記載の考案）と後者の一例（請求項４に記載の考案）とを組み合わせてもよい。本明細書中において、「同等の面積」とは、読み出し基板の「有効エリア」の面積を示す。したがって、磁気シールドは、読み出し基板の「有効エリア」の面積、あるいはそれ以上の面積を有すればよい。

読み出し基板の光または放射線の入射面とは逆側に、光または放射線に関する吸収係数が互いに異なる２つの部材を組み合わせた基材を配設する場合には、基材内の部材の吸収係数の相違によって後方散乱線が発生する。そこで、後者の一例（請求項４に記載の考案）において、読み出し基板の光または放射線の入射面とは逆側の面で、かつ基材の光または放射線の入射面に磁気シールドを配設する（請求項５に記載の考案）。すなわち、上述した後方散乱線を磁気シールドによって減衰させることができる。

また、上述した基材の一例は恒温手段である（請求項６に記載の考案）。すなわち、上述した部材のうちの一方は恒温用の液体を流す配管であるとともに、他方は配管を配設したベースであって、配管およびベースは互いに異なる吸収係数からなる物質でそれぞれ形成されている。恒温手段内の配管およびベースの吸収係数の相違によって後方散乱線が発生する。かかる後方散乱線を磁気シールドによって減衰させることができる。

この考案に係る光または放射線検出器によれば、電源または電源基板から発生する磁気の影響を受けないように磁気シールドを配設することで、電源または電源基板からの磁気ノイズを排除することができて、磁気ノイズを低減させることができる。

以下、図面を参照してこの考案の実施例を説明する。
図１は、実施例に係る放射線検出器の概略断面図であり、図２は、図１を等価回路で表した回路図であり、図３は、平面的に表した回路図である。本実施例では直接変換型の放射線検出器を例に採って説明する。

本実施例に係る放射線検出器３０は、図１、図２に示すように、例えばＸ線などの放射線が入射することによりキャリアが生成される放射線感応型の半導体厚膜３１と、半導体厚膜３１の表面に設けられた電圧印加電極３２と、半導体厚膜３１の放射線入射側とは反対側にある裏面に設けられたキャリア収集電極３３と、キャリア収集電極３３への収集キャリアを溜める電荷蓄積用のコンデンサＣａと、コンデンサＣａに蓄積された電荷を取り出すための通常時ＯＦＦ（遮断）の電荷取り出し用のスイッチ素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒとを備えている。本実施例では、半導体厚膜３１は放射線の入射によりキャリアが生成される放射線感応型の物質で形成されているが、光の入射によりキャリアが生成される光感応型の物質であってもよい。半導体厚膜３１は、この考案における変換層に相当する。

この他に、放射線検出器３０は、薄膜トランジスタＴｒのソースに接続されているデータ線３４と、薄膜トランジスタＴｒのゲートに接続されているゲート線３５とを備えており、電圧印加電極３２，半導体厚膜３１，キャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，薄膜トランジスタＴｒ，データ線３４，およびゲート線３５が絶縁基板３６上に積層されて構成されている。絶縁基板３６は、例えばガラス基板で形成されている。

図２、図３に示すように、縦・横式２次元マトリックス状配列で多数個（例えば、1024個×1024個）形成されたキャリア収集電極３３ごとに、上述した各々のコンデンサＣａおよび薄膜トランジスタＴｒがそれぞれ接続されており、それらキャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，および薄膜トランジスタＴｒが各検出素子ＤＵとしてそれぞれ分離形成されている。また、電圧印加電極３２は、全検出素子ＤＵの共通電極として全面にわたって形成されている。また、上述したデータ線３４は、図３に示すように、横（Ｘ）方向に複数本に並列されているとともに、上述したゲート線３５は、図３に示すように、縦（Ｙ）方向に複数本に並列されており、各々のデータ線３４およびゲート線３５は各検出素子ＤＵに接続されている。また、データ線３４は電荷−電圧変換群（アンプ）３７を介してマルチプレクサ３８に接続されており、ゲート線３５はゲートドライバ３９に接続されている。なお、検出素子ＤＵの配列個数は上述の1024個×1024個だけでなく、実施形態に応じて配列個数を変更して使用することができる。したがって、検出素子ＤＵが１個のみの形態であってもよい。

検出素子ＤＵは２次元マトリックス状配列で絶縁基板３６にパターン形成されており、検出素子ＤＵがパターン形成された絶縁基板３６は『アクティブ・マトリクス基板』とも呼ばれている。この検出素子ＤＵがパターン形成された絶縁基板３６は、この考案における読み出し基板に相当する。

なお、弾性体で形成されたフレキシブル基板４０上に、電荷−電圧変換群（アンプ）３７，マルチプレクサ３８を絶縁基板３６側から順に搭載している。このフレキシブル基板４０は、絶縁基板３６に形成されたデータ線３４と、絶縁基板３６の放射線入射側とは反対側に配設された信号処理基板４１（図１、図３を参照）に電気的に接続されている。この信号処理基板４１は、読み出された電荷情報を信号処理するための基板である。信号処理基板４１は、この考案における信号処理基板に相当する。

これら半導体厚膜３１や絶縁基板３６などで形成された放射線検出器３０を作成する場合には絶縁基板３６の表面に、各種真空蒸着法による薄膜形成技術やフォトリソグラフィ法によるパターン技術を利用して、データ線３４およびゲート線３５を配線し、薄膜トランジスタＴｒ，コンデンサＣａ，キャリア収集電極３３，半導体厚膜３１，電圧印加電極３２などを順に積層形成する。なお、半導体厚膜３１を形成する半導体については、アモルファス型の半導体や多結晶型の半導体などに例示されるように、用途や耐電圧などに応じて適宜選択することができる。また、半導体厚膜３１を形成する物質についても、セレン（Ｓｅ）などに例示されるように、特に限定されない。本実施例の場合には直接変換型の放射線検出器であるのでアモルファスセレンで半導体厚膜３１を形成する。

図１に示すように、これら絶縁基板３６や信号処理基板４１を駆動するための電源基板４２を配設している。本実施例では、電源基板４２としてスイッチング形式を採用しており、ＤＣ電源（直流電源）や発振回路や整流回路などを備えたＤＣ−ＤＣコンバータ（いずれも図示省略）などを電源基板４２に配設している。また、信号処理基板４１や電源基板４２と絶縁基板３６との間には恒温機構４３を配設している。この恒温機構４３は、アルミニウム（Ａｌ）で形成されたベース４４と、そのベース４４内に配設された配管４５とで構成されている。配管４５は銅（Ｃｕ）で形成されており、この配管４５に恒温用の液体（例えば水）を流すように構成されている。電源基板４２は、この考案における電源基板に相当し、恒温機構４３は、この考案における恒温手段に相当し、ベース４４は、この考案におけるベースに相当し、配管４５は、この考案における配管に相当する。また、恒温機構４３は、この考案における基材にも相当する。

これら半導体厚膜３１や絶縁基板３６や信号処理基板４１や電源基板４２や恒温機構４２などで形成された放射線検出器３０は、半導体厚膜３１を樹脂２０によってモールド封止した後、筐体１０によって収納される。この筐体１０は、磁気シールドの機能を有している。筐体１０上には、検出すべき放射線（ここではＸ線）以外の放射線や光を遮蔽する遮蔽板１１を配設している。遮蔽板１１によるＸ線の減衰を最小限に留めるように遮蔽板１１はカーボンや樹脂などの遮蔽率の低い物質で形成されている。

この筐体１０は、ＣＲＴモニタや電源等からの輻射ノイズによる外部の磁気ノイズの影響を排除するための磁気シールドである。筐体１０は、強磁性体である鉄ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）合金を１０００℃程度に熱焼成（焼鈍）した物（以下、『パーマロイ』と呼ぶ）などに代表される透磁性物質で形成されている。パーマロイで筐体１０を形成することで、外部の磁気ノイズは筐体１０によって遮られて、放射線検出器３０にまで及ばない。パーマロイは導電性をも有しており、本実施例ではこのパーマロイを接地させる。パーマロイの比透磁率は磁束密度などにも左右されるが、１０^４〜数１０^６程度である。

なお、パーマロイによってＸ線が減衰する恐れがあるので、筐体１０のうち、入射面の厚みを他の面よりも薄くするのが好ましい。本実施例では、０．１ｍｍ程度以下の厚みのパーマロイを入射面に形成するとともに、それ以外の面に０．３ｍｍ程度以上の厚みのパーマロイを形成する。なお、入射面を遮蔽板１１のみで形成すると、磁力線の回り込みにより磁力線が入射面を介して放射線検出器３０にまで入り込むので、入射面側についてもパーマロイで形成する。

次に、本実施例の特徴部分について図１を参照して説明するとともに、従来との比較のために図６を参照して説明する。図６は、図１との比較のための従来の放射線検出器の概略断面図である。また、図６では、図１の筐体１０の符号を１１０とし、図１の遮蔽板１１の符号を１１１とし、図１の樹脂２０の符号を１２０とし、図１の放射線検出器３０の符号を１３０とし、図１の半導体厚膜３１の符号を１３１とし、図１の電圧印加電極３２の符号を１３２とし、図１の絶縁基板３６の符号を１３６とし、図１の電荷−電圧変換群（アンプ）３７の符号を１３７とし、図１のマルチプレクサ３８の符号を１３８とし、図１のフレキシブル基板４０の符号を１４０とし、図１の信号処理基板４１の符号を１４１とし、図１の電源基板４２の符号を１４２と、図１の恒温機構４３の符号を１４３とし、図１のベース４４の符号を１４４とし、図１の配管の符号を１４５としている。

本実施例では、従来との相違点は、筐体１０以外に、図１に示すように、パーマロイ４６，４７をさらに配設している点である。パーマロイ４６は筐体状になっており、電源基板４２を覆っている。パーマロイ４７は、恒温機構４３と絶縁基板３６との間に配設されている。また、図１に示すように、絶縁基板３６の放射線（ここではＸ線）の入射面とは逆側の面積と同等の面積をパーマロイ４７は有している。もちろん、入射面とは逆側の面積以上の面積をパーマロイ４７は有してもよい。パーマロイ４６，４７は、この考案における磁気シールドに相当する。

上述したように、「同等の面積」とは、読み出し基板に相当する絶縁基板３６の「有効エリア」の面積を示す。本実施例の場合には、「有効エリア」は、検出素子ＤＵが存在する領域を示す。したがって、磁気シールドに相当するパーマロイ４７は、絶縁基板３６の「有効エリア」（すなわち検出素子ＤＵが存在する領域）の面積を有すればよい。また、同等以上の面積をパーマロイ４７は有してもよい。したがって、パーマロイ４７は、絶縁基板３６の有効エリア（検出素子ＤＵが存在する領域）の面積、あるいはそれ以上の面積を有すればよい。

スイッチング形式を採用した場合には、上述したように電源基板４２に発振回路などを配設している。この発振回路のコイル部分から磁力線が発生して、その結果、電源基板４２から磁気ノイズが発生する。一方、恒温機構４３を構成するベース４４および配管４５については、それぞれのＸ線に関する吸収係数が互いに異なる。恒温機構４３内のベース４４および配管４５の吸収係数の相違によって後方散乱線が発生する。

かかる放射線検出器３０内部の磁気ノイズを排除するために、パーマロイ４６，４７を配設している。また、パーマロイ４７は、上述した後方散乱線を減衰させる機能をも有している。すなわち、パーマロイ４７は、上述したようにニッケルが主成分であり、アルミニウム等と比べてＸ線の吸収率が高い。そこで、吸収率が高いのを利用して、パーマロイ４７によって、後方散乱線を減衰させる。

筐体１０と同様に、パーマロイ４６，４７も接地、あるいは定電位にするのが好ましい。パーマロイは、上述したように導電性であるので、接地あるいは定電位にすることで、電気的なノイズをも排除する電気的なシールドの機能をも有する。

筐体状のパーマロイ４６と電源基板４２との隙間を最小限に留めるのが好ましい。もし、隙間が多いと磁束が漏れ出し、磁気ノイズによる悪影響を排除することができなくなる。また、パーマロイは、その厚みが厚いほど磁気シールド効果を向上させることが可能であるが、電源および電源基板４２からの磁気ノイズ防止であれば、０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ程度の厚みで十分な効果が得られる。また、後方散乱線の低減については、０．５ｍｍ〜２．０ｍｍ程度の厚みで効果が得られる。したがって、電源基板４２を覆う箱である筐体状のパーマロイ４６については０．５ｍｍ程度、後方散乱線の防止としてパーマロイ４７については１．０ｍｍ程度とするのが好ましい。もちろん、０．５ｍｍ程度の厚みを有した材料で統一してもよい。

続いて、放射線検出器３０の作用について説明する。電圧印加電極３２に高電圧（例えば数１００Ｖ〜数１０ｋＶ程度）のバイアス電圧Ｖ_Ａを印加した状態で、検出対象である放射線を入射させる。

放射線の入射によってキャリアが生成されて、そのキャリアが電荷情報として電荷蓄積用のコンデンサＣａに蓄積される。ゲートドライバ３９の信号取り出し用の走査信号によって、ゲート線３５が選択されて、さらに選択されたゲート線３５に接続されている検出素子ＤＵが選択指定される。その指定された検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積された電荷が、選択されたゲート線３５の信号によってＯＮ状態に移行した薄膜トランジスタＴｒを経由して、データ線３４に読み出される。

また、各検出素子ＤＵのアドレス（番地）指定は、データ線３４およびゲート線３５の信号取り出し用の走査信号に基づいて行われる。マルチプレクサ３８およびゲートドライバ３９に信号取り出し用の走査信号が送り込まれると、ゲートドライバ３９から縦（Ｙ）方向の走査信号に従って各検出素子ＤＵが選択される。そして、横（Ｘ）方向の走査信号に従ってマルチプレクサ３８が切り換えられることによって、選択された検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積された電荷が、データ線３４を介して、電圧−電圧変換群（アンプ）３７およびマルチプレクサ３８を順に経て信号処理基板４１に送り出される。

上述の動作によって、例えばＸ線透視撮影装置の透視Ｘ線像の検出に本実施例に係る放射線検出器３０を用いた場合、データ線３４を介して信号処理基板４１にて電荷情報が画像情報に変換されて、Ｘ線透視画像として出力される。

上述の構成を備えた本実施例に係る放射線検出器３０によれば、絶縁基板３６や信号処理基板４１を駆動するための電源基板４２を放射線検出器３０が備えた構成の場合には、電源や電源基板４２から発生する磁気の影響を受けないように磁気シールドとしてパーマロイ４６，４７を配設する。このパーマロイ４６，４７を配設することで、電源や電源基板４２からの磁気ノイズを排除することができて、磁気ノイズを低減させることができる。

また、本実施例では、磁気シールドとしてのパーマロイ４６，４７は透磁性物質で形成されている。透磁性物質で磁気シールドを形成することで、磁気の影響を確実に受けないようにすることができる。

また、本実施例では、磁気シールドのうち、筐体状のパーマロイ４６は電源基板４２を覆っている。パーマロイ４６が電源基板４２を覆うことで、電源や電源基板４２からの磁気ノイズを排除することができる。

また、本実施例では、磁気シールドのうち、パーマロイ４７を以下のように配設している。すなわち、絶縁基板３６の放射線（ここではＸ線）の入射面とは逆側の面にパーマロイ４７を配設している。このパーマロイ４７は、パーマロイ４７を配設した絶縁基板３６の上述の逆側の面積と同等の面積あるいはそれ以上の面積を有している。図１に示すように、電源基板４２は、絶縁基板３６の放射線（ここではＸ線）の入射面とは逆側に配設されているので、その逆側の面にパーマロイ４７を配設し、かつその逆側の面積と同等の面積あるいはそれ以上の面積をパーマロイ４７が有することで、電源や電源基板４２からの磁気ノイズを排除することができる。なお、上述した逆側の面積よりも小さければ磁気の影響を受けるので、逆側の面積と同等の面積、あるいはそれ以上の面積をパーマロイ４７が有する。

また、本実施例では、放射線（ここではＸ線）に関する吸収係数が互いに異なる２つの部材を組み合わせた基材として恒温機構４３を備えている。なお、絶縁基板３６の放射線（ここではＸ線）の入射面とは逆側の面で、かつ恒温機構４３の放射線（ここではＸ線）の入射面にパーマロイ４７を配設している。上述した部材のうちの一方は恒温用の液体（例えば冷水）を流す配管４５であるとともに、他方は配管４５を配設したベース４４であって、ベース４４および配管４５は互いに異なる吸収係数からなる物質（ベース４４はアルミニウム、配管４５は銅）でそれぞれ形成されている。恒温機構４３内のベース４４および配管４５の吸収係数の相違によって後方散乱線が発生する。かかる後方散乱線がパーマロイ４７によって遮られて減衰した状態で絶縁基板３６に入射される、あるいは後方散乱線が遮られて絶縁基板３６に入射されることがない。このように、後方散乱線を磁気シールドであるパーマロイ４７によって減衰させることができる。

なお、後方散乱線の減衰のみを考慮すれば、従来のような鉛でも実現できるが、鉛の場合には透磁性物質でなく磁気シールドの機能を果たさない。したがって、磁気シールドの機能を果たし、かつ後方散乱線の減衰の機能をも兼用するのであれば、本実施例のようにパーマロイ４７を備えるのがより好ましい。

この考案は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例では、入射した放射線を半導体厚膜３１（変換層）によって電荷情報に直接的に変換した直接変換型の放射線検出装置をこの考案は適用したが、入射した放射線をシンチレータによって光に変換し、光感応型の物質で形成された半導体層によってその光を電荷情報に変換する間接変換型の放射線検出器をこの考案は適用してもよい。また、入射した光を光感応型の物質で形成された半導体層によって電荷情報に変換する光検出器をこの考案は適用してもよい。

（２）上述した実施例では、Ｘ線を検出する場合を例に採って説明したが、核医学装置などに用いられるγ線を検出する検出装置をこの考案が適用することもできる。

（３）上述した実施例では、透磁性物質をパーマロイで構成したが、通常に用いられる透磁性物質であれば、例えばケイ素鋼やマンガン亜鉛（Ｍｎ−Ｚｎ）フェライトや鉄（Ｆｅ）基アモルファスなどのように特に限定されない。また、透磁性は高ければ高いほど磁気シールドとしての効果を発揮することができる。好ましくは、ケイ素鋼などのようにその比透磁率が１０^３程度以上、より好ましくは、パーマロイなどのようにその比透磁率が１０^４以上の透磁性物質で構成する。

（４）上述した実施例では、パーマロイなどに代表される透磁性物質は導電性を有しており、そのパーマロイを接地して電気的なノイズをも除去したが、電気的なノイズを除去しないのであれば、透磁性物質であっても導電性を有する必要はない。例えばコイルの鉄心は透磁性物質であるが導電性を有さない。かかる鉄心を磁気シールドとして形成してもよい。

（５）上述した実施例では、電源基板を備えた構成であったが、基板タイプでない単なる電源を備えた構成についても適用することができる。

（６）上述した実施例では、外部の磁気ノイズの影響を排除するためにパーマロイで形成された筐体１０（図１を参照）を備えていたが、外部の磁気ノイズの影響を考慮しない場合には、必ずしも筐体１０を備える必要はない。

（７）上述した実施例では、パーマロイ４６，４７（図１を参照）をともに配設したが、必ずしも両方を備える必要はない。例えば、後方散乱線の低減を考慮しないのであれば、図４に示すように、筐体状のパーマロイ４６のみを配設して備えてもよい。また、筐体状のパーマロイ４６がなくても、図５に示すように、パーマロイ４７のみを配設して備えても、磁気ノイズを排除することができる。

（８）上述した実施例では、放射線に関する吸収係数が互いに異なる２つの部材を組み合わせた基材として恒温機構４３を例に採って説明したが、吸収係数が互いに異なる２つの部材を組み合わせた基材であって、基材内の部材の吸収係数の相違によって後方散乱線が発生するものであれば、これに限定されない。例えば、検出器を薄くかつ軽くするために、基材をＡｌなどの軽い物質で形成し、その強度をアップのために、ＳＵＳ等の重く、強い物質を合わせて使用する場合なども同様の事が言える。

実施例に係る放射線検出器の概略断面図である。図１を等価回路で表した回路図である。平面的に表した回路図である。変形例に係る放射線検出器の概略断面図である。さらなる変形例に係る放射線検出器の概略断面図である。図１との比較のための従来の放射線検出器の概略断面図である。

符号の説明

３０ … 放射線検出器
３１ … 半導体厚膜
３６ … 絶縁基板
４１ … 信号処理基板
４２ … 電源基板
４３ … 恒温機構
４４ … ベース
４５ … 配管
４６，４７ … パーマロイ

Claims

光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、前記電荷情報を読み出す読み出し基板と、読み出された電荷情報を信号処理する信号処理基板と、これらの基板を駆動するための電源または電源基板とを備え、変換された電荷情報を読み出して信号処理することで光または放射線を検出する光または放射線検出器であって、前記電源または電源基板から発生する磁気の影響を受けないように磁気シールドを配設することを特徴とする光または放射線検出器。
請求項１に記載の光または放射線検出器において、前記磁気シールドは透磁性物質で形成されていることを特徴とする光または放射線検出器。
請求項１または請求項２に記載の光または放射線検出器において、前記磁気シールドは、前記基板または電源基板を覆うことを特徴とする光または放射線検出器。
請求項１から請求項３のいずれかに記載の光または放射線検出器において、前記読み出し基板の光または放射線の入射面とは逆側の面に前記磁気シールドを配設し、その磁気シールドは、磁気シールドを配設した読み出し基板の前記逆側の面積と同等の面積、あるいはそれ以上の面積を有することを特徴とする光または放射線検出器。
請求項４に記載の光または放射線検出器において、前記読み出し基板の光または放射線の入射面とは逆側に、光または放射線に関する吸収係数が互いに異なる２つの部材を組み合わせた基材を配設するとともに、読み出し基板の光または放射線の入射面とは逆側の面で、かつ前記基材の光または放射線の入射面に前記磁気シールドを配設することで、基材内の前記部材の吸収係数の相違によって起こる後方散乱線を磁気シールドによって減衰させることを特徴とする光または放射線検出器。
請求項５に記載の光または放射線検出器において、前記基材は恒温手段であって、前記部材のうちの一方は恒温用の液体を流す配管であるとともに、他方は配管を配設したベースであって、配管およびベースは互いに異なる吸収係数からなる物質でそれぞれ形成されていることを特徴とする光または放射線検出器。