JP2932550B2

JP2932550B2 - コンデンサ用二軸延伸プラスチックフイルムおよびそれを用いたコンデンサ

Info

Publication number: JP2932550B2
Application number: JP1336403A
Authority: JP
Inventors: 基之鈴木; 雄吉出口; 晃一阿部
Original assignee: TORE KK
Current assignee: TORE KK
Priority date: 1989-12-27
Filing date: 1989-12-27
Publication date: 1999-08-09
Anticipated expiration: 2014-08-09
Also published as: JPH03197136A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明はコンデンサ用途に好適に用いられる二軸延伸
プラスティックフイルムおよびそれを用いたコンデンサ
に関する。

［従来の技術］二軸配向フイルムをコンデンサの誘導体として用いる
ことは広く知られている。また、モーター、トランスな
どの層間絶縁などの電気絶縁にもプラスチィックフイル
ムが広く使われている。このような、フイルムをこれら
の用途に用いる時はフイルム中に不活性粒子を添加する
などして、フイルム表面に微細な突起（凹凸）を形成し
ておくとハンドリングしやすくなり好適であることが知
られている。

これらの目的に適合可能なフイルムとしては、従来よ
りポリオレフィンフイルムやポリエチレンテレフタレー
トに代表されるポリエステルフイルムが広く使われ、ま
た最近ではポリフェニレンスルフィドフイルム、ポリエ
ーテルエーテルケトンフイルムなどの耐熱性に優れたフ
イルムを用いることも知られている。またコンデンサ誘
導体に適合可能なポリエステルフイルムとして、ポリエ
ステルにコロイド状シリカに起因する実質的に球状のシ
リカ粒子を含有させ表面突起を形成できるようにしたフ
イルムが知られている（たとえば特開昭59-171623号公
報）。このフイルムに於いては、添加されたシリカ粒子
によって表面に微細な突起が形成され、摩擦係数を小さ
くしハンドリング性を向上させることが可能である。

［発明が解決しようとする課題］しかし、従来の二軸延伸プラスチィックフイルムに於
いては、次のような欠点があった。

まず一つは、含有された不活性粒子がフイルムの厚さ
方向全域にわたって略ランダムに分布するため、フイル
ム表面に於ける含有粒子による突起高さもランダムにば
らつくことになる。この結果、近傍の他の突起に比べ著
しく高い突起が存在する点が生じ、この点を起点として
絶縁破壊を起こし易くなるため、コンデンサや絶縁層の
絶縁破壊を起こし易くなるため、コンデンサや絶縁層の
絶縁破壊電圧の低下を引き起こすという欠点があった。

第二に、不活性粒子を添加することによって絶縁破壊
電圧（BDV）が低下することである。このため、不活性
粒子の添加量を減少させると十分な滑り性が得られずハ
ンドリング性が悪化するばかりでなく、大きな摩擦力に
対抗して滑らすことによりフイルムに傷がつき、ピンホ
ール（絶縁欠陥）が増大するなどの悪影響が大きくなる
という欠点があった。

第三に、不活性粒子を添加すると上記のような悪影響
があるため使用される不活性粒子の種類が著しく制限さ
れることである。すなわち求められる滑り性や、ハンド
リング性について好適な表面形態を与える粒子があって
も電気特性が悪化してしまうために使用できないことが
あるなどの不都合があった。

本発明は、上記の欠点を解決し高密度の突起を持つ表
面を持つため滑り性、ハンドリング性に優れていなが
ら、粒子を添加しない場合と同等の絶縁破壊電圧を維持
し、かつ極めて均一な突起高さを有する表面を持つため
コンデンサとして非常に耐電圧特性の向上する二軸延伸
プラスチィックフイルムおよびそれを用いたコンデンサ
を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］本発明は上記の目的を達成するため以下の構成とした
ものである。すなわち、不活性粒子を含有せしめた熱可
塑性樹脂Ａを主成分とする二軸延伸されたフイルムが熱
可塑性樹脂Ｂを主成分とする二軸延伸されたフイルムの
少なくとも片方の表層に積層されたコンデンサ用二軸延
伸プラスチィックフイルムであって、前記不活性粒子の
平均粒径が該不活性粒子を含む前記熱可塑性樹脂Ａの二
軸延伸されたフイルムの厚さの0.1〜４倍、かつ該熱可
塑性樹脂Ａに添加された前記不活性粒子の含有量が0.2
〜10重量％であり、さらに少なくとも一つの熱可塑性樹
脂Ａを主成分とする二軸延伸されたフイルムの厚さが、
積層されたフイルム全体の厚さに対する比で示して0.00
1〜0.2であり、かつ、フイルム全体の厚さが0.3以上25
μｍ以下であることを特徴とするコンデンサ用二軸延伸
プラスチィックフイルム、および該コンデンサ用二軸延
伸プラスチィックフイルムを誘電体として用いたことを
特徴とするコンデンサとしたことをその骨子とする。

本発明に於ける熱可塑性樹脂Ａおよび熱可塑性樹脂Ｂ
は、溶融押出成形可能な熱可塑性樹脂であれば特に限定
されることはない。例示するなら、ポリエステル、ポリ
オレフィン、ポリアミド、ポリフェニレンスルフィド、
ポリエーテルエーテルケトンなどが挙げられるが、これ
らのうちポリエステル、中でもエチレンテレフタレー
ト、エチレン2,6−ナフタレート、エチレンα，β−ビ
ス（２−クロルフェノキシ）エタン−4,4′−ジカルボ
キシレートを主たる繰り返し単位とするポリエステル、
あるいはｐ−フェニレンスルフィドを主たる繰り返し単
位とするポリアリーレンスルフィド、あるいはｐ−フェ
ニレンエーテルエーテルケトンを主たる繰り返し単位と
するポリアリーレンケトンが好ましい。

熱可塑性樹脂Ａと熱可塑性樹脂Ｂは、同じものであっ
ても異なるものであっても良いが、その組み合わせとし
ては熱可塑性樹脂Ａと熱可塑性樹脂Ｂが共にポリエステ
ル系樹脂であるか、共にポリアリーレンスルフィド系樹
脂であるか、あるいは共にポリアリーレンケトン系樹脂
であることが積層されたフイルムの層間接着性、耐熱
性、耐電圧特性などの点から好ましい。

ここでポリエステル系樹脂とはエステル結合によって
主たる繰り返し単位が構成されている重合体を言う。こ
れらのうち、熱可塑性樹脂Ｂは、エチレンテレフタレー
ト、エチレン−2,6−ナフタレート、エチレンα，β−
ビス（２−クロルフェノキシ）エタン4,4′−ジカルボ
キシレートを主たる繰り返し単位とするポリエステルが
好ましい。また熱可塑性樹脂Ａもこれらの重合体群の中
から選ばれることが好ましいが、熱可塑性樹脂Ｂと同一
である必要はない。

またここで、ポリアリーレンスルフィド系樹脂とはア
リーレン基を主鎖中に含みスルフィド結合により主たる
繰り返し単位が構成されている重合体を言う。これらの
うち、熱可塑性樹脂Ｂは、ポリ−ｐ−フェニレンスルフ
ィド、ポリ−ｐ−フェニレンスルフィドケトンを主たる
繰り返し単位とするポリアリーレンスルフィドが好まし
い。また熱可塑性樹脂Ａもこれらの重合体群の中から選
ばれることが好ましいが、熱可塑性樹脂Ｂと同一である
必要はない。

さらにここでポリアリーレンケトン系樹脂とはアリー
レン基を主鎖中に含みケトン結合により主たる繰り返し
単位が構成されている重合体を言う。これらのうち、熱
可塑性樹脂Ｂは、ポリ−ｐ−フェニレンエーテルエーテ
ルケトン、ポリ−ｐ−フェニレンスルフィドケトン、ポ
リ−ｐ−フェニレンエーテルケトンを主たる繰り返し単
位とするポリアリーレンケトンが好ましい。また熱可塑
性樹脂Ａもこれらの重合体群の中から選ばれることが好
ましいが、熱可塑性樹脂Ｂと同一である必要はない。

また、本発明を構成する熱可塑性樹脂は結晶性である
場合に摩擦係数がより一層良好となるのできわめて望ま
しい。ここでいう結晶性とはいわゆる非晶質ではないこ
とを示すものであり、定量的には結晶化パラメータにお
ける冷結晶化温度Tccが検出され、かつ結晶化パラメー
タΔTcgが150℃以下のものである。なお、本発明を阻害
しない範囲内で、２種以上の熱可塑性樹脂を好ましくは
30重量％以下で混合しても良いし、他の成分が好ましく
は30モル％以下（さらに好ましくは15モル％以下）で共
重合されたポリマを用いても良い。また、両者の組み合
わせも可能である。

本発明の熱可塑性樹脂Ａ中の不活性粒子の形状は、特
に限定されないが、フイルム中での粒径比（粒子の長径
／短径）が1.0〜1.3の粒子、特に、球形状の粒子の場合
にフイルム表面突起の高さを均一化しやすく、コンデン
サーの絶縁破壊電圧が一層良好となるので望ましい。

また、本発明の熱可塑性樹脂Ａ中の不活性粒子はフイ
ルム中での単一粒子指数が0.7以上、好ましくは0.9以上
である場合に一層良好に突起の高密度化、高さの均一化
を達成できるので特に望ましい。

本発明の熱可塑性樹脂Ａ中の不活性粒子の種類は特に
限定されないが、上記の好ましい粒子特性を満足させる
にはアルミナ珪酸塩、１次粒子が凝集した状態のシリ
カ、内部析出粒子などは好ましくない。好ましい粒子と
して、コロイダルシリカに起因する実質的に形状のシリ
カ粒子、架橋高分子による粒子（たとえば架橋ポリスチ
レン）などがあるが、特に10重量％減量時温度（窒素中
で熱重量分析装置島津TG-30Mを用いて測定。昇温速度20
℃／分）が380℃以上になるまで架橋度を高くした架橋
高分子粒子が特に望ましい。なお、コロイダルシリカに
起因する形状シリカの場合にはアルコキシド法で製造さ
れた、ナトリウム含有量が少ない、実質的に球状のシリ
カが特に望ましい。

しかしながら、本発明によれば、従来、コンデンサー
用のフイルムに添加する粒子として欠点のあったその他
の粒子、例えば炭酸カルシウム、二酸化チタン、アルミ
ナ等の粒子でもフイルム厚さと平均粒径の適切なコント
ロールにより十分使いこなすことが可能である。

不活性粒子の大きさは、熱可塑性樹脂Ａと該不活性粒
子からなる二軸延伸された積層フイルム（以下、単に積
層フイルムということがある。）中での平均粒径が該積
層フイルム厚さの0.1〜４倍、好ましくは0.5〜４倍、さ
らに好ましくは1.1〜３倍の範囲とされる。平均粒径／
フイルム厚さ比が上記の範囲より小さいと、形成される
突起の高さがばらつき、コンデンサー構成での絶縁破壊
電圧のバラツキが大きくなり、かつ突起密度も低くなっ
て摩擦係数が不良となり、逆に大きいと、摩擦係数はあ
る程度低くできるものの、突起が高くなりすぎてコンデ
ンサーの絶縁破壊電圧が不良となるので好ましくない。

また、積層フイルム中の不活性粒子のフイルム中での
平均粒径（直径）が0.007〜1.5μｍ、好ましくは0.02〜
0.7μｍの範囲である場合、絶縁破壊電圧、摩擦係数の
面から望ましい突起を形成しやすいので、とくに望まし
い。

また、積層フイルムの重量平均厚さは0.005〜1.0μで
あることが好ましい。

上記不活性粒子の積層フイルム中の含有量は、積層フ
イルムを構成する樹脂組成物の全体の重量に対して0.2
〜10重量％の範囲とされる。この範囲よりも少ないと、
形成される突起の密度が低いため、目標とする摩擦係数
低減効果が得られず、加工時等におけるハンドリング性
改良効果が不十分となる。逆に上記範囲よりも多いと、
不活性粒子が凝集しやすくなって、凝集粒子が不均一な
高さの突起を形成する機会が多くなり、絶縁破壊電圧の
バラツキが大きくなる。該含有量は、好ましくは0.2〜
５重量％、さらに好ましくは0.3〜２重量％である。

積層フイルム中に添加された不活性粒子の添加量、平
均粒径、積層フイルムの厚さの関係は不活性粒子の平均
粒径をφ（μｍ）、該不活性粒子を含む前記熱可塑性樹
脂Ａの二軸延伸されたフイルムの厚さをｔ（μｍ）、熱
可塑性樹脂Ａに添加された前記不活性粒子の含有量をｃ
（重量％）とした時、これらの値が下記（１）式の関係
を満たすものであることが好ましい。

0.1≦ｃ・t/φ≦10 ……（１）さらに好ましくは 0.1≦ｃ・t/φ≦５ ……（２）である。この値が、この範囲より小さいとコンデンサ
として時にシワが入りやすくなり、大きいとフイルムの
走行中に蛇行が生じやすい。

つまり、本発明における熱可塑性樹脂Ａの積層フイル
ム層には、該フイルム厚さ近傍あるいはそれよりも大き
な平均粒径の不活性粒子が含有される。換言すれば、極
薄積層フイルムに、そのフイルム厚さ近傍あるいはそれ
よりも大きな平均粒径の微小不活性粒子が含有される。
したがって、二軸配向熱可塑性樹脂フイルム全体に対
し、その厚さ方向に、実質的に積層フイルム層のみに集
中して不活性粒子を分布させることができる。その結
果、積層フイルム中における粒子密度を容易に高くする
ことができ、該粒子により形成されるフイルム表面の突
起の密度も容易に高めることができる。また、不活性粒
子は、上記積層フイルム中に含有されることで、二軸配
向熱可塑性樹脂フイルム全体に対し、その厚さ方向に位
置規制されることになり、しかも積層フイルムの厚さと
平均粒径とは前述の如き関係にあるから、該粒子により
形成される表面突起の高さは、極めて均一になる。

上記の如き熱可塑性樹脂Ａと不活性粒子とを主成分と
するフイルムが熱可塑性樹脂Ｂを主成分とするフイルム
に積層され、コンデンサ用フイルムが構成される。

熱可塑性樹脂Ａの積層フイルム層は、熱可塑性樹脂Ｂ
からなるフイルム層の両面、又は片面に積層される。つ
まり、積層構成がA/B/A、A/Bの場合であるが、もちろ
ん、Ａと異なる表面状態を有するＣ層をＡと反対面に設
けたA/B/Cでも、あるいはそれ以上の多層構造でもよ
い。

（ここでＡ、Ｂ、Ｃそれぞれの熱可塑性樹脂の種類は同
種でも、異種でもよい。また、少なくとも片方の表面は
Ａ層であることが必要である。これらのうち好ましい形
態はA/B、A/B/AまたはA/B/A′である。（ここでＡ′は
Ａと同様の熱可塑性樹脂をベースとし添加粒子組成など
が若干異なる組成の樹脂組成物である。）熱可塑性樹脂Ｂ組成物を主成分とする二軸延伸フイル
ム（以下、単に被積層フイルムと言うことがある）は、
添加された不活性粒子を実質的に含まないことが好まし
い。ここで添加された不活性粒子とは熱可塑性樹脂Ａが
含むようなシリカなどのフイルムの滑りを改良する目的
で故意に添加される粒子のことであり、ポリエステルを
重合する際などに析出する粒子を含むことは差し支えな
い。但し、その場合でも平均粒径２μｍを超える粒子を
含むことは好ましくない。

また、該被積層フイルムに粒子が添加される時は前述
した積層フイルムに於いて好ましく用いられるものが好
ましい。この時、被積層フイルムに添加される粒子の種
類、大きさ、添加量は積層フイルムに添加されているも
のと同じでも異なっていても良いことは言うまでもな
い。

上述の如き不活性粒子を含有する熱可塑性樹脂Ａを主
たる成分とする樹脂組成物と、熱可塑性樹脂Ｂを主たる
成分とする樹脂組成物とは共押出により積層されている
ことが好ましい。ここで本発明における共押出による積
層とは、不活性粒子を含有する熱可塑性樹脂Ａを主たる
成分とする樹脂組成物と、熱可塑性樹脂Ｂを主たる成分
とする樹脂組成物とをそれぞれ異なる押出装置で押出
し、口金から積層シートを吐出する前にこれらを積層す
ることを言う。この積層は、シート状に成形、吐出する
ための口金内（たとえばマニホルド）で行ってもよい
が、前述の如く積層フイルム層が極薄であることから、
口金に導入する前のポリマ管内で行うことが好ましい。
とくに、ポリマ管内の積層部を、矩形に形成しておく
と、幅方向に均一に積層できるので特に好ましい。ポリ
マ管内矩形積層部で積層された溶融ポリマは、口金内マ
ニホルドでシート幅方向に所定幅まで拡幅され、口金か
らシート状に吐出された後、二軸に延伸される。したが
って、たとえ二軸配向後の積層フイルム層が極薄であっ
ても、ポリマ管内矩形積層部では、不活性粒子含有熱可
塑性樹脂ポリマを、かなりの厚さで積層することになる
ので、容易にかつ精度よく積層できる。

このように形成された積層構成の二軸延伸プラスチィ
ックフイルム（以下、単にフイルムと言うことがあ
る。）においては、一つの熱可塑性樹脂Ａの積層フイル
ム層の厚さの誘電体全体の厚さに対する比が0.001〜0.2
の範囲とされる。この比は相対的なものであるので、誘
電体の絶対厚さによって熱可塑性樹脂Ａの積層フイルム
層の絶対厚さの適切な範囲も決まってくるが、通常一般
に使用されている誘電体の厚さから考えて、熱可塑性樹
脂Ａの積層フイルム層の厚さが上記範囲よりも小さい
と、該層が薄くなりすぎて該層に不活性粒子を高密度に
保持することが困難となり、摩擦係数を低く保つことが
困難になる。また、上記範囲よりも大きいと、前記不活
性粒子の平均粒径と該層の厚さとの適切な関係から、該
層厚さの増大に応じて不活性粒子の粒径も増大させる必
要が生じ、それによって粒径が大きくなりすぎるため、
含有粒子を起点とした絶縁破壊が起こりやすくなって、
絶縁破壊電圧のバラツキが悪化する。

本発明のフイルムの全体の厚みさとしては0.3以上25
μｍ以下である時に本発明の効果が大きい。また、添加
された不活性粒子がフイルム全体の0.02〜1.0重量％で
あると耐電圧特性向上効果が、一層大きく極めて好まし
い。

本発明のフイルムは、主に積層フイルム中に添加され
た粒子によってフイルム表面に突起を形成せしめたもの
であるが、その表面粗さRa（JIS R-0601による）が0.00
5〜0.1μｍであることがフイルムの取り扱い性とコンデ
ンサとした時の耐電圧特性の点から好ましい。とくに、
100nm以上の高さを持つ突起の突起数線密度が５個/mm以
下であると比較的大容量のコンデンサとした時の耐電圧
が向上し、好ましい。ここで、突起数線密度とはフイル
ムの長さ30mmに渡って触針式表面粗さ計（カットオフ値
0.08μｍ、触針の先端半径２μｍ、先端開き角90度）に
よって測定されるもので、速度0.1mm/secで触針を移動
させながら縦倍率Ｎで測定した粗さ曲線チャートに於い
て、求める高さを持つ突起数を測定長で除して単位長さ
当たりの突起数を示したものである。例えば100nm以上
の高さを持つ突起の突起数線密度とは、100nm以上の高
さを持つ突起数を測定長で除して単位長さ当たりの突起
数を示したものである。ここで突起の高さとは、測定し
た上記粗さ曲線チャート上のｉ番目の突起山頂のレベル
をMi、同じくｉ番目の突起の左側の谷底のレベルをViと
する時、ｉ番目の突起の高さPiはPi＝（Mi−Vi）/Nと定
義される。ただし、触針を移動させる方向はフイルムの
長手方向に直交する方向とする。

また本発明のフイルムの熱可塑性樹脂Ａを主成分とす
る積層フイルム面同志の静摩擦係数が0.4〜1.5、動摩擦
係数が0.3〜0.8であることがスリット、蒸着などの加工
適性とコンデンサ素子巻取性の点から好ましい。

さらに、本発明のフイルムに於いて不活性粒子を含む
積層フイルム側の表層の不活性粒子による粒子濃度比が
0.1以下であることが好ましい。この表層粒子濃度比
は、後述の測定法に示す如く、フイルム表面突起を形成
する不活性粒子がフイルム表面において如何に熱可塑性
樹脂Ａの薄膜で覆われているかを示すものであり、粒子
がフイルム表面に実質的に直接露出している度合が高い
程表層粒子濃度比が高く、表面突起は形成するが熱可塑
性樹脂Ａの薄膜に覆われている度合が高い程表層粒子濃
度比は低い。突起を形成する不活性粒子が熱可塑性樹脂
Ａの薄膜に覆われていることにより、不活性粒子が高密
度に極薄積層フイルム層に分布している状態にあって
も、該粒子が該積層フイルム層、ひいては熱可塑性樹脂
Ｂのベースフイルム層にしっかりと保持されるととも
に、該粒子が、金属薄膜や金属箔に直接的に外乱を及ぼ
すことがなくなるので、絶縁破壊電圧のバラツキを小さ
く抑える上からも有利になる。このような表層粒子濃度
比は、共押出による積層を行うことによって容易に達成
される。ちなみに、コーティング方法によっても、本発
明と類似のフイルム、すなわち、ベースフイルム層に対
し極薄厚さで樹脂層をコーティングし、該樹脂層内に不
活性粒子を含有させることは可能であるが、表層粒子濃
度比が著しく高くなり（つまり粒子が実質的に表面に直
接露出する度合が著しく高くなり）、本発明フイルムに
比べ表面が極めて脆く、かつ露出した突起先端が金属薄
膜や金属箔に案影響を及ぼすものとなりやすい。

また、本発明のフイルムにおいて、不活性粒子により
形成される表面突起の高さは特に限定されないが、狙っ
た滑り性改良等の効果を得るために、突起平均高さが不
活性粒子の平均粒径の0.3倍以上となるように、不活性
粒子の平均粒径、熱可塑性樹脂Ａを主たる成分とする積
層フイルム層の厚さを設定することが好ましい。また、
均一なかつ高密度の突起を得るために、不活性粒子自身
の粒径分布の標準偏差が0.5以下であることが好まし
い。

次に本発明のコンデンサについて説明する。

本発明のコンデンサは上記二軸延伸プラスチィックフ
イルムを主たる誘電体として用いたコンデンサである。

本発明のコンデンサの形態は、巻回型、積層型のいず
れでも良い。また内部電極としても金属箔、金属薄膜な
ど周知のもののいずれでも良い。

本発明のコンデンサの内部電極として金属箔が用いら
れる場合は、アルミニウム箔、錫箔、銅箔、から選ばれ
る少なくとも一つを主たる内部電極とすることが電気特
性や耐電圧特性の点から好ましい。また金属箔の平均厚
みは２μｍ以上15μｍ以下であることが取り扱い性と電
気特性、コンデンササイズの点から好ましい。

また本発明のコンデンサの内部電極として金属薄膜が
用いられる場合は、真空蒸着によって形成されたアルミ
ニウム膜、亜鉛膜、銅膜から選ばれる少なくとも一つを
主たる内部電極とすることが好ましい。ここで金属薄膜
とは真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法、メッキ等によって形成される自己支持性のない
金属薄膜のことを言う。

また、本発明のコンデンサにおいて内部電極として金
属箔と金属薄膜を併用したものであっても良い。

次に本発明フイルムの製造方法について説明する。

熱可塑性樹脂Ａに不活性粒子を含有しせめる方法とし
ては、重合後、重合中、重合前のいずれでも良いが、ポ
リマにベント方式の２軸押出機を用いて練り込む方法が
本発明範囲の表面形態のフイルムを得るのに有効であ
る。また、粒子の含有量を調節する方法としては、上記
方法で高濃度マスターを作っておき、それを製膜時に不
活性粒子を実質的に含有しない熱可塑性樹脂で希釈して
粒子の含有量を調節する方法が本発明範囲の表面形態の
フイルムを得るのに有効である。さらにこの粒子高濃度
マスターポリマの溶融粘度、共重合成分などを調節し
て、その結晶化パラメータΔTcgを30〜80℃の範囲にし
ておく方法は延伸破れなく、本発明範囲の表面形態のフ
イルムを得るのに有効である。

かくして、不活性粒子を含有する熱可塑性樹脂Ａを主
成分とするペレットＡを公知の溶融押出機に供給し、熱
可塑性樹脂の融点以上分解点以下の温度で溶融し、もう
一方の好ましくは実質的に添加された不活性粒子を含有
しない熱可塑性樹脂Ｂを主成分とする樹脂組成物を前述
の如き積層用装置に供給し、スリット状のダイからシー
ト状の押出し、キャスティングロール上で冷却固化せし
めて未延伸フイルムを作る。すなわち、２または３台の
押出機、２または３層用の合流ブロックあるいは口金を
用いて、これらの熱可塑性樹脂を積層する。合流ブロッ
ク方式を用いる場合は積層部分を前述の如く矩形のもの
とし、両者の熱可塑性樹脂の溶融粘度の比を0.1〜10の
範囲にしておくことが本発明範囲の表面形態のフイルム
を安定して、幅方向の斑なく、工業的に製造するのに有
効である。

次にこの多層の未延伸フイルムを二軸延伸し、二軸配
向せしめる。二軸延伸の方法は同時二軸延伸、逐次二軸
延伸法のいずれでもよいが、長手方向、幅方向の順に延
伸する逐次二軸延伸法の場合に本発明範囲の表面形態の
フイルムを安定して、幅方向に斑なく、工業的に製造す
るのに有効である。逐次二軸延伸の場合、長手方向の延
伸を、３段階、特に４段階以上に分けて熱可塑性樹脂Ｂ
を主成分とする樹脂組成物のガラス転移温度Tg（℃）な
いしTg＋50（℃）の範囲で、かつ、1000〜50000％／分
の延伸速度で、３〜６倍行なう方法は本発明範囲の表面
形態を有するフイルムを得るのに有効である。幅方向の
延伸温度、速度は、熱可塑性樹脂Ｂを主成分とする樹脂
組成物のガラス転移温度Tg（℃）ないしTg＋50（℃）、
1000〜20000％／分の範囲が好適である。延伸倍率は３
〜10倍が好適である。また必要に応じてさらに長手方
向、幅方向の少なくとも一方向に延伸することもでき
る。いずれにしても不活性粒子を含有するきわめて薄い
層を設けてから、面積延伸倍率（長手方向倍率×幅方向
倍率）として９倍以上の延伸を行なうことが本発明のフ
イルムを得るのに極めて有効である。次にこの延伸フイ
ルムを熱処理する。この場合の熱処理条件としては、幅
方向に弛緩、微延伸、定長下のいずれかの状態で、熱可
塑性樹脂Ｂを主成分とする樹脂組成物の融点をTm（℃）
とした時、Tm-100（℃）以下Tm（℃）未満の温度の範囲
で0.5〜60秒間行うが好適であるが、熱処理にマイクロ
波加熱を併用すると、本発明範囲の表面形態を有するフ
イルムが得られやすくなるので望ましい。

本発明フイルムの製造の特徴は、特殊な方法で調製し
た特定範囲の熱特性を有する高濃度粒子ポリマを用い
て、不活性粒子を含有するきわめて薄い層を設けた後に
フイルムを二軸延伸することであり、製膜工程内で、フ
イルムを一軸延伸した後、コーティングなどを施しさら
に延伸する方法、あるいは二軸延伸フイルムにコーティ
ングして作られる積層フイルムに比べると、本発明フイ
ルムは性能が優れる上に、コスト面でも本発明フイルム
が優れている。

次に本発明のコンデンサの製造方法について説明す
る。

本発明のコンデンサの内部電極として金属箔が用いら
れる場合は、金属箔と上記二軸延伸プラスティックフイ
ルムを箔はみだし巻回法や巻回途中でタブを挿入する方
法などによって交互に重ね合わせて巻き取るなどして、
誘電体と電極が交互に重ね合わされ、かつ外部に電極が
引き出させような構造となるように巻回してコンデンサ
素子あるいはコンデンサ母素子を得る。

また、本発明のコンデンサの内部電極して金属薄膜が
用いられる場合は、まず上述した二軸延伸プラスティッ
クフイルムを金属化する。この際、予め金属化する側の
フイルム表面にコロナ処理、プラズマ処理等を施して金
属薄膜とフイルムの密着力を向上させることもできる。
金属化する際、あるいは金属化後に対向電極が短絡しな
いようにテープマスク、オイルマスク、あるいはレーザ
ービーム等により非金属化部分（いわゆるマージン）を
設けるのが常法である。その後、一方の端にマージン部
分がくるように細幅のテープ状にスリットすることもあ
る。

次にコンデンサ素子を製造する。巻回型コンデンサを
得る場合は、金属化フイルムを一方の端にマージン部分
がくるように細幅のテープ状にスリットしたものを２枚
重ねて個々の素子を個別に巻いていくのが常法である。
積層型コンデンサの場合は大径のドラム、あるいは平板
に巻回してコンデンサ母素子を得る。

巻回型コンデンサを製造する場合は、上記のようにし
て得たコンデンサ素子をプレス成形するのが一般的であ
る。このとき100℃以上フイルムの融点以下の温度に加
熱することもできる。その後、外部電極の取り付け工程
（金属溶射、導電性樹脂等による）、必要なら樹脂また
は油含浸工程、リード付タイプのコンデンサとするとき
はリード線の取り付け工程、外装工程を経て本発明のコ
ンデンサを得る。

積層型コンデンサの場合は、大径のドラム、あるいは
平板に巻回した母素子をリング等で締め付ける、あるい
は平行平板等でプレスするなどフイルムの厚さ方向に圧
力を加えて成形する。その際の温度範囲は常温〜フイル
ムの融点以下である。母素子はプレスの前に、あるいは
後に金属箔または金属薄膜電極がマージンをもって対向
するようにフイルムの長手方向に切断されて、外部電極
の取り付け工程（金属溶射、導電性樹脂等による）、個
々の素子切り出し工程、必要なら樹脂または油含浸工
程、リード付タイプのコンデンサとするときはリード線
の取り付け工程、外装工程を経て本発明のコンデンサを
得ることができる。

［物性の測定方法ならびに効果の評価方法］本発明の特性値の測定方法並びに効果の評価方法は次
の通りである。

（１）粒子の平均粒径フイルムからポリマをプラズマ低温灰化処理法（たと
えばヤマト科学製PR-503型）で除去し粒子を露出させ
る。処理条件はポリマは灰化されるが粒子はタメージを
受けない条件を選択する。これをSEM（走査型電子顕微
鏡）で観察し、粒子の画像（粒子によってできる光の濃
淡）をイメージアナライザー（たとえばケンブリッジイ
ンストルメント製QTM900）に結び付け、観察箇所を変え
て粒子数5000個以上で次の数値処理を行ない、それによ
って求めて数平均径Ｄを平均粒径とする。

Ｄ＝ΣDi/N ここで、Diは粒子の円相当径、Ｎは個数である。

（２）粒子の含有量ポリマは溶解し粒子は溶解させない溶媒を選択し、粒
子をポリマから遠心分離し、粒子の全体重量に対する比
率（重量％）をもって粒子含有量とする。場合によって
は赤外分光法の併用も有効である。

（３）ガラス転移点Tg、冷結晶化温度Tcc、結晶化パラ
メータΔTcg、融点パーキンエルマー社製のDSC（示差走査熱量計）II型
を用いて測定した。DSCの測定条件は次の通りである。
すなわち、試料10mgをDSC装置にセットし、300℃の温度
で５分間溶融した後、液体窒素中に急冷する。この急冷
試料を10℃／分で昇温し、ガラス転移点Tgを検知する。
さらに昇温を続け、ガラス状態からの結晶化発熱ピーク
温度をもって冷結晶化温度Tccとした。さらに昇温を続
け、溶解ピーク温度を融点とした。また、TccとTgの差
（Tcc-Tg）を結晶化パラメータΔTcgと定義する。

（４）表面突起の平均高さ、その標準偏差２検出器方式の走査型電子顕微鏡［ESM-3200、エリオ
ニクス（株）製］と断面測定装置［PMS-1、エリオニク
ス（株）製］においてフイルム表面の平坦面の高さを０
として走査したときの突起の高さ測定値を画像処理装置
［IBAS2000、カールツァイス（株）製］に送り、画像処
理装置上にフイルム表面突起画像を再構築する。次に、
この表面突起画像で突起部分を２値化して得られた個々
の突起の面積から円相当径を求めこれをその突起の平均
径とする。また、この２値化された個々の突起部分の中
で最も高い値をその突起の高さとし、これを個々の突起
について求める。この測定を場所をかえて500回繰返
し、突起個数を求め、測定された全突起についてその高
さの平均値を平均高さとした。また個々の突起の高さデ
ータをもとに、高さ分布の標準偏差を求めた。求められ
た標準偏差を上記高さの平均値で割った値を、相対標準
偏差とした。また走査型電子顕微鏡の倍率は、1000〜80
00倍の間の値を選択する。なお、場合によっては、高精
度光干渉式３次元表面解析装置（WYKO社製TOPO-3D、対
物レンズ:40〜200倍、高解像度カメラ使用が有効）を用
いて得られる高さ情報を上記SEMの値に読み替えて用い
てもよい。

（５）表層粒子濃度比２次イオンマスクスペクトル（SIMS）を用いて、フイ
ルム中の粒子に起因する元素の内のもっとも高濃度の元
素とポリエステルの炭素元素の濃度比を粒子濃度とし、
厚さ方向の分析を行なう。SIMSによって測定される最表
層粒子濃度（深さ０の点）における粒子濃度Ａとさらに
深さ方向の分析を続けて得られる最高濃度Ｂの比、A/B
を表層粒子濃度比と定義した。測定装置、条件は下記の
とおりである。

測定装置２次イオン質量分析装置（SIMS）西独、ATOMIKA社製A-DIDA3000 測定条件１次イオン種：O₂ ⁺ １次イオン加速電圧:12KV １次イオン電流:200nA ラスター領域 :400μｍ□ 分析領域：ゲート30％測定真空度:6.0×10⁹Torr E-GUN:0.5KV-3.0A （６）単一粒子指数フイルムの断面を透過型電子顕微鏡（TEM）で写真観
察し、粒子を検知する。観察倍率を100000倍程度にすれ
ば、それ以上分けることができない１個の粒子が観察で
きる。粒子の占める全面積をＡ、その内２個以上の粒子
が凝集している凝集体の占める面積をＢとした時、（Ａ
−Ｂ）/Aをもって、単一粒子指数とする。TEM条件は下
記のとおりであり１視野面積:2μm²の測定を場所を変え
て、500視野測定する。

・装置：日本電子製JEM-1200EX ・観察倍率:100000倍・切片厚さ：約1000オングストローム（７）粒径比上記（１）の測定において個々の粒子の長径の平均値
／短径の平均値の比である。

すなわち、下式で求められる。

長径＝ΣD1i/N 短径＝ΣD2i/N D1i、D2iはそれぞれ個々の粒子の長径（最大径）、短
径（最短径）、Ｎは総個数である。

（８）積層されたフイルム中の熱可塑性樹脂Ａ層の厚さ２次イオン質量分析装置（SIMS）を用いて、フイルム
中の粒子の内最も高濃度の粒子に起因する元素とポリマ
の炭素元素の濃度比（M⁺／C⁺）を粒子濃度とし、熱可塑
性樹脂Ａ層の表面から深さ（厚さ）方向の分析を行な
う。表層では表面という界面のために粒子濃度は低く表
面から遠ざかるにつれて粒子濃度は高くなる。本発明フ
イルムの場合は深さ［Ｉ］でいったん極大値となった粒
子濃度がまた減少し始める。この濃度分布曲線をもとに
極大値の粒子濃度1/2になる深さ［II］（ここでII＞
Ｉ）を積層厚さとした。条件は測定法（５）と同様であ
る。

なお、フイルム中にもっとも多く含有する粒子が有機
高分子粒子の場合はSIMSでは測定が難しいので、表面か
らエッチングしながらXPS（Ｘ線光電子分光法）、IR
（赤外分光法）あるいはコンフォーカル顕微鏡などで、
その粒子濃度のデプスプロファイルを測定し、上記同様
の手法から積層深さを求めても良い。

さらに、上述した粒子濃度のデプスプロファイルから
ではなく、フイルムの断面観察あるいは薄膜段差測定機
等によって熱可塑性樹脂Ａの積層厚さを求めても良い。

（９）静摩擦係数μs,動摩擦係数μｄ ASTM-D-1894-B-63に準じ、スリップテスタを用いてフ
イルム／フイルムの静摩擦係数及び動摩擦係数を測定し
た。

（10）フイルムの絶縁破壊強度真ちゅう板の上にアルミニウム箔（厚さ５μｍ）を３
枚重ね、その上に10cm角に切ったフイルムサンプルを置
き、さらにその上に表面を平滑に仕上げた8mmφの真ち
ゅう製電極（重さ50g）を置く。真ちゅう板と真ちゅう
製電極の間に直流電圧を100V/secで昇圧しながら印加し
ていき絶縁破壊を起こした時の電圧を記録する。ここ
で、両電極間に10mA以上の電流が流れたときを絶縁破壊
が発生したものとする。サンプルをかえて、20点以上に
ついて測定した後、平均値を算出し、フイルム厚みで除
して絶縁破壊強度とし、V/μｍで示す。

（11）コンデンサの容量バラツキ同じ条件で製造したコンデンサ素子1000個の静電容量
を測定し、相対標準偏差を求める。ここで、相対標準偏
差とは標準偏差を平均値で除した数で、％で表わす。な
お、コンデンサの容量はLCRメータで測定する。判定の
基準は以下の通りである。

○……相対標準偏差２％未満。ばらつきが非常に少な
い。

△……相対標準偏差２％以上10％未満、やや、ばらつき
があるが実用レベル。

×……相対標準偏差10％以上。ばらつきが大きい。

（12）コンデンサの絶縁破壊電圧、および低圧破壊不良
率コンデンサまたはコンデンサ素子の両電極間に直流電
圧を100V/secで昇圧しながら印加していき絶縁破壊を起
こした時の電圧を絶縁破壊電圧とする。ここで、両電極
間に10mA以上の電流が流れた時を絶縁破壊が発生したも
のとする。サンプルをかえて、100点以上について測定
した値を平均してＶで示す。このとき、絶縁破壊電圧が
規定の電圧に達しなかったコンデンサまたはコンデンサ
素子の頻度を低圧破壊不良率とし％で示す。ここで、規
定の電圧は誘電体フイルムの平均厚み１μｍあたり50V
とした。

（13）素子巻性 15mm幅にスリットしたフイルム２枚を自動コンデンサ
素子巻機（蒸着フイルム用）にかけ、素子巻する際のフ
イルムの走行状態と出来上った巻回体の状態を観察す
る。判定は以下の基準によった。

○……走行中の蛇行はなく、巻回体の端面も巻きずれが
殆ど観察されず、きれにい揃っている。また、シワが巻
き込まれていることもない。

△……走行中は、肉眼で観察される蛇行はないが、巻回
体は実用上問題ない範囲でやや端面に巻きずれが見られ
るかあるいは内部にわずかにシワを巻き込んでいる。

×……走行中から大きな蛇行が観察され1mm以上の巻き
ずれを起こすため実用的でない。あるいは、殆どフイル
ム全長にわたってシワを巻き込んでいる。

［実施例］本発明を実施例に基づいて説明する。

実施例１〜６、比較例１〜５平均粒径の異なる架橋ポリスチレン粒子、コロイダル
シリカに起因するシリカ粒子を含有するエチレングリコ
ールスラリーを調製し、このエチレングリコールスラリ
ーを190℃で1.5時間熱処理した後、テレフタル酸ジメチ
ルとエステル交換反応後、重縮合し、該粒子を0.3〜55
重量％含有するポリエチレンテレフタレート（以下PET
と略記する）のペレットを作った。このペレットを用い
て熱可塑性樹脂Ａを調製し、熱可塑性樹脂Ａ中の不活性
粒子の含有量を各々調整し、また、常法によって、実質
的に不活性粒子を含有しないPETを製造し、熱可塑性樹
脂Ｂ（但し実施例４、比較例１は、上記と同様の方法
で、添加された粒子を含んでいる。）とした。これらの
ポリマをそれぞれ180℃で３時間減圧乾燥（3Torr）し
た。熱可塑性樹脂Ａを押出機１に供給し310℃で溶融
し、さらに、熱可塑性樹脂Ｂを押出機２に供給、280℃
で溶融し、これらのポリマを矩形積層部を備えた合流ブ
ロックで合流積層し、静電印加キャスト法を用いて表面
温度30℃のキャスティング・ドラムに巻きつけて冷却固
化し、２層又は両面に熱可塑性樹脂Ａ層を有する３層構
造の未延伸フイルムを作った。この時、それぞれの押出
機の吐出量を調節し総厚さ、熱可塑性樹脂Ａ層の厚さを
調節した。（ただし比較例１はＢ層単層）。この未延伸
フイルムを温度80℃にて長手方向に4.5倍延伸した。こ
の延伸は２組ずつのロールの周速差で、４段階で行なっ
た。この一軸延伸フイルムをステンタを用いて延伸速度
2000％／分で100℃で幅方向に4.0倍延伸し、定長下で、
200℃にて５秒間熱処理し、総厚さ５μｍ、熱可塑性樹
脂Ａ層厚さ0.01〜２μｍの二軸配向積層フイルムを得
た。

これらのフイルムから、箔巻コンデンサを製造した。

まず、フイルムを20mm幅にスリットし、アルミニウム
箔（幅20mm、厚さ５μｍ）とフイルム、アルミニウム
箔、フイルム、アルミニウム箔の順に重ね合わせて互い
違いに電極が2mmずつはみだすようにして巻き取り、静
電容量約1.0μＦのコンデンサ素子を得た。

次に、コンデンサ素子を120℃、30Kg/cm²の温度、圧
力で５分間加熱プレスし、両端面にメタリコン、リード
線溶接、エポキシディップによる外装を施し、箔巻コン
デンサを得た。

また、これとは別に、それぞれのフイルムから蒸着コ
ンデンサを作成した。

まず、上記のフイルムに、表面抵抗値が２Ωとなるよ
うにアルミニウムを真空蒸着した。その際、長手方向に
走るマージン部を有するストライプ状に蒸着した（蒸着
部の幅8.0mm、マージン部の幅1.0mmの繰り返し）。次に
各蒸着部の中央と各マージン部の中央に刃を入れてスリ
ットし、左もしくは右に0.5mmのマージンを有する全幅
4.5mmのテープ状にして巻きとった。

得られたリールの左マージンおよび右マージンのもの
各１枚づつを重ね合わせて巻回し、巻回体を得た。その
際、幅方向に蒸着部分がマージン部より0.5mmはみだす
ように２枚のフイルムをずらして巻回した。この巻回体
から芯材を抜いて、そのまま150℃、50Kg/cm²の温度、
圧力で５分間プレスした。これに両端面にメタリコンを
溶射して外部電極とし、両電極間に600Vの直流電圧を１
秒間印加して電圧処理を施し、メタリコンにリード線を
溶接して静電容量約0.3μＦの蒸着コンデンサを得た。

これらのフイルム、コンデンサの評価結果を表１に示
す。

実施例７〜９、比較例６〜９オートクレーブに、硫化ナトリウム32.6Kg（250モ
ル、結晶水40重量％を含む）、水酸化ナトリウム100g、
安息香酸ナトリウム36.1Kg（250モル）、及びＮ−メチ
ル−２−ピロリドン（以下NMPと略称することがある）7
9.2Kgを仕込み205℃で脱水したのち、1.4ジクロルベン
ゼン（ｐ−DCBと略称する）37.5Kg（255モル）、及びNM
P20.0Kgを加え、265℃で４時間反応させた。反応生成物
を水洗、乾燥して、ｐ−フェニレンスルフィド100モル
％からなり、溶融粘度3100ポイズのポリ−ｐ−フェニレ
ンスルフィド21.1Kg（収率78％）を得た。

このポリフェニレンスルフィドに、平均粒径の異なる
コロイダルシリカに起因するシリカ粒子を添加しポリフ
ェニレンスルフィド樹脂組成物ペレットを得た。このペ
レットを用いて熱可塑性樹脂Ａを調製し、熱可塑性樹脂
Ａに含まれる不活性粒子の含有量を各々調整した。

先のポリフェニレンスルフィド（粒子未添加、比較例
６のみ粒子添加）を熱可塑性樹脂Ｂとして用い実施例１
または比較例１と同様の積層フイルム製造装置に供給し
て310℃で溶融し、表面を25℃に保った金属ドラム上に
キャストして冷却固化し、両面に熱可塑性樹脂Ａ層を持
つ３層構造の未延伸フイルムを得た。（ただし、比較例
６はＢ層単層）このフイルムをロール群から成る縦延伸装置によっ
て、フイルム温度100℃、延伸速度30000％／分で3.6倍
延伸し、続いてテンタを用いて、温度100℃、延伸速度1
000％／分で3.5倍延伸し、さらに同一テンタ内の後続す
る熱処理室で、270℃で10秒間緊張下に熱処理して、全
厚さ５μｍ、熱可塑性樹脂Ａ層厚さ0.01〜２μｍの二軸
延伸ポリフェニレンスルフィドフイルムを得た。

これらのフイルムから実施例１と同様の方法（但し、
コンデンサ素子をプレスする際の温度は150℃とし、蒸
着コンデンサの電圧処理は400Vで行なった。）で箔巻コ
ンデンサおよび蒸着コンデンサを製造した。

これらのフイルム、コンデンサの評価結果を表２に示
す。

実施例10〜12、比較例10〜13 ポリエーテルエ−テルケトン（I.C.I社製,PEED 380
G）に平均粒径の異なるコロイダルシリカに起因するシ
リカ粒子を添加しポリエーテルエーテルケトン樹脂組成
物ペレットを得た。このペレットを用いて熱可塑性樹脂
Ａを調製し、熱可塑性樹脂Ａに含まれる不活性粒子の含
有量を各々調整した。

先のポリエーテルエーテルケトン（粒子未添加、比較
例10のみ粒子添加）を熱可塑性樹脂Ｂとして用い実施例
１または比較例１と同様の積層フイルム製造装置に供給
して400℃で溶融し、表面を80℃に保った金属ドラム上
にキャストして冷却固化し、両面に熱可塑性樹脂Ａ層を
持つ３層構造の未延伸フイルムを得た。（ただし、比較
例10はＢ層単層）このフイルムをロール群から成る縦延伸装置によっ
て、フイルム温度170℃、延伸速度5000％／分で3.0倍延
伸し、続いてテンタを用いて、温度170℃、延伸速度100
0％／分で3.0倍延伸し、さらに同一テンタ内の後続する
熱処理室で、300℃で10秒間緊張下に熱処理して、全厚
さ５μｍ、熱可塑性樹脂Ａ層厚さ0.01〜２μｍの二軸延
伸ポリエーテルエーテルケトンフイルムを得た。

これらのフイルムから実施例１と同様の方法（但し、
コンデンサ素子をプレスする際の温度は180℃とし、蒸
着コンデンサの電圧処理は400Vで行なった。）で箔巻コ
ンデンサおよび蒸着コンデンサを製造した。

これらのフイルム、コンデンサの評価結果を表２に示
す。

［発明の効果］以上のように、本発明のフイルムは高い絶縁破壊強度
と優れたハンドリング性を持ち合わせている。そして、
このフイルムからコンデンサを製造すると、従来のコン
デンサ製造条件を全く変更する事無く静電容量の安定
性、低圧破壊不良率の低減を高いレベルで達成すること
ができるためコンデンサ製造歩留まりを大幅に改善でき
るばかりでなく、得られたコンデンサは絶縁破壊電圧が
高く、極めて信頼性の高いものとなる。

フロントページの続き (56)参考文献特開昭63−197643（ＪＰ，Ａ) 特開平１−176556（ＪＰ，Ａ) 特開平２−2144657（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) B32B 1/00 - 35/00 H01G 4/18 B29C 55/00 - 55/30 G11B 5/704

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】不活性粒子を含有せしめた熱可塑性樹脂Ａ
を主成分とする二軸延伸されたフイルムが熱可塑性樹脂
Ｂを主成分とする二軸延伸されたフイルムの少なくとも
片方の表層に積層されたコンデンサ用二軸延伸プラステ
ィックフイルムであって、前記不活性粒子の平均粒径が
該不活性粒子を含む前記熱可塑性樹脂Ａの二軸延伸され
たフイルムの厚さの0.1〜４倍、かつ該熱可塑性樹脂Ａ
に添加された前記不活性粒子の含有量が0.2〜10重量％
であり、さらに少なくとも一つの熱可塑性樹脂Ａを主成
分とする二軸延伸されたフイルムの厚さが、積層された
フイルム全体の厚さに対する比で示して0.001〜0.2であ
り、かつ、フイルム全体の厚さが0.3以上25μｍ以下で
あることを特徴とするコンデンサ用二軸延伸プラスティ
ックフイルム。
【請求項２】熱可塑性樹脂Ａと熱可塑性樹脂Ｂは、共に
ポリエステル系樹脂であるか、共にポリアリーレンスル
フィド系樹脂であるか、あるいは共にポリアリーレンケ
トン系樹脂である請求項（１）に記載のコンデンサ用二
軸延伸プラスティックフイルム。
【請求項３】熱可塑性樹脂Ｂを主成分とするフイルム
は、添加された不活性粒子を実質的に含まないものであ
る請求項（１）または（２）に記載のコンデンサ用二軸
延伸プラスティックフイルム。
【請求項４】不活性粒子の平均粒径をφ（μｍ）、該不
活性粒子を含む前記熱可塑性樹脂Ａの二軸延伸されたフ
イルムの厚さをｔ（μｍ）、該熱可塑性樹脂Ａに添加さ
れた前記不活性粒子の含有量をｃ（重量％）とした時、
これらの値が下記（１）式の関係を満たすものである請
求項（１）ないし（３）のいずれかに記載のコンデンサ
用二軸延伸プラスティックフイルム。 0.1≦ｃ・t/φ≦10 ……（１）
【請求項５】請求項（１）ないし（４）のいずれかに記
載のコンデンサ用二軸延伸プラスティックフイルムを主
たる誘導体として用いてなるコンデンサ。