JPH08161781A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 初期化磁界を用いる事なくオーバーライトが
できる光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 垂直磁化膜からなるメモリ層と、メモリ層上
に形成され垂直磁化を示す書き込み層と、書き込み層上
に形成され垂直磁化膜からなる初期化層を有し、室温を
Ｔ_ROOM、メモリ層のキュリー温度をＴ_CM、書き込み層の
キュリー温度をＴ_CW、初期化層のキュリー温度をＴ_CIと
し、温度Ｔ_I、Ｔ_L、Ｔ_H、が、 Ｔ_ROOM＜Ｔ_I＜Ｔ_L＜Ｔ_CM＜Ｔ_H＜Ｔ_CW,Ｔ_CI の関係を満たす時、外部磁界Ｈ_Bを印加した状態で、温
度Ｔ_ROOMから温度Ｔ_Hの範囲で初期化層の磁化の向きは
一定であり、温度Ｔ_Iで書き込み層の磁化の向きが外部
磁界Ｈ_Bの方向を向き、温度Ｔ_Lでメモリ層に書き込み層
の磁化が転写し、温度Ｔ_Hで書き込み層に初期化層の磁
化が転写する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録装置に適用
される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード等
の光磁気記録媒体および、光磁気記録媒体の記録再生方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光磁気ディスク等の光磁気メモリ
素子は、情報の書き換え可能な高密度かつ大容量のメモ
リ素子として注目されている。中でも、情報の書き換え
に際して情報の消去を必要とせず、両面記録対応やマル
チビーム化が容易とされる光変調オーバーライトが可能
な光磁気メモリ素子の必要性は年々高まっている。

【０００３】上記光磁気メモリ素子としては、Ｊｐｎ．
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．２６（１９８７）
Ｓｕｐｐｌ．ｐ１５５−１５９に記載されているよう
に、垂直磁化膜からなる記録層および補助層を有する光
磁気記録媒体が提案されている。図１４にその構成図を
示す。記録層２１は、高い保磁力と低いキュリー温度を
有し、情報の保持および読みだしを行うもので、補助層
２２は、記録層２１よりも低い保磁力と高いキュリー点
を有し、記録層２１に情報を転写してオーバーライトを
行うものである。そして、記録層２１と補助層２２との
間に働く交換結合力を利用することにより、情報の記録
あるいは消去が行われる。なお、この場合には、情報の
記録に先立って初期化磁界２３（Ｈ_INIT）を用いて補助
層２２の磁化の向きを一方向に揃え、補助層２２の初期
化を行う必要がある。また、光ビーム照射部には記録磁
界２４（Ｈ_W）が必要であり、したがって、２個の磁界
印加手段が用いられている。

【０００４】上記初期化磁界を用いる方式による光変調
オーバーライトでは、例えば図１５に示すように、高レ
ベルパワーＰ_Hと低レベルパワーＰ_Lとに切り換えながら
重ね書きによる情報の書き換えが行われる。

【０００５】まず、高レベルパワーＰ_Hのレーザ光が照
射された場合には、光磁気記録媒体の温度は補助層２２
のキュリー温度（Ｔ_C22）付近まで上昇し、補助層２２
の磁化の向きが記録磁界Ｈ_Wによって反転する。また、
レーザスポットが外れ記録層２１のキュリー温度（Ｔ
_C21）付近まで冷却すると、記録層２１と補助層２２と
の界面に作用する交換力によって記録層２１の磁化の向
きが補助層２２の磁化の向きと一致する。

【０００６】一方、低レベルパワーＰ_Lのレーザ光が照
射された場合には、光磁気メモリ素子の温度は記録層２
１のキュリー温度（Ｔ_C21）付近までしか上昇せず、補
助層２２の磁化の向きは記録磁場Ｈ_Wの影響で反転する
ことはないが、記録層２１の磁化の向きと補助層２２の
磁化の向きとが一致していない場合には、補助層２２の
磁化の向きと一致するように記録層２１の磁化が反転す
る。

【０００７】また、再生時には、記録時よりも低い強度
（再生レベルパワーＰ_R）のレーザ光を照射し、磁気光
学効果を利用して光磁気メモリ素子に記録された情報の
再生が行われるようになっている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記の光変調オーバー
ライト方式では、初期化磁界と記録磁界の２つの磁界を
印加する必要があり、そのため２個の磁界印加手段を設
ける必要がある。特に初期化磁界においては４００〜５
００ｋＡ／ｍ程度の大きな磁界が必要なため初期化用の
磁石を大きくする必要があり、装置の小型・薄型化の妨
げとなったり、従来のノンオーバーライト媒体との互換
性がとれない等の問題点がある。本発明はこれらの問題
点に鑑み、初期化磁界を必要としない光磁気記録媒体を
提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記問題点に鑑み、本発
明の光磁気記録媒体の第１の構成は、垂直磁化膜からな
るメモリ層と、メモリ層上に形成され垂直磁化を示す書
き込み層と、書き込み層上に形成され垂直磁化膜からな
る初期化層を有し、室温をＴ_ROOM、メモリ層のキュリー
温度をＴ_CM、書き込み層のキュリー温度をＴ_CW、初期化
層のキュリー温度をＴ_CIとし、温度Ｔ_I、Ｔ_L、Ｔ_H、
が、 Ｔ_ROOM＜Ｔ_I＜Ｔ_L＜Ｔ_CM＜Ｔ_H＜Ｔ_CW,Ｔ_CI の関係を満たす時、外部磁界Ｈ_Bを印加した状態で、温
度Ｔ_ROOMから温度Ｔ_Hの範囲で初期化層の磁化の向きは
一定であり、温度Ｔ_Iで書き込み層の磁化の向きが外部
磁界Ｈ_Bの方向を向き、温度Ｔ_Lでメモリ層に書き込み層
の磁化が転写し、温度Ｔ_Hで書き込み層に初期化層の磁
化が転写することを特徴とする。

【００１０】また、上記問題点に鑑み、本発明の光磁気
記録媒体の第２の構成は、垂直磁化膜からなる読み出し
層と、読み出し層上に形成され垂直磁化膜からなるメモ
リ層と、メモリ層上に形成され垂直磁化を示す書き込み
層と、書き込み層上に形成され垂直磁化膜からなる初期
化層を有し、室温をＴ_ROOM、読み出し層のキュリー温度
をＴ_CR、メモリ層のキュリー温度をＴ_CM、書き込み層の
キュリー温度をＴ_CW、初期化層のキュリー温度をＴ_CIと
し、Ｔ_CM＜Ｔ_CRの関係にあり、温度Ｔ_I、Ｔ_R、Ｔ_L、
Ｔ_H、が、 Ｔ_ROOM＜Ｔ_I,Ｔ_R＜Ｔ_L＜Ｔ_CM＜Ｔ_H＜Ｔ_CW,Ｔ_CI の関係を満たす時、外部磁界Ｈ_Bを印加した状態で、温
度Ｔ_ROOMから温度Ｔ_Hの範囲で初期化層の磁化の向きは
一定であり、温度Ｔ_Iで書き込み層の磁化の向きが外部
磁界Ｈ_Bの方向を向き、温度Ｔ_Lでメモリ層に書き込み層
の磁化が転写し、温度Ｔ_Hで書き込み層に初期化層の磁
化が転写し、温度Ｔ_Rで読み出し層にメモリ層の磁化が
転写することを特徴とする。

【００１１】また、上記問題点に鑑み、本発明の光磁気
記録媒体の第３の構成は、室温で面内磁気異方性が優位
な面内磁化を示し、温度上昇に伴い垂直磁気異方性が優
位な垂直磁化に移行する読み出し層と、読み出し層上に
形成され垂直磁化膜からなるメモリ層と、メモリ層上に
形成され垂直磁化からなる書き込み層と、書き込み層上
に形成され垂直磁化膜からなる初期化層を有し、室温を
Ｔ_ROOM、読み出し層が面内磁化から垂直磁化に移行する
温度をＴ_PR、メモリ層のキュリー温度をＴ_CM、書き込み
層のキュリー温度をＴ_CW、初期化層のキュリー温度をＴ
_CIとし、温度Ｔ_I、Ｔ_R、Ｔ_L、Ｔ_H、が、 Ｔ_ROOM＜Ｔ_PR＜Ｔ_I,Ｔ_R＜Ｔ_L＜Ｔ_CM＜Ｔ_H＜Ｔ_CW,Ｔ_CI の関係を満たす時、外部磁界Ｈ_Bを印加した状態で、温
度Ｔ_ROOMから温度Ｔ_Hの範囲で初期化層の磁化の向きは
一定であり、温度Ｔ_Iで書き込み層の磁化の向きが外部
磁界Ｈ_Bの方向を向き、温度Ｔ_Lでメモリ層に書き込み層
の磁化が転写し、温度Ｔ_Hで書き込み層に初期化層の磁
化が転写し、温度Ｔ_Rで読み出し層にメモリ層の磁化が
転写することを特徴とする。

【００１２】

【作用】請求項１の構成によれば、簡単な膜構成で、初
期化磁界を用いる事なくオーバーライトができるので、
装置の小型・薄型化が可能となる。

【００１３】請求項２の構成によれば、請求項１の作用
に加え、キュリー温度の高い読み出し層を用いているの
で、再生信号品質の高い光磁気記録媒体を提供できる。

【００１４】請求項３の構成によれば、請求項１の作用
に加え、室温で面内磁気異方性が優位な面内磁化を示
し、温度上昇に伴い垂直磁気異方性が優位な垂直磁化に
移行する読み出し層を用いているので、従来よりも小さ
い記録ビットの再生を行うことが可能になる。

【００１５】

【実施例】本発明の第１の実施例について図１及び図２
を用いて説明を行う。

【００１６】本実施例の光磁気ディスクは、図１に示す
ように透明基板１、透明誘電体層２、メモリ層３、書き
込み層４、初期化層５、保護層６、オーバーコート層７
がこの順に積層されている。

【００１７】透明基板１は直径８６ｍｍ、内径１５ｍ
ｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のガラス基板で、図示して
いないが片側の表面には光ビーム案内用の凹凸状のガイ
ドトラックが形成されている。このガイドトラックは、
反応性イオンエッチング法によりガラス表面に直接形成
される。この透明基板１のガイドトラックがある面側に
透明誘電体層２としてＡｌＮが厚さ８０ｎｍで形成され
ている。

【００１８】透明誘電体層２上には、本発明に係るメモ
リ層３として希土類遷移金属合金薄膜であるＤｙＦｅＣ
ｏが厚さ４０ｎｍで形成されている。ＤｙＦｅＣｏの組
成はＤｙ_0.21（Ｆｅ_0.81Ｃｏ_0.19）_0.79で、そのキュリ
ー温度は約１８０℃である。室温で遷移金属の磁気モー
メントが希土類金属に比べ大きくなっており（遷移金属
リッチ）、保磁力は１２００ｋＡ／ｍ程度に設定してい
る。

【００１９】このメモリ層３上に、本発明に係る書き込
み層４として希土類遷移金属合金薄膜であるＧｄＦｅＣ
ｏが厚さ３０ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組
成はＧｄ_0.21（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_0.79で、そのキュリ
ー温度は約２５０℃である。室温で希土類金属の磁気モ
ーメントが遷移金属に比べ大きくなっており（希土類金
属リッチ）、補償温度は約１４０℃である。

【００２０】この書き込み層４上に、さらに本発明に係
る初期化層５として希土類遷移金属合金薄膜であるＤｙ
ＦｅＣｏが厚さ５０ｎｍで形成されている。ＤｙＦｅＣ
ｏの組成はＤｙ₀.₂₃（Ｆｅ_0.30Ｃｏ_0.70）_0.77で、その
キュリー温度は約３５０℃である。室温で希土類金属の
磁気モーメントが遷移金属に比べ大きくなっており（希
土類金属リッチ）、補償温度は約２００℃である。保磁
力は６５０ｋＡ／ｍ程度に設定している。

【００２１】初期化層５上には保護層６としてＡｌＮが
厚さ２０ｎｍで形成され、保護層６上にはオーバーコー
ト層７としてポリウレタンアクリレート系の紫外線硬化
型樹脂が厚さ５μｍで形成されている。

【００２２】透明誘電体層２、メモリ層３、書き込み層
４、初期化層５及び保護層６は、いずれもスパッタ法に
より同じスパッタ装置内で真空を破らずに形成し、特に
透明誘電体層２及び保護層６のＡｌＮの形成は、Ａｌタ
ーゲットをＮ₂ガス雰囲気中でスパッタする反応性スパ
ッタ法により行った。

【００２３】メモリ層３、書き込み層４及び初期化層５
は、ＦｅＣｏ合金ターゲット上にＧｄあるいはＤｙのチ
ップを並べたいわゆる複合ターゲット、もしくはＧｄＦ
ｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ及びＧｄＤｙＦｅＣｏの合金ター
ゲットを用いてＡｒガスでスパッタすることにより形成
した。オーバーコート層７はスピンコーターにより樹脂
を塗布した後、紫外線照射装置で紫外線を当て硬化させ
ることで形成した。

【００２４】メモリ層３の材料は、希土類遷移金属合金
の垂直磁化膜で室温で遷移金属リッチを示し、室温での
保磁力を高くする必要があり２００ｋＡ／ｍ以上のもの
が好ましい。また、キュリー温度は１５０〜２００℃程
度のものが好ましい。上記実施例ではメモリ層３として
ＤｙＦｅＣｏを用いたが、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦ
ｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ、ＴｂＦｅ、ＴｂＣｏも好適である。

【００２５】また、これらの材料にＮｄ、Ｐｔ、Ｐｒ、
Ｐｄのうち少なくとも１種類の元素を微量添加すること
で、読み出し層として要求される特性をほとんど損なわ
ずに短波長での極カー回転角を増加させることができ、
短波長レーザを用いた場合でも高品質は再生信号が得ら
れる光磁気ディスクを提供できる。

【００２６】メモリ層３の膜厚は、書き込み層４の材
料、組成、膜厚との兼ね合いで決まるものであるが、２
０ｎｍ程度以上で６０ｎｍ以下が好適である。

【００２７】書き込み層４の材料は、希土類遷移金属合
金の垂直磁化膜で室温で希土類金属リッチであり、補償
温度の有無はどちらでもかまわない。また、キューリー
温度は２００℃〜３５０℃程度のものが好ましい。上記
実施例では書き込み層４としてＧｄＦｅＣｏを用いた
が、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｂＦｅ、ＴｂＣｏも
好適である。また、書き込み層４の膜厚はメモリ層３と
初期化層５の材料、組成、膜厚との兼ね合いで決まるも
のであるが、２０ｎｍ程度以上で５０ｎｍ以下が好適で
ある。

【００２８】初期化層５の材料は、希土類遷移金属合金
の垂直磁化膜で室温で希土類金属リッチであり、補償温
度の有無はどちらでもかまわない。また、キュリー温度
は３５０℃程度のものが好ましい。上記実施例では初期
化層５としてＤｙＦｅＣｏを用いたが、ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＴｂＣｏ
も好適である。また、初期化層５の膜厚は、書き込み層
４の材料、組成、膜厚との兼ね合いで決まるものである
が、２０ｎｍ程度以上で１００ｎｍ以下が好適である。

【００２９】上記メモリ層３、書き込み層４もしくは初
期化層５の材料に、微量のＣｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｂ
ｅ、Ｎｉのうち少なくとも１種類の元素を添加すること
で、耐環境性が向上する。すなわち、水分、酸素侵入に
よる材料の酸化による特性の劣化を少なくし、長期信頼
性に優れた光磁気ディスクを提供できる。

【００３０】上記実施例において、透明誘電体層２のＡ
ｌＮの膜厚は、８０ｎｍに限定されるものではない。透
明誘電体層２の膜厚は、光磁気ディスク再生時のメモリ
層３からの極カー回転角を光の干渉効果を利用して増大
させる、いわゆるカー効果エンハンスメントを考慮して
決定される。再生時の信号品質（Ｃ／Ｎ）をできるだけ
大きくさせるには極カー回転角を大きくさせることが必
要であり、このため透明誘電体層２の膜厚は極カー回転
角が最も大きくなるように設定される。この膜厚は再生
光の波長、透明誘電体層２の屈折率により変化する。上
記実施例の場合は、７８０ｎｍの再生光波長に対して屈
折率２．０のＡｌＮを用いているので、透明誘電体層２
のＡｌＮの膜厚を３０〜１２０ｎｍ程度にするとカー効
果エンハンスメントの効果が大きくなる。 尚、好まし
くは透明誘電体層２のＡｌＮの膜厚は７０〜１００ｎｍ
であり、この範囲であれば極カー回転角がほぼ最大にな
る。透明誘電体層２の屈折率が大きいほどその膜厚は少
なくて済み、また屈折率が大きいほど極カー回転角のエ
ンハンスメント効果も大きくなる。ＡｌＮは、スパッタ
時のスパッタガスであるＡｒとＮ₂の比率、ガス圧力等
を変えることによりその屈折率が変わるが、おおむね
１．８〜２．１程度と比較的屈折率が大きな材料である
ため透明誘電体層２の材料として好適である。

【００３１】透明誘電体層２はまた、上記説明のような
カー効果エンハンスメントに加えて保護層６とともにメ
モリ層３、書き込み層４及び初期化層５の希土類遷移金
属合金磁性層の酸化を防止する役割を持つ。希土類遷移
金属からなる磁性膜は非常に酸化されやすく、希土類は
特に酸化されやすい。このため外部からの酸素、水分侵
入を極力防止しなければ酸化によりその特性が著しく劣
化してしまう。本実施例においてはメモリ層３、書き込
み層４及び初期化層５の両側をＡｌＮで挟み込む形の構
成を取っている。ＡｌＮは、その成分に酸素を含まない
窒化膜であり、非常に耐湿性に優れた材料である。

【００３２】さらにＡｌＮは、屈折率が２前後と比較的
大きくかつ透明であり、酸素をその成分に含まないの
で、長期安定性に優れた光磁気ディスクを提供できる。
加えてＡｌターゲットを用いてＮ₂ガス、もしくはＡｒ
とＮ₂の混合ガスを導入して反応性ＤＣ（直流電源）ス
パッタリングを行うことが可能であり、ＲＦ(高周波)ス
パッタに比べて成膜速度が大きい点でも有利である。Ａ
ｌＮ以外の透明誘電体層としては、ＳｉＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＡｌＴａＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、Ｂ
Ｎ、ＺｎＳ、ＴｉＯ₂、ＢａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃等が
好適である。

【００３３】保護層６の膜厚は本実施例では２０ｎｍと
したが、これに限定されるものではない。保護層６の膜
厚の範囲としては１〜２００ｎｍが好適である。本実施
例においては、メモリ層３、書き込み層４及び初期化層
５の磁性層を合わせた膜厚は１２０ｎｍであり、この膜
厚になると光ピックアップから入射された光はほとんど
磁性層を透過しない。従って、保護層６の膜厚に特に制
限は無く、磁性層の酸化を長期に渡って防止するのに必
要な膜厚であれば良い。酸化防止能力が低い材料であれ
ば膜厚を厚く、高ければ薄くすれば良い。

【００３４】保護層６は、透明誘電体層２とともにその
熱伝導率が光磁気ディスクの記録感度特性に影響を及ぼ
す。記録感度特性とは、記録あるいは消去に必要なレー
ザパワーがどの程度必要かを意味する。光磁気ディスク
に入射された光はそのほとんどが透明誘電体層２を通過
し、吸収膜である磁性層３、４、５に吸収されて熱に変
わる。このとき磁性層の熱が透明誘電体層２、保護層６
に熱伝導により移動する。従って、透明誘電体層２、保
護層６の熱伝導率および熱容量(比熱)が記録感度に影響
を及ぼす。このことは、光磁気ディスクの記録感度を保
護層６の膜厚である程度制御できるということを意味
し、例えば記録感度を上げる（低いレーザパワーで記録
消去が行える）目的であれば保護層６の膜厚を薄くすれ
ば良い。通常はレーザ寿命を延ばすため、記録感度はあ
る程度高い方が有利であり、保護層６の膜厚は薄い方が
良い。ＡｌＮはこの意味でも好適で、耐湿性に優れるの
で保護層６として用いた場合膜厚を薄くすることがで
き、記録感度の高い光磁気ディスクを提供することがで
きる。

【００３５】本実施例では保護層６も同じＡｌＮで形成
している。保護層６を透明誘電体層２と同じＡｌＮとす
ることで耐湿性に優れた光磁気ディスクを提供でき、か
つ同じ材料で形成することで生産性も向上させることが
できる。ＡｌＮは前述の通り非常に耐湿性に優れた材料
であるので、比較的薄い膜厚である２０ｎｍに設定する
ことができる。生産性を考慮しても薄いほうが有利であ
る。

【００３６】また、保護層６の材料としては、ＡｌＮ以
外に前述の目的、効果を考慮すれば上述の透明誘電体層
２の材料として用いられるＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴ
ａＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、Ｚｎ
Ｓ、ＴｉＯ₂、ＢａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃が好適であ
る。特に透明誘電体層２と同じ材料を用いれば生産性の
点で有利である。

【００３７】本発明においては、実施例に示したガラス
基板１以外に化学強化されたガラスやこれらのガラス基
板上に紫外線硬化型樹脂層を形成した、いわゆる２Ｐ層
付きガラス基板、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチ
ルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレ
フィン（ＡＰＯ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ塩化ビ
フェニール（ＰＶＣ）、エポキシ等の基板１を使用する
ことが可能である。

【００３８】基板１に化学強化されたガラスを採用した
場合、機械特性（光磁気ディスクの場合、面振れ、偏
心、反り、傾き等）に優れていること、硬度が大きく砂
や埃により傷が付きにくいこと、化学的に安定なため各
種溶剤に溶けないこと、プラスチックに比べ帯電しにく
いので埃や塵が付着しにくいこと、化学的に強化されて
いるので割れにくいこと、耐湿性、耐酸化性、耐熱性に
優れているので光磁気記録媒体の長期信頼性が向上する
こと、光学特性に優れており高い信号品質が得られるこ
と等が利点として挙げられる。

【００３９】なお基板として上記のガラス、化学強化ガ
ラスを用いた場合、光ビーム案内用のガイドトラック及
びアドレス信号等の情報を得るために予め基板に形成さ
れるプリピットと呼ばれる凹凸信号を基板上に形成する
方法としては、これらガラス基板表面を反応性ドライエ
ッチングすることにより形成される。また、２Ｐ層と呼
ばれる紫外線硬化型樹脂をガラス基板上に塗布した後、
スタンパと呼ばれる型をこの樹脂層に押し付け、紫外線
を照射して樹脂を硬化させた後、スタンパをはがして樹
脂層上に上記のガイドトラック、プリピット等を形成す
る方法がある。基板１にＰＣを採用した場合射出成型が
できるため、同一の基板を大量にかつ安価に供給できる
こと、他のプラスチックに比べ吸水率が低いので光磁気
記録媒体の長期信頼性が向上すること、耐熱性、耐衝撃
性に優れていること等が利点として挙げられる。なお、
この材料も含め以下に述べる射出成型が可能な材料につ
いては、ガイドトラック、プリピット等は射出成型時に
スタンパを成型金型表面に取り付けておけば成型と同時
に基板表面に形成される。

【００４０】次に、上記構成における記録動作について
図２を用いて説明する。図２中の横軸は温度を示し、白
抜きの矢印が各層の遷移金属の副格子の磁化の向きを示
している。

【００４１】本発明による光変調オーバーライトでは、
図１５に示すように、高レベルパワーＰ_Hと低レベルパ
ワーＰ_Lとに切り換えながら、重ね書きによる情報の書
き換えが行われる。すなわち、高レベルパワーＰ_Hのレ
ーザ光を照射することにより、光磁気記録媒体の温度は
書き込み層４のキュリー温度（Ｔ_c4）付近まで上昇し
（Ｔ_H）、書き込み層４の磁化の向きが、書き込み層４
と初期化層５の界面に作用する交換力によって反転する
［キ］。レーザスポットが外れ、メモリ層３のキュリー
温度（Ｔ_c3）付近まで冷却されると（Ｔ_L）、メモリ層
３と書き込み層４の界面に作用する交換力によって、メ
モリ層３の磁化の向きが書き込み層４の磁化の向きと一
致する［ク］。さらに冷却され温度が下がると
（Ｔ_I）、書き込み層４の磁化の向きが外部磁界Ｈ_Bによ
り反転し［ケ］、室温まで冷却されると状態２となる。

【００４２】一方、低レベルパワーＰ_Lのレーザ光が照
射された場合には、温度上昇時に（Ｔ_I）書き込み層４
の磁化の向きは外部磁界Ｈ_Bの方向に向く［ア、ウ］。
光磁気メモリ素子の温度は、メモリ層３のキュリー温度
（Ｔ_c3）付近までしか上昇せず（Ｔ_L）、メモリ層３と
書き込み層４の界面に作用する交換力によって、メモリ
層３の磁化の向きが書き込み層４の磁化の向きと一致す
る［イ、エ］。レーザスポットが外れ室温まで冷却され
ると状態１となる。

【００４３】このように前状態にかかわらず、高レベル
パワー照射により状態２に、低レベルパワー照射により
状態１となり、オーバーライトが行われることになる。

【００４４】次に、上記動作が行われるための各磁性層
の磁気特性の条件を示す。

【００４５】メモリ層３が室温近傍で書き込み層４から
の交換力により反転せず、記録を保持するためには、室
温近傍で、

【００４６】

【数１】

【００４７】を満たす必要がある。

【００４８】メモリ層３のキュリー温度（Ｔ_c3）付近温
度（Ｔ_L）で書き込み層４からメモリ層３に情報が転写
するためには、温度Ｔ_Lで、

【００４９】

【数２】

【００５０】を満たす必要がある。

【００５１】書き込み層４が温度Ｔ_Iで外部磁界Ｈ_Bの方
向に向くためには、温度Ｔ_Iで、

【００５２】

【数３】

【００５３】を満たす必要がある。

【００５４】メモリ層３のキュリー温度（Ｔ_c3）付近温
度（Ｔ_L）で書き込み層４が転写しないためには、温度
Ｔ_L近傍で、

【００５５】

【数４】

【００５６】を満たす必要がある。

【００５７】書き込み層４のキュリー温度（Ｔ_c4）付近
温度（Ｔ_H）で初期化層５から書き込み層４に情報が転
写するためには、温度Ｔ_Hで、

【００５８】

【数５】

【００５９】を満たす必要がある。

【００６０】初期化層５が全温度領域で反転しないため
には、全温度で、

【００６１】

【数６】

【００６２】を満たす必要がある。

【００６３】ただし、Ｈ_C3、Ｈ_C4、Ｈ_C5は、メモリ層
３、書き込み層４、初期化層５の保磁力、Ｍ_S3、Ｍ_S4、
Ｍ_S5は、メモリ層３、書き込み層４、初期化層５の飽和
磁化、ｔ₃、ｔ₄、ｔ₅は、メモリ層３、書き込み層４、
初期化層５の膜厚、σ₃₄、σ₄₅は、メモリ層３と書き込
み層４、書き込み層４と初期化層５の界面磁壁エネルギ
ーである。

【００６４】上記（１）〜（６）の条件を満足すること
により、オーバーライトが可能となる。なお、再生時に
は記録時よりも低い強度（再生レベルパワーＰ_R）のレ
ーザ光を照射し、磁気光学効果を利用して光磁気メモリ
素子に記録された情報の再生が行われるようになってい
る。

【００６５】本発明の第２の実施例について図３に基づ
いて説明すれば以下の通りである。本実施例の光磁気デ
ィスクは図３に示すように、透明基板１、透明誘電体層
２、読み出し層８、メモリ層３、書き込み層４、初期化
層５、保護層６、オーバーコート層７がこの順に積層さ
れた構成を有している。透明基板１、透明誘電体層２、
メモリ層３、書き込み層４、初期化層５、保護層６、オ
ーバーコート層７は第１の実施例と同じものである。

【００６６】透明誘電体層２上に本発明に係る読み出し
層８として、希土類遷移金属合金薄膜であるＧｄＦｅＣ
ｏが厚さ２５ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組
成は、Ｇｄ_0.21（Ｆｅ_0.63Ｃｏ_0.37）_0.79で、そのキュ
リー温度は約３００℃である。室温で希土類金属の磁気
モーメントが遷移金属に比べ大きくなっており（希土類
金属リッチ）、補償温度は約１６０℃である。

【００６７】読み出し層８の材料は、希土類遷移金属合
金の垂直磁化膜で、室温で遷移金属リッチと希土類金属
リッチのどちらでもよく、補償温度の有無もどちらでも
かまわない。キュリー温度はメモリ層３よりも高く設定
しており、２００〜３５０℃程度のものが好ましい。

【００６８】上記実施例では読み出し層８としてＧｄＦ
ｅＣｏを用いたが、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅ、Ｇｄ
ＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＣｏも好適である。

【００６９】また、これらの材料に、Ｎｄ、Ｐｔ、Ｐ
ｒ、Ｐｄのうち少なくとも１種類の元素を微量添加する
ことで、読み出し層として要求される特性をほとんど損
なわずに短波長での極カー回転角を増加させることがで
き、短波長レーザを用いた場合でも高品質は再生信号が
得られる光磁気ディスクを提供できる。

【００７０】また、微量のＣｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｂ
ｅ、Ｎｉのうち少なくとも１種類の元素を添加すること
で耐環境性が向上する。すなわち、水分、酸素侵入によ
る材料の酸化による特性の劣化を少なくし、長期信頼性
に優れた光磁気ディスクを提供できる。読み出し層８の
膜厚は、メモリ層３の材料、組成、膜厚との兼ね合いで
決まるものであるが、１０ｎｍ程度以上で４０ｎｍ以下
が好適である。

【００７１】上記構成において、記録動作については、
読み出し層８以外は第１の実施例と同じである。読み出
し層８は、室温からメモリ層３のキュリー温度（Ｔ
ｃ₃）近傍まで、メモリ層３の情報が交換結合力により
転写されるような磁気特性に設定する。

【００７２】再生時には記録時よりも低い強度（再生レ
ベルパワーＰ_R）のレーザ光を照射し、磁気光学効果を
利用して光磁気メモリ素子に記録された情報の再生が行
われる。再生信号はカー回転角の大きさに比例し、一般
にキュリー温度が高い程カー回転角は大きくなる。本実
施例では、メモリ層３に比べキュリー温度の高い読み出
し層８を形成しているためカー回転角が増大し、良好な
再生信号を得ることができる。

【００７３】本発明の第３の実施例について図４乃至図
１２に基づいて説明すれば以下の通りである。

【００７４】本実施例の光磁気ディスクは、図４に示す
ように、透明基板１、透明誘電体層２、読み出し層９、
メモリ層３、書き込み層４、初期化層５、保護層６、オ
ーバーコート層７がこの順に積層された構成を有してい
る。透明基板１、透明誘電体層２、メモリ層３、書き込
み層４、初期化層５、保護層６、オーバーコート層７は
第１の実施例と同じものである。

【００７５】透明誘電体層２上に本発明に係る読み出し
層９として、希土類遷移金属合金薄膜であるＧｄＦｅＣ
ｏが厚さ３０ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組
成はＧｄ_0.27（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_0.73で、そのキュリ
ー温度は約３００℃である。室温で希土類金属の磁気モ
ーメントが遷移金属に比べ大きくなっており（希土類金
属リッチ）、補償温度は約２４０℃である。

【００７６】上記読み出し層９として使用される希土類
遷移金属合金の磁気状態図は図５に示すようになり、垂
直磁化を示す組成範囲（図中、Ａで示す）は非常に狭
い。これは希土類金属と遷移金属の磁気モーメントがつ
りあう補償組成（図中、Ｐで示す）の近辺でしか垂直磁
化が現れないからである。

【００７７】ところで、希土類金属と遷移金属の磁気モ
ーメントはそれぞれの温度特性が異なり、高温では遷移
金属の磁気モーメントが希土類金属に比べて大きくな
る。このため、室温の補償組成よりも希土類金属の含有
量を多くしておき、室温では垂直磁化を示さずに面内磁
化を示すようにしておく。そして、光ビームが照射され
ることにより照射部位の温度が上昇すると、遷移金属の
磁気モーメントが相対的に大きくなって希土類金属の磁
気モーメントとつりあうようになり、垂直磁化を示すよ
うになる。

【００７８】図６乃至図９は、読み出し層９のヒステリ
シス特性の一例を示した図で、各図とも横軸が読み出し
層９の膜面に垂直方向に印加される外部磁界（Ｈex）、
縦軸が同じく膜面に垂直な方向から光を入射させた場合
の極カー回転角（θk）を示している。図６は、図５の
磁気状態図における組成Ｐ点の室温から温度Ｔ₁間のヒ
ステリシス特性を示し、同様に図７乃至図９は、それぞ
れ温度Ｔ₁から温度Ｔ₂のヒステリシス特性、温度Ｔ₂か
ら温度Ｔ₃のヒステリシス特性、及び温度Ｔ₃からキュリ
ー温度Ｔcのヒステリシス特性を示している。温度Ｔ₁か
ら温度Ｔ₃の温度範囲では、外部磁界に対して極カー回
転角の立ち上がりが急峻なヒステリシス特性を示すが、
それ以外の温度範囲では極カー回転角はほとんど０であ
る。

【００７９】読み出し層９の磁化の方向は、上記のメモ
リ層３との組み合わせにより室温ではほぼ面内にあり、
８０〜１２５℃程度の温度で面内方向から垂直方向に移
行する。読み出し層９のＧｄＦｅＣｏの組成は上記のＧ
ｄ_0.27（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_0.73に限定されるものでは
なく、室温でほぼ面内磁化を有し、室温以上の温度で面
内磁化から垂直磁化に移行するものであればよい。前述
の通り希土類遷移金属合金においては、希土類と遷移金
属の比率を変えれば希土類と遷移金属の磁化が釣り合う
補償温度が変わる。ＧｄＦｅＣｏはこの補償温度付近で
垂直磁化を示す材料系であることから、ＧｄとＦｅＣｏ
の比率を変えて補償温度を変えてやれば面内磁化から垂
直磁化に移行する温度もこれにつれて変わる。図１０
は、Ｇｄ_X（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_1-Xの系においてＸ、す
なわちＧｄの組成を変えた場合の補償温度及びキュリー
温度を調べた結果である。

【００８０】補償温度が室温（２５℃）以上にある組成
範囲は、同図から明らかなようにＸが０．１８以上であ
る。このうち好ましくは０．１９＜Ｘ＜０．２９の範囲
である。この範囲であれば、メモリ層、初期化層と積層
した実使用構成において面内から垂直方向に磁化の向き
が移行する温度が室温〜２００℃程度の範囲となる。こ
の温度があまり高すぎると、記録時の低レベルパワーが
高くなってしまうためパワーマージンが小さくなり、記
録信号品質が劣化する恐れがでてくる。

【００８１】次に、上記の系において、ＦｅとＣｏの比
率を変えた場合（Ｇｄ_X（Ｆｅ_1-YＣｏ_Y）_1-Xにおいて、
Ｙを変えた場合）の特性の変化について説明する。

【００８２】図１１は、Ｃｏが０の場合、すなわち、Ｇ
ｄ_XＦｅ_1-Xの特性を示す図である。同図において、例え
ば、Ｇｄ組成がＸ＝０．３の場合、補償温度は約１２０
℃、キュリー温度は約２００℃である。

【００８３】図１２は、Ｆｅが０の場合、すなわち、Ｇ
ｄ_XＣｏ_1-Xの特性を示す図である。同図において、Ｇｄ
組成がＸ＝０．３の場合、補償温度は約２２０℃、キュ
リー温度は約４００℃である。

【００８４】以上のことから、Ｇｄ組成が同じであって
も、Ｃｏ量が増えると、補償温度及びキュリー温度が上
昇することがわかる。図１１、１２より、（Ｇｄ_X（Ｆ
ｅ_1-YＣｏ_Y）_1-XにおけるＣｏ量Ｙの値は、０．１＜Ｙ
＜０．５の範囲が好ましい。

【００８５】上記のＧｄＦｅＣｏ読み出し層９の面内磁
化から垂直磁化に移行する温度等の特性は、メモリ層３
の組成、膜厚等の影響を受ける。これは、両層の間に磁
気的な交換結合力が働くためである。従って、メモリ層
３の材料、組成、膜厚により、読み出し層９の最適な組
成、膜厚が変わることは明らかである。

【００８６】以上の説明より、本発明の光磁気ディスク
の読み出し層９の材料としては、面内磁化から垂直磁化
への移行が急峻であるＧｄＦｅＣｏが最適であるが、以
下に述べる希土類遷移金属合金でも、同様の効果が得ら
れる。

【００８７】Ｇｄ_XＦｅ_1-Xは、図１１に示すような特性
を有しており、０．２４＜Ｘ＜０．３５の範囲で室温以
上に補償温度を有する。

【００８８】Ｇｄ_XＣｏ_1-Xは、図１２に示すような特性
を有しており、０．２０＜Ｘ＜０．３５の範囲で室温以
上に補償温度を有する。

【００８９】遷移金属としてＦｅＣｏ合金を用いたＧｄ
ＦｅＣｏ以外の材料として、Ｔｂ_X（Ｆｅ_YＣｏ_1-Y）_1-X
は、０．２０＜Ｘ＜０．３０（このとき、Ｆｅの組成比
Ｙは任意）の範囲で室温以上に補償温度を有する。

【００９０】Ｄｙ_X（Ｆｅ_YＣｏ_1-Y）_1-Xは、０．２４＜
Ｘ＜０．３３（このとき、Ｆｅの組成比Ｙは任意）の範
囲で室温以上に補償温度を有する。

【００９１】Ｈｏ_X（Ｆｅ_YＣｏ_1-Y）_1-Xは、０．２５＜
Ｘ＜０．４５（このとき、Ｆｅの組成比Ｙは任意）の範
囲で室温以上に補償温度を有する。

【００９２】また、これらの材料に、Ｎｄ、Ｐｔ、Ｐ
ｒ、Ｐｄのうち少なくとも１種類の元素を微量添加する
ことで、読み出し層として要求される特性をほとんど損
なわずに短波長での極カー回転角を増加させることがで
き、短波長レーザを用いた場合でも高品質は再生信号が
得られる光磁気ディスクを提供できる。

【００９３】また、微量のＣｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｂ
ｅ、Ｎｉのうち少なくとも１種類の元素を添加すること
で耐環境性が向上する。すなわち、水分、酸素侵入によ
る材料の酸化による特性の劣化を少なくし、長期信頼性
に優れた光磁気ディスクを提供できる。

【００９４】本実施例においては読み出し層９の膜厚を
３０ｎｍとしたが、膜厚はこれに限定されるものではな
い。情報の記録再生は読み出し層９からなされるが、読
み出し層９の膜厚が薄すぎるとメモリ層３の情報が透け
てしまう。すなわち、読み出し層９の面内磁化によるマ
スク効果が小さくなる。

【００９５】前述の通り、読み出し層９の磁気特性はメ
モリ層３の影響を受けるため、各々の材料、組成によっ
て読み出し層９の膜厚は変わってくるが、読み出し層９
の厚みとしては２０ｎｍ以上が必要である。また、３０
ｎｍ以上であればより好適であるが、あまり厚すぎると
メモリ層３の情報が転写されなくなるので６０ｎｍ程度
以下の膜厚が好適である。

【００９６】上記構成において、記録動作については、
読み出し層９以外は第１の実施例と同じである。再生時
には、記録時よりも低い強度（再生レベルパワーＰ_R）
のレーザ光を照射し、磁気光学効果を利用して光磁気メ
モリ素子に記録された情報の再生が行われる。

【００９７】上記の特性を備えた希土類遷移金属を読み
出し層９に使用することで、光磁気ディスクの記録密度
が高くなる。すなわち、光ビームの大きさよりも小さい
記録ビットの再生が可能になる。これについて図１３を
用い以下に説明する。

【００９８】再生動作時には基板１の側から集光レンズ
１１を介して再生光ビーム１２が読み出し層９に照射さ
れる。再生光ビーム１２が照射された読み出し層９の部
位はその中心部近傍が最も温度が上昇し、周辺の部位の
温度よりも高くなる。これは、再生光ビーム１２が集光
レンズ１１により回折限界まで絞り込まれているためそ
の光強度分布がガウス分布になり、光磁気ディスク上の
再生部位の温度分布もほぼガウス分布になるからであ
る。

【００９９】中心近傍の温度がＴ₁以上に達し、周辺部
位の温度がＴ₁以下になるように再生光ビーム１２の強
度が設定されている場合、Ｔ₁以上の温度を有する領域
のみを再生に関与させるので再生光ビーム１２の径より
も小さい記録ビットの再生が行うことができ、記録密度
は著しく向上することになる。

【０１００】つまり、Ｔ₁以上の温度を有する領域の磁
化は面内磁化から垂直磁化に移行する。この時、読み出
し層９及びメモリ層３の２層間の交換結合力により、メ
モリ層３の磁化の向きが読み出し層９に転写される。一
方、再生光ビーム１２の中心近傍に対応した領域以外の
周辺部位では温度がＴ₁以下であるため、面内磁化の状
態が保持される。この結果、膜面に垂直方向から照射さ
れた再生光ビーム１２に対しては極カー効果を示さな
い。

【０１０１】このようにして、温度上昇部位が面内磁化
から垂直磁化に移行すると再生光ビーム１２の中心近傍
のみが極カー効果を示すようになり、該部位からの反射
光に基づいてメモリ層３に記録された情報が再生され
る。

【０１０２】再生光ビーム１２が移動して（実際には光
磁気ディスクが回転して）次の記録ビットを再生する時
は、先の再生部位の温度はＴ₁以下に下がり垂直磁化か
ら面内磁化に移行する。これに伴い、この温度が低下し
た部位は極カー効果を示さなくなる。したがって、該温
度の低下した部位からは情報が再生されなくなり、雑音
の原因である隣接記録ビットからの信号混入がなくな
る。

【０１０３】以上のように、本発明の光磁気ディスクを
用いれば、再生光ビット１２の径よりも小さい記録ビッ
トの再生が確実に行え、隣接する記録ビットの影響を受
けないため記録密度を著しく高めることが可能である。

【０１０４】なお、以上の実施例では光磁気媒体を透明
誘電体膜で挟んだ構成を示したが、第２透明誘電体膜と
オーバーコート膜の間に反射膜を入れた構成、あるいは
第２透明誘電体膜の代わりに放熱層を設けた構成にする
こともできる。

【０１０５】また、上記実施例では光磁気記録媒体とし
て光磁気ディスクについて説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、光磁気テープ、光磁気カード
等にも適用できる。

【０１０６】

【発明の効果】請求項１の構成によれば、簡単な膜構成
で初期化磁界を用いる事なくオーバーライトができるの
で装置の小型・薄型化が可能となり、従来のノンオーバ
ーライト媒体と互換性をとることも可能となるという効
果を奏する。

【０１０７】請求項２の構成によれば、請求項１の構成
に加えてキュリー温度の高い読み出し層を用いているた
め、再生信号品質の高い光磁気記録媒体を提供できると
いう効果を奏する。

【０１０８】請求項３の構成によれば、請求項１の構成
に加えて室温で面内磁気異方性が優位な面内磁化を示
し、温度上昇に伴い垂直磁気異方性が優位な垂直磁化の
移行する読み出し層を用いているため、従来よりも小さ
い記録ビットの再生を行うことが可能になり、記録密度
が著しく向上するという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光磁気記録媒体の第１の実施例を
表す図である。

【図２】本発明による光磁気記録媒体の記録動作を説明
する図である。

【図３】本発明による光磁気記録媒体の第２の実施例を
表す図である。

【図４】本発明による光磁気記録媒体の第３の実施例を
表す図である。

【図５】本発明による光磁気記録媒体の第３の実施例の
読み出し層の磁気状態を表す図である。

【図６】室温から温度Ｔ₁において、図５の読み出し層
に印加される外部印加磁界と磁気カー回転角との関係を
示す図である。

【図７】温度Ｔ₁から温度Ｔ₂において、図５の読み出し
層に印加される外部印加磁界と磁気カー回転角との関係
を示す図である。

【図８】温度Ｔ₂から温度Ｔ₃において、図５の読み出し
層に印加される外部印加磁界と磁気カー回転角との関係
を示す図である。

【図９】温度Ｔ₃からキュリー温度Ｔ_Cにおいて、図５の
読み出し層に印加される外部印加磁界と磁気カー回転角
との関係を示す図である。

【図１０】Ｇｄ_X（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_1-Xのキュリー温
度（Ｔc）と補償温度（Ｔcomp）の組成依存性を示した
図である。

【図１１】Ｇｄ_XＦｅ_1-Xのキュリー温度（Ｔc）と補償
温度（Ｔcomp）の組成依存性を示した図である。

【図１２】Ｇｄ_XＣｏ_1-Xのキュリー温度（Ｔc）と補償
温度（Ｔcomp）の組成依存性を示した図である。

【図１３】本発明による光磁気記録媒体の第３の実施例
の再生動作を説明する図である。

【図１４】従来の光変調オーバーライト媒体の記録動作
を説明する図である。

【図１５】光変調オーバーライト方式での、記録時のレ
ーザの照射パワーを示す図である。

【符号の説明】

１ 透明基板 ２ 透明誘電体層 ３ メモリ層 ４ 書き込み層 ５ 初期化層 ６ 保護層 ７ オーバーコート層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】垂直磁化膜からなるメモリ層と、メモリ層
   上に形成され垂直磁化を示す書き込み層と、書き込み層
   上に形成され垂直磁化膜からなる初期化層を有し、室温
   をＴ_ROOM、メモリ層のキュリー温度をＴ_CM、書き込み層
   のキュリー温度をＴ_CW、初期化層のキュリー温度をＴ_CI
   とし、温度Ｔ_I、Ｔ_L、Ｔ_H、が、 Ｔ_ROOM＜Ｔ_I＜Ｔ_L＜Ｔ_CM＜Ｔ_H＜Ｔ_CW,Ｔ_CI の関係を満たす時、外部磁界Ｈ_Bを印加した状態で、温
   度Ｔ_ROOMから温度Ｔ_Hの範囲で初期化層の磁化の向きは
   一定であり、温度Ｔ_Iで書き込み層の磁化の向きが外部
   磁界Ｈ_Bの方向を向き、温度Ｔ_Lでメモリ層に書き込み層
   の磁化が転写し、温度Ｔ_Hで書き込み層に初期化層の磁
   化が転写することを特徴とする光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】垂直磁化膜からなる読み出し層と、読み出
   し層上に形成され垂直磁化膜からなるメモリ層と、メモ
   リ層上に形成され垂直磁化を示す書き込み層と、書き込
   み層上に形成され垂直磁化膜からなる初期化層を有し、
   室温をＴ_ROOM、読み出し層のキュリー温度をＴ_CR、メモ
   リ層のキュリー温度をＴ_CM、書き込み層のキュリー温度
   をＴ_CW、初期化層のキュリー温度をＴ_CIとし、Ｔ_CM＜Ｔ
   _CRの関係にあり、温度Ｔ_I、Ｔ_R、Ｔ_L、Ｔ_H、が、 Ｔ_ROOM＜Ｔ_I,Ｔ_R＜Ｔ_L＜Ｔ_CM＜Ｔ_H＜Ｔ_CW,Ｔ_CI の関係を満たす時、外部磁界Ｈ_Bを印加した状態で、温
   度Ｔ_ROOMから温度Ｔ_Hの範囲で初期化層の磁化の向きは
   一定であり、温度Ｔ_Iで書き込み層の磁化の向きが外部
   磁界Ｈ_Bの方向を向き、温度Ｔ_Lでメモリ層に書き込み層
   の磁化が転写し、温度Ｔ_Hで書き込み層に初期化層の磁
   化が転写し、温度Ｔ_Rで読み出し層にメモリ層の磁化が
   転写することを特徴とする光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】室温で面内磁気異方性が優位な面内磁化を
   示し、温度上昇に伴い垂直磁気異方性が優位な垂直磁化
   に移行する読み出し層と、読み出し層上に形成され垂直
   磁化膜からなるメモリ層と、メモリ層上に形成され垂直
   磁化からなる書き込み層と、書き込み層上に形成され垂
   直磁化膜からなる初期化層を有し、室温をＴ_ROOM、読み
   出し層が面内磁化から垂直磁化に移行する温度をＴ_PR、
   メモリ層のキュリー温度をＴ_CM、書き込み層のキュリー
   温度をＴ_CW、初期化層のキュリー温度をＴ_CIとし、温度
   Ｔ_I、Ｔ_R、Ｔ_L、Ｔ_H、が、 Ｔ_ROOM＜Ｔ_PR＜Ｔ_I,Ｔ_R＜Ｔ_L＜Ｔ_CM＜Ｔ_H＜Ｔ_CW,Ｔ_CI の関係を満たす時、外部磁界Ｈ_Bを印加した状態で、温
   度Ｔ_ROOMから温度Ｔ_Hの範囲で初期化層の磁化の向きは
   一定であり、温度Ｔ_Iで書き込み層の磁化の向きが外部
   磁界Ｈ_Bの方向を向き、温度Ｔ_Lでメモリ層に書き込み層
   の磁化が転写し、温度Ｔ_Hで書き込み層に初期化層の磁
   化が転写し、温度Ｔ_Rで読み出し層にメモリ層の磁化が
   転写することを特徴とする光磁気記録媒体。