JP2737763B2 - プラズマディスプレイパネルの駆動方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの駆動方法Info
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- JP2737763B2 JP2737763B2 JP6300504A JP30050494A JP2737763B2 JP 2737763 B2 JP2737763 B2 JP 2737763B2 JP 6300504 A JP6300504 A JP 6300504A JP 30050494 A JP30050494 A JP 30050494A JP 2737763 B2 JP2737763 B2 JP 2737763B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、近年進展が著しいパー
ソナルコンピュータやオフィスワークステーション、な
いしは将来の発展が期待されている壁掛けテレビ等に用
いられる、いわゆるドットマトリクスタイプのプラズマ
ディスプレイパネルの駆動方法に関するものである。
ソナルコンピュータやオフィスワークステーション、な
いしは将来の発展が期待されている壁掛けテレビ等に用
いられる、いわゆるドットマトリクスタイプのプラズマ
ディスプレイパネルの駆動方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイには動作方式上の
分類により、電極が誘電体で覆われ放電ガスへ露出せず
放電を起こすＡＣ型と、電極が放電ガスに直接露出し電
圧を印加した期間だけ放電を起こすＤＣ型がある。ＡＣ
型では誘電体の作用で放電セル自体にメモリ機能があ
る。
分類により、電極が誘電体で覆われ放電ガスへ露出せず
放電を起こすＡＣ型と、電極が放電ガスに直接露出し電
圧を印加した期間だけ放電を起こすＤＣ型がある。ＡＣ
型では誘電体の作用で放電セル自体にメモリ機能があ
る。
【０００３】図５（ａ）はＡＣ型プラズマディスプレイ
パネルの一例の平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）
のｘ−ｘ′における断面図である。このプラズマディス
プレイパネルは、ガラスよりなる第１絶縁基板１１、同
じくガラスよりなる第２絶縁基板１２、維持電極１３
ａ、走査電極１３ｂ、維持電極１３ａ及び走査電極１３
ｂに十分な電流を供給するための金属電極１３ｃ、列電
極１４、ＨｅまたはＸｅ等の放電ガスが充填される放電
ガス空間１５、放電ガス空間１５を確保すると共に画素
を区切る隔壁１６、放電ガスの放電により発生する紫外
線を可視光に変換する蛍光体１７、維持電極１３ａおよ
び走査電極１３ｂを覆う絶縁層１８ａ、列電極１４を覆
う絶縁層１８ｂ、および絶縁層１８ａを放電より保護す
るＭｇＯ等よりなる保護層１９で構成される。
パネルの一例の平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）
のｘ−ｘ′における断面図である。このプラズマディス
プレイパネルは、ガラスよりなる第１絶縁基板１１、同
じくガラスよりなる第２絶縁基板１２、維持電極１３
ａ、走査電極１３ｂ、維持電極１３ａ及び走査電極１３
ｂに十分な電流を供給するための金属電極１３ｃ、列電
極１４、ＨｅまたはＸｅ等の放電ガスが充填される放電
ガス空間１５、放電ガス空間１５を確保すると共に画素
を区切る隔壁１６、放電ガスの放電により発生する紫外
線を可視光に変換する蛍光体１７、維持電極１３ａおよ
び走査電極１３ｂを覆う絶縁層１８ａ、列電極１４を覆
う絶縁層１８ｂ、および絶縁層１８ａを放電より保護す
るＭｇＯ等よりなる保護層１９で構成される。
【０００４】図７はプラズマディスプレイの電極構成を
示した平面図である。図７において、２１は第一絶縁基
板１１と第２絶縁基板１２を張り合わせ、内部に放電ガ
スを封入し気密にシールするシール部、Ｃ1 ，Ｃ2 ，
…，Ｃm は維持電極１３ａ、Ｓ1 ，Ｓ2 ，…，Ｓm は走
査電極１３ｂ、Ｄ1 ，Ｄ2 ，…Ｄn は列電極１４であ
る。なお、図５（ａ）において、縦・横の隔壁で囲まれ
た区画である画素２０は、図７中の走査電極Ｓｉ（ｉ＝
１，２，…，ｍ）と列電極Ｄj （ｊ＝１，２，…，ｎ）
の交点の画素としてａijで示す。さらに図５ (ｂ）の蛍
光体１７を画素毎に３色に塗り分ければ、カラー表示の
プラズマディスプレイが得られる。
示した平面図である。図７において、２１は第一絶縁基
板１１と第２絶縁基板１２を張り合わせ、内部に放電ガ
スを封入し気密にシールするシール部、Ｃ1 ，Ｃ2 ，
…，Ｃm は維持電極１３ａ、Ｓ1 ，Ｓ2 ，…，Ｓm は走
査電極１３ｂ、Ｄ1 ，Ｄ2 ，…Ｄn は列電極１４であ
る。なお、図５（ａ）において、縦・横の隔壁で囲まれ
た区画である画素２０は、図７中の走査電極Ｓｉ（ｉ＝
１，２，…，ｍ）と列電極Ｄj （ｊ＝１，２，…，ｎ）
の交点の画素としてａijで示す。さらに図５ (ｂ）の蛍
光体１７を画素毎に３色に塗り分ければ、カラー表示の
プラズマディスプレイが得られる。
【０００５】図６を参照し、上記したプラズマディスプ
レイパネルを用いて階調表示を行う場合について説明す
る。図６はサブフィールド方式による階調表示を説明す
るための図である。１フィールドをｎ個のサブフィール
ドＳＦ（１）〜ＳＦ（ｎ）（図８ではｎ＝８）に分割
し、ｋ番目のサブフィールドＳＦ（ｋ）における各画素
の発光輝度を２n-k で重み付けると（ＳＦ（１）が２7
＝１２８、ＳＦ（２）が２6 ＝６４，…、ＳＦ（８）が
２0 ＝１の重みを持つ）、輝度階調は以下に示される数
１のように表現できる。
レイパネルを用いて階調表示を行う場合について説明す
る。図６はサブフィールド方式による階調表示を説明す
るための図である。１フィールドをｎ個のサブフィール
ドＳＦ（１）〜ＳＦ（ｎ）（図８ではｎ＝８）に分割
し、ｋ番目のサブフィールドＳＦ（ｋ）における各画素
の発光輝度を２n-k で重み付けると（ＳＦ（１）が２7
＝１２８、ＳＦ（２）が２6 ＝６４，…、ＳＦ（８）が
２0 ＝１の重みを持つ）、輝度階調は以下に示される数
１のように表現できる。
【０００６】
【数１】 数１において、ａk は１または０の値をとる変数であ
る。ｎ＝１であれば、選択時（ａ1 ＝１）の輝度Ｌ0 と
非選択時（ａ1 ＝０）の輝度０の２階調表示ができ、図
６ではｎ＝８であるから、２8 ＝２５６階調の表示が可
能である。例えば図６でａ1 ＝１，ａ2 〜ａ8 ＝０であ
れば１２８番目の階調レベルとなる。
る。ｎ＝１であれば、選択時（ａ1 ＝１）の輝度Ｌ0 と
非選択時（ａ1 ＝０）の輝度０の２階調表示ができ、図
６ではｎ＝８であるから、２8 ＝２５６階調の表示が可
能である。例えば図６でａ1 ＝１，ａ2 〜ａ8 ＝０であ
れば１２８番目の階調レベルとなる。
【０００７】図８は、プラズマディスプレイパネルの電
極構造のみに着目した図７を参照し、特に壁電荷の蓄積
による情報のメモリ機能を有するＡＣ型プラズマディス
プレイパネルでの１つのサブフィールドにおける駆動電
圧波形および発光波形の一例を示した図である。図８に
おいて、波形（Ａ）は維持電極１３ａのＣ1 ，Ｃ2 ，
…，Ｃm に印加する電圧波形であり、波形（Ｂ）は走査
電極１３ｂのＳ1 に印加する電圧波形であり、波形
（Ｃ）は走査電極１３ｂのＳ2 に印加する電圧波形であ
り、波形（Ｄ）は走査電極１３ｂのＳm に印加する電圧
波形であり、波形（Ｅ）は列電極１４のＤ1 に印加する
電圧波形であり、波形（Ｆ）は列電極１４のＤ2 に印加
する電圧波形であり、波形（Ｇ）は画素２０のａijの発
光波形をそれぞれ示している。
極構造のみに着目した図７を参照し、特に壁電荷の蓄積
による情報のメモリ機能を有するＡＣ型プラズマディス
プレイパネルでの１つのサブフィールドにおける駆動電
圧波形および発光波形の一例を示した図である。図８に
おいて、波形（Ａ）は維持電極１３ａのＣ1 ，Ｃ2 ，
…，Ｃm に印加する電圧波形であり、波形（Ｂ）は走査
電極１３ｂのＳ1 に印加する電圧波形であり、波形
（Ｃ）は走査電極１３ｂのＳ2 に印加する電圧波形であ
り、波形（Ｄ）は走査電極１３ｂのＳm に印加する電圧
波形であり、波形（Ｅ）は列電極１４のＤ1 に印加する
電圧波形であり、波形（Ｆ）は列電極１４のＤ2 に印加
する電圧波形であり、波形（Ｇ）は画素２０のａijの発
光波形をそれぞれ示している。
【０００８】１つのサブフィールドでの駆動を順次説明
すると、まず消去パルス３５によって直前のサブフィー
ルドで発光していた画素２０を消去する。次に予備放電
パルス３６により全ての画素２０を１度強制的に放電発
光させ、さらに予備放電消去パルス３７で予備放電を消
去する。これにより書き込み放電を起こり易くする。予
備放電３６を消去後、走査電極Ｓ1 〜Ｓm に走査パルス
３３を時分割に印加し、それに合わせて列電極Ｄ1 〜Ｄ
n に発光データに応じたデータパルス３４を供給し、選
択的に書き込み放電を起こす。波形（Ｅ）および（Ｆ）
の斜線を有するデータパルスは、書き込みすべきデータ
の有無に従い、パルスの有無が決定されていることを示
す。図８はデータ電圧波形として、画素ａ11，ａ22にデ
ータを書き込む場合である。
すると、まず消去パルス３５によって直前のサブフィー
ルドで発光していた画素２０を消去する。次に予備放電
パルス３６により全ての画素２０を１度強制的に放電発
光させ、さらに予備放電消去パルス３７で予備放電を消
去する。これにより書き込み放電を起こり易くする。予
備放電３６を消去後、走査電極Ｓ1 〜Ｓm に走査パルス
３３を時分割に印加し、それに合わせて列電極Ｄ1 〜Ｄ
n に発光データに応じたデータパルス３４を供給し、選
択的に書き込み放電を起こす。波形（Ｅ）および（Ｆ）
の斜線を有するデータパルスは、書き込みすべきデータ
の有無に従い、パルスの有無が決定されていることを示
す。図８はデータ電圧波形として、画素ａ11，ａ22にデ
ータを書き込む場合である。
【０００９】書き込み放電が行われた画素２０では、図
８の場合、走査電極１３ｂ上に壁電荷と呼ばれる正電荷
の蓄積が生じ、壁電荷による正電位と維持電極１３ａに
印加する第１番目の維持パルス３１の重畳により１回目
の維持放電が発生する。一回目の維持放電が起こると、
維持電極１３ａ上には正の壁電荷が、また走査電極１３
ｂ上には負の壁電荷が蓄積され、両電極上の壁電荷によ
る電位と走査電極１３ｂに印加する維持パルス３２の重
畳で２回目の維持放電が発生する。このようにして書き
込み放電が行われた画素２０では隣あう維持電極１３ａ
と走査電極１３ｂの間で維持放電が持続される。この維
持放電の回数により、各サブフィールドの発光輝度を制
御する。以上のように書き込みが行われ、維持放電の持
続している状態を、サブフィールドが発光しているとい
う。
８の場合、走査電極１３ｂ上に壁電荷と呼ばれる正電荷
の蓄積が生じ、壁電荷による正電位と維持電極１３ａに
印加する第１番目の維持パルス３１の重畳により１回目
の維持放電が発生する。一回目の維持放電が起こると、
維持電極１３ａ上には正の壁電荷が、また走査電極１３
ｂ上には負の壁電荷が蓄積され、両電極上の壁電荷によ
る電位と走査電極１３ｂに印加する維持パルス３２の重
畳で２回目の維持放電が発生する。このようにして書き
込み放電が行われた画素２０では隣あう維持電極１３ａ
と走査電極１３ｂの間で維持放電が持続される。この維
持放電の回数により、各サブフィールドの発光輝度を制
御する。以上のように書き込みが行われ、維持放電の持
続している状態を、サブフィールドが発光しているとい
う。
【００１０】書き込みが行われない画素２０では、走査
電極１３ｂ上に壁電荷が形成されないため、維持電極１
３ａに印加する維持パルス３１のみでは放電が生じない
程度に維持パルス３１の電圧をあらかじめ調整しておけ
ば、非書き込みの画素２０では維持放電が起こらない。
これをサブフィールドが非発光であるという。
電極１３ｂ上に壁電荷が形成されないため、維持電極１
３ａに印加する維持パルス３１のみでは放電が生じない
程度に維持パルス３１の電圧をあらかじめ調整しておけ
ば、非書き込みの画素２０では維持放電が起こらない。
これをサブフィールドが非発光であるという。
【００１１】次に図１０を用いてプラズマディスプレイ
装置の駆動における信号の流れを説明する。アンテナ等
で受信された受信信号は受信部４８に送られ、一方では
同期信号検出回路４１を介して同期信号が取り出され、
他方でアナログ映像信号はＡ／Ｄ変換器４２でデジタル
信号に変換された後、デジタル逆γ補正回路４３で所望
の輝度レベルに比例した信号に補正される。ここで得ら
れた輝度に比例したサブフィールド選択用のデジタル信
号は、メモリ４５に記憶される。また同期信号に同期し
て動作するタイミング信号発生回路４４からの各タイミ
ング信号に基づいて、メモリ４５及びメモリコントロー
ラ（図示せず）から行ドライバ４６、列ドライバ４７へ
データが送られ、プラズマディスプレイパネル５０をマ
トリクス駆動する。
装置の駆動における信号の流れを説明する。アンテナ等
で受信された受信信号は受信部４８に送られ、一方では
同期信号検出回路４１を介して同期信号が取り出され、
他方でアナログ映像信号はＡ／Ｄ変換器４２でデジタル
信号に変換された後、デジタル逆γ補正回路４３で所望
の輝度レベルに比例した信号に補正される。ここで得ら
れた輝度に比例したサブフィールド選択用のデジタル信
号は、メモリ４５に記憶される。また同期信号に同期し
て動作するタイミング信号発生回路４４からの各タイミ
ング信号に基づいて、メモリ４５及びメモリコントロー
ラ（図示せず）から行ドライバ４６、列ドライバ４７へ
データが送られ、プラズマディスプレイパネル５０をマ
トリクス駆動する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図９に、２ｎ（４，
８，１６，…，５１２）個の維持パルス数を有する８個
のサブフィールドを維持パルス数が多いものから順に配
置した際の、サブフィールド選択用信号レベルと発光輝
度の関係を示す。ここでは、サブフィールド選択用信号
レベルの１単位が、維持パルス数の４パルスに対応して
いる。図９からわかるように、蛍光体の種類によっては
サブフィールド選択用信号レベルに対して、実際の発光
輝度は理想値から大きくずれている。また、所々に発光
輝度がジャンプする点が見られる。このような状態で
は、細かい階調表現が要求される自然画のような画面を
精確に再現することは困難である。このような不都合の
現れる原因を究明した結果、本発明者は蛍光体の残光時
間が長い場合に、特に理想値からの輝度の低下と輝度の
ジャンプが現れることを発見した。以下でこのような輝
度の異常を生じる原因を説明する。
８，１６，…，５１２）個の維持パルス数を有する８個
のサブフィールドを維持パルス数が多いものから順に配
置した際の、サブフィールド選択用信号レベルと発光輝
度の関係を示す。ここでは、サブフィールド選択用信号
レベルの１単位が、維持パルス数の４パルスに対応して
いる。図９からわかるように、蛍光体の種類によっては
サブフィールド選択用信号レベルに対して、実際の発光
輝度は理想値から大きくずれている。また、所々に発光
輝度がジャンプする点が見られる。このような状態で
は、細かい階調表現が要求される自然画のような画面を
精確に再現することは困難である。このような不都合の
現れる原因を究明した結果、本発明者は蛍光体の残光時
間が長い場合に、特に理想値からの輝度の低下と輝度の
ジャンプが現れることを発見した。以下でこのような輝
度の異常を生じる原因を説明する。
【００１３】一般に蛍光体１７の発光は、蛍光体中に存
在する付活剤と呼ばれる微量の不純物中の電子が紫外光
からのエネルギー吸収により高エネルギー準位に励起
し、その後もとのより低いエネルギー準位に戻る際の余
剰エネルギーが光の形で放出されたものである。このと
き、励起状態からもとのより低いエネルギー準位に戻る
には、それぞれの蛍光体に特有の時間（残光時間と呼
ぶ）が必要である。
在する付活剤と呼ばれる微量の不純物中の電子が紫外光
からのエネルギー吸収により高エネルギー準位に励起
し、その後もとのより低いエネルギー準位に戻る際の余
剰エネルギーが光の形で放出されたものである。このと
き、励起状態からもとのより低いエネルギー準位に戻る
には、それぞれの蛍光体に特有の時間（残光時間と呼
ぶ）が必要である。
【００１４】励起前の付活剤の数に比較して、蛍光体に
入射する紫外光の光量が多く、したがって入射する紫外
光の光子数が増大すると、入射紫外光量に対して出力さ
れる可視光の光子数、したがって蛍光体より出力される
可視光の光量の割合が、入射紫外光量の増加とともに減
少する。これが蛍光体の輝度飽和である。この輝度飽和
は一般に残光時間の長い蛍光体ほど著しい。
入射する紫外光の光量が多く、したがって入射する紫外
光の光子数が増大すると、入射紫外光量に対して出力さ
れる可視光の光子数、したがって蛍光体より出力される
可視光の光量の割合が、入射紫外光量の増加とともに減
少する。これが蛍光体の輝度飽和である。この輝度飽和
は一般に残光時間の長い蛍光体ほど著しい。
【００１５】蛍光体の輝度飽和により、各サブフィール
ドでの維持放電の回数を単位発光輝度となるサブフィー
ルドでの維持放電回数の２n 倍に設定しても、発光輝度
は単位発光輝度に対し２n 倍以下となる。例えば維持放
電４回のサブフィールドの発光輝度を単位輝度とし、維
持放電回数が１２８倍の５１２回のサブフィールドを設
定しても、そのサブフィールドの発光輝度は単位輝度に
対し１２８倍以下である。これをサブフィールド内での
輝度飽和と呼ぶ。
ドでの維持放電の回数を単位発光輝度となるサブフィー
ルドでの維持放電回数の２n 倍に設定しても、発光輝度
は単位発光輝度に対し２n 倍以下となる。例えば維持放
電４回のサブフィールドの発光輝度を単位輝度とし、維
持放電回数が１２８倍の５１２回のサブフィールドを設
定しても、そのサブフィールドの発光輝度は単位輝度に
対し１２８倍以下である。これをサブフィールド内での
輝度飽和と呼ぶ。
【００１６】また同じく蛍光体の輝度飽和を原因とし、
同じ維持放電回数であっても、それが１つのサブフィー
ルド内で起こる場合と、複数のサブフィールドでの合計
である場合では発光輝度が異なり、１つのサブフィール
ド内で起こる場合の方が発光輝度が小さい。これをサブ
フィールド間の輝度飽和と呼ぶ。図９中の発光輝度変化
の不連続はサブフィールド間の輝度飽和を主要因として
おり、サブフィールド法を用いる場合に特有の現象であ
ることを著者が明らかにしたものである。また、理想値
からの輝度の低下はサブフィールド内輝度飽和とサブフ
ィールド間輝度飽和の両方に影響されたものである。
同じ維持放電回数であっても、それが１つのサブフィー
ルド内で起こる場合と、複数のサブフィールドでの合計
である場合では発光輝度が異なり、１つのサブフィール
ド内で起こる場合の方が発光輝度が小さい。これをサブ
フィールド間の輝度飽和と呼ぶ。図９中の発光輝度変化
の不連続はサブフィールド間の輝度飽和を主要因として
おり、サブフィールド法を用いる場合に特有の現象であ
ることを著者が明らかにしたものである。また、理想値
からの輝度の低下はサブフィールド内輝度飽和とサブフ
ィールド間輝度飽和の両方に影響されたものである。
【００１７】したがって、図９のような階調輝度変化で
は微小な階調差が必要な映像では、適正な表示ができな
いという問題点がある。
は微小な階調差が必要な映像では、適正な表示ができな
いという問題点がある。
【００１８】本発明の目的は、上述した問題点を解消
し、要求する階調輝度を精度よく表示するプラズマディ
スプレイパネルの駆動方法を実現することであり、さら
に詳しく言えばサブフィールド間の輝度飽和を抑制し、
発光輝度変化連続性を高め、発光輝度を大きくすること
である。
し、要求する階調輝度を精度よく表示するプラズマディ
スプレイパネルの駆動方法を実現することであり、さら
に詳しく言えばサブフィールド間の輝度飽和を抑制し、
発光輝度変化連続性を高め、発光輝度を大きくすること
である。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、１フィ
ールドをｎ個（ｎは２以上の整数）のサブフィールドに
分割し、該ｎ個のサブフィールドでの発光輝度に重み付
けをし、ｍ個（ｍは０以上ｎ以下の整数）のサブフィー
ルドを選択的に発光させることにより階調表示を行うプ
ラズマディスプレイパネルの駆動方法において、フィー
ルド時間調整用の余裕時間と維持放電回数最小のサブフ
ィールドの間に、両者に隣接するように維持放電回数最
多のサブフィールドを配置することを特徴とするプラズ
マディスプレイパネルの駆動方法が得られる。
ールドをｎ個（ｎは２以上の整数）のサブフィールドに
分割し、該ｎ個のサブフィールドでの発光輝度に重み付
けをし、ｍ個（ｍは０以上ｎ以下の整数）のサブフィー
ルドを選択的に発光させることにより階調表示を行うプ
ラズマディスプレイパネルの駆動方法において、フィー
ルド時間調整用の余裕時間と維持放電回数最小のサブフ
ィールドの間に、両者に隣接するように維持放電回数最
多のサブフィールドを配置することを特徴とするプラズ
マディスプレイパネルの駆動方法が得られる。
【００２０】又、本発明によれば、１フィールドをｎ個
（ｎは２以上の整数）のサブフィールドに分割し、該ｎ
個のサブフィールドでの発光輝度に重み付けをし、ｍ個
（ｍは０以上ｎ以下の整数）のサブフィールドを選択的
に発光させることにより階調表示を行うプラズマディス
プレイパネルの駆動方法において、維持放電回数が最多
のサブフィールドを２つ以上に分割し、分割した間にフ
ィールド時間調整用等の余裕時間を配置し、かつ前記分
割したサブフィールドの最初のサブフィールドでのみ書
き込み選択を行い、前記分割した残りのサブフィールド
では書き込み選択を行わないことを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネルの駆動方法が得られる。
（ｎは２以上の整数）のサブフィールドに分割し、該ｎ
個のサブフィールドでの発光輝度に重み付けをし、ｍ個
（ｍは０以上ｎ以下の整数）のサブフィールドを選択的
に発光させることにより階調表示を行うプラズマディス
プレイパネルの駆動方法において、維持放電回数が最多
のサブフィールドを２つ以上に分割し、分割した間にフ
ィールド時間調整用等の余裕時間を配置し、かつ前記分
割したサブフィールドの最初のサブフィールドでのみ書
き込み選択を行い、前記分割した残りのサブフィールド
では書き込み選択を行わないことを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネルの駆動方法が得られる。
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【００２４】
【作用】サブフィールド間の輝度飽和と対策について図
４を用いて説明する。図４（ａ）はサブフィールド間輝
度飽和の発生を模式的に表した図である。発光サブフィ
ールドの維持パルス期間で間欠的に励起された付活剤中
の電子は、次のサブフィールドまでの時間に残光時間で
代表される割合で減衰していく。仮に励起電子数が０に
なってから、すなわち十分な時間間隔の後に次のサブフ
ィールド発光が発生すればサブフィールド間の輝度飽和
は生じないが、現実には時間的な制約のため図４（ａ）
に示すように発光サブフィールド後の励起電子が無くな
らないうちに次の発光サブフィールドとなり、サブフィ
ールド間の輝度飽和が生ずる。
４を用いて説明する。図４（ａ）はサブフィールド間輝
度飽和の発生を模式的に表した図である。発光サブフィ
ールドの維持パルス期間で間欠的に励起された付活剤中
の電子は、次のサブフィールドまでの時間に残光時間で
代表される割合で減衰していく。仮に励起電子数が０に
なってから、すなわち十分な時間間隔の後に次のサブフ
ィールド発光が発生すればサブフィールド間の輝度飽和
は生じないが、現実には時間的な制約のため図４（ａ）
に示すように発光サブフィールド後の励起電子が無くな
らないうちに次の発光サブフィールドとなり、サブフィ
ールド間の輝度飽和が生ずる。
【００２５】このようにサブフィールド間輝度飽和の大
きさは、注目しているサブフィールドが開始する時点で
すでに存在している励起電子数で決定されるため、サブ
フィールド開始時の励起電子数をサブフィールド間輝度
飽和レベルとして、飽和の大小を論ずることができる。
きさは、注目しているサブフィールドが開始する時点で
すでに存在している励起電子数で決定されるため、サブ
フィールド開始時の励起電子数をサブフィールド間輝度
飽和レベルとして、飽和の大小を論ずることができる。
【００２６】図４（ｂ）のように２つの発光サブフィー
ルドの間隔を広げると、前の発光サブフィールドで励起
した電子が十分に減ってから次のサブフィールドとな
り、サブフィールド間輝度飽和のレベルが減少する。
ルドの間隔を広げると、前の発光サブフィールドで励起
した電子が十分に減ってから次のサブフィールドとな
り、サブフィールド間輝度飽和のレベルが減少する。
【００２７】また図４（ｃ）のように第１番目の発光サ
ブフィールドの後に、発光輝度が少ない、すなわち維持
パルス数が少なく励起する電子の数が少ないサブフィー
ルドを配置すれば、図４（ｃ）中の３番目の発光サブフ
ィールドでのサブフィールド間輝度飽和レベルは、第１
番目の発光サブフィールドの直後の輝度飽和レベル（図
４（ａ）に相当）よりも小さくなる。この場合、第２番
目の発光サブフィールドの輝度飽和レベルは大きいが、
発光輝度の小さいサブフィールドではサブフィールド間
輝度飽和の影響も小さいので、全体的に見ると飽和現象
の抑制となる。
ブフィールドの後に、発光輝度が少ない、すなわち維持
パルス数が少なく励起する電子の数が少ないサブフィー
ルドを配置すれば、図４（ｃ）中の３番目の発光サブフ
ィールドでのサブフィールド間輝度飽和レベルは、第１
番目の発光サブフィールドの直後の輝度飽和レベル（図
４（ａ）に相当）よりも小さくなる。この場合、第２番
目の発光サブフィールドの輝度飽和レベルは大きいが、
発光輝度の小さいサブフィールドではサブフィールド間
輝度飽和の影響も小さいので、全体的に見ると飽和現象
の抑制となる。
【００２８】本発明においては、サブフィールドの後に
励起電子数減衰用の時間として余裕時間を設置すること
で図４（ｂ）の対策を行うことや、発光輝度の大きなサ
ブフィールドの後ろに小発光輝度のサブフィールドを配
置する図４（ｃ）の対策を講じることで、フィールドの
総和としてサブフィールド間輝度飽和レベルを下げる。
励起電子数減衰用の時間として余裕時間を設置すること
で図４（ｂ）の対策を行うことや、発光輝度の大きなサ
ブフィールドの後ろに小発光輝度のサブフィールドを配
置する図４（ｃ）の対策を講じることで、フィールドの
総和としてサブフィールド間輝度飽和レベルを下げる。
【００２９】
【実施例】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動
方法の第１の実施例を図１（ａ）を参照して説明する。
８サブフィールド分割において発光輝度の小さいサブフ
ィールドから順にＳＦ(1) →ＳＦ(2) →ＳＦ(3) →…→
ＳＦ(8) と名付けると、従来のサブフィールド順である
ＳＦ(8) →ＳＦ(7) →ＳＦ(6) →ＳＦ(5) →ＳＦ(4) →
ＳＦ(3) →ＳＦ(2) →ＳＦ(1) の配置に対し（図６参
照）、発光輝度最大のサブフィールドＳＦ(8) の後にフ
ィールド時間調整用の余裕時間を配置する。ＳＦ(8) →
（余裕時間）→ＳＦ(7) →ＳＦ(6) →ＳＦ(5) →ＳＦ
(4) →ＳＦ(3) →ＳＦ(2) →ＳＦ(1) のような配置にす
ると、サブフィールドＳＦ(8) で蛍光体内に励起された
大量の電子はその後の余裕時間内で十分に減衰し、サブ
フィールド間輝度飽和を抑制できる。
方法の第１の実施例を図１（ａ）を参照して説明する。
８サブフィールド分割において発光輝度の小さいサブフ
ィールドから順にＳＦ(1) →ＳＦ(2) →ＳＦ(3) →…→
ＳＦ(8) と名付けると、従来のサブフィールド順である
ＳＦ(8) →ＳＦ(7) →ＳＦ(6) →ＳＦ(5) →ＳＦ(4) →
ＳＦ(3) →ＳＦ(2) →ＳＦ(1) の配置に対し（図６参
照）、発光輝度最大のサブフィールドＳＦ(8) の後にフ
ィールド時間調整用の余裕時間を配置する。ＳＦ(8) →
（余裕時間）→ＳＦ(7) →ＳＦ(6) →ＳＦ(5) →ＳＦ
(4) →ＳＦ(3) →ＳＦ(2) →ＳＦ(1) のような配置にす
ると、サブフィールドＳＦ(8) で蛍光体内に励起された
大量の電子はその後の余裕時間内で十分に減衰し、サブ
フィールド間輝度飽和を抑制できる。
【００３０】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆
動方法の第２の実施例を図１（ｂ）を参照して説明す
る。従来のサブフィールド順に対し、発光輝度最大のサ
ブフィールドＳＦ(8) と発光輝度第２番目のサブフィー
ルドＳＦ(7) に後に、余裕時間を２つに分割して配置す
る。
動方法の第２の実施例を図１（ｂ）を参照して説明す
る。従来のサブフィールド順に対し、発光輝度最大のサ
ブフィールドＳＦ(8) と発光輝度第２番目のサブフィー
ルドＳＦ(7) に後に、余裕時間を２つに分割して配置す
る。
【００３１】ＳＦ(8) →（余裕時間）→ＳＦ(7) →（余
裕時間）→ＳＦ(6) →ＳＦ(5) →ＳＦ(4) →ＳＦ(3) →
ＳＦ(2) →ＳＦ(1) のような配置では、励起される電子
数の多いＳＦ(8) とＳＦ(7) のサブフィールドで、余裕
時間を配置しない場合に比べて励起電子の減衰量が多く
なり、サブフィールド間輝度飽和を制限できる。
裕時間）→ＳＦ(6) →ＳＦ(5) →ＳＦ(4) →ＳＦ(3) →
ＳＦ(2) →ＳＦ(1) のような配置では、励起される電子
数の多いＳＦ(8) とＳＦ(7) のサブフィールドで、余裕
時間を配置しない場合に比べて励起電子の減衰量が多く
なり、サブフィールド間輝度飽和を制限できる。
【００３２】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆
動方法の第３の実施例を図１（ｃ）を参照して説明す
る。従来のサブフィールド順に対し、全てのサブフィー
ルドの後に余裕時間を配置する。
動方法の第３の実施例を図１（ｃ）を参照して説明す
る。従来のサブフィールド順に対し、全てのサブフィー
ルドの後に余裕時間を配置する。
【００３３】ＳＦ(8) →（余裕時間）→ＳＦ(7) →（余
裕時間）→ＳＦ(6) →（余裕時間）→ＳＦ(5) →（余裕
時間）→ＳＦ(4) →（余裕時間）→ＳＦ(3) →（余裕時
間）→ＳＦ(2) →（余裕時間）→ＳＦ(1) のような配置
では全てのサブフィールドで、生成される蛍光体内励起
電子の減衰が促進され、サブフィールド間輝度飽和が抑
制される。
裕時間）→ＳＦ(6) →（余裕時間）→ＳＦ(5) →（余裕
時間）→ＳＦ(4) →（余裕時間）→ＳＦ(3) →（余裕時
間）→ＳＦ(2) →（余裕時間）→ＳＦ(1) のような配置
では全てのサブフィールドで、生成される蛍光体内励起
電子の減衰が促進され、サブフィールド間輝度飽和が抑
制される。
【００３４】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆
動方法の第４の実施例を図１（ｄ）を参照して説明す
る。最も発光回数の多いサブフィールドを最も発光回数
の少ないサブフィールドとフィールド時間調整用の余裕
時間の間に配置する。
動方法の第４の実施例を図１（ｄ）を参照して説明す
る。最も発光回数の多いサブフィールドを最も発光回数
の少ないサブフィールドとフィールド時間調整用の余裕
時間の間に配置する。
【００３５】例えば、図１（ｄ）に示すようにＳＦ(2)
→ＳＦ(6) →ＳＦ(3) →ＳＦ(7) →ＳＦ(5) →ＳＦ(4)
→ＳＦ(1) →ＳＦ(8) →（余裕時間）の順で配置された
場合においても上記同様サブフィールド間輝度飽和が抑
制される。
→ＳＦ(6) →ＳＦ(3) →ＳＦ(7) →ＳＦ(5) →ＳＦ(4)
→ＳＦ(1) →ＳＦ(8) →（余裕時間）の順で配置された
場合においても上記同様サブフィールド間輝度飽和が抑
制される。
【００３６】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆
動方法の第５の実施例を図２（ａ）を参照して説明す
る。発光輝度が大きく励起電子数の多いサブフィールド
ＳＦ(5) 〜ＳＦ(8) の後に発光輝度が小さく励起電子数
の少ないサブフィールドＳＦ(1) 〜ＳＦ(4) を配置す
る。ＳＦ(8) →ＳＦ(1) →ＳＦ(7) →ＳＦ(2) →ＳＦ
(6)→ＳＦ(3) →ＳＦ(5) →ＳＦ(4) のような配置にす
ると、励起電子数の多いサブフィールド、特にＳＦ(8)
とＳＦ(7) が連続している従来配置より、サブフィール
ド間輝度飽和の影響が少なくなる。図２（ｂ）〜（ｄ）
は発光輝度の大小のサブフィールドの組み合わせ方法の
図２（ａ）以外の他の例を示した図である。
動方法の第５の実施例を図２（ａ）を参照して説明す
る。発光輝度が大きく励起電子数の多いサブフィールド
ＳＦ(5) 〜ＳＦ(8) の後に発光輝度が小さく励起電子数
の少ないサブフィールドＳＦ(1) 〜ＳＦ(4) を配置す
る。ＳＦ(8) →ＳＦ(1) →ＳＦ(7) →ＳＦ(2) →ＳＦ
(6)→ＳＦ(3) →ＳＦ(5) →ＳＦ(4) のような配置にす
ると、励起電子数の多いサブフィールド、特にＳＦ(8)
とＳＦ(7) が連続している従来配置より、サブフィール
ド間輝度飽和の影響が少なくなる。図２（ｂ）〜（ｄ）
は発光輝度の大小のサブフィールドの組み合わせ方法の
図２（ａ）以外の他の例を示した図である。
【００３７】上記第５の実施例の励起電子数の大小のサ
ブフィールドの組み合わせと上記第１乃至第４の実施例
の余裕時間の配置を同時に行えば上記効果はより大きく
なる。
ブフィールドの組み合わせと上記第１乃至第４の実施例
の余裕時間の配置を同時に行えば上記効果はより大きく
なる。
【００３８】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆
動方法の第６の実施例を図３を参照して説明する。サブ
フィールド間輝度飽和に与える影響が最も大きいサブフ
ィールドを２つに分割する。例えば図３では発光輝度の
重み付け１２８のサブフィールドＳＦ(8) を２分割し、
発光輝度の重み付け６４の２つのサブフィールドＳＦ
(8) ′，ＳＦ(8) ″にする。この場合、図３（ａ）にあ
るようにＳＦ(8) ′は走査期間を含むが、ＳＦ(8) ″は
走査期間はなく維持期間のみであるため、ＳＦ(8) ″の
時間の方がＳＦ(8) ′よりも短くなる。
動方法の第６の実施例を図３を参照して説明する。サブ
フィールド間輝度飽和に与える影響が最も大きいサブフ
ィールドを２つに分割する。例えば図３では発光輝度の
重み付け１２８のサブフィールドＳＦ(8) を２分割し、
発光輝度の重み付け６４の２つのサブフィールドＳＦ
(8) ′，ＳＦ(8) ″にする。この場合、図３（ａ）にあ
るようにＳＦ(8) ′は走査期間を含むが、ＳＦ(8) ″は
走査期間はなく維持期間のみであるため、ＳＦ(8) ″の
時間の方がＳＦ(8) ′よりも短くなる。
【００３９】さらに、分割後に最大発光輝度となる発光
輝度の重み付け６４の３つのサブフィールドの間に図３
（ｂ）のように余裕時間を設定すればサブフィールド間
輝度飽和の抑制により効果的である。
輝度の重み付け６４の３つのサブフィールドの間に図３
（ｂ）のように余裕時間を設定すればサブフィールド間
輝度飽和の抑制により効果的である。
【００４０】これまで示したサブフィールド配置順に関
し、時間的に対称なサブフィールド配列を用いても全く
同じ効果が得られる。例えば、サブフィールドの配置に
おいて、ＳＦ(8) →（余裕時間）→ＳＦ(7) →ＳＦ(6)
→ＳＦ(5) →ＳＦ(4) →ＳＦ(3) →ＳＦ(2) →ＳＦ(1)
のような配置順に対し、これと対称なＳＦ(1) →ＳＦ
(2) →ＳＦ(3) →ＳＦ(4) →ＳＦ(5) →ＳＦ(6) →ＳＦ
(7) →（余裕時間）→ＳＦ(8) のような配置順したとし
てもサブフィールド間輝度飽和の抑制の効果は同一であ
る。
し、時間的に対称なサブフィールド配列を用いても全く
同じ効果が得られる。例えば、サブフィールドの配置に
おいて、ＳＦ(8) →（余裕時間）→ＳＦ(7) →ＳＦ(6)
→ＳＦ(5) →ＳＦ(4) →ＳＦ(3) →ＳＦ(2) →ＳＦ(1)
のような配置順に対し、これと対称なＳＦ(1) →ＳＦ
(2) →ＳＦ(3) →ＳＦ(4) →ＳＦ(5) →ＳＦ(6) →ＳＦ
(7) →（余裕時間）→ＳＦ(8) のような配置順したとし
てもサブフィールド間輝度飽和の抑制の効果は同一であ
る。
【００４１】同様に、ＳＦ(8) →（余裕時間）→ＳＦ
(7) →（余裕時間）→ＳＦ(6) →ＳＦ(5) →ＳＦ(4) →
ＳＦ(3) →ＳＦ(2) →ＳＦ(1) のような配置順とＳＦ
(1) →ＳＦ(2) →ＳＦ(3) →ＳＦ(4) →ＳＦ(5) →ＳＦ
(6) →（余裕時間）→ＳＦ(7) →（余裕時間）→ＳＦ
(8) のような配置順、及びＳＦ(8) →ＳＦ(1) →ＳＦ
(7) →ＳＦ(2) →ＳＦ(6) →ＳＦ(3) →ＳＦ(5) →ＳＦ
(4) のような配置順とＳＦ(4)→ＳＦ(5) →ＳＦ(3) →
ＳＦ(6) →ＳＦ(2) →ＳＦ(7) →ＳＦ(1) →ＳＦ(8) の
ような配置順ではサブフィールド間輝度飽和の抑制の効
果は同じである。
(7) →（余裕時間）→ＳＦ(6) →ＳＦ(5) →ＳＦ(4) →
ＳＦ(3) →ＳＦ(2) →ＳＦ(1) のような配置順とＳＦ
(1) →ＳＦ(2) →ＳＦ(3) →ＳＦ(4) →ＳＦ(5) →ＳＦ
(6) →（余裕時間）→ＳＦ(7) →（余裕時間）→ＳＦ
(8) のような配置順、及びＳＦ(8) →ＳＦ(1) →ＳＦ
(7) →ＳＦ(2) →ＳＦ(6) →ＳＦ(3) →ＳＦ(5) →ＳＦ
(4) のような配置順とＳＦ(4)→ＳＦ(5) →ＳＦ(3) →
ＳＦ(6) →ＳＦ(2) →ＳＦ(7) →ＳＦ(1) →ＳＦ(8) の
ような配置順ではサブフィールド間輝度飽和の抑制の効
果は同じである。
【００４２】本発明によるサブフィールド配列はサブフ
ィールド選択により階調表示を行う全てのプラズマディ
スプレイパネルに適用可能であり、動作方式上の分類で
あるＡＣ型、ＤＣ型、駆動方式上の分類である走査維持
分離方式、走査維持混合方式等のいずれの組み合わせに
対しても有効である。
ィールド選択により階調表示を行う全てのプラズマディ
スプレイパネルに適用可能であり、動作方式上の分類で
あるＡＣ型、ＤＣ型、駆動方式上の分類である走査維持
分離方式、走査維持混合方式等のいずれの組み合わせに
対しても有効である。
【００４３】また本発明はフィールド時間、例えば１／
６０秒、の１／１０以上の残光時間を持つ蛍光体を使用
するプラズマディスプレイパネルに適用した場合に特に
効果的である。ここでの残光時間とは、蛍光体が励起さ
れその後励起が途絶えた瞬間の輝度が、１０％に減衰す
るまでの時間で定義されたものとする。
６０秒、の１／１０以上の残光時間を持つ蛍光体を使用
するプラズマディスプレイパネルに適用した場合に特に
効果的である。ここでの残光時間とは、蛍光体が励起さ
れその後励起が途絶えた瞬間の輝度が、１０％に減衰す
るまでの時間で定義されたものとする。
【００４４】尚、本実施例では、１フィールドを８個の
サブフィールドに分割し、これら８個のサブフィールド
での発光輝度に重み付けをし、８個のサブフィールドを
発光させて階調表示を行っている場合を例に挙げたが、
その分割数も８に限らずｎ個（ｎは２以上の整数）であ
っても良く、さらに選択発光させる数も８に限らずｍ個
（ｍは１以上ｎ以下の整数）であっても良い。
サブフィールドに分割し、これら８個のサブフィールド
での発光輝度に重み付けをし、８個のサブフィールドを
発光させて階調表示を行っている場合を例に挙げたが、
その分割数も８に限らずｎ個（ｎは２以上の整数）であ
っても良く、さらに選択発光させる数も８に限らずｍ個
（ｍは１以上ｎ以下の整数）であっても良い。
【００４５】
【発明の効果】本発明のプラズマディスプレイパネルの
駆動方法によれば、階調輝度変化の連続性が高まり、発
光輝度が増加する。従って、高階調の画像や、自然画の
ような微妙な色調変化を持つ画像でも、忠実な輝度・色
調の再現を行うことができ、高忠実度の映像表示ディス
プレイが得られるので、工業上非常に有用である。
駆動方法によれば、階調輝度変化の連続性が高まり、発
光輝度が増加する。従って、高階調の画像や、自然画の
ような微妙な色調変化を持つ画像でも、忠実な輝度・色
調の再現を行うことができ、高忠実度の映像表示ディス
プレイが得られるので、工業上非常に有用である。
【図１】図１（ａ）は、本発明の駆動方法の第１の実施
例を説明する原理図であり、図１（ｂ）は、本発明の駆
動方法の第２の実施例を説明する原理図であり、図１
（ｃ）は、本発明の駆動方法の第３の実施例を説明する
原理図であり、図１（ｄ）は、本発明の駆動方法の第４
の実施例を説明する原理図である。
例を説明する原理図であり、図１（ｂ）は、本発明の駆
動方法の第２の実施例を説明する原理図であり、図１
（ｃ）は、本発明の駆動方法の第３の実施例を説明する
原理図であり、図１（ｄ）は、本発明の駆動方法の第４
の実施例を説明する原理図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の駆動方法の第５の実施
例を説明する原理図であり、図２（ｂ）〜図２（ｄ）
は、本発明の駆動方法の第５の実施例における他の配置
順を示す図である。
例を説明する原理図であり、図２（ｂ）〜図２（ｄ）
は、本発明の駆動方法の第５の実施例における他の配置
順を示す図である。
【図３】本発明の駆動方法の第６の実施例を説明する図
である。
である。
【図４】図４（ａ）はサブフィールド間輝度飽和の発生
を説明するための図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）に
おいて２つの発光サブフィールドの間隔を広げた場合に
おけるサブフィールド間輝度飽和の発生を説明するため
の図であり、図４（ｃ）は第１番目の発光サブフィール
ドの後に、発光輝度が少ないサブフィールドを配置した
場合におけるサブフィールド間輝度飽和の発生を説明す
るための図である。
を説明するための図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）に
おいて２つの発光サブフィールドの間隔を広げた場合に
おけるサブフィールド間輝度飽和の発生を説明するため
の図であり、図４（ｃ）は第１番目の発光サブフィール
ドの後に、発光輝度が少ないサブフィールドを配置した
場合におけるサブフィールド間輝度飽和の発生を説明す
るための図である。
【図５】図５（ａ）は、プラズマディスプレイパネルの
平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のプラズマディ
スプレイパネルの断面図である。
平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のプラズマディ
スプレイパネルの断面図である。
【図６】従来のサブフィールド配置順と階調表示方法を
説明する図である。
説明する図である。
【図７】電極配置に注目したプラズマディスプレイパネ
ルの構成図である。
ルの構成図である。
【図８】図６の１つのサブフィールドにおける駆動電圧
波形と発光波形を示す図である。
波形と発光波形を示す図である。
【図９】図６の各サブフィールドにそれぞれ２n 個の維
持パルスを与えたとの発光輝度を示す図である。
持パルスを与えたとの発光輝度を示す図である。
【図１０】プラズマディスプレイパネル駆動における信
号の流れを説明するブロック図である。
号の流れを説明するブロック図である。
１０，５０ プラズマディスプレイパネル １１ 第１絶縁基板 １２ 第２絶縁基板 １３ａ，Ｃ1 ，Ｃ2 ，…，Ｃm 維持電極 １３ｂ，Ｓ1 ，Ｓ2 ，…，Ｓm 走査電極 １３ｃ 金属電極 １４，Ｄ1 ，Ｄ2 ，…，Ｄn 列電極 １５ 放電ガス空間 １６ 隔壁 １７ 蛍光体 １８ａ，１８ｂ 絶縁層 １９ 保護層 ２０ 画素 ２１ シール部 ３１，３２ 維持パルス ３３ 走査パルス ３４ データパルス ３５ 消去パルス ３６ 予備放電パルス ３７ 予備放電消去パルス ４１ 同期信号検出回路 ４２ Ａ／Ｄ変換器 ４３ デジタル逆γ補正回路 ４４ タイミング信号発生回路 ４５ メモリ ４６ 行ドライバ ４７ 列ドライバ ４８ 受信部
Claims (2)
- 【請求項１】 １フィールドをｎ個（ｎは２以上の整
数）のサブフィールドに分割し、該ｎ個のサブフィール
ドでの発光輝度に重み付けをし、ｍ個（ｍは０以上ｎ以
下の整数）のサブフィールドを選択的に発光させること
により階調表示を行うプラズマディスプレイパネルの駆
動方法において、フィールド時間調整用の余裕時間と維
持放電回数最小のサブフィールドの間に、両者に隣接す
るように維持放電回数最多のサブフィールドを配置する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方
法。 - 【請求項２】 １フィールドをｎ個（ｎは２以上の整
数）のサブフィールドに分割し、該ｎ個のサブフィール
ドでの発光輝度に重み付けをし、ｍ個（ｍは０以上ｎ以
下の整数）のサブフィールドを選択的に発光させること
により階調表示を行うプラズマディスプレイパネルの駆
動方法において、維持放電回数が最多のサブフィールド
を２つ以上に分割し、分割した間にフィールド時間調整
用等の余裕時間を配置し、かつ前記分割したサブフィー
ルドの最初のサブフィールドでのみ書き込み選択を行
い、前記分割した残りのサブフィールドでは書き込み選
択を行わないことを特徴とするプラズマディスプレイパ
ネルの駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6300504A JP2737763B2 (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | プラズマディスプレイパネルの駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6300504A JP2737763B2 (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | プラズマディスプレイパネルの駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08160913A JPH08160913A (ja) | 1996-06-21 |
| JP2737763B2 true JP2737763B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=17885620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6300504A Expired - Fee Related JP2737763B2 (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | プラズマディスプレイパネルの駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6741227B2 (en) | 1997-08-07 | 2004-05-25 | Hitachi, Ltd. | Color image display apparatus and method |
| JP2002132204A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Nec Corp | Ａｃ型プラズマディスプレイパネルの駆動方法及びａｃ型プラズマディスプレイ |
| JP2003098994A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Nec Corp | プラズマディスプレイパネルの駆動方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2680429B2 (ja) * | 1989-06-16 | 1997-11-19 | 日本放送協会 | メモリ型表示パネルの中間調表示方式 |
| JP2625220B2 (ja) * | 1989-10-25 | 1997-07-02 | 富士通株式会社 | 画像表示装置 |
| JP2720607B2 (ja) * | 1990-03-02 | 1998-03-04 | 株式会社日立製作所 | 表示装置、階調表示方法及び駆動回路 |
| JPH05313599A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Nec Corp | 表示板の階調駆動方式 |
| JPH05333814A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | 映像表示方法 |
| JPH06282242A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Pioneer Electron Corp | ガス放電パネルの駆動方法 |
| JPH077702A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-10 | Fujitsu General Ltd | プラズマディスプレイ表示装置 |
| JP2903984B2 (ja) * | 1993-12-17 | 1999-06-14 | 株式会社富士通ゼネラル | ディスプレイ装置の駆動方法 |
| JP3555995B2 (ja) * | 1994-10-31 | 2004-08-18 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイ装置 |
-
1994
- 1994-12-05 JP JP6300504A patent/JP2737763B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH08160913A (ja) | 1996-06-21 |
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