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JP2882409B1 - 外観検査装置 - Google Patents

外観検査装置

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JP2882409B1
JP2882409B1 JP10114782A JP11478298A JP2882409B1 JP 2882409 B1 JP2882409 B1 JP 2882409B1 JP 10114782 A JP10114782 A JP 10114782A JP 11478298 A JP11478298 A JP 11478298A JP 2882409 B1 JP2882409 B1 JP 2882409B1
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
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  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

【要約】 【課題】装置の処理負担の低減と処理速度の高速化を図
ると共に、高精度の欠陥検査を可能にする外観検査装置
を提供する。 【解決手段】半導体ウェーハ等の被検査物上に配列され
た同一パターンからなる複数の領域の画像をTDIセン
サ20によって各領域毎に取得し、イメージ記憶部52
に記憶する。そして、複数の領域のうちの2つの領域を
1組にして各組の領域毎に画像をイメージ比較部54に
よって比較して欠陥が生じている領域の組を検出する。
この結果、欠陥が検出された組の領域の画像のみを再度
CPU56によって他の組の領域の画像と比較し、前記
欠陥が検出された組の領域のうち欠陥が生じている領域
を判定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は外観検査装置に係
り、特に半導体ウェハ、フォトマスク、液晶表示装置等
におけるパターンの欠陥検査に適用される外観検査装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、フォトマスク、あるいはウェハの
パターン検査の方法として、隣接する2チップを比較す
る方法が広く用いられてきた。パターン検査の方法とし
ては、光学式顕微鏡とTDI等の撮像素子を組み合わせ
たイメージ取得部により、被検査物上をx方向に連続走
査しながら多値化されたイメージを取得し、これをメモ
リ等の画像データ保存部に保存していく。この操作と平
行して、被検査物上の隣接チップ、例えば、第1チップ
と第2チップ上の対応する同一エリアのイメージが取り
込まれると、一定のフレーム単位毎にこれらの2つのイ
メージをサブピクセルアライメント後、ピクセル単位で
順次比較する。この比較において、あらかじめ設定され
た基準値を越えるグレーレベル差を持つピクセルを欠陥
候補として認識する。この時点では、欠陥候補が第1チ
ップあるいは第2チップのどちらのチップ上に存在して
いるかが不明確(シングルディテクション)であるた
め、一時的に差画像を2値化して欠陥検出部に保持して
おく。次の第3チップのイメージ取り込みが始まると、
上記と同様な比較を第2チップと第3チップ間でも繰り
返すことにより差画像を得、保持されている第1チップ
と第2チップの差画像と照らし合わせることにより先の
欠陥候補が第1チップ上又は第2チップ上に存在するか
判定される。
【0003】この検出方法によれば、欠陥位置の特定が
可能になると共に、同一のチップが2度比較判定される
(ダブルディテクション)ため、結果の信頼性が向上す
る利点がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来技
術によると、全てのチップに欠陥が存在するか否かにか
かわらず、あるチップに着目すると、このチップは前後
2つのチップと2回づつ比較しているため、それに見合
う能力を持つイメージ比較部を持つ必要があり、装置の
高コスト化を招いていた。
【0005】また、エッジチップに関しては、シングル
ディテクションによる欠陥検査を行っているため、信頼
性が低い検査を許容するか、エッジチップのみ不検出と
するか、あるいは、ウェハ全面検査後に、シングルディ
テクションの欠陥候補が存在していた部分だけを再度走
査し、エッジチップとエッジから2つ内側のチップとを
比較することにより欠陥候補がエッジチップに存在して
いたことを確認するといった手法がとられている。ま
た、特開平2−210249号公報に記載されている走
査方法を用い、各走査列内の最終チップを隣接された次
の列の先頭チップと比較していくことにより、ダブルデ
ィテクションする技術もあるが、ステージの精度を考え
た場合、y方向の絶対位置精度よりも走査方向の真直度
の方が高いのが一般的であるため、同一走査列内にある
チップ同士を比較するよりy方向のイメージのずれが大
きくなってしまう。結果としてイメージ比較を行う際の
サブピクセルアライメントによるイメージの劣化量も大
きくなってしまうという問題がある。。
【0006】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、装置の処理負担の低減と処理速度の高速化を図
ると共に、高精度の欠陥検査を可能にする外観検査装置
を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、同一パターンが配列された被検査物の複数
の領域の画像を撮像手段によって各領域毎に取得し、該
取得した各領域毎の画像を比較して被検査物の欠陥を検
出する外観検査装置において、前記複数の領域のうちの
2つの領域を1組にして各組の領域毎に画像を比較して
欠陥が生じている領域の組を検出する第1の画像比較手
段と、前記第1の画像比較手段によって欠陥が検出され
た組の領域の画像を他の組の領域の画像と比較し、前記
欠陥が検出された組の領域のうちいずれの領域に欠陥が
生じているかを判定する第2の画像比較手段と、からな
ることを特徴としている。
【0008】また、前記第1の画像比較手段は、互いに
隣接する2つの領域で前記組を構成することを特徴とし
ている。また、前記第2の画像比較手段は、前記欠陥が
検出された組の領域の画像を、該欠陥が検出された組の
領域に隣接する他の組の領域の画像と比較することを特
徴としている。
【0009】また、前記第2の画像比較手段は、2つ画
像の比較を、前記第1の画像比較手段によって欠陥が検
出された位置を包含する所要の範囲に限定して行うこと
を特徴としている。本発明によれば、被検査物の全ての
領域の画像について比較を2度行うのではなく、2つの
領域を1組にして各組の領域毎に画像を比較し、欠陥が
生じている領域の組の画像についてのみ再度他の組の画
像との比較を行うようにしたため、従来のダブルディテ
クションの信頼性の高さを損ねることなく、比較回数を
従来の略半分に減らすことができ、装置の処理負担の低
減と処理速度の高速化を図ることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
る外観検査装置の好ましい実施の形態について詳説す
る。図1は、本発明をウェハに形成された各チップの欠
陥有無を判定する外観検査装置に適用した場合の外観検
査装置の一実施の形態を示した全体構成図である。同図
に示すように外観検査装置は、各種演算処理を行う制御
部12と、制御部12の制御によって水平面内のX,Y
軸方向に移動するXYステージ14と、XYステージ1
4上に設置された試料台16と、試料台16の上方に配
置された顕微鏡18と、顕微鏡18の合焦位置に取り付
けられたTDIセンサ20とから構成される。
【0011】上記試料台16には被検査体であるウェハ
Wが載置され、そのウェハWの表面画像は、顕微鏡18
によって拡大されてTDIセンサ20の撮像面に結像さ
れるようになっている。上記TDIセンサ20は、一般
に知られているように1次元のラインセンサ(CCDラ
インセンサ)が多段に組み合わされたもので、各段のラ
インセンサの各CCD素子に蓄積された信号電荷が走査
速度に同期して順次次の段のCDD素子に転送され、こ
れにより同一撮像対象点の信号電荷が複数のCCD素子
によって重畳されるようになっている。従って、TDI
センサ20を撮像手段として用いることにより、各CC
D素子の電荷蓄積時間が短くても結果的に各撮像対象点
の信号電荷が増幅されて光量不足が補われ、1段で構成
された通常のCCDラインセンサよりも高速で走査する
ことが可能となる。
【0012】本装置においては、このようなTDIセン
サ20がX軸方向を走査方向として設置され、上記ウェ
ハWがXYステージ14によってX軸方向に移動するこ
とでウェハWの表面画像がTDIセンサ20によって読
み取られるようになっている。尚、本実施の形態では撮
像手段としてTDIセンサ20を使用したが、これに限
らずCCDラインセンサ等の通常の1次元センサを使用
してもよいし、また、2次元センサを使用してもよい。
【0013】制御部12は、XYステージ14を制御し
てウェハWをX軸、Y軸方向に移動させ、ウェハWに対
して相対的にTDIセンサ20を走査させてTDIセン
サ20からウェハWの表面画像を取得する。図2は、上
記制御部12の制御によってTDIセンサ20がウェハ
Wに対して描く走査軌跡の一例を示した図である。同図
に示すように、ウェハW上には、同一パターンからなる
多数のチップT、T、…がX軸、Y軸方向に規則的に配
列されている。TDIセンサ20は、同図一点鎖線で示
すように最上段のチップTs の左上隅からX軸方向に走
査を開始し、最下段のチップTe の右下隅に到達するま
で、走査方向を同図左右に切り替えて往復走査すると共
に、各ラインの走査毎にY軸方向の走査位置を少しずつ
同図下方にずらしながら(走査方向と直交する方向(Y
軸方向)の画像読み取り幅(走査幅)ずつずらしなが
ら)ウェハWに配列されたチップT、T、…全ての走査
を完了させる。尚、各チップの表面画像の走査は図2に
示した走査軌跡に限らず、どのような走査軌跡で行って
も本発明の適用は可能である。
【0014】そして、制御部12は、このようにして取
得したウェハWの表面画像を制御部12内に構成される
欠陥検出部に入力し、この欠陥検出部によってウェハW
に形成された各チップの欠陥の有無を判定する。図3
は、上記制御部12内に構成される欠陥検出部の一実施
の形態を示したブロック図である。同図に示すように欠
陥検出部は、主として信号処理部50、イメージ記憶部
52、イメージ比較部54及びCPU56とから構成さ
れる。
【0015】上記信号処理部50は、上記TDIセンサ
20から順次画像信号を入力し、この画像信号をデジタ
ルの画像データに変換する。そして、この画像データを
イメージ記憶部52に出力する。上記イメージ記憶部5
2は、RAM等のメモリから構成され、このイメージ記
憶部52には、上記信号処理部50から出力された画像
データが順次記録されるようになっている。
【0016】上記イメージ比較部54は、イメージ記憶
部52から画像データを順次読み出し、X軸方向に隣接
するチップの画像データを比較することによってチップ
に生じた欠陥の有無を判定する。そして、その判定結果
をCPU56に入力する。上記CPU56は、上記イメ
ージ比較部54から入力された判定結果により欠陥があ
ると判定されたチップについて上記イメージ比較部54
において比較されたチップと異なるチップとの画像デー
タの比較を行い、最終的に欠陥があるチップを特定し、
その結果をモニタ等に出力する。
【0017】次に、上記欠陥検出部の作用について図4
及び図5の説明図を用いて詳説する。図4に示すように
ウェハWのX軸方向(走査方向)に、6つのチップT1
〜T6が配列されていると仮定すると、上記イメージ記
憶部52には、これらのチップT1〜T6の画像データ
が複数のフレームtmn(m=1〜6の整数、n=1〜9
の整数)に分割されて順次記録される。ただし、各フレ
ームのY軸方向の幅はTDIセンサ20の走査幅であ
り、X軸方向の幅は予め任意に設定される幅である。こ
こでは、簡単のために、3×3の9個のフレームによっ
て1チップの分割しているが、実際には、チップの大き
さやTDIセンサ20の走査幅等によってその数は異な
る。
【0018】また、各チップの各フレームの画像データ
の記録順序については、TDIセンサ20が上記図2に
示したような走査軌跡を描く場合に、チップT1の1行
目のフレームT11から走査が開始されるとすると、チ
ップT1からチップT6までの1行目のフレームの画像
データが順次イメージ記憶部52に記録され、次いでチ
ップT6からチップT1までの2行目のフレームの画像
データが順次イメージ記憶部52に記録される。そし
て、2行目のフレームの画像データが記録されると、チ
ップT1からチップT6までの3行目のフレームの画像
データがイメージ記憶部52に記録される。
【0019】上記イメージ比較部54は、X軸方向に配
列されたこれらのチップT1〜T6のうち、隣接する2
つのチップを1組として同一チップが2つ以上の組に属
さないように分割する。例えば、チップT1とチップT
2をA組、チップT3とチップT4をB組、チップT5
とチップT6をC組とする。そして、各A〜C組におけ
る2つのチップの同一位置のフレーム(各フレームをt
mn(m=1〜6の整数、n=1〜9の整数)と表した場
合にnの値が等しいフレーム)を比較対象のフレームと
する。
【0020】そして、TDIセンサ20から上記イメー
ジ記憶部52に各フレームの画像データが順に記録され
ていくと、イメージ比較部54は、上記比較対象の2つ
のフレームの画像データがイメージ記憶部52に記録さ
れたものについてその比較対象のフレームの画像データ
を読み出し、その画像データの比較及び欠陥有無の判定
を行う。1つの比較対象のフレームについて画像データ
の比較及び欠陥有無の判定が終了すれば、順次、次の比
較対象のフレームの画像データをイメージ記憶部52か
ら読み出し、同様の比較、判定を行う。
【0021】ここで、イメージ比較部54で行われる画
像データの比較及び欠陥有無の判定処理について説明す
ると、図5に示すように、今、B組の比較対象のフレー
ムt 31とフレームt41の画像データがTDIセンサ20
によって読み取られてイメージ記憶部52に記録され、
イメージ比較部54がこれらの画像データを読み出した
とすると、イメージ比較部54は、まず、これらのフレ
ームt31、フレームt 41の各画素における画像データの
差を求める。そして、各画素がその差の値からなる差画
像データDを求める。
【0022】この差画像データDは、比較対象の2つの
フレームt31とフレームt41のいずれにも欠陥がない場
合には全ての画素で所定の閾値よりも小さい値を示す
が、いずれかのフレームに欠陥が生じている場合には、
その欠陥が生じている画素でその閾値よりも大きな値が
検出されるようになる。尚、前記閾値は欠陥有無の判定
感度に応じて所定の値に設定される。
【0023】イメージ比較部54はこの差画像データD
を算出した後、差画像データDの各画素の値と上記閾値
とを比較し、全ての画素の値が閾値以下の場合にはフレ
ームt31とフレームt41のいずれにも欠陥がないと判定
し、その判定結果をCPU56に出力する。一方、差画
像データDのいずれかの画素において閾値よりも大きな
値が検出された場合には、フレームt31とフレームt41
のいずれかに又は両方に欠陥が生じていると判定し、そ
の判定結果をCPU56に出力する。尚、このときCP
U56に出力される判定結果としては、この欠陥が生じ
ていることを示すデータの他、欠陥が生じている画素の
位置を示すデータも同時に出力される。
【0024】このようにイメージ比較部54によって各
比較対象のフレームについて欠陥有無の判定が行われ、
その結果がCPU56に出力されると、CPU56は、
欠陥が生じていると判定されたフレーム(比較対象の2
つのフレーム)についてのみ再度、異なる組のフレーム
の画像データとの比較を行う。このとき、イメージ比較
部54によって欠陥がないと判定された比較対象のフレ
ームについては、CPU56は、その結果のみをイメー
ジ比較部54から取得し、以下の処理を実行しないこと
によって演算処理の回数を低減している。従って、CP
U56の処理負担は少なく本装置に処理能力の高いCP
U56を用いる必要はない。
【0025】さて、図5に示すように、仮に、イメージ
比較部54において上記差画像データDの一部に欠陥X
が検出されたとすると、CPU56は、まず、チップT
3のフレームt31の画像データとこのチップT3に隣接
するA組のチップT2のフレームt21の画像データをイ
メージ記憶部52から読み出す。このとき、フレームt
31とフレームt21の画像データ全てを読みだすのではな
く、差画像データDにおいて欠陥が生じていると判定さ
れた画素を含む所定画角範囲dの画像データのみを読み
出す。(尚、フレームの画像データ全てを読み出すよう
にしてもよい。)そして、この読み出した各フレームt
31のフレームt21の上記画角範囲dの画像データの差画
像データE1を上記イメージ比較部54と同様にして求
め、その差画像データE1の各画素の値と閾値とを比較
する。これにより、閾値よりも大きな画素の値を検出し
た場合には、チップT3のフレームt31に欠陥が生じて
いると判定し、チップT3に欠陥が有るという判定結果
をモニタ等の表示手段に出力する。
【0026】一方、差画像データE1の全ての値が閾値
以下の場合には、チップT3のフレームt31に欠陥がな
いと判定し、CPU56は比較対象のもう一つのフレー
ムであるチップT4のフレームt41についてもこのチッ
プT4に隣接するC組のチップT5のフレームt51の画
像データとの差画像データE2を求め、その差画像デー
タの各画素の値と閾値とを比較する。これにより、閾値
よりも大きな画素の値を検出した場合には、チップT4
のフレームt41に欠陥が生じていると判定し、チップT
4に欠陥が有るという判定結果をモニタ等の表示手段に
出力する。差画像データE2の全ての値が閾値以下の場
合には、チップT4のフレームt41に欠陥がないと判定
する。
【0027】以上、説明したイメージ比較部54及びC
PU56における各フレームの画像データの比較及び欠
陥有無の判定手順を一般化して図6にそのフローチャー
トを示す。尚、同図のフローチャートではX軸方向に隣
接する各チップの所定位置のフレームのみに着目し、左
からn番目のチップのそのフレームを第nフレームと称
する。従って、第nフレームに対して第n−1フレーム
又は第n+1フレームは、第nフレームの属するチップ
に隣接するチップの同一位置のフレームを示す。また、
X軸方向に隣接するチップの総数を2N(Nは正の整
数)とし、今着目しているフレームは第1フレームから
第2Nフレームまで存在するものとする。
【0028】まず、イメージ比較部54は、変数nを1
とし(ステップS10)、比較対象のフレームとして第
(2n−1)フレームと第2nフレーム、即ち、第1フ
レームと第2フレームとの画像データをイメージ記憶部
52から読み出し、画像データの比較を行う(ステップ
S12)。そして、上述したようにいずれかのフレーム
に欠陥があるか否かを判定する(ステップS14)。も
し、欠陥がないと判定すれば、次に変数n=Nか否か、
即ち、第2nフレームが最後のフレームか否かを判定し
(ステップS16)、NOであれば変数nを1増加させ
(ステップS18)、続いてステップS12において次
の比較対象のフレーム(第3フレームと第4フレーム)
の画像データをイメージ記憶部52から読み出し、この
画像データを比較する。仮に、各フレームで欠陥が検出
されずにステップS16においてn=Nと判定された場
合には、この比較、判定処理を終了する。
【0029】一方、上記ステップS14において欠陥あ
りと判定された場合には、次にCPU56は、欠陥あり
と判定された比較対象の第(2n−1)フレームと第2
nフレームのうち、まず、第(2n−1)フレームが左
端のチップのフレームであるか否かを判定する(ステッ
プS20)。即ち、(2n−1)=1か否かを判定す
る。第(2n−1)フレームが左端のチップでない場合
には、次に第(2n−1)フレームとその左側に隣接す
る第(2n−2)フレームの画像データをイメージ記憶
部52から読み出し、第(2n−1)フレームと第(2
n−2)フレームの画像データを比較する(ステップS
22)。このとき読み出す画像データの画角範囲等につ
いては上述した通りである。
【0030】一方、第(2n−1)フレームが左端のチ
ップのフレーム(第1フレーム)の場合には、これより
左側にチップが存在しないため、第(2n−1)フレー
ムとこのチップより2つ右側のチップの第(2n+1)
フレーム(第3フレーム)の画像データをイメージ記憶
部52から読み出し、第(2n−1)フレームと第(2
n+1)フレームの画像データを比較する(ステップS
24)。
【0031】以上の画像データの比較の結果、欠陥があ
るか否かを判定し(ステップS26)、欠陥有りと判定
した場合には、第(2n−1)フレームに欠陥有りと判
定し(ステップS28)、この第(2n−1)フレーム
が存在するチップに欠陥有りと判定する。一方、欠陥な
しと判定した場合には、第(2n−1)フレームに欠陥
なしと判定する。(ステップS30)。
【0032】次に、上記第(2n−1)フレームの比
較、判定処理と同様にして欠陥ありと判定された比較対
象の他のフレームである第2nフレームについても比
較、判定処理を行う。まず、第2nフレームが右端のチ
ップのフレームであるか否かを判定する(ステップS3
2)。即ち、2n=Nか否かを判定する。第2nフレー
ムが右端のチップでない場合には、次に第2nフレーム
とその右側に隣接する第(2n+1)フレームの画像デ
ータををイメージ記憶部52から読み出し、第2nフレ
ームと第(2n+1)フレームの画像データを比較する
(ステップS34)。
【0033】一方、第2nフレームが右端のチップのフ
レーム(第2Nフレーム)の場合には、これより右端に
チップが存在しないため、第2nフレームとこのチップ
より2つ左のチップの第(2n−2)フレーム(第(2
N−2)フレーム)の画像データをイメージ記憶部52
から読み出し、第2nフレームと第(2n−2)フレー
ムの画像データを比較する(ステップS36)。
【0034】以上の画像データの比較の結果、欠陥があ
るか否かを判定し(ステップS38)、欠陥有りと判定
した場合には、第2nフレームに欠陥有りと判定し(ス
テップS40)、この第2nフレームが存在するチップ
に欠陥有りと判定する。一方、欠陥なしと判定した場合
には、第2nフレームに欠陥なしと判定する(ステップ
S42)。
【0035】以上の処理を終了すると、変数n=Nか否
かを判定し(ステップS16)、NOであれば変数nを
1増加させ(ステップS18)、繰り返しステップS1
2からの処理を実行する。ステップS16において変数
n=Nとなった場合には以上の比較、判定処理を終了す
る。これにより、X軸方向に配列された全てチップの同
一位置のフレームについて欠陥有無の判定が完了する。
【0036】以上説明したように、全てのフレームにつ
いて比較、判定処理を2度必ず行うのではなく、イメー
ジ比較部54において全てのフレームについて1度比
較、判定処理を行い、これによって欠陥が検出されたフ
レームについてのみCPU56において2度目の比較、
判定処理を行うようにしたため、欠陥検出部の処理負担
を従来の略半分に減らすことができ、処理負担の低減と
処理速度の高速化を図ることができる。
【0037】尚、上記実施の形態では、X軸方向に配列
されたチップの総数が偶数の場合についてのみ説明した
ため、図4に示したようなチップの組を構成したときに
余りのチップが生じなかったが、チップの総数が奇数の
場合にはチップの組を構成したときに余りのチップが生
じるようになる。このような場合には、他のいずれかの
チップを重複して余りのチップと組にすれば、上記説明
した比較、判定手順で余りのチップについても欠陥の有
無を検出することができる。
【0038】また、上記実施の形態では、イメージ比較
部54において隣接するチップを組にして画像データの
比較を行うようにしたが、必ずしも隣接するチップを組
にする必要はなく、離間した位置のチップを組にして画
像データの比較を行っても処理負担の低減及び処理速度
の高速化という目的を達成することができる。また、上
記画像データの比較及び欠陥有無の判定処理は、TDI
センサ20による画像データの読み取り中に順次行って
もよいし、全てのチップの画像データを取得した後にま
とめて行ってもよい。尚、順次、上記比較、判定処理を
行う場合には、イメージ記憶部52が最低3つのフレー
ムの画像データを記憶できるメモリ容量で足りるため、
メモリ装置が安価に構成できる。
【0039】また、上記実施の形態ではウェハに同一パ
ターンが配列されたチップの欠陥の有無を判定する外観
検査装置に本発明を適用したが、ウェハに限らず他の任
意の被検査物の外観検査装置に本発明を適用することが
できる。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る外観検
査装置によれば、被検査物の全ての領域の画像について
比較を2度行うのではなく、2つの領域を1組にして各
組の領域毎に画像を比較して欠陥が生じている領域の組
の画像についてのみ再度他の組の画像との比較を行うよ
うにしたため、従来のダブルディテクションの信頼性の
高さを損ねることなく、比較回数を従来の略半分に減ら
すことができ、装置の処理負担の低減と処理速度の高速
化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明に係る外観検査装置の一実施の
形態を示した全体構成図である。
【図2】図2は、TDIセンサがウェハに対して描く走
査軌跡の一例を示した図である。
【図3】図3は、欠陥検出部の一実施の形態を示したブ
ロック図である。
【図4】図4は、欠陥検出部の作用の説明に用いて説明
図である。
【図5】図5は、欠陥検出部の作用の説明に用いて説明
図である。
【図6】図6は、各フレームの画像データの比較及び欠
陥有無の判定手順を一般化して示したフローチャートで
ある。
【符号の説明】
12…制御部 14…XYステージ 16…試料台 18…顕微鏡 20…TDIセンサ 50…信号処理部 52…イメージ記憶部 54…イメージ比較部 56…CPU

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 同一パターンが配列された被検査物の複
    数の領域の画像を撮像手段によって各領域毎に取得し、
    該取得した各領域毎の画像を比較して被検査物の欠陥を
    検出する外観検査装置において、 前記複数の領域のうちの2つの領域を1組にして各組の
    領域毎に画像を比較して欠陥が生じている領域の組を検
    出する第1の画像比較手段と、 前記第1の画像比較手段によって欠陥が検出された組の
    領域の画像を他の組の領域の画像と比較し、前記欠陥が
    検出された組の領域のうちいずれの領域に欠陥が生じて
    いるかを判定する第2の画像比較手段と、 からなることを特徴とする外観検査装置。
  2. 【請求項2】 前記第1の画像比較手段は、互いに隣接
    する2つの領域で前記組を構成することを特徴とする請
    求項1の外観検査装置。
  3. 【請求項3】 前記第2の画像比較手段は、前記欠陥が
    検出された組の領域の画像を、該欠陥が検出された組の
    領域に隣接する他の組の領域の画像と比較することを特
    徴とする請求項2の外観検査装置。
  4. 【請求項4】 前記第2の画像比較手段は、2つ画像の
    比較を、前記第1の画像比較手段によって欠陥が検出さ
    れた位置を包含する所要の範囲に限定して行うことを特
    徴とする請求項1の外観検査装置。
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