JP2717602B2

JP2717602B2 - 感光性組成物

Info

Publication number: JP2717602B2
Application number: JP2412975A
Authority: JP
Inventors: 利明青合; 光則小野
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1990-01-16
Filing date: 1990-12-25
Publication date: 1998-02-18
Anticipated expiration: 2013-02-18
Also published as: US5294511A; US5204217A; JPH04121748A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、平版印刷、多色印刷の
校正刷、オーバーヘツドプロジエクター用図面、更には
半導体素子の集積回路を製造する際に微細なレジストパ
ターンを形成することが可能なポジ型感光性組成物に関
する。

【０００２】

【従来の技術】平版印刷版等の用途において活性光線に
より可溶化する、いわゆるポジチブに作用する感光性物
質としては、従来オルトキノンジアジド化合物が知られ
ており、実際平版印刷版等に広く利用されてきた。この
ようなオルトキノンジアジド化合物の例は、例えば、米
国特許２７６６１１８，同２７６７０９２，同２７７２
９７２，同２８５９１１２，同２９０７６６５，同３０
４６１１０，同３０４６１１１，同３０４６１１５，同
３０４６１１８，同３０４６１１９，同３０４６１２
０，同３０４６１２１，同３０４６１２２，同３０４６
１２３，同３０６１４３０，同３１０２８０９，同３１
０６４６５，同３６３５７０９，同３６４７４４３の各
明細書をはじめ、多数の刊行物に記載されている。これ
らのオルトキノンジアジド化合物は、活性光線の照射に
より分解を起こして５員環のカルボン酸を生じ、アルカ
リ可溶性となる性質が利用されるものであるが、光分解
により窒素ガスを生じるため、感光層に密着させた原画
が浮き上がり、焼きボケを生じたり、現像時未分解のオ
ルトキノンジアジド化合物がカップリング反応を起こす
等の問題があつた。

【０００３】一方、半導体素子、磁気バブルメモリー、
集積回路等の電子部品を製造するためのパターン形成法
としては、従来より、紫外線または可視光線に感光する
フオトレジストを利用する方法が幅広く実用に供されて
いる。フオトレジストには、光照射により被照射部が現
像液に不溶化するネガ型と、反対に可溶化するポジ型と
があるが、ネガ型はポジ型に比べて感度が良く、湿式エ
ツチングに必要な基板との接着性及び耐薬品性にも優れ
ていることから、近年までフオトレジストの主流を占め
ていた。しかし、半導体素子等の高密度化、高集積化に
伴い、パターンの線幅や間隔が極めて小さくなり、ま
た、基板のエツチングにはドライエツチングが採用され
るようになつたことから、フオトレジストには高解像度
及び高ドライエツチング耐性が望まれるようになり、現
在ではポジ型フオトレジストが大部分を占めるようにな
つた。特に、ポジ型フオトレジストの中でも、感度、解
像度、ドライエツチング耐性に優れることから、例えば
ジエー・シー・ストリエータ著、コダツク・マイクロエ
レクトロニクス・セミナー・プロシーデイングス、第１
１６頁（１９７６年）（Ｊ．Ｃ．Ｓｔｒｉｅｔｅｒ，Ｋ
ｏｄａｋＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＳｅｍ
ｉｎａｒＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ，１１６（１９７
６））等に挙げられた、アルカリ可溶性のノボラツク樹
脂をベースにしたアルカリ現像型のポジ型フオトレジス
トが現行プロセスの主流になつている。

【０００４】しかしながら、近年、電子機器の多機能
化、高度化に伴い、更に高密度、並びに高集積化を図る
べく、パターンの微細化が強く要請されている。これに
対し、近年、露光光源の短波長化、即ちｇ線（４３６ｎ
ｍ）からｉ線（３６５ｎｍ）、更には、Ｄｅｅｐ−ＵＶ
光（２００〜３００ｎｍ）へと検討が進められている
が、従来のポジ型フオトレジストの感光物であるオルト
キノンジアジド化合物は、Ｄｅｅｐ−ＵＶ領域での吸収
が大きく、またこの領域の光ブリーチ性が小さいため、
Ｄｅｅｐ−ＵＶ光を光源として使用した場合、レジスト
パターンの形状が劣化するという問題があつた。これに
対して、オルトキノンジアジド化合物を用いずにポジチ
ブに作用させる感光性組成物に関して、いくつかの提案
がされている。その１つとして、例えば特公昭５６−２
６９６，米国特許４５５１４１６，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃ
ｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，１９巻．１３３８頁（１９８
１）、Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２９
巻．２５５２頁（１９８２）、同１３０巻．１４３３頁
（１９８３）等に記載されている、２−ニトロベンジル
エステルもしくは２，６−ジニトロベンジルエステル基
を有する化合物、また特開昭６０−２４３６５３，Ｍａ
ｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ．２１巻．２００１頁（１９
８８）、ＳＰＩＥ．９２０巻．６７頁（１９８８）等に
記載されている２−ニトロベンジルスルホネートもしく
は２，６−ジニトロベンジルスルホネート基を有する化
合物が挙げられる。しかし、これらの化合物の場合にお
いても、Ｄｅｅｐ−ＵＶ領域の吸収が大きく、また光ブ
リーチしないため、同様な問題が発生している。

【０００５】更に、Ｄｅｅｐ−ＵＶ領域の光ブリーチ性
を上げる試みとして、ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓ．ＥＤ−２８巻，１３００頁
（１９８１）、ＳＰＩＥ７７１巻．２頁（１９８
７）、同９２０巻．５１頁（１９８８）、Ｊ．Ｐｈｏｔ
ｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，２巻，３９
２頁（１９８９）、及び米国特許４５２２９１１，同４
６０１９６９，同４６２２２８３，同４６２４９０８，
同４６２６４９１，同４７５２５５１，同４８０８５１
２，特開昭６３−１６３３４０，同６４−５４０，同６
４−３３５４３，特開平１−１０６０３４，同１−１０
６０３５，同１−１０６０３６，同１−１０６０３７，
同１−１２４８４９，同１−１５２４５１，同１−１８
８８５２等に記載されている、２−ジアゾ−１，３−ジ
オン（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｎ_２）−Ｃ（＝Ｏ）−）基
を有する化合物を挙げることができる。これらの化合物
は確かにＤｅｅｐ−ＵＶ領域において光ブリーチ性を示
すが、これらの化合物自体のベーク時における昇華性が
大きい、及び未露光部のアルカリ現像液に対する溶解阻
止能が小さいという問題がある。

【０００６】また更に、露光により脱ＣＯ_２反応を生起
させ、露光部のアルカリ現像液に対する溶解阻止能を低
下させることによりポジ型パターンを得る方法として、
特開平１−１４０１４４記載の種々の置換ベンジルエス
テル化合物を用いた系が挙げられるが、この場合露光部
と未露光部のアルカリ現像液に対する溶解性の差が十分
に大きくはならないという問題がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点が解決された新規なポジ型感光性組成物を提供す
ることである。即ち露光時ガスを発生せず、また現像時
カツプリング反応を起こさない新規なポジ型感光性組成
物を提供することである。本発明の別の目的は、短波長
の光、特にＤｅｅｐ−ＵＶ領域の光に対し、良好なレジ
ストパターンを形成し得る新規なポジ型感光性組成物を
提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成すべく鋭意検討を加えた結果、アルコキシベンジ
ルエステル基もしくはアルコキシベンジルスルホネート
基を有する新規な高分子化合物を用いることにより、上
記目的が達成されることを見いだし、本発明に到達し
た。即ち本発明の目的は、下記一般式（Ｉ）もしくは
（ＩＩ）で表され、下記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、
（Ｖ）もしくは（ＶＩ）で表されるモノマーに由来する
構造単位を少なくとも１モル％有する高分子化合物であ
って活性光線の照射によりカルボン酸もしくはスルホン
酸を発生する基を有する化合物を含有することを特徴と
する感光性組成物により達成された。

【０００９】

【化４】

【００１０】ここで、Ｒ_１：水素原子、アルキル基もしくはアリール基。Ｒ_２〜Ｒ_６：同一でも異なっていても良く、水素原子、
ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、シアノ
基もしくはアルキル基。ただし、少なくとも１つはアル
コキシ基もしくはアリーロキシ基であり、２つが結合し
て環を形成しても良い。を表す。

【００１１】

【化５】

【００１２】ここで、Ｒ：水素原子、ハロゲン原子もしくはアルキル基。Ｒ_１：水素原子、アルキル基もしくはアリール基。Ｒ_２〜Ｒ_６：同一でも異なっていても良く、水素原子、
ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、シアノ
基もしくはアルキル基。ただし、少なくとも１つはアル
コキシ基もしくはアリーロキシ基であり、２つが結合し
て環を形成しても良い。Ａ：単結合もしくは２価の脂肪族もしくは芳香族炭化水
素基。を表す。以下に、本発明を詳細に説明する。

【００１３】一般式（Ｉ）もしくは（ＩＩ）で表される
基を有する化合物としては、下記一般式（ＩＩＩ）、
（ＩＶ）、（Ｖ）もしくは（ＶＩ）で表されるモノマー
に由来する構造単位を少なくとも１モル％有する高分子
化合物である。

【００１４】

【化６】

【００１５】ここで、Ｒ：水素原子、ハロゲン原子もしくはアルキル基、好ま
しくは水素原子もしくは炭素数１〜４個のアルキル基、
更に好ましくは水素原子もしくはメチル基、Ｒ_１：水素原子、アルキル基もしくはアリール基、好ま
しくは水素原子もしくは炭素数１〜４個のアルキル基、Ｒ_２〜Ｒ_６：同一でも異なっていても良く、水素原子、
ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、シアノ
基もしくはアルキル基、好ましくは水素原子、塩素原
子、炭素数１〜６個のアルコキシ基、炭素数６〜１５個
のアリーロキシ基、または炭素数１〜４個の直鎖もしく
は分枝アルキル基、更に好ましくは水素原子もしくは炭
素数１〜６個のアルコキシ基、を示す。ただし、Ｒ_２〜Ｒ_６の少なくとも１つはアルコ
キシもしくはアリーロキシ基、好ましくはＲ_２〜Ｒ_６の
少なくとも１つはアルコキシもしくはアリーロキシ基で
あり、Ｒ_２〜Ｒ_６のうちの２つが結合して環を形成して
も良い。具体的には、ＣＨ_２＝Ｃ（−Ｒ）−Ａ−または

【００１６】

【化７】

【００１７】を除く基として、２−アルコキシベンジ
ル、３−アルコキシベンジル、２，３−ジアルコキシベ
ンジル、２，４−ジアルコキシベンジル、２，５−ジア
ルコキシベンジル、２，６−ジアルコキシベンジル、
３，４−ジアルコキシベンジル、３，５−ジアルコキシ
ベンジル、２，３，４−トリアルコキシベンジル、３，
４，５−トリアルコキシベンジルのエステルもしくはス
ルホネート基を示す。Ａ：単結合、もしくは２価の脂肪族もしくは芳香族炭化
水素基、好ましくは単結合、２価の炭素数１〜３０個の
脂肪族基、または２価の炭素数６〜２０個の単環もしく
は多環芳香族基、更に好ましくは単結合、２価の炭素数
１〜１０個の脂肪族基、または２価の炭素数６〜１５個
の単環もしくは多環芳香族基を示す。また、Ａ中にケト
ン、エーテル、エステル、アミド、ウレタン、ウレイド
基を含有してもよく、更にこれらの基を介してＣＨ_２＝
Ｃ（−）−Ｒ基もしくは

【００１８】

【化８】

【００１９】基と結合してもよい。これらの高分子化合
物は、活性光線もしくは放射線の照射によりカルボン酸
もしはくスルホン酸を発生して、アルカリ水溶液に対す
る溶解性が増大する特性を有している。これらの化合物
と、水不溶性でかつアルカリ水溶液に可溶な樹脂を含有
する組成物としても良い。また、一般式（Ｉ）もしくは
（ＩＩ）で表される基を有する化合物が、下記一般式
（ＶＩＩ）で表される化合物であっても良い。

【００２０】

【化９】

【００２１】ここで、Ｒ_１：水素原子、アルキル基もしくはアリール基、好ま
しくは水素原子もしくは炭素数１〜４個のアルキル基、Ｒ_２〜Ｒ_６：同一でも異なっていても良く、水素原子、
ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、シアノ
基もしくはアルキル基、好ましくは水素原子、塩素原
子、炭素数１〜６個のアルコキシ基、炭素数６〜１５個
のアリーロキシ基、又は炭素数１〜４個の直鎖もしくは
分枝アルキル基、更に好ましくは水素原子、もしくは炭
素原子数１〜６個のアルコキシ基、を示す。ただし、Ｒ_２〜Ｒ_６の少なくとも１つはアルコ
キシ基もしくはアリーロキシ基であり、好ましくはＲ_２
もしくはＲ_３の少なくとも１つはアルコキシ基もしくは
アリーロキシ基である。更にＲ_２〜Ｒ_６のうちの２つが
結合して環を形成しても良い。具体的には、Ａを除く基
として、２−アルコキシベンジル、３−アルコキシベン
ジル、２，３−ジアルコキシベンジル、２，４−ジアル
コキシベンジル、２，５−ジアルコキシベンジル、２，
６−ジアルコキシベンジル、３，４−ジアルコキシベン
ジル、３，５−ジアルコキシベンジル、２，３，４−ト
リアルコキシベンジル、３，４，５−トリアルコキシベ
ンジルのエステルもしくはスルホネート基を示す。Ａ：ｎ価の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基、好ましく
は炭素数１〜３０個の脂肪族基、又は炭素数６〜２０個
の単環もしくは多環芳香族基を示す。また、Ａ中にケト
ン、エーテル、エステル、アミド、ウレタン、ウレイ
ド、ハロゲン等の基を含有しても良い、ｎ：１以上の整数、好ましくは１〜１０の整数、を示す。これら一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を用
いる場合には、上記水不溶でアルカリ水溶液に可溶な樹
脂は、必須成分となる。以下に、本発明の成分について
詳細に説明する。

【００２２】［式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）もしく
は（ＶＩ）で表されるモノマー単位を有する高分子化合
物］一般式（ＩＩＩ）もしくは（Ｖ）で表されるモノマー
は、例えば、

【００２３】

【化１０】

【００２４】もしくはＣＨ_２＝Ｃ（−Ｒ）−Ａ−ＣＯＯ
Ｈと、下記一式（ＩＸ）で表される化合物との脱水試剤
による脱水縮合反応、またはこれらの化合物と下記一般
式（Ｘ）で表される化合物との塩基存在下における求核
置換反応、あるいは、

【００２５】

【化１１】

【００２６】もしくはＣＨ_２＝Ｃ（−Ｒ）−Ａ−ＣＯＣ
ｌと、下記一般式（ＩＸ）で表される化合物との、塩基
存在下における脱ＨＣｌ縮合反応、等の公知の方法によ
り合成される。

【００２７】

【化１２】

【００２８】（ここで、Ｒ_１〜Ｒ_６、Ｒ、及びＡは、一
般式（ＩＩＩ）の場合と同義である。またＸは塩素原子
もしくは臭素原子を示す。）一般式（ＩＶ）もしくは
（ＶＩ）で表されるモノマーにおいても同様に一般式
（ＩＸ）の化合物と

【００２９】

【化１３】

【００３０】もしくはＣＨ_２＝Ｃ（−Ｒ）−Ａ−ＳＯ_２
Ｃｌとの塩基存在下による脱ＨＣｌ縮合反応により合成
できる。一般式（ＩＸ）の化合物は、下記一般式（Ｘ
Ｉ）の化合物と金属水素化合物との還元反応等により合
成される。また、一般式（Ｘ）の化合物は一般式（Ｘ
Ｉ）の化合物から、オキシ塩化燐、チオニルクロリド等
のハロゲン化試剤の作用により変換できる。

【００３１】

【化１４】

【００３２】（ここで、Ｒ_２〜Ｒ_６は一般式（ＩＩＩ）
もしくは（ＩＶ）の場合と同義である。Ｒ_７は水素原
子、アルキルもしくはアリール基を表す。）本発明に用
いられる高分子化合物は、一般式（ＩＩＩ）〜（ＶＩ）
で示されるモノマーに由来する構造単位を２種以上含有
していてもよい。以下に、一般式（ＩＩＩ）、（Ｉ
Ｖ）、（Ｖ）もしくは（ＶＩ）で表されるモノマーの具
体例（１）〜（４４）を示す。なお、具体例中のＲは水
素原子もしくはメチル基を表す。

【００３３】

【化１５】

【００３４】

【化１６】

【００３５】

【化１７】

【００３６】

【化１８】

【００３７】

【化１９】

【００３８】

【化２０】

【００３９】

【化２１】

【００４０】

【化２２】

【００４１】

【化２３】

【００４２】

【化２４】

【００４３】本発明においては、他の重合可能なエチレ
ン性不飽和結合を有する化合物（１種以上）との共重合
体の形で使用することもできる。この場合には、一般式
（ＩＩＩ）〜（ＶＩ）で表されるモノマーの重合比は、
使用する共重合モノマーの種類により変わるが、少なく
とも１モル％、好ましくは５モル％以上、更に好ましく
は１０モル％以上である。好適な重合可能なエチレン性
不飽和結合を有する化合物としては、以下に示すものが
含まれる。例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸
エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、
アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、
スチレン類、クロトン酸エステル類等から選ばれる付加
重合性不飽和結合を１個有する化合物である。

【００４４】具体的には、アクリル酸エステル類：例えばアルキル（該アルキル基
の炭素数が１〜１０のものが好ましい）アクリレート
（アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プ
ロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸アミル、アクリ
ル酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸
−ｔ−オクチル、クロルエチルアクリレート、２−ヒド
ロキシエチルアクリレート、２，２−ジメチルヒドロキ
シプロピルアクリレート、５−ヒドロキシペンチルアク
リレート、トリメチロールプロパンモノアクリレート、
ペンタエリスリトールモノアクリレート、グリシジルア
クリレート、ベンジルアクリレート、メトキシベンジル
アクリレート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロ
フルフリルアクリレート、等）、アリールアクリレート
（フエニルアクリレート等）。

【００４５】メタクリル酸エステル類：アルキル（該ア
ルキル基の炭素数が１〜１０のものが好ましい）メタク
リレート（メチルメタクリレート、エチルメタクリレー
ト、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレ
ート、アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレー
ト、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリ
レート、クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタ
クリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、４
−ヒドロキシブチルメタクリレート、５−ヒドロキシペ
ンチルメタクリレート、２，２−ジメチル−３−ヒドロ
キシプロピルメタクリレート、トリメチロールプロパン
モノメタクリレート、ペンタエリスリトールモノメタク
リレート、グリシジルメタクリレート、フルフリルメタ
クリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、
等）、アリールメタクリレート（フエニルメタクリレー
ト、クレジルメタクリレート、ナフチルメタクリレート
等）。アクリルアミド類：例えばアクリルアミド、Ｎ−
アルキルアクリルアミド（該アルキル基としては、炭素
数１〜１０のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチル基、オクチル
基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒドロキシエチル
基、等）、Ｎ−アリールアクリルアミド（該アリール基
としては、フエニル基、トリル基、ニトロフエニル基、
ナフチル基、シアノフエニル基、ヒドロキシフエニル
基、等）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリルアミド（該アル
キル基としては、炭素数１〜１０のもの、例えばメチル
基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチルヘキシ
ル基、シクロヘキシル基、等）、Ｎ，Ｎ−アリールアク
リルアミド（該アリール基としては、フエニル基、
等）、Ｎ−メチル−Ｎ−フエニルアクリルアミド、Ｎ−
ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−２
−アセトアミドエチル−Ｎ−アセチルアクリルアミド、
等。メタクリルアミド類：メタクリルアミド、Ｎ−アルキル
メタクリルアミド（該アルキル基としては、炭素数１〜
１０のもの、例えばメチル基、エチル基、ｔ−ブチル
基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエチル基、シクロヘ
キシル基、等）、Ｎ−アリールメタクリルアミド（該ア
リール基としては、フエニル基、ヒドロキシフエニル
基、等）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルメタクリルアミド（該ア
ルキル基としては、エチル基、プロピル基、ブチル基、
等）、Ｎ，Ｎ−ジアリールメタクリルアミド（該アリー
ル基としては、フエニル基等）、Ｎ−ヒドロキシエチル
−Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フエ
ニルメタクリルアミド、Ｎ−エチル−Ｎ−フエニルメタ
クリルアミド、等。

【００４６】アリル化合物：アリルエステル類（酢酸ア
リル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウリン
酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリル、
安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル、
等）、アリルオキシエタノール、等。

【００４７】ビニルエーテル類：アルキルビニルエーテ
ル（ヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテ
ル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニルエー
テル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチル
ビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、１−メ
チル−２，２−ジメチルプロピルビニルエーテル、２−
エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニル
エーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、ジメ
チルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノエチ
ルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエーテ
ル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリル
ビニルエーテル、等）、ビニルアリールエーテル（ビニ
ルフエニルエーテル、ビニルトリルエーテル、ビニルク
ロルフエニルエーテル、ビニル−２，４−ジクロルフエ
ニルエーテル、ビニルナフチルエーテル、ビニルアント
ラニルエーテル、等）。

【００４８】ビニルエステル類：ビニルブチレート、ビ
ニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビ
ニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニルカプ
ロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジクロルア
セテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシ
アセテート、ビニルフエニルアセテート、ビニルアセト
アセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−フエニル
ブチレート、ビニルシクロヘキシルカルボキシレート、
安息香酸ビニル、サルチル酸ビニル、クロル安息香酸ビ
ニル、テトラクロル安息香酸ビニル、ナフトエ酸ビニ
ル、等。

【００４９】スチレン類：スチレン、アルキルスチレン
（メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチ
レン、エチルスチレン、ジエチルスチレン、イソプロピ
ルスチレン、ブチルスチレン、ヘキシルスチレン、シク
ロヘキシルスチレン、デシルスチレン、ベンジルスチレ
ン、クロルメチルスチレン、トリフルオルメチルスチレ
ン、エトキシメチルスチレン、アセトキシメチルスチレ
ン、等）、アルコキシスチレン（メトキシスチレン、４
−メトキシ−３−メチルスチレン、ジメトキシスチレン
等）、ハロゲンスチレン（クロルスチレン、ジクロルス
チレン、トリクロルスチレン、テトラクロルスチレン、
ペンタクロルスチレン、ブロムスチレン、ジブロムスチ
レン、ヨードスチレン、フルオルスチレン、トリフルオ
ルスチレン、２−ブロム−４−トリフルオルメチルスチ
レン、４−フルオル−３−トリフルオルメチルスチレ
ン、等）。

【００５０】クロトン酸エステル類：クロトン酸アルキ
ル（クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリ
ンモノクロトネート、等）。イタコン酸ジアルキル類：イタコン酸ジメチル、イタコ
ン酸ジエチル、イタコン酸ジブチル、等。マレイン酸またはフマール酸のジアルキル類：ジメチル
マレレート、ジブチルフマレート、等。アクリル酸、メタクリル酸、アクリロニトリル、メタク
リルロニトリル、等。がある。その他、一般的には前記（ＩＩＩ）〜（ＶＩ）
で示される化合物と共重合可能である付加重合性不飽和
化合物であればよい。

【００５１】本発明の高分子化合物の分子量は、重量平
均で１，０００以上、好ましくは５，０００〜１，００
０，０００である。本発明の、一般式（ＩＩＩ）、（Ｉ
Ｖ）、（Ｖ）もしくは（ＶＩ）で表されるモノマーに由
来する構造単位を有する高分子化合物の含量は、全組成
物の固形分に対し、５〜１００重量％が適当であり、好
ましくは１０〜８０重量％、更に好ましくは２０〜６０
重量％である。

【００５２】［一般式（ＶＩＩ）で表される化合物］一般式（ＶＩＩ）で表される化合物は、一般式（ＩＸ）
の化合物とＡ（−ＳＯ_２Ｃｌ）_ｎとの塩基存在下におけ
る脱ＨＣｌ縮合反応により合成できる。本発明に使用さ
れる一般式（ＶＩＩ）で表される化合物は、活性光線も
しくは放射線の照射により、カルボン酸もしくはスルホ
ン酸を発生し、アルカリ水溶液に対する溶解性を増大さ
せることを特徴とする。一般式（ＶＩＩ）で表される本
発明の化合物の含量は、全組成物の固形物に対し、５〜
９５重量％が適当であり、好ましくは１０〜８０重量
％、更に好ましくは２０〜６０重量％である。以下に、
これらの化合物の具体例（８３）〜（１０２）を示す。

【００５３】

【化２５】

【００５４】

【化２６】

【００５５】

【化２７】

【００５６】

【化２８】

【００５７】

【化２９】

【００５８】

【化３０】

【００５９】［アルカリ可溶性樹脂］アルカリ可溶性樹脂は、露光部のアルカリ溶解性をより
効率的にするため、また皮膜性・耐熱性を付与するため
添加する。このようなアルカリ可溶性ポリマーは、好ま
しくはフエノール性水酸基、カルボン酸、スルホン酸
基、イミド基、スルホンアミド基、Ｎ−スルホニルアミ
ド基、Ｎ−スルホニルウレタン基、活性メチレン基等
の、ｐＫａ１１以下の酸性水素原子を有するポリマーで
ある。好適なアルカリ可溶性ポリマーとしては、ノボラ
ツク型フエノール樹脂、具体的にはフエノールホルムア
ルデヒド樹脂、ｏ−クレゾール−ホルムアルデヒド樹
脂、ｍ−クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂、ｐ−クレ
ゾール−ホルムアルデヒド樹脂、キシレノール−ホルム
アルデヒド樹脂、またこれらの共縮合物等がある。更
に、特開昭５０−１２５８０６に記載されている様に、
上記のようなフエノール樹脂と共に、ｔ−ブチルフエノ
ールホルムアルデヒド樹脂のような炭素数３〜８のアル
キル基で置換されたフエノールもしくはクレゾールとホ
ルムアルデヒドとの縮合物とを併用してもよい。またＮ
−（４−ヒドロキシフエニル）メタクリルアミドのよう
なフエノール性ヒドロキシ基し含有モノマーを共重合成
分するポリマー、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｏ−ヒドロ
キシスチレン、ｍ−イソプロペニルフエノール、ｐ−イ
ソプロペニルフエノール等の単独もしくは共重合のポリ
マー、更にまたこれらのポリマーを部分エーテル化、部
分エステル化したポリマーも使用できる。更に、アクリ
ル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマーを
共重合成分とするポリマー、無水マレイン酸とスチレン
等の共重合物を加水分解もしくはアルコールでハーフエ
ステル化させたポリマー、特開昭６１−２６７０４２記
載のカルボキシル基含有ポリビニルアセタール樹脂、特
開昭６３−１２４０４７記載のカルボキシル基含有ポリ
ウレタン樹脂も好適に使用できる。更にまた、Ｎ−（４
−スルフアモイルフエニル）メタクリルアミド、Ｎ−フ
エニルスルホニルメタクリルアミド、マレイミドを共重
合成分とするポリマー、特開昭６３−１２７２３７記載
の活性メチレン基含有ポリマーも使用できる。これらの
アルカリ可溶性ポリマーは、単一で使用できるが、数種
の混合物として使用してもよい。感光性組成物中の好ま
しい添加量は、感光性組成物全固形分に対し、５〜９５
重量％、好ましくは２０〜９０重量％、更に好ましくは
４０〜８０重量％の範囲である。

【００６０】［その他の好ましい成分］本発明のポジ型感光性組成物には、必要に応じて、更に
染料、顔料、可塑剤及び光分解効率を増大させる化合物
（いわゆる増感剤）等を含有させることができる。染料
は着色剤として用いることができるが、好適な染料とし
ては、油溶性染料及び塩基性染料がある。具体的には、
オイルイオロー^＃１０１、オイルイエロー^＃１３０、オ
イルピンク^＃３１２、オイルグリーンＢＧ、オイルブル
ーＢＯＳ、オイルブルー^＃６０３、オイルブラツクＢ
Ｙ、オイルブラツクＢＳ、オイルブラツクＴ−５０５
（以上、オリエント化学工業（株）製）、クリスタルバ
イオレツト（ＣＩ４２５５５）、メチルバイオレツト
（ＣＩ４２５３５）、ローダミンＢ（ＣＩ４５１７０
Ｂ）、マラカイトグリーン（ＣＩ４２０００）、メチレ
ンブルー（ＣＩ５２０１５）等を挙げることができる。
また露光後直ちに可視像を得るための焼きだし剤を加え
ることができる。このような焼きだし剤としては、露光
によつて酸を放出する感光性化合物と塩を形成し得る有
機染料の組合せ代表として挙げることができる。具体的
には、特開昭５０−３６２０９、同５３−８１２８に記
載されているｏ−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸ハロゲニドと塩形成性有機染料の組合せや、特開昭５
３−３６２２３、同５４−７４７２８に記載されている
トリハロメチル化合物と塩形成性の有機染料の組合せを
挙げることができる。本発明の組成物中には、更に感度
を高めるために環状酸無水物、その他のフイラー等を加
えることができる。環状酸無水物としては、米国特許４
１１５１２８に記載されているように無水フタル酸、テ
トラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、
３，６−エンドオキシー△^４−テトラヒドロ無水フタル
酸、テトラクロル無水フタル酸、無水マレイン酸、クロ
ル無水マレイン酸、α−フエニル無水マレイン酸、無水
琥珀酸、ピロメリツト酸等がある。これらの環状酸無水
物を全組成物中の固形分に対して１〜１５重量％含有さ
せることによつて、感度を最大３倍程度に高めることが
できる。

【００６１】［溶媒］本発明のポジ型感光性組成物を、平版印刷溶材料として
使用する場合は、上記各成分を溶解する溶媒に溶かして
支持体上に塗布する。また半導体等のレジスト材料用と
しては、溶媒に溶解したままで使用する。ここで使用す
る溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサ
ノン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、
プロパノール、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、１−メトキシ−２−プロパノール、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、２−メトキシエチルアセテー
ト、２−エトキシエチルアセテート、１−メトキシ−２
−プロピルアセテート、ジメトキシエタン、乳酸メチ
ル、乳酸エチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラメチルウレア、Ｎ−
メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホラ
ン、γ−ブチロラクトン、トルエン、酢酸エチル等があ
り、これらの溶媒を単独もしくは混合して使用する。そ
いて上記成分中の濃度（添加物を含む全固形分）は、２
〜５０重量％である。また、塗布して使用する場合、塗
布量は用途により異なるが、例えば感光性平版印刷版に
ついていえば、一般的に固形物として０．５〜３．０ｇ
／ｍ^２が好ましい。塗布量が少なくなるにつれて感光性
は大になるが、感光膜の物性は低下する。

【００６２】［平版印刷版等の製造］本発明のポジ型感光性組成物を用いて平版印刷版を製造
する場合、その支持体としては、例えば紙、プラスチツ
ク（ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン等）
がラミネートされた紙、アルミニウム（アルミニウム合
金を含む）、亜鉛、銅等のような金属の板、２酢酸エル
ロース、３酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、
酪酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、硝酸セルロー
ス、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ
スチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリビ
ニルアセタール等のようなプラスチツクのフイルム、上
記のごとき金属がラミネートもしくは蒸着された紙もし
くはプラスチツクフイルム等が含まれる。これらの支持
体の内、アルミニウム板は寸度的に著しく安定であり、
しかも安価であるので特に好ましい。更に、特公昭４８
−１８３２７に記載されているようなポリエチレンテレ
フタレートフイルム上にアルミニウムシートが結合され
た複合体シートも好ましい。アルミニウム板の表面はワ
イヤブラシグレイニング、研磨粒子のスラリーを注ぎな
がらナイロンブラシで粗面化するブラシグレイニング、
ボールグレイニング、溶体ホーニングによるグレイニン
グ、バフグレイニング等の機械的方法、ＨＦ、ＡｌＣｌ
_３やＨＣｌをエツチヤントとするケミカルグレイニン
グ、硝酸もしくは塩酸を電解液とする電解グレイニン
グ、もしくはこれらの粗面化法を複合させて行った複合
グレイニングによつて表面を砂目立てした後、必要に応
じて酸もしくはアルカリによりエツチング処理され、引
続き硫酸、燐酸、蓚酸、ほう酸、クロム酸、スルフアミ
ン酸もしくはこれらの混酸中で直流もしくは交流電源に
て陽極酸化を行いアルミニウム表面に強固な不働態皮膜
を設けた物が好ましい。このような不働態皮膜自体でア
ルミニウム表面は親水化されてしまうが、更に必要に応
じて米国特許２７１４０６６、同３１８１４６１に記載
されている珪酸塩処理（珪酸ナトリウム、珪酸カリウ
ム）、米国特許２９４６６３８に記載されているフツ化
ジルコニウム酸カリウム処理、米国特許３２０１２４７
に記載されているホスホモリブデート処理、英国特許１
１０８５５９に記載されているアルキルチタネート処
理、独国特許１０９１４３３に記載されているポリアク
リル酸処理、独国特許１１３４０９３や英国特許１２３
０４４７に記載されているポリビニルホスホン酸処理、
特公昭４４−６４０９に記載されているホスホン酸処
理、米国特許３３０７９５１に記載されているフイチン
酸処理、特開昭５８−１６８９３、同５８−１８２９１
に記載されている親水性有機高分子化合物と２価の金属
よりなる複合処理、特開昭５９−１０１６５１に記載さ
れているスルホン酸基を有する水溶性重合体の下塗によ
つて親水化処理を行ったものは特に好ましい。その他の
親水化処理方法としては、米国特許３６５８６６２に記
載されているシリケート電着を挙げることができる。ま
た、砂目立て処理、陽極酸化後、封孔処理を施したもの
も好ましい。かかる封孔処理は熱水及び無機塩もしくは
有機塩を含む熱水溶液への浸漬並びに水蒸気浴等によつ
て行われる。

【００６３】［活性光線もしくは放射線］本発明に用いられる活性光線の光源としては、水銀灯、
メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルラン
プ、カーボンアーク灯等がある。放射線としては、電子
線、Ｘ線、イオンビーム、遠紫外線等がある。好ましく
は、フオトレジスト用の光源として、ｇ線、ｉ線、Ｄｅ
ｅｐ−ＵＶ光が使用される。また高密度エネルギービー
ム（レーザービームもしくは電子線）による走査もしく
はパルス露光も本発明に使用することができる。このよ
うなレーザービームとしては、ヘリウム・ネオンレーザ
ー、アルゴンレーザー、クリプトンイオンレーザー、ヘ
リウム・カドミウムレーザー、ＫｒＦエキシマーレーザ
ー等が挙げられる。

【００６４】［現像液］本発明のポジ型感光性組成物に対する現像液としては、
珪酸ナトリウム、珪酸カリウム、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、水酸化リチウム、第三燐酸ナトリウム、
第二燐酸ナトリウム、第三燐酸アンモニウム、第二燐酸
アンモニウム、メタ珪酸ナトリウム、重炭酸ナトリウ
ム、ウンモニア水等のような無機アルカリ剤及びテトラ
アルキルアンモニウムＯＨ塩等のような有機アルカリ剤
の水溶液が適当であり、それらの濃度が０．１〜１０重
量％、好ましくは０．５〜５重量％になるように添加さ
れる。また、該アルカリ性水溶液には、必要に応じて界
面活性剤やアルコール等のような有機溶媒を加えること
もできる。以下、本発明を、合成例、実施例により更に
詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。

【００６５】

【実施例】合成例１３，５−ジメトキシベンジルアル
コールの合成リチウムアルミニウムハイドライド（ＬｉＡｌＨ_４）
７．６ｇを脱水乾燥したＴＨＦ１００ｍｌに分散した。
これに、３，５−ジメトキシ安息香酸３６．４ｇの脱水
ＴＨＦ２００ｍｌの溶液を撹拌下、１時間かけて滴下し
た。その後、室温にて１時間撹拌を続けた。水２０ｍｌ
を滴下し、残存のＬｉＡｌＨ_４を処理した後、この反応
混合物を水１．５１中に投入した。濃塩酸２０ｇを加え
酸性化し、酢酸エチル７００ｍｌにて２回抽出した。抽
出液を水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥させ
た。乾燥させた酢酸エチル溶液を濃縮し、カラムクロマ
トグラフイー（充填剤：シリカゲル、展開液：ヘキサン
／酢酸エチル＝２／１）で精製したところ、無色針状結
晶３１ｇを得た。ＮＭＲによりこの結晶が下に示す、
３，５−ジメトキシベンジルアルコールであることを確
認した。

【００６６】

【化３１】

【００６７】合成例２３，５−ジメトキシベンジルメ
タクリレートの合成３，５−ジメトキシベンジルアルコール１６．８ｇ
（０．１００モル）、トリエチルアミン９．５ｇ（０．
０９４モル）、４−（ジメチルアミノ）ピリジン１．３
ｇ（０．０１１モル）をアセトン１２０ｍｌに溶解し、
これにメタクリロイルクロリド１１．０ｇ（０．１０５
モル）のアセトン５０ｍｌ溶液を室温下、３０分間かけ
て滴下した。その後、１時間撹拌を続けた。生成した塩
を濾別し、濃縮した後、カラムクロマトグラフイー（充
填剤：シリカゲル、展開液、ヘキサン／酢酸エチル＝５
／１）にて精製したところ、オイル状液体１７．５ｇを
得た。ＮＭＲにより、この液体が下に示す、３，５−ジ
メトキシベンジルメタクリレートであることを確認し
た。

【００６８】

【化３２】

【００６９】合成例３４−クロロスルホニルスチレン
の合成４−スチレンスルホン酸Ｎａ塩８２．５ｇをＣＨＣｌ_３
４００ｍｌに分散させ、氷冷下、５塩化燐１２４．９ｇ
を撹拌しながら徐々に添加した。その後、５時間加熱還
流させた。放冷後、反応混合物を氷水６００ｍｌに投入
し、ＣＨＣｌ_３層を更に水で洗浄した。無水硫酸マグネ
シウムで乾燥させた後、濃縮し、減圧蒸留にて精製し
た。オイル状液体４５ｇを得た。ＮＭＲ、元素分析によ
り、この液体が４−クロロスルホニルスチレンであるこ
とを確認した。

【００７０】

【化３３】

【００７１】合成例４３，５−ジメトキシベンジル−
４−スルホネートの合成合成例２の、メタクリロイルクロリドの代わりに、４−
クロロスルホニルスチレン２１．３ｇ（０．１０５モ
ル）を用い、合成例２と同様に反応、後処理を行った。
粘稠オイル２５．２ｇを得た。ＮＭＲより、このオイル
が下に示す、３，５−ジメトキシベンジル−４−スチレ
ンスルホネートであることを確認した。

【００７２】

【化３４】

【００７３】合成例５３，５−ジメトキシペンジルメ
タクリレートの重合体の合成３，５−ジメトキシベンジルメタクリレート２３．６ｇ
を２−メトキシエタノール８０ｍｌに溶解し、窒素気流
下、６５℃に加熱して、２，２′−アゾビス（２，４−
ジメチルバレロニトリル）０．０２５ｇを添加した。３
時間加熱・撹拌を続けた後、２，２′−アゾビス（２，
４−ジメチルバレロニトリル）０．０２５ｇを再度添加
し、更に４時間反応を続けた。反応溶液を水２１中に撹
拌しながら投入し、析出した白色樹脂を瀘取・乾燥し
て、重合体２２ｇを得た。ゲルパーミエーションクロマ
トグラフイー（ＧＰＣ）により分子量を測定したとこ
ろ、重量平均（ポリスチレン標準）で５５，０００であ
つた。

【００７４】合成例６３，５−ジメトキシベンジル−
４−スチンレンスルホネート／スチレン共重合体の合成合成例５の３，５−ジメトキシベンジルメタクリレート
の代わりに、３，５−ジメトキシベンジル４−スチレ
ンスルホネート２０．１ｇ（０．０６０モル）、及びス
チレン４．２ｇ（０．０４０モル）を用い、合成例５と
同様にして反応・後処理を行った。白色樹脂２３ｇを家
た。分子量は重量平均（ＧＰＣ、ポリスチレン標準）で
４３，０００であつた。

【００７５】実施例１〜６下記感光液［Ａ］の、本発明の高分子化合物の種類を変
えて、表１に示す６種類の感光液［Ａ］−１〜［Ａ］−
６を調製し、シリコーンウエハー上にスピナーで塗布し
た。更にホツトプレート上で９０℃において２分間乾燥
させた。膜厚は１．０μｍであつた。感光液［Ａ］の処方本発明の高分子化合物１．０ｇエチルセロソルブアセテート７．０ｇ

【００７６】

【表１】

【００７７】次に、フイルターを介して２５４ｎｍ光を
取り出し、マスクを通してコンタクト露光した。その
後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキシドの２．
４％水溶液で６０秒間現像することにより、レジストパ
ターンを形成させた。その結果、０．５μｍのライン＆
スペースの良好なパターンが得られた。なお、表１にお
ける本発明の高分子化合物の分子量は重量平均（ＧＰ
Ｃ、ポリスチレン標準）で４２，０００〜６８，０００
であつた。

【００７８】実施例７〜１２下記感光液［Ｂ］の本発明の高分子化合物の種類を変え
て、表２に示す６種類の感光液［Ｂ］−１〜［Ｂ］−６
を調製し、シリコンウエハー上にスピナーで塗布した。
更にホツトプレート上で９０℃において２分間乾燥させ
た。膜厚は１．０μｍであつた。感光液［Ｂ］本発明の高分子化合物０．５ｇポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（丸善石油（株）製、重量平均分子量６，０００）１．０ｇエチルセロソルブアセテート８．５ｇ

【００７９】

【００８０】次に、２４９ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ
ー光により、マスクを介してパルス露光し、その後、テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキシドの２．４％水
溶液で６０秒間現像することによりレジストパターンを
形成させた。その結果、０．３μｍのライン＆スペース
の良好なパターンが得られた。なお、表２における本発
明の高分子化合物の分子量は重量平均（ＧＰＣ、ポリス
チレン標準）で４３，０００〜６５，０００であつた。

【００８１】合成例９化合物例（９６）の合成２，３−ジメトキシベンジルアルコール１６．８ｇ
（０．１００モル）、トリエチルアミン９．５ｇ（０．
０９４モル）、４−（ジメチルアミノ）ピリジン１．３
ｇ（０．０１１モル）をアセト１２０ｍｌに溶解し、こ
れに、１，５−ビス（クロロスルホニル）ナフタレン１
７．０ｇ（０．０５２モル）のアセトン５０ｍｌ溶液を
室温下、３０分間かけて滴下した。その後、１時間撹拌
を続けた。生成した塩を濾別し、濃縮した後、合成例１
と同様に精製したところ、無色結晶１２．８ｇを得た。
ＮＭＲにより、この結晶が化合物例（９６）であること
を確認した。

【００８２】実施例１３、１４下記感光液［Ｃ］の本発明の化合物の種類を変えて、６
種類の感光液［Ｃ］−５〜［Ｃ］−６を調製し、シリコ
ンウエハー上にスピナーで塗布した。更に、ホツトプレ
ート上で９０℃において２分間乾燥させた。膜厚は、
１．０μｍであつた。感光液［Ｃ］本発明の化合物０．４０ｇｍ／ｐ＝４／６クレゾール−ホルムアルデヒドノボラツク樹脂１．０ｇエチルセロソルブアセテート８．５ｇなお、感光液［Ｃ］−５〜［Ｃ］−６を用いた本発明の
化合物を表３に示す。

【００８３】

【表３】

【００８４】次に、フイルターを介して２５４ｎｍ光を
取り出し、マスクを通してコンタクト露光した。その
後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキシドの２．
４％水溶液で６０秒間現像することにより、レジストパ
ターンを形成させた。その結果、０．５μｍのライン＆
スペースの良好なパターンが得られた。

【００８５】実施例１５、１６下記感光液［Ｄ］の本発明の化合物の種類を変えて、表
４に示す６種類の感光液［Ｄ］−５〜［Ｄ］−６を調製
し、シリコンウエハー上にスピナーで塗布した。更にホ
ツトプレート上で９０℃において２分間乾燥させた。膜
厚は１．０μｍであつた。感光液［Ｄ］本発明の化合物０．５ｇポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（丸善石油（株）製、重量平均分子量６，０００）１．０ｇエチルセロソルブアセテート８．５ｇ

【００８６】

【表４】

【００８７】次に、２４９ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ
ー光により、マスクを介してパルス露光し、その後、テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキシドの２．４％水
溶液で６０秒間現像することによりレジストパターンを
形成させた。その結果、０．３μｍのライン＆スペース
の良好なパターンが得られた。

フロントページの続き (56)参考文献特開平２−70（ＪＰ，Ａ) 特開平１−300250（ＪＰ，Ａ) 特開平１−140144（ＪＰ，Ａ) 特開昭60−3625（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−38454（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−39603（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】下記一般式（Ｉ）もしくは（ＩＩ）で表
され、下記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）もしく
は（ＶＩ）で表されるモノマーに由来する構造単位を少
なくとも１モル％有する高分子化合物であって活性光線
の照射によりカルボン酸もしくはスルホン酸を発生する
基を有する化合物を含有することを特徴とする感光性組
成物。【化１】ここで、Ｒ_１：水素原子、アルキル基もしくはアリール
基。Ｒ_２〜Ｒ_６：同一でも異なっていても良く、水素原子、
ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、シアノ
基もしくはアルキル基。ただし、少なくとも１つはアル
コキシ基もしくはアリーロキシ基であり、２つが結合し
て環を形成しても良い。を表す。ここで、Ｒ：水素原子、ハロゲン原子もしくはアルキル基。Ｒ_１：水素原子、アルキル基もしくはアリール基。Ｒ_２〜Ｒ_６：同一でも異なっていても良く、水素原子、
ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、シアノ
基もしくはアルキル基。ただし、少なくとも１つはアル
コキシ基もしくはアリーロキシ基であり、２つが結合し
て環を形成しても良い。Ａ：単結合もしくは２価の脂肪族もしくは芳香族炭化水
素基。を表す。
【請求項２】請求項１において、更に水不溶でアルカ
リ水溶液に可溶な樹脂を含有することを特徴とする感光
性組成物。
【請求項３】下記一般式（ＶＩＩ）で表され、活性光
線の照射によりスルホン酸を発生する基を有する化合物
を含有することを特徴とする感光性組成物。【化３】４ここで、Ｒ_１：水素原子、アルキル基もしくはアリール基。Ｒ_２〜Ｒ_６：同一でも異なっていても良く、水素原子、
ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、シアノ
基もしくはアルキル基。ただし、少なくとも１つはアル
コキシ基もしくはアリーロキシ基であり、２つが結合し
て環を形成しても良い。Ａ：ｎ価の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基。ｎ：１以上の整数を表す。