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JP2973492B2 - 半導体薄膜の結晶化方法 - Google Patents

半導体薄膜の結晶化方法

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JP2973492B2
JP2973492B2 JP2220604A JP22060490A JP2973492B2 JP 2973492 B2 JP2973492 B2 JP 2973492B2 JP 2220604 A JP2220604 A JP 2220604A JP 22060490 A JP22060490 A JP 22060490A JP 2973492 B2 JP2973492 B2 JP 2973492B2
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laser
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体薄膜の結晶化方法、特に半導体薄膜に
対しパルスレーザを照射して半導体薄膜の結晶化を行う
溶融法による半導体薄膜の結晶化方法に係わる。
〔発明の概要〕
本発明は、半導体薄膜に対しパルスレーザを照射して
半導体薄膜の結晶化を行う溶融法による半導体薄膜の結
晶化方法において、半導体薄膜に対するパルスレーザの
照射を第１の方向に対する走査とこれと直交する第２の
方向に関するステップ走査とによって行い、そのパルス
レーザのスポットの上記第２の方向に関するエネルギー
密度分布を中心部から両側に向って小となる複数の階段
的分布を形成するように、その各階段部を形成する複数
のレーザビーム部を設けると共に、その中心部の第１の
レーザビーム部のエネルギー密度ED1を、EDthED1＜E
DRに選定し、この第１のレーザビーム部よりステップ走
査方向の前方側の第２のレーザビーム部のエネルギー密
度ED2を、ED2＜EDMに選定し、更に第１のレーザビーム
部よりステップ走査方向の後方側の第３のレーザビーム
部のエネルギー密度ED3を、EDMED3＜EDthでかつこれ
にできるだけ近い値に選定する。ここに、EDthは半導体
薄膜を非晶質化するレーザエネルギー密度のしきい値エ
ネルギー密度で、EDRは半導体薄膜を粗面化するエネル
ギー密度、EDMは半導体薄膜を溶融化するエネルギー密
度で、このようにすることによって良好な膜質状態を有
し、優れた電気的特性を有する結晶化半導体薄膜を確実
に得ることができるようにする。
〔従来の技術〕
各種半導体集積回路において、例えば水素化非晶質シ
リコン（ａ−Si:H）あるいは水素化ゲルマニウム（ａ−
Ge:H）等の半導体薄膜に対してパルスレーザを照射する
ことによってこの半導体薄膜を溶融−固化して結晶化す
る技術はキャリアの移動度の大なる薄膜トランジスタ等
の低温で作製する技術として注目されている。
例えば特開昭64−76715号公開公報に開示された多結
晶半導体薄膜の製造方法においては、ガラス基板上に設
けられたシリコンを含有する水素化非晶質半導体薄膜に
レーザ光を照射して多結晶化する場合において、そのレ
ーザビーム内の強度分布を横方向に台形状とすることに
よって半導体薄膜内に含まれる水素の急激な蒸発による
膜質低下を回避する方法が開示されている。しかしなが
ら、この方法による場合においても必ずしも電気的特性
すなわちキャリアの移動度が大なる半導体薄膜を形成す
ることができない場合が生じている。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明においては、膜質に優れたキャリア移動度等電
気的特性に優れた半導体薄膜の結晶化方法を提供する。
すなわち、本発明においては、水素等の揮発性物質を
含む、或いは含まない半導体薄膜に対して上述した溶融
結晶化方法をとるとき、その照射レーザのエネルギー密
度が或る値より大きくなると溶融後に固相化した半導体
薄膜が非晶質化すなわちアモルファス化し、上述した例
えばａ−Si:Hに対してそのレーザ照射を、半導体薄膜中
の揮発性物質例えば水素の蒸気が急激に行われないよう
に実質的に徐々に照射エネルギーが高められるように考
慮したとしても目的とする特性を有する結晶化が得され
ない場合があること、更に結晶化が得られる状態では、
できるだけこの結晶化できる範囲内で高エネルギー密度
での溶融が望ましいこと、加えて膜厚が低い範囲では、
一旦高エネルギー密度による溶融−固化を行っても再
び、或るしきい値エネルギー密度、具体的には非晶質を
生じさせるEDth以下で、かつできるだけEDthに近いエネ
ルギー密度の溶融がなされて得られた半導体薄膜はすぐ
れた膜質したがって電気的特性を有することを究明し、
これに基いて確実、良好に半導体薄膜の結晶化を行うこ
とができるようにしたものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、第１図に示すように半導体薄膜（１）に対
しパルスレーザ（２）を照射して半導体薄膜（１）の結
晶化を行う溶融法による半導体薄膜の結晶化方法におい
て、半導体薄膜（１）に対するパルスレーザ（２）の照
射を第１の方向ｘに対する走査すなわち掃引照射と、こ
れと直交する第２の方向ｙに関するステップ走査とによ
る例えばジグザグないしはｘ方向に関して同一向きの平
行掃引を行う。そして、特にそのパルスレーザ（２）
は、第２図Ａに半導体薄膜（１）におけるそのスポット
Ｓを示し、その第２の方向ｙに関するエネルギー密度分
布を第２図Ｂに示すように、ステップ走査のステップピ
ッチｐより小なる幅Ｗで、中心部から両側に向って小と
なる複数の階段的分布の各階段部を形成する複数のレー
ザビーム部b1,b2,b3により構成する。
そして、その中心部の第１のレーザビーム部b1のエネ
ルギー密度ED1は、半導体薄膜（１）を非晶質化するレ
ーザエネルギー密度のしきい値EDth以上で、半導体薄膜
（１）を粗面化するエネルギー密度EDRより小に、すな
わち EDthED1＜EDR ・・・・（１） に選定する。
また第１のレーザビーム部b1よりステップ走行方向ｙ
の前方側の第２のレーザビーム部b2のエネルギー密度E
D2は、半導体薄膜（１）の溶融化するエネルギー密度E
DMより小さい、すなわち ED2＞EDM ・・・・（２） とするが半導体薄膜（１）中の揮発物を幾分なりとも蒸
発できる例えば常温以上を与え得るエネルギー密度以上
とする。
更に第１のレーザビーム部b1よりステップ走査方向ｙ
の後方側の第３のレーザビーム部b3のエネルギー密度E
D3は、しきい値EDthより低く、溶融化するエネルギー密
度EDM以上ですなわち EDMED3＜EDth ・・（３） で、しかもできるだけEDthに近い値に選定する。
〔作用〕
上述の本発明方法による場合、その半導体薄膜（１）
に対する第１の方向ｘ方向に関する走査によってまず小
さいエネルギー密度ED2を有するレーザビーム部b2が照
射され、これによって半導体薄膜（１）中の揮発性物質
がゆるやかに引き出され、その後に大なるエネルギー密
度ED1を有する第１のレーザビーム部b1が照射されるこ
とによって一旦薄膜（１）が非晶質化され、次に非晶質
化するしきい値電圧EDthより低いもののそのエネルギー
密度が比較的大きいエネルギー密度ED3を有する第３の
レーザビーム部b3が走査することによって一旦非晶質化
された半導体薄膜（１）が結晶化されしかもこの結晶化
された半導体薄膜は最終的に電気的特性すなわちキャリ
アの移動度が高い半導体薄膜として形成される。
すなわち、第３図に半導体薄膜（１）例えば水素化シ
リコン薄膜（ａ−Si:H）に対してXeClエキシマレーザ光
を照射した場合の、その照射レーザエネルギー密度と溶
融後の固相化の膜厚に対する状態図、すなわち相図を示
すように、曲線（31）（EDMに相当）で示すａ−Si:H120
〜150mJ/cm2以下のエネルギー密度のレーザ照射による
場合は、ａ−Si:Hは何ら相変化を生じないが、120〜150
mJ/cm2を超えるすなわち曲線（31）以上のエネルギーに
よる照射で、かつ曲線（32）（EDthに相当）及び（33）
より下のエネルギーによる照射による領域Ｉにおいては
溶融後の相は、表面が滑らかで良質な結晶化された半導
体薄膜となる。しかも膜厚が70nm程度以下では240mJ/cm
2を超えるレーザエネルギーの照射によって特に60nm程
度では300mJ/cm2程度の高いエネルギーで良質の半導体
薄膜（１）の結晶化が行われる。しかしながらこの小な
る膜厚範囲でその照射レーザエネルギー密度が曲線（3
2）以上で曲線（33）より下の領域IIにおいてはその固
相後の半導体薄膜は良質の滑らかな膜質となるものの非
晶質半導体薄膜となる。しかしながら、一旦この領域II
となる条件下で溶融−固相が行われても再び領域Ｉとな
る条件下で溶融−固相を行うときは領域Ｉの相、すなわ
ち滑らかな結晶化がなされる。尚、曲線（33）より上方
の領域IIIにおいては結晶化が生じるもののその表面が
粗面化された電気的特性に劣る半導体薄膜となる。つま
り、この曲線（33）がEDRに相当する。
一方、半導体薄膜（１）の膜質は、その電気的特性、
例えば電子移動度、電気伝導度と良く対応するものであ
ることは知られているところであり、第４図に20nmの厚
さの20％りん（燐）ドープシリコン膜における電気伝導
度と電子移動度の照射レーザエネルギー密度との関係の
測定結果を示す。同図において●及び○はその移動度の
測定結果をプロットしたもので、★及び☆は電気伝導度
の測定結果をプロットしたもので、これら測定結果をみ
て明らかなように、そのエネルギー密度を各熱処理で上
げて行くと、それぞれ●印★で示すように、或るエネル
ギー密度の値、この例では240mJ/cm2において急激にそ
の電子移動度及び電気導電度が低下する。これは第３図
で示した曲線（32）を境に領域Ｉから領域IIに転じてい
ることを示すものであり、この急激に電気伝導度及び電
子移動度が低下するエネルギー密度、つまり曲線（32）
上の値が非晶質化するエネルギー密度のしきい値EDthと
なる。しかしながら、この非晶質化が発生しても、第４
図において○及び☆におけるように再びこの非晶質化さ
れた半導体薄膜に対してそのしきい値エネルギー密度E
Dth以下においてかつこれに近い温度の加熱を行う場合
は、その移動度及び電気伝導度の極めて高いほとんど各
ピーク値に相当する良好な半導体薄膜が生成されてい
る。
すなわち、本発明によれば、第２図のレーザビーム部
b2の走査によって半導体薄膜（１）に揮発性物質が存在
する場合においてもこれをおだやかに放出、すなわち揮
発させ、したがって良好な膜質の形成が行われると共
に、次にしきい値エネルギー密度EDth以上のエネルギー
密度を有する第１のレーザビーム部b1の照射によって一
旦アモルファス（非晶質）化がなされ、次の第３のビー
ム部b3の照射によって第２図で説明した曲線（21）と
（22）に挟まれるなめらかな表面性を有し、しかも結晶
化されたすなわち第３図における○及び☆の特性を得る
ことができるのである。
〔実施例〕
上述の本発明方法の実施例を説明する。
前述したように、第１図に示すように、半導体薄膜
（１）例えば水素化非晶質シリコンａ−Si:Hあるいは水
素化非晶質ゲルマニウムａ−Ge:H、もしくは水素等を含
む各種半導体薄膜、或いは水素等殆ど含まない半導体薄
膜を基板（１）例えば石英基板上に70nm程度以下の厚さ
をもってCVD（化学的気相成長法）によって形成し、こ
の半導体薄膜（１）にパルスレーザ（２）を照射して半
導体薄膜（１）の溶融法による結晶化を行う。この半導
体薄膜（１）に対するパルスレーザ（２）の照射は、第
１の方向ｘに対する走査と、これと直交する第２の方向
ｙに関するステップ走査による例えばジグザク走査によ
って行う。そして、ｙ方向に関してその照射パルスレー
ザ光（２）を第２図Ａ及びＢで説明したように３本のビ
ーム部b1〜b3とするか、３本以上の例えば第５図に示す
ように５本のレーザビーム部b1〜b5によって構成する。
このレーザビーム部b1〜b5の形成は、例えば第６図に示
すようにレーザLSから発射したパルスレーザビーム
（２）を例えば４枚のハーフミラーHM及び１枚のミラー
Ｍによって５本のビーム部b1〜b5に分割し、各ビーム部
b1〜b5に関してそれぞれ集光レンズ系（L1〜L5）と、さ
らにフィルタF1〜F5とを設けて、それぞれ第５図で示し
たエネルギー密度分布を有し、それぞれｙ方向ステップ
ピッチｐより小なる幅Ｗのレーザ部b1〜b5を形成する。
この場合、中央のレーザビーム部b1のエネルギー密度E
D1を前述した非晶質化のしきい値EDth以上の前記（１）
式の条件に選定し、他のレーザビーム部b2〜b5に関して
はこのしきい値EDth以下のエネルギー密度に選定する。
そしてこの場合第１のレーザビーム部b1に対してｙ方向
ステップに関して前方側でエネルギー密度が順次階段的
に第１のレーザビーム部b1に向って増加する分布とし、
その反対側すなわちステップ走査の方向ｙの後方におい
て順次後方側に向ってエネルギー密度が低下する分布と
し、特にビーム部b2及びb3について前記条件（２）及び
（３）に設定する。この場合、第１のレーザビーム部b1
よりその前方側に位置するレーザビームに関しては、半
導体薄膜（１）の各位置において順次エネルギー密度が
大きくなるビーム部b4,b2が照射されて薄膜（１）中の
揮発性物質が漸次おだやかに揮発し得るようにそのエネ
ルギー密度の選定がなされる。そして同時に薄膜（１）
の各位置においてビーム部b1の照射によって一旦第３図
で説明した領域IIの相を形成し、ビーム部b1より後方側
におてビーム部b3が非晶質化しきい値EDth以下ではある
もののこれに近いエネルギー密度に選定され、再びこの
レーザビーム部b3の照射によって第３図で説明した領域
Ｉを得る。図示の例では、第１のビーム部b1を中心に対
称的にそのエネルギー密度の選定をした場合である。ま
た、これらエネルギー密度の分布は、前述したフィルタ
F1〜F5の透過率の選定によって形成し得る。
また、ビームスポットＳは、第２図Ｃに示すように、
各ビーム部b1〜b5に関してｘ方向についても、フィルタ
F1〜F5の各透過分布を適当に選定することによって、走
査方向ｘの前方から中央部に向ってそのエネルギー密度
が漸次増加し、これより後方に向って漸次エネルギー密
度が低められる階段的あるいは山型の分布となし得る。
この方法による場合、半導体薄膜（１）中に揮発性物質
が存在する場合において、その急激な揮発をよりゆるや
かに揮発させることから、より膜質に優れた結晶化がな
される。
上述の本発明方法によれば、第１のビーム部b1の走査
によって一旦非晶質化されて後、第３のビームb3によっ
て非晶質化のしきい値エネルギー密度EDth以下でしかも
これに近い高いエネルギー密度ED3を与えるので、第４
図で説明したように、より電気的特性に優れた半導体薄
膜の結晶化を行うことができる。
第７図Ａ及びＢは、それぞれａ−Si:H薄膜（１）の厚
さｔを変えて本発明方法を実施したときの表面側からと
裏側（石英基板（11）側）からの光反射スペクトルで、
波長275nmに結晶SiのE2ピークが現れていて薄膜（１）
が結晶化されていることがわかる。第７図Ｂの裏側から
の光反射スペクトルではｔ＞70nmでE2ピークが現われな
いことから薄膜（１）と基板（11）の界面に非晶質層が
残っていることがわかる。云い換えればｔ70nmでは全
体が結晶化できることがわかる。
尚、第２図Ｃ及び第５図ではエネルギー密度を中央を
中心に対称的パターンとした場合であるが、上述の条件
下で非対称とすることもできる。
また本発明方法は、水素を含むSi,Geに限らず水素を
殆ど含まないSi,Ge、または他の半導体薄膜に対する結
晶化に適用することもできるものである。
〔発明の効果〕
上述したように本発明方法によれば、照射レーザエネ
ルギー密度の分布をステップ走査方向ｙについて階段的
にかつ特定したことによって確実に電気的特性の良好な
結晶化された半導体薄膜を再現性よく得ることができる
ものであり、またその分布を中央に向って大としたこと
によってｘ方向の走査線に多少の移動、すなわち“ゆら
ぎ”が生じても結晶化の阻害を回避できる。
このように本発明によれば、半導体薄膜に対しすぐれ
た結晶化を行うことができることから、この薄膜を用い
て薄膜トランジスタ素子等の各種特性に優れた半導体素
子を形成でき、各種集積回路等の半導体装置の製造に適
用してその利益は大である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明方法の実施態様の一例を示す略線的斜視
図、第２図Ａ〜Ｃはそのレーザスポットとエネルギー密
度分布を示す図、第３図は半導体薄膜のレーザ照射によ
る溶融後の相図、第４図は半導体薄膜の電気的特性と照
射エネルギー密度との関係を示す曲線図、第５図は照射
レーザスポットとエネルギー密度の分布の他の例の分布
図、第６図はその分布を得る手段の一例の構成図、第７
図Ａ及びＢは反射スペクトル図である。 （１）は半導体薄膜、（２）はパルスレーザ、Ｓはレー
ザビームスポットである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 碓井 節夫 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−177422（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/20

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体薄膜に対しパルスレーザを照射して
    半導体薄膜の結晶化を行う溶融法による半導体薄膜の結
    晶化方法において、 上記半導体薄膜に対するパルスレーザの照射を第１の方
    向に対する走査とこれと直交する第２の方向に関するス
    テップ走査とによって行い、 上記パルスレーザは、上記半導体薄膜におけるスポット
    の上記第２の方向に関するエネルギー密度分布が、それ
    ぞれ上記ステップ走査のステップピッチより小なる幅で
    中心部から両側に向って小となる複数の段階的分布の各
    段階部を形成する複数のレーザビーム部より成り、 上記中心部の第１のレーザビーム部のエネルギー密度E
    D1は、上記半導体薄膜を非晶質化するレーザエネルギー
    密度のしきい値EDth以上で、半導体が粗面化されるエネ
    ルギー密度ERより小なるエネルギー密度に選定され、 上記第１のレーザビーム部より上記ステップ走査方向の
    前方側の第２のレーザビーム部のエネルギー密度E
    D2は、上記半導体薄膜を溶融化するエネルギー密度EDM
    より小さいエネルギー密度を有し、 上記第１のレーザビーム部より上記ステップ走査方向の
    後方側の第３のレーザビーム部のエネルギー密度E
    D3は、上記溶融化エネルギー密度EDM以上で上記しきい
    値EDthより低く、かつこれにできるだけ近い値に選定さ
    れて成ることを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。
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