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JP2918792B2 - 薄膜トランジスタ用シングルチャンバｃｖｄプロセス - Google Patents

薄膜トランジスタ用シングルチャンバｃｖｄプロセス

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JP2918792B2
JP2918792B2 JP6327116A JP32711694A JP2918792B2 JP 2918792 B2 JP2918792 B2 JP 2918792B2 JP 6327116 A JP6327116 A JP 6327116A JP 32711694 A JP32711694 A JP 32711694A JP 2918792 B2 JP2918792 B2 JP 2918792B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学気相堆積（ＣＶ
Ｄ）チャンバ内に配置された基板上に、真性の(intrins
ic) アモルファスシリコン層及び少なくともドーパント
を１種ドープしたアモルファスシリコン層を連続的に堆
積する改良方法に関する。特に、本発明は、真性の(int
rinsic) アモルファスシリコン層及び少なくともドーパ
ントを１種ドープしたアモルファスシリコン層を、同じ
ＣＶＤチャンバ内の薄膜トランジスタ(thin film trans
istor:TFT)基板上に堆積し、係る真性のアモルファスシ
リコン層を係るドーパントにより汚染しない改良方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ励起化学気相堆積法（ＰＥＣＶ
Ｄ）は、種々の基板に電子材料の層を堆積することによ
る半導体デバイスの製造に広く用いられる方法である。
ＰＥＣＶＤプロセスでは、２枚一組の平行板電極を備え
た真空堆積チャンバの中に基板が配置される。通常、基
板は下側の電極でもあるサセプタ上に配置される。堆積
チャンバ内には、上側の電極でもあるガス流入マニホー
ルドを介して反応体ガス(reactant gas)が流入される。
２枚の電極間には、高周波（ＲＦ）電圧が印加される
が、これら電極は、反応体ガスにプラズマを発生させる
に充分なＲＦ出力を発生させる。プラズマは、反応体ガ
スを分解して、基板体の表面上に所望の物質の層を堆積
させる。この第１の層の上に別の電子材料の別の層を堆
積するには、堆積しようとする別の層の物質を含んだ反
応体ガスを堆積チャンバに流入させればよい。各反応体
ガスはプラズマに暴露されて、所望の材料の層を堆積さ
せる。
【０００３】近年、大型液晶セルがフラットパネルディ
スプレーに用いられるようになった。このタイプの液晶
セルは、液晶材料の層を挟んだ２枚のガラス板を有して
いる。ガラス基板は、基板上にコーティングされた導電
性の膜を有し、少なくとも１つの基板がＩＴＯフィルム
等のように透明である。基板は、出力源に接続されて、
液晶材料の配向を変化させることができる。導電性膜を
正確にパターン化することにより、液晶セルの様々なエ
リアを利用することが可能である。最近では、液晶セル
の別々のエリアに非常に高速でアドレスする目的で、薄
膜トランジスタが用いられるようになった。このような
液晶セルは、ＴＶやコンピュータモニタ等のアクティブ
マトリックスディスプレイに有用である。
【０００４】液晶セルの解像度に対する要求が増してお
り、画素と呼ばれる液晶セルの多数のエリアにアドレス
することが望ましい。近年のディスプレイパネルには、
１，０００，０００以上の画素を入れることが可能であ
る。各画素を個別にアドレスしスイッチ状態にしたま
ま、他の画素へのアドレスを可能にするためには、少な
くとも同じ数のトランジスタをガラス板上に形成する必
要がある。
【０００５】薄膜トランジスタデバイスには大きく２つ
のタイプが用いられ、その１つは、バックチャンネルエ
ッチ(back channnel etched;BCE)薄膜トランジスタであ
る。ＢＣＥ ＴＦＴの処理において多用されるＣＶＤプ
ロセスは、３層を連続的に堆積するプロセスである；こ
の３層とは、典型的にはゲート窒化珪素の絶縁層、ゲー
ト酸化珪素の絶縁層又はこれら２つの絶縁層の上に、真
性の（アンドープの）アモルファスシリコン（ｉ−ａ−
Ｓｉ）層、そしてこの上にリンをドープしたアモルファ
スシリコン（ｎ+ −ａ−Ｓｉ）の薄い層であり、これら
を別々の３つのＣＶＤチャンバで堆積する。ドープした
アモルファスシリコン層は約４０〜６０ｎｍの厚みでよ
いのだが、連続プロセスで真性アモルファスシリコン膜
を汚染する残留リンをチャンバ内に残さないために、従
来技術では別のプロセスチャンバで堆積しなければなら
なかった。
【０００６】ドープしたアモルファスシリコン層の堆積
のステップは、アモルファスシリコンベースのＴＦＴの
堆積プロセス全ての中でも重要なステップである。真性
アモルファスシリコン層の頂面上にドープアモルファス
シリコン層を堆積することにより、真性アモルファスシ
リコンと続いて堆積されるメタル層との間の電気的接触
を改善する。この真性アモルファスシリコン層とメタル
層との間薄いドープアモルファスシリコン層を堆積する
ことにより、真性アモルファスシリコン層とメタル層と
の間にオーミック接続を形成せしめる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】真性アモルファスシリ
コン層とドープアモルファスシリコン層とを単一のＣＶ
Ｄチャンバのみで堆積すれば、ドーパントガスや微粒
子、即ち、リン、アンチモン、ヒ素やホウ素の微粒子が
チャンバ内に残されてチャンバ壁を覆った場合にこれら
は汚染物になる。次のＴＦＴ基板の堆積プロセスが行わ
れた時に、チャンバ壁に残された残留ドーパントは不純
物として真性アモルファスシリコン層を汚染する。この
ような汚染により、薄膜トランジスタデバイスに欠陥が
生じ使用できなくなる。
【０００８】その結果、従来のＰＥＣＶＤプロセス薄膜
トランジスタの製造に用いて、真性アモルファスシリコ
ン層とドープアモルファスシリコン層との堆積を連続し
て行う場合、ドープアモルファスシリコン層の堆積プロ
セスは、アンドープアモルファスシリコン層の堆積プロ
セスとは別のＣＶＤチャンバで行う必要がある。ガラス
基板はそのサイズも重量も大きく、例えばサイズが約３
６０ｘ４６５ｘ１．１ｍｍにもなるため、ガラス基板上
への薄膜の堆積には一般に大きな反応チャンバを要し、
反応チャンバから、次に行われる薄膜の堆積のための別
の反応チャンバへの移動のために、大きく且つしばしば
動作の遅い移送装置が必要となる。この基板の移送操作
は、貴重な処理時間を消費し、系のスループットを低減
してしまう。一般に、移送操作は基板温度の低下を伴
い、従って、この移送操作の後に、基板を再び堆積の温
度まで加熱しなければならず、この時間が更に、堆積に
要する時間に付加される。更に、別のチャンバへの移送
の際に、堆積された膜が汚染される恐れが必ず存在す
る。
【０００９】従って、本発明の目的は、真性アモルファ
スシリコン層とドープアモルファスシリコン層とを連続
して基板上へ堆積する、高スループットの方法を提供す
ることにある。
【００１０】本発明の他の目的は、真性アモルファスシ
リコン層の汚染の問題を生じずに、同じＣＶＤチャンバ
内で、真性アモルファスシリコン層とドープアモルファ
スシリコン層とを連続して基板上へ堆積する改良方法を
提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に従えば、真性ア
モルファスシリコン層の汚染の問題を生じずに、同じＣ
ＶＤチャンバ内で、真性アモルファスシリコン層とドー
プアモルファスシリコン層とは連続して基板上へ堆積さ
れる。
【００１２】好適な具体例では、真性アモルファスシリ
コン層の堆積に先立ち、誘電絶縁材料の層を堆積する第
１の堆積操作により、真性アモルファスシリコン層とド
ープアモルファスシリコン層とは、同じＣＶＤチャンバ
内で基板上に連続して堆積される。ＴＦＴ基板上に堆積
された絶縁材料は、その前に行われた基板への堆積プロ
セスによってチャンバ壁面に残留した残留ドーパントを
実質的に全て覆うに充分な残留絶縁材料をチャンバ壁面
に被覆させるような最低限の厚さをもつ必要がある。こ
のことにより、同じＣＶＤチャンバ内で基板上に真性ア
モルファスシリコン層を堆積させる次の堆積プロセスに
対してクリーンな環境を与えるに有効である。そして、
このプロセスを繰り返して別の基板を処理することもで
きる。
【００１３】このチャンバ内で基板１〜１０枚に堆積操
作を行った後には、チャンバ内部のインシチュウ(in-si
tu )プラズマクリーニングプロセスを行ってもよい。プ
ラズマクリーニングプロセスは、チャンバ壁面から絶縁
材料とドーパントとを全て除去するに有効である。この
インシチュウクリーニングの頻度は、各堆積プロセスに
おいて決められるべき多くのプロセスパラメータに依存
する。
【００１４】
【実施例】本発明は、チャンバ壁面の残留ドーパントに
よる真性アモルファスシリコン層の汚染の問題を生じず
に、同じＣＶＤチャンバ内で、真性アモルファスシリコ
ン層とドープアモルファスシリコン層とを連続して基板
上へ堆積する改良方法を開示する。
【００１５】先ず、図１には、本発明に従った方法の実
施が可能なプラズマ励起ＣＶＤ装置１０の模式的な断面
図が示される。この装置は、ターナーらによる米国特許
出願通し番号０８／０１０６８３番（１９９３年１月２
８日提出）に開示されている。堆積チャンバ１２は、上
面１４へ通じる開口と、該開口内の第１の電極ないしガ
ス流入マニホールド１６とを包含する。もしくは、上面
１４は、電極１６と一体であり、その内部表面に隣接し
ていてもよい。チャンバ１２内部には、板状で第１の電
極１６と平行な位置にまで伸びたサセプタ１８がある。
サセプタ１８は、代表的にはアルミニウム製であり、酸
化アルミニウムの層で被覆される。サセプタ１８は大地
に接続されて、第２の電極として作用する。サセプタ１
８は、シャフト２０の一端に設置され、シャフト２０は
垂直方向に堆積チャンバ１２の底壁面２２を越えて伸び
ている。シャフト２０は垂直方向に可動であり、サセプ
タ１８が第１の電極１６に対して接近及び分離する垂直
方向への動きを可能にする。リフトオフ板２４は、サセ
プタ１８と知積チャンバ１２の底壁面２２との間でサセ
プタ１８と実質的に平行になるように、水平方向に伸
び、且つ垂直方向に対して可動である。リフトオフピン
２６は、リフトオフ板２４から垂直上向きに突出してい
る。リフトオフピン２６は、サセプタ１８のリフト口２
８を通って伸びることができる位置にあり、サセプタ１
８の厚さよりも少しだけ長い長さを有する。図にはリフ
トピン２６は２つしか示されないが、リフトオフ板２４
の周囲にわたって更に多数のリフトピン２６があっても
よい。ガス流出口３０は、堆積チャンバ１２の側壁面を
突き抜けて伸び、堆積チャンバ１２の排気手段（図示さ
れず）に接続される。ガス流入パイプ４２は、堆積チャ
ンバ１２の第１の電極ないしガス流入マニホールド１６
に伸び、ガススイッチネットワーク（図示されず）を介
して種々のガスのソース（図示されず）に接続される。
第１の電極１６は、ＲＦ出力ソース３６に接続される。
通常は、基板をロードロックドア（図示されず）を介し
て堆積チャンバ１２内のサセプタ１８状に基板を運ぶた
めの、並びに被覆が済んだ基板を堆積チャンバ１２から
除去するための、移送パドル（図示されず）が具備され
る。
【００１６】堆積装置１０を運転するにあたり、まず移
送パドル（図示されず）により、基板３８が堆積チャン
バ１２内にロードされて、サセプタ１８上に置かれる。
基板３８は、サセプタ１８のリフト口２８を越えて広が
る大きさである。通常用いられる薄膜トランジスタ基板
のサイズは、約３６０ｍｍ〜４６５ｍｍである。サセプ
タ１８は、リフトオフピン２６がリフト口２８を越えて
伸びないような状態になるようにシャフト２０を上向き
に動かすことによって、リフトオフピン２６の上に位置
し、サセプタ１８及び基板３８は第１の電極に比較的近
い位置にある。基板表面とガス流入マニホールド１６と
の間の電極間距離ないし間隔は、約０．５〜約２インチ
（約１２．７〜約５０．８ｍｍ）である。更に好適に
は、この電極の間隔は、約０．８〜約１．４インチ（約
２０．３２〜約３５．５６ｍｍ）である。
【００１７】本発明の堆積プロセスに先立ち、大きなガ
ラス製のＴＦＴシートである基板３８は、周知のＴＦＴ
技術により処理される。好適な具体例では、アルミニウ
ムのパターン化されたメタルを含む最上層が堆積され
る。
【００１８】本発明の堆積のプロセスの開始に際し、先
ず、堆積チャンバ１２はガス流出口を介して排気され
る。そして、パターン化されたＴＦＴ基板がサセプタ１
８の上の位置に置かれる。
【００１９】現在いろいろなタイプの薄膜トランジスタ
が使用されている。これら薄膜トランジスタの多くは、
ＴＦＴ基板上のパターン化ゲートメタルの上へゲート誘
電層を堆積し、ゲート誘電層の頂面上に被覆されたアモ
ルファスシリコン層を有することを要する。その後、ア
モルファスシリコン層の上にメタルが堆積されるが、こ
のアモルファスシリコン層にはドープアモルファスシリ
コン層の薄い層も含まれてアモルファスシリコンとその
上のメタルとの接触を改善してもよい。
【００２０】窒化珪素ゲート誘電層は、ガラス基板上の
薄膜トランジスタを形成するための絶縁層として有用で
あるために、高品質である必要がある。本発明では、高
品質の窒化珪素膜は、この堆積操作において、ＣＶＤチ
ャンバ内の圧力を約１．２〜約１．５トールに維持し、
基板温度を約３００〜３５０℃に維持することで得られ
る。反応体ガスの流量は、反応体ガスのレベルを適正に
維持するように制御される。好ましくは、前掲の基板サ
イズでは、シラン１００〜３００ｓｃｃｍ及びアンモニ
ア５００〜１０００ｓｃｃｍを、キャリアガスとしての
窒素１０００〜１００００ｓｃｃｍに対して用いて、窒
化珪素膜を堆積させる。ゲート窒化珪素膜（又は、ゲー
ト絶縁層）の好ましい厚さは、約５０〜１０００ｎｍで
ある。
【００２１】また、本発明のプロセスでは誘電絶縁層と
して、例えば酸化珪素、シリコンオキシナイトライド
や、ＰＭＤＡ−ＯＤＡ、テフロン、ポリキノリン、ポリ
イミドやシロキサン等のポリマーベースの誘電材料等、
他の誘電材料を用いてもよい。
【００２２】図２は、３層のＣＶＤ処理のバックチャン
ネル型にエッチングされた薄膜トランジスタの拡大断面
図である。アルミニウム等のパターン化メタル（図示さ
せず）で被覆されたガラス製のＴＦＴ基板には、先ず、
パッシベーションゲート誘電絶縁材料層５２が堆積され
るが、これには、パッシベーション窒化珪素、ゲート酸
化珪素、又はゲート酸化珪素とゲート窒化珪素との複合
層等がある。そして、ゲート絶縁層の上には、真性ない
しアンドープアモルファスシリコン層５４が、約２００
〜約４００ｎｍの厚さで堆積される。次の堆積プロセス
では、約４０〜６０ｎｍの厚さのドープアモルファスシ
リコン層５６が、真性アモルファスシリコン層５４の上
に堆積される。使用したドーパントは、リンである。し
かし、アンチモン、ヒ素又はホウ素等他のドーパント成
分も、本発明において有用である。
【００２３】代表的な堆積プロセス及びその処理条件
を、次の表１〜表３に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表2】
【００２６】
【表3】
【００２７】本発明では、ゲート窒化珪素層、真性アモ
ルファスシリコン層及びドープアモルファスシリコン層
の３層全ての堆積を、１つのＣＶＤプロセスチャンバ内
で堆積させることができる。コンパクトなＣＶＤチャン
バシステムは、チャンバ内のガスの変更及び安定化が早
くでき、また、プロセスチャンバ壁面の面積が小さいた
め、絶縁材の堆積プロセスにおいて壁面に堆積したドー
プアモルファスシリコンを効率良く覆うことが可能とな
るため、コンパクトなＣＶＤチャンバシステム内で実施
すれば非常に有用である。従って、その後の真性アモル
ファスシリコンの堆積プロセスにおいて残留ドーパント
は覆われたままの状態であるため、真性アモルファスシ
リコン層はほとんど汚染されない。プロセスチャンバの
インシチュウプラズマクリーニングは、壁面の堆積物の
全蓄積量を低減させるように頻繁なチャンバクリーニン
グを可能にする能力がある。このことにより、厚く蓄積
したことから生じた壁面からの膜の剥離による残留物汚
染は排除される。
【００２８】また、本発明のシングルチャンバシステム
は、システムの信頼性に対して別の利点を与える。従来
のシステムでは、ドープアモルファスシリコンの堆積に
はただ１つのチャンバのみが使用され、別の層の堆積に
は２つ以上のチャンバが用いられている。仮に、ドープ
アモルファスシリコンチャンバがメンテナンス等何らか
の理由で使用不能になった場合、堆積システム全体が使
用不能になる。本発明の１チャンバシステムを用いれ
ば、各チャンバは独立して稼働し、従って非常に大きな
システムの信頼性が与えられる。
【００２９】シングルチャンバＣＶＤプロセスの有効性
を確かめるため、一連の試験が実施された。ドーパント
による汚染を測定するには、真性アモルファスシリコン
の電気伝導率が良い指標である。ドープアモルファスシ
リコンの代表的な電気伝導率は、１０-2（ｏｈｍ−ｃ
ｍ）-1のオーダーであり、真性アモルファスシリコンで
は、１０-10 （ｏｈｍ−ｃｍ）-1のオーダーである。
【００３０】（実施例）表４に示されるサンプルＮｏ．
１の結果は、リンを含まない膜をリファレンスとして用
いるために、リンを含まないチャンバ内でサンプル上に
堆積操作を行い得られたものである。その他のサンプル
は、ドープアモルファスシリコン膜が頻繁に処理された
チャンバ内で堆積された。これらのサンプルは、以下の
処理ステップで作製された： １）チャンバのインシチュウプラズマクリーニング ２）５０ｎｍのアモルファスシリコンの堆積 ３）所定の厚さでゲート窒化珪素を堆積、Ｎｏ．２では
成長させず ４）同じチャンバに導入された別の新しい基板上に真性
アモルファスシリコンを１００ｎｍ堆積 ５）真性アモルファスシリコン膜の電気伝導率を測定
【００３１】
【表４】
【００３２】表４からわかるように、ゲート窒化珪素の
バリア層としての有効性は、厚さが２００ｎｍ（サンプ
ル３）から４００ｎｍ（サンプル４）の間で生じてい
る。ゲート窒化珪素層がバリア層として機能するに充分
ないし最小の厚さは、約２００ｎｍであることがわかっ
た。２００ｎｍ以上の厚さでは、有効度は更に大きくな
る。
【００３３】ゲート窒化珪素層として厚さ２００ｎｍ未
満の層が用いられる場合、まずＣＶＤチャンバのシーズ
ニングプロセスを行ってもよい。このプロセスでは、チ
ャンバ内に基板が無い状態で、電極間にある絶縁材料の
ための反応体ガスにプラズマを発生させ、チャンバ壁面
を絶縁材料で実質的に覆う。その後、基板をチャンバ内
に導入し、３層のアモルファスシリコン堆積プロセスを
実施する。
【００３４】本発明は、例示された手法について説明を
行ってきたが、ここで用いられた用語は、説明の語と同
種のものを意図しており、限定を意図するものではな
い。
【００３５】更に、本発明は好適な具体例に関して説明
されたきたが、ここでの教示内容を当業者が直ちに本発
明の変形に応用するであろうことが理解されよう。例え
ば、ゲート窒化珪素の代りに他の誘電材料を用いてもよ
く、また、リンの代りに他のドーパントを用いてもよ
い。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のシングル
チャンバＣＶＤプロセスは、真性アモルファスシリコン
層の汚染の問題を生じずに、同じＣＶＤチャンバ内で、
真性アモルファスシリコン層とドープアモルファスシリ
コン層とを連続して基板上へ堆積する改良方法を提供す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施に用いられたプラズマ励起ＣＶＤ
チャンバの断面図である。
【図２】ＣＶＤ処理された３層構造のバックチャンネル
エッチ薄膜トランジスタの拡大断面図である。
【符号の説明】
１０…プラズマ励起ＣＶＤ装置、１２…堆積チャンバ、
１４…上面、１６…第１の電極ないしガス流入マニホー
ルド、１８…サセプタ、２０…シャフト、２２…底壁
面、２４…リフトオフ板、２６…リフトオフピン、２８
…リフト口、３０…ガス流出口、３２…側壁面、３６…
ＲＦ出力ソース、３８…基板、４２…ガス流入パイプ、
５０…ＴＦＴ基板、５２…パッシベーションゲート誘電
絶縁材料層、５４…真性アモルファスシリコン、５６…
ドープアモルファスシリコン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート ロバートソン アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94301， パロ アルト， ウエブスタ ー ストリート 916 (72)発明者 グオフ ジェフ フェン アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95127， サン ノゼ， ヴァーニス アヴェニュー 3307 (56)参考文献 特開 平５−335335（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−240267（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 29/786

Claims (17)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 単一のＣＶＤチャンバ内で薄膜トランジ
    スタ基板上に、絶縁体層と、真性アモルファスシリコン
    層と、少なくとも１つのドーパントを含むドープアモル
    ファスシリコン層とを堆積する方法であって、 薄膜トランジスタ基板をＣＶＤチャンバ内に置き、前記
    チャンバが前記基板で覆われないチャンバ表面を有する
    ステップと、 基板上に少なくとも１つの絶縁材料から成る絶縁体層
    を、少なくとも４００ｎｍの厚さに堆積する第１の堆積
    ステップと、 真性アモルファスシリコン層を前記絶縁体層の上に第２
    の所定の厚さに堆積する第２の堆積ステップと、 少なくとも１つのドーパントを含むドープアモルファス
    シリコン層を前記真性アモルファスシリコン層の上に第
    ３の所定の厚さに堆積させる第３の堆積ステップとを備
    え、前記第１の堆積のステップで堆積される前記少なく
    とも１つの前記絶縁材料が、先の堆積プロセスで前記チ
    ャンバ表面に残された残留ドーパント全てを実質的に覆
    い、前記連続して堆積された真性アモルファスシリコン
    層が前記残留ドーパントで汚染されること防止する堆積
    方法。
  2. 【請求項２】 前記絶縁体層の前記少なくとも１つの絶
    縁材料が、窒化珪素と、酸化珪素と、シリコンオキシナ
    イトライドと、ポリマーベースの誘電材料とから成る群
    から選択される請求項１に記載の堆積方法。
  3. 【請求項３】 少なくとも１枚の基板の堆積プロセスの
    後に、前記チャンバ表面をインシチュウプラズマクリー
    ニングするステップを更に備える請求項１に記載の堆積
    方法。
  4. 【請求項４】 前記ドーパントが、リンと、アンチモン
    と、ヒ素と、ホウ素とから成る群から選択される請求項
    １に記載の堆積方法。
  5. 【請求項５】 請求項１の方法に従って作製された薄膜
    トランジスタ。
  6. 【請求項６】 単一のＣＶＤチャンバ内で薄膜トランジ
    スタ基板上に、絶縁体層と、真性アモルファスシリコン
    層と、少なくとも１つのドーパントを含むドープアモル
    ファスシリコン層とを堆積する方法であって、 薄膜トランジスタ基板をＣＶＤチャンバ内に置き、前記
    チャンバが前記基板で覆われないチャンバ表面を有する
    ステップと、 基板上に少なくとも１つの絶縁材料から成る絶縁体層
    を、前記チャンバ内圧力が１．２〜１．５トールの下
    で、２００ｎｍ以上の厚さに堆積する第１の堆積ステッ
    プと、 前記チャンバ内圧力が１．２〜１．５トールの下で、真
    性アモルファスシリコン層を前記絶縁体層の上に第２の
    所定の厚さに堆積する第２の堆積ステップと、 前記チャンバ内圧力が１．２〜１．５トールの下で、少
    なくとも１つのドーパントを含むドープアモルファスシ
    リコン層を前記真性アモルファスシリコン層の上に第３
    の所定の厚さに堆積させる第３の堆積ステップとを備
    え、前記第１の堆積のステップで堆積される前記少なく
    とも１つの前記絶縁材料が、先の堆積プロセスで前記チ
    ャンバ表面に残された残留ドーパント全てを実質的に覆
    い、前記連続して堆積された真性アモルファスシリコン
    層が前記残留ドーパントで汚染されること防止する堆積
    方法。
  7. 【請求項７】 前記絶縁体層の前記少なくとも１つの絶
    縁材料が、窒化珪素と、酸化珪素と、シリコンオキシナ
    イトライドと、ポリマーベースの誘電材料とから成る群
    から選択される請求項６に記載の堆積方法。
  8. 【請求項８】 少なくとも１枚の基板の堆積プロセスの
    後に、前記チャンバ表面をインシチュウプラズマクリー
    ニングするステップを更に備える請求項６に記載の堆積
    方法。
  9. 【請求項９】 前記ドーパントが、リンと、アンチモン
    と、ヒ素と、ホウ素とから成る群から選択される請求項
    ６に記載の堆積方法。
  10. 【請求項１０】 請求項６の方法に従って作製された薄
    膜トランジスタ。
  11. 【請求項１１】 内部チャンバ壁面を有するＣＶＤチャ
    ンバ内に置かれた基板上に、真性シリコン層とドーパン
    トを含むドープシリコン層とを連続して堆積する、前記
    ドーパントにより該真性シリコン層を実質的に汚染しな
    い堆積方法であって、 前記チャンバ内で第１の絶縁材料の前駆体ガスのプラズ
    マを発生させて、前記チャンバ内に基板が最初に導入さ
    れていない状態で前記内部チャンバ壁面を前記第１の絶
    縁材料で実質的に覆うステップと、 前記チャンバ内に基板を導入するステップと、 第２の絶縁体の層を、前記チャンバ内圧力が１．２〜
    １．５トールの下で、２００ｎｍ以上の厚さに基板上に
    堆積する第１の堆積ステップと、 前記チャンバ内圧力が１．２〜１．５トールの下で、真
    性アモルファスシリコン層を前記第２の絶縁体の層の上
    に第２の所定の厚さに堆積する第２の堆積ステップと、 前記チャンバ内圧力が１．２〜１．５トールの下で、少
    なくとも１つのドーパントを含むドープアモルファスシ
    リコン層を前記真性アモルファスシリコン層の上に第３
    の所定の厚さに堆積させる第３の堆積ステップとを備
    え、前記第１の堆積のステップで堆積される前記第２の
    絶縁材料が、先の堆積プロセスで前記チャンバ表面に残
    された残留ドーパント全てを実質的に覆い、前記連続し
    て堆積された真性アモルファスシリコン層が前記残留ド
    ーパントで汚染されること防止する堆積方法。
  12. 【請求項１２】 前記第１の絶縁材料と前記第２の絶縁
    材料とが、窒化珪素と、酸化珪素と、シリコンオキシナ
    イトライドと、ポリマーベースの誘電材料とから成る群
    から選択される請求項１１に記載の堆積方法。
  13. 【請求項１３】 前記ドーパントが、リンと、アンチモ
    ンと、ヒ素と、ホウ素とから成る群から選択される請求
    項１１に記載の堆積方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１１の方法に従って作製された
    基板。
  15. 【請求項１５】 請求項１１の方法に従って作製された
    薄膜トランジスタ。
  16. 【請求項１６】 化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ内に
    置かれた基板上に、真性アモルファスシリコン層とドー
    パントを含むドープアモルファスシリコン層とを連続し
    て堆積する、前記ドーパントにより該真性アモルファス
    シリコン層を実質的に汚染しない堆積方法であって、 前記チャンバ内に基板が無い状態で、少なくとも１つの
    絶縁材料のプラズマを発生し、前記内部表面上を前記絶
    縁材料で覆うステップと、 基板上に少なくとも１つの絶縁材料から成る絶縁体層
    を、前記チャンバ内圧力が１．２〜１．５トールの下
    で、２００ｎｍ以上の厚さに堆積する第１の堆積ステッ
    プと、 前記チャンバ内圧力が１．２〜１．５トールの下で、真
    性アモルファスシリコン層を前記絶縁体層の上に第２の
    所定の厚さに堆積する第２の堆積ステップと、 前記チャンバ内圧力が１．２〜１．５トールの下で、少
    なくとも１つのドーパントを含むドープアモルファスシ
    リコン層を前記真性アモルファスシリコン層の上に第３
    の所定の厚さに堆積させる第３の堆積ステップとを備
    え、４つの前記ステップ全てが単一のＣＶＤチャンバ内
    で行われ、前記第１の堆積のステップで堆積される前記
    少なくとも１つの前記絶縁材料が、先の堆積プロセスで
    前記チャンバ表面に残された残留ドーパント全てを実質
    的に覆い、前記連続して堆積された真性アモルファスシ
    リコン層が前記残留ドーパントで汚染されること防止す
    る堆積方法。
  17. 【請求項１７】 前記少なくとも１つの絶縁材料が、窒
    化珪素と、酸化珪素と、シリコンオキシナイトライド
    と、ポリマーベースの誘電材料とから成る群から選択さ
    れる請求項１６に記載の堆積方法。
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Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910003742B1 (ko) * 1986-09-09 1991-06-10 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 Cvd장치
KR0171982B1 (ko) * 1995-12-02 1999-03-30 김주용 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법
DE19712233C2 (de) * 1996-03-26 2003-12-11 Lg Philips Lcd Co Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür
US5824365A (en) * 1996-06-24 1998-10-20 Micron Technology, Inc. Method of inhibiting deposition of material on an internal wall of a chemical vapor deposition reactor
US6020035A (en) 1996-10-29 2000-02-01 Applied Materials, Inc. Film to tie up loose fluorine in the chamber after a clean process
US20030143410A1 (en) * 1997-03-24 2003-07-31 Applied Materials, Inc. Method for reduction of contaminants in amorphous-silicon film
US5904542A (en) * 1997-03-26 1999-05-18 Advanced Micro Devices, Inc. Performing a semiconductor fabrication sequence within a common chamber and without opening the chamber beginning with forming a field dielectric and concluding with a gate dielectric
US5937308A (en) * 1997-03-26 1999-08-10 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor trench isolation structure formed substantially within a single chamber
US5891793A (en) * 1997-04-04 1999-04-06 Advanced Micro Devices, Inc. Transistor fabrication process employing a common chamber for gate oxide and gate conductor formation
JP3801730B2 (ja) * 1997-05-09 2006-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマｃｖｄ装置及びそれを用いた薄膜形成方法
JP4114972B2 (ja) * 1997-05-27 2008-07-09 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置
TW460943B (en) * 1997-06-11 2001-10-21 Applied Materials Inc Reduction of mobile ion and metal contamination in HDP-CVD chambers using chamber seasoning film depositions
US6211065B1 (en) 1997-10-10 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Method of depositing and amorphous fluorocarbon film using HDP-CVD
US6323119B1 (en) 1997-10-10 2001-11-27 Applied Materials, Inc. CVD deposition method to improve adhesion of F-containing dielectric metal lines for VLSI application
US6624064B1 (en) 1997-10-10 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Chamber seasoning method to improve adhesion of F-containing dielectric film to metal for VLSI application
US6071573A (en) * 1997-12-30 2000-06-06 Lam Research Corporation Process for precoating plasma CVD reactors
JPH11260734A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US6635569B1 (en) * 1998-04-20 2003-10-21 Tokyo Electron Limited Method of passivating and stabilizing a Ti-PECVD process chamber and combined Ti-PECVD/TiN-CVD processing method and apparatus
US6225601B1 (en) 1998-07-13 2001-05-01 Applied Komatsu Technology, Inc. Heating a substrate support in a substrate handling chamber
US6645884B1 (en) * 1999-07-09 2003-11-11 Applied Materials, Inc. Method of forming a silicon nitride layer on a substrate
US6586343B1 (en) 1999-07-09 2003-07-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for directing constituents through a processing chamber
US6530992B1 (en) 1999-07-09 2003-03-11 Applied Materials, Inc. Method of forming a film in a chamber and positioning a substitute in a chamber
TW544743B (en) * 1999-08-13 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
US6274500B1 (en) * 1999-10-12 2001-08-14 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Single wafer in-situ dry clean and seasoning for plasma etching process
JP4592849B2 (ja) * 1999-10-29 2010-12-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置
US6573030B1 (en) 2000-02-17 2003-06-03 Applied Materials, Inc. Method for depositing an amorphous carbon layer
US6448180B2 (en) * 2000-03-09 2002-09-10 Advanced Micro Devices, Inc. Deposition of in-situ doped semiconductor film and undoped semiconductor film in the same reaction chamber
JP4790896B2 (ja) * 2000-05-26 2011-10-12 エーユー オプトロニクス コーポレイション トップゲート型ｔｆｔを含むアクティブマトリックスデバイスの製造方法および製造装置
US6436488B1 (en) * 2000-06-12 2002-08-20 Agilent Technologies, Inc. Chemical vapor deposition method for amorphous silicon and resulting film
JP4389359B2 (ja) * 2000-06-23 2009-12-24 日本電気株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US6559052B2 (en) 2000-07-07 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Deposition of amorphous silicon films by high density plasma HDP-CVD at low temperatures
US6413321B1 (en) 2000-12-07 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing particle contamination on wafer backside during CVD process
US6706336B2 (en) * 2001-02-02 2004-03-16 Canon Kabushiki Kaisha Silicon-based film, formation method therefor and photovoltaic element
US6740601B2 (en) 2001-05-11 2004-05-25 Applied Materials Inc. HDP-CVD deposition process for filling high aspect ratio gaps
US6596653B2 (en) 2001-05-11 2003-07-22 Applied Materials, Inc. Hydrogen assisted undoped silicon oxide deposition process for HDP-CVD
WO2003038143A1 (en) * 2001-10-30 2003-05-08 Massachusetts Institute Of Technology Fluorocarbon-organosilicon copolymers and coatings prepared by hot-filament chemical vapor deposition
US6734101B1 (en) 2001-10-31 2004-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Solution to the problem of copper hillocks
US6730615B2 (en) 2002-02-19 2004-05-04 Intel Corporation High reflector tunable stress coating, such as for a MEMS mirror
US6541397B1 (en) 2002-03-29 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Removable amorphous carbon CMP stop
JP2004072049A (ja) * 2002-08-09 2004-03-04 Ricoh Co Ltd 有機ｔｆｔ素子及びその製造方法
KR101015161B1 (ko) 2002-10-25 2011-02-16 외를리콘 솔라 아게, 트뤼프바흐 반도체 장치들의 제조방법 및 그 방법으로 얻어진 반도체장치들
US6808748B2 (en) 2003-01-23 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Hydrogen assisted HDP-CVD deposition process for aggressive gap-fill technology
US7723228B2 (en) * 2003-05-20 2010-05-25 Applied Materials, Inc. Reduction of hillocks prior to dielectric barrier deposition in Cu damascene
US7371427B2 (en) * 2003-05-20 2008-05-13 Applied Materials, Inc. Reduction of hillocks prior to dielectric barrier deposition in Cu damascene
US6958112B2 (en) 2003-05-27 2005-10-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems for high-aspect-ratio gapfill using atomic-oxygen generation
US7300829B2 (en) * 2003-06-02 2007-11-27 Applied Materials, Inc. Low temperature process for TFT fabrication
US6903031B2 (en) 2003-09-03 2005-06-07 Applied Materials, Inc. In-situ-etch-assisted HDP deposition using SiF4 and hydrogen
US7109114B2 (en) * 2004-05-07 2006-09-19 Applied Materials, Inc. HDP-CVD seasoning process for high power HDP-CVD gapfil to improve particle performance
US7229931B2 (en) 2004-06-16 2007-06-12 Applied Materials, Inc. Oxygen plasma treatment for enhanced HDP-CVD gapfill
US7183227B1 (en) 2004-07-01 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Use of enhanced turbomolecular pump for gapfill deposition using high flows of low-mass fluent gas
TWI244128B (en) * 2004-08-26 2005-11-21 Mosel Vitelic Inc Method of utilizing amorphous silicon layer to form a gate structure and its application
US7087536B2 (en) 2004-09-01 2006-08-08 Applied Materials Silicon oxide gapfill deposition using liquid precursors
US20060189171A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Chua Choon A Seasoning process for a deposition chamber
US7678715B2 (en) 2007-12-21 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Low wet etch rate silicon nitride film
TW201013961A (en) * 2008-07-16 2010-04-01 Applied Materials Inc Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a metal layer mask
KR20100033091A (ko) * 2008-09-19 2010-03-29 한국전자통신연구원 화학기상증착법에 의한 비정질 실리콘 박막의 증착방법
EP2359410A4 (en) 2008-12-10 2014-09-24 Applied Materials Inc IMPROVED VISIBILITY SYSTEM FOR ALIGNMENT OF SCREEN PRINT PATTERNS
JP5698950B2 (ja) 2009-10-23 2015-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9028924B2 (en) 2010-03-25 2015-05-12 Novellus Systems, Inc. In-situ deposition of film stacks
US8741394B2 (en) 2010-03-25 2014-06-03 Novellus Systems, Inc. In-situ deposition of film stacks
US8709551B2 (en) * 2010-03-25 2014-04-29 Novellus Systems, Inc. Smooth silicon-containing films
JP5948040B2 (ja) 2010-11-04 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 結晶性半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法
KR102025441B1 (ko) 2012-04-06 2019-09-25 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 증착 후 소프트 어닐링
US9117668B2 (en) 2012-05-23 2015-08-25 Novellus Systems, Inc. PECVD deposition of smooth silicon films
EP2866723A4 (en) 2012-06-27 2016-12-14 Monteris Medical Corp GUIDED THERAPY BY IMAGE OF A FABRIC
US9388491B2 (en) 2012-07-23 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Method for deposition of conformal films with catalysis assisted low temperature CVD
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
US8895415B1 (en) 2013-05-31 2014-11-25 Novellus Systems, Inc. Tensile stressed doped amorphous silicon
WO2015108558A1 (en) * 2014-01-17 2015-07-23 Applied Materials, Inc. In-line chamber coating to control particle flaking
US20150265353A1 (en) 2014-03-18 2015-09-24 Monteris Medical Corporation Image-guided therapy of a tissue
US10675113B2 (en) 2014-03-18 2020-06-09 Monteris Medical Corporation Automated therapy of a three-dimensional tissue region
WO2015143025A1 (en) 2014-03-18 2015-09-24 Monteris Medical Corporation Image-guided therapy of a tissue
US9299558B2 (en) 2014-03-21 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Run-to-run stability of film deposition
US9548188B2 (en) 2014-07-30 2017-01-17 Lam Research Corporation Method of conditioning vacuum chamber of semiconductor substrate processing apparatus
US10327830B2 (en) 2015-04-01 2019-06-25 Monteris Medical Corporation Cryotherapy, thermal therapy, temperature modulation therapy, and probe apparatus therefor
CN104795315A (zh) * 2015-04-15 2015-07-22 上海华力微电子有限公司 一种非晶硅薄膜及一种半导体器件的制造方法
CN113628959B (zh) * 2021-07-19 2024-06-14 华虹半导体(无锡)有限公司 应用于功率器件的沟槽填充方法
CN118039745A (zh) * 2024-04-11 2024-05-14 福建金石能源有限公司 一种背接触电池的制作方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5992519A (ja) * 1982-11-19 1984-05-28 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPS59204274A (ja) * 1983-05-06 1984-11-19 Seiko Instr & Electronics Ltd 薄膜トランジスタ
US4933296A (en) * 1985-08-02 1990-06-12 General Electric Company N+ amorphous silicon thin film transistors for matrix addressed liquid crystal displays
JPS6294922A (ja) * 1985-10-22 1987-05-01 Fuji Photo Film Co Ltd プラズマｃｖｄ法による製膜装置
FR2590406B1 (fr) * 1985-11-15 1988-10-28 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un transistor en couches minces a grille auto-alignee par rapport au drain et a la source de celui-ci
DE3725358A1 (de) * 1987-07-30 1989-02-09 Telog Systems Gmbh Vorrichtung und verfahren zur oberflaechenbehandlung von materialien
JPH0194615A (ja) * 1987-10-06 1989-04-13 Seiko Epson Corp プラズマｃｖｄ装置
US4990981A (en) * 1988-01-29 1991-02-05 Hitachi, Ltd. Thin film transistor and a liquid crystal display device using same
JPH01302769A (ja) * 1988-05-30 1989-12-06 Seikosha Co Ltd 逆スタガー型シリコン薄膜トランジスタの製造方法
JP2708533B2 (ja) * 1989-03-14 1998-02-04 富士通株式会社 Ｃｖｄ装置の残留ガス除去方法
US5244730A (en) * 1991-04-30 1993-09-14 International Business Machines Corporation Plasma deposition of fluorocarbon
US5221414A (en) * 1991-07-16 1993-06-22 Micron Technology, Inc. Process and system for stabilizing layer deposition and etch rates while simultaneously maintaining cleanliness in a water processing reaction chamber
JPH08977B2 (ja) * 1991-08-22 1996-01-10 日新電機株式会社 プラズマｃｖｄ法及び装置
JPH0793272B2 (ja) * 1991-12-11 1995-10-09 日新電機株式会社 プラズマｃｖｄ法及び装置
JPH05166728A (ja) * 1991-12-11 1993-07-02 Toshiba Corp プラズマｃｖｄ装置
JP3150408B2 (ja) * 1992-03-16 2001-03-26 株式会社東芝 Ｃｖｄ装置のプラズマ・クリーニング後処理方法
US5266504A (en) * 1992-03-26 1993-11-30 International Business Machines Corporation Low temperature emitter process for high performance bipolar devices
JP3204735B2 (ja) * 1992-06-01 2001-09-04 株式会社東芝 水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタの製造方法
US5281546A (en) * 1992-09-02 1994-01-25 General Electric Company Method of fabricating a thin film transistor using hydrogen plasma treatment of the intrinsic silicon/doped layer interface
JPH07169700A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Sanyo Electric Co Ltd 基板の処理装置

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