JP2983016B2

JP2983016B2 - マルチバンド用高周波スイッチモジュール

Info

Publication number: JP2983016B2
Application number: JP10225676A
Authority: JP
Inventors: 茂釼持; 裕之但井; 俊彦田中; 剛志武田
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 1997-12-03
Filing date: 1998-08-10
Publication date: 1999-11-29
Anticipated expiration: 2018-08-10
Also published as: JPH11225088A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波複合部品に
関し、通過帯域の異なる複数の送受信系を取り扱うマル
チバンド用高周波スイッチモジュールに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】デジタル携帯電話などにおいて、アンテ
ナＡＮＴと送信回路ＴＸとの接続及びアンテナＡＮＴと
受信回路ＲＸとの接続を切り換えるために、高周波スイ
ッチが用いられている。この高周波スイッチとしては、
特開平６−１９７０４０号公報に開示されているものが
ある。

【０００３】この従来の高周波スイッチは、送信回路側
にアノードが接続されアンテナ側にカソードが接続され
る第１のダイオード、アンテナと受信回路との間に接続
されるストリップライン、および受信回路側にアノード
が接続されアース側にカソードが接続される第２のダイ
オードを含み、ストリップラインは多層基板に内蔵さ
れ、第１のダイオード及び第２のダイオードは多層基板
上に実装されたものである。また、この従来の高周波ス
イッチは、単に一つの送受信系（シングルバンド）に対
応しているものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年の携帯電話の普及
には、目を見張るものがあり、携帯電話の機能、サービ
スの向上が図られている。この新たな携帯電話として、
デュアルバンド携帯電話の提案がなされている。このデ
ュアルバンド携帯電話は、通常の携帯電話が一つの送受
信系のみを取り扱うのに対し、２つの送受信系を取り扱
うものである。これにより、利用者は都合の良い送受信
系を選択して利用することができるものである。

【０００５】このデュアルバンド携帯電話において、そ
れぞれの送受信系にそれぞれ専用の回路を構成すれば、
機器の大型化、高コスト化を招く。共通部分はできるだ
け共通部品を用いることが、機器の小型化、低コスト化
に有利となる。

【０００６】本発明は、アンテナを共通とし、第１の送
受信系の送信回路と受信回路、第２の送受信系の送信回
路と受信回路を切り換えることが可能なマルチバンド用
高周波スイッチモジュールを提供するものであり、通過
帯域の異なる複数の送受信系を扱うマルチバンド用高周
波スイッチモジュールを提供し、また、そのマルチバン
ド用高周波スイッチモジュールをワンチップで構成する
ことを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明は、
通過帯域の異なる複数の送受信系を扱う高周波スイッチ
モジュールであって、前記複数の送受信系に信号を分波
する分波回路を有し、前記各送受信系のそれぞれに送信
系と受信系を切り替えるスイッチ回路を有し、前記分波
回路はＬＣ回路で構成され、前記スイッチ回路はダイオ
ードと伝送線路を主構成とし、前記分波回路のＬＣ回路
及び前記スイッチ回路の伝送線路は、電極パターンと誘
電体層との積層体内に、前記電極パターンにより構成さ
れ、前記ダイオードは、前記積層体上に配置して構成さ
れ、前記積層体内において、前記スイッチ回路の伝送線
路用の電極パターンは、グランド電極に挟まれた領域に
形成され、前記分波回路の容量成分用の電極パターン
は、前記伝送線路用の電極パターンを挟むグランド電極
の内、上側のグランド電極の上部に誘電体層を介して形
成され、前記分波回路のインダクタンス成分用の電極パ
ターンは、前記容量成分用の電極パターンの上部に誘電
体層を介して形成され、前記積層体の外表面には、前記
複数の送受信系の共通端子、前記各送受信系のそれぞれ
の送信系端子、受信系端子が形成されていることを特徴
とする通過帯域の異なる複数の送受信系を扱うマルチバ
ンド用高周波スイッチモジュールである。

【０００８】本発明の第２発明は、通過帯域の異なる複
数の送受信系を扱う高周波スイッチモジュールであっ
て、前記複数の送受信系に信号を分波する分波回路を有
し、前記各送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切り
替えるスイッチ回路を有し、前記スイッチ回路の各送信
系にローパスフィルタを有し、前記分波回路はＬＣ回路
で構成され、前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路
を主構成とし、前記ローパスフィルタはＬＣ回路で構成
され、前記分波回路のＬＣ回路、前記ローパスフィルタ
のＬＣ回路及び前記スイッチ回路の伝送線路は、電極パ
ターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パターンに
より構成され、前記ダイオードは、前記積層体上に配置
して構成され、前記積層体の外表面には、前記複数の送
受信系の共通端子、前記各送受信系のそれぞれの送信系
端子、受信系端子が形成されていることを特徴とする通
過帯域の異なる複数の送受信系を扱うマルチバンド用高
周波スイッチモジュールである。

【０００９】本発明の第３発明は、前記第２発明の前記
積層体内において、前記スイッチ回路の伝送線路用の電
極パターンは、グランド電極に挟まれた領域に形成さ
れ、前記分波回路の容量成分用の電極パターン及び前記
ローパスフィルタ回路の容量成分用の電極パターンは、
前記伝送線路用の電極パターンを挟むグランド電極の
内、上側のグランド電極の上部に誘電体層を介して形成
され、前記分波回路のインダクタンス成分用の電極パタ
ーン及び前記ローパスフィルタ回路のインダクタンス成
分用の電極パターンは、前記容量成分用の電極パターン
の上部に誘電体層を介して形成されていることを特徴と
するマルチバンド用高周波スイッチモジュールである。

【００１０】本発明の第４発明は、前記第２又は第３の
発明の前記積層体において、前記分波回路と前記ローパ
スフィルタ回路とは、前記積層体の水平方向の別領域に
別れて形成されていることを特徴とするマルチバンド用
高周波スイッチモジュールである。

【００１１】本発明の第５発明は、通過帯域の異なる複
数の送受信系を扱う高周波スイッチモジュールであっ
て、前記複数の送受信系に信号を分波する分波回路を有
し、前記各送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切り
替えるスイッチ回路を有し、前記分波回路はＬＣ回路で
構成され、前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を
主構成とし、前記分波回路のＬＣ回路及び前記スイッチ
回路の伝送線路は、電極パターンと誘電体層との積層体
内に、前記電極パターンにより構成され、前記ダイオー
ドは、前記積層体上に配置して構成され、前記積層体の
外表面には、前記複数の送受信系の共通端子、前記各送
受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子が形成さ
れ、前記積層体の各側面には、少なくとも１つのグラン
ド端子が形成されていることを特徴とするマルチバンド
用高周波スイッチモジュールである。

【００１２】本発明の第６発明は、通過帯域の異なる複
数の送受信系を扱う高周波スイッチモジュールであっ
て、前記複数の送受信系に信号を分波する分波回路を有
し、前記各送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切り
替えるスイッチ回路を有し、前記分波回路はＬＣ回路で
構成され、前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を
主構成とし、前記分波回路のＬＣ回路及び前記スイッチ
回路の伝送線路は、電極パターンと誘電体層との積層体
内に、前記電極パターンにより構成され、前記ダイオー
ドは、前記積層体上に配置して構成され、前記積層体の
外表面には、前記複数の送受信系の共通端子、前記各送
受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子が形成さ
れ、前記高周波端子（前記共通端子、各送信系端子、各
受信系端子）間には、グランド端子またはスイッチ回路
制御端子が配置され、前記高周波端子が隣り合わない構
造に配置してあることを特徴とするマルチバンド用高周
波スイッチモジュールである。

【００１３】本発明の第７発明は、通過帯域の異なる複
数の送受信系を扱う高周波スイッチモジュールであっ
て、前記複数の送受信系に信号を分波する分波回路を有
し、前記各送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切り
替えるスイッチ回路を有し、前記分波回路はＬＣ回路で
構成され、前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を
主構成とし、前記分波回路のＬＣ回路及び前記スイッチ
回路の伝送線路は、電極パターンと誘電体層との積層体
内に、前記電極パターンにより構成され、前記ダイオー
ドは、前記積層体上に配置して構成され、前記積層体の
外表面には、前記複数の送受信系の共通端子、前記各送
受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子が形成さ
れ、前記高周波端子（前記共通端子、各送信系端子、各
受信系端子）間には、少なくとも１つのグランド端子が
配置されていることを特徴とするマルチバンド用高周波
スイッチモジュールである。

【００１４】本発明の第８発明は、前記第５、６、７の
発明の前記スイッチ回路の各送信系にローパスフィルタ
を有することを特徴とするマルチバンド用高周波スイッ
チモジュールである。

【００１５】本発明の第９発明は、前記積層体上に配置
されたチップ素子を包囲する金属ケースが前記積層体上
に配置されていることを特徴とする第１〜８の発明のい
ずれかのマルチバンド用高周波スイッチモジュールであ
る。

【００１６】

【００１７】

【００１８】

【００１９】

【００２０】

【００２１】

【００２２】

【００２３】

【００２４】

【００２５】

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明は、通過帯域の異なる複数
の送受信系を扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュ
ールであり、このマルチバンド用高周波スイッチモジュ
ールを、積層構造及びその積層体上にチップ部品を配置
することにより、小型に構成したものである。例えば、
アンテナを共用とし、第１の送受信系の送信系と受信
系、その第１の送受信系と通過帯域の異なる第２の送受
信系の送信系と受信系と、アンテナとを接続し、適宜切
り換える高周波スイッチモジュールを得ることが出来、
例えばデュアルバンド携帯電話等において有効なもので
ある。

【００２７】本発明では、複数の送受信系の共通端子、
各送受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子を積層
体の側面に形成し、面実装可能としている。この側面に
形成した各端子は、その上面又は下面に延長されていて
もかまわない。そして、各側面には、少なくとも１つの
グランド端子を形成している。この各側面にグランド端
子を配置することにより、本発明のマルチバンド用高周
波スイッチモジュールの低損失化を計ることが出来る。

【００２８】本発明では、複数の送受信系の共通端子、
各送受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子は高周
波信号用の端子であり、これを高周波端子と呼ぶ。この
高周波端子は、積層体の側面に形成され、しかもこの高
周波端子どうしが隣り合わないように配置してある。こ
の高周波端子間には、グランド端子又はスイッチ回路制
御端子が配置される。また、この高周波端子間には、少
なくとも１つのグランド端子が配置されることが好まし
い。このように、高周波端子間を隣り合わないようにす
ること、又高周波端子間にグランド端子を配置すること
により、高周波端子間の干渉を抑え、又低損失化を計る
ことができる。

【００２９】本発明の各送受信系のスイッチ回路は、ダ
イオードスイッチ回路を用いることができる。このダイ
オードスイッチ回路は、ダイオードに所定の電圧を加え
るための制御端子を用いる。この制御端子を積層体の側
面に形成する。

【００３０】また本発明では、送信系端子と受信系端子
とは、送信系端子どうし、又受信系端子どうしが隣り合
わない程度に近接して配置されることが好ましい。ま
た、積層体の中心線に対し、別々の領域に、それぞれ送
信系端子、受信系端子を配置することが好ましい。ま
た、この送信系端子、受信系端子は線対称に配置されて
いることが好ましい。このように構成することにより、
高周波スイッチモジュールが実装される複数の送受信系
を扱う装置において、送信系回路、受信系回路と接続し
易い。

【００３１】また本発明は、共通端子と、それぞれの送
受信系の送信端子、受信端子とは、積層体を実装面に垂
直な面で２分した場合、別領域に形成することが好まし
い。この高周波スイッチモジュールは、アンテナと送受
信回路の間に配置されるので、この端子配置により、ア
ンテナと高周波スイッチモジュール、及び送受信回路と
高周波スイッチモジュールを最短の線路で接続すること
ができ、余分な損失を防止できる。

【００３２】また本発明は、前記積層体を２分した場合
の共通端子に対する反対側であって、さらにその反対側
を実装面に垂直な面で２分した領域の片側に、それぞれ
の送受信系の送信端子が形成され、他の片側にそれぞれ
の送受信系の受信端子が形成されていることが好まし
い。例えば、２つの送信回路、２つの受信回路は、それ
ぞれかたまって配置されるので、マルチバンド用高周波
スイッチモジュールの送信端子どうし、受信端子どうし
を近くに配置して、最短経路での接続が可能となり、余
分な損失を防止できる。

【００３３】また本発明は、前記積層体において、前記
分波回路の第１の送受信系と第２の送受信系の共通端子
と、前記第１の送受信系の送信端子と、受信端子と、前
記第２の送受信系の送信端子と、受信端子の各端子は、
前記積層体の側面に形成され、該各端子の間にはアース
端子が形成されている。各入出力端子は、アース端子に
挟まれた配置となっている。これにより、各端子間の信
号の漏洩が遮断され、干渉が無くなり、信号端子間のア
イソレーションが確実なものとなる。

【００３４】本発明の積層体は、分波回路、及びスイッ
チ回路の伝送線路を内蔵することができる。このスイッ
チ回路の伝送線路は、グランド電極に挟まれた領域に形
成されることが好ましい。また、分波回路は、インダク
タンス成分と容量成分とにより構成することができる。
この分波回路は、積層体内で、伝送線路よりも上側に配
置されることが好ましい。そして、伝送線路を挟むグラ
ンド電極の上側のグランド電極のさらに上部に容量成分
を配置し、その上部にインダクタンス成分を配置する構
造とすることが好ましい。

【００３５】本発明では、各送信系にローパスフィルタ
機能を設けることが好ましい。このローパスフィルタ機
能を設ける一手段として、ローパスフィルタ回路を内蔵
することができる。このローパスフィルタ回路は、イン
ダクタンス成分と容量成分とにより構成することができ
る。そして、このローパスフィルタ回路は、積層体内
で、伝送線路よりも上側に配置されることが好ましい。
つまり、伝送線路を挟むグランド電極の上側のグランド
電極のさらに上部に容量成分を配置し、その上部にイン
ダクタンス成分を配置する構造とすることが好ましい。
また、このローパスフィルタ回路と分波回路は、積層体
の水平方向の別領域に構成されることが好ましい。

【００３６】この伝送線路を挟むグランド電極の上側の
グランド電極には、切り欠き部を設け、この切り欠き部
に、伝送線路に導通するスルーホールを形成し、上側の
分波回路、ローパスフィルタ回路と接続することができ
る。

【００３７】本発明では、積層体上に配置されたチップ
部品を囲むように金属ケースを配置することが好まし
い。この金属ケースは、積層体の側面の端子電極を露出
させた状態で装着することが好ましい。また、金属ケー
スは、積層体の上面に半田付けで固定することができ
る。また、この金属ケースにより、マウンタ装置によ
り、本発明の高周波スイッチモジュールを実装すること
ができる。

【００３８】本発明は、通過帯域の異なる複数の送受信
系を扱うものであるが、以下２つの送受信系を扱う場合
をもとに図面を用いて、詳細に説明する。

【００３９】本発明に係る第１実施例の回路ブロック図
を図１に示す。図１において、本発明のマルチバンド用
高周波スイッチモジュールは、破線で囲った部分であ
る。また、この部分をワンチップ化したものである。本
発明のマルチバンド用高周波スイッチモジュールは、例
えば、第１の送受信系としてＧＳＭシステム、第２の送
受信系としてＤＣＳ１８００システムの２つのシステム
に対応した構成として、デュアルバンド携帯電話のアン
テナＡＮＴと、ＧＳＭ系、ＤＣＳ系のそれぞれの送受信
回路との振り分けに用いることができる。

【００４０】この第１実施例は、通過帯域の異なる第１
の送受信系（ＧＳＭ）と第２の送受信系（ＤＣＳ）を扱
う高周波スイッチモジュールであり、第１の送受信系
（ＧＳＭ）の送信信号と受信信号を切り換える第１のス
イッチ回路、第１のスイッチ回路の送信ラインに接続さ
れる第１のローパスフィルタ回路、第２の送受信系（Ｄ
ＣＳ）の送信信号と受信信号を切り換える第２のスイッ
チ回路、第２のスイッチ回路の送信ラインに接続される
第２のローパスフィルタ回路、第１の送受信系と第２の
送受信系を分波する分波回路から構成されている。

【００４１】また本発明に係る一実施例の等価回路図を
図２に示す。アンテナＡＮＴに接続される分波回路部分
は、２つのノッチ回路が主回路となっている。つまり、
インダクタＬＦ１とコンデンサＣＦ１で一つのノッチ回
路を構成し、インダクタＬＦ２とコンデンサＣＦ２でも
う一つのノッチ回路を構成している。そして、一つのノ
ッチ回路には、アースに接続されるコンデンサＣＦ３が
接続されている。このコンデンサＣＦ３は、分波特性の
ローパスフィルタ特性を向上させる目的で接続されてい
る。また、もう一つのノッチ回路には、アースに接続さ
れるインダクタＬＦ３と、コンデンサＣＦ４を直列に接
続している。このインダクタＬＦ３とコンデンサＣＦ４
は、分波特性のハイパスフィルタ特性を向上させる目的
で接続されている。

【００４２】この分波回路は、２つのノッチ回路のみで
も良い。また、この分波回路は、ノッチ回路以外、例え
ばバンドパス回路、ローパス回路、ハイパス回路などを
用いてもよく、これらを適宜組み合わせて構成すること
も出来る。

【００４３】次に、第１のスイッチ回路について説明す
る。第１のスイッチ回路は、図２上側のスイッチ回路で
あり、ＧＳＭ系の送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えるもの
である。このスイッチ回路ＳＷは、２つのダイオードＤ
Ｇ１、ＤＧ２と、２つの伝送線路ＬＧ１、ＬＧ２からな
り、ダイオードＤＧ１はアンテナＡＮＴ側にアノードが
接続され、送信ＴＸ側にカソードが接続され、そのカソ
ード側にアースに接続される伝送線路ＬＧ１が接続され
ている。そして、アンテナ側と受信ＲＸ間に伝送線路Ｌ
Ｇ２が接続され、その受信側にカソードが接続されたダ
イオードＤＧ２が接続され、そのダイオードＤＧ２のア
ノードには、アースとの間にコンデンサＣＧ６が接続さ
れ、その間に抵抗ＲＧ、インダクタＬＧの直列回路が接
続され、コントロール回路ＶＣ１に接続される。

【００４４】そして、送信ＴＸ回路側に挿入されるロー
パスフィルタ回路は、インダクタＬＧ３と、コンデンサ
ＣＧ３、ＣＧ４、ＣＧ７から構成され、スイッチ回路Ｓ
ＷのダイオードＤＧ１と伝送線路ＬＧ１の間に挿入され
ている。

【００４５】次に、第２のスイッチ回路について説明す
る。第２のスイッチ回路は、図２下側のスイッチ回路で
あり、ＤＣＳ系の送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えるもの
である。このスイッチ回路ＳＷは、２つのダイオードＤ
Ｐ１、ＤＰ２と、２つの伝送線路ＬＰ１、ＬＰ２からな
り、ダイオードＤＰ１はアンテナＡＮＴ側にアノードが
接続され、送信ＴＸ側にカソードが接続され、そのカソ
ード側にアースに接続される伝送線路ＬＰ１が接続され
ている。そして、アンテナ側と受信ＲＸ間に伝送線路Ｌ
Ｐ２が接続され、その受信ＲＸ側にカソードが接続され
たダイオードＤＰ２が接続され、そのダイオードＤＰ２
のアノードには、アースとの間にコンデンサＣＰ６が接
続され、その間に抵抗ＲＰ、インダクタＬＰの直列回路
が接続され、コントロール回路ＶＣ２に接続される。

【００４６】そして、送信ＴＸ回路側に挿入されるロー
パスフィルタ回路は、インダクタＬＰ３と、コンデンサ
ＣＰ３、ＣＰ４、ＣＰ７から構成され、スイッチ回路Ｓ
ＷのダイオードＤＰ１と伝送線路ＬＰ１の間に挿入され
ている。

【００４７】次に、本発明に係る一実施例の平面図を図
３に、その実施例の積層体部分の斜視図を図４に、その
積層体の内部構造を図５に示す。この実施例では、分波
回路、ローパスフィルタ回路、スイッチ回路の伝送線路
を積層体内に構成し、ダイオード、チップコンデンサを
その積層体上に搭載して、ワンチップ化されたマルチバ
ンド用高周波スイッチモジュールを構成したものであ
る。

【００４８】この積層体の内部構造について説明する。
この積層体は、低温焼成が可能なセラミック誘電体材料
からなるグリーンシートを用意し、そのグリーンシート
上にＡｇを主体とする導電ペーストを印刷して、所望の
電極パターンを形成し、それを適宜積層し、一体焼成さ
せて構成される。

【００４９】この内部構造を積層順に従って説明する。
まず、下層のグリーンシート１１上には、グランド電極
３１がほぼ全面に形成されている。そして、側面に形成
される端子電極８１、８３、８５、８７、８９、９１、
９３、９４、９５に接続するための接続部が設けられて
いる。

【００５０】次に、電極パターンの印刷されていないダ
ミーのグリーンシート１２を積層する。その上のグリー
ンシート１３には、３つのライン電極４１、４２、４３
が形成され、その上のグリーンシート１４には、４つの
ライン電極４４、４５、４６、４７が形成されている。
その上に、２つのスルーホール電極（図中丸に十字の印
を付けたものがスルーホール電極である、以下同様）が
形成されたグリーンシート１５を積層し、その上に、ア
ース電極３２が形成されたグリーンシート１６が積層さ
れる。

【００５１】この２つのアース電極３１、３２に挟まれ
た領域に形成されたライン電極は適宜接続され、第１及
び第２のスイッチ回路ＳＷ用の伝送線路を形成してい
る。ライン電極４２と４６はスルーホール電極で接続さ
れ、等価回路の伝送線路ＬＧ１を構成し、ライン電極４
１と４５はスルーホール電極で接続され、等価回路の伝
送線路ＬＧ２を構成し、ライン電極４３と４７はスルー
ホール電極で接続され、等価回路の伝送線路ＬＰ１を構
成し、ライン電極４４は等価回路の伝送線路ＬＰ２を構
成している。

【００５２】グリーンシート１６の上に積層されるグリ
ーンシート１７には、コンデンサ用の電極６１、６２、
６３、６４、６５、６６が形成されている。その上に積
層されるグリーンシート１８にもコンデンサ用の電極６
７、６８、６９、７０が形成されている。その上に積層
されるグリーンシート１９には、コンデンサ電極７１が
形成されている。

【００５３】更にその上には、ライン電極４８、４９が
形成されたグリーンシート２０が積層され、その上に、
ライン電極５０、５１、５２、５３、５４、５５が形成
されたグリーンシート２１が積層される。そして、最上
部のグリーンシート２２には、搭載素子接続用のランド
２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３３、３
４、３５、３６、３７が形成されている。

【００５４】上側のアース電極３２が形成されたグリー
ンシート１６の上に積層されたグリーンシート１７のコ
ンデンサ用電極の６１、６２、６３、６４、６５は、ア
ース電極３２との間で容量を形成し、コンデンサ用電極
６１は、等価回路のＣＧ４を、コンデンサ用電極６２
は、等価回路のＣＧ３を、コンデンサ用電極６３は、等
価回路のＣＰ４を、コンデンサ用電極６４は、等価回路
のＣＰ３を、コンデンサ用電極６５は、等価回路のＣＦ
３を構成している。

【００５５】またグリーンシート１７、１８、１９に形
成されたコンデンサ電極は互の間で容量を形成し、コン
デンサ電極６６と７０の間で、等価回路のＣＦ４を構成
し、同様にコンデンサ電極６４と６９の間で、等価回路
のＣＰ７を構成し、コンデンサ電極６２と６７の間で、
等価回路のＣＧ７を構成し、コンデンサ電極７０と７１
の間で、等価回路のＣＦ２を構成し、コンデンサ電極６
８と７１の間で、等価回路のＣＦ１を構成している。こ
のコンデンサ電極６６では、コンデンサ電極７０と対向
して容量を形成するが、このとき、グランド電極３２と
は対向しないように、グランド電極３２には、切り欠き
部が形成されている。また、この切り欠き部を利用し
て、伝送線路に導通するスルーホール電極が形成されて
いる。

【００５６】またグリーンシート２０、２１では、ライ
ン電極４８、５５が等価回路のＬＦ１を構成し、ライン
電極５４、５６が等価回路のＬＦ２を構成し、ライン電
極４９、５３が等価回路のＬＦ３を構成し、ライン電極
５０が等価回路のＬＧ３を構成し、ライン電極５２が等
価回路のＬＰ３を構成している。なお、ライン電極５１
はＤＣラインである。

【００５７】これらのグリーンシートを圧着し、一体焼
成して積層体を得た。この積層体の側面に端子電極８
１、８２、８３、８４、８５、８６、８７、８８、８
９、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６を形成
した。この外観図を図４に示す。

【００５８】この積層体の上に、ダイオードＤＧ１、Ｄ
Ｇ２、ＤＰ１、ＤＰ２、チップコンデンサＣＧ１、ＣＧ
６、ＣＰ１、ＣＰ６を搭載した。また、チップインダク
タＬＰ４、チップコンデンサＣＰ８を搭載している。こ
のＬＣ直列回路は、このスイッチ回路の送信ＴＸとアン
テナＡＮＴ間のダイオードＯＦＦ時のアイソレーション
特性を良好とするために接続されているが、必ずしも搭
載しなくとも良い。図３に、この搭載素子を搭載した様
子を示す平面図を示す。また、図３に、この高周波スイ
ッチモジュールの実装構成を合わせて示す。この図３
で、ＧＲＤはグランド接続される端子であることを意味
する。この実施例では、図２に示す等価回路のうち、Ｃ
Ｐ２、ＣＰ５、ＣＧ２、ＣＧ５、ＲＧ、ＬＧ、ＲＰ、Ｌ
Ｐは、この実施例のチップ部品の搭載される回路上に形
成される。また、コンデンサＣＰ１は無くしても良い。

【００５９】この実施例によれば、第１及び第２のスイ
ッチ回路の伝送線路を積層体内に形成する際に、グラン
ド電極で挟まれた領域内に配置している。これにより、
スイッチ回路と分波回路、ローパスフィルタ回路との干
渉を防いでいる。そして、このグランド電極で挟まれた
領域を積層体の下部に配置し、グランド電位を取り易く
している。そして、グランドとの間に接続されるコンデ
ンサを構成する電極を、その上側のグランド電極に対向
させて形成している。

【００６０】また、この実施例では、積層体の側面に各
端子が形成され、面実装可能な構造となっている。また
高周波端子であるＡＮＴ端子、ＤＣＳ系ＴＸ端子、ＧＳ
Ｍ系ＴＸ端子、ＧＳＭ系ＲＸ端子、ＤＣＳ系ＲＸ端子
は、互いに隣り合わないように配置してあり、その高周
波端子間には、グランド端子（ＧＲＤ）又はコントロー
ル端子（ＶＣ１、ＶＣ２）が配置されている。また、高
周波端子間には、グランド端子が少なくとも１つ配置さ
れている。また、この積層体の各側面には、少なくとも
１つのグランド端子が配置されている。

【００６１】また、この実施例の積層体の側面に形成さ
れた端子電極において、アンテナＡＮＴ端子に対して積
層体を実装面に垂直な面で２分した反対側に、ＧＳＭ系
の送信ＴＸ端子、受信ＲＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ端
子、受信ＲＸ端子がそれぞれ形成されている。さらに、
その反対側において、その半分の片側に、ＧＳＭ系の送
信ＴＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ端子が形成され、もう
一方の片側に、ＧＳＭ系の受信ＲＸ端子、ＤＣＳ系の受
信ＲＸ端子が形成されている。

【００６２】また、この実施例の積層体では、側面に形
成されたアンテナＡＮＴ端子、ＧＳＭ系の送信ＴＸ端
子、受信ＲＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ端子、受信ＲＸ
端子の高周波端子はいずれも、側面の周回方向で見た場
合、グランド端子で挟まれている。

【００６３】本発明の実施例によれば、ＧＳＭシステム
とＤＣＳ１８００システムとの両バンドを扱うデュアル
バンド携帯電話において、アンテナＡＮＴと、ＧＳＭ系
の送信系、受信系、ＤＣＳ１８００系の送信系、受信系
を切り換えることができるマルチバンド用高周波スイッ
チモジュールを得ることができた。また、本発明は、上
記実施例に限られるものでなく、通過帯域の異なる複数
の送受信系を取り扱うマルチバンド用高周波スイッチモ
ジュールを得ることができるものである。

【００６４】

【発明の効果】本発明によれば、例えばデュアルバンド
携帯電話などにおいて、極めて有益となるマルチバンド
用高周波スイッチモジュールを提供することができる。
本発明によれば、このマルチバンド用高周波スイッチモ
ジュールを、積層構造を用いることにより、小型に、し
かもワンチップに構成できるものである。これにより、
デュアルバンド携帯電話などにおいて、機器の小型化に
有効なものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る一実施例の回路ブロック図であ
る。

【図２】本発明に係る一実施例の等価回路図である。

【図３】本発明に係る一実施例の平面図である。

【図４】本発明に係る一実施例の積層体の斜視図であ
る。

【図５】本発明に係る一実施例の積層体の内部構造図で
ある。

【符号の説明】

１１、１２、１３、１４、１５、１、１７、１８、１
９、２０、２１、２２誘電体グリーンシート３１、３２アース電極４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４
９、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６ライ
ン電極６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８、６
９、７０、７１コンデンサ用電極８１、８２、８３、８４、８５、８６、８７、８８、８
９、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６端子
電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平７−58659（ＪＰ，Ａ) 特開平９−260901（ＪＰ，Ａ) 特開平７−312568（ＪＰ，Ａ) 特開平６−197040（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H04B 1/50 H01L 25/04 H01L 25/18 H01P 1/15

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】通過帯域の異なる複数の送受信系を扱う
高周波スイッチモジュールであって、前記複数の送受信
系に信号を分波する分波回路を有し、前記各送受信系の
それぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路を
有し、前記分波回路はＬＣ回路で構成され、前記スイッ
チ回路はダイオードと伝送線路を主構成とし、前記分波
回路のＬＣ回路及び前記スイッチ回路の伝送線路は、電
極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パター
ンにより構成され、前記ダイオードは、前記積層体上に
配置して構成され、前記積層体内において、前記スイッ
チ回路の伝送線路用の電極パターンは、グランド電極に
挟まれた領域に形成され、前記分波回路の容量成分用の
電極パターンは、前記伝送線路用の電極パターンを挟む
グランド電極の内、上側のグランド電極の上部に誘電体
層を介して形成され、前記分波回路のインダクタンス成
分用の電極パターンは、前記容量成分用の電極パターン
の上部に誘電体層を介して形成され、前記積層体の外表
面には、前記複数の送受信系の共通端子、前記各送受信
系のそれぞれの送信系端子、受信系端子が形成されてい
ることを特徴とする通過帯域の異なる複数の送受信系を
扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項２】通過帯域の異なる複数の送受信系を扱う
高周波スイッチモジュールであって、前記複数の送受信
系に信号を分波する分波回路を有し、前記各送受信系の
それぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路を
有し、前記スイッチ回路の各送信系にローパスフィルタ
を有し、前記分波回路はＬＣ回路で構成され、前記スイ
ッチ回路はダイオードと伝送線路を主構成とし、前記ロ
ーパスフィルタはＬＣ回路で構成され、前記分波回路の
ＬＣ回路、前記ローパスフィルタのＬＣ回路及び前記ス
イッチ回路の伝送線路は、電極パターンと誘電体層との
積層体内に、前記電極パターンにより構成され、前記ダ
イオードは、前記積層体上に配置して構成され、前記積
層体の外表面には、前記複数の送受信系の共通端子、前
記各送受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子が形
成されていることを特徴とする通過帯域の異なる複数の
送受信系を扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュー
ル。
【請求項３】前記積層体内において、前記スイッチ回
路の伝送線路用の電極パターンは、グランド電極に挟ま
れた領域に形成され、前記分波回路の容量成分用の電極
パターン及び前記ローパスフィルタ回路の容量成分用の
電極パターンは、前記伝送線路用の電極パターンを挟む
グランド電極の内、上側のグランド電極の上部に誘電体
層を介して形成され、前記分波回路のインダクタンス成
分用の電極パターン及び前記ローパスフィルタ回路のイ
ンダクタンス成分用の電極パターンは、前記容量成分用
の電極パターンの上部に誘電体層を介して形成されてい
ることを特徴とする請求項２記載のマルチバンド用高周
波スイッチモジュール。
【請求項４】前記積層体において、前記分波回路と前
記ローパスフィルタ回路とは、前記積層体の水平方向の
別領域に別れて形成されていることを特徴とする請求項
２又は３記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュー
ル。
【請求項５】通過帯域の異なる複数の送受信系を扱う
高周波スイッチモジュールであって、前記複数の送受信
系に信号を分波する分波回路を有し、前記各送受信系の
それぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路を
有し、前記分波回路はＬＣ回路で構成され、前記スイッ
チ回路はダイオードと伝送線路を主構成とし、前記分波
回路のＬＣ回路及び前記スイッチ回路の伝送線路は、電
極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パター
ンにより構成され、前記ダイオードは、前記積層体上に
配置して構成され、前記積層体の外表面には、前記複数
の送受信系の共通端子、前記各送受信系のそれぞれの送
信系端子、受信系端子が形成され、前記積層体の各側面
には、少なくとも１つのグランド端子が形成されている
ことを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュ
ール。
【請求項６】通過帯域の異なる複数の送受信系を扱う
高周波スイッチモジュールであって、前記複数の送受信
系に信号を分波する分波回路を有し、前記各送受信系の
それぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路を
有し、前記分波回路はＬＣ回路で構成され、前記スイッ
チ回路はダイオードと伝送線路を主構成とし、前記分波
回路のＬＣ回路及び前記スイッチ回路の伝送線路は、電
極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パター
ンにより構成され、前記ダイオードは、前記積層体上に
配置して構成され、前記積層体の外表面には、前記複数
の送受信系の共通端子、前記各送受信系のそれぞれの送
信系端子、受信系端子が形成され、前記高周波端子（前
記共通端子、各送信系端子、各受信系端子）間には、グ
ランド端子またはスイッチ回路制御端子が配置され、前
記高周波端子が隣り合わない構造に配置してあることを
特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項７】通過帯域の異なる複数の送受信系を扱う
高周波スイッチモジュールであって、前記複数の送受信
系に信号を分波する分波回路を有し、前記各送受信系の
それぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路を
有し、前記分波回路はＬＣ回路で構成され、前記スイッ
チ回路はダイオードと伝送線路を主構成とし、前記分波
回路のＬＣ回路及び前記スイッチ回路の伝送線路は、電
極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パター
ンにより構成され、前記ダイオードは、前記積層体上に
配置して構成され、前記積層体の外表面には、前記複数
の送受信系の共通端子、前記各送受信系のそれぞれの送
信系端子、受信系端子が形成され、前記高周波端子（前
記共通端子、各送信系端子、各受信系端子）間には、少
なくとも１つのグランド端子が配置されていることを特
徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項８】前記スイッチ回路の各送信系にローパス
フィルタを有することを特徴とする請求項５、６、７記
載のいずれかのマルチバンド用高周波スイッチモジュー
ル。
【請求項９】前記積層体上に配置されたチップ素子を
包囲する金属ケースが前記積層体上に配置されているこ
とを特徴とする請求項１〜８記載のいずれかのマルチバ
ンド用高周波スイッチモジュール。