JP3088510B2 - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
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- JP3088510B2 JP3088510B2 JP03245889A JP24588991A JP3088510B2 JP 3088510 B2 JP3088510 B2 JP 3088510B2 JP 03245889 A JP03245889 A JP 03245889A JP 24588991 A JP24588991 A JP 24588991A JP 3088510 B2 JP3088510 B2 JP 3088510B2
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- Japan
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- light
- cyanine dye
- quencher
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、書込み可能な情報記録
媒体、特に光透過性の基板の上に光吸収層と光反射層を
有する情報記録媒体に関する。
媒体、特に光透過性の基板の上に光吸収層と光反射層を
有する情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、いわゆる書込み可能な情報記録媒
体の記録膜には例えば、シアニン系、フタロシアニン系
などの有機色素が用いられていることは一般に良く知ら
れている。
体の記録膜には例えば、シアニン系、フタロシアニン系
などの有機色素が用いられていることは一般に良く知ら
れている。
【０００３】そして、このような情報記録媒体の書込み
方法としては、記録膜の微小面積にレーザビームを集光
させ、それを熱エネルギーに変換し、記録膜の性状を変
えて（ピット形成）行っている。この記録膜の性状変化
を円滑に行うために、媒体の構成は基板上に記録膜を設
層したものを２枚用意し、記録膜を対向して配置したい
わゆるエアーサンドイッチ構造とされることが一般的で
ある。
方法としては、記録膜の微小面積にレーザビームを集光
させ、それを熱エネルギーに変換し、記録膜の性状を変
えて（ピット形成）行っている。この記録膜の性状変化
を円滑に行うために、媒体の構成は基板上に記録膜を設
層したものを２枚用意し、記録膜を対向して配置したい
わゆるエアーサンドイッチ構造とされることが一般的で
ある。
【０００４】このようなタイプの情報記録媒体に用いら
れる書込み用のレーザビームは、透明基板側から照射さ
れ、記録膜の中に光読取り可能なピットを形成する。記
録されたデータを再生するための読取り用のレーザビー
ムは、書込み用のそれとは弱い出力であり、ピットが形
成された部分と、そうでない部分のコントラストは電気
信号として読み取られる。
れる書込み用のレーザビームは、透明基板側から照射さ
れ、記録膜の中に光読取り可能なピットを形成する。記
録されたデータを再生するための読取り用のレーザビー
ムは、書込み用のそれとは弱い出力であり、ピットが形
成された部分と、そうでない部分のコントラストは電気
信号として読み取られる。
【０００５】一方、上記媒体とは異なり予めすでにデー
タが記録されているいわゆるＲＯＭ（read only memor
y）タイプの媒体も存在し、音声記録と情報処理の分野
で広く実用化されている。しかし、このものには上記の
ごとく書込み可能な記録膜が存在しない。すなわち、再
生されるべくデータに相当するプリピットはすでにプラ
スチック基板の上にプレス成形によって形成され、この
上にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属からなる反射層が
形成され、さらにこの上に保護層が形成されている。こ
のＲＯＭタイプの典型的な媒体は、いわゆるＣＤと呼ば
れるコンパクトディスクである。このＣＤの記録と読み
取りの信号の仕様は規格化されており、この規格に準じ
て、ＣＤの再生装置がコンパクトディスクプレーヤー
（ＣＤプレーヤー）として広く使われている。
タが記録されているいわゆるＲＯＭ（read only memor
y）タイプの媒体も存在し、音声記録と情報処理の分野
で広く実用化されている。しかし、このものには上記の
ごとく書込み可能な記録膜が存在しない。すなわち、再
生されるべくデータに相当するプリピットはすでにプラ
スチック基板の上にプレス成形によって形成され、この
上にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属からなる反射層が
形成され、さらにこの上に保護層が形成されている。こ
のＲＯＭタイプの典型的な媒体は、いわゆるＣＤと呼ば
れるコンパクトディスクである。このＣＤの記録と読み
取りの信号の仕様は規格化されており、この規格に準じ
て、ＣＤの再生装置がコンパクトディスクプレーヤー
（ＣＤプレーヤー）として広く使われている。
【０００６】ところで、前記書込み可能な情報記録媒体
は、レーザビームを用いる点においてはＣＤと同様であ
り、また、媒体の形態もディスク形状をなしている点に
おいてはＣＤと同様である。それゆえ、ＣＤ仕様の規格
に適合し、ＣＤプレーヤーにそのまま使える書込み可能
な媒体の開発が強く要望されてきており、この要望に応
えるべく実サンプルが提示され始めている。
は、レーザビームを用いる点においてはＣＤと同様であ
り、また、媒体の形態もディスク形状をなしている点に
おいてはＣＤと同様である。それゆえ、ＣＤ仕様の規格
に適合し、ＣＤプレーヤーにそのまま使える書込み可能
な媒体の開発が強く要望されてきており、この要望に応
えるべく実サンプルが提示され始めている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、かかる実サン
プルは、その初期特性が規格をクリアするものの、い
わゆるジッターが大きい繰り返し読出しに弱い記録
膜の耐光性がない記録感度をコントロールできない等
の問題があったこのような実情に鑑み本発明は創案され
たものであって、その目的は、いわゆるジッターを小さ
くし、繰り返し読出し性能や記録膜の耐光性を向上さ
せ、記録感度をコントロールできる書込み可能な情報記
録媒体を提供することにある。
プルは、その初期特性が規格をクリアするものの、い
わゆるジッターが大きい繰り返し読出しに弱い記録
膜の耐光性がない記録感度をコントロールできない等
の問題があったこのような実情に鑑み本発明は創案され
たものであって、その目的は、いわゆるジッターを小さ
くし、繰り返し読出し性能や記録膜の耐光性を向上さ
せ、記録感度をコントロールできる書込み可能な情報記
録媒体を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、片側平面にプリグルーブが形成された光透過
性基板の上に光吸収層を有し、該光吸収層の上に光反射
層を有する情報記録媒体において、前記光吸収層は、記
録光または再生光の波長域に光吸収帯を備える第一のシ
アニン系色素と、この第一のシアニン系色素よりも短波
長側に光吸収帯を備え、かつ記録光または再生光の波長
域で光吸収の小さい第二のシアニン系色素と、シアニン
系色素の光劣化を防止するための第一のクエンチャと、
ジフェニルアミン化合物の第二のクエンチャとを含有
し、第一のシアニン系色素に対する第二のシアニン系色
素の重量比をα、第二のクエンチャに対する第一のクエ
ンチャの重量比をβ、第一のシアニン系色素と第二のシ
アニン系色素との加算重量に対する第一のクエンチャと
第二のクエンチャとの加算重量の比をγとした場合、α
＝１〜３、β＝０．５〜１、γ＝０．２５〜０．５、α
・γ＜１．１の条件を満足するように含有させて構成し
た。
本発明は、片側平面にプリグルーブが形成された光透過
性基板の上に光吸収層を有し、該光吸収層の上に光反射
層を有する情報記録媒体において、前記光吸収層は、記
録光または再生光の波長域に光吸収帯を備える第一のシ
アニン系色素と、この第一のシアニン系色素よりも短波
長側に光吸収帯を備え、かつ記録光または再生光の波長
域で光吸収の小さい第二のシアニン系色素と、シアニン
系色素の光劣化を防止するための第一のクエンチャと、
ジフェニルアミン化合物の第二のクエンチャとを含有
し、第一のシアニン系色素に対する第二のシアニン系色
素の重量比をα、第二のクエンチャに対する第一のクエ
ンチャの重量比をβ、第一のシアニン系色素と第二のシ
アニン系色素との加算重量に対する第一のクエンチャと
第二のクエンチャとの加算重量の比をγとした場合、α
＝１〜３、β＝０．５〜１、γ＝０．２５〜０．５、α
・γ＜１．１の条件を満足するように含有させて構成し
た。
【０００９】本発明の情報記録媒体の一部を切り欠いた
概略斜視図が図１に示される。本発明の情報記録媒体１
は、光透過性基板１１の上に光吸収層１２が設層され、
この光吸収層１２の上に光反射層１３が設層され、この
光反射層１３の上に保護層１４が設層される。
概略斜視図が図１に示される。本発明の情報記録媒体１
は、光透過性基板１１の上に光吸収層１２が設層され、
この光吸収層１２の上に光反射層１３が設層され、この
光反射層１３の上に保護層１４が設層される。
【００１０】基板１１の上に形成される光吸収層１２
は、記録光または再生光の波長域に光吸収帯を備える第
一のシアニン系色素と、この第一のシアニン系色素より
も短波長側に光吸収帯を備え、かつ記録光または再生光
の波長域で光吸収の小さい第二のシアニン系色素と、シ
アニン系色素の光劣化を防止するための第一のクエンチ
ャと、ジフェニルアミン化合物の第二のクエンチャとを
含有する。
は、記録光または再生光の波長域に光吸収帯を備える第
一のシアニン系色素と、この第一のシアニン系色素より
も短波長側に光吸収帯を備え、かつ記録光または再生光
の波長域で光吸収の小さい第二のシアニン系色素と、シ
アニン系色素の光劣化を防止するための第一のクエンチ
ャと、ジフェニルアミン化合物の第二のクエンチャとを
含有する。
【００１１】本発明において、記録光または再生光の波
長域は、例えば、７７０〜８３０ｎｍの波長域を対象と
しているので、前記第一のシアニン系色素は、下記一般
式［Ｉ］で表されるシアニン系色素が用いられる。
長域は、例えば、７７０〜８３０ｎｍの波長域を対象と
しているので、前記第一のシアニン系色素は、下記一般
式［Ｉ］で表されるシアニン系色素が用いられる。
【００１２】
【化５】 上記一般式［Ｉ］において、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれ
炭素数１〜８のアルキル基、好ましくは３〜５のアルキ
ル基を表わす。この炭素数が８を越えると、高温高湿試
験で劣化が促進される。また、蝋化が起こり、取り扱い
が不便になるという不都合が生じる。
炭素数１〜８のアルキル基、好ましくは３〜５のアルキ
ル基を表わす。この炭素数が８を越えると、高温高湿試
験で劣化が促進される。また、蝋化が起こり、取り扱い
が不便になるという不都合が生じる。
【００１３】Ｘ- はカウンターイオンを表わし、具体的
にはＣｌＯ4 - 、Ｉ- 、Ｂｒ- 等が挙げられる。一方、
前記第二のシアニン系色素は、下記一般式［II］で表さ
れるシアニン系色素が用いられる。
にはＣｌＯ4 - 、Ｉ- 、Ｂｒ- 等が挙げられる。一方、
前記第二のシアニン系色素は、下記一般式［II］で表さ
れるシアニン系色素が用いられる。
【００１４】
【化６】 上記一般式［II］において、Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ
炭素数１〜８のアルキル基、好ましくは３〜５のアルキ
ル基を表わす。この炭素数が８を越えると、上記一般式
［Ｉ］の場合と同様な不都合が生じる。Ｘ- はカウンタ
ーイオンを表わし、上記のものと同義である。
炭素数１〜８のアルキル基、好ましくは３〜５のアルキ
ル基を表わす。この炭素数が８を越えると、上記一般式
［Ｉ］の場合と同様な不都合が生じる。Ｘ- はカウンタ
ーイオンを表わし、上記のものと同義である。
【００１５】さらに、光吸収層１２の中には、上記シア
ニン系色素の光劣化を防止するための第一のクエンチャ
が含有される。第一のクエンチャとしては、金属錯体が
有効であり、例えば、下記一般式［III ］で示されるＮ
ｉ錯体が好適である。
ニン系色素の光劣化を防止するための第一のクエンチャ
が含有される。第一のクエンチャとしては、金属錯体が
有効であり、例えば、下記一般式［III ］で示されるＮ
ｉ錯体が好適である。
【００１６】
【化７】 式中、Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 およびＲ8 は、それぞれ、水素
又はこれに代わる置換基を表わす。
又はこれに代わる置換基を表わす。
【００１７】置換基としては、ＣＨ3 Ｏ−，ＣＨ3 ＯＣ
Ｈ2 ＣＨ2 Ｏ−，ＣＨ3 ＣＯＯ−，（ｎ−Ｃ3 Ｈ7 ）2
Ｎ−，（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ−，Ｃｌ−等が挙げられる。
Ｈ2 ＣＨ2 Ｏ−，ＣＨ3 ＣＯＯ−，（ｎ−Ｃ3 Ｈ7 ）2
Ｎ−，（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ−，Ｃｌ−等が挙げられる。
【００１８】このような第一のクエンチャの具体例とし
ては、例えば、下記の構造式［Ｑ−１］〜［Ｑ−４］の
ものが挙げられる。
ては、例えば、下記の構造式［Ｑ−１］〜［Ｑ−４］の
ものが挙げられる。
【００１９】
【化８】
【００２０】
【化９】
【００２１】
【化１０】
【００２２】
【化１１】 これらのクエンチャ中でも、上記構造式［Ｑ−１］で示
されるものが、前記シアニン系色素の光劣化を防止する
点で特に好ましい。
されるものが、前記シアニン系色素の光劣化を防止する
点で特に好ましい。
【００２３】本発明の光吸収層１２には上記第１のクエ
ンチャに加えて、さらに第二のクエンチャが含有され
る。第二のクエンチャは、下記一般式［IV］で表わされ
るジフェニルアミン化合物である。この第二のクエンチ
ャは、記録、すなわちピット形成により上記シアニン系
色素の構造が破壊され、該分解残渣の部分を構成する化
合物の光経時劣化を防止するために含有される。
ンチャに加えて、さらに第二のクエンチャが含有され
る。第二のクエンチャは、下記一般式［IV］で表わされ
るジフェニルアミン化合物である。この第二のクエンチ
ャは、記録、すなわちピット形成により上記シアニン系
色素の構造が破壊され、該分解残渣の部分を構成する化
合物の光経時劣化を防止するために含有される。
【００２４】
【化１２】 この式中、Ｒ9 ，Ｒ10，Ｒ11は、それぞれ、水素、ニト
ロソ基、置換もしくは非置換のアミノ基、置換もしくは
非置換のアリール基を表わす。中でも、光吸収ピークの
波長がシアニン反応残渣が吸収を有する４００〜５００
ｎｍのジフェニルアミン化合物が特に好ましく、具体的
には、下記構造式［Ａ−１］〜［Ａ−３］で示されるも
のが挙げられる。光吸収ピークの波長が上記の範囲を外
れたもの、特に５００ｎｍを超えると記録波長に吸収を
有しはじめ記録、再生の全体的な特性が変化してしまう
という不都合が生じ得る。また、４００ｎｍ未満になる
と単なる紫外線吸収剤であって、色素の短波長の吸収と
合致し、入れる意味がない。
ロソ基、置換もしくは非置換のアミノ基、置換もしくは
非置換のアリール基を表わす。中でも、光吸収ピークの
波長がシアニン反応残渣が吸収を有する４００〜５００
ｎｍのジフェニルアミン化合物が特に好ましく、具体的
には、下記構造式［Ａ−１］〜［Ａ−３］で示されるも
のが挙げられる。光吸収ピークの波長が上記の範囲を外
れたもの、特に５００ｎｍを超えると記録波長に吸収を
有しはじめ記録、再生の全体的な特性が変化してしまう
という不都合が生じ得る。また、４００ｎｍ未満になる
と単なる紫外線吸収剤であって、色素の短波長の吸収と
合致し、入れる意味がない。
【００２５】
【化１３】
【００２６】
【化１４】
【００２７】
【化１５】 本発明においては、上記第一のシアニン系色素と、第二
のシアニン系色素と、第一のクエンチャと、ジフェニル
アミン化合物の第二のクエンチャとの含有割合が下記の
条件を満たすように含有される。すなわち、第一のシア
ニン系色素に対する第二のシアニン系色素の重量比を
α、第二のクエンチャに対する第一のクエンチャの重量
比をβ、第一のシアニン系色素と第二のシアニン系色素
との加算重量に対する第一のクエンチャと第二のクエン
チャとの加算重量の比をγとした場合 α＝１〜３ β＝０．５〜１ γ＝０．２５〜０．５ α・γ＜１．１ の条件を満足するように含有される。
のシアニン系色素と、第一のクエンチャと、ジフェニル
アミン化合物の第二のクエンチャとの含有割合が下記の
条件を満たすように含有される。すなわち、第一のシア
ニン系色素に対する第二のシアニン系色素の重量比を
α、第二のクエンチャに対する第一のクエンチャの重量
比をβ、第一のシアニン系色素と第二のシアニン系色素
との加算重量に対する第一のクエンチャと第二のクエン
チャとの加算重量の比をγとした場合 α＝１〜３ β＝０．５〜１ γ＝０．２５〜０．５ α・γ＜１．１ の条件を満足するように含有される。
【００２８】これらの条件を満足しない場合には、再生
光のレーザ波長域で反射率が低下する。また、記録にお
いて記録感度が低下し、記録パワーが増大する。また、
再生光による光劣化および再生光以外の波長域での光劣
化が促進されるという不都合が生じる。
光のレーザ波長域で反射率が低下する。また、記録にお
いて記録感度が低下し、記録パワーが増大する。また、
再生光による光劣化および再生光以外の波長域での光劣
化が促進されるという不都合が生じる。
【００２９】このようなシアニン系色素およびクエンチ
ャを含有する光吸収層１２は、例えば、スピンコート法
等の常用手段により塗設され、塗設に際し、前記第一の
シアニン系色素と前記第二のシアニン系色素との混合液
の濃度が低くなりすぎると、吸収感度が少なくなるため
半導体レーザーで信号を記録出来なくなるという不都合
が生じ、逆に濃度が高すぎると、色素が溶媒に溶けづら
くなるという不都合が生じる。
ャを含有する光吸収層１２は、例えば、スピンコート法
等の常用手段により塗設され、塗設に際し、前記第一の
シアニン系色素と前記第二のシアニン系色素との混合液
の濃度が低くなりすぎると、吸収感度が少なくなるため
半導体レーザーで信号を記録出来なくなるという不都合
が生じ、逆に濃度が高すぎると、色素が溶媒に溶けづら
くなるという不都合が生じる。
【００３０】塗設される光吸収層１２の厚さは、３０〜
９００ｎｍ、好ましくは、１００〜３００ｎｍである。
この値が３０ｎｍ未満となると吸収が少なくなるため半
導体レーザー波長域の感度が低下して、信号が記録出来
なくなるという不都合が生じ、この値が９００ｎｍを越
えると色素が厚くなりすぎ、吸収が増加する結果、反射
率が低下するという不都合が生じる。
９００ｎｍ、好ましくは、１００〜３００ｎｍである。
この値が３０ｎｍ未満となると吸収が少なくなるため半
導体レーザー波長域の感度が低下して、信号が記録出来
なくなるという不都合が生じ、この値が９００ｎｍを越
えると色素が厚くなりすぎ、吸収が増加する結果、反射
率が低下するという不都合が生じる。
【００３１】なお、塗布に用いる溶媒としては、公知の
種々のものが用いられ、例えば、ジアセトンアルコー
ル、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、イソホロ
ン、メタノール、テトラフルオロプロパノール等が挙げ
られる。
種々のものが用いられ、例えば、ジアセトンアルコー
ル、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、イソホロ
ン、メタノール、テトラフルオロプロパノール等が挙げ
られる。
【００３２】このような光吸収層１２が塗設される光透
過性基板１１の片側平面には、図３に示されるようにト
ラッキング用のプリグルーブ７０が、同心円状にまたは
スパイラル状に形成されている。
過性基板１１の片側平面には、図３に示されるようにト
ラッキング用のプリグルーブ７０が、同心円状にまたは
スパイラル状に形成されている。
【００３３】プリグルーブ７０は、グルーブ深さｈがλ
／６．５ｎ〜λ／２．５ｎ、より好ましくはλ／４．７
ｎ〜λ／３．６ｎとなるように形成するのがよい。ここ
に、λは記録光または再生光の波長（ｎｍ）、ｎは基板
の屈折率を表わす。グルーブ深さｈの値がλ／６．５ｎ
未満となると、クロストークが大きくなり、ＣＤプレー
ヤで安定的に再生するため必要ないわゆる３ビームトラ
ッキングエラー（ＴＥ 3b）が小さくなるという不都合が
生じ、またグルーブ深さｈの値がλ／２．５ｎを越える
と、溝に塗設される色素量が増加し、吸収が増えること
により、必要とされる反射率が低下するという不都合が
生じる。
／６．５ｎ〜λ／２．５ｎ、より好ましくはλ／４．７
ｎ〜λ／３．６ｎとなるように形成するのがよい。ここ
に、λは記録光または再生光の波長（ｎｍ）、ｎは基板
の屈折率を表わす。グルーブ深さｈの値がλ／６．５ｎ
未満となると、クロストークが大きくなり、ＣＤプレー
ヤで安定的に再生するため必要ないわゆる３ビームトラ
ッキングエラー（ＴＥ 3b）が小さくなるという不都合が
生じ、またグルーブ深さｈの値がλ／２．５ｎを越える
と、溝に塗設される色素量が増加し、吸収が増えること
により、必要とされる反射率が低下するという不都合が
生じる。
【００３４】なお、通常、用いられる記録光または再生
光の波長は、７７０〜８３０ｎｍである。さらに前記プ
リグルーブ７０は、グルーブ幅Ｗが０．３５〜０．４７
μｍ、より好ましくは０．３７〜０．４５μｍとなるよ
うに形成される。グルーブ幅Ｗの値が０．３５μｍ未満
となると、プッシュプルトラッキグエラー（ＴＥPP）が
低下し、また、記録感度の減少、記録振幅の減少という
不都合が生じる。また、グルーブ幅Ｗの値が０．４７μ
ｍを越えると、ＴＥPPの値が低下し、クロストークが増
加するという不都合が生じる。なお、プリグループ７０
の断面は図３に示されるように、通常、略台形形状をな
しているため、本発明におけるグルーブ幅Ｗは、グルー
ブ深さｈの半分の位置、すなわちｈ／２の位置における
幅（μｍ）で定義される。
光の波長は、７７０〜８３０ｎｍである。さらに前記プ
リグルーブ７０は、グルーブ幅Ｗが０．３５〜０．４７
μｍ、より好ましくは０．３７〜０．４５μｍとなるよ
うに形成される。グルーブ幅Ｗの値が０．３５μｍ未満
となると、プッシュプルトラッキグエラー（ＴＥPP）が
低下し、また、記録感度の減少、記録振幅の減少という
不都合が生じる。また、グルーブ幅Ｗの値が０．４７μ
ｍを越えると、ＴＥPPの値が低下し、クロストークが増
加するという不都合が生じる。なお、プリグループ７０
の断面は図３に示されるように、通常、略台形形状をな
しているため、本発明におけるグルーブ幅Ｗは、グルー
ブ深さｈの半分の位置、すなわちｈ／２の位置における
幅（μｍ）で定義される。
【００３５】このようなプリグルーブ７０を有する基板
１１は、生産性向上の観点から、いわゆる一体的に形成
された射出成形樹脂基板を用いることが好ましく、この
ものは、例えば、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリ
メタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）等の透明材料から
形成される。特に、平均分子量３２０００〜４００００
のポリカーボネート樹脂（ＰＣ）を用いることが好まし
い。また、一体的に形成された射出成形樹脂基板に限ら
ず、いわゆる２Ｐ（photo-polymer ）法で形成した基板
であってもよい。このような基板１１の厚さは１．０〜
１．５mm程度とされる。
１１は、生産性向上の観点から、いわゆる一体的に形成
された射出成形樹脂基板を用いることが好ましく、この
ものは、例えば、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリ
メタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）等の透明材料から
形成される。特に、平均分子量３２０００〜４００００
のポリカーボネート樹脂（ＰＣ）を用いることが好まし
い。また、一体的に形成された射出成形樹脂基板に限ら
ず、いわゆる２Ｐ（photo-polymer ）法で形成した基板
であってもよい。このような基板１１の厚さは１．０〜
１．５mm程度とされる。
【００３６】この基板１１の上に塗設される光吸収層１
２の上には、光反射層１３が設けられる。光反射層１３
はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属から構成され、この
ものは真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティン
グ等で成膜される。このような光反射層１３の厚さは、
０．０２〜２．０μｍ程度とされる。
２の上には、光反射層１３が設けられる。光反射層１３
はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属から構成され、この
ものは真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティン
グ等で成膜される。このような光反射層１３の厚さは、
０．０２〜２．０μｍ程度とされる。
【００３７】光反射層１３の上には、通常、光吸収層１
２と光反射層１３を保護するために保護層１４が設層さ
れる。保護層１４は、一般に、紫外線硬化性樹脂をスピ
ンコートして塗設した後、紫外線を照射し、塗膜を硬化
させて形成する。その他、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等が保護層１４の材
質として用いられる。このような保護層１４の厚さは、
通常、０．１〜１００μｍ程度である。
２と光反射層１３を保護するために保護層１４が設層さ
れる。保護層１４は、一般に、紫外線硬化性樹脂をスピ
ンコートして塗設した後、紫外線を照射し、塗膜を硬化
させて形成する。その他、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等が保護層１４の材
質として用いられる。このような保護層１４の厚さは、
通常、０．１〜１００μｍ程度である。
【００３８】なお、前記基板１１と光吸収層１２との間
には、基板１１を溶媒から保護するための中間層を設け
ても良い。また、光吸収層１２と光反射層１３の間に
は、光吸収の効率を上げるための中間層を設けてもよ
い。
には、基板１１を溶媒から保護するための中間層を設け
ても良い。また、光吸収層１２と光反射層１３の間に
は、光吸収の効率を上げるための中間層を設けてもよ
い。
【００３９】
【実施例】以下、具体的実施例を示して本発明をさらに
詳細に説明する。光吸収層に含有される第一のシアニン
系色素および第二のシアニン系色素としては、以下に示
される［Ｄ−１］および［Ｄ−２］を、第一のクエンチ
ャとして上記［Ｑ−１］を、第二のクエンチャとして上
記［Ａ−１］をそれぞれ用いた。
詳細に説明する。光吸収層に含有される第一のシアニン
系色素および第二のシアニン系色素としては、以下に示
される［Ｄ−１］および［Ｄ−２］を、第一のクエンチ
ャとして上記［Ｑ−１］を、第二のクエンチャとして上
記［Ａ−１］をそれぞれ用いた。
【００４０】第一のシアニン系色素［Ｄ−１］ 上記一般式［Ｉ］において、Ｒ1 およびＲ2 をそれぞれ
ｎ−Ｃ4 Ｈ9 、Ｘ- をＣｌＯ4 -とした。
ｎ−Ｃ4 Ｈ9 、Ｘ- をＣｌＯ4 -とした。
【００４１】第二のシアニン系色素［Ｄ−２］ 上記一般式［II］において、Ｒ3 およびＲ4 をそれぞれ
ｎ−Ｃ3 Ｈ7 、Ｘ- をＩ- とした。
ｎ−Ｃ3 Ｈ7 、Ｘ- をＩ- とした。
【００４２】これらの色素およびクエンチャをそれぞれ
エチルセロソルブの溶媒に溶解させ、このものを直径１
２０mm、厚さ１．２mmのポリカーボネート基板上に２５
０ｎｍの厚さに塗設した。なお、基板は予め、スパイラ
ルグルーブが射出成形によって形成されているものを用
いた。光吸収層の上にさらにＡｕからなる光反射層を真
空蒸着法で０．１μｍ厚さに設層した。さらに、この光
吸収層の上にフォトポリマーの保護膜を設層し、情報記
録媒体サンプルを作製した。サンプル作製に当っては、
前記第一のシアニン系色素と、前記第二のシアニン系色
素と、第一のクエンチャと、第二のクエンチャとの配合
を、種々変えて、種々の情報記録媒体サンプルを作製し
た。
エチルセロソルブの溶媒に溶解させ、このものを直径１
２０mm、厚さ１．２mmのポリカーボネート基板上に２５
０ｎｍの厚さに塗設した。なお、基板は予め、スパイラ
ルグルーブが射出成形によって形成されているものを用
いた。光吸収層の上にさらにＡｕからなる光反射層を真
空蒸着法で０．１μｍ厚さに設層した。さらに、この光
吸収層の上にフォトポリマーの保護膜を設層し、情報記
録媒体サンプルを作製した。サンプル作製に当っては、
前記第一のシアニン系色素と、前記第二のシアニン系色
素と、第一のクエンチャと、第二のクエンチャとの配合
を、種々変えて、種々の情報記録媒体サンプルを作製し
た。
【００４３】これらの各サンプルについて、実際に記録
可能となる記録光のパワーを測定した。結果を下記表１
に示す。なお、表１においては配合割合を、α、β、
γ、およびα・γ値に換算している。
可能となる記録光のパワーを測定した。結果を下記表１
に示す。なお、表１においては配合割合を、α、β、
γ、およびα・γ値に換算している。
【００４４】
【表１】 表１の記録パワーの結果より、本発明サンプルは安定し
た記録ができるとともに、第一のシアニン系色素と、前
記第二のシアニン系色素との含有比率を調整することに
より記録感度をコントロールすることができる。
た記録ができるとともに、第一のシアニン系色素と、前
記第二のシアニン系色素との含有比率を調整することに
より記録感度をコントロールすることができる。
【００４５】次に、繰り返し読出し性能のテストを下記
の要領で行った。すなわち、本発明サンプルとして、上
記表１のサンプルＮｏ．１のものを用いた。比較サンプ
ル１として、本発明サンプル（表１中のサンプルＮｏ．
１）の第一のクエンチャを下記構造式［Ｑ＊］で示され
るクエンチャに変えた。比較サンプル２として、本発明
サンプル（サンプルＮｏ．１）の第一のクエンチャを用
いなかった。比較サンプル３として、他社サンプルを用
いた。
の要領で行った。すなわち、本発明サンプルとして、上
記表１のサンプルＮｏ．１のものを用いた。比較サンプ
ル１として、本発明サンプル（表１中のサンプルＮｏ．
１）の第一のクエンチャを下記構造式［Ｑ＊］で示され
るクエンチャに変えた。比較サンプル２として、本発明
サンプル（サンプルＮｏ．１）の第一のクエンチャを用
いなかった。比較サンプル３として、他社サンプルを用
いた。
【００４６】
【化１６】 これらのサンプルについて、繰り返し読出し時間に対す
る、Ｉtop 値およびＩ 3 値並びにジッタの経時変化を測
定した。結果を図４、図５および図６に示す。これらの
結果より、本発明のものは、極めて繰り返し読出し性能
に優れることがわかる。
る、Ｉtop 値およびＩ 3 値並びにジッタの経時変化を測
定した。結果を図４、図５および図６に示す。これらの
結果より、本発明のものは、極めて繰り返し読出し性能
に優れることがわかる。
【００４７】次に、耐光性のテストを下記の要領で行っ
た。すなわち、本発明サンプルとして、上記表１のサン
プルＮｏ．１のものを用いた。比較サンプルとして、本
発明サンプル（サンプルＮｏ．１）の第二のクエンチャ
を除外し、第一のシアニン系色素［Ｄ−１］と、第二の
シアニン系色素［Ｄ−２］の重量比αを３とし、第一の
クエンチャ［Ｑ−１］を、上記［Ｄ−１］と［Ｄ−２］
の加算重量の1/6 とした。
た。すなわち、本発明サンプルとして、上記表１のサン
プルＮｏ．１のものを用いた。比較サンプルとして、本
発明サンプル（サンプルＮｏ．１）の第二のクエンチャ
を除外し、第一のシアニン系色素［Ｄ−１］と、第二の
シアニン系色素［Ｄ−２］の重量比αを３とし、第一の
クエンチャ［Ｑ−１］を、上記［Ｄ−１］と［Ｄ−２］
の加算重量の1/6 とした。
【００４８】これらのサンプルについて、下記の要領で
光曝露試験を行った。光曝露試験 太陽光に極めて近いスペクトルを有するＦＬ管と、紫外
光を出すＵＶ管を近接して配置し、その直下１５ｃｍに
ディスクサンプルをおいて試験した。光量はおよそ２０
０００ｌｘ（ルクス）である。評価はBlock Error Rate
により行った。試験結果を図７に示す。図７は、経時時
間とエラーレートとの関係を示すグラフであり、白丸が
本発明サンプルを黒丸が比較サンプルを示す。このグラ
フより本発明は経時的にエラーレートの増大がなく極め
て耐光性に優れることがわかる。
光曝露試験を行った。光曝露試験 太陽光に極めて近いスペクトルを有するＦＬ管と、紫外
光を出すＵＶ管を近接して配置し、その直下１５ｃｍに
ディスクサンプルをおいて試験した。光量はおよそ２０
０００ｌｘ（ルクス）である。評価はBlock Error Rate
により行った。試験結果を図７に示す。図７は、経時時
間とエラーレートとの関係を示すグラフであり、白丸が
本発明サンプルを黒丸が比較サンプルを示す。このグラ
フより本発明は経時的にエラーレートの増大がなく極め
て耐光性に優れることがわかる。
【００４９】さらに前記表１に示される光吸収層サンプ
ル１〜４を有する記録媒体についてもそれぞれ上記の要
領で光曝露試験を行った。結果を図８に示す。このグラ
フより、光吸収層を構成するシアニン系色素とクエンチ
ャの配合比が本発明の範囲を外れると耐光性が乏しくな
り、この一方で、本発明の範囲内のものは耐光性に優れ
ることがわかる。
ル１〜４を有する記録媒体についてもそれぞれ上記の要
領で光曝露試験を行った。結果を図８に示す。このグラ
フより、光吸収層を構成するシアニン系色素とクエンチ
ャの配合比が本発明の範囲を外れると耐光性が乏しくな
り、この一方で、本発明の範囲内のものは耐光性に優れ
ることがわかる。
【００５０】さらに、前記繰り返し読出し性能のテスト
で用いた本発明サンプル（表１中のサンプルＮｏ．１）
と、比較サンプル１（サンプルＮｏ．１の第１のクエン
チャを上記構造式［Ｑ＊］で示されるクエンチャに変え
たもの）とについて、上記光曝露試験と同様な条件下
で、Ｉl （ランド部電位）とＩg （グルーブ部電位）の
電位の高さおよび経時変化を調べた。結果を図９に示し
た。このグラフによれば、本発明のサンプルはＩl 、Ｉ
g の電位がともに高く、しかも光曝露による経時変化が
極めて少なく、耐光性に優れることがわかる。
で用いた本発明サンプル（表１中のサンプルＮｏ．１）
と、比較サンプル１（サンプルＮｏ．１の第１のクエン
チャを上記構造式［Ｑ＊］で示されるクエンチャに変え
たもの）とについて、上記光曝露試験と同様な条件下
で、Ｉl （ランド部電位）とＩg （グルーブ部電位）の
電位の高さおよび経時変化を調べた。結果を図９に示し
た。このグラフによれば、本発明のサンプルはＩl 、Ｉ
g の電位がともに高く、しかも光曝露による経時変化が
極めて少なく、耐光性に優れることがわかる。
【００５１】次に、プリグルーブのグルーブ幅Ｗの影響
を調べるために、下記表２に示されるような種々のグル
ーブ幅を有する一枚の基板（直径１２０mm、厚さ１．２
mmのポリカーボネート基板）を作製した。バンドＮｏ．
が大きくなるにつれて基板の外側の位置のグルーブとな
る。
を調べるために、下記表２に示されるような種々のグル
ーブ幅を有する一枚の基板（直径１２０mm、厚さ１．２
mmのポリカーボネート基板）を作製した。バンドＮｏ．
が大きくなるにつれて基板の外側の位置のグルーブとな
る。
【００５２】
【表２】 なお、グルーブ幅Ｗは、上述したようにグルーブ深さｈ
の半分の位置、すなわちｈ／２の位置における幅（μ
ｍ）で定義される。グルーブ幅Ｗおよびグルーブ深さｈ
は、それぞれ、座標測定走査電子顕微鏡（ＥＭＭ−３０
００：エリオニクス（株）社製）で測定した。
の半分の位置、すなわちｈ／２の位置における幅（μ
ｍ）で定義される。グルーブ幅Ｗおよびグルーブ深さｈ
は、それぞれ、座標測定走査電子顕微鏡（ＥＭＭ−３０
００：エリオニクス（株）社製）で測定した。
【００５３】この基板の上にシアニン系色素およびクエ
ンチャが含有される光吸収層を塗設した。すなわち、上
記表１のサンプルＮｏ．１で示される配合となるように
色素およびクエンチャをそれぞれエチルセロソルブの溶
媒に溶解させ、このものを基板の上に２５０ｎｍの厚さ
に塗設した。この光吸収層の上にさらにＡｕからなる光
反射層を真空蒸着法で０．１μｍ厚さに設層した。さら
に、この光反射層の上にフォトポリマーの保護膜を設層
し、情報記録媒体サンプルを作製した。
ンチャが含有される光吸収層を塗設した。すなわち、上
記表１のサンプルＮｏ．１で示される配合となるように
色素およびクエンチャをそれぞれエチルセロソルブの溶
媒に溶解させ、このものを基板の上に２５０ｎｍの厚さ
に塗設した。この光吸収層の上にさらにＡｕからなる光
反射層を真空蒸着法で０．１μｍ厚さに設層した。さら
に、この光反射層の上にフォトポリマーの保護膜を設層
し、情報記録媒体サンプルを作製した。
【００５４】上記条件で作製した各種媒体サンプルに次
の条件でＥＦＭ信号を記録再生した。ＥＦＭ信号記録条件 波長：７７８ｎｍ 線速：１．４ｍ／ｓ ライトパワー：６．０ｍＷ リードパワー：０．５ｍＷ 上記条件で記録した媒体について、ランド部電位Ｉｌ、
グルーブ部電位Ｉｇ、記録信号のうち11T(196KHz) 振幅
の最も明るい部分の電位Ｉtop 、記録信号のうち11T (1
96KHz)振幅の電位Ｉ11T 、記録信号のうち3T(720KHz)振
幅の電位Ｉ3T、プッシュプルトラッキングエラー電位Ｔ
Ｅpp、および３ビームトラッキングエラー電位ＴＥ3bを
測定した。
の条件でＥＦＭ信号を記録再生した。ＥＦＭ信号記録条件 波長：７７８ｎｍ 線速：１．４ｍ／ｓ ライトパワー：６．０ｍＷ リードパワー：０．５ｍＷ 上記条件で記録した媒体について、ランド部電位Ｉｌ、
グルーブ部電位Ｉｇ、記録信号のうち11T(196KHz) 振幅
の最も明るい部分の電位Ｉtop 、記録信号のうち11T (1
96KHz)振幅の電位Ｉ11T 、記録信号のうち3T(720KHz)振
幅の電位Ｉ3T、プッシュプルトラッキングエラー電位Ｔ
Ｅpp、および３ビームトラッキングエラー電位ＴＥ3bを
測定した。
【００５５】測定結果を図１０〜図１３に示した。図１
０は、ランド部電位Ｉｌおよびグルーブ部電位Ｉｇの電
位変化を示すグラフであり、図１１は、記録前および後
のプッシュプルトラッキングエラー電位ＴＥppの変化を
示すグラフであり、図１２は、３ビームトラッキングエ
ラー電位ＴＥ3bの電位変化を示すグラフ、図１３は、Ｉ
top 、Ｉ11T 、Ｉ3Tの電位変化を示すグラフである。
０は、ランド部電位Ｉｌおよびグルーブ部電位Ｉｇの電
位変化を示すグラフであり、図１１は、記録前および後
のプッシュプルトラッキングエラー電位ＴＥppの変化を
示すグラフであり、図１２は、３ビームトラッキングエ
ラー電位ＴＥ3bの電位変化を示すグラフ、図１３は、Ｉ
top 、Ｉ11T 、Ｉ3Tの電位変化を示すグラフである。
【００５６】これらのグラフに示される結果より各サン
プルの評価をするに、再生信号をＣＤフォーマットに準
拠させるためには、 Ｉｌ、Ｉg の関係では、Ｉl ＞Ｉg であることが必要
である。
プルの評価をするに、再生信号をＣＤフォーマットに準
拠させるためには、 Ｉｌ、Ｉg の関係では、Ｉl ＞Ｉg であることが必要
である。
【００５７】プッシュプルトラッキングエラー電位Ｔ
Ｅppは、０．０４Ｖ以上であることが必要である。トラ
ッキングサーボを安定的にかけ、確実に記録を行うため
である。
Ｅppは、０．０４Ｖ以上であることが必要である。トラ
ッキングサーボを安定的にかけ、確実に記録を行うため
である。
【００５８】３ビームトラッキングエラー電位ＴＥ3b
は、市販ＣＤのＴＥ3bと同程度の２．５Ｖ以上あること
が必要である。記録信号（ピット）をＣＤプレーヤで安
定的に再生するためである。
は、市販ＣＤのＴＥ3bと同程度の２．５Ｖ以上あること
が必要である。記録信号（ピット）をＣＤプレーヤで安
定的に再生するためである。
【００５９】Ｉtop 、Ｉ11T 、およびＩ3Tの関係にお
いて、Ｉtop は反射率６５％以上という規定により上記
の記録再生条件では０．４５Ｖ以上必要であり、Ｉ11T
／Ｉ top は６０％以上であること、Ｉ3T／Ｉtopは３０
％以上、７０％以下であることが必要である。十分な反
射率をとり、かつ変調度を大きくとるためである。
いて、Ｉtop は反射率６５％以上という規定により上記
の記録再生条件では０．４５Ｖ以上必要であり、Ｉ11T
／Ｉ top は６０％以上であること、Ｉ3T／Ｉtopは３０
％以上、７０％以下であることが必要である。十分な反
射率をとり、かつ変調度を大きくとるためである。
【００６０】図１０〜図１３の各グラフより、これらの
評価条件を全て満足させるものとしては、バンドＮｏ．
８〜１１（グルーブ幅Ｗ＝０．３５〜０．４７μｍ）の
ものであることがわかる。
評価条件を全て満足させるものとしては、バンドＮｏ．
８〜１１（グルーブ幅Ｗ＝０．３５〜０．４７μｍ）の
ものであることがわかる。
【００６１】つぎに、基板に設けられたプリグルーブの
グルーブ幅Ｗを０．４４μｍに固定し、グルーブ深さｈ
をλ／７．０ｎ〜λ／３．８ｎオングストローム（ ）
の範囲で変化させ、グルーブ深さｈの影響を調べた。サ
ンプル作製にあたり、光吸収層、光反射層および保護膜
は、上記グルーブ溝幅Ｗの影響を調べるに用いたものと
同様のものを用い、情報記録媒体サンプルを作製した。
グルーブ幅Ｗを０．４４μｍに固定し、グルーブ深さｈ
をλ／７．０ｎ〜λ／３．８ｎオングストローム（ ）
の範囲で変化させ、グルーブ深さｈの影響を調べた。サ
ンプル作製にあたり、光吸収層、光反射層および保護膜
は、上記グルーブ溝幅Ｗの影響を調べるに用いたものと
同様のものを用い、情報記録媒体サンプルを作製した。
【００６２】測定結果を図１４〜図１７に示した。図１
４は、鏡面部電位Ｉｏおよびグルーブ部電位Ｉｇの電位
変化を示すグラフであり（Ｉｏ＞Ｉｇであることが必
要）、図１５は、プッシュプルトラッキングエラー電位
ＴＥppの変化を示すグラフであり、図１６は、Ｉtop 、
Ｉ11T 、Ｉ3Tの電位変化を示すグラフ、図１７は、３ビ
ームトラッキングエラー電位ＴＥ3bの電位変化を示すグ
ラフである。
４は、鏡面部電位Ｉｏおよびグルーブ部電位Ｉｇの電位
変化を示すグラフであり（Ｉｏ＞Ｉｇであることが必
要）、図１５は、プッシュプルトラッキングエラー電位
ＴＥppの変化を示すグラフであり、図１６は、Ｉtop 、
Ｉ11T 、Ｉ3Tの電位変化を示すグラフ、図１７は、３ビ
ームトラッキングエラー電位ＴＥ3bの電位変化を示すグ
ラフである。
【００６３】図１４〜図１７の各グラフより、グルーブ
幅Ｗを０．４４μｍに固定した場合、前記評価条件を全
て満足させるものとしては、λ／４．５ｎ〜λ／３．８
ｎ（ここに、λは記録光または再生光の波長（ｎｍ）、
ｎは基板の屈折率を表わす）の範囲のものであることが
わかる。なお、グルーブ幅Ｗを０．３５〜０．４７μｍ
まで変えて上記同様な実験を行ったところ、グルーブ深
さλ／６．５ｎ〜λ／２．５ｎの範囲で良好な結果が得
られることが確認された。
幅Ｗを０．４４μｍに固定した場合、前記評価条件を全
て満足させるものとしては、λ／４．５ｎ〜λ／３．８
ｎ（ここに、λは記録光または再生光の波長（ｎｍ）、
ｎは基板の屈折率を表わす）の範囲のものであることが
わかる。なお、グルーブ幅Ｗを０．３５〜０．４７μｍ
まで変えて上記同様な実験を行ったところ、グルーブ深
さλ／６．５ｎ〜λ／２．５ｎの範囲で良好な結果が得
られることが確認された。
【００６４】
【発明の効果】本発明における光吸収層は、記録光また
は再生光の波長域に光吸収帯を備える第一のシアニン系
色素と、この第一のシアニン系色素よりも短波長側に光
吸収帯を備え、かつ記録光または再生光の波長域で光吸
収の小さい第二のシアニン系色素と、シアニン系色素の
光劣化を防止するための第一のクエンチャと、ジフェニ
ルアミン化合物の第二のクエンチャとを含有し、第一の
シアニン系色素に対する第二のシアニン系色素の重量比
をα、第二のクエンチャに対する第一のクエンチャの重
量比をβ、第一のシアニン系色素と第二のシアニン系色
素との加算重量に対する第一のクエンチャと第二のクエ
ンチャとの加算重量の比をγとした場合、α＝１〜３、
β＝０．５〜１、γ＝０．２５〜０．５、α・γ＜１．
１の条件を満足するように含有させて構成したので、ジ
ッターを小さくし、繰り返し読出し性能や記録膜の耐光
性を向上させ、記録感度をコントロールできる書込み可
能な情報記録媒体を提供することができる。
は再生光の波長域に光吸収帯を備える第一のシアニン系
色素と、この第一のシアニン系色素よりも短波長側に光
吸収帯を備え、かつ記録光または再生光の波長域で光吸
収の小さい第二のシアニン系色素と、シアニン系色素の
光劣化を防止するための第一のクエンチャと、ジフェニ
ルアミン化合物の第二のクエンチャとを含有し、第一の
シアニン系色素に対する第二のシアニン系色素の重量比
をα、第二のクエンチャに対する第一のクエンチャの重
量比をβ、第一のシアニン系色素と第二のシアニン系色
素との加算重量に対する第一のクエンチャと第二のクエ
ンチャとの加算重量の比をγとした場合、α＝１〜３、
β＝０．５〜１、γ＝０．２５〜０．５、α・γ＜１．
１の条件を満足するように含有させて構成したので、ジ
ッターを小さくし、繰り返し読出し性能や記録膜の耐光
性を向上させ、記録感度をコントロールできる書込み可
能な情報記録媒体を提供することができる。
【図１】本発明の光記録媒体の一部を切り欠いた概略斜
視図である。
視図である。
【図２】図１の切欠部の部分拡大断面図である。
【図３】基板の、特にプリグルーブを拡大した断面図で
ある。
ある。
【図４】繰り返し読出し時間に対する、Ｉtop 値の経時
変化を測定したグラフである。
変化を測定したグラフである。
【図５】繰り返し読出し時間に対する、Ｉ3 値の経時変
化を測定したグラフである。
化を測定したグラフである。
【図６】繰り返し読出し時間に対する、ジッタの経時変
化を測定したグラフである。
化を測定したグラフである。
【図７】光曝露時間とエラーレートとの関係を示すグラ
フである。
フである。
【図８】光曝露時間とエラーレートとの関係を示すグラ
フである。
フである。
【図９】光曝露時間とランド部電位Ｉl およひグルーブ
部電位Ｉg の関係を示すグラフである。
部電位Ｉg の関係を示すグラフである。
【図１０】ランド部電位Ｉｌおよびグルーブ部電位Ｉｇ
の電位変化を示すグラフである。
の電位変化を示すグラフである。
【図１１】記録前および後のプッシュプルトラッキング
エラー電位ＴＥppの変化を示すグラフである。
エラー電位ＴＥppの変化を示すグラフである。
【図１２】３ビームトラッキングエラー電位ＴＥ3bの電
位変化を示すグラフである。
位変化を示すグラフである。
【図１３】Ｉtop 、Ｉ11T 、Ｉ3Tの電位変化を示すグラ
フである。
フである。
【図１４】ランド部電位Ｉｌおよびグルーブ部電位Ｉｇ
の電位変化を示すグラフである。
の電位変化を示すグラフである。
【図１５】プッシュプルトラッキングエラー電位ＴＥpp
の変化を示すグラフである。
の変化を示すグラフである。
【図１６】Ｉtop 、Ｉ11T 、Ｉ3Tの電位変化を示すグラ
フである。
フである。
【図１７】３ビームトラッキングエラー電位ＴＥ3bの電
位変化を示すグラフである。
位変化を示すグラフである。
１…情報記録媒体 １１…光透過性基板 １２…光吸収層 １３…光反射層 １４…保護層 ７０…プリグルーブ
フロントページの続き (72)発明者 松井 文雄 埼玉県鶴ケ島市富士見６丁目１番１号 パイオニア株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−204396（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−204089（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−27995（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−185381（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−300288（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−232844（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41M 5/26 ＣＡＰＬＵＳ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (3)
- 【請求項１】 片側平面にプリグルーブが形成された光
透過性基板の上に光吸収層を有し、該光吸収層の上に光
反射層を有する情報記録媒体において、 前記光吸収層は、記録光または再生光の波長域に光吸収
帯を備える第一のシアニン系色素と、この第一のシアニ
ン系色素よりも短波長側に光吸収帯を備え、かつ記録光
または再生光の波長域で光吸収の小さい第二のシアニン
系色素と、シアニン系色素の光劣化を防止するための第
一のクエンチャと、ジフェニルアミン化合物の第二のク
エンチャとを含有し、 第一のシアニン系色素に対する第二のシアニン系色素の
重量比をα、第二のクエンチャに対する第一のクエンチ
ャの重量比をβ、第一のシアニン系色素と第二のシアニ
ン系色素との加算重量に対する第一のクエンチャと第二
のクエンチャとの加算重量の比をγとした場合、 α＝１〜３ β＝０．５〜１ γ＝０．２５〜０．５ α・γ＜１．１の条件を満足するように含有されており、 前記第一のシアニン系色素は、下記一般式 【化１】 で表されるシアニン系色素（式中、Ｒ 1 およびＲ 2 はそれ
ぞれ炭素数１〜８のアルキル基、Ｘ - はカウンターイオ
ンを表す）であり、 前記第二のシアニン系色素は、下記一般式 【化２】 で表されるシアニン系色素（式中、Ｒ 3 およびＲ 4 はそれ
ぞれ炭素数１〜８のアルキル基、Ｘ - はカウンターイオ
ンを表す）であり、 前記第一のクエンチャは、下記一般式 【化３】 で表されるＮｉ錯体（式中、Ｒ 5 、Ｒ 6 、Ｒ 7 およびＲ
8 は、それぞれ水素またはこれに代わる置換基を表す）
であることを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項２】 前記第二のクエンチャは、下記一般式 【化４】 で表されるジフェニルアミン化合物（式中、Ｒ 9 、
Ｒ 10 、Ｒ 11 は、水素、ニトロソ基、置換もしくは非置換
のアミノ基、置換もしくは非置換のアリール基を表す）
であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒
体。 - 【請求項３】 前記、プリグルーブは、グルーブの深さ
がλ／６．５ｎ〜λ／２．５ｎ（ここに、λは記録光ま
たは再生光の波長（ｎｍ）、ｎは基板の屈折率を表
す）、グルーブ幅が０．３５〜０．４７μｍであること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の情報記録媒
体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03245889A JP3088510B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 情報記録媒体 |
| EP92303947A EP0528512A1 (en) | 1991-08-20 | 1992-04-30 | Recording medium |
| US08/068,577 US5326679A (en) | 1991-08-20 | 1993-05-27 | Recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03245889A JP3088510B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 情報記録媒体 |
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-
1991
- 1991-09-25 JP JP03245889A patent/JP3088510B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH0585057A (ja) | 1993-04-06 |
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