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JP3173162B2 - 透過マスク板 - Google Patents

透過マスク板

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Publication number
JP3173162B2
JP3173162B2 JP22152492A JP22152492A JP3173162B2 JP 3173162 B2 JP3173162 B2 JP 3173162B2 JP 22152492 A JP22152492 A JP 22152492A JP 22152492 A JP22152492 A JP 22152492A JP 3173162 B2 JP3173162 B2 JP 3173162B2
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Japan
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transmission pattern
calibration
transmission
pattern
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悟 山崎
義久 大饗
樹一 坂本
章夫 山田
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームやイオンビ
ーム等、荷電粒子ビームを使用して露光を行う荷電粒子
ビーム露光装置において、荷電粒子ビームの断面形状を
透過パターン（ブロックパターン）の形状に整形して露
光を行う場合に使用される透過マスク板（ブロックマス
ク、ステンシルマスク）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、荷電粒子ビーム露光装置、例え
ば、電子ビーム露光装置として、図１１にその概念図を
示すようなものが知られている。
【０００３】図中、１は電子銃、２は光軸、３は電子銃
１から射出された電子ビーム、４は電子銃１から射出さ
れた電子ビーム３の断面形状を矩形に整形するための矩
形整形アパーチャ、５は矩形整形アパーチャ４により矩
形整形された電子ビーム３を集束させるための電磁レン
ズである。
【０００４】また、６は矩形整形された電子ビーム３を
可変矩形する場合に使用する可変矩形整形用の偏向器、
７は可変矩形整形用の偏向器６を通過した電子ビーム３
を平行ビーム化するための電磁レンズである。
【０００５】また、８は電子ビーム３の断面形状を整形
するために選択的に使用される複数の透過パターンが形
成されてなる透過マスク板であり、この透過マスク板８
は、例えば、図１２にその平面図を示すように構成され
ている。
【０００６】図中、９は基板、１０は所定のピッチでマ
トリクス状に設定されたエリアと呼ばれる領域であり、
エリア１０は、透過マスク板８を所定の位置に固定した
場合に、電子ビーム３を偏向できる大きさとされてい
る。
【０００７】ここに、図１３はエリア１０の部分を拡大
して示す平面図であり、エリア１０には電子ビーム３の
断面形状を整形するための透過パターン１２がマトリク
ス状に形成されている。
【０００８】また、図１１において、１３〜１６は電磁
レンズ７によって平行ビーム化された電子ビーム３の断
面形状を透過マスク板８に形成された透過パターン１２
の形状に整形する場合、即ち、電子ビーム３の断面形状
をブロック整形する場合に使用される偏向器、いわゆる
マスク偏向器である。
【０００９】ここに、マスク偏向器１３、１４は、電子
ビーム３を、選択された透過パターンの位置に偏向する
ためのマスク偏向器、マスク偏向器１５、１６は、選択
された透過パターンによりブロック整形された電子ビー
ム３を無偏向時の光軸に振り戻すための偏向器である。
【００１０】なお、マスク偏向器１３とマスク偏向器１
６及びマスク偏向器１４とマスク偏向器１５は、それぞ
れ、透過マスク板８を挟んで鏡面対称の位置に配置され
ている。
【００１１】また、１７は電磁レンズ７によって平行ビ
ーム化された電子ビーム３を集束するための電磁レンズ
であり、この電磁レンズ１７と電磁レンズ７とはブロッ
クマスク８を挟んで鏡面対称の位置に配置されている。
【００１２】また、１８は電子ビーム３の通過を制御す
るためのブランキング電極、１９は電子ビーム像を縮小
するための縮小レンズ、２０は絞りアパーチャ、２１、
２２は電子ビーム像をウエハ上に結像させるための結像
レンズである。
【００１３】また、２３は電子ビーム３を副偏向領域に
偏向するための主偏向器（メインデフレクタ）、２４は
電子ビーム３を副偏向領域中、露光位置に偏向するため
の副偏向器（サブデフレクタ）、２５は露光対象である
ウエハ、２６はウエハ２５を搭載するためのウエハステ
ージである。
【００１４】かかる電子ビーム露光装置は、ＤＲＡＭ
（dynamic random access memory）等のように繰り返し
パターンを有するＬＳＩを製造する場合、電子ビーム３
の断面形状を繰り返しパターンにブロック整形してブロ
ック露光を行うことができるので、露光時間の短縮化を
図ることができる。
【００１５】ここに、精度の高いブロック露光を行うた
めには、矩形整形された電子ビーム３の基準点（代表
点、原点）が、選択された透過パターンの基準点に位置
するように電子ビーム３を正確に偏向し、再び、電子ビ
ーム３を無偏向時の光軸に正確に振り戻して、絞りアパ
ーチャ２０に陰らされることなく、絞りアパーチャ２０
を通過するように制御する必要がある。
【００１６】このような制御を行うためには、マスク偏
向器１３〜１６に印加する偏向信号の強度、即ち、マス
ク偏向器条件と電子ビーム３の偏向位置との間にどのよ
うな関係があるかを予め調べておく必要がある。
【００１７】ここに、従来は、図１４に示すように、透
過マスク板８にキャリブレーション（校正）用のエリア
２７を設け、このキャリブレーション用のエリア２７に
配置位置と大きさの判っている同一形状の透過パター
ン、例えば、矩形の透過パターン２８を一定間隔で配列
させ、これら透過パターン２８を使用してキャリブレー
ションを行うことにより、マスク偏向器条件と電子ビー
ム３の偏向位置との間の関係を得るようにしていた。
【００１８】具体的には、まず、透過パターン２８の基
準点（この例では、図上、左下の角の位置）２８Ａの付
近を矩形に整形した電子ビーム３で走査して、透過パタ
ーン２８を透過してきた電子ビーム３の電流値をウエハ
２５面上で検出し、図１５に示すように、電子ビーム３
の基準点３Ａが透過パターン２８の基準点２８Ａに一致
するように調整し、この場合のマスク偏向器条件が求め
られる。
【００１９】次に、電子ビーム３を透過パターン２８、
２８の基準点２８Ａ、２８Ａ間の任意の中間点に偏向す
るためのマスク偏向器条件が、先に求めた、電子ビーム
３の基準点３Ａが透過パターン２８の基準点２８Ａに一
致するように電子ビーム３を偏向させるに必要なマスク
偏向器条件を基準にして、これを直線又は曲線で補完し
て得られる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】ここに、従来の透過マ
スク板８においては、露光用のエリア１０に形成される
透過パターン１２の数は、キャリブレーション用のエリ
ア２７に形成される透過パターン２８の数よりも遙に多
く、また、露光用のエリア１０に形成される透過パター
ン１２の配列ピッチとキャリブレーション用のエリア２
７に形成される透過パターン２８の配列ピッチとは一致
していない。
【００２１】このため、露光用のエリア１０内に形成さ
れる透過パターン１２の基準点１２Ａと、キャリブレー
ション用のエリア２７内に形成される透過パターン２８
の基準点２８Ａとは一致せず、露光用のエリア１０内に
形成される透過パターン１２に電子ビーム３を偏向する
場合、透過パターン２８について得られたマスク偏向器
条件が使用されることはなく、これを直線又は曲線で補
完されたマスク偏向器条件が使用されることになる。
【００２２】ここに、従来の透過マスク板８のように、
少ない数のキャリブレーション用の透過パターン２８を
使用してキャリブレーションを行うことにより得られる
マスク偏向器条件を補完して得られるマスク偏向器条件
は、補完に使用した理想直線又は曲線とは一般的に一致
せず、電子ビーム３を、選択された透過パターン１２に
偏向した場合、偏向位置に誤差が生じ、精度の高い露光
を行うことができないという問題点があった。
【００２３】本発明は、かかる点に鑑み、ブロック露光
を行うことができるように構成された荷電粒子ビーム露
光装置において、荷電粒子ビームを、選択された露光用
の透過パターンの位置に正確に偏向制御して、精度の高
い露光を行うことができるようにした透過マスク板を提
供することを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明中、第１の発明に
よる透過マスク板は、荷電粒子ビームの断面形状をブロ
ック整形するために選択的に使用される複数の露光用の
透過パターンが形成されてなる露光用の荷電粒子ビーム
偏向領域と、露光用の透過パターンと配列ピッチを同一
にし、かつ、露光用の透過パターンと一対一に対応する
キャリブレーション用の透過パターンが形成されてなる
キャリブレーション用の荷電粒子ビーム偏向領域とを備
えて構成される。
【００２５】本発明中、第２の発明による透過マスク板
は、荷電粒子ビームの断面形状をブロック整形するため
に選択的に使用される複数の露光用の透過パターンが形
成されてなる露光用の荷電粒子ビーム偏向領域と、露光
用の透過パターンと配列ピッチを同一にし、かつ、露光
用の透過パターンと一対一に対応するキャリブレーショ
ン用の透過パターンが、露光用の透過パターンの配列ピ
ッチよりも配列ピッチが大きくなるように分割されて形
成されてなる複数のキャリブレーション用の荷電粒子ビ
ーム偏向領域とを備えて構成される。
【００２６】
【作用】本発明中、第１の発明においては、露光用の透
過パターンの基準点の位置と、キャリブレーション用の
透過パターンの基準点の位置とが一致していない場合に
は、キャリブレーション用の透過パターンについて得ら
れるマスク偏向器条件を補完したマスク偏向器条件が使
用されることになる。
【００２７】しかし、この第１の発明においては、キャ
リブレーション用の荷電粒子ビーム偏向領域には、露光
用の透過パターンと配列ピッチを同一にし、かつ、露光
用の透過パターンと一対一に対応するキャリブレーショ
ン用の透過パターンが形成されているので、従来の場合
に比較して遙に精度の高い補完を行うことができる。
【００２８】したがって、この場合には、キャリブレー
ション用の透過パターンについて得られるマスク偏向器
条件を補完したマスク偏向器条件を露光用の各透過パタ
ーンごとに記憶しておくことにより、荷電粒子ビーム
を、選択された露光用の透過パターンの位置に正確に偏
向制御して、精度の高い露光を行うことができる。
【００２９】これに対して、露光用の透過パターンの基
準点の位置と、キャリブレーション用の透過パターンの
基準点の位置とが一致するように構成する場合には、キ
ャリブレーション用の透過パターンについて得られるマ
スク偏向器条件をそのまま露光用の透過パターンに使用
することができる。
【００３０】したがって、この場合には、キャリブレー
ション用の透過パターンについて得られるマスク偏向器
条件を記憶しておくことにより、荷電粒子ビームを、選
択された露光用の透過パターンの位置に正確に偏向制御
して、精度の高い露光を行うことができる。
【００３１】本発明中、第２の発明においても、露光用
の透過パターンの基準点の位置と、キャリブレーション
用の透過パターンの基準点の位置とが一致していない場
合には、キャリブレーション用の透過パターンについて
得られるマスク偏向器条件を補完したマスク偏向器条件
が使用されることになる。
【００３２】しかし、この第２の発明においては、キャ
リブレーション用の荷電粒子ビーム偏向領域には、露光
用の透過パターンと配列ピッチを同一にし、かつ、露光
用の透過パターンと一対一に対応するキャリブレーショ
ン用の透過パターンが形成されているので、従来の場合
に比較して遙に精度の高い補完を行うことができる。
【００３３】したがって、この場合には、キャリブレー
ション用の透過パターンについて得られるマスク偏向器
条件を補完したマスク偏向器条件を露光用の各透過パタ
ーンごとに記憶しておくことにより、荷電粒子ビーム
を、選択された露光用の透過パターンの位置に正確に偏
向制御して、精度の高い露光を行うことができる。
【００３４】これに対して、露光用の透過パターンの基
準点の位置と、キャリブレーション用の透過パターンの
基準点の位置とが一致するように構成する場合には、キ
ャリブレーション用の透過パターンについて得られるマ
スク偏向器条件をそのまま露光用の透過パターンに使用
することができる。
【００３５】したがって、この場合には、キャリブレー
ション用の透過パターンについて得られるマスク偏向器
条件を記憶しておくことにより、荷電粒子ビームを、選
択された露光用の透過パターンの位置に正確に偏向制御
して、精度の高い露光を行うことができる。
【００３６】また、この第２の発明では、露光用の透過
パターンと配列ピッチを同一にし、かつ、露光用の透過
パターンと一対一に対応するキャリブレーション用の透
過パターンが、露光用の透過パターンの配列ピッチより
も配列ピッチが大きくなるように分割されて形成されて
なる複数のキャリブレーション用の荷電粒子ビーム偏向
領域を備えるようにしているので、露光用の透過パター
ンを密に形成することができる。
【００３７】
【実施例】以下、図１〜図１０を参照して、本発明の第
１実施例〜第６実施例について説明する。
【００３８】第１実施例・・図１ 図１は本発明の第１実施例の透過マスク板の一部分を示
す平面図であり、３０は基板、３１、３２、３３は露光
用のエリア、３４は露光用のエリア３１、３２、３３に
対応して設けられたキャリブレーション用のエリアであ
る。
【００３９】また、３５は露光用のエリア３１に形成さ
れた露光用の透過パターン、３５Ａは露光用の透過パタ
ーン３５の基準点、３６は露光用のエリア３２に形成さ
れた露光用の透過パターン、３６Ａは露光用の透過パタ
ーン３６の基準点である。
【００４０】また、３７は露光用のエリア３３に形成さ
れた露光用の透過パターン、３７Ａは露光用の透過パタ
ーン３７の基準点、３８はキャリブレーション用のエリ
ア３４に形成されたキャリブレーション用の矩形の透過
パターン、３８Ａはキャリブレーション用の透過パター
ン３８の基準点である。
【００４１】ここに、露光用のエリア３１、３２、３３
に形成されている露光用の透過パターン３５、３６、３
７は、それぞれ、同一の配列ピッチをもって、マトリク
ス状に配列されている。
【００４２】また、キャリブレーション用の透過パター
ン３８は、露光用の透過パターン３５、３６、３７と配
列ピッチを同一にし、かつ、露光用の透過パターン３
５、３６、３７と一対一に対応し、しかも、その基準点
３８Ａが露光用の透過パターン３５、３６、３７の基準
点３５Ａ、３６Ａ、３７Ａと一致するように配列されて
いる。
【００４３】この結果、この第１実施例の透過マスク板
を使用する場合には、キャリブレーション用の透過パタ
ーン３８について得られるマスク偏向器条件をそのまま
露光用の透過パターン３５、３６、３７に使用すること
ができる。
【００４４】したがって、キャリブレーション用の透過
パターン３８について得られるマスク偏向器条件を各露
光用の透過パターン３５、３６、３７を記憶しておくこ
とにより、電子ビームを、露光用の透過パターンの位置
に正確に偏向制御して、精度の高い露光を行うことがで
きる。
【００４５】第２実施例・・図２ 図２は本発明の第２実施例の透過マスク板の一部分を示
す平面図であり、３９は基板、４０、４１は露光用のエ
リア、４２は露光用のエリア４０に対応して設けられた
キャリブレーション用のエリア、４３は露光用のエリア
４１に対応して設けられたキャリブレーション用のエリ
アである。
【００４６】また、４４は露光用のエリア４０に形成さ
れた露光用の透過パターン、４４Ａは露光用の透過パタ
ーン４４の基準点、４５は露光用のエリア４１に形成さ
れた露光用の透過パターン、４５Ａは露光用の透過パタ
ーン４５の基準点である。
【００４７】また、４６はキャリブレーション用のエリ
ア４２に形成されたキャリブレーション用の矩形の透過
パターン、４６Ａはキャリブレーション用の透過パター
ン４６の基準点である。
【００４８】また、４７はキャリブレーション用のエリ
ア４３に形成されたキャリブレーション用の矩形の透過
パターン、４７Ａはキャリブレーション用の透過パター
ン４７の基準点である。
【００４９】ここに、キャリブレーション用の透過パタ
ーン４６は、露光用の透過パターン４４と配列ピッチを
同一にし、かつ、露光用の透過パターン４４と一対一に
対応し、しかも、その基準点４６Ａが露光用の透過パタ
ーン４４の基準点４４Ａと一致するように配列されてい
る。
【００５０】また、キャリブレーション用の透過パター
ン４７は、露光用の透過パターン４５と配列ピッチを同
一にし、かつ、露光用の透過パターン４５と一対一に対
応し、しかも、基準点４７Ａが露光用の透過パターン４
５の基準点４５Ａと一致するように配列されている。
【００５１】この結果、この第２実施例の透過マスク板
を使用する場合には、キャリブレーション用の透過パタ
ーン４６について得られるマスク偏向器条件をそのまま
露光用の透過パターン４４に使用することができ、ま
た、キャリブレーション用の透過パターン４７について
得られるマスク偏向器条件を、そのまま露光用の透過パ
ターン４５に使用することができる。
【００５２】したがって、キャリブレーション用の透過
パターン４６について得られるマスク偏向器条件を露光
用の各透過パターン４４ごとに記憶すると共に、キャリ
ブレーション用の透過パターン４７について得られるマ
スク偏向器条件を露光用の各透過パターン４５ごとに記
憶しておくことにより、電子ビームを、選択された露光
用の透過パターンの位置に正確に偏向制御して、精度の
高い露光を行うことができる。
【００５３】第３実施例・・図３、図４ 図３は本発明の第３実施例の透過マスク板の一部分を示
す平面図であり、４８は基板、４９は露光用のエリア、
５０、５１、５２は露光用のエリア４９に対応して設け
られたキャリブレーション用のエリアである。
【００５４】また、５３は露光用のエリア４９に形成さ
れた露光用の透過パターン、５３Ａは露光用の透過パタ
ーン５３の基準点、５４はキャリブレーション用のエリ
ア５０に形成されたキャリブレーション用の透過パター
ン、５４Ａはキャリブレーション用の透過パターン５４
の基準点である。
【００５５】また、５５はキャリブレーション用のエリ
ア５１に形成されたキャリブレーション用の透過パター
ン、５５Ａはキャリブレーション用の透過パターン５５
の基準点である。
【００５６】また、５６はキャリブレーション用のエリ
ア５２に形成されたキャリブレーション用の透過パター
ン、５６Ａはキャリブレーション用の透過パターン５６
の基準点である。
【００５７】ここに、キャリブレーション用のエリア５
０、５１、５２を重ね合わせると、図４に示すようにな
り、キャリブレーション用の透過パターン５４、５５、
５６は、この状態で、露光用の透過パターン５３と配列
ピッチを同一にし、かつ、露光用の透過パターン５３と
一対一に対応し、しかも、それらの基準点５４Ａ、５５
Ａ、５６Ａが露光用の透過パターン５３の基準点５３Ａ
と一致するように、キャリブレーション用のエリア５
０、５１、５２に分割して形成されている。
【００５８】この結果、この第３実施例の透過マスク板
を使用する場合には、キャリブレーション用の透過パタ
ーン５４、５５、５６について得られるマスク偏向器条
件をそのまま露光用の透過パターン５３に使用すること
ができる。
【００５９】したがって、キャリブレーション用の透過
パターン５４、５５、５６について得られるマスク偏向
器条件を露光用の各透過パターン５３ごとに記憶してお
くことにより、電子ビームを、選択された露光用の透過
パターンの位置に正確に偏向制御して、精度の高い露光
を行うことができる。
【００６０】また、この第３実施例によれば、キャリブ
レーション用の透過パターン５４、５５、５６は、図４
に示すように、キャリブレーション用のエリア５０、５
１、５２を重ね合わせた場合において、露光用の透過パ
ターン５３と配列ピッチを同一にし、かつ、露光用の透
過パターン５３と一対一に対応するように、キャリブレ
ーション用のエリア５０、５１、５２に分割して形成さ
れているので、露光用のエリア４９に露光用の透過パタ
ーン５３を密に形成することができる。
【００６１】第４実施例・・図５、図６ 図５は本発明の第４実施例の透過マスク板の一部分を示
す平面図であり、５７は基板、５８は露光用のエリア、
５９、６０、６１は露光用のエリア５８に対応して設け
られたキャリブレーション用のエリアである。
【００６２】また、６２は露光用のエリア５８に形成さ
れた露光用の透過パターン、６２Ａは露光用の透過パタ
ーン６２の基準点、６３はキャリブレーション用のエリ
ア５９に形成されたキャリブレーション用の透過パター
ン、６３Ａはキャリブレーション用の透過パターン６３
の基準点である。
【００６３】また、６４はキャリブレーション用のエリ
ア６０に形成されたキャリブレーション用の透過パター
ン、６４Ａはキャリブレーション用の透過パターン６４
の基準点である。
【００６４】また、６５はキャリブレーション用のエリ
ア６１に形成されたキャリブレーション用の透過パター
ン、６５Ａはキャリブレーション用の透過パターン６５
の基準点である。
【００６５】ここに、キャリブレーション用のエリア５
９、６０、６１を重ね合わせると、図６に示すようにな
り、キャリブレーション用の透過パターン６３、６４、
６５は、この状態で、露光用の透過パターン６２と配列
ピッチを同一にし、かつ、露光用の透過パターン６２と
一対一に対応し、しかも、それらの基準点６３Ａ、６４
Ａ、６５Ａが露光用の透過パターン６２の基準点６２Ａ
と一致するように、キャリブレーション用のエリア５
９、６０、６１に分割して形成されている。
【００６６】この結果、この第４実施例の透過マスク板
を使用する場合には、キャリブレーション用の透過パタ
ーン６３、６４、６５について得られるマスク偏向器条
件をそのまま露光用の透過パターン６２に使用すること
ができる。
【００６７】したがって、キャリブレーション用の透過
パターン６３、６４、６５について得られるマスク偏向
器条件を露光用の各透過パターン６２ごとに記憶してお
くことにより、電子ビームを、選択された露光用の透過
パターンの位置に正確に偏向制御して、精度の高い露光
を行うことができる。
【００６８】また、この第４実施例によれば、キャリブ
レーション用の透過パターン６３、６４、６５は、図６
に示すように、キャリブレーション用のエリア５９、６
０、６１を重ね合わせた場合において、露光用の透過パ
ターン６２と配列ピッチを同一にし、かつ、露光用の透
過パターン６２と一対一に対応するように、キャリブレ
ーション用のエリア５９、６０、６１に分割して形成さ
れているので、露光用のエリア５８に露光用の透過パタ
ーン６２を密に形成することができる。
【００６９】第５実施例・・図７、図８ 図７は本発明の第５実施例の透過マスク板の一部分を示
す平面図であり、６６は基板、６７は露光用のエリア、
６８、６９、７０、７１は露光用のエリア６７に対応し
て設けられたキャリブレーション用のエリアである。
【００７０】また、７２は露光用のエリア６７に形成さ
れた露光用の透過パターン、７２Ａは露光用の透過パタ
ーン７２の基準点、７３はキャリブレーション用のエリ
ア６８に形成されたキャリブレーション用の透過パター
ン、７３Ａはキャリブレーション用の透過パターン７３
の基準点である。
【００７１】また、７４はキャリブレーション用のエリ
ア６９に形成されたキャリブレーション用の透過パター
ン、７４Ａはキャリブレーション用の透過パターン７４
の基準点である。
【００７２】また、７５はキャリブレーション用のエリ
ア７０に形成されたキャリブレーション用の透過パター
ン、７５Ａはキャリブレーション用の透過パターン７５
の基準点である。
【００７３】また、７６はキャリブレーション用のエリ
ア７１に形成されたキャリブレーション用の透過パター
ン、７６Ａはキャリブレーション用の透過パターン７６
の基準点である。
【００７４】ここに、キャリブレーション用のエリア６
８、６９、７０、７１を重ね合わせると、図８に示すよ
うになり、キャリブレーション用の透過パターン７３、
７４、７５、７６は、この状態で、露光用の透過パター
ン７２と配列ピッチを同一にし、かつ、露光用の透過パ
ターン７２と一対一に対応し、しかも、それらの基準点
７３Ａ、７４Ａ、７５Ａ、７６Ａが露光用の透過パター
ン７２の基準点７２Ａと一致するように、キャリブレー
ション用のエリア６８、６９、７０、７１に分割して形
成されている。
【００７５】この結果、この第５実施例の透過マスク板
を使用する場合には、キャリブレーション用の透過パタ
ーン７３、７４、７５、７６について得られるマスク偏
向器条件をそのまま露光用の透過パターン７２に使用す
ることができる。
【００７６】したがって、この第５実施例の透過マスク
板を使用し、キャリブレーション用の透過パターン７
３、７４、７５、７６について得られるマスク偏向器条
件を露光用の各透過パターン７２ごとに記憶しておくこ
とにより、電子ビームを、選択された露光用の透過パタ
ーンの位置に正確に偏向制御して、精度の高い露光を行
うことができる。
【００７７】また、この第５実施例によれば、キャリブ
レーション用の透過パターン７３、７４、７５、７６
は、図８に示すように、キャリブレーション用のエリア
６８、６９、７０、７１を重ね合わせた場合において、
露光用の透過パターン７２と配列ピッチを同一にし、か
つ、露光用の透過パターン７２と一対一に対応するよう
に、キャリブレーション用のエリア６８、６９、７０、
７１に分割して形成されているので、露光用のエリア６
７に露光用の透過パターン７２を密に形成することがで
きる。
【００７８】第６実施例・・図９、図１０ 図９は本発明の第６実施例の透過マスク板の一部分を示
す平面図であり、７７は基板、７８は露光用のエリア、
７９、８０は露光用のエリア７８に対応して設けられた
キャリブレーション用のエリアである。
【００７９】また、８１は露光用のエリア７８に形成さ
れた露光用の透過パターン、８１Ａは露光用の透過パタ
ーン８１の基準点、８２はエリアの位置合わせ用の透過
パターン、８２Ａは位置合わせ用の透過パターン８２の
基準点である。
【００８０】また、８３はキャリブレーション用のエリ
ア７９に形成されたキャリブレーション用の透過パター
ン、８３Ａはキャリブレーション用の透過パターン８３
の基準点、８４はエリアの位置合わせ用の透過パター
ン、８４Ａは位置合わせ用の透過パターン８４の基準点
である。
【００８１】また、８５はキャリブレーション用のエリ
ア８０に形成されたキャリブレーション用の透過パター
ン、８５Ａはキャリブレーション用の透過パターン８５
の基準点、８６はエリアの位置合わせ用の透過パター
ン、８６Ａは位置合わせ用の透過パターン８６の基準点
である。
【００８２】ここに、キャリブレーション用のエリア７
９、８０を重ね合わせると、図１０に示すようになり、
キャリブレーション用の透過パターン８３、８５は、こ
の状態で、露光用の透過パターン８１と配列ピッチを同
一にし、かつ、露光用の透過パターン８１と一対一に対
応し、しかも、それらの基準点８３Ａ、８５Ａが露光用
の透過パターン８１の基準点８１Ａと一致するように、
キャリブレーション用のエリア７９、８０に分割して形
成されている。
【００８３】この結果、この第６実施例の透過マスク板
を使用する場合には、キャリブレーション用の透過パタ
ーン８３、８５について得られるマスク偏向器条件をそ
のまま露光用の透過パターン８１に使用することができ
る。
【００８４】したがって、キャリブレーション用の透過
パターン８３、８５について得られるマスク偏向器条件
を露光用の各透過パターン８１ごとに記憶しておくこと
により、電子ビームを、選択された露光用の透過パター
ンの位置に正確に偏向制御して、精度の高い露光を行う
ことができる。
【００８５】また、この第６実施例によれば、キャリブ
レーション用の透過パターン８３、８５は、図１０に示
すように、キャリブレーション用のエリア７９、８０を
重ね合わせた場合において、露光用の透過パターン８１
と配列ピッチを同一にし、かつ、露光用の透過パターン
８１と一対一に対応するように、キャリブレーション用
のエリア７９、８０に分割して形成されているので、露
光用のエリア７８に露光用の透過パターン８１を密に形
成することができる。
【００８６】
【発明の効果】本発明中、第１の発明の透過マスク板に
よっても、あるいは、第２の発明の透過マスク板によっ
ても、露光用の透過パターンと配列ピッチを同一にし、
かつ、露光用の透過パターンと一対一に対応するキャリ
ブレーション用の透過パターンが形成されてなるキャリ
ブレーション用の荷電粒子ビーム偏向領域を設けるとい
う構成を採用したことにより、露光用の透過パターンの
基準点の位置と、キャリブレーション用の透過パターン
の基準点の位置とが一致していない場合においても、キ
ャリブレーション用の透過パターンについて得られるマ
スク偏向器条件を補完したマスク偏向器条件を従来の場
合よりも遙に高い精度で得ることができるし、また、露
光用の透過パターンの基準点の位置と、キャリブレーシ
ョン用の透過パターンの基準点の位置とが一致するよう
に構成する場合には、キャリブレーション用の透過パタ
ーンについて得られるマスク偏向器条件をそのまま露光
用の透過パターンに使用することができるので、キャリ
ブレーション用の透過パターンについて得られるマスク
偏向器条件を補完したマスク偏向器条件あるいはキャリ
ブレーション用の透過パターンについて得られるマスク
偏向器条件を各露光用の透過パターンごとに記憶してお
くことにより、荷電粒子ビームを、選択された露光用の
透過パターンの位置に正確に偏向制御して、精度の高い
露光を行うことができる。
【００８７】また、特に、第２の発明の透過マスク板に
よれば、露光用の透過パターンと配列ピッチを同一に
し、かつ、露光用の透過パターンと一対一に対応するキ
ャリブレーション用の透過パターンが、露光用の透過パ
ターンの配列ピッチよりも配列ピッチが大きくなるよう
に分割されて形成されてなる複数のキャリブレーション
用の荷電粒子ビーム偏向領域を備えるようにしているの
で、露光用の透過パターンを密に形成することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例の透過マスク板を示す平面
図である。
【図２】本発明の第２実施例の透過マスク板を示す平面
図である。
【図３】本発明の第３実施例の透過マスク板を示す平面
図である。
【図４】本発明の第３実施例の透過マスク板を説明する
ための平面図である。
【図５】本発明の第４実施例の透過マスク板を示す平面
図である。
【図６】本発明の第４実施例の透過マスク板を説明する
ための平面図である。
【図７】本発明の第５実施例の透過マスク板を示す平面
図である。
【図８】本発明の第５実施例の透過マスク板を説明する
ための平面図である。
【図９】本発明の第６実施例の透過マスク板を示す平面
図である。
【図１０】本発明の第６実施例の透過マスク板を説明す
るための平面図である。
【図１１】電子ビーム露光装置の一例を示す概念図であ
る。
【図１２】透過マスク板を示す平面図である。
【図１３】エリアの部分を拡大して示す平面図である。
【図１４】キャリブレーション用のエリアを設けてなる
透過マスク板を示す平面図である。
【図１５】キャリブレーションの方法を説明するための
平面図である。
【符号の説明】
３０ 基板 ３１ 露光用のエリア ３４ キャリブレーション用のエリア ３５ 露光用の透過パターン ３８ キャリブレーション用の透過パターン
フロントページの続き (72)発明者 山田 章夫 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−125609（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−177717（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16 G03F 7/20

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】荷電粒子ビームの断面形状をブロック整形
    するために選択的に使用される複数の露光用の透過パタ
    ーンが形成されてなる露光用の荷電粒子ビーム偏向領域
    と、前記露光用の透過パターンと配列ピッチを同一に
    し、かつ、前記露光用の透過パターンと一対一に対応す
    るキャリブレーション用の透過パターンが形成されてな
    るキャリブレーション用の荷電粒子ビーム偏向領域とを
    備えて構成されていることを特徴とする透過マスク板。
  2. 【請求項２】荷電粒子ビームの断面形状をブロック整形
    するために選択的に使用される複数の露光用の透過パタ
    ーンが形成されてなる露光用の荷電粒子ビーム偏向領域
    と、前記露光用の透過パターンと配列ピッチを同一に
    し、かつ、前記露光用の透過パターンと一対一に対応す
    るキャリブレーション用の透過パターンが、前記露光用
    の透過パターンの配列ピッチよりも配列ピッチが大きく
    なるように分割されて形成されてなる複数のキャリブレ
    ーション用の荷電粒子ビーム偏向領域とを備えて構成さ
    れていることを特徴とする透過マスク板。
  3. 【請求項３】前記露光用の透過パターンの基準点の位置
    と、前記キャリブレーション用の透過パターンの基準点
    の位置とが一致するように構成されていることを特徴と
    する請求項１又は２記載の透過マスク板。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3335011B2 (ja) * 1994-09-16 2002-10-15 富士通株式会社 マスク及びこれを用いる荷電粒子ビーム露光方法
US5751004A (en) * 1997-01-24 1998-05-12 International Business Machines Corporation Projection reticle transmission control for coulomb interaction analysis
US5798528A (en) * 1997-03-11 1998-08-25 International Business Machines Corporation Correction of pattern dependent position errors in electron beam lithography
DE19745771B4 (de) 1997-10-16 2005-12-22 Unaxis Deutschland Holding Gmbh Verfahren für den Betrieb eines Hochleistungs-Elektronenstrahls
JP2002118060A (ja) * 2000-07-27 2002-04-19 Toshiba Corp 荷電ビーム露光装置、荷電ビーム露光方法、露光データ作成方法、露光データを作成するプログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体、及び、露光データを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体
JP5977629B2 (ja) * 2012-04-05 2016-08-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法及び荷電粒子ビーム描画方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5961134A (ja) * 1982-09-30 1984-04-07 Toshiba Corp 荷電ビ−ム露光装置
EP0364929B1 (en) * 1988-10-20 1995-09-06 Fujitsu Limited Fabrication method of semiconductor devices and transparent mask for charged particle beam
US5173582A (en) * 1988-10-31 1992-12-22 Fujitsu Limited Charged particle beam lithography system and method
JP2837515B2 (ja) * 1990-06-20 1998-12-16 富士通株式会社 電子ビーム露光装置
JP2837743B2 (ja) * 1990-06-27 1998-12-16 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光方法およびそれに用いるステンシルマスク

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