JP2976313B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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Description
特に光導電性材料として特定のチタニルフタロシアニン
顔料と特定の化合物とを用い、プリンタ、複写機等に有
効であって、露光手段として半導体レーザー光及びLE
D光等を用いて像形成を行うときにも好適な電子写真感
光体に関するものである。
電性材料として、無機光導電性材料に代えて有機光導電
性材料が多く用いられるようになった。その理由は、有
機光導電性材料においては、合成物質及び合成条件の組
合せにより多種多様の材料を得ることができ、材料の選
択の自由度が大きく、目的に応じて所望の感光体を容易
に作製できるからである。
感光体においては、キャリア発生機能とキャリア輸送機
能とを異なる材料に分担させた機能分離型とすることに
より、材料の選択の自由度が一層拡大され、帯電能、感
度及び耐久性等の電子写真特性の改善が期待されるよう
になった。
善及び画像の編集機能が要請され、これに対応したデジ
タル方式の複写機又はプリンター等の記録装置の開発が
進められており、そのための記録媒体としての感光体の
改善が切望されている。前記デジタル方式の記録装置に
おいては、一般に、画像信号により変調されたレーザー
光を用いてドット状に露光して感光体上にドット潜像を
形成し、これを反転現像方式により現像して像形成を行
うようにしている。この場合、前記レーザー光として
は、露光装置の単純化、小型化及び低価格化が可能な半
導体レーザー装置が好ましく用いられ、その発振波長は
750nm以上の赤外領域とされている。従って、用いられ
る感光体としては、少なくとも 750〜850nmの波長領域
に高感度を有することが要求される。
られるキャリア発生物質として、種々の有機染料又は有
機顔料が提案されており、例えば、ジブロムアンスアン
スロンに代表される多環キノン顔料、ピリリウム染料、
及び該ピリリウム染料とポリカーボネートとの共晶錯
体、スクェアリウム顔料、フタロシアニン顔料、アゾ顔
料等が実用化されている。なかでもフタロシアニン顔料
は光電変換の量子効率が高く、また近赤外領域まで高い
分光感度を示すため、特に半導体レーザ光源に対応する
電子写真感光体用として注目されてきた。
ン、無金属フタロシアニン、クロルインジウムフタロシ
アニン、クロルガリウムフタロシアニンなどを用いた電
子写真感光体が報告されているが、近年特にチタニルフ
タロシアニンが注目されるようになり、例えば特開昭61
-239248号、同62-670943号、同62-272272号、同63-1161
58号のようにチタニルフタロシアニンの種々の結晶型を
用いた電子写真感光体が開示されている。
を電子写真感光体に用いる場合、その結晶型によって特
性は著しく変化することは良く知られている。従って、
電子写真感光体用のフタロシアニンとしては高感度で帯
電能に優れた安定な結晶型が必要である。しかしなが
ら、従来開示されているチタニルフタロシアニンは、高
感度で、かつ高温高湿環境下における繰り返し使用の安
定性のよいものがない。すなわち、α型チタニルフタロ
シアニンは高感度ではあるが、安定性が悪く、またβ型
チタニルフタロシアニンは感度が劣るという欠点を有し
ている。
れたもので、高感度でしかも外部環境の影響を受けにく
く、繰り返し使用特性も良好な電子写真感光体を提供す
ることを目的とする。
に、本発明の電子写真感光体は、真空中での吸着ガスの
成分分析において分子数で水分子が最も多く含まれてい
るチタニルフタロシアニン顔料と、下記一般式[I]〜
[III]で表わされる化合物の少なくとも一種とを含有
する構成を特徴としたものである。
ル基又はナフチル基を表わし、Ar1〜Ar4の少なくと
も一つは置換基としてアミノ基(置換アミノ基を含
む。)を有する。nは0又は1の整数を表わす。
ル基を表わし、Ar5とAr6とが結合して環を形成して
もよい。R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又
はハロゲン原子を表わす。
ル基を表わし、Ar9はフェニレン基を表わし、Bはベ
ンジル基又はフェネチル基を表わす。
は、前記した各公報で知られたチタニルフタロシアニン
顔料とは顔料結晶の凝集状態が異なり、さらに真空中で
の吸着ガスの成分分析において分子数で水分子が最も多
く含まれているという特徴を有していて、可視及び近赤
外の吸収スペクトルが 780nm〜860nmに最大吸収を示す
凝集状態を有し、半導体レーザー光等に対して極めて高
感度な特性を発揮しうるものである。
析は次の方法で測定することができる。
湿度60%の条件にて内容積3.0cm3のガラス管に封入し
たアンプルを測定室に装着し、真空度2×10-8Torr
の測定室中にてアンプルの破断を行ない、四重極質量分
析管にてアンプル中より放出されるガスの分子量を検出
して成分分析を行なう。
中のチタニルフタロシアニン顔料の水分子量を測定でき
る。
98%以上)中に常温で浸漬し、感光層をアルミニウム基
体から分離する。次に基体から分離した感光層をメチレ
ンクロライド中で溶解し、濾紙を用いてメチレンクロラ
イド(純度98%以上)の洗浄を繰り返しながらろ過す
る。ろ紙上の析出物を酢酸−t−ブチル(純度98%以
上)に溶解し、得られた液を遠心分離器により沈澱物を
分離する。
アニンを洗浄し、120℃で乾燥後、前述の方法により吸
着分子の定量を行う事ができる。
ニン顔料では、水、水素、窒素、酸素、二酸化炭素等の
各分子が検出されるが、本発明に係るチタニルフタロシ
アニン顔料は水分子が最も多く含まれていることが特徴
である。
ン顔料は示差熱分析において80℃から120℃の間に吸
熱ピークを有することが感度、繰り返し特性の点から好
ましい。
ロシアニン顔料10mgを大気下湿度60%、昇温速度毎
分10℃の条件にて行ない、上記吸熱ピークは半値幅3
0度以上の吸熱ピークをいう。
として特に好ましくは、Cu−Kα線に対するX線回折
スペクトルが、ブラッグ角2θの9.5°±0.2°,27.2°
±0.2°にピークを持つチタニルフタロシアニン顔料で
ある。
ン顔料の基本構造は次の一般式で表される。
ゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基を表し、n、
m、l及びkはそれぞれ0〜4の整数を表す。
アニンの製造方法を次に説明する。例えば、1,3−ジ
イミノイソインドリンとスルホランを混合し、これにチ
タニウムテトラプロポキシドを加え、窒素雰囲気下に反
応させる。反応温度は80℃〜300℃で、特に100℃〜26
0℃が好ましい。反応終了後、放冷した後析出物を濾取
し、チタニルフタロシアニンを得ることができる。次に
これを混合溶媒処理することによって、目的のチタニル
フタロシアニンを得ることができるが、処理に用いられ
る装置としては一般的な攪拌装置の他に、ホモミキサ、
ディスパーサ、アジター、或いはボールミル、サンドミ
ル、アトライタ等を用いることができる。
明のチタニルフタロシアニン顔料の他に、本発明の効果
を損わない範囲で他のキャリア発生物質を併用してもよ
い。そのような併用可能なキャリア発生物質としては、
本発明のチタニルフタロシアニンとは結晶型において異
なる、例えばα型、β型、α,β混合型、アモルファス
型等のチタニルフタロシアニンをはじめ、アゾ顔料、ア
ントラキノン顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、ス
クエアリウム顔料等が挙げられる。
溶媒にバインダー樹脂を溶解した溶液中に本発明に係る
前記チタニルフタロシアニン顔料を混合分散し、かつこ
れに後述するキャリア輸送物質を溶解してなる塗布液
を、必要に応じて予め中間層(下引層)を設けた導電性
支持体上に例えばディップコーティング、スプレーコー
ティング、スパイラルコーティング等の方法により塗布
加工して、図1又は図2の単層構成の感光体を得る。な
お、図中の1は導電性支持体、4″は単層構成の感光
層、5は中間層である。
感光体を得る上から、機能分離型の図3乃至図6の積層
構成の感光体とするのが好ましい。この場合、バインダ
ー樹脂を溶解した溶液中に前記顔料を混合分散してなる
塗布液を、必要に応じて前記中間層5を有する導電性支
持体1上に塗布してキャリア発生層2を形成した後、該
キャリア発生層2上にキャリア輸送物質を含む塗布液を
塗布加工してキャリア輸送層3を積層して、2層構成の
感光層4(図3、図5)、もしくはこれとは逆層構成の
感光層4′(図4、図6)を形成する。以下、二層構成
の感光層を有する感光体を中心に説明する。
キャリア発生層2及びキャリア輸送層3は、次のごとき
方法によって設けることができる。 (イ)キャリア発生物質、キャリア輸送物質を適当な溶
剤に夫々溶解した溶液或いはこれにバインダを加えて混
合溶解した溶液を塗布する方法。 (ロ)キャリア発生物質、キャリア輸送物質をボールミ
ル、ホモミキサー、超音波等によって夫々分散媒中で微
細粒子とし、必要に応じてバインダを加えて混合分散し
て得られる分散液を塗布する方法。
に使用される溶剤或は分散媒としては、ブチルアミン、
N,N−ジメチルホルムアミド、アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン、ベンゼン、トルエン、キ
シレン、クロロホルム、1,2−ジクロルエタン、ジク
ロルメタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メタノ
ール、エタノール、イソプロパノール、酢酸エチル、酢
酸ブチル、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ
る。キャリア発生層若しくはキャリア輸送層の形成にバ
インダを用いる場合に、このバインダとしては任意のも
のを用いることができるが、特に疎水性でかつ誘電率が
高い電気絶縁性のフィルム形成能を有する高分子重合体
が好ましい。こうした重合体としては、例えば次のもの
を挙げることができるが、勿論これらに限定されるもの
ではない。
て用いることができる。
物質の割合は好ましくは10〜600重量%、更に好まし
くは50〜400重量%とされる。
2の厚さは0.01〜20μmであることが好ましいが、更
に好ましくは0.05〜5μmである。
リア発生層2を形成する場合においては、当該キャリア
発生物質は2μm以下、好ましくは1μm以下の平均粒径
の粉粒体とされるのが好ましい。即ち、粒径が余り大き
いと、層中への分散が悪くなるとともに、粒子が表面に
一部突出して表面の平滑性が悪くなり、場合によっては
粒子の突出部分で放電が生じたり、あるいはそこにトナ
ー粒子が付着してトナーフィルミング現象が生じ易い。
記一般式[I]〜[III]で表わされる化合物の少なく
とも一種が用いられる。
される化合物について順に説明する。
r2,Ar3及びAr4はそれぞれフェニル基又はナフチ
ル基を表わすが、Ar1〜Ar4の少なくとも一つは置換
基としてアミノ基(置換アミノ基を含む。)を有する。
この場合の置換アミノ基としてはジアルキルアミノ基、
ジアリールアミノ基等があり、具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等が挙げ
られる。
して、アミノ基、置換アミノ基の他に別の置換基(例え
ばアルキル基、アルコキシ基等)を有していてもよい。
物の代表的具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定す
るものではない。
r5,Ar6で表わされるアルキル基は例えばメチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基等であり、Ar5,A
r6で表わされるアリール基は例えばフェニル基、ナフ
チル基等であり、これらの基はさらに置換基(例えばア
ルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等)を有してい
てもよい。また、Ar5とAr6とが結合して、カルバゾ
ール、インドリン等の環を形成してもよい。
表わされるアルキル基は例えばメチル基、エチル基、プ
ロピル基等であり、R1で表わされるアルコキシ基は例
えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等であり、R
1で表わされるハロゲン原子は例えばフッ素原子、臭素
原子等である。R1で表わされるアルキル基又はアルコ
キシ基はさらに置換基を有していてもよい。
物の代表的具体例を示すが、本発明はこれらに限定する
ものではない。
及びAr8はそれぞれフェニル基又はナフチル基を表わ
すが、これらの各基はさらに置換基を有していてもよ
く、置換基としては、例えばアルキル基、アルコキシ基
等が挙げられる。また、前記一般式[III]において、
Bで表わされるベンジル基又はフェネチル基は、そのベ
ンゼン環上に例えばアルキル基、アルコキシ基、置換ア
ミノ基等の置換基を有していてもよく、さらにBで表わ
されるベンジル基又はフェネチル基のアルキル部分の水
素原子が他のアルキル基やアリール基等で置換されてい
てもよく、この場合に置換基のアルキル基同志が互に結
合してシクロアルキル環等を形成してもよい。
合物の代表的具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定
するものではない。
本発明の化合物の他に、本発明の効果を損わない範囲で
他のキャリア輸送物質を併用してもよい。
の割合は好ましくは10〜500重量%とされ、また、キ
ャリア輸送層の厚みは好ましくは1〜100μm、更に好ま
しくは5〜30μmとされる。
残留電位の減少、或いは反復使用時の疲労の低減を目的
として、電子受容性物質を含有させることができる。こ
のような電子受容性物質としては例えば、無水コハク
酸、無水マレイン酸、ジブロム無水コハク酸、無水フタ
ル酸、テトラクロル無水フタル酸、テトラブロム無水フ
タル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4−ニトロ無水フタ
ル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット酸、テトラシ
アノエチレン、テトラシアノキノジメタン、o−ジニト
ロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、1,3,5−トリ
ニトロベンゼン、p−ニトロベンゾニトリル、ピクリル
クロライド、キノンクロルイミド、クロラニル、ブロマ
ニル、ジクロルジシアノ−p−ベンゾキノン、アントラ
キノン、ジニトロアントラキノン、9−フルオレニリデ
ンマロノジニトリル、ポリニトロ−9−フルオレニリデ
ンマロノジニトリル、ピクリン酸、o−ニトロ安息香
酸、p−ニトロ安息香酸、3,5−ジニトロ安息香酸、
ペンタフルオロ安息香酸、5−ニトロサリチル酸、3,
5−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリット酸、その
他の電子親和力の大きい化合物を挙げることができる。
電子受容性物質の添加割合はキャリア発生物質の重量10
0に対して0.01〜200が望ましく、更には0.1〜100が好ま
しい。
を向上させる目的で酸化防止剤や光安定剤等の劣化防止
剤を含有させることができる。
光体においては、感光層4″に用いるキャリア発生物質
は本発明に係るチタニルフタロシアニン顔料等であり、
キャリア輸送物質は上述したものから選択してよい。ま
た、感光層4″のバインダー樹脂、その他の添加物質も
上述したものと同様であってよい。
ドラム等が用いられる他、導電性ポリマーや酸化インジ
ウム等の導電性化合物、もしくはアルミニウム、パラジ
ウム等の金属の薄層を塗布、蒸着、ラミネート等の手段
により紙やプラスチックフィルムなどの上に設けてなる
ものが用いられる。
する前記中間層5としては、上記のバインダ樹脂として
説明したような高分子重合体、ポリビニルアルコール、
エチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリ
アミドなどの有機高分子物質又は酸化アルミニウムなど
より成るものが用いられる。
明する。
の合成例を述べる。
リン29.2gとスルホラン200mlを混合し、チタニウムテト
ライソプロポキシド17.0gを加え、窒素雰囲気下に140℃
で2時間反応させた。放冷した後析出物を濾取し、クロ
ロホルムで洗浄、2%の塩酸水溶液で洗浄、水洗、メタ
ノール洗浄して、乾燥の後25.5g(88.5%)のチタニル
フタロシアニンを得た。生成物100gを2kgの濃硫酸に溶
解し、20リットルの水にあけて析出させて濾取し、ア
モルファス状態のウェットペーストを得た。
クロロエタン200mlとメタノール100mlの混合溶媒を加
え、室温下で3時間撹拌を行なった。メタノールで希釈
して濾過し、メタノール洗浄後、乾燥して、ブラッグ角
2θの9.5°±0.2°,27.2°±0.2°にピークを有する
X線回折スペクトルをもつ結晶を得た。なお、X線回折
スペクトルはX線回折装置JDX−8200(日本電子社
製)を用い、次の条件で測定したもの(以下同様)であ
る。
に示す示差熱曲線が得られ、99.6℃に吸熱ピークが認め
られた。示差熱分析は前述の方法に従った(以下同
様)。
リン29.2gとスルホラン200mlを混合し、チタニウムテト
ライソプロポキシド17.0gを加え、窒素雰囲気下に140℃
で2時間反応させた。放冷した後析出物を濾取し、クロ
ロホルムで洗浄、2%の塩酸水溶液で洗浄、水洗、メタ
ノール洗浄して、乾燥の後25.5g(88.5%)のチタニル
フタロシアニンを得た。
リットルの水にあけて析出させて濾取し、アモルファス
状態のウェットペーストを得た。
ロロエタン200mlとアセトン100mlの混合溶媒を加え、室
温下で3時間撹拌を行なった。メタノールで希釈して濾
過し、メタノール洗浄後乾燥して、ブラッグ角2θの9.
5°±0.2°,27.2°±0.2°にピークを有するX線回折
スペクトルをもつ結晶を得た。また、この結晶の示差熱
分析において図8に示す示差熱曲線が得られた。
ストを乾燥後、α−クロロナフタレンを用いて、加熱撹
拌することによって、β型のチタニルフタロシアニンを
得た。X線回折スペクトルはブラッグ角2θの9.3°±
0.2°,10.6°±0.2°,13.2°±0.2°,15.1°±0.2
°,15.7°±0.2°,16.1°±0.2°,20.8°±0.2°,2
3.3°±0.2°,26.3°±0.2°,27.1°±0.2°にピーク
を有していた。また示差熱曲線を図9に示した。
れた各々のチタニルフタロシアニンを前述の方法に従っ
て真空中での吸着ガスの成分分析を行なったところ、以
下の結果が得られた。
は水分子が最も多く含まれていることがわかる。
ルフタロシアニンのアモルファス状態のウェットペース
ト2gに1,2−ジクロロエタン200mlとH2O50mlの混
合溶媒を加え、60℃で4時間攪拌を行った。次にメタノ
ールで希釈してろ過し、メタノール洗浄後乾燥して結晶
を得た。
ルフタロシアニンのアモルファス状態のウェットペース
トを水洗乾燥後、チタニルフタロシアニン12部と塩化ナ
トリウム18部とジエチレングリコール8部を混合し、80
℃の加熱下で自動乳鉢により60時間ミリングした。次に
上記処理品を水洗し、減圧乾燥した後に乾燥品1部にシ
クロヘキサノン20部とガラスビーズ2部を加えて1時間
サンドグラインダーにより分散を行なった。その後ろ
過、乾燥を行い結晶を得た。
タニルフタロシアニンのアモルファス状態のウェットペ
ースト2g に1,2−ジクロロエタン200mlとH2O100m
lの混合溶媒を加え、80℃で4時間半攪拌を行った。次
にメタノールで希釈してろ過し、メタノール洗浄後乾燥
して結晶を得た。
れた各々のチタニルフタロシアニンをこれを用いて作製
した感光ドラムから前述の方法に従って真空中での吸着
ガスの成分分析を行なったところ、以下の結果が得られ
た。
イド5003」(大日本インキ社製)3部(部は重量部を示
す;以下同じ)をメタノール100部に加熱溶解し、0.6μ
mフィルタで濾過した後、浸透塗布法によって、アルミ
ニウムドラム上に塗布し、膜厚0.5μmの下引層を形成し
た。
係るチタニルフタロシアニン3部、バインダ樹脂として
セルロース変性シリコーン樹脂「KR5240」(信越化学
社製)固形分3部、分散媒としてメチルイソブチルケト
ン100部、をサンドミルを用いて分散した液を、先の下
引層の上に、浸透塗布法によって塗布して、膜厚0.2μm
のキャリア発生層を形成した。次いで、前記例示キャリ
ア輸送物質I−4の1部、ポリカーボネート樹脂「ユー
ピロンZ200」(三菱瓦斯化学社製)1.5部、微量のシリ
コーンオイル「KF−54」(信越化学社製)を、1,2
−ジクロロエタン10部に溶解した液を用いて先のキャ
リア発生層の上に浸透塗布し乾燥の後、膜厚25μmの
キャリア輸送層を形成して本発明の感光体試料を得た。
わりに前記例示キャリア輸送物質II−2を用いた以外は
実施例1と同様にして感光体試料を作製した。
わりに前記例示キャリア輸送物質III−1を用いた以外
は実施例1と同様にして感光体試料を作製した。
アニンの代わりに合成例2のチタニルフタロシアニンを
用い、キャリア輸送物質I−4の代わりに前記例示キャ
リア輸送物質I−6を用いた以外は実施例1と同様にし
て感光体試料を作製した。
わりに前記例示キャリア輸送物質II−3を用いた以外は
実施例4と同様にして感光体試料を作製した。
アニンの代わりに合成例3のチタニルフタロシアニンを
用いた以外は実施例1と同様にして感光体試料を作製し
た。
アニンの代わりに合成例4のチタニルフタロシアニンを
用いた以外は実施例1と同様にして感光体試料を作製し
た。
アニンの代わりに比較合成例1のチタニルフタロシアニ
ンを用いた以外は実施例1と同様にして感光体試料を作
製した。
アニンの代わりに比較合成例1のチタニルフタロシアニ
ンを用いた以外は実施例4と同様にして感光体試料を作
製した。
わりに下記キャリア輸送物質を用いた以外は実施例1と
同様にして感光体試料を作製した。
アニンの代わりに比較合成例2のチタニルフタロシアニ
ンを用いた以外は実施例1と同様にして感光体試料を作
製した。
「U−Bix1550」(コニカ社製)(半導体レーザ光源搭
載)改造機に搭載し、グリッド電圧VGを600[V]に調
節し、未露光部電位VH及び0.7mWの照射時の露光部の
電位VLを測定した。また、33℃80%RHの環境下
において、5万プリント後のVH及びVLについても合わ
せて測定し、その結果を下記表1に示す。
で、しかも高温高湿環境下において繰り返し使用による
安定性が良好であることがわかる。これに対し比較感光
体は低感度で繰り返し使用による安定性が著しく劣って
いる。
子写真感光体によれば、高感度でしかも外部環境の影響
を受けにくく、繰り返し使用特性が非常に良好であると
いう優れた効果を奏する。
る。
る。
る。
る。
る。
る。
図である。
図である。
図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 真空中での吸着ガスの成分分析において
分子数で水分子が最も多く含まれているチタニルフタロ
シアニン顔料と、下記一般式[I]〜[III]で表わさ
れる化合物の少なくとも一種とを含有することを特徴と
する電子写真感光体。 【化1】 [式中、Ar1,Ar2,Ar3及びAr4はそれぞれフェ
ニル基又はナフチル基を表わし、Ar1〜Ar4の少なく
とも一つは置換基としてアミノ基(置換アミノ基を含
む。)を有する。nは0又は1の整数を表わす。] 【化2】 [式中、Ar5及びAr6はそれぞれアルキル基又はアリ
ール基を表わし、Ar 5とAr6とが結合して環を形成し
てもよい。R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基
又はハロゲン原子を表わす。] 【化3】 [式中、Ar7及びAr8はそれぞれフェニル基又はナフ
チル基を表わし、Ar 9はフェニレン基を表わし、Bは
ベンジル基又はフェネチル基を表わす。] - 【請求項2】 前記チタニルフタロシアニン顔料が示差
熱分析において80℃から120℃の間に吸熱ピークを有
することを特徴とする請求項1記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3168713A JP2976313B2 (ja) | 1990-06-13 | 1991-06-13 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15483190 | 1990-06-13 | ||
JP2-154831 | 1990-06-13 | ||
JP3168713A JP2976313B2 (ja) | 1990-06-13 | 1991-06-13 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04338967A JPH04338967A (ja) | 1992-11-26 |
JP2976313B2 true JP2976313B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=26483005
Family Applications (1)
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