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JP3131108U - Light or radiation detector - Google Patents

Light or radiation detector Download PDF

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JP3131108U
JP3131108U JP2007000720U JP2007000720U JP3131108U JP 3131108 U JP3131108 U JP 3131108U JP 2007000720 U JP2007000720 U JP 2007000720U JP 2007000720 U JP2007000720 U JP 2007000720U JP 3131108 U JP3131108 U JP 3131108U
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JP
Japan
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light
substrate
radiation
radiation detector
magnetic shield
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JP2007000720U
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Japanese (ja)
Inventor
吉牟田 利典
足立 晋
晃一 田邊
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Shimadzu Corp
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Shimadzu Corp
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Abstract

【課題】磁気ノイズを低減させることができる光または放射線検出器を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板36や信号処理基板41を駆動するための電源基板42を放射線検出器30が備えた構成の場合には、電源や電源基板42から発生する磁気の影響を受けないように磁気シールドとしてパーマロイ46,47を配設する。このパーマロイ46,47を配設することで、電源や電源基板42からの磁気ノイズを排除することができて、磁気ノイズを低減させることができる。
【選択図】図1
An object of the present invention is to provide a light or radiation detector capable of reducing magnetic noise.
In a configuration in which a radiation detector 30 includes a power supply substrate 42 for driving an insulating substrate 36 and a signal processing substrate 41, the influence of magnetism generated from the power supply or the power supply substrate 42 is not affected. Permalloys 46 and 47 are provided as magnetic shields. By disposing the permalloys 46 and 47, magnetic noise from the power supply and the power supply substrate 42 can be eliminated, and magnetic noise can be reduced.
[Selection] Figure 1

Description

この考案は、医療分野、工業分野、さらには原子力分野等に用いられる光または放射線検出器に関する。   The present invention relates to a light or radiation detector used in the medical field, the industrial field, and the nuclear field.

X線検出器を例に採って説明する。X線検出器はX線感応型のX線変換層を備えており、X線の入射によりX線変換層は電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことでX線を検出する。X線変換層によりX線から変換された電荷は非常に微小で、その電荷を増幅する必要がある。その際にはノイズまで増幅されるのでS/N(信号対ノイズ)比のよい画像を得るためには低ノイズ化が必要となる。ノイズとしては電気的なノイズと磁気ノイズとがある。電気的なノイズを低減させる場合には、シールド効果の高いポリアミドと銀とを折り合わせた導電性繊維が検出器に用いられる(例えば、特許文献1参照)。また、磁気ノイズを低減させる場合には、図6に示すように放射線検出器130を筐体110で収納し、その筐体110を透磁性物質で形成することで磁気シールドを配設している(例えば、特許文献2参照)。   An X-ray detector will be described as an example. The X-ray detector has an X-ray sensitive X-ray conversion layer, and the X-ray conversion layer converts into charge information by the incidence of X-rays, and detects the X-rays by reading the converted charge information. . The charge converted from X-rays by the X-ray conversion layer is very small, and it is necessary to amplify the charge. In that case, since noise is amplified, it is necessary to reduce the noise in order to obtain an image with a good S / N (signal to noise) ratio. Noise includes electrical noise and magnetic noise. In order to reduce electrical noise, a conductive fiber obtained by combining polyamide and silver having a high shielding effect is used for the detector (for example, see Patent Document 1). In order to reduce magnetic noise, the radiation detector 130 is housed in a housing 110 as shown in FIG. 6, and the housing 110 is formed of a magnetically permeable material to provide a magnetic shield. (For example, refer to Patent Document 2).

一方、X線の入射面とは逆側からX線の散乱線(以下、この散乱線を「後方散乱線」と呼ぶ)から影響を受けるが、この後方散乱線を減衰させる場合には、鉛が一般的である。透視撮影などで使用される医用放射線撮像装置等の場合には、電子部品の保護や、漏洩X線防止のために鉛が配置されている場合が多い。
特開2000−116633号公報(第3頁、図2,4) 特開2005−249658号公報(第1−4,6−8頁、図2,3,5−7)
On the other hand, it is affected by scattered X-rays (hereinafter referred to as “backscattered rays”) from the side opposite to the X-ray incident surface. Is common. In the case of a medical radiation imaging apparatus or the like used for fluoroscopic imaging or the like, lead is often arranged to protect electronic components and prevent leakage X-rays.
JP 2000-116633 A (page 3, FIGS. 2, 4) Japanese Patent Laying-Open No. 2005-249658 (Pages 1-4, 6-8, FIGS. 2, 3, 5-7)

一般的に磁気ノイズは、大電流もしくは高電圧の部分に発生することが多く、外部にあるコンピュータ側のCRT(Cathode Ray Tube)や電源等からの輻射ノイズであることが多い。しかしながら、図6に示すような検出器では平面型であり、放射線感応型の半導体厚膜131に代表されるX線変換層などをパターン形成した絶縁基板136のX線の入射面とは逆側に、電源等の回路を配設している。この回路から電源による磁気ノイズが発生するので、外部の磁気ノイズの影響を排除すべく外部のみを透磁性物質で形成された筐体で覆っただけでは磁気ノイズによる影響が残っている。   In general, magnetic noise is often generated in a portion of a large current or high voltage, and is often radiation noise from a CRT (Cathode Ray Tube) on a computer side or a power source provided outside. However, the detector shown in FIG. 6 is a flat type, and is opposite to the X-ray incident surface of the insulating substrate 136 on which an X-ray conversion layer or the like typified by a radiation sensitive semiconductor thick film 131 is patterned. In addition, a circuit such as a power source is provided. Since magnetic noise is generated by the power source from this circuit, the influence of magnetic noise remains only by covering only the outside with a casing made of a magnetically permeable material in order to eliminate the influence of external magnetic noise.

この考案は、このような事情に鑑みてなされたものであって、磁気ノイズを低減させることができる光または放射線検出器を提供することを目的とする。   This invention is made in view of such a situation, and it aims at providing the light or radiation detector which can reduce a magnetic noise.

この考案は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の考案は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、前記電荷情報を読み出す読み出し基板と、読み出された電荷情報を信号処理する信号処理基板と、これらの基板を駆動するための電源または電源基板とを備え、変換された電荷情報を読み出して信号処理することで光または放射線を検出する光または放射線検出器であって、前記電源または電源基板から発生する磁気の影響を受けないように磁気シールドを配設することを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the device according to claim 1 converts the light or radiation information into charge information by the incidence of light or radiation, a readout substrate that reads the charge information, and the read charge information as a signal. A light or radiation detector comprising a signal processing board to be processed and a power supply or power supply board for driving these boards, and detecting light or radiation by reading and processing the converted charge information. A magnetic shield is provided so as not to be affected by magnetism generated from the power source or the power source substrate.

[作用・効果]請求項1に記載の考案によれば、読み出し基板や信号処理基板を駆動するための電源または電源基板を光または放射線検出器が備えた構成の場合には、電源または電源基板から発生する磁気の影響を受けないように磁気シールドを配設する。この磁気シールドを配設することで、電源または電源基板からの磁気ノイズを排除することができて、磁気ノイズを低減させることができる。   [Operation / Effect] According to the invention described in claim 1, in the case where the light or radiation detector includes a power source or a power source substrate for driving the readout substrate or the signal processing substrate, the power source or the power source substrate. A magnetic shield is provided so as not to be affected by the magnetism generated from the magnetic field. By providing this magnetic shield, magnetic noise from the power supply or the power supply substrate can be eliminated, and magnetic noise can be reduced.

上述した考案において磁気シールドは透磁性物質で形成されているのが好ましい(請求項2に記載の考案)。透磁性物質で磁気シールドを形成することで、磁気の影響を確実に受けないようにすることができる。   In the above-described device, the magnetic shield is preferably formed of a magnetically permeable material (the device according to claim 2). By forming the magnetic shield with a magnetically permeable material, it is possible to reliably avoid the influence of magnetism.

また、上述した考案の好ましい一例は、磁気シールドは、基板または電源基板を覆うことである(請求項3に記載の考案)。磁気シールドが基板または電源基板を覆うことで、電源または電源基板からの磁気ノイズを排除することができる。   A preferred example of the above-described device is that the magnetic shield covers the substrate or the power supply substrate (the device according to claim 3). By covering the substrate or the power supply substrate with the magnetic shield, magnetic noise from the power supply or the power supply substrate can be eliminated.

さらに、上述した考案の好ましい他の一例は、読み出し基板の光または放射線の入射面とは逆側の面に磁気シールドを配設し、その磁気シールドは、磁気シールドを配設した読み出し基板の前記逆側の面積と同等の面積、あるいはそれ以上の面積を有することである(請求項4に記載の考案)。通常、電源または電源基板は、読み出し基板の光または放射線の入射面とは逆側に配設されているので、その逆側の面に磁気シールドを配設し、かつその逆側の面積と同等の面積、あるいはそれ以上の面積を磁気シールドが有することで、電源または電源基板からの磁気ノイズを排除することができる。なお、上述した逆側の面積よりも小さければ磁気の影響を受けるので、逆側の面積と同等の面積、あるいはそれ以上の面積を磁気シールドが有する。なお、前者の一例(請求項3に記載の考案)と後者の一例(請求項4に記載の考案)とを組み合わせてもよい。本明細書中において、「同等の面積」とは、読み出し基板の「有効エリア」の面積を示す。したがって、磁気シールドは、読み出し基板の「有効エリア」の面積、あるいはそれ以上の面積を有すればよい。   Furthermore, in another preferable example of the above-described device, a magnetic shield is disposed on a surface opposite to the light or radiation incident surface of the readout substrate, and the magnetic shield is the above-mentioned of the readout substrate provided with the magnetic shield. It has an area equal to or larger than the area on the opposite side (the device according to claim 4). Normally, the power supply or power supply board is arranged on the opposite side of the reading board from the light or radiation incident surface. Therefore, a magnetic shield is provided on the opposite side of the reading board, and the area on the opposite side is the same. Since the magnetic shield has an area of or larger than that, magnetic noise from the power supply or the power supply substrate can be eliminated. If the area is smaller than the area on the opposite side, it is affected by magnetism, so the magnetic shield has an area equivalent to or larger than the area on the opposite side. An example of the former (the device described in claim 3) and an example of the latter (the device described in claim 4) may be combined. In this specification, “equivalent area” indicates the area of the “effective area” of the readout substrate. Therefore, the magnetic shield only needs to have an area of “effective area” of the reading substrate or more.

読み出し基板の光または放射線の入射面とは逆側に、光または放射線に関する吸収係数が互いに異なる2つの部材を組み合わせた基材を配設する場合には、基材内の部材の吸収係数の相違によって後方散乱線が発生する。そこで、後者の一例(請求項4に記載の考案)において、読み出し基板の光または放射線の入射面とは逆側の面で、かつ基材の光または放射線の入射面に磁気シールドを配設する(請求項5に記載の考案)。すなわち、上述した後方散乱線を磁気シールドによって減衰させることができる。   When a base material that is a combination of two members having different absorption coefficients for light or radiation is arranged on the side opposite to the light or radiation entrance surface of the readout substrate, the difference in the absorption coefficient of the members in the base material Causes backscattered radiation. Therefore, in the latter example (the device according to claim 4), a magnetic shield is disposed on the surface opposite to the light or radiation incident surface of the readout substrate and on the light or radiation incident surface of the substrate. (A device according to claim 5). That is, the backscattered rays described above can be attenuated by the magnetic shield.

また、上述した基材の一例は恒温手段である(請求項6に記載の考案)。すなわち、上述した部材のうちの一方は恒温用の液体を流す配管であるとともに、他方は配管を配設したベースであって、配管およびベースは互いに異なる吸収係数からなる物質でそれぞれ形成されている。恒温手段内の配管およびベースの吸収係数の相違によって後方散乱線が発生する。かかる後方散乱線を磁気シールドによって減衰させることができる。   Moreover, an example of the base material mentioned above is a constant temperature means (device of Claim 6). That is, one of the above-described members is a pipe through which a constant-temperature liquid flows, and the other is a base on which the pipe is provided, and the pipe and the base are each formed of materials having different absorption coefficients. . Backscattered rays are generated due to the difference in absorption coefficient between the piping and the base in the thermostatic means. Such backscattered rays can be attenuated by the magnetic shield.

この考案に係る光または放射線検出器によれば、電源または電源基板から発生する磁気の影響を受けないように磁気シールドを配設することで、電源または電源基板からの磁気ノイズを排除することができて、磁気ノイズを低減させることができる。   According to the light or radiation detector according to the present invention, magnetic noise from the power supply or the power supply board can be eliminated by arranging the magnetic shield so as not to be affected by the magnetism generated from the power supply or the power supply board. And magnetic noise can be reduced.

以下、図面を参照してこの考案の実施例を説明する。
図1は、実施例に係る放射線検出器の概略断面図であり、図2は、図1を等価回路で表した回路図であり、図3は、平面的に表した回路図である。本実施例では直接変換型の放射線検出器を例に採って説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 is a schematic cross-sectional view of a radiation detector according to an embodiment, FIG. 2 is a circuit diagram showing FIG. 1 as an equivalent circuit, and FIG. 3 is a circuit diagram showing a plane. In the present embodiment, a direct conversion type radiation detector will be described as an example.

本実施例に係る放射線検出器30は、図1、図2に示すように、例えばX線などの放射線が入射することによりキャリアが生成される放射線感応型の半導体厚膜31と、半導体厚膜31の表面に設けられた電圧印加電極32と、半導体厚膜31の放射線入射側とは反対側にある裏面に設けられたキャリア収集電極33と、キャリア収集電極33への収集キャリアを溜める電荷蓄積用のコンデンサCaと、コンデンサCaに蓄積された電荷を取り出すための通常時OFF(遮断)の電荷取り出し用のスイッチ素子である薄膜トランジスタ(TFT)Trとを備えている。本実施例では、半導体厚膜31は放射線の入射によりキャリアが生成される放射線感応型の物質で形成されているが、光の入射によりキャリアが生成される光感応型の物質であってもよい。半導体厚膜31は、この考案における変換層に相当する。   As shown in FIGS. 1 and 2, the radiation detector 30 according to the present embodiment includes a radiation-sensitive semiconductor thick film 31 in which carriers are generated when radiation such as X-rays enters, and the semiconductor thick film. The voltage application electrode 32 provided on the surface of the semiconductor 31, the carrier collection electrode 33 provided on the back surface opposite to the radiation incident side of the semiconductor thick film 31, and the charge accumulation for collecting the collected carriers to the carrier collection electrode 33 Capacitor Ca, and a thin film transistor (TFT) Tr, which is a switch element for taking off charges that are normally OFF (blocked) for taking out the charges accumulated in the capacitor Ca. In the present embodiment, the semiconductor thick film 31 is formed of a radiation sensitive material that generates carriers by the incidence of radiation, but may be a photosensitive material that generates carriers by the incidence of light. . The semiconductor thick film 31 corresponds to the conversion layer in this device.

この他に、放射線検出器30は、薄膜トランジスタTrのソースに接続されているデータ線34と、薄膜トランジスタTrのゲートに接続されているゲート線35とを備えており、電圧印加電極32,半導体厚膜31,キャリア収集電極33,コンデンサCa,薄膜トランジスタTr,データ線34,およびゲート線35が絶縁基板36上に積層されて構成されている。絶縁基板36は、例えばガラス基板で形成されている。   In addition, the radiation detector 30 includes a data line 34 connected to the source of the thin film transistor Tr, and a gate line 35 connected to the gate of the thin film transistor Tr. 31, a carrier collecting electrode 33, a capacitor Ca, a thin film transistor Tr, a data line 34, and a gate line 35 are stacked on an insulating substrate 36. The insulating substrate 36 is formed of, for example, a glass substrate.

図2、図3に示すように、縦・横式2次元マトリックス状配列で多数個(例えば、1024個×1024個)形成されたキャリア収集電極33ごとに、上述した各々のコンデンサCaおよび薄膜トランジスタTrがそれぞれ接続されており、それらキャリア収集電極33,コンデンサCa,および薄膜トランジスタTrが各検出素子DUとしてそれぞれ分離形成されている。また、電圧印加電極32は、全検出素子DUの共通電極として全面にわたって形成されている。また、上述したデータ線34は、図3に示すように、横(X)方向に複数本に並列されているとともに、上述したゲート線35は、図3に示すように、縦(Y)方向に複数本に並列されており、各々のデータ線34およびゲート線35は各検出素子DUに接続されている。また、データ線34は電荷−電圧変換群(アンプ)37を介してマルチプレクサ38に接続されており、ゲート線35はゲートドライバ39に接続されている。なお、検出素子DUの配列個数は上述の1024個×1024個だけでなく、実施形態に応じて配列個数を変更して使用することができる。したがって、検出素子DUが1個のみの形態であってもよい。   As shown in FIGS. 2 and 3, for each of the carrier collection electrodes 33 formed in a large number (for example, 1024 × 1024) in a vertical / horizontal two-dimensional matrix arrangement, each capacitor Ca and thin film transistor Tr described above is provided. Are connected to each other, and the carrier collecting electrode 33, the capacitor Ca, and the thin film transistor Tr are separately formed as each detecting element DU. Further, the voltage application electrode 32 is formed over the entire surface as a common electrode of all the detection elements DU. Further, as shown in FIG. 3, the data lines 34 described above are arranged in parallel in the horizontal (X) direction, and the gate lines 35 described above are arranged in the vertical (Y) direction as shown in FIG. The data lines 34 and the gate lines 35 are connected to the detection elements DU. The data line 34 is connected to a multiplexer 38 via a charge-voltage conversion group (amplifier) 37, and the gate line 35 is connected to a gate driver 39. Note that the number of detection elements DU arranged is not limited to the above-mentioned 1024 × 1024, but can be used by changing the number of arrangement according to the embodiment. Therefore, the form with only one detection element DU may be sufficient.

検出素子DUは2次元マトリックス状配列で絶縁基板36にパターン形成されており、検出素子DUがパターン形成された絶縁基板36は『アクティブ・マトリクス基板』とも呼ばれている。この検出素子DUがパターン形成された絶縁基板36は、この考案における読み出し基板に相当する。   The detection elements DU are patterned on the insulating substrate 36 in a two-dimensional matrix arrangement, and the insulating substrate 36 on which the detection elements DU are patterned is also called an “active matrix substrate”. The insulating substrate 36 on which the detection element DU is patterned corresponds to the readout substrate in the present invention.

なお、弾性体で形成されたフレキシブル基板40上に、電荷−電圧変換群(アンプ)37,マルチプレクサ38を絶縁基板36側から順に搭載している。このフレキシブル基板40は、絶縁基板36に形成されたデータ線34と、絶縁基板36の放射線入射側とは反対側に配設された信号処理基板41(図1、図3を参照)に電気的に接続されている。この信号処理基板41は、読み出された電荷情報を信号処理するための基板である。信号処理基板41は、この考案における信号処理基板に相当する。   A charge-voltage conversion group (amplifier) 37 and a multiplexer 38 are mounted in this order from the insulating substrate 36 side on the flexible substrate 40 formed of an elastic body. The flexible substrate 40 is electrically connected to a data line 34 formed on the insulating substrate 36 and a signal processing substrate 41 (see FIGS. 1 and 3) disposed on the opposite side of the insulating substrate 36 from the radiation incident side. It is connected to the. The signal processing board 41 is a board for signal processing the read charge information. The signal processing board 41 corresponds to the signal processing board in this device.

これら半導体厚膜31や絶縁基板36などで形成された放射線検出器30を作成する場合には絶縁基板36の表面に、各種真空蒸着法による薄膜形成技術やフォトリソグラフィ法によるパターン技術を利用して、データ線34およびゲート線35を配線し、薄膜トランジスタTr,コンデンサCa,キャリア収集電極33,半導体厚膜31,電圧印加電極32などを順に積層形成する。なお、半導体厚膜31を形成する半導体については、アモルファス型の半導体や多結晶型の半導体などに例示されるように、用途や耐電圧などに応じて適宜選択することができる。また、半導体厚膜31を形成する物質についても、セレン(Se)などに例示されるように、特に限定されない。本実施例の場合には直接変換型の放射線検出器であるのでアモルファスセレンで半導体厚膜31を形成する。   When the radiation detector 30 formed of the semiconductor thick film 31, the insulating substrate 36, or the like is formed, the surface of the insulating substrate 36 is used by using a thin film forming technique by various vacuum deposition methods or a pattern technique by photolithography. The data line 34 and the gate line 35 are wired, and the thin film transistor Tr, the capacitor Ca, the carrier collection electrode 33, the semiconductor thick film 31, the voltage application electrode 32, and the like are sequentially stacked. The semiconductor for forming the semiconductor thick film 31 can be appropriately selected according to the application, withstand voltage, etc., as exemplified by an amorphous semiconductor and a polycrystalline semiconductor. Further, the material forming the semiconductor thick film 31 is not particularly limited as exemplified by selenium (Se). In the present embodiment, since it is a direct conversion type radiation detector, the semiconductor thick film 31 is formed of amorphous selenium.

図1に示すように、これら絶縁基板36や信号処理基板41を駆動するための電源基板42を配設している。本実施例では、電源基板42としてスイッチング形式を採用しており、DC電源(直流電源)や発振回路や整流回路などを備えたDC−DCコンバータ(いずれも図示省略)などを電源基板42に配設している。また、信号処理基板41や電源基板42と絶縁基板36との間には恒温機構43を配設している。この恒温機構43は、アルミニウム(Al)で形成されたベース44と、そのベース44内に配設された配管45とで構成されている。配管45は銅(Cu)で形成されており、この配管45に恒温用の液体(例えば水)を流すように構成されている。電源基板42は、この考案における電源基板に相当し、恒温機構43は、この考案における恒温手段に相当し、ベース44は、この考案におけるベースに相当し、配管45は、この考案における配管に相当する。また、恒温機構43は、この考案における基材にも相当する。   As shown in FIG. 1, a power supply substrate 42 for driving the insulating substrate 36 and the signal processing substrate 41 is provided. In this embodiment, a switching type is adopted as the power supply board 42, and a DC power supply (DC power supply), a DC-DC converter (not shown) including an oscillation circuit, a rectifier circuit, etc. are arranged on the power supply board 42. Has been established. Further, a thermostatic mechanism 43 is disposed between the signal processing board 41 or the power supply board 42 and the insulating board 36. The constant temperature mechanism 43 includes a base 44 formed of aluminum (Al) and a pipe 45 disposed in the base 44. The pipe 45 is made of copper (Cu), and is configured to allow a constant temperature liquid (for example, water) to flow through the pipe 45. The power supply board 42 corresponds to the power supply board in the present invention, the thermostatic mechanism 43 corresponds to the thermostatic means in the present invention, the base 44 corresponds to the base in the present invention, and the pipe 45 corresponds to the pipe in the present invention. To do. The constant temperature mechanism 43 also corresponds to the base material in this device.

これら半導体厚膜31や絶縁基板36や信号処理基板41や電源基板42や恒温機構42などで形成された放射線検出器30は、半導体厚膜31を樹脂20によってモールド封止した後、筐体10によって収納される。この筐体10は、磁気シールドの機能を有している。筐体10上には、検出すべき放射線(ここではX線)以外の放射線や光を遮蔽する遮蔽板11を配設している。遮蔽板11によるX線の減衰を最小限に留めるように遮蔽板11はカーボンや樹脂などの遮蔽率の低い物質で形成されている。   The radiation detector 30 formed of the semiconductor thick film 31, the insulating substrate 36, the signal processing substrate 41, the power supply substrate 42, the constant temperature mechanism 42, and the like has the casing 10 after the semiconductor thick film 31 is molded and sealed with the resin 20. Is stored by. The housing 10 has a magnetic shield function. On the housing 10, a shielding plate 11 for shielding radiation and light other than the radiation to be detected (here, X-rays) is disposed. The shielding plate 11 is made of a material having a low shielding rate such as carbon or resin so as to minimize the attenuation of X-rays by the shielding plate 11.

この筐体10は、CRTモニタや電源等からの輻射ノイズによる外部の磁気ノイズの影響を排除するための磁気シールドである。筐体10は、強磁性体である鉄ニッケル(Fe−Ni)合金を1000℃程度に熱焼成(焼鈍)した物(以下、『パーマロイ』と呼ぶ)などに代表される透磁性物質で形成されている。パーマロイで筐体10を形成することで、外部の磁気ノイズは筐体10によって遮られて、放射線検出器30にまで及ばない。パーマロイは導電性をも有しており、本実施例ではこのパーマロイを接地させる。パーマロイの比透磁率は磁束密度などにも左右されるが、10〜数10程度である。 The housing 10 is a magnetic shield for eliminating the influence of external magnetic noise due to radiation noise from a CRT monitor, a power supply, or the like. The casing 10 is formed of a magnetically permeable material typified by an iron-nickel (Fe—Ni) alloy, which is a ferromagnetic material, that is thermally fired (annealed) to about 1000 ° C. (hereinafter referred to as “permalloy”). ing. By forming the casing 10 with permalloy, external magnetic noise is blocked by the casing 10 and does not reach the radiation detector 30. Permalloy also has conductivity, and in this embodiment, this permalloy is grounded. Although the relative permeability of permalloy depends on the magnetic flux density and the like, it is about 10 4 to several 10 6 .

なお、パーマロイによってX線が減衰する恐れがあるので、筐体10のうち、入射面の厚みを他の面よりも薄くするのが好ましい。本実施例では、0.1mm程度以下の厚みのパーマロイを入射面に形成するとともに、それ以外の面に0.3mm程度以上の厚みのパーマロイを形成する。なお、入射面を遮蔽板11のみで形成すると、磁力線の回り込みにより磁力線が入射面を介して放射線検出器30にまで入り込むので、入射面側についてもパーマロイで形成する。   In addition, since X-rays may be attenuated by permalloy, it is preferable to make the thickness of the incident surface of the housing 10 thinner than other surfaces. In this embodiment, a permalloy having a thickness of about 0.1 mm or less is formed on the incident surface, and a permalloy having a thickness of about 0.3 mm or more is formed on the other surface. If the incident surface is formed only by the shielding plate 11, the magnetic lines of force enter the radiation detector 30 through the incident surface by the wraparound of the magnetic lines of force, so that the incident surface side is also formed of permalloy.

次に、本実施例の特徴部分について図1を参照して説明するとともに、従来との比較のために図6を参照して説明する。図6は、図1との比較のための従来の放射線検出器の概略断面図である。また、図6では、図1の筐体10の符号を110とし、図1の遮蔽板11の符号を111とし、図1の樹脂20の符号を120とし、図1の放射線検出器30の符号を130とし、図1の半導体厚膜31の符号を131とし、図1の電圧印加電極32の符号を132とし、図1の絶縁基板36の符号を136とし、図1の電荷−電圧変換群(アンプ)37の符号を137とし、図1のマルチプレクサ38の符号を138とし、図1のフレキシブル基板40の符号を140とし、図1の信号処理基板41の符号を141とし、図1の電源基板42の符号を142と、図1の恒温機構43の符号を143とし、図1のベース44の符号を144とし、図1の配管の符号を145としている。   Next, the characteristic part of the present embodiment will be described with reference to FIG. 1 and will be described with reference to FIG. 6 for comparison with the prior art. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a conventional radiation detector for comparison with FIG. Further, in FIG. 6, the reference numeral of the housing 10 in FIG. 1 is 110, the reference numeral of the shielding plate 11 in FIG. 1 is 111, the reference numeral of the resin 20 in FIG. 1 is 120, and the reference numeral of the radiation detector 30 in FIG. 1, 130 is the semiconductor thick film 31 in FIG. 1, 132 is the voltage applying electrode 32 in FIG. 1, 136 is the insulating substrate 36 in FIG. 1, and the charge-voltage conversion group in FIG. (Amplifier) 37 is denoted by 137, the multiplexer 38 in FIG. 1 is denoted by 138, the flexible board 40 in FIG. 1 is denoted by 140, the signal processing board 41 in FIG. 1 is denoted by 142, the constant temperature mechanism 43 of FIG. 1 is denoted by 143, the base 44 of FIG. 1 is denoted by 144, and the pipe of FIG.

本実施例では、従来との相違点は、筐体10以外に、図1に示すように、パーマロイ46,47をさらに配設している点である。パーマロイ46は筐体状になっており、電源基板42を覆っている。パーマロイ47は、恒温機構43と絶縁基板36との間に配設されている。また、図1に示すように、絶縁基板36の放射線(ここではX線)の入射面とは逆側の面積と同等の面積をパーマロイ47は有している。もちろん、入射面とは逆側の面積以上の面積をパーマロイ47は有してもよい。パーマロイ46,47は、この考案における磁気シールドに相当する。   In this embodiment, the difference from the prior art is that, in addition to the housing 10, permalloys 46 and 47 are further provided as shown in FIG. The permalloy 46 has a casing shape and covers the power supply substrate 42. The permalloy 47 is disposed between the constant temperature mechanism 43 and the insulating substrate 36. Further, as shown in FIG. 1, the permalloy 47 has an area equivalent to the area opposite to the radiation incident surface of the insulating substrate 36 (here, X-rays). Of course, the permalloy 47 may have an area larger than the area opposite to the incident surface. Permalloys 46 and 47 correspond to the magnetic shield in this device.

上述したように、「同等の面積」とは、読み出し基板に相当する絶縁基板36の「有効エリア」の面積を示す。本実施例の場合には、「有効エリア」は、検出素子DUが存在する領域を示す。したがって、磁気シールドに相当するパーマロイ47は、絶縁基板36の「有効エリア」(すなわち検出素子DUが存在する領域)の面積を有すればよい。また、同等以上の面積をパーマロイ47は有してもよい。したがって、パーマロイ47は、絶縁基板36の有効エリア(検出素子DUが存在する領域)の面積、あるいはそれ以上の面積を有すればよい。   As described above, the “equivalent area” indicates the area of the “effective area” of the insulating substrate 36 corresponding to the readout substrate. In the present embodiment, the “effective area” indicates a region where the detection element DU exists. Therefore, the permalloy 47 corresponding to the magnetic shield has only to have the area of the “effective area” (that is, the region where the detection element DU exists) of the insulating substrate 36. Further, the permalloy 47 may have an area equal to or larger than that. Therefore, the permalloy 47 only needs to have an area of the effective area (area where the detection element DU exists) of the insulating substrate 36 or larger.

スイッチング形式を採用した場合には、上述したように電源基板42に発振回路などを配設している。この発振回路のコイル部分から磁力線が発生して、その結果、電源基板42から磁気ノイズが発生する。一方、恒温機構43を構成するベース44および配管45については、それぞれのX線に関する吸収係数が互いに異なる。恒温機構43内のベース44および配管45の吸収係数の相違によって後方散乱線が発生する。   When the switching type is adopted, an oscillation circuit or the like is disposed on the power supply substrate 42 as described above. Magnetic field lines are generated from the coil portion of the oscillation circuit, and as a result, magnetic noise is generated from the power supply substrate 42. On the other hand, with respect to the base 44 and the pipe 45 constituting the constant temperature mechanism 43, the absorption coefficients regarding the respective X-rays are different from each other. Backscattered rays are generated due to the difference in absorption coefficient between the base 44 and the pipe 45 in the thermostatic mechanism 43.

かかる放射線検出器30内部の磁気ノイズを排除するために、パーマロイ46,47を配設している。また、パーマロイ47は、上述した後方散乱線を減衰させる機能をも有している。すなわち、パーマロイ47は、上述したようにニッケルが主成分であり、アルミニウム等と比べてX線の吸収率が高い。そこで、吸収率が高いのを利用して、パーマロイ47によって、後方散乱線を減衰させる。   In order to eliminate magnetic noise inside the radiation detector 30, permalloys 46 and 47 are provided. The permalloy 47 also has a function of attenuating the above-described backscattered rays. That is, as described above, permalloy 47 is mainly composed of nickel and has a higher X-ray absorption rate than aluminum or the like. Therefore, the backscattered rays are attenuated by the permalloy 47 using the high absorption rate.

筐体10と同様に、パーマロイ46,47も接地、あるいは定電位にするのが好ましい。パーマロイは、上述したように導電性であるので、接地あるいは定電位にすることで、電気的なノイズをも排除する電気的なシールドの機能をも有する。   Like the case 10, it is preferable that the permalloys 46 and 47 are grounded or at a constant potential. Since Permalloy is conductive as described above, it has a function of an electrical shield that eliminates electrical noise by setting it to ground or a constant potential.

筐体状のパーマロイ46と電源基板42との隙間を最小限に留めるのが好ましい。もし、隙間が多いと磁束が漏れ出し、磁気ノイズによる悪影響を排除することができなくなる。また、パーマロイは、その厚みが厚いほど磁気シールド効果を向上させることが可能であるが、電源および電源基板42からの磁気ノイズ防止であれば、0.1mm〜1.0mm程度の厚みで十分な効果が得られる。また、後方散乱線の低減については、0.5mm〜2.0mm程度の厚みで効果が得られる。したがって、電源基板42を覆う箱である筐体状のパーマロイ46については0.5mm程度、後方散乱線の防止としてパーマロイ47については1.0mm程度とするのが好ましい。もちろん、0.5mm程度の厚みを有した材料で統一してもよい。   It is preferable to keep the gap between the casing-shaped permalloy 46 and the power supply substrate 42 to a minimum. If there are many gaps, the magnetic flux leaks and the adverse effects of magnetic noise cannot be eliminated. In addition, permalloy can improve the magnetic shielding effect as the thickness increases, but a thickness of about 0.1 mm to 1.0 mm is sufficient for preventing magnetic noise from the power supply and the power supply substrate 42. An effect is obtained. Moreover, about the reduction | decrease of a backscattering ray, an effect is acquired with the thickness of about 0.5 mm-2.0 mm. Therefore, it is preferable that the casing-shaped permalloy 46, which is a box covering the power supply substrate 42, has a thickness of about 0.5 mm, and the permalloy 47 has a thickness of about 1.0 mm to prevent backscattered rays. Of course, you may unify with the material which has thickness of about 0.5 mm.

続いて、放射線検出器30の作用について説明する。電圧印加電極32に高電圧(例えば数100V〜数10kV程度)のバイアス電圧Vを印加した状態で、検出対象である放射線を入射させる。 Subsequently, the operation of the radiation detector 30 will be described. While applying a bias voltage V A of the voltage application electrode 32 to a high voltage (e.g., several 100V~ number about 10 kV), to be incident radiation to be detected.

放射線の入射によってキャリアが生成されて、そのキャリアが電荷情報として電荷蓄積用のコンデンサCaに蓄積される。ゲートドライバ39の信号取り出し用の走査信号によって、ゲート線35が選択されて、さらに選択されたゲート線35に接続されている検出素子DUが選択指定される。その指定された検出素子DUのコンデンサCaに蓄積された電荷が、選択されたゲート線35の信号によってON状態に移行した薄膜トランジスタTrを経由して、データ線34に読み出される。   Carriers are generated by the incidence of radiation, and the carriers are stored in the charge storage capacitor Ca as charge information. The gate line 35 is selected by the scanning signal for signal extraction of the gate driver 39, and the detection element DU connected to the selected gate line 35 is selected and designated. The electric charge accumulated in the capacitor Ca of the designated detection element DU is read out to the data line 34 via the thin film transistor Tr that has been turned on by the signal of the selected gate line 35.

また、各検出素子DUのアドレス(番地)指定は、データ線34およびゲート線35の信号取り出し用の走査信号に基づいて行われる。マルチプレクサ38およびゲートドライバ39に信号取り出し用の走査信号が送り込まれると、ゲートドライバ39から縦(Y)方向の走査信号に従って各検出素子DUが選択される。そして、横(X)方向の走査信号に従ってマルチプレクサ38が切り換えられることによって、選択された検出素子DUのコンデンサCaに蓄積された電荷が、データ線34を介して、電圧−電圧変換群(アンプ)37およびマルチプレクサ38を順に経て信号処理基板41に送り出される。   Also, the address (address) designation of each detection element DU is performed based on the scanning signal for extracting signals from the data line 34 and the gate line 35. When a scanning signal for signal extraction is sent to the multiplexer 38 and the gate driver 39, each detection element DU is selected according to the scanning signal in the longitudinal (Y) direction from the gate driver 39. Then, when the multiplexer 38 is switched in accordance with the scanning signal in the horizontal (X) direction, the charge accumulated in the capacitor Ca of the selected detection element DU is transferred to the voltage-voltage conversion group (amplifier) via the data line 34. 37 and the multiplexer 38 are sequentially sent to the signal processing board 41.

上述の動作によって、例えばX線透視撮影装置の透視X線像の検出に本実施例に係る放射線検出器30を用いた場合、データ線34を介して信号処理基板41にて電荷情報が画像情報に変換されて、X線透視画像として出力される。   For example, when the radiation detector 30 according to this embodiment is used for detecting a fluoroscopic X-ray image of an X-ray fluoroscopic apparatus, the charge information is converted into image information on the signal processing board 41 via the data line 34 by the above-described operation. And output as an X-ray fluoroscopic image.

上述の構成を備えた本実施例に係る放射線検出器30によれば、絶縁基板36や信号処理基板41を駆動するための電源基板42を放射線検出器30が備えた構成の場合には、電源や電源基板42から発生する磁気の影響を受けないように磁気シールドとしてパーマロイ46,47を配設する。このパーマロイ46,47を配設することで、電源や電源基板42からの磁気ノイズを排除することができて、磁気ノイズを低減させることができる。   According to the radiation detector 30 according to the present embodiment having the above-described configuration, in the case where the radiation detector 30 includes the power supply substrate 42 for driving the insulating substrate 36 and the signal processing substrate 41, the power supply In addition, permalloys 46 and 47 are provided as magnetic shields so as not to be affected by magnetism generated from the power supply substrate 42. By disposing the permalloys 46 and 47, magnetic noise from the power supply and the power supply substrate 42 can be eliminated, and magnetic noise can be reduced.

また、本実施例では、磁気シールドとしてのパーマロイ46,47は透磁性物質で形成されている。透磁性物質で磁気シールドを形成することで、磁気の影響を確実に受けないようにすることができる。   In this embodiment, the permalloys 46 and 47 as magnetic shields are made of a magnetically permeable material. By forming the magnetic shield with a magnetically permeable material, it is possible to reliably avoid the influence of magnetism.

また、本実施例では、磁気シールドのうち、筐体状のパーマロイ46は電源基板42を覆っている。パーマロイ46が電源基板42を覆うことで、電源や電源基板42からの磁気ノイズを排除することができる。   In the present embodiment, the casing-like permalloy 46 of the magnetic shield covers the power supply substrate 42. Since the permalloy 46 covers the power supply substrate 42, magnetic noise from the power supply and the power supply substrate 42 can be eliminated.

また、本実施例では、磁気シールドのうち、パーマロイ47を以下のように配設している。すなわち、絶縁基板36の放射線(ここではX線)の入射面とは逆側の面にパーマロイ47を配設している。このパーマロイ47は、パーマロイ47を配設した絶縁基板36の上述の逆側の面積と同等の面積あるいはそれ以上の面積を有している。図1に示すように、電源基板42は、絶縁基板36の放射線(ここではX線)の入射面とは逆側に配設されているので、その逆側の面にパーマロイ47を配設し、かつその逆側の面積と同等の面積あるいはそれ以上の面積をパーマロイ47が有することで、電源や電源基板42からの磁気ノイズを排除することができる。なお、上述した逆側の面積よりも小さければ磁気の影響を受けるので、逆側の面積と同等の面積、あるいはそれ以上の面積をパーマロイ47が有する。   In this embodiment, the permalloy 47 of the magnetic shield is arranged as follows. That is, the permalloy 47 is disposed on the surface of the insulating substrate 36 opposite to the incident surface of the radiation (here, X-rays). The permalloy 47 has an area equivalent to or larger than the area on the opposite side of the insulating substrate 36 on which the permalloy 47 is disposed. As shown in FIG. 1, the power supply substrate 42 is disposed on the opposite side of the radiation substrate (here, X-ray) incident surface of the insulating substrate 36, so that a permalloy 47 is disposed on the opposite surface. In addition, since the permalloy 47 has an area equivalent to or larger than the area on the opposite side, magnetic noise from the power supply and the power supply substrate 42 can be eliminated. If the area is smaller than the area on the opposite side, it is affected by magnetism, so the permalloy 47 has an area equivalent to or larger than the area on the opposite side.

また、本実施例では、放射線(ここではX線)に関する吸収係数が互いに異なる2つの部材を組み合わせた基材として恒温機構43を備えている。なお、絶縁基板36の放射線(ここではX線)の入射面とは逆側の面で、かつ恒温機構43の放射線(ここではX線)の入射面にパーマロイ47を配設している。上述した部材のうちの一方は恒温用の液体(例えば冷水)を流す配管45であるとともに、他方は配管45を配設したベース44であって、ベース44および配管45は互いに異なる吸収係数からなる物質(ベース44はアルミニウム、配管45は銅)でそれぞれ形成されている。恒温機構43内のベース44および配管45の吸収係数の相違によって後方散乱線が発生する。かかる後方散乱線がパーマロイ47によって遮られて減衰した状態で絶縁基板36に入射される、あるいは後方散乱線が遮られて絶縁基板36に入射されることがない。このように、後方散乱線を磁気シールドであるパーマロイ47によって減衰させることができる。   In the present embodiment, the thermostatic mechanism 43 is provided as a base material in which two members having different absorption coefficients relating to radiation (here, X-rays) are combined. A permalloy 47 is disposed on the surface of the insulating substrate 36 opposite to the radiation (X-ray) incident surface, and on the radiation (here X-ray) incidence surface of the thermostatic mechanism 43. One of the above-described members is a pipe 45 through which a constant temperature liquid (for example, cold water) flows, and the other is a base 44 provided with the pipe 45, and the base 44 and the pipe 45 have different absorption coefficients. Each of them is made of a material (base 44 is aluminum and pipe 45 is copper). Backscattered rays are generated due to the difference in absorption coefficient between the base 44 and the pipe 45 in the thermostatic mechanism 43. Such backscattered rays are not incident on the insulating substrate 36 while being blocked by the permalloy 47 and attenuated or incident on the insulating substrate 36. In this way, the backscattered rays can be attenuated by the permalloy 47 that is a magnetic shield.

なお、後方散乱線の減衰のみを考慮すれば、従来のような鉛でも実現できるが、鉛の場合には透磁性物質でなく磁気シールドの機能を果たさない。したがって、磁気シールドの機能を果たし、かつ後方散乱線の減衰の機能をも兼用するのであれば、本実施例のようにパーマロイ47を備えるのがより好ましい。   If only the attenuation of backscattered rays is taken into consideration, it can be realized with conventional lead, but in the case of lead, it does not function as a magnetic shield, not a magnetically permeable material. Therefore, it is more preferable to provide the permalloy 47 as in this embodiment if it functions as a magnetic shield and also functions as a backscattered ray attenuation.

この考案は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。   The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.

(1)上述した実施例では、入射した放射線を半導体厚膜31(変換層)によって電荷情報に直接的に変換した直接変換型の放射線検出装置をこの考案は適用したが、入射した放射線をシンチレータによって光に変換し、光感応型の物質で形成された半導体層によってその光を電荷情報に変換する間接変換型の放射線検出器をこの考案は適用してもよい。また、入射した光を光感応型の物質で形成された半導体層によって電荷情報に変換する光検出器をこの考案は適用してもよい。   (1) In the above-described embodiment, this device is applied to a direct conversion type radiation detection apparatus in which incident radiation is directly converted into charge information by the semiconductor thick film 31 (conversion layer), but the incident radiation is scintillator. The present invention may be applied to an indirect conversion type radiation detector that converts light into charge information by a semiconductor layer formed of a light sensitive substance. Further, the present invention may be applied to a photodetector that converts incident light into charge information by a semiconductor layer formed of a photosensitive material.

(2)上述した実施例では、X線を検出する場合を例に採って説明したが、核医学装置などに用いられるγ線を検出する検出装置をこの考案が適用することもできる。   (2) In the above-described embodiments, the case where X-rays are detected has been described as an example. However, the present invention can be applied to a detection device that detects γ-rays used in a nuclear medicine apparatus or the like.

(3)上述した実施例では、透磁性物質をパーマロイで構成したが、通常に用いられる透磁性物質であれば、例えばケイ素鋼やマンガン亜鉛(Mn−Zn)フェライトや鉄(Fe)基アモルファスなどのように特に限定されない。また、透磁性は高ければ高いほど磁気シールドとしての効果を発揮することができる。好ましくは、ケイ素鋼などのようにその比透磁率が10程度以上、より好ましくは、パーマロイなどのようにその比透磁率が10以上の透磁性物質で構成する。 (3) In the above-described embodiment, the magnetically permeable material is made of permalloy. However, if the magnetically permeable material is normally used, for example, silicon steel, manganese zinc (Mn-Zn) ferrite, iron (Fe) -based amorphous, etc. It is not specifically limited like. Further, the higher the magnetic permeability, the more effective as a magnetic shield. Preferably, it is made of a magnetically permeable material having a relative magnetic permeability of about 10 3 or more, such as silicon steel, and more preferably a relative magnetic permeability of 10 4 or more, such as permalloy.

(4)上述した実施例では、パーマロイなどに代表される透磁性物質は導電性を有しており、そのパーマロイを接地して電気的なノイズをも除去したが、電気的なノイズを除去しないのであれば、透磁性物質であっても導電性を有する必要はない。例えばコイルの鉄心は透磁性物質であるが導電性を有さない。かかる鉄心を磁気シールドとして形成してもよい。   (4) In the above-described embodiment, the magnetically permeable material represented by permalloy has conductivity, and the permalloy is grounded to remove electrical noise, but does not remove electrical noise. If it is, even if it is a magnetically permeable substance, it does not need to have electroconductivity. For example, the iron core of the coil is a magnetically permeable material but has no electrical conductivity. Such an iron core may be formed as a magnetic shield.

(5)上述した実施例では、電源基板を備えた構成であったが、基板タイプでない単なる電源を備えた構成についても適用することができる。   (5) In the above-described embodiment, the power supply board is provided. However, the present invention can also be applied to a structure provided with a simple power supply that is not a board type.

(6)上述した実施例では、外部の磁気ノイズの影響を排除するためにパーマロイで形成された筐体10(図1を参照)を備えていたが、外部の磁気ノイズの影響を考慮しない場合には、必ずしも筐体10を備える必要はない。   (6) In the above-described embodiment, the case 10 (see FIG. 1) formed of permalloy is provided to eliminate the influence of external magnetic noise, but the influence of external magnetic noise is not considered. It is not always necessary to provide the housing 10.

(7)上述した実施例では、パーマロイ46,47(図1を参照)をともに配設したが、必ずしも両方を備える必要はない。例えば、後方散乱線の低減を考慮しないのであれば、図4に示すように、筐体状のパーマロイ46のみを配設して備えてもよい。また、筐体状のパーマロイ46がなくても、図5に示すように、パーマロイ47のみを配設して備えても、磁気ノイズを排除することができる。   (7) In the above-described embodiment, the permalloys 46 and 47 (see FIG. 1) are disposed together, but it is not always necessary to provide both. For example, if reduction of backscattered rays is not considered, as shown in FIG. 4, only a casing-shaped permalloy 46 may be provided. Further, even if there is no casing-like permalloy 46, magnetic noise can be eliminated even if only the permalloy 47 is provided as shown in FIG.

(8)上述した実施例では、放射線に関する吸収係数が互いに異なる2つの部材を組み合わせた基材として恒温機構43を例に採って説明したが、吸収係数が互いに異なる2つの部材を組み合わせた基材であって、基材内の部材の吸収係数の相違によって後方散乱線が発生するものであれば、これに限定されない。例えば、検出器を薄くかつ軽くするために、基材をAlなどの軽い物質で形成し、その強度をアップのために、SUS等の重く、強い物質を合わせて使用する場合なども同様の事が言える。   (8) In the above-described embodiment, the constant temperature mechanism 43 is described as an example of a base material combining two members having different absorption coefficients related to radiation. However, the base material combining two members having different absorption coefficients. And if a backscattering ray generate | occur | produces by the difference in the absorption coefficient of the member in a base material, it will not be limited to this. For example, in order to make the detector thinner and lighter, the base material is made of a light material such as Al, and the same applies when using a heavy and strong material such as SUS to increase its strength. I can say.

実施例に係る放射線検出器の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the radiation detector which concerns on an Example. 図1を等価回路で表した回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram illustrating FIG. 1 as an equivalent circuit. 平面的に表した回路図である。It is the circuit diagram represented planarly. 変形例に係る放射線検出器の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the radiation detector which concerns on a modification. さらなる変形例に係る放射線検出器の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the radiation detector which concerns on the further modification. 図1との比較のための従来の放射線検出器の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the conventional radiation detector for the comparison with FIG.

符号の説明Explanation of symbols

30 … 放射線検出器
31 … 半導体厚膜
36 … 絶縁基板
41 … 信号処理基板
42 … 電源基板
43 … 恒温機構
44 … ベース
45 … 配管
46,47 … パーマロイ
30 ... Radiation detector 31 ... Semiconductor thick film 36 ... Insulating substrate 41 ... Signal processing substrate 42 ... Power supply substrate 43 ... Constant temperature mechanism 44 ... Base 45 ... Piping 46, 47 ... Permalloy

Claims (6)

光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、前記電荷情報を読み出す読み出し基板と、読み出された電荷情報を信号処理する信号処理基板と、これらの基板を駆動するための電源または電源基板とを備え、変換された電荷情報を読み出して信号処理することで光または放射線を検出する光または放射線検出器であって、前記電源または電源基板から発生する磁気の影響を受けないように磁気シールドを配設することを特徴とする光または放射線検出器。   A conversion layer that converts light or radiation information into charge information upon incidence of light or radiation, a readout substrate that reads the charge information, a signal processing substrate that performs signal processing on the read charge information, and these substrates A light source or radiation detector that detects power or radiation by reading out the converted charge information and processing the signal, and comprising a magnetic power generated from the power source or the power supply substrate. A light or radiation detector, wherein a magnetic shield is disposed so as not to be affected. 請求項1に記載の光または放射線検出器において、前記磁気シールドは透磁性物質で形成されていることを特徴とする光または放射線検出器。   The light or radiation detector according to claim 1, wherein the magnetic shield is made of a magnetically permeable material. 請求項1または請求項2に記載の光または放射線検出器において、前記磁気シールドは、前記基板または電源基板を覆うことを特徴とする光または放射線検出器。   3. The light or radiation detector according to claim 1, wherein the magnetic shield covers the substrate or the power supply substrate. 請求項1から請求項3のいずれかに記載の光または放射線検出器において、前記読み出し基板の光または放射線の入射面とは逆側の面に前記磁気シールドを配設し、その磁気シールドは、磁気シールドを配設した読み出し基板の前記逆側の面積と同等の面積、あるいはそれ以上の面積を有することを特徴とする光または放射線検出器。   The light or radiation detector according to any one of claims 1 to 3, wherein the magnetic shield is disposed on a surface opposite to the light or radiation incident surface of the readout substrate, and the magnetic shield is: An optical or radiation detector having an area equivalent to or larger than the area on the opposite side of the readout substrate provided with a magnetic shield. 請求項4に記載の光または放射線検出器において、前記読み出し基板の光または放射線の入射面とは逆側に、光または放射線に関する吸収係数が互いに異なる2つの部材を組み合わせた基材を配設するとともに、読み出し基板の光または放射線の入射面とは逆側の面で、かつ前記基材の光または放射線の入射面に前記磁気シールドを配設することで、基材内の前記部材の吸収係数の相違によって起こる後方散乱線を磁気シールドによって減衰させることを特徴とする光または放射線検出器。   5. The light or radiation detector according to claim 4, wherein a base material in which two members having different absorption coefficients for light or radiation are combined is disposed on a side opposite to the light or radiation incident surface of the readout substrate. And an absorption coefficient of the member in the substrate by disposing the magnetic shield on a surface opposite to the light or radiation incident surface of the readout substrate and on the light or radiation incident surface of the substrate. A light or radiation detector characterized by attenuating backscattered rays caused by the difference by a magnetic shield. 請求項5に記載の光または放射線検出器において、前記基材は恒温手段であって、前記部材のうちの一方は恒温用の液体を流す配管であるとともに、他方は配管を配設したベースであって、配管およびベースは互いに異なる吸収係数からなる物質でそれぞれ形成されていることを特徴とする光または放射線検出器。   6. The light or radiation detector according to claim 5, wherein the base material is a constant temperature means, and one of the members is a pipe for flowing a constant temperature liquid, and the other is a base provided with a pipe. A light or radiation detector, wherein the pipe and the base are formed of materials having different absorption coefficients.
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